JPH0955640A - 弾性表面波フィルタ - Google Patents
弾性表面波フィルタInfo
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- JPH0955640A JPH0955640A JP7207105A JP20710595A JPH0955640A JP H0955640 A JPH0955640 A JP H0955640A JP 7207105 A JP7207105 A JP 7207105A JP 20710595 A JP20710595 A JP 20710595A JP H0955640 A JPH0955640 A JP H0955640A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
- H03H9/6433—Coupled resonator filters
- H03H9/6483—Ladder SAW filters
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 構成する共振子の数を増大させることなく、
通過帯域と阻止域との間における減衰特性の急峻性を高
め得る帯域通過型ＳＡＷフィルタを得る。 【解決手段】 入力端子ＩＮと出力端子ＯＵＴとの間に
直列共振子として第１の１ポート型ＳＡＷ共振子２４，
２６を接続し、並列共振子として第２の１ポート型ＳＡ
Ｗ共振子２３，２５，２７を接続してなる梯子型の回路
構成を有し、第２の１ポート型ＳＡＷ共振子２３，２
５，２７の反共振周波数が第１の１ポート型ＳＡＷ共振
子２４，２６の共振周波数と一致されており、かつ第２
の１ポート型ＳＡＷ共振子２３，２５，２７のＩＤＴ２
３ａ，２５ａ，２７ａと、反射器２３ｂ，２３ｃ〜２７
ｂ，２７ｃとの間の距離が、第２の１ポート型ＳＡＷ共
振子のスプリアス成分が、第２の１ポート型ＳＡＷ共振
子の共振周波数と、フィルタの通過帯域との間に発生す
るように設定されている、ＳＡＷフィルタ２１。
通過帯域と阻止域との間における減衰特性の急峻性を高
め得る帯域通過型ＳＡＷフィルタを得る。 【解決手段】 入力端子ＩＮと出力端子ＯＵＴとの間に
直列共振子として第１の１ポート型ＳＡＷ共振子２４，
２６を接続し、並列共振子として第２の１ポート型ＳＡ
Ｗ共振子２３，２５，２７を接続してなる梯子型の回路
構成を有し、第２の１ポート型ＳＡＷ共振子２３，２
５，２７の反共振周波数が第１の１ポート型ＳＡＷ共振
子２４，２６の共振周波数と一致されており、かつ第２
の１ポート型ＳＡＷ共振子２３，２５，２７のＩＤＴ２
３ａ，２５ａ，２７ａと、反射器２３ｂ，２３ｃ〜２７
ｂ，２７ｃとの間の距離が、第２の１ポート型ＳＡＷ共
振子のスプリアス成分が、第２の１ポート型ＳＡＷ共振
子の共振周波数と、フィルタの通過帯域との間に発生す
るように設定されている、ＳＡＷフィルタ２１。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数の弾性表面波
（以下、ＳＡＷ）共振子を用いて構成された帯域通過型
のＳＡＷフィルタに関し、特に、梯子型の回路構成を有
するＳＡＷフィルタに関する。
（以下、ＳＡＷ）共振子を用いて構成された帯域通過型
のＳＡＷフィルタに関し、特に、梯子型の回路構成を有
するＳＡＷフィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】帯域通過型フィルタとして、複数のＳＡ
Ｗ共振子を用いて梯子型の回路を構成してなるＳＡＷフ
ィルタが知られている（例えば、特公昭５６−１９７６
５号公報、特開平５−１８３３８０号公報など）。この
種のＳＡＷフィルタの一例を、図１を参照して説明す
る。
Ｗ共振子を用いて梯子型の回路を構成してなるＳＡＷフ
ィルタが知られている（例えば、特公昭５６−１９７６
５号公報、特開平５−１８３３８０号公報など）。この
種のＳＡＷフィルタの一例を、図１を参照して説明す
る。
【０００３】図１に示すＳＡＷフィルタ１では、矩形の
圧電基板２上に種々の電極を構成することにより複数の
ＳＡＷ共振子が構成されている。すなわち、入力端子Ｉ
Ｎと、出力端子ＯＵＴとの間に直列に接続されるよう
に、直列共振子として、１ポート型ＳＡＷ共振子３，４
が構成されている。また、入出力間と基準電位との間に
構成される２つの並列腕のそれぞれにおいて、並列共振
子として１ポート型ＳＡＷ共振子５，６が構成されてい
る。
圧電基板２上に種々の電極を構成することにより複数の
ＳＡＷ共振子が構成されている。すなわち、入力端子Ｉ
Ｎと、出力端子ＯＵＴとの間に直列に接続されるよう
に、直列共振子として、１ポート型ＳＡＷ共振子３，４
が構成されている。また、入出力間と基準電位との間に
構成される２つの並列腕のそれぞれにおいて、並列共振
子として１ポート型ＳＡＷ共振子５，６が構成されてい
る。
【０００４】１ポート型ＳＡＷ共振子３〜６は、それぞ
れ、インターデジタルトランスデューサ（以下、ＩＤ
Ｔ）３ａ〜６ａを有し、該ＩＤＴ３ａ〜６ａの表面波伝
搬方向両側に、グレーティング型の反射器３ｂ，３ｃ〜
６ｂ，６ｃを配置した構成を有する。
れ、インターデジタルトランスデューサ（以下、ＩＤ
Ｔ）３ａ〜６ａを有し、該ＩＤＴ３ａ〜６ａの表面波伝
搬方向両側に、グレーティング型の反射器３ｂ，３ｃ〜
６ｂ，６ｃを配置した構成を有する。
【０００５】ＩＤＴ３ａの一方のくし歯電極が、入力端
子ＩＮに接続され、他方のくし歯電極が、接続電極７に
より、ＩＤＴ５ａの一方のくし歯電極及びＩＤＴ４ａの
一方のくし歯電極に電気的に接続されている。また、Ｉ
ＤＴ４ａの他方のくし歯電極が、出力端子ＯＵＴに接続
されるとともに、該他方のくし歯電極は、ＩＤＴ６ａの
一方のくし歯電極に接続電極８により電気的に接続され
ている。
子ＩＮに接続され、他方のくし歯電極が、接続電極７に
より、ＩＤＴ５ａの一方のくし歯電極及びＩＤＴ４ａの
一方のくし歯電極に電気的に接続されている。また、Ｉ
ＤＴ４ａの他方のくし歯電極が、出力端子ＯＵＴに接続
されるとともに、該他方のくし歯電極は、ＩＤＴ６ａの
一方のくし歯電極に接続電極８により電気的に接続され
ている。
【０００６】他方、ＩＤＴ５ａ，６ａの一方のくし歯電
極はアース電位に接続されている。従って、表面波フィ
ルタ１では、入力端子ＩＮと出力端子ＯＵＴとの間に、
直列共振子として１ポート型ＳＡＷ共振子３，４が接続
されており、直列腕と基準電位との間に構成された２つ
の並列腕において、それぞれ、並列共振子５，６が接続
されている梯子型回路が構成されている。
極はアース電位に接続されている。従って、表面波フィ
ルタ１では、入力端子ＩＮと出力端子ＯＵＴとの間に、
直列共振子として１ポート型ＳＡＷ共振子３，４が接続
されており、直列腕と基準電位との間に構成された２つ
の並列腕において、それぞれ、並列共振子５，６が接続
されている梯子型回路が構成されている。
【０００７】なお、上記ＳＡＷ共振子３〜６は、接続電
極７，８とともに、圧電基板２上にアルミニウムなどの
金属材料を用いて構成されている。また、ＳＡＷフィル
タ１では、直列共振子であるＳＡＷ共振子３，４の共振
周波数が、並列共振子であるＳＡＷ共振子５，６の反共
振周波数と一致されており、それによって全体として帯
域通過型のフィルタ特性を得ることが可能とされてい
る。これを、図２及び図３を参照して説明する。
極７，８とともに、圧電基板２上にアルミニウムなどの
金属材料を用いて構成されている。また、ＳＡＷフィル
タ１では、直列共振子であるＳＡＷ共振子３，４の共振
周波数が、並列共振子であるＳＡＷ共振子５，６の反共
振周波数と一致されており、それによって全体として帯
域通過型のフィルタ特性を得ることが可能とされてい
る。これを、図２及び図３を参照して説明する。
【０００８】図２は、１ポート型ＳＡＷ共振子の電極構
造を模式的に示す平面図である。ＳＡＷ共振子９では、
中央にＩＤＴ１０が構成されている。ＩＤＴ１０は、一
対のくし歯電極１０ａ，１０ｂからなる。各くし歯電極
１０ａ，１０ｂは、互いに間挿し合う複数本の電極指を
有する。ＩＤＴ１０の表面波伝搬方向両側には、反射器
１１，１２が配置されている。反射器１１，１２は、表
面波伝搬方向と直交する方向に延びる複数本の電極指を
有し、該複数の電極指が、両端において共通接続されて
いる。
造を模式的に示す平面図である。ＳＡＷ共振子９では、
中央にＩＤＴ１０が構成されている。ＩＤＴ１０は、一
対のくし歯電極１０ａ，１０ｂからなる。各くし歯電極
１０ａ，１０ｂは、互いに間挿し合う複数本の電極指を
有する。ＩＤＴ１０の表面波伝搬方向両側には、反射器
