JPH0774586A - 表面波装置 - Google Patents
表面波装置Info
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- JPH0774586A JPH0774586A JP5216313A JP21631393A JPH0774586A JP H0774586 A JPH0774586 A JP H0774586A JP 5216313 A JP5216313 A JP 5216313A JP 21631393 A JP21631393 A JP 21631393A JP H0774586 A JPH0774586 A JP H0774586A
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- Japan
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- zno
- substrate
- acoustic wave
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 安価な電極材料を用いて構成することがで
き、電極の膜厚を増加させることなく、より低い周波数
で使用することができ、温度特性の良好な、４０％以上
の大きな電気機械結合係数Ｋを容易に得ることができ
る、ラブ波を利用した表面波装置を提供すること。 【構成】 ０〜３０°回転ＹカットＸ伝搬のＬｉＮｂＯ
3 基板上に少なくとも１つのＩＤＴを形成し、前記ＩＤ
Ｔを覆うようにＺｎＯ薄膜を形成した、ラブ波を利用し
た表面波装置において、前記ＩＤＴ及び前記ＺｎＯ薄膜
を前記ＬｉＮｂＯ3 基板の＋面に形成し、かつ、前記Ｚ
ｎＯ薄膜の膜厚をＨ（ＺｎＯ）、ラブ波の波長をλとし
たときに、Ｈ（ＺｎＯ）／λが０．０５〜０．２の範囲
とされている表面波装置。
き、電極の膜厚を増加させることなく、より低い周波数
で使用することができ、温度特性の良好な、４０％以上
の大きな電気機械結合係数Ｋを容易に得ることができ
る、ラブ波を利用した表面波装置を提供すること。 【構成】 ０〜３０°回転ＹカットＸ伝搬のＬｉＮｂＯ
3 基板上に少なくとも１つのＩＤＴを形成し、前記ＩＤ
Ｔを覆うようにＺｎＯ薄膜を形成した、ラブ波を利用し
た表面波装置において、前記ＩＤＴ及び前記ＺｎＯ薄膜
を前記ＬｉＮｂＯ3 基板の＋面に形成し、かつ、前記Ｚ
ｎＯ薄膜の膜厚をＨ（ＺｎＯ）、ラブ波の波長をλとし
たときに、Ｈ（ＺｎＯ）／λが０．０５〜０．２の範囲
とされている表面波装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ラブ波を利用した表面
波装置に関し、特にＺｎＯ／電極／ＬｉＮｂＯ3 基板の
３層構造を有する表面波装置に関する。
波装置に関し、特にＺｎＯ／電極／ＬｉＮｂＯ3 基板の
３層構造を有する表面波装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、ＶＨＦ／ＵＨＦ帯の携帯用無線
機では、小形・軽量・低消費電力化が求められている。
特に、チャンネル選択用として用いられるシンセサイザ
局部発振器では、多チャンネル対応のために広帯域化が
要求されている。したがって、上記局部発振器の重要な
部品である電圧制御発振器（ＶＣＯ）においても、小形
化、軽量化、低消費電力化及び広帯域化が強く求められ
ている。
機では、小形・軽量・低消費電力化が求められている。
特に、チャンネル選択用として用いられるシンセサイザ
局部発振器では、多チャンネル対応のために広帯域化が
要求されている。したがって、上記局部発振器の重要な
部品である電圧制御発振器（ＶＣＯ）においても、小形
化、軽量化、低消費電力化及び広帯域化が強く求められ
ている。
【０００３】ところで、弾性表面波を利用した表面波共
振子としては、従来よりレーリー波を利用したものが用
いられている。しかしながら、レーリー波を利用した表
面波共振子では、基板の種類にかかわらず、電気機械結
合係数Ｋが小さく（２２％以下）、広帯域化を図ること
が困難であった。そこで、電気機械結合係数Ｋが大き
く、広帯域化を実現することができる装置として、ラブ
波を利用した表面波共振子が注目されている。
