JPS6231860B2 - - Google Patents
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- JPS6231860B2 JPS6231860B2 JP8588479A JP8588479A JPS6231860B2 JP S6231860 B2 JPS6231860 B2 JP S6231860B2 JP 8588479 A JP8588479 A JP 8588479A JP 8588479 A JP8588479 A JP 8588479A JP S6231860 B2 JPS6231860 B2 JP S6231860B2
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- transducer
- electrode
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- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 3
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
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- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14544—Transducers of particular shape or position
- H03H9/14547—Fan shaped; Tilted; Shifted; Slanted; Tapered; Arched; Stepped finger transducers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02842—Means for compensation or elimination of undesirable effects of reflections
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14544—Transducers of particular shape or position
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14502—Surface acoustic wave [SAW] transducers for a particular purpose
- H03H9/14505—Unidirectional SAW transducers
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は弾性表面波トランスジユーサに関す
る。
る。
弾性表面波トランスジユーサとしては、圧電性
基板表面に櫛歯状電極(IDT)を設けたものが実
用されている。IDTは第一及び第2の櫛形電極
を、間隙を設けて噛み合せて構成したものであ
る。
基板表面に櫛歯状電極(IDT)を設けたものが実
用されている。IDTは第一及び第2の櫛形電極
を、間隙を設けて噛み合せて構成したものであ
る。
上記IDTを用いて構成された各種弾性表面波装
置において、常に問題となるスプリアスとして、
IDTによる表面波の反射スプリアスがある。この
反射スプリアスは、実際にフイルタや、遅延線を
構成した場合にTTEや、ゴーストの形で特性を
劣下させる原因となる。
置において、常に問題となるスプリアスとして、
IDTによる表面波の反射スプリアスがある。この
反射スプリアスは、実際にフイルタや、遅延線を
構成した場合にTTEや、ゴーストの形で特性を
劣下させる原因となる。
上記表面波の反射スプリアスの要因として、櫛
形電極の電極部と間隙部の音響インピーダンスの
差により生ずる反射成分(以下RAと記す)と、
IDTの電気的な再励起により生ずる反射成分(以
下REと記す)の二つがある。この両者の反射を
特定の負荷条件において互いに打ち消す技術とし
て、すでにいくつかの報告(例えばKentaro
Hanma etal“A Triple Transit Supression
Technique”,76 IEEE Ultrasonics
Symposirm,特開昭54−17647)がある。第1
図aに、上記報告によるトランスジユーサの構成
を示す。図から明らかのようにこのトランスジユ
ーサはIDTの電極指の幅を弾性表面波長λの1/16
のものと3/16のものとの組合せにより構成し、か
つ電極指の間隔を上記表面波波長の1/8に構成し
たものである。ところがこのような構成において
は1/16λという細い電極幅をもつた電極指を用い
ることになり、高周波のデバイスでは、歩留りが
悪くなるという欠点を有している。またこの方法
では、トランスジユーサをインダクタンスによ
り、同調をとつた場合は、第1図bに示すように
反射波RAと、REの位相差は180゜以下になるた
め、合成反射波を完全に0にすることはできな
い。従つて合成反射波を0にする為には、トラン
スジユーサを多少同調からはずした状態で使用し
なければならず挿入損を小さくする上で最適とは
言えない。
形電極の電極部と間隙部の音響インピーダンスの
差により生ずる反射成分(以下RAと記す)と、
IDTの電気的な再励起により生ずる反射成分(以
