JPH11112284A - 弾性表面波フィルタ - Google Patents
弾性表面波フィルタInfo
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- JPH11112284A JPH11112284A JP26828297A JP26828297A JPH11112284A JP H11112284 A JPH11112284 A JP H11112284A JP 26828297 A JP26828297 A JP 26828297A JP 26828297 A JP26828297 A JP 26828297A JP H11112284 A JPH11112284 A JP H11112284A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】通過帯域端部近傍に高減衰極を有し、また通過
帯域端部近傍に高減衰極を有すると共に所望の周波数領
域で大きな減衰量が得られるものとする。 【解決手段】同一の圧電基板上で、少なくとも一対のＩ
ＤＴ電極を有する４個のＳＡＷ共振子３ａ，３ａ，３
ｂ，３ｂを対称格子状に接続して成るＳＡＷフィルタＦ
であって、前記４個のＳＡＷ共振子３ａ，３ａ，３ｂ，
３ｂはＳ＝Ｔ×Ｋ（Ｔ：櫛歯状電極の電極指の対数、
Ｋ：電極指の交差幅）が異なる２種のものからなり、第
１種のＳＡＷ共振子３ｂ，３ｂのＳをＳ1 ＝Ｔ1 ×Ｋ1
、第２種のＳＡＷ共振子３ａ，３ａのＳをＳ2 ＝Ｔ2
×Ｋ2 とした場合、Ｓ1 ／Ｓ2 ≧１．２である。
帯域端部近傍に高減衰極を有すると共に所望の周波数領
域で大きな減衰量が得られるものとする。 【解決手段】同一の圧電基板上で、少なくとも一対のＩ
ＤＴ電極を有する４個のＳＡＷ共振子３ａ，３ａ，３
ｂ，３ｂを対称格子状に接続して成るＳＡＷフィルタＦ
であって、前記４個のＳＡＷ共振子３ａ，３ａ，３ｂ，
３ｂはＳ＝Ｔ×Ｋ（Ｔ：櫛歯状電極の電極指の対数、
Ｋ：電極指の交差幅）が異なる２種のものからなり、第
１種のＳＡＷ共振子３ｂ，３ｂのＳをＳ1 ＝Ｔ1 ×Ｋ1
、第２種のＳＡＷ共振子３ａ，３ａのＳをＳ2 ＝Ｔ2
×Ｋ2 とした場合、Ｓ1 ／Ｓ2 ≧１．２である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、移動体通信機器等
に用いられる弾性表面波フィルタであって、複数の弾性
表面波共振子を対称格子状に配設した不平衡入力−平衡
出力型あるいは平衡入力−不平衡出力型の弾性表面波フ
ィルタに関する。
に用いられる弾性表面波フィルタであって、複数の弾性
表面波共振子を対称格子状に配設した不平衡入力−平衡
出力型あるいは平衡入力−不平衡出力型の弾性表面波フ
ィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の弾性表面波（Surface Acoustic W
ave で、以下、ＳＡＷと略す）共振子の基本構成の平面
図を図６に示す。同図において、４は一対の櫛歯状電極
（Inter Digital Transducerで、以下、ＩＤＴ電極とい
う）であり、ＩＤＴ電極４のＳＡＷ伝搬路上の両端には
ＳＡＷを効率良く共振させるための反射器５が配置され
る。ＩＤＴ電極４及び反射器５は、例えば３６°Ｙカッ
ト−Ｘ伝搬のタンタル酸リチウム単結晶等からなる圧電
基板上に、フォトリソグラフィ法、蒸着法等によりＡｌ
等のパターンを形成して作製される。尚、ＩＤＴ電極４
の電極指の対数は数１０〜数１００対にも及ぶため、同
図では簡略化して描いてある。
ave で、以下、ＳＡＷと略す）共振子の基本構成の平面
図を図６に示す。同図において、４は一対の櫛歯状電極
（Inter Digital Transducerで、以下、ＩＤＴ電極とい
う）であり、ＩＤＴ電極４のＳＡＷ伝搬路上の両端には
ＳＡＷを効率良く共振させるための反射器５が配置され
る。ＩＤＴ電極４及び反射器５は、例えば３６°Ｙカッ
ト−Ｘ伝搬のタンタル酸リチウム単結晶等からなる圧電
基板上に、フォトリソグラフィ法、蒸着法等によりＡｌ
等のパターンを形成して作製される。尚、ＩＤＴ電極４
の電極指の対数は数１０〜数１００対にも及ぶため、同
図では簡略化して描いてある。
【０００３】近年、電波を利用する電子機器用の帯域通
過フィルタ等の周波数フィルタ（以下、フィルタとい
う）、遅延線、発振器等用の電子部品として、多くのＳ
ＡＷ共振子やＳＡＷフィルタが用いられている。特に小
型・軽量でかつフィルタとしての急峻遮断性能が高いＳ
ＡＷフィルタは、移動体通信分野において、携帯電話等
の携帯端末装置のＲＦ（Radio Frequency ：無線周波数
あるいは高周波）段及びＩＦ（Intermediate Frequenc
y ：中間周波数）段のフィルタとして多用されてきてお
り、通過帯域端部近傍を含めた通過帯域外減衰量が大き
く通過帯域内で低損失の特性を有するＳＡＷフィルタに
対する要望が強い。
過フィルタ等の周波数フィルタ（以下、フィルタとい
う）、遅延線、発振器等用の電子部品として、多くのＳ
ＡＷ共振子やＳＡＷフィルタが用いられている。特に小
型・軽量でかつフィルタとしての急峻遮断性能が高いＳ
ＡＷフィルタは、移動体通信分野において、携帯電話等
の携帯端末装置のＲＦ（Radio Frequency ：無線周波数
