JP3106912B2 - 端面反射型表面波装置の製造方法 - Google Patents
端面反射型表面波装置の製造方法Info
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
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- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
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- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＳＨタイプの表面波を
利用した端面反射型表面波装置の製造方法に関し、特
に、表面波を反射させる対向２端面を形成する工程が改
良された端面反射型表面波装置の製造方法に関する。
利用した端面反射型表面波装置の製造方法に関し、特
に、表面波を反射させる対向２端面を形成する工程が改
良された端面反射型表面波装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、圧電基板の対向２端面間でＳＨタ
イプの表面波を反射させる端面反射型の表面波装置が知
られている。ＳＨタイプの表面波とは、ＢＧＳ波やラブ
波などのように、変位が表面波伝搬方向と垂直で基板表
面と平行な成分を主成分とする表面波をいう。
イプの表面波を反射させる端面反射型の表面波装置が知
られている。ＳＨタイプの表面波とは、ＢＧＳ波やラブ
波などのように、変位が表面波伝搬方向と垂直で基板表
面と平行な成分を主成分とする表面波をいう。
【０００３】上記端面反射型表面波装置の一例を、図１
を参照して説明する。端面反射型表面波共振子１は、平
面形状が四角形の圧電基板２を用いて構成されている。
圧電基板２は、圧電単結晶よりなる。上面２ａには、イ
ンターデジタルトランスデューサ（以下、ＩＤＴと略
す。）が形成されている。このＩＤＴは、１組のくし歯
電極３，４からなる。くし歯電極３，４は、それぞれ、
複数本の電極指３ａ〜３ｃ及び４ａ〜４ｃを有する。
を参照して説明する。端面反射型表面波共振子１は、平
面形状が四角形の圧電基板２を用いて構成されている。
圧電基板２は、圧電単結晶よりなる。上面２ａには、イ
ンターデジタルトランスデューサ（以下、ＩＤＴと略
す。）が形成されている。このＩＤＴは、１組のくし歯
電極３，４からなる。くし歯電極３，４は、それぞれ、
複数本の電極指３ａ〜３ｃ及び４ａ〜４ｃを有する。
【０００４】電極指３ａ〜３ｃと、電極指４ａ〜４ｃと
は互いに間挿し合っている。また、複数本の電極指３ａ
〜４ｃ間の間隔は、励振される表面波の波長をλとした
ときに、λ／４とされている。また、表面波伝搬方向両
端に位置する電極指３ｃ，４ａは、その幅が、λ／８と
されており、残りの電極指３ａ，３ｂ，４ｂ，４ｃの幅
はλ／４とされている。
は互いに間挿し合っている。また、複数本の電極指３ａ
〜４ｃ間の間隔は、励振される表面波の波長をλとした
ときに、λ／４とされている。また、表面波伝搬方向両
端に位置する電極指３ｃ，４ａは、その幅が、λ／８と
されており、残りの電極指３ａ，３ｂ，４ｂ，４ｃの幅
はλ／４とされている。
【０００５】また、電極指３ｃ，４ａの外側端縁は、圧
電基板２の端面２ｃ，２ｂに沿うように形成されてい
る。端面反射型表面波共振子１では、くし歯電極３，４
から交流電圧を印加することによりＢＧＳ波が励振さ
れ、該ＢＧＳ波は図示の矢印Ｘ方向に伝搬する。このＢ
ＧＳ波は、上記圧電基板２の対向２端面２ｂ，２ｃ間で
反射され、従って表面波共振子１は共振子として動作す
る。すなわち、図２にインピーダンス−周波数特性で示
すように、表面波共振子１は、共振点ｆｒ及び反共振点
ｆａを有する共振特性を実現する。
電基板２の端面２ｃ，２ｂに沿うように形成されてい
る。端面反射型表面波共振子１では、くし歯電極３，４
から交流電圧を印加することによりＢＧＳ波が励振さ
れ、該ＢＧＳ波は図示の矢印Ｘ方向に伝搬する。このＢ
ＧＳ波は、上記圧電基板２の対向２端面２ｂ，２ｃ間で
反射され、従って表面波共振子１は共振子として動作す
る。すなわち、図２にインピーダンス−周波数特性で示
すように、表面波共振子１は、共振点ｆｒ及び反共振点
ｆａを有する共振特性を実現する。
【０００６】ところで、端面反射型表面波共振子１で
は、上記のようにＢＧＳ波を対向２端面２ｂ，２ｃ間で
反射させるものであるため、端面２ｂ，２ｃは正確に形
成される必要がある。すなわち、端面２ｂ，２ｃの位置
が正確に形成されないと、所望通りの共振特性を得るこ
とができない。また、端面２ｂ，２ｃの平滑度等などが
十分でないと、不要スプリアスが発生するという問題も
ある。
は、上記のようにＢＧＳ波を対向２端面２ｂ，２ｃ間で
反射させるものであるため、端面２ｂ，２ｃは正確に形
成される必要がある。すなわち、端面２ｂ，２ｃの位置
が正確に形成されないと、所望通りの共振特性を得るこ
とができない。また、端面２ｂ，２ｃの平滑度等などが
十分でないと、不要スプリアスが発生するという問題も
ある。
【０００７】そこで、従来、端面反射型表面波共振子１
を製造するあたっては、図３に示すように、圧電板５を
用意し、圧電板５上にくし歯電極３，４を形成し、しか
る後、ダイサーを用いて図３に示す一点鎖線Ａに沿って
切断することにより図１の端面２ｂを露出させて圧電基
板２を得ていた。同様に、他方の端面２ｃについても、
圧電板５を電極指３ｃ（図１参照）の外側端縁に沿って
圧電板５を切断することにより露出させていた。
を製造するあたっては、図３に示すように、圧電板５を
用意し、圧電板５上にくし歯電極３，４を形成し、しか
る後、ダイサーを用いて図３に示す一点鎖線Ａに沿って
切断することにより図１の端面２ｂを露出させて圧電基
板２を得ていた。同様に、他方の端面２ｃについても、
