JP2000224003A - 縦結合二重モードｓａｗフィルタ - Google Patents
縦結合二重モードｓａｗフィルタInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 縦結合二重モードＳＡＷフィルタの通過帯域
の低周波側に生じるスプリアスを抑圧する手段を得る。 【解決手段】 圧電基板上に表面波の伝搬方向に沿って
２のＩＤＴ電極と該ＩＤＴ電極の両側にグレーティング
反射器を配置して構成した縦結合二重モードＳＡＷフィ
ルタにおいて、前記２つのグレーティング反射器が形成
するそれぞれのストップバンドの中心周波数を互いに異
ならせて通過帯域の低周波側に発生するスプリアスを抑
圧する。
の低周波側に生じるスプリアスを抑圧する手段を得る。 【解決手段】 圧電基板上に表面波の伝搬方向に沿って
２のＩＤＴ電極と該ＩＤＴ電極の両側にグレーティング
反射器を配置して構成した縦結合二重モードＳＡＷフィ
ルタにおいて、前記２つのグレーティング反射器が形成
するそれぞれのストップバンドの中心周波数を互いに異
ならせて通過帯域の低周波側に発生するスプリアスを抑
圧する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は１次_２次縦結合二
重モードＳＡＷフィルタ（以下、二重モードＳＡＷフィ
ルタと称す）に関し、特に低域側の阻止域減衰量を改善
した二重モードＳＡＷフィルタに関する。
重モードＳＡＷフィルタ（以下、二重モードＳＡＷフィ
ルタと称す）に関し、特に低域側の阻止域減衰量を改善
した二重モードＳＡＷフィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＳＡＷデバイスは通信分野で広く
利用され、高性能、小型、量産性等の優れた特徴を有す
ることから特に携帯電話等に多く用いられている。図５
は従来の二重モードＳＡＷフィルタの構成を示す平面図
であって、圧電基板１１の主面上に表面波の伝搬方向に
沿ってＩＤＴ電極１２、１３を近接配置すると共に、該
ＩＤＴ電極１２、１３の両側にグレーティング反射器
（以下、反射器と称す）１４ａ、１４ｂを配設して構成
した二重モードＳＡＷフィルタである。ＩＤＴ電極１
２、１３はそれぞれ互いに間挿し合う複数本の電極指を
有する一対のくし形電極により形成され、ＩＤＴ電極１
２の一方のくし形電極は入力端子INに接続すると共に、
他方のくし形電極は接地される。さらに、ＩＤＴ電極１
３の一方のくし形電極は出力端子OUTに接続されると共
に、他方のくし形電極は接地する構成となっている。
利用され、高性能、小型、量産性等の優れた特徴を有す
ることから特に携帯電話等に多く用いられている。図５
は従来の二重モードＳＡＷフィルタの構成を示す平面図
であって、圧電基板１１の主面上に表面波の伝搬方向に
沿ってＩＤＴ電極１２、１３を近接配置すると共に、該
ＩＤＴ電極１２、１３の両側にグレーティング反射器
（以下、反射器と称す）１４ａ、１４ｂを配設して構成
した二重モードＳＡＷフィルタである。ＩＤＴ電極１
２、１３はそれぞれ互いに間挿し合う複数本の電極指を
有する一対のくし形電極により形成され、ＩＤＴ電極１
２の一方のくし形電極は入力端子INに接続すると共に、
他方のくし形電極は接地される。さらに、ＩＤＴ電極１
３の一方のくし形電極は出力端子OUTに接続されると共
に、他方のくし形電極は接地する構成となっている。
【０００３】上記二重モードＳＡＷフィルタの動作は、
ＩＤＴ電極１２より励起された複数の表面波が反射器１
４ａ、１４ｂ間に閉じ込められて音響的に結合し、ＩＤ
Ｔ電極１２、１３により対称１次縦振動モード（Ｓ１）
と反対称1次縦振動モード（Ａ１）とが強勢に励振さ
れ、この２つの共振モードを用いた1次_2次縦結合二重
モードＳＡＷフィルタとして動作する。
ＩＤＴ電極１２より励起された複数の表面波が反射器１
４ａ、１４ｂ間に閉じ込められて音響的に結合し、ＩＤ
Ｔ電極１２、１３により対称１次縦振動モード（Ｓ１）
と反対称1次縦振動モード（Ａ１）とが強勢に励振さ
れ、この２つの共振モードを用いた1次_2次縦結合二重