あるいは高周波）段及びＩＦ（Intermediate Frequenc
y ：中間周波数）段のフィルタとして多用されてきてお
り、通過帯域端部近傍を含めた通過帯域外減衰量が大き
く通過帯域内で低損失の特性を有するＳＡＷフィルタに
対する要望が強い。
【０００４】また、移動体通信機器等の小型・軽量化及
び低コスト化のための使用部品の削減により、ＳＡＷフ
ィルタに新たな機能の付加が要求されてきている。その
一つに、ＲＦ段等とＩＦ段等との段間に使用されるＳＡ
Ｗフィルタに対して、不平衡入力−平衡出力型あるいは
平衡入力−不平衡出力型に構成できるようにとの要求が
ある。
び低コスト化のための使用部品の削減により、ＳＡＷフ
ィルタに新たな機能の付加が要求されてきている。その
一つに、ＲＦ段等とＩＦ段等との段間に使用されるＳＡ
Ｗフィルタに対して、不平衡入力−平衡出力型あるいは
平衡入力−不平衡出力型に構成できるようにとの要求が
ある。
【０００５】従来のＳＡＷフィルタは、一般的に不平衡
入力−不平衡出力型であるため、ＳＡＷフィルタ後段の
回路や電子部品が平衡入力型となっている場合は、ＳＡ
Ｗフィルタと後段との間に、バラン回路等の不平衡−平
衡変換器を挿入した回路構成を採っていた。同様に、Ｓ
ＡＷフィルタ前段の回路や電子部品が平衡出力型となっ
ている場合は、前段とＳＡＷフィルタとの間に平衡−不
平衡変換器を挿入した回路構成となっていた。
入力−不平衡出力型であるため、ＳＡＷフィルタ後段の
回路や電子部品が平衡入力型となっている場合は、ＳＡ
Ｗフィルタと後段との間に、バラン回路等の不平衡−平
衡変換器を挿入した回路構成を採っていた。同様に、Ｓ
ＡＷフィルタ前段の回路や電子部品が平衡出力型となっ
ている場合は、前段とＳＡＷフィルタとの間に平衡−不
平衡変換器を挿入した回路構成となっていた。
【０００６】現在、不平衡−平衡変換器あるいは平衡−
不平衡変換器を削除するために、ＳＡＷフィルタに平衡
−不平衡変換器機能あるいは不平衡−平衡変換器機能を
持たせた、不平衡入力−平衡出力型ＳＡＷフィルタある
いは平衡入力−不平衡出力型ＳＡＷフィルタ（以下、平
衡型ＳＡＷフィルタと略す）の実用化が進められてい
る。
不平衡変換器を削除するために、ＳＡＷフィルタに平衡
−不平衡変換器機能あるいは不平衡−平衡変換器機能を
持たせた、不平衡入力−平衡出力型ＳＡＷフィルタある
いは平衡入力−不平衡出力型ＳＡＷフィルタ（以下、平
衡型ＳＡＷフィルタと略す）の実用化が進められてい
る。
【０００７】また、移動体通信機器用のフィルタは、携
帯端末装置の小型化、低電力化のために低損失であるの
が望ましい。その上、受信用及び送信用として用いられ
る共用フィルタには、受信帯域と送信帯域のそれぞれの
帯域外に抑止帯域（あるいは阻止帯域）があり、通過帯
域端部近傍から広い範囲に渡って高減衰であることが強
く要求されている。更に、移動体通信システムによって
は局所的に特定の周波数領域のみかなり大きい減衰量が
要求される場合がある。
帯端末装置の小型化、低電力化のために低損失であるの
が望ましい。その上、受信用及び送信用として用いられ
る共用フィルタには、受信帯域と送信帯域のそれぞれの
帯域外に抑止帯域（あるいは阻止帯域）があり、通過帯
域端部近傍から広い範囲に渡って高減衰であることが強
く要求されている。更に、移動体通信システムによって
は局所的に特定の周波数領域のみかなり大きい減衰量が
要求される場合がある。
【０００８】このようななかで、ＳＡＷ共振子からなる
４個のインピーダンス素子を対称格子状に配置した格子
型ＳＡＷフィルタが期待されており、これは、共振周波
数の異なる２種類のＳＡＷ共振子を２個ずつの計４個で
ブリッジ回路を構成したものであり、平衡型ＳＡＷフィ
ルタを実現できると共に通過帯域内において低損失とな
る。
４個のインピーダンス素子を対称格子状に配置した格子
型ＳＡＷフィルタが期待されており、これは、共振周波
数の異なる２種類のＳＡＷ共振子を２個ずつの計４個で
ブリッジ回路を構成したものであり、平衡型ＳＡＷフィ
ルタを実現できると共に通過帯域内において低損失とな
る。
【０００９】上記格子型ＳＡＷフィルタの従来例とし
て、一方のＳＡＷ共振子と他方のＳＡＷ共振子のＩＤＴ
電極の容量差を±５％以内に設定することにより、通過
帯域外の広い周波数範囲で高い減衰量を得るものが提案
されている（特開平８−６５０９９号公報参照）。
て、一方のＳＡＷ共振子と他方のＳＡＷ共振子のＩＤＴ
電極の容量差を±５％以内に設定することにより、通過
帯域外の広い周波数範囲で高い減衰量を得るものが提案
されている（特開平８−６５０９９号公報参照）。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
格子型ＳＡＷフィルタは、図５のフィルタ特性のグラフ
に示すように、通過帯域（８００〜８５０ＭＨｚ程度）
から離れるに従い高減衰であるが、通過帯域端部近傍の
減衰量を大きくとることができず、通過帯域と通過帯域
外との遮断特性が悪いという問題がある。また、通過帯
域から離れた特定の周波数領域を大きく減衰させること
ができないという問題もある。
格子型ＳＡＷフィルタは、図５のフィルタ特性のグラフ
に示すように、通過帯域（８００〜８５０ＭＨｚ程度）
