JPH0685597A - 弾性表面波装置 - Google Patents
弾性表面波装置Info
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- JPH0685597A JPH0685597A JP4234535A JP23453592A JPH0685597A JP H0685597 A JPH0685597 A JP H0685597A JP 4234535 A JP4234535 A JP 4234535A JP 23453592 A JP23453592 A JP 23453592A JP H0685597 A JPH0685597 A JP H0685597A
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- Acoustics & Sound (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 安易に安価で小型化でき、特性劣化を引き起
こさない弾性表面波装置を供する事を目的とする。 【構成】 弾性表面波を伝播する基板上に形成された複
数の交互に配列された入力・出力トランスデューサを持
つ弾性表面波装置が弾性表面波の伝播路の延長線上にあ
り、かつ伝播方向に対して角度θ(5°<θ<85°<又
は−85°<θ<−5°)をなす傾斜面を少なくとも1つ
は含む金属パターンをトランスデューサの外部に有する
事を特徴とした弾性表面波装置。
こさない弾性表面波装置を供する事を目的とする。 【構成】 弾性表面波を伝播する基板上に形成された複
数の交互に配列された入力・出力トランスデューサを持
つ弾性表面波装置が弾性表面波の伝播路の延長線上にあ
り、かつ伝播方向に対して角度θ(5°<θ<85°<又
は−85°<θ<−5°)をなす傾斜面を少なくとも1つ
は含む金属パターンをトランスデューサの外部に有する
事を特徴とした弾性表面波装置。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は弾性表面波装置に関する
ものである。特に低損失で帯域内特性のリップルの少な
い弾性表面波装置を提供するものである。
ものである。特に低損失で帯域内特性のリップルの少な
い弾性表面波装置を提供するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、低損失で帯域外特性の優れた弾性
表面波装置を実現する方法として両端部の入出力トラン
スデューサの外側に金属薄膜によるパターンを作り、そ
れを接地する方法がよく用いられている。例えば1981年
7月20日発行の電子通信学会技術研究報告[電子部品・
材料]Vol.81,No78 中のCPM81-20に示されている。この
種の弾性表面波装置の第1の発明に対応する従来例の構
成を図3を参照しながら説明する。図3は上記文献中の
写真を参考に3電極構成で簡単に示したものである。図
3において、従来の弾性表面波フィルタは、弾性表面波
を伝播する基板1に2個の入力トランスデューサ2と1
個の出力トランスデューサ3とを弾性表面波の伝搬方向
に沿って交互に配列し、入力トランスデューサ2を入力
端子4に接続するとともに出力トランスデューサ3を出
力端子5に接続し、入力トランスデューサ2の外側に接
地された金属パターン6を配置して構成されている。な
お説明を簡単にするため、電極数と電極指数を減らして
いるが、これは基本的な構造を取り出した為であり外部
の金属パターン6の役割については同じである。
表面波装置を実現する方法として両端部の入出力トラン
スデューサの外側に金属薄膜によるパターンを作り、そ
れを接地する方法がよく用いられている。例えば1981年
7月20日発行の電子通信学会技術研究報告[電子部品・
材料]Vol.81,No78 中のCPM81-20に示されている。この
種の弾性表面波装置の第1の発明に対応する従来例の構
成を図3を参照しながら説明する。図3は上記文献中の
写真を参考に3電極構成で簡単に示したものである。図
3において、従来の弾性表面波フィルタは、弾性表面波
を伝播する基板1に2個の入力トランスデューサ2と1
個の出力トランスデューサ3とを弾性表面波の伝搬方向
に沿って交互に配列し、入力トランスデューサ2を入力
端子4に接続するとともに出力トランスデューサ3を出
力端子5に接続し、入力トランスデューサ2の外側に接
地された金属パターン6を配置して構成されている。な
お説明を簡単にするため、電極数と電極指数を減らして
いるが、これは基本的な構造を取り出した為であり外部
の金属パターン6の役割については同じである。
【0003】また例えば実開平2-28125 で提案された弾
性表面波装置の図を簡単に示すと、図5のようになる。
1は弾性表面波を伝播する基板であり、平行四辺形をし
ている。この上に2個の入力トランスデューサ2と1個
のトランスデューサ3とを弾性表面波の伝搬方向に沿っ
て交互に配列し入力トランスデューサ2を入力端子4に
接続するとともに、出力トランスデューサ3を出力端子
5に接続して構成されている。
性表面波装置の図を簡単に示すと、図5のようになる。
1は弾性表面波を伝播する基板であり、平行四辺形をし
ている。この上に2個の入力トランスデューサ2と1個
のトランスデューサ3とを弾性表面波の伝搬方向に沿っ
て交互に配列し入力トランスデューサ2を入力端子4に
接続するとともに、出力トランスデューサ3を出力端子
5に接続して構成されている。
【0004】次に上述した従来例の動作を説明する。入
力端子4に供給された入力信号の電力は、入力トランス
デューサ2に2分の1ずつ分配され、入力トランスデュ
ーサ2より弾性表面波に変換される。変換された弾性表
面波は図3又は図5中矢印で示すように入力トランスデ
ューサ2の両側に向かって伝播する。出力トランスデュ
ーサ3は弾性表面波を受信し、電気信号に変換する。変
換された電気信号は出力トランスデューサ5から出力電
気信号として出力される。
力端子4に供給された入力信号の電力は、入力トランス
デューサ2に2分の1ずつ分配され、入力トランスデュ
ーサ2より弾性表面波に変換される。変換された弾性表
面波は図3又は図5中矢印で示すように入力トランスデ
ューサ2の両側に向かって伝播する。出力トランスデュ
ーサ3は弾性表面波を受信し、電気信号に変換する。変
換された電気信号は出力トランスデューサ5から出力電
気信号として出力される。
【0005】ここで入力トランスデューサ2から基板1
の両端部に向かって伝播した弾性表面波は、出力トラン
スデューサ3により受信されない。これにより弾性表面
波を伝播する基板1の両端に向かった合計2分の1の電
力を捨てる事になる。
の両端部に向かって伝播した弾性表面波は、出力トラン
スデューサ3により受信されない。これにより弾性表面
波を伝播する基板1の両端に向かった合計2分の1の電
力を捨てる事になる。
【0006】一般に両端に漏れた弾性表面波が弾性表面
波伝播路の延長上にある基板1の端部において金属パタ
ーンで構成される入力トランスデューサから金属パター
ンの存在しない両端部に伝播する際、金属パターンの有
無による音響インピーダンスの不整合により反射をおこ
し、振幅周波数特性、位相周波数特性等にリップルを生
ずる特性劣化がある。そこで、図3のように伝播路の延
長線上に金属パターン6を作成する。すると音響インピ
ーダンスの不整合が少なく反射が生じにくい。そこで両
端に漏れた弾性表面波による基板1の端部での反射によ
る影響を小さくする事ができる。一方、基板端部の乱反
射を利用したのが図5である。
波伝播路の延長上にある基板1の端部において金属パタ
ーンで構成される入力トランスデューサから金属パター
ンの存在しない両端部に伝播する際、金属パターンの有
無による音響インピーダンスの不整合により反射をおこ
し、振幅周波数特性、位相周波数特性等にリップルを生
ずる特性劣化がある。そこで、図3のように伝播路の延
長線上に金属パターン6を作成する。すると音響インピ
ーダンスの不整合が少なく反射が生じにくい。そこで両
端に漏れた弾性表面波による基板1の端部での反射によ
る影響を小さくする事ができる。一方、基板端部の乱反
射を利用したのが図5である。
【0007】図27は例えば特開平1-292908号公報に示
された第2の発明に対応する従来の弾性表面波素子を示
す平面図である。また図28は例えば特開昭62-12206号
公報に示された従来のグレーティング反射器を備えた弾
性表面波素子を示す平面図である。また図29は例えば
