CN115513620B - 一种微带图形层、其制备方法及其极宽阻带带通滤波器 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种微带图形层、其制备方法及其极宽阻带高抑制带通滤波器。本发明可以通过降低谐振器与输入输出耦合结构之间的电耦合和磁耦合，从而有效抑制滤波器的高次谐振模式。本发明的包含微带图形层的极宽阻带高抑制带通滤波器最多可以抑制基频以上六个高次模式，可以获得极宽的阻带和极高的抑制深度。这种滤波器还具有构建简单，结构紧凑的优点。
Description
技术领域
本发明属于射频或微波工程技术滤波器领域，具体涉及一种微带图形层、其制备方法及其极宽阻带高抑制带通滤波器。
背景技术
带通滤波器在消除无线通信系统中的寄生和谐波杂扰信号中发挥着重要的作用，其中微带滤波器以其工艺简单、结构紧凑的优点，受到广泛应用。随着无线通信技术的飞速发展，频谱资源占用问题愈发突出，对通信系统的宽频抗干扰能力也提出了新的要求。
微带滤波器受奇偶模相速度不相等的影响，除了存在于基频位置处的通带，还存在由二倍频、三倍频乃至更高倍频形成的寄生通带。寄生通带的存在会极大地压缩微带滤波器的阻带抑制宽度。
现有的一种拓展阻带的方法是在微带带通滤波器中引入带阻结构，比如在馈线中加载开路短截线或使用缺陷地结构来引入传输零点，并结合使用交错调谐在一定程度上抑制寄生或谐波干扰信号。
现有技术方案面临着阻带宽度窄，抑制水平低的缺点。这些带阻结构只能在在较窄的频率范围实现杂扰信号的抑制，对于多个高次谐波的抑制效果较差，而交错调谐只是让杂扰信号错开，抑制水平有限。
发明内容
因此，本发明的目的是为了克服已有技术的缺陷，而提供一种微带图形层、其制备方法及其极宽阻带高抑制带通滤波器。本发明的包括微带图形层的极宽阻带高抑制带通滤波器能同时抑制多个高次谐振模式，此外还提供了一种结构对称性用于抑制子结构谐振器造成的寄生谐振，以此来获得极宽阻带，极深抑制。
在阐述本发明之前，定义本文所使用的术语如下：
术语“交错调谐”是指：各谐振器的结构是相似的，但结构的尺寸略有不同，以使各谐振器之间保持相同基频时错开倍频频率。
术语“叉指结构”是指：或称为交指结构，是呈指状或梳状的结构，常见于叉指电容器中，用于增大电容器的电容值。
术语“叉指电容器”是指：嵌有叉指结构的耦合传输线。
为实现上述目的，本发明的第一方面提供了一种极宽阻带高抑制带通滤波器的微带图形层，所述微带图形层为包括谐振器组和输入输出耦合结构的导体层；其中，
所述谐振器组包括至少两组以上交错调谐的谐振器，优选为包括四组以上的交错调谐的谐振器；
优选地，所述谐振器组按组别依次交错排列。
根据本发明第一方面的微带图形层，其中，每组交错调谐的谐振器包含至少一个谐振器，优选为包含至少四个谐振器；其中，
所述谐振器包括一条中心连接线、上下各一对叉指电容器、左右各一条电容连接线。
根据本发明第一方面的微带图形层，其中，所述谐振器中：
所述中心连接线的两端分别连在两条电容连接线的中心点位置；
所述叉指电容器包括左右各一个片状电容，并在中间嵌入叉指结构；和/或
所述左右每侧的上下两个片状电容各由一条电容连接线相连。
根据本发明第一方面的微带图形层，其中，
所述电容连接线和所述中心连接线的类型为高阻抗微带线；
所述中心连接线的形状为蜿蜒线形；
所述叉指电容器中，所述叉指结构包含的指数目不少于十根，优选为不少于二十根；所述叉指结构的指宽与指间距小于1mm，优选小于0.1mm；和/或
