JPH02295212A - 弾性表面波共振子 - Google Patents
弾性表面波共振子Info
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- JPH02295212A JPH02295212A JP11713389A JP11713389A JPH02295212A JP H02295212 A JPH02295212 A JP H02295212A JP 11713389 A JP11713389 A JP 11713389A JP 11713389 A JP11713389 A JP 11713389A JP H02295212 A JPH02295212 A JP H02295212A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
弾性表面波共振子の構造に関し、
弾性表面波共振子の表面波駆動電極と反射電極の膜厚を
最適の範囲にして、共振子特性を向上させることを目的
とし、 36’ Yカットのリチウムタンタレート(LiTaO
+)単結晶基板と、前記基板上に形成された膜厚(1)
が弾性表面波波長(λ)の2〜3.5%のAl膜からな
る櫛型駆動電極およびその両側に配設された反射電極と
、前記櫛型駆動電極および反射電極を覆って、前記基板
上に形成された二酸化シリコン膜と、前記櫛型駆動電極
の一部表面が露出するごとくに設けられた2つの外部リ
ード導出部とを少なくとも備える≠うに弾性表面波共振
子を構成する。
最適の範囲にして、共振子特性を向上させることを目的
とし、 36’ Yカットのリチウムタンタレート(LiTaO
+)単結晶基板と、前記基板上に形成された膜厚(1)
が弾性表面波波長(λ)の2〜3.5%のAl膜からな
る櫛型駆動電極およびその両側に配設された反射電極と
、前記櫛型駆動電極および反射電極を覆って、前記基板
上に形成された二酸化シリコン膜と、前記櫛型駆動電極
の一部表面が露出するごとくに設けられた2つの外部リ
ード導出部とを少なくとも備える≠うに弾性表面波共振
子を構成する。
本発明は弾性表面波共振子、とくに、駆動電極および反
射電極の構成に関する。
射電極の構成に関する。
近年、情報処理機器や通信機器の高速化にともなって、
搬送波や信号波の周波数帯は益々高周波域にシフトして
きており、それに対応して高周波における基準信号の発
生,フィルタリングなどが必要となり、最近はこれらの
用途に弾性表面波素子、たとえば、弾性表面波共振子な
どが使用されるようになってきた。
搬送波や信号波の周波数帯は益々高周波域にシフトして
きており、それに対応して高周波における基準信号の発
生,フィルタリングなどが必要となり、最近はこれらの
用途に弾性表面波素子、たとえば、弾性表面波共振子な
どが使用されるようになってきた。
弾性表面波共振子は、一般的に素子構成が単純であると
いう特徴があるが、その一方、素子性能の作り込みが難
しいという一面があり、バラッキが小さく特性の揃った
弾性表面波共振子の開発が求められていた。
いう特徴があるが、その一方、素子性能の作り込みが難
しいという一面があり、バラッキが小さく特性の揃った
弾性表面波共振子の開発が求められていた。
弾性表面波共振子は、電気一機械結合係数が大きく、し
かも周波数の温度係数が比較的小さい基板、たとえば、
36″回転YカットーX伝播LiTaOs(36゜Y
−X LiTaO,)単結晶基板の上に、櫛型駆動電極
を設け、その両側に反射電極,たとえば、複数のストリ
ップ状導体パターンを並列に形成し、それら導体パター
ンの両端部を連結導体パターンで接続した、いわゆるシ
ョートストリップ型の反射電極を配設した2端子型素子
である。
かも周波数の温度係数が比較的小さい基板、たとえば、
36″回転YカットーX伝播LiTaOs(36゜Y
−X LiTaO,)単結晶基板の上に、櫛型駆動電極
を設け、その両側に反射電極,たとえば、複数のストリ
ップ状導体パターンを並列に形成し、それら導体パター
ンの両端部を連結導体パターンで接続した、いわゆるシ
ョートストリップ型の反射電極を配設した2端子型素子
である。
櫛型駆動電極と反射電極との間隔は、基板表面を伝播す
