KR20000077109A - Ｓａｗ 공진자, 복합 ｓａｗ 필터 및 ｓａｗ 필터 - Google Patents

Ｓａｗ 공진자, 복합 ｓａｗ 필터 및 ｓａｗ 필터 Download PDF

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Abstract

본 발명의 표면 탄성파 공진자는 압전 기판 및 상기 압전 기판상에 배열되는 인터디지탈 트랜스듀서를 포함한다. 이 인터디지탈 트랜스듀서는 서로 맞물리는 1개 이상의 전극지를 갖는 제 1 및 제 2 빗형상 전극을 포함한다. 상기 제 1 빗형상 전극이 정 전위에 접속되는 경우, 제 2 빗형상 전극이 부 전위에 접속되고, 또한 상기 정 전위에 접속되는 상기 전극지 및 상기 부 전위에 접속되는 상기 전극지가 표면파 전파 방향으로 번갈아 배열되어 있는 영역에 있어서 적어도 한 쌍의 전극지에 있어서, 상기 정 전위에 접속되는 상기 전극지 및 상기 부 전위에 접속되는 상기 전극지가 반전되어 있다.

Description

ＳＡＷ 공진자, 복합 ＳＡＷ 필터 및 ＳＡＷ 필터{SAW Resonator, Composite SAW Filter and SAW Filter}
본 발명은 예를 들면 휴대 전화 및 다른 통신 기기에 있어서 대역 통과 필터 또는 다른 필터에 사용되는 1단자형 SAW 공진자 및 표면 탄성파(SAW) 필터에 관한 것이다.
SAW 필터는 휴대 전화 및 다른 통신 기기에 있어서 대역 통과 필터로서 폭넓게 사용되고 있다. 휴대 전화 등의 최근의 통신 시스템에서는, 송신 주파수 대역과 수신 주파수 대역이 서로 근접해 있다. 따라서, SAW 필터에 있어서, 통과 대역의 단부 근방의 감쇠 특성, 즉 감쇠 특성의 샤프함(sharpness)이 크게 요구되고 있다.
상기와 같은 요구를 만족하기 위하여, 일본국 특허공개 평7-131290호 공보에는 복합 SAW 필터가 개시되어 있다. 이 복합 SAW 필터에서는, SAW 필터의 입력 단자 또는 출력 단자에, 제 1 SAW 공진자가 병렬로 접속되며, 제 2 SAW 공진자가 직렬 접속되어 있다.
상기 선행 기술에서는, 직렬 접속된 제 1 SAW 공진자의 반공진 주파수 근방에 있어서의 높은 임피던스에 의하여, SAW 필터의 통과 대역의 고역측의 컷오프 특성의 샤프함을 도모할 수 있다고 기재되어 있다. 또한, 병렬 접속된 제 2 SAW 공진자의 공진 주파수 근방에 있어서의 낮은 임피던스에 의하여, SAW 필터의 통과 대역의 저역측에 있어서의 컷오프 특성의 샤프함을 도모할 수 있다고 기술되어 있다.
상기 선행 기술에 기재된 상술한 방법에 있어서, 통과 대역의 고역측에 있어서는 제 1 SAW 공진자의 반공진 주파수를 통과 대역에 근접하여 배열해야 한다. 또한, 통과 대역의 저역측에 있어서는 제 2 SAW 공진자의 공진 주파수를 통과 대역에 근접하여 배열해야 한다.
그러나, 제 1 SAW 공진자의 반공진 주파수를 통과 대역에 근접하여 배열하면, 반공진 주파수 근방의 높은 임피던스가 통과 대역의 고역측에 영향을 미친다. 따라서, 통과 대역의 고역측에 있어서 삽입 손실이 증가한다. 마찬가지로, 제 2 SAW 공진자의 공진 주파수를 통과 대역에 근접하여 배열하면, 공진 주파수 근방의 낮은 임피던스가 통과 대역의 저역측에 영향을 미친다. 따라서, 통과 대역의 저역측에 있어서 삽입 손실이 증가한다.
즉, 상기 선행 기술에 기재된 상술한 방법에서는, 통과 대역 아주 근방의 감쇠량을 크게 하고자 하면, 통과 대역에 있어서의 삽입 손실이 악화된다고 하는 문제가 있었다.
도 25는 SAW 필터에 SAW 공진자를 병렬로 접속한 경우에 발생하는 상기 악영향을 설명하기 위하여 사용되는 주파수- 진폭 특성을 나타낸 그래프이다.
도 25에 있어서, 파선은 SAW 필터 단일체의 주파수-진폭 특성을 나타내며, 실선은 도 15에 파선으로 나타낸 임피던스-주파수 특성을 나타낸 SAW 공진자를, 상기 SAW 필터에 병렬로 접속한 경우의 특성을 나타낸다.
확대 스케일에 의한 그래프는, 세로축의 우측의 스케일에 의하여 확대한 특성을 나타낸다. 또한, 이하의 주파수-진폭 특성을 나타낸 도에 대해서도 마찬가지로 도시되어 있다.
도 25로부터 확실한 바와 같이, SAW 공진자가 병렬로 접속되는 경우, 통과 대역의 저역측 근방, 특히 감쇠량이 10dB로부터 증가하는 주파수 영역에 있어서, 감쇠량이 증가한다.
그러나, SAW 공진자의 공진 주파수를 SAW 필터의 통과 대역에 근접하여 배열하는 경우, 공진 주파수 근방에 있어서의 저 임피던스의 영향에 의하여, 통과 대역의 저역측이 영향을 받는다. 즉 실선으로 나타낸 바와 같이, 삽입 손실이 증가한다. 그 결과, 통과 대역의 저역측에 있어서의 샤프함을, 감쇠량이 3dB 및 20dB인 위치의 주파수 피치를 기준으로 판단하면, SAW 필터 단일체에서의 주파수 간격은 3.3MHz인 반면, SAW 공진자를 병렬로 접속한 경우 단지 3.6MHz이다. 따라서, 샤프함의 향상이 달성되지 않았다.
도 26은 SAW 필터에 SAW 공진자를 직렬 접속한 경우에 발생하는 상기 악영향을 설명하기 위하여 사용된 주파수-진폭 특성을 나타낸 그래프이다. 도 26에 있어서, 파선은 SAW 필터 단일체의 주파수-진폭 특성을 나타내며, 실선은 상기 SAW 필터에 도 18에 파선으로 나타낸 임피던스-주파수 특성을 갖는 SAW 공진자를 직렬 접속한 경우의 특성을 나타낸다.
도 26으로부터 확실한 바와 같이, SAW 공진자가 SAW 필터에 직렬 접속되는 경우, 통과 대역의 고역측 근방, 특히 SAW 공진자의 반공진 주파수에 해당하는 913MHz 근방에서 감쇠량이 증가한다. 그러나, 상기와 마찬가지로, 반공진 주파수 근방의 고 임피던스의 영향이 통과 대역의 고역측에 미친다. 통과 대역의 고역측의 주파수-진폭 특성에 있어서의 샤프함을, 감쇠량이 3dB및 8dB인 위치의 주파수 피치를 기준으로 판단하면, SAW 필터 단일체에서의 주파수 간격은 2.2MHz인 반면, SAW 공진자가 직렬 접속되어 있는 경우 3.4MHz이다. 따라서, 샤프함의 향상이 달성되지 않았다.
통과 대역의 감소, 즉 삽입 손실의 악화를 방지하기 위하여, 병렬 접속의 경우에는, SAW 공진자의 반공진 주파수 근방이 통과 대역과 일치하도록 배열한다. 또한, 직렬 접속의 경우에는, SAW 공진자의 공진 주파수 근방이 통과 대역과 일치하도록 배열한다, 그러나, 실제로 이와 같이 접속하면, 직렬 접속의 경우에는 반공진 주파수가 통과 대역의 근방으로부터 멀어지고, 병렬 접속인 경우에는 공진 주파수가 통과 대역 근방으로부터 멀어져서, 통과 대역의 아주 근방에 있어서 큰 감쇠량을 얻을 수 없게 된다. 즉 SAW 필터에 SAW 공진자가 접속되어 있는 종래의 방법에서는, 통과 대역의 아주 근방에 있어서의 큰 감쇠량, 및 통과 대역에 있어서의 바람직한 삽입 손실을 양립할 수 없다.
상술한 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명의 바람직한 실시형태는 공진 주파수와 반공진 주파수간의 주파수 간격을 제어할 수 있으며, 래더 회로 및 여러가지 형태의 SAW 필터를 구성하는데 적합하며, 게다가 상기 복합 SAW 필터에 있어서 SAW 필터에 접속되는데 바람직하게 배열되는 SAW 공진자, 및 상기 SAW 공진자를 포함하는 SAW 필터를 제공한다.
또한 본 발명의 바람직한 실시형태는 본 발명의 SAW 공진자가 SAW 필터에 직렬 접속 및/또는 병렬로 접속되어 있으며, 따라서 통과 대역 근방의 필터 특성의 샤프함을 달성할 수 있음과 아울러 통과 대역에 있어서의 바람직한 삽입 손실을 달성할 수 있는 복합 SAW 필터를 제공한다.
도 1은 본 발명의 제 1 바람직한 실시형태에 따른 복합 SAW 필터를 설명하기 위하여 사용된 모식적 평면도이다.
도 2a∼ 도 2f는 각각 IDT의 전극지 배열과 유효 전극율간의 관계를 나타내는 모식적 단면도이다.
도 3a∼도 3f는 각각 IDT의 전극지 배열과 유효 전극율간의 관계를 나타낸 모식적 단면도이다.
도 4a 및 도 4b는 각각 IDT의 전극지 배열을 설명하기 위하여 사용된 평면도 및 도 4a의 A-A선 단면도이다.
도 5는 전극지 배열의 코드화를 설명하는 모식적 단면도이다.
도 6은 IDT의 전극지 배열의 코드화 및 그 유효 전극율을 설명하는 모식적 단면도이다.
도 7은 전극지 배열이 위드드로얼 방법에 의하여 변화된 경우, SAW 공진자의 임피던스-주파수 특성을 나타낸 그래프이다.
도 8은 전극지 배열이 전극 반전 방법에 의하여 변화된 경우, SAW 공진자의 임피던스-주파수 특성을 나타낸 그래프이다.
도 9는 공진 주파수 및 반공진 주파수의 주파수 간격과 유효 전극율간의 관계를 나타낸 그래프이다.
도 10은 반공진점에 있어서의 임피던스 및 유효 전극율간의 관계를 나타낸 그래프이다.
도 11은 공진점에 있어서의 임피던스 및 유효 전극율간의 관계를 나타낸 그래프이다.
도 12는 공진 주파수 및 반공진 주파수의 주파수 간격과 IDT의 전극지 배열 20G의 비율간의 관계를 나타낸 그래프이다.
도 13a∼도 13c는 각각 위드드로얼 방법에 의한 전극 패턴을 설명하기 위하여 사용된 부분 단면도이다.
도 14는 본 발명의 제 1 바람직한 실시형태의 복합 SAW 필터, SAW 필터 단일체 및 제 1 종래예의 복합 SAW 필터의 주파수-진폭 특성을 나타낸 그래프이다.
도 15는 제 1 바람직한 실시형태에서 사용된 SAW 공진자 및 제 1 종래예에서 사용된 SAW 공진자의 임피던스-주파수 특성을 나타낸 그래프이다.
도 16은 제 2 바람직한 실시형태의 복합 SAW 필터의 전극 구조를 나타낸 모식적 평면도이다.
