WO2007077825A1 - 弾性波フィルタ - Google Patents

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WO2007077825A1
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elastic wave
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Hajime Kando
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Murata Manufacturing Co., Ltd.
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    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46Filters
    • H03H9/64Filters using surface acoustic waves
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
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    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/0222Details of interface-acoustic, boundary, pseudo-acoustic or Stonely wave devices
    • HELECTRICITY
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    • H03H9/46Filters
    • H03H9/64Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/6433Coupled resonator filters
    • H03H9/644Coupled resonator filters having two acoustic tracks
    • H03H9/6456Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled
    • H03H9/6469Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled via two connecting electrodes

Definitions

  • the present invention relates to a resonator-type elastic wave filter using, for example, boundary acoustic waves or surface acoustic waves, and more specifically, a mode elastic wave for obtaining a desired pass band, and other modes.
  • the present invention relates to an elastic wave filter using an elastic wave of a mode.
  • Patent Document 1 discloses a surface acoustic wave filter device in which a trap series resonator is connected to a surface acoustic wave filter.
  • FIG. 9 is a plan view schematically showing an electrode structure of this type of surface acoustic wave filter device.
  • the illustrated electrode structure is formed on a piezoelectric substrate. That is, the trap series resonator 104 is connected between the first-stage resonator type surface acoustic wave filter 102 and the second-stage resonator type surface acoustic wave filter 103.
  • the surface acoustic wave filters 102 and 103 are 3IDT resonator type surface acoustic wave filters each having three IDTs 102a to 102c and 103a to 103c. Reflectors 102d and 102e are formed on both sides of the surface wave propagation direction of the region where IDTs 102a to 102c are provided. Similarly, the reflectors 103d and 103e are formed on both sides of the surface wave propagation direction in the region where the IDTs 103a to 103c are provided.
  • series resonator 104 is a 1-port SAW resonator including IDT 104a and reflectors 104b and 104c arranged on both sides of the surface wave propagation of IDT 104a.
  • a series resonator 104 for traps is connected in series with these.
  • the trap series resonator 104 forms a trap having a large attenuation in the attenuation region near the pass band of the two-stage cascaded surface acoustic wave filter device including the surface acoustic wave filters 102 and 103. Therefore, the attenuation amount outside the band can be increased, and the steepness of the attenuation characteristic at the end of the pass band can be enhanced.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Laid-Open No. 6-260876
  • the amount of attenuation in the vicinity of the passband can be increased by connecting the trap series resonator 104.
  • an electrode structure for forming the trap series resonator 104 is required, and the surface acoustic wave filter device 101 has to have a large chip size.
  • the series resonator 104 is connected, the insertion loss in the pass band is increased.
  • boundary acoustic wave filters using boundary acoustic waves formed only by surface acoustic wave filters are also known.
  • boundary acoustic wave filters are also similar. Therefore, it is strongly desired to increase the attenuation outside the passband without causing an increase in size.
  • An object of the present invention is to provide a resonator type acoustic wave filter capable of sufficiently increasing the attenuation in the vicinity of the passband without incurring an increase in chip size in view of the above-described state of the prior art. It is to provide.
  • a resonator-type elastic wave filter having a piezoelectric body and at least one IDT electrode formed so as to be in contact with the piezoelectric body, in order to obtain a desired frequency characteristic.
  • An acoustic wave filter is provided that is different from the acoustic velocity of the elastic wave in the main propagation mode so that the response in the sub-propagation mode appears at a frequency position outside the band in which it is desired to achieve.
  • the sub-propagation mode elastic wave is provided.
  • Is Vs the acoustic velocity of the elastic wave in the main propagation mode is Vm
  • Vr VsZVm.
  • the Vr is in the range of 1.1.5 to 1.1.02 or +1.02 to +1.5.
  • the elastic wave used in the elastic wave filter according to the present invention is not particularly limited, and boundary acoustic waves and surface acoustic waves can be used.
  • the elastic wave in the main propagation mode is an SH type boundary wave.
  • the elastic wave in the sub-propagating mode is a P + SV type boundary acoustic wave.
  • the elastic wave in the main propagation mode is a P + SV type boundary wave
  • the wave in the sub-propagation mode is an SH type boundary wave
  • the elastic wave in the main propagation mode is an SH type surface wave
  • the elastic wave in the sub propagation mode is a P + SV type surface wave.
  • the elastic wave in the main propagation mode is a P + SV type surface wave
  • the elastic wave in the sub-propagation mode is an SH type surface wave.
  • An elastic wave filter according to the present invention is a resonator-type elastic wave filter having a piezoelectric body and at least one IDT electrode formed so as to be in contact with the piezoelectric body, and obtains a desired frequency characteristic. Therefore, the elastic wave of the main propagation mode and the elastic wave of the sub-propagation mode that can propagate simultaneously with the elastic wave of the main propagation mode are propagated. The sound velocity of the elastic wave in the sub-propagation mode is different from the sound velocity of the elastic wave in the main propagation mode. Therefore, the response in the sub-propagation mode appears at a different frequency position from the response in the main propagation mode.
  • the electromechanical coupling coefficient K 2 of the acoustic wave in the sub-propagating mode is 1% or more 0.1, it appears at a certain atmosphere of the different frequency position response by the Fukuden seeding mode and response by the main propagation mode That's true.
  • the electromechanical coupling coefficient K 2 of the sub-propagation mode is too large, it is spurious, it is impossible to obtain a good frequency characteristic.
  • the elastic wave of the sub-propagation mode Electromechanical coupling coefficient, so there is a value below 1Z3 following the electromechanical coupling coefficient K 2 of the acoustic wave in the main propagation mode, response by the auxiliary propagation mode hardly becomes spurious.
  • the magnitude and speed of sound of the electromechanical coupling coefficient K 2 in the sub-propagation mode can be adjusted by adjusting the film thickness of the IDT electrode, the duty ratio, or the crystal orientation of the piezoelectric substrate. It can be adjusted easily. Therefore, it is possible to reliably increase the out-of-band attenuation without increasing the chip size and without increasing the insertion loss due to spurious in the band.
  • boundary acoustic waves may be used.
  • the elastic waves in the main propagation mode are SH type boundary waves
  • the elastic waves in the sub-propagation mode are P + SV.
  • the main propagation mode may be a P + SV type boundary wave
  • the sub-propagation mode may be an SH type boundary wave.