る表面波の波長をλとすると、゜(a)従来多く用いら
れてきた通常構造は7/8λであり、(b)最近提案さ
れているエネルギー閉じ込め構造のものではλ/2,す
なわち、櫛型駆動電極と連続等ピッチに配置されている
。
る表面波の波長をλとすると、゜(a)従来多く用いら
れてきた通常構造は7/8λであり、(b)最近提案さ
れているエネルギー閉じ込め構造のものではλ/2,す
なわち、櫛型駆動電極と連続等ピッチに配置されている
。
弾性表面波素子においては、電極の重さが基板表面を伝
播する表面波の音速に影響を与えるため、通常、電極材
料には重さが軽いA!などが多く使用され、その膜厚は
基板の種類なども余り顧慮されることな゛《、製造プロ
セス上扱い易い,たとえば、数100nmから1μm程
度の範囲で真空蒸着法などで形成し、必要に応じてレー
ザ光などを用いて電極の一部を除去して周波数トリミン
グを行なって、所要性能の,たとえば弾性表面波共振子
を作成していた。
播する表面波の音速に影響を与えるため、通常、電極材
料には重さが軽いA!などが多く使用され、その膜厚は
基板の種類なども余り顧慮されることな゛《、製造プロ
セス上扱い易い,たとえば、数100nmから1μm程
度の範囲で真空蒸着法などで形成し、必要に応じてレー
ザ光などを用いて電極の一部を除去して周波数トリミン
グを行なって、所要性能の,たとえば弾性表面波共振子
を作成していた。
しかし、最近の、とくに高周波領域における弾性表面波
共振子の性能に対する要求は益々厳しくなってきており
、たとえば、上記の如く電極形成後に、A2電極の一部
をトリミングで除去するなどの方法では、所要性能の製
品を小さいバラッキで安定して製造することが困難であ
るという問題を生じており、その解決が必要であった。
共振子の性能に対する要求は益々厳しくなってきており
、たとえば、上記の如く電極形成後に、A2電極の一部
をトリミングで除去するなどの方法では、所要性能の製
品を小さいバラッキで安定して製造することが困難であ
るという問題を生じており、その解決が必要であった。
上記の課題は、36゜Yカットのリチウムタンタレー}
(LiTaOz)単結晶基板lと、前記基板1上に形
成された膜厚(1)が弾性表面波波長(λ)の2〜3.
5%の八!膜からなる櫛型駆動電極2およびその両側に
配設された反射電極3および4と、前記櫛型駆動電極2
および反射電極3と4を覆って、前記基板1上に形成さ
れた二酸化シリコン膜5゜と、前記櫛型駆動電極2の一
部表面が露出するごとくに設けられた2つの外部リード
導出部6aおよび6bとを少なくとも備えた弾性表面波
共振子によって解決することができる。
(LiTaOz)単結晶基板lと、前記基板1上に形
成された膜厚(1)が弾性表面波波長(λ)の2〜3.
5%の八!膜からなる櫛型駆動電極2およびその両側に
配設された反射電極3および4と、前記櫛型駆動電極2
および反射電極3と4を覆って、前記基板1上に形成さ
れた二酸化シリコン膜5゜と、前記櫛型駆動電極2の一
部表面が露出するごとくに設けられた2つの外部リード
導出部6aおよび6bとを少なくとも備えた弾性表面波
共振子によって解決することができる。
本発明の弾性表面波共振子は、36゜Yカットのりチウ
ムタンタレー} (LiTaO:+)単結晶基板上に、
励振される表面波の波長に対応した所定の範囲の厚さの
l膜からなる電極を形成してあるので、弾性表面波共振
子の性能のバラツキを小さくし品質を安定化させること
ができる。
ムタンタレー} (LiTaO:+)単結晶基板上に、
励振される表面波の波長に対応した所定の範囲の厚さの
l膜からなる電極を形成してあるので、弾性表面波共振
子の性能のバラツキを小さくし品質を安定化させること
ができる。
第1図は本発明による実施例の弾性表面波共振子を説明
する図であり、同図(イ)は平面図、同図(口)はA−
A“断面図である。
する図であり、同図(イ)は平面図、同図(口)はA−
A“断面図である。
図中、lは36” YカットのLiTaO3単結晶基板
で、寸法は厚さ0.35mm,巾2mm,長さ6mm、
表面は平滑に研磨してある。表面波はX方向に伝播する
ように電極を配置した。2は櫛型駆動電極で、それぞれ
