JP5664655B2 - 弾性波装置 - Google Patents
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Description
上記第1の実施形態に係る弾性境界波装置1を以下の条件で作製した。そして、TEMを用いてTiの存在濃度を検出した。結果を、図4に示す。図4において、明るくなっている部分がTiの存在濃度が高い部分である。
圧電基板:LiTaO3
密着層:厚み10nmのTi膜
第1の導電層:厚み300nmのCuを1重量%含むAl膜
拡散防止層:厚み20nmの酸化チタン膜
第2の導電層:厚み95nmのPt膜
第1の誘電体層:厚み760nmの酸化ケイ素膜
第2の誘電体層:厚み2200nmの窒化ケイ素膜
拡散防止層を、厚み80nmのTi膜としたこと以外は上記実施例と同様に弾性境界波装置を作製し、同様の手順でTEMによるTiの存在濃度検出及び平均ミアンダ抵抗の測定を行った。図6に比較例におけるIDT電極のTiの存在濃度を表すTEM写真を示す。また、本比較例における平均ミアンダ抵抗を図5に示す。
10…圧電基板
10a…主面
10b…溝
10b1…底面
10b2…側面
11…第1の誘電体層
12…第2の誘電体層
20…IDT電極
21…密着層
22…第1の導電層
22a…中央部
22a1…中央部22aの表面
22b…両側部
22b1…両側部22bの表面
23…拡散防止層
24…第2の導電層
25…マスク
25a…開口
30…保護膜
Claims (6)
- 横断面形状が先細り状の溝が形成されている主面を有する圧電基板と、
少なくとも一部が前記溝内に位置するように前記主面上に形成されているIDT電極と、
を備える弾性波装置であって、
前記IDT電極は、前記溝の幅方向における中央部と、前記中央部に対して傾斜している両側部とを有する第1の導電層と、第2の導電層と、前記第1の導電層と前記第2の導電層との間に形成されており、前記第1の導電層の前記中央部に重なっている部分と、前記第1の導電層の前記両側部に重なっている傾斜部分とを有し、TiまたはCrの酸化物または窒化物からなる拡散防止層とを含む積層体により構成されている、弾性波装置。 - 前記第2の導電層は、前記拡散防止層を介して前記第1の導電層の前記中央部及び両側部の上に形成されている、請求項1に記載の弾性波装置。
- 前記第1の導電層がAlまたはAl合金からなり、前記第2の導電層がAlよりも密度が高い金属または合金からなる、請求項1または2に記載の弾性波装置。
- 前記第2の導電層は、Pt,Au,Cu,Ag及びPdからなる群から選ばれた金属またはPt,Au,Cu,Ag及びPdからなる群から選ばれた一種以上の金属を含む合金からなる、請求項3に記載の弾性波装置。
- 弾性表面波装置である、請求項1〜4のいずれか一項に記載の弾性波装置。
- 弾性境界波装置である、請求項1〜4のいずれか一項に記載の弾性波装置。
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WO2014054580A1 (ja) * | 2012-10-05 | 2014-04-10 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
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Citations (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5024596B1 (ja) * | 1974-04-19 | 1975-08-16 | ||
JPH0567613A (ja) * | 1991-09-06 | 1993-03-19 | Hitachi Ltd | 多層配線部材及びその形成方法 |
JPH05102152A (ja) * | 1991-10-11 | 1993-04-23 | Sony Corp | 半導体装置 |
JPH0786230A (ja) * | 1993-08-06 | 1995-03-31 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | テーパエッチング方法 |
JPH0969748A (ja) * | 1995-09-01 | 1997-03-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Sawデバイスおよびその製造方法 |
JPH0983030A (ja) * | 1995-09-11 | 1997-03-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波素子及びその製造方法 |
JPH10247835A (ja) * | 1997-03-03 | 1998-09-14 | Kokusai Electric Co Ltd | ラブ波型弾性表面波デバイス |
JPH11163661A (ja) * | 1997-12-01 | 1999-06-18 | Kyocera Corp | 弾性表面波装置 |
WO1999054995A1 (fr) * | 1998-04-21 | 1999-10-28 | Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. | Dispositif de traitement des ondes acoustiques de surface et son procede de production, dispositif de communication mobile comprenant ce dernier |
JP2003529922A (ja) * | 2000-03-03 | 2003-10-07 | マイクロン テクノロジー, インク. | 窒化層形成方法 |
JP2005518127A (ja) * | 2002-02-15 | 2005-06-16 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 改善された出力許容性を有する電極構造体及び製造法 |