圧電板５を電極指３ｃ（図１参照）の外側端縁に沿って
圧電板５を切断することにより露出させていた。
【０００８】すなわち、従来、端面２ｂ，２ｃの形成に
あたっては、圧電基板２よりも大きな圧電板５を用意
し、上記電極３ｃ，４ａの外側端縁に沿って正確に圧電
板５を切断することにより行っていた。
あたっては、圧電基板２よりも大きな圧電板５を用意
し、上記電極３ｃ，４ａの外側端縁に沿って正確に圧電
板５を切断することにより行っていた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
製造方法では、上記一点鎖線Ａに沿った圧電板の切断を
必ずしも高精度に行うことができず、得られた端面反射
型表面波共振子１において、所望通りの共振特性を得る
ことが困難であるという問題があった。
製造方法では、上記一点鎖線Ａに沿った圧電板の切断を
必ずしも高精度に行うことができず、得られた端面反射
型表面波共振子１において、所望通りの共振特性を得る
ことが困難であるという問題があった。
【００１０】すなわち、端面２ｂ，２ｃの形成に際し、
上記圧電板５の切断工程の精度を可能な限り高めたとし
ても、電極指３ｃ，４ａの外側端縁に正確に沿って圧電
板５を切断することは非常に困難であった。従って、例
えば、電極指３ｃ，４ａよりも内側で切断が行われた場
合には、圧電板５だけでなく、電極指３ｃ，４ａまでも
が切断されることになる。切断は、通常ダイサー装置を
用いて行われるが、上記のように電極指をも切断する場
合には、金属材料と圧電材料の双方が切断されることに
なる。よって、図４に矢印Ｂで示すように端面２ｂにお
いてチッピングが生じがちであった。このようなチッピ
ングが端面２ｂ，２ｃで生じると、端面の精度が大幅に
低下し、所望の共振特性を得ることができない。
上記圧電板５の切断工程の精度を可能な限り高めたとし
ても、電極指３ｃ，４ａの外側端縁に正確に沿って圧電
板５を切断することは非常に困難であった。従って、例
えば、電極指３ｃ，４ａよりも内側で切断が行われた場
合には、圧電板５だけでなく、電極指３ｃ，４ａまでも
が切断されることになる。切断は、通常ダイサー装置を
用いて行われるが、上記のように電極指をも切断する場
合には、金属材料と圧電材料の双方が切断されることに
なる。よって、図４に矢印Ｂで示すように端面２ｂにお
いてチッピングが生じがちであった。このようなチッピ
ングが端面２ｂ，２ｃで生じると、端面の精度が大幅に
低下し、所望の共振特性を得ることができない。
【００１１】そこで、上記のようなチッピングを防止す
る方法として、圧電板５上にくし歯電極３，４を形成す
るにあたり、予め電極指３ｃ，４ａの幅をλ／８よりも
細くしておくことが考えられる。すなわち、電極指３
ｃ，４ａの幅をλ／８よりも若干細くしておき、しかる
後電極指３ｃ，４ａの内側端縁から外側に向かってλ／
８の位置で切断を行うことにより、チッピングを防止す
ることができる。
る方法として、圧電板５上にくし歯電極３，４を形成す
るにあたり、予め電極指３ｃ，４ａの幅をλ／８よりも
細くしておくことが考えられる。すなわち、電極指３
ｃ，４ａの幅をλ／８よりも若干細くしておき、しかる
後電極指３ｃ，４ａの内側端縁から外側に向かってλ／
８の位置で切断を行うことにより、チッピングを防止す
ることができる。
【００１２】すなわち、図３において、一点鎖線Ａに沿
う切断を正確に行うことができないことに鑑み、電極指
３ｃ，４ａの外側端縁を一点鎖線Ａよりも内側としてお
けば、上記チッピングの発生を抑制することができると
考えられる。
う切断を正確に行うことができないことに鑑み、電極指
３ｃ，４ａの外側端縁を一点鎖線Ａよりも内側としてお
けば、上記チッピングの発生を抑制することができると
考えられる。
【００１３】しかしながら、上記のように両端の電極指
３ｃ，４ａの幅をλ／８よりも狭くした場合には、チッ
ピングの発生は防止し得るが、共振特性が劣化するとい
う問題が生じる。
３ｃ，４ａの幅をλ／８よりも狭くした場合には、チッ
ピングの発生は防止し得るが、共振特性が劣化するとい
う問題が生じる。
【００１４】よって、本発明の目的は、圧電板の切断に
際してのチッピングが生じ難く、かつ所望通りの共振特
性を確実に得ることを可能とする端面反射型表面波装置
の製造方法を提供することにある。
際してのチッピングが生じ難く、かつ所望通りの共振特
性を確実に得ることを可能とする端面反射型表面波装置
の製造方法を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明は、上記
課題を達成するために成されたものであり、圧電基板上
にＩＤＴが形成されており、かつ対向２端面間でＳＨタ
イプの表面波を反射させる端面反射型の表面波装置の製
造方法であって、圧電基板上に、ＩＤＴの電極指のう
ち、表面波伝搬方向両端の第１，第２の電極指の幅がλ
／８（但し、λは励振される表面波の波長）、残りの電
極指の幅がλ／４とされているＩＤＴを形成する工程
と、前記圧電板を前記第１，第２の電極指の外側端縁か
ら外側方向に向かってλ／８までの範囲において、前記
電極指と平行に切断する工程とを備えることを特徴とす
る、端面反射型表面波装置の製造方法である。
課題を達成するために成されたものであり、圧電基板上
にＩＤＴが形成されており、かつ対向２端面間でＳＨタ
イプの表面波を反射させる端面反射型の表面波装置の製
造方法であって、圧電基板上に、ＩＤＴの電極指のう
ち、表面波伝搬方向両端の第１，第２の電極指の幅がλ
／８（但し、λは励振される表面波の波長）、残りの電
極指の幅がλ／４とされているＩＤＴを形成する工程
と、前記圧電板を前記第１，第２の電極指の外側端縁か
ら外側方向に向かってλ／８までの範囲において、前記
電極指と平行に切断する工程とを備えることを特徴とす
る、端面反射型表面波装置の製造方法である。
【００１６】なお、本明細書において、上記ＳＨタイプ