特開昭62-31212号公報に示された従来のマルチストリッ
プカプラを備えた弾性表面波を示す平面図である。
された第2の発明に対応する従来の弾性表面波素子を示
す平面図である。また図28は例えば特開昭62-12206号
公報に示された従来のグレーティング反射器を備えた弾
性表面波素子を示す平面図である。また図29は例えば
特開昭62-31212号公報に示された従来のマルチストリッ
プカプラを備えた弾性表面波を示す平面図である。
【0008】それぞれの素子の構成を説明すると2及び
3はそれぞれ電気信号を弾性表面波にまたは弾性表面波
を電気信号に変換する入力側及び出力側のインターデジ
タルトランスデューサ(以下、IDTと記述する)、7
は弾性表面波を反射するグレーティング反射器、8はマ
ルチストリップカプラ(以下、MSCと記述する)であ
る。2、3、7、8の各部は基板表面上に構成されてお
り、これらの図においては基板は省略している。
3はそれぞれ電気信号を弾性表面波にまたは弾性表面波
を電気信号に変換する入力側及び出力側のインターデジ
タルトランスデューサ(以下、IDTと記述する)、7
は弾性表面波を反射するグレーティング反射器、8はマ
ルチストリップカプラ(以下、MSCと記述する)であ
る。2、3、7、8の各部は基板表面上に構成されてお
り、これらの図においては基板は省略している。
【0009】入力側及び出力側IDTはそれぞれ互いに
くし歯状の部分が入り込む電極指2aと2b及び電極指3
aと3bから構成されている。またグレーティング反射器
及びMSCはそれぞれ複数のストリップラインから構成
されている。
くし歯状の部分が入り込む電極指2aと2b及び電極指3
aと3bから構成されている。またグレーティング反射器
及びMSCはそれぞれ複数のストリップラインから構成
されている。
【0010】これら従来例の弾性表面波素子をパターニ
ングする際に電子線露光方式を用いることがある。電子
線露光方式はフォトマスクのパターンを光により転写す
るフォトリソグラフィと違い電子線を感光剤に照射する
ことによって感光させるものであり、線源波長の短さか
ら特に微細なパターニングに有効な露光方法である。
ングする際に電子線露光方式を用いることがある。電子
線露光方式はフォトマスクのパターンを光により転写す
るフォトリソグラフィと違い電子線を感光剤に照射する
ことによって感光させるものであり、線源波長の短さか
ら特に微細なパターニングに有効な露光方法である。
【0011】また前記フォトリソグラフィによるパター
ニングに用いられるフォトマスクの製作においても電子
線露光がおこなわれる。そしてフォトマスクのパターン
構成は弾性表面波素子とまったく同じである。
ニングに用いられるフォトマスクの製作においても電子
線露光がおこなわれる。そしてフォトマスクのパターン
構成は弾性表面波素子とまったく同じである。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、第1の
発明に対応する従来の弾性表面波装置では以上のように
構成されているので図3の構成では、入力トランスデュ
ーサ2の端部から漏れた弾性表面波は、金属パターン6
と入力トランスデューサ2の境界においては反射が生じ
にくいが、金属パターン6の端部から基板端部に伝播す
る際金属パターンの有無による同様の構成で音響インピ
ーダンスの不整合のため、この部分において反射が生じ
る。これは、金属パターン6と入力トランスデューサ2
の境界においては、入力トランスデューサ2から伝播す
る弾性表面波は、所定の基板上を伝播するので入力トラ
スデューサ2・金属パターン6間の距離を調整すること
により反射の影響を低減することができるのに対して、
金属パターン6と基板端部の境界においては、弾性表面
波は金属パターンを配置した領域を伝播するためこのよ
うな調節が難しいことに基づくものである。同様の構造
により、Y回転X伝搬ニオブ酸リチウム基板上に入出力
トランスデューサ13個を交互に配置したもので、実際に
試作したところ図4のように、やはり反射の影響が大き
く表れる事がわかった。ここで、Y回転X伝搬ニオブ酸
リチウム基板とは、ニオブ酸リチウムの弾性表面波が伝
播する基板表面の法線方向が結晶軸のY軸より59゜以
上69゜以下Z軸に向けて傾いており、弾性表面波が伝
播する方向が結晶軸のX軸に対し、ー5゜以上5゜又は
175゜以上185゜以下の角度をなす基板を意味し、
弾性表面波を伝播させる基板では特に性能のよいもので
ある。
発明に対応する従来の弾性表面波装置では以上のように
構成されているので図3の構成では、入力トランスデュ
ーサ2の端部から漏れた弾性表面波は、金属パターン6
と入力トランスデューサ2の境界においては反射が生じ
にくいが、金属パターン6の端部から基板端部に伝播す
る際金属パターンの有無による同様の構成で音響インピ
ーダンスの不整合のため、この部分において反射が生じ
る。これは、金属パターン6と入力トランスデューサ2
の境界においては、入力トランスデューサ2から伝播す
る弾性表面波は、所定の基板上を伝播するので入力トラ
スデューサ2・金属パターン6間の距離を調整すること
により反射の影響を低減することができるのに対して、
金属パターン6と基板端部の境界においては、弾性表面
波は金属パターンを配置した領域を伝播するためこのよ
うな調節が難しいことに基づくものである。同様の構造
により、Y回転X伝搬ニオブ酸リチウム基板上に入出力
トランスデューサ13個を交互に配置したもので、実際に
試作したところ図4のように、やはり反射の影響が大き
く表れる事がわかった。ここで、Y回転X伝搬ニオブ酸
リチウム基板とは、ニオブ酸リチウムの弾性表面波が伝
播する基板表面の法線方向が結晶軸のY軸より59゜以
上69゜以下Z軸に向けて傾いており、弾性表面波が伝
播する方向が結晶軸のX軸に対し、ー5゜以上5゜又は
175゜以上185゜以下の角度をなす基板を意味し、
弾性表面波を伝播させる基板では特に性能のよいもので
ある。
【0013】図4のt1 はフィードスルー(直接波)、t
2 は主信号、t3 ,t4 が図3の金属パターン6による
反射、t5 は図3の基板1の端面反射である。これによ
る周波数特性が図6である。一方図5の構成での周波数
特性は図7である。とちらも、リップルは小さいもの
の、やはり、かなり残っている。また、図5の構成は基
板1が大きくなる為、小型化には不向きであった。
2 は主信号、t3 ,t4 が図3の金属パターン6による
反射、t5 は図3の基板1の端面反射である。これによ
る周波数特性が図6である。一方図5の構成での周波数
特性は図7である。とちらも、リップルは小さいもの
の、やはり、かなり残っている。また、図5の構成は基
板1が大きくなる為、小型化には不向きであった。
【0014】第1の発明は上記のような問題点を解消す
るためになされたもので、入力あるいは出力トランスデ
ューサを形成する方法と同じ方法で形成できる為構成が
簡単であり、トランスデューサの両端から漏れた弾性表
面波の反射波による特性劣化を防止する事を目的とする
とともに、装置の小型化を可能とした弾性表面波装置を
得る事を目的とする。
るためになされたもので、入力あるいは出力トランスデ
ューサを形成する方法と同じ方法で形成できる為構成が
簡単であり、トランスデューサの両端から漏れた弾性表
面波の反射波による特性劣化を防止する事を目的とする
とともに、装置の小型化を可能とした弾性表面波装置を
得る事を目的とする。
【0015】第2の発明に対応する従来の弾性表面波素
子は以上のように構成されているので、電子線露光方式
によるパターニングを行なった場合、線源から感光剤中
のある1点に照射された電子は感光剤中で運動をするた
め周囲の感光剤に影響を及ぼす。その結果、各部で感光
状態が異なり近接効果と呼ばれるライン幅の変化が生じ
ることがあった。
子は以上のように構成されているので、電子線露光方式
によるパターニングを行なった場合、線源から感光剤中
のある1点に照射された電子は感光剤中で運動をするた
め周囲の感光剤に影響を及ぼす。その結果、各部で感光
状態が異なり近接効果と呼ばれるライン幅の変化が生じ
ることがあった。
【0016】つまり、図30のように電極指の交差部分
より交差しない根本部分の幅が細くなり時には一部根本
部分が切れる、あるいは図31に代表されるように1番
端あるいはすぐ隣にパターンがない電極指や、グレーテ
ィング反射器やMSCのストリップラインの幅が他の電
極指や、グレーティング反射器やMSCのストリップラ
インよりも細くなる、といった問題点があった。同時に