WO2006011417A1 (ja) * | 2004-07-26 | 2006-02-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性表面波装置 |
WO2006123585A1 (ja) * | 2005-05-20 | 2006-11-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性境界波装置 |
WO2007094368A1 (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 弾性表面波デバイス、およびこれを用いた弾性表面波フィルタとアンテナ共用器、並びにこれを用いた電子機器 |
JP2009503821A (ja) * | 2005-07-20 | 2009-01-29 | マイクロン テクノロジー, インク. | 低抵抗窒化チタン膜 |
JP2009088323A (ja) * | 2007-10-01 | 2009-04-23 | Ulvac Japan Ltd | バリア膜の形成装置およびバリア膜の形成方法 |
WO2010016192A1 (ja) * | 2008-08-08 | 2010-02-11 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
Family Cites Families (1)
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---|---|---|---|---|
JP5304898B2 (ja) * | 2009-08-10 | 2013-10-02 | 株式会社村田製作所 | 弾性境界波装置 |
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Patent Citations (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5024596B1 (ja) * | 1974-04-19 | 1975-08-16 | ||
JPH0567613A (ja) * | 1991-09-06 | 1993-03-19 | Hitachi Ltd | 多層配線部材及びその形成方法 |
JPH05102152A (ja) * | 1991-10-11 | 1993-04-23 | Sony Corp | 半導体装置 |
JPH0786230A (ja) * | 1993-08-06 | 1995-03-31 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | テーパエッチング方法 |
JPH0969748A (ja) * | 1995-09-01 | 1997-03-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Sawデバイスおよびその製造方法 |
JPH0983030A (ja) * | 1995-09-11 | 1997-03-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波素子及びその製造方法 |
JPH10247835A (ja) * | 1997-03-03 | 1998-09-14 | Kokusai Electric Co Ltd | ラブ波型弾性表面波デバイス |
JPH11163661A (ja) * | 1997-12-01 | 1999-06-18 | Kyocera Corp | 弾性表面波装置 |
WO1999054995A1 (fr) * | 1998-04-21 | 1999-10-28 | Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. | Dispositif de traitement des ondes acoustiques de surface et son procede de production, dispositif de communication mobile comprenant ce dernier |
JP2003529922A (ja) * | 2000-03-03 | 2003-10-07 | マイクロン テクノロジー, インク. | 窒化層形成方法 |
JP2005518127A (ja) * | 2002-02-15 | 2005-06-16 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 改善された出力許容性を有する電極構造体及び製造法 |
WO2006011417A1 (ja) * | 2004-07-26 | 2006-02-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性表面波装置 |
WO2006123585A1 (ja) * | 2005-05-20 | 2006-11-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性境界波装置 |
JP2009503821A (ja) * | 2005-07-20 | 2009-01-29 | マイクロン テクノロジー, インク. | 低抵抗窒化チタン膜 |
WO2007094368A1 (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 弾性表面波デバイス、およびこれを用いた弾性表面波フィルタとアンテナ共用器、並びにこれを用いた電子機器 |
JP2009088323A (ja) * | 2007-10-01 | 2009-04-23 | Ulvac Japan Ltd | バリア膜の形成装置およびバリア膜の形成方法 |
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