도 17은 제 2 바람직한 실시형태의 복합 SAW 필터, SAW 필터 단일체 및 제 2 종래예의 복합 SAW 필터의 주파수-진폭 특성을 나타낸 그래프이다.
도 18은 제 2 바람직한 실시형태의 SAW 공진자 및 제 2 종래예에서 사용된 SAW 공진자의 임피던스-주파수 특성을 나타낸 그래프이다.
도 19는 제 3 바람직한 실시형태의 복합 SAW 필터, SAW 필터 단일체 및 제 3 종래예의 복합 SAW 필터의 주파수-진폭 특성을 나타낸 그래프이다.
도 20은 제 3 바람직한 실시형태에서 사용된 SAW 공진자 및 제 3 종래예에서 사용된 SAW 공진자의 임피던스-주파수 특성을 나타낸 그래프이다.
도 21은 제 3 바람직한 실시형태의 변형예에 따른 복합 SAW 필터에서 사용된 SAW 공진자 및 전극지 배열 20F를 갖는 IDT를 포함하는 SAW 공진자의 임피던스-주파수 특성을 나타낸 그래프이다.
도 22a 및 도 22b는 각각 제 4 바람직한 실시형태의 SAW 필터의 회로도 및 여기에 포함된 SAW 공진자의 전극 구조를 설명하기 위하여 사용된 모식적 평면도이다.
도 23은 제 4 바람직한 실시형태의 SAW 필터 및 비교를 위해 준비한 SAW 필터의 주파수-진폭 특성을 나타낸 그래프이다.
도 24는 제 4 바람직한 실시형태의 SAW 필터에 있어서 직렬 암 공진자의 하나를 구성하는 SAW 공진자 및 위드드로얼이 실시되지 않은 SAW 공진자의 임피던스-주파수 특성을 나타낸 그래프이다.
도 25는 제 1 종래예의 복합 SAW 필터의 주파수-진폭 특성을 나타낸 그래프이다.
도 26은 제 2 종래예의 복합 SAW 필터의 주파수-진폭 특성을 나타낸 그래프이다.
(도면의 주요 부분에 있어서의 부호의 설명)
1: SAW 필터 2: SAW 공진자
6:IDT 7a, 7b: 반사기
8: 압전 기판 10:IDT
10a, 10b: 제 1, 제 2 빗형상 전극 12a: 정 전극
12b: 부 전극 20A∼20L: 전극지 배열
21: SAW 필터 22: SAW 공진자
23: IDT 24a, 24b: 반사기
52a∼52d: 직렬 암 공진자 53a∼53c: 병렬 암 SAW 공진자
본 발명의 바람직한 실시형태에 따른 SAW 공진자는, 압전 기판; 및 상기 압전 기판상에 배열되며, 서로 맞물리는 1개 이상의 전극지를 갖는 제 1 및 제 2 빗형상 전극을 포함하는 인터디지탈 트랜스듀서(이하, IDT라 함);를 포함하며, 상기 제 1 빗형상 전극이 정 전위에 접속되는 경우, 제 2 빗형상 전극이 부 전위에 접속되고, 또한 상기 정 전위에 접속되는 상기 전극지 및 상기 부 전위에 접속되는 상기 전극지가 표면파 전파 방향으로 번갈아 배열되어 있는 영역에 있어서 적어도 한 쌍의 전극지에 있어서, 상기 정 전위에 접속되는 상기 전극지 및 상기 부 전위에 접속되는 상기 전극지가 반전되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 바람직한 실시형태에 따른 SAW 공진자는 압전 기판; 및 상기 압전 기판상에 배열되며, 서로 맞물리는 1개 이상의 전극지를 갖는 제 1 및 제 2 빗형상 전극을 포함하는 IDT;를 포함하며, 상기 IDT가 위드드로얼 웨이팅(withdrawal weighting) 또는 전극 반전(electrode reversal)되어 있으며, 또한 상기 IDT의 유효 전극율이 약 10%∼약 80%의 범위에 있는 것을 특징으로 한다. 전극 반전이란, 상술한 바람직한 실시형태에 따른 정 전위에 접속되는 전극지와 부 전위에 접속되는 전극지가 반전되어 있는 구성을 말하며, 이 전극 반전의 의미에 대해서는 뒤에서 상세히 설명하겠다.
상술한 본 발명의 바람직한 실시형태에 따른 SAW 공진자에 있어서는, 공진 주파수 및 반공진 주파수의 주파수 간격이, 동일한 전극지 쌍수를 갖는 정규형 IDT에 있어서의 공진 주파수 및 반공진 주파수간의 주파수 간격의 약 5%∼약 75%의 범위에 있는 것이 바람직하다.
또한, 상기 IDT의 유효 전극율은 약 10%∼약 50%의 범위에 있는 것이 바람직하다.
상술한 바람직한 실시형태에 따른 SAW 공진자의 특정의 국면에서는, 공진 주파수 및 반공진 주파수간의 주파수 간격이, 동일한 쌍수를 갖는 정규형 IDT에 있어서의 공진 주파수 및 반공진 주파수간의 간격의 약 5%∼약 30%의 범위에 있는 것이 바람직하다.
또한, 상술한 바람직한 실시형태에 따른 SAW 공진자에서는, IDT의 표면파 전파 방향 외측에 반사기를 형성할 수 있다.
본 발명의 다른 바람직한 실시형태에 따르면, 복합 SAW 필터가 제공되며, 이 복합 SAW 필터에 있어서는, 상술한 바람직한 실시형태에 따른 SAW 공진자 중의 적어도 하나가, SAW 필터의 입력단측 및 출력단측 중의 적어도 한쪽을 거쳐서 SAW 필터에 전기적으로 직렬 접속 및/또는 병렬로 접속되어 있다.
본 바람직한 실시형태의 특정의 국면에서는, 상기 SAW 공진자가 SAW 필터에 직렬 접속되어 있으며, 반공진 주파수가 SAW 필터의 통과 대역의 고역측 근방의 저지 대역의 주파수이다.
본 바람직한 실시형태에 따른 SAW 필터의 다른 특정의 국면에서는, 상기 SAW 공진자가 상기 SAW 필터에 병렬로 접속되어 있으며, 공진 주파수가 상기 SAW 필터의 통과 대역의 저역측 근방의 저지 대역에서 유효하다.
본 발명의 다른 바람직한 실시형태에 따르면, 래더형 회로 구성을 갖는 SAW 필터가 제공된다. 이 래더형 회로 구성을 갖는 SAW 필터에서는, 복수의 SAW 공진자가 직렬 암 및 병렬 암에 배열되며, 적어도 하나의 SAW 공진자가 상술한 바람직한 실시형태에 따른 SAW 공진자 중의 하나에 의하여 구성되어 있다.
본 발명의 또 다른 바람직한 실시형태에 따르면, 래더형 회로 구성을 갖는 SAW 필터가 제공되며, 이 SAW 필터에서는, 복수의 SAW 공진자가 직렬 암 및 병렬 암에 배열되어, 래더형 회로를 구성한다. 또한 적어도 하나의 SAW 공진자에 있어서의 IDT의 유효 전극율이 약 10%∼95%의 범위에 있다.
본 발명을 예시하기 위하여, 도면에 있어서 몇가지 바람직한 형태를 도시하였으나, 본 발명은 도시된 구체적인 배열 및 수단에 한정되지 않는다는 것을 알 것이다.
(바람직한 실시형태의 상세한 설명)
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태에 따른 SAW 공진자 및 복합 SAW 필터에 대하여 상세히 설명하겠다.
(제 1 실시형태)
도 1은 본 발명에 따른 복합 SAW 필터의 제 1 바람직한 실시형태를 설명하기 위하여 사용된 모식적 평면도이다.
본 바람직한 실시형태의 복합 SAW 필터에서는, 36도 Y-컷 X-전파 LiTaO3로 이루어지는 압전 기판(8)상에, SAW 필터(1) 및 SAW 공진자(2)가 배열되는 것이 바람직하다. SAW 필터(1) 및 SAW 공진자(2)를 구성하는 전극 재료는, 특히 한정되지 않지만, 알루미늄 재료가 바람직하게 사용된다.
SAW 필터(1)는 IDT(3, 4a, 4b)를 갖는 3 IDT 구성의 종결합 이중 모드 SAW 필터인 것이 바람직하다. 또한 IDT(3, 4a, 4b)가 배열되어 있는 영역의 표면파 전파 방향 양측에는 반사기(5a, 5b)가 형성되는 것이 바람직하다.
각 IDT(3, 4a, 4b)는 한 쌍의 빗형상 전극을 포함하는 것이 바람직하다. 각 IDT(4a, 4b)의 한쪽의 빗형상 전극이 공통 접속되어 있으며, 입력 단자 IN에 접속된다. IDT(4a, 4b)의 다른쪽의 빗형상 전극이 접지 전위에 접속된다.
또한, IDT(3)의 한쪽의 빗형상 전극이 접지 전위에 접속되어 있으며, 다른쪽의 빗형상 전극이 출력 단자 OUT에 접속된다.
IDT(3)의 출력측에는, SAW 필터(1)에 대하여 병렬로 1 단자형 SAW 공진자(2)가 접속된다. 특히, IDT(3)의 출력단이 SAW 공진자(2)의 IDT(6)의 제 1 빗형상 전극에 전기적으로 접속된다. 또한, IDT(6)의 제 2 빗형상 전극이 접지 전위에 접속된다.
SAW 공진자(2)에서는, IDT(6)의 표면파 전파 방향 양측에 반사기(7a, 7b)가 형성되는 것이 바람직하다.
SAW 필터(1)에 있어서는, IDT(4a, 4b)가 입력측 IDT이며, IDT(3)가 출력측 IDT이다. 그러나, 반대로 IDT(3)를 입력 단자에 접속해도 되고, IDT(4a, 4b)를 출력 단자에 접속해도 된다.
이하, 각 IDT(3, 4a, 4b)의 구성을 구체적인 예에 의거하여 설명하겠으나, 본 발명의 바람직한 실시형태는 이하의 구체적인 구성에 한정되는 것은 아니다.
SAW 필터(1)의 IDT(3)의 전극지의 쌍수가 36, IDT(4a, 4b)의 전극지의 쌍수가 22, 반사기(5a, 5b)의 전극지의 갯수가 100, IDT(3, 4a, 4b)의 전극지 교차폭이 약 60㎛이라고 가정한다. 이들 조건을 포함하는 SAW 필터(1)의 설계 조건은 소망의 필터 특성에 따라서 임의로 변경할 수 있다.
또한, SAW 공진자(2)의 IDT(6)의 전극지 교차폭이 약 80㎛이라고 가정하고, 전극지의 쌍수는 80, 즉 전극지의 갯수는 161이라고 가정한다.
SAW 공진자(2)의 반사기(7a, 7b)의 전극지의 갯수는 50이라고 가정한다. 반사기(7a, 7b)를 생략한 경우라도, IDT(6)의 전극지의 갯수가 161개로 많기 때문에, 내부 반사가 발생한다. 따라서, 공진점 및 반공진점에 있어서의 Q값의 저하는 큰 문제가 되지 않는다.
SAW 필터(1) 및 SAW 공진자(2)에 있어서의 IDT 및 반사기의 각각의 피치, 즉 전극지 폭 + 전극지간의 간격 폭은, 소망의 주파수에서 여진하는 탄성 표면파의 파장 λ의 약 1/2이 되도록 배열된다.