  • the elastic wave in the main propagation mode is an SH type surface wave or a P + SV type surface wave
  • the elastic wave in the sub propagation mode is a P + SV type surface wave or an SH type surface wave.
  • the out-of-band attenuation can be easily increased without increasing the chip size and degrading the in-band insertion loss due to unnecessary spurious.
  • FIG. 1 (a) and (b) are a schematic plan view showing an electrode structure of a boundary acoustic wave filter according to an embodiment of the present invention, and a schematic front view of the boundary acoustic wave filter. It is sectional drawing.
  • FIG. 2 is a diagram showing the filter characteristics of the boundary acoustic wave filter shown in FIG.
  • FIG. 3 is a diagram showing filter characteristics of a boundary acoustic wave filter of a comparative example.
  • FIG. 4 is a diagram for explaining the change of the secondary propagation mode in a P + SV type electromechanical coupling coefficient depth of traps appearing in the band near pass the altered so the case of K 2 of .
  • Figure 5 shows a 15 ° Y-cut X-propagation LiNbO-SiO interface with a film thickness of 0.06 Au
  • FIG. 6 is a diagram showing the relationship between the duty ratio of the IDT electrode and the sound speed of the SH-type boundary wave and Stoneley wave when an IDT electrode is formed.
  • Figure 6 shows the 15 ° Y-cut X-propagation LiNbO / SiO interface made of Au.
  • FIG. 6 is a diagram showing the relationship between the IDT film thickness of the IDT electrode made of Au and the sound velocity of the SH-type boundary wave and the Stoney wave when an IDT electrode having an i ratio of 0.6 is formed.
  • Figure 7 shows a 15 ° Y-cut X-propagation LiNbO-SiO interface with a film thickness of 0.06 Au
  • FIG. 6 is a diagram showing the relationship between the duty ratio of the IDT electrode and the electromechanical coupling coefficient K 2 of the SH-type boundary wave and Stoneley wave when the IDT electrode is formed.
  • Figure 8 shows the 15 ° Y-cut X-propagation LiNbO / SiO interface made of Au.
  • FIG. 6 is a diagram showing the relationship between the IDT film thickness, which also has an Au force, and the electromechanical coupling coefficient K 2 of the SH-type boundary wave and the Stoneley wave when an IDT electrode having an I ratio of 0.6 is formed.
  • FIG. 9 is a schematic plan view showing an electrode structure of a conventional surface acoustic wave filter. Explanation of symbols
  • 1 (a) and 1 (b) are a schematic plan view showing an electrode structure for explaining a boundary acoustic wave filter according to an embodiment of the present invention, and a structure of the boundary acoustic wave filter. It is a typical front sectional view.
  • the boundary acoustic wave filter 1 includes first and second media 2 and 3.
  • the first medium 2 has a piezoelectric force.
  • the piezoelectric body constituting the first medium 2 is not particularly limited, but in the present embodiment, it is constituted by a 20 ° Y cut, 20 ° X direction propagation LiNbO substrate.
  • the medium 3 is made of SiO in the present embodiment, but is composed of other dielectrics.
  • FIG. 1 shows an electrode structure consisting of an IDT electrode and a reflector.
  • a resonator-type first-stage boundary acoustic wave filter 11 and a resonator-type second-stage boundary acoustic wave filter 12 are cascade-connected so that the boundary acoustic wave filter 1 is Is formed.
  • Each of the boundary acoustic wave filters 11 and 12 is a 3IDT electrode type resonator type boundary acoustic wave filter.
  • the boundary acoustic wave filter 11 includes three IDT electrodes 1 la to l lc arranged in the boundary wave propagation direction. IDT electrodes 1 la to l lc are provided! /, And reflectors 1 Id and 1 le are arranged on both sides of the boundary wave propagation direction.
  • the boundary acoustic wave filter 12 includes three ID T electrodes 12a to 12c arranged along the boundary wave propagation direction, and reflectors 12d and 12e.
  • IDT 1 lb One end of IDT 1 lb is electrically connected to the input terminal 13, and one end of IDT 12 b is electrically connected to the output terminal 14.
  • each end force of IDTlla, 11c is electrically connected to each end of IDT12a, 12c.
  • the ends of IDT1 la-1 lc and IDT12a-12c opposite to the side connected as described above are all connected to the ground potential.
  • FIG. 1 (b) such an electrode structure is schematically shown, where IDTlla ⁇ : Lie and reflector 1 Id, 1 le are formed and shown. !
  • the boundary acoustic wave filter 1 when an input signal is applied from the input terminal 13, the boundary acoustic wave filters 11 and 12 excite the boundary acoustic wave, and output having frequency characteristics based on the excited boundary acoustic wave. A signal is taken from output terminal 14.
  • the SH type boundary wave is used as the main propagation mode, and the frequency characteristics based on the main propagation mode are used.
  • the feature of the present embodiment is that the response of the P + SV type boundary wave, which is the sub-propagation mode that is not only the SH type boundary acoustic wave as the main propagation mode, is also used.
  • boundary acoustic wave filters and surface acoustic wave filters when an input signal is applied, waves of various modes are excited as boundary acoustic waves and surface acoustic waves.
  • the main propagation mode for forming the pass band is selected according to the target frequency band. Since modes other than the main propagation mode are unnecessary waves, it was desirable that the response be as small as possible. For example, if a response of an unwanted wave appears in the pass band, spurious will occur in the pass band and the frequency characteristics will deteriorate. In addition, if there is an unnecessary wave in the vicinity of the passband, it is considered that the desired attenuation cannot be obtained, and the response of elastic waves in modes other than the main propagation mode is designed to be as small as possible. It was.
  • P + SV type boundary waves which are other modes besides the main propagation mode, which is the SH type boundary wave, are also used. Therefore, expansion of out-of-band attenuation is attempted.
  • the response by the P + SV type boundary wave that is the sub-propagation mode is increased to some extent in the vicinity of the passband on the high-passband side obtained by the main propagation mode.
  • the attenuation in the vicinity of the passband on the high passband side is expanded. This will be described more specifically with reference to FIGS.
  • the boundary acoustic wave filter 1 was fabricated by forming the choke electrodes 11 & to 11 12a to 12c and the reflectors l id, l ie, 12d, and 12e.
  • IDT electrodes 11a ⁇ : L lc, 12 & ⁇ 12 were formed by a laminated metal film formed by laminating?
