WO2007094368A1

WO2007094368A1 - 弾性表面波デバイス、およびこれを用いた弾性表面波フィルタとアンテナ共用器、並びにこれを用いた電子機器

Info

Publication number: WO2007094368A1
Application number: PCT/JP2007/052631
Authority: WO
Inventors: Hidekazu Nakanishi; Ryoichi Takayama; Yukio Iwasaki; Yosuke Hamaoka; Hiroyuki Nakamura
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
Priority date: 2006-02-16
Filing date: 2007-02-14
Publication date: 2007-08-23
Also published as: KR100961481B1; EP1971026A1; US20100164646A1; KR100979952B1; KR20080077193A; US8035460B2; KR20100023964A

Abstract

　弾性表面波デバイス（１０）は、ニオブ酸リチウムを含む基板（１）と、基板の上面に設けられ、複数の電極指（２２ａ）によって構成された櫛型電極（２２）と、櫛型電極（２２）を覆うとともに上面に凹凸形状を有する保護膜（４）とを有する。なおかつ、櫛型電極（２２）の１ピッチあたりのピッチ幅がｐであり、電極指（２２ａ）１本あたりの幅がｐ１であり、電極指（２２ａ）間の幅がｐ２であり、櫛型電極（２２）の厚さがｈであるとき、ｐ１＋ｐ２＝ｐとｈ／（２×ｐ）≧４．５％との関係を満たす。この構成によって、適切な反射特性が実現され、良好な温度特性と電気的特性とを有する弾性表面波デバイス（１０）が得られる。

Description

明細書

弾性表面波デバイス、およびこれを用いた弾性表面波フィルタとアンテナ共用器、並びにこれを用いた電子機器

技術分野

[0001] 本発明は、共振子または帯域フィルタとして用いられる弾性表面波デバイス、およびこれを用いた弾性表面波フィルタとアンテナ共用器、並びにこれを用いた電子機器に関する。

背景技術

[0002] 従来の技術に関して、弾性表面波デバイス（以下、 SAWデバイスと呼ぶ）を例として、以下説明する。

[0003] 近年、小型軽量な SAWデバイスは、各種移動体通信端末機器等の電子機器に多く使用されている。特に、 800MHz〜2GHz帯における携帯電話システムの無線回路部には、タンタル酸リチウム（以下、 LTと呼ぶ）基板を用いて作成された弾性表面波フィルタが広く用いられている。しかし、 LT基板は弾性表面波の伝播方向の基板の熱膨張係数が大きぐまた弾性定数そのものも温度により変化する。このため、フィルタの周波数特性も温度の変化に対して大きくシフトするという、温度特性に課題を有している。

[0004] これに対して、たとえば、特開 2004— 254291号公報（特許文献 1)に、温度特性が改善された SAWデバイスを得る方法が開示されている。特許文献 1に記載の SA Wデバイスは、圧電基板と電極膜と絶縁膜とを有する。電極膜は、圧電基板上に形成されており、少なくとも 1つの IDTを構成している。絶縁膜は、電極膜を覆うように圧電基板上に、スパッタリング法によって形成されている。さらに、絶縁膜は、絶縁膜の上面に凹凸を有する。また、電極膜の膜厚が、励振される表面波の波長の:!〜 3%の範囲であることによって、良好な電気特性が得られる。

特許文献 1 :特開 2004— 254291号公報

発明の開示

[0005] 本発明は、温度特性と電気的特性とが優れた電子部品を得るものである。 [0006] 本発明の弾性表面波デバイスは、ニオブ酸リチウムを含む基板と櫛型電極と保護膜とを有し、櫛型電極は、基板の上面に設けられ、複数の電極指によって構成され、保護膜は、櫛型電極を覆うとともに、上面に凹凸形状を有する。なおかつ、櫛型電極の 1ピッチあたりのピッチ幅力であり、櫛型電極を構成する電極指 1本あたりの幅が p 1であり、電極指間の幅が p2であり、櫛型電極の厚さが hであるとき、 pl +p2=pと h / (2 X p)≥4. 5%との関係を満たす。この構成によって、適切な反射特性が実現され、良好な温度特性と電気的特性とを有する弾性表面波デバイスが得られる。

図面の簡単な説明

[0007] [図 1]図 1は本発明の実施の形態 1における電子部品の構成を示す上面図である。

[図 2]図 2は図 1に示す電子部品の 2— 2断面における部分断面図である。

[図 3A]図 3Aは図 1に示す電子部品の製造方法を説明する概略断面図である。

[図 3B]図 3Bは図 1に示す電子部品の製造方法を説明する概略断面図である。

[図 3C]図 3Cは図 1に示す電子部品の製造方法を説明する概略断面図である。

[図 3D]図 3Dは図 1に示す電子部品の製造方法を説明する概略断面図である。

[図 3E]図 3Eは図 1に示す電子部品の製造方法を説明する概略断面図である。

[図 3F]図 3Fは図 1に示す電子部品の製造方法を説明する概略断面図である。

[図 3G]図 3Gは図 1に示す電子部品の製造方法を説明する概略断面図である。

[図 3H]図 3Hは図 1に示す電子部品の製造方法を説明する概略断面図である。

[図 4]図 4は本発明の比較例 3における電子部品の断面図である。

[図 5]図 5は本発明の比較例 4における電子部品の断面図である。

[図 6]図 6は本発明の実施例 1における電子部品の断面図である。

[図 7]図 7は図 6に示す電子部品の電気特性を示す電気特性図である。

[図 8A]図 8Aは本発明の実施の形態 1における電子部品の構成を示す上面図である

[図 8B]図 8Bは本発明の実施の形態 1における別の態様の電子部品の構成を示す上面図である。

[図 8C]図 8Cは本発明の実施の形態 1における別の態様の電子部品の構成を示す概略構成図である。園 9]図 9は図 8Aに示す電子部品の温度特性を示す温度特性図である。