50本の櫛歯を有する一対の櫛型電極2aと2bとが互
いに櫛歯を差し挟んで配置されている。3,4は反射電
極で、それぞれ100本のストリップ状導体パターン7
を並列に形成し、それら導体パターン70両端部を連結
導体パターン8で接続した、いわゆるショートストリッ
プ型のものである。これら電極パターンの形成は、具体
的には前記基板1上に膜厚tのA1膜を真空蒸着し、通
常のホトリソグラフィ法で前記櫛型駆動電極2と反射電
極3および4を同時形成した。
で、寸法は厚さ0.35mm,巾2mm,長さ6mm、
表面は平滑に研磨してある。表面波はX方向に伝播する
ように電極を配置した。2は櫛型駆動電極で、それぞれ
50本の櫛歯を有する一対の櫛型電極2aと2bとが互
いに櫛歯を差し挟んで配置されている。3,4は反射電
極で、それぞれ100本のストリップ状導体パターン7
を並列に形成し、それら導体パターン70両端部を連結
導体パターン8で接続した、いわゆるショートストリッ
プ型のものである。これら電極パターンの形成は、具体
的には前記基板1上に膜厚tのA1膜を真空蒸着し、通
常のホトリソグラフィ法で前記櫛型駆動電極2と反射電
極3および4を同時形成した。
電極間隔はエネルギー閉じ込め構造を採用したので、櫛
型駆動電極と両反射電極の間も含めて全てλ/2,すな
わち、連続等ピッチ配置になるよう形成した。
型駆動電極と両反射電極の間も含めて全てλ/2,すな
わち、連続等ピッチ配置になるよう形成した。
なお、共振周波数160MHzを得るために、前記基板
1のX伝播表面波の音速4090m/sからλ=25.
56μmを算出し、電極ピッチをλ/2,電極巾および
電極間隔をλ/4として設計した。
1のX伝播表面波の音速4090m/sからλ=25.
56μmを算出し、電極ピッチをλ/2,電極巾および
電極間隔をλ/4として設計した。
A2膜の厚さtは、t/λとして1〜5%,すなわち、
0.25〜1.3μmの範囲で変えて幾つかの試料を作
成した。
0.25〜1.3μmの範囲で変えて幾つかの試料を作
成した。
5は二酸化シリコン膜で、弾性表面波の伝播速度の温度
係数がLiTa03の温度係数と符号が逆であるため、
周波数温度特性の改善の目的で被着されたものであり(
特願昭55−159612参照)、その厚さは5.6
μmとした。
係数がLiTa03の温度係数と符号が逆であるため、
周波数温度特性の改善の目的で被着されたものであり(
特願昭55−159612参照)、その厚さは5.6
μmとした。
6a,6bは櫛型駆動電極2を駆動する電源を接続する
ための外部リード導出部で、櫛型電極2aおよび2bの
それぞれの接続部の一部に設けた電極露出部である。す
なわち、それらの上の二酸化シリコン膜を、たとえば、
CF4の中でイオンエッチングにより除去して形成した
。
ための外部リード導出部で、櫛型電極2aおよび2bの
それぞれの接続部の一部に設けた電極露出部である。す
なわち、それらの上の二酸化シリコン膜を、たとえば、
CF4の中でイオンエッチングにより除去して形成した
。
第2図は36゜Yカットウエーハを説明する図で同図(
イ)は側面図、同図(口)は表面図である。
イ)は側面図、同図(口)は表面図である。
すなわち、Y軸に垂直な面からχ軸を回転軸として36
゜回転した回転Y軸に垂直にカットした平面を持つウエ
ーハで、表面波はX軸方向に伝播するように励振する電
極配置にした。
゜回転した回転Y軸に垂直にカットした平面を持つウエ
ーハで、表面波はX軸方向に伝播するように励振する電
極配置にした。
第3図は実施例の弾性表面波共振子の等価回路図で、R
,は等価直列抵抗+CSは等価直列容量Lsは等価直列
インダクタンス,Cdは等価並列容量である。
,は等価直列抵抗+CSは等価直列容量Lsは等価直列
インダクタンス,Cdは等価並列容量である。
第4図は上記で説明した実施例装置の電極膜厚比(1/
λ)に対する共振周波数の温度特性図で、前記の如く二
酸化シリコン膜を被着してあるので温度係数は非常に小
さくなっている。とくに、電極膜厚(1/λ)を2〜3
.5%にすると発振周波数の温度係数が−5〜+5%の
範囲内に入ることがわかる。
λ)に対する共振周波数の温度特性図で、前記の如く二