  • the film thickness is as follows.
  • NiCr / Au / NiCr 0. 003 ⁇ / 0. 06 ⁇ / 0. 003 ⁇
  • the duty ratio of the IDT electrode was 0.6.
  • the number of pairs of electrode fingers of the central IDT electrodes l ib and 12b is 12, and the number of pairs of electrode fingers of the other IDT electrodes 11a, 11c and 12a, 12c. 7 pairs.
  • the number of electrode fingers of the reflectors l id, l ie, 12d, 12e was fifteen.
  • the opening width in the IDT electrodes lla to llc, 12a to 12c that is, the dimension in the direction orthogonal to the boundary acoustic wave propagation direction of the boundary wave propagation portion was set to 183.7 m.
  • the crossing width gradually decreases from the IDT center to the IDT end, and the crossing width at the IDT center is 180 ⁇ m.
  • the cross width was weighted so that the width was 144 ⁇ m.
  • FIG. 2 shows the filter characteristics of the boundary acoustic wave filter of the present embodiment produced in this way.
  • the above Figure 3 shows the frequency characteristics of the boundary acoustic wave filter of the comparative example manufactured in the same way as the embodiment.
  • the attenuation amount is temporarily increased by connecting the first and second boundary acoustic wave filters in two stages.
  • the attenuation near 915 MHz is greatly improved to 28.4 dB.
  • the response of the P + SV type boundary wave which has been conventionally considered to be an unnecessary wave, is used.
  • the amount of external attenuation is increased.
  • the response of the sub-propagation mode is matched to the frequency position where the attenuation is desired to be increased outside the passband, and the attenuation is expanded by the response of the sub-propagation mode. Therefore, it is desirable that the magnitude of the response in the sub-propagation mode is such that the out-of-band attenuation can be expanded.
  • FC the passband bandwidth
  • BW the passband bandwidth.
  • FC BW / 2-a (FC + BW / 2)> Vr> (FC + BW / 2 + ⁇ ) Z (FC— BW / 2) (1)
  • is the response force of the side lobe of the sub-propagation mode. It responds even to the passband of the main propagation mode, and it is given when it appears as a fine force and a ripple at the pass end of the filter. It is a coefficient, a value obtained experimentally, and a value about 0 to 4 times the bandwidth BW.
  • the center frequency of the SH type boundary wave which is the main propagation mode, is 879.4 MHz
  • the bandwidth BW is 35.5 MHz
  • Vr is 1.15
  • is 2. 65 ⁇ .
  • FIG. 4 shows the trap depth due to the response of the P + SV type boundary wave appearing on the high pass band side of the SH type boundary wave, which is the main propagation mode, in the boundary acoustic wave filter of the above embodiment.
  • the trap depth (dB) on the vertical axis in FIG. 4 does not coincide with the attenuation in the vicinity of 915 MHz in the frequency characteristics shown in FIG.
  • the depth of the trap corresponding to the insertion loss difference between the resonance point and the antiresonance point in Fig. 2 is assumed.
  • the electromechanical coupling coefficient K 2 of the P + SV type boundary wave which is the sub-propagation mode
  • the trap depth increases, and the boundary acoustic wave filter 1
  • the electromechanical binding coefficient K 2 of the sub-propagation mode is 1% or more 0.5, a case of not using the response of the secondary propagation mode Te ratio base, can be increased to about the depth of the trap .
  • the electromechanical coupling coefficient K 2 in the sub-propagation mode is set to 1Z3 or less of the electromechanical coupling coefficient K 2 in the main propagation mode.
  • the electromechanical coupling coefficient K 2 of the main propagation mode is 1 6%
  • the electromechanical coupling coefficient K 2 of the sub-propagation mode is a 5.3% or less, thereby, As is clear from Fig. 4, the trap has a sufficient depth, and the amount of attenuation on the high side of the passband can be reliably increased.
  • the crystal orientation in the piezoelectric body to be used, the film thickness and the duty ratio of the IDT electrode are changed, and thereby the response in the sub-transmission mode is performed.
  • the frequency position and electromechanical coupling coefficient of each mode response in an elastic wave device using a boundary acoustic wave or surface acoustic wave changes the overall crystal orientation, the film thickness of the IDT electrode, the duty ratio, etc. It is known that this can be adjusted.
  • positioning the response of the sub-propagation mode at the frequency position where the out-of-band attenuation is desired to be expanded and adjusting the magnitude of the response are the piezoelectric material and crystal orientation. , IDT electrode film thickness and duty ratio, etc. Can be achieved by changing. [0062] In the following, a 15 ° Y-cut X-propagation LiNbO substrate, ie, Euler angles (0 °, 1
  • FIG. 5 shows changes in the sound velocity of the SH-type boundary wave and the Stoney wave when the thickness of the IDT electrode is 0.06 ⁇ and the duty ratio is changed.
  • FIG. 6 is a diagram showing changes in the sound velocity of the SH boundary wave and the Stoneley wave when the IDT electrode duty ratio is 0.6 and the film thickness of the IDT electrode is changed.
  • the film thickness of the IDT electrode 0.06 Etoshite shows a SH boundary waves and Stoneley waves and the change of the electromechanical coupling coefficient number kappa 2 in the case of changing the de utility ratio, 8, as 0.6 the duty ratio of the IDT electrode, showing changes in electromechanical coefficient kappa 2 SH type boundary acoustic wave and Sutonri one wave in the case of changing the thickness of the IDT electrode.
  • the SH-type boundary wave used as the main propagation mode and the Stoneley wave used as the sub-propagation mode do not necessarily agree with the change tendency due to the thickness of the Au layer. Absent. Therefore, a pass band is formed by the SH-type boundary wave, and the duty ratio and the Stoney wave are excited so that the SH-type boundary wave and the Stoney wave can be excited so that the attenuation on the high side of the passband is increased by the Stonery wave. It can be seen that the thickness of the Au layer can be selected.
  • the frequency position of the response of the Stoney wave that is, the sound velocity of the Stonery wave
  • the sound velocity of the SH boundary wave is determined by the center frequency of the target passband.
  • an electromechanical coupling coefficient K 2 of the SH type boundary acoustic wave an electro-mechanical coupling coefficient K 2 by one wave Sutonri, as described above, the expansion of attenuation that put in the high-frequency side of the passband What is necessary is just to set so that it may become the size which can be planned. That's what I said In other words, if the electromechanical coupling coefficient ⁇ 2 of the Stoneley wave is set so that it is 0.1% or more and 1Z3 or less of the electromechanical coupling coefficient K 2 in the main propagation mode.