下REと記す)の二つがある。この両者の反射を
特定の負荷条件において互いに打ち消す技術とし
て、すでにいくつかの報告(例えばKentaro
Hanma etal“A Triple Transit Supression
Technique”,76 IEEE Ultrasonics
Symposirm,特開昭54−17647)がある。第1
図aに、上記報告によるトランスジユーサの構成
を示す。図から明らかのようにこのトランスジユ
ーサはIDTの電極指の幅を弾性表面波長λの1/16
のものと3/16のものとの組合せにより構成し、か
つ電極指の間隔を上記表面波波長の1/8に構成し
たものである。ところがこのような構成において
は1/16λという細い電極幅をもつた電極指を用い
ることになり、高周波のデバイスでは、歩留りが
悪くなるという欠点を有している。またこの方法
では、トランスジユーサをインダクタンスによ
り、同調をとつた場合は、第1図bに示すように
反射波RAと、REの位相差は180゜以下になるた
め、合成反射波を完全に0にすることはできな
い。従つて合成反射波を0にする為には、トラン
スジユーサを多少同調からはずした状態で使用し
なければならず挿入損を小さくする上で最適とは
言えない。
本発明は、上記問題点を鑑み、歩留りが良好
で、挿入損の小さい、反射スプリアス除去形のト
ランスジユーサを提供するものである。
で、挿入損の小さい、反射スプリアス除去形のト
ランスジユーサを提供するものである。
本発明によるトランスジユーサの構成図を第2
図aに示す。第2図aにおいて21は例えば
LiTaO3やLiNbO3等の圧電基板、22はIDTを示
す。
図aに示す。第2図aにおいて21は例えば
LiTaO3やLiNbO3等の圧電基板、22はIDTを示
す。
本発明のトランスジユーサが従来と相違する点
は従来のトランスジユーサのIDTが1/16λと、3/
16λの幅を有する電極指の組み合せにより構成さ
れているのに対し、本発明では、1/8λの幅を有
する電極指23と3/8λの幅を有する電極指24
との組み合せにより構成されることが特徴であ
る。このような構成によると図中左から入射した
弾性表面波25は、各々の電極指のエツヂにおけ
る音響インピーダンスの不整合により反射される
が、その合成ベクトルの位相は、第2図bに示す
ように、電気的な反射波REの位相と完全に逆位
相になるため、RAとREの合成ベクトルを0にす
ることが可能である。具体的にはREの大きさは
負荷Reの値によつて変化するので、|RA|=|
RE|となるよう適当にReの値を設定すればよ
い。この構造によるトランスジユーサでは、イン
ダクタンスLで完全に同調をとつた状態で、合成
反射波を0にすることができるため、挿入損失を
犠性にすることなく反射スプリアスをなくすこと
ができる。また最も細い電極指の幅が、従来方式
の2倍であることから、高周波においても、断線
などの起りにくい高歩留りのトランスジユーサを
提供できるものである。
は従来のトランスジユーサのIDTが1/16λと、3/
16λの幅を有する電極指の組み合せにより構成さ
れているのに対し、本発明では、1/8λの幅を有
する電極指23と3/8λの幅を有する電極指24
との組み合せにより構成されることが特徴であ
る。このような構成によると図中左から入射した
弾性表面波25は、各々の電極指のエツヂにおけ
る音響インピーダンスの不整合により反射される
が、その合成ベクトルの位相は、第2図bに示す
ように、電気的な反射波REの位相と完全に逆位
相になるため、RAとREの合成ベクトルを0にす
ることが可能である。具体的にはREの大きさは
負荷Reの値によつて変化するので、|RA|=|
RE|となるよう適当にReの値を設定すればよ
い。この構造によるトランスジユーサでは、イン
ダクタンスLで完全に同調をとつた状態で、合成
反射波を0にすることができるため、挿入損失を
犠性にすることなく反射スプリアスをなくすこと
ができる。また最も細い電極指の幅が、従来方式
の2倍であることから、高周波においても、断線
などの起りにくい高歩留りのトランスジユーサを
提供できるものである。
第3図aに本発明の他の実施例を示す。この実
施例は電極指31の形状を、一方のエツヂは直線
で、他方のエツヂがミアンダー形になるように構
成したものであり、電極指の幅が略1/8λである
部分と略3/8λである部分とから構成されてい
る。この場合も、反射消去機能を有することが第
3図bからわかる。
施例は電極指31の形状を、一方のエツヂは直線
で、他方のエツヂがミアンダー形になるように構
成したものであり、電極指の幅が略1/8λである
部分と略3/8λである部分とから構成されてい
る。この場合も、反射消去機能を有することが第
3図bからわかる。
これは、弾性表面波の励振には、ミアンダーの
エツヂ部分のうち主として先端部が寄与するのに
対し、表面波の反射は、ミアンダーの両エツヂが
等価に奇与することによる。
エツヂ部分のうち主として先端部が寄与するのに
対し、表面波の反射は、ミアンダーの両エツヂが
等価に奇与することによる。
なお第2図、第3図はトランスジユーサ全体に
対して本発明を適用した例であるが、従来のスプ
リツト電極や、1/8―5/8λ型電極と、本発明によ
る構造の電極とを混在させてもよい。
対して本発明を適用した例であるが、従来のスプ
リツト電極や、1/8―5/8λ型電極と、本発明によ
る構造の電極とを混在させてもよい。
