KR100650533B1

KR100650533B1 - 탄성표면파 필터

Info

Publication number: KR100650533B1
Application number: KR1020010014020A
Authority: KR
Inventors: 츠츠미준; 이노우에쇼고; 마츠다다카시; 이카타오사무
Original assignee: 후지쯔 가부시끼가이샤; 후지쓰 메디아 데바이스 가부시키가이샤
Priority date: 2000-11-15
Filing date: 2001-03-19
Publication date: 2006-11-27
Also published as: KR20020038449A; US20020057142A1; JP3467472B2; DE10122007A1; DE10122007B4; JP2002152010A; US6597261B2

Abstract

본 발명은 탄성표면파 필터에 관한 것으로, 공진(共振)을 수반하지 않는 IDT를 사용함으로써, 그의 각형비(角形比)가 보다 급격해지도록 개선하는 것을 과제로 한다.

본 발명의 탄성표면파 필터는, 압전기판(壓電基板) 상에 인터디지털 트랜스듀서와 그 양측에 배치된 반사기로 구성되는 탄성표면파 공진기를 직렬 암(arm)과 병렬 암에 배치하고 사다리형으로 접속하여 형성된 탄성표면파 필터로서, 적어도 1개의 탄성표면파 공진기가 SAW 전달방향의 공진을 수반하지 않는 인터디지털 트랜스듀서로 치환된 것을 특징으로 한다.

탄성표면파 필터, 압전기판, 탄성표면파 공진기

Description

탄성표면파 필터{SURFACE ACOUSTIC WAVE FILTER}

도 1은 본 발명의 사다리(ladder)형 SAW 필터의 일 실시예의 기본적인 구성도.

도 2는 본 발명에서, 스플릿(split) 전극으로 구성된 IDT를 사용한 본 발명의 일 실시예의 SAW 필터의 구성도.

도 3은 본 발명에 있어서, 스플릿 전극을 직렬 암(arm)에만 접속한 본 발명의 일 실시예의 SAW 필터의 구성도.

도 4는 본 발명에서 사용하는 스플릿 전극의 일 실시예의 구성도.

도 5는 본 발명에서 직렬로 접속한 스플릿 전극의 구성도.

도 6은 직렬로 접속한 스플릿 전극의 통과 주파수 특성도.

도 7은 본 발명에서 병렬로 접속한 스플릿 전극의 구성도.

도 8은 병렬로 접속한 스플릿 전극의 통과 주파수 특성도.

도 9는 본 발명의 실시예 1의 사다리형 SAW 필터의 구성도.

도 10은 본 발명의 실시예 1에서의 사다리형 SAW 필터의 주파수 특성의 비교도.

도 11은 본 발명의 실시예 1의 스플릿 전극의 IDT의 일 실시예의 설계 파라미터 값의 설명도.

도 12는 종래의 SAW 공진기(共振器)의 설계 파라미터 값의 설명도.

도 13은 본 발명의 실시예 2의 사다리형 SAW 필터의 구성도.

도 14는 본 발명의 실시예 2에서의 사다리형 SAW 필터의 주파수 특성의 비교도.

도 15는 본 발명의 실시예 2의 스플릿 전극의 IDT의 일 실시예의 설계 파라미터 값의 설명도.

도 16은 종래의 SAW 공진기의 설계 파라미터 값의 설명도.

도 17은 본 발명에서 사용하는 스플릿 전극의 일 실시예의 구성도.

도 18은 종래의 사다리형 SAW 필터의 구성도.

도 19는 종래에 있어서, SAW 필터에 요구되는 일반적인 주파수 특성도.

도 20은 직렬 및 병렬로 접속되는 종래의 SAW 공진기와 사다리형 SAW 필터의 주파수 특성도.

도 21은 종래의 사다리형 SAW 필터의 주파수 특성도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

S : 직렬 암(arm)의 스플릿(split) 전극

S0 : 스플릿 전극

S1, S2 : 직렬 SAW 공진기(共振器)

P : 병렬 암의 스플릿 전극

P0 : 스플릿 전극

P1, P2 : 병렬 SAW 공진기

A1 : 전극지(electrode fingers)

W1, W2 : 탄성표면파의 진로(進路)

본 발명은 탄성표면파 필터에 관한 것으로, 특히, 복수개의 탄성표면파 공진기를 직렬 암과 병렬 암에 배치한 사다리형 탄성표면파 필터에 관한 것이다.