酸化シリコン膜を被着してあるので温度係数は非常に小
さくなっている。とくに、電極膜厚(1/λ)を2〜3
.5%にすると発振周波数の温度係数が−5〜+5%の
範囲内に入ることがわかる。
第5図は同じく本実施例装置の電極膜厚比(1/λ)に
対する等価回路パラメータの変化図で、それぞれ前記の
第3図に示したパラメータについて測定したものである
。なお、測定にはネットワークアナライザーを使用する
通常法に従って行なった。
対する等価回路パラメータの変化図で、それぞれ前記の
第3図に示したパラメータについて測定したものである
。なお、測定にはネットワークアナライザーを使用する
通常法に従って行なった。
同図(イ)はR, −t/λの関係図で膜厚比が3.5
%を越えると急激に増加する。同図(口)はL,−t/
λの関係図で電極膜厚の影響は軽微である。同図(ハ)
はC,−t/λの関係図で電極膜厚の影響はL3の場合
と同様に軽微である。同図(二)はC,−t/λの関係
図で電極膜厚比が2%以下でや一大きくなるがその他の
範囲ではほ\゛一定である。
%を越えると急激に増加する。同図(口)はL,−t/
λの関係図で電極膜厚の影響は軽微である。同図(ハ)
はC,−t/λの関係図で電極膜厚の影響はL3の場合
と同様に軽微である。同図(二)はC,−t/λの関係
図で電極膜厚比が2%以下でや一大きくなるがその他の
範囲ではほ\゛一定である。
第6図は電極膜厚比(1/λ)に対する表面波共振子特
性変化図で、同図(イ)はγ一t/λの関係図である。
性変化図で、同図(イ)はγ一t/λの関係図である。
γは容量比(Cs/Ca)で、γが小さいほど共振,反
共振周波数の差(八f)が大きくなり、したがって、周
波数の可変範囲が広い電圧制御発振器などの用途に有利
である。図からわかるように、t/λが2〜3.5%の
範囲において最も小さなTが得られた。
共振周波数の差(八f)が大きくなり、したがって、周
波数の可変範囲が広い電圧制御発振器などの用途に有利
である。図からわかるように、t/λが2〜3.5%の
範囲において最も小さなTが得られた。
同図(口)はQ−t/λの関係図である。Qは共振の先
鋭度で共振周波数と前記Δfの比で共振子の重要な特性
の一つである。図からわかるようにt/λが3.5%ま
ではほx”aoo以上を維持しているが、3.5%を越
えると急激に低下する。
鋭度で共振周波数と前記Δfの比で共振子の重要な特性
の一つである。図からわかるようにt/λが3.5%ま
ではほx”aoo以上を維持しているが、3.5%を越
えると急激に低下する。
同図(ハ)はM,−t/λの関係図である。Myは性能
指数と呼ばれるものでQ/2γの関係で表され一般に大
きいほど好ましい。図からわかるように、3.5%以下
ではり一定の大きい値を保持している。
指数と呼ばれるものでQ/2γの関係で表され一般に大
きいほど好ましい。図からわかるように、3.5%以下
ではり一定の大きい値を保持している。
すなわち、本実施例データから本発明の構成による電極
膜厚比(1/λ)は2〜3.5%の場合、極めて優れた
特性の弾性表面波共振子が得られることがわかる。
膜厚比(1/λ)は2〜3.5%の場合、極めて優れた
特性の弾性表面波共振子が得られることがわかる。
〔発明の効果]
以上詳しく述べたように、本発明によれば電極膜厚(1
)を表面波波長(λ)の比として正規化して、どの周波
数の表面波共振子に対しても、予め最適の電極膜厚を設
定して製作することができるので、弾性表面波共振子の
品質および歩留り向上に寄与するところが極めて大きい
。
)を表面波波長(λ)の比として正規化して、どの周波
数の表面波共振子に対しても、予め最適の電極膜厚を設
定して製作することができるので、弾性表面波共振子の
品質および歩留り向上に寄与するところが極めて大きい
。
第1図は本発明による実施例の弾性表面波共振子を説明
する図、 第2図は36゜回転Yカットウエーハを説明する図、 第3図は弾性表面波共振子の等価回路図、第4図は電極
膜厚比(1/λ)に対する共振周波数の温度特性図、 第5図は電極膜厚比(1/λ)に対する等価回路パラメ
ータの変化図、 第6図は電極膜厚比(1/λ)に対する表面波共振子特
