JP4314118B2 - 改善された出力許容性を有する電極構造体及び製造法 - Google Patents
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Description
ES1 部分層
ES2 部分層
S 圧電基板
AS 適合層
HS 付着促進剤層
ZS 中間層
V 間隙
H 隆起物
P 不動態化層
Claims (13)
- 圧電基板(S)を有し、前記圧電基板(S)の上にはアルミニウムを含む電極構造体(ES)が設けられている、SAWデバイスにおいて、電極構造体(ES)の下方に、電極構造体の出力許容性を高めるために、機械的に安定な適合層(AS)が配置されており、その際、適合層(AS)と圧電基板(S)との間に付着促進剤層(HS)が配置されており、即ち、下方から順に圧電基板(S)、付着促進剤層(HS)、適合層(AS)、電極構造体(ES)が配置されており、その際、
以下の全ての特徴:
付着促進剤層(HS)が1〜10nmの層厚を有するという特徴、
付着促進剤層(HS)がAl2O3又はTiOを含むという特徴、
適合層(AS)がチタン合金、マグネシウム又は窒化チタンを含むという特徴、及び
電極構造体(ES)がアルミニウム又はアルミニウム合金を含むという特徴
を有する、SAWデバイス。 - 適合層(AS)が2〜30nmの層厚を有する、請求項1記載のデバイス。
- 電極構造体(ES)が多層であり、その際、その都度アルミニウム又はアルミニウム合金を含む2つの部分層(ES1、ES2)の間に中間層(ZS)が配置されている、請求項1又は2記載のデバイス。
- 中間層(ZS)として拡散遮断層が備えられている、請求項3記載のデバイス。
- 中間層(ZS)がCu、Mg、MgO、Ti、窒化チタン又はチタン合金から成る、請求項4記載のデバイス。
- 少なくとも1つの中間層(ZS)の厚さが、電極構造体(ES)の全厚の1〜10%の割合を有する、請求項5記載のデバイス。
- 電極構造体(ES)の上方に不動態化層(PS)が配置されている、請求項1から6までのいずれか1項記載のデバイス。
- 不動態化層(PS)が、SiO2、SiC、Si3N4、DLC、TiO又はMgOから成る、請求項7記載のデバイス。
- 電極構造体(ES)は、基板(S)の表面に対して横の側面上で、不動態化層(PS)で被覆されているが、その際、基板表面に平行する電極構造体(ES)の表面には不動態化層が存在しない、請求項7又は8記載のデバイス。
- 請求項1から9までのいずれか1項記載のデバイスの製造法において、基板(S)上に、薄いアルミニウム層を設けて酸化させ、引き続き、適合層(AS)及び電極構造体(ES)を設けることを特徴とする、請求項1から9までのいずれか1項記載のデバイスの製造法。
- −電極構造体(ES)のための材料をまず第一に全面的に設け、引き続き構造化し、
−電極構造体(ES)の構造化の後に、全面的に基板(S)上に、又は電極構造体上のみに、Si、Ti又はMgから選択される薄い金属層を設け、かつ
−薄い金属層を引き続き酸化し、その際、生じる酸化物が不動態化層(PS)を形成する請求項10記載の方法。 - 基板表面に対して平行な電極構造体(PS)の表面を露出させるが、但し電極構造体(ES)の側面上には不動態化層の材料から成る間隙(SP)が残存するように、不動態化層(PS)を異方的にエッチングする、請求項10又は11記載の方法。
- 電極構造体(ES)の構造化をリフトオフ技術を用いて行う、請求項10から12までのいずれか1項記載の方法。
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