JPH10163789A - 弾性表面波素子 - Google Patents
弾性表面波素子Info
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- JPH10163789A JPH10163789A JP31381196A JP31381196A JPH10163789A JP H10163789 A JPH10163789 A JP H10163789A JP 31381196 A JP31381196 A JP 31381196A JP 31381196 A JP31381196 A JP 31381196A JP H10163789 A JPH10163789 A JP H10163789A
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- acoustic wave
- surface acoustic
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3431—Leadless components
- H05K3/3442—Leadless components having edge contacts, e.g. leadless chip capacitors, chip carriers
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 パッケージに収容することなく、直接に回路
基板上に実装することが出来る弾性表面波素子を提供す
る。 【解決手段】 圧電体基板11の表面に、一対の櫛形電極
12、12が形成されると共に、その両側に格子状の反射器
13、13が形成されている。櫛形電極12、12には夫々、一
対の入力用パッド14、14、及び一対の出力用パッド15、
15が接続されている。圧電体基板11の表面には、櫛形電
極12、12、反射器13、13、入力用パッド14、14及び出力
用パッド15、15を覆って、絶縁性資材からなる保護膜18
が形成されている。入力用パッド14及び出力用パッド15
には夫々、各パッドの表面から圧電体基板11の側面を経
て圧電体基板11の裏面に回り込む回り込み電極16、17が
接続されている。該弾性表面波フィルター１は、回り込
み電極16、17の先端部を夫々、回路基板上のパッド41、
41に連結して、回路基板上に実装される。
基板上に実装することが出来る弾性表面波素子を提供す
る。 【解決手段】 圧電体基板11の表面に、一対の櫛形電極
12、12が形成されると共に、その両側に格子状の反射器
13、13が形成されている。櫛形電極12、12には夫々、一
対の入力用パッド14、14、及び一対の出力用パッド15、
15が接続されている。圧電体基板11の表面には、櫛形電
極12、12、反射器13、13、入力用パッド14、14及び出力
用パッド15、15を覆って、絶縁性資材からなる保護膜18
が形成されている。入力用パッド14及び出力用パッド15
には夫々、各パッドの表面から圧電体基板11の側面を経
て圧電体基板11の裏面に回り込む回り込み電極16、17が
接続されている。該弾性表面波フィルター１は、回り込
み電極16、17の先端部を夫々、回路基板上のパッド41、
41に連結して、回路基板上に実装される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、圧電体基板上に、
弾性表面波を励振させるための励振電極を形成してなる
弾性表面波素子に関し、パッケージに収容することなく
回路基板上に実装することが可能な弾性表面波素子に関
するものである。
弾性表面波を励振させるための励振電極を形成してなる
弾性表面波素子に関し、パッケージに収容することなく
回路基板上に実装することが可能な弾性表面波素子に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、携帯電話機等の通信機器において
は、共振器フィルター、信号処理用遅延線等の回路素子
として、弾性表面波素子が用いられている。例えば、図
１４及び図１５に示す弾性表面波フィルター(５)におい
ては、圧電体基板(51)の表面に、一対の櫛形電極(52)(5
2)が形成されると共に、その両側に格子状の反射器(53)
(53)が形成されている。櫛形電極(52)(52)には夫々、一
対の入力用パッド(54)(54)、及び一対の出力用パッド(5
5)(55)が接続されている。
は、共振器フィルター、信号処理用遅延線等の回路素子
として、弾性表面波素子が用いられている。例えば、図
１４及び図１５に示す弾性表面波フィルター(５)におい
ては、圧電体基板(51)の表面に、一対の櫛形電極(52)(5
2)が形成されると共に、その両側に格子状の反射器(53)
(53)が形成されている。櫛形電極(52)(52)には夫々、一
対の入力用パッド(54)(54)、及び一対の出力用パッド(5
5)(55)が接続されている。
【０００３】上記弾性表面波フィルター(５)において
は、櫛形電極(52)(52)及び反射器(53)(53)の表面が露出
しているので、回路基板(４)上に実装する際、櫛形電極
(52)(52)及び反射器(53)(53)を塵や湿気から保護するた
めに、弾性表面波フィルター(５)を図１５に示す如くパ
ッケージ(６)に収容することが行なわれる。即ち、複数
の電極(61)(61)(61)(61)が取り付けられたパッケージ
(６)の内面に、弾性表面波フィルター(５)を固定し、前
記複数の電極(61)(61)(61)(61)と、弾性表面波フィルタ
ー(５)の入力用パッド(54)(54)及び出力用パッド(55)(5
5)とを夫々、ボンディングワイヤ(56)によって互いに接
続する。そして、各電極(61)を回路基板(４)上の各パッ
ド(41)に半田層(62)により固定して、弾性表面波フィル
ター(５)を回路基板(４)上に実装する。
は、櫛形電極(52)(52)及び反射器(53)(53)の表面が露出
しているので、回路基板(４)上に実装する際、櫛形電極
(52)(52)及び反射器(53)(53)を塵や湿気から保護するた
めに、弾性表面波フィルター(５)を図１５に示す如くパ
ッケージ(６)に収容することが行なわれる。即ち、複数
の電極(61)(61)(61)(61)が取り付けられたパッケージ
(６)の内面に、弾性表面波フィルター(５)を固定し、前
記複数の電極(61)(61)(61)(61)と、弾性表面波フィルタ
ー(５)の入力用パッド(54)(54)及び出力用パッド(55)(5
5)とを夫々、ボンディングワイヤ(56)によって互いに接
続する。そして、各電極(61)を回路基板(４)上の各パッ
ド(41)に半田層(62)により固定して、弾性表面波フィル
ター(５)を回路基板(４)上に実装する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
弾性表面波フィルター(５)は、回路基板(４)上に実装す
る際、上述の如くパッケージ(６)に収容する必要がある
ので、実装状態で装置が大形となり構造も複雑となる問
題がある。本発明の目的は、パッケージに収容すること
なく、直接に回路基板上に実装することが出来る弾性表
面波素子を提供することである。
弾性表面波フィルター(５)は、回路基板(４)上に実装す
る際、上述の如くパッケージ(６)に収容する必要がある
ので、実装状態で装置が大形となり構造も複雑となる問
題がある。本発明の目的は、パッケージに収容すること
なく、直接に回路基板上に実装することが出来る弾性表
面波素子を提供することである。
【０００５】
【課題を解決する為の手段】本発明に係る弾性表面波素
子は、圧電性を有する基板と、基板の表面に形成され弾
性表面波を励振させるための励振電極と、該励振電極に
