JPH01129517A - 表面波共振素子の製造方法 - Google Patents
表面波共振素子の製造方法Info
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- JPH01129517A JPH01129517A JP28691087A JP28691087A JPH01129517A JP H01129517 A JPH01129517 A JP H01129517A JP 28691087 A JP28691087 A JP 28691087A JP 28691087 A JP28691087 A JP 28691087A JP H01129517 A JPH01129517 A JP H01129517A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）またはタンタル酸リ
チウム（ＬｉＴａＯｓ）にてなる結晶基板を使用した表
面波共振素子の製造方法に関し、 表面波共振子の小型化を目的とし、 タンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムの、単結晶
基板の表面に形成した表面波反射溝が、該反射溝の形成
部にプロトン交換処理を施したのち、該プロトン交換処
理部をプチズマエッチングで除去する構成とする。
チウム（ＬｉＴａＯｓ）にてなる結晶基板を使用した表
面波共振素子の製造方法に関し、 表面波共振子の小型化を目的とし、 タンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムの、単結晶
基板の表面に形成した表面波反射溝が、該反射溝の形成
部にプロトン交換処理を施したのち、該プロトン交換処
理部をプチズマエッチングで除去する構成とする。
本発明は表面波共振素子の製造方法、特にニオブ酸リチ
ウム（ＬｉＮｂＯ３）またはタンクル酸リチウム（Ｌｉ
ＴａＯｚ）にてなる単結晶基板に、表面波反射溝を形成
させた共振素子の新規製造方法に関する。
ウム（ＬｉＮｂＯ３）またはタンクル酸リチウム（Ｌｉ
ＴａＯｚ）にてなる単結晶基板に、表面波反射溝を形成
させた共振素子の新規製造方法に関する。
基板の表面に弾性表面波（以下表面波と称す）の駆動電
極および表面波反射器を形成してなる表面波共振器にお
いて、駆動電極の側方に配設される表面波反射器の格子
状パターン（グレーティング）は、基板の表面に金属膜
を被着しその金属膜をエツチングする、または基板にグ
ループ（溝）加工を施して形成される。
極および表面波反射器を形成してなる表面波共振器にお
いて、駆動電極の側方に配設される表面波反射器の格子
状パターン（グレーティング）は、基板の表面に金属膜
を被着しその金属膜をエツチングする、または基板にグ
ループ（溝）加工を施して形成される。
第２図は金属膜のエツチングによる表面波反射器を設け
た共振器の模式斜視図、第３図はグループ形成した反射
器を具えた共振器の模式斜視図である。
た共振器の模式斜視図、第３図はグループ形成した反射
器を具えた共振器の模式斜視図である。
第２図において、共振器１は弾性体基板２の表面に一対
のくし歯状の表面波駆動電極３を形成し、駆動電極３の
左右に反射器４をそれぞれ形成してなる。
のくし歯状の表面波駆動電極３を形成し、駆動電極３の
左右に反射器４をそれぞれ形成してなる。
金属にてなり基板２の表面に突出する反射器４は、駆動
電極３から出射する表面波の伝播方向と直交する複数本
（数十本〜数百本）の導体パターン５が並行してなり、
基板２の表面に被着しだ金属膜より駆動電極３と同時に
形成される。
電極３から出射する表面波の伝播方向と直交する複数本
（数十本〜数百本）の導体パターン５が並行してなり、
基板２の表面に被着しだ金属膜より駆動電極３と同時に
形成される。
第３図において、共振器６は弾性体基板２の表面に一対
のくし歯状の表面波駆動電極３を形成し、駆動電極３の
左右に反射器７を形成し、てなる。
のくし歯状の表面波駆動電極３を形成し、駆動電極３の
左右に反射器７を形成し、てなる。
反射器７は、駆動電極３から出射する表面波の伝播方向
と直交する複数本の溝８を基板２に形成してなる。
と直交する複数本の溝８を基板２に形成してなる。
前述の共振器１および６において、表面波は弾性体基板
２の表層を伝播するため、反射器４は一般に数十本〜数
百木の導体パターン５にてなるのに対し、反射器７を構
成する溝８の本数は導体パターン５の数分の１乃至それ
以下で済む。
２の表層を伝播するため、反射器４は一般に数十本〜数
百木の導体パターン５にてなるのに対し、反射器７を構
成する溝８の本数は導体パターン５の数分の１乃至それ
以下で済む。
従って、共振器６は共振器１より小型になるが、基板２
がニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）またはタンタル酸
リチウム（ＬｉＴａＯ：＋）であるとき、従来技術では
溝８の形成が困難であった。
がニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）またはタンタル酸