園 10]図 10は本発明の実施の形態 1における別の態様の電子部品の断面を示す部分断面図である。

園 11]図 11は本発明の実施の形態 2における電子部品の主要部の上面図である。

[図 12]図 12は図 11に示す電子部品の 12— 12線における断面図である。

[図 13]図 13は図 11に示す電子部品の部分断面図である。

園 14]図 14は本発明の実施の形態 2における電子部品の電極規格化膜厚と共振点の Q値との関係を示す特性図である。

園 15]図 15は本発明の実施の形態 2における電子部品の電極規格化膜厚と反共振点の Q値との関係を示す特性図である。

園 16]図 16は本発明の実施の形態 2における電子部品の通過特性を示す特性図である。

園 17]図 17は本発明の実施の形態 2における電子部品の通過特性を示す特性図である。

園 18]図 18は本発明の実施の形態 2における電子部品の電極規格化膜厚と減衰量との関係を示す特性図である。

園 19]図 19は本発明の実施の形態 2におけるラダー型フィルタのフィルタ特性を示す特性図である。

園 20]図 20は本発明の実施の形態 2におけるラダー型フィルタのフィルタ特性を示す特性図である。

園 21]図 21は本発明の実施の形態 3における電子部品の温度特性を示す温度特性図である。

園 22]図 22は本発明の実施の形態 4における電子部品の電気特性を示す電気特性図である。

園 23]図 23は本発明の実施の形態 5における電子部品の電気特性を示す電気特性図である。

園 24]図 24は本発明の実施の形態 5における電子部品の電気特性を示す電気特性図である。園 25]図 25は本発明の実施の形態 6における電子機器の概観図である。

園 26]図 26は本発明の実施の形態 6における電子機器の内部の電気回路図である園 27]図 27は本発明の実施の形態 6における電子部品の電気特性を示す電気特性図である。

符号の説明

1 基板

3 反射器電極

4, 34 保護膜

4a 凸部分

4b 凹部分

5 -パッド

10, 10a, 83, 84 弾性表面波デバイス

22 櫛型電極

22a 電極指

31 LN基板

32 電極膜

33 第 1のレジスト膜

35 第 2のレジスト膜

80 弾性表面波フィルタ

81 基板

82 保護膜

85 入力端子

86 出力端子

87 グランド端子

88 線路

89 分岐点

90 縦モード結合型弾性表面波フィルタ 151 アンテナ

152 アンテナ共用器

153 送信用 SAWフィルタ

154 受信用 SAWフィルタ

155 位相回路

発明を実施するための最良の形態

[0009] 以下、本発明の実施の形態における電子部品について、図面を参照しながら説明する。

[0010] 実施の形態では電子部品の一例として弾性表面波デバイス（以下、 SAWデバイスと呼ぶ）を例にして説明する。なお、 SAWデバイスは共振器としての機能を有する。

[0011] (実施の形態 1)

図 1は本発明の実施の形態 1における電子部品としての SAWデバイスの上面図である。また、図 2は図 1に示す SAWデバイスの部分 23の 2— 2線による断面図である

[0012] 図 1と図 2とに示すように、実施の形態 1の弾性表面波デバイス 10 (以下、 SAWデバイス 10と呼ぶ）は、基板 1と櫛型電極 22と反射器電極 3と保護膜 4とを有する。櫛型電極 22は、基板 1の上面にアポタイズによる重み付けが施され、所定の周波数特性が付与されている。反射器電極 3は、櫛型電極 22の両側に設けられている。保護膜 4は、少なくとも、櫛型電極 22と反射器電極 3とを覆っている。さらに、櫛型電極 22は、櫛型電極 22と電気的に接続されたパッド 5を有する。櫛型電極 22は、パッド 5を介して、電気信号の取出しが行なわれる。以上のようにして、 SAWデバイス 10が構成されている。

[0013] 基板 1は、ニオブ酸リチウム（LiNbO、以下、 LNと呼ぶ）からなる。なお、ニオブ酸

3

リチウムからなる基板は、一般に LN基板と呼ばれる。さらに、基板 1は、 X軸周りに Z 軸方向へ D度回転させた Y板から切り出されたニオブ酸リチウムから構成されている。なお、 X軸周りに Z軸方向へ回転される回転角度 Dが 5度である 5度 YLN基板が用レ、られている。

[0014] 櫛型電極 22と反射器電極 3とは、基板 1の上面にそれぞれ一対形成され、アルミ二ゥム（以下、 A1と呼ぶ）または A1を主成分とする A1合金からなる。櫛型電極 22は、それぞれ、電極指 22aが対向配置され、隣り合う電極指 22aとの間に隙間が形成されることによって構成される。

[0015] 保護膜 4は、好ましくは、二酸化シリコン (以下、 SiOと呼ぶ）などの酸化ケィ素から

2

なる。図 1と図 2とに示すように、保護膜 4の上面は凹凸形状を有している。保護膜 4 の凸部分 4aは、基板 1の上面の櫛型電極 22と反射器電極 3とを有する部分の上方に設けられている。保護膜 4の凹部分 4bは、凸部分 4a間の櫛型電極 22、反射器電極 3が基板 1の上面に存在しない部分とその近傍とに設けられている。

[0016] ここで、保護膜 4の凸部分 4aと凹部分 4bとの各々 1つが 1ピッチと定義される。この 1ピッチあたりのピッチ幅が Lであり、保護膜 4の凸部分 4aの幅が L1であり、保護膜 4 の凹部分 4bの幅力 SL2である。すなわち、 L = L1 +L2が成り立つ。

[0017] また、保護膜 4の 1ピッチと同様に、 1つの櫛型電極 22の電極指 22aと一方が隣り合う電極指 22aの存在する部分までの距離力 S、櫛型電極 22の 1ピッチ幅 pと定義される。さらに、電極指 22aの 1本あたりの幅が piであり、隣り合う電極指間の隙間の幅が p 2である。すなわち、 p=pl +p2力 S成り立つ。なお、保護膜 4の 1ピッチあたりのピッチ幅 Lと櫛型電極 22の 1ピッチ幅 pとは、 L pの関係にある。また、 SAWデバイス 10における弾性表面波の動作中心周波数の波長がえ = 2 X pとなる。

[0018] また、保護膜 4と接している基板 1の表面から保護膜 4の凹部分 4bまでの高さが tと定義される。櫛型電極 22の厚さ hは、すなわち、基板 1の表面から櫛型電極 22の上面までの高さ h力換算されたアルミニウム換算膜厚 hとして定義される。すなわち、

0

櫛型電極 22の材質が A1の場合、基板 1の表面から櫛型電極 22の上面までの高さが、櫛型電極 22の厚さとして定義される。すなわち、 h =hが成立する。し力ながら、

0

櫛型電極 22の材質が A1以外の場合には、基板 1の表面から櫛型電極 22の上面までの高さ hから、 A1の密度 p と櫛型電極 22に用いられている材料 p の密度とが