１１，１２が配置されている。反射器１１，１２は、表
面波伝搬方向と直交する方向に延びる複数本の電極指を
有し、該複数の電極指が、両端において共通接続されて
いる。
【０００９】ＩＤＴ１０のくし歯電極１０ａとくし歯電
極１０ｂとの間に電圧が印加されると表面波が励振さ
れ、励振された表面波は、両側の反射器１１，１２間に
おいて閉じ込められることになる。従って、高Ｑ値を有
する共振子を実現することができる。
極１０ｂとの間に電圧が印加されると表面波が励振さ
れ、励振された表面波は、両側の反射器１１，１２間に
おいて閉じ込められることになる。従って、高Ｑ値を有
する共振子を実現することができる。
【００１０】上記ＳＡＷ共振子９は、図３（ａ）に示す
回路記号で示されるものであり、図３（ｂ）に示すイン
ピーダンス−周波数特性を有する。図３（ｂ）に示すよ
うに、共振周波数ｆｒ付近においてインピーダンスが低
くなり、反共振周波数ｆａにおいて非常に高くなる。従
って、ＳＡＷ共振子９を上述したＳＡＷ共振子３〜６の
ように梯子型に接続した回路構成では、直列共振子の共
振周波数と並列共振子の反共振周波数を一致させると、
その周波数付近において入出力インピーダンスを特性イ
ンピーダンスと整合することができ、それによって通過
帯域を構成することができる。
回路記号で示されるものであり、図３（ｂ）に示すイン
ピーダンス−周波数特性を有する。図３（ｂ）に示すよ
うに、共振周波数ｆｒ付近においてインピーダンスが低
くなり、反共振周波数ｆａにおいて非常に高くなる。従
って、ＳＡＷ共振子９を上述したＳＡＷ共振子３〜６の
ように梯子型に接続した回路構成では、直列共振子の共
振周波数と並列共振子の反共振周波数を一致させると、
その周波数付近において入出力インピーダンスを特性イ
ンピーダンスと整合することができ、それによって通過
帯域を構成することができる。
【００１１】また、ＳＡＷフィルタ１全体のインピーダ
ンス−周波数特性において、上記直列共振子の反共振周
波数付近においてはインピーダンスが非常に高くなり、
並列共振子の共振周波数付近ではインピーダンスが非常
に低くなるため、これらの周波数を極とする減衰域を形
成することができる。
ンス−周波数特性において、上記直列共振子の反共振周
波数付近においてはインピーダンスが非常に高くなり、
並列共振子の共振周波数付近ではインピーダンスが非常
に低くなるため、これらの周波数を極とする減衰域を形
成することができる。
【００１２】上記のような構成によれば、挿入損失が小
さく、かつ通過帯域近傍の阻止域における減衰量が比較
的大きな帯域通過型のフィルタ特性を得ることができ
る。
さく、かつ通過帯域近傍の阻止域における減衰量が比較
的大きな帯域通過型のフィルタ特性を得ることができ
る。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】上記ＳＡＷフィルタ１
では、通過帯域近傍の阻止域における減衰量が一応大き
くされている。しかしながら、近年、例えば、携帯電話
などの通信機器においては、電波利用効率を高めるため
に、送信周波数と受信周波数との間の間隔が非常に狭く
なってきている。従って、上記ＳＡＷフィルタ１では、
選択度が必ずしも十分ではなくなってきており、通過帯
域と阻止域との間におけるフィルタ特性がより急峻な帯
域通過型フィルタの登場が望まれている。
では、通過帯域近傍の阻止域における減衰量が一応大き
くされている。しかしながら、近年、例えば、携帯電話
などの通信機器においては、電波利用効率を高めるため
に、送信周波数と受信周波数との間の間隔が非常に狭く
なってきている。従って、上記ＳＡＷフィルタ１では、
選択度が必ずしも十分ではなくなってきており、通過帯
域と阻止域との間におけるフィルタ特性がより急峻な帯
域通過型フィルタの登場が望まれている。
【００１４】梯子型フィルタにおける送信周波数と受信
周波数との間におけるフィルタ特性（減衰特性）を急峻
にするには、圧電フィルタなどにおいて一般的に行われ
ているように、共振子の数を増加させ、全体の段数を増
大させる方法が考えられる。しかしながら、段数を増加
させた場合には、素子数の増加に伴い電極抵抗が増大
し、挿入損失の悪化をもたらす。また、圧電基板上にお
ける電極配置が複雑になるため、製造工程が煩雑化した
り、あるいは圧電基板のサイズが大きくなったりすると
いう問題もあった。従って、段数を増大させる方法にも
限界があり、段数を増大させることなく、通過帯域と阻
止域との境界における減衰特性をより急峻とすることが
求められていた。
周波数との間におけるフィルタ特性（減衰特性）を急峻
にするには、圧電フィルタなどにおいて一般的に行われ
ているように、共振子の数を増加させ、全体の段数を増
大させる方法が考えられる。しかしながら、段数を増加
させた場合には、素子数の増加に伴い電極抵抗が増大
し、挿入損失の悪化をもたらす。また、圧電基板上にお
ける電極配置が複雑になるため、製造工程が煩雑化した
り、あるいは圧電基板のサイズが大きくなったりすると
いう問題もあった。従って、段数を増大させる方法にも
限界があり、段数を増大させることなく、通過帯域と阻
止域との境界における減衰特性をより急峻とすることが
求められていた。
【００１５】本発明の目的は、ＳＡＷ共振子を用いた梯
子型フィルタにおいて、段数を増大させることなく、通
過帯域と阻止域との境界における減衰特性をより急峻と
し得るＳＡＷフィルタを提供することにある。
子型フィルタにおいて、段数を増大させることなく、通
過帯域と阻止域との境界における減衰特性をより急峻と
し得るＳＡＷフィルタを提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を達
成するために成されたものであり、入出力間が直列腕を
構成しており、直列腕と基準電位との間に少なくとも１
つの並列腕が構成されている梯子型回路構成を有するＳ
ＡＷフィルタに関するものである。本発明のＳＡＷフィ
ルタは、直列腕に、直列共振子として少なくとも１つの
第１の１ポート型ＳＡＷ共振子を、並列腕に、第２の１
ポート型ＳＡＷ共振子を接続した構成を有する。各１ポ
ート型ＳＡＷ共振子は、ＩＤＴと、ＩＤＴの両側に設け
られた反射器とを有する。直列共振子としては反射器を
用いず、ＩＤＴの対数を非常に多くした共振子を使用し
ても構わない。また、並列共振子、すなわち並列腕に接
続された第２の１ポート型ＳＡＷ共振子の反共振周波数
は、直列共振子、すなわち第１の１ポート型ＳＡＷ共振
子の共振周波数と実質的に一致されている。なお、「実
質的に一致されている」なる表現は、完全に一致されて
いる場合の他、両者が近接している場合をも含むものと
する。
成するために成されたものであり、入出力間が直列腕を
構成しており、直列腕と基準電位との間に少なくとも１
つの並列腕が構成されている梯子型回路構成を有するＳ
ＡＷフィルタに関するものである。本発明のＳＡＷフィ
ルタは、直列腕に、直列共振子として少なくとも１つの
第１の１ポート型ＳＡＷ共振子を、並列腕に、第２の１
ポート型ＳＡＷ共振子を接続した構成を有する。各１ポ
ート型ＳＡＷ共振子は、ＩＤＴと、ＩＤＴの両側に設け
られた反射器とを有する。直列共振子としては反射器を
用いず、ＩＤＴの対数を非常に多くした共振子を使用し
ても構わない。また、並列共振子、すなわち並列腕に接
続された第２の１ポート型ＳＡＷ共振子の反共振周波数
は、直列共振子、すなわち第１の１ポート型ＳＡＷ共振
子の共振周波数と実質的に一致されている。なお、「実
質的に一致されている」なる表現は、完全に一致されて
いる場合の他、両者が近接している場合をも含むものと
する。
【００１７】従って、本発明のＳＡＷフィルタにおいて
も、直列共振子及び並列共振子として、上記第１，第２
の１ポート型ＳＡＷ共振子を接続してなる梯子型の回路
構成を有するため、本発明のＳＡＷフィルタでは、前述
した従来のＳＡＷフィルタと同様に、直列共振子の反共
振周波数と、並列共振子の共振周波数とを減衰極とする
帯域通過型の特性が得られる。
も、直列共振子及び並列共振子として、上記第１，第２
の１ポート型ＳＡＷ共振子を接続してなる梯子型の回路
構成を有するため、本発明のＳＡＷフィルタでは、前述
した従来のＳＡＷフィルタと同様に、直列共振子の反共
振周波数と、並列共振子の共振周波数とを減衰極とする
帯域通過型の特性が得られる。
【００１８】すなわち、上記梯子型の回路構成におい
て、並列共振子としての第２の１ポート型ＳＡＷ共振子
のＩＤＴと反射器との間の距離は、通常、励振される表
面波の波長をλとしたとき、１／２λとされている。他
方、このＩＤＴと反射器との間の距離が、１／２λより
