JPH07263998A - 端面反射型表面波共振子 - Google Patents
端面反射型表面波共振子Info
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- JPH07263998A JPH07263998A JP6055778A JP5577894A JPH07263998A JP H07263998 A JPH07263998 A JP H07263998A JP 6055778 A JP6055778 A JP 6055778A JP 5577894 A JP5577894 A JP 5577894A JP H07263998 A JPH07263998 A JP H07263998A
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 インターデジタルトランスデューサにおける
電極指の対数の如何に関わらず、取り扱いに際しての安
定性に優れた端面反射型の表面波共振子を提供すること
にある。 【構成】 圧電基板２２の一方主面２２ａ上にくし歯電
極２３，２４を形成することによりＩＤＴを構成し、溝
２５，２６を一方主面２２ａ側から他方主面側に至るよ
うに形成することにより表面波が反射される一対の端面
２２ｂ，２２ｃを形成してなり、溝２５，２６の外側に
圧電基板部分２２ｄ，２２ｅを有するＳＨタイプの表面
波を利用した端面反射型表面波共振子３０。
電極指の対数の如何に関わらず、取り扱いに際しての安
定性に優れた端面反射型の表面波共振子を提供すること
にある。 【構成】 圧電基板２２の一方主面２２ａ上にくし歯電
極２３，２４を形成することによりＩＤＴを構成し、溝
２５，２６を一方主面２２ａ側から他方主面側に至るよ
うに形成することにより表面波が反射される一対の端面
２２ｂ，２２ｃを形成してなり、溝２５，２６の外側に
圧電基板部分２２ｄ，２２ｅを有するＳＨタイプの表面
波を利用した端面反射型表面波共振子３０。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＢＧＳ波やラブ波等の
ＳＨタイプの表面波を利用した表面波共振子に関し、特
に、表面波が対向し合っている一対の端面において反射
される端面反射型の表面波共振子に関する。
ＳＨタイプの表面波を利用した表面波共振子に関し、特
に、表面波が対向し合っている一対の端面において反射
される端面反射型の表面波共振子に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＢＧＳ波やラブ波のようなＳＨタイプの
表面波を利用した端面反射型表面波共振子が知られてい
る。図１は、従来の端面反射型表面波共振子の一例を示
す斜視図である。
表面波を利用した端面反射型表面波共振子が知られてい
る。図１は、従来の端面反射型表面波共振子の一例を示
す斜視図である。
【０００３】表面波共振子１は、平面形状が四角形の圧
電基板２を用いて構成されている。圧電基板２は、例え
ば、チタン酸ジルコン酸鉛系圧電セラミックスやＬｉＮ
ｂＯ 3 圧電単結晶もしくはＬｉＴａＯ3 圧電単結晶等の
圧電材料により構成されている。圧電セラミックスの場
合には、圧電基板２は、図示の矢印Ｐ方向に分極処理さ
れている。
電基板２を用いて構成されている。圧電基板２は、例え
ば、チタン酸ジルコン酸鉛系圧電セラミックスやＬｉＮ
ｂＯ 3 圧電単結晶もしくはＬｉＴａＯ3 圧電単結晶等の
圧電材料により構成されている。圧電セラミックスの場
合には、圧電基板２は、図示の矢印Ｐ方向に分極処理さ
れている。
【０００４】圧電基板２の上面２ａには、一対のくし歯
電極３，４が形成されており、それによってインターデ
ジタルトランスデューサ（以下、ＩＤＴと略す。）が構
成されている。くし歯電極３，４は、それぞれ電極指３
ａ〜３ｃ及び４ａ〜４ｃを有する。
電極３，４が形成されており、それによってインターデ
ジタルトランスデューサ（以下、ＩＤＴと略す。）が構
成されている。くし歯電極３，４は、それぞれ電極指３
ａ〜３ｃ及び４ａ〜４ｃを有する。
【０００５】端面反射型表面波共振子１では、くし歯電
極３，４から交流電圧を印加することにより、ＢＧＳ波
が励起され、該ＢＧＳ波は図示の矢印Ｘ方向に伝搬され
る。このＢＧＳ波は、圧電基板２の両端面２ｂ，２ｃで
反射される。
極３，４から交流電圧を印加することにより、ＢＧＳ波
が励起され、該ＢＧＳ波は図示の矢印Ｘ方向に伝搬され
る。このＢＧＳ波は、圧電基板２の両端面２ｂ，２ｃで
反射される。
【０００６】上記端面反射型表面波共振子１では、ＩＤ
Ｔで決定される周波数スペクトルと端面２ｂ，２ｃ間の
寸法で決定される周波数とを一致させることにより、有
効な共振特性が得られる。上記のように、表面波共振子
１では、端面２ｂ，２ｃ間で表面波が反射され、それに
よって共振特性が引き出されるものであるため、端面２
ｂ，２ｃの平滑性及び端面２ｂ，２ｃ間の寸法が高精度
に保たねばならない。そこで、従来、表面波共振子１
は、以下のような工程を経て製造されている。
Ｔで決定される周波数スペクトルと端面２ｂ，２ｃ間の
寸法で決定される周波数とを一致させることにより、有
効な共振特性が得られる。上記のように、表面波共振子
１では、端面２ｂ，２ｃ間で表面波が反射され、それに
よって共振特性が引き出されるものであるため、端面２
ｂ，２ｃの平滑性及び端面２ｂ，２ｃ間の寸法が高精度
に保たねばならない。そこで、従来、表面波共振子１
は、以下のような工程を経て製造されている。
【０００７】すなわち、図２に斜視図で示すように、圧
電板５を用意し、圧電板５の上面に、上記くし歯電極
３，４を形成することにより、ＩＤＴを構成する。しか
る後、圧電板５の上面側から溝６，７を形成し、それに
よって上記端面２ｂ，２ｃを形成する。すなわち、溝
６，７は、端面２ｂ，２ｃを正確に形成するために、圧
電板５に高精度に溝加工を行うことにより形成される。
しかる後、溝６，７の底部６ａ，７ａよりも下方の圧電
板部分を切断することにより、表面波共振子１を得る。