モードＳＡＷフィルタとして動作する。
【０００４】上記二重モードＳＡＷフィルタの挿入損失
を小さくすると共に、カットオフ特性を急峻にするに
は、図６に示すように、反射器１４ａ、１４ｂが形成す
るストップバンドα内に上記２つの振動モードＳ１、Ａ
１を配置する必要がある。曲線βは図５に示す二重モー
ドＳＡＷフィルタの入出力端を低インピーダンスで終端
した場合の伝送特性であり、共振ピークＳ１、Ａ１はＩ
ＤＴ電極１２、１３が形成するストップバンド（図示し
ない）の中心より低周波側に存在する。従って、反射器
１４ａ、１４ｂが形成するストップバンドはＩＤＴ電極
１２、１３が形成するストップバンドより低周波側に設
定する必要がある。即ち、ＩＤＴ電極１２、１３の電極
周期をλt、反射器１４ａ、１４ｂの電極周期をλrとす
ると、λt＜λrの関係を満たすように設定する。
を小さくすると共に、カットオフ特性を急峻にするに
は、図６に示すように、反射器１４ａ、１４ｂが形成す
るストップバンドα内に上記２つの振動モードＳ１、Ａ
１を配置する必要がある。曲線βは図５に示す二重モー
ドＳＡＷフィルタの入出力端を低インピーダンスで終端
した場合の伝送特性であり、共振ピークＳ１、Ａ１はＩ
ＤＴ電極１２、１３が形成するストップバンド（図示し
ない）の中心より低周波側に存在する。従って、反射器
１４ａ、１４ｂが形成するストップバンドはＩＤＴ電極
１２、１３が形成するストップバンドより低周波側に設
定する必要がある。即ち、ＩＤＴ電極１２、１３の電極
周期をλt、反射器１４ａ、１４ｂの電極周期をλrとす
ると、λt＜λrの関係を満たすように設定する。
【０００５】図７は、圧電基板に四硼酸リチウム（Li2B
4O7）を用い、図５に示す二重モードＳＡＷフィルタの
入力ＩＤＴ電極12の対数を３６対、出力ＩＤＴ電極13の
対数を２６対、反射器14a、15bの本数をそれぞれ５０
本、電極（アルミニウムＡｌ）の膜厚を１．６％λ（λ
は励起される表面波の波長）、λｒ＝λｔ／０．９８３
とし、２つのフィルタのインピーダンスが整合するよう
に同対数のＩＤＴ電極同士を接続して２段縦続接続二重
モードＳＡＷフィルタを構成したときの濾波特性を示す
図である。なお、該フィルタの中心周波数は７１ＭＨｚ
に設定している。
4O7）を用い、図５に示す二重モードＳＡＷフィルタの
入力ＩＤＴ電極12の対数を３６対、出力ＩＤＴ電極13の
対数を２６対、反射器14a、15bの本数をそれぞれ５０
本、電極（アルミニウムＡｌ）の膜厚を１．６％λ（λ
は励起される表面波の波長）、λｒ＝λｔ／０．９８３
とし、２つのフィルタのインピーダンスが整合するよう
に同対数のＩＤＴ電極同士を接続して２段縦続接続二重
モードＳＡＷフィルタを構成したときの濾波特性を示す
図である。なお、該フィルタの中心周波数は７１ＭＨｚ
に設定している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図５に
示す従来の二重モードＳＡＷフィルタの濾波特性は、図
６，７に示すように通過帯域の低周波側に複数のスプリ
アスが生じる。該スプリアスはＩＤＴ電極により励起さ
れる高次縦モードであって抑圧することは極めて難し
く、このため通過域の低周波側阻止域減衰量が著しく劣
化し、例えばＧＳＭ（欧州のセルラー携帯電話システ
ム）の規格である中心周波数の−４００ｋＨｚから−６
００ｋＨｚの周波数領域で３３ｄB以上という、図７の
矢印Ｒで示す規格から十分に満たすことができないとい
う問題があった。本発明は上記問題を解決するためにな
されたものであって、通過帯域低周波側に生じるスプリ
アスを抑圧した二重モードＳＡＷフィルタを提供するこ
とを目的とする。
示す従来の二重モードＳＡＷフィルタの濾波特性は、図
６，７に示すように通過帯域の低周波側に複数のスプリ
アスが生じる。該スプリアスはＩＤＴ電極により励起さ
れる高次縦モードであって抑圧することは極めて難し
く、このため通過域の低周波側阻止域減衰量が著しく劣
化し、例えばＧＳＭ（欧州のセルラー携帯電話システ
ム）の規格である中心周波数の−４００ｋＨｚから−６