フォトマスクにおいても同様の問題があった。
より交差しない根本部分の幅が細くなり時には一部根本
部分が切れる、あるいは図31に代表されるように1番
端あるいはすぐ隣にパターンがない電極指や、グレーテ
ィング反射器やMSCのストリップラインの幅が他の電
極指や、グレーティング反射器やMSCのストリップラ
インよりも細くなる、といった問題点があった。同時に
フォトマスクにおいても同様の問題があった。
【0017】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、近接効果によるパターニング不
良を防止できる弾性表面波素子を得ることを目的とす
る。
ためになされたもので、近接効果によるパターニング不
良を防止できる弾性表面波素子を得ることを目的とす
る。
【0018】
【課題を解決するための手段】第1の発明に係る弾性表
面波装置は、弾性表面波を伝播する基板表面上に形成さ
れた入出力トランスデューサの配列の両端の入力又は出
力トランスデューサの外側であって弾性表面波の伝播方
向の延長線上に配置された金属パターンが弾性表面波の
伝播方向に対して傾斜した面を持つものである。
面波装置は、弾性表面波を伝播する基板表面上に形成さ
れた入出力トランスデューサの配列の両端の入力又は出
力トランスデューサの外側であって弾性表面波の伝播方
向の延長線上に配置された金属パターンが弾性表面波の
伝播方向に対して傾斜した面を持つものである。
【0019】第2の発明に係る弾性表面波素子は、入力
側及び出力側IDTにおいて、電極指の交差する部分よ
りも交差しない根本部分を太くしたものである。また、
入力側及び出力側IDTにおいて、パターン間距離が他
よりも充分広い電極指を、すぐ隣の電極指よりも太くし
たものである。それぞれグレーティング反射器及びマル
チストリップカプラにおいて、パターン間距離が他より
も充分広いグレーティング反射器またはマルチストリッ
プカプラのストリップラインを、すぐ隣のストリップラ
インよりも太くしてもよい。マルチストリップカプラに
おいて、ストリップラインのパターン間距離が他よりも
充分広い部分の幅を、そうでない部分の幅よりも太くし
たものである。
側及び出力側IDTにおいて、電極指の交差する部分よ
りも交差しない根本部分を太くしたものである。また、
入力側及び出力側IDTにおいて、パターン間距離が他
よりも充分広い電極指を、すぐ隣の電極指よりも太くし
たものである。それぞれグレーティング反射器及びマル
チストリップカプラにおいて、パターン間距離が他より
も充分広いグレーティング反射器またはマルチストリッ
プカプラのストリップラインを、すぐ隣のストリップラ
インよりも太くしてもよい。マルチストリップカプラに
おいて、ストリップラインのパターン間距離が他よりも
充分広い部分の幅を、そうでない部分の幅よりも太くし
たものである。
【0020】
【作用】第1の発明における弾性表面波装置は、両端部
のトランスデューサかつ外部へ漏れた弾性表面波が両端
のトランスデューサと金属パターンの境界において反射
することなく伝播し、更にインピーダンスギャップによ
り屈折して進行するため、トランスデューサ内部の弾性
表面波の伝播方向から免れる。その結果大半のトランス
デューサの両端から漏れた波は、トランスデューサ内部
へ戻らないので、基板端部による反射の影響は小さく特
性劣化が除去される。
のトランスデューサかつ外部へ漏れた弾性表面波が両端
のトランスデューサと金属パターンの境界において反射
することなく伝播し、更にインピーダンスギャップによ
り屈折して進行するため、トランスデューサ内部の弾性
表面波の伝播方向から免れる。その結果大半のトランス
デューサの両端から漏れた波は、トランスデューサ内部
へ戻らないので、基板端部による反射の影響は小さく特
性劣化が除去される。
【0021】第2の発明は電子線露光の際に電子による
近接効果のため、細くなるあるいは無くなってしまう傾
向のあった部分のパターン幅をあらかじめ太く設定する
ことによりパターニング不良を防止することができる。
近接効果のため、細くなるあるいは無くなってしまう傾
向のあった部分のパターン幅をあらかじめ太く設定する
ことによりパターニング不良を防止することができる。
【0022】
【実施例】実施例1.以下、第1の発明の実施例を図1
と図2(a)(b)について説明する。図1,図2(a)(b)
は、1の圧電体基板に2個の入力トランスデューサ2
と、1個の出力トランスデューサ3とを弾性表面波の伝
播方向に沿って交互に配列し、入力トランスデューサ2
を入力端子4に接続するとともに出力トランスデューサ
3を出力端子5に接続し、入力トランスデューサ2の外
側に金属薄膜による金属パターン6a,6bを配置した構成
である。ここで、この金属薄膜はAl、Au、Cu等を
スパッタリングしたものである。図1と図2(a)は両端
のトランスデューサ2に対して金属パターン6a, 6bが半
波長分だけ離れている。また図2(b)は入射波と反射波
の波の変位を模式図で表したものである。本実施例で
は、入力トランスデューサ2と出力トランスデューサ3
の両隣りの金属パターン6aと6bを従来の図3の金属パタ
ーン6の長方形に対し、台形で作成した。上記の構成に
より本実施例の図1と図2(a)の弾性表面波装置は、両
端の入力トランスデューサ2から損失された弾性表面波
が台形の金属パターン6a,6bの中を伝播して各々の端部
でインピーダンス不整合により、反射・屈折される。こ
の為、再び端部の入力トランスデューサ2へ戻って来る
弾性表面波はわずかな為、従って基板端部での反射の影
響もわずかになる。また、図1の場合では、両端の入力
トランスデューサ2と金属パターン6a,6bの間にある金
属のないわずかなスリットの部分で生じる反射について
特に考慮していないが、これを考慮し、例えば図2aの
様に間隔を半波長にする。すると、図2(b)の様に、金
属パターン6a,6bで反射される波は、両端部の入力トラ
ンスデューサ2から外部へ漏れる波と位相が3πだけず
れる為互いに弱め合い、端面による反射の影響を更に小
さくする事ができる。
と図2(a)(b)について説明する。図1,図2(a)(b)
は、1の圧電体基板に2個の入力トランスデューサ2
と、1個の出力トランスデューサ3とを弾性表面波の伝
播方向に沿って交互に配列し、入力トランスデューサ2
を入力端子4に接続するとともに出力トランスデューサ
3を出力端子5に接続し、入力トランスデューサ2の外
側に金属薄膜による金属パターン6a,6bを配置した構成
である。ここで、この金属薄膜はAl、Au、Cu等を
スパッタリングしたものである。図1と図2(a)は両端
のトランスデューサ2に対して金属パターン6a, 6bが半
波長分だけ離れている。また図2(b)は入射波と反射波
の波の変位を模式図で表したものである。本実施例で
は、入力トランスデューサ2と出力トランスデューサ3
の両隣りの金属パターン6aと6bを従来の図3の金属パタ
ーン6の長方形に対し、台形で作成した。上記の構成に
より本実施例の図1と図2(a)の弾性表面波装置は、両
端の入力トランスデューサ2から損失された弾性表面波
が台形の金属パターン6a,6bの中を伝播して各々の端部
でインピーダンス不整合により、反射・屈折される。こ
の為、再び端部の入力トランスデューサ2へ戻って来る
弾性表面波はわずかな為、従って基板端部での反射の影
響もわずかになる。また、図1の場合では、両端の入力
トランスデューサ2と金属パターン6a,6bの間にある金
属のないわずかなスリットの部分で生じる反射について
特に考慮していないが、これを考慮し、例えば図2aの
様に間隔を半波長にする。すると、図2(b)の様に、金
属パターン6a,6bで反射される波は、両端部の入力トラ
ンスデューサ2から外部へ漏れる波と位相が3πだけず
れる為互いに弱め合い、端面による反射の影響を更に小
さくする事ができる。
【0023】実施例2.また、上記実施例では、トラン
スデューサ端部の外にある金属パターン6a,6bを台形に
していたが、図9の様な5角形,図10のような台形の
変形,更に図11の様に金属パターン6a, 6bの一部を金
属で覆わない多角形やその変形にする事も考えられる。
また図12の様に金属パターン6a, 6bの一部を波形にし
てもよく、これらは上記実施例と同様の効果を奏する。
スデューサ端部の外にある金属パターン6a,6bを台形に
していたが、図9の様な5角形,図10のような台形の
変形,更に図11の様に金属パターン6a, 6bの一部を金
属で覆わない多角形やその変形にする事も考えられる。