0 Al M

用いられ、アルミニウム換算膜厚 hが h = h X ( p / p )として定義される。なお、図

0 M A1

2においては、電極指 22aが 2本のみ示されている。

[0019] 以上のように構成される SAWデバイス 10について、以下、製造方法について図面を参照しながら説明する。 [0020] 図 3Aから図 3Hは、本発明の実施の形態 1における SAWデバイス 10の製造方法を説明する概略断面図である。まず、図 3Aに示すように、 LN基板 31の上面に、 A1 または A1合金が、蒸着またはスパッタ等の方法によって成膜され、電極膜 32が形成される。なお、電極膜 32が、以降の製造ステップを経ることによって、櫛型電極 22の電極指 22aまたは反射器電極 3、ノノド 5となる。なお、 LN基板 31は、 LN基板 31の一部が表示されているだけであり、 LN基板 31上に複数の SAWデバイス 10が製造されるように、パターンィ匕されている。

[0021] 次に、図 3Bに示すように、電極膜 32の上面に第 1のレジスト膜 33が形成される。

[0022] 次に、図 3Cに示すように、所定の形状となるように露光 ·現像技術等を用いて第 1 のレジスト膜 33が加工される。

[0023] 次に、図 3Dに示すように、ドライエッチング技術等を用いて、電極膜 32が櫛型電極 22の電極指 22a、または反射器電極 3等の所定の形状に加工される。この後、第 1のレジスト膜 33が除去される。

[0024] 次に、図 3Eに示すように、電極膜 32を覆うように、 SiO 、蒸着またはスパッタ等

2

の方法によって成膜され、保護膜 34が形成される。

[0025] 次に、さらに図 3Fに示すように、保護膜 34の表面に第 2のレジスト膜 35が形成される。

[0026] 次に、図 3Gに示すように、露光、現像技術等を用いて、第 2のレジスト膜 35が所定の形状に加工される。さらに、ドライエッチング技術等を用いて、不要な部分の保護膜 34が取り除かれ、パッド 5等を開口する保護膜 4が形成される。

[0027] 次に、図 3Hに示すように、第 2のレジスト膜 35が除去される。

[0028] 最後に、図示しないが、ダイシング等によって、 LN基板 31上に形成された複数の SAWデバイス 10力個々の SAWデバイス 10に分割される。この後、 SAWデバイス 10は、ダイボンド等によって、セラミックパッケージにマウントされる。そして、 SAWデバイス 10は、ワイヤーボンディングされた後、蓋が溶接されて、気密封止が行なわれる。

[0029] 以上のように製造された、本発明の実施の形態 1における SAWデバイス 10において、櫛型電極 22と保護膜 4との形状寸法は、 Ll≤pl ,かつ、 L2≥_P2の関係を満たす。この関係を満たす櫛型電極 22と保護膜 4との形状を得る方法は、バイアススパッタリング法（bias sputtering)を用いている。バイアススパッタリング法は、図 3Eの Si O製の保護膜 34の形成において、基板側となる電極膜 32にバイアスを印加しなが

2

らスパッタリング法で成膜を行う方法である。保護膜 34が形成される際、 SiO製の保

2 護膜 34の形状のコントロールは、電極膜 32に印加されるバイアスとスパッタリング電力との比が可変されて行われる。

[0030] 実施の形態 1においては、まず、 Si〇製の保護膜の形状をどのようにすることが、

2

保護膜 4が形成される場合においても良い特性が得られるかを調べるために、以下の 4種類の SAWデバイス（実施例 1と比較例 1〜4)が作成された。なお、 h/ (2 X p) =h/ λが電極規格化膜厚と定義され、 t/ (2 X p) =t/ が Si〇規格化膜厚と定

2

義される。

[0031] 比較例 1は、電極規格化膜厚が 4%であり、 SiO製の保護膜が設けられていない S

2

AWデバイスである。比較例 2は、電極規格化膜厚が 4. 5%であり、 SiO製の保護

2 膜が設けられていない SAWデバイスである。比較例 3は、電極規格化膜厚が 4%であり、 SiO製の保護膜の形状が、 Ll >pl、かつ、 L2く p2の関係を満たす SAWデ

2

バイスである。比較例 4は、電極規格化膜厚が 4. 5%であり、 SiO製の保護膜の形

2

状力 SLl >pl、かつ、 L2く p2の関係を満たす SAWデバイスである。さらに、実施例 1は、電極規格化膜厚が 4. 5%であり、 SiO製の保護膜 4の形状が Ll≤plかつ L2

2

≥ p2の関係を満たす SAWデバイス 10である。

[0032] なお、以上の実施例 1の SAWデバイス 10と比較例 3、 4の SAWデバイスとにおける SiO規格化膜厚 t/ (2 X p)は全て 20%である。

2

[0033] また、図 4は、比較例 3の SAWデバイスの断面形状を示し、図 5は比較例 4の SAW デバイスの断面形状を示し、図 6は実施例 1の SAWデバイス 10の断面形状を示す。さらに、図 7は、各々の SAWデバイスの電気的特性を示す電気特性図である。なお、線分 41が実施例 1の特性を示し、線分 51、 52、 53、 54力それぞれ、比較例 1、 2 、 3、 4の特性を示す。また、各 SAWデバイスの断面形状は、 SAWデバイスの表面が金属とカーボンとを用いてコーティングされ、さらに、 FIB (Focused Ion Beam) によって、弾性表面波の伝播方向に電極が切断され、その後、電子顕微鏡によって観察された観察結果から特定される。

[0034] 図 7に示すように、 SiO製の保護膜を設けられていない比較例 1、 2においては、レ

2

イリ一波に起因するスプリアスの発生と反共振周波数割れとが生じており、特性的にも非常に悪い。比較例 3、 4においては、両方とも、 SiO製の保護膜の形状が、 Ll >

2

pl、かつ、 L2く p2の関係を満たしている。比較例 3においては、共振周波数付近のスプリアスは見られなレ、が、比較例 4においては、共振周波数よりも低周波側にスプリァスが発生し、共振周波数における揷入損失が非常に悪い。また、 SiO製の保護膜

2

の形状が、 Ll≤pl、かつ、 L2≥p2の関係を満たす実施例 1については、共振周波数付近のスプリアスは見られない。また、実施例 1の揷入損失は、比較例 3、 4の揷入損失と比較した場合、大幅に改善されている。

[0035] 次に、比較のため、比較例 5と実施例 2との SAWデバイスが作成された。なお、比較例 5は、電極規格化膜厚が 3%≤hZ (2 X p)≤9%であり、 SiO製の保護膜の形

2

状力 SLl >pl、かつ、 L2く p2の関係を満たす SAWデバイスである。また、実施例 2 は、電極規格化膜厚が 4. 5%≤h/ (2 X p)≤9%であり、 SiO製の保護膜 4の形状