電板５を用意し、圧電板５の上面に、上記くし歯電極
３，４を形成することにより、ＩＤＴを構成する。しか
る後、圧電板５の上面側から溝６，７を形成し、それに
よって上記端面２ｂ，２ｃを形成する。すなわち、溝
６，７は、端面２ｂ，２ｃを正確に形成するために、圧
電板５に高精度に溝加工を行うことにより形成される。
しかる後、溝６，７の底部６ａ，７ａよりも下方の圧電
板部分を切断することにより、表面波共振子１を得る。
【０００８】なお、表面波共振子１では、電極指３ａ〜
３ｃ，４ａ〜４ｃのうち、端面２ｂ，２ｃに沿うように
形成されている両側の電極指３ａ，４ｃは、他の電極指
の１／２の幅とされている。すなわち、表面波の波長を
λとしたとき、電極指３ａ，４ｃの幅は、８／λとされ
ており、その他の電極指の幅がλ／４とされている。こ
のような電極指３ａ，４ｃは、予めλ／４の幅の複数本
の電極指を形成した後に、最も外側の電極指の幅を１／
２、すなわちλ／８の幅となるように溝６，７を形成す
ることにより得られている。
３ｃ，４ａ〜４ｃのうち、端面２ｂ，２ｃに沿うように
形成されている両側の電極指３ａ，４ｃは、他の電極指
の１／２の幅とされている。すなわち、表面波の波長を
λとしたとき、電極指３ａ，４ｃの幅は、８／λとされ
ており、その他の電極指の幅がλ／４とされている。こ
のような電極指３ａ，４ｃは、予めλ／４の幅の複数本
の電極指を形成した後に、最も外側の電極指の幅を１／
２、すなわちλ／８の幅となるように溝６，７を形成す
ることにより得られている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】端面反射型表面波共振
子１は、上記のような構造を有するが、ＩＤＴを構成し
ている電極指の対数が少なくなり、表面波共振子１の幅
Ｗが狭くなった場合には、ケース基板、ハーメチックシ
ールのベース、プリント回路基板上に実装する際に不安
定に成りがちである。例えば、図３に示すように、ＩＤ
Ｔを構成している一方のくし歯電極１３が２本の電極指
１３ａ，１３ｂを有し、他方のくし歯電極１４が単一の
電極指１４ａのみを有するような場合、表面波共振子１
１の幅Ｗは、圧電基板１２の厚みｔに比べて非常に小さ
くなる。従って、表面波共振子１１は、図示の向きに載
置された場合不安定であり、端面１２ｂあるいは端面１
２ｃが下方を向くように倒れやすくなり、ダイボンド等
の電気的接続作業が困難になるという問題があった。
子１は、上記のような構造を有するが、ＩＤＴを構成し
ている電極指の対数が少なくなり、表面波共振子１の幅
Ｗが狭くなった場合には、ケース基板、ハーメチックシ
ールのベース、プリント回路基板上に実装する際に不安
定に成りがちである。例えば、図３に示すように、ＩＤ
Ｔを構成している一方のくし歯電極１３が２本の電極指
１３ａ，１３ｂを有し、他方のくし歯電極１４が単一の
電極指１４ａのみを有するような場合、表面波共振子１
１の幅Ｗは、圧電基板１２の厚みｔに比べて非常に小さ
くなる。従って、表面波共振子１１は、図示の向きに載
置された場合不安定であり、端面１２ｂあるいは端面１
２ｃが下方を向くように倒れやすくなり、ダイボンド等
の電気的接続作業が困難になるという問題があった。
【００１０】本発明の目的は、電極指の対数が少ない場
合であっても、チップの安定性が高められており、従っ
て、ダイボンド等の作業を安定にかつ確実に行うことを
可能とする端面反射型の表面波共振子及びその製造方法
を提供することにある。
合であっても、チップの安定性が高められており、従っ
て、ダイボンド等の作業を安定にかつ確実に行うことを
可能とする端面反射型の表面波共振子及びその製造方法
を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の端面反射型表面
波共振子は、ＳＨタイプの表面波を利用した端面反射型
の表面波共振子であって、圧電基板と、前記圧電基板の
一方主面上に形成されたＩＤＴとを備え、前記ＩＤＴの
少なくとも片側において表面波を反射させるための端面
を構成するように、前記圧電基板の一方主面側から他方
主面側に、かつ表面波伝搬方向と直交する方向に延びる
ように溝が形成されている、端面反射型表面波共振子で
ある。
波共振子は、ＳＨタイプの表面波を利用した端面反射型
の表面波共振子であって、圧電基板と、前記圧電基板の
一方主面上に形成されたＩＤＴとを備え、前記ＩＤＴの
少なくとも片側において表面波を反射させるための端面
を構成するように、前記圧電基板の一方主面側から他方
主面側に、かつ表面波伝搬方向と直交する方向に延びる
ように溝が形成されている、端面反射型表面波共振子で
ある。
【００１２】上記のように、本発明の端面反射型表面波
共振子では、圧電基板のＩＤＴが形成されている側の主
面において、他方主面側に延びるようにかつ表面波伝搬
方向と直交する方向に溝が形成されており、該溝の形成
により表面波が反射される少なくとも１つの端面が構成
されている。従って、圧電基板では、上記溝の外側に、
さらに圧電基板部分が連なっている。よって、溝の外側
に残されている圧電基板部分により、表面波共振子の表
面波伝搬方向に沿う寸法、すなわち幅寸法が増大され、
それによって表面波共振子の安定化が図られる。
共振子では、圧電基板のＩＤＴが形成されている側の主
面において、他方主面側に延びるようにかつ表面波伝搬
方向と直交する方向に溝が形成されており、該溝の形成
により表面波が反射される少なくとも１つの端面が構成
されている。従って、圧電基板では、上記溝の外側に、
さらに圧電基板部分が連なっている。よって、溝の外側
に残されている圧電基板部分により、表面波共振子の表
面波伝搬方向に沿う寸法、すなわち幅寸法が増大され、
それによって表面波共振子の安定化が図られる。
【００１３】なお、上記表面波共振子の幅寸法Ｗが圧電
基板の厚みｔの２／３倍よりも小さい場合に、ダイボン
ディング時の作業が困難となることが確かめられている
ため、好ましくは、上記表面波共振子の幅寸法Ｗが、圧
電基板の厚みｔの２／３倍よりも大きくなるように、溝