每组交错调谐的谐振器至少在交指电容器、电容连接线和中心连接线中有一个结构尺寸不同；
优选地，所述蜿蜒线的线宽与线间距均小于1mm，优选为小于0.1mm；
优选地，所述蜿蜒线与上下每对叉指电容器之间的距离小于1mm，优选为小于0.1mm；
优选地，每组交错调谐的谐振器中的结构尺寸不同包括：所述交指电容器中交指状微带线包含的指数目不同、所述交指电容器中交指状微带线的指长或缝隙不同、所述电容连接线长度或宽度不同和/或所述中心连接线的长度或宽度不同；和/或
优选地，每个谐振器左右两边的片状电容在宽度和长度中至少有一个不一致，其中，所述片状电容的长度或宽度更优选为相差0.05mm以上，进一步优选为相差0.5mm以上。
根据本发明第一方面的微带图形层，其中，所述输入输出耦合结构包括馈线和外部耦合线；其中，
所述馈线的一端与输入端口或输出端口相连，另一端与所述外部耦合线相连；和/或
所述馈线为30欧姆～70欧姆阻抗的馈线，更优选为40欧姆～60欧姆阻抗的馈线，最优选为50欧姆阻抗的馈线；
优选地，所述谐振器组左右两边各连接一个输入输出耦合结构；和/或
优选地，所述外部耦合线与邻近的谐振器之间嵌入所述叉指结构以增强所提供的外部耦合。
根据本发明第一方面的微带图形层，其中，
所述输入输出耦合结构沿着所述馈线方向具有一个上下对称的平面；
所述谐振器具有一个对称平面，所述对称平面位于两条电容连接线中点位置所在的平面；其中，除了位于平面上的中心连接线外，所述谐振器关于该平面上下对称；和/或
所述谐振器组中，所有谐振器的对称平面共面放置，并与输入输出耦合结构的对称平面共面放置；
优选地，所述极宽阻带高抑制带通滤波器的微带图形层左右对称。
本发明的第二方面提供了制备第一方面所述的微带图形层的方法，所述方法包括以下步骤：
(1)构建电路图形；
(2)将步骤(1)构建的电路图形转移至顶部的导体层上，即得所述微带图形层。
根据本发明第二方面的方法，其中，
所述步骤(1)中包括：根据所需基频频率和阻带宽度构建谐振器结构，随后构建另一组或多组交错调谐的谐振器，其次再将这些谐振器排列组合成谐振器组，然后再构建输入输出耦合结构并微调滤波器结构，使通带和阻带响应特性达到要求；和/或
所述步骤(2)中，所述电路图形转移的方法选自以下一种或多种：光学光刻、刻蚀、电子束光刻、激光直写；
优选地，所述光学光刻优选选自以下一种或多种：紫外光刻、深紫外光刻、极紫外光刻。
本发明的第三方面提供了一种极宽阻带高抑制带通滤波器，所述极宽阻带高抑制带通滤波器包括自上而下依次设置的：
根据第一方面所述的微带图形层；
电介质层；和
接地导体层；
优选地，所述极宽阻带高抑制带通滤波器左右对称。
根据本发明第三方面的极宽阻带高抑制带通滤波器，其中，
构建所述微带图形层和/或所述接地导体层的材料选自以下一种或多种：银、铜、金、铝、铱钡铜氧、镝钡铜氧、汞钡铜氧、铊钡钙铜氧，优选选自以下一种或多种：铱钡铜氧、镝钡铜氧、汞钡铜氧、铊钡钙铜氧，更优选为铱钡铜氧或镝钡铜氧；和/或
所述电介质层的材料选自以下一种或多种：聚四氟乙烯、氧化镁、氧化铝、铝酸镧，优选选自以下一种或多种：氧化镁、氧化铝、铝酸镧，更优选为氧化镁或氧化铝。
根据一个具体的实施例，本发明的提供了一种极宽阻带高抑制带通滤波器，所述极宽阻带低通滤波器包括：
刻有谐振器组的微带图形层；
电介质层；和
接地导体层；其中，
所述微带图形层包括：谐振器组、输入输出耦合结构；