の表面波とは、変位が表面波伝搬方向と垂直で基板表面
と平行な方向の成分を主成分とする表面波を広く含むも
のとし、このようなＳＨタイプの表面波としては、ＳＨ
タイプのリーキー波、ラブ波、ＢＧＳ波などを例示する
ことができる。
の表面波とは、変位が表面波伝搬方向と垂直で基板表面
と平行な方向の成分を主成分とする表面波を広く含むも
のとし、このようなＳＨタイプの表面波としては、ＳＨ
タイプのリーキー波、ラブ波、ＢＧＳ波などを例示する
ことができる。
【００１７】また、本発明は、端面反射型の表面波装置
の製造方法を提供するものであり、端面反射型の表面波
装置では、ＳＨタイプの表面波が圧電基板の対向２対面
間で反射される。
の製造方法を提供するものであり、端面反射型の表面波
装置では、ＳＨタイプの表面波が圧電基板の対向２対面
間で反射される。
【００１８】本発明においては、上記のように、まず、
圧電板上に、ＩＤＴが形成される。このＩＤＴは、各々
が１本以上の電極指を有する１組のくし歯電極により形
成されている。１組のくし歯電極の互いの電極指は互い
に間挿し合うように配置されている。また、形成される
ＩＤＴでは、表面波伝搬方向を両端に位置する第１，第
２の電極指の幅がλ／８、残りの電極指の幅がλ／４と
されている。
圧電板上に、ＩＤＴが形成される。このＩＤＴは、各々
が１本以上の電極指を有する１組のくし歯電極により形
成されている。１組のくし歯電極の互いの電極指は互い
に間挿し合うように配置されている。また、形成される
ＩＤＴでは、表面波伝搬方向を両端に位置する第１，第
２の電極指の幅がλ／８、残りの電極指の幅がλ／４と
されている。
【００１９】本発明において、上記圧電板としては、４
１°回転Ｙ板Ｘ伝搬ＬｉＮｂＯ3 圧電板、６４°回転Ｙ
板Ｘ伝搬ＬｉＮｂＯ3 圧電板、３６°回転Ｙ板Ｘ伝搬Ｌ
ｉＴａＯ3 圧電板のような圧電単結晶からなる圧電板、
あるいは圧電セラミックスからなる圧電板を用いること
ができる。
１°回転Ｙ板Ｘ伝搬ＬｉＮｂＯ3 圧電板、６４°回転Ｙ
板Ｘ伝搬ＬｉＮｂＯ3 圧電板、３６°回転Ｙ板Ｘ伝搬Ｌ
ｉＴａＯ3 圧電板のような圧電単結晶からなる圧電板、
あるいは圧電セラミックスからなる圧電板を用いること
ができる。
【００２０】また、上記圧電板としては、ＩＤＴの第
１，第２の電極指よりも外側にある程度の領域を有する
ような大きなのものが用いられる。すなわち、後で行わ
れる切断工程において圧電板を切断して対向２端面を切
り出すことを可能とするために、圧電板としては、ＩＤ
Ｔの表面波伝搬方向に沿う寸法よりも大きな圧電板が用
いられる。
１，第２の電極指よりも外側にある程度の領域を有する
ような大きなのものが用いられる。すなわち、後で行わ
れる切断工程において圧電板を切断して対向２端面を切
り出すことを可能とするために、圧電板としては、ＩＤ
Ｔの表面波伝搬方向に沿う寸法よりも大きな圧電板が用
いられる。
【００２１】ＩＤＴは、例えばアルミニウムや金などの
金属のような導電性材料により構成されている。ＩＤＴ
の形成方法は特に限定される訳ではないが、例えば、圧
電板上に全面に導電性材料からなる膜を形成し、露光、
エッチング等により所望のパターンのＩＤＴを形成する
方法、あるいはマスク等を用いてＩＤＴの電極パターン
に応じて導電性材料からなる膜を形成する方法などを例
示することができる。
金属のような導電性材料により構成されている。ＩＤＴ
の形成方法は特に限定される訳ではないが、例えば、圧
電板上に全面に導電性材料からなる膜を形成し、露光、
エッチング等により所望のパターンのＩＤＴを形成する
方法、あるいはマスク等を用いてＩＤＴの電極パターン
に応じて導電性材料からなる膜を形成する方法などを例
示することができる。
【００２２】本発明では上記圧電板上にＩＤＴを形成し
た後に、第１，第２の電極指の外側端縁から外側に向か
ってλ／８までの範囲において、電極指と平行に圧電板
を切断する。この切断により、上記ＳＨタイプの表面波
を反射させるための対向２端面が切り出される。従っ
て、ＩＤＴを切断しないため、チッピングの発生を抑制
することができるとともに、後述の実施例から明らかな
ように、良好な共振特性を得ることができる。
た後に、第１，第２の電極指の外側端縁から外側に向か
ってλ／８までの範囲において、電極指と平行に圧電板
を切断する。この切断により、上記ＳＨタイプの表面波
を反射させるための対向２端面が切り出される。従っ
て、ＩＤＴを切断しないため、チッピングの発生を抑制
することができるとともに、後述の実施例から明らかな
ように、良好な共振特性を得ることができる。
【００２３】上記圧電板の切断は、ダイシング装置など
の公知の切断装置を用いて行うことができる。また、本
発明では、より好ましくは、第１，第２の電極指の外側
端縁から外側に向かって３λ／３２までの範囲におい
て、上記切断が行われ、後述の実施例から明らかなよう
に、より一層不要スプリアスが少ない良好な共振特性を
有する端面反射型表面波装置を提供し得る。
の公知の切断装置を用いて行うことができる。また、本
発明では、より好ましくは、第１，第２の電極指の外側
端縁から外側に向かって３λ／３２までの範囲におい
て、上記切断が行われ、後述の実施例から明らかなよう
に、より一層不要スプリアスが少ない良好な共振特性を
有する端面反射型表面波装置を提供し得る。
【００２４】
【実施例の説明】図５及び図６を参照して、本発明の一
実施例に係る端面反射型表面波装置の製造方法を説明す
る。
実施例に係る端面反射型表面波装置の製造方法を説明す
る。
【００２５】まず、図５に示すように、圧電板１１上に
ＩＤＴ１２を形成する。本実施例では、圧電板１１は、
４１°回転Ｙ板Ｘ伝搬ＬｉＮｂＯ3 よりなり、矩形の平
面形状を有する。
ＩＤＴ１２を形成する。本実施例では、圧電板１１は、
４１°回転Ｙ板Ｘ伝搬ＬｉＮｂＯ3 よりなり、矩形の平
面形状を有する。
