JP3470031B2

JP3470031B2 - 弾性表面波装置の製造方法

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Publication number: JP3470031B2
Application number: JP35249397A
Authority: JP
Inventors: 洋彦勝田
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1997-12-22
Filing date: 1997-12-22
Publication date: 2003-11-25
Anticipated expiration: 2017-12-22
Also published as: JPH11186866A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えばタンタル酸
リチウム，ニオブ酸リチウム，四ほう酸リチウム等の単
結晶からなる圧電基板に、励振電極を設けて成る弾性表
面波フィルタ等の弾性表面波装置の製造方法に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】近年、電波を利用する電子機器のフィル
タ，遅延線，発信器等の素子として多くの弾性表面波素
子が用いられている。特に小型・軽量でかつフィルタと
しての急峻遮断性能が高い弾性表面波フィルタは、移動
体通信分野において、携帯端末装置のＲＦ段及びＩＦ段
のフィルタとして多用されるようになってきており、挿
入損失や帯域外減衰量などの性能が良好で且つ信頼性の
高い弾性表面波フィルタが要求されている。

【０００３】しかしながら、高信頼性を要求する一方
で、移動体通信システムの高周波化に伴い弾性表面波フ
ィルタの電極線幅及び電極間隔の微細化が進んでおり、
現在では数μｍ〜０．５μｍ程度の非常に微細な電極線
幅及び電極間隔となってきている。

【０００４】このため、ウエハプロセス以降の組立工程
においては、櫛歯状電極上に導電性の微細異物付着によ
る電極ショート等が原因となり、著しく歩留が低下する
という問題があった。

【０００５】また、パッケージに実装した完成品におい
ても、振動等によるパッケージ内からの微細異物の発生
により、電極ショートが原因の不良が発生し、信頼性面
で大きな問題となっていた。

【０００６】特に、弾性表面波フィルタに用いるニオブ
酸リチウムやタンタル酸リチウムなどの圧電基板は、そ
の焦電性により静電気が発生し易く微細異物が付着し易
いため、組立工程の環境及びパッケージ内の清浄度を厳
しく管理しても十分な対策とはならないのが現状であっ
た。

【０００７】また、この焦電性により、組立工程及び機
器に使用された状態で高温の環境下に置かれ急激な温度
変化が与えられると、圧電基板上に不均一な電荷分布が
生じて、これが原因となって発生した放電で電極が変形
する等して、ひいてはフィルタ特性の劣化等を誘発する
という問題があった。

【０００８】すなわち、櫛歯状の励振電極等の電極形成
後におけるパッケージ実装時のダイボンディングやワイ
ヤーボンディング等の工程において、圧電基板が約８０
℃以上の高温下に置かれると、圧電基板の焦電性により
圧電基板表面に電荷分布が生ずる。そして、この圧電基
板表面に生じた電荷は空気中の浮遊電荷等により中和さ
れていくが、この中和されていく速度は圧電基板上に形
成された電極の形状や面積等により異なり、所々に不均
一な電荷密度分布が圧電基板上に存在することになる。
その結果、例えば励振電極を構成する櫛歯状電極の電極
指と電極指との間隙の狭い部分において非常に大きな電
界が印加されることになり、上記電荷密度分布を緩和す
るように放電が起こり、この放電により励振電極の電極
指が変形したり、一部が溶融して剥離するなどして、例
えばフィルタ特性が劣化したり、剥離した金属片が励振
電極等の電極上に付着してショート不良を招いていたの
である。

【０００９】従来、これらの問題を解決する手段とし
て、電極上への導電性異物付着による電極ショート防
止、更には基板の焦電性による温度変化時における電極
の静電破壊防止を目的に、櫛歯状の励振電極等の電極上
に絶縁性あるい半導電性の保護膜を形成する方法が提案
されていた（例えば、特願平８−３２０５２１号）。

