JPH03265208A - 表面波素子およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は表面波素子（ＳＡＷ素子）およびその製造方法
に間するものである。

〔従来の技術〕

表面波素子としては、圧電セラミック基板あるいは単結
晶圧電基板の上面に対向方向へ突出する櫛歯状のｒｐｒ
ｌ極を形成したものや、ガラス等の絶縁基板上にＩＤＴ
電極を形成した後、ＩＤＴ電極を覆うように圧電材料を
スパッタリング等によってＫＭしたもの等がある。

上記電極材料としてはアルミニウムが一般に用いられて
いる。

〔発明が解決しようとするＲＮ〕

ところが、高周波表面波素子の場合、ｒＤＴｉｉ極の櫛
歯電極部間の間隔が数μｍ〜数十μｍ程度と非常に狭い
ため、静電破壊やマイグレーシタンによって櫛歯電極部
間で短絡を起こし易く、周波数特性が変化してしまうと
いう問題があった。

本発明は上記問題点を解決するためになされたもので、
その目的は、静電破壊やマイグレーションに対して強く
、信頼性の高い表面波素子を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的を達成するため、第１の発明は、表面波基板上
に、対向方向へ突出する櫛歯状のアルミニウム製ＩＤＴ
電極を設けた表面波素子において、ＩＤＴ電極の櫛歯電
極部の側面に酸化処理を施してアルミニウム酸化膜を形
成したものである。

第２の発明は、表面波基板にアルミニウム被膜を形成す
る工程と、上記アルミニウム被膜の上面を覆うようにレ
ジスト被膜を形成する工程と、表面波基板上のアルミニ
ウム被膜とレジスト被ＳをＩＤＴ電極パターン形状にエ
ツチングする工程と、エッチングされた表面波基板を酸
化処理することにより、外部に露出したアルミニウム電
極部の側面にアルミニウム酸化膜を形成する工程と、ア
ルミニウム電極部上のレジスト被膜を除去する工程と、
を含む表面波素子の製造方法である。

〔作用〕

第１の発明によれば、ＩＤＴ電極の櫛歯電極部の側面を
酸化させると、化学的に安定で絶縁性５耐食性に優れた
酸化アルミニウム（Ａ　ｌ　ｚ（ｈ）膜が形成され、ア
ルマイト状態となる。これにより、櫛歯電極部の側面を
絶縁膜で被覆した状態となり、櫛歯電極部の静電破壊や
マイグレーションを防止でき、隣合う櫛歯電極部間の短
絡を防止できる。

なお、櫛歯電極部の側面にのみ酸化膜を形成する理由は
、櫛歯電極部の側面が隣合う櫛歯電極部と最も短絡しや
すく、しかも櫛歯電極部の上面に酸化膜を形成すると、
櫛歯電極部の上面に絶縁物からなる質量が載ることにな
り、質量負荷効果により周波数特性に変化が生じるから
である。

また、第２の発明によれば、表面波基板上に形成したア
ルミニウム被膜とレジスト被膜とを電極パターン形状に
エツチングすると、エツチングされたアルミニウム電極
の上面はレジスト被膜で覆われ、側面のみが外部に露出
することになる。この状態で、酸素雰囲気中で熱処理し
たり酸中に浸漬する等して表面波基板を酸化処理すると
、アルミニウム電極の側面のみが酸化され、数百人〜数
μｍ程度のアルミニウム酸化膜が形成される。その後、
アルミニウム電極上のレジスト被膜を除去することによ
り、側面にのみ酸化膜を設けたＩＤＴ電極を有する表面
波素子を得ることができる。

〔実施例〕

第１図は本発明にかかる表面波素子の一例を示す。

この表面波素子は公知の１ボート型ＳＡＷ素子であり、
ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム水晶などの単結
晶圧電基板ｌの上面にアルミニウム製の電極パターンが
形成されている。この′ｒ４極パターンは、両端部に電
極パッド２，３を有し、これら電極パッド２．３は引回
し電極部４．５を介して対向方向へ突出した一対の櫛歯
電極部６゜７と接轟され、これら櫛歯電極部６，７でＩ
ＤＴ電極を構成している。上記櫛歯電極部６．７の弾性
波伝播方向の両側には反射電極８．９が独立して形成さ
れている。上記櫛歯電極部６，７を含む電極の側面は後
述するように酸化処理され、アルミニウム酸化膜が形成
されている。