  • FIGS. 5 to 8 show changes in the sound speed of the Stoneley wave and SH type boundary wave and the electromechanical coupling coefficient K 2 depending on the duty ratio and the thickness of the Au layer. As described above, the speed of sound of one wave and the electromechanical coupling coefficient K 2 also vary depending on the crystal orientation of the piezoelectric material used.
  • the resonance is not limited to the two-stage cascade connection type, and various resonances are possible.
  • the present invention can be applied to a child-type boundary acoustic wave filter.
  • the boundary acoustic wave the force explained when using the SH type boundary wave as the main propagation mode, conversely, using the P + SV type boundary wave such as the Stonery single wave as the main propagation mode, the SH type boundary wave Can be used as a secondary propagation mode.
  • the present invention can be applied to a resonator type surface acoustic wave filter that includes only boundary acoustic waves.
  • a resonator type surface acoustic wave filter when an input signal is applied, a plurality of modes propagate in the same manner as the boundary wave filter. Of these plurality of propagation modes, a pass band is obtained.
  • the main propagation mode and the other propagation modes as the sub-propagation modes, it is possible to increase the attenuation outside the passband as in the above embodiment.

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Abstract

 チップサイズの大型化を招くことなく、所望でないリップルが生じ難く、通過帯域外の減衰量を大きくすることが可能とされている弾性波フィルタを提供する。  圧電体2に接するように形成された少なくとも1つのIDT電極11a~11c,12a~12cを有する共振子型の弾性波フィルタ1であって、目的とする周波数特性を得るための主伝播モードの弾性波と、主伝播モードの弾性波と同時に伝播可能な副伝播モードの弾性波とが伝播するように構成されており、副伝播モードの弾性波の電気機械結合係数K2が0.1%から該主伝播モードの弾性波の電気機械結合係数K2の1/3の値までの範囲とされており、かつ副伝播モードの弾性波の音速が、主伝播モードの弾性波の音速と異ならされている、弾性波フィルタ1。

Description

明 細 書
弾性波フィルタ
技術分野
[0001] 本発明は、例えば弾性境界波や弾性表面波を利用した共振子型の弾性波フィルタ に関し、より詳細には、所望とする通過帯域を得るためのモードの弾性波と、それ以 外のモードの弾性波とを利用して 、る、弾性波フィルタに関する。
背景技術
[0002] 従来、小型化及び低損失化を図り得るため、様々な共振子型弾性表面波フィルタ が開示されている。この種の弾性表面波フィルタでは、通過帯域外における通過帯 域近傍の減衰量が大きいことが強く望まれている。帯域外減衰量の拡大を図るため に、例えば下記の特許文献 1には、弾性表面波フィルタにトラップ用直列共振子を接 続した弾性表面波フィルタ装置が開示されている。
[0003] 図 9は、この種の弾性表面波フィルタ装置の電極構造を模式的に示す平面図であ る。
[0004] 図 9に示す弾性表面波フィルタ装置 101では、圧電基板上に図示の電極構造が形 成されている。すなわち、第 1段の共振子型弾性表面波フィルタ 102と、第 2段の共 振子型弾性表面波フィルタ 103との間に、トラップ用直列共振子 104が接続されてい る。
[0005] 弾性表面波フィルタ 102, 103は、それぞれ、 3個の IDT102a〜102c, 103a〜l 03cを有する 3IDT型の共振子型弾性表面波フィルタである。 IDT102a〜102cが 設けられている領域の表面波伝搬方向両側に反射器 102d, 102eが形成されてい る。同様に、 IDT103a〜103cが設けられている領域の表面波伝搬方向両側に反射 器 103d, 103e力形成されて!ヽる。
[0006] 他方、直列共振子 104は、 IDT104aと、 IDT104aの表面波伝搬両側に配置され た反射器 104b, 104cとを有する、 1ポート型の SAW共振子である。
[0007] 入力端子 105と、出力端子 106との間に、第 1段及び第 2段の弾性表面波フィルタ 102, 103が縦続接続されている力 ここでは、弾性表面波フィルタ 102, 103間に、 これらに直列にトラップ用直列共振子 104が接続されている。トラップ用直列共振子 1 04は、弾性表面波フィルタ 102, 103からなる 2段縦続接続型の弾性表面波フィルタ 装置の通過帯域近傍の減衰域において大きな減衰量を有するトラップを形成する。 従って、帯域外減衰量を拡大することができ、通過帯域端部における減衰特性の急 峻性を高めることができる。
特許文献 1:特開平 6 - 260876号公報
発明の開示