接続され外部回路との接続のための取り出し電極と、励
振電極を覆って形成され絶縁性資材からなる保護膜とを
具え、取り出し電極の少なくとも一部が保護膜から露出
している。
子は、圧電性を有する基板と、基板の表面に形成され弾
性表面波を励振させるための励振電極と、該励振電極に
接続され外部回路との接続のための取り出し電極と、励
振電極を覆って形成され絶縁性資材からなる保護膜とを
具え、取り出し電極の少なくとも一部が保護膜から露出
している。
【０００６】本発明に係る弾性表面波素子においては、
励振電極は、保護膜によって塵や湿気から保護される。
従って、該弾性表面波素子を回路基板上に実装する際、
従来の弾性表面波素子の如くパッケージに収容する必要
はなく、直接に回路基板上に実装することが出来る。即
ち、弾性表面波素子は、取り出し電極を回路基板上の外
部回路に電気的に接続させて、回路基板上に実装され
る。ここで、保護膜は、絶縁性資材から形成されている
ので、励振電極や取り出し電極を電気的に短絡させるこ
とはなく、弾性表面波素子としての動作に支障は生じな
い。
励振電極は、保護膜によって塵や湿気から保護される。
従って、該弾性表面波素子を回路基板上に実装する際、
従来の弾性表面波素子の如くパッケージに収容する必要
はなく、直接に回路基板上に実装することが出来る。即
ち、弾性表面波素子は、取り出し電極を回路基板上の外
部回路に電気的に接続させて、回路基板上に実装され
る。ここで、保護膜は、絶縁性資材から形成されている
ので、励振電極や取り出し電極を電気的に短絡させるこ
とはなく、弾性表面波素子としての動作に支障は生じな
い。
【０００７】具体的には、取り出し電極は、前記圧電体
基板(11)の表面に励振電極の信号入出力部と接続して形
成された複数のパッド(14)(15)と、各パッドの表面から
圧電体基板(11)の側面を経て圧電体基板(11)の裏面に回
り込む複数の回り込み電極(16)(17)とから構成され、複
数の回り込み電極(16)(17)が前記保護膜(18)から露出し
ている。
基板(11)の表面に励振電極の信号入出力部と接続して形
成された複数のパッド(14)(15)と、各パッドの表面から
圧電体基板(11)の側面を経て圧電体基板(11)の裏面に回
り込む複数の回り込み電極(16)(17)とから構成され、複
数の回り込み電極(16)(17)が前記保護膜(18)から露出し
ている。
【０００８】該具体的構成を有する弾性表面波素子は、
圧電体基板(11)の裏面に伸びた複数の回り込み電極(16)
(17)の先端部を回路基板(４)上の複数のパッド(41)に連
結して、回路基板(４)上に実装される。回路基板(４)か
らパッド(41)を経て入力される入力信号は、回り込み電
極(16)及びパッド(14)を経て、励振電極の信号入力部へ
供給される。これによって励振電極の信号出力部からパ
ッド(15)を経て得られる出力信号は、回り込み電極(17)
及びパッド(41)を経て、回路基板(４)へ供給される。
圧電体基板(11)の裏面に伸びた複数の回り込み電極(16)
(17)の先端部を回路基板(４)上の複数のパッド(41)に連
結して、回路基板(４)上に実装される。回路基板(４)か
らパッド(41)を経て入力される入力信号は、回り込み電
極(16)及びパッド(14)を経て、励振電極の信号入力部へ
供給される。これによって励振電極の信号出力部からパ
ッド(15)を経て得られる出力信号は、回り込み電極(17)
及びパッド(41)を経て、回路基板(４)へ供給される。
【０００９】又、具体的には、取り出し電極は、前記圧
電体基板(21)の表面に励振電極の信号入出力部と接続し
て形成された複数の表面パッド(24a)(25a)と、圧電体基
板(21)の裏面に各表面パッドと対応させて形成された複
数の裏面パッド(24b)(25b)と、圧電体基板(21)を貫通し
て各表面パッドと対応する各裏面パッドとを互いに電気
的に接続する複数の接続電極(26)(27)とから構成され、
複数の裏面パッド(24b)(25b)が前記保護膜(28)から露出
している。
電体基板(21)の表面に励振電極の信号入出力部と接続し
て形成された複数の表面パッド(24a)(25a)と、圧電体基
板(21)の裏面に各表面パッドと対応させて形成された複
数の裏面パッド(24b)(25b)と、圧電体基板(21)を貫通し
て各表面パッドと対応する各裏面パッドとを互いに電気
的に接続する複数の接続電極(26)(27)とから構成され、
複数の裏面パッド(24b)(25b)が前記保護膜(28)から露出
している。
【００１０】該具体的構成を有する弾性表面波素子は、
複数の裏面パッド(24b)(25b)を回路基板(４)上の複数の
パッド(41)に連結して、回路基板(４)上に実装される。
回路基板(４)からパッド(41)を経て入力される入力信号
は、裏面パッド(24b)、接続電極(26)及び表面パッド(24
a)を経て、励振電極の信号入力部へ供給される。これに
よって励振電極の信号出力部から表面パッド(25a)を経
て得られる出力信号は、接続電極(27)、裏面パッド(25
b)及び回路基板(４)上のパッド(41)を経て、回路基板
(４)へ供給される。
複数の裏面パッド(24b)(25b)を回路基板(４)上の複数の
パッド(41)に連結して、回路基板(４)上に実装される。
回路基板(４)からパッド(41)を経て入力される入力信号
は、裏面パッド(24b)、接続電極(26)及び表面パッド(24
a)を経て、励振電極の信号入力部へ供給される。これに
よって励振電極の信号出力部から表面パッド(25a)を経
て得られる出力信号は、接続電極(27)、裏面パッド(25
b)及び回路基板(４)上のパッド(41)を経て、回路基板
(４)へ供給される。
【００１１】又、具体的には、取り出し電極は、前記圧
電体基板(31)の表面に励振電極の信号入出力部と接続し
て形成された複数のパッド(34)(35)から構成され、各パ
ッドの一部が前記保護膜(36)から露出している。
電体基板(31)の表面に励振電極の信号入出力部と接続し
て形成された複数のパッド(34)(35)から構成され、各パ
ッドの一部が前記保護膜(36)から露出している。
【００１２】該具体的構成を有する弾性表面波素子は、
複数のパッド(34)(35)を回路基板(４)上の複数のパッド
(41)に連結して、回路基板(４)上に実装される。回路基
板(４)からパッド(41)を経て入力される入力信号は、パ
ッド(34)を経て励振電極の信号入力部へ供給される。こ
れによって励振電極の信号出力部からパッド(35)を経て
得られる出力信号は、回路基板(４)上のパッド(41)を経
て、回路基板(４)へ供給される。
複数のパッド(34)(35)を回路基板(４)上の複数のパッド
(41)に連結して、回路基板(４)上に実装される。回路基
板(４)からパッド(41)を経て入力される入力信号は、パ
ッド(34)を経て励振電極の信号入力部へ供給される。こ
れによって励振電極の信号出力部からパッド(35)を経て
得られる出力信号は、回路基板(４)上のパッド(41)を経
て、回路基板(４)へ供給される。
【００１３】更に具体的には、保護膜は、２００Åより
も大きく且つ圧電体基板上に励起する弾性表面波の波長
の６倍よりも小さい膜厚を有する。
も大きく且つ圧電体基板上に励起する弾性表面波の波長
の６倍よりも小さい膜厚を有する。
【００１４】保護膜の厚さが過小であると、励振電極を
塵や湿気から充分に保護することが出来ず、保護膜の厚
さが過大であると、弾性表面波素子の弾性表面波伝搬特
性に悪影響を与える。そこで、保護膜の厚さを上記具体
的範囲に設定することにより、励振電極を塵や湿気から
完全に保護することが出来、然も弾性表面波素子の特性
が悪影響を受けることもない。