【００２６】ＩＤＴ１２の形成は、圧電板１１の上面１
１ａの全面にＡｌを蒸着、スパッタリングもしくはメッ
キなどの薄膜形成法によりＡｌ膜を形成し、さらに露
光、エッチングすることにより行われる。ＩＤＴ１２
は、１組のくし歯電極１３，１４を有する。くし歯電極
１３は、複数本の電極指１３ａ〜１３ｉを有する。ま
た、くし歯電極１４は、複数本のくし歯電極１４ａ〜１
４ｉを有する。
１ａの全面にＡｌを蒸着、スパッタリングもしくはメッ
キなどの薄膜形成法によりＡｌ膜を形成し、さらに露
光、エッチングすることにより行われる。ＩＤＴ１２
は、１組のくし歯電極１３，１４を有する。くし歯電極
１３は、複数本の電極指１３ａ〜１３ｉを有する。ま
た、くし歯電極１４は、複数本のくし歯電極１４ａ〜１
４ｉを有する。
【００２７】くし歯電極１３ａ〜１３ｉと、くし歯電極
１４ａ〜１４ｉとは互いに間挿し合うように配置されて
いる。また、ＩＤＴ１２の電極指１３ａ〜１３ｉ，１４
ａ〜１４ｉのうち、表面波伝搬方向両端に位置する第
１，第２の電極指１４ａ，１３ｉは、それぞれ、励振さ
れる表面波の波長をλとしたときに、λ／８の幅を有す
るように形成されている。他方、残りの電極指１３ａ〜
１３ｈ，１４ｂ〜１４ｉは、それぞれ、λ／４の幅を有
するように形成されている。また、隣合う電極指間の領
域の幅はλ／４とされている。
１４ａ〜１４ｉとは互いに間挿し合うように配置されて
いる。また、ＩＤＴ１２の電極指１３ａ〜１３ｉ，１４
ａ〜１４ｉのうち、表面波伝搬方向両端に位置する第
１，第２の電極指１４ａ，１３ｉは、それぞれ、励振さ
れる表面波の波長をλとしたときに、λ／８の幅を有す
るように形成されている。他方、残りの電極指１３ａ〜
１３ｈ，１４ｂ〜１４ｉは、それぞれ、λ／４の幅を有
するように形成されている。また、隣合う電極指間の領
域の幅はλ／４とされている。
【００２８】次に、圧電板１１を一点鎖線Ｄ−Ｄ及びＥ
−Ｅに沿って切断する。この切断により図６に示す、Ｓ
Ｈタイプのリーキー表面波を利用した端面反射型表面波
装置１５を得る。すなわち、上記切断により対向２端面
１１ｂ，１１ｃが形成される。
−Ｅに沿って切断する。この切断により図６に示す、Ｓ
Ｈタイプのリーキー表面波を利用した端面反射型表面波
装置１５を得る。すなわち、上記切断により対向２端面
１１ｂ，１１ｃが形成される。
【００２９】ところで、本実施例では、上記一点鎖線Ｄ
−Ｄに沿う切断は、電極指１４ａの外側端縁から外側に
向かってλ／８までの領域において行われる。すなわ
ち、図５において、一点鎖線Ａ−Ａ（電極指１４ａの外
側端縁に沿う線）と、一点鎖線Ｃ−Ｃ（電極指１４ａの
外側端縁からλ／８離れた位置を通り、かつ一点鎖線Ａ
−Ａに平行な線）との間の多点のハッチングを付して示
した領域で上記切断が行われる。同様に、一点鎖線Ｅ−
Ｅに沿う切断も、電極指１３ｉの外側端縁から外側方向
にλ／８までの領域において行われる。
−Ｄに沿う切断は、電極指１４ａの外側端縁から外側に
向かってλ／８までの領域において行われる。すなわ
ち、図５において、一点鎖線Ａ−Ａ（電極指１４ａの外
側端縁に沿う線）と、一点鎖線Ｃ−Ｃ（電極指１４ａの
外側端縁からλ／８離れた位置を通り、かつ一点鎖線Ａ
−Ａに平行な線）との間の多点のハッチングを付して示
した領域で上記切断が行われる。同様に、一点鎖線Ｅ−
Ｅに沿う切断も、電極指１３ｉの外側端縁から外側方向
にλ／８までの領域において行われる。
【００３０】従って、上記切断に際しては、電極指１４
ａ，１３ｉは切断されず、圧電板１１のみが切断される
ため、チッピングは生じ難い。すなわち、最初から電極
指の外側端縁を目標として切断する場合に比べ、本実施
例では、上記多点のハッチングを付して示した領域内を
目標として切断を行うため、電極指が切断されることが
非常に起こり難く、従ってチッピングが生じ難い。
ａ，１３ｉは切断されず、圧電板１１のみが切断される
ため、チッピングは生じ難い。すなわち、最初から電極
指の外側端縁を目標として切断する場合に比べ、本実施
例では、上記多点のハッチングを付して示した領域内を
目標として切断を行うため、電極指が切断されることが
非常に起こり難く、従ってチッピングが生じ難い。
【００３１】加えて、電極指１４ａ，１３ｉの幅は、λ
／８とされているため、すなわち予め両端の電極指の幅
をλ／８よりも細く形成しておくものではないため、良
好な共振特性を得ることができる。この特性の評価につ
いては、後述の具体的な実施例を参照してより詳細に説
明する。
／８とされているため、すなわち予め両端の電極指の幅
をλ／８よりも細く形成しておくものではないため、良
好な共振特性を得ることができる。この特性の評価につ
いては、後述の具体的な実施例を参照してより詳細に説
明する。
【００３２】なお、本実施例では、上記一点鎖線Ｄ−
Ｄ，Ｅ−Ｅに沿う切断は、第１，第２の電極指１４ａ，
１３ｉの外側端縁から、外側方向にλ／８までの領域で
行ったが、より好ましくは、３λ／３２までの領域にお
いて行われ、それによってより良好な共振特性を実現す
ることができる。
Ｄ，Ｅ−Ｅに沿う切断は、第１，第２の電極指１４ａ，
１３ｉの外側端縁から、外側方向にλ／８までの領域で
行ったが、より好ましくは、３λ／３２までの領域にお
いて行われ、それによってより良好な共振特性を実現す
ることができる。
【００３３】なお、図６に示した本実施例により得られ
た端面反射型表面波装置１５では、１組のくし歯電極か
らなる１つのＩＤＴのみが示されていたが、本発明の製
造方法は、２以上のＩＤＴが形成された端面反射型表面
波装置、例えば端面反射型表面波フィルタなどにも適用
することができる。
た端面反射型表面波装置１５では、１組のくし歯電極か
らなる１つのＩＤＴのみが示されていたが、本発明の製
造方法は、２以上のＩＤＴが形成された端面反射型表面
波装置、例えば端面反射型表面波フィルタなどにも適用
することができる。
【００３４】また、本実施例で得られた端面反射型表面
