JP2000138553A - 弾性表面波フィルタ及びその製造方法 - Google Patents
弾性表面波フィルタ及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 耐電力に対して信頼性があり、通過帯域の平
滑な通過特性である平衡型弾性表面波フィルタを小型に
作製でき、プロセスによる特性への影響を小さくする構
造が得られるようにすること。 【解決手段】 複数の入力用ＩＤＴ電極２ａと複数の出
力用ＩＤＴ電極２ｂとを交互に並設したＩＩＤＴ電極２
の入力又は出力側に、複数のＩＤＴ電極から成る弾性表
面波共振子３どうしを対称格子状に接続したラティス型
回路Ｌ、又は複数のＩＤＴ電極から成る弾性表面波共振
子を梯子状に接続したラダー型回路を配線パターンを介
して接続して成るSAW フィルタＳ１とし、ＩＩＤＴ電極
２とラティス型回路Ｌの電極延在部６，７が、配線パタ
ーン４，５，９，１０，１１，１２上、及びこれらの配
線パターン上に設けた絶縁層８上に配設する。
滑な通過特性である平衡型弾性表面波フィルタを小型に
作製でき、プロセスによる特性への影響を小さくする構
造が得られるようにすること。 【解決手段】 複数の入力用ＩＤＴ電極２ａと複数の出
力用ＩＤＴ電極２ｂとを交互に並設したＩＩＤＴ電極２
の入力又は出力側に、複数のＩＤＴ電極から成る弾性表
面波共振子３どうしを対称格子状に接続したラティス型
回路Ｌ、又は複数のＩＤＴ電極から成る弾性表面波共振
子を梯子状に接続したラダー型回路を配線パターンを介
して接続して成るSAW フィルタＳ１とし、ＩＩＤＴ電極
２とラティス型回路Ｌの電極延在部６，７が、配線パタ
ーン４，５，９，１０，１１，１２上、及びこれらの配
線パターン上に設けた絶縁層８上に配設する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば自動車電話
及び携帯電話等の移動体無線機器に内蔵される周波数帯
域フィルタに関し、特に不平衡平衡変換型の弾性表面波
フィルタに関する。
及び携帯電話等の移動体無線機器に内蔵される周波数帯
域フィルタに関し、特に不平衡平衡変換型の弾性表面波
フィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の弾性表面波（Surface Acoustic W
ave ：以下、SAW と略す）装置の基本構成は、圧電基板
上に一対の櫛歯状電極（Inter Digital Transducerで、
以下、IDT 電極と略す）を１つ以上配設され、このIDT
電極から励起されるのSAW の伝搬路上に、SAW を効率良
く共振させるための反射器がその両端に配設される。
ave ：以下、SAW と略す）装置の基本構成は、圧電基板
上に一対の櫛歯状電極（Inter Digital Transducerで、
以下、IDT 電極と略す）を１つ以上配設され、このIDT
電極から励起されるのSAW の伝搬路上に、SAW を効率良
く共振させるための反射器がその両端に配設される。
【０００３】IDT 電極及び反射器は、例えば36°Y カッ
トX 伝搬タンタル酸リチウム単結晶等からなる圧電基板
上に、蒸着法，スパッタ法等の薄膜形成法により、Alや
Al-Cu 合金等の導電物がフォトリソグラフィ法で微細な
電極パターンに形成され作製される。
トX 伝搬タンタル酸リチウム単結晶等からなる圧電基板
上に、蒸着法，スパッタ法等の薄膜形成法により、Alや
Al-Cu 合金等の導電物がフォトリソグラフィ法で微細な
電極パターンに形成され作製される。
【０００４】また、この移動体通信機器等の小型・軽量
化及び低コスト化のための使用部品点数削減により、SA
W フィルタに新たな機能の付加が要求されている。その
一つに、受送信号周波数のダウンコンバート及びアップ
コンバートを行なうミキサICの平衡入出力端に、不平衡
入力−平衡出力又は平衡入力−不平衡出力の電気接続が
可能なSAW フィルタ（以下、平衡型SAW フィルタとい
う）が望まれている。また、ミキサICにより平衡端で終
端される公称抵抗値は変化するため、この抵抗値に合わ
せて平衡型SAW フィルタの平衡端接続抵抗を設計する必