また図12の様に金属パターン6a, 6bの一部を波形にし
てもよく、これらは上記実施例と同様の効果を奏する。
【0024】なお、上記の金属パターン6a,6bは上記実
施例のように一部に設ける必要はなく、図13のように
全面を覆っていても同様の効果を奏する。
施例のように一部に設ける必要はなく、図13のように
全面を覆っていても同様の効果を奏する。
【0025】なお、上記実施例では金属パターン6a,6b
を浮遊電極として扱ってきたが、図14の様に金属パタ
ーン6a,6bを共に接地してもよい。また、図15の様に
隣接するトランスデューサと金属パターン6a,6bが連続
一体となっていてもよい。
を浮遊電極として扱ってきたが、図14の様に金属パタ
ーン6a,6bを共に接地してもよい。また、図15の様に
隣接するトランスデューサと金属パターン6a,6bが連続
一体となっていてもよい。
【0026】また、上記実施例は、両端部のトランスデ
ューサの外部に金属パターン6a,6bを配していたが図1
6の様に上記実施例のパターンをグレーティング反射器
7の外部に配置してもよく上記実施例と同様の効果を奏
する。
ューサの外部に金属パターン6a,6bを配していたが図1
6の様に上記実施例のパターンをグレーティング反射器
7の外部に配置してもよく上記実施例と同様の効果を奏
する。
【0027】実施例3.以下、第2の発明の一実施例を
図について説明する。図17,図18,図19,図20
は弾性表面波素子の平面図である。図17,図18,図
19,図20において前記図27と同一部分には同一符
号を付して重複説明を省略する。
図について説明する。図17,図18,図19,図20
は弾性表面波素子の平面図である。図17,図18,図
19,図20において前記図27と同一部分には同一符
号を付して重複説明を省略する。
【0028】まず図17について請求項1記載の弾性表
面波素子を説明する。入力側IDT2のくし歯状の電極
指2a,2b及び出力側IDT3のくし歯状の電極指3
a,3bが互いに入り込むように形成されており、各電
極指2a,2b及び3a,3bについて、それぞれ対向す
る電極指(2aと2b、3aと3b)と交差する部分と交差
しない根本部分とに分けて考える。
面波素子を説明する。入力側IDT2のくし歯状の電極
指2a,2b及び出力側IDT3のくし歯状の電極指3
a,3bが互いに入り込むように形成されており、各電
極指2a,2b及び3a,3bについて、それぞれ対向す
る電極指(2aと2b、3aと3b)と交差する部分と交差
しない根本部分とに分けて考える。
【0029】図27のような弾性表面波素子を電子線露
光方式によりパターニングした場合、電子による近接効
果の結果、電極指の交差しない根本部分は交差する部分
よりも細くなり、時には一部消えてしまう傾向があっ
た。そこで電極指の交差しない根本部分をあらかじめ太
く設定しておくことによって、たとえ近接効果によりそ
の部分が細くなったとしても従来のように一部消えてし
まうといったことはなくなりパターン不良は防止され
る。
光方式によりパターニングした場合、電子による近接効
果の結果、電極指の交差しない根本部分は交差する部分
よりも細くなり、時には一部消えてしまう傾向があっ
た。そこで電極指の交差しない根本部分をあらかじめ太
く設定しておくことによって、たとえ近接効果によりそ
の部分が細くなったとしても従来のように一部消えてし
まうといったことはなくなりパターン不良は防止され
る。
【0030】なお、図18,図19は図17において、
電極指根本部分の幅を交差する部分よりも太くする際の
形状を変化させたものであり、上記実施例と同様の効果
を奏する。また図20は図17において、電極指の一部
について根本部分の幅を太くしたものであり、上記実施
例と同様の効果を奏する。
電極指根本部分の幅を交差する部分よりも太くする際の
形状を変化させたものであり、上記実施例と同様の効果
を奏する。また図20は図17において、電極指の一部
について根本部分の幅を太くしたものであり、上記実施
例と同様の効果を奏する。
【0031】実施例4.図21,図22はこの発明の弾
性表面波素子の平面図である。図21,図22において
前記図11と同一部分には同一符号を付して重複説明を
省略する。
性表面波素子の平面図である。図21,図22において
前記図11と同一部分には同一符号を付して重複説明を
省略する。
【0032】図27のような弾性表面波素子を電子線露
光方式によりパターニングした場合、電子による近接効
果の結果、パターン間距離が他よりも充分広い電極指が
他の電極指よりも細くなってしまう傾向があった。そこ
でパターン間距離が他よりも充分広い電極指をあらかじ
め太く設定しておくことで、近接効果によって電極指が
細くなってしまうという現象を防止することが出来る。
光方式によりパターニングした場合、電子による近接効
果の結果、パターン間距離が他よりも充分広い電極指が
他の電極指よりも細くなってしまう傾向があった。そこ
でパターン間距離が他よりも充分広い電極指をあらかじ
め太く設定しておくことで、近接効果によって電極指が
細くなってしまうという現象を防止することが出来る。
【0033】図21においてパターン間距離が他よりも
充分広い電極指は弾性表面波素子の最外部パターンであ
る2c及び3cである。また図22において、パターン間
距離が他よりも充分広い電極指は、弾性表面波素子の最
外部パターンである電極指2c及び3c、ならびに入力側
IDTと出力側IDTの間の空間に面した電極指2d及
び3dである。
充分広い電極指は弾性表面波素子の最外部パターンであ
る2c及び3cである。また図22において、パターン間
距離が他よりも充分広い電極指は、弾性表面波素子の最
外部パターンである電極指2c及び3c、ならびに入力側
IDTと出力側IDTの間の空間に面した電極指2d及
び3dである。
【0034】なお、上記実施例において、入力側及び出
力側IDTによってのみ構成される弾性表面波素子につ
いて記述したが、IDT以外にも例えばグレーティング
反射器などを備えた弾性表面波素子についても適用で
き、同様の効果を奏する。
力側IDTによってのみ構成される弾性表面波素子につ
いて記述したが、IDT以外にも例えばグレーティング
反射器などを備えた弾性表面波素子についても適用で
き、同様の効果を奏する。
【0035】実施例5.図23,図24はこの発明の弾
性表面波素子の平面図である。図23,図24において
前記図28と同一部分には同一符号を付して重複説明を
省略する。
性表面波素子の平面図である。図23,図24において
前記図28と同一部分には同一符号を付して重複説明を
省略する。
【0036】図28のような弾性表面波素子を電子線露
光方式によりパターニングした場合、電子による近接効
果の結果、パターン間距離が他よりも充分広いグレーテ
ィング反射器のストリップラインが他のストリップライ
ンよりも細くなってしまう傾向があった。そこでパター
ン間距離が他よりも充分広いストリップラインをあらか
じめ太く設定しておくことで、近接効果によってストリ
ップラインが細くなってしまうという現象を防止するこ
とが出来る。
光方式によりパターニングした場合、電子による近接効
果の結果、パターン間距離が他よりも充分広いグレーテ
ィング反射器のストリップラインが他のストリップライ
ンよりも細くなってしまう傾向があった。そこでパター
ン間距離が他よりも充分広いストリップラインをあらか
じめ太く設定しておくことで、近接効果によってストリ
ップラインが細くなってしまうという現象を防止するこ
とが出来る。
【0037】図23においてパターン間距離が他よりも
充分広いストリップラインは弾性表面波素子の最外部パ
ターンであるストリップライン7aである。また図24
において、パターン間距離が他よりも充分広いストリッ
プラインは、弾性表面波素子の最外部パターンであるス
トリップライン7a,ならびにIDTに面したストリッ
プライン7bである。
充分広いストリップラインは弾性表面波素子の最外部パ
ターンであるストリップライン7aである。また図24
において、パターン間距離が他よりも充分広いストリッ
プラインは、弾性表面波素子の最外部パターンであるス
トリップライン7a,ならびにIDTに面したストリッ
プライン7bである。
【0038】なお、上記実施例において入力側及び出力
側IDTとグレーティング反射器によってのみ構成され
る弾性表面波素子について記述したが、IDTと反射器
以外にも例えばマルチストリップカプラなどを備えた弾
性表面波素子についても適用でき、同様の効果を奏す
る。