도 1에 나타낸 바와 같이, IDT(6)는 정규형 IDT가 아니다. 정규형 IDT에서는, 제 1 빗형상 전극에 접속된 전극지 및 제 2 빗형상 전극에 접속된 전극지가 표면파 전파 방향에 있어서 번갈아 배열된다. 다시 말하면, 순간적으로 정 전위에 접속되는 전극지(이하, 정 전극이라 함) 및 순간적으로 부 전위에 접속되는 전극지(이하, 부 전극이라 함)가 번갈아 배열된다.
그러나, IDT(6)에서는, 정 전극과 부 전극이 번갈아 배열되어 있지 않다. 이 IDT(6)에 있어서의 전극지의 배열의 규칙성을, 도 3d의 전극 배열 20J로서 나타낸다.
이하, 도 4a∼도 6c를 참조하여, 도 2 및 도 3에 나타낸 각 전극 배열의 표현 방법의 정의를 상세히 설명하겠다.
도 4a 및 도 4b는 각각 제 1 및 제 2 빗형상 전극(10a, 10b)을 갖는 IDT(10)의 평면도 및 상기 평면도의 A-A선을 따른 단면도이다.
IDT(10)에서는, 구동시에는 제 1 및 제 2 빗형상 전극(10a, 10b) 사이에 교류 전계가 인가된다. 그러나, 빗형상 전극(10a)이 정 전위에 접속되는 경우, 빗형상 전극(10b)은 부 전위에 접속된다. 따라서, 빗형상 전극(10a)의 전극지가 정 전극으로 작용하는 경우, 빗형상 전극(10b)의 전극지가 부 전극으로서 작용한다.
도 5는 도 4b와 마찬가지로 IDT의 전극지를 표면파 전파 방향을 따라서 절단한 경우의 단면도이다. 도 5와 같이, IDT 5A는 어느 순간에 있어서 정 전극(12a)과 부 전극(12b)이 표면파 전파 방향을 따라서 번갈아 배열되는 정규형 IDT이다. 이 경우, 압전 기판은 특성이 다른 인접하는 전극지 사이에 있어서의 전계에 따라서 여진된다. 이 때문에, IDT 5A에 파선으로 나타낸 바와 같이, IDT를 분할하고, 인접하는 파선 사이의 영역, 즉 피치(전극지 폭 + 전극지간 폭)를 1 유닛으로 간주한다. 인접하는 파선 사이에서 끼워진 1 유닛에 있어서 정 전극과 부 전극의 배열 방법으로서는, 도 5에 나타낸 바와 같이, 4개의 배열 모드 5B∼5E를 생각할 수 있다. 배열 5B에서는, 표면파 전파 방향을 화살표 X에 의하여 나타내는 경우, 표면파 전파 방향을 따라서 정 전극 및 부 전극이 배열된다. 여기서, 배열 5B를 "정-부"로 표현하도록 정의한다. 이와 같이 정의된 부호를 사용하면, 배열 5C는 "정-정"으로 표현된다. 마찬가지로, 배열 5D는 "부-부"로 표현된다. 게다가, 배열 5E는 "부-정"으로 표현된다.
정규형 IDT에서는, 인접하는 전극지는 "정-부"의 배열 5B 또는 "부-정"의 배열 5E로서 나타내어진다. 따라서, 파장 λ의 탄성 표면파를 여진할 수 있다. 이 정규형 IDT에 있어서의 1 유닛을, "정-부" 배열 또는 "부-정" 배열에 관계없이, 부호 "1"로 표현하도록 가정한다.
1 유닛이 "정-정" 배열(배열 5C) 또는 "부-부" 배열(배열 5A)인 경우, 인접하는 전극지는 동일한 전위를 가지므로, 인접하는 전극지 사이에 전계가 발생하지 않는다. 이 때의 유닛을 부호 "0"이라 가정한다.
또한, 정규형 IDT에 있어서, "정-부" 배열의 유닛을, "부-정" 배열로 치환하거나, 반대로 "부-정" 배열의 유닛을 "정-부" 배열로 치환한 경우, 즉 전극 반전을 실시한 경우에는, 인접하는 전극지간의 전계가 정규형 IDT에서와 등가의 전극지간의 전계와 반대의 벡터를 갖는다. 이 때의 유닛의 부호를 "-1"로 가정한다.
즉 상기 부호 "1"은 "여진"을 의미하며, 부호 "0"은 "무효"를 의미하며, 부호 "-1"은 "소거"를 의미한다.
상기 부호 "1", "0" 및 "-1"를 사용하여, 정 전극(12a) 및 부 전극(12b)의 배열을 코드화할 수 있다.
예를 들면, 각 전극지 배열 6A∼6C은 4쌍 주기 특성을 갖는 전극지 배열로부터 뽑아낸 1주기 배열을 나타낸다. 전극지 배열 6A는 정규형 IDT의 전극지 배열이다. 상기에 있어서, 정 전극(12a)과 부 전극(12b)이 번갈아 배열되어 있으므로, 모든 유닛의 부호는 "1"이며, 즉 모든 유닛의 전계가 탄성 표면파의 여진에 기여한다.
전극지 배열 6B는 4쌍 주기로 1쌍의 부 전극에 의하여 전극지 배열 6A에 대하여 위드드로얼이 실시되어 있는 상태에 있으며, 위드드로얼 위치에 있어서 더미 전극으로서 정 전극이 형성된다. 이 경우, 배열 6B에 나타낸 바와 같이, 1주기의 부호의 시퀀스는 "1, 1, 1, 1, 0, 0, 1, 1"이다. 즉 위드드로얼에 의하여, 여진에 기여하지 않는 "0"이 나타난다.
전극지 배열 6C에서는, 배열 6A의 4쌍 주기로 1쌍의 정 전극과 부 전극이 반전된다. 이 반전을 본 명세서에 있어서는 전극 반전이라 한다.
이 경우, 전극지 배열의 부호의 시퀀스는 "1, 1, 1, 0, -1, 0, 1, 1"이다. 상기 전극 반전에 의하여 여진이 캔슬되어, 부호 "-1"이 나타난다. 부호 "-1"이 나타나는 것은, 상기 전극 반전이 실시되어 있음을 입증한다.
상기와 같이, IDT에 있어서의 인접하는 전극지를 1유닛으로 하여 코드화함으로써, 1개의 IDT를 각 유닛으로 분해한 경우의 각 유닛의 부호의 합이, 그 IDT에 있어서 실제로 공진하는 유닛의 수(이하, 유효 유닛수라 함)를 나타낸다. 도 6의 각 전극지 배열을 예로 들어본다. 정규형 IDT의 전극지 배열 6A에서는, 1주기당의 부호의 합이 8이며, 유효 유닛수가 8이며, 즉 8개의 유닛 전부가 탄성 표면파의 여진에 기여한다. 전극지 배열 6B에서는, 한쌍의 전극지에 위드드로얼이 실시되어 있으며, 부호의 합은 6, 즉 유효 유닛수는 6이다. 전극지 배열 6C에서는, 한쌍의 전극지에 대하여 전극 반전이 실시되어 있으며, 유효 유닛수는 4이다.
본 명세서에 있어서는, 상기와 같이, IDT의 총 유닛수에 대한 유효 유닛수의 비율을 유효 전극율이라 정의한다. 이 유효 전극율에 의하여 표현하면, 전극지 배열 6A는 유효 전극율이 100%이며, 전극지 배열 6B는 유효 전극율이 75%이며, 전극지 배열 6C는 유효 전극율이 50%이다.
도 2a∼도 2f에 나타낸 전극지 배열 20A∼20F, 및 도 3a∼도 3f에 나타낸 전극지 배열 20G∼20L에 있어서는, 상기 코드화에 따라서 산출되는 유효 전극율을 나타낸다. 도 2 및 도 3에서는, 해칭선을 반대방향으로 하여 정 전극(12a)과 부 전극(12b)을 구별하여 나타낸다(도 2a 참조).
도 1로 돌아가, 복합 SAW 필터에 있어서의 IDT(6)의 전극지 배열은 도 3d에 나타낸 전극지 배열 20J에 상당하며, 유효 전극율은 약 25%이다.
상기 코드화의 설명에 있어서는, 정 전극과 부 전극의 랜덤 시퀀션(random-sequential) 배열을 정량적으로 취급하고, 또한 본원 발명의 바람직한 실시형태를 명확히 하기 위하여 근사(approximation)를 행하고 있다. 특히, 부호 "0"의 유닛에 있어서도 인접하는 전극지 사이에 몇개의 전계가 발생하고, 몇개는 탄성 표면파의 여진에 기여한다. 한편 부호 "-1"의 유닛에 있어서의 인접하는 전극지에 있어서도, 단순히 여진을 완전히 상쇄하는 것은 아니며, 복잡한 전계 분포가 발생한다. 따라서, 동일한 유효 전극율을 갖는 전극지 배열이더라도, 위드드로얼 및 전극 반전의 적용에 따라서 IDT의 특성은 다르게 된다. 그러나, 본 발명의 바람직한 실시형태의 구성을 명확히 하고, 또한 본 발명의 바람직한 실시형태의 구성으로부터 얻어질 수 있는 효과를 설명함에 있어서, 상기 근사는 효과적이라고 생각된다.
이하, IDT에 상술한 위드드로얼 및 전극 반전을 실시함으로써, 유효 전극율을 저하시킨 경우의 작용효과를 설명하겠다.
상술한 바와 같이, 도 2a∼도 2f 및 도 3a∼도 3f는 IDT에 있어서의 여러가지 전극지 배열을 나타낸 도이다. 전극지 배열 20A은 정규형 IDT에 있어서의 전극지 배열이며, 유효 전극율은 100%이다. 도 2b의 전극지 배열 20B에서는, 위드드로얼이 실시되어 있으며, 이에 따라서 유효 전극율이 약 75%로 감소한다. 전극지 배열 20C에서는, 전극 반전이 실시되어, 유효 전극율이 약 75%로 감소한다. 마찬가지로, 전극지 배열 20D, 20F, 20G, 20I 및 20K에서는, 위드드로얼이 실시되어 각 유효 전극율이 감소한다. 한편, 전극지 배열 20E, 20H, 20J, 20L에서는, 전극 반전이 실시되어, 각 유효 전극율이 감소한다.
도 7 및 도 8은 실제로 상기 전극지 배열을 갖는 IDT를 포함하는 각 SAW 공진자의 임피던스 특성을 나타낸 도이다. 도 7 및 도 8에 있어서, 도 2 및 도 3과의 비교를 용이하게 하기 위하여, 전극지 배열 20A∼20L을 갖는 IDT의 특성을, 각각 20A∼20L의 부호를 붙여서 나타낸다.
도 7 및 도 8에 나타낸 각 임피던스 특성에서는, 모든 전극지 배열에 있어서 IDT의 전극지의 쌍수는 80, 교차폭은 약 80㎛인 것이 바람직하다.
도 7 및 도 8로부터 확실한 바와 같이, 위드드로얼을 실시한 경우 및 전극 반전을 실시한 경우의 어느 경우에 있어서도, 유효 전극율의 감소에 따라서 반공진 주파수가 저하하지만, 공진 주파수는 변화하지 않는다. 즉 공진 주파수를 변화시키지 않고 유효 전극율을 감소시킴으로써, 공진 주파수와 반공진 주파수간의 주파수 간격을 좁게 할 수 있다. 따라서, 위드드로얼 또는 전극 반전을 실시함으로써 유효 전극율을 조정하면, 공진 주파수와 반공진 주파수간의 주파수 간격을, 공진 주파수를 변화시키지 않고 조정할 수 있다.