００ｋＨｚの周波数領域で３３ｄB以上という、図７の
矢印Ｒで示す規格から十分に満たすことができないとい
う問題があった。本発明は上記問題を解決するためにな
されたものであって、通過帯域低周波側に生じるスプリ
アスを抑圧した二重モードＳＡＷフィルタを提供するこ
とを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係る縦結合二重モードＳＡＷフィルタの請求
項１記載の発明は、圧電基板上に表面波の伝搬方向に沿
って複数のＩＤＴ電極と該ＩＤＴ電極の両側にグレーテ
ィング反射器を配置して構成した縦結合多重モードＳＡ
Ｗフィルタにおいて、２つのグレーティング反射器はそ
れぞれのストップバンドの中心周波数が互いに異なるも
のであることを特徴とする縦結合多重モードＳＡＷフィ
ルタである。請求項２記載の発明は、圧電基板上に表面
波の伝搬方向に沿って２のＩＤＴ電極と該ＩＤＴ電極の
両側にグレーティング反射器を配置して構成した縦結合
二重モードＳＡＷフィルタにおいて、一方のグレーティ
ング反射器の電極周期をλr1、他方のグレーティング反
射器の電極周期をλr2、ＩＤＴ電極周期をλtとしたと
きに、 λt＜λr2且つ０．９９≦λr2／λr1＜１ を満たすことを特徴とする縦結合二重モードＳＡＷフィ
ルタである。請求項３記載の発明は、圧電基板として４
５゜ＸカットＺ伝搬Ｌｉ2Ｂ4Ｏ7を用いることを特徴と
する、請求項１または２記載の縦結合二重モードＳＡＷ
フィルタである。
に本発明に係る縦結合二重モードＳＡＷフィルタの請求
項１記載の発明は、圧電基板上に表面波の伝搬方向に沿
って複数のＩＤＴ電極と該ＩＤＴ電極の両側にグレーテ
ィング反射器を配置して構成した縦結合多重モードＳＡ
Ｗフィルタにおいて、２つのグレーティング反射器はそ
れぞれのストップバンドの中心周波数が互いに異なるも
のであることを特徴とする縦結合多重モードＳＡＷフィ
ルタである。請求項２記載の発明は、圧電基板上に表面
波の伝搬方向に沿って２のＩＤＴ電極と該ＩＤＴ電極の
両側にグレーティング反射器を配置して構成した縦結合
二重モードＳＡＷフィルタにおいて、一方のグレーティ
ング反射器の電極周期をλr1、他方のグレーティング反
射器の電極周期をλr2、ＩＤＴ電極周期をλtとしたと
きに、 λt＜λr2且つ０．９９≦λr2／λr1＜１ を満たすことを特徴とする縦結合二重モードＳＡＷフィ
ルタである。請求項３記載の発明は、圧電基板として４
５゜ＸカットＺ伝搬Ｌｉ2Ｂ4Ｏ7を用いることを特徴と
する、請求項１または２記載の縦結合二重モードＳＡＷ
フィルタである。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下本発明を図面に示した実施の
形態に基づいて詳細に説明する。図１は本発明に係る二
重モードＳＡＷフィルタの構成を示す平面図であって、
圧電基板1の主面上に表面波の伝搬方向に沿ってＩＤＴ
電極２、３を近接配置すると共に、その両側に反射器４
ａ、４ｂを配設して二重モードＳＡＷフィルタを構成す
る。本発明の特徴はＩＤＴ電極２、３の電極周期長λt
は同一とするが、反射器４ａ、４ｂのそれぞれの電極周
期λr1、λr2は互いに異ならせるところにある。
形態に基づいて詳細に説明する。図１は本発明に係る二
重モードＳＡＷフィルタの構成を示す平面図であって、
圧電基板1の主面上に表面波の伝搬方向に沿ってＩＤＴ
電極２、３を近接配置すると共に、その両側に反射器４
ａ、４ｂを配設して二重モードＳＡＷフィルタを構成す
る。本発明の特徴はＩＤＴ電極２、３の電極周期長λt
は同一とするが、反射器４ａ、４ｂのそれぞれの電極周
期λr1、λr2は互いに異ならせるところにある。
【０００９】ここで、反射器の形成するストップバンド
とスプリアス即ち、高次縦モードの関係について簡単に
説明する。二重モードＳＡＷフィルタに四硼酸リチウム
（Li2B4O7）のような圧電基板を用いると、電気機械結
合係数によって決まるフィルタの通過帯域幅に対して、
反射器によって形成されるストップバンド幅がはるかに
広くなることが知られている。図６は圧電基板として４