波共振子１６は、ＳＨタイプのリーキー波を利用するも
のであるが、ＢＧＳ波やラブ波のような他のＳＨタイプ
の表面波を利用するものであってもよく、利用する表面
波に応じて圧電板の材料が選択される。
波共振子１６は、ＳＨタイプのリーキー波を利用するも
のであるが、ＢＧＳ波やラブ波のような他のＳＨタイプ
の表面波を利用するものであってもよく、利用する表面
波に応じて圧電板の材料が選択される。
【００３５】次に、具体的な実験例に基づき、本発明の
製造方法により、良好な共振特性を有する端面反射型表
面波装置の得られることを説明する。上記実施例により
得られた端面反射型表面波共振子１５の共振特性を図７
に示す。なお、図７に示す特性のうち、実線はインピー
ダンス−周波数特性を、破線は位相−周波数特性を示
す。なお、以下の実験例の共振特性においても、全て、
実線はインピーダンス−周波数特性を、破線は位相−周
波数特性を示すものとする。
製造方法により、良好な共振特性を有する端面反射型表
面波装置の得られることを説明する。上記実施例により
得られた端面反射型表面波共振子１５の共振特性を図７
に示す。なお、図７に示す特性のうち、実線はインピー
ダンス−周波数特性を、破線は位相−周波数特性を示
す。なお、以下の実験例の共振特性においても、全て、
実線はインピーダンス−周波数特性を、破線は位相−周
波数特性を示すものとする。
【００３６】また、図７に示した共振特性は、４１°回
転Ｙ板Ｘ伝搬ＬｉＮｂＯ3 圧電板を圧電板１１として用
い、下記の仕様でＩＤＴ１２を形成した場合の特性であ
る。 ＩＤＴ構成材料・・・アルミニウム ＩＤＴ１２を構成しているアルミニウムの膜厚・・・１μｍ 電極指１３ａ〜１３ｈ，１４ｂ〜１４ｉの幅・・・３０μｍ 第１，第２の電極指１４ａ，１３ｉの幅・・・１５μｍ 電極指の対数・・・１５．５対 第１，第２の電極指の外側端縁と、端面１１ｂ，１１ｃとの間の距離（すな わち切断位置）・・・各１μｍ
転Ｙ板Ｘ伝搬ＬｉＮｂＯ3 圧電板を圧電板１１として用
い、下記の仕様でＩＤＴ１２を形成した場合の特性であ
る。 ＩＤＴ構成材料・・・アルミニウム ＩＤＴ１２を構成しているアルミニウムの膜厚・・・１μｍ 電極指１３ａ〜１３ｈ，１４ｂ〜１４ｉの幅・・・３０μｍ 第１，第２の電極指１４ａ，１３ｉの幅・・・１５μｍ 電極指の対数・・・１５．５対 第１，第２の電極指の外側端縁と、端面１１ｂ，１１ｃとの間の距離（すな わち切断位置）・・・各１μｍ
【００３７】図７から明らかなように、上記のように端
面１１ｂ，１１ｃを切断する位置が、本発明の範囲内で
ある、第１，第２の電極指の外側端縁からλ／８の範囲
内で切断した場合、不要スプリアスが少ない良好な共振
特性が得られることが確かめられている。
面１１ｂ，１１ｃを切断する位置が、本発明の範囲内で
ある、第１，第２の電極指の外側端縁からλ／８の範囲
内で切断した場合、不要スプリアスが少ない良好な共振
特性が得られることが確かめられている。
【００３８】ところで、本願発明者らは、上記図７に示
した共振特性を得た場合と同様にして、但し端面１１
ｂ，１１ｃを形成するための切断位置を異ならせて種々
の端面反射型表面波装置を作製し、これらの共振特性を
測定した。その結果、切断位置を異ならせて端面１１
ｂ，１１ｃを形成した場合、共振特性は種々変化した
が、概ね、図８〜図１１に示す４種類の共振特性に分類
されることが確かめられた。すなわち、図８に示した共
振特性では、反共振点ｆａが十分に高い周波数位置と高
い反共振インピーダンス（反共振点におけるインピーダ
ンス）と小さい共振インピーダンス（共振点におけるイ
ンピーダンス）が得られ、従って（反共振周波数−共振
周波数）の大きさ、すなわち十分大きな帯域幅と大きい
インピーダンス比が得られる（但し、このインピーダン
ス比とは、
した共振特性を得た場合と同様にして、但し端面１１
ｂ，１１ｃを形成するための切断位置を異ならせて種々
の端面反射型表面波装置を作製し、これらの共振特性を
測定した。その結果、切断位置を異ならせて端面１１
ｂ，１１ｃを形成した場合、共振特性は種々変化した
が、概ね、図８〜図１１に示す４種類の共振特性に分類
されることが確かめられた。すなわち、図８に示した共
振特性では、反共振点ｆａが十分に高い周波数位置と高
い反共振インピーダンス（反共振点におけるインピーダ
ンス）と小さい共振インピーダンス（共振点におけるイ
ンピーダンス）が得られ、従って（反共振周波数−共振
周波数）の大きさ、すなわち十分大きな帯域幅と大きい
インピーダンス比が得られる（但し、このインピーダン
ス比とは、
【００３９】
【数１】 で表される。）。
【００４０】また、図９に示す共振特性では、共振点及
び反共振点が図８に示した特性に比べて、特に共振点が
低域側にシフトしてかつ反共振インピーダンスが低くな
っており、（反共振周波数−共振周波数）の値すなわ
ち、帯域幅が狭くなっていることがわかる。加えて、反
共振点よりも高周波数領域において矢印Ｑで示すスプリ
アスが表れていることがわかる。特に、位相特性におい
て、０°よりも大きなスプリアスの表れていることがわ
かる。
び反共振点が図８に示した特性に比べて、特に共振点が
低域側にシフトしてかつ反共振インピーダンスが低くな
っており、（反共振周波数−共振周波数）の値すなわ
ち、帯域幅が狭くなっていることがわかる。加えて、反
共振点よりも高周波数領域において矢印Ｑで示すスプリ
アスが表れていることがわかる。特に、位相特性におい
て、０°よりも大きなスプリアスの表れていることがわ
かる。
【００４１】また、図１０に示す共振特性では、共振点
及び反共振点が分割しており、インピーダンス比も小さ
く共振特性が良好でないことがわかる。加えて、反共振
周波数と共振周波数との差も小さく、帯域幅が狭いこと
がわかる。さらに、共振点近傍及び共振点−反共振点間
においてかなりのスプリアスの発生していることがわか
る。