第1図aは従来のトランスジユーサの電極構成
を示す図、第1図bはその動作説明図、第2図は
本発明の一実施例を示す図、第2図bはその動作
説明図、第3図aは本発明の他の実施例を示す
図、第3図bはその動作説明図である。 21……圧電基板、22……IDT、23……1/
8λ電極指、24……3/8電極指。
を示す図、第1図bはその動作説明図、第2図は
本発明の一実施例を示す図、第2図bはその動作
説明図、第3図aは本発明の他の実施例を示す
図、第3図bはその動作説明図である。 21……圧電基板、22……IDT、23……1/
8λ電極指、24……3/8電極指。
Claims (1)
- 1 圧電体基板上に第一の櫛歯状電極及びこの第
一の櫛歯状電極の歯部と互いに噛み合うよう第二
の櫛歯状電極を設けてなる弾性表面波トランスジ
ユーサに於いて、前記第一または第二の櫛歯状電
極の少くとも一部の電極指の幅を、該基板を伝播
する弾性表面波の波長の略1/8および略3/8のくみ
合わせにより構成し、かつ上記電極指の間隔が上
記波長の略1/8であることを特徴とする弾性表面
波トランスジユーサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8588479A JPS5610724A (en) | 1979-07-09 | 1979-07-09 | Elastic surface wave transducer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8588479A JPS5610724A (en) | 1979-07-09 | 1979-07-09 | Elastic surface wave transducer |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5610724A JPS5610724A (en) | 1981-02-03 |
JPS6231860B2 true JPS6231860B2 (ja) | 1987-07-10 |
Family
ID=13871326
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8588479A Granted JPS5610724A (en) | 1979-07-09 | 1979-07-09 | Elastic surface wave transducer |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5610724A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01143327A (ja) * | 1987-11-30 | 1989-06-05 | Tokyo Electron Ltd | ドライエッチング装置 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5883418A (ja) * | 1981-11-12 | 1983-05-19 | Toshiba Corp | 弾性表面波装置 |
JPS60140917A (ja) * | 1983-12-28 | 1985-07-25 | Toshiba Corp | 弾性表面波トランスジユ−サ |
JPS632414A (ja) * | 1986-06-21 | 1988-01-07 | Alps Electric Co Ltd | 弾性表面波共振子 |
US5438306A (en) * | 1992-07-02 | 1995-08-01 | Kazuhiko Yamanouchi | Surface acoustic wave filter device with symmetrical electrode arrangement |
US5831492A (en) * | 1995-09-15 | 1998-11-03 | Sawtek Inc. | Weighted tapered spudt saw device |
US5818310A (en) * | 1996-08-27 | 1998-10-06 | Sawtek Inc. | Series-block and line-width weighted saw filter device |
JPH11330895A (ja) * | 1998-05-14 | 1999-11-30 | Fujitsu Ltd | 弾性表面波装置 |
JP3414373B2 (ja) | 2000-07-26 | 2003-06-09 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
-
1979
- 1979-07-09 JP JP8588479A patent/JPS5610724A/ja active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01143327A (ja) * | 1987-11-30 | 1989-06-05 | Tokyo Electron Ltd | ドライエッチング装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5610724A (en) | 1981-02-03 |
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