５゜ＸカットＺ伝搬四硼酸リチウム（Li2B4O7）を用い
て二重モードＳＡＷフィルタの伝送特性をシミュレーシ
ョンした例で、通過帯域を形成する２つの共振モードＳ
１、Ａ１に比較して反射器反射器の形成するストップバ
ンドαははるかに広い。このためフィルタの通過帯域よ
り低域側に発生する高次の縦モードの周波数まで、反射
器の形成するストップバンドα内に存在することにな
り、その振動エネルギーは反射器内に閉じ込められて強
勢なスプリアスとなる。
とスプリアス即ち、高次縦モードの関係について簡単に
説明する。二重モードＳＡＷフィルタに四硼酸リチウム
（Li2B4O7）のような圧電基板を用いると、電気機械結
合係数によって決まるフィルタの通過帯域幅に対して、
反射器によって形成されるストップバンド幅がはるかに
広くなることが知られている。図６は圧電基板として４
５゜ＸカットＺ伝搬四硼酸リチウム（Li2B4O7）を用い
て二重モードＳＡＷフィルタの伝送特性をシミュレーシ
ョンした例で、通過帯域を形成する２つの共振モードＳ
１、Ａ１に比較して反射器反射器の形成するストップバ
ンドαははるかに広い。このためフィルタの通過帯域よ
り低域側に発生する高次の縦モードの周波数まで、反射
器の形成するストップバンドα内に存在することにな
り、その振動エネルギーは反射器内に閉じ込められて強
勢なスプリアスとなる。
【００１０】従って、不要な高次縦モードの励振強度を
抑圧する手段として、反射器の形成するストップバンド
内に不要な高次縦モードをが存在しないように、反射器
のストップバンドを、２つの共振モードのみが配置され
るように相対的に高周波側にシフトすればよいと考えら
れる。しかし、入出力ＩＤＴ電極の対数、反射器の本数
等の条件を一定とし、不要な高次縦モードの励振強度を
小さくすべく、反射器の形成するストップバンドを相対
的に高周波側にシフトする、即ち反射器の電極周期λr
をＩＤＴ電極周期λtに近づけた。すると、図８に示す
ように通過帯域より低域側に発生する高次縦モードの共
振が抑圧されるものの、通過帯域を形成する２つの共振
モードの共振点の間隔が狭くなるという現象を呈するよ
うになる。
抑圧する手段として、反射器の形成するストップバンド
内に不要な高次縦モードをが存在しないように、反射器
のストップバンドを、２つの共振モードのみが配置され
るように相対的に高周波側にシフトすればよいと考えら
れる。しかし、入出力ＩＤＴ電極の対数、反射器の本数
等の条件を一定とし、不要な高次縦モードの励振強度を
小さくすべく、反射器の形成するストップバンドを相対
的に高周波側にシフトする、即ち反射器の電極周期λr
をＩＤＴ電極周期λtに近づけた。すると、図８に示す
ように通過帯域より低域側に発生する高次縦モードの共
振が抑圧されるものの、通過帯域を形成する２つの共振
モードの共振点の間隔が狭くなるという現象を呈するよ
うになる。
【００１１】そこで、通過帯域を狭くせずに不要な高次
縦モードの励振強度のみを抑圧する手段について種々検
討した。必要な通過帯域幅を維持しつつ挿入損失の小さ
なフィルタを得るためには、通過帯域を構成する２つの
共振モードＳ１、Ａ１は反射器の形成するストップバン
ド内に配置して、その振動エネルギーは閉じ込める必要
があるが、不要な高次縦モードの周波数ではその振動エ
ネルギーが反射器間から漏れ出すように構成すればよい
ことを思い至った。即ち、２つの反射器が形成するスト
ップバンドの中心周波数を互いに異ならせ、２つの共振
モードＳ１、Ａ１は上記２つのストップバンド内に配置
するが、不要な高次縦モードの周波数では一方のストッ
プバンド内には存在するが、他方のストップバンド内に
は存在しないように反射器の電極周期λr1、λr2を設定
すれば、高次縦モードの強度を抑圧することが可能であ
ると考えられる。
縦モードの励振強度のみを抑圧する手段について種々検
討した。必要な通過帯域幅を維持しつつ挿入損失の小さ
なフィルタを得るためには、通過帯域を構成する２つの
共振モードＳ１、Ａ１は反射器の形成するストップバン
ド内に配置して、その振動エネルギーは閉じ込める必要
があるが、不要な高次縦モードの周波数ではその振動エ