から離れるに従い高減衰であるが、通過帯域端部近傍の
減衰量を大きくとることができず、通過帯域と通過帯域
外との遮断特性が悪いという問題がある。また、通過帯
域から離れた特定の周波数領域を大きく減衰させること
ができないという問題もある。
【００１１】従って、本発明は上記事情に鑑みて完成さ
れたものであり、その目的は通過帯域端部近傍に高減衰
域（高減衰極）を有し、また通過帯域端部近傍に高減衰
域（高減衰極）を有すると共に所望の周波数領域で大き
な減衰量が得られるものとすることを目的とする。
れたものであり、その目的は通過帯域端部近傍に高減衰
域（高減衰極）を有し、また通過帯域端部近傍に高減衰
域（高減衰極）を有すると共に所望の周波数領域で大き
な減衰量が得られるものとすることを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明のＳＡＷフィルタ
は、同一の圧電基板上で、少なくとも一対の櫛歯状電極
を有する複数の弾性表面波共振子を対称格子状に接続し
て成る弾性表面波フィルタであって、前記複数の弾性表
面波共振子はＴ×Ｋ（Ｔ：櫛歯状電極の電極指の対数、
Ｋ：電極指の交差幅）が異なる２種のものからなり、第
１種の弾性表面波共振子をＴ1 ×Ｋ1 、第２種の弾性表
面波共振子をＴ2 ×Ｋ2 とした場合、（Ｔ1 ×Ｋ1 ）／
（Ｔ2 ×Ｋ2 ）≧１．２であることを特徴とし、通過帯
域端部近傍に高減衰域（高減衰極）を設定することがで
きる。
は、同一の圧電基板上で、少なくとも一対の櫛歯状電極
を有する複数の弾性表面波共振子を対称格子状に接続し
て成る弾性表面波フィルタであって、前記複数の弾性表
面波共振子はＴ×Ｋ（Ｔ：櫛歯状電極の電極指の対数、
Ｋ：電極指の交差幅）が異なる２種のものからなり、第
１種の弾性表面波共振子をＴ1 ×Ｋ1 、第２種の弾性表
面波共振子をＴ2 ×Ｋ2 とした場合、（Ｔ1 ×Ｋ1 ）／
（Ｔ2 ×Ｋ2 ）≧１．２であることを特徴とし、通過帯
域端部近傍に高減衰域（高減衰極）を設定することがで
きる。
【００１３】また、本発明のＳＡＷフィルタは、上記弾
性表面波フィルタを用い、前記弾性表面波フィルタを弾
性表面波フィルタＡとし、（Ｔ1 ×Ｋ1 ）／（Ｔ2 ×Ｋ
2 ）＞１のものを弾性表面波フィルタＢとし、弾性表面
波フィルタＡと弾性表面波フィルタＢとが多段接続され
ている特徴とし、これにより、通過帯域端部近傍に高減
衰域（高減衰極）を設定できると共に、通過帯域から離
れた周波数領域でも大きな減衰量が得られる。
性表面波フィルタを用い、前記弾性表面波フィルタを弾
性表面波フィルタＡとし、（Ｔ1 ×Ｋ1 ）／（Ｔ2 ×Ｋ
2 ）＞１のものを弾性表面波フィルタＢとし、弾性表面
波フィルタＡと弾性表面波フィルタＢとが多段接続され
ている特徴とし、これにより、通過帯域端部近傍に高減
衰域（高減衰極）を設定できると共に、通過帯域から離
れた周波数領域でも大きな減衰量が得られる。
【００１４】更に、本発明において好ましくは、圧電基
板が３６°Ｙカット−Ｘ伝搬のタンタル酸リチウム単結
晶からなり、Ｒ＝（Ｔ1 ×Ｋ1 ）／（Ｔ2 ×Ｋ2 ）とし
た場合に前記Ｒは、 Ｒ＝−１．１／｛１００×（ｆL −ｆ0 ）／ｆ0 ＋Ａ｝＋Ｂ Ｒ＝１．４／｛１００×（ｆH −ｆ0 ）／ｆ0 ＋Ａ｝＋Ｂ ２．８≦Ａ≦５．２ ０．９８≦Ｂ＜１．００ （ｆ0 ：フィルタの中心周波数、ｆL ：低周波側の減衰
極の周波数、ｆH ：高周波側の減衰極の周波数）で決定
される。
板が３６°Ｙカット−Ｘ伝搬のタンタル酸リチウム単結
晶からなり、Ｒ＝（Ｔ1 ×Ｋ1 ）／（Ｔ2 ×Ｋ2 ）とし
た場合に前記Ｒは、 Ｒ＝−１．１／｛１００×（ｆL −ｆ0 ）／ｆ0 ＋Ａ｝＋Ｂ Ｒ＝１．４／｛１００×（ｆH −ｆ0 ）／ｆ0 ＋Ａ｝＋Ｂ ２．８≦Ａ≦５．２ ０．９８≦Ｂ＜１．００ （ｆ0 ：フィルタの中心周波数、ｆL ：低周波側の減衰
極の周波数、ｆH ：高周波側の減衰極の周波数）で決定
される。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明のＳＡＷフィルタＦを図１
〜図４に示す。また、以下、簡単のためＴ×Ｋ＝Ｓと表
す。図１（ａ）は、一対のＩＤＴ電極を有する４個のＳ
ＡＷ共振子３ａ，３ａ，３ｂ，３ｂを対称格子状に接続
して成り、対称位置にある第１種のＳＡＷ共振子３ｂ，
３ｂのＳをＳ1 ＝Ｔ1 ×Ｋ1 、同様に対称位置にある第
２種のＳＡＷ共振子３ａ，３ａのＳをＳ2 ＝Ｔ2 ×Ｋ2
とした場合、Ｓ1 ／Ｓ2 ≧１．２であるＳＡＷフィルタ
を２段接続したものである。勿論、同図において、１段
のみであってもよい。
〜図４に示す。また、以下、簡単のためＴ×Ｋ＝Ｓと表
す。図１（ａ）は、一対のＩＤＴ電極を有する４個のＳ
ＡＷ共振子３ａ，３ａ，３ｂ，３ｂを対称格子状に接続
して成り、対称位置にある第１種のＳＡＷ共振子３ｂ，
３ｂのＳをＳ1 ＝Ｔ1 ×Ｋ1 、同様に対称位置にある第
２種のＳＡＷ共振子３ａ，３ａのＳをＳ2 ＝Ｔ2 ×Ｋ2
とした場合、Ｓ1 ／Ｓ2 ≧１．２であるＳＡＷフィルタ
を２段接続したものである。勿論、同図において、１段
のみであってもよい。
【００１６】また、同図（ｂ）は（ａ）のもののフィル
タ特性のグラフであり、通過帯域端部近傍に減衰極が生
じる。
タ特性のグラフであり、通過帯域端部近傍に減衰極が生
じる。