【００１０】しかしながら、上記方法では図９に示すよ
うに、圧電基板５１上に形成された櫛歯状の励振電極５
２の電極指５２ａ上及び電極指間５３は十分な膜厚の保
護膜５４が形成されるが、電極指５２ａの側面部５５は
非常に薄い保護膜しか形成できず、場合によっては局所
的にしか繋がっていない保護膜となっていたり、完全に
段切れしているような保護膜となっていた。これは、蒸
着法やステップカバレージが比較的良好とされるスパッ
タ法等の成膜方法においても成膜粒子の付着する方向依
存性が大きく、基板５１上面や電極指５２ａ上面に比べ
電極指５２ａの側面部５５は保護膜が成膜し難いためで
ある。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】このように従来方法で
は、電極指側面部における保護膜のカバレージが悪いた
め、電極指間（隙間）に導電性異物が付着すると電極指
間のショートが発生し、保護膜の無いものよりは効果の
あるものの十分な導電性異物付着時の特性劣化防止とは
なっていないという問題があった。

【００１２】また、上述した電荷の不均一分布に起因し
て発生する電極指間の放電によるフィルタ特性の劣化等
を防止するために、発生した電荷の不均一分布を緩和さ
せる目的で半導電性の保護膜を形成した場合において
も、半導電性の保護膜が電極側面部で十分に繋がってい
ないため、電極側面部での保護膜の導電性が悪く、電荷
の不均一分布を緩和させる効果が小さくなりフィルタ特
性の劣化を十分に防止できないという問題があった。

【００１３】上記問題を解決する手段として、保護膜を
厚く成膜する方法も考えられるが、電極上の保護膜を厚
くすると損失等フィルタ特性への劣化が大きくなり実用
的でない。

【００１４】本発明はこのような課題に対処するために
なされたものであり、導電性異物付着による電極ショー
ト等の劣化が無く、圧電基板のもつ焦電性に起因する電
極指間の放電による特性劣化の無い信頼性の非常に優れ
た弾性表面波装置の製造方法を提供することを目的とす
る。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の弾性表面波装置の製造方法は、圧電基板上に絶縁膜
または半導電性膜を形成する工程と、絶縁膜または半導
電性膜上にフォトレジストパターンを形成する工程と、
該フォトレジストパターンをマスクとして絶縁膜または
半導電性膜をパターニングして電極指間膜を形成する工
程と、フォトレジストパターン上及び圧電基板上に金属
膜を形成する工程と、フォトレジストパターンを除去す
ることにより金属膜から成る励振電極を形成する工程
と、少なくとも励振電極上及び電極指間膜上に絶縁性ま
たは半導電性の保護膜を形成する工程とを含むことを特
徴とする。

【００１６】また、圧電基板に金属膜を形成する工程
と、金属膜上にフォトレジストパターンを形成する工程
と、該フォトレジストパターンをマスクとして金属膜を
パターニングして励振電極を形成する工程と、圧電基板
上及びフォトレジストパターン上に絶縁膜または半導電
性膜を形成する工程と、フォトレジストパターンを除去
して絶縁膜または半導電性膜から成る電極指間膜を形成
する工程と、少なくとも励振電極上及び電極指間膜上に
絶縁性または半導電性の保護膜を形成する工程とを含む
ことを特徴とする。

【００１７】なお、絶縁性または半導電性とは例えば比
抵抗値が１０^−３Ωcm以上のものとする。また、上記弾
性表面波装置において、保護膜形成の前に電極間に電極
膜厚と略同等の膜厚をもつ膜（電極間膜）を形成するこ
とにより、その後の保護膜形成時における電極側面のカ
バレージを向上させることができる。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係わる実施の形態
について図面に基づき詳細に説明する。図１に示すよう
に、本発明の弾性表面波装置Ｓは、例えば直列接続され
た複数の弾性表面波共振器１と並列接続された複数の弾
性表面波共振器２とから構成されているが、特にこのよ
うなラダー型フィルタに限定されるものではなく、例え
ばラティス型フィルタ等でもよく、各種形状、接続態様
のＳＡＷフィルタやＳＡＷレゾネータ等に適用可能であ
る。

【００１９】図１の弾性表面波装置Ｓは、複数の直列接
続された弾性表面波共振器１でもってローパスフィルタ
を構成し、並列接続された弾性表面波共振器２でもって
ハイパスフィルタを構成して所望の特性を得るものであ
る。