휴대전화에 사용되는 탄성표면파(Surface Acoustic Wave ; 이하 SAW라고 부른다) 필터로서, 압전기판(壓電基板) 상에 인터디지털 트랜스듀서(Interdigital Transducer;이하 IDT라고 부른다)와 그 양측에 배치된 반사기로 구성되는 SAW 공진기를 복수개 사다리형으로 접속한 사다리형 SAW 필터가 널리 이용되고 있다.

도 18에 종래로부터 이용되고 있는 기본적인 사다리형 SAW 필터의 구성도를 나타낸다. 이 SAW 필터는 복수개의 SAW 공진기가 직렬(S1, S2) 및 병렬(P1, P2)로 접속된 구성으로 되어 있다. 또한, 도 19에 SAW 필터에 요구되는 일반적인 주파수 특성의 그래프를 나타낸다. 도 19에서 BW1 및 BW2는 명세(specification)에 따라 결정되는 감쇠량에서의 대역폭(帶域幅)을 나타내고 있으며, 예를 들어, BW1은 감쇠량 -3㏈, BW2는 감쇠량 -20㏈에서의 대역폭이다.

여기서, BW1과 BW2의 비율 BW2/BW1는 각형비(角形比)라고 불리며, 필터의 성능을 나타내는 하나의 척도이다. 이 각형비가 작고 1에 가까울수록 각형성이 우수하다. 최근, 이동 통신 시스템의 발전에 따라, 보다 각형성이 우수한 필터가 요구 되고 있다.

그러나, 도 18에 나타낸 기본적인 사다리형 SAW 필터에서 얻어지는 각형비는 사용되는 기판 재료의 전기 기계 결합 계수에 의해 대략 결정되기 때문에, 도 18과 같이 단지 SAW 공진기를 직렬 및 병렬로 배치한 것만으로는 각형성을 개선하는 것이 곤란했다.

따라서, 도 18과 같은 SAW 공진기를 사용한 사다리형 SAW 필터에서는, 현재 요구되고 있는 각형성에 대응할 수 있는 것과 같은 우수한 각형비를 갖는 필터를 제공하는 것에 문제가 발생했다.

본 발명은 이상과 같은 사정을 고려하여 안출된 것으로, SAW 필터의 각형비를 개선하여, 보다 각형성이 우수한 SAW 필터를 제공하는 것을 과제로 한다.

본 발명은, 압전기판 상에, 인터디지털 트랜스듀서와 그 양측에 배치된 반사기로 구성되는 탄성표면파 공진기를 직렬 암과 병렬 암에 배치하고 사다리형으로 접속하여 형성된 탄성표면파 필터로서, 적어도 1개의 탄성표면파 공진기가 탄성표면파 전달방향의 공진을 수반하지 않는 인터디지털 트랜스듀서로 치환되며, 공진을 수반하지 않는 인터디지털 트랜스듀서가 다른 탄성표면파 공진기와 탄성표면파의 전달방향에 대해 같은 방향으로 배치된 것을 특징으로 하는 탄성표면파 필터를 제공하는 것이다.

이것에 의하면, 탄성표면파 필터의 각형비를 개선할 수 있으며, 소형화할 수 있다.

여기서, 치환된 공진을 수반하지 않는 인터디지털 트랜스듀서는 스플릿 전극 으로 형성할 수도 있다.

또한, 공진을 수반하지 않는 인터디지털 트랜스듀서는 사다리형 구조의 직렬 암에만 접속할 수도 있고, 사다리형 구조의 병렬 암에만 접속할 수도 있다. 또한, 공진을 수반하지 않는 인터디지털 트랜스듀서는 사다리형 구조의 소정의 직렬 암 및 병렬 암의 위치에 복수개 배치할 수도 있다.

또한, 본 발명은, 압전기판과, 압전기판 상에 형성되며 사다리형으로 접속된 복수의 탄성표면파 공진기와, 적어도 1개 이상의 공진을 수반하지 않는 인터디지털 트랜스듀서로 구성되고, 상기 탄성표면파 공진기는, 인터디지털 트랜스듀서와, 탄성표면파의 전달방향과 평행한 방향으로 그 양측에 배치된 반사기로 구성되며, 공진을 수반하지 않는 인터디지털 트랜스듀서는 스플릿 전극으로 형성된 것을 특징으로 하는 탄성표면파 필터를 제공하는 것이다.