リチウム（ＬｉＴａＯ：＋）であるとき、従来技術では
溝８の形成が困難であった。
即ち、ａ８をイオンミーリングで形成するには、そのエ
ツチング速度が遅いため非生産的であり、弗酸と硝酸の
混合煮沸液を使用するケミカルエツチングで形成するに
は該エッチャントに対する適当なマスク材がない。
ツチング速度が遅いため非生産的であり、弗酸と硝酸の
混合煮沸液を使用するケミカルエツチングで形成するに
は該エッチャントに対する適当なマスク材がない。
そのため、ＬｉＮｂＯ３およびＬｉＴａＯ３の結晶板を
使用した従来の表面波共振素子は、表面波の反射効率が
小さい反射器４を採用した構成となり、反射器４が共振
素子の小型化を妨げていた。
使用した従来の表面波共振素子は、表面波の反射効率が
小さい反射器４を採用した構成となり、反射器４が共振
素子の小型化を妨げていた。
上記問題点の除去を目的とした本発明は、第１図に示す
実施例によれば、タンタル酸リチウムまたはニオブ酸リ
チウムの単結晶基板１１の表面に形成した表面波反射溝
１５が、反射溝１５の形成部にプロトン交換処理を施し
てなるプロトン交換処理部１４を、プチズマエッチング
で除去することを特徴とした表面波共振素子の製造方法
であり、さらには、基板１１がニオブ酸リチウムの１２
８°回転Ｙ板から切り出したものであり、反射溝１５を
その結晶板１１の−Ｙ面に形成すること、並びに基板１
１がタンタル酸リチウムのＸ板から切り出したものであ
り、反射溝１５をその結晶板１１の−Ｘ面に形成するこ
とを特徴とした表面波共振素子の製造方法である。
実施例によれば、タンタル酸リチウムまたはニオブ酸リ
チウムの単結晶基板１１の表面に形成した表面波反射溝
１５が、反射溝１５の形成部にプロトン交換処理を施し
てなるプロトン交換処理部１４を、プチズマエッチング
で除去することを特徴とした表面波共振素子の製造方法
であり、さらには、基板１１がニオブ酸リチウムの１２
８°回転Ｙ板から切り出したものであり、反射溝１５を
その結晶板１１の−Ｙ面に形成すること、並びに基板１
１がタンタル酸リチウムのＸ板から切り出したものであ
り、反射溝１５をその結晶板１１の−Ｘ面に形成するこ
とを特徴とした表面波共振素子の製造方法である。
本発明はプロトン交換処理を利用して表面波反射溝を形
成することにより、グループ（反射溝）からなる表面波
反射器を具えた表面波共振素子を、ＬｉＮｂ０＋または
ＬｉＴａ０．の結晶板に形成させることが可能となり、
ＬｉＮｂ０ｚまたはＬｉＴａＯ３の結晶板を使用した表
面波共振子の小型化が可能になる。
成することにより、グループ（反射溝）からなる表面波
反射器を具えた表面波共振素子を、ＬｉＮｂ０＋または
ＬｉＴａ０．の結晶板に形成させることが可能となり、
ＬｉＮｂ０ｚまたはＬｉＴａＯ３の結晶板を使用した表
面波共振子の小型化が可能になる。
以下に、図面を用いて本発明方法の実施例による表面波
共振素子を説明する。
共振素子を説明する。
第１図は本発明方法の一実施例による表面波共振素子の
主要工程を工程順に示す図である。
主要工程を工程順に示す図である。
第１図（イ）において、ＬｉＮｂＯ３またはＬｉＴａＯ
３の単結晶からなる基板１１の表面に、マスク１２を被
着する。ＬｉＮｂ０＋またはＬｉＴａＯ３結晶中のＬｉ
原子をＨ原子に置換させるため、安息香酸やビロリン酸
および燐酸等を２００℃前後に加熱した処理液に浸漬す
るプロトン交換処理に使用するマスク１２は、タンタル
（Ｔａ）や二酸化シリコン（Ｓ１０２）の薄膜等にてな
り、プロトン交換処理する部分即ち反射溝を形成する部
分に透孔１３を有する。
３の単結晶からなる基板１１の表面に、マスク１２を被
着する。ＬｉＮｂ０＋またはＬｉＴａＯ３結晶中のＬｉ
原子をＨ原子に置換させるため、安息香酸やビロリン酸
および燐酸等を２００℃前後に加熱した処理液に浸漬す
るプロトン交換処理に使用するマスク１２は、タンタル
（Ｔａ）や二酸化シリコン（Ｓ１０２）の薄膜等にてな
り、プロトン交換処理する部分即ち反射溝を形成する部
分に透孔１３を有する。
第１図（ロ）において、基板１１をプロトン交換処理液
に浸漬すると、透孔１３が明いて表呈する基板１１の一
部分でＬｉ原子が１１原子に置換され、プロトン交換層
１４が形成される。
に浸漬すると、透孔１３が明いて表呈する基板１１の一
部分でＬｉ原子が１１原子に置換され、プロトン交換層
１４が形成される。
そこで、プロトン交換処理液から取り出し洗浄した基板
１１の表面をプラズマエツチングすると、プロＩ・ン交
換層１４は弗素ラジカルによるプラズマエツチングが可
能であるため、第１図（ハ）に示すように、溝１５が形
成される。
１１の表面をプラズマエツチングすると、プロＩ・ン交
換層１４は弗素ラジカルによるプラズマエツチングが可
能であるため、第１図（ハ）に示すように、溝１５が形
成される。
次いで、マスク１２を除去し従来と同様な駆動電極３を
形成すると、第１図（＝）に示すように、基板１１の中
央部に駆動電極３を形成し、その左方および右方に一対
の溝１５にてなる表面波反射器６を具えた表面波共振素
子１６が完成する。
形成すると、第１図（＝）に示すように、基板１１の中