【００２０】また、図２に示すように、弾性表面波共振
器１及び２は、それぞれタンタル酸リチウム単結晶、ニ
オブ酸リチウム単結晶、又は四ホウ酸リチウム単結晶な
どの圧電基板（以下、単に基板ともいう）３上に、アル
ミニウムやアルミニウムを主成分とする合金（Ａｌ−Ｓ
ｉ系，Ａｌ−Ｃｕ系，Ａｌ−Ｔｉ系等）から成る櫛歯状
の励振電極であるＩＤＴ電極４を配置するとともに、Ｉ
ＤＴ電極４の両端にＩＤＴ電極４と同様な材質から成る
反射器５をそれぞれ配置しており、波長λの弾性表面波
をＸ方向に伝搬させるようにしたものである。なお、図
２では簡単のため、ＩＤＴ電極４及び反射器５を明確に
示すために、後記する電極指間膜や保護膜を省略してい
る。

【００２１】また、図３及び図４にＩＤＴ電極４の部分
断面図に示すように、圧電基板３上の少なくともＩＤＴ
電極４の電極指４ａ間に例えば比抵抗値が１０^−３Ωcm
以上の絶縁性または半導電性の電極指間膜６を形成した
後、絶縁性あるいは半導電性の保護膜７が少なくとも電
極領域に被着形成されている。

【００２２】このように、保護膜７を被着形成する前
に、電極間にＩＤＴ電極膜厚と略同等の膜厚をもつ電極
指間膜６を被着形成することにより、その後の保護膜７
の形成時における電極側面部のカバレージを向上させる
ことができる。そしてこれにより、導電性異物付着によ
る電極ショート等の劣化が無く、圧電基板３のもつ焦電
性に起因する電極指間の放電による特性劣化の無い、信
頼性の非常に優れた弾性表面波装置を実現させることが
できる。

【００２３】図３は、電極指間膜６を両側の電極指４ａ
と密着させて形成した後、保護膜７を電極領域に被着形
成したものである。使用される圧電基板３が例えば四ほ
う酸リチウム結晶基板のように焦電性がほとんど無い場
合は、電極指間への導電性異物付着による電極ショート
の防止が保護膜７の役割となるため、電極指間膜６及び
保護膜７は半導電性である必要は無く、絶縁性とするこ
とができる。

【００２４】また、使用される圧電基板３が例えばニオ
ブ酸リチウム結晶基板，タンタル酸リチウム基板のよう
に焦電性を有する基板の場合は、電極指間膜６は絶縁性
または半導電性のいずれでもかまわないが、少なくとも
保護膜７を半導電性膜とすることにより、温度変化等に
より電極指間に発生する電荷分布の不均一を緩和させ、
放電によるフィルタ特性の劣化等を防止できる。

【００２５】電極指４ａと電極指間膜６を密着した構造
は、金属薄膜の選択的な陽極酸化により容易に実現でき
るが、この場合は電極指間膜６が金属酸化物となるため
絶縁膜を電極指間膜６とするときに有効な方法である。
特に、一層の金属膜から電極指４ａ及び電極指間膜６を
形成するため、保護膜７の成膜前の平坦性に優れ、非常
に良好な被覆性で保護膜７を形成することができる。

【００２６】上記陽極酸化による金属酸化物の形成は、
例えば、図５（ａ）〜（ｃ）に示すような方法で行う。
すなわち、図５（ａ）に示すように、電解液１１を満た
した容器１２の中に金属薄膜４０とパターニングされた
フォトレジスト（フォトレジストパターン）８が形成さ
れた基板３を浸漬し、直流電源１３の陰極に基板３上の
金属薄膜４０を、陽極には白金等の金属電極１４をそれ
ぞれ接続し、基板３と対向させる。そして、直流電流を
通電することにより、基板３上の金属薄膜４０上のフォ
トレジストレジスト８により被覆されていない領域の酸
化を行い、図５（ｂ）に示すように、酸化膜からなる電
極指間膜６を形成する。その後、図５（ｃ）に示すよう
に、蒸着等により例えば半導電性膜の成膜を行い、保護
膜７を形成する。

【００２７】なお、電極設計，圧電基板の種類，使用環
境によっては、電荷不均一による放電の発生し易い場合
がある。この場合は電極指間膜６も半導電性膜とするこ
とにより、保護膜７のみを半導電性膜とするよりも、放
電による特性劣化に対し更に高い防止効果が期待でき
る。

【００２８】また、図３の構造において、電極指間膜６
を半導電性膜とする場合は、例えば図８に示すようにフ
ォトリソグラフィーとエッチングを２回繰り返すことに
よって実現できる。すなわち、図８に示すような製造工
程で実現できる。