塵や湿気から充分に保護することが出来ず、保護膜の厚
さが過大であると、弾性表面波素子の弾性表面波伝搬特
性に悪影響を与える。そこで、保護膜の厚さを上記具体
的範囲に設定することにより、励振電極を塵や湿気から
完全に保護することが出来、然も弾性表面波素子の特性
が悪影響を受けることもない。
【００１５】
【発明の効果】本発明に係る弾性表面波素子によれば、
励振電極が保護膜によって覆われているので、弾性表面
波素子をパッケージに収容することなく、直接に回路基
板上に実装することが出来る。
励振電極が保護膜によって覆われているので、弾性表面
波素子をパッケージに収容することなく、直接に回路基
板上に実装することが出来る。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明を弾性表面波フィル
ターに実施した３つの例につき、図面に沿って具体的に
説明する。第１実施例 図１乃至図３は、本実施例の弾性表面波フィルター(１)
を回路基板(４)上に実装した状態を表わしている。尚、
図３は、図２Ａ−Ａ線に沿う断面を表わしているが、図
３においては、便宜上、櫛形電極(12)の向きを９０度変
えて表わしている。本実施例の弾性表面波フィルター
(１)においては、図示の如く、圧電体基板(11)の表面
に、一対の櫛形電極(12)(12)が形成されると共に、その
両側に格子状の反射器(13)(13)が形成されている。ここ
で、櫛形電極(12)及び反射器(13)の線幅及び線間は共に
１.１μｍであり、圧電体基板(11)上には、波長４.４μ
ｍの弾性表面波が励起することになる。櫛形電極(12)(1
2)には夫々、一対の入力用パッド(14)(14)、及び一対の
出力用パッド(15)(15)が接続されている。
ターに実施した３つの例につき、図面に沿って具体的に
説明する。第１実施例 図１乃至図３は、本実施例の弾性表面波フィルター(１)
を回路基板(４)上に実装した状態を表わしている。尚、
図３は、図２Ａ−Ａ線に沿う断面を表わしているが、図
３においては、便宜上、櫛形電極(12)の向きを９０度変
えて表わしている。本実施例の弾性表面波フィルター
(１)においては、図示の如く、圧電体基板(11)の表面
に、一対の櫛形電極(12)(12)が形成されると共に、その
両側に格子状の反射器(13)(13)が形成されている。ここ
で、櫛形電極(12)及び反射器(13)の線幅及び線間は共に
１.１μｍであり、圧電体基板(11)上には、波長４.４μ
ｍの弾性表面波が励起することになる。櫛形電極(12)(1
2)には夫々、一対の入力用パッド(14)(14)、及び一対の
出力用パッド(15)(15)が接続されている。
【００１７】そして、圧電体基板(11)の表面には、櫛形
電極(12)(12)、反射器(13)(13)、入力用パッド(14)(14)
及び出力用パッド(15)(15)の基板内側部(14a)(14a)(15
a)(15a)を覆って、絶縁性資材、例えばＳiＯ2からなる
膜厚２００Å〜１５μｍの保護膜(18)が形成されてい
る。ここで、保護膜(18)は絶縁性資材から形成されてい
るので、櫛形電極(12)(12)、入力用パッド(14)(14)及び
出力用パッド(15)(15)を電気的に短絡させることはな
く、弾性表面波フィルター(１)としての動作に支障は生
じない。又、保護膜(18)の膜厚は、２００Åよりも大き
く、圧電体基板(11)上に励起する弾性表面波の波長の６
倍の値よりも小さく設定される。これによって、櫛形電
極(12)(12)及び反射器(13)(13)を塵や湿気から完全に保
護することが出来、然も弾性表面波フィルター(１)の特
性が悪影響を受けることもない。
電極(12)(12)、反射器(13)(13)、入力用パッド(14)(14)
及び出力用パッド(15)(15)の基板内側部(14a)(14a)(15
a)(15a)を覆って、絶縁性資材、例えばＳiＯ2からなる
膜厚２００Å〜１５μｍの保護膜(18)が形成されてい
る。ここで、保護膜(18)は絶縁性資材から形成されてい
るので、櫛形電極(12)(12)、入力用パッド(14)(14)及び
出力用パッド(15)(15)を電気的に短絡させることはな
く、弾性表面波フィルター(１)としての動作に支障は生
じない。又、保護膜(18)の膜厚は、２００Åよりも大き
く、圧電体基板(11)上に励起する弾性表面波の波長の６
倍の値よりも小さく設定される。これによって、櫛形電
極(12)(12)及び反射器(13)(13)を塵や湿気から完全に保
護することが出来、然も弾性表面波フィルター(１)の特
性が悪影響を受けることもない。
【００１８】又、入力用パッド(14)(14)及び出力用パッ
ド(15)(15)の基板外側部(14b)(14b)(15b)(15b)には、こ
れらのパッド(14)(14)(15)(15)の表面から圧電体基板(1
1)の側面を経て圧電体基板(11)の裏面に回り込んで伸び
る回り込み電極(16)(16)(17)(17)が接続されている。こ
こで、回り込み電極(16)(16)(17)(17)は、例えばＡu、
Ａg、及びＰdの合金から形成される。該弾性表面波フィ
ルター(１)は、回り込み電極(16)(16)(17)(17)の先端部
を夫々、半田層(７)により回路基板(４)上のパッド(41)
に固定して、回路基板(４)上に実装される。
ド(15)(15)の基板外側部(14b)(14b)(15b)(15b)には、こ
れらのパッド(14)(14)(15)(15)の表面から圧電体基板(1
1)の側面を経て圧電体基板(11)の裏面に回り込んで伸び
る回り込み電極(16)(16)(17)(17)が接続されている。こ
こで、回り込み電極(16)(16)(17)(17)は、例えばＡu、
Ａg、及びＰdの合金から形成される。該弾性表面波フィ
ルター(１)は、回り込み電極(16)(16)(17)(17)の先端部
を夫々、半田層(７)により回路基板(４)上のパッド(41)
に固定して、回路基板(４)上に実装される。
【００１９】該弾性表面波フィルター(１)においては、
回路基板(４)からパッド(41)(41)を経て入力される入力
信号は、半田層(７)(７)、回り込み電極(16)(16)及び入
力用パッド(14)(14)を経て、櫛形電極(12)へ供給され
る。これによって櫛形電極(12)から出力用パッド(15)(1
5)を経て得られる出力信号は、回り込み電極(17)(17)、
半田層(７)(７)及びパッド(41)(41)を経て回路基板(４)
へ供給される。
回路基板(４)からパッド(41)(41)を経て入力される入力
信号は、半田層(７)(７)、回り込み電極(16)(16)及び入
力用パッド(14)(14)を経て、櫛形電極(12)へ供給され
る。これによって櫛形電極(12)から出力用パッド(15)(1
5)を経て得られる出力信号は、回り込み電極(17)(17)、
半田層(７)(７)及びパッド(41)(41)を経て回路基板(４)
へ供給される。
【００２０】図４及び図５は、上記弾性表面波フィルタ
ー(１)の製造工程及び実装工程を表わしている。尚、図
４及び図５は、図２Ａ−Ａ線に沿う断面における製造工
程及び実装工程を表わしているが、図４及び図５におい
ては、便宜上、櫛形電極(12)の向きを９０度変えて表わ
している。先ず、タンタル酸リチウム(ＬiＴaＯ3)から
なる厚さ３５０μｍのウエハ(10)の表面に、ＲＦスパッ
タリングによって、膜厚４０００ÅのＡl−Ｃu膜を成膜
した後、フォトリソグラフィーによってパターニングを
行ない、図４(ａ)の如く、複数の櫛形電極(12)、反射
器、入力用パッド及び出力用パッド(15)を形成する。こ
こで、櫛形電極(12)、反射器、入力用パッド及び出力用
パッド(15)は、１つの弾性表面波フィルター(１)を構成
すべき図２の所定パターンを有し、ウエハ(10)上には、