も大きくなったり、あるいは小さくなったりすると、第
２の１ポート型ＳＡＷ共振子の共振周波数と反共振周波
数との間において無視できないスプリアスが発生する。
従って、従来、このようなスプリアスの発生が好ましく
ないとして、ＩＤＴと反射器との間の距離は、１／２λ
に設定されていた。
て、並列共振子としての第２の１ポート型ＳＡＷ共振子
のＩＤＴと反射器との間の距離は、通常、励振される表
面波の波長をλとしたとき、１／２λとされている。他
方、このＩＤＴと反射器との間の距離が、１／２λより
も大きくなったり、あるいは小さくなったりすると、第
２の１ポート型ＳＡＷ共振子の共振周波数と反共振周波
数との間において無視できないスプリアスが発生する。
従って、従来、このようなスプリアスの発生が好ましく
ないとして、ＩＤＴと反射器との間の距離は、１／２λ
に設定されていた。
【００１９】これに対して、本願発明者は、上記スプリ
アス成分が発生する周波数位置が、ＩＤＴと反射器との
間の距離によって変動することに着目し、上記スプリア
ス成分を利用することにより、阻止域のうち通過帯域近
傍の周波数域の減衰量を増大させ得ることを見出し、本
発明を成すに至った。
アス成分が発生する周波数位置が、ＩＤＴと反射器との
間の距離によって変動することに着目し、上記スプリア
ス成分を利用することにより、阻止域のうち通過帯域近
傍の周波数域の減衰量を増大させ得ることを見出し、本
発明を成すに至った。
【００２０】すなわち、本願の第１の発明では、第２の
１ポート型ＳＡＷ共振子のＩＤＴと反射器との間の距離
が、上記スプリアス成分が第２の１ポート型ＳＡＷ共振
子の共振周波数と、ＳＡＷフィルタの通過帯域との間に
おいて発生するように定められている。従って、後述の
実施例から明らかなように、通過帯域よりも低周波数側
の阻止域内の通過帯域近傍の周波数域における減衰量が
大幅に改善されている。
１ポート型ＳＡＷ共振子のＩＤＴと反射器との間の距離
が、上記スプリアス成分が第２の１ポート型ＳＡＷ共振
子の共振周波数と、ＳＡＷフィルタの通過帯域との間に
おいて発生するように定められている。従って、後述の
実施例から明らかなように、通過帯域よりも低周波数側
の阻止域内の通過帯域近傍の周波数域における減衰量が
大幅に改善されている。
【００２１】上記のように、通過帯域よりも低周波数側
の阻止域において、通過帯域近傍の減衰量を増大させる
には、上記スプリアス成分が、適切な周波数位置に発生
する必要がある。このスプリアス成分の発生位置が高す
ぎると、通過帯域内にリップルが生じ、挿入損失が増大
する。また、スプリアス成分が発生する周波数が低すぎ
ると、ＳＡＷ共振子の共振特性に埋もれ、上記スプリア
ス成分の発生による効果が出ないことがある。
の阻止域において、通過帯域近傍の減衰量を増大させる
には、上記スプリアス成分が、適切な周波数位置に発生
する必要がある。このスプリアス成分の発生位置が高す
ぎると、通過帯域内にリップルが生じ、挿入損失が増大
する。また、スプリアス成分が発生する周波数が低すぎ
ると、ＳＡＷ共振子の共振特性に埋もれ、上記スプリア
ス成分の発生による効果が出ないことがある。
【００２２】従って、本願の第１の発明では、主共振の
インピーダンス変化よりも高い急峻性を利用するもので
あるため、並列共振子すなわち第２の１ポート型ＳＡＷ
共振子の共振周波数よりも高い周波数において上記スプ
リアス成分が発生する必要がある。また、挿入損失を悪
化させないためには、通過帯域よりも低い周波数に上記
スプリアス成分が発生しなければならない。よって、上
記のように、スプリアス成分が、第２の１ポート型ＳＡ
Ｗ共振子の共振周波数と、通過帯域との間に発生するよ
うにＩＤＴと反射器との間の距離が設定されることにな
る。
インピーダンス変化よりも高い急峻性を利用するもので
あるため、並列共振子すなわち第２の１ポート型ＳＡＷ
共振子の共振周波数よりも高い周波数において上記スプ
リアス成分が発生する必要がある。また、挿入損失を悪
化させないためには、通過帯域よりも低い周波数に上記
スプリアス成分が発生しなければならない。よって、上
記のように、スプリアス成分が、第２の１ポート型ＳＡ
Ｗ共振子の共振周波数と、通過帯域との間に発生するよ
うにＩＤＴと反射器との間の距離が設定されることにな
る。
【００２３】より具体的には、減衰量を改善する効果を
高めるために、第２の１ポート型ＳＡＷ共振子のＩＤＴ
の反射器に最も近い側の電極指と、反射器のＩＤＴに最
も近い側の電極指との中心間距離ｒが０．５λよりも小
さくされ、それによって通過帯域よりも低周波数側の阻
止域における通過帯域近傍の減衰量が確実に増大され
る。
高めるために、第２の１ポート型ＳＡＷ共振子のＩＤＴ
の反射器に最も近い側の電極指と、反射器のＩＤＴに最
も近い側の電極指との中心間距離ｒが０．５λよりも小
さくされ、それによって通過帯域よりも低周波数側の阻
止域における通過帯域近傍の減衰量が確実に増大され
る。
【００２４】また、本願の第２の発明では、第２の１ポ
ート型ＳＡＷ共振子において、共振周波数と反共振周波
数との間に発生するスプリアス成分が、第１の１ポート
型ＳＡＷ共振子の反共振周波数とＳＡＷフィルタの通過
帯域との間に発生するように、第２の１ポート型ＳＡＷ
共振子のＩＤＴの反射器との間の距離が設定されてい
る。
ート型ＳＡＷ共振子において、共振周波数と反共振周波
数との間に発生するスプリアス成分が、第１の１ポート
型ＳＡＷ共振子の反共振周波数とＳＡＷフィルタの通過
帯域との間に発生するように、第２の１ポート型ＳＡＷ
共振子のＩＤＴの反射器との間の距離が設定されてい
る。
【００２５】通過帯域よりも高周波数側の阻止域におけ
る減衰量は、直列共振子、すなわち第１の１ポート型Ｓ
ＡＷ共振子の反共振周波数を減衰極とすることによって
得られているが、上記第２の１ポート型ＳＡＷ共振子の
上記スプリアス成分を、第１の１ポート型ＳＡＷ共振子
の反共振特性では減衰させることができない周波数域に
おける減衰量を増加させるために用いられる。すなわ
ち、通過帯域よりも高周波数側の阻止域において、通過
帯域に極めて近い周波数域における減衰量を増加させる
ために、上記第２の１ポート型ＳＡＷ共振子において発
生するスプリアス成分が用いられている。
る減衰量は、直列共振子、すなわち第１の１ポート型Ｓ
ＡＷ共振子の反共振周波数を減衰極とすることによって
得られているが、上記第２の１ポート型ＳＡＷ共振子の
上記スプリアス成分を、第１の１ポート型ＳＡＷ共振子
の反共振特性では減衰させることができない周波数域に
おける減衰量を増加させるために用いられる。すなわ
ち、通過帯域よりも高周波数側の阻止域において、通過
帯域に極めて近い周波数域における減衰量を増加させる
ために、上記第２の１ポート型ＳＡＷ共振子において発
生するスプリアス成分が用いられている。
【００２６】第２の発明においても、上記スプリアス成
分が、通過帯域内に入ると、リップルが生じ、帯域内に
おける挿入損失が悪化することになる。従って、上記ス
プリアス成分は、直列共振子の反共振周波数よりも低
く、通過帯域よりも高い周波数に設定されることにな
る。
分が、通過帯域内に入ると、リップルが生じ、帯域内に
おける挿入損失が悪化することになる。従って、上記ス
プリアス成分は、直列共振子の反共振周波数よりも低
く、通過帯域よりも高い周波数に設定されることにな
る。
【００２７】よって、第２の発明においても、上記第２
の１ポート型ＳＡＷ共振子において、反射器とＩＤＴと
の間の距離を調整することにより、上記第２の１ポート
型ＳＡＷ共振子において発生するスプリアス成分が、第
１の１ポート型ＳＡＷ共振子き反共振周波数と通過帯域
との間に発生することになり、それによって、高周波数
側の阻止域における通過帯域近傍の減衰量を大幅に増大
させることが可能とされている。
の１ポート型ＳＡＷ共振子において、反射器とＩＤＴと
の間の距離を調整することにより、上記第２の１ポート
型ＳＡＷ共振子において発生するスプリアス成分が、第
１の１ポート型ＳＡＷ共振子き反共振周波数と通過帯域
との間に発生することになり、それによって、高周波数
側の阻止域における通過帯域近傍の減衰量を大幅に増大
させることが可能とされている。
【００２８】また、具体的には、第２の発明において
は、第２の１ポート型ＳＡＷ共振子のＩＤＴの反射器に
最も近い電極指と、反射器の該ＩＤＴに最も近い電極指
との間の中心間距離ｒは、０．５λよりも大きくされ、
それによって高域側の阻止域における通過帯域近傍の減
衰量を確実に増大させることができる。
は、第２の１ポート型ＳＡＷ共振子のＩＤＴの反射器に
最も近い電極指と、反射器の該ＩＤＴに最も近い電極指