振子としては、従来よりレーリー波を利用したものが用
いられている。しかしながら、レーリー波を利用した表
面波共振子では、基板の種類にかかわらず、電気機械結
合係数Ｋが小さく（２２％以下）、広帯域化を図ること
が困難であった。そこで、電気機械結合係数Ｋが大き
く、広帯域化を実現することができる装置として、ラブ
波を利用した表面波共振子が注目されている。
【０００４】ラブ波を利用した従来の表面波共振子は、
ＹカットＸ伝搬のＬｉＮｂＯ3 基板上に、Ａｕ、Ａｇも
しくはＰｔなどの薄膜からなるＩＤＴを形成した構造を
有する。この構造では、ＬｉＮｂＯ3 基板上に、該基板
よりも音速の遅い金属からなる電極を形成し、上記２層
構造によりラブ波が励振されている。上記電極は、基板
よりも音速の遅いものであることが必要であり、したが
って、電極材料としては、上記のように、Ａｕ、Ａｇも
しくはＰｔ等が用いられていた。
ＹカットＸ伝搬のＬｉＮｂＯ3 基板上に、Ａｕ、Ａｇも
しくはＰｔなどの薄膜からなるＩＤＴを形成した構造を
有する。この構造では、ＬｉＮｂＯ3 基板上に、該基板
よりも音速の遅い金属からなる電極を形成し、上記２層
構造によりラブ波が励振されている。上記電極は、基板
よりも音速の遅いものであることが必要であり、したが
って、電極材料としては、上記のように、Ａｕ、Ａｇも
しくはＰｔ等が用いられていた。
【０００５】この場合、例えば、Ａｕ電極を用いたＹカ
ットＸ伝搬のＬｉＮｂＯ3 基板を用いることにより、電
気機械結合係数Ｋを約５８％とすることができ、それに
よって広帯域化が図られている。
ットＸ伝搬のＬｉＮｂＯ3 基板を用いることにより、電
気機械結合係数Ｋを約５８％とすることができ、それに
よって広帯域化が図られている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、Ａｕ、Ａｇ
もしくはＰｔ等の金属は、非常に高価であるため、表面
波共振子のコストが高くつくという問題があった。さら
に、Ａｕ電極を用いた従来のラブ波装置では、共振周波
数の温度係数が大きく、温度変化による特性の変動が比
較的大きいという問題もあった。
もしくはＰｔ等の金属は、非常に高価であるため、表面
波共振子のコストが高くつくという問題があった。さら
に、Ａｕ電極を用いた従来のラブ波装置では、共振周波
数の温度係数が大きく、温度変化による特性の変動が比
較的大きいという問題もあった。
【０００７】また、電極／ＬｉＮｂＯ3 基板の２層構造
からなる従来のラブ波を利用した表面波共振子では、周
波数の低いものを構成することが困難であるという問題
もあった。すなわち、電極としてＡｕを用い、基板とし
てＹカットＸ伝搬のＬｉＮｂＯ3 基板を用いたものを例
にとると、電極の膜厚をＨ（Ａｕ）とし、励振されるラ
ブ波の波長をλとしたときに、Ｈ（Ａｕ）／λが０．０
２５以上でないとラブ波が励振されなかった。したがっ
て、周波数を低めるには、電極の膜厚を厚くしなければ
ならなかった。そのため、低周波のものを得ようとした
場合、電極の膜厚が増加するため、サイドエッチングや
エッチング液のレジストと電極との間へのしみ込み等に
より、所望通りのＩＤＴの電極指の幅、ひいては所望通
りの特性を有する表面波装置を得ることができなかっ
た。
からなる従来のラブ波を利用した表面波共振子では、周
波数の低いものを構成することが困難であるという問題
もあった。すなわち、電極としてＡｕを用い、基板とし
てＹカットＸ伝搬のＬｉＮｂＯ3 基板を用いたものを例
にとると、電極の膜厚をＨ（Ａｕ）とし、励振されるラ
ブ波の波長をλとしたときに、Ｈ（Ａｕ）／λが０．０
２５以上でないとラブ波が励振されなかった。したがっ
て、周波数を低めるには、電極の膜厚を厚くしなければ
ならなかった。そのため、低周波のものを得ようとした
場合、電極の膜厚が増加するため、サイドエッチングや
エッチング液のレジストと電極との間へのしみ込み等に
より、所望通りのＩＤＴの電極指の幅、ひいては所望通
りの特性を有する表面波装置を得ることができなかっ
た。
【０００８】そこで、本願発明者は、ＬｉＮｂＯ3 基板
上に電極を形成し、さらに該電極上にＺｎＯ薄膜を形成
してなる３層構造を利用することにより、電極の膜厚や
電極材料の質量からの厳格な制約を受けることなく、ラ
ブ波を励振し得ることを見出だした（特願平０５−００