第２ａ〜２ｄ図は上記表面波素子、特に［ＤＴ電極部分
の製造方法を示す。

第２ａ図において、まず圧１を基板ｌの略全面にアルミ
ニウム被Ｍ１０をスパッタリング等の手法で形成すると
ともに、その上面に感光性のレジスト被膜１１を塗布す
る。

次に、圧電基板ｌ上に図示しないフォトマスクを重ねて
感光させ、これを現像して第２ｂ図のように未感光のレ
ジスト被膜を除去し、電極パターン形状にレジスト被膜
１１ａを残す。

その後、レノスト被膜１１ａで被覆されていないアルミ
ニウム被膜１０の不要部分をエツチング液で溶解するこ
とにより、第２ｃ図のようにＩＤＴ１！ｌ極６．７等の
電極パターンをエツチングする。これにより、アルミニ
ウム電極部（櫛歯電極部）　１０ａの側面のみが外部に
露出することになる。

ついで、圧電基板１全体に酸化処理を施す。酸化処理の
具体的方法としては、例えば圧電基板ｌを硫酸液、塩酸
液、硝酸液またはこれらの混合液に浸漬する方法や、０
２雰囲気中で熱処理をする方法等がある。酸化処理を行
うと、アルミニウム電極部１０ａの上面はレジスト被Ｉ
ｏ１ａで覆われているのであまり酸化せず、外部に露出
した側面が主に酸化され、第２ｄ図のように酸化アルミ
ニウム（Ａ　ｌ　ｔａｘ）よりなる酸化膜Ｊｏｂが形成
される。なお、この酸化処理工程は、上記エツチング液
程の後に別個に行う場合に限らず、エツチング液の熱を
利用して同時に酸化させることもできる。

最後に、櫛歯電極部１０ａの表面に被着しているレジス
ト被膜１１ａを公知の方法により剥離することにより、
第２ｅ図のように側面のみに酸化１ｉ１１０ｂを有する
ＥＤＴ＠極が得られる。

なお、通常の場合、ＩＤＴ電極と同時に電極バッド２，
３．引回し電極部４．５１反射電極８゜９もフォトエツ
チングされるので、これら電極部史側面も同時に酸化処
理してもよい。

上記実施例では、単結晶圧電基板上にＩＤＴ電極を形成
した表面波素子について説明したが、これに限らず、Ｐ
ＺＴ（登録商標）などの圧電セラミック基板上にＩＤＴ
１１極を形成したものや、ガラス等の絶縁基板上にＩＤ
Ｔ！極を形成し、このＩＤＴ！極を覆うように圧１１１
膜を形成したものにも適用できる。

また、ＩＤＴｉ１ｉ極パターンも上記実施例のような１
ポート型に限らないことは勿論である。

〔発明の効果〕

以上の説明で明らかなように、第１の発明によればアル
柔ニウム製ＩＤＴ［極の側面に酸化膜を形成したので、
隣合う電極間の絶縁性が向上し、かつ耐食性も向上する
。そのため、静電破壊やマイグレーシゴンに強く、信頼
性の高い表面波素子を得ることができる。また、酸化膜
はＴＤＴ１１ｉ極の側面のみに形成されるので、酸化膜
によって周波数特性が変化するおそれがない。

また、第２の発明によれば、通常のＩＤＴ電極の形成工
程を大幅に変更することなく、エツチングからレジスト
除去までの工程の間に酸化処理工程を追加するのみでよ
いので、量産性を損なわずにＩＤＴ−を極の側面に酸化
膜を有する表面波素子を製造できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明にかかる表面波素子の一例の斜視図、第
２ａ図〜第２ｅ図はＩＤＴ！極の形成工程を示す工程図
である。 ■・・・単結晶圧電基板、６，７・・・櫛歯電極部（■
ＤＴ電極’）　、１０・・・アルミニウム被膜、１１・
・・レジスト被膜、１０ｂ・・・酸化膜。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）表面波基板上に、対向方向へ突出する櫛歯状のア
   ルミニウム製ＩＤＴ電極を設けた表面波素子において、 ＩＤＴ電極の櫛歯電極部の側面に酸化処理を施してアル
   ミニウム酸化膜を形成したことを特徴とする表面波素子
   。
2. （２）表面波基板にアルミニウム被膜を形成する工程と
   、 上記アルミニウム被膜の上面を覆うようにレジスト被膜
   を形成する工程と、 表面波基板上のアルミニウム被膜とレジスト被膜をＩＤ
   Ｔ電極パターン形状にエッチングする工程と、 エッチングされた表面波基板を酸化処理することにより
   、外部に露出したアルミニウム電極部の側面にアルミニ
   ウム酸化膜を形成する工程と、アルミニウム電極部上の
   レジスト被膜を除去する工程と、 を含む表面波素子の製造方法。