【００１７】図２（ａ）は、４個のＳＡＷ共振子３ａ，
３ａ，３ｂ，３ｂを対称格子状に接続して成り、第１種
のＳＡＷ共振子３ｂ，３ｂのＳをＳ1 ＝Ｔ1 ×Ｋ1 、第
２種のＳＡＷ共振子３ａ，３ａのＳをＳ2 ＝Ｔ2 ×Ｋ2
とした場合、Ｓ1 ／Ｓ2 ≧１．２であるＳＡＷフィルタ
Ａを前段とし、４個のＳＡＷ共振子３ｃ，３ｃ，３ｄ，
３ｄを対称格子状に接続して成り、第１種のＳＡＷ共振
子３ｄ，３ｄのＳをＳ12＝Ｔ12×Ｋ12（Ｓ1 をＳ12に、
Ｔ1 をＴ12に、Ｋ1 をＫ12に置き換える）、第２種のＳ
ＡＷ共振子３ｃ，３ｃのＳをＳ22＝Ｔ22×Ｋ22（Ｓ2 を
Ｓ22に、Ｔ2 をＴ22に、Ｋ2 をＫ22に置き換える）とし
た場合、Ｓ12／Ｓ22＞１であるＳＡＷフィルタＢを後段
として、ＳＡＷフィルタＡとＳＡＷフィルタＢとを２段
接続（縦続接続）したものである。勿論、同図におい
て、ＳＡＷフィルタＡとＳＡＷフィルタＢを入れ換えた
り、これらのいずれかをより多段接続してもよい。
３ａ，３ｂ，３ｂを対称格子状に接続して成り、第１種
のＳＡＷ共振子３ｂ，３ｂのＳをＳ1 ＝Ｔ1 ×Ｋ1 、第
２種のＳＡＷ共振子３ａ，３ａのＳをＳ2 ＝Ｔ2 ×Ｋ2
とした場合、Ｓ1 ／Ｓ2 ≧１．２であるＳＡＷフィルタ
Ａを前段とし、４個のＳＡＷ共振子３ｃ，３ｃ，３ｄ，
３ｄを対称格子状に接続して成り、第１種のＳＡＷ共振
子３ｄ，３ｄのＳをＳ12＝Ｔ12×Ｋ12（Ｓ1 をＳ12に、
Ｔ1 をＴ12に、Ｋ1 をＫ12に置き換える）、第２種のＳ
ＡＷ共振子３ｃ，３ｃのＳをＳ22＝Ｔ22×Ｋ22（Ｓ2 を
Ｓ22に、Ｔ2 をＴ22に、Ｋ2 をＫ22に置き換える）とし
た場合、Ｓ12／Ｓ22＞１であるＳＡＷフィルタＢを後段
として、ＳＡＷフィルタＡとＳＡＷフィルタＢとを２段
接続（縦続接続）したものである。勿論、同図におい
て、ＳＡＷフィルタＡとＳＡＷフィルタＢを入れ換えた
り、これらのいずれかをより多段接続してもよい。
【００１８】また、同図（ｂ）は（ａ）のもののフィル
タ特性のグラフであり、通過帯域端部近傍と通過帯域か
ら離れた周波数領域に減衰極が設定できる。
タ特性のグラフであり、通過帯域端部近傍と通過帯域か
ら離れた周波数領域に減衰極が設定できる。
【００１９】更に、同図において、ＳＡＷフィルタＢの
Ｓ12／Ｓ22の値を種々に設定したものを多段接続して、
より多くの減衰極を任意の周波数領域に設定することも
できる。
Ｓ12／Ｓ22の値を種々に設定したものを多段接続して、
より多くの減衰極を任意の周波数領域に設定することも
できる。
【００２０】またこの場合、１＜Ｓ12／Ｓ22＜１．２と
することにより、ＳＡＷフィルタＢによって生じる減衰
極とＳＡＷフィルタＡにより生じる減衰極が重複せず
に、ＳＡＷフィルタＡは通過帯域に近い周波数領域に、
ＳＡＷフィルタＢは通過帯域にから離れた周波数領域に
それぞれ減衰極を設定できる。
することにより、ＳＡＷフィルタＢによって生じる減衰
極とＳＡＷフィルタＡにより生じる減衰極が重複せず
に、ＳＡＷフィルタＡは通過帯域に近い周波数領域に、
ＳＡＷフィルタＢは通過帯域にから離れた周波数領域に
それぞれ減衰極を設定できる。
【００２１】尚、図１，図２において、１ａ，１ｂは２
つの入力端子、２ａ，２ｂは２つの出力端子である。
つの入力端子、２ａ，２ｂは２つの出力端子である。
【００２２】ここで、上記ＴはＩＤＴ電極の電極指の対
数、Ｋは電極指の交差幅であり、Ｓ＝Ｔ×ＫはＳＡＷ共
振子の等価電気容量に比例するものである。前記等価電
気容量は、図４に示すＳＡＷ共振子の等価回路のＣ0 に
相当する。また、等価電気容量Ｃ0 は圧電基板の誘電率
にもよるが、同一の圧電基板においてはＴ，Ｋによって
決定される。更に、Ｓの値が大きい方が等価電気容量が
大きく、また電極指のピッチを小さくすることにより共
振周波数を高くしている。
数、Ｋは電極指の交差幅であり、Ｓ＝Ｔ×ＫはＳＡＷ共
振子の等価電気容量に比例するものである。前記等価電
気容量は、図４に示すＳＡＷ共振子の等価回路のＣ0 に
相当する。また、等価電気容量Ｃ0 は圧電基板の誘電率
にもよるが、同一の圧電基板においてはＴ，Ｋによって
決定される。更に、Ｓの値が大きい方が等価電気容量が
大きく、また電極指のピッチを小さくすることにより共
振周波数を高くしている。
【００２３】一般に、一つのＳＡＷ共振子は、インピー
ダンスが極小値となる共振周波数とインピーダンスが極
大値となる反共振周波数を有する。そして、本発明は基
本的に、共振周波数の異なる２種類のＳＡＷ共振子を各
２個ずつの計４個を、２つの入力端子と２つの出力端子
との間に対称格子状（ブリッジ型）に配設してなる構造
を有する。
ダンスが極小値となる共振周波数とインピーダンスが極
大値となる反共振周波数を有する。そして、本発明は基
本的に、共振周波数の異なる２種類のＳＡＷ共振子を各
２個ずつの計４個を、２つの入力端子と２つの出力端子
との間に対称格子状（ブリッジ型）に配設してなる構造
を有する。
【００２４】この構成において、図３に示すように、原
理的にはＳ1 ／Ｓ2 ＝１のとき低周波側の減衰極は０Ｈ
ｚで高周波側の減衰極は無限大の周波数位置に発生す
る。そして、Ｓ1 ／Ｓ2 が１より大きくなるに従い、低
周波側の減衰極は高周波側に移動し、共振周波数が低い
方のＳＡＷ共振子の共振周波数に近づいていく。同時