또한, 소형화의 점에서 상기 스플릿 전극이 인접하는 2개의 전극지로 이루어진 1세트의 전극지 그룹을 탄성표면파의 전달방향과 평행한 방향으로 번갈아 배치한 빗살 형상의 전극인 것이 바람직하다.

이하, 도면에 나타낸 실시형태에 의거하여 본 발명을 상세하게 설명한다. 또한, 이것에 의해 본 발명이 한정되지는 않는다.

도 1에 본 발명의 사다리형 SAW 필터의 일 실시예의 기본적인 구성도를 나타낸다. 이 사다리형 SAW 필터는, 복수의 SAW 공진기와, 적어도 1개의 공진을 수반하지 않는 IDT로 구성되는 것을 특징으로 한다. 다시 말하면, 종래의 사다리형 SAW 필터에 사용된 SAW 공진기(S1, S2, S3, P1, P2') 중에서, 그 SAW 공진기의 적어도 하나가 공진을 수반하지 않는 IDT로 치환된 구성이다.

일반적으로, SAW 공진기는, 중앙부의 IDT와, 이 IDT에 의해 여진(勵振)되는 SAW의 전달방향과 평행한 방향이며, 이 IDT의 양측에 배치되는 반사기로 구성된다. 즉, 「반사기-IDT-반사기」와 같은 구성이며, 이것은 Al 및 Cu 등의 금속 박막을 LiTaO₃ 또는 수정 등의 압전기판 상에 소정 형상으로 형성하여 제작된다.

공진을 수반하지 않는 IDT는, 예를 들어, 이른바 스플릿 전극을 사용할 수 있으나, 상세한 구성에 대해서는 후술한다.

종래의 사다리형 SAW 필터에서는 도 1의 부호 P2' 및 S3의 부분도 SAW 공진기를 사용했으나, 도 1에 나타낸 본 발명의 사다리형 SAW 필터에서는 부호 P2' 및 S3의 부분은 공진을 수반하지 않는 IDT를 사용한다. 다만, 공진을 수반하지 않는 IDT를 사용하는 부분은 도 1에 나타낸 부호 P2' 및 S3에 한정되지 않으며, 임의의 위치일 수도 있다.

또한, 도 1과 같은 2개소에 한정되는 것이 아니라, 적어도 1개소 이상이면 된다. 예를 들면, 각형비의 개선의 관점으로부터는, 종래 사용하고 있던 SAW 공진기를 모두 공진을 수반하지 않는 IDT로 치환한 구성으로 할 수도 있다. 이러한 구성으로 할 경우, SAW 필터로서의 각형성을 개선할 수 있다. 또한, 공진을 수반하지 않는 IDT는 반사기를 갖고 있지 않기 때문에, 종래의 SAW 필터에 비하여 소형화가 가능하다.

또한, 도 2는 공진을 수반하지 않는 IDT(S3, P2')로서 스플릿 전극으로 구성 된 IDT가 배치된 본 발명의 일 실시예의 SAW 필터의 구성도이다.

도 3은 공진을 수반하지 않는 스플릿 전극으로 형성된 IDT(S3)가 사다리형 SAW 필터의 직렬 암에만 접속된 본 발명의 SAW 필터의 구성도이다.

또한, 스플릿 전극으로 형성된 IDT는 사다리형 SAW 필터의 직렬 암의 모두에 사용할 수도 있다. 또한, SAW 필터의 병렬 암의 일부분에만 사용할 수도 있고, 병렬 암 모두에 사용할 수도 있다.

다음으로, 사다리형 SAW 필터의 일반적인 주파수 특성에 대해서 설명한다. 일반적으로 사다리형 SAW 필터는, 도 18에 나타낸 바와 같이, 복수개의 SAW 공진기를 직렬 및 병렬로 접속한 구성으로 되어 있다. 따라서, 그의 주파수 특성은 직렬로 접속한 SAW 공진기(S1, S2)의 주파수 특성과, 병렬로 접속한 SAW 공진기(P1, P2)의 특성의 합성으로 된다. 도 20에 직렬 및 병렬로 접속한 종래의 SAW 공진기의 주파수 특성을 나타낸다.

도 20에서 점선이 사다리형 SAW 필터의 통과 특성이다.