該パターンが複数個形成される。
ー(１)の製造工程及び実装工程を表わしている。尚、図
４及び図５は、図２Ａ−Ａ線に沿う断面における製造工
程及び実装工程を表わしているが、図４及び図５におい
ては、便宜上、櫛形電極(12)の向きを９０度変えて表わ
している。先ず、タンタル酸リチウム(ＬiＴaＯ3)から
なる厚さ３５０μｍのウエハ(10)の表面に、ＲＦスパッ
タリングによって、膜厚４０００ÅのＡl−Ｃu膜を成膜
した後、フォトリソグラフィーによってパターニングを
行ない、図４(ａ)の如く、複数の櫛形電極(12)、反射
器、入力用パッド及び出力用パッド(15)を形成する。こ
こで、櫛形電極(12)、反射器、入力用パッド及び出力用
パッド(15)は、１つの弾性表面波フィルター(１)を構成
すべき図２の所定パターンを有し、ウエハ(10)上には、
該パターンが複数個形成される。
【００２１】次に、図４(ｂ)の如く、ウエハ(10)の全面
に、櫛形電極(12)、反射器、入力用パッド及び出力用パ
ッド(15)(15)を覆って、ＲＦスパッタリングによりＳi
Ｏ2からなる膜厚２００Å〜１５μｍの保護膜(18)を成
膜する。ここで、保護膜(18)の成膜方法としては、イオ
ンビームエッチング法、電子ビーム蒸着法、或いは化学
的気相成長(ＣＶＤ)法を採用することも可能である。続
いて、保護膜(18)の表面に、レジスト(図示省略)を用い
たイオンビームエッチング或いはウエットエッチングを
施してパターニングを行ない、同図(ｃ)の如く開口(18
a)(18a)を設けて、入力用パッド及び出力用パッド(15)
(15)の基板外側部(15b)(15b)を保護膜(18)から露出させ
る。ここで、保護膜(18)のパターニング方法としては、
リフトオフ法を採用することも可能である。そして、ウ
エハ(10)を図示する破線に沿って切断して、同図(ｄ)の
如くパターン毎に分離する。
に、櫛形電極(12)、反射器、入力用パッド及び出力用パ
ッド(15)(15)を覆って、ＲＦスパッタリングによりＳi
Ｏ2からなる膜厚２００Å〜１５μｍの保護膜(18)を成
膜する。ここで、保護膜(18)の成膜方法としては、イオ
ンビームエッチング法、電子ビーム蒸着法、或いは化学
的気相成長(ＣＶＤ)法を採用することも可能である。続
いて、保護膜(18)の表面に、レジスト(図示省略)を用い
たイオンビームエッチング或いはウエットエッチングを
施してパターニングを行ない、同図(ｃ)の如く開口(18
a)(18a)を設けて、入力用パッド及び出力用パッド(15)
(15)の基板外側部(15b)(15b)を保護膜(18)から露出させ
る。ここで、保護膜(18)のパターニング方法としては、
リフトオフ法を採用することも可能である。そして、ウ
エハ(10)を図示する破線に沿って切断して、同図(ｄ)の
如くパターン毎に分離する。
【００２２】更に、図５(ａ)の如く、Ａu、Ａg及びＰd
を混合してなる導電性インクの塗布によって回り込み電
極(17)(17)を形成し、弾性表面波フィルター(１)を完成
する。ここで、回り込み電極(17)としては、Ａu、Ａg、
及びＰdを混合してなるペースト、或いは半田を採用す
ることも可能である。そして、同図(ｂ)の如く、回り込
み電極(17)(17)の先端部に半田ボール(70)(70)を付着せ
しめる。最後に、上記弾性表面波フィルター(１)の各半
田ボール(70)を回路基板(４)の対応する各パッド(41)に
接触させて、弾性表面波フィルター(１)を回路基板(４)
上に設置した状態で、半田ボール(70)を加熱により溶融
せしめる。これによって、図１及び図５(ｃ)の如く回り
込み電極(16)(16)(17)(17)の先端部を半田層(７)(７)
(７)(７)により回路基板(４)のパッド(41)(41)(41)(41)
に固定して、弾性表面波フィルター(１)を直接に回路基
板(４)上に実装する。
を混合してなる導電性インクの塗布によって回り込み電
極(17)(17)を形成し、弾性表面波フィルター(１)を完成
する。ここで、回り込み電極(17)としては、Ａu、Ａg、
及びＰdを混合してなるペースト、或いは半田を採用す
ることも可能である。そして、同図(ｂ)の如く、回り込
み電極(17)(17)の先端部に半田ボール(70)(70)を付着せ
しめる。最後に、上記弾性表面波フィルター(１)の各半
田ボール(70)を回路基板(４)の対応する各パッド(41)に
接触させて、弾性表面波フィルター(１)を回路基板(４)
上に設置した状態で、半田ボール(70)を加熱により溶融
せしめる。これによって、図１及び図５(ｃ)の如く回り
込み電極(16)(16)(17)(17)の先端部を半田層(７)(７)
(７)(７)により回路基板(４)のパッド(41)(41)(41)(41)
に固定して、弾性表面波フィルター(１)を直接に回路基
板(４)上に実装する。
【００２３】第２実施例 図６及び図７は、本実施例の弾性表面波フィルター(２)
を回路基板(４)上に実装した状態を表わしている。尚、
図７は、図６Ａ−Ａ線に沿う断面を表わしているが、図
７においては、便宜上、櫛形電極(22)の向きを９０度変
えて表わしている。本実施例の弾性表面波フィルター
(２)においては、図示の如く、圧電体基板(21)の表面
に、一対の櫛形電極(22)(22)が形成されると共に、その
両側に格子状の反射器(23)(23)が形成されている。ここ
で、櫛形電極(22)及び反射器(23)の線幅及び線間は共に
１.１μｍであり、圧電体基板(21)上には、波長４.４μ
ｍの弾性表面波が励起することになる。櫛形電極(22)(2
2)には夫々、一対の入力用表面パッド(24a)(24a)、及び
一対の出力用表面パッド(25a)(25a)が接続されている。
を回路基板(４)上に実装した状態を表わしている。尚、
図７は、図６Ａ−Ａ線に沿う断面を表わしているが、図
７においては、便宜上、櫛形電極(22)の向きを９０度変
えて表わしている。本実施例の弾性表面波フィルター
(２)においては、図示の如く、圧電体基板(21)の表面
に、一対の櫛形電極(22)(22)が形成されると共に、その
両側に格子状の反射器(23)(23)が形成されている。ここ
で、櫛形電極(22)及び反射器(23)の線幅及び線間は共に
１.１μｍであり、圧電体基板(21)上には、波長４.４μ
ｍの弾性表面波が励起することになる。櫛形電極(22)(2
2)には夫々、一対の入力用表面パッド(24a)(24a)、及び
一対の出力用表面パッド(25a)(25a)が接続されている。
【００２４】圧電体基板(21)の裏面には、入力用表面パ
ッド(24a)(24a)及び出力用表面パッド(25a)(25a)と対応
する位置に夫々、入力用裏面パッド(24b)(24b)及び出力
用裏面パッド(25b)(25b)が形成されている。又、圧電体
基板(21)には、入力用表面パッド(24a)(24a)、圧電体基
板(21)及び入力用裏面パッド(24b)(24b)を垂直に貫通し
て伸びる複数の接続電極(26)(26)が形成されている。
又、圧電体基板(21)には、出力用表面パッド(25a)(25
a)、圧電体基板(21)及び出力用裏面パッド(25b)(25b)を
垂直に貫通して伸びる複数の接続電極(27)(27)が形成さ
れている。これらの接続電極(26)(26)(27)(27)は、導電
性を有する資材から形成され、これによって、入力用表
面パッド(24a)(24a)と入力用裏面パッド(24b)(24b)、出
力用表面パッド(25a)(25a)と出力用裏面パッド(25b)(25
b)とが夫々、互いに電気的に接続されることになる。
ッド(24a)(24a)及び出力用表面パッド(25a)(25a)と対応
する位置に夫々、入力用裏面パッド(24b)(24b)及び出力
用裏面パッド(25b)(25b)が形成されている。又、圧電体