に、高周波側の減衰極は低周波側に移動し、共振周波数
が高い方のＳＡＷ共振子の反共振周波数に近づいてい
く。
理的にはＳ1 ／Ｓ2 ＝１のとき低周波側の減衰極は０Ｈ
ｚで高周波側の減衰極は無限大の周波数位置に発生す
る。そして、Ｓ1 ／Ｓ2 が１より大きくなるに従い、低
周波側の減衰極は高周波側に移動し、共振周波数が低い
方のＳＡＷ共振子の共振周波数に近づいていく。同時
に、高周波側の減衰極は低周波側に移動し、共振周波数
が高い方のＳＡＷ共振子の反共振周波数に近づいてい
く。
【００２５】図３（ａ）は、圧電基板が３６°Ｙカット
−Ｘ伝搬のタンタル酸リチウム単結晶の場合に、Ｓ1 ／
Ｓ2 （横軸）と（ｆL −ｆ0 ）／ｆ0 ×１００（縦軸）
との関係を表したグラフで、Ｓ1 ／Ｓ2 ＞１で１の近傍
のときに（ｆL −ｆ0 ）／ｆ0 ×１００＝−４０．０、
ｆ0 ＝８００ＭＨｚとして、ｆL ≒４４０ＭＨｚとな
り、Ｓ1 ／Ｓ2 ≧１．２とすると通過帯域端部近傍に減
衰極を設定できることが判る。
−Ｘ伝搬のタンタル酸リチウム単結晶の場合に、Ｓ1 ／
Ｓ2 （横軸）と（ｆL −ｆ0 ）／ｆ0 ×１００（縦軸）
との関係を表したグラフで、Ｓ1 ／Ｓ2 ＞１で１の近傍
のときに（ｆL −ｆ0 ）／ｆ0 ×１００＝−４０．０、
ｆ0 ＝８００ＭＨｚとして、ｆL ≒４４０ＭＨｚとな
り、Ｓ1 ／Ｓ2 ≧１．２とすると通過帯域端部近傍に減
衰極を設定できることが判る。
【００２６】同様に、（ｂ）は圧電基板が３６°Ｙカッ
ト−Ｘ伝搬のタンタル酸リチウム単結晶の場合に、Ｓ1
／Ｓ2 （横軸）と（ｆH −ｆ0 ）／ｆ0 ×１００（縦
軸）との関係を表したグラフで、Ｓ1 ／Ｓ2 ＞１で１の
近傍のときに（ｆH −ｆ0 ）／ｆ0 ×１００＝５０．
０、ｆ0 ＝８００ＭＨｚでｆH ≒１２００ＭＨｚとな
り、Ｓ1 ／Ｓ2 ≧１．２とすると通過帯域端部近傍に減
衰極を設定できることが判る。
ト−Ｘ伝搬のタンタル酸リチウム単結晶の場合に、Ｓ1
／Ｓ2 （横軸）と（ｆH −ｆ0 ）／ｆ0 ×１００（縦
軸）との関係を表したグラフで、Ｓ1 ／Ｓ2 ＞１で１の
近傍のときに（ｆH −ｆ0 ）／ｆ0 ×１００＝５０．
０、ｆ0 ＝８００ＭＨｚでｆH ≒１２００ＭＨｚとな
り、Ｓ1 ／Ｓ2 ≧１．２とすると通過帯域端部近傍に減
衰極を設定できることが判る。
【００２７】また、Ｓ1 ／Ｓ2 ≧１．２とすることによ
り、低周波側の減衰極及び高周波側の減衰極を、中心周
波数からそれぞれ約１０％以内離れたところに設けるこ
とができ、移動体通信用として要求される急峻な遮断特
性を得ることができる。また、Ｓ1 ／Ｓ2 ≧１．２の領
域では、Ｓ1 ／Ｓ2 ＝１．２を変曲点としてＳ1 ／Ｓ2
の変化に対し減衰極位置の変化が緩やかになるため、減
衰極位置の制御がし易く、その結果所望の周波数で減衰
極を有するフィルタを安定的に製造することができると
いう効果もある。
り、低周波側の減衰極及び高周波側の減衰極を、中心周
波数からそれぞれ約１０％以内離れたところに設けるこ
とができ、移動体通信用として要求される急峻な遮断特
性を得ることができる。また、Ｓ1 ／Ｓ2 ≧１．２の領
域では、Ｓ1 ／Ｓ2 ＝１．２を変曲点としてＳ1 ／Ｓ2
の変化に対し減衰極位置の変化が緩やかになるため、減
衰極位置の制御がし易く、その結果所望の周波数で減衰
極を有するフィルタを安定的に製造することができると
いう効果もある。
【００２８】同図におけるＳ1 ／Ｓ2 のグラフは実験的
に得られたものであり、Ｒ＝Ｓ1 ／Ｓ2 とすると、
（ａ）において、Ｒ＝−１．１／｛１００×（ｆL −ｆ
0 ）／ｆ0 ＋４｝＋０．９８（Ａ＝４，Ｂ＝０．９８）
と表され、（ｂ）において、Ｒ＝１．４／｛１００×
（ｆH −ｆ0 ）／ｆ0 ＋４｝＋０．９８（Ａ＝４，Ｂ＝
０．９８）と表される。
に得られたものであり、Ｒ＝Ｓ1 ／Ｓ2 とすると、
（ａ）において、Ｒ＝−１．１／｛１００×（ｆL −ｆ
0 ）／ｆ0 ＋４｝＋０．９８（Ａ＝４，Ｂ＝０．９８）
と表され、（ｂ）において、Ｒ＝１．４／｛１００×
（ｆH −ｆ0 ）／ｆ0 ＋４｝＋０．９８（Ａ＝４，Ｂ＝
０．９８）と表される。
【００２９】上記式において、２．８≦Ａ≦５．２
（４．０±１．２）であり、この範囲外では減衰極の位
置が中心値の４．０％から１．２％（ｆ0 ＝８３６ＭＨ
ｚでは１０ＭＨｚ程度に相当）以上ずれることになり、
遮断特性が劣化したり通過帯域が狭くなりすぎる。好ま
しくは、３．８≦Ａ≦４．２（４．０±０．２）であ
る。また、０．９８≦Ｂ＜１．００（０．９９±０．０
１）であり、１．００以上では低周波側の減衰極は０Ｈ
ｚ、高周波側の減衰極は無限大の周波数位置に発生する
ことになり、０．９８未満では中心値の０．９９に対し
て圧電基板材料及びＩＤＴ電極等のパターン作製バラツ
キ等によるＲのバラツキへの影響が大きくなり、その結
果遮断特性が劣化する等の問題が生ずる。
（４．０±１．２）であり、この範囲外では減衰極の位
置が中心値の４．０％から１．２％（ｆ0 ＝８３６ＭＨ
ｚでは１０ＭＨｚ程度に相当）以上ずれることになり、
遮断特性が劣化したり通過帯域が狭くなりすぎる。好ま
しくは、３．８≦Ａ≦４．２（４．０±０．２）であ
る。また、０．９８≦Ｂ＜１．００（０．９９±０．０