[0008] 従来の弾性表面波フィルタ装置 101では、トラップ用直列共振子 104を接続するこ とにより、通過帯域近傍における減衰量を拡大することができる。し力しながら、トラッ プ用直列共振子 104を形成するための電極構造を必要とし、弾性表面波フィルタ装 置 101のチップサイズが大きくならざるを得な力つた。また、直列共振子 104を接続し たことにより、通過帯域内における挿入損失が大きくなるという問題もあった。
[0009] 他方、近年、弾性波フィルタとしては、弾性表面波フィルタだけでなぐ弾性境界波 を利用した弾性境界波フィルタも知られて 、るが、弾性境界波フィルタにお 、ても、 同様に、大型化を招くことなぐ通過帯域外減衰量の拡大が強く望まれている。
[0010] 本発明の目的は、上述した従来技術の現状に鑑み、チップサイズの大型化を招く ことなぐ通過帯域近傍における減衰量を十分に大きくすることが可能な共振子型の 弾性波フィルタを提供することにある。
[0011] 本発明によれば、圧電体と、圧電体に接するように形成された少なくとも 1つの IDT 電極とを有する共振子型の弾性波フィルタであって、目的とする周波数特性を得るた めの主伝播モードの弾性波と、該主伝播モードの弾性波と同時に伝播可能な副伝 播モードの弾性波とが伝播するように構成されており、副伝播モードの弾性波の電気 機械結合係数 K2が 0. 1%から、前記主伝播モードの弾性波の電気機械結合係数 K 2の 1Z3の値までの範囲とされており、かつ前記副伝播モードの弾性波の音速が、 減衰量拡大を図りたい帯域外の周波数位置に副伝播モードの応答が表れるように、 前記主伝播モードの弾性波の音速と異なることを特徴とする、弾性波フィルタが提供 される。
[0012] 本発明に係る弾性波フィルタのある特定の局面では、前記副伝播モードの弾性波 の音速を Vs、前記主伝播モードの弾性波の音速を Vm、 Vr=VsZVmとしたときに
、 Vrが一 1. 5〜一 1. 02の範囲または + 1. 02〜+ 1. 5の範囲とされている。
[0013] 本発明に係る弾性波フィルタで用いられる弾性波は、特に限定されず、弾性境界 波や弾性表面波を用いることができる。
[0014] 本発明の他の特定の局面では、前記主伝播モードの弾性波が SH型境界波であり
、前記副伝播モードの弾性波が P + SV型弾性境界波である。
[0015] 本発明のさらに他の特定の局面では、前記主伝播モードの弾性波が P+SV型境 界波であり、前記副伝播モードの波が SH型境界波である。
[0016] また、本発明の弾性波フィルタのさらに別の特定の局面では、前記主伝播モードの 弾性波が SH型表面波であり、前記副伝播モードの弾性波が P + SV型表面波である
[0017] 本発明の弾性波フィルタのさらに他の特定の局面では、前記主伝播モードの弾性 波が P + SV型表面波であり、前記副伝播モードの弾性波が SH型表面波である。 (発明の効果)
[0018] 本発明に係る弾性波フィルタは、圧電体と圧電体に接するように形成された少なく とも 1つの IDT電極を有する共振子型の弾性波フィルタであって、目的とする周波数 特性を得るための主伝播モードの弾性波と、該主伝播モードの弾性波と同時に伝播 可能な副伝播モードの弾性波とが伝播するように構成されている。そして、上記副伝 播モードの弾性波の音速が、主伝播モードの弾性波の音速と異なっている。従って、 副伝播モードの応答は、主伝播モードの応答と異なる周波数位置に表れる。そして、 副伝播モードの弾性波の電気機械結合係数 K2が 0. 1%以上であるため、上記副伝 播モードによる応答が主伝播モードによる応答と異なる周波数位置にある程度の大 きさで表れること〖こなる。
[0019] 従って、副伝播モードの応答が表れる周波数位置を、目的とする周波数特性の通 過帯域外の減衰量の拡大が望まれる周波数位置に設定することにより、副伝播モー ドの応答により、弾性波フィルタの通過帯域外減衰量の拡大を図ることができる。
[0020] また、上記副伝播モードの電気機械結合係数 K2が大きくなりすぎると、スプリアスと なり、良好な周波数特性を得ることができない。本発明では、副伝播モードの弾性波 の電気機械結合係数は、主伝播モードの弾性波の電気機械結合係数 K2の 1Z3以 下の値とされているので、上記副伝播モードによる応答がスプリアスとなり難い。
[0021] また、上記副伝播モードの電気機械結合係数 K2の大きさ及び音速は、周知のよう に、 IDT電極の膜厚、デューティ比あるいは圧電基板の結晶方位を調整することによ り、容易に調整することができる。従って、チップサイズの大型化を招くことなぐかつ 帯域内におけるスプリアス等による挿入損失の増大などを招くことなぐ帯域外減衰 量の拡大を確実に図ることが可能となる。
[0022] 副伝播モードの弾性波の音速 Vsと、主伝播モードの弾性波の音速 Vmとの比 Vr= VsZVmが一 1. 5〜一 1. 02の範囲または + 1. 02〜+ 1. 5の範囲とされている場 合には、本発明に従って、通過帯域外減衰量をより確実に拡大することが可能となる
[0023] 本発明に係る弾性波フィルタでは、弾性境界波を利用してもよぐその場合、主伝 播モードの弾性波が SH型境界波であり、副伝播モードの弾性波が P + SV型弾性境 界波であってもよぐあるいは、逆に、主伝播モードが P + SV型境界波であり、副伝 播モードが SH型境界波であってもよい。いずれの場合においても、本発明に従って 、チップサイズの増大を招くことなぐ通過帯域外減衰量の拡大を図ることができる。
[0024] また、本発明において、上記主伝播モードの弾性波が SH型表面波または P + SV 型表面波であり、上記副伝播モードの弾性波が P + SV型表面波または SH型表面 波である場合には、本発明に従って、チップサイズの大型化及び不要スプリアスによ る帯域内挿入損失の劣化等を招くことなぐ帯域外減衰量を容易に拡大することが可 能となる。
図面の簡単な説明
[0025] [図 1]図 1 (a)及び (b)は、本発明の一実施形態に係る弾性境界波フィルタの電極構 造を示す模式的平面図及び該弾性境界波フィルタの模式的正面断面図である。
[図 2]図 2は、図 1に示した弾性境界波フィルタのフィルタ特性を示す図である。
[図 3]図 3は、比較例の弾性境界波フィルタのフィルタ特性を示す図である。
[図 4]図 4は、副伝播モードである P + SV型の電気機械結合係数 K2を変化させた場 合の通過帯域近傍に表れるトラップの深さの変化を説明するための図である。 [図 5]図 5は、 15° Yカット X伝搬の LiNbOと SiOとの界面に膜厚 0. 06えの Au力
3 2