要がある。
化及び低コスト化のための使用部品点数削減により、SA
W フィルタに新たな機能の付加が要求されている。その
一つに、受送信号周波数のダウンコンバート及びアップ
コンバートを行なうミキサICの平衡入出力端に、不平衡
入力−平衡出力又は平衡入力−不平衡出力の電気接続が
可能なSAW フィルタ（以下、平衡型SAW フィルタとい
う）が望まれている。また、ミキサICにより平衡端で終
端される公称抵抗値は変化するため、この抵抗値に合わ
せて平衡型SAW フィルタの平衡端接続抵抗を設計する必
要がある。
【０００５】従来のSAW フィルタは、一般に不平衡入力
−不平衡出力しかできない接続構造であるため（例え
ば、特開平５−１８３３８０号公報等を参照）、SAW フ
ィルタとミキサICの間にバランと呼ばれる平衡−不平衡
変換器を介して接続する。
−不平衡出力しかできない接続構造であるため（例え
ば、特開平５−１８３３８０号公報等を参照）、SAW フ
ィルタとミキサICの間にバランと呼ばれる平衡−不平衡
変換器を介して接続する。
【０００６】また、平衡型SAW フィルタとして、例えば
図１１に示すように、帯域外減衰量を向上させるため、
鏡面対称に２つの共振子型フィルタ７１，７２を接続し
た弾性表面波フィルタＪ０が知られている（特開平８−
６５０９４号公報等を参照）。このような共振器型フィ
ルタにおいては平衡入出力に対応できるものの、SAWの
エネルギーが共振器型フィルタの中に蓄積させ、特にRF
ブロックの帯域フィルタを形成するように構成するた
め、IDT 電極の櫛歯のピッチを非常に小さくししなけれ
ばならないが、これにより、RFブロックに電力を印加し
た場合、電極のマイグレーションでフィルタ特性が劣化
することがあり、信頼性上大きな問題となる。
図１１に示すように、帯域外減衰量を向上させるため、
鏡面対称に２つの共振子型フィルタ７１，７２を接続し
た弾性表面波フィルタＪ０が知られている（特開平８−
６５０９４号公報等を参照）。このような共振器型フィ
ルタにおいては平衡入出力に対応できるものの、SAWの
エネルギーが共振器型フィルタの中に蓄積させ、特にRF
ブロックの帯域フィルタを形成するように構成するた
め、IDT 電極の櫛歯のピッチを非常に小さくししなけれ
ばならないが、これにより、RFブロックに電力を印加し
た場合、電極のマイグレーションでフィルタ特性が劣化
することがあり、信頼性上大きな問題となる。
【０００７】これらの問題点を解決するため、まずSAW
フィルタに印加される電力を分散させるべく、多数の共
振子を用いて構成させた複合共振子型SAW フィルタ構造
と、平衡型SAW フィルタとして、IDT 電極を入出力１つ
置きに載置したマルチ電極（Inter-degitated Inter Di
gital Transducerで、以下、IIDT電極と略す）を複合さ
せて構成し、電圧を分散させ耐電力性を向上させる必要
がある。
フィルタに印加される電力を分散させるべく、多数の共
振子を用いて構成させた複合共振子型SAW フィルタ構造
と、平衡型SAW フィルタとして、IDT 電極を入出力１つ
置きに載置したマルチ電極（Inter-degitated Inter Di
gital Transducerで、以下、IIDT電極と略す）を複合さ
せて構成し、電圧を分散させ耐電力性を向上させる必要
がある。
【０００８】また、IIDT電極はIDT 電極の構成が多数で
あるため、従来から行われていたAlワイヤやAuワイヤに
よる配線が複雑であり、このワイヤとIIDT電極を接続さ
せるパッド部も多大な面積が必要となる。
あるため、従来から行われていたAlワイヤやAuワイヤに
よる配線が複雑であり、このワイヤとIIDT電極を接続さ
せるパッド部も多大な面積が必要となる。
【０００９】そこで本出願人は、図６に示すように、圧
電基板５１上に複数の入力用IDT 電極５２ａと複数の出
力用IDT 電極５２ｂとを交互に並設したIIDT電極５２の
入力又は出力側に、複数のIDT 電極から成る弾性表面波
共振子５３どうしを対称格子状に接続したラティス型回
路Ｌ又は複数のIDT 電極から成る弾性表面波共振子を梯