１）であり、１．００以上では低周波側の減衰極は０Ｈ
ｚ、高周波側の減衰極は無限大の周波数位置に発生する
ことになり、０．９８未満では中心値の０．９９に対し
て圧電基板材料及びＩＤＴ電極等のパターン作製バラツ
キ等によるＲのバラツキへの影響が大きくなり、その結
果遮断特性が劣化する等の問題が生ずる。
【００３０】本発明のＳＡＷフィルタＦが主に使用され
る移動体通信機器における、ＲＦフィルタの通過帯域幅
は中心周波数（８００〜９００ＭＨｚ）の１％〜５％
（比帯域幅）である。これを実現するための圧電基板
は、２％以上の電気機械結合係数を有することが望まし
い。具体的には、３６°Ｙカット−Ｘ伝搬タンタル酸リ
チウム単結晶，６４°Ｙカット−Ｘ伝搬ニオブ酸リチウ
ム単結晶，４１°Ｙカット−Ｘ伝搬ニオブ酸リチウム単
結晶等を挙げることができる。特に３６°Ｙカット−Ｘ
伝搬タンタル酸リチウム単結晶は温度特性等が良好であ
り有用である。
る移動体通信機器における、ＲＦフィルタの通過帯域幅
は中心周波数（８００〜９００ＭＨｚ）の１％〜５％
（比帯域幅）である。これを実現するための圧電基板
は、２％以上の電気機械結合係数を有することが望まし
い。具体的には、３６°Ｙカット−Ｘ伝搬タンタル酸リ
チウム単結晶，６４°Ｙカット−Ｘ伝搬ニオブ酸リチウ
ム単結晶，４１°Ｙカット−Ｘ伝搬ニオブ酸リチウム単
結晶等を挙げることができる。特に３６°Ｙカット−Ｘ
伝搬タンタル酸リチウム単結晶は温度特性等が良好であ
り有用である。
【００３１】本発明において、一つのＳＡＷフィルタＦ
に使用されるＳＡＷ共振子は４個に限定されず、５個以
上設けても構わない。この場合、ブリッジの対称位置に
おいて同数とするのがよい。
に使用されるＳＡＷ共振子は４個に限定されず、５個以
上設けても構わない。この場合、ブリッジの対称位置に
おいて同数とするのがよい。
【００３２】かくして、本発明は、通過帯域端部近傍に
高減衰極を有し、また通過帯域端部近傍に高減衰極を有
すると共に所望の周波数領域で大きな減衰量が得られる
という作用効果を有する。
高減衰極を有し、また通過帯域端部近傍に高減衰極を有
すると共に所望の周波数領域で大きな減衰量が得られる
という作用効果を有する。
【００３３】尚、本発明は上記の実施形態に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々
の変更は何ら差し支えない。
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々
の変更は何ら差し支えない。
【００３４】
【実施例】本発明の実施例を以下に説明する。
【００３５】（実施例１）図１のＳＡＷフィルタＦを以
下のように構成した。共振周波数の高い方のＳＡＷ共振
子３ｂ，３ｂの共振周波数を、共振周波数の低い方のＳ
ＡＷ共振子３ａ，３ａの反共振周波数にほぼ一致させる
ことにより、平坦な通過帯域特性が得られる。本実施例
では、第１種のＳＡＷ共振子３ｂ，３ｂ同士、又は第２
種のＳＡＷ共振子３ａ，３ａ同士ではそれぞれ同じもの
を用いたが、所望の特性により、第１種又は第２種の各
々のグループにおいて、個々の共振周波数を微妙にずら
すことも可能である。
下のように構成した。共振周波数の高い方のＳＡＷ共振
子３ｂ，３ｂの共振周波数を、共振周波数の低い方のＳ
ＡＷ共振子３ａ，３ａの反共振周波数にほぼ一致させる
ことにより、平坦な通過帯域特性が得られる。本実施例
では、第１種のＳＡＷ共振子３ｂ，３ｂ同士、又は第２
種のＳＡＷ共振子３ａ，３ａ同士ではそれぞれ同じもの
を用いたが、所望の特性により、第１種又は第２種の各
々のグループにおいて、個々の共振周波数を微妙にずら
すことも可能である。
【００３６】そして、ＳＡＷ共振子３ｂ，３ｂにおい
て、Ｔ1 ＝９４対、Ｋ1 ＝８０μｍ、Ｓ1 ＝７５２０、
（等価電気容量）＝３．００ｐＦとし、ＳＡＷ共振子３
ａ，３ａにおいて、Ｔ2 ＝９４対、Ｋ2 ＝６０μｍ、Ｓ
2 ＝５６４０、（等価電気容量）＝２．２６ｐＦとし、
Ｓ1 ／Ｓ2 ＝１．３３とした。
て、Ｔ1 ＝９４対、Ｋ1 ＝８０μｍ、Ｓ1 ＝７５２０、
（等価電気容量）＝３．００ｐＦとし、ＳＡＷ共振子３
ａ，３ａにおいて、Ｔ2 ＝９４対、Ｋ2 ＝６０μｍ、Ｓ
2 ＝５６４０、（等価電気容量）＝２．２６ｐＦとし、
Ｓ1 ／Ｓ2 ＝１．３３とした。
【００３７】上記構成により、図１（ｂ）に示すような
良好な通過帯域端部近傍の遮断特性が得られ、通過帯域
の中心周波数約８１５ＭＨｚ、比帯域幅約４％、通過帯
域における損失約２ｄＢ、減衰極での減衰量約５０ｄＢ
が得られた。
良好な通過帯域端部近傍の遮断特性が得られ、通過帯域
の中心周波数約８１５ＭＨｚ、比帯域幅約４％、通過帯
域における損失約２ｄＢ、減衰極での減衰量約５０ｄＢ
が得られた。
【００３８】また、ＳＡＷフィルタＦの作製方法につい
て以下に説明する。
て以下に説明する。
【００３９】３６°Ｙカット−Ｘ伝搬タンタル酸リチウ
ム単結晶からなる圧電基板の一主面に、Ａｌ，Ａｌ合金
の金属薄膜を蒸着法、スパッタリング法等の薄膜形成法
を用いて成膜する。その後、フォトレジストを金属薄膜
上に塗布し、ＩＤＴ電極等のパターンを形成するための
フォトマスクを用いて紫外光等により露光を行う。次
に、圧電基板を現像液に浸漬しフォトレジストのパター