其中，所述谐振器组至少包含两组交错调谐的谐振器，每组至少包含一个谐振器；
所述谐振器都由一条中心连接线，上下各一对叉指电容器，左右各一条电容连接线构成；
所述中心连接线的两端分别连在两条电容连接线的中点位置；叉指电容器左右各包含一个片状电容，中间嵌入一对叉指结构；电容连接线将左侧或右侧的上下两个片状电容连接；
所述各组交错调谐的谐振器至少在叉指电容器、电容连接线和中心连接线中有一个结构尺寸不同，具体包括：叉指电容器的指数目、指长和/或指间距不同；电容连接线长度和/或宽度不同；中心连接线的长度和/或宽度不同。
所述谐振器有一个对称平面，该对称平面位于两电容连接线中点位置所在平面；除了位于平面上的中心连接线外，谐振器是关于该平面对称的。
所述输入输出耦合结构包括五十欧姆馈线和外部耦合线；
所述五十欧姆馈线一端与输入或输出端口相连，一端与外部耦合线的中点相连；
所述输入输出耦合结构沿着五十欧姆馈线有一对称平面，该对称平面与谐振器的对称平面共面。
所述谐振器组左右各一个输入输出耦合结构；
所述外部耦合线与邻近的谐振器之间可嵌入叉指结构以增强所提供的外部耦合；
所述谐振器组是按组别交错排列的，所有谐振器的对称平面共面，即谐振器组除各谐振器的中心连接线外，也有一个对称平面；
优选的，所述极宽阻带高抑制带通滤波器是左右对称的。
所述谐振器组中交错调谐的谐振器组数为2至100之间，每组包含谐振器数量为1至100之间；
所述电容连接线和中心连接线是高阻抗微带线，中心连接线是蜿蜒线形的，蜿蜒线的线宽与线间距均小于0.1mm；
所述叉指电容器包含的指数目为2至1000之间，叉指结构的指宽与指间距在1μm至10mm之间，所述叉指结构之间的缝隙小于0.1mm；
优选的，所述叉指电容器左右两边的片状电容在宽度和长度中至少有一个不一致，长度或宽度相差0.05mm以上；
更为优选的，蜿蜒线与上下叉指电容器之间的距离小于0.5mm。
所述微带图形层和接地导体层的导体材料选自以下一种或多种：银、铜、金、铝、铱钡铜氧、镝钡铜氧、汞钡铜氧、铊钡钙铜氧，优选选自以下一种或多种：铱钡铜氧、镝钡铜氧、汞钡铜氧、铊钡钙铜氧，更优选选自以下一种或多种：铱钡铜氧、镝钡铜氧；和/或
所述电介质的材料选自以下一种或多种：聚四氟乙烯、氧化镁、氧化铝、铝酸镧，优选选自以下一种或多种：氧化镁、氧化铝、铝酸镧，更优选为氧化镁或铝酸镧。
本发明还提供了极宽阻带高抑制带通滤波器的制备方法，所述方法包括以下步骤：
(1)材料选型；
(2)构建电路图形；
(3)制备滤波器，将步骤(2)构建的电路图形转移至顶部的导体层上，即得所述极宽阻带高抑制带通滤波器。
所述步骤(2)中还包括：根据所需基频频率和阻带宽度构建谐振器结构，其次构建另一组或多组交错调谐的谐振器，随后再将这些谐振器排列组合成谐振器组，然后再构建输入输出耦合结构并微调滤波器结构，使通带和阻带响应特性达到要求；和/或
所述步骤(3)中，所述电路图形转移的方法选自以下一种或多种：光学光刻、刻蚀、电子束光刻、激光直写；
优选地，所述光学光刻优选选自以下一种或多种：紫外光刻、深紫外光刻、极紫外光刻。
本发明提供了一种微带图形层、其制备方法及其极宽阻带高抑制带通滤波器。本发明可以通过降低谐振器与输入输出耦合结构之间的电耦合和磁耦合，从而有效抑制滤波器的高次谐振模式。本发明的包括微带图形层的极宽阻带高抑制带通滤波器最多可以抑制基频以上六个高次模式，可以获得极宽的阻带和极高的抑制深度。这种滤波器还具有构建简单，结构紧凑的优点。
