JP3659455B2 - 弾性表面波装置 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
本発明は、自動車電話及び携帯電話等の移動体無線機器等に内蔵される周波数フィルタや共振子としての弾性表面波装置であって、高い電力を入力しても破損し難い等の耐電力性に優れ、長期的信頼性の高いものに関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の弾性表面波(Surface Acoustic Wave で、以下、SAWと略す)装置Dの基本構成を図2に示す。36°Yカット−X伝搬のLiTaO3 単結晶等からなる圧電基板(図示せず)上に、Al等から成り一対の櫛歯状電極であるIDT(Inter Digital Transducer)電極11が形成されてあり、IDT電極11のSAW伝搬路の両端にはSAWを効率良く共振させるための反射器12,12が設けられる。尚、11aはIDT電極11を構成する電極指であり、また、IDT電極11及び反射器12,12の電極指の本数は数10本〜数100本にも及ぶため、その形状を簡略化して描いてある。
【0003】
近年、このようなSAW装置Dは、その駆動周波数や通過帯域が数100MHz〜数GHzと高周波化すると同時に、高出力が要求されてきている。そのため、高い入力電力に対する耐電力性を有するIDT電極構造が求められている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、IDT電極11及び反射器12,12の材料にはAlが用いられることが多く、高周波化するには電極指11aのピッチ及び電極線幅を0.1μm〜1μmオーダーに微細化する必要があり、このような微細なIDT電極11及び反射器12,12を用いた場合、駆動時にSAWによって生じる圧電基板表面の歪みが、IDT電極11及び反射器12,12の電極層に内部応力を発生させる。この内部応力を緩和させるために電極層内のAl原子が移動し、Al結晶粒界に空孔が集積してボイド及び突起(ヒロック)が発生し、SAWの伝搬及び共振等の特性劣化、及び電極指11a破壊が生じるといった問題点があった。
【0005】
上記問題点を解決する方法として、IDT電極11及び反射器12,12の材料のAlにCuを少量添加し、Al結晶粒界にCuA12等を析出させて電極層を硬化させるといった方法があり、Cu以外にTi,Pdといった金属を添加したものも用いられている。また、Al結晶粒径が電極層の厚さに対して小さいほうが耐電力性が高いことが知られており、Al結晶粒径を小さくする方法として、Al−Cu合金/Cu/Al−Cu合金の3層構造とすることが提案されている(Jpn.J.Appl.Phys.Vol.34(1995)pp.2688−2692参照)。
【0006】
しかしながら、Al−Cu等のAl合金を用いる場合、2種類の金属が接している部分に水が存在すると、3者間に電気的閉ループができ、標準電位序列により陽極側のAlが水に溶解、腐食する局部電池腐食という問題が生じる。局部電池腐食の影響を小さくするためには、標準電位序列による電位差が0.2V以下であることが望ましいが、CuはAlとの電位差は2Vと10倍も大きい。そのため、上記のAl−Cu合金/Cu/Al−Cu合金といった積層構造の場合、2層目にCu層があるため、Al−Cu合金層の腐食が一層促進され易くなってしまう。
【0007】
従って、本発明は上記事情に鑑みて完成されたものであり、その目的は、電極層を構成するAl結晶粒径を小さくして耐電力性を向上させ、またダイシング時の潤滑水等が電極層に接触して生じる局部電池腐食による電極層の劣化を抑制し、長期的信頼性を付与することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明の弾性表面波装置は、圧電基板の主面上に少なくとも一対の櫛歯状電極を形成して成る弾性表面波装置であって、前記櫛歯状電極が3層構成の電極層から成り、前記圧電基板側からみて該電極層の第1層及び第3層がCu,Ti,Pd,Mg,Cr,Ni又はTaを0.1〜2.0重量%含有するAl合金層であり、これら第1層と第3層の間にAl合金結晶粒の成長を阻止し局部電池腐食を抑制する下記(1)〜(6)のいずれかの材料から成る中間層を設けたことを特徴とする弾性表面波装置。