또한, 도 20의 파선(破線)은 병렬로 접속한 SAW 공진기의 주파수 특성이고, 주파수가 비교적 낮은 부분에서 일단 감쇠량이 커져 하강된 후, 감쇠량이 감소하여 급격하게 상승하는 특성으로 되어 있다.

도 20의 실선은 직렬로 접속한 SAW 공진기의 주파수 특성이고, 주파수가 비교적 낮은 부분에서는 평탄하나, 주파수가 비교적 높은 부분에서 감쇠량이 증가하여 급격하게 하강되는 특성으로 되어 있다.

여기서, 병렬로 접속한 SAW 공진기(P1, P2)의 하강으로부터, 직렬로 접속한 SAW 공진기(S1, S2)의 하강 사이에 통과 대역이 형성된다. 이러한 원리로부터, 사다리형 SAW 필터에서 얻어지는 주파수 특성의 각형비를 개선하기 위해서는, 직렬 및 병렬로 접속한 SAW 공진기에서의 하강 경사를 보다 급격하게 하는 것이 좋다.

다음으로, 스플릿 전극으로 형성된 IDT에 대해서 설명한다.

본 발명에서 사용하는 스플릿 전극의 일 실시예의 구성을 도 4에 나타낸다. 여기서는, 인접하는 2개의 전극지를 1세트의 전극지 그룹으로 하여(예를 들어, A1과 A2, A3와 A4), 도면의 상하방향으로부터 이 1세트의 전극지가 번갈아 배치되어 있는 경우를 나타내고 있다. 즉, 2개의 전극지를 1세트의 전극지 그룹으로 한 빗살형 전극의 경우이다. 각 전극지(A1∼A6)의 선폭과 간격을 모두 λ/8(λ:IDT의 주기)로 한다. 여기서, 각 전극지(A1, A2)에서 반사되는 탄성표면파(W1)와 탄성표면파(W2)의 전달거리의 차는 λ/2로 되고, 서로 소거된다. 결과적으로, 스플릿 전극으로 형성된 IDT 내에서는 SAW의 반사는 없고, IDT의 양측에 반사기가 배치되어 있지 않을 경우, SAW 전달방향에서의 공진은 발생하지 않는다.

이 스플릿 전극으로 형성된 IDT(S0)를 도 5와 같이 직렬로 접속했을 때의 통과 주파수 특성을 계산한 결과를 도 6에 나타낸다. 또한, 기판은 42°Y-X:LiTaO₃으로 하고, 전극은 막 두께 0.34㎛의 Al으로 형성하며, IDT의 주기는 4.88㎛, 개구 길이는 50㎛, 전극지의 쌍의 수는 169쌍으로 했다.

비교를 위해, 도 18에 나타낸 바와 같은 통상의 반사기를 갖는 SAW 공진기(S1)를 도 5와 같이 직렬로 접속했을 때의 통과 주파수 특성을 함께 나타낸다. 또한, 도 6에서는 비교하기 쉽게 하기 위해, 통상의 SAW 공진기의 특성을 20㎒ 정도 고주파측으로 이동시키고 있다.

도 5와 같은 공진을 발생시키고 있지 않은 스플릿 전극으로 형성된 IDT(S0)가 하강 경사가 급격, 즉, 감쇠량의 상승이 급격해지고 있음을 알 수 있다. 그 결과, 사다리형 SAW 필터의 SAW 공진기를 SAW 전달방향의 공진을 수반하지 않는 IDT로 치환함으로써, 사다리형 필터의 각형비를 개선할 수 있음을 알 수 있다.

또한, 구체적인 IDT로서는, 도 4에 나타낸 스플릿 전극으로 형성된 IDT를 사용함으로써 사다리형 필터의 각형비를 개선하는 것이 가능해진다.

다음으로, 스플릿 전극으로 형성되는 IDT(P0)를 도 7에 나타낸 바와 같이 병렬로 접속했을 때의 통과 주파수 특성을 도 8에 나타낸다. 또한, 스플릿 전극의 설계 조건은 도 5의 경우와 동일하다. 상기와 동일하게, 스플릿 전극으로 형성한 IDT(P0)가 하강 경사가 급격해지고 있음을 알 수 있다. 그 결과, 공진을 수반하지 않는 IDT를 SAW 필터의 병렬 암에 사용함으로써, 하강의 급격성이 증대되고, 각형성이 우수한 필터를 구성할 수 있음을 알 수 있다.