側IDTとグレーティング反射器によってのみ構成され
る弾性表面波素子について記述したが、IDTと反射器
以外にも例えばマルチストリップカプラなどを備えた弾
性表面波素子についても適用でき、同様の効果を奏す
る。
【0039】実施例6.図25はこの発明の弾性表面波
素子の平面図である。図25において前記図29と同一
部分には同一符号を付して重複説明を省略する。図29
のような弾性表面波素子を電子線露光方式によりパター
ニングした場合、電子による近接効果の結果、パターン
間距離が他よりも充分広いマルチストリップカプラのス
トリップラインが他のストリップラインよりも細くなっ
てしまう傾向があった。そこでパターン間距離が他より
も充分広いストリップラインをあらかじめ太く設定して
おくことで、近接効果によってストリップラインが細く
なってしまうという現象を防止することが出来る。図2
5においてパターン間距離が他よりも充分広いストリッ
プラインはMSCの外部パターンであるストリップライ
ン8aである。
素子の平面図である。図25において前記図29と同一
部分には同一符号を付して重複説明を省略する。図29
のような弾性表面波素子を電子線露光方式によりパター
ニングした場合、電子による近接効果の結果、パターン
間距離が他よりも充分広いマルチストリップカプラのス
トリップラインが他のストリップラインよりも細くなっ
てしまう傾向があった。そこでパターン間距離が他より
も充分広いストリップラインをあらかじめ太く設定して
おくことで、近接効果によってストリップラインが細く
なってしまうという現象を防止することが出来る。図2
5においてパターン間距離が他よりも充分広いストリッ
プラインはMSCの外部パターンであるストリップライ
ン8aである。
【0040】実施例7.図26は請求項5記載の弾性表
面波素子の平面図である。図26において前記図29と
同一部分には同一符号を付して重複説明を省略する。図
29のような弾性表面波素子を電子線露光方式によりパ
ターニングした場合、電子による近接効果の結果、マル
チストリップカプラのストリップラインの、パターン間
距離が他よりも充分広い部分が他の部分より細くなって
しまう傾向があった。そこでストリップラインのパター
ン間距離が他よりも充分広い部分をあらかじめ太く設定
しておくことで、近接効果によってストリップラインの
一部が細くなってしまうという現象を防止することが出
来る。図26においてマルチストリップカプラのストリ
ップラインの、パターン間距離が他よりも充分広い部分
はMSCの最外部パターンであるストリップライン8a
の一部である。
面波素子の平面図である。図26において前記図29と
同一部分には同一符号を付して重複説明を省略する。図
29のような弾性表面波素子を電子線露光方式によりパ
ターニングした場合、電子による近接効果の結果、マル
チストリップカプラのストリップラインの、パターン間
距離が他よりも充分広い部分が他の部分より細くなって
しまう傾向があった。そこでストリップラインのパター
ン間距離が他よりも充分広い部分をあらかじめ太く設定
しておくことで、近接効果によってストリップラインの
一部が細くなってしまうという現象を防止することが出
来る。図26においてマルチストリップカプラのストリ
ップラインの、パターン間距離が他よりも充分広い部分
はMSCの最外部パターンであるストリップライン8a
の一部である。
【0041】なお、上記の各発明では弾性表面波素子の
パターニングについて説明したが、弾性表面波素子に用
いられるフォトマスクのパターニングについても前述の
ように適用することができ、上記実施例と同様の効果を
奏する。
パターニングについて説明したが、弾性表面波素子に用
いられるフォトマスクのパターニングについても前述の
ように適用することができ、上記実施例と同様の効果を
奏する。
【0042】また、上記の各発明では入力側IDT,出
力側IDTがそれぞれ1つずつで構成される弾性表面波
素子について説明したが、複数の入力側及び出力側ID
Tから成る弾性表面波素子についても適用でき、同様の
効果を奏する。
力側IDTがそれぞれ1つずつで構成される弾性表面波
素子について説明したが、複数の入力側及び出力側ID
Tから成る弾性表面波素子についても適用でき、同様の
効果を奏する。
【0043】
【発明の効果】以上のように第1の発明によれば、トラ
ンスデューサ両端の外部に設けた金属パターンを弾性表
面波が散乱するような形状で構成したので、装置が安易
で安価にでき、更に小型化を実施しても、特性の劣化を
招かないという効果がある。
ンスデューサ両端の外部に設けた金属パターンを弾性表
面波が散乱するような形状で構成したので、装置が安易
で安価にでき、更に小型化を実施しても、特性の劣化を
招かないという効果がある。
【0044】以上のように第2の発明によれば電極指の
交差しない根本部分の幅を交差する部分より太くするこ
とで、従来の製造工程を変更することなく電子線露光の
際のパターン不良を防止でき、安定した弾性表面波素子
を製造することができる。また、パターン間距離が他よ
りも充分広い電極指・グレーティング反射器のストリッ
プライン・マルチストリップカプラのストリップライン
の幅を、それぞれ隣接する電極指・ストリップラインよ
り太くすることで、従来の製造工程を変更することなく
電子線露光の際、パターン幅が細くなることを防止で
き、安定した弾性表面波素子を製造することができる。
さらにマルチストリップラインのストリップラインのパ
ターン間距離が他よりも充分広い部分の幅を他の部分よ
りも太くすることで、従来の製造工程を変更することな
く電子線露光の際、ストリップラインの幅が一部細くな
ることを防止でき、安定した弾性表面波素子を製造する
ことができる。
交差しない根本部分の幅を交差する部分より太くするこ
とで、従来の製造工程を変更することなく電子線露光の
際のパターン不良を防止でき、安定した弾性表面波素子
を製造することができる。また、パターン間距離が他よ
りも充分広い電極指・グレーティング反射器のストリッ
プライン・マルチストリップカプラのストリップライン
の幅を、それぞれ隣接する電極指・ストリップラインよ
り太くすることで、従来の製造工程を変更することなく
電子線露光の際、パターン幅が細くなることを防止で
き、安定した弾性表面波素子を製造することができる。
さらにマルチストリップラインのストリップラインのパ
ターン間距離が他よりも充分広い部分の幅を他の部分よ
りも太くすることで、従来の製造工程を変更することな
く電子線露光の際、ストリップラインの幅が一部細くな
ることを防止でき、安定した弾性表面波素子を製造する
ことができる。
【図1】この発明の一実施例による弾性表面波装置の構
成図である。
成図である。
【図2】この発明の一実施例による弾性表面波装置の他
の構成図である。
の構成図である。
【図3】従来の弾性表面波装置の一例の構成図である。
【図4】従来の弾性表面波装置の一例の周波数特性図で
ある。
ある。
【図5】従来の弾性表面波装置の他の例の構成図であ
る。
る。
【図6】図3の構成による弾性表面波装置の特性図にお
ける主信号の拡大図である。
ける主信号の拡大図である。
【図7】図5の構成による弾性表面波装置の特性図にお
ける主信号の拡大図である。
ける主信号の拡大図である。
【図8】図2(a)に示された構成による弾性表面波装置
の特性図における主信号の拡大図である。
の特性図における主信号の拡大図である。
【図9】この発明の他の実施例による弾性表面波装置の
構成図である。
構成図である。
【図10】この発明の他の実施例による弾性表面波装置
の構成図である。
の構成図である。
【図11】この発明の他の実施例による弾性表面波装置
の構成図である。
の構成図である。
【図12】この発明の他の実施例による弾性表面波装置
の構成図である。
の構成図である。
【図13】この発明の他の実施例による弾性表面波装置
の構成図である。
の構成図である。
【図14】この発明の他の実施例による弾性表面波装置
の構成図である。
の構成図である。
【図15】この発明の他の実施例による弾性表面波装置
の構成図である。
の構成図である。
【図16】この発明の他の実施例による弾性表面波装置
の構成図である。
の構成図である。
【図17】実施例1による弾性表面波素子の平面図であ
る。
る。
【図18】実施例1による弾性表面波素子の平面図であ
る。
る。
【図19】実施例1による弾性表面波素子の平面図であ
る。
る。
【図20】実施例1による弾性表面波素子の平面図であ
る。
る。
【図21】実施例2による弾性表面波素子の平面図であ
