JPS61222312A - 弾性表面波装置 - Google Patents
弾性表面波装置Info
- Publication number
- JPS61222312A JPS61222312A JP6305585A JP6305585A JPS61222312A JP S61222312 A JPS61222312 A JP S61222312A JP 6305585 A JP6305585 A JP 6305585A JP 6305585 A JP6305585 A JP 6305585A JP S61222312 A JPS61222312 A JP S61222312A
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- JP
- Japan
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- crystal substrate
- cut
- electrode
- thin film
- propagation direction
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
崖１上坐■且公立
本発明は各種珈信機器における発振器の発振子等に応用
されている弾性表面波装置に関する。
されている弾性表面波装置に関する。
従来夏技査
一般に弾性表面波装置は水晶、タンタル酸リチウム等の
単結晶やセラミックなどからなる圧電基板の圧電効果に
よる弾性表面波を利用したもので、特に共振素子として
使用される弾性表面波共振子（以下ＳＡＷ共振子と称す
）では、上記圧電性基板に水晶基板を使用することが多
い。
単結晶やセラミックなどからなる圧電基板の圧電効果に
よる弾性表面波を利用したもので、特に共振素子として
使用される弾性表面波共振子（以下ＳＡＷ共振子と称す
）では、上記圧電性基板に水晶基板を使用することが多
い。
例えば水晶基板を使用したＳＡＷ共振子の具体例を第７
図及び第８図を参照して説明すると、（１）は圧電性基
板である水晶基板、（２）は一定間隔λ毎に区切られた
櫛形の電極体の一対を互いに櫛歯をかみ合わせて水晶基
板（１）上に形成したＡｌ蒸着膜による櫛形電極、（３
）（３）は櫛形電極（２）により励起された表面波の反
射器で、櫛形電極（２）の両側の水晶基板（１）上に表
面波の伝播方向と直交する縦長のパターンで形成したＡ
ｊ！蒸着膜によるグレーティング電極＜４）（４）から
形成されている。
図及び第８図を参照して説明すると、（１）は圧電性基
板である水晶基板、（２）は一定間隔λ毎に区切られた
櫛形の電極体の一対を互いに櫛歯をかみ合わせて水晶基
板（１）上に形成したＡｌ蒸着膜による櫛形電極、（３
）（３）は櫛形電極（２）により励起された表面波の反
射器で、櫛形電極（２）の両側の水晶基板（１）上に表
面波の伝播方向と直交する縦長のパターンで形成したＡ
ｊ！蒸着膜によるグレーティング電極＜４）（４）から
形成されている。
上記ＳＡＷ共振子における櫛形電極（２）にパルス電圧
を印加すると、圧電効果により隣り合う電極間の基板表
面に互いに逆位相の歪みが生じ、波長λの表面波が励起
される。この表面波は水晶基板（１）上を伝播し、反射
器（３）（３）の各グレーティング電極（４）（４）に
到達する毎に反射波と透過波に分かれる。そこで各グレ
ーティング電極（４）（４）からの反射波の位相が揃う
ように各グレーティング電極（４）（４）間の間隔を決
めれば第８図の破線に示すように各反射器（３）（３）
間に波長λの定在波が励起され共振子となる。上記表面
波又は反射波の共振周波数ｆ＝Ｖ／λ（Ｖは伝播速度）
で与えられ、波長λは電極間ピッチで決定され、且つ、
伝播速度Ｖは圧電性基板の材質によって決定される。
を印加すると、圧電効果により隣り合う電極間の基板表
面に互いに逆位相の歪みが生じ、波長λの表面波が励起
される。この表面波は水晶基板（１）上を伝播し、反射
器（３）（３）の各グレーティング電極（４）（４）に
到達する毎に反射波と透過波に分かれる。そこで各グレ