らなる IDT電極を形成した場合の IDT電極のデューティ比と SH型境界波及びストン リー波の音速の関係を示す図である。
[図 6]図 6は、 15° Yカット X伝搬の LiNbOと SiOとの界面に Auからなり、デューテ
3 2
ィ比 =0. 6である IDT電極を形成した場合の IDT電極の Auからなる IDTの膜厚と S H型境界波及びストンリ一波の音速の関係を示す図である。
[図 7]図 7は、 15° Yカット X伝搬の LiNbOと SiOとの界面に膜厚 0. 06えの Au力
3 2
らなる IDT電極を形成した場合の IDT電極のデューティ比と SH型境界波及びストン リー波の電気機械結合係数 K2の関係を示す図である。
[図 8]図 8は、 15° Yカット X伝搬の LiNbOと SiOとの界面に Auからなり、デューテ
3 2
ィ比 =0. 6である IDT電極を形成した場合の Au力もなる IDTの膜厚と SH型境界波 及びストンリ一波の電気機械結合係数 K2の関係を示す図である。
[図 9]図 9は、従来の弾性表面波フィルタの電極構造を示す模式的平面図である。 符号の説明
[0026] 1…弾性境界波フィルタ
2…第 1の媒質
3…第 2の媒質
4…界面
l la〜l lc"'IDT電極
l id, l ie…反射器
12…弾性境界波フィルタ
12a〜12c"-IDT電極
12d, 12e…反射器
13· ··入射端子
14· ··出力端子
発明を実施するための最良の形態
[0027] 以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発 明を明らかにする。 [0028] 図 1 (a)及び (b)は、本発明の一実施形態に係る弾性境界波フィルタを説明するた めの電極構造を示す模式的平面図及び該弾性境界波フィルタの構造を示す模式的 正面断面図である。
[0029] 弾性境界波フィルタ 1は、第 1,第 2の媒質 2, 3を有する。第 1の媒質 2は、圧電体 力 なる。第 1の媒質 2を構成する圧電体は特に限定されないが、本実施形態では、 20° Yカット 20° X方向伝搬の LiNbO基板により構成されている。
3
[0030] 他方、媒質 3は、本実施形態では、 SiOからなるが、他の誘電体により構成されて
2
いてもよい。
[0031] 媒質 2と媒質 3との間の界面において、圧電体 2に接するように、 IDT電極及び反射 器が形成されている。図 1 (a)に、 IDT電極及び反射器からなる電極構造を示す。
[0032] 本実施形態では、共振子型の第 1段の弾性境界波フィルタ 11と、共振子型の第 2 段の弾性境界波フィルタ 12とが縦属接続されて、弾性境界波フィルタ 1が形成されて いる。
[0033] 弾性境界波フィルタ 11, 12は、いずれも 3IDT電極型の共振子型弾性境界波フィ ルタである。すなわち、弾性境界波フィルタ 11は、境界波伝播方向に配置された 3個 の IDT電極 1 la〜l lcを有する。 IDT電極 1 la〜l lcが設けられて!/、る部分の境界 波伝播方向両側に反射器 1 Id, 1 leが配置されて 、る。
[0034] 同様に、弾性境界波フィルタ 12は、境界波伝播方向に沿って配置された 3個の ID T電極 12a〜12cと、反射器 12d, 12eとを有する。
[0035] IDT1 lbの一端が入力端子 13に、 IDT12bの一端が出力端子 14に電気的に接続 されている。また、 IDTl la, 11cの各一端力 それぞれ、 IDT12a, 12cの各一端と 電気的に接続されて 、る。 IDT1 la〜 1 lc及び IDT12a〜 12cの上記のように接続さ れている側とは反対側の端部は、いずれも、グラウンド電位に接続されている。
[0036] 図 1 (b)では、このような電極構造が略図的に示されており、 IDTl la〜: L ie及び反 射器 1 Id, 1 leが形成されて ヽる部分が図示されて!、る。
[0037] 弾性境界波フィルタ 1では、入力端子 13から入力信号が加えられると、弾性境界波 フィルタ 11, 12で弾性境界波が励振され、励振された弾性境界波に基づく周波数特 性をもつ出力信号が出力端子 14から取り出される。 [0038] 本実施形態では、励振される弾性境界波の内、 SH型境界波が主伝播モードとして 利用され、該主伝播モードに基づく周波数特性が利用される。もっとも、本実施形態 の特徴は、主伝播モードとしての SH型弾性境界波だけでなぐ副伝播モードである P + SV型境界波の応答も利用して 、ることになる。
[0039] 通常、弾性境界波フィルタや弾性表面波フィルタでは、入力信号が印加されると、 弾性境界波や弾性表面波として様々なモードの波が励振される。その場合、目的と する周波数帯域に応じて、通過帯域を形成するための主伝播モードが選択される。 そして、主伝播モード以外のモードは不要波であるため、その応答は、できるだけ小 さいことが望ましいとされていた。例えば、通過帯域内に、不要波の応答が表れると、 通過帯域内にスプリアスが発生し、周波数特性が劣化する。また、通過帯域近傍に おいても、不要波が存在すると、所望の減衰量が得られないと考えられ、主伝播モー ド以外のモードの弾性波の応答はできる限り小さくなるように設計されていた。
[0040] これに対して、本実施形態の弾性境界波フィルタ 1では、上記 SH型境界波である 主伝播モードだけでなぐ他のモードである P + SV型の境界波も利用され、それによ つて帯域外減衰量の拡大が図られている。
[0041] より具体的には、本実施形態では、主伝播モードにより得られる通過帯域高域側の 通過帯域近傍に、副伝播モードである P + SV型境界波による応答をある程度の大き さを有するように発生させ、それによつて、通過帯域高域側における通過帯域近傍の 減衰量が拡大されている。図 2及び図 3を参照してより具体的に説明する。
[0042] いま、上記結晶方位の LiNbO基板 2と、 SiO力もなる媒質 3との間に、以下の仕
3 2
様で1。丁電極11&〜11 12a〜12c及び反射器 l id, l ie, 12d, 12eを形成して 弾性境界波フィルタ 1を作製した。
[0043] IDT電極 11a〜: L lc、 12&〜12じを、八11層の上下に?^0:を積層してなる積層金属 膜により形成した。膜厚は以下の通りである。
[0044] NiCr/Au/NiCr=0. 003 λ /0. 06 λ /0. 003 λ
なお、 λ = 3. である。
[0045] IDT電極におけるデューティ比は 0. 6とした。また、中央の IDT電極 l ib, 12bの 電極指の対数は 12対とし、他の IDT電極 11a, 11c及び 12a, 12cの電極指の対数 は 7対とした。反射器 l id, l ie, 12d, 12eの電極指の本数は 15本とした。