る。
る。
【図22】実施例2による弾性表面波素子の平面図であ
る。
る。
【図23】実施例3による弾性表面波素子の平面図であ
る。
る。
【図24】実施例3による弾性表面波素子の平面図であ
る。
る。
【図25】実施例4による弾性表面波素子の平面図であ
る。
る。
【図26】実施例5による弾性表面波素子の平面図であ
る。
る。
【図27】従来の弾性表面波素子の平面図である。
【図28】従来の弾性表面波素子の平面図である。
【図29】従来の弾性表面波素子の平面図である。
【図30】従来の弾性表面波素子を電子線露光した場合
に発生する問題を示した平面図である。
に発生する問題を示した平面図である。
【図31】従来の弾性表面波素子を電子線露光した場合
に発生する問題を示した平面図である。
に発生する問題を示した平面図である。
1 弾性表面波を伝播する基板 2 入力トランスデューサ 3 出力トランスデューサ 4 入力端子 5 出力端子 6 金属薄膜によって形成された金属パターン 6a 金属薄膜によって形成された第1の金属パターン 6b 金属薄膜によって形成された第2の金属パターン 7 グレーティング反射器 8 マルチストリップカプラ t1 フィードスルーによる信号到達時間 t2 主信号到達時間 t3 金属パターン端部での反射による信号到達時間 t4 金属パターン端部での反射による信号到達時間 t5 基板端面反射による信号到達時間
Claims (14)
- 【請求項1】 弾性表面波を伝播する基板と、この基板
表面上に形成された電気・音響変換ための入力トランス
デューサと、この基板表面上に形成され、前記入力トラ
ンスデューサとともに弾性表面波の伝播方向に複数交互
に配列された音響・電気変換のための出力トランスデュ
ーサと、前記複数のトランスデューサの配列の両端の入
力又は出力トランスデューサの外側であって弾性表面波
の伝播方向の延長線上に配置された金属パターンとを備
えた弾性表面波装置において、前記金属パターンは、表
面波の伝播方向に対して傾斜した面を持つことを特徴と
する弾性表面波装置。 - 【請求項2】 弾性表面波を伝播する基板と、この基板
表面上に形成された電気・音響変換ための入力トランス
デューサと、この基板表面上に形成され、前記入力トラ
ンスデューサとともに弾性表面波の伝播方向に複数交互
に配列された音響・電気変換のための出力トランスデュ
ーサと、前記複数のトランスデューサの配列の両端の入
力又は出力トランスデューサの外側であって弾性表面波
の伝播方向の延長線上に配置されたグレーティング反射
器と、当該グレーティング反射器の外側であって弾性表
面波の伝播方向の延長線上に配置された金属パターンと
を備えた弾性表面波装置において、前記金属パターン
は、表面波の伝播方向に対して傾斜した面を持つことを
特徴とする弾性表面波装置。 - 【請求項3】 前記金属パターンは、金属パターンと基
板との境界に構成される面であって、前記トランスデュ
ーサから伝播する弾性表面波が最初に到達する第1の面
と、当該弾性表面波が前記金属パターンの配置された領
域を伝播した後に到達する第2の面とを有し、弾性表面
波の伝播方向に対して前記第1の面は垂直に、また前記
第2の面は傾斜して配置されていることを特徴とする請
求項1又は2記載の弾性表面波装置。 - 【請求項4】 前記金属パターンは、両端部の入力トラ
ンスデューサから励振または出力トランスデューサで受
信される弾性表面波の位相に対し、前記第1の面によっ
て反射される弾性表面波の位相が(2n+1)π(但し
nは0を含む自然数)だけ異なるように配置されている
ことを特徴とする請求項3記載の弾性表面波装置。 - 【請求項5】 前記金属パターンは、グレーティング反
射器で反射される弾性表面波の位相に対し、前記第1の
面によって反射される弾性表面波の位相が(2n+1)
π(但しnは0を含む自然数)だけ異なるように配置さ
れていることを特徴とする弾性表面波装置。 - 【請求項6】 前記金属パターンは隣接する入力または
出力トランスデューサと連続一体となった金属薄膜で形
成されていることを特徴とする請求項1、2、3、4、
5記載の弾性表面波装置。 - 【請求項7】 前記金属パターンは接地されていること
を特徴とする請求項1、2、3、4、5、6記載の弾性
表面波装置。 - 【請求項8】 弾性表面波を伝播する前記基板にニオブ
酸リチウムLiNbO3を用いたことを特徴とする請求項1、
2、3、4、5、6、7記載の弾性表面波装置。 - 【請求項9】 ニオブ酸リチウムの弾性表面波が伝播す
る基板表面の法線方向が結晶軸のY軸より59°以上69°
以下Z軸に向けて傾いており、弾性表面波が伝播する方
向が結晶軸のX軸に対し−5°以上5°以下又は、175
°以上185°以下の角度をなすことを特徴とする請求項
8の弾性表面波装置。 - 【請求項10】 弾性表面波を伝播する基板と、この基
板表面上に形成された電気・音響変換又は音響・電気変
換のための入出力トランスデューサであって相対向する
異なる電極から伸びた互いに入り込み交差する部分をも
つ電極指から構成されている入出力トランスデューサか
らなる弾性表面波素子とを有する弾性表面波装置におい
て、前記電極指の、対向する電極から伸びた電極指と交
差しない根本部分を対向する電極から伸びた電極指と交
差する部分より太くしたことを特徴とする弾性表面波装
置。 - 【請求項11】 弾性表面波を伝播する基板と、この基
板表面上に形成された電気・音響変換又は音響・電気変
換のための入出力トランスデューサであって相対向する
異なる電極から伸びた互いに入り込み交差する部分をも
つ電極指から構成されている入出力トランスデューサか
らなる弾性表面波素子とを有する弾性表面波装置におい
て、隣接するパターンとの間隔が充分広い電極指の幅
を、前記の充分広い間隔と反対側に隣接する電極指の幅
よりも太くしたことを特徴とする弾性表面波装置。 - 【請求項12】 弾性表面波を伝播する基板と、この基
板表面上に形成された電気・音響変換又は音響・電気変
換のための入出力トランスデューサであって相対向する
異なる電極から伸びた互いに入り込み交差する部分をも
つ電極指から構成されている入出力トランスデューサか
らなる弾性表面波素子と、弾性表面波を反射するグレー
ティング反射器とを有する弾性表面波装置において、反
射器を構成するストリップラインのうち隣接するパター
ンとの間隔が充分広いストリップラインの幅を、前記の
充分広い間隔と反対側に隣接するストリップラインの幅
よりも太くしたことを特徴とした弾性表面波装置。 - 【請求項13】 弾性表面波を伝播する基板と、この基
板表面上に形成された電気・音響変換又は音響・電気変
換のための入出力トランスデューサであって相対向する
異なる電極から伸びた互いに入り込み交差する部分をも
つ電極指から構成されている入出力トランスデューサか
らなる弾性表面波素子と、マルチストリップカプラとを
備えた弾性表面波装置において、マルチストリップカプ
ラを構成するストリップラインのうち隣接するパターン
との間隔が充分広いストリップラインの幅を前記の充分
広い間隔と反対側に隣接するストリップラインの幅より
も太くしたことを特徴とした弾性表面波装置。 - 【請求項14】 弾性表面波を伝播する基板と、この基
板表面上に形成された電気・音響変換又は音響・電気変
換のための入出力トランスデューサであって相対向する
異なる電極から伸びた互いに入り込み交差する部分をも
つ電極指から構成されている入出力トランスデューサか
らなる弾性表面波素子と、マルチストリップカプラとを
備えた弾性表面波装置において、マルチストリップカプ
ラを構成するストリップラインの隣接するパターンとの
間隔が充分広い部分の幅を隣接するパターンとの間隔が
広くない部分の幅よりも太くしたことを特徴とした弾性
表面波装置。
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US08/470,700 US5565825A (en) | 1992-09-02 | 1995-06-06 | Saw filter including multistrip coupler with varied widths |