ーティング電極（４）（４）からの反射波の位相が揃う
ように各グレーティング電極（４）（４）間の間隔を決
めれば第８図の破線に示すように各反射器（３）（３）
間に波長λの定在波が励起され共振子となる。上記表面
波又は反射波の共振周波数ｆ＝Ｖ／λ（Ｖは伝播速度）
で与えられ、波長λは電極間ピッチで決定され、且つ、
伝播速度Ｖは圧電性基板の材質によって決定される。
このようなＳＡＷ共振子における水晶基板（１）は第９
図に示すようなｘ、ｙ、ｚ軸からなる結晶軸を有する水
晶体（５）から切り出して製造され、水晶基板（１）上
を伝播する表面波の伝播速度Ｖは水晶体（５）からの水
晶基板（１）の切出し方によって決定される。そこでこ
の水晶基板（１）の切り出しを次なるＳＴカット法で行
っている。このＳＴカット法を説明すると、いま第９図
に示すようにカット面を表示するため水晶体（５）のＸ
ＹＺ軸に対してφ、θ、φの３個のパラメータからなる
オイラー角表示を使用する。オイラー角φはｚ軸を中心
としたＸ軸からの回転角、即ちＺ＝０の基準面（ｎｏ）
上でのＸ軸となす角度で、またオイラー角θはカット面
（ｍｌ）の法線ｎとｚ軸とのなす角度で、更にオイラー
角φはカット面（ｍｌ）上において基準面（ｎｏ）及び
カット面（ｍりの交線ｌとなす角度で、表面波の伝播方
向を示す。
図に示すようなｘ、ｙ、ｚ軸からなる結晶軸を有する水
晶体（５）から切り出して製造され、水晶基板（１）上
を伝播する表面波の伝播速度Ｖは水晶体（５）からの水
晶基板（１）の切出し方によって決定される。そこでこ
の水晶基板（１）の切り出しを次なるＳＴカット法で行
っている。このＳＴカット法を説明すると、いま第９図
に示すようにカット面を表示するため水晶体（５）のＸ
ＹＺ軸に対してφ、θ、φの３個のパラメータからなる
オイラー角表示を使用する。オイラー角φはｚ軸を中心
としたＸ軸からの回転角、即ちＺ＝０の基準面（ｎｏ）
上でのＸ軸となす角度で、またオイラー角θはカット面
（ｍｌ）の法線ｎとｚ軸とのなす角度で、更にオイラー
角φはカット面（ｍｌ）上において基準面（ｎｏ）及び
カット面（ｍりの交線ｌとなす角度で、表面波の伝播方
向を示す。
ここでオイラー角φ、θ、φによって所望のカット面を
決定し、例えばＳＴカットの場合、φ−０°、θ−１３
２．７５°、φ−０°からなるオイラー角によって第１
１図に示すようにカット面（ｍ２）が決定され、このカ
ット面（ｍ２）が板面となるような水晶基板（１）を水
晶体（５）から切り出す、この時、上記オイラー角φ−
Ｏ。
決定し、例えばＳＴカットの場合、φ−０°、θ−１３
２．７５°、φ−０°からなるオイラー角によって第１
１図に示すようにカット面（ｍ２）が決定され、このカ
ット面（ｍ２）が板面となるような水晶基板（１）を水
晶体（５）から切り出す、この時、上記オイラー角φ−
Ｏ。
であるため水晶基板（１）上を伝播する表面波の伝播方
向は第１２図の矢印に示すようにＸ軸方向となり、この
Ｘ軸方向と直交する方向に櫛歯がかみ合うように櫛形電
極（２）を水晶基板（１）上に形成して第１３図に示す
ＳＡＷ共振子を得ている。
向は第１２図の矢印に示すようにＸ軸方向となり、この
Ｘ軸方向と直交する方向に櫛歯がかみ合うように櫛形電
極（２）を水晶基板（１）上に形成して第１３図に示す
ＳＡＷ共振子を得ている。
（°シよ゛と ｐ 占
ところで、ＳＡＷ共振子の共振周波数ｆはＵＨＦ帯にま
で益々高周波化される傾向にあるが、水晶基板における
弾性表面波の伝播速度Ｖは約３１５８ｍ／ｓで、この伝
播速度Ｖで共振周波数ｆをＵＨＦ帯にまで上げるには電
極間隔λを数μｍ以下でサブミクロン単位の精度で設定
する必要がある。しかし、このような微細パターンの電
極形成は極めて高度なフォトリソグラフィー技術を必要
としてプロセス技術的に困難性を伴い、事実上ＳＡＷ共
振子の高周波化を難しくしている。上記問題点を解決す
るものとして、本出願人は特願昭５９−１９５６１０号
に次なるものを開示した。これをＳＡＷ共振子を例に第
４図乃至第６図を参照して説明すると、（７）は水晶基
板で、その上面に従来同様のパターンで櫛形電極（８）