2

力 SLl≤pl、かつ、 L2≥p2の関係を満たす SAWデバイス 10である。なお、電極規格ィ匕膜厚力 S4. 5%≤h/ (2 X p)≤9%tt, 0. 045≤h/ (2 X p)≤0. 09のことであり、以下に記載する条件式についても、同様の意味を有する。

[0036] なお、実施例 2の条件を満たす SAWデバイスは、図 1に示した SAWデバイス 10が直並列に接続された L型フィルタとして、図 8Aに示すように、作製されている。また、比較例 5の条件を満たす SAWデバイスは、同様に、図 8Aに示すような L型フィルタとして作製されている。なお、図 8Aに示すように、弾性表面波フィルタ 80 (以下、フィルタ 80と呼ぶ）は、 LN基板製の基板 81上に形成され、直列に接続された弾性表面波デバイス 83 (以下、 SAWデバイス 83と呼ぶ）と並列に接続された弾性表面波デバイス 84 (以下、 SAWデバイス 84と呼ぶ）とを有する。また、少なくとも SAWデバイス 83 と SAWデノイス 84との一方に、 SAWデバイス 10が用いられることによって、本発明の作用と効果が得られる。

[0037] また、 SAWデバイス 10が用いられて、図 8Aに示すフィルタ 80が作製される際、 S AWデバイス 83の共振周波数と SAWデバイス 84の反共振周波数とがー致するように、図 2に示した電極間ピッチ pが調整される。

[0038] さらに、フィルタ 80は、基板 81上に形成された入力端子 85と出力端子 86とグランド端子 87と線路 88とを有する。 SAWデバイス 83は、入力端子 85と出力端子 86との間に配置されている。線路 88は、入力端子 85と SAWデバイス 83、 SAWデバイス 83と出力端子 86、との間を接続する。また、入力端子 85と出力端子 86との間に分岐点 8 9が設けられ、分岐点 89とグランド端子 87との間に SAWデバイス 84が配置されている。そして、線路 88は、分岐点 89と SAWデバイス 84、 SAWデバイス 84とグランド端子 87、との間を接続する。このように接続されている SAWデバイス 83が直列接続と呼ばれ、 SAWデバイス 84が並列接続と呼ばれる。また、 SAWデバイス 83と SAWデバイス 84とは、保護膜 82によって覆われている。

[0039] さらに、図 9は、比較例 5と実施例 2との条件を満たす SAWデバイスのフィルタ特性における、中心周波数で測定された温度特性 (TCF : Temperature Coefficient of Frequency)が示されている。図 9において、線分 42が実施例 2の温度特性を示し、線分 55が比較例 5の温度特性を示す。なお、温度特性 (TCF)は、周辺温度に対する誘電率の温度係数と熱膨張係数とによって決まる物性の一つであり、 1Kあたりの変化率 (ppm/K)で示される。温度特性 (TCF)は、値が小さいほど広い温度範囲で安定して使用できることを意味する。

[0040] 図 9に示すように、 Si〇製の保護膜の形状が、 LI >pl、かつ、 L2く p2の関係を

2

満たす比較例 5の SAWデバイスについては、電極規格化膜厚が厚くなると温度特性が悪くなる。し力しながら、 Si〇製の保護膜 4の形状が、 Ll≤pl ,かつ、 L2≥p2関

2

係を満たす実施例 2SAWデバイス 10については、電極規格化膜厚が厚くなつても温度特性が良好である。特に、電極規格化膜厚が厚いほど、効果が大きい。

[0041] さらに、図 8Bは、実施の形態 1における別の態様の電子部品としてのラダー型の弹性表面波フィルタの上面図である。図 8Bに示すように、梯子状のラダー型の弾性表面波フィルタ 80は、基板 81上に直列に接続された複数の SAWデバイス 83と並列に接続された複数の SAWデバイス 84とを有する。さらに、フイノレタ 80は、基板 81上に形成された入力端子 85と出力端子 86とグランド端子 87と線路 88とを有する。複数の SAWデバイス 83は、入力端子 85と出力端子 86との間に配置されている。線路 88は、入力端子 85と SAWデバイス 83、 SAWデバイス 83と出力端子 86、各 SAWデバイス 83間、との間を接続する。また、入力端子 85と出力端子 86との間に分岐点 89が設けられ、分岐点 89とグランド端子 87との間に複数の SAWデバイス 84が配置されている。そして、線路 88は、分岐点 89と SAWデバイス 84、 SAWデバイス 84とグランド端子 87、各 SAWデバイス 84間、との間を接続する。このように接続されている SA Wデバイス 83が直列接続と呼ばれ、 SAWデバイス 84が並列接続と呼ばれる。また、 SAWデバイス 83と SAWデノイス 84とは、保護膜 82によって覆われている。 SAW デバイス 83の共振周波数と SAWデバイス 84の反共振周波数とがー致するように、電極間ピッチ pが調整される。また、少なくとも複数の SAWデバイス 83と複数の SA Wデバイス 84のうちのひとつに、 SAWデバイス 10が用いられることによって、本発明の作用と効果が得られる。なお、図 8Bに示すフィルタ 80は、 4つの SAWデバイス 83 と 2つの SAWデバイス 84と 1つの分岐点 89とを有する構成である。しかしながら、フィルタ 80は、この構成に限定されず、 SAWデバイス 83と SAWデバイス 84と分岐点 8 9との組合せは、フィルタ 80に求められる特性に応じて、決められればよい。

また、図 8Cは、実施の形態 1における別の態様の電子部品としての縦モード結合型弾性表面波フィルタの概略構成図である。図 8Cに示すように、縦モード結合型弾性表面波フィルタ 90 (以下、フィルタ 90と呼ぶ）は、複数の弾性表面波デバイス 10a ( 以下、 SAWデバイス 10aと呼ぶ）が弾性表面波の伝播方向（矢印 91方向）に沿って配置されている。さらに、隣り合う SAWデバイス 10aを構成する櫛型電極 22が近接して配置されている。また、 SAWデバイス 10aは、それぞれ対向する一対の櫛型電極 22を有している。なお、 SAWデバイス 10aが SAWデバイス 10と異なる点は、個々の SAWデバイス 10aがそれぞれ一対の反射器電極 3を含まず、フィルタ 90として一対の反射器電極 3を有する点である。したがって、 SAWデバイス 10aは、 SAWデバイス 10と同様に、 Si〇製の保護膜 4の形状が、 Ll≤pl、かつ、 L2≥p2の関係を満た