US08/470,699 US5670921A (en) | 1992-09-02 | 1995-06-06 | Surface acoustic wave device |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6037847A (en) * | 1995-10-13 | 2000-03-14 | Fujitsu Limited | Surface acoustic wave device using a leaky surface acoustic wave with an optimized cut angle of a piezoelectric substrate |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0685597A (ja) * | 1992-09-02 | 1994-03-25 | Mitsubishi Electric Corp | 弾性表面波装置 |
JPH08265087A (ja) * | 1995-03-22 | 1996-10-11 | Mitsubishi Electric Corp | 弾性表面波フィルタ |
DK0758818T3 (da) * | 1995-08-15 | 2000-07-24 | Cts Corp | Overfladeskimmende massebølgesubstat og anordning indeholdende samme |
JP3106924B2 (ja) * | 1995-08-31 | 2000-11-06 | 株式会社村田製作所 | 表面波共振子 |
US6745627B1 (en) | 1996-05-21 | 2004-06-08 | Honeywell International Inc. | Electrostatic drive for accelerometer |
US5948981A (en) * | 1996-05-21 | 1999-09-07 | Alliedsignal Inc. | Vibrating beam accelerometer |
US6003370A (en) * | 1996-05-30 | 1999-12-21 | Minolta Co., Ltd. | Elastic surface wave gyroscope |
US6144288A (en) * | 1997-03-28 | 2000-11-07 | Eaton Corporation | Remote wireless switch sensing circuit using RF transceiver in combination with a SAW chirp processor |
US5948982A (en) * | 1998-02-23 | 1999-09-07 | Alliedsignal Inc. | Vibrating beam accelerometers and methods of forming vibrating beam accelerometers |
US6528286B1 (en) | 1998-05-29 | 2003-03-04 | Genentech, Inc. | Mammalian cell culture process for producing glycoproteins |
JP2000114918A (ja) | 1998-10-05 | 2000-04-21 | Mitsubishi Electric Corp | 表面弾性波装置及びその製造方法 |
WO2001082480A1 (fr) * | 2000-04-24 | 2001-11-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Filtre a ondes acoustiques de surface a couplage vertical |
US6380828B1 (en) * | 2000-07-24 | 2002-04-30 | Nortel Networks Limited | Surface wave devices with static electric field |
US6791236B1 (en) * | 2000-10-11 | 2004-09-14 | Yuri Abramov | Method utilizing the saw velocity dispersion effect for weighting by shaping the electrode fingers of a saw interdigital transducer and apparatus produced thereby |
JP3764731B2 (ja) * | 2002-10-18 | 2006-04-12 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 多重モード弾性表面波フィルタ及び分波器 |
US9429463B2 (en) | 2013-03-04 | 2016-08-30 | International Road Dynamics, Inc. | System and method for measuring moving vehicle information using electrical time domain reflectometry |
US9331669B2 (en) * | 2014-07-25 | 2016-05-03 | Resonant Inc. | High rejection surface acoustic wave duplexer |
US9077312B1 (en) * | 2014-07-25 | 2015-07-07 | Resonant Inc. | High rejection surface acoustic wave filter |
CN113810017A (zh) * | 2015-12-24 | 2021-12-17 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置 |
CN109462384B (zh) * | 2018-12-28 | 2024-07-19 | 河北时硕微芯科技有限公司 | 一种声表滤波器及制作方法 |
IT202100006932A1 (it) * | 2021-03-23 | 2022-09-23 | Univ Degli Studi Di Firenze | Trasduttore ad ultrasuoni interdigitato |
Family Cites Families (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1328343A (en) * | 1969-09-17 | 1973-08-30 | Mullard Ltd | Electro mechanical filters |
US3818379A (en) * | 1972-12-04 | 1974-06-18 | Hughes Aircraft Co | Acoustic surface wave device |
GB1474605A (en) * | 1975-05-14 | 1977-05-25 | Secr Defence | Surface acoustic wave devices |
DE2618210C3 (de) * | 1976-04-26 | 1980-03-13 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Wandlerelektroden für Filter oder Verzögerungsleitungen nach dem Oberflächenwellenprinzip |
US4130813A (en) * | 1977-05-23 | 1978-12-19 | Raytheon Company | Surface wave device having enhanced reflectivity gratings |
US4206380A (en) * | 1978-12-22 | 1980-06-03 | Hitachi, Ltd. | Piezoelectric surface acoustic wave device with suppression of reflected signals |
SU945951A1 (ru) * | 1979-03-21 | 1982-07-23 | Ордена Трудового Красного Знамени Институт Радиотехники И Электроники Ан Ссср | Фильтр на поверхностных акустических волнах |