及び反共振点が分割しており、インピーダンス比も小さ
く共振特性が良好でないことがわかる。加えて、反共振
周波数と共振周波数との差も小さく、帯域幅が狭いこと
がわかる。さらに、共振点近傍及び共振点−反共振点間
においてかなりのスプリアスの発生していることがわか
る。
【００４２】さらに、図１１に示す共振特性では、非常
に大きなスプリアス振動が反共振点近傍において広い周
波数領域にわたって発生しておりインピーダンス比もさ
らに小さく、共振特性が明確に表れていないことがわか
る。
に大きなスプリアス振動が反共振点近傍において広い周
波数領域にわたって発生しておりインピーダンス比もさ
らに小さく、共振特性が明確に表れていないことがわか
る。
【００４３】すなわち、図８〜図１１に示す共振特性
は、図８に示した共振特性から、図１１に示す共振特性
に変化するに従って悪化していることがわかり、良好な
共振特性は、図８に示す共振特性であることがわかる。
は、図８に示した共振特性から、図１１に示す共振特性
に変化するに従って悪化していることがわかり、良好な
共振特性は、図８に示す共振特性であることがわかる。
【００４４】今、図８に示す共振特性が得られた場合を
○印、図９に示す共振特性が得られた場合を△印、図１
０に示す共振特性が得られた場合を□印、図１１に示す
共振特性が得られた場合を×印を付し、図１２に、それ
ぞれの共振特性が得られた場合と端面１１ｂ，１１ｃの
切断位置との関係を示す。
○印、図９に示す共振特性が得られた場合を△印、図１
０に示す共振特性が得られた場合を□印、図１１に示す
共振特性が得られた場合を×印を付し、図１２に、それ
ぞれの共振特性が得られた場合と端面１１ｂ，１１ｃの
切断位置との関係を示す。
【００４５】すなわち、図１２において、横軸は、図５
の一点鎖線Ｄ−Ｄに沿う切断位置を、縦軸は一点鎖線Ｅ
−Ｅに沿う切断位置を示す。すなわち、各切断位置を、
第１，第２の電極指の外側端縁を基準（図１２において
は０として表示してある。）とし、該外側端縁からの距
離で切断位置を示している。
の一点鎖線Ｄ−Ｄに沿う切断位置を、縦軸は一点鎖線Ｅ
−Ｅに沿う切断位置を示す。すなわち、各切断位置を、
第１，第２の電極指の外側端縁を基準（図１２において
は０として表示してある。）とし、該外側端縁からの距
離で切断位置を示している。
【００４６】図１２から明らかなように、端面切断位置
が第１の電極指１４ａから外側に向かってλ／８の範囲
にある場合、並びに第２の端面切断位置が第２の電極指
１３ｉから外側に向かってλ／８の範囲内にあるとき
に、○印で示した良好な共振特性を得られることがわか
る。また、この範囲以外では、共振特性が悪化し、上記
□印、×印、△印が多数存在することがわかる。
が第１の電極指１４ａから外側に向かってλ／８の範囲
にある場合、並びに第２の端面切断位置が第２の電極指
１３ｉから外側に向かってλ／８の範囲内にあるとき
に、○印で示した良好な共振特性を得られることがわか
る。また、この範囲以外では、共振特性が悪化し、上記
□印、×印、△印が多数存在することがわかる。
【００４７】従って、図１２から、本発明のように、端
面切断位置を第１，第２の電極指の外側端縁からλ／８
までの領域内とすることにより、良好な共振特性の得ら
れることがわかる。特に、３λ／３２までの範囲とする
ことにより、確実に良好な共振特性の得られることがわ
かる。
面切断位置を第１，第２の電極指の外側端縁からλ／８
までの領域内とすることにより、良好な共振特性の得ら
れることがわかる。特に、３λ／３２までの範囲とする
ことにより、確実に良好な共振特性の得られることがわ
かる。
【００４８】
【発明の効果】本発明によれば、端面反射型表面波装置
の製造に際し、圧電板上にＩＤＴを形成した後に、ＩＤ
Ｔの両端の第１，第２の電極指の外側端縁から、外側に
向かってλ／８までの範囲において、圧電板を切断する
ことにより対向２端面が形成される。従って、良好な共
振特性を有する端面反射型表面波装置を確実に提供する
ことが可能となる。
の製造に際し、圧電板上にＩＤＴを形成した後に、ＩＤ
Ｔの両端の第１，第２の電極指の外側端縁から、外側に
向かってλ／８までの範囲において、圧電板を切断する
ことにより対向２端面が形成される。従って、良好な共
振特性を有する端面反射型表面波装置を確実に提供する
ことが可能となる。
【００４９】加えて、上記のように両端の電極指よりも
外側の領域において圧電板を切断しているため、圧電板
のチッピングも生じ難い。すなわち、従来の端面反射型
表面波装置の製造方法では、両端の電極指の外側端縁を
ねらって端面形成のための切断を行っていたため、場合
によっては圧電板のチッピングが生じがちであったのに
対し、本発明では、このようなチッピングも生じ難い。
外側の領域において圧電板を切断しているため、圧電板
のチッピングも生じ難い。すなわち、従来の端面反射型
表面波装置の製造方法では、両端の電極指の外側端縁を
ねらって端面形成のための切断を行っていたため、場合
によっては圧電板のチッピングが生じがちであったのに
対し、本発明では、このようなチッピングも生じ難い。
【００５０】よって、本発明によれば、共振特性が良好
であり、特性のばらつきが少ない端面反射型表面波装置
を安定に提供することができる。
であり、特性のばらつきが少ない端面反射型表面波装置
を安定に提供することができる。
【図１】従来の端面反射型表面波共振子を示す斜視図。
【図２】図１に示した端面反射型表面波共振子の共振特
性を示す図。
性を示す図。
【図３】従来の端面反射型表面波共振子を製造する工程
を説明するための略図的平面図。
を説明するための略図的平面図。
【図４】従来例においてチッピングが生じた状態を拡大
して示す部分切欠平面図。
して示す部分切欠平面図。
【図５】本発明の一実施例において、圧電板上にＩＤＴ
を形成した状態を説明するための平面図。
を形成した状態を説明するための平面図。