央部に駆動電極３を形成し、その左方および右方に一対
の溝１５にてなる表面波反射器６を具えた表面波共振素
子１６が完成する。
なお、従来の共振素子基板にはＬｉＮｂＯ３単結晶の１
２８°回転Ｙ板および、ＬｉＴａＯ５単結晶のＸ板が一
般に利用されており、該Ｙ板の＋７面および該Ｘ板の＋
Ｘ面に溝１５を形成しようとすると、プロトン交換処理
時に微細なりラックを生じ易く、該クラックが表面波の
伝播特性を損なうようになる。
２８°回転Ｙ板および、ＬｉＴａＯ５単結晶のＸ板が一
般に利用されており、該Ｙ板の＋７面および該Ｘ板の＋
Ｘ面に溝１５を形成しようとすると、プロトン交換処理
時に微細なりラックを生じ易く、該クラックが表面波の
伝播特性を損なうようになる。
他方、前記Ｙ板の−７面および前記Ｘ板の−Ｘ面には、
前記クランクが発生せず、表面波の伝播特性に優れた溝
１５が形成されるため、かかるーＸ面および−Ｘ面の利
用が好ましい。
前記クランクが発生せず、表面波の伝播特性に優れた溝
１５が形成されるため、かかるーＸ面および−Ｘ面の利
用が好ましい。
以上説明したように本発明方法によれば、プロトン交換
処理を利用したことによって、ＬｉＮｂＯ３およびＬｉ
Ｔａ０ｆｆの結晶板に、表面波反射溝からなる表面波反
射器の形成が可能となり、ＬｉＮｂＯ５またはＬｉＴａ
Ｏ３の結晶板を使用した表面波共振子の小型化を実現し
得た効果がある。
処理を利用したことによって、ＬｉＮｂＯ３およびＬｉ
Ｔａ０ｆｆの結晶板に、表面波反射溝からなる表面波反
射器の形成が可能となり、ＬｉＮｂＯ５またはＬｉＴａ
Ｏ３の結晶板を使用した表面波共振子の小型化を実現し
得た効果がある。
第１図は本発明方法の一実施例による表面波共振素子の
主要工程を工程順に示す図、 第２図は金属膜のエツチングによる表面波反射器を設け
た共振器の模式斜視図、 第３図はグループ形成した反射器を具えた共振器の模式
斜視図、 である。 図中において、 ３は駆動電極、 ６は表面波反射器、 １１は単結晶基板、 Ｊ １２灸プロトン交換処理用マスク、 １３はマスク１２の透孔、 １４はプロトン交換処理部、 １５は表面波反射溝、 １６は表面波共振器、
主要工程を工程順に示す図、 第２図は金属膜のエツチングによる表面波反射器を設け
た共振器の模式斜視図、 第３図はグループ形成した反射器を具えた共振器の模式
斜視図、 である。 図中において、 ３は駆動電極、 ６は表面波反射器、 １１は単結晶基板、 Ｊ １２灸プロトン交換処理用マスク、 １３はマスク１２の透孔、 １４はプロトン交換処理部、 １５は表面波反射溝、 １６は表面波共振器、
Claims (3)
- （１）タンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムの単
結晶基板（１１）の表面に形成した表面波反射溝（１５
）が、該反射溝（１５）の形成部にプロトン交換処理を
施したのち、該プロトン交換処理部（１４）をプチズマ
エッチングで除去することを特徴とした表面波共振素子
の製造方法。 - （２）前記基板（１１）がニオブ酸リチウムの１２８°
回転Ｙ板から切り出したものであり、前記反射溝（１５
）を該結晶板（１１）の−Ｙ面に形成することを特徴と
した前記特許請求の範囲第１項記載の表面波共振素子の
製造方法。 - （３）前記基板（１１）がタンタル酸リチウムのＸ板か
ら切り出したものであり、前記反射溝（１５）を該結晶
板（１１）の−Ｘ面に形成することを特徴とした前記特
許請求の範囲第１項記載の表面波共振素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28691087A JPH01129517A (ja) | 1987-11-13 | 1987-11-13 | 表面波共振素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28691087A JPH01129517A (ja) | 1987-11-13 | 1987-11-13 | 表面波共振素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01129517A true JPH01129517A (ja) | 1989-05-22 |
Family
ID=17710573
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28691087A Pending JPH01129517A (ja) | 1987-11-13 | 1987-11-13 | 表面波共振素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01129517A (ja) |
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-
1987
- 1987-11-13 JP JP28691087A patent/JPH01129517A/ja active Pending
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