の外側の圧電基板部分の大きさが定められる。
基板の厚みｔの２／３倍よりも小さい場合に、ダイボン
ディング時の作業が困難となることが確かめられている
ため、好ましくは、上記表面波共振子の幅寸法Ｗが、圧
電基板の厚みｔの２／３倍よりも大きくなるように、溝
の外側の圧電基板部分の大きさが定められる。
【００１４】また、本発明の表面波共振子の製造方法
は、圧電板上にＩＤＴを形成する工程と、前記ＩＤＴの
表面波伝搬方向の少なくとも片側において、前記表面波
を反射するための端面を構成するように、前記圧電板の
一方主面から他方主面側に、かつ表面波伝搬方向と直交
する方向に延びる溝を形成する工程と、前記圧電板を、
前記溝よりも外側の領域において切断し、それによって
請求項１に記載の端面反射型表面波共振子を得る工程と
を備える、端面反射型表面波共振子の製造方法である。
は、圧電板上にＩＤＴを形成する工程と、前記ＩＤＴの
表面波伝搬方向の少なくとも片側において、前記表面波
を反射するための端面を構成するように、前記圧電板の
一方主面から他方主面側に、かつ表面波伝搬方向と直交
する方向に延びる溝を形成する工程と、前記圧電板を、
前記溝よりも外側の領域において切断し、それによって
請求項１に記載の端面反射型表面波共振子を得る工程と
を備える、端面反射型表面波共振子の製造方法である。
【００１５】本発明の表面波共振子の製造方法では、上
記のように圧電板上にＩＤＴを形成し、ＩＤＴの少なく
とも片側に溝を形成することにより、表面波が反射され
る端面が構成される。そして、圧電板は、上記溝を形成
した後に、溝よりも外側の領域において切断される。従
って、上記溝の外側に、圧電基板部分を有する本発明の
端面反射型表面波共振子を製造することができる。な
お、本発明の製造方法では、好ましくは、上記圧電板を
溝よりも外側において切断するに際し、切断されて得ら
れた圧電基板の幅寸法Ｗが、上記のように圧電基板の厚
みｔの２／３倍によりも大きくなるように、上記切断が
行われる。
記のように圧電板上にＩＤＴを形成し、ＩＤＴの少なく
とも片側に溝を形成することにより、表面波が反射され
る端面が構成される。そして、圧電板は、上記溝を形成
した後に、溝よりも外側の領域において切断される。従
って、上記溝の外側に、圧電基板部分を有する本発明の
端面反射型表面波共振子を製造することができる。な
お、本発明の製造方法では、好ましくは、上記圧電板を
溝よりも外側において切断するに際し、切断されて得ら
れた圧電基板の幅寸法Ｗが、上記のように圧電基板の厚
みｔの２／３倍によりも大きくなるように、上記切断が
行われる。
【００１６】さらに好ましくは、上記溝の外側における
圧電板の切断は、圧電板の少なくとも一方の主面側から
他方主面側に延びるように第２の溝を形成し、すなわち
ＩＤＴの少なくとも片側において上記端面を構成するた
めに形成された溝の外側にさらに第２の溝を形成し、新
たに形成された第２の溝の底部と他方主面側との間の圧
電基板部分を外力を加えて分断することにより、あるい
は機械加工により切断することにより行われる。このよ
うに、第２の溝を形成して圧電板を切断する方法を採用
することにより、従来例と同様に、マザーの圧電板の一
方主面に多数のＩＤＴを形成し、さらに上記端面を形成
するための溝加工の後に、上記表面波共振子を分離する
ための第２の溝を形成したものを用意することができ、
言い換えれば、多数の表面波共振子が新たに形成された
第２の溝を介して連なった構造体を得ることができる。
従って、各表面波共振子の特性の測定等をマザーの圧電
板において互いに連結された状態で効率よく行うことが
できる。
圧電板の切断は、圧電板の少なくとも一方の主面側から
他方主面側に延びるように第２の溝を形成し、すなわち
ＩＤＴの少なくとも片側において上記端面を構成するた
めに形成された溝の外側にさらに第２の溝を形成し、新
たに形成された第２の溝の底部と他方主面側との間の圧
電基板部分を外力を加えて分断することにより、あるい
は機械加工により切断することにより行われる。このよ
うに、第２の溝を形成して圧電板を切断する方法を採用
することにより、従来例と同様に、マザーの圧電板の一
方主面に多数のＩＤＴを形成し、さらに上記端面を形成
するための溝加工の後に、上記表面波共振子を分離する
ための第２の溝を形成したものを用意することができ、
言い換えれば、多数の表面波共振子が新たに形成された
第２の溝を介して連なった構造体を得ることができる。
従って、各表面波共振子の特性の測定等をマザーの圧電
板において互いに連結された状態で効率よく行うことが
できる。
【００１７】
【作用】本発明の表面波共振子では、表面波が反射され
る少なくとも１つの端面が上記溝を形成することにより
構成されており、該溝の外側にさらに圧電基板部分が備
えられている。従って、表面波が反射される端面間の寸
法の大きさに関わらず、表面波共振子の幅寸法について
は、圧電基板の厚みに対して十分大きくすることができ
る。よって、電極指の対数が少ない場合であっても、溝
の外側の圧電基板部分の幅寸法を大きくすることによ
り、表面波共振子全体の幅寸法を比較的大きくすること
ができ、従って、安定な表面波共振子を提供することが
できる。
る少なくとも１つの端面が上記溝を形成することにより
構成されており、該溝の外側にさらに圧電基板部分が備
えられている。従って、表面波が反射される端面間の寸
法の大きさに関わらず、表面波共振子の幅寸法について
は、圧電基板の厚みに対して十分大きくすることができ
る。よって、電極指の対数が少ない場合であっても、溝
の外側の圧電基板部分の幅寸法を大きくすることによ
り、表面波共振子全体の幅寸法を比較的大きくすること
ができ、従って、安定な表面波共振子を提供することが
できる。
【００１８】また、本発明の表面波共振子の製造方法で
は、ＩＤＴの少なくとも片側に溝を形成することにより
表面波が反射される端面が構成され、さらに上記溝の形
成の後に、さらに溝よりも外側において圧電板を切断す
ることにより本発明の端面反射型表面波共振子が得られ
る。よって、溝加工を行った後、単に切断工程を追加す