４８１５）。
上に電極を形成し、さらに該電極上にＺｎＯ薄膜を形成
してなる３層構造を利用することにより、電極の膜厚や
電極材料の質量からの厳格な制約を受けることなく、ラ
ブ波を励振し得ることを見出だした（特願平０５−００
４８１５）。
【０００９】その後、上記３層構造において、基板の極
性による伝搬特性の有意差について、すなわち、電極及
びＺｎＯ薄膜をＬｉＮｂＯ3 基板の＋面に形成したとき
と、−面に形成したときのラブ波伝搬特性の差につい
て、理論解析及び実験を行った。ここで、基板の＋面と
は、「基板に応力を加えたとき＋の電荷がチャージする
面」である。
性による伝搬特性の有意差について、すなわち、電極及
びＺｎＯ薄膜をＬｉＮｂＯ3 基板の＋面に形成したとき
と、−面に形成したときのラブ波伝搬特性の差につい
て、理論解析及び実験を行った。ここで、基板の＋面と
は、「基板に応力を加えたとき＋の電荷がチャージする
面」である。
【００１０】この結果、ＬｉＮｂＯ3 基板の＋面にＺｎ
Ｏ薄膜を形成した方が、大きい電気機械結合係数Ｋを得
ることができ、ＺｎＯ膜厚に対する電気機械結合係数Ｋ
の余裕度も大きいことが明らかになった。
Ｏ薄膜を形成した方が、大きい電気機械結合係数Ｋを得
ることができ、ＺｎＯ膜厚に対する電気機械結合係数Ｋ
の余裕度も大きいことが明らかになった。
【００１１】そこで、本発明の目的は、安価な電極材料
を用いて構成することができ、電極の膜厚を増加させる
ことなく、より低い周波数で使用することができ、温度
特性の良好な、４０％以上の大きな電気機械結合係数Ｋ
を容易に得ることができる、ラブ波を利用した表面波装
置を提供することにある。
を用いて構成することができ、電極の膜厚を増加させる
ことなく、より低い周波数で使用することができ、温度
特性の良好な、４０％以上の大きな電気機械結合係数Ｋ
を容易に得ることができる、ラブ波を利用した表面波装
置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、０〜３０°回転ＹカットＸ伝搬のＬｉＮ
ｂＯ3 基板上に少なくとも１つのＩＤＴを形成し、前記
ＩＤＴを覆うようにＺｎＯ薄膜を形成したラブ波を利用
した表面波装置において、前記ＩＤＴ及び前記ＺｎＯ薄
膜を前記ＬｉＮｂＯ3 基板の＋面に形成し、かつ、前記
ＺｎＯ薄膜の膜厚をＨ（ＺｎＯ）、ラブ波の波長をλと
したときに、Ｈ（ＺｎＯ）／λが０．０５〜０．２の範
囲とされていることを特徴とするものである。
に、本発明は、０〜３０°回転ＹカットＸ伝搬のＬｉＮ
ｂＯ3 基板上に少なくとも１つのＩＤＴを形成し、前記
ＩＤＴを覆うようにＺｎＯ薄膜を形成したラブ波を利用
した表面波装置において、前記ＩＤＴ及び前記ＺｎＯ薄
膜を前記ＬｉＮｂＯ3 基板の＋面に形成し、かつ、前記
ＺｎＯ薄膜の膜厚をＨ（ＺｎＯ）、ラブ波の波長をλと
したときに、Ｈ（ＺｎＯ）／λが０．０５〜０．２の範
囲とされていることを特徴とするものである。
【００１３】
【作用】上記の構成によれば、ＩＤＴ及びＺｎＯ薄膜を
ＬｉＮｂＯ3 基板の＋面に形成し、かつ、Ｈ（ＺｎＯ）
／λが０．０５〜０．２の範囲とされているため、後述
の実施例から明らかなように、電極の膜厚を変動させて
も、確実に、４０％以上の大きな電気機械結合係数Ｋを
有するラブ波を励振させることができる。
ＬｉＮｂＯ3 基板の＋面に形成し、かつ、Ｈ（ＺｎＯ）
／λが０．０５〜０．２の範囲とされているため、後述
の実施例から明らかなように、電極の膜厚を変動させて
も、確実に、４０％以上の大きな電気機械結合係数Ｋを
有するラブ波を励振させることができる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明による表面波装置の一実施例を
図面を用いて説明する。図１（ａ）及び（ｂ）は、本発
明の一実施例に係る表面波装置の斜視図及びＢ−Ｂ線に
沿う断面図である。表面波装置１は、ラブ波を利用した
表面波共振子である。この表面波装置１では、Ｙカット
Ｘ伝搬のＬｉＮｂＯ3 基板２の上面に、互いの複数本の
電極指が間挿し合うように配置されたくし歯電極３、４
からなるＩＤＴ５が形成されている。そして、ＩＤＴ５
を覆うように、ＬｉＮｂＯ3 基板２上にＺｎＯ薄膜６が
形成されている。なお、ＩＤＴ５は、本実施例では、Ａ