ネルギーが反射器間から漏れ出すように構成すればよい
ことを思い至った。即ち、２つの反射器が形成するスト
ップバンドの中心周波数を互いに異ならせ、２つの共振
モードＳ１、Ａ１は上記２つのストップバンド内に配置
するが、不要な高次縦モードの周波数では一方のストッ
プバンド内には存在するが、他方のストップバンド内に
は存在しないように反射器の電極周期λr1、λr2を設定
すれば、高次縦モードの強度を抑圧することが可能であ
ると考えられる。
【００１２】以上の考えのもとに、図１に示す二重モー
ドＳＡＷフィルタの反射器４ａ、４ｂの電極周期λr1、
λr2を異ならせた場合、通過帯域幅の変化を求めたとこ
ろ図２に示すように、比帯域幅（％）と反射器電極周期
比λr2／λr1との関係が得られた。同図からあきらなよ
うに反射器電極周期比λr2／λr1を変化させると比帯域
幅は少し狭くなる傾向がある。また、図３は反射器電極
周期比λr2／λr1を変化させた場合のスプリアスの抑圧
度を示す図で、実線、破線はそれぞれ中心周波数から_
４００ｋＨｚ及び_８００ｋＨｚに発生するスプリアス
の強度をそれぞれ示している。図２、３から明らかなよ
うに、ＩＤＴ電極２、３の周期λt、反射器４ａ、４ｂ
のそれぞれの周期λr1、λr2の関係は、λr1＞λr2およ
びλt＜λr2であると共に、０．９９≦λr2／λr1＜１
とすれば、通過帯域幅をそれほど狭くせずに、不要な高
次縦モードの励振強度を３_１０ｄＢ程度抑圧すること
ができることが分かった。
ドＳＡＷフィルタの反射器４ａ、４ｂの電極周期λr1、
λr2を異ならせた場合、通過帯域幅の変化を求めたとこ
ろ図２に示すように、比帯域幅（％）と反射器電極周期
比λr2／λr1との関係が得られた。同図からあきらなよ
うに反射器電極周期比λr2／λr1を変化させると比帯域
幅は少し狭くなる傾向がある。また、図３は反射器電極
周期比λr2／λr1を変化させた場合のスプリアスの抑圧
度を示す図で、実線、破線はそれぞれ中心周波数から_
４００ｋＨｚ及び_８００ｋＨｚに発生するスプリアス
の強度をそれぞれ示している。図２、３から明らかなよ
うに、ＩＤＴ電極２、３の周期λt、反射器４ａ、４ｂ
のそれぞれの周期λr1、λr2の関係は、λr1＞λr2およ
びλt＜λr2であると共に、０．９９≦λr2／λr1＜１
とすれば、通過帯域幅をそれほど狭くせずに、不要な高
次縦モードの励振強度を３_１０ｄＢ程度抑圧すること
ができることが分かった。
【００１３】以上のことを実験的に確認するために、図
１に示す二重モードＳＡＷフィルタを２段縦続接続した
フィルタを試作しその濾波特性を測定した。図４はその
一例で、圧電基板に４５゜ＸカットＺ伝搬Ｌｉ2Ｂ4Ｏ7
を用い、入力ＩＤＴ電極２の対数を３６対、出力ＩＤＴ
電極３の対数を２６対、反射器の本数それぞれ５０本と
し、アルミニウムの電極膜厚を１．６％λ、λr1＝λt
／０．９８３、λr2／λr1＝０．９９としたときのフィ
ルタの濾波特性である。ここで、矢印Ｒで示す周波数領
域はＧＳＭの規格である。
１に示す二重モードＳＡＷフィルタを２段縦続接続した
フィルタを試作しその濾波特性を測定した。図４はその
一例で、圧電基板に４５゜ＸカットＺ伝搬Ｌｉ2Ｂ4Ｏ7
を用い、入力ＩＤＴ電極２の対数を３６対、出力ＩＤＴ
電極３の対数を２６対、反射器の本数それぞれ５０本と
し、アルミニウムの電極膜厚を１．６％λ、λr1＝λt
／０．９８３、λr2／λr1＝０．９９としたときのフィ
ルタの濾波特性である。ここで、矢印Ｒで示す周波数領
域はＧＳＭの規格である。
【００１４】図４から明らかなように、不要な高次縦モ
ードによるスプリアスが図７に示した従来の二重モード
ＳＡＷフィルタのそれに比べて約１０ｄＢ程度改善され
て折り、ＧＳＭの規格も充分に満たしていることが分か
る。本発明に係る手段を用いれば、４５゜ＸカットＺ伝
搬Ｌｉ2Ｂ4Ｏ7基板のようなフィルタの通過帯域幅に比
べて反射器のストップバンド幅が大幅に広くなる場合で
も、通過帯域の低域側減衰量を改善した二重モードＳＡ
Ｗフィルタを実現することができる。
ードによるスプリアスが図７に示した従来の二重モード