【００２９】まず、図８（ａ）に示すように、圧電基板
３上に金属膜４０を形成し、その上にパターニングした
フォトレジスト８を形成する。次に、図８（ｂ）に示す
ように、フォトレジスト８で覆われていない金属膜を除
去し、さらに、図８（ｃ）に示すように、フォトレジス
ト８を除去してＩＤＴ電極４を形成する。

【００３０】そして、図８（ｄ）に示すように、圧電基
板３上、及びＩＤＴ電極４上に半導電性膜６０を被着形
成し、図８（ｅ）に示すように、全面にフォトレジスト
８を形成した後に、図８（ｆ）に示すように、フォトリ
ソグラフィーにより選択的に半導電性膜６０上のフォト
レジスト８を除去する。

【００３１】さらに、図８（ｇ）に示すように、選択的
に残されたフォトレジスト８をマスクとしてドライエッ
チング等を行うことにより、ＩＤＴ電極４上の半導電性
膜６０を除去し、次いで、図８（ｈ）に示すように、フ
ォトレジスト８を除去して、図８（ｉ）に示すように、
全面に半導電性の保護膜７を形成する。しかしながら、
この方法はプロセスが複雑になるとともに、高精度なフ
ォトマスクの位置合わせと高精度のエッチング技術が必
要となる。

【００３２】そこで、図６に示すように、電極指間膜を
フォトレジストパターンをマスクとしてエッチングによ
り形成した後、同じフォトレジストパターンを用いリフ
トオフ法にてＩＤＴ電極の電極指の形成を行い、最後に
保護膜を電極領域全面に形成することにより図４の構造
の弾性表面波装置を容易に得ることができる。

【００３３】すなわち、まず、図６（ａ）に示すよう
に、圧電基板３の一主面に蒸着等により半導電性膜６０
を成膜した後、フォトレジスト８を全面に塗布し、フォ
トリソグラフィーによりフォトレジスト８のパターニン
グを行う。次に、図６（ｂ）に示すように、ウエットエ
ッチングあるいはドライエッチングにより、フォトレジ
スト８の被覆部以外の半導電性膜６０を除去し電極指間
膜６を形成する。次に、図６（ｃ）に示すように、金属
膜４，４０の形成を蒸着法等により行い、しかる後に、
フォトレジスト８の剥離とともにフォトレジスト８上の
金属膜４０を除去し、電極指間膜６どうしの間にＩＤＴ
電極４（電極指）を形成する。そして、図６（ｄ）に示
すように、圧電基板３上及び励振電極４上、及び半導電
性の電極指間膜６上に保護膜７を蒸着法等により形成す
る。

【００３４】このように、非常に簡便な製造方法となる
のは、エッチング法とリフトオフ法を組み合わせること
により、電極指と電極指間膜のパターニングを１回のフ
ォトリソグラフィーで行うことができ、電極指と電極指
間膜の位置合わせがセルフアライメント方式となるため
である。

【００３５】電極指をリフトオフ法にて作製するため
に、その前段階のエッチングによる電極指間膜形成時に
おいては、図６（ｂ）に示すように、マスクとなるレジ
ストの幅より電極指間膜の幅を０．１μｍ程度以下に小
さくする必要がある。

【００３６】これにより、電極指と電極指間膜の間に
は、０〜０．１μｍ程度の間隙が生じるが、保護膜４の
厚みが０．０２〜０．０７μｍ程度であるので十分間隙
を埋めることができ、段切れのない良好な保護膜を形成
することが可能である。

【００３７】図７は、電極指をエッチングにより形成
し、電極指間膜をリフトオフ法にて形成する製造方法で
あり、原理的には図６の場合と同じである。

【００３８】すなわち、まず、図７（ａ）に示すよう
に、圧電基板３上に金属膜４０を全面に被着形成し、そ
の後、パターニングしたフォトレジスト８形成する。次
に、図７（ｂ）に示すように、金属膜４０のフォトレジ
スト８で覆われていない領域をエッチング除去し、櫛歯
状のＩＤＴ電極４を形成する。そして、図７（ｃ）に示
すように、フォトレジスト８上、及び圧電基板３上に半
導電性膜６，６０を形成して、電極指間膜６を形成す
る。さらに、フォトレジスト８をリフトオフ法で除去す
ることにより図７（ｄ）に示すように、ＩＤＴ電極４
上、電極指間膜６上及び図示していないが圧電基板３上
に保護膜７を形成する。