との間の中心間距離ｒは、０．５λよりも大きくされ、
それによって高域側の阻止域における通過帯域近傍の減
衰量を確実に増大させることができる。
【００２９】なお、上記第１，第２の発明は、併用して
もよい。すなわち、第２の１ポート型ＳＡＷ共振子のＩ
ＤＴと反射器との間の距離は、第１の発明及び第２の発
明における上記各条件を満たすように構成することがで
き、その場合には、通過帯域の両側の阻止域の何れにお
いても、通過帯域近傍の減衰量を挿入損失を悪化させる
ことなく効果的に増大させることができる。
もよい。すなわち、第２の１ポート型ＳＡＷ共振子のＩ
ＤＴと反射器との間の距離は、第１の発明及び第２の発
明における上記各条件を満たすように構成することがで
き、その場合には、通過帯域の両側の阻止域の何れにお
いても、通過帯域近傍の減衰量を挿入損失を悪化させる
ことなく効果的に増大させることができる。
【００３０】さらに、本願の第１，第２の発明に係るＳ
ＡＷフィルタは、単一の表面波基板上に、各１ポート型
ＳＡＷ共振子を構成することにより、単一の部品として
構成することができる。もっとも、各１ポート型ＳＡＷ
共振子を、それぞれ別個の表面波基板を用いて別部品と
して構成し、これらを電気的に接続することにより本発
明のＳＡＷフィルタを構成してもよい。
ＡＷフィルタは、単一の表面波基板上に、各１ポート型
ＳＡＷ共振子を構成することにより、単一の部品として
構成することができる。もっとも、各１ポート型ＳＡＷ
共振子を、それぞれ別個の表面波基板を用いて別部品と
して構成し、これらを電気的に接続することにより本発
明のＳＡＷフィルタを構成してもよい。
【００３１】なお、上記表面波基板とは、圧電基板の
他、誘電体基板上に圧電薄膜を形成したものなど、従来
よりＳＡＷ装置に用いられている適宜の構造の表面波基
板を広く含むものとする。また、各１ポート型ＳＡＷ共
振子などの電極構造は、圧電基板を用いた場合は圧電基
板上に構成され、誘電体基板上に圧電薄膜を形成した構
造においては、圧電薄膜の上面に形成したものに限られ
ず、圧電薄膜の下面に形成されていてもよい。
他、誘電体基板上に圧電薄膜を形成したものなど、従来
よりＳＡＷ装置に用いられている適宜の構造の表面波基
板を広く含むものとする。また、各１ポート型ＳＡＷ共
振子などの電極構造は、圧電基板を用いた場合は圧電基
板上に構成され、誘電体基板上に圧電薄膜を形成した構
造においては、圧電薄膜の上面に形成したものに限られ
ず、圧電薄膜の下面に形成されていてもよい。
【００３２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
具体的な実施形態を説明する。第１の実施形態 図４は、本発明の第１の実施形態に係るＳＡＷフィルタ
を説明するための模式的平面図である。ＳＡＷフィルタ
２１は、矩形の表面波基板２２を用いて構成されてい
る。表面波基板２２は、本実施形態では、３６°回転Ｙ
カットのＬｉＴａＯ3 圧電板により構成されている。
具体的な実施形態を説明する。第１の実施形態 図４は、本発明の第１の実施形態に係るＳＡＷフィルタ
を説明するための模式的平面図である。ＳＡＷフィルタ
２１は、矩形の表面波基板２２を用いて構成されてい
る。表面波基板２２は、本実施形態では、３６°回転Ｙ
カットのＬｉＴａＯ3 圧電板により構成されている。
【００３３】表面波基板２２上には、１ポート型ＳＡＷ
共振子２３〜２７が構成されている。各１ポート型ＳＡ
Ｗ共振子２３〜２７は、中央にＩＤＴ２３ａ〜２７ａを
有し、それぞれ、ＩＤＴ２３ａ〜２７ａの両側に、複数
本の電極指を有するグレーティング型反射器２３ｂ，２
３ｃ〜２７ｂ，２７ｃを有する。
共振子２３〜２７が構成されている。各１ポート型ＳＡ
Ｗ共振子２３〜２７は、中央にＩＤＴ２３ａ〜２７ａを
有し、それぞれ、ＩＤＴ２３ａ〜２７ａの両側に、複数
本の電極指を有するグレーティング型反射器２３ｂ，２
３ｃ〜２７ｂ，２７ｃを有する。
【００３４】ＳＡＷフィルタ２１は、入力端子ＩＮ及び
出力端子ＯＵＴに接続される。入力端子ＩＮ及び出力端
子ＯＵＴの間が直列腕を構成しており、該直列腕に、Ｓ
ＡＷ共振子２４，２６が直列共振子として接続されてい
る。他方、上記直列腕と基準電位との間には、３つの並
列腕が構成されている。すなわち、ＳＡＷ共振子２３，
２５，２７が、それぞれ、直列腕と基準電位との間に接
続されて、並列共振子を構成している。
出力端子ＯＵＴに接続される。入力端子ＩＮ及び出力端
子ＯＵＴの間が直列腕を構成しており、該直列腕に、Ｓ
ＡＷ共振子２４，２６が直列共振子として接続されてい
る。他方、上記直列腕と基準電位との間には、３つの並
列腕が構成されている。すなわち、ＳＡＷ共振子２３，
２５，２７が、それぞれ、直列腕と基準電位との間に接
続されて、並列共振子を構成している。
【００３５】なお、ＳＡＷ共振子２３のＩＤＴ２３ａの
一方のくし歯電極は接続電極２８により、ＳＡＷ共振子
２４のＩＤＴ２４ａの一方のくし歯電極に接続されてい
る。また、接続電極２９は、ＩＤＴ２４ａの他方のくし
歯電極を、ＩＤＴ２５の一方のくし歯電極及びＩＤＴ２
６の一方のくし歯電極に接続している。また、接続電極
３０は、ＩＤＴ２６ａの他方のくし歯電極をＩＤＴ２７
の一方のくし歯電極２７ａに電気的に接続している。
一方のくし歯電極は接続電極２８により、ＳＡＷ共振子
２４のＩＤＴ２４ａの一方のくし歯電極に接続されてい
る。また、接続電極２９は、ＩＤＴ２４ａの他方のくし
歯電極を、ＩＤＴ２５の一方のくし歯電極及びＩＤＴ２
６の一方のくし歯電極に接続している。また、接続電極
３０は、ＩＤＴ２６ａの他方のくし歯電極をＩＤＴ２７
の一方のくし歯電極２７ａに電気的に接続している。
【００３６】また、ＩＤＴ２３ａ，２５ａ，２７ａのそ
れぞれ他方のくし歯電極は基準電位に接続されている。
従って、本実施形態のＳＡＷフィルタ２１は、図７に示
す梯子型の回路構成を有する。
れぞれ他方のくし歯電極は基準電位に接続されている。
従って、本実施形態のＳＡＷフィルタ２１は、図７に示
す梯子型の回路構成を有する。
【００３７】上記各ＳＡＷ共振子２３〜２７及び接続電
極２８〜３０などの電極は、表面波基板２２上にアルミ
ニウムなどの金属材料を適宜の方法により付与すること
により形成することができる。例えば、アルミニウムを
全面に形成し、フォトリソグラフィ技術を用いて、図４
に示した電極構造を構成することができる。あるいは、
圧電基板２２上にマスクを用いてアルミニウムなどの導
電性材料を蒸着、スパッタリングなどの方法により付与
することによって形成することも可能である。
極２８〜３０などの電極は、表面波基板２２上にアルミ
ニウムなどの金属材料を適宜の方法により付与すること
により形成することができる。例えば、アルミニウムを
全面に形成し、フォトリソグラフィ技術を用いて、図４
に示した電極構造を構成することができる。あるいは、
圧電基板２２上にマスクを用いてアルミニウムなどの導
電性材料を蒸着、スパッタリングなどの方法により付与
することによって形成することも可能である。
【００３８】なお、図４では、各ＳＡＷ共振子２３〜２
７の電極構造、すなわち電極指の数や長さ等は略図的に
示している。具体的には、ＳＡＷ共振子２３〜２７は、
下記の表１に示すように構成されている。
７の電極構造、すなわち電極指の数や長さ等は略図的に
示している。具体的には、ＳＡＷ共振子２３〜２７は、
下記の表１に示すように構成されている。
【００３９】
【表１】
【００４０】また、ＳＡＷ共振子２３，２５，２７、す
なわち並列共振子の反共振周波数は、ＳＡＷ共振子２
４，２６の共振周波数と一致するように構成されてい
る。従って、図７に示す梯子型の回路構成を有するた
め、ＳＡＷフィルタ２１は帯域通過型のフィルタとして
動作する。
なわち並列共振子の反共振周波数は、ＳＡＷ共振子２
４，２６の共振周波数と一致するように構成されてい
る。従って、図７に示す梯子型の回路構成を有するた
め、ＳＡＷフィルタ２１は帯域通過型のフィルタとして
動作する。
【００４１】さらに、各ＳＡＷ共振子２３〜２７では、
ＩＤＴと、反射器との間の距離が表１に示すように設定
されている。すなわち、直列共振子としてのＳＡＷ共振
子２４，２６では、中央のＩＤＴ２４ａ，２６ａと、反
射器２４ｂ，２４ｃあるいは反射器２６ｂ，２６ｃとの
間の距離が０．５λであるのに対し、並列共振子である
ＳＡＷ共振子２３，２５，２７では、０．５λよりも小
さくされている。従って、ＳＡＷ共振子２３，２５，２
７において共振周波数と反共振周波数との間に発生する
スプリアスが、ＳＡＷ共振子２３，２５，２７の共振周
波数とＳＡＷフィルタ２１の通過帯域との間に設定され