[0046] また、 IDT電極 l la〜l lc, 12a〜12cにおける開口幅、すなわち境界波が伝播す る部分の弾性境界波伝播方向と直交する方向の寸法は 183. 7 mとした。
[0047] IDT電極 12b, l ibでは、それぞれの IDTの中心から IDTの端部に向けて交差幅 が徐々に狭くなり、かつ IDTの中心における交差幅を 180 μ m、 IDTの端部における 交差幅を 144 μ mとなるように交差幅重み付けを施した。
[0048] このようにして作製された本実施形態の弾性境界波フィルタのフィルタ特性を図 2に 示す。
[0049] 比較のために、第 1の媒質 2として、 15° Yカット 20° X伝搬の LiNbOを用い、 ID
3
T電極における膜厚を、 NiCr/Au/NiCr=0. 003 /0. 05 /0. 003 ( λ = 3. 7 m)とし、デューティ比を 0. 5としたことを除いては、上記本実施形態と同様 にして作製した比較例の弾性境界波フィルタの周波数特性を図 3に示す。
[0050] 図 3から明らかなように、上記比較例の弾性境界波フィルタでは、第 1,第 2の弾性 境界波フィルタを 2段縦属接続することにより、減衰量の拡大が一応図られている力 通過帯域高域側における通過帯域近傍におけるすなわち 915MHz付近における減 衰量は 25. 3dBであった。これに対して、図 2に示すように、上記実施形態では、 91 5MHz付近における減衰量は、 28. 4dBと大幅に改善された。
[0051] これは、圧電体の結晶方位、 IDT電極の厚み及びデューティ比を変更することによ り、副伝播モードである P + SV型境界波の応答力 915MHz付近にある程度の大き さで表れ、該応答が利用されていることによる。
[0052] すなわち、本実施形態では、 SH型の境界波を用いてフィルタ特性を得るにあたり、 従来は不要波であると考えられていた P + SV型境界波の応答を利用することにより、 帯域外減衰量の拡大が図られている。上記のように、フィルタ特性において、通過帯 域外において減衰量を大きくしたい周波数位置に、副伝播モードの応答を一致させ 、副伝播モードの応答により減衰量の拡大が図られている。よって、副伝播モードの 応答の大きさは、帯域外減衰量を拡大し得る大きさであることが望ましい。
[0053] なお、主伝播モードの音速と、副伝播モードの音速との比が小さ!/、と、弾性境界波 フィルタ 1の通過帯域に、副伝播モードによるリップルが生じ、フィルタ特性が劣化す るおそれがある。例えば、 MOモード、 Mlモード及び M2モードの 3つの縦結合型の モードで通過帯域が形成される縦結合型の共振子型弾性境界波フィルタでは、副伝 播モードによるリップルにも、 M0〜M2モードの縦高次モードが生じることになる。他 方、副伝播モードにおける高次モード M0〜M2のモード間周波数差は、 IDT電極の 電極指の対数などの IDTの設計により決定され、主モードによる縦高次モード MO〜 M2モード間周波数差とほぼ同等となる。従って、通過帯域に副伝播モードによるリツ プルが入らな 、主伝播モードの音速を Vm、副伝播モードの音速を Vsとした場合、 音速比 Vr=VsZVmの好ましい範囲は、主伝播モードの中心周波数を FC、通過帯 域の帯域幅を BWとしたとき、下記の式(1)により求めることができる。
[0054] (FC BW/2 - a ) / (FC + BW/2) >Vr > (FC + BW/2 + α ) Z (FC— BW /2) ( 1)
ここで、 αは、副伝播モードのサイドローブの応答力 主伝播モードの通過帯域に まで応答してしま 、、フィルタの通過エンドにぉ 、て細力 、リップルとなって表れる場 合に付与する係数であり、実験的に求められる値であり、帯域幅 BWの 0〜4倍程度 の値となる。
[0055] 図 2に示したフィルタ特性では、主伝播モードである SH型境界波の中心周波数は 、 879. 4MHzであり、帯域幅 BWは 35. 5MHzであり、 Vrは 1. 15、 αは 2. 65ΜΗ ζである。
[0056] なお、携帯電話機用の RFフィルタの減衰量についての規格では、通過帯域の中 、周波数を fOとした場合、 -fO X l . 5力ら一 fO X l . 02、及び fO X l . 02力ら fO X I . 5の帯域に設定されることが多い。特に、通過帯域にもっとも近接した減衰域におけ る減衰量が問題とされることが多いので、好ましくは、 Vrは、 1. 5〜一 1. 02の範囲 または + 1. 02〜+ 1. 5の範囲とされることが望ましぐそれによつて、通過帯域近傍 における減衰量を確実に大きくすることができる。
[0057] 図 4は、上記実施形態の弾性境界波フィルタにおいて、主伝播モードである SH型 の境界波の通過帯域高域側に表れる P + SV型境界波の応答によるトラップの深さが 、 P + SV型境界波の電気機械結合係数 K2によりどのように変化するかを示す図であ る。 [0058] なお、図 4の縦軸のトラップの深さ(dB)は、図 2に示した周波数特性における 915 MHz付近における減衰量と一致しているものではなぐあくまでも、 P + SV型境界波 における応答の共振点と反共振点との間の挿入損失差に相当するトラップの深さを いうものとする。もっとも、弾性境界波フィルタ 1における通過帯域高域側の 915MHz 付近における減衰量と、図 4の縦軸トラップの深さとは相関があり、上記トラップの深さ が大きいと、弾性境界波フィルタ 1における 915MHz付近における減衰量も大きくな る関係にある。
[0059] 図 4から明らかなように、副伝播モードである P + SV型境界波の電気機械結合係 数 K2を高めていくと、トラップの深さが大きくなり、弾性境界波フィルタ 1における通過 帯域高域側の減衰量を拡大し得ることがわかる。特に、副伝播モードの電気機械結 合係数 K2が 0. 1%以上とされると、上記副伝播モードの応答を利用しない場合に比 ベて、トラップの深さを深くし得ることがわかる。
[0060] もっとも、副伝播モードの電気機械結合係数 K2が大きくなりすぎると、副伝播モード によるスプリアスが通過帯域近傍に表れ、周波数特性が劣化する。よって、上記副伝 播モードの電気機械結合係数 K2は、主伝播モードの電気機械結合係数 K2の 1Z3 以下とされる。例えば、図 4に示す例では、主伝播モードの電気機械結合係数 K2は 1 6%であるため、副伝播モードの電気機械結合係数 K2は、 5. 3%以下とされ、それ によって、図 4から明らかなように、トラップが十分な深さとされ、通過帯域高域側にお ける減衰量を確実に大きくすることができる。