상기 유효 전극율에 대하여 플로팅한 결과, 도 9는 정규형 IDT에 있어서의 공진 주파수 및 반공진 주파수간의 주파수 간격에 대한 도 7 및 도 8에 나타낸 각 임피던스 특성의 공진 주파수 및 반공진 주파수간의 주파수 간격의 비율을 나타낸다. 도 9로부터 확실한 바와 같이, 위드드로얼보다도 전극 반전을 사용하는 것이, 공진 주파수 및 반공진 주파수간의 주파수 간격을 더욱 효과적으로 좁게 할 수 있다.
도 10은 도 7 및 도 8에 나타낸 각 임피던스 특성의 반공진점에 있어서의 임피던스와 유효 전극율간의 관계를 나타낸다. 도 10으로부터 확실한 바와 같이, 위드드로얼을 실시한 경우에는, 반공진점에 있어서의 임피던스는 거의 변하지 않지만, 전극 반전을 실시한 경우에는 유효 전극율의 감소에 비례하여 반공진점에 있어서의 임피던스가 크게 저하한다.
도 11은 도 7 및 도 8의 각 임피던스 특성의 공진점에 있어서의 임피던스와 유효 전극율간의 관계를 나타낸 도이다. 도 11로부터 확실한 바와 같이, 공진점에 있어서의 임피던스는, 위드드로얼 및 전극 반전의 양자의 경우에 동일하며, 유효 전극율의 감소에 반비례하여 공진점에 있어서의 임피던스가 증가한다.
도 7에 나타낸 전극지 배열 20B, 20D, 20F, 20K의 각 임피던스 특성은, 도 2 및 도 3으로부터 확실한 바와 같이, 정 전극에 대하여 위드드로얼을 실시하고, 위드드로얼 위치에 더미 전극으로서 부 전극이 형성되어 있는 배열을 나타낸다. 즉 부호 "0"의 모든 유닛은 "부-부" 상태로 배열된다.
전극지 배열 20G에 있어서의 위드드로얼에서는, 부호 "0"의 유닛은 "부-부"유닛 및 "정-정" 유닛 양자를 포함한다. 즉 전극지 배열 20G의 유효 전극율은 전극지 배열 20F과 동일한 약 33%이고, 유닛의 부호도 마찬가지로 "1" 및 "0"의 조합으로 구성되어 있지만, 부호 "0"의 유닛의 내용은 다르다.
상기 전극지 배열 20G의 임피던스 특성에서는, 전극지 배열 20F의 경우보다 공진 주파수 및 반공진 주파수간의 주파수 간격이 좁아지며, 반공진점에 있어서의 임피던스가 저하한다. 따라서, 전극지 배열 20G의 특성은 전극 반전에 의하여 유효 전극율이 약 33%로 되어 있는 전극지 배열 20H의 특성과 유사하다. 이와 같이, 위드드로얼만을 이용하여 동일한 유효 전극율을 얻은 경우라도, 유닛의 부호의 배열에 따라서 특성은 변화가능하다.
그러나, 상술한 예에서도 설명한 바와 같이, 이와 같은 변화는 대단한 것은 아니며, 본 발명의 바람직한 실시형태에 있어서의 공진 주파수 및 반공진 주파수간의 주파수 간격을 좁게 하는 작용은 실질적으로 변함없다.
지금까지의 설명에서는, 이해를 용이하게 하기 위하여, IDT에 있어서의 정 전극과 부 전극의 전극지 배열로서는, 도 2a∼도 2f 및 도 3a∼도 3f에 나타낸 바와 같이, 위드드로얼 또는 전극 반전에 관하여 주기적인 규칙성을 갖는 배열을 사용하였다. 그러나, 유효 전극율의 감소에 따라서 공진 주파수 및 반공진 주파수간의 주파수 간격을 좁게 하는 작용은, 위드드로얼 또는 전극 반전에만 한정되지 않는다. 또한, 상기 배열은 주기적인 규칙성을 갖는 것에 한정되지 않는다. 예를 들면, 위드드로얼 및 전극 반전 양자가 임의로 포함될 수 있다. 이 때의 특성은 도 9에 나타낸 위드드로얼이 실시된 전극지 배열의 특성 및 전극 반전이 실시된 전극지 배열의 특성간의 중간 특성이 된다.
게다가, 정 전극과 부 전극의 배열은 반드시 주기적일 필요는 없다. 공진 주파수 및 반공진 주파수간의 주파수 간격은 항상 총 유닛수에 있어서의 유효 유닛수, 즉 유효 전극율에 의존한다. 예를 들면, IDT에 있어서의 전극지 배열의 부호의 시퀀스가, "1, 1, 0, -1, -1, 0, 1, 1, 1, 0, 0, 1, 0, 0, 1, 0, -1, -1, 0……"으로 아주 불규칙하게 배열되어 있는 경우라도, 공진 주파수 및 반공진 주파수간의 주파수 간격은 상기 유효 전극율에 거의 비례하여 좁아진다.
또한, 완전히 다른 전극지 배열을 1개의 IDT내에 조합하여도 문제는 없다. 예를 들면, IDT의 대략 중앙부의 전극지 배열을 전극지 배열 20B(유효 전극율 약 75%)로서 배열하고, 그 외측 IDT 부분을 전극지 배열 20H(유효 전극율 약 33%)로서 배열한 경우라도, 공진 주파수 및 반공진 주파수간의 주파수 간격은 전체적으로 유효 전극율에 비례하여 좁아진다.
도 12는 IDT의 대략 중앙부의 전극지 배열을 상기 전극지 배열 20G(도 3a; 유효 전극율 약 33%)로서 배열하고, 그 외측 IDT 부분을 정규형 IDT(유효 전극율 약 100%)의 전극지 배열로서 배열한 경우, 공진 주파수 및 반공진 주파수간의 주파수 간격과 전극지 배열 20G가 형성되어 있는 영역의 비율간의 관계를 나타낸 그래프이다. 전극지 배열 20G가 형성되어 있는 영역의 비율이란, 전체 IDT에 있어서의 전극지 배열 20G에 따라서 구성되어 있는 영역의 비율을 말하며, 가로축의 0%는 전체 부위가 정규형 IDT임을 나타내고, 100%는 전체 IDT가 전극지 배열 20G로 구성되어 있음을 나타낸다.
도 12로부터 확실한 바와 같이, 전극지 배열 20G의 비율에 따라서, 공진 주파수 및 반공진 주파수간의 주파수 간격이 변화한다. 특히 전극지 배열 20G의 비율이 커짐에 따라서, 주파수 간격이 좁아진다.
또한, 상기 설명에 있어서는, 위드드로얼이 실시되어 있는 경우, 위드드로얼 부위에 더미 전극으로서 위드드로얼된 전극지의 극성과 반대의 극성을 갖는 전극지가 형성된다. 만일, 단순히 위드드로얼된 전극지를 제거한 경우에는, 위드드로얼 위치에서 탄성 표면파의 음속이 변화하고, 탄성 표면파의 위상에 편차가 생긴다. 더미 전극은 이와 같은 위상의 편차에 따른 악영향을 방지하기 위하여 형성된 것이며, 이 방법은 이미 주지이다.
도 13a에 나타낸 바와 같이, 위드드로얼 위치에 더미 전극(18)을 형성하여도 된다. 또한, 도 13b에 나타낸 바와 같이, 더미 전극(18)을 형성하지 않고 위드드로얼 부위를 전극지가 존재하지 않는 상태로 해도 된다. 또한, 도 13c에 나타낸 바와 같이, 위드드로얼 부위를 메탈라이즈하여, 폭이 두꺼운 전극지(18A)를 형성하여도 된다. 상기와 같은 공진 주파수 및 반공진 주파수간의 주파수 간격을 좁히는 작용은, 위드드로얼시에 있어서의 더미 전극의 사용에 관계없이 얻어질 수 있다. 따라서 상술한 각종 위드드로얼 방법을 사용한 경우라도, 유효 전극율을 저하시킴으로써, 공진 주파수 및 반공진 주파수간의 주파수 간격을 크게 좁힐 수가 있다.
또한, 본 실시형태에서는 압전 기판(8)으로서 36도 Y-컷 X-전파 LiTaO3를 사용한다. 그러나, 다른 압전 기판을 사용하더라도, 상기와 마찬가지로 유효 전극율을 크게 저하시킬 수 있으며, 이에 따라서 공진 주파수 및 반공진 주파수간의 주파수 간격을 크게 좁힐 수가 있다.
이하, 본 발명의 제 1 바람직한 실시형태에 따른 복합 SAW 필터의 특성에 대하여 설명하겠다.
도 14에, 본 발명의 제 1 바람직한 실시형태에 따른 복합 SAW 필터의 주파수 특성을 실선으로 나타낸다. 비교를 위하여, 제 1 바람직한 실시형태에 포함된 SAW 필터(1) 단일체의 특성을 파선 Y1으로 나타낸다. 또한, 제 1 종래예로서 종래의 복합 SAW 필터의 특성(도 25에 나타낸 특성)을 파선 Y2로 나타낸다. 확대 스케일에 의한 도는, 세로축의 우측의 스케일에 의하여 확대한 것이다.
또한, 도 15에, SAW 공진자(2)의 임피던스-주파수 특성(실선), 및 도 25에 나타낸 제 1 종래예의 SAW 필터에서 사용되는 정규형 IDT를 갖는 SAW 공진자의 임피던스-주파수 특성(파선)을 나타낸다.
도 25에 나타낸 제 1 종래예의 SAW 필터에서는, 상술한 바와 같이, 통과 대역의 저역측 근방의 감쇠량을 크게 하기 위하여, 도 15에 파선으로 나타낸 특성을 갖는 SAW 공진자가 SAW 필터에 병렬로 전기적으로 접속된다. 이 경우, 도 14에 파선 Y2로 나타낸 필터 특성을 얻을 수 있다. 그러나, 상술한 바와 같이, 통과 대역의 저역측에 있어서의 감쇠량이 10dB인 위치로부터 저주파수측에서 감쇠량이 커지고 있지만, SAW 공진자의 공진 주파수에 있어서의 낮은 임피던스의 영향에 의하여 통과 대역의 저역측이 감소한다.
본 바람직한 실시형태의 복합 SAW 필터에서는, 도 15에 실선으로 나타낸 임피던스 특성을 갖는 SAW 공진자(2)가, SAW 필터(1)에 병렬로 접속된다. 이 경우, 통과 대역의 저역측 근방의 감쇠량은 종래의 SAW 필터와 유사하다. 즉 SAW 공진자(2)의 공진 주파수를 통과 대역의 저역측의 아주 근방에 맞춘다. 이에 따라서, 도 14에 실선으로 나타낸 바와 같이, 통과 대역의 저역측에 있어서의 감쇠량이, 통과 대역의 저역측에 있어서의 감쇠량이 약 10dB인 위치로부터 증가한다. 게다가, 본 바람직한 실시형태에서는, 제 1 종래예의 결점인, 통과 대역의 저역측의 감소가 개선된다. 또한, 본 바람직한 실시형태에서는 SAW 필터(1) 단일체의 특성에 가까운 통과 대역의 저역측의 특성이 얻어진다. 이것은 SAW 공진자(2)의 유효 전극율이 저하되어, 통과 대역의 저역측에 SAW 공진자의 반공진 주파수를 맞춤으로써, 통과 대역의 저역측의 주파수에 있어서의 SAW 공진자(2)의 임피던스가 대폭으로 증가하며, 이에 따라서 SAW 공진자(2)의 필터의 통과 대역의 저역측에 미치는 영향이 감소하기 때문이다.