여기서, 일반적으로 사다리형 SAW 필터에서는, 고주파 측의 하강 경사가 계산에 비하여 완만해지는 경향이 있다. 도 21은 종래의 사다리형 SAW 필터의 주파수 특성의 예를 나타낸다.

도 21의 영역 B부분과 같이 고주파 측의 경사가 완만하다는 것은, 사다리형 SAW 필터를 구성하는 SAW 공진기 중에서 직렬로 접속된 것의 하강의 급격성이 나쁘 다는 것을 의미한다. 따라서, 직렬로 접속되어 있는 SAW 공진기(S1, S2 등)를 스플릿 전극으로 형성된 IDT로 치환함으로써, 보다 효과적으로 필터의 각형성을 개선할 수 있다.

도 17에 본 발명에서 사용하는 스플릿 전극의 다른 실시예의 구성도를 나타낸다. 여기서는 상하방향으로부터 전극지가 3개씩 번갈아 배치되는 경우를 나타내고 있다. 즉, 3개의 전극지를 1세트의 전극지 그룹으로 한 빗살형 전극이다. 이 때, 공진을 수반하지 않는 IDT로 하기 위해서는, 각 전극지의 폭과 간격을 모두 λ/12으로 하면 된다. 스플릿 전극으로서, 상하방향으로부터 연속되는 전극지가 2개와 3개인 경우를 실시예로서 나타냈으나, 이것에 한정되는 것은 아니며, 4개 이상으로 할 수도 있다.

또한, 본 발명에서는, SAW 공진기 대신에 IDT만을 사용하기 때문에, 반사기에 의해 점유되었던 스페이스가 불필요해져, SAW 필터 디바이스의 소형화도 가능해진다.

또한, 스플릿 전극으로 형성된 IDT의 하강은, 종래의 SAW 공진기에서의 하강보다도 고주파 측에 형성되기 때문에, IDT의 주기, 즉, 전극지의 폭 및 간격을 크게 하는 것도 가능해져, 제조성도 양호해진다.

실시예 1

42°Y-X:LiTaO₃ 기판 상에, 스플릿 전극으로 구성되는 IDT를 직렬 암에 사용한 사다리형 필터를 제작했다. 그의 구성을 도 9에 나타낸다.

4단(段) 구성으로 되어 있으며, 병렬 암에는 2종의 SAW 공진기(P, P')를 사용하고, 직렬 암에는 모두 스플릿 전극으로 구성된 IDT(S10, S11)가 접속되어 있다.

SAW 공진기(P, P') 및 스플릿 전극으로 형성되는 IDT의 설계 파라미터를 도 11에 나타낸다. 또한, 비교를 위해, 직렬로 접속되는 공진기를 싱글 전극으로 구성되는 IDT와 반사기로 이루이진 통상의 SAW 공진기로 한 사다리형 필터도 제작했다. 여기서, 직렬로 접속되는 공진기의 설계 파라미터를 도 12에 나타낸다.

이들 2개의 사다리형 SAW 필터의 주파수 특성을 도 10에 나타낸다. 직렬 암에 스플릿 전극으로 구성되는 IDT를 사용함으로써, 필터의 고주파 측의 천이(遷移) 영역이 급격해지고 있음을 확인할 수 있다. 또한, -3㏈과 -20㏈로 규정되는 각형비는 모든 직렬 암 및 병렬 암 모두 SAW 공진기를 사용하는 경우가 1.55인 것에 대하여, 스플릿 전극을 직렬 암에 사용함으로써 1.47까지 개선할 수 있어, 각형성을 향상시킬 수 있다.

또한, 본 발명의 사다리형 SAW 필터에서는, 스플릿 전극의 양측에는 반사기를 배치하지 않기 때문에, 종래 반사기에 의해 점유되었던 면적이 불필요해져, 필터 칩을 보다 소형으로 할 수 있다. 예를 들면, 본 실시예에서는 모두 SAW 공진기를 사용한 SAW 필터보다도 점유 면적을 11% 정도 축소시킬 수 있다.

실시예 2

42°Y-X:LiTaO₃ 기판 상에, 스플릿 전극으로 구성되는 IDT를 직렬 암과 병렬 암에 사용한 사다리형 SAW 필터를 제작했다. 도 13에 이 SAW 필터의 일 실시예의 구성도를 나타낸다. 그의 구성은 도 13에서는 4단 구성이고, 병렬 암 및 직렬 암에 모두 스플릿 전극(S, P)을 사용하고 있다. 스플릿 전극으로 형성되는 IDT(S, P)의 설계 파라미터를 도 15에 나타낸다.