【図６】本発明の一実施例で得られた端面反射型表面波
共振子を示す平面図。
共振子を示す平面図。
【図７】本発明の一実験例の端面反射型表面波共振子の
共振特性を示し、実線はインピーダンス−周波数特性
を、破線は位相−周波数特性を示す。
共振特性を示し、実線はインピーダンス−周波数特性
を、破線は位相−周波数特性を示す。
【図８】本発明の他の実験例の端面反射型表面波共振子
の共振特性を示す図。
の共振特性を示す図。
【図９】切断位置が本発明の範囲外である場合の端面反
射型表面波共振子の共振特性を示す図。
射型表面波共振子の共振特性を示す図。
【図１０】切断位置が本発明の範囲外である場合の端面
反射型表面波共振子の共振特性を示す図。
反射型表面波共振子の共振特性を示す図。
【図１１】切断位置が本発明の範囲外である場合の端面
反射型表面波共振子の共振特性を示す図。
反射型表面波共振子の共振特性を示す図。
【図１２】端面切断位置と共振特性との関係を示す図。
１１…圧電板 １１ｂ，１１ｃ…端面 １２…ＩＤＴ １３，１４…くし歯電極 １３ｉ…第２の電極指 １４ａ…第１の電極指 １３ａ〜１４ｉ…電極指 １５…端面反射型表面波共振子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−41809（ＪＰ，Ａ) 特開 昭51−11393（ＪＰ，Ａ) 特開 昭52−130586（ＪＰ，Ａ) 実開 昭60−74333（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H03H 3/08 H03H 9/145 H03H 9/25
Claims (4)
- 【請求項１】 圧電基板上にインターデジタルトランス
デューサが形成されており、かつ対向２端面間でＳＨタ
イプの表面波を反射させる端面反射型の表面波装置の製
造方法であって、 圧電基板上に、インターデジタルトランスデューサの電
極指のうち、表面波伝搬方向両端の第１，第２の電極指
の幅がλ／８（但し、λは励振される表面波の波長）、
残りの電極指の幅がλ／４とされているインターデジタ
ルトランスデューサを形成する工程と、 前記圧電板を前記第１，第２の電極指の外側端縁から外
側方向に向かってλ／８までの範囲において、前記電極
指と平行に切断する工程とを備えることを特徴とする、
端面反射型表面波装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記第１，第２の電極指の外側端縁か
ら、外側に向かって３λ／３２までの範囲で、前記電極
指と平行に圧電板を切断する、請求項１に記載の端面反
射型表面波装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記圧電板として、圧電単結晶または圧
電セラミックスからなる圧電板を用いる、請求項１また
は２に記載の端面反射型表面波装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記圧電板が、４１°回転Ｙ板Ｘ伝搬Ｌ
ｉＮｂＯ3 圧電板、６４°回転Ｙ板Ｘ伝搬ＬｉＮｂＯ3
圧電板及び３６°回転Ｙ板Ｘ伝搬ＬｉＴａＯ3 圧電板の
うちの１種からなる請求項１または２に記載の端面反射
型表面波装置の製造方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07166295A JP3106912B2 (ja) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 端面反射型表面波装置の製造方法 |
| DE69627757T DE69627757T2 (de) | 1995-06-30 | 1996-06-28 | Verfahren zur Herstellung von Oberflächenwellenanordnungen für Endflächenreflektionen |
| EP96110527A EP0751615B1 (en) | 1995-06-30 | 1996-06-28 | Method for manufacturing surface wave devices of the end-face reflection type |
| TW085107814A TW310502B (ja) | 1995-06-30 | 1996-06-28 | |
| KR1019960026224A KR0175201B1 (ko) | 1995-06-30 | 1996-06-29 | 단면 반사형 표면파 장치의 제조방법 |
| SG1996010181A SG75099A1 (en) | 1995-06-30 | 1996-06-29 | Manufacturing method for surface wave device of end-face reflection type |
| US08/674,248 US5802685A (en) | 1995-06-30 | 1996-07-01 | Method for manufacturing surface wave devices of the end-face reflection type |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07166295A JP3106912B2 (ja) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 端面反射型表面波装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0918270A JPH0918270A (ja) | 1997-01-17 |
| JP3106912B2 true JP3106912B2 (ja) | 2000-11-06 |
Family
ID=15828700