도 14에 있어서, 통과 대역의 저역측의 샤프함을 감쇠량 레벨 약 3dB 및 약 20dB의 위치의 주파수 간격에서 판단한 경우, SAW 필터(1) 단일체에서는 약 3.3MHz이며, 종래의 SAW 필터에서는 3.6MHz인데 비하여, 본 바람직한 실시형태에서는 약 2.5MHz이며, 따라서 샤프함이 대폭 향상된다.
따라서, 유효 전극율을 저하시킬 수 있는 본 발명의 바람직한 실시형태에 따른 SAW 공진자를, 본 발명의 바람직한 실시형태에 따른 SAW 필터에 병렬로 전기적으로 접속함으로써, 종래의 SAW 필터에서는 불가능하였던 이점을 달성할 수 있다. 즉 통과 대역의 저역측의 아주 근방에서 높은 감쇠량을 얻을 수 있으며, 통과 대역에 있어서의 바람직한 삽입 손실을 얻을 수 있다. 이에 따라서, 통과 대역의 저역측에 있어서의 필터 특성의 샤프함을 효과적으로 증가시킬 수 있다.
제 1 바람직한 실시형태는 상술한 SAW 공진자(2)의 유효 전극율의 저하에 따른 SAW 공진자(2)의 공진 주파수 및 반공진 주파수간의 주파수 간격의 감소 효과를 이용한 것이다. 이 효과는 공진 주파수 및 반공진 주파수간의 주파수 간격이 정규형 IDT에 있어서의 공진 주파수 및 반공진 주파수간의 주파수 간격의 약 30%이하일 때에 특히 크다.
그러나, 공진 주파수 및 반공진 주파수간의 주파수 간격이 약 5%이하인 경우, 공진점과 반공진점의 임피던스의 차가 너무 작아진다. 이로 인해 통과 대역 근방에서 충분히 높은 감쇠량을 얻을 수 없으며, 통과 대역으로의 영향도 증가한다. 따라서, 제 1 바람직한 실시형태에 있어서는, SAW 공진자(2)의 공진 주파수 및 반공진 주파수간의 주파수 간격은, 정규형 IDT에 있어서의 공진 주파수 및 반공진 주파수간의 주파수 간격의 약 5%∼약 30%의 범위내가 되도록 조정하는 것이 바람직하다. 또한, 도 9로부터, 상기 공진 주파수 및 반공진 주파수간의 주파수 간격을 약 5%∼약30%의 범위내로 조정하기 위하여, 유효 전극율을 약 10%∼약 50%의 범위내가 되도록 조정해야 함을 알 수 있다.
(제 2 실시형태)
도 16은 본 발명의 제 2 바람직한 실시형태에 따른 복합 SAW 필터의 전극 구조를 나타낸 개략 구성도이다. 제 2 바람직한 실시형태에서는, 36도 Y-컷 X-전파 LiTaO3로 이루어지는 압전 기판(8)상에, SAW 필터(21) 및 SAW 공진자(22)의 전극 구조가 Al 재료를 사용하여 형성된다.
SAW 공진자(22)는 제 1 바람직한 실시형태에서 사용한 SAW 공진자(2)와 유사하게 구성되는 것이 바람직하다. SAW 공진자(22)는 IDT 및 반사기의 피치에 있어서 SAW 공진자(2)와 다르다.
SAW 필터(21)의 출력 단자에는 SAW 공진자(22)가 접속된다. 또한 본 바람직한 실시형태에 있어서는, SAW 필터(21)의 입력단과 출력단을 서로 바꾸어도 된다.
또한, 제 1 바람직한 실시형태와 마찬가지로, SAW 필터(21)의 설계 조건은, 소망하는 필터 특성을 얻을 수 있도록 임의로 변경할 수 있다.
SAW 공진자(22)의 IDT의 교차폭은 약 180㎛인 것이 바람직하며, SAW 공진자(2)보다 낮은 임피던스 특성을 갖도록 구성된다.
SAW 공진자(22)에 있어서의 IDT(23) 및 반사기(24a, 24b)의 각 피치(전극지폭+전극지간 간격)는 소망하는 주파수에서 여진되는 탄성 표면파의 파장 λ의 약 1/2가 되도록 배열된다.
또한, SAW 공진자(22)에서는, 제 1 바람직한 실시형태와 마찬가지로, 위드드로얼 또는 전극 반전에 의하여 IDT(23)의 유효 전극율이 저하된다.
도 17은 제 2 바람직한 실시형태에 따른 복합 SAW 필터의 주파수-진폭 특성(실선), SAW 필터(21) 단일체의 주파수-진폭 특성(파선 Y3) 및 도 26에 나타낸 특성을 갖는 제 2 종래예의 복합 SAW 필터의 주파수-진폭 특성(파선 Y4)을 나타낸다.
도 18에서는, 실선을 사용하여 제 2 바람직한 실시형태에 포함된 SAW 공진자(22)의 임피던스 특성을 나타내고, 파선을 사용하여 제 2 종래예에서 사용된 정규형 IDT를 포함하는 SAW 공진자의 임피던스 특성을 나타낸다.
도 17에 나타낸 바와 같이, 제 2 종래예의 복합 SAW 필터에서는, 통과 대역의 고역측 근방에 있어서의 감쇠량을 향상시키기 위하여, 도 18에 파선으로 나타낸 특성을 갖는 SAW 공진자가 SAW 필터에 전기적으로 직렬 접속된다. 이 경우, 도 17로부터 확실한 바와 같이, 913MHz 근방의 감쇠량이 증가한다. 그러나, 도 18에 파선으로 나타낸 특성을 갖는 SAW 공진자를 사용하고 있으므로, 상기 SAW 공진자에 있어서의 반공진 주파수의 높은 임피던스의 영향이 필터 특성을 갖는 통과 대역의 고역측에 미친다. 이에 따라서, 통과 대역의 고역측이 크게 감소한다.
제 2 바람직한 실시형태에 따른 복합 SAW 필터에서는, 상기 SAW 공진자(22)가 SAW 필터(12)에 전기적으로 직렬 접속된다. 통과 대역의 고역측의 아주 근방에 SAW 공진자(22)의 반공진 주파수를 맞춤으로써, 도 17에 실선으로 나타낸 바와 같이, 통과 대역의 고역측 근방의 감쇠량이, 제 2 종래예의 레벨에는 미치지 않지만, SAW 필터(21) 단일체의 특성에 비하여 통과 대역의 고역측에 있어서의 913MHz 근방에 있어서 크게 증가한다.
게다가, 제 2 바람직한 실시형태에서는, 통과 대역의 고역측의 감소가 개선된다. 즉 SAW 필터(21) 단일체의 특성에 가까운 필터 특성이 통과 대역의 고역측에서 유효하다. 이것은 유효 전극율이 낮은 SAW 공진자(22)의 공진 주파수를 필터 특성의 통과 대역의 고역측에 맞춤으로써, SAW 공진자(22)의 통과 대역 고역측의 주파수에 있어서의 임피던스가 대폭 저하되며, SAW 공진자(22)에 의한 필터 특성의 통과 대역의 고역측에 미치는 영향이 감소하기 때문이다.
이상과 같이, 본 발명의 여러가지 바람직한 실시형태에 따른 SAW 공진자를 본 발명의 바람직한 실시형태에 따른 SAW 필터에 직렬로 전기적으로 접속함으로써, 종래의 방법에서는 불가능하였던 많은 이점을 달성할 수 있다. 즉, 통과 대역의 고역측의 아주 근방에 있어서 높은 감쇠량을 얻을 수 있으며, 통과 대역에 있어서의 바람직한 삽입 손실을 얻을 수 있다. 이에 따라서, 통과 대역의 고역측에 있어서의 샤프함을 크게 증가시킬 수 있다.
제 2 바람직한 실시형태에 있어서, 제 1 바람직한 실시형태의 경우와 마찬가지로, 공진 주파수 및 반공진 주파수간의 주파수 간격은 정규형 IDT에 있어서의 공진 주파수 및 반공진 주파수간의 주파수 간격의 약 5%∼약 30%의 범위내가 되도록 조정하는 것이 바람직하다. 이것은 통과 대역 근방에 있어서 충분히 큰 감쇠량을 실현하고, 통과 대역으로의 악영향을 감소하는데 바람직하다. 따라서 SAW 공진자(22)의 유효 전극율은 약 10%∼약 50%의 범위내가 되도록 조정하는 것이 바람직하다.
(제 3 실시형태)
제 3 바람직한 실시형태에 따른 복합 SAW 필터는, SAW 공진자(2)의 전극지 배열, 전극지 교차폭 및 전극지 피치를 다르게 한 것을 제외하고는, 제 1 바람직한 실시형태의 SAW 필터와 유사하다. 따라서, 다른 점만을 설명하고, 유사한 점에 대해서는 제 1 바람직한 실시형태의 설명을 원용함으로써 생략한다. 이하, 제 3 바람직한 실시형태의 SAW 공진자를 SAW 공진자 Z라 한다.
SAW 공진자 Z는 도 2a에 나타낸 전극지 배열 20E(유효 전극율 50%)로 나타낸 전극지 배열을 갖는 것이 바람직하다. 또한, SAW 공진자 Z에 있어서의 전극지 교차폭은 약 60㎛이며, 피치는 탄성 표면파의 파장 λ의 1/2이다.
본 실시형태에 있어서, SAW 공진자 Z는 상기와 같이 유효 전극율이 약 50%로 낮게 되어 있으므로, 제 1 바람직한 실시형태의 SAW 공진자(2)와 마찬가지로, 저역측에 있어서의 감쇠량을 통과 대역에서보다 크도록 증가시킬 수 있으며, 삽입 손실을 크게 향상할 수 있다.
도 19에서는, 제 3 바람직한 실시형태에 따른 복합 SAW 필터의 주파수-진폭 특성을 실선으로 나타내고, SAW 필터(1) 단일체의 주파수-진폭 특성을 파선 Y5으로 나타낸다. 또한, 정규형 IDT로 이루어지는 종래의 SAW 공진자를 사용한 것을 제외하고는 제 1 바람직한 실시형태와 유사하게 구성된 제 3 종래예의 SAW 필터의 주파수-진폭 특성을 파선 Y6으로 나타낸다. 또한, 도 20은 제 3 바람직한 실시형태에서 사용한 SAW 공진자 Z의 임피던스 특성(실선) 및 제 3 종래예에 사용한 SAW 공진자의 임피던스 특성(파선)을 나타낸다.
도 19로부터 확실한 바와 같이, SAW 필터(1)의 단일체에서는, 약 884MHz∼약 887MHz의 주파수 대역에 스퓨리어스 성분이 존재한다. 제 3 바람직한 실시형태에서는, 이 주파수 대역에 있어서의 감쇠량 레벨이 향상된다.