るだけで、本発明の表面波共振子を得ることができる。
は、ＩＤＴの少なくとも片側に溝を形成することにより
表面波が反射される端面が構成され、さらに上記溝の形
成の後に、さらに溝よりも外側において圧電板を切断す
ることにより本発明の端面反射型表面波共振子が得られ
る。よって、溝加工を行った後、単に切断工程を追加す
るだけで、本発明の表面波共振子を得ることができる。
【００１９】
【実施例の説明】以下、図面を参照しつつ実施例を説明
することにより、本発明を明らかにする。
することにより、本発明を明らかにする。
【００２０】図４は、本発明の一実施例の表面波共振子
の製造方法を説明するための斜視図である。まず、圧電
板２１を用意する。圧電板２１は、例えば、チタン酸ジ
ルコン酸鉛系セラミックス等の圧電セラミックス、また
はＬｉＮｂＯ3 圧電単結晶もしくはＬｉＴａＯ3 圧電単
結晶等の圧電単結晶により構成されている。また、圧電
板２１は圧電セラミックスの場合には、図示の矢印Ｐ方
向に分極処理されている。すなわち、圧電板２１の主面
２１ａと平行な方向に分極処理されている。
の製造方法を説明するための斜視図である。まず、圧電
板２１を用意する。圧電板２１は、例えば、チタン酸ジ
ルコン酸鉛系セラミックス等の圧電セラミックス、また
はＬｉＮｂＯ3 圧電単結晶もしくはＬｉＴａＯ3 圧電単
結晶等の圧電単結晶により構成されている。また、圧電
板２１は圧電セラミックスの場合には、図示の矢印Ｐ方
向に分極処理されている。すなわち、圧電板２１の主面
２１ａと平行な方向に分極処理されている。
【００２１】圧電板２１の一方主面２１ａ上において、
一対のくし歯電極２３，２４を形成する。くし歯電極２
３，２４は、例えばアルミニウム、銅等の導電性材料に
より構成されている。また、くし歯電極２３，２４の形
成は、圧電板２１の上面に、蒸着、めっきもしくはスパ
ッタリング等の方法により導電性材料よりなる薄膜を形
成し、しかる後パターニングする方法等、適宜の方法に
より形成することができる。
一対のくし歯電極２３，２４を形成する。くし歯電極２
３，２４は、例えばアルミニウム、銅等の導電性材料に
より構成されている。また、くし歯電極２３，２４の形
成は、圧電板２１の上面に、蒸着、めっきもしくはスパ
ッタリング等の方法により導電性材料よりなる薄膜を形
成し、しかる後パターニングする方法等、適宜の方法に
より形成することができる。
【００２２】くし歯電極２３は、電極指２３ａ，２３ｂ
を有し、他方、くし歯電極２４は単一の電極指２４ａを
有する。表面波の波長λとしたときに、電極指２４ａの
幅はλ／４とされており、他方、電極指２３ａ，２３ｂ
及び２４ａの電極指間ピッチもλ／４とされている。も
っとも、両側に位置する電極指２３ａ，２３ｂの幅は８
／λとされている。
を有し、他方、くし歯電極２４は単一の電極指２４ａを
有する。表面波の波長λとしたときに、電極指２４ａの
幅はλ／４とされており、他方、電極指２３ａ，２３ｂ
及び２４ａの電極指間ピッチもλ／４とされている。も
っとも、両側に位置する電極指２３ａ，２３ｂの幅は８
／λとされている。
【００２３】上記λ／８の幅の電極指２３ａ，２３ｂ
は、後述の溝２５，２６の形成に際し、その幅が調整さ
れる。すなわち、最初に、電極指２４ａと同様に、λ／
４の幅の電極指２３ａ，２３ｂが形成されている領域に
形成しておく。次に、圧電板２１の一方主面２１ａ側か
ら他方主面２１ｂ側に延びる溝２５，２６を形成する。
この溝２５，２６は、くし歯電極２３，２４から交流電
圧を印加することにより励起されるＢＧＳ波を反射させ
るための端面２２ｂ，２２ｃを形成するために形成され
ている。従って、上記端面２２ｂ，２２ｃが、電極指２
３ａ，２３ｂの幅を１／２に切断する位置となるよう
に、溝２５，２６をダイサー等を用いて形成することに
より、電極指２３ａ，２３ｂの幅が上記のように定めら
れる。
は、後述の溝２５，２６の形成に際し、その幅が調整さ
れる。すなわち、最初に、電極指２４ａと同様に、λ／
４の幅の電極指２３ａ，２３ｂが形成されている領域に
形成しておく。次に、圧電板２１の一方主面２１ａ側か
ら他方主面２１ｂ側に延びる溝２５，２６を形成する。
この溝２５，２６は、くし歯電極２３，２４から交流電
圧を印加することにより励起されるＢＧＳ波を反射させ
るための端面２２ｂ，２２ｃを形成するために形成され
ている。従って、上記端面２２ｂ，２２ｃが、電極指２
３ａ，２３ｂの幅を１／２に切断する位置となるよう
に、溝２５，２６をダイサー等を用いて形成することに
より、電極指２３ａ，２３ｂの幅が上記のように定めら
れる。
【００２４】溝２５，２６は、上記のように端面２２
ｂ，２２ｃを形成するために設けられるものであるた
め、溝２５，２６の延びる方向は、表面波伝搬方向と直
交する方向であり、かつ電極指２３ａ，２３ｂ，２４ａ
と平行な方向となる。
ｂ，２２ｃを形成するために設けられるものであるた
め、溝２５，２６の延びる方向は、表面波伝搬方向と直
交する方向であり、かつ電極指２３ａ，２３ｂ，２４ａ
と平行な方向となる。
【００２５】また、図４から明らかなように、溝２５，
２６は、その底部２５ａ，２６ａが他方主面２１ｂには
至らない深さとされている。溝２５，２６は、励起され
たＢＧＳ波を端面２２ｂ，２２ｃで確実に反射し得るよ
うに、ある程度の深さを有することが必要である。最
も、ＳＨタイプの表面波は、圧電基板の表面近くを伝搬
するものであるため、溝２５，２６は、他方主面２１ｂ
に至る程の大きさを有する必要はない。従って、本実施
例では、溝２５，２６の深さは、図示のように、圧電板
２１の厚みｔの１／２程度とされている。最も、ＢＧＳ
波等のＳＨタイプの表面波を確実に反射させるための端
面２２ｂ，２２ｃを形成するには、上記溝２５，２６の
深さ、すなわち端面２２ｂ，２２ｃの高さ方向寸法は、
波長λに対し１λ〜５λの範囲とすることが望ましい。
２６は、その底部２５ａ，２６ａが他方主面２１ｂには
至らない深さとされている。溝２５，２６は、励起され
たＢＧＳ波を端面２２ｂ，２２ｃで確実に反射し得るよ