とグレーティング電極（９）（９）が形成される。水晶
基板（７）は第９図に示すようなＸＹＺ軸の結晶軸を有
する水晶体（５）から切り出されたもので、これの切出
し方は従来同様にＸＹＺ軸に対してφ、θ、φの３つの
パラメータからなるオイラー角表示を使用すると、第５
図に示すようにφ−０゜、θ−１３２．７５°、φ−９
０°なるオイラー角によるカット面（ｍａ）が決定され
、このカット面（ｍ３）が板面となるように水晶体（５
）から水晶基板（７）が切り出される。この場合、オイ
ラー角φが９０°であるため水晶基板（７）上を伝搬す
る表面波の伝搬方向は第６図の矢印で示すようにＸ軸と
直交する方向となり、この伝搬方向と直交する方向に櫛
歯がかみ合うように櫛形電極（８）を水晶基板（７）上
に形成する。
で益々高周波化される傾向にあるが、水晶基板における
弾性表面波の伝播速度Ｖは約３１５８ｍ／ｓで、この伝
播速度Ｖで共振周波数ｆをＵＨＦ帯にまで上げるには電
極間隔λを数μｍ以下でサブミクロン単位の精度で設定
する必要がある。しかし、このような微細パターンの電
極形成は極めて高度なフォトリソグラフィー技術を必要
としてプロセス技術的に困難性を伴い、事実上ＳＡＷ共
振子の高周波化を難しくしている。上記問題点を解決す
るものとして、本出願人は特願昭５９−１９５６１０号
に次なるものを開示した。これをＳＡＷ共振子を例に第
４図乃至第６図を参照して説明すると、（７）は水晶基
板で、その上面に従来同様のパターンで櫛形電極（８）
とグレーティング電極（９）（９）が形成される。水晶
基板（７）は第９図に示すようなＸＹＺ軸の結晶軸を有
する水晶体（５）から切り出されたもので、これの切出
し方は従来同様にＸＹＺ軸に対してφ、θ、φの３つの
パラメータからなるオイラー角表示を使用すると、第５
図に示すようにφ−０゜、θ−１３２．７５°、φ−９
０°なるオイラー角によるカット面（ｍａ）が決定され
、このカット面（ｍ３）が板面となるように水晶体（５
）から水晶基板（７）が切り出される。この場合、オイ
ラー角φが９０°であるため水晶基板（７）上を伝搬す
る表面波の伝搬方向は第６図の矢印で示すようにＸ軸と
直交する方向となり、この伝搬方向と直交する方向に櫛
歯がかみ合うように櫛形電極（８）を水晶基板（７）上
に形成する。
このような構造のＳＡＷ共振子は表面波の伝搬速度が従
来品のそれに比べ約１．６倍も大きくなることが実験的
に確認され、これにより電極間隔が大きく設定できて、
ＳＡＷ共振子の共振周波数の高周波数化に十分対応でき
ることが分かっている。しかしながら、前記技術は、オ
イラー角４−Ｏｏのものに比べ、電気機械結合係数が減
少するという問題と、周波数温度特性が悪化するという
問題があった。
来品のそれに比べ約１．６倍も大きくなることが実験的
に確認され、これにより電極間隔が大きく設定できて、
ＳＡＷ共振子の共振周波数の高周波数化に十分対応でき
ることが分かっている。しかしながら、前記技術は、オ
イラー角４−Ｏｏのものに比べ、電気機械結合係数が減
少するという問題と、周波数温度特性が悪化するという
問題があった。
一般的に電気機械結合係数による問題点と周波数温度特
性による問題点を解決するものとして、非圧電性基板上
にＺｎＯ１ＡｉＮ等の圧電￥Ｉ＃膜と電極体を積層形成
した、いわゆる薄膜型ＳＡＷ共振子が知られている。こ
れには例えば第１４図及び第１５図に示すようにパイレ
ックス・溶融石英などの基板（１）上に圧電溝ｍｌ！
（６）を形成し、この圧電薄膜（６）上に伝搬方向を直
交する方向で電極体（２）（４）を形成したものや、図
示しないが同じ基板上に先ず伝搬方向と直交する方向で
電極体を形成してからこの電極体を被うように圧電１ｆ
Ｉｌ！を形成したものなど様々な構造のものがあり、こ
のような薄膜型ＳＡＷ共振子は圧電薄膜の厚さを小さく
設定することにより電気機械結合係数を太き（でき、し
かも圧電薄膜の膜厚を変えると周波数温度係数が変化す
ることがわかっている。しかし乍ら、共振周波数の高周
波化に伴う電極間隔の縮少化による製造上の上記問題点
が残され、早急な解決策が要望されていた。