ることになり、通過帯域よりも低周波数側の阻止域にお
ける通過帯域近傍の減衰量を大幅に改善することができ
る。これを、より具体的に説明する。
ＩＤＴと、反射器との間の距離が表１に示すように設定
されている。すなわち、直列共振子としてのＳＡＷ共振
子２４，２６では、中央のＩＤＴ２４ａ，２６ａと、反
射器２４ｂ，２４ｃあるいは反射器２６ｂ，２６ｃとの
間の距離が０．５λであるのに対し、並列共振子である
ＳＡＷ共振子２３，２５，２７では、０．５λよりも小
さくされている。従って、ＳＡＷ共振子２３，２５，２
７において共振周波数と反共振周波数との間に発生する
スプリアスが、ＳＡＷ共振子２３，２５，２７の共振周
波数とＳＡＷフィルタ２１の通過帯域との間に設定され
ることになり、通過帯域よりも低周波数側の阻止域にお
ける通過帯域近傍の減衰量を大幅に改善することができ
る。これを、より具体的に説明する。
【００４２】図５は、並列共振子として用いられるＳＡ
Ｗ共振子の一例を模式的に示す平面図である。ＳＡＷ共
振子３１は、中央に、ＩＤＴ３２を有する。ＩＤＴ３２
は、一対のくし歯電極３３，３４を有する。くし歯電極
３３，３４は、それぞれ、複数本の電極指３３ａ，３４
ａを有する。複数本の電極指３３ａと、複数本の電極指
３４ａとは、互いに間挿し合うように配置されている。
また、ＩＤＴ３２における電極指間ピッチは励振される
表面波の波長をλとしたときに、０．５λとされてい
る。
Ｗ共振子の一例を模式的に示す平面図である。ＳＡＷ共
振子３１は、中央に、ＩＤＴ３２を有する。ＩＤＴ３２
は、一対のくし歯電極３３，３４を有する。くし歯電極
３３，３４は、それぞれ、複数本の電極指３３ａ，３４
ａを有する。複数本の電極指３３ａと、複数本の電極指
３４ａとは、互いに間挿し合うように配置されている。
また、ＩＤＴ３２における電極指間ピッチは励振される
表面波の波長をλとしたときに、０．５λとされてい
る。
【００４３】他方、ＩＤＴ３２の両側には、反射器３
５，３６が配置されている。反射器３５，３６は、それ
ぞれ、複数本の電極指３５ａ，３６ａを有する。複数本
の電極指３５ａは、共通電極３５ｂ，３５ｃにより両端
が共通接続されている。同様に、複数本の電極指３６ａ
についても、共通電極３６ｂ，３６ｃにより両端が共通
接続されている。反射器３５，３６においても、電極指
ピッチは、０．５λとされている。
５，３６が配置されている。反射器３５，３６は、それ
ぞれ、複数本の電極指３５ａ，３６ａを有する。複数本
の電極指３５ａは、共通電極３５ｂ，３５ｃにより両端
が共通接続されている。同様に、複数本の電極指３６ａ
についても、共通電極３６ｂ，３６ｃにより両端が共通
接続されている。反射器３５，３６においても、電極指
ピッチは、０．５λとされている。
【００４４】ところで、上記ＳＡＷ共振子３１を並列共
振子として用いた場合、ＩＤＴ３２と反射器３５，３６
との間の距離が変動すると、ＳＡＷ共振子３１では、図
６に示すように共振周波数ｆｒと、反共振周波数ｆａと
の間に比較的大きなスプリアスＸが発生する。このスプ
リアスＸの発生周波数をｆｓとする。従来、ＩＤＴ３２
と、反射器３５，３６との間の距離ｒは、このようなス
プリアスＸを発生させないために、０．５λとされてい
た。なお、ここでいうＩＤＴと反射器との間の距離ｒと
は、反射器３５を例にとると、ＩＤＴ３３の電極指のう
ち、反射器３５に最も近い電極指３４ｍと、反射器３５
のＩＤＴ３２に最も近い電極指３５ｍとの中心間距離を
示す。この電極指間の中心間距離ｒを、０．５λとする
ようにして、ＩＤＴ３２と反射器３５との間の間隔を決
定すれば、上記スプリアスＸの発生を抑圧することがで
きるとされていた。
振子として用いた場合、ＩＤＴ３２と反射器３５，３６
との間の距離が変動すると、ＳＡＷ共振子３１では、図
６に示すように共振周波数ｆｒと、反共振周波数ｆａと
の間に比較的大きなスプリアスＸが発生する。このスプ
リアスＸの発生周波数をｆｓとする。従来、ＩＤＴ３２
と、反射器３５，３６との間の距離ｒは、このようなス
プリアスＸを発生させないために、０．５λとされてい
た。なお、ここでいうＩＤＴと反射器との間の距離ｒと
は、反射器３５を例にとると、ＩＤＴ３３の電極指のう
ち、反射器３５に最も近い電極指３４ｍと、反射器３５
のＩＤＴ３２に最も近い電極指３５ｍとの中心間距離を
示す。この電極指間の中心間距離ｒを、０．５λとする
ようにして、ＩＤＴ３２と反射器３５との間の間隔を決
定すれば、上記スプリアスＸの発生を抑圧することがで
きるとされていた。
【００４５】しかしながら、本願発明者は、あえて上記
スプリアスＸを利用することにより、阻止域における減
衰量を増大させ得るのではないかと考え、ＩＤＴ３２と
反射器３５との間の距離を、０．５λよりも小さい方向
に変動させ、スプリアスＸの発生する周波数ｆｓの変動
を確かめた。その結果、図８に示すように、ＩＤＴ３２
と、反射器３５との間の距離ｒを０．５λよりも小さく
していくほど、スプリアス発生周波数ｆｓが低下するこ
とがわかった。従って、上記距離ｒを調整することによ
り、任意の周波数にスプリアスＸを発生させることがで
きる。
スプリアスＸを利用することにより、阻止域における減
衰量を増大させ得るのではないかと考え、ＩＤＴ３２と
反射器３５との間の距離を、０．５λよりも小さい方向
に変動させ、スプリアスＸの発生する周波数ｆｓの変動
を確かめた。その結果、図８に示すように、ＩＤＴ３２
と、反射器３５との間の距離ｒを０．５λよりも小さく
していくほど、スプリアス発生周波数ｆｓが低下するこ
とがわかった。従って、上記距離ｒを調整することによ
り、任意の周波数にスプリアスＸを発生させることがで
きる。
【００４６】よって、上記スプリアスＸを減衰量の改善
に利用するには、所望とする周波数にスプリアスＸを発
生させる必要がある。すなわち、スプリアス発生周波数
ｆｓが高すぎると、通過帯域内にリップルが生じて、挿
入損失が悪化する。逆に、スプリアス発生周波数ｆｓが
低すぎると、ＳＡＷ共振子３１の共振特性に埋もれ、減
衰量改善効果が得られなくなる。
に利用するには、所望とする周波数にスプリアスＸを発
生させる必要がある。すなわち、スプリアス発生周波数
ｆｓが高すぎると、通過帯域内にリップルが生じて、挿
入損失が悪化する。逆に、スプリアス発生周波数ｆｓが
低すぎると、ＳＡＷ共振子３１の共振特性に埋もれ、減
衰量改善効果が得られなくなる。
【００４７】本実施形態のＳＡＷフィルタ２１では、主
共振のインピーダンス変化よりも高い急峻性を利用する
ものであるため、スプリアス発生周波数ｆｓは、並列共
振子の共振周波数よりも高い周波数に設定する必要があ
る。また、挿入損失を増大させないためには、通過帯域
よりも低い周波数に設定しなければならない。従って、
上記スプリアス発生周波数ｆｓは、並列共振子の共振周
波数と通過帯域との間に設定される。
共振のインピーダンス変化よりも高い急峻性を利用する
ものであるため、スプリアス発生周波数ｆｓは、並列共
振子の共振周波数よりも高い周波数に設定する必要があ
る。また、挿入損失を増大させないためには、通過帯域
よりも低い周波数に設定しなければならない。従って、
上記スプリアス発生周波数ｆｓは、並列共振子の共振周
波数と通過帯域との間に設定される。
【００４８】上記のような観点から、本実施形態のＳＡ
Ｗフィルタ２１では、並列共振子２３，２５，２７のＩ
ＤＴと反射器との間の距離ｒが、表１に示すように設定
されている。すなわち、ＳＡＷ共振子２３，２７では、
ＩＤＴと反射器との間の距離ｒが０．４６λ、ＳＡＷ共
振子２５では、０．４３λと、０．５λよりも小さくさ
れている。なお、直列共振子であるＳＡＷ共振子２４，
２６では、ＩＤＴと反射器との間の距離ｒは、０．５０
λとされている。
Ｗフィルタ２１では、並列共振子２３，２５，２７のＩ
ＤＴと反射器との間の距離ｒが、表１に示すように設定
されている。すなわち、ＳＡＷ共振子２３，２７では、
ＩＤＴと反射器との間の距離ｒが０．４６λ、ＳＡＷ共
振子２５では、０．４３λと、０．５λよりも小さくさ
れている。なお、直列共振子であるＳＡＷ共振子２４，
２６では、ＩＤＴと反射器との間の距離ｒは、０．５０
λとされている。
【００４９】上記のようにして構成された本実施形態の
ＳＡＷフィルタ２１のフィルタ特性を、図９に示す。ま
た、比較のために、ＳＡＷ共振子２３〜２７の何れにお
いても、ＩＤＴと反射器との間の距離を０．５０λとし
たことを除いては、上記実施形態のＳＡＷフィルタ２１
と同様にして構成されたＳＡＷフィルタのフィルタ特性
を図１０に示す。
ＳＡＷフィルタ２１のフィルタ特性を、図９に示す。ま