ＳＡＷフィルタのそれに比べて約１０ｄＢ程度改善され
て折り、ＧＳＭの規格も充分に満たしていることが分か
る。本発明に係る手段を用いれば、４５゜ＸカットＺ伝
搬Ｌｉ2Ｂ4Ｏ7基板のようなフィルタの通過帯域幅に比
べて反射器のストップバンド幅が大幅に広くなる場合で
も、通過帯域の低域側減衰量を改善した二重モードＳＡ
Ｗフィルタを実現することができる。
【００１５】以上の説明では２つのＩＤＴ電極を近接配
置した１_２次縦結合二重モードＳＡＷフィルタについ
て説明したが、本発明はこれのみに限定されるものでは
なく２個以上のＩＤＴ電極を配置して構成する多重モー
ドＳＡＷフィルタ適用できることは云うまでもない。ま
た、圧電材料として四硼酸リチウムを例として説明した
が、帯域幅に比し反射器のストップバンドは広い材料に
は本発明が適用できることは云うまでもない。
置した１_２次縦結合二重モードＳＡＷフィルタについ
て説明したが、本発明はこれのみに限定されるものでは
なく２個以上のＩＤＴ電極を配置して構成する多重モー
ドＳＡＷフィルタ適用できることは云うまでもない。ま
た、圧電材料として四硼酸リチウムを例として説明した
が、帯域幅に比し反射器のストップバンドは広い材料に
は本発明が適用できることは云うまでもない。
【００１６】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成した
ので、４５゜ＸカットＺ伝搬Ｌｉ2Ｂ4Ｏ7基板を用いた
二重モードＳＡＷフィルタにおいて、通過帯域の低域側
に生ずるスプリアスを改善することが可能となり、携帯
電話端末等のＩＦフィルタに本発明になる二重モードＳ
ＡＷフィルタを用いればその端末機の性能を改善する上
で優れた効果を奏す。
ので、４５゜ＸカットＺ伝搬Ｌｉ2Ｂ4Ｏ7基板を用いた
二重モードＳＡＷフィルタにおいて、通過帯域の低域側
に生ずるスプリアスを改善することが可能となり、携帯
電話端末等のＩＦフィルタに本発明になる二重モードＳ
ＡＷフィルタを用いればその端末機の性能を改善する上
で優れた効果を奏す。
【図１】本発明に係る1次_2次縦結合二重モードＳＡＷ
フィルタの構成を示す平面図である。
フィルタの構成を示す平面図である。
【図２】２つの反射器の電極周期比λr2／λr1と比帯域
幅（％）との関係を示す図である。
幅（％）との関係を示す図である。
【図３】２つの反射器の電極周期比λr2／λr1とスプリ
アスの強度（減衰量）との関係を示す図である。
アスの強度（減衰量）との関係を示す図である。
【図４】本発明に係る二重モードＳＡＷフィルタの濾波
特性を示す図である。
特性を示す図である。
【図５】従来の二重モードＳＡＷフィルタの構成を示す
平面図である。
平面図である。
【図６】従来の二重モードＳＡＷフィルタにおいて反射
器が形成するストップバンドαと２つの共振モードＳ
１、Ａ１との関係を示す図である。
器が形成するストップバンドαと２つの共振モードＳ
１、Ａ１との関係を示す図である。
【図７】従来の二重モードＳＡＷフィルタの濾波特性を
示す図である。
示す図である。
【図８】反射器の形成するストップバンドαを相対的に
高周波側にシフトした場合の２つの共振モードＳ１、Ａ
１の周波数関係を示す図である。
高周波側にシフトした場合の２つの共振モードＳ１、Ａ
１の周波数関係を示す図である。
１・・圧電基板 ２、３・・ＩＤＴ電極 ４ａ、４ｂ・・グレーティング反射器 λt・・ＩＤＴ電極の電極周期 λr1、λr2・・反射器４ａ、４ｂの電極周期 ＩＮ・・入力端子 ＯＵＴ・・出力端子
Claims (3)
- 【請求項１】 圧電基板上に表面波の伝搬方向に沿って
複数のＩＤＴ電極と該ＩＤＴ電極の両側にグレーティン
グ反射器を配置して構成した縦結合多重モードＳＡＷフ
ィルタにおいて、２つのグレーティング反射器はそれぞ
れのストップバンドの中心周波数が互いに異なるもので
あることを特徴とする縦結合多重モードＳＡＷフィル
タ。 - 【請求項２】 圧電基板上に表面波の伝搬方向に沿って
２のＩＤＴ電極と該ＩＤＴ電極の両側にグレーティング
反射器を配置して構成した縦結合二重モードＳＡＷフィ