性による問題点を解決するものとして、非圧電性基板上
にＺｎＯ１ＡｉＮ等の圧電￥Ｉ＃膜と電極体を積層形成
した、いわゆる薄膜型ＳＡＷ共振子が知られている。こ
れには例えば第１４図及び第１５図に示すようにパイレ
ックス・溶融石英などの基板（１）上に圧電溝ｍｌ！
（６）を形成し、この圧電薄膜（６）上に伝搬方向を直
交する方向で電極体（２）（４）を形成したものや、図
示しないが同じ基板上に先ず伝搬方向と直交する方向で
電極体を形成してからこの電極体を被うように圧電１ｆ
Ｉｌ！を形成したものなど様々な構造のものがあり、こ
のような薄膜型ＳＡＷ共振子は圧電薄膜の厚さを小さく
設定することにより電気機械結合係数を太き（でき、し
かも圧電薄膜の膜厚を変えると周波数温度係数が変化す
ることがわかっている。しかし乍ら、共振周波数の高周
波化に伴う電極間隔の縮少化による製造上の上記問題点
が残され、早急な解決策が要望されていた。
−占 ゛ るための
本発明は上記要望に応じるもので、Ｘ、Ｙ。
Ｚからなる結晶軸を有する水晶体からφ、θ、ψのオイ
ラー角で決定される ＳＴカットで切り出された水晶基
板上に圧電薄膜と薄膜状電極体を形成したものであって
、上記ＳＴカットのオイラー角ψは略９０°に設定され
ると共に、上記電極体は水晶基板上を伝搬する表面波の
伝搬方向がＳＴカントによる伝搬方向と略９０°の角度
になる方向で形成された弾性表面波装置を提供する。
ラー角で決定される ＳＴカットで切り出された水晶基
板上に圧電薄膜と薄膜状電極体を形成したものであって
、上記ＳＴカットのオイラー角ψは略９０°に設定され
ると共に、上記電極体は水晶基板上を伝搬する表面波の
伝搬方向がＳＴカントによる伝搬方向と略９０°の角度
になる方向で形成された弾性表面波装置を提供する。
立里
上記本発明の構造にすることにより、薄膜型弾性表面波
装置の特徴である大きな電気機械結合係数、小さな温度
周波数係数の利点がそのまま活され、また電極体を水晶
基板を伝搬する表面波の伝播方向がＳＴカットによる伝
搬方向と略９０°角度になる方向で形成することにより
、表面波の伝搬速度が増大して電極体の電極間隔が大き
くとれるようになり、電極形成が容易になる。
装置の特徴である大きな電気機械結合係数、小さな温度
周波数係数の利点がそのまま活され、また電極体を水晶
基板を伝搬する表面波の伝播方向がＳＴカットによる伝
搬方向と略９０°角度になる方向で形成することにより
、表面波の伝搬速度が増大して電極体の電極間隔が大き
くとれるようになり、電極形成が容易になる。
遺」１九
本発明は、前記特願昭５９−１９５６１０号に開示した
前記前提技術を薄膜型弾性表面波装置に通用したもので
、以下本発明の例えばＳＡＷ共振子に通用した一実施例
を第１図及び第２図に基づき説明する。
前記前提技術を薄膜型弾性表面波装置に通用したもので
、以下本発明の例えばＳＡＷ共振子に通用した一実施例
を第１図及び第２図に基づき説明する。
この実施例における（１０）は水晶基板、（１１）は水
晶基板（１０）上に形成したＺｎＯ等の圧電薄膜、（１
２）及び（１３） （１３）は圧電薄膜（１１）上に
形成した櫛形電極及びグレーティング電極である。水晶
基板（１０）は第４図の水晶基板（７）と同様にオイラ
ー角φ−９０°で切り出されたもので、その結晶軸のＸ
軸方向は表面波の伝搬方向とほぼ直交する。圧電薄膜（
１１）は水晶基板（１０）の電気機械結合係数を大きく
する作用と周波数温度係数を小さくする作用を有する。
晶基板（１０）上に形成したＺｎＯ等の圧電薄膜、（１
２）及び（１３） （１３）は圧電薄膜（１１）上に
形成した櫛形電極及びグレーティング電極である。水晶
基板（１０）は第４図の水晶基板（７）と同様にオイラ
ー角φ−９０°で切り出されたもので、その結晶軸のＸ
軸方向は表面波の伝搬方向とほぼ直交する。圧電薄膜（
１１）は水晶基板（１０）の電気機械結合係数を大きく
する作用と周波数温度係数を小さくする作用を有する。
各電極＜１２） （１３） （１３）は水晶基板（
１０）のＸ軸方向と略９０°の方向に表面波の伝搬方向