基板(21)には、入力用表面パッド(24a)(24a)、圧電体基
板(21)及び入力用裏面パッド(24b)(24b)を垂直に貫通し
て伸びる複数の接続電極(26)(26)が形成されている。
又、圧電体基板(21)には、出力用表面パッド(25a)(25
a)、圧電体基板(21)及び出力用裏面パッド(25b)(25b)を
垂直に貫通して伸びる複数の接続電極(27)(27)が形成さ
れている。これらの接続電極(26)(26)(27)(27)は、導電
性を有する資材から形成され、これによって、入力用表
面パッド(24a)(24a)と入力用裏面パッド(24b)(24b)、出
力用表面パッド(25a)(25a)と出力用裏面パッド(25b)(25
b)とが夫々、互いに電気的に接続されることになる。
【００２５】そして、圧電体基板(21)の全面に、櫛形電
極(22)(22)、反射器(23)(23)、入力用表面パッド(24a)
(24a)、出力用表面パッド(25a)(25a)及び接続電極(26)
(26)(27)(27)を覆って、絶縁性資材、例えばＳiＯ2から
なる膜厚２００Å〜１５μｍの保護膜(28)が形成されて
いる。ここで、保護膜(28)は絶縁性資材から形成されて
いるので、櫛形電極(22)(22)、入力用表面パッド(24a)
(24a)及び出力用表面パッド(25a)(25a)を電気的に短絡
させることはなく、弾性表面波フィルター(２)としての
動作に支障は生じない。又、保護膜(28)の膜厚は、２０
０Åよりも大きく、圧電体基板(21)上に励起する弾性表
面波の波長の６倍の値よりも小さく設定される。これに
よって、櫛形電極(22)(22)及び反射器(23)(23)を塵や湿
気から完全に保護することが出来、然も弾性表面波フィ
ルター(２)の特性が悪影響を受けることもない。
極(22)(22)、反射器(23)(23)、入力用表面パッド(24a)
(24a)、出力用表面パッド(25a)(25a)及び接続電極(26)
(26)(27)(27)を覆って、絶縁性資材、例えばＳiＯ2から
なる膜厚２００Å〜１５μｍの保護膜(28)が形成されて
いる。ここで、保護膜(28)は絶縁性資材から形成されて
いるので、櫛形電極(22)(22)、入力用表面パッド(24a)
(24a)及び出力用表面パッド(25a)(25a)を電気的に短絡
させることはなく、弾性表面波フィルター(２)としての
動作に支障は生じない。又、保護膜(28)の膜厚は、２０
０Åよりも大きく、圧電体基板(21)上に励起する弾性表
面波の波長の６倍の値よりも小さく設定される。これに
よって、櫛形電極(22)(22)及び反射器(23)(23)を塵や湿
気から完全に保護することが出来、然も弾性表面波フィ
ルター(２)の特性が悪影響を受けることもない。
【００２６】該弾性表面波フィルター(２)は、入力用裏
面パッド(24b)(24b)及び出力用裏面パッド(25b)(25b)を
夫々、半田層(71)により回路基板(４)上のパッド(41)に
固定して、回路基板(４)上に実装される。
面パッド(24b)(24b)及び出力用裏面パッド(25b)(25b)を
夫々、半田層(71)により回路基板(４)上のパッド(41)に
固定して、回路基板(４)上に実装される。
【００２７】該弾性表面波フィルター(２)においては、
回路基板(４)からパッド(41)(41)を経て入力される入力
信号は、半田層(71)(71)、入力用裏面パッド(24b)(24
b)、接続電極(26)(26)及び入力用表面パッド(24a)(24a)
を経て、櫛形電極(22)へ供給される。これによって櫛形
電極(22)から出力用表面パッド(25a)(25a)を経て得られ
る出力信号は、接続電極(27)(27)、出力用裏面パッド(2
5b)(25b)、半田層(71)(71)及びパッド(41)(41)を経て、
回路基板(４)へ供給される。
回路基板(４)からパッド(41)(41)を経て入力される入力
信号は、半田層(71)(71)、入力用裏面パッド(24b)(24
b)、接続電極(26)(26)及び入力用表面パッド(24a)(24a)
を経て、櫛形電極(22)へ供給される。これによって櫛形
電極(22)から出力用表面パッド(25a)(25a)を経て得られ
る出力信号は、接続電極(27)(27)、出力用裏面パッド(2
5b)(25b)、半田層(71)(71)及びパッド(41)(41)を経て、
回路基板(４)へ供給される。
【００２８】図８及び図９は、上記弾性表面波フィルタ
ー(２)の製造工程及び実装工程を表わしている。尚、図
８及び図９は、図６Ａ−Ａ線に沿う断面における製造工
程及び実装工程を表わしているが、図８及び図９におい
ては、便宜上、櫛形電極(22)の向きを９０度変えて表わ
している。先ず、タンタル酸リチウム(ＬiＴaＯ3)から
なる厚さ３５０μｍのウエハ(20)の表面に、ＲＦスパッ
タリングによって、膜厚４０００ÅのＡl−Ｃu膜を成膜
した後、フォトリソグラフィーによってパターニングを
行ない、図８(ａ)の如く、複数の櫛形電極(22)、反射
器、入力用表面パッド及び出力用表面パッド(25a)を形
成する。又、同様の方法で、ウエハ(20)の裏面に、入力
用表面パッド及び出力用表面パッド(25a)の対応する位
置に夫々、複数の入力用裏面パッド及び出力用裏面パッ
ド(25b)を形成する。ここで、櫛形電極(22)、反射器、
入力用表面パッド及び出力用表面パッド(25a)は、１つ
の弾性表面波フィルター(２)を構成すべき図６の所定パ
ターンを有し、ウエハ(20)上には、該パターンが複数個
形成される。
ー(２)の製造工程及び実装工程を表わしている。尚、図
８及び図９は、図６Ａ−Ａ線に沿う断面における製造工
程及び実装工程を表わしているが、図８及び図９におい
ては、便宜上、櫛形電極(22)の向きを９０度変えて表わ
している。先ず、タンタル酸リチウム(ＬiＴaＯ3)から
なる厚さ３５０μｍのウエハ(20)の表面に、ＲＦスパッ
タリングによって、膜厚４０００ÅのＡl−Ｃu膜を成膜
した後、フォトリソグラフィーによってパターニングを
行ない、図８(ａ)の如く、複数の櫛形電極(22)、反射
器、入力用表面パッド及び出力用表面パッド(25a)を形
成する。又、同様の方法で、ウエハ(20)の裏面に、入力
用表面パッド及び出力用表面パッド(25a)の対応する位
置に夫々、複数の入力用裏面パッド及び出力用裏面パッ
ド(25b)を形成する。ここで、櫛形電極(22)、反射器、
入力用表面パッド及び出力用表面パッド(25a)は、１つ
の弾性表面波フィルター(２)を構成すべき図６の所定パ
ターンを有し、ウエハ(20)上には、該パターンが複数個
形成される。
【００２９】次に、図８(ｂ)の如く、入力用表面パッ
ド、ウエハ(20)及び入力用裏面パッドを垂直に貫通する
スルーホール(図示省略)を開設すると共に、出力用表面
パッド(25a)(25a)、ウエハ(20)及び出力用裏面パッド(2
5b)(25b)を垂直に貫通するスルーホール(25c)(25c)を開
設する。続いて、同図(ｃ)の如く、前記スルーホールの
内部に夫々、複数の半田ボール(72)を投入した後、半田
ボール(72)を加熱により溶融して、溶融した半田を同図
(ｄ)の如くスルーホール(25c)(25c)の内周面に付着せし
め、接続電極(27)(27)を形成する。
ド、ウエハ(20)及び入力用裏面パッドを垂直に貫通する
スルーホール(図示省略)を開設すると共に、出力用表面
パッド(25a)(25a)、ウエハ(20)及び出力用裏面パッド(2
5b)(25b)を垂直に貫通するスルーホール(25c)(25c)を開
設する。続いて、同図(ｃ)の如く、前記スルーホールの
内部に夫々、複数の半田ボール(72)を投入した後、半田
ボール(72)を加熱により溶融して、溶融した半田を同図