도 19에 나타낸 바와 같이, 제 3 종래예에서는, 상기 주파수 대역의 감쇠량을 증가시키기 위하여, 도 20에 파선으로 나타낸 특성을 갖는 SAW 공진자가 SAW 필터(1)에 병렬로 전기적으로 접속된다. 따라서, 도 19에 나타낸 바와 같이, 소망의 주파수 대역에 있어서의 감쇠량은 향상하지만, 제 1 종래예와 마찬가지로, SAW 공진자의 공진 주파수의 저임피던스가 통과 대역의 저역측에 영향을 미치고, 이에 따라서 통과 대역의 저역측이 감소한다. 그러나, 제 3 실시형태에서는, 도 20에 나타낸 임피던스 특성을 갖는 SAW 공진자 Z가 SAW 필터(1)에 병렬로 전기적으로 접속된다. 따라서, 도 19에 나타낸 바와 같이, 제 3 종래예와 마찬가지의 큰 감쇠량인, 약 884MHz∼약 887MHz의 주파수 대역의 감쇠량을 얻을 수 있다.
게다가, 제 3 바람직한 실시형태에서는, 제 3 종래예의 복합 SAW 필터의 결점인, 통과 대역 저역측의 감소가 개선되며, SAW 필터(1) 단일체의 필터 특성에 가까운 필터 특성이 통과 대역의 저역측에서 얻어진다. 이것은 SAW 공진자 Z의 유효 전극율이 약 50%로 저하되어, 통과 대역의 저역측에 SAW 공진자 Z의 공진 주파수를 맞춤으로써, 통과 대역의 저역측의 주파수에 있어서의 SAW 공진자 Z의 임피던스가 대폭 증대되며, 이에 따라서 SAW 공진자 Z가 통과 대역의 저역측에 미치는 영향이 감소하기 때문이다.
따라서, 제 1 및 제 2 바람직한 실시형태에서 설명한 바와 같이, 통과 대역의 아주 근방의 영역에 있어서 큰 감쇠량 및 통과 대역의 양호한 삽입 손실을 실현할 수 있을 뿐만 아니라, 제 3 실시형태에서 설명한 바와 같이, 통과 대역으로부터 약간 떨어진 대역에 있어서의 감쇠량을 크게 하는 경우에도, 종래예에 비하여 더욱 바람직한 통과 대역내 특성을 확보할 수 있다.
큰 감쇠량을 얻고 싶은 주파수와 통과 대역의 주파수간의 주파수 간격이, 정규형 IDT에 있어서의 공진 주파수 및 반공진 주파수간의 주파수 간격의 약 75%보다 크다고 가정한다. 이 경우, 그 주파수 간격에 상당하는 공진 주파수 및 반공진 주파수간의 주파수 간격을 갖는 SAW 공진자 Z를 사용한 경우와, 정규형 IDT를 사용한 경우에서, 통과 대역에 미치는 영향의 차는 문제가 되지 않을 정도이기 때문에, 거의 개선되지 않는다. 따라서, 제 3 바람직한 실시형태는 공진 주파수 및 반공진 주파수간의 주파수 간격이 정규형 IDT에 있어서의 공진 주파수 및 반공진 주파수간의 주파수 간격의 약 75%이하일 때에 특히 매우 효과적이다.
또한, 감쇠량을 얻고 싶은 주파수와 통과 대역간의 주파수 간격이 정규형 IDT에 있어서의 공진 주파수 및 반공진 주파수간의 주파수 간격의 약 30%이하보다 작다고 가정한다. 이 경우, 통과 대역으로부터 약간 떨어진 대역에 있어서의 감쇠량을 크게 하는 효과보다도, 제 1 바람직한 실시형태와 같이 통과 대역 근방의 감쇠량을 크게 하는 효과가 크다. 제 1 바람직한 실시형태가 제 3 바람직한 실시형태에 포함된다고 생각하면, 제 3 실시형태에 있어서는 효과가 커서 바람직하다. 특히, SAW 공진자 Z의 공진 주파수 및 반공진 주파수간의 주파수 간격이 정규형 IDT의 경우의 공진 주파수 및 반공진 주파수간의 주파수 간격의 약 5%∼약 75%의 범위인 경우에, 바람직하다. 또한, 도 9로부터, 상기 공진 주파수 및 반공진 주파수간의 주파수 간격을 얻기 위하여 유효 전극율은 약 10%∼약 80%의 범위내에 있어야 함을 알 수 있다.
제 3 바람직한 실시형태에서는, SAW 공진자 Z가 SAW 필터(1)에 병렬로 접속되어, 저주파수측에 있어서의 감쇠량이 통과 대역에서보다 증가한다. 그러나, 제 2 바람직한 실시형태와 마찬가지로, SAW 공진자를 SAW 필터에 직렬 접속하여, 통과 대역으로부터 조금 떨어진 고주파수측에 있어서의 감쇠량을 증가시켜도 된다.
(제 3 실시형태의 변형)
제 3 실시형태의 SAW 공진자에 관하여, SAW 공진자 Z는 전극지의 쌍수가 80, 전극지의 갯수가 161, 교차폭이 약 80㎛인 IDT를 포함하며, 전극지 배열의 규칙성이 도 2e에 나타낸 전극지 배열 20E(유효 전극율 50%)인 것을 사용하였다. 그 외의 점에 대해서는, 제 3 바람직한 실시형태와 유사하게 하여 복합 SAW 필터를 구성하였다.
본 변형예에서 사용되는 SAW 공진자 Z의 전극지 배열에 관해서는, 전극 반전을 이용하여 유효 전극율이 약 50%로 되어 있는 상기 전극지 배열 20E(도 2e 참조)를 사용한다. 도 9에 따르면, 이 SAW 공진자 Z의 공진 주파수 및 반공진 주파수간의 주파수 간격은 정규형 IDT의 피치의 약 30%이다.
도 9로부터 알 수 있는 바와 같이, SAW 공진자 Z와 동일한 공진 주파수 및 반공진 주파수간의 주파수 간격을 위드드로얼을 실시하여 얻기 위해서는, 전극지 배열을 전극지 배열 20F가 되도록 배열해야 한다. 전극지 배열 20F의 유효 전극율은 약 33%이다.
다음으로, 도 10 및 도 11로부터 확실한 바와 같이, 전극지 배열 20E와 전극지 배열 20F에 있어서의 공진점 및 반공진점에 있어서의 임피던스를 비교하면, 전극지 배열 20F가 전극지 배열 20E보다 공진점 및 반공진점 양자에 있어서 더 높은 임피던스를 갖는다.
도 21에, SAW 공진자 Z의 임피던스 특성(전극지 배열 20E, 교차폭 80㎛)을 실선으로 나타내고, 상기 전극지 배열 20F를 갖는 IDT를 포함하는 SAW 공진자의 임피던스 특성을 파선으로 나타낸다.
상기 전극지 배열 20F를 갖는 IDT를 포함하는 SAW 공진자에 대해서는, 전극지의 쌍수는 80, 교차폭은 SAW 공진자 Z의 2배인 약 160㎛로 하였다. 이 교차폭의 차이는 상기 임피던스의 차를 보정하기 위함이다.
교차폭을 변화시키는 대신에, 전극지의 쌍수를 변화시켜서, 임피던스를 변화시켜도 된다. 예를 들면, 상기 전극지 배열 20F의 경우, 교차폭은 약 80㎛로 하고, 전극지의 쌍수를 160으로 하더라도, 거의 동일한 특성을 얻을 수 있다. 교차폭 및 전극지의 쌍수를 변화시키더라도, 공진 주파수 및 반공진 주파수간의 주파수 간격에 거의 영향을 미치지 않는다.
상기와 같이, 위드드로얼을 실시하여 전극지 배열 20F를 구성한 배열에 있어서, 전극 반전을 실시한 경우와 동일한 특성을 얻기 위해서는, SAW 공진자의 IDT 부분의 총 면적을 2배로 크게 해야한다. 환언하면, 유효 전극율을 감소하기 위하여 위드드로얼의 대신에 전극 반전을 이용하면, SAW 공진자의 IDT 부분의 면적을 절반까지 작게 할 수 있다. 이 효과는 모든 위드드로얼 전극을 전극 반전으로 변화시키지 않고, 단지 일부의 위드드로얼 전극을 전극 반전으로 변화시킴으로써 얻을 수 있다.
SAW 공진자의 크기는 압전 기판의 크기에 직접 영향을 미친다. 그리고, 압전 기판의 크기에 따라서, 압전 기판을 수용하는 패키지가 제한된다. 따라서, 압전 기판의 사이즈는 매우 중요하다. 약 0.1㎜ 큰 압전 기판을 수용하기 위해서는 준비한 패키지를 더 큰 패키지로 교환해야 하는 경우도 많다. 휴대 전화용의 대역 필터에수는, 특히 전자 부품의 소형화가 강력히 요구되고 있으며, 압전 기판의 사이즈의 축소는 중요한 과제이다. 따라서, 상기 변형예로부터 확실한 바와 같이, 전극 반전을 실시한 IDT 부분의 면적의 축소는, 상기 요구에 대응하는데 특히 효과적이다.
(제 4 실시형태)
도 22a 및 도 22b는 각각 본 발명의 제 4 바람직한 실시형태에 따른 래더형 회로 구성을 갖는 SAW 필터를 설명하여 사용된 회로도 및 SAW 공진자의 구성을 나타낸 모식적 평면도이다.
본 바람직한 실시형태에서는, 41도 Y-컷 X-전파 LiNbO3기판상에, 복수의 직렬암 SAW 공진자(52a∼52d) 및 복수의 병렬암 SAW 공진자(53a∼53c)가 Al 재료에 의하여 형성된다.
각 SAW 공진자(52a∼52d, 53a∼53c)는 본 발명의 바람직한 실시형태에 따른 1단자형 SAW 공진자로 이루어지는 것이 바람직하다. 도 22b에 나타낸 바와 같이, 1단자형 SAW 공진자는 IDT(55) 및 IDT(55)의 표면파 전파 방향 양측에 위치하는 반사기(56, 57)가 압전 기판(54)상에 배치되는 구조를 갖는다. 압전 기판(54)은 복수의 SAW 공진자(52a∼52d, 53a∼53c)에 의해 공유된다. 따라서, 본 바람직한 실시형태의 SAW 필터는 1장의 압전 기판상에 각 SAW 공진자의 전극 구조가 배치되는 단일 부품이다.
병렬 암 공진자(53a, 53c)의 IDT의 교차폭은 약 50㎛, 전극지의 쌍수는 105, 병렬 암 공진자(53b)의 교차폭은 약 57㎛, 전극지의 쌍수는 150인 것이 바람직하다.
각 직렬 암 공진자(52a∼52d)에 있어서는, 전극지 교차폭이 약 80㎛, 전극지의 쌍수가 125인 것이 바람직하며, 반사기에 있어서 전극지의 갯수가 80이다. 직렬 암 공진자(52a)에 관해서는, 도 2b에 나타낸 전극지 배열 20B(유효 전극율 약 75%)이 되도록 위드드로얼이 실시된다. 이 경우, IDT와 반사기간의 주파수 간격은 전극지간 피치에 의하여 정해지는 파장 λ의 0.5배(0.5λ)이다. IDT와 반사기간의 피치란, 인접하는 IDT의 전극지와 반사기의 반사 전극지간의 중심간 거리를 말한다.
본 바람직한 실시형태에서는, 직렬 암 공진자(52a)가 본 발명의 바람직한 실시형태에 따른 SAW 공진자를 사용하여 구성된다. 즉 직렬 암 공진자(52a)는 제 1 바람직한 실시형태의 SAW 공진자(2)와 마찬가지로, 유효 전극율이 낮아진 SAW 공진자이다.