を決めるパターンで作成され、これにより表面波伝搬速
度はオイラー角φ＝０°のものに比べ約１．６倍になる
。
１０）のＸ軸方向と略９０°の方向に表面波の伝搬方向
を決めるパターンで作成され、これにより表面波伝搬速
度はオイラー角φ＝０°のものに比べ約１．６倍になる
。
尚、本発明は上記実施例に限らず、例えば第３図に示す
ように上記水晶基板（１０）上に各電極（１２） （
１３） （１３）を先に形成した後で圧電薄膜（１１
）を形成したものや、図示しないが圧電薄膜（１１）の
電極（１２） （１３） （１３）との対向面側に
薄膜状の金属対向電極を追加形成したものであってもよ
い、また、櫛形電極の領域のみ圧電薄膜を形成したもの
でもよい、なお本発明はＳＡＷ共振子に限らすＳＡＷフ
ィルタなどにも同様に通用し得る。
ように上記水晶基板（１０）上に各電極（１２） （
１３） （１３）を先に形成した後で圧電薄膜（１１
）を形成したものや、図示しないが圧電薄膜（１１）の
電極（１２） （１３） （１３）との対向面側に
薄膜状の金属対向電極を追加形成したものであってもよ
い、また、櫛形電極の領域のみ圧電薄膜を形成したもの
でもよい、なお本発明はＳＡＷ共振子に限らすＳＡＷフ
ィルタなどにも同様に通用し得る。
血里坐羞来
本発明によれば水晶基板のＸ軸方向と表面波伝搬方向と
が略９０°になるように水晶基板と電極を設けたので、
表面波の伝搬速度が一段と向上し、従って電極間隔が大
きく設定できて、特にＳＡＷ共振子においては共振周波
数の高周波数化の要求に十分に対応することができる。
が略９０°になるように水晶基板と電極を設けたので、
表面波の伝搬速度が一段と向上し、従って電極間隔が大
きく設定できて、特にＳＡＷ共振子においては共振周波
数の高周波数化の要求に十分に対応することができる。
しかも、水晶基板に圧電薄膜を形成したことにより、伝
搬方向が水晶基板のＸ軸方向と略９０”になることによ
る結合係数の減少、温度特性の劣化を防ぐ事ができる。
搬方向が水晶基板のＸ軸方向と略９０”になることによ
る結合係数の減少、温度特性の劣化を防ぐ事ができる。
第１図及び第２図は本発明の一実施例を示す平面図及び
Ａ−Ａ線断面図、第３図は本発明の他の実施例を示す断
面図である。第４図は本発明の前提技術を説明するため
のＳＡＷ共振子の平面図、第５図及び第６図は第４図の
ＳＡＷ共振子の基板のオイラー角表示によるカット面説
明図である。第７図及び第８図は従来のＳＡＷ共振子の
斜視図及びＢ−Ｂ線に沿う拡大断面図、第９図は水晶体
の斜視図、第１０図乃至第１２図は第７図のＳＡＷ共振
子の基板のオイラー角表示によるカット面説明図、第１
３図は第７図のＳＡＷ共振子の平面図、第１４図及び第
１５図は他の従来のＳＡＷ共振子の平面図及びＣ−Ｃ線
断面図である。 （１０） −・水晶基板、（１１）・−・−圧電薄膜、
（１２）−電極体〔櫛形電極〕。 第１図 一−−−−ｉＧｎ友りイ云稀１シ旬 ＷＪ２１図 第３図 第４図 第５図 マ 第７ＩＡ 第８図 第１１囚 第１３３
Ａ−Ａ線断面図、第３図は本発明の他の実施例を示す断
面図である。第４図は本発明の前提技術を説明するため
のＳＡＷ共振子の平面図、第５図及び第６図は第４図の
ＳＡＷ共振子の基板のオイラー角表示によるカット面説
明図である。第７図及び第８図は従来のＳＡＷ共振子の
斜視図及びＢ−Ｂ線に沿う拡大断面図、第９図は水晶体
の斜視図、第１０図乃至第１２図は第７図のＳＡＷ共振
子の基板のオイラー角表示によるカット面説明図、第１
３図は第７図のＳＡＷ共振子の平面図、第１４図及び第
１５図は他の従来のＳＡＷ共振子の平面図及びＣ−Ｃ線
断面図である。 （１０） −・水晶基板、（１１）・−・−圧電薄膜、
（１２）−電極体〔櫛形電極〕。 第１図 一−−−−ｉＧｎ友りイ云稀１シ旬 ＷＪ２１図 第３図 第４図 第５図 マ 第７ＩＡ 第８図 第１１囚 第１３３
Claims (1)
- （１）Ｘ、Ｙ、Ｚからなる結晶軸を有する水晶体からφ
、θ、ψのオイラー角で決定されるＳＴカットで切り出
された水晶基板上に圧電薄膜と薄膜状電極体を形成した
ものであつて、上記ＳＴカットのオイラー角ψは略９０