(ｄ)の如くスルーホール(25c)(25c)の内周面に付着せし
め、接続電極(27)(27)を形成する。
【００３０】その後、図９(ａ)の如く、ウエハ(20)の全
面に、櫛形電極(22)、反射器、入力用表面パッド、出力
用表面パッド(25a)(25a)及び接続電極(27)(27)を覆っ
て、ＲＦスパッタリングによりＳiＯ2からなる膜厚２０
０Å〜１５μｍの保護膜(28)を成膜する。更に、ウエハ
(20)を図示する破線に沿って切断して、同図(ｂ)の如く
パターン毎に分離し、弾性表面波フィルター(２)を完成
する。そして、同図(ｃ)の如く入力用裏面パッド及び出
力用裏面パッド(25b)(25b)に夫々、半田ボール(73)を付
着せしめる。最後に、上記弾性表面波フィルター(２)の
各半田ボール(73)を回路基板(４)の対応する各パッド(4
1)に接触させて、弾性表面波フィルター(１)を回路基板
(４)上に設置した状態で、半田ボール(73)を加熱により
溶融せしめる。これによって、同図(ｄ)の如く入力用裏
面パッド及び出力用裏面パッド(25b)(25b)を半田層(71)
(71)により回路基板(４)のパッド(41)(41)に固定して、
弾性表面波フィルター(２)を直接に回路基板(４)上に実
装する。
面に、櫛形電極(22)、反射器、入力用表面パッド、出力
用表面パッド(25a)(25a)及び接続電極(27)(27)を覆っ
て、ＲＦスパッタリングによりＳiＯ2からなる膜厚２０
０Å〜１５μｍの保護膜(28)を成膜する。更に、ウエハ
(20)を図示する破線に沿って切断して、同図(ｂ)の如く
パターン毎に分離し、弾性表面波フィルター(２)を完成
する。そして、同図(ｃ)の如く入力用裏面パッド及び出
力用裏面パッド(25b)(25b)に夫々、半田ボール(73)を付
着せしめる。最後に、上記弾性表面波フィルター(２)の
各半田ボール(73)を回路基板(４)の対応する各パッド(4
1)に接触させて、弾性表面波フィルター(１)を回路基板
(４)上に設置した状態で、半田ボール(73)を加熱により
溶融せしめる。これによって、同図(ｄ)の如く入力用裏
面パッド及び出力用裏面パッド(25b)(25b)を半田層(71)
(71)により回路基板(４)のパッド(41)(41)に固定して、
弾性表面波フィルター(２)を直接に回路基板(４)上に実
装する。
【００３１】第３実施例 図１０及び図１１は、本実施例の弾性表面波フィルター
(３)を回路基板(４)上に実装した状態を表わしている。
尚、図１１は、図１０Ａ−Ａ線に沿う断面を表わしてい
るが、図１１においては、便宜上、櫛形電極(32)の向き
を９０度変えて表わしている。本実施例の弾性表面波フ
ィルター(３)においては、図示の如く、圧電体基板(31)
の表面に、一対の櫛形電極(32)(32)が形成されると共
に、その両側に格子状の反射器(33)(33)が形成されてい
る。ここで、櫛形電極(32)及び反射器(33)の線幅及び線
間は共に１.１μｍであり、圧電体基板(31)上には、波
長４.４μｍの弾性表面波が励起することになる。櫛形
電極(32)(32)には夫々、一対の入力用パッド(34)(34)、
及び一対の出力用パッド(35)(35)が接続されている。
(３)を回路基板(４)上に実装した状態を表わしている。
尚、図１１は、図１０Ａ−Ａ線に沿う断面を表わしてい
るが、図１１においては、便宜上、櫛形電極(32)の向き
を９０度変えて表わしている。本実施例の弾性表面波フ
ィルター(３)においては、図示の如く、圧電体基板(31)
の表面に、一対の櫛形電極(32)(32)が形成されると共
に、その両側に格子状の反射器(33)(33)が形成されてい
る。ここで、櫛形電極(32)及び反射器(33)の線幅及び線
間は共に１.１μｍであり、圧電体基板(31)上には、波
長４.４μｍの弾性表面波が励起することになる。櫛形
電極(32)(32)には夫々、一対の入力用パッド(34)(34)、
及び一対の出力用パッド(35)(35)が接続されている。
【００３２】そして、圧電体基板(31)の表面に、櫛形電
極(32)(32)、反射器(33)(33)、入力用パッド(34)(34)及
び出力用パッド(35)(35)の外周部を覆って、絶縁性資
材、例えばＳiＯ2からなる膜厚２００Å〜１５μｍの保
護膜(36)が形成されている。該保護膜(36)は、入力用パ
ッド(34)(34)及び出力用パッド(35)(35)の中心部に、複
数の開口(36a)(36a)(36b)(36b)を有している。ここで、
保護膜(36)は絶縁性資材から形成されているので、櫛形
電極(32)(32)、入力用パッド(34)(34)及び出力用パッド
(35)(35)を電気的に短絡させることはなく、弾性表面波
フィルター(３)としての動作に支障は生じない。又、保
護膜(36)の膜厚は、２００Åよりも大きく、圧電体基板
(31)上に励起する弾性表面波の波長の６倍の値よりも小
さく設定される。従って、櫛形電極(32)(32)及び反射器
(33)(33)を塵や湿気から完全に保護することが出来、然
も弾性表面波フィルター(３)の特性が悪影響を受けるこ
ともない。
極(32)(32)、反射器(33)(33)、入力用パッド(34)(34)及
び出力用パッド(35)(35)の外周部を覆って、絶縁性資
材、例えばＳiＯ2からなる膜厚２００Å〜１５μｍの保
護膜(36)が形成されている。該保護膜(36)は、入力用パ
ッド(34)(34)及び出力用パッド(35)(35)の中心部に、複
数の開口(36a)(36a)(36b)(36b)を有している。ここで、
保護膜(36)は絶縁性資材から形成されているので、櫛形
電極(32)(32)、入力用パッド(34)(34)及び出力用パッド
(35)(35)を電気的に短絡させることはなく、弾性表面波
フィルター(３)としての動作に支障は生じない。又、保
護膜(36)の膜厚は、２００Åよりも大きく、圧電体基板
(31)上に励起する弾性表面波の波長の６倍の値よりも小
さく設定される。従って、櫛形電極(32)(32)及び反射器
(33)(33)を塵や湿気から完全に保護することが出来、然
も弾性表面波フィルター(３)の特性が悪影響を受けるこ
ともない。
【００３３】該弾性表面波フィルター(３)は、圧電体基
板(31)の櫛形電極(32)(32)が形成されている面を回路基
板(４)に対向させ、入力用パッド(34)(34)及び出力用パ
ッド(35)(35)を夫々、前記各開口に形成されている半田
層(74)により回路基板(４)上のパッド(41)に固定して、
回路基板(４)上に実装される。
板(31)の櫛形電極(32)(32)が形成されている面を回路基
板(４)に対向させ、入力用パッド(34)(34)及び出力用パ
ッド(35)(35)を夫々、前記各開口に形成されている半田
層(74)により回路基板(４)上のパッド(41)に固定して、
回路基板(４)上に実装される。
【００３４】該弾性表面波フィルター(３)においては、
回路基板(４)からパッド(41)(41)を経て入力される入力
信号は、半田層(74)(74)及び入力用パッド(34)(34)を経
て、櫛形電極(32)へ供給される。これによって櫛形電極
(32)から出力用パッド(35)(35)を経て得られる出力信号
は、半田層(74)(74)及びパッド(41)(41)を経て、回路基
板(４)へ供給される。
回路基板(４)からパッド(41)(41)を経て入力される入力
信号は、半田層(74)(74)及び入力用パッド(34)(34)を経
て、櫛形電極(32)へ供給される。これによって櫛形電極
(32)から出力用パッド(35)(35)を経て得られる出力信号
は、半田層(74)(74)及びパッド(41)(41)を経て、回路基
板(４)へ供給される。
【００３５】図１２及び図１３は、上記弾性表面波フィ
ルター(３)の製造工程及び実装工程を表わしている。