(1)Cの単体
(2)Siの炭化物、酸化物又は窒化物
(3)Tiの酸化物
(4)Taの酸化物
(5)Alの酸化物
(6)Moの酸化物
これにより、Al合金層のAl合金結晶粒の成長が阻止されAl合金層が硬化し、高い入力電力に対する破損が生じ難くなり耐電力性が向上し、また水が電極層に接触して生じる局部電池腐食による電極層の劣化が抑制され、長期信頼性が得られる。
【0009】
本発明において、好ましくは、前記中間層の層厚が100〜500Åである。
【0010】
【発明の実施の形態】
本発明のSAW装置について以下に説明する。図1は本発明のSAW装置のIDT電極の部分断面図である。同図において、1は36°Yカット−X伝搬のLiTaO3 単結晶等から成る圧電基板、2は圧電基板1側の第1層、3は第2層、4は第3層であり、また5は3層構成の電極層でありIDT電極の電極指に相当する。
【0011】
そして、第1層2及び第3層4は、Cu,Ti,Pd,Mg,Cr,Ni又はTaを0.1〜2.0重量%含有するAl合金層であり、CuはAl結晶粒界にCuAl2 を析出させることでAl結晶粒界の結合を強化し、硬度が向上する。また、Ti等は前記の効果に加えて、標準電位序列によるAlとの電位差が0.03V(Ti)程度と小さく、水との接触によるAl合金層の局部電池腐食を抑制することができる。更に、Al合金層の他の含有成分(添加成分)として、Li,Si,V,Mn,Fe,Co,Zn,Ga,Ge,Zr,Nb,Mo,Ag,Cd,Hf,W,Au等が好ましく、上記と同様の効果を生じる。
【0012】
前記添加成分の添加量が0.1重量%未満ではAl合金層の硬度が低下し、2.0重量%を超えるとAl合金層の比抵抗が増大し内部損失が大きくなる。
【0013】
第2層3は中間層であり、第1層2と第3層4との間に設けられる。これにより、電極層5が単層の時よりもAl合金結晶粒径が小さくなる。それは、Al合金結晶の粒径はその層厚にほぼ相当しており、従って電極層5を3層構成とし中間に上記Al合金以外の材料を主成分とする中間層を設けることにより、Al合金結晶の成長が阻止される。その結果、電極層5の耐電力性を向上させることができる。また、中間層の主成分を、標準電位序列によるAlとの電位差が小さいCu等以外の材料とすることにより、局部電池腐食による電極層5の劣化を抑制できる。
【0014】
このことから、中間層はAl合金と異なり且つ局部電池腐食を抑制できる材料であればよい。具体的には、Cの単体、Siの炭化物(SiC等)又は酸化物(SiO,SiO2 等)又は窒化物(SiN等)、Tiの酸化物、Taの酸化物、Alの酸化物、Moの酸化物等のいずれかが好ましい。
【0015】
前記第2層3の厚みは100〜500Åがよく、100Å未満では電極層5の局部電池腐食を防ぎ難くなり、500Åを超えると電気抵抗が大きくなりSAWの伝搬及び共振等の特性が劣化し易い。また、100〜500Åと薄くしたことにより、ワイヤーボンドで結線する際にワイヤーが第2層3を貫通し、第1層2と第3層4の電気的導通がとれる。
【0016】
本発明において、第1層2の層厚をH1 、第3層4の層厚をH3 とした場合、その層厚比H1 /H3 を2/3≦H1 /H3 ≦3/2としたことにより、第1層2と第3層4の層厚が同程度となる。その結果、両層のAl合金結晶粒径が同程度となり、入力電力が両層に均一に印加され、耐電力性が向上する。また、耐電力性はAl合金結晶粒径が小さい方が良いが、局部電池腐食に対しては層厚が厚い方が良く、従って第1層2と第3層4の層厚はいずれが厚すぎても薄すぎても不安定となり、同程度が好ましいことになる。
【0017】