ｌよりなるが、他の金属材料、例えばＣｕ、Ｎｉ等の金
属材料からなるものであってもよい。
図面を用いて説明する。図１（ａ）及び（ｂ）は、本発
明の一実施例に係る表面波装置の斜視図及びＢ−Ｂ線に
沿う断面図である。表面波装置１は、ラブ波を利用した
表面波共振子である。この表面波装置１では、Ｙカット
Ｘ伝搬のＬｉＮｂＯ3 基板２の上面に、互いの複数本の
電極指が間挿し合うように配置されたくし歯電極３、４
からなるＩＤＴ５が形成されている。そして、ＩＤＴ５
を覆うように、ＬｉＮｂＯ3 基板２上にＺｎＯ薄膜６が
形成されている。なお、ＩＤＴ５は、本実施例では、Ａ
ｌよりなるが、他の金属材料、例えばＣｕ、Ｎｉ等の金
属材料からなるものであってもよい。
【００１５】以下、実験例に基づき、ＩＤＴ５及びＺｎ
Ｏ薄膜６をＬｉＮｂＯ3 基板の＋面に形成したときと、
−面に形成したときのラブ波伝搬特性の差について、説
明する。
Ｏ薄膜６をＬｉＮｂＯ3 基板の＋面に形成したときと、
−面に形成したときのラブ波伝搬特性の差について、説
明する。
【００１６】ＬｉＮｂＯ3 基板２として、幅２．０ｍｍ
×長さ１．８ｍｍ×厚み０．５ｍｍのものを用意し、そ
の＋面または−面に電極指間ピッチを変更させて種々の
ＩＤＴ、及び膜厚を変更させて種々のＺｎＯ薄膜を形成
し、複数種の表面波共振子を作成した。得られた表面波
共振子につき、位相速度及び電気機械結合係数Ｋを測定
した。その測定結果を、図２及び図３に示す。図におい
て、ＩＤＴ５及びＺｎＯ薄膜６を、ＬｉＮｂＯ3 基板２
の＋面に形成したもの（以下、＋面と略す。）を実線で
示し、−面に形成したもの（以下、−面と略す。）を点
線で示す。なお、ｏｐｅｎは解放状態を、ｓｈｏｒｔは
短絡状態を表す。
×長さ１．８ｍｍ×厚み０．５ｍｍのものを用意し、そ
の＋面または−面に電極指間ピッチを変更させて種々の
ＩＤＴ、及び膜厚を変更させて種々のＺｎＯ薄膜を形成
し、複数種の表面波共振子を作成した。得られた表面波
共振子につき、位相速度及び電気機械結合係数Ｋを測定
した。その測定結果を、図２及び図３に示す。図におい
て、ＩＤＴ５及びＺｎＯ薄膜６を、ＬｉＮｂＯ3 基板２
の＋面に形成したもの（以下、＋面と略す。）を実線で
示し、−面に形成したもの（以下、−面と略す。）を点
線で示す。なお、ｏｐｅｎは解放状態を、ｓｈｏｒｔは
短絡状態を表す。
【００１７】図２及び図３から明らかなように、＋面ま
たは−面のいずれの場合も、ＺｎＯ薄膜６の膜厚をＨ
（ＺｎＯ）とし、ラブ波の波長をλとしたとき、Ｈ（Ｚ
ｎＯ）／λが０．０５以上においてラブ波が励振されて
いることがわかる。また、電気機械結合係数Ｋは、図３
に示すように、例えば、Ｈ（ＺｎＯ）／λが０．１１の
とき、＋面の方で約４８％、−面の方で約４６％であ
り、Ｈ（ＺｎＯ）／λが大きくなるにつれて低下してい
く。つまり、＋面の方がより大きな電気機械結合係数Ｋ
が得られることがわかる。そして、＋面の方では、Ｈ
（ＺｎＯ）／λが０．２以下であれば、目的とする電気
機械結合係数Ｋ４０％以上が得られている。
たは−面のいずれの場合も、ＺｎＯ薄膜６の膜厚をＨ
（ＺｎＯ）とし、ラブ波の波長をλとしたとき、Ｈ（Ｚ
ｎＯ）／λが０．０５以上においてラブ波が励振されて
いることがわかる。また、電気機械結合係数Ｋは、図３
に示すように、例えば、Ｈ（ＺｎＯ）／λが０．１１の
とき、＋面の方で約４８％、−面の方で約４６％であ
り、Ｈ（ＺｎＯ）／λが大きくなるにつれて低下してい
く。つまり、＋面の方がより大きな電気機械結合係数Ｋ
が得られることがわかる。そして、＋面の方では、Ｈ
（ＺｎＯ）／λが０．２以下であれば、目的とする電気
機械結合係数Ｋ４０％以上が得られている。
【００１８】また、Ｈ（ＺｎＯ）／λに対する電気機械
結合係数Ｋの傾斜も＋面の方が緩く、ＺｎＯ膜厚に対す
る電気機械結合係数Ｋの余裕度も大きいことがわかる。
結合係数Ｋの傾斜も＋面の方が緩く、ＺｎＯ膜厚に対す
る電気機械結合係数Ｋの余裕度も大きいことがわかる。
【００１９】さらに、図３から明らかなように、電極の
膜厚を一定にした場合でも、ＺｎＯ薄膜の厚みが変更さ
れることにより、電気機械結合係数Ｋの大きさが変動す
るため、低周波のものを電極の膜厚を増大させることな
く作製し得ることがわかる。また、本発明の表面波共振