うに、ある程度の深さを有することが必要である。最
も、ＳＨタイプの表面波は、圧電基板の表面近くを伝搬
するものであるため、溝２５，２６は、他方主面２１ｂ
に至る程の大きさを有する必要はない。従って、本実施
例では、溝２５，２６の深さは、図示のように、圧電板
２１の厚みｔの１／２程度とされている。最も、ＢＧＳ
波等のＳＨタイプの表面波を確実に反射させるための端
面２２ｂ，２２ｃを形成するには、上記溝２５，２６の
深さ、すなわち端面２２ｂ，２２ｃの高さ方向寸法は、
波長λに対し１λ〜５λの範囲とすることが望ましい。
【００２６】次に、溝２５，２６の外側に、第２の溝２
７，２８を形成する。第２の溝２７，２８は、本実施例
により得られる表面波共振子を圧電板２１の他の部分か
ら分離するために設けられている。溝２７，２８は、溝
２５，２６と平行に延ばされているが、溝２７，２８
は、溝２５，２６と平行に形成される必要は必ずしもな
い。もっとも、最終的に得られる表面波共振子の平面形
状を矩形とすることが、製品形状の標準化において好ま
しいため、好ましくは、上記溝２７，２８は本実施例の
ように溝２５，２６と平行に形成される。
７，２８を形成する。第２の溝２７，２８は、本実施例
により得られる表面波共振子を圧電板２１の他の部分か
ら分離するために設けられている。溝２７，２８は、溝
２５，２６と平行に延ばされているが、溝２７，２８
は、溝２５，２６と平行に形成される必要は必ずしもな
い。もっとも、最終的に得られる表面波共振子の平面形
状を矩形とすることが、製品形状の標準化において好ま
しいため、好ましくは、上記溝２７，２８は本実施例の
ように溝２５，２６と平行に形成される。
【００２７】また、溝２７，２８の底部２７ａ，２８ａ
は、他方主面２１ｂには至っていない。すなわち、溝２
７，２８を形成することにより構成される本実施例の表
面波共振子部２９は、圧電板２１の他の部分と連結され
ている。従って、マザーの圧電板２１において、図４に
示したような構造を多数形成した場合、個々の表面波共
振子部を分断することなく、特性の測定等をマザーの圧
電板２１上において行うことができる。
は、他方主面２１ｂには至っていない。すなわち、溝２
７，２８を形成することにより構成される本実施例の表
面波共振子部２９は、圧電板２１の他の部分と連結され
ている。従って、マザーの圧電板２１において、図４に
示したような構造を多数形成した場合、個々の表面波共
振子部を分断することなく、特性の測定等をマザーの圧
電板２１上において行うことができる。
【００２８】次に、上記表面波共振子部２９を、溝２
７，２８の底部２７ａ，２８ａの下方部分において分断
することにより、図５に示す表面波共振子３０を得るこ
とができる。
７，２８の底部２７ａ，２８ａの下方部分において分断
することにより、図５に示す表面波共振子３０を得るこ
とができる。
【００２９】端面発射型の表面波共振子３０では、上記
分断により圧電基板２２が構成されている。圧電基板２
２の一方主面上には、上述したくし歯電極２３，２４よ
りなるＩＤＴが形成されている。また、端面２２ｂ，２
２ｃが、上記溝２５，２６の形成により構成されている
ため、表面波は、端面２２ｂ，２２ｃ間で反射される。
すなわち、共振子特性は、ＩＤＴの寸法と、上記端面２
２ｂ，２２ｃ間の寸法ｄにより決定される。これに対し
て、表面波共振子３０の幅寸法は、溝２５，２６の外側
に存在する圧電基板部分２２ｄ，２２ｅの外側面間の距
離Ｗとなる。よって、本実施例の表面波共振子３０のよ
うに、ＩＤＴの電極指の対数が非常に少ない場合であ
り、従って端面２２ｂ，２２ｃ間の寸法ｄが小さい場合
であっても、共振子３０全体の幅寸法Ｗを、圧電基板２
２の厚みｄに比べて大きくすることができる。
分断により圧電基板２２が構成されている。圧電基板２
２の一方主面上には、上述したくし歯電極２３，２４よ
りなるＩＤＴが形成されている。また、端面２２ｂ，２
２ｃが、上記溝２５，２６の形成により構成されている
ため、表面波は、端面２２ｂ，２２ｃ間で反射される。
すなわち、共振子特性は、ＩＤＴの寸法と、上記端面２
２ｂ，２２ｃ間の寸法ｄにより決定される。これに対し
て、表面波共振子３０の幅寸法は、溝２５，２６の外側
に存在する圧電基板部分２２ｄ，２２ｅの外側面間の距
離Ｗとなる。よって、本実施例の表面波共振子３０のよ
うに、ＩＤＴの電極指の対数が非常に少ない場合であ
り、従って端面２２ｂ，２２ｃ間の寸法ｄが小さい場合
であっても、共振子３０全体の幅寸法Ｗを、圧電基板２
２の厚みｄに比べて大きくすることができる。
【００３０】ダイボンディング時等の作業を安定に行う
には、表面波共振子３０における幅寸法Ｗは、圧電基板
２２の厚みｔの２／３よりも大きいことが必要である。
従って、好ましくは、上記幅寸法Ｗが、圧電基板２２の
厚みｔの２／３倍よりも大きくなるように、上記幅寸法
Ｗが定められる。本実施例の製造方法では、幅寸法Ｗの
決定は、上記溝２７，２８の形成に際し、溝２７，２８
間の距離を幅寸法Ｗと一致させればよく、従って幅寸法
Ｗを容易に制御することができる。
には、表面波共振子３０における幅寸法Ｗは、圧電基板
２２の厚みｔの２／３よりも大きいことが必要である。
従って、好ましくは、上記幅寸法Ｗが、圧電基板２２の
厚みｔの２／３倍よりも大きくなるように、上記幅寸法
Ｗが定められる。本実施例の製造方法では、幅寸法Ｗの
決定は、上記溝２７，２８の形成に際し、溝２７，２８
間の距離を幅寸法Ｗと一致させればよく、従って幅寸法
Ｗを容易に制御することができる。
【００３１】また、上記実施例では、溝２５，２６を形
成した後に、上記第２の溝２７，２８を形成し、さらに
溝２７，２８の底部２７ａ，２８ａの下方の圧電基板部
分を分断することにより圧電共振子３０を得ていたが、
溝２７，２８の形成を行わずに、溝２５，２６の外側に
ある程度の幅の圧電基板部分を残すように圧電板２１を
切断することによっても、表面波共振子３０を得ること
ができる。
成した後に、上記第２の溝２７，２８を形成し、さらに
溝２７，２８の底部２７ａ，２８ａの下方の圧電基板部