2

す構成を有する。さらに、電極規格化膜厚などの条件も、 SAWデバイス 10aは SAW デバイス 10と同様の構成である。このことによって、フィルタ 90の構成においても、 S AWデバイス 10と同様の作用と効果とが発揮される。なお、図 8Cに示すフィルタ 90 は、 3つの SAWデバイス 10aによって構成されている。しかしながら、必ずしもフィルタ 90は、この構成に限らない。複数の SAWデバイス 10aが、弾性表面波の伝播方向 (矢印 91方向）に沿って配置されていればよい。さらに、全ての弾性表面波デバイスに、 SAWデバイス 10aが用いられている必要はなぐ少なくても一つの弾性表面波デバイスが、 SAWデバイス 10aであればよい。

[0043] 以上のように、電極規格化膜厚が、 h/ (2 X p)≥4. 5%であり、かつ、 Si〇製の保

2 護膜 4の形状が、 Ll≤pl、かつ、 L2≥p2の関係を満たすように保護膜 4が形成された場合、温度特性が良好で、かつ、良好な電気的特性を有する SAWデバイス 10、 1 0aが得られる。

[0044] 実施の形態 1では、電極膜 32として Aほたは A1合金が用いられている。し力ながら、電極膜 32、すなわち、櫛型電極 22の電極指 22aと反射器電極 3とは、これらの材料に限らなレ、。たとえば、 Ti、 Cu、 W、 Ag、 Auなどの Aはりも密度が大きレ、、重い金属が用いられてもよぐさらには、 Aはりも密度が大きい金属を主成分とする合金が用レ、られてもよい。

[0045] さらに、図 10に示すように、電極膜 32は、第 1電極膜 32aと第 2電極膜 32bとが積層されて形成されてもよい。たとえば、第 1電極膜 32aには、 Aほたは A1合金が用いられ、第 2電極膜 32bには、 Aはりも密度の大きな金属である Ti、 Cu、 W、 Ag、 Auなど、または、これらの材料を主成分とする合金が用いられてもよい。また、逆に、第 1 電極膜 32aには、 Aはりも密度の大きな金属である Ti、 Cu、 W、 Ag、 Auなど、または、これらの材料を主成分とする合金が用いられ、第 2電極膜 32bには、 Aほたは A1合金が用いられてもよい。第 1電極膜 32aまたは第 2電極膜 32b、電極膜 32に Aはりも密度の大きな金属が用いられる場合、所定の電極規格化膜厚 hを得るための、実際の電極膜 32の厚み hが薄くなる。

0

[0046] また、保護膜 4として、 SiO材料が用いられている。し力ながら、保護膜 4は、 Si〇

2

材料に限らない。たとえば、 SiN、 Si〇N、 Ta〇、 TeOなどの、他の誘電体材料が

2 2 5 2

用いられてもよぐさらに、これらの誘電体材料が組み合わされてもよい。すなわち、誘電体材料による保護膜 4の形状が、 Ll≤pl ,かつ、 L2≥_P2の条件を満たせば、同様の効果が得られる。

[0047] また、実施の形態 1では、櫛型電極 22は、アポタイズによる重み付けが行われている。し力ながら、アポタイズによる重み付け比に関しては、図 1に示すような形態に限らない。なお、重み付け比が 0のとき、すなわち、重み付けが全く行われていない場合、 SAWデバイス 10は正規型の共振器となる。また、櫛型電極 22の対となる数と櫛型電極 22の両脇に配置された反射器電極 3の本数とは、図 1に示す形状に限らなレ、。なお、アポタイズによる重み付け比とは、櫛型電極 22において、 SAWデバイス 1 0の幅に対して、電極指 22aの交差する幅が異なる領域の比を意味する。

[0048] さらに、保護膜 4の形成方法として、ノィァススパッタリング法が用いられている。し力ながら、保護膜 4の形成方法も、ノィァススパッタリング法に限らない。保護膜 4を形成する他の方法が用いられてもよレ、。

[0049] (実施の形態 2)

本発明の実施の形態 2における電子部品としての SAWデバイスについて、図面を参照しながら説明する。

[0050] なお、実施の形態 2で示す構成が、実施の形態 1と同様の構成については、同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。

[0051] 図 11は、本発明の実施の形態 2における電子部品としての SAWデバイスの主要部の上面図である。図 12は、図 11に示す SAWデバイスの 12— 12線断面図である。また、図 13は、図 12と同様に、 SAWデノくイスの断面図を示す。図 11と図 12とにおいて、 SAWデバイス 10は、基板 1と櫛型電極 22と反射器電極 3と保護膜 4とを有している。櫛型電極 22と反射器電極 3とは、基板 1の上面に設けられ、 Aほたは A1合金によって構成されている。保護膜 4は、 SiOからなり、櫛型電極 22と反射器電極 3と

2

を覆うとともに、保護膜 4の表面に凹凸形状が形成されている。

[0052] また、櫛型電極 22のアルミニウム換算膜厚が hである。さらに、電極規格化厚 h/ (

2 Χ ρ) =1ιΖ λのィ直カ ^s7. 8≤h/ (2 X p)≤9. 8%である。なお、波長; I = 2 X pは、

SAWデバイス 10における弾性表面波の動作中心周波数の波長である。

[0053] さらに、基板 1は、 X軸周りに Z軸方向へ D度回転させた Y板から切り出したニオブ酸リチウムからなり、回転の角度 Dが一25度≤D≤ + 25度である。また、さらに好ましくは、 0度≤D≤ + 25度である。

[0054] なお、実施の形態 2における SAWデバイス 10は、実施の形態 1の SAWデバイス 1 0と同様に、 Ll≤pl、力つ、 L2≥_P2の関ィ系を満たす。

[0055] また、実施の形態 2における SAWデバイス 10の製造方法は、図 3A〜図 3Hを用いて説明した実施の形態 1における SAWデバイス 10の製造方法と同様である。したがつて、詳細な説明は省略する。

[0056] 次に、図 14は、実施の形態 2における SAWデバイス 10の電極規格化膜厚と共振点の Q値である規格化 Qsとの関係を示す。図 15は、 SAWデバイス 10の電極規格化膜厚と反共振点の Q値である規格化 Qpとの関係を示す。図 16と図 17とは、 SAW デバイス 10の通過特性を示す。図 18は、 SAWデバイス 10の電極規格化膜厚と減衰量との関係を示す。ここで、規格化 Qsと規格化 Qpとは、電極規格化膜厚が 5. 8% のときの Qs、 Qpを用いて規格化されている。

[0057] なお、保護膜 4は、 SiOが用いられており、 Si〇製の保護膜 4の膜厚 tは、 Si〇規

2 2 2 格化膜厚 t/ (2 X p) =tZ λが 20%である。

[0058] 図 14と図 15とに示すように、電極規格化膜厚が 7· 8≤h/ (2 X p)≤9. 8%である場合、規格化 Qsと規格化 Qpとは 1. 2倍以上である。このことによって、高い Q値を有する SAWデバイス 10が得られる。特に、電極規格化膜厚が 8· 5≤h/ (2 X p)≤9. 0%のとき、 Q値が最も高い値を示す。