【００３９】図６，図７に示す製造方法において、電極
指間膜及び保護膜がそれぞれ独立に絶縁膜あるいは半導
電性膜で形成可能であることは自明である。

【００４０】このような電極指間膜及び保護膜に用いら
れる絶縁膜としては、酸化シリコン，窒化シリコン，酸
化アルミニウム等の酸化物あるいは窒化物を用いること
ができる。また、半導電性膜としては比抵抗と電極膜厚
の比（比抵抗値／電極膜厚）が１０^９〜１０¹³Ωの材料
が望ましく、シリコン膜（比抵抗５×１０^５Ωcm程
度）がよく用いられる。

【００４１】このようにして、導電性異物付着による電
極ショート等の劣化が無く、圧電基板のもつ焦電性に起
因する電極指間の放電による特性劣化の無い信頼性の非
常に優れた弾性表面波装置を簡便な製造方法で提供する
ことができる。

【００４２】なお、弾性表面波装置は上記の形態や製法
に限定されるものではなく、圧電基板上に励振電極等の
電極が配設され、励振電極の電極指間に絶縁性または半
導電性の電極指間膜が形成され、さらに、少なくとも励
振電極上及び電極指間膜上に保護膜が形成されていれば
よく、圧電基板、励振電極、電極指間膜、及び保護膜等
の材質についても上記のものに限定されず、要旨を逸脱
しない範囲で適宜変更し実施が可能である。

【００４３】

【実施例】〔例１〕まず、図３に示すような構成の実施
例について説明する。３６°ＹカットＸ伝播タンタル酸
リチウムの直径３〜４インチ程度の圧電基板において、
その一方の面に、アルミニウムやアルミニウム合金等の
金属薄膜を蒸着，スパッタ等の方法を用いて厚さ２００
０〜５０００Å程度に形成し、その後、フォトレジスト
を金属薄膜の形成された圧電基板上に厚さ１〜１．５μ
m程度に塗布した。しかる後に、電極パターンが形成可
能なフォトマスクを用いて紫外光等により露光を行っ
た。

【００４４】次に、有機アルカリ系の現像液に浸漬し、
フォトレジストのパターニングを行い、次に、図５
（ａ）に示すように、電解液１１を満たした容器１２の
中に基板３を浸漬した。直流電源１３の陰極に基板３上
の金属薄膜４０を接続し、陽極には白金等の金属電極１
４を接続し、基板３と対向させた。そして、電流密度
０．１〜２Ａ／ｄｍ^２程度の直流電流を通電することに
より、基板３上の金属薄膜４０上のフォトレジストレジ
スト８により被覆されていない領域の酸化を行い、図５
（ｂ）に示すような酸化アルミニウムまたはアルミニウ
ム合金の酸化膜からなる電極指間膜６を厚さ２０００〜
５０００Å程度に形成した。

【００４５】ここで、電解液１１には、エチレングリコ
ールと四ほう酸アンモニウムからなる溶液，硫酸，クロ
ム酸等を用いた。その後、図５（ｃ）に示すように蒸着
等によりシリコン膜を厚さ２００〜７００Å程度の成膜
を行い、保護膜７を形成した。

【００４６】次に、フォトリソグラフィー等による部分
的なエッチングによりワイヤーボンディングパッド部の
保護膜を除去し、その後、ダイシング，ダイボンド，ワ
イヤーボンド，封止等のパッケージへの実装工程を経て
ＳＡＷフィルタを完成した。このＳＡＷフィルタは挿入
損失が少なく非常に良好であり、またチップ状態で導電
性ペーストに浸漬・乾燥した後の特性評価においても全
く特性に劣化が見られず、保護膜としての機能を十分に
発揮できた。さらに、組立工程等の急激な温度変化によ
っても劣化が見られず、放電による特性劣化を完全に防
止できた。

【００４７】〔例２〕次に、図４に示すような構成の実
施例について説明する。図６（ａ）に示すように、３６
°ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム単結晶の圧電基板
３において、その一方の面に、蒸着等によりシリコン膜
６０を厚さ２０００〜５０００Å程度に成膜した後，フ
ォトリソグラフィーによりフォトレジスト８のパターニ
ングを行った。