た、比較のために、ＳＡＷ共振子２３〜２７の何れにお
いても、ＩＤＴと反射器との間の距離を０．５０λとし
たことを除いては、上記実施形態のＳＡＷフィルタ２１
と同様にして構成されたＳＡＷフィルタのフィルタ特性
を図１０に示す。
【００５０】図９と、図１０の周波数特性を比較すれば
明らかなように、本実施形態では、通過帯域の低域側の
阻止域における通過帯域近傍の周波数位置における減衰
量を大きくすることができることがわかる。すなわち、
通過帯域（斜線のハッチングＡで示す領域）と、通過帯
域よりも低い周波数側の阻止域（斜線のハッチングＢで
示す領域）との境界におけるフィルタ特性の急峻性を効
果的に高め得ることがわかる。よって、選択度に優れた
帯域通過型フィルタを提供し得ることがわかる。
明らかなように、本実施形態では、通過帯域の低域側の
阻止域における通過帯域近傍の周波数位置における減衰
量を大きくすることができることがわかる。すなわち、
通過帯域（斜線のハッチングＡで示す領域）と、通過帯
域よりも低い周波数側の阻止域（斜線のハッチングＢで
示す領域）との境界におけるフィルタ特性の急峻性を効
果的に高め得ることがわかる。よって、選択度に優れた
帯域通過型フィルタを提供し得ることがわかる。
【００５１】第２の実施形態 図１１は、本発明の第２の実施形態に係るＳＡＷフィル
タ４１を示す模式的平面図である。ＳＡＷフィルタ４１
では、３６°回転ＹカットＬｉＴａＯ3 圧電板よりなる
表面波基板４２上に、５つの１ポート型ＳＡＷ共振子４
３〜４７が構成されている。また、表面波基板４２上に
は、接続電極４８，４９が形成されている。各１ポート
型ＳＡＷ共振子４３〜４７の電極構造自体は、ＩＤＴと
反射器との間の距離を除いては、第１の実施形態で説明
したＳＡＷ共振子２３〜２７と同様である。
タ４１を示す模式的平面図である。ＳＡＷフィルタ４１
では、３６°回転ＹカットＬｉＴａＯ3 圧電板よりなる
表面波基板４２上に、５つの１ポート型ＳＡＷ共振子４
３〜４７が構成されている。また、表面波基板４２上に
は、接続電極４８，４９が形成されている。各１ポート
型ＳＡＷ共振子４３〜４７の電極構造自体は、ＩＤＴと
反射器との間の距離を除いては、第１の実施形態で説明
したＳＡＷ共振子２３〜２７と同様である。
【００５２】本実施形態では、入力端子ＩＮと出力端子
ＯＵＴとの間に、直列共振子として、ＳＡＷ共振子４
３，４５，４７が接続されている。また、入出力間に構
成される直列腕と基準電位との間に、並列共振子とし
て、ＳＡＷ共振子４４，４６が接続されている。従っ
て、図１４に示すように、３個の直列共振子と２個の並
列共振子とを有する２．５段の梯子型回路が構成されて
いる。
ＯＵＴとの間に、直列共振子として、ＳＡＷ共振子４
３，４５，４７が接続されている。また、入出力間に構
成される直列腕と基準電位との間に、並列共振子とし
て、ＳＡＷ共振子４４，４６が接続されている。従っ
て、図１４に示すように、３個の直列共振子と２個の並
列共振子とを有する２．５段の梯子型回路が構成されて
いる。
【００５３】なお、ＳＡＷ共振子４４，４６の反共振周
波数は、ＳＡＷ共振子４３，４５，４７の共振周波数と
一致されている。本実施形態のＳＡＷフィルタ４１で
は、各ＳＡＷ共振子４３〜４７は、より具体的には、下
記の表２に示すように構成されている。
波数は、ＳＡＷ共振子４３，４５，４７の共振周波数と
一致されている。本実施形態のＳＡＷフィルタ４１で
は、各ＳＡＷ共振子４３〜４７は、より具体的には、下
記の表２に示すように構成されている。
【００５４】
【表２】
【００５５】すなわち、ＩＤＴは反射器との間の距離ｒ
は、直列共振子４３，４５，４７では、０．５λとされ
ているのに対し、並列共振子であるＳＡＷ共振子４４，
４６は上記距離ｒが０．６λと、０．５λよりも大きく
されている。
は、直列共振子４３，４５，４７では、０．５λとされ
ているのに対し、並列共振子であるＳＡＷ共振子４４，
４６は上記距離ｒが０．６λと、０．５λよりも大きく
されている。
【００５６】本実施形態では、上記のように並列共振子
であるＳＡＷ共振子４４，４６におけるＩＤＴと反射器
間の距離が０．６λと、０．５λよりも大きくなってい
るため、高域側の阻止域における通過帯域近傍の減衰量
を改善し得る。これを、図１２及び図１３を参照して説
明する。
であるＳＡＷ共振子４４，４６におけるＩＤＴと反射器
間の距離が０．６λと、０．５λよりも大きくなってい
るため、高域側の阻止域における通過帯域近傍の減衰量
を改善し得る。これを、図１２及び図１３を参照して説
明する。
【００５７】並列共振子５１では、中央にＩＤＴ５２が
配置されている。ＩＤＴ５２は、一対のくし歯電極５
３，５４を有する。くし歯電極５３，５４は、それぞ
れ、複数本の電極指５３ａ，５４ａを有する。また、Ｉ
ＤＴ５２における電極指間ピッチは０．５λとされてい
る。
配置されている。ＩＤＴ５２は、一対のくし歯電極５
３，５４を有する。くし歯電極５３，５４は、それぞ
れ、複数本の電極指５３ａ，５４ａを有する。また、Ｉ
ＤＴ５２における電極指間ピッチは０．５λとされてい
る。
【００５８】他方、ＩＤＴ５２の両側に、反射器５５，
５６が配置されている。反射器５５，５６は、それぞ
れ、複数本の電極指５５ａ，５６ａを有する。反射器５
５，５６においても、電極指間ピッチは、０．５λとさ
れている。
５６が配置されている。反射器５５，５６は、それぞ
れ、複数本の電極指５５ａ，５６ａを有する。反射器５
５，５６においても、電極指間ピッチは、０．５λとさ
れている。
【００５９】ＳＡＷ共振子５１において、くし歯電極５
３，５４に電圧を印加すると、表面波が励振され、励振
された表面波が、反射器５５，５６間で反射されて閉じ
込められる。
３，５４に電圧を印加すると、表面波が励振され、励振
された表面波が、反射器５５，５６間で反射されて閉じ
込められる。
【００６０】ところで、ＩＤＴ５２と、反射器５５との
間の距離ｒ、すなわちＩＤＴ５２の反射器５５に最も近
い側の電極指５４ｍの中心と、反射器５５のＩＤＴ５２
に最も近い側の電極指５５ｍの中心との間の距離ｒは、
通常、０．５λとされている。これは、この距離ｒが、
０．５ｒからずれると、所望でないスプリアスが発生す
るためである。特に、上記距離ｒが、０．５λよりも大
きい場合には、図１３に示すように、ＳＡＷ共振子５１
のインピーダンス−周波数特性において、反共振周波数
ｆａよりも高い周波数に、スプリアスＹが生じる。その
スプリアスＹの発生する周波数をｆｓとする。
間の距離ｒ、すなわちＩＤＴ５２の反射器５５に最も近
い側の電極指５４ｍの中心と、反射器５５のＩＤＴ５２
に最も近い側の電極指５５ｍの中心との間の距離ｒは、
通常、０．５λとされている。これは、この距離ｒが、
０．５ｒからずれると、所望でないスプリアスが発生す
るためである。特に、上記距離ｒが、０．５λよりも大
きい場合には、図１３に示すように、ＳＡＷ共振子５１
のインピーダンス−周波数特性において、反共振周波数
ｆａよりも高い周波数に、スプリアスＹが生じる。その
スプリアスＹの発生する周波数をｆｓとする。
【００６１】本実施形態では、上記スプリアスＹを利用
して、通過帯域よりも高周波数側の阻止域における通過
帯域近傍の減衰量の増大が図られている。すなわち、上
記スプリアスＹが発生する周波数ｆｓは、上記距離ｒを
変動させた場合、図１５に示すように変動することが本
願発明者により確かめられた。従って、上記距離ｒを
０．５λよりも大きくする場合、該距離ｒの値を調整す
ることにより周波数ｆｓを所望の周波数に設定し得るこ
とがわかる。
して、通過帯域よりも高周波数側の阻止域における通過
帯域近傍の減衰量の増大が図られている。すなわち、上
記スプリアスＹが発生する周波数ｆｓは、上記距離ｒを
変動させた場合、図１５に示すように変動することが本
願発明者により確かめられた。従って、上記距離ｒを
０．５λよりも大きくする場合、該距離ｒの値を調整す
ることにより周波数ｆｓを所望の周波数に設定し得るこ
とがわかる。
【００６２】他方、ＳＡＷフィルタ４１では、高域側の
阻止域における減衰量は直列共振子の反共振周波数を減
衰極とすることによって得られている。本実施形態で
は、この直列共振子の反共振周波数近傍における特性で
は、十分に減衰させることができない周波数域、すなわ
ち高域側の阻止域のうち通過帯域に極めて近い周波数に
おける減衰量を増加させるために、上記スプリアスＹが
用いられる。
阻止域における減衰量は直列共振子の反共振周波数を減
衰極とすることによって得られている。本実施形態で
は、この直列共振子の反共振周波数近傍における特性で