SU792553A1 (ru) * | 1979-04-05 | 1980-12-30 | Предприятие П/Я В-8941 | Полосовой фильтр на поверхностных акустических волнах |
JPS55158720A (en) * | 1979-05-28 | 1980-12-10 | Clarion Co Ltd | Surface elastic wave device |
GB2068672B (en) * | 1979-12-24 | 1984-11-07 | Clarion Co Ltd | Surface-acoustic-wave parametric device |
US4336515A (en) * | 1980-10-10 | 1982-06-22 | Zenith Radio Corporation | Acoustic filter with harmonic rejection |
US4370633A (en) * | 1981-01-19 | 1983-01-25 | U.S. Philips Corporation | Acoustic wave bandpass electrical filters |
GB2097212A (en) * | 1981-04-22 | 1982-10-27 | Philips Electronic Associated | Acoustic wave bandpass electrical filters |
JPS5848516A (ja) * | 1981-09-18 | 1983-03-22 | Toshiba Corp | 弾性表面波装置 |
US4473888A (en) * | 1981-10-28 | 1984-09-25 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Saw monolithic convolver using dispersive transducers |
GB2127249A (en) * | 1982-09-20 | 1984-04-04 | Philips Electronic Associated | Acoustic surface wave device |
US4544857A (en) * | 1983-08-29 | 1985-10-01 | Nec Corporation | High electromechanical-coupling coefficient surface acoustic wave device |
JPS6212206A (ja) * | 1985-07-10 | 1987-01-21 | Hitachi Ltd | 弾性表面波共振子 |
JPS6231212A (ja) * | 1985-08-02 | 1987-02-10 | Hitachi Ltd | 弾性表面波装置 |
JPS6423612A (en) * | 1987-07-20 | 1989-01-26 | Hitachi Ltd | Elastic surface wave device |
JP2606708B2 (ja) * | 1987-11-17 | 1997-05-07 | 日本無線株式会社 | 弾性表面波フィルタ |
JPH01137718A (ja) * | 1987-11-24 | 1989-05-30 | Toshiba Corp | 弾性表面波用トランスデューサ |
JPH01292908A (ja) * | 1988-05-20 | 1989-11-27 | Hitachi Ltd | 弾性表面波フィルタ |
DE4010310A1 (de) * | 1990-03-30 | 1991-10-02 | Siemens Ag | Oberflaechenwellenwandler, insbesondere in splitfinger-ausfuehrung, mit unterdrueckung von reflexionen endstaendiger wandlerfinger |
US5164628A (en) * | 1990-05-21 | 1992-11-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Elastic surface wave convolva having wave width converting means and communication system using same |
DE4019004A1 (de) * | 1990-06-13 | 1991-12-19 | Siemens Ag | Interdigitalwandler mit fingerbreiten-wichtung fuer oberflaechenwellenanordnungen |
US5185548A (en) * | 1990-10-11 | 1993-02-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Surface acoustic wave device with reflected wave at side edges on waveguide suppressed and communication system using the same |
US5061871A (en) * | 1991-01-25 | 1991-10-29 | R. F. Monolithics, Inc. | Electrode structure with constant velocity and zero reflectivity |
JP2847438B2 (ja) * | 1991-03-29 | 1999-01-20 | 三井金属鉱業株式会社 | 弾性表面波素子 |
US5438306A (en) * | 1992-07-02 | 1995-08-01 | Kazuhiko Yamanouchi | Surface acoustic wave filter device with symmetrical electrode arrangement |
JPH06260881A (ja) * | 1992-07-24 | 1994-09-16 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 弾性表面波コンボルバ |
JPH0685597A (ja) * | 1992-09-02 | 1994-03-25 | Mitsubishi Electric Corp | 弾性表面波装置 |
-
1992
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-
1997
- 1997-02-19 US US08/801,033 patent/US5705964A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6037847A (en) * | 1995-10-13 | 2000-03-14 | Fujitsu Limited | Surface acoustic wave device using a leaky surface acoustic wave with an optimized cut angle of a piezoelectric substrate |
US6317015B1 (en) | 1995-10-13 | 2001-11-13 | Fujitsu Limited | Surface acoustic wave device using a leaky surface acoustic wave with an optimized cut angle of a piezoelectric substrate |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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US5485051A (en) | 1996-01-16 |
EP0741451A2 (en) | 1996-11-06 |
US5396199A (en) | 1995-03-07 |
US5670921A (en) | 1997-09-23 |
DE69321799D1 (de) | 1998-12-03 |
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