[0059] さらに、図 16と図 17とに、 SAWデバイス 10の通過特性が示されている。図 16は、電極規格化膜厚が 8. 7%のときの通過特性を示す。また、図 17は、電極規格化膜厚が 5. 8%のときの通過特性を示す。図 16と図 17とに示すように、電極規格化膜厚が 7· 8≤h/ (2 X p)≤9. 8%の範囲の SAWデバイス 10の減衰量は、電極規格化膜厚が 5. 8%のときに比べて約 6dB大きい。なお、周波数がずれているのは、電極規格化膜厚が異なるためであり、櫛型電極 22の対数または交差幅等の SAWデバイスの構成においてはほぼ同一である。また、図 18に示すように、電極規格化膜厚が 7 . 8≤h/ (2 X p)≤9. 8%の範囲にあることによって、減衰量は電極規格化膜厚が 5 . 8%のときに比べて約 5dB以上大きくなる。特に、電極規格化膜厚が 8. 5≤h/ (2 X p)≤9. 0%の範囲にあるとき、減衰量について最も良い特性を示す。

[0060] また、図 19と図 20とは、 SAWデバイス 10がラダー型に接続された場合のラダー型フィルタのフィルタ特性を示す。たとえば、ラダー型フィルタとしては、図 8Aに示すような、 1段の直列の SAWデバイス 83と、 1段の並列の SAWデバイス 84とを有するフィルタ 80の構成である。図 20は、図 19に示すフィルタ特性の部分 903を拡大した拡大図である。また、図 19と図 20とにおいて、 ,線分 901は、並歹 IJの SAWデバイス 84の電極規格化膜厚が 7. 8%であり、直列の SAWデバイス 83の電極規格化膜厚が 8. 3 %のときのフィルタ特性を示す。さらに、線分 902は、並列の SAWデバイス 84の電極規格化膜厚が 5. 8%であり、直列の SAWデバイス 83の電極規格化膜厚が 6. 2 Q/oのときのフィルタ特性を示す。図 19と図 20とに示すように、電極規格化膜厚が 7. 8 ≤h/ (2 X p)≤9. 8%の範囲であることによって、揷入損失が 0. ldB改善される。なお、周波数がずれているのは、電極規格化膜厚が異なるためであり、櫛型電極 22 の対数または交差幅などの SAWデバイスの構成と配置とは同一である。

[0061] なお、保護膜 4として、 Si〇材料が用いられている。し力ながら、保護膜 4は、 SiO

2

2 2 5 2

用いられてもよぐさらに、これらの誘電体材料を組み合わされてもよい。

[0062] また、 SAWデバイス 10が SAWフィルタとしてアンテナ共用器を構成する場合、送信用 SAWフィルタと受信用 SAWフィルタとで電極指 22aのピッチ pが異なることがある。この場合、電極膜厚 hが等しいと電極規格化膜厚 h/ (2 X p)が異なる。したがつて、送信用 SAWフィルタと受信用 SAWフィルタとのそれぞれの電極膜厚 hを変えることによって、最適な構成のアンテナ共用器が得られる。

[0063] さらに、図 8A、または、図 8Bに示すような、ラダー型のフィルタ 80を構成する場合には、直列の SAWデバイス 83と並列の SAWデバイス 84とにおいて、電極指 22aのピッチが異なると、電極規格化膜厚が異なる。この場合、直列の SAWデバイス 83と並列の SAWデバイス 84との間で、電極膜厚 hを変えることによって、最適なフィルタ特性が得られる構成となる。また、図 8Cに示すような、実施の形態 2における SAWデバイス 10の条件は、縦モード結合型弾性表面波フィルタに用いられる SAWデバイスにも応用可能である。

[0064] (実施の形態 3)

本発明の実施の形態 3における電子部品としての SAWデバイスについて、図面を参照しながら説明する。 [0065] 実施の形態 3における SAWデバイス 10は、実施の形態 1または 2で用いた SAWデバイス 10と同様の構成の SAWデバイス 10が用いられ、図 8Aに示すフィルタ 80が作製されている。したがって、実施の形態 3における SAWデバイス 10の構造と作成方法とについては、それぞれ図 1と図 2と図 3とに示した SAWデバイス 10と同様であるため、詳細な説明は省略する。

[0066] 実施の形態 3において、 SiO製の保護膜 4の膜厚と温度特性との関係を明らかに

2

するために、 SiO製の保護膜 4の膜厚 tの異なる 4種類の SAWデバイスが作製され

2

た。 SiO製の保護膜 4の膜厚と温度特性との関係が図 21に示されている。図 21に

2

おいて、線分 40が、 SiO製の保護膜 4の膜厚と温度特性との関係を示す。実施の形

2

態 3による SAWデバイス 10は、 Ll≤pl、かつ、 L2≥p2の関係を満たす。さらに、櫛型電極 22の電極規格化膜厚 h/ (2 X p)は 4. 5%である。

[0067] 図 21に示すように、 SiO規格化膜厚が厚くなるにしたがって、温度特性が良くなる

2

。また、 SiO規格化膜厚 t/ (2 X p)が 30%になると、ほぼ零温度係数が実現される

2

。したがって、 SAWデバイス 10は、 Ll≤pl ,かつ、 L2≥p2の関係を満たし、さらに、 SiO製の保護膜 4の膜厚が t/ (2 X p)≤30%の関係を満たす様に作製されること

2

によって、温度特性が良好で、かつ、良い特性を有する SAWデバイス 10が得られる

[0068] (実施の形態 4)

本発明の実施の形態 4における電子部品としての SAWデバイスについて、図面を参照しながら説明する。

[0069] 実施の形態 4における SAWデバイス 10は、実施の形態 1または 2で用いた SAWデバイス 10と同様の構成の SAWデバイス 10が用いられている。したがって、 SAWデバイス 10の構造と作成方法とについては、それぞれ図 1と図 2と図 3とに示した SAW デバイス 10と同様であるため、詳細な説明は省略する。

[0070] 実施の形態 4において、 SAWデバイス 10は、 Ll≤pl ,かつ、 L2≥p2の関係を満たす。さらに、実施の形態 4において、全ての実施例と比較例とに用いられる櫛型電極 22の電極規格化膜厚 h/ (2 X p)は 4. 5%である。