本发明的微带图形层和极宽阻带高抑制带通滤波器可以具有但不限于以下有益效果：
1、除了所需的谐振器基频谐振模式外，频率更高的六个高次杂扰谐振模式都可被抑制，可以获得极宽的阻带。
2、可被抑制的六个杂扰谐振模式中，有五个杂扰谐振模式几乎被完全抑制，可以获得极高的抑制水平。
3、滤波器的构建流程简单。只需按所述方法构建谐振器和输入输出耦合结构，对通带性能优化的过程不会破坏阻带宽度和抑制深度。
4、滤波器结构紧凑，空间利用率高。
附图说明
以下，结合附图来详细说明本发明的实施方案，其中：
图1示出了本发明中八阶带通滤波器的微带图形层的结构。
图2示出了图1中八阶带通滤波器的微带图形层所使用谐振器的结构。
图3示出了图1中八阶带通滤波器的微带图形层所使用的输入输出耦合结构及其与相邻谐振器的配合方式。
图4示出了图2所示谐振器的仿真传输特性曲线。
图5示出了图2所示谐振器在不同谐振频率下的电荷分布图。
其中图5(a)为谐振器在频率f1下的电荷分布图，图5(b)为谐振器在频率f2下的电荷分布图，图5(c)为谐振器在频率f3下的电荷分布图，图5(d)为谐振器在频率fs0L下的电荷分布图，图5(e)为谐振器在频率fs1L下的电荷分布图，图5(f)为谐振器在频率fs1H下的电荷分布图。
图6示出了一个二阶带通滤波器的仿真传输特性曲线，该滤波器含有两组交错调谐的谐振器，每组含有一个谐振器。
图7示出了图1中八阶带通滤波器通带频段的仿真响应曲线。
图8示出了图1中八阶带通滤波器的测量及仿真响应曲线。
图9示出了本发明的极宽阻带高抑制带通滤波器的构建流程。
附图标记说明：
1、第一输入输出耦合结构；2、第一谐振器；3、第二谐振器；4、第三谐振器；5、第四谐振器；6、第五谐振器；7、第六谐振器；8、第七谐振器；9、第八谐振器；10、第二输入输出耦合结构；101、馈线；102、外部耦合线；103、第一叉指结构；104、第二叉指结构；L1、第一电容连接线；L2、第二电容连接线；L3、中心连接线；C1、第一叉指电容器；C11、第一片状电容；C12、第二片状电容；C13、第三叉指结构；C2、第二叉指电容器；C21、第三片状电容；C22、第四片状电容；C23、第四叉指结构。
具体实施方式
下面通过具体的实施例进一步说明本发明，但是，应当理解为，这些实施例仅仅是用于更详细具体地说明之用，而不应理解为用于以任何形式限制本发明。
本部分对本发明试验中所使用到的材料以及试验方法进行一般性的描述。虽然为实现本发明目的所使用的许多材料和操作方法是本领域公知的，但是本发明仍然在此作尽可能详细描述。本领域技术人员清楚，在上下文中，如果未特别说明，本发明所用材料和操作方法是本领域公知的。
实施例1
本实施例用来说明本发明微带图形层和极宽阻带高抑制带通滤波器的制备方法。
所述制备方法包括以下步骤：
(1)材料选型。本实例滤波器为微带滤波器，微带电路板顶部为镝钡铜氧超导薄膜的图形层，中间为铝酸镧的电介质层，底部为镝钡铜氧超导薄膜的导体层。微带图形层刻有谐振器组。
(2)微带图形构建，包括以下步骤：