ニングを行い、フォトレジストをマスクとしてウエット
エッチング法又ドライエッチング法により金属薄膜をパ
ターニングし、ＳＡＷフィルタＦを作製する。尚、本実
施例は金属薄膜のエッチングによる電極形成法である
が、リフトオフ法によっても同様に作製できる。
ム単結晶からなる圧電基板の一主面に、Ａｌ，Ａｌ合金
の金属薄膜を蒸着法、スパッタリング法等の薄膜形成法
を用いて成膜する。その後、フォトレジストを金属薄膜
上に塗布し、ＩＤＴ電極等のパターンを形成するための
フォトマスクを用いて紫外光等により露光を行う。次
に、圧電基板を現像液に浸漬しフォトレジストのパター
ニングを行い、フォトレジストをマスクとしてウエット
エッチング法又ドライエッチング法により金属薄膜をパ
ターニングし、ＳＡＷフィルタＦを作製する。尚、本実
施例は金属薄膜のエッチングによる電極形成法である
が、リフトオフ法によっても同様に作製できる。
【００４０】（実施例２）図２のものを以下のように構
成した。ＳＡＷフィルタＡは図１のものと同じであり、
ＳＡＷフィルタＢについて、ＳＡＷ共振子３ｄ，３ｄに
おいて、Ｔ12＝９４対、Ｋ12＝８０μｍ、Ｓ12＝７５２
０、（等価電気容量）＝３．００ｐＦとし、ＳＡＷ共振
子３ｃ，３ｃにおいて、Ｔ22＝９４対、Ｋ22＝７９μ
ｍ、Ｓ22＝７４２６、（等価電気容量）＝２．９７ｐＦ
とし、Ｓ12／Ｓ22＝１．０１とした。
成した。ＳＡＷフィルタＡは図１のものと同じであり、
ＳＡＷフィルタＢについて、ＳＡＷ共振子３ｄ，３ｄに
おいて、Ｔ12＝９４対、Ｋ12＝８０μｍ、Ｓ12＝７５２
０、（等価電気容量）＝３．００ｐＦとし、ＳＡＷ共振
子３ｃ，３ｃにおいて、Ｔ22＝９４対、Ｋ22＝７９μ
ｍ、Ｓ22＝７４２６、（等価電気容量）＝２．９７ｐＦ
とし、Ｓ12／Ｓ22＝１．０１とした。
【００４１】上記構成により、図２（ｂ）に示すよう
に、通過帯域端部近傍の良好な遮断特性と、通過帯域か
ら離れた低周波側及び高周波側での更なる減衰極とが得
られ、特に高周波側の１．２〜１．３ＧＨｚで良好な減
衰特性（減衰量５０ｄＢ以上）となった。また、通過帯
域の中心周波数約８１５ＭＨｚ、比帯域幅約４％、通過
帯域における損失約２ｄＢであった。
に、通過帯域端部近傍の良好な遮断特性と、通過帯域か
ら離れた低周波側及び高周波側での更なる減衰極とが得
られ、特に高周波側の１．２〜１．３ＧＨｚで良好な減
衰特性（減衰量５０ｄＢ以上）となった。また、通過帯
域の中心周波数約８１５ＭＨｚ、比帯域幅約４％、通過
帯域における損失約２ｄＢであった。
【００４２】
【発明の効果】本発明は、第１種のＳＡＷ共振子のＳを
Ｓ1 ＝Ｔ1 ×Ｋ1 、第２種のＳＡＷ共振子のＳをＳ2 ＝
Ｔ2 ×Ｋ2 とした場合、Ｓ1 ／Ｓ2 ≧１．２とする、又
は、Ｓ1 ／Ｓ2 ≧１．２のＳＡＷフィルタＡとＳ1 ／Ｓ
2 ＞１のＳＡＷフィルタＢとを多段接続することによ
り、通過帯域端部近傍に高減衰極を有し、また通過帯域
端部近傍に高減衰極を有すると共に所望の周波数領域で
大きな減衰量が得られるという作用効果を有する。
Ｓ1 ＝Ｔ1 ×Ｋ1 、第２種のＳＡＷ共振子のＳをＳ2 ＝
Ｔ2 ×Ｋ2 とした場合、Ｓ1 ／Ｓ2 ≧１．２とする、又
は、Ｓ1 ／Ｓ2 ≧１．２のＳＡＷフィルタＡとＳ1 ／Ｓ
2 ＞１のＳＡＷフィルタＢとを多段接続することによ
り、通過帯域端部近傍に高減衰極を有し、また通過帯域
端部近傍に高減衰極を有すると共に所望の周波数領域で
大きな減衰量が得られるという作用効果を有する。
【００４３】また、本発明は、通過帯域内で低挿入損失
なものとなり、更に不平衡入力−平衡出力又は平衡入力
−不平衡出力が可能となるので、移動体通信機器用の携
帯端末装置の小型軽量化、低電力化が達成される。
なものとなり、更に不平衡入力−平衡出力又は平衡入力
−不平衡出力が可能となるので、移動体通信機器用の携
帯端末装置の小型軽量化、低電力化が達成される。
【図１】本発明のＳＡＷフィルタＦの第１の実施例を示
し、（ａ）はそのブロック回路図、（ｂ）はフィルタ特
性のグラフである。
し、（ａ）はそのブロック回路図、（ｂ）はフィルタ特
性のグラフである。
【図２】本発明のＳＡＷフィルタＦの第２の実施例を示
し、（ａ）はそのブロック回路図、（ｂ）はフィルタ特
性のグラフである。
し、（ａ）はそのブロック回路図、（ｂ）はフィルタ特
性のグラフである。
【図３】図３（ａ）は、圧電基板が３６°Ｙカット−Ｘ
伝搬のタンタル酸リチウム単結晶の場合の、Ｓ1 ／Ｓ2
と（ｆL −ｆ0 ）／ｆ0 ×１００との関係を表したグラ
フ、（ｂ）は圧電基板が３６°Ｙカット−Ｘ伝搬のタン
タル酸リチウム単結晶の場合の、Ｓ1 ／Ｓ2 と（ｆH −
ｆ0 ）／ｆ0 ×１００との関係を表したグラフである。
伝搬のタンタル酸リチウム単結晶の場合の、Ｓ1 ／Ｓ2
と（ｆL −ｆ0 ）／ｆ0 ×１００との関係を表したグラ
フ、（ｂ）は圧電基板が３６°Ｙカット−Ｘ伝搬のタン
タル酸リチウム単結晶の場合の、Ｓ1 ／Ｓ2 と（ｆH −
ｆ0 ）／ｆ0 ×１００との関係を表したグラフである。
【図４】ＳＡＷ共振子の等価回路図である。
【図５】従来の平衡型ＳＡＷフィルタのフィルタ特性の
グラフである。
グラフである。
【図６】従来のＳＡＷ共振子の基本構成の平面図であ
る。
る。