[0071] 実施の形態 4において、基板 1の切り出し角度 D度と実施の形態 1で示した形状を有する保護膜 4が形成された SAWデバイス 10の電気機械結合係数の関係を示すために、切り出し角度の異なる計 6種類の基板を用いて SAWデバイスが作製された。切り出し角度と電気機械結合係数との関係が図 22に示されている。図 22において、値 43、 44、 45が、それぞれ、実施例 3、 4、 5の電気機械結合係数を示す。また、値 5 6、 57、 58が、それぞれ、比較例 6、 7、 8の電気機械結合係数を示す。なお、それぞれ、実施例 3は D = 5度、実施例 4は D = 15度、実施例 5は D= _ 5度の場合の電気機械結合係数を示す。さらに、比較例 6は D = 41度、比較例 7は D = 64度の場合の電気機械結合係数を示す。また、比較例 8は、 SiO製の保護膜を設けていない場合

2

の D = 64度の SAWデバイスの電気機械結合係数を示す。図 22に示すように、切り出し角度が D = 41度の時の結合係数が約 11 %、切り出し角度が D = 64度の時の結合係数が約 5. 5%である。これに対して、実施例 3、実施例 4、実施例 5では非常に大きな電気機械結合係数が得られている。また、比較例 8として、 SiO製の保護膜が

2

設けられてレ、なレ、D = 64度の場合の電気機械結合係数が図中に示されてレ、る。したがって、 SiO製の保護膜が設けられていない場合の電気機械結合係数の値以上に

2

するためには、少なくとも一 25度≤ D≤ 25度であればょレ、。

[0072] したがって、 SAWデバイス 10は、 Ll≤pl ,かつ、 L2≥p2の関係を満たし、さらに、 LN基板の切り出し角度 Dが 25度≤ D≤ 25度の関係を満たすように作製されることによって、温度特性が良好で、かつ、大きな電気機械結合係数を有する SAWデバイス 10が得られる。なお、 LN基板の切り出し角度 Dは、 X軸周りに Z軸方向への回転角度が D度と定義されている。

[0073] (実施の形態 5)

本発明の実施の形態 5における電子部品としての SAWデバイスについて、図面を参照しながら説明する。

[0074] 実施の形態 5における SAWデバイス 10は、実施の形態 1または 2で用いた SAWデバイス 10に対して、 SAWデバイス 10に用いられる基板 1が異なる。すなわち、実施の形態 5における SAWデバイス 10は、 X軸周りに Z軸方向へ D = 5度回転させた Y 板から切り出された 5度 YLN基板とシリコン基板との接合基板が基板 1に用いられている。なお、基板 1以外は、実施の形態 1または 2で用いた SAWデバイス 10と同様である。なお、 LN基板とシリコン基板との接合方法は、直接接合技術または接着剤を用いる方法などが利用可能である。

[0075] 実施の形態 5による SAWデバイス 10も、実施の形態 1〜4と同様に、 Ll≤pl ,かつ、 L2≥p2の関係を満たしている。シリコン基板の張り合わせの有無による温度特性の関係を示すために、 2種類の SAWデバイス 10が作製された。図 23と図 24とは、それぞれ、一 35°C、 25°C、 + 85°Cの温度環境で測定された SAWデバイス 10の電気特性を示す。

[0076] 図 23は、比較例 9として、基板 1に 5度 YLN基板が用いられた時の特性が示されてレヽる。なお、線分 59a、 59b, 59c力それぞれ、 _ 35。C、 25。C、 + 85。Cの温度環境で測定された比較例 9の SAWデバイスの電気特性を示す。また、図 24は、実施例 6 として、基板 1に 5度 YLN基板とシリコン基板との接合基板が用いられた時の特性が示されてレヽる。同様に、泉分 45a、 45b、 45c力 S、それぞれ、 _ 35。C、 25。C、 + 85°C の温度環境で測定された実施例 5の SAWデバイス 10の電気特性を示す。図 23と図 24とに示すように、基板 1に 5度 YLN基板が用いられた時の温度に対する周波数変動に比べて、基板 1に 5度 YLN基板とシリコン基板との接合基板が用いられた時の温度に対する周波数変動が小さい。それぞれの特性における反共振周波数より算出された温度特性は、基板 1に 5度 YLN基板が用いられる場合は、約— 33ppm/Kである。これに対して、基板 1に 5度 YLN基板とシリコン基板との接合基板が用いられる場合、温度特性は— lOppm/Kであり、大幅に改善されている。したがって、基板 1 に LN基板とシリコン基板との接合基板が用いられることによって、さらに良好な温度特性と電気特性とを有する SAWデバイス 10が得られる。

[0077] なお、実施の形態 5において、 LN基板の厚みについては触れていなレ、。 LN基板が研磨されて薄くされた上で、シリコン基板と張り合わされることによって、さらなる温度特性の改善の効果が得られる。

[0078] また、実施の形態 5では、シリコン基板が用いられている。し力、しながら、シリコン基板よりも熱膨張係数が小さい、ガラスまたはサフアイャなどが用レ、られた場合は同等以上の効果が得られる。

[0079] (実施の形態 6) 実施の形態 6では、電子機器の一例として携帯電話の例について説明する。

[0080] 図 25は、本発明の実施の形態 6における携帯電話の概観図である。また、図 26は、図 25に示す携帯電話の内部に格納されている要部の概略電気回路図である。図 25に示すように、携帯電話 140は、第 1筐体 141と第 2筐体 142とが蝶部 143によつて、開閉自在に保持されている。さらに、携帯電話 140は、それぞれ、第 1筐体 141 に設けられた表示部 144とアンテナ 151と、第 2筐体 142に設けられた入力部 145とを有している。また、第 1筐体 141と第 2筐体 142とのそれぞれの内部には、無線回路（図示せず）などの回路が格納されている。また、図 26に示すように、携帯電話 14 0は、アンテナ 151とアンテナ 151に接続されたアンテナ共用器 152とを有している。アンテナ共用器 152は、送信用 SAWフィルタ 153と受信用 SAWフィルタ 154と位相回路 155とを有してレヽる。送信用 SAWフイノレタ 153と受信用 SAWフイノレタ 154とは、実施の形態 1〜 5にて説明した SAWデバイス 10が直並列に複数段接続されることによって構成されている。なお、アンテナ共用器 152は、アンテナ 151に電気的に接続される電気回路であり、たとえば、 WCDMA用アンテナ共用器である。