は、十分に減衰させることができない周波数域、すなわ
ち高域側の阻止域のうち通過帯域に極めて近い周波数に
おける減衰量を増加させるために、上記スプリアスＹが
用いられる。
【００６３】また、本実施形態においても、第１の実施
形態と同様に、上記スプリアスＹが通過帯域内に入ると
リップルが生じ、帯域内における挿入損失が増大する。
従って、上記スプリアスＹは直列共振子の反共振周波数
よりも低く、通過帯域よりも高い周波数に設定すること
が必要となっている。
形態と同様に、上記スプリアスＹが通過帯域内に入ると
リップルが生じ、帯域内における挿入損失が増大する。
従って、上記スプリアスＹは直列共振子の反共振周波数
よりも低く、通過帯域よりも高い周波数に設定すること
が必要となっている。
【００６４】また、このような周波数にスプリアスＹを
設定するには、並列共振子のＩＤＴと反射器との間の距
離ｒを、０．５λよりも大きくすればよいことが図１５
からわかっている。従って、ＳＡＷフィルタ４１では、
並列共振子である、ＳＡＷ共振子４４，４６のＩＤＴと
反射器との間の距離が０．６λとされている。
設定するには、並列共振子のＩＤＴと反射器との間の距
離ｒを、０．５λよりも大きくすればよいことが図１５
からわかっている。従って、ＳＡＷフィルタ４１では、
並列共振子である、ＳＡＷ共振子４４，４６のＩＤＴと
反射器との間の距離が０．６λとされている。
【００６５】第２の実施形態のＳＡＷフィルタ４１のフ
ィルタ特性を、図１６に示す。また、比較のために、並
列共振子４４，４６におけるＩＤＴと反射器との間の距
離を０．５λとしたことを除いては、上記表面波フィル
タ４１と同様にして構成されたＳＡＷフィルタのフィル
タ特性を図１７に示す。図１６及び図１７の比較から明
らかなように、本実施形態のＳＡＷフィルタ４１では、
高域側の阻止域（斜線のハッチングＣで示す領域）のう
ち、通過帯域（斜線のハッチングＡで示す領域）に極め
て近い周波数位置における減衰量が大幅に拡大されてい
ることがわかる。言い換えれば、通過帯域と高域側の阻
止域との間の境界における急峻性が効果的に高められて
いることがわかる。従って、選択度に優れ、かつ挿入損
失が小さい帯域通過型フィルタを実現し得ることがわか
る。
ィルタ特性を、図１６に示す。また、比較のために、並
列共振子４４，４６におけるＩＤＴと反射器との間の距
離を０．５λとしたことを除いては、上記表面波フィル
タ４１と同様にして構成されたＳＡＷフィルタのフィル
タ特性を図１７に示す。図１６及び図１７の比較から明
らかなように、本実施形態のＳＡＷフィルタ４１では、
高域側の阻止域（斜線のハッチングＣで示す領域）のう
ち、通過帯域（斜線のハッチングＡで示す領域）に極め
て近い周波数位置における減衰量が大幅に拡大されてい
ることがわかる。言い換えれば、通過帯域と高域側の阻
止域との間の境界における急峻性が効果的に高められて
いることがわかる。従って、選択度に優れ、かつ挿入損
失が小さい帯域通過型フィルタを実現し得ることがわか
る。
【００６６】第３の実施形態 図１８は、本発明の第３の実施形態に係るＳＡＷフィル
タを説明するための平面図である。ＳＡＷフィルタ６１
では、表面波基板６２上に、５個のＳＡＷ共振子６３〜
６７が構成されている。第３の実施形態のＳＡＷフィル
タ６１は、本願の第１，第２の発明の双方を実施したも
のに相当する。
タを説明するための平面図である。ＳＡＷフィルタ６１
では、表面波基板６２上に、５個のＳＡＷ共振子６３〜
６７が構成されている。第３の実施形態のＳＡＷフィル
タ６１は、本願の第１，第２の発明の双方を実施したも
のに相当する。
【００６７】すなわち、入力端子ＩＮと出力端子ＯＵＴ
との間に、直列共振子として、１ポート型ＳＡＷ共振子
６４，６５が直列共振子として接続されている。また、
並列共振子６３，６５，６７が、それぞれ、直列腕とア
ース電位との間に接続されている。なお、６８，６９，
７０は、それぞれ、接続電極を示す。
との間に、直列共振子として、１ポート型ＳＡＷ共振子
６４，６５が直列共振子として接続されている。また、
並列共振子６３，６５，６７が、それぞれ、直列腕とア
ース電位との間に接続されている。なお、６８，６９，
７０は、それぞれ、接続電極を示す。
【００６８】本実施形態では、各ＳＡＷ共振子６３〜６
７は、下記の表３に示すように設定されている。
７は、下記の表３に示すように設定されている。
【００６９】
【表３】
【００７０】すなわち、表３から明らかなように、直列
共振子６４，６６については、ＩＤＴと、反射器との間
の距離ｒが、０．５λとされている。これに対して、並
列共振子であるＳＡＷ共振子６３，６７は、ＩＤＴと反
射器との間の距離ｒが０．６２λとされており、さら
に、並列共振子であるＳＡＷ共振子６５では、ＩＤＴと
反射器との間の距離が０．４３λとされている。
共振子６４，６６については、ＩＤＴと、反射器との間
の距離ｒが、０．５λとされている。これに対して、並
列共振子であるＳＡＷ共振子６３，６７は、ＩＤＴと反
射器との間の距離ｒが０．６２λとされており、さら
に、並列共振子であるＳＡＷ共振子６５では、ＩＤＴと
反射器との間の距離が０．４３λとされている。
【００７１】すなわち、並列共振子６３，６５，６７の
うち、並列共振子６４が、本願の第１の発明における第
２の１ポート型ＳＡＷ共振子に相当し、並列共振子であ
るＳＡＷ共振子６３，６７が、第２の発明における第２
の１ポート型ＳＡＷ共振子に相当する。
うち、並列共振子６４が、本願の第１の発明における第
２の１ポート型ＳＡＷ共振子に相当し、並列共振子であ
るＳＡＷ共振子６３，６７が、第２の発明における第２
の１ポート型ＳＡＷ共振子に相当する。
【００７２】本実施形態のＳＡＷフィルタ６１のフィル
タ特性を図１９に示す。比較のために、ＳＡＷ共振子６
３〜６７の全てにおいて、ＩＤＴと反射器との間の距離
ｒを０．５λとした場合のＳＡＷフィルタのフィルタ特
性を図２０に示す。
タ特性を図１９に示す。比較のために、ＳＡＷ共振子６
３〜６７の全てにおいて、ＩＤＴと反射器との間の距離
ｒを０．５λとした場合のＳＡＷフィルタのフィルタ特
性を図２０に示す。
【００７３】図１９と図２０との比較から明らかなよう
に、第３の実施形態のＳＡＷフィルタ６１では、通過帯
域（斜線のハッチングＡで示す領域）の両側の阻止域
（斜線のハッチングＢ，Ｃで示す領域）の通過帯域近傍
における減衰量が大幅に増大している。従って、通過帯
域の両側における減衰特性の急峻性が高められており、
選択度に優れた帯域通過型フィルタを構成し得ることが
わかる。
に、第３の実施形態のＳＡＷフィルタ６１では、通過帯
域（斜線のハッチングＡで示す領域）の両側の阻止域
（斜線のハッチングＢ，Ｃで示す領域）の通過帯域近傍
における減衰量が大幅に増大している。従って、通過帯
域の両側における減衰特性の急峻性が高められており、
選択度に優れた帯域通過型フィルタを構成し得ることが
わかる。
【００７４】
【発明の効果】以上のように、本願の第１の発明によれ
ば、第２の１ポート型ＳＡＷ共振子の共振周波数と、Ｓ
ＡＷフィルタの通過帯域との間において、第２の１ポー
ト型ＳＡＷ共振子にスプリアス成分を発生させるよう
に、第２の１ポート型ＳＡＷ共振子のＩＤＴと反射器と
の間の距離が設定されているため、通過帯域の低域側の
阻止域における通過帯域近傍の減衰量を増大させること
ができる。従って、通過帯域と通過帯域よりも低い側の
阻止域との間の周波数領域におけるフィルタ特性の急峻
性を高めることが可能となる。よって、通過帯域と低域
側の阻止域との間の周波数間隔が狭い、選択度に優れた
帯域通過型フィルタを提供することができるため、周波
数間隔の狭い携帯電話用フィルタに好適に用いることが
できる。
ば、第２の１ポート型ＳＡＷ共振子の共振周波数と、Ｓ
ＡＷフィルタの通過帯域との間において、第２の１ポー
ト型ＳＡＷ共振子にスプリアス成分を発生させるよう
に、第２の１ポート型ＳＡＷ共振子のＩＤＴと反射器と
の間の距離が設定されているため、通過帯域の低域側の
阻止域における通過帯域近傍の減衰量を増大させること
ができる。従って、通過帯域と通過帯域よりも低い側の
阻止域との間の周波数領域におけるフィルタ特性の急峻
性を高めることが可能となる。よって、通過帯域と低域
側の阻止域との間の周波数間隔が狭い、選択度に優れた
帯域通過型フィルタを提供することができるため、周波
数間隔の狭い携帯電話用フィルタに好適に用いることが
できる。
【００７５】また、第２の発明では、第１の１ポート型
ＳＡＷ共振子の反共振周波数と、ＳＡＷフィルタの通過
帯域との間において、第２の１ポート型ＳＡＷ共振子に
スプリアス成分を発生させるように、第２の１ポート型