１ａ：入力端子 １ｂ：入力端子 ２ａ：出力端子 ２ｂ：出力端子 ３ａ：第２種のＳＡＷ共振子 ３ｂ：第１種のＳＡＷ共振子 ３ｃ：第２種のＳＡＷ共振子 ３ｄ：第１種のＳＡＷ共振子 ４：ＩＤＴ電極 ５：反射器
Claims (3)
- 【請求項１】同一の圧電基板上で、少なくとも一対の櫛
歯状電極を有する複数の弾性表面波共振子を対称格子状
に接続して成る弾性表面波フィルタであって、前記複数
の弾性表面波共振子はＴ×Ｋ（Ｔ：櫛歯状電極の電極指
の対数、Ｋ：電極指の交差幅）が異なる２種のものから
なり、第１種の弾性表面波共振子をＴ1 ×Ｋ1 、第２種
の弾性表面波共振子をＴ2 ×Ｋ2 とした場合、（Ｔ1 ×
Ｋ1 ）／（Ｔ2 ×Ｋ2）≧１．２であることを特徴とす
る弾性表面波フィルタ。 - 【請求項２】請求項１の弾性表面波フィルタを用い、前
記弾性表面波フィルタを弾性表面波フィルタＡとし、
（Ｔ1 ×Ｋ1 ）／（Ｔ2 ×Ｋ2 ）＞１のものを弾性表面
波フィルタＢとし、弾性表面波フィルタＡと弾性表面波
フィルタＢとが多段接続されていることを特徴とする弾
性表面波フィルタ。 - 【請求項３】圧電基板が３６°Ｙカット−Ｘ伝搬のタン
タル酸リチウム単結晶からなり、Ｒ＝（Ｔ1 ×Ｋ1 ）／
（Ｔ2 ×Ｋ2 ）とした場合に前記Ｒは、 Ｒ＝−１．１／｛１００×（ｆL −ｆ0 ）／ｆ0 ＋Ａ｝＋Ｂ Ｒ＝１．４／｛１００×（ｆH −ｆ0 ）／ｆ0 ＋Ａ｝＋Ｂ ２．８≦Ａ≦５．２ ０．９８≦Ｂ＜１．００ （ｆ0 ：フィルタの中心周波数、ｆL ：低周波側の減衰
極の周波数、ｆH ：高周波側の減衰極の周波数）で決定
される請求項１又は２記載の弾性表面波フィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26828297A JP3784146B2 (ja) | 1997-10-01 | 1997-10-01 | 弾性表面波フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26828297A JP3784146B2 (ja) | 1997-10-01 | 1997-10-01 | 弾性表面波フィルタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11112284A true JPH11112284A (ja) | 1999-04-23 |
| JP3784146B2 JP3784146B2 (ja) | 2006-06-07 |
Family
ID=17456384
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26828297A Expired - Fee Related JP3784146B2 (ja) | 1997-10-01 | 1997-10-01 | 弾性表面波フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3784146B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6549100B2 (en) * | 2000-02-07 | 2003-04-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave lattice filter with different lattice and series arm capacitance ratios and communication device using same |
| KR20030053113A (ko) * | 2001-12-22 | 2003-06-28 | 엘지이노텍 주식회사 | 밸런스형 표면탄성파 필터 |
| JP2009272666A (ja) * | 2008-04-30 | 2009-11-19 | Fujitsu Ltd | フィルタ、デュプレクサおよび通信機器 |
-
1997
- 1997-10-01 JP JP26828297A patent/JP3784146B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6549100B2 (en) * | 2000-02-07 | 2003-04-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave lattice filter with different lattice and series arm capacitance ratios and communication device using same |
| KR20030053113A (ko) * | 2001-12-22 | 2003-06-28 | 엘지이노텍 주식회사 | 밸런스형 표면탄성파 필터 |
| JP2009272666A (ja) * | 2008-04-30 | 2009-11-19 | Fujitsu Ltd | フィルタ、デュプレクサおよび通信機器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3784146B2 (ja) | 2006-06-07 |
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