尚、図１２及び図１３は、図１０Ａ−Ａ線に沿う断面に
おける製造工程及び実装工程を表わしているが、図１２
及び図１３においては、便宜上、櫛形電極(32)の向きを
９０度変えて表わしている。先ず、タンタル酸リチウム
(ＬiＴaＯ3)からなる厚さ３５０μｍのウエハ(30)の表
面に、ＲＦスパッタリングによって、膜厚４０００Åの
Ａl−Ｃu膜を成膜した後、フォトリソグラフィーによっ
てパターニングを行ない、図１２(ａ)の如く、複数の櫛
形電極(32)、反射器、入力用パッド及び出力用パッド(3
5)を形成する。ここで、櫛形電極(32)、反射器、入力用
パッド及び出力用パッド(35)は、１つの弾性表面波フィ
ルター(３)を構成すべき図１０の所定パターンを有し、
ウエハ(30)上には、該パターンが複数個形成される。
ルター(３)の製造工程及び実装工程を表わしている。
尚、図１２及び図１３は、図１０Ａ−Ａ線に沿う断面に
おける製造工程及び実装工程を表わしているが、図１２
及び図１３においては、便宜上、櫛形電極(32)の向きを
９０度変えて表わしている。先ず、タンタル酸リチウム
(ＬiＴaＯ3)からなる厚さ３５０μｍのウエハ(30)の表
面に、ＲＦスパッタリングによって、膜厚４０００Åの
Ａl−Ｃu膜を成膜した後、フォトリソグラフィーによっ
てパターニングを行ない、図１２(ａ)の如く、複数の櫛
形電極(32)、反射器、入力用パッド及び出力用パッド(3
5)を形成する。ここで、櫛形電極(32)、反射器、入力用
パッド及び出力用パッド(35)は、１つの弾性表面波フィ
ルター(３)を構成すべき図１０の所定パターンを有し、
ウエハ(30)上には、該パターンが複数個形成される。
【００３６】次に、図１２(ｂ)の如く、ウエハ(30)の全
面に、櫛形電極(32)、反射器、入力用パッド及び出力用
パッド(35)(35)を覆って、ＲＦスパッタリングによりＳ
iＯ2からなる膜厚２００Å〜１５μｍの保護膜(36)を成
膜する。続いて、保護膜(36)の表面に、レジスト(図示
省略)を用いたイオンビームエッチング或いはウエット
エッチングを施してパターニングを行ない、同図(ｃ)の
如く複数の開口(36b)(36b)を設けて、入力用パッド及び
出力用パッド(35)(35)の中心部を保護膜(36)から露出さ
せる。
面に、櫛形電極(32)、反射器、入力用パッド及び出力用
パッド(35)(35)を覆って、ＲＦスパッタリングによりＳ
iＯ2からなる膜厚２００Å〜１５μｍの保護膜(36)を成
膜する。続いて、保護膜(36)の表面に、レジスト(図示
省略)を用いたイオンビームエッチング或いはウエット
エッチングを施してパターニングを行ない、同図(ｃ)の
如く複数の開口(36b)(36b)を設けて、入力用パッド及び
出力用パッド(35)(35)の中心部を保護膜(36)から露出さ
せる。
【００３７】その後、同図(ｄ)の如く、開口(36b)(36b)
内に半田ボール(75)(75)を付着せしめた後、ウエハ(30)
を破線に沿って切断し、図１３(ａ)の如くパターン毎に
分離して、弾性表面波フィルター(３)を完成する。
内に半田ボール(75)(75)を付着せしめた後、ウエハ(30)
を破線に沿って切断し、図１３(ａ)の如くパターン毎に
分離して、弾性表面波フィルター(３)を完成する。
【００３８】最後に、上記弾性表面波フィルター(３)の
各半田ボール(75)を回路基板(４)の対応する各パッド(4
1)に接触させて、弾性表面波フィルター(３)を回路基板
(４)上に設置した状態で、半田ボール(75)を加熱により
溶融せしめる。これによって、同図(ｂ)の如く入力用パ
ッド及び出力用パッド(35)(35)を半田層(71)(71)により
回路基板(４)のパッド(41)(41)に固定して、弾性表面波
フィルター(３)を直接に回路基板(４)上に実装する。
各半田ボール(75)を回路基板(４)の対応する各パッド(4
1)に接触させて、弾性表面波フィルター(３)を回路基板
(４)上に設置した状態で、半田ボール(75)を加熱により
溶融せしめる。これによって、同図(ｂ)の如く入力用パ
ッド及び出力用パッド(35)(35)を半田層(71)(71)により
回路基板(４)のパッド(41)(41)に固定して、弾性表面波
フィルター(３)を直接に回路基板(４)上に実装する。
【００３９】上記第１、第２及び第３実施例の弾性表面
波フィルター(１)(２)(３)によれば、櫛形電極(12)(22)
(32)及び反射器(13)(23)(33)が、保護膜(18)(28)(36)に
よって覆われて塵や湿気から保護されているので、回路
基板(４)上に実装する際、櫛形電極(52)及び反射器(53)
の表面が露出していた従来の弾性表面波フィルター(５)
の如く、弾性表面波フィルター(１)(２)(３)をパッケー
ジに収容する必要はなく、直接に実装することが出来
る。
波フィルター(１)(２)(３)によれば、櫛形電極(12)(22)
(32)及び反射器(13)(23)(33)が、保護膜(18)(28)(36)に
よって覆われて塵や湿気から保護されているので、回路
基板(４)上に実装する際、櫛形電極(52)及び反射器(53)
の表面が露出していた従来の弾性表面波フィルター(５)
の如く、弾性表面波フィルター(１)(２)(３)をパッケー
ジに収容する必要はなく、直接に実装することが出来
る。
【００４０】上記実施の形態の説明は、本発明を説明す
るためのものであって、特許請求の範囲に記載の発明を
限定し、或は範囲を減縮する様に解すべきではない。
又、本発明の各部構成は上記実施の形態に限らず、特許
請求の範囲に記載の技術的範囲内で種々の変形が可能で
あることは勿論である。
るためのものであって、特許請求の範囲に記載の発明を
限定し、或は範囲を減縮する様に解すべきではない。
又、本発明の各部構成は上記実施の形態に限らず、特許
請求の範囲に記載の技術的範囲内で種々の変形が可能で
あることは勿論である。
【００４１】例えば、上記第１、第２及び第３実施例に
おいては、タンタル酸リチウム(ＬiＴaＯ3)からなるウ
エハ(10)(20)(30)を採用しているが、周知の他の絶縁性
資材、例えばニオブ酸リチウム(ＬiＮbＯ3)、ホウ酸リ
チウム(Ｌi2Ｂ4Ｏ7)或いは水晶からなるウエハを採用す
ることも可能である。又、ガラス、シリコン、サファイ
ア或いはＭgＯ等の弾性資材からなるウエハ上に、窒化
アルミニウム(ＡlＮ)、酸化亜鉛(ＺuＯ)或いはチタン酸
ジルコン酸鉛(ＰＺＴ)からなる圧電体薄膜を形成した基
板を採用することも可能である。
おいては、タンタル酸リチウム(ＬiＴaＯ3)からなるウ
エハ(10)(20)(30)を採用しているが、周知の他の絶縁性
資材、例えばニオブ酸リチウム(ＬiＮbＯ3)、ホウ酸リ
チウム(Ｌi2Ｂ4Ｏ7)或いは水晶からなるウエハを採用す
ることも可能である。又、ガラス、シリコン、サファイ
ア或いはＭgＯ等の弾性資材からなるウエハ上に、窒化
アルミニウム(ＡlＮ)、酸化亜鉛(ＺuＯ)或いはチタン酸
ジルコン酸鉛(ＰＺＴ)からなる圧電体薄膜を形成した基
板を採用することも可能である。
【００４２】又、櫛形電極(12)(22)(32)、反射器(13)(2
3)(33)、入力用パッド及び出力用パッドは、上記第１、
第２及び第３実施例のパターンに限らず、種々のパター
ンに変形が可能である。例えば、フィルターの構成によ
って、反射器を具えないもの、１つのパッドが入力用パ
ッド及び出力用パッドとして兼用されているものを採用
することが可能である。
3)(33)、入力用パッド及び出力用パッドは、上記第１、
第２及び第３実施例のパターンに限らず、種々のパター
ンに変形が可能である。例えば、フィルターの構成によ
って、反射器を具えないもの、１つのパッドが入力用パ
ッド及び出力用パッドとして兼用されているものを採用