ルタにおいて、一方のグレーティング反射器の電極周期
をλr1、他方のグレーティング反射器の電極周期をλr
2、ＩＤＴ電極周期をλtとしたときに、 λt＜λr2且つ０．９９≦λr2／λr1＜１ を満たすことを特徴とする縦結合二重モードＳＡＷフィ
ルタ。 - 【請求項３】 圧電基板として４５゜ＸカットＺ伝搬Ｌ
ｉ2Ｂ4Ｏ7を用いることを特徴とする、請求項１または
２記載の縦結合二重モードＳＡＷフィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2610499A JP2000224003A (ja) | 1999-02-03 | 1999-02-03 | 縦結合二重モードｓａｗフィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2610499A JP2000224003A (ja) | 1999-02-03 | 1999-02-03 | 縦結合二重モードｓａｗフィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000224003A true JP2000224003A (ja) | 2000-08-11 |
Family
ID=12184298
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2610499A Pending JP2000224003A (ja) | 1999-02-03 | 1999-02-03 | 縦結合二重モードｓａｗフィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000224003A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7002438B2 (en) | 2002-02-27 | 2006-02-21 | Fujitsu Media Devices Limited | Surface acoustic wave device with reflection electrodes having pitches that vary |
| US8305160B2 (en) | 2009-06-26 | 2012-11-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Elastic wave device and duplexer |
| WO2021153734A1 (ja) * | 2020-01-31 | 2021-08-05 | 株式会社村田製作所 | 弾性波デバイスおよびそれを備えたラダー型フィルタ |
-
1999
- 1999-02-03 JP JP2610499A patent/JP2000224003A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7002438B2 (en) | 2002-02-27 | 2006-02-21 | Fujitsu Media Devices Limited | Surface acoustic wave device with reflection electrodes having pitches that vary |
| US8305160B2 (en) | 2009-06-26 | 2012-11-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Elastic wave device and duplexer |
| WO2021153734A1 (ja) * | 2020-01-31 | 2021-08-05 | 株式会社村田製作所 | 弾性波デバイスおよびそれを備えたラダー型フィルタ |
| JP7414080B2 (ja) | 2020-01-31 | 2024-01-16 | 株式会社村田製作所 | 弾性波デバイスおよびそれを備えたラダー型フィルタ |
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