[0081] また、アンテナ共用器 152を構成する送信用 SAWフィルタ 153と受信用 SAWフィノレタ 154とは、電極指 22aのピッチが異なることがある。し力ながら、送信用 SAWフィルタ 153と受信用 SAWフィルタ 154とのそれぞれの電極規格化膜厚が異なる構成とすることによって、周波数特性を調整することができる。送信用 SAWフィルタ 153と受信用 SAWフィルタ 154との電極指 22aのピッチが異なる場合、送信側フィルタと受信側フィルタとで、電極膜厚 hが変えられることによって、最適なアンテナ共用器 152 の構成が得られる。

[0082] 図 27は、送信用 SAWフィルタ 153と受信用 SAWフィルタ 154とが用いられたアンテナ共用器 152の電気特性を示す。なお、線分 47は送信用 SAWフィルタ 153の電気特性を示し、線分 48は受信用 SAWフィルタ 154の電気特性を示す。帯域内において約一1. 5dBと良好な揷入損失を実現している。さらに、阻止域でも約 _ 60dBと良好な減衰量を実現している。なお、帯域内とは、送信側で 1920MHz〜： 1980MH zの範囲、受信側で 2110MHz〜2170MHzの範囲である。また、阻止域とは、送信側で 2110MHz〜2170MHzの範囲、受信側で 1920MHz〜1980MHzの範囲である。このように実施の形態 1〜5で説明した SAWデバイス 10が電子機器に用いられることによって、温度特性と電気特性とが優れたアンテナ共用器が容易に得られる産業上の利用可能性

以上のように、本発明によれば、基板上に形成された電極を覆うように保護膜が形成され、保護膜の形状、または、厚さが特定の範囲に設定されることによって、温度特性と電気的特性とに優れた弾性表面波デバイスが得られる。

Claims

請求の範囲

[1] ニオブ酸リチウムを含む基板と、

前記基板の上面に設けられ、複数の電極指によって構成される櫛型電極と、前記櫛型電極を覆うとともに、上面に凹凸形状を有する保護膜と、を備え、前記櫛型電極の 1ピッチあたりのピッチ幅力 ¾であり、

前記電極指 1本あたりの幅が p 1であり、

前記電極指間の幅が p2であり、

前記基板の表面から前記櫛型電極の上部までの厚さが、アルミニウム換算膜厚において、厚さ hであるとき、

pl +p2=pと、

h/ (2 X p)≥4. 5%と、の関係を満たす、

弾性表面波デバイス。

[2] 前記凹凸形状の 1ピッチあたりのピッチ幅が Lであり、

前記凹凸形状の 1ピッチあたりの凸部の幅が L1であり、

前記凹凸形状の 1ピッチあたりの凹部の幅が L2であるとき、

L1 +L2 = Lと、

Ll≤plと、

L2≥p2と、の関係を満たす、

請求項 1に記載の弾性表面波デバイス。

[3] 7. 8%≤h/ (2 X p)≤9. 8%の関係をさらに満たす、

請求項 2に記載の弾性表面波デバイス。

[4] 8. 5%≤h/ (2 X p)≤9. 0%の関係をさらに満たす、

請求項 2に記載の弾性表面波デバイス。

[5] 前記電極指が、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金のいずれかからなる、

請求項 2に記載の弾性表面波デバイス。

[6] 前記電極指が、アルミニウムよりも密度の大きな金属、またはアルミニウムよりも密度の大きな金属を主成分とする合金のレ、ずれかからなる、請求項 2に記載の弾性表面波デバイス。

[7] 前記電極指が、第 1電極膜と第 2電極膜とを有する積層膜から構成され、

前記第 1電極膜は、アルミニウム、またはアルミニウムを主成分とする合金のいずれかからなり、

前記第 2電極膜は、アルミニウムよりも密度の大きな金属、またはアルミニウムよりも密度の大きな金属を主成分とする合金のレ、ずれかからなる、

請求項 2に記載の弾性表面波デバイス。

[8] 前記基板を構成する前記ニオブ酸リチウム材料の切り出し角度は、 X軸周りに Z軸方向への回転角度を D度としたとき、

_ 25度≤D≤25度

を満足する Y板から切り出された前記ニオブ酸リチウム材料である、

請求項 2に記載の弾性表面波デバイス。

[9] 前記基板は、ニオブ酸リチウム基板とシリコン基板との接合基板である、

請求項 2に記載の弾性表面波デバイス。

[10] 前記保護膜の厚さ tが、前記基板の表面から前記凹部までの高さで定義され、 t/ (2 X p)≤30%

の関係を満足する、

請求項 2に記載の弾性表面波デバイス。

[11] 前記保護膜は、二酸化シリコンである、

請求項 2に記載の弾性表面波デバイス。

[12] 前記保護膜の凹凸形状の形状制御によってスプリアスを抑制する、

請求項 2に記載の弾性表面波デバイス。

[13] 梯子型に接続された複数の弾性表面波デバイスを、備え、

前記複数の弾性表面波デバイスのうち、少なくとも 1つの前記弾性表面波デバイスが請求項 2に記載の弾性表面波デバイスである、

弾性表面波フィルタ。

[14] 櫛型電極を有する複数の弾性表面波デバイスが、弾性表面波の伝播方向に沿って配置され、前記櫛型電極同士が近接し、前記複数の弾性表面波デバイスのうち、少なくとも 1つの前記弾性表面波デバイスが請求項 2に記載の弾性表面波デバイスである、

弾性表面波フィルタ。

[15] 請求項 13または 14に記載の弾性表面波フィルタ力 S、信号の入力側および出力側に配置された、

アンテナ共用器。

[16] アンテナ素子と、

前記アンテナ素子に電気的に接続される電気回路と、を備え、

前記電気回路が請求項 15に記載のアンテナ共用器である、

電子機器。

[17] ニオブ酸リチウムを含む基板と、

前記基板の上面に設けられ、複数の電極指によって構成される櫛型電極と、前記櫛型電極を覆うとともに、上面に凹凸形状を有する保護膜と、を備え、

前記櫛型電極の 1ピッチあたりのピッチ幅が Pであり、

前記電極指 1本あたりの幅が p 1であり、

前記電極指間の幅が p2であり、

pl +p2=pと、

h/ (2 X p)≥4. 5%と、の第 1の関係を満たし、

前記凹凸形状が電極膜厚に応じて、形状制御され、

前記凹凸形状の 1ピッチあたりのピッチ幅が Lであり、

前記凹凸形状の 1ピッチあたりの凸部の幅が L1であり、

L1 +L2 = Lと、

Ll≤plと、

L2≥p2と、の第 2の関係と、を満たす弾性表面波デバイスの製造方法であって、バイアススパッタリング法を用いて前記第 1の関係と前記第 2の関係とを満たす、弾性表面波デバイスの製造方法。