することが可能である。
【００４３】又、上記第１、第２及び第３実施例におい
ては、非結晶、多結晶或いは微結晶等のＳiＯ2から保護
膜(18)(28)(36)を形成しているが、周知の他の絶縁性資
材、例えばＳiＮ、ＳiＯＮ、ＡlＮ或いはＤＬＣ(Diamon
d-like Carbon)から形成することも可能である。又、こ
れらの絶縁性資材を積層して、より強固な保護性能を得
ることも可能である。
ては、非結晶、多結晶或いは微結晶等のＳiＯ2から保護
膜(18)(28)(36)を形成しているが、周知の他の絶縁性資
材、例えばＳiＮ、ＳiＯＮ、ＡlＮ或いはＤＬＣ(Diamon
d-like Carbon)から形成することも可能である。又、こ
れらの絶縁性資材を積層して、より強固な保護性能を得
ることも可能である。
【００４４】更に、上記第１、第２及び第３実施例にお
いては、弾性表面波フィルター(１)(２)(３)を回路基板
(４)に実装する際、半田を採用しているが、半田バン
プ、金バンプ、或いは導電性樹脂を採用することも可能
である。
いては、弾性表面波フィルター(１)(２)(３)を回路基板
(４)に実装する際、半田を採用しているが、半田バン
プ、金バンプ、或いは導電性樹脂を採用することも可能
である。
【図１】第１実施例の弾性表面波フィルターを回路基板
に実装した状態を表わす一部破断斜視図である。
に実装した状態を表わす一部破断斜視図である。
【図２】同上の状態を表わす一部破断平面図である。
【図３】同上の状態を表わす図２Ａ−Ａ線に沿う断面図
である。
である。
【図４】該弾性表面波フィルターの製造工程の前半を表
わす工程図である。
わす工程図である。
【図５】同上工程の後半、及び実装工程を表わす工程図
である。
である。
【図６】第２実施例の弾性表面波フィルターを回路基板
に実装した状態を表わす一部破断平面図である。
に実装した状態を表わす一部破断平面図である。
【図７】同上の状態を表わす図６Ａ−Ａ線に沿う断面図
である。
である。
【図８】該弾性表面波フィルターの製造工程の前半を表
わす工程図である。
わす工程図である。
【図９】同上工程の後半、及び実装工程を表わす工程図
である。
である。
【図１０】第３実施例の弾性表面波フィルターを回路基
板に実装した状態を表わす一部破断平面図である。
板に実装した状態を表わす一部破断平面図である。
【図１１】同上の状態を表わす図１０Ａ−Ａ線に沿う断
面図である。
面図である。
【図１２】該弾性表面波フィルターの製造工程の前半を
表わす工程図である。
表わす工程図である。
【図１３】同上工程の後半、及び実装工程を表わす工程
図である。
図である。
【図１４】従来の弾性表面波フィルターを表わす平面図
である。
である。
【図１５】該弾性表面波フィルターを回路基板上に実装
した状態を表わす断面図である。
した状態を表わす断面図である。
(１) 弾性表面波フィルター (11) 圧電体基板 (12) 櫛形電極 (13) 反射器 (14) 入力用パッド (15) 出力用パッド (16) 回り込み電極 (17) 回り込み電極 (18) 保護膜 (４) 回路基板 (41) パッド
Claims (5)
- 【請求項１】 圧電体基板と、圧電体基板の表面に形成
され弾性表面波を励振させるための励振電極と、該励振
電極に接続され外部回路との接続のための取り出し電極
と、励振電極を覆って形成され絶縁性資材からなる保護
膜とを具え、取り出し電極の少なくとも一部が保護膜か
ら露出している弾性表面波素子。 - 【請求項２】 取り出し電極は、前記圧電体基板(11)の
表面に励振電極の信号入出力部と接続して形成された複
数のパッド(14)(15)と、各パッドの表面から圧電体基板
(11)の側面を経て圧電体基板(11)の裏面に回り込む複数
の回り込み電極(16)(17)とから構成され、複数の回り込
み電極(16)(17)が前記保護膜(18)から露出している請求
項１に記載の弾性表面波素子。 - 【請求項３】 取り出し電極は、前記圧電体基板(21)の
表面に励振電極の信号入出力部と接続して形成された複
数の表面パッド(24a)(25a)と、圧電体基板(21)の裏面に
各表面パッドと対応させて形成された複数の裏面パッド
(24b)(25b)と、圧電体基板(21)を貫通して各表面パッド
と対応する各裏面パッドとを互いに電気的に接続する複
数の接続電極(26)(27)とから構成され、複数の裏面パッ
ド(24b)(25b)が前記保護膜(28)から露出している請求項
１に記載の弾性表面波素子。 - 【請求項４】 取り出し電極は、前記圧電体基板(31)の
表面に励振電極の信号入出力部と接続して形成された複
数のパッド(34)(35)から構成され、各パッドの一部が前
記保護膜(36)から露出している請求項１に記載の弾性表
面波素子。 - 【請求項５】 保護膜は、２００Åよりも大きく且つ圧
電体基板上に励起する弾性表面波の波長の６倍よりも小
さい膜厚を有する請求項１乃至請求項４の何れかに記載
の弾性表面波素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31381196A JPH10163789A (ja) | 1996-11-25 | 1996-11-25 | 弾性表面波素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31381196A JPH10163789A (ja) | 1996-11-25 | 1996-11-25 | 弾性表面波素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10163789A true JPH10163789A (ja) | 1998-06-19 |
Family
ID=18045806
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31381196A Pending JPH10163789A (ja) | 1996-11-25 | 1996-11-25 | 弾性表面波素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10163789A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002261571A (ja) * | 2001-02-27 | 2002-09-13 | Kyocera Corp | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
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| US6722951B2 (en) | 2000-05-22 | 2004-04-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for lapping and a lapping apparatus |
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| WO2005069486A1 (ja) * | 2004-01-19 | 2005-07-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性境界波装置 |
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-
1996
- 1996-11-25 JP JP31381196A patent/JPH10163789A/ja active Pending
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