子では、周波数特性の温度依存性が従来のラブ波を利用
した表面波共振子に比べて小さいことも確認できた。
膜厚を一定にした場合でも、ＺｎＯ薄膜の厚みが変更さ
れることにより、電気機械結合係数Ｋの大きさが変動す
るため、低周波のものを電極の膜厚を増大させることな
く作製し得ることがわかる。また、本発明の表面波共振
子では、周波数特性の温度依存性が従来のラブ波を利用
した表面波共振子に比べて小さいことも確認できた。
【００２０】本発明は、上述した表面波共振子の他に、
ラブ波を利用した表面波フィルタ等の他の表面波装置に
も適用することができる。
ラブ波を利用した表面波フィルタ等の他の表面波装置に
も適用することができる。
【００２１】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、ＺｎＯ薄膜／ＩＤＴ／ＹカットＸ伝搬ＬｉＮｂ
Ｏ3 基板の３層構造により、ラブ波が励振される表面波
共振子が得られる。しかも、ＩＤＴ及びＺｎＯ薄膜をＬ
ｉＮｂＯ3 基板の＋面に形成すれば、ＺｎＯ膜厚Ｈ（Ｚ
ｎＯ）の励振されるラブ波の波長λに対する比を０．０
５〜０．２の範囲とすることにより、電気機械結合係数
Ｋが４０％以上とされ、したがって、広帯域の表面波共
振子を構成することができる。
よれば、ＺｎＯ薄膜／ＩＤＴ／ＹカットＸ伝搬ＬｉＮｂ
Ｏ3 基板の３層構造により、ラブ波が励振される表面波
共振子が得られる。しかも、ＩＤＴ及びＺｎＯ薄膜をＬ
ｉＮｂＯ3 基板の＋面に形成すれば、ＺｎＯ膜厚Ｈ（Ｚ
ｎＯ）の励振されるラブ波の波長λに対する比を０．０
５〜０．２の範囲とすることにより、電気機械結合係数
Ｋが４０％以上とされ、したがって、広帯域の表面波共
振子を構成することができる。
【００２２】すなわち、ＩＤＴ及びＺｎＯ薄膜をＬｉＮ
ｂＯ3 基板の＋面に形成することにより、より大きな電
気機械結合係数Ｋを得ることがでる。さらに、ＺｎＯ膜
厚に対し、広い範囲で大きい電気機械結合係数Ｋの値が
得られるため、ＺｎＯ膜厚等のバラツキに対し、電気機
械結合係数Ｋの変化は小さく、バラツキの小さな安定し
た特性の表面波装置が、容易に実現できる。
ｂＯ3 基板の＋面に形成することにより、より大きな電
気機械結合係数Ｋを得ることがでる。さらに、ＺｎＯ膜
厚に対し、広い範囲で大きい電気機械結合係数Ｋの値が
得られるため、ＺｎＯ膜厚等のバラツキに対し、電気機
械結合係数Ｋの変化は小さく、バラツキの小さな安定し
た特性の表面波装置が、容易に実現できる。
【００２３】また、従来のラブ波を利用した表面波共振
子に比べ、温度特性の良好な表面波共振子を提供するこ
とが可能となる。
子に比べ、温度特性の良好な表面波共振子を提供するこ
とが可能となる。
【図１】（ａ）は、本発明の一実施例に係る表面波装置
の斜視図、（ｂ）は、（ａ）のＢ−Ｂ線に沿う断面図で
ある。
の斜視図、（ｂ）は、（ａ）のＢ−Ｂ線に沿う断面図で
ある。
【図２】本発明の一実施例に係る表面波共振子のＨ（Ｚ
ｎＯ）／λに対する位相速度の依存性を示す図である。
ｎＯ）／λに対する位相速度の依存性を示す図である。
【図３】本発明の一実施例に係る表面波共振子のＨ（Ｚ
ｎＯ）／λに対する電気機械結合係数Ｋの依存性を示す
図である。
ｎＯ）／λに対する電気機械結合係数Ｋの依存性を示す
図である。
１ 表面波装置 ２ ＹカットＸ伝搬ＬｉＮｂＯ3 基板 ５ ＩＤＴ（電極） ６ ＺｎＯ薄膜
Claims (1)
- 【請求項１】 ０〜３０°回転ＹカットＸ伝搬のＬｉＮ
ｂＯ3 基板上に少なくとも１つのＩＤＴを形成し、前記
ＩＤＴを覆うようにＺｎＯ薄膜を形成した、ラブ波を利
用した表面波装置において、 前記ＩＤＴ及び前記ＺｎＯ薄膜を前記ＬｉＮｂＯ3 基板
の＋面に形成し、 かつ、前記ＺｎＯ薄膜の膜厚をＨ（ＺｎＯ）、ラブ波の
波長をλとしたときに、Ｈ（ＺｎＯ）／λが０．０５〜
０．２の範囲とされていることを特徴とする表面波装
置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5216313A JPH0774586A (ja) | 1993-08-31 | 1993-08-31 | 表面波装置 |
| TW083100189A TW241397B (ja) | 1993-01-14 | 1994-01-12 | |