分を分断することにより圧電共振子３０を得ていたが、
溝２７，２８の形成を行わずに、溝２５，２６の外側に
ある程度の幅の圧電基板部分を残すように圧電板２１を
切断することによっても、表面波共振子３０を得ること
ができる。
【００３２】また、上記実施例では、１個のＩＤＴが形
成された構造について説明したが、本発明の端面反射型
表面波共振子は、２組以上のＩＤＴを有するものであっ
てもよい。
成された構造について説明したが、本発明の端面反射型
表面波共振子は、２組以上のＩＤＴを有するものであっ
てもよい。
【００３３】さらに、上記実施例では、ＢＧＳ波を反射
させるための端面を形成するために、ＩＤＴの両側に溝
２７，２８を形成した構造を説明したが、本発明におけ
る溝は、ＩＤＴの片側にのみ形成されていてもよい。す
なわち、図６に示すように、ＩＤＴの片側にのみ、溝２
６を形成した表面波共振子３１であってもよく、その場
合においても、上記実施例と同様の効果が得られる。す
なわち、溝２６の外側の圧電基板部分２２ｅの幅を制御
することにより、形状的に安定な端面反射型表面波共振
子を得ることができる。
させるための端面を形成するために、ＩＤＴの両側に溝
２７，２８を形成した構造を説明したが、本発明におけ
る溝は、ＩＤＴの片側にのみ形成されていてもよい。す
なわち、図６に示すように、ＩＤＴの片側にのみ、溝２
６を形成した表面波共振子３１であってもよく、その場
合においても、上記実施例と同様の効果が得られる。す
なわち、溝２６の外側の圧電基板部分２２ｅの幅を制御
することにより、形状的に安定な端面反射型表面波共振
子を得ることができる。
【００３４】なお、図６に示す表面波共振子３１は、Ｉ
ＤＴの一方側にのみ溝２６及び圧電基板部分２２ｅを設
けたことを除いては、図５に示した表面波共振子３０と
同様である。従って、同一部分については、同一の参照
番号を付与することにより、その説明を省略する。
ＤＴの一方側にのみ溝２６及び圧電基板部分２２ｅを設
けたことを除いては、図５に示した表面波共振子３０と
同様である。従って、同一部分については、同一の参照
番号を付与することにより、その説明を省略する。
【００３５】
【発明の効果】本発明によれば、圧電基板において上記
少なくとも１つの溝を形成することにより、表面波が反
射される少なくとも１つの端面が形成されている。従っ
て、共振特性を得るための端面間の寸法の大きさにかか
わらず、溝の外側の圧電基板部分の幅を制御することに
より、形状的に安定な端面反射型表面波共振子を提供す
ることができる。よって、ダイボンディング等における
電気的接続作業を含む表面波共振子の取り扱いにおける
表面波共振子の安定性を高めることができ、よって端面
反射型表面波共振子を用いた部品や装置の生産性を高め
ることが可能となる。
少なくとも１つの溝を形成することにより、表面波が反
射される少なくとも１つの端面が形成されている。従っ
て、共振特性を得るための端面間の寸法の大きさにかか
わらず、溝の外側の圧電基板部分の幅を制御することに
より、形状的に安定な端面反射型表面波共振子を提供す
ることができる。よって、ダイボンディング等における
電気的接続作業を含む表面波共振子の取り扱いにおける
表面波共振子の安定性を高めることができ、よって端面
反射型表面波共振子を用いた部品や装置の生産性を高め
ることが可能となる。
【００３６】また、本発明の端面反射型表面波共振子の
製造方法では、上記のように少なくとも１つの溝を形成
して表面波が反射される端面が形成され、さらに、その
後に溝よりも外側で圧電板を切断するだけで上記本発明
にかかる端面反射型表面波共振子を提供することができ
る。よって、安定性に優れた端面反射型表面波共振子
を、さほど工程を増加させることなく提供することがで
きる。
製造方法では、上記のように少なくとも１つの溝を形成
して表面波が反射される端面が形成され、さらに、その
後に溝よりも外側で圧電板を切断するだけで上記本発明
にかかる端面反射型表面波共振子を提供することができ
る。よって、安定性に優れた端面反射型表面波共振子
を、さほど工程を増加させることなく提供することがで
きる。
【図１】従来の端面反射型表面波共振子を示す斜視図。
【図２】従来の端面反射型表面波共振子の製造工程を説
明するための斜視図。
明するための斜視図。
【図３】従来の端面反射型表面波共振子の問題点を説明
するための斜視図。
するための斜視図。
【図４】実施例の端面反射型表面波共振子を製造する工
程を説明するための斜視図。
程を説明するための斜視図。
【図５】実施例の端面反射型表面波共振子を示す斜視
図。
図。
【図６】実施例の端面反射型表面波共振子の変形例を説
明するための斜視図。
明するための斜視図。
２１…圧電板 ２１ａ…一方主面 ２２…圧電基板 ２３…くし歯電極 ２３ａ，２３ｂ…電極指 ２４…くし歯電極 ２４ａ…電極指 ２５，２６…溝 ２７，２８…第２の溝 ３０…端面反射型表面波共振子
Claims (2)
- 【請求項１】 ＳＨタイプの表面波を利用した端面反射
型の表面波共振子であって、 圧電基板と、 前記圧電基板の一方主面上に形成されたインターデジタ
ルトランスデューサとを備え、 前記インターデジタルトランスデューサの少なくとも片
側において表面波を反射させるための端面を構成するよ
うに、前記圧電基板の一方主面側から他方主面側に、か
つ表面波伝搬方向と直交する方向に延びるように溝が形
成されている、端面反射型表面波共振子。 - 【請求項２】 圧電板上にインターデジタルトランスデ
ューサを形成する工程と、 前記インターデジタルトランスデューサの表面波伝搬方
向の少なくとも片側において、前記表面波を反射するた
めの端面を構成するように、前記圧電板の一方主面から
他方主面側に、かつ表面波伝搬方向と直交する方向に延
びる溝を形成する工程と、 前記圧電板を、前記溝よりも外側の領域において切断
し、それによって請求項１に記載の端面反射型表面波共
振子を得る工程とを備える、端面反射型表面波共振子の