子状に接続したラダー型回路を接続して成る弾性表面波
フィルタＪを提案している。なお、５４は入力電極、５
５は接地電極、５６は入力側立体配線部、５７は出力側
立体配線部、５８は絶縁層、５９，６０はラティス型回
路Ｌの入力電極、６１，６２は平衡出力対の電極であ
る。
電基板５１上に複数の入力用IDT 電極５２ａと複数の出
力用IDT 電極５２ｂとを交互に並設したIIDT電極５２の
入力又は出力側に、複数のIDT 電極から成る弾性表面波
共振子５３どうしを対称格子状に接続したラティス型回
路Ｌ又は複数のIDT 電極から成る弾性表面波共振子を梯
子状に接続したラダー型回路を接続して成る弾性表面波
フィルタＪを提案している。なお、５４は入力電極、５
５は接地電極、５６は入力側立体配線部、５７は出力側
立体配線部、５８は絶縁層、５９，６０はラティス型回
路Ｌの入力電極、６１，６２は平衡出力対の電極であ
る。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ようなフィルタを立体配線接続する場合、まず図７に示
すようにＩＩＤＴ５２及び弾性表面波共振子５３を圧電
基板５１上に形成し、次に、その上に図８に示す絶縁層
５８を形成し、最後に、図９に示す入力電極５４、接地
電極５５、格子型電極の入力電極５９，６０、平衡出力
対の一方の電極６１、平衡出力対のもう一方の電極６２
を形成する構造であるので、絶縁層５８が適度に厚くな
いと層間絶縁の効果が十分発揮することができなくな
り、逆に各弾性表面波共振子上の絶縁層５８が厚すぎる
と、フィルター特性が劣化してしまうという問題があっ
た。
ようなフィルタを立体配線接続する場合、まず図７に示
すようにＩＩＤＴ５２及び弾性表面波共振子５３を圧電
基板５１上に形成し、次に、その上に図８に示す絶縁層
５８を形成し、最後に、図９に示す入力電極５４、接地
電極５５、格子型電極の入力電極５９，６０、平衡出力
対の一方の電極６１、平衡出力対のもう一方の電極６２
を形成する構造であるので、絶縁層５８が適度に厚くな
いと層間絶縁の効果が十分発揮することができなくな
り、逆に各弾性表面波共振子上の絶縁層５８が厚すぎる
と、フィルター特性が劣化してしまうという問題があっ
た。
【００１１】また、上記構造の場合、櫛歯電極の形成後
に絶縁層５８で保護してから配線等を形成すると、櫛歯
電極上の絶縁層５８に一度電極材料の成膜とエッチング
の工程がなされるため、どうしても絶縁層５８の表面が
エッチングされ、周波数が変化するなどの問題が生ず
る。
に絶縁層５８で保護してから配線等を形成すると、櫛歯
電極上の絶縁層５８に一度電極材料の成膜とエッチング
の工程がなされるため、どうしても絶縁層５８の表面が
エッチングされ、周波数が変化するなどの問題が生ず
る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の弾性表面波フィルタは、複数の入力用ＩＤ
Ｔ電極と複数の出力用ＩＤＴ電極とを交互に並設したＩ
ＩＤＴ電極の入力又は出力側に、複数のＩＤＴ電極から
成る弾性表面波共振子どうしを対称格子状に接続したラ
ティス型回路、又は複数のＩＤＴ電極から成る弾性表面
波共振子を梯子状に接続したラダー型回路を配線パター
ンを介して接続して成り、ＩＩＤＴ電極と前記ラティス
型回路又はラダー型回路の電極延在部が、配線パターン
上、及び該配線パターン上に設けた絶縁層上に配設され
ていることを特徴とする。
め、本発明の弾性表面波フィルタは、複数の入力用ＩＤ
Ｔ電極と複数の出力用ＩＤＴ電極とを交互に並設したＩ
ＩＤＴ電極の入力又は出力側に、複数のＩＤＴ電極から
成る弾性表面波共振子どうしを対称格子状に接続したラ
ティス型回路、又は複数のＩＤＴ電極から成る弾性表面
波共振子を梯子状に接続したラダー型回路を配線パター
ンを介して接続して成り、ＩＩＤＴ電極と前記ラティス
型回路又はラダー型回路の電極延在部が、配線パターン
上、及び該配線パターン上に設けた絶縁層上に配設され
ていることを特徴とする。
【００１３】また、ＩＩＤＴ電極とラティス型回路又は
ラダー型回路上に下記式を満足する保護層が積層されて
なることを特徴とする。
ラダー型回路上に下記式を満足する保護層が積層されて