また、第1層2の層厚と第3層4の具体的な層厚はSAW装置の仕様によって異なるため、必ずしも特定範囲に限定することはできないが、例えば駆動周波数900MHz程度では各々1600〜2000Åとする。また、Al合金結晶粒径は1000〜2000Åがよく、1000Å未満では電極層の比抵抗が大きくなり、SAWの伝搬及び共振等の特性が劣化し耐電力性も低下し易い。2000Åを超えると、電極層の硬度が低下し耐電力性が劣化し易い。
【0018】
本発明において、IDT電極及び反射器の電極層(電極指)5は、蒸着法、スパッタリング法又はCVD法等の薄膜形成法により形成する。そして、IDT電極の対数は50〜200程度、電極指の幅は0.1〜10.0μm程度、電極指の間隔は0.1〜10.0μm程度、電極指の開口幅(交差幅)は10〜100μm程度とすることが、SAW共振器あるいはSAWフィルタとしての所期の特性を得るうえで好適である。また、電極指間に酸化亜鉛,酸化アルミニウム等の圧電材料を成膜すれば、SAWの共振効率が向上し好適である。
【0019】
SAW装置用の圧電基板としては、36°Yカット−X伝搬のLiTaO3単結晶、64°Yカット−X伝搬のLiNbO3単結晶、45°Xカット−Z伝搬のLiB4O7単結晶等が、電気機械結合係数が大きく且つ群遅延時間温度係数が小さいため好ましい。圧電基板の厚みは0.1〜0.5mm程度がよく、0.1mm未満では圧電基板が脆くなり、0.5mm超では材料コストが大きくなる。
【0020】
かくして、本発明は、Al合金層のAl合金結晶粒径が小さくなってAl合金層が硬化し、高い入力電力に対する破損が生じ難くなり耐電力性が向上し、また水が電極層に接触して生じる局部電池腐食による電極層の劣化が抑制され、長期的信頼性も高まるという作用効果を有する。
【0021】
更に、本発明において、IDT電極及び反射器の電極層5は、圧電基板1の両主面(表裏面)に設けてもよく、勿論一主面において複数対のIDT電極を形成しても構わない。また、複数のSAW共振子(SAW装置)をラダー型(梯子型)に接続して、1.5段,2段,2.5段,3段,3.5段,4段以上等のラダー型SAWフィルタを構成したり、その他種々のタイプのSAWフィルタに適用できる。
【0022】
なお、本発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更は何等差し支えない。
【0023】
【発明の効果】
本発明は、IDT電極が3層構成の電極層から成り、第1層及び第3層がCu,Ti,Pd,Mg,Cr,Ni又はTaを0.1〜2.0重量%含有するAl合金層であり、これら第1層と第3層の間にAl合金結晶粒の成長を阻止し局部電池腐食を抑制する中間層を設けたことにより、Al合金層のAl結晶粒径が小さくなってAl合金層が硬化し、高い入力電力に対する破損が生じ難くなり耐電力性が向上し、また水が電極層に接触して生じる局部電池腐食による電極層の劣化が抑制され、長期的信頼性も向上する。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明によるSAW装置のIDT電極の部分断面図である。
【図2】 従来のSAW装置Dの基本構成の平面図である。
【符号の説明】
1:圧電基板
2:第1層
3:第2層
4:第3層
5:電極層
Claims (2)
- 圧電基板の主面上に少なくとも一対の櫛歯状電極を形成して成る弾性表面波装置であって、前記櫛歯状電極が3層構成の電極層から成り、前記圧電基板側からみて該電極層の第1層及び第3層がCu,Ti,Pd,Mg,Cr,Ni又はTaを0.1〜2.0重量%含有するAl合金層であり、これら第1層と第3層の間にAl合金結晶粒の成長を阻止し局部電池腐食を抑制する下記(1)〜(6)のいずれかの材料から成る中間層を設けたことを特徴とする弾性表面波装置。
(1)Cの単体
(2)Siの炭化物、酸化物又は窒化物
(3)Tiの酸化物
(4)Taの酸化物
(5)Alの酸化物
(6)Moの酸化物 - 前記中間層の層厚が100〜500Åである請求項1記載の弾性表面波装置。
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