【００４８】次に、図６（ｂ）に示すように、フッ酸・
硝酸系のウエットエッチングあるいは弗化炭素（ＣＦ4
）等によるドライエッチングにより、フォトレジスト
８の被覆部以外のシリコン膜を除去し電極指間膜６を厚
さ２０００〜５０００Å程度に形成した。

【００４９】次に、図６（ｃ）に示すようにアルミニウ
ムまたはアルミニウム合金の成膜２，２０を行い、フォ
トレジスト８の剥離とともにフォトレジスト８上のアル
ミニウム膜４０を除去し、電極指間膜６どうしの間にＩ
ＤＴ電極４（電極指）を厚さ２０００〜５０００Å程度
に形成した。その後は、上記例１と同様にしてシリコン
保護膜７を形成し、実装工程を経てＳＡＷフィルタを完
成させた。このＳＡＷフィルタも例１と同様な効果が得
られた。

【００５０】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明の弾性表面
波装置の製造方法によれば、導電性異物が付着しても電
極ショート等の劣化が全く無く、圧電基板のもつ焦電性
に起因する電極指間の放電による特性劣化も全くない、
信頼性の非常に優れた弾性表面波装置を簡便かつ迅速に
製造できる。

【００５１】また、電極指間膜を陽極酸化により形成す
れば、一層の金属膜から電極指及び電極指間膜を同時に
形成することができ、迅速に製造できるだけでなく、保
護膜形成前の平坦性が良好となるので、好適な被覆性を
実現した保護膜を有した、信頼性の非常に優れた弾性表
面波装置を製造できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る一実施例の弾性表面波装置を模式
的に説明する回路図である。

【図２】本発明に係る弾性表面波装置を構成する弾性表
面波共振器を模式的に説明する概略平面図である。

【図３】本発明に係る弾性表面波装置の一実施形態を模
式的に説明する図であり、図２におけるＡ−Ａ線部分断
面図である。

【図４】本発明に係る弾性表面波装置の他の実施形態を
模式的に説明する部分断面図である。

【図５】（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ本発明の一製造方法
を模式的に説明する部分断面図である。

【図６】（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ本発明の他の製造方
法を模式的に説明する部分断面図である。

【図７】（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ本発明の他の製造方
法を模式的に説明する部分断面図である。

【図８】（ａ）〜（ｉ）はそれぞれ本発明と比較するた
めの製造方法を模式的に説明する部分断面図である。

【図９】従来の弾性表面波装置の一例を模式的に説明す
る部分断面図である。

【符号の説明】

１：弾性表面波共振器（直列用）２：弾性表面波共振器（並列用）３：基板（圧電基板）４：ＩＤＴ電極（励振電極）４ａ：電極指５：反射器６：電極指間膜７：保護膜８：フォトレジスト４０：金属膜６０：半導電性膜Ｓ：弾性表面波装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H03H 9/145,9/25,9/64 H03H 3/08

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】圧電基板上に絶縁膜または半導電性膜を
形成する工程と、前記絶縁膜または半導電性膜上にフォ
トレジストパターンを形成する工程と、該フォトレジス
トパターンをマスクとして前記絶縁膜または半導電性膜
をパターニングして電極指間膜を形成する工程と、前記
フォトレジストパターン上及び圧電基板上に金属膜を形
成する工程と、前記フォトレジストパターンを除去する
ことにより前記金属膜から成る励振電極を形成する工程
と、少なくとも前記励振電極上及び前記電極指間膜上に
絶縁性または半導電性の保護膜を形成する工程とを含む
ことを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
【請求項２】圧電基板上に金属膜を形成する工程と、
前記金属膜上にフォトレジストパターンを形成する工程
と、該フォトレジストパターンをマスクとして前記金属
膜をパターニングして励振電極を形成する工程と、前記
圧電基板上及び前記フォトレジストパターン上に絶縁膜
または半導電性膜を形成する工程と、前記フォトレジス
トパターンを除去して絶縁膜または半導電性膜から成る
電極指間膜を形成する工程と、少なくとも前記励振電極
上及び前記電極指間膜上に絶縁性または半導電性の保護
膜を形成する工程とを含むことを特徴とする弾性表面波
装置の製造方法。