도 23에, 본 발명의 바람직한 실시형태에 따른 래더형 회로 구성을 갖는 SAW 필터의 주파수-진폭 특성을 실선으로 나타낸다. 또한 비교를 위하여, 직렬 암 공진자(52a) 대신에, 통상의 정규형 SAW 공진자를 사용한 것을 제외하고는 유사하게 구성된 래더형 회로 구성을 갖는 SAW 필터의 특성을 파선으로 나타낸다. 또한, 도 24에, 본 바람직한 실시형태에 포함된 상기 직렬 암 공진자(52a)의 임피던스 특성을 실선으로 나타내고, 위드드로얼이 실시되지 않은 정규형 IDT를 포함하는 직렬 암 공진자(52b∼52d)의 임피던스 특성을 파선으로 나타낸다.
도 24로부터 확실한 바와 같이, 도 24에 나타낸 임피던스 특성을 갖는 SAW 공진자를 직렬 암 공진자(52a)로서 사용한 경우, 비교예에 비하여, 스루 레벨(through level)로부터 약 3dB에 있어서의 통과 대역의 대역폭은 거의 변화되어 있지 않다. 그러나, 통과 대역의 고역측 아주 근방에 있어서 샤프함이 증가된다. 이것은 약 910MHz∼약 930MHz 근방의 감쇠량은 비교예에서는 약 8dB인 반면, 본 바람직한 실시형태에서는 약 23dB까지 개선되어 있음을 나타낸다.
따라서, 본 바람직한 실시형태와 같이, 래더형 회로 구성을 갖는 SAW 필터에 있어서, 적어도 하나의 직렬 암 공진자로서, 본 발명의 바람직한 실시형태에 따른 유효 전극율이 작은 SAW 공진자를 사용함으로써, 래더형 회로 구성을 갖는 SAW 필터의 통과 대역의 고역측에 있어서의 필터 특성의 샤프함을 크게 증가시킬 수 있음을 알 수 있다.
본 바람직한 실시형태에서는, 제 1∼제 3 실시형태와는 달리, 유효 전극율이 약 95%이하일 때, 감쇠량을 개선할 수 있다. 또한, 유효 전극율이 낮아질수록, 통과 대역 아주 근방의 필터 특성의 샤프함을 높일 수가 있다. 본 바람직한 실시형태에서는, 제 1 바람직한 실시형태의 경우와 동일한 이유에 의하여, 유효 전극율의 하한은 약 10%인 것이 바람직하다.
본 바람직한 실시형태에서는, 본 발명의 다른 바람직한 실시형태에 따른 SAW 공진자를 직렬 암 공진자(52a)로 사용하였으나, 병렬 암 공진자로 사용함으로써, 통과 대역의 저역측 아주 근방의 필터 특성의 샤프함을 증가시킬 수 있다.
또한, 본 바람직한 실시형태에서는, 1개의 SAW 공진자만을 본 발명에 따른 SAW 공진자에 의해 구성하였으나, 직렬 암 공진자의 전부 또는 병렬 암 공진자의 전부를, 또는 직렬 암 공진자 및 병렬 암 공진자의 전부를, 본 발명의 바람직한 실시형태에 따른 SAW 공진자에 의해 구성하여도 된다.
즉 래더형 SAW 필터의 직렬 암 공진자 및/또는 병렬 암 공진자의 적어도 하나에, 본 발명의 소정의 바람직한 실시형태에 따른 SAW 공진자를 사용함으로써, 통과 대역 아주 근방에 있어서의 필터 특성의 샤프함을 증가시킬 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시형태에 대하여 개시하였으나, 여기에 개시된 원리를 실행하기 위한 여러가지 모드가 다음의 특허청구범위의 범위내에서 가능하다. 따라서, 본 발명의 범위는 특허청구범위에 의해서만 한정된다는 것을 알 것이다.
본 발명의 바람직한 실시형태에 따른 SAW 공진자에 따르면, 제 1 빗형상 전극이 정 전위에 접속되는 경우, 제 2 빗형상 전극이 부 전위에 접속되며, 상기 정 전위에 접속되는 전극지와 부 전위에 접속되는 전극지가 표면파 전파 방향으로 번갈아 배열되어 있는 영역에 있어서 적어도 1쌍 이상의 전극지에 있어서, 정 전위에 접속되는 전극지와 부 전위에 접속되는 전극지가 반전되어 있으며, 즉 전극 반전이 실시되어 있다. 따라서, 정규형 IDT에 비하여 유효 전극율이 저하되며, 이에 따라서 공진 주파수 및 반공진 주파수간의 주파수 간격이 좁혀진다. 따라서, 이 전극 반전의 양을 콘트롤함으로써, 공진 주파수 및 반공진 주파수간의 주파수 간격을 조정할 수 있다. 따라서, SAW 공진자를 SAW 필터에 직렬 트랩 또는 병렬 트랩으로서 접속함으로써, 통과 대역에 거의 영향을 주지 않고, 통과 대역 근방의 필터 특성의 샤프함을 크게 증가시킬 수 있다.
게다가, 본 발명의 바람직한 실시형태에 따른 SAW 공진자에서는, 위드드로얼이 아니라, 전극 반전을 이용하여 공진 주파수 및 반공진 주파수간 간격을 좁히고 있으므로, IDT 부분의 면적이 크게 감소한다.
본 발명의 다른 바람직한 실시형태에 따른 SAW 공진자에 있어서, 위드드로얼 웨이팅 또는 전극 반전이 실시되어 있으며, IDT의 유효 전극율이 약 10%∼약 80%의 범위내에 있다. 따라서, 앞 단락에서 설명한 바람직한 실시형태와 마찬가지로, 정규형 IDT를 사용한 경우에 비하여 공진 주파수 및 반공진 주파수간의 주파수 간격을 좁힐 수 있다. 따라서, 본 바람직한 실시형태에 따른 SAW 공진자를, SAW 필터에 대하여 직렬 트랩 또는 병렬 트랩으로서 사용함으로써, 통과 대역에 거의 영향을 주지 않고, 통과 대역 근방의 필터 특성의 샤프함을 크게 증가시킬 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시형태에 있어서, 공진 주파수 및 반공진 주파수간의 주파수 간격이, 정규형 IDT에 있어서의 공진 주파수 및 반공진 주파수간의 주파수 간격의 약 5%∼약 75%의 범위에 있도록 조정된 경우, 본 발명의 바람직한 실시형태에 따른 SAW 공진자를, SAW 필터의 직렬 트랩 또는 병렬 트랩으로서 사용함으로써, 한층 효과적으로 통과 대역 근방의 필터 특성의 샤프함을 증가시킬 수가 있으며, 또한 통과 대역으로부터 조금 떨어진 대역에 있어서의 감쇠량의 증대를 더욱 효과적으로 실현할 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시형태의 SAW 공진자에 있어서, IDT의 유효 전극율이 약 10%∼약 50%의 범위에 있는 경우, SAW 필터에 직렬 트랩 또는 병렬 트랩으로서 SAW 공진자를 접속함으로써, 통과 대역 근방에 있어서의 필터 특성의 샤프함을 더욱 효과적으로 증가시킬 수 있으며, 또한 통과 대역에 있어서의 바람직한 삽입 손실을 더욱 효과적으로 실현할 수가 있다.
본 발명의 바람직한 실시형태에 있어서, 공진 주파수 및 반공진 주파수간의 주파수 간격이, 정규형 IDT의 공진 주파수 및 반공진 주파수간의 주파수 간격의 약 5%∼약 30%의 범위내에 있도록 조정된 경우, 상기 유효 전극율을 약 10%∼약 50%의 범위에 있도록 조정할 수 있다. 따라서, SAW 필터의 직렬 트랩 또는 병렬 트랩으로서 본 발명의 바람직한 실시형태의 SAW 공진자를 사용함으로써, 통과 대역 근방의 필터 특성의 샤프함을 더욱 효과적으로 증가시킬 수 있으며, 또한 통과 대역에 있어서의 삽입 손실을 충분한 크기로 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 바람직한 실시형태에 따른 복합 SAW 필터에서는, SAW 필터의 입력단측 및 출력단측의 적어도 한쪽에, 상술한 바람직한 실시형태에 따른 SAW 공진자 중의 적어도 하나가 전기적으로 직렬 접속 및/또는 병렬로 접속되어 있으므로, 통과 대역 근방의 샤프함을 크게 증가시킬 수 있음과 아울러, 통과 대역에 있어서의 삽입 손실을 효과적으로 감소할 수 있다.
본 바람직한 실시형태의 SAW 필터에 있어서, SAW 공진자가 SAW 필터에 직렬 접속되어 있으며, 반공진 주파수가 SAW 필터의 통과 대역의 고역측 근방의 저지 대역의 주파수가 되도록 배열되어 있는 경우, 상기 SAW 공진자가 직렬 트랩으로서 기능하고, 이에 따라서 통과 대역의 고역측에 있어서 통과 대역 근방의 감쇠량을 크게 증가시킬 수 있으며, 또한 통과 대역의 바람직한 삽입 손실을 실현할 수 있다.
본 바람직한 실시형태의 복합 SAW 필터에 있어서, 상기 SAW 공진자가 SAW 필터에 병렬로 접속되어 있으며, 공진 주파수가 SAW 필터의 통과 대역의 저역측 근방의 저지 대역의 주파수가 되도록 배열되어 있는 경우, SAW 공진자가 병렬 트랩으로서 기능하고, 통과 대역의 저역측에 있어서 통과 대역 근방의 감쇠량을 크게 증가시킬 수 있음과 아울러, 통과 대역에 있어서의 삽입 손실의 감소를 도모할 수 있다.
본 발명의 다른 바람직한 실시형태에 따른 SAW 필터에서는, 복수의 SAW 공진자가 직렬 암 및 병렬 암에 배열되어 있으며, 적어도 하나의 SAW 공진자가 상술한 본 발명의 바람직한 실시형태에 따라서 구성되어 있다. 따라서, 통과 대역 근방에 있어서의 필터 특성의 샤프함을 크게 증가시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 바람직한 실시형태에 따른 SAW 필터에서는, 복수의 SAW 공진자가 직렬 암 및 병렬 암에 배열되어, 래더형 회로를 구성하며, 적어도 하나의 SAW 공진자에 있어서의 IDT의 유효 전극율이 약 10%∼약 95%의 범위에 있도록 조정된다. 따라서, 상술한 바람직한 실시형태와 마찬가지로, 통과 대역 근방에 있어서의 필터 특성의 샤프함을 크게 증가시킬 수 있다.

Claims (21)

  1. 압전 기판; 및
    상기 압전 기판상에 배치되며, 서로 맞물리는 복수의 전극지를 갖는 제 1 및 제 2 빗형상 전극을 포함하는 인터디지탈 트랜스듀서;를 포함하는 SAW 공진자로서,
    상기 제 1 빗형상 전극이 정 전위에 접속되는 경우, 제 2 빗형상 전극이 부 전위에 접속되고, 또한 상기 정 전위에 접속되는 상기 전극지 및 상기 부 전위에 접속되는 상기 전극지가 표면파 전파 방향으로 번갈아 배치되어 있는 영역에 있어서 적어도 한 쌍의 전극지에 있어서, 상기 정 전위에 접속되는 상기 전극지 및 상기 부 전위에 접속되는 상기 전극지가 반전되어 있는 것을 특징으로 하는 SAW 공진자.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 압전 기판은 36도 Y-컷 X-전파 LiTaO3로 이루어지는 것을 특징으로 하는 SAW 공진자.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 인터디지탈 트랜스듀서의 유효 전극율이 약 10%∼약 80%의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 SAW 공진자.