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07166295A Expired - Lifetime JP3106912B2 (ja) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 端面反射型表面波装置の製造方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5802685A (ja) |
| EP (1) | EP0751615B1 (ja) |
| JP (1) | JP3106912B2 (ja) |
| KR (1) | KR0175201B1 (ja) |
| DE (1) | DE69627757T2 (ja) |
| SG (1) | SG75099A1 (ja) |
| TW (1) | TW310502B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10910546B2 (en) | 2015-05-15 | 2021-02-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device and method of manufacturing the same |
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| JP3171144B2 (ja) * | 1997-07-07 | 2001-05-28 | 株式会社村田製作所 | 表面波装置 |
| JP3341709B2 (ja) | 1998-06-01 | 2002-11-05 | 株式会社村田製作所 | 表面波装置及びそれを用いた通信装置 |
| JP3376969B2 (ja) * | 1999-09-02 | 2003-02-17 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
| JP3797155B2 (ja) | 2000-09-06 | 2006-07-12 | 株式会社村田製作所 | 端面反射型表面波装置の周波数調整方法 |
| JP3744479B2 (ja) * | 2001-09-28 | 2006-02-08 | 株式会社村田製作所 | 表面波装置及び通信機 |
| TWI282660B (en) | 2001-12-27 | 2007-06-11 | Murata Manufacturing Co | Surface acoustic wave device and manufacturing method therefor |
| JP4548169B2 (ja) * | 2005-03-23 | 2010-09-22 | ブラザー工業株式会社 | インクジェットヘッドの製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6041809A (ja) * | 1983-08-17 | 1985-03-05 | Fujitsu Ltd | 弾性表面波共振子 |
| JPH05183376A (ja) * | 1991-12-27 | 1993-07-23 | Murata Mfg Co Ltd | 表面波装置 |
-
1995
- 1995-06-30 JP JP07166295A patent/JP3106912B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-06-28 DE DE69627757T patent/DE69627757T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-06-28 TW TW085107814A patent/TW310502B/zh active
- 1996-06-28 EP EP96110527A patent/EP0751615B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-06-29 SG SG1996010181A patent/SG75099A1/en unknown
- 1996-06-29 KR KR1019960026224A patent/KR0175201B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-07-01 US US08/674,248 patent/US5802685A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10910546B2 (en) | 2015-05-15 | 2021-02-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device and method of manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5802685A (en) | 1998-09-08 |
| DE69627757T2 (de) | 2004-03-18 |
| EP0751615B1 (en) | 2003-05-02 |
| DE69627757D1 (de) | 2003-06-05 |
| JPH0918270A (ja) | 1997-01-17 |
| SG75099A1 (en) | 2000-09-19 |
| TW310502B (ja) | 1997-07-11 |
| EP0751615A1 (en) | 1997-01-02 |
| KR970004299A (ko) | 1997-01-29 |
| KR0175201B1 (ko) | 1999-04-01 |
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