製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05577894A JP3206285B2 (ja) | 1994-03-25 | 1994-03-25 | 端面反射型表面波共振子 |
| TW084102770A TW255074B (en) | 1994-03-25 | 1995-03-22 | End face reflection type surface wave resonator |
| SG1995000145A SG30316A1 (en) | 1994-03-25 | 1995-03-23 | End face reflection type surface wave resonator |
| KR1019950006466A KR0155437B1 (ko) | 1994-03-25 | 1995-03-25 | 끝면반사형 표면파 공진자 |
| CN95104540A CN1080028C (zh) | 1994-03-25 | 1995-03-25 | 端面反射型表面波谐振器及其制造方法 |
| US08/623,631 US5684437A (en) | 1994-03-25 | 1996-03-28 | End face reflection type surface wave resonator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05577894A JP3206285B2 (ja) | 1994-03-25 | 1994-03-25 | 端面反射型表面波共振子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07263998A true JPH07263998A (ja) | 1995-10-13 |
| JP3206285B2 JP3206285B2 (ja) | 2001-09-10 |
Family
ID=13008356
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05577894A Expired - Lifetime JP3206285B2 (ja) | 1994-03-25 | 1994-03-25 | 端面反射型表面波共振子 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5684437A (ja) |
| JP (1) | JP3206285B2 (ja) |
| KR (1) | KR0155437B1 (ja) |
| CN (1) | CN1080028C (ja) |
| TW (1) | TW255074B (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6377139B1 (en) | 1999-03-19 | 2002-04-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd | Edge reflection type surface acoustic wave device with grooves or steps at the reflection edges |
| US6731044B1 (en) | 1999-10-20 | 2004-05-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device having an interdigital transducer provided on a main region of a piezoelectric substrate |
| KR100455714B1 (ko) * | 2001-08-14 | 2004-11-06 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 단면 반사형 표면파 필터 |
| US9887343B2 (en) | 2013-11-29 | 2018-02-06 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Acoustic wave element |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| TW404091B (en) * | 1997-05-16 | 2000-09-01 | Murata Manufacturing Co | Ladder filter having edge-reflection type resonators |
| JP3341704B2 (ja) * | 1999-03-18 | 2002-11-05 | 株式会社村田製作所 | 端面反射型表面波装置の製造方法 |
| JP3568025B2 (ja) * | 1999-05-14 | 2004-09-22 | 株式会社村田製作所 | 表面波装置及び通信機装置 |
| JP3402311B2 (ja) * | 2000-05-19 | 2003-05-06 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
| JP3797155B2 (ja) * | 2000-09-06 | 2006-07-12 | 株式会社村田製作所 | 端面反射型表面波装置の周波数調整方法 |
| DE102007037896A1 (de) * | 2007-08-10 | 2009-02-26 | Enocean Gmbh | System mit Anwesenheitsmelder, Verfahren mit Anwesenheitsmelder, Anwesenheitsmelder, Funkempfänger |
| US9029242B2 (en) | 2011-06-15 | 2015-05-12 | Applied Materials, Inc. | Damage isolation by shaped beam delivery in laser scribing process |