步骤一，构建谐振器结构。如图2所示，谐振器包含上面的第一叉指电容器C1和下面的第二叉指电容器C2，第一电容连接线L1和第二电容连接线L2，中心连接线L3。第一叉指电容器C1由第一片状电容C11、第二片状电容C12，以及中间嵌入的第三叉指结构C13构成。第二叉指电容器C2由第三片状电容C21、第四片状电容C22，以及中间嵌入的第四叉指结构C23构成。第一电容连接线L1将左侧第一片状电容C11和第三片状电容C21连接起来，第二电容连接线L2将右侧第二片状电容C12和第四C22连接起来，第一电容连接线L1和第二电容连接线L2均为高阻抗传输线；中心连接线L3为一条高阻抗蜿蜒线，将第一电容连接线L1和第二电容连接线L2的中心点连接起来。除了中心连接线L3外，谐振器关于两电容连接线中心点所在的平面是对称的。谐振器中由上下两个片状电容以及连接它们的电容连接线可以构成一个子结构谐振器，会导致寄生谐振模式的出现。
本实施例中，每个叉指电容器中的叉指结构包含的指数目为38根，指宽和指间距都为0.04mm；第一片状电容C11和第三片状电容C21的宽度为1.90mm，第二片状电容C12和第四片状电容C22的宽度为2.10mm；中心连接线L3中的蜿蜒线弯折次数为58次，线宽和线间距都为0.04mm；中心连接线L3与上下两对叉指电容器C1和C2的距离都为0.05mm。
步骤二，构建另一组交错调谐的谐振器。另一组交错调谐的谐振器结构与步骤一所述的谐振器类似，不同点在于本组谐振器左侧的第一片状电容C11和第三片状电容C21要比前一组谐振器左侧对应的片状电容宽度窄0.05mm，本组谐振器右侧的第二片状电容C21和第四片状电容C22要比前一组谐振器右侧对应的片状电容宽度宽0.05mm；叉指结构的指长要长0.09mm，蜿蜒线的弯折长度要短0.08mm。
步骤三，使用步骤一和步骤二中的两组谐振器，每组四个谐振器，谐振器按组别交错排列。所有谐振器的对称平面共面放置。谐振器的相对距离可根据所需带宽通过仿真响应曲线初步确定。
步骤四，构建输入输出耦合结构。如图3所示，输入输出耦合结构由五十欧姆馈线101、外部耦合线102、第一叉指结构103及第二叉指结构104构成。馈线中心所在平面为输入输出耦合结构的对称平面，该平面与谐振器组的对称平面共面放置，因此整个滤波器是关于该面上下对称的，该对称性可以用于抑制子结构谐振器的寄生谐振模式。此外，整个滤波器还是左右对称的，以简化构建流程。
根据仿真响应曲线微调输入输出耦合结构以及谐振器的相对距离，获得所需的通带位置和带内反射。
步骤五，制作滤波器。本例中的八阶滤波器包含三层结构，顶层为经图形转移技术形成的微带电路结构，材料为镝钡铜氧超导薄膜；中层为电介质，材料为铝酸镧；底层为接地层，材料为镝钡铜氧超导薄膜。
实施例2
本实施例用来说明本发明微带图形层和极宽阻带高抑制带通滤波器的特性。
如图4所示是步骤一所述谐振器的仿真传输特性曲线，其中fs0L、fs0H,fs1L和fs1H是子结构谐振器的谐振模式。在所需基频f0的更高频率处，存在着杂扰模式f1、f2、f3以及子结构谐振器的模式fs0L、fs0H、fs1L、fs1H。图中曲线表明，上下对称的滤波器结构使子结构谐振器的模式fs0L和fs0H几乎被完全抑制。
如图5所示是步骤一所述谐振器的电荷分布图。由于中心连接线离上下两对叉指电容器距离很近，使得模式f1、f2、f3的中心连接线附近吸引了另一种极性的电荷，因此用于激发电场的有效电荷密度下降，谐振器在该模式下与输入输出结构的电耦合几乎为零；叉指电容器中叉指结构左右两端在模式fs0L、fs1L下也会吸引两种不同极性的电荷，使得有效电荷密度下降，谐振器在该模式下与其输入输出耦合结构的电耦合几乎为零。因为电流主要聚集在蜿蜒线上(电流分布图可以通过电荷分布简易推理得到)，这些模式与输入输出耦合结构的磁耦合也几乎为零。由于电耦合和磁耦合都很弱，这些杂扰模式不会在阻带中形成明显的寄生通带，可以得到极高的抑制水平。唯一不同的是模式fs1H，因为在边缘有电荷分布，仍存在极大的有效电荷密度，因此将会在阻带中形成一个寄生通带。