性変化図である。 図において、 1は36@回転YカットLiTaO:+基板、2は櫛型
駆動電極、 3および4は反射電極、 5は二酸化シリコン膜、 6a,6bは外部リード導出部、 7はストリップ状導体パターン、 8は連結導体パターンである。 Cd 弾性長面浪扱倣子の筈借回路目 竿 3a 壬莞畦二よク芙弛剖O弾1生絃浪斤倣子8説明イろ図第
1 図 (イ2順11I!:I記 A (ロ冫iaaコ 3b’回枳Y ″77・・t−広一ハ乏滉萌すや01
2 図 外(%) temc (イレ≦’,) r二MVシ>K# ノA:
flMtf)Jl々IRQ番 4− ロ 鯉 胆 9614rと,(イ≧5,ハニ灯1rろ!k6シカ之抜
蛎kチ牛今・庄多夕瓜]′jI6 記
する図、 第2図は36゜回転Yカットウエーハを説明する図、 第3図は弾性表面波共振子の等価回路図、第4図は電極
膜厚比(1/λ)に対する共振周波数の温度特性図、 第5図は電極膜厚比(1/λ)に対する等価回路パラメ
ータの変化図、 第6図は電極膜厚比(1/λ)に対する表面波共振子特
性変化図である。 図において、 1は36@回転YカットLiTaO:+基板、2は櫛型
駆動電極、 3および4は反射電極、 5は二酸化シリコン膜、 6a,6bは外部リード導出部、 7はストリップ状導体パターン、 8は連結導体パターンである。 Cd 弾性長面浪扱倣子の筈借回路目 竿 3a 壬莞畦二よク芙弛剖O弾1生絃浪斤倣子8説明イろ図第
1 図 (イ2順11I!:I記 A (ロ冫iaaコ 3b’回枳Y ″77・・t−広一ハ乏滉萌すや01
2 図 外(%) temc (イレ≦’,) r二MVシ>K# ノA:
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蛎kチ牛今・庄多夕瓜]′jI6 記
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 36°Yカットのリチウムタンタレート(LiTaO_
3)単結晶基板(1)と、 前記基板(1)上に形成された、膜厚(t)が弾性表面
波波長(λ)の2〜3.5%のAl膜からなる櫛型駆動
電極(2)およびその両側に配設された反射電極(3,
4)と、 前記櫛型駆動電極(2)および反射電極(3,4)を覆
って、前記基板(1)上に形成された二酸化シリコン膜
(5)と、 前記櫛型駆動電極(2)の一部表面が露出するごとくに
設けられた2つの外部リード導出部(6a,6b)とを
少なくとも備えた弾性表面波共振子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11713389A JPH02295212A (ja) | 1989-05-09 | 1989-05-09 | 弾性表面波共振子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11713389A JPH02295212A (ja) | 1989-05-09 | 1989-05-09 | 弾性表面波共振子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02295212A true JPH02295212A (ja) | 1990-12-06 |
Family
ID=14704266
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11713389A Pending JPH02295212A (ja) | 1989-05-09 | 1989-05-09 | 弾性表面波共振子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02295212A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0732806A2 (en) * | 1991-10-28 | 1996-09-18 | Fujitsu Limited | Surface-acoustic-wave filter |
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