[0061] なお、比較例の弾性境界波フィルタに比べ、上記実施形態では、使用する圧電体 における結晶方位と、 IDT電極の膜厚及びデューティ比を変更し、それによつて副伝 播モードの応答を主伝播モードにより得られる通過帯域高域側近傍に位置させて副 伝播モードの応答を利用した。周知のように、弾性境界波や弾性表面波を利用した 弾性波装置における各モードの応答の周波数位置及び電気機械結合係数は、全体 の結晶方位、 IDT電極の膜厚及びデューティ比などを変更することにより、調整し得 ることが知られている。従って、上記実施形態のように、帯域外減衰量の拡大を図り たい周波数位置に、副伝播モードの応答を位置させ、かつその応答の大きさを調整 することは、圧電体の材料及び結晶方位、 IDT電極の膜厚並びにデューティ比など を変更することにより達成され得る。これを、図 5〜図 8を参照して例示的に説明する [0062] 以下においては、 15° Yカット X伝搬の LiNbO基板、すなわちオイラー角(0° , 1
3
05° , 0° )の LiNbO基板からなる第 1の媒質と、 SiO力もなる第 2の媒質との界面
3 2
に、 Auからなる IDT電極を形成した場合の音速及び電気機械結合係数の変化を説 明する。
[0063] 図 5は、 IDT電極の膜厚を 0. 06 λとし、そのデューティ比を変化させた場合の SH 型境界波及びストンリ一波の音速の変化を示す。また、図 6は、 IDT電極のデューテ ィ比を 0. 6として、 IDT電極の膜厚を変化させた場合の SH型境界波及びストンリー 波の音速の変化を示す図である。図 7は、 IDT電極の膜厚を 0. 06えとして、そのデ ユーティ比を変化させた場合の SH型境界波及びストンリー波及び電気機械結合係 数 Κ2の変化を示し、図 8は、 IDT電極のデューティ比を 0. 6として、 IDT電極の厚み を変化させた場合の SH型境界波及びストンリ一波の電気機械結合係数 Κ2の変化を 示す。
[0064] 図 5〜図 8から明らかなように、主伝播モードとして利用する SH型境界波と、副伝 播モードとして利用するストンリー波とでは、 Au層の厚みによる変化傾向は必ずしも 一致していない。従って、 SH型境界波による通過帯域を形成し、ストンリ一波により 通過帯域高域側の減衰量の拡大を図るように、 SH型境界波及びストンリ一波を励振 し得るように、デューティ比や Au層の厚みを選択し得ることがわかる。
[0065] 例えば、 SH型境界波の応答により通過帯域を形成し、すなわち SH型境界波を主 伝播モードとして使用する場合を考える。この場合、ストンリ一波が、副伝播モードと して利用されることになる。そのため、通過帯域高域側近傍における減衰量の拡大を 図る場合には、ストンリ一波の応答の周波数位置、すなわちストンリ一波の音速を、通 過帯域高域側近傍の減衰量を大きくしたい周波数位置に一致させればよい。そして 、 SH型境界波の音速は、目的とする通過帯域の中心周波数によって定められること になる。そして、上記 SH型弾性境界波の電気機械結合係数 K2をできるだけ高くし、 ストンリ一波による電気機械結合係数 K2を、前述したように、通過帯域高域側におけ る減衰量の拡大を図り得る大きさとなるように設定すればよい。すなわち、前述したよ うに、 0. 1%以上から、主伝播モードの電気機械結合係数 K2の 1Z3以下となるよう に、ストンリ一波の電気機械結合係数 κ2を設定すればょ 、。
[0066] なお、図 5〜図 8では、デューティ比及び Au層の厚みによるストンリー波及び SH型 境界波の音速及び電気機械結合係数 K2の変化を示したが、 SH型境界波及びスト ンリ一波の音速及び電気機械結合係数 K2は、前述したように、使用する圧電体の結 晶方位によっても変化する。
[0067] なお、上記実施形態では、 2段縦属接続型の弾性境界波フィルタにっき説明した 力 共振子型弾性境界波フィルタである限り、 2段縦属接続型に限定されず、様々な 共振子型の弾性境界波フィルタに本発明を適用することができる。また、弾性境界波 において、主伝播モードとして、 SH型境界波を利用した場合につき説明した力 逆 に、ストンリ一波などの P + SV型境界波を主伝播モードとして利用し、 SH型境界波 を副伝播モードとして利用してもよ 、。
[0068] さらに、弾性境界波だけでなぐ共振子型の弾性表面波フィルタにも本発明を適用 することができる。すなわち、共振子型の弾性表面波フィルタでは、入力信号が印加 された場合、境界波フィルタと同様に、複数のモードが伝播するが、これら複数の伝 播モードの内、通過帯域を得るための主伝播モードと、他の伝播モードを副伝播モ ードとして用いることにより、上記実施形態と同様に通過帯域外減衰量の拡大を図る ことができる。

Claims

請求の範囲
[1] 圧電体と、圧電体に接するように形成された少なくとも 1つの IDT電極とを有する共 振子型の弾性波フィルタであって、
目的とする周波数特性を得るための主伝播モードの弾性波と、該主伝播モードの 弾性波と同時に伝播可能な副伝播モードの弾性波とが伝播するように構成されてお り、副伝播モードの弾性波の電気機械結合係数 K2が 0. 1%から、前記主伝播モード の弾性波の電気機械結合係数 K2の 1Z3の値までの範囲とされており、かつ前記副 伝播モードの弾性波の音速が、減衰量拡大を図りたい帯域外の周波数位置に副伝 播モードの応答が表れるように、前記主伝播モードの弾性波の音速と異なることを特 徴とする、弾性波フィルタ。
[2] 前記副伝播モードの弾性波の音速を Vs、前記主伝播モードの弾性波の音速を V m、 Vr=VsZVmとしたときに、 Vrが一 1. 5〜一 1. 02の範囲または + 1. 02〜+ 1
. 5の範囲とされている、請求項 1に記載の弾性波フィルタ。
[3] 前記主伝播モードの弾性波が SH型境界波であり、前記副伝播モードの弾性波が
P + SV型境界波である、請求項 1または 2に記載の弾性波フィルタ。
[4] 前記主伝播モードの弾性波が P + SV型境界波であり、前記副伝播モードの弾性 波が SH型境界波である、請求項 1または 2に記載の弾性波フィルタ。
[5] 前記主伝播モードの弾性波が SH型表面波であり、前記副伝播モードの弾性波が
P + SV型表面波である、請求項 1または 2に記載の弾性波フィルタ。
[6] 前記主伝播モードの弾性波が P + SV型表面波であり、前記副伝播モードの弾性 波が SH型表面波である、請求項 1または 2に記載の弾性波フィルタ。
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