如图6所示为一个二阶带通滤波器的仿真传输特性曲线，该滤波器含有两组交错调谐的谐振器，每组含有一个谐振器。仿真曲线表明，杂扰模式中除了fs1H外，前六个杂扰模式都得到了很好的抑制，没有形成明显通带。
如图7和图8所示是本例中的八阶极宽阻带高抑制带通滤波器的仿真和测试曲线。图中曲线反映滤波器的中心频率为365MHz，测试的阻带在60dB的抑制深度下延伸至6.3GHz(17.3倍中心频率)，典型抑制深度优于90dB。测试结果反映出该滤波器具有极宽的阻带，极高的抑制。滤波器还具有高紧凑性的优点，电路尺寸仅为45mm×10mm。
尽管本发明已进行了一定程度的描述，明显地，在不脱离本发明的精神和范围的条件下，可进行各个条件的适当变化。可以理解，本发明不限于所述实施方案，而归于权利要求的范围，其包括所述每个因素的等同替换。
Claims (23)
1.一种极宽阻带带通滤波器的微带图形层，其特征在于，所述微带图形层为包括谐振器组和输入输出耦合结构的导体层；其中，
所述谐振器组包括至少两组以上交错调谐的谐振器；
每组交错调谐的谐振器包含至少一个谐振器，所述谐振器包括一条中心连接线、上下各一对叉指电容器、左右各一条电容连接线；
所述每组交错调谐的谐振器至少在叉指电容器、电容连接线和中心连接线中有一个结构尺寸不同。
2.根据权利要求1所述的微带图形层，其特征在于，所述谐振器组包括至少四组以上的交错调谐的谐振器。
3.根据权利要求2所述的微带图形层，其特征在于，所述谐振器组按组别依次交错排列。
4.根据权利要求1所述的微带图形层，其特征在于，所述每组交错调谐的谐振器包含至少四个谐振器。
5.根据权利要求1所述的微带图形层，其特征在于，所述谐振器中：
所述中心连接线的两端分别连在两条电容连接线的中心点位置；
所述叉指电容器包括左右各一个片状电容，并在中间嵌入叉指结构；和/或
左右每侧的上下两个片状电容各由一条电容连接线相连。
6.根据权利要求5所述的微带图形层，其特征在于：
所述电容连接线和所述中心连接线的类型为高阻抗微带线；
所述中心连接线的形状为蜿蜒线形；和/或
所述叉指电容器中，所述叉指结构包含的指数目不少于十根；所述叉指结构的指宽与指间距小于1mm。
7.根据权利要求6所述的微带图形层，其特征在于，所述叉指电容器中，所述叉指结构包含的指数目不少于二十根；所述叉指结构的指宽与指间距小于0.1mm。
8.根据权利要求7所述的微带图形层，其特征在于：
所述蜿蜒线的线宽与线间距均小于1mm；
所述蜿蜒线与上下每对叉指电容器之间的距离小于1mm；
每组交错调谐的谐振器中的结构尺寸不同包括：所述叉指电容器中叉指状微带线包含的指数目不同、所述叉指电容器中叉指状微带线的指长或缝隙不同、所述电容连接线长度或宽度不同和/或所述中心连接线的长度或宽度不同；和/或
每个谐振器左右两边的片状电容在宽度和长度中至少有一个不一致，其中，所述片状电容的长度或宽度为相差0.05mm以上。
9.根据权利要求8所述的微带图形层，其特征在于：
所述蜿蜒线的线宽与线间距均小于0.1mm；
所述蜿蜒线与上下每对叉指电容器之间的距离小于0.1mm；和/或
所述片状电容的长度或宽度为相差0.5mm以上。
10.根据权利要求5所述的微带图形层，其特征在于：所述输入输出耦合结构包括馈线和外部耦合线；其中，