| US9876483B2 (en) * | 2014-03-28 | 2018-01-23 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator device including trench for providing stress relief |
| JP6365436B2 (ja) * | 2015-06-24 | 2018-08-01 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
| CN105490662B (zh) * | 2015-11-27 | 2018-07-31 | 北京时代民芯科技有限公司 | 一种声表面波滤波器及其制造方法 |
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|---|---|---|---|---|
| GB1438777A (en) * | 1973-09-04 | 1976-06-09 | Mullard Ltd | Electromechanical propagation devices and the manufacture thereof |
| JPS5145370A (ja) * | 1974-10-15 | 1976-04-17 | Delta Kogyo Co | Ganyuhaisuibunrisochi |
| JPS5327397A (en) * | 1976-08-25 | 1978-03-14 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Light reflecting plate for liquid crys tal display device |
| US4237433A (en) * | 1979-03-13 | 1980-12-02 | Sperry Corporation | Surface acoustic wave resonators with integrated internal coupler reflectors |
| JPS56122217A (en) * | 1980-02-28 | 1981-09-25 | Nec Corp | Elastic surface wave oscillator |
| JPS5986917A (ja) * | 1982-11-11 | 1984-05-19 | Murata Mfg Co Ltd | 表面波装置 |
| JPH02170611A (ja) * | 1988-12-22 | 1990-07-02 | Clarion Co Ltd | 弾性表面波装置 |
| US5196753A (en) * | 1989-07-31 | 1993-03-23 | Raytheon Company | Surface acoustic wave devices having long-term frequency stability |
| JPH0426211A (ja) * | 1990-05-21 | 1992-01-29 | Murata Mfg Co Ltd | 表面波装置 |
| US5185548A (en) * | 1990-10-11 | 1993-02-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Surface acoustic wave device with reflected wave at side edges on waveguide suppressed and communication system using the same |
-
1994
- 1994-03-25 JP JP05577894A patent/JP3206285B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-03-22 TW TW084102770A patent/TW255074B/zh not_active IP Right Cessation
- 1995-03-25 CN CN95104540A patent/CN1080028C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1995-03-25 KR KR1019950006466A patent/KR0155437B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1996
- 1996-03-28 US US08/623,631 patent/US5684437A/en not_active Expired - Lifetime
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| US6731044B1 (en) | 1999-10-20 | 2004-05-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device having an interdigital transducer provided on a main region of a piezoelectric substrate |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3206285B2 (ja) | 2001-09-10 |
| CN1128436A (zh) | 1996-08-07 |
| KR0155437B1 (ko) | 1998-12-15 |
| CN1080028C (zh) | 2002-02-27 |
| US5684437A (en) | 1997-11-04 |
| TW255074B (en) | 1995-08-21 |
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