| US08/180,604 US5432392A (en) | 1993-01-14 | 1994-01-13 | Surface wave device |
| KR1019940000626A KR100200179B1 (ko) | 1993-01-14 | 1994-01-14 | 표면파 장치 |
| DE4400980A DE4400980C2 (de) | 1993-01-14 | 1994-01-14 | Oberflächenwellenbauelement |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5216313A JPH0774586A (ja) | 1993-08-31 | 1993-08-31 | 表面波装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0774586A true JPH0774586A (ja) | 1995-03-17 |
Family
ID=16686568
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5216313A Pending JPH0774586A (ja) | 1993-01-14 | 1993-08-31 | 表面波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0774586A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005093949A1 (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性境界波装置の製造方法及び弾性境界波装置 |
| WO2007094368A1 (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 弾性表面波デバイス、およびこれを用いた弾性表面波フィルタとアンテナ共用器、並びにこれを用いた電子機器 |
-
1993
- 1993-08-31 JP JP5216313A patent/JPH0774586A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005093949A1 (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性境界波装置の製造方法及び弾性境界波装置 |
| US7322093B2 (en) | 2004-03-29 | 2008-01-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for producing a boundary acoustic wave device |
| KR100804407B1 (ko) * | 2004-03-29 | 2008-02-15 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 탄성 경계파 장치의 제조방법 |
| JP2010166592A (ja) * | 2004-03-29 | 2010-07-29 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性境界波装置の製造方法及び弾性境界波装置 |
| WO2007094368A1 (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 弾性表面波デバイス、およびこれを用いた弾性表面波フィルタとアンテナ共用器、並びにこれを用いた電子機器 |
| US8035460B2 (en) | 2006-02-16 | 2011-10-11 | Panasonic Corporation | Surface acoustic wave device, surface acoustic wave filter and antenna duplexer using the same, and electronic equipment using the same |
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