또한, 비교를 위해, 직렬 암 및 병렬 암 모두 싱글 전극으로 구성되는 IDT와 반사기로 이루어진 종래의 SAW 공진기로 한 사다리형 필터도 제작했다. 이 때의 직렬 및 병렬 공진기의 설계 파라미터를 도 16에 나타낸다.

도 14에 2개의 사다리형 SAW 필터의 주파수 특성을 나타낸다. 직렬 암 및 병렬 암에 스플릿 전극으로 구성되는 IDT를 사용함으로써, SAW 필터의 천이 영역이 급격해지고 있음을 확인할 수 있다.

본 발명에 의하면, 사다리형 SAW 필터를 구성하는 복수의 SAW 공진기 중에서, 적어도 1개의 SAW 공진기를 SAW 전달방향의 공진을 수반하지 않는 IDT로 치환함으로써, 사다리형 SAW 필터의 각형비를 개선할 수 있다.

특히, SAW 전달방향으로 공진을 수반하지 않는 IDT로서, 스플릿 전극으로 형성된 IDT를 사용하고, 이 IDT를 사다리형 SAW 필터의 직렬 암에 사용함으로써, 고주파 측의 급격성이 향상되어, 각형성이 우수한 필터를 제공할 수 있다.

또한, 본 발명에서는, 종래 반사기에 의해 점유되었던 면적이 불필요해져, 디바이스의 소형화가 가능해진다. 또한, 스플릿 전극으로 형성된 IDT의 주기를 종래의 SAW 공진기에서의 IDT보다도 크게 할 수 있어, 비용 및 제조수율의 점에서 제 조성도 개선된다.

Claims

압전기판 상에 인터디지털 트랜스듀서와 그 양측에 배치된 반사기로 구성되는 탄성표면파 공진기를 직렬 암(arm)과 병렬 암에 배치하고 사다리형으로 접속하여 형성된 탄성표면파 필터로서,

적어도 1개의 탄성표면파 공진기가 탄성표면파의 전달방향의 공진을 수반하지 않는 인터디지털 트랜스듀서로 치환되며, 공진을 수반하지 않는 인터디지털 트랜스듀서가 다른 탄성표면파 공진기와 탄성표면파의 전달방향에 대해 같은 방향으로 배치된 것을 특징으로 하는 탄성표면파 필터.
압전기판 상에 인터디지털 트랜스듀서와 그 양측에 배치된 반사기로 구성되는 탄성표면파 공진기를 직렬 암(arm)과 병렬 암에 배치하고 사다리형으로 접속하여 형성된 탄성표면파 필터로서,

적어도 1개의 탄성표면파 공진기가 탄성표면파의 전달방향의 공진을 수반하지 않는 인터디지털 트랜스듀서로 치환되며, 상기 치환된 공진을 수반하지 않는 인터디지털 트랜스듀서가 스플릿(split) 전극으로 형성된 것을 특징으로 하는 탄성표면파 필터.
제 2 항에 있어서,

공진을 수반하지 않는 인터디지털 트랜스듀서가 직렬 암 및 병렬 암 중 적어도 어느 한쪽에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성표면파 필터.
압전기판과, 압전기판 상에 형성되고 또 사다리형으로 접속된 복수의 탄성표면파 공진기와 적어도 1개 이상의 공진을 수반하지 않는 인터디지털 트랜스듀서로 구성되고, 상기 탄성표면파 공진기는 인터디지털 트랜스듀서와, 탄성표면파의 전달방향과 평행한 방향으로 그 양측에 배치된 반사기로 구성되며, 공진을 수반하지 않는 인터디지털 트랜스듀서는 스플릿 전극으로 형성된 것을 특징으로 하는 탄성표면파 필터.
제 2 항 내지 제 4 항 중의 어느 한 항에 있어서,

상기 스플릿 전극이 인접하는 2개의 전극지(electrode fingers)로 이루어진 1세트의 전극지 그룹을 탄성표면파의 전달방향과 평행한 방향으로 번갈아 배치한 빗살 형상의 전극인 것을 특징으로 하는 탄성표면파 필터.