ＳＡＷ共振子のＩＤＴと反射器との間の距離が設定され
ているため、通過帯域よりも高域側の阻止域の通過帯域
近傍の領域における減衰量を大幅に拡大することがで
き、従って、通過帯域と高域側の阻止域との間における
減衰特性の急峻性を効果的に高め得る。よって、選択度
に優れた帯域通過型フィルタを提供することが可能とな
り、携帯電話などの通過帯域と阻止域との間の周波数間
隔の狭い用途に適したフィルタ装置を提供することが可
能となる。
ＳＡＷ共振子の反共振周波数と、ＳＡＷフィルタの通過
帯域との間において、第２の１ポート型ＳＡＷ共振子に
スプリアス成分を発生させるように、第２の１ポート型
ＳＡＷ共振子のＩＤＴと反射器との間の距離が設定され
ているため、通過帯域よりも高域側の阻止域の通過帯域
近傍の領域における減衰量を大幅に拡大することがで
き、従って、通過帯域と高域側の阻止域との間における
減衰特性の急峻性を効果的に高め得る。よって、選択度
に優れた帯域通過型フィルタを提供することが可能とな
り、携帯電話などの通過帯域と阻止域との間の周波数間
隔の狭い用途に適したフィルタ装置を提供することが可
能となる。
【図１】従来の梯子型ＳＡＷフィルタの電極構造を説明
するための平面図。
するための平面図。
【図２】ＳＡＷフィルタで用いられる従来のＳＡＷ共振
子を説明するための平面図。
子を説明するための平面図。
【図３】（ａ）は、ＳＡＷ共振子の回路記号を、（ｂ）
は、従来のＳＡＷ共振子のインピーダンス−周波数特性
を示す図。
は、従来のＳＡＷ共振子のインピーダンス−周波数特性
を示す図。
【図４】第１の実施形態に係るＳＡＷフィルタの模式的
平面図。
平面図。
【図５】第１の実施形態で用いられるＳＡＷ共振子を説
明するための平面図。
明するための平面図。
【図６】図５のＳＡＷ共振子のインピーダンス−周波数
特性を示す図。
特性を示す図。
【図７】第１の実施形態のＳＡＷフィルタの回路図。
【図８】ＩＤＴと反射器との間の電極指中心間距離ｒ
と、スプリアスの発生する周波数位置との関係を示す
図。
と、スプリアスの発生する周波数位置との関係を示す
図。
【図９】第１の実施形態に係るＳＡＷフィルタの周波数
特性を示す図。
特性を示す図。
【図１０】従来のＳＡＷフィルタの周波数特性を示す
図。
図。
【図１１】第２の実施形態に係るＳＡＷフィルタの平面
図。
図。
【図１２】第２の実施形態で用いられるＳＡＷ共振子を
説明するための平面図。
説明するための平面図。
【図１３】図１２のＳＡＷ共振子のインピーダンス−周
波数特性を示す図。
波数特性を示す図。
【図１４】第２の実施形態のＳＡＷフィルタの構成を示
す回路図。
す回路図。
【図１５】ＩＤＴと反射器との間の電極指中心間距離ｒ
と、スプリアス発生周波数との関係を示す図。
と、スプリアス発生周波数との関係を示す図。
【図１６】第２の実施形態のＳＡＷフィルタの周波数特
性を示す図。
性を示す図。
【図１７】従来のＳＡＷフィルタの周波数特性を示す
図。
図。
【図１８】第３の実施形態に係るＳＡＷフィルタの平面
図。
図。
【図１９】第３の実施形態に係るＳＡＷフィルタの周波
数特性を示す図。
数特性を示す図。
【図２０】従来のＳＡＷフィルタの周波数特性を示す
図。
図。
２１…ＳＡＷフィルタ ２２…表面波基板 ２３，２５，２７…第２の１ポート型ＳＡＷ共振子 ２４，２６…第１の１ポート型ＳＡＷ共振子 ４１…ＳＡＷフィルタ ４２…表面波基板 ４３，４５，４７…第１の１ポート型ＳＡＷ共振子 ４４，４６…第２の１ポート型ＳＡＷ共振子 ５１…ＳＡＷ共振子 ５２…ＩＤＴ ５５，５６…反射器 ６１…ＳＡＷフィルタ ６２…表面波基板 ６３，６５，６７…第２の１ポート型ＳＡＷ共振子 ６４，６６…第１の１ポート型ＳＡＷ共振子
Claims (5)
- 【請求項１】 入出力間が直列腕を構成しており、前記
直列腕と基準電位との間に少なくとも１つの並列腕が構
成されている梯子型回路構成を有し、前記直列腕にイン
ターデジタルトランスデューサを有する少なくとも１つ
の１ポート型ＳＡＷ共振子が、前記並列腕に、インター
デジタルトランスデューサと、該インターデジタルトラ
ンスデューサの両側に設けられた反射器とを有し、かつ
反共振周波数が、第１の１ポート型ＳＡＷ共振子の共振
周波数と実質的に一致されている第２の１ポート型ＳＡ
Ｗ共振子が配置されている弾性表面波フィルタにおい
て、 前記第２の１ポート型ＳＡＷ共振子の共振周波数と、弾
性表面波フィルタの通過帯域との間において、前記第２
の１ポート型ＳＡＷ共振子にスプリアス成分を発生させ
るように、第２の１ポート型ＳＡＷ共振子のインターデ
ジタルトランスデューサと反射器との間の距離が設定さ
れていることを特徴とする、弾性表面波フィルタ。 - 【請求項２】 前記第２の１ポート型ＳＡＷ共振子のイ
ンターデジタルトランスデューサの前記反射器に最も近
い電極指と、反射器の該インターデジタルトランスデュ
ーサに最も近い電極指との中心間距離ｒが、インターデ
ジタルトランスデューサの電極指間ピッチで定められる
表面波の波長をλとしたときに、０．５λよりも小さく
されている、請求項１に記載の弾性表面波フィルタ。 - 【請求項３】 入出力間が直列腕を構成しており、前記
直列腕と基準電位との間に少なくとも１つの並列腕が構
成されている梯子型回路構成を有し、前記直列腕にイン
ターデジタルトランスデューサを有する少なくとも１つ
の１ポート型ＳＡＷ共振子が、前記並列腕に、インター
デジタルトランスデューサと、該インターデジタルトラ
ンスデューサの両側に設けられた反射器とを有し、かつ
反共振周波数が、第１の１ポート型ＳＡＷ共振子の共振
周波数と実質的に一致されている第２の１ポート型ＳＡ
Ｗ共振子が配置されている弾性表面波フィルタにおい
て、 前記第１の１ポート型ＳＡＷ共振子の反共振周波数と、
弾性表面波フィルタの通過帯域との間において、前記第
２の１ポート型ＳＡＷ共振子にスプリアス成分を発生さ
せるように、第２の１ポート型ＳＡＷ共振子のインター
デジタルトランスデューサと反射器との間の距離が設定
されていることを特徴とする、弾性表面波フィルタ。 - 【請求項４】 前記第２の１ポート型ＳＡＷ共振子のイ
ンターデジタルトランスデューサの前記反射器に最も近
い電極指と、反射器の該インターデジタルトランスデュ
ーサに最も近い電極指との中心間距離ｒが、インターデ
ジタルトランスデューサの電極指間ピッチで定められる
表面波の波長をλとしたときに、０．５λよりも大きく
されている、請求項３に記載の弾性表面波フィルタ。 - 【請求項５】 前記第１，第２の１ポート型ＳＡＷ共振
子が、１枚の表面波基板に構成されていることを特徴と
する、請求項１〜４の何れかに記載の弾性表面波フィル
タ。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20710595A JP3243976B2 (ja) | 1995-08-14 | 1995-08-14 | 弾性表面波フィルタ |
| DE69619741T DE69619741T2 (de) | 1995-08-14 | 1996-08-13 | Akustisches Oberflächenwellenfilter |
| EP96113014A EP0758819B1 (en) | 1995-08-14 | 1996-08-13 | Surface acoustic wave filter |
| US08/696,602 US5831493A (en) | 1995-08-14 | 1996-08-14 | Surface acoustic wave ladder filter utilizing a generated spurious component of the parallel arm |
| CA002183281A CA2183281C (en) | 1995-08-14 | 1996-08-14 | Surface acoustic wave filter |
| KR1019960034250A KR0177907B1 (ko) | 1995-08-14 | 1996-08-14 | 탄성 표면파 필터 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20710595A JP3243976B2 (ja) | 1995-08-14 | 1995-08-14 | 弾性表面波フィルタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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