  4. 제 1항에 있어서, 공진 주파수 및 반공진 주파수간의 주파수 간격이 동일한 쌍수를 갖는 정규형 인터디지탈 트랜스듀서에 있어서의 공진 주파수 및 반공진 주파수간의 주파수 간격의 약 5%∼75%의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 SAW 공진자.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 인터디지탈 트랜스듀서의 유효 전극율이 약 10%∼ 50%의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 SAW 공진자.
  6. 제 1항에 있어서, 공진 주파수 및 반공진 주파수간의 주파수 간격이 동일한 쌍수를 갖는 정규형 인터디지탈 트랜스듀서에 있어서의 공진 주파수 및 반공진 주파수간의 주파수 간격의 약 5%∼약 30%의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 SAW 공진자.
  7. 제 1항에 있어서, 상기 인터디지탈 트랜스듀서의 표면파 전파 방향 외측에 배치되는 반사기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 SAW 공진자.
  8. 래더 회로를 구성하도록 직렬 암 및 병렬 암에 배치되는 청구항 1에 기재된 SAW 공진자를 복수개 더 포함하며, 적어도 하나의 SAW 공진자에 있어서의 인터디지탈 트랜스듀서의 유효 전극율이 약 10%∼약 95%의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 SAW 필터.
  9. 압전 기판; 및
    상기 압전 기판상에 배치되며, 서로 맞물리는 복수의 전극지를 갖는 제 1 및 제 2 빗형상 전극을 포함하는 인터디지탈 트랜스듀서;를 포함하는 SAW 공진자로서,
    상기 인터디지탈 트랜스듀서가 위드드로얼 웨이팅(withdrawal weighted) 또는 전극 반전(electrode-reversed)되어 있으며, 상기 인터디지탈 트랜스듀서의 유효 전극율이 약 10%∼약 80%의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 SAW 공진자.
  10. 제 9항에 있어서, 상기 압전 기판은 36도 Y-컷 X-전파 LiTaO3로 이루어지는 것을 특징으로 하는 SAW 공진자.
  11. 제 9항에 있어서, 상기 인터디지탈 트랜스듀서의 유효 전극율이 약 10%∼약 80%의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 SAW 공진자.
  12. 제 9항에 있어서, 공진 주파수 및 반공진 주파수간의 주파수 간격이 동일한 쌍수를 갖는 정규형 인터디지탈 트랜스듀서에 있어서의 공진 주파수 및 반공진 주파수간의 주파수 간격의 약 5%∼75%의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 SAW 공진자.
  13. 제 9항에 있어서, 상기 인터디지탈 트랜스듀서의 유효 전극율이 약 10%∼ 50%의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 SAW 공진자.
  14. 제 9항에 있어서, 공진 주파수 및 반공진 주파수간의 주파수 간격이 동일한 쌍수를 갖는 정규형 인터디지탈 트랜스듀서에 있어서의 공진 주파수 및 반공진 주파수간의 주파수 간격의 약 5%∼약 30%의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 SAW 공진자.
  15. 제 9항에 있어서, 상기 인터디지탈 트랜스듀서의 표면파 전파 방향 외측에 배치되는 반사기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 SAW 공진자.
  16. 래더 회로를 구성하도록 직렬 암 및 병렬 암에 배치되는 청구항 9에 기재된 SAW 공진자를 복수개 더 포함하며, 적어도 하나의 SAW 공진자에 있어서의 인터디지탈 트랜스듀서의 유효 전극율이 약 10%∼약 95%의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 SAW 필터.
  17. SAW 필터의 입력단측 및 출력단측 중의 적어도 하나에 의하여 상기 SAW 필터에 전기적으로 직렬 접속 및/또는 병렬로 접속되는 복수의 공진자를 포함하는 복합 SAW 필터로서,
    상기 복수의 공진자 중의 적어도 한 공진자는,
    압전 기판; 및
    상기 압전 기판상에 배치되며, 서로 맞물리는 복수의 전극지를 갖는 제 1 및 제 2 빗형상 전극을 포함하는 인터디지탈 트랜스듀서;를 포함하며,
    상기 제 1 빗형상 전극이 정 전위에 접속되는 경우, 제 2 빗형상 전극이 부 전위에 접속되고, 또한 상기 정 전위에 접속되는 상기 전극지 및 상기 부 전위에 접속되는 상기 전극지가 표면파 전파 방향으로 번갈아 배치되어 있는 영역에 있어서 적어도 한 쌍의 전극지에 있어서, 상기 정 전위에 접속되는 상기 전극지 및 상기 부 전위에 접속되는 상기 전극지가 반전되어 있는 것을 특징으로 하는 복합 SAW 필터.
  18. 제 17항에 있어서, 상기 SAW 공진자는 상기 SAW 필터에 직렬 접속되며, 상기 SAW 공진자의 반공진 주파수는 상기 SAW 필터의 통과 대역의 고역측 근방의 저지 대역에 있는 것을 특징으로 하는 복합 SAW 필터.
  19. 제 17항에 있어서, 상기 SAW 공진자는 상기 SAW 필터에 병렬로 접속되며, 상기 SAW 공진자의 공진 주파수는 상기 SAW 필터의 통과 대역 저역측 근방의 저지 대역에서 유효한 것을 특징으로 하는 복합 SAW 필터.
  20. 복수의 SAW 공진자가 직렬 암 및 병렬 암에 배치되는 래더형 회로 구성을 갖는 SAW 필터로서, 적어도 하나의 SAW 공진자가 청구항 1에 기재된 SAW 공진자를 포함하는 것을 특징으로 하는 SAW 필터.
  21. 복수의 SAW 공진자가 직렬 암 및 병렬 암에 배치되는 래더형 회로를 포함하는 SAW 필터로서, 적어도 하나의 SAW 공진자에 있어서의 인터디지탈 트랜스듀서의 유효 전극율이 약 10%∼약 95%의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 SAW 필터.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022145635A1 (ko) * 2020-12-30 2022-07-07 주식회사 와이팜 Saw 전송선 모델을 이용한 saw 공진기의 특성 정보 산출방법 및 이를 기록한 컴퓨팅 장치에 의해 판독 가능한 기록매체

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3824498B2 (ja) 2000-09-28 2006-09-20 富士通株式会社 弾性表面波フィルタ
JP2002185284A (ja) * 2000-12-15 2002-06-28 Sanyo Electric Co Ltd 弾性表面波フィルタ
JP2002280875A (ja) * 2001-03-21 2002-09-27 Toyo Commun Equip Co Ltd 弾性表面波フィルタ
JP4599758B2 (ja) * 2001-05-23 2010-12-15 エプソントヨコム株式会社 弾性表面波共振子及びラダー型弾性表面波フィルタ
JP2003289234A (ja) * 2002-01-28 2003-10-10 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波装置、通信装置
JP3846409B2 (ja) * 2002-02-15 2006-11-15 株式会社村田製作所 弾性表面波装置、通信装置
JP3928534B2 (ja) * 2002-02-28 2007-06-13 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ
JP3853252B2 (ja) * 2002-05-16 2006-12-06 富士通メディアデバイス株式会社 弾性表面波素子
JP2004128928A (ja) * 2002-10-03 2004-04-22 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波フィルタ装置、通信装置
JP2005045475A (ja) 2003-07-28 2005-02-17 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波装置、通信機
DE10352640B4 (de) * 2003-11-11 2014-02-13 Epcos Ag DMS-Filter
WO2007040052A1 (ja) * 2005-10-03 2007-04-12 Murata Manufacturing Co., Ltd. 弾性波フィルタ装置及びデュプレクサ
JP2011087282A (ja) * 2009-09-15 2011-04-28 Murata Mfg Co Ltd 弾性境界波フィルタ及びそれを備える分波器
JP6013829B2 (ja) * 2012-08-17 2016-10-25 太陽誘電株式会社 弾性波フィルタ、デュプレクサ及びモジュール
DE102014118000A1 (de) * 2014-12-05 2016-06-09 Epcos Ag Anordnung mit einem DMS Filter und steiler rechter Flanke
US10648868B2 (en) 2014-12-24 2020-05-12 Citizen Watch Co., Ltd. Surface acoustic wave device
WO2016184223A1 (zh) * 2015-05-20 2016-11-24 中国电子科技集团公司第二十六研究所 高带外抑制高频表面贴装声表面横波谐振滤波器
WO2017204346A1 (ja) * 2016-05-27 2017-11-30 株式会社村田製作所 高周波フィルタ回路、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置
WO2018199070A1 (ja) 2017-04-28 2018-11-01 株式会社村田製作所 弾性波装置、フィルタ及び複合フィルタ装置
US10700662B2 (en) * 2017-12-28 2020-06-30 Taiyo Yuden Co., Ltd. Acoustic wave device, filter, and multiplexer
FR3079101B1 (fr) 2018-03-16 2020-11-06 Frecnsys Structure de transducteur pour suppression de source dans les dispositifs de filtres a ondes acoustiques de surface
CN213846631U (zh) 2018-03-29 2021-07-30 株式会社村田制作所 弹性波谐振器及多工器
DE102019113282A1 (de) * 2019-05-20 2020-11-26 RF360 Europe GmbH Akustische Verzögerungskomponente
WO2021045031A1 (ja) * 2019-09-02 2021-03-11 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ
CN114342256A (zh) * 2019-09-18 2022-04-12 福瑞斯恩系统 声波器件的换能器结构

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61157112A (ja) 1984-12-28 1986-07-16 Toshiba Corp 弾性表面波共振子
US4616197A (en) 1985-12-05 1986-10-07 R. F. Monolithics, Inc. Resonator
DE3833101A1 (de) 1988-09-29 1990-04-05 Siemens Ag Wandler mit weglasswichtung fuer oberflaechenwellenfilter
JPH0645860A (ja) 1992-07-23 1994-02-18 Toyo Commun Equip Co Ltd １ポートｓａｗ共振子
JP3181158B2 (ja) 1993-10-28 2001-07-03 日本無線株式会社 複合弾性表面波フィルタおよび複合弾性表面波フィルタを用いた移動体通信機
JP3189508B2 (ja) * 1993-07-08 2001-07-16 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ
JP3139225B2 (ja) * 1993-07-08 2001-02-26 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ
GB2280807B (en) * 1993-08-04 1997-10-22 Advanced Saw Prod Sa Saw filter
JP3218855B2 (ja) 1994-05-11 2001-10-15 株式会社村田製作所 弾性表面波装置
JPH08265087A (ja) * 1995-03-22 1996-10-11 Mitsubishi Electric Corp 弾性表面波フィルタ
EP0746095B1 (en) * 1995-05-29 2007-02-14 SANYO ELECTRIC Co., Ltd. Surface acoustic wave filter
EP0757438B1 (en) * 1995-07-25 2001-08-16 Murata Manufacturing Co., Ltd. Surface acoustic wave device
SE508554C2 (sv) * 1996-07-10 1998-10-12 Kjell Lindskog Förfarande och anordning för destruktion av föremål
JP4031096B2 (ja) 1997-01-16 2008-01-09 株式会社東芝 弾性表面波フィルタ及び弾性表面波フィルタの構成方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022145635A1 (ko) * 2020-12-30 2022-07-07 주식회사 와이팜 Saw 전송선 모델을 이용한 saw 공진기의 특성 정보 산출방법 및 이를 기록한 컴퓨팅 장치에 의해 판독 가능한 기록매체

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Publication number Publication date
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