°に設定されると共に、上記電極体は水晶基板上を伝搬
する表面波の伝搬方向がＳＴカットによる伝搬方向と略
９０°の角度になる方向で形成されたことを特徴とする
弾性表面波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6305585A JPS61222312A (ja) | 1985-03-27 | 1985-03-27 | 弾性表面波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6305585A JPS61222312A (ja) | 1985-03-27 | 1985-03-27 | 弾性表面波装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61222312A true JPS61222312A (ja) | 1986-10-02 |
Family
ID=13218267
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6305585A Pending JPS61222312A (ja) | 1985-03-27 | 1985-03-27 | 弾性表面波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61222312A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5965969A (en) * | 1995-11-21 | 1999-10-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device using higher order mode of leakage elastic surface acoustic wave |
| US6710509B1 (en) | 1997-02-07 | 2004-03-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
| US6972508B2 (en) | 2000-04-28 | 2005-12-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
-
1985
- 1985-03-27 JP JP6305585A patent/JPS61222312A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5965969A (en) * | 1995-11-21 | 1999-10-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device using higher order mode of leakage elastic surface acoustic wave |
| DE19648307B4 (de) * | 1995-11-21 | 2007-10-31 | Murata Mfg. Co., Ltd., Nagaokakyo | Oberflächenwellenbauelement |
| US6710509B1 (en) | 1997-02-07 | 2004-03-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
| DE19803791B4 (de) * | 1997-02-07 | 2004-12-30 | Murata Mfg. Co., Ltd., Nagaokakyo | Akustisches Oberflächenwellenbauelement |
| US6972508B2 (en) | 2000-04-28 | 2005-12-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
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