所述馈线的一端与输入端口或输出端口相连，另一端与所述外部耦合线相连；和/或
所述馈线为30欧姆～70欧姆阻抗的馈线。
11.根据权利要求10所述的微带图形层，其特征在于，所述馈线为40欧姆～60欧姆阻抗的馈线。
12.根据权利要求11所述的微带图形层，其特征在于，所述馈线为50欧姆阻抗的馈线。
13.根据权利要求10所述的微带图形层，其特征在于：
所述谐振器组左右两边各连接一个输入输出耦合结构；和/或
所述外部耦合线与邻近的谐振器之间嵌入所述叉指结构以增强所提供的外部耦合。
14.根据权利要求10所述的微带图形层，其特征在于：
所述输入输出耦合结构沿着所述馈线方向具有一个上下对称的平面；
所述谐振器具有一个对称平面，所述对称平面位于两条电容连接线中点位置所在的平面；其中，除了位于平面上的中心连接线外，所述谐振器关于该平面上下对称；和/或
所述谐振器组中，所有谐振器的对称平面共面放置，并与所述输入输出耦合结构的对称平面共面放置。
15.根据权利要求14所述的微带图形层，其特征在于，所述极宽阻带带通滤波器的微带图形层左右对称。
16.制备权利要求1至15中任一项所述的极宽阻带带通滤波器的微带图形层的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
(1)构建电路图形；
(2)将步骤(1)构建的电路图形转移至顶部的导体层上，即得所述微带图形层。
17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于：
所述步骤(1)中包括：根据所需基频频率和阻带宽度构建谐振器结构，随后构建另一组或多组交错调谐的谐振器，其次再将这些谐振器排列组合成谐振器组，然后再构建输入输出耦合结构并微调滤波器结构，使通带和阻带响应特性达到要求；和/或
所述步骤(2)中，所述电路图形转移的方法选自以下一种或多种：光学光刻、刻蚀、电子束光刻、激光直写。
18.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，所述步骤(2)中，所述光学光刻选自以下一种或多种：紫外光刻、深紫外光刻、极紫外光刻。
19.一种极宽阻带带通滤波器，其特征在于，所述极宽阻带带通滤波器包括自上而下依次设置的：
根据权利要求1至15中任一项所述的微带图形层；
电介质层；和
接地导体层。
20.根据权利要求19所述的极宽阻带带通滤波器，其特征在于，所述极宽阻带带通滤波器左右对称。
21.根据权利要求19或20所述的极宽阻带带通滤波器，其特征在于：
构建所述微带图形层和/或所述接地导体层的材料选自以下一种或多种：银、铜、金、铝、铱钡铜氧、镝钡铜氧、汞钡铜氧、铊钡钙铜氧；和/或
所述电介质层的材料选自以下一种或多种：聚四氟乙烯、氧化镁、氧化铝、铝酸镧。
22.根据权利要求21所述的极宽阻带带通滤波器，其特征在于：
构建所述微带图形层和/或所述接地导体层的材料选自以下一种或多种：铱钡铜氧、镝钡铜氧、汞钡铜氧、铊钡钙铜氧；和/或
所述电介质层的材料选自以下一种或多种：氧化镁、氧化铝、铝酸镧。
23.根据权利要求22所述的极宽阻带带通滤波器，其特征在于：
构建所述微带图形层和/或所述接地导体层的材料为铱钡铜氧或镝钡铜氧；和/或
所述电介质层的材料为氧化镁或氧化铝。
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