なることを特徴とする。
【００１４】１×１０9 Ω≦ρ／ｈ≦１×１０13Ω （ただし、ρ：保護層の比抵抗値、ｈ：膜厚） また、本発明の弾性表面波フィルタの製造方法は、複数
の入力用ＩＤＴ電極と複数の出力用ＩＤＴ電極とを交互
に並設したＩＩＤＴ電極の入力又は出力側に、複数のＩ
ＤＴ電極から成る弾性表面波共振子どうしを対称格子状
に接続したラティス型回路、又は複数のＩＤＴ電極から
成る弾性表面波共振子を梯子状に接続したラダー型回路
を接続して成る製造方法であって、ＩＩＤＴ電極とラテ
ィス型回路又はラダー型回路とを接続する配線パターン
を形成する工程、少なくともＩＩＤＴ電極とラティス型
回路又はラダー型回路との接続部を除く領域に絶縁層を
形成する工程、及びＩＩＤＴ電極とラティス型回路又は
ラダー型回路とを形成する工程を順次行うようにしたこ
とを特徴とする。
の入力用ＩＤＴ電極と複数の出力用ＩＤＴ電極とを交互
に並設したＩＩＤＴ電極の入力又は出力側に、複数のＩ
ＤＴ電極から成る弾性表面波共振子どうしを対称格子状
に接続したラティス型回路、又は複数のＩＤＴ電極から
成る弾性表面波共振子を梯子状に接続したラダー型回路
を接続して成る製造方法であって、ＩＩＤＴ電極とラテ
ィス型回路又はラダー型回路とを接続する配線パターン
を形成する工程、少なくともＩＩＤＴ電極とラティス型
回路又はラダー型回路との接続部を除く領域に絶縁層を
形成する工程、及びＩＩＤＴ電極とラティス型回路又は
ラダー型回路とを形成する工程を順次行うようにしたこ
とを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明に係るSAW フィルタの実施
形態を図面に基づき詳細に説明する。
形態を図面に基づき詳細に説明する。
【００１６】図１に示すように、本発明のSAW フィルタ
Ｓ１は、複数の入力用ＩＤＴ電極２ａと複数の出力用Ｉ
ＤＴ電極２ｂとを交互に並設したＩＩＤＴ電極２の入力
又は出力側に、複数のＩＤＴ電極から成る弾性表面波共
振子３どうしを対称格子状に接続したラティス型回路
Ｌ、又は複数のＩＤＴ電極から成る弾性表面波共振子を
梯子状に接続したラダー型回路を配線パターンを介して
接続して成るものである。また、図５に示すように、Ｉ
ＩＤＴ電極２とラティス型回路Ｌ又はラダー型回路の電
極延在部６，７が、配線パターン４，５，９，１０，１
１，１２上、及びこれらの配線パターン上に設けた絶縁
層８上に配設されている。
Ｓ１は、複数の入力用ＩＤＴ電極２ａと複数の出力用Ｉ
ＤＴ電極２ｂとを交互に並設したＩＩＤＴ電極２の入力
又は出力側に、複数のＩＤＴ電極から成る弾性表面波共
振子３どうしを対称格子状に接続したラティス型回路
Ｌ、又は複数のＩＤＴ電極から成る弾性表面波共振子を
梯子状に接続したラダー型回路を配線パターンを介して
接続して成るものである。また、図５に示すように、Ｉ
ＩＤＴ電極２とラティス型回路Ｌ又はラダー型回路の電
極延在部６，７が、配線パターン４，５，９，１０，１
１，１２上、及びこれらの配線パターン上に設けた絶縁
層８上に配設されている。
【００１７】また、図５に示すように、ＩＩＤＴ電極と
ラティス型回路Ｌ又はラダー型回路上に保護層１５が積
層されていてもよい。
ラティス型回路Ｌ又はラダー型回路上に保護層１５が積
層されていてもよい。
【００１８】ここで、圧電基板１は、36°±３°Y カッ
トX 伝搬タンタル酸リチウム単結晶、42°±３°Y カッ
トX 伝搬タンタル酸リチウム単結晶、64°±３°Y カッ
トX伝搬ニオブ酸リチウム単結晶、41°±３°Y カットX
伝搬ニオブ酸リチウム単結晶、45°±３°X カットZ
伝搬四ホウ酸リチウム単結晶等が好適に使用でき、これ
らの圧電基板は電気機械結合係数が大きく且つ周波数温
度係数が小さいため好ましい。この圧電基板１の厚みは
０．１〜０．５ｍｍ程度が良く、０．１ｍｍ未満では圧
電基板が脆くなり、０．５ｍｍ超では材料コストと部品
寸法が大きくなり使用できない。
トX 伝搬タンタル酸リチウム単結晶、42°±３°Y カッ
トX 伝搬タンタル酸リチウム単結晶、64°±３°Y カッ
トX伝搬ニオブ酸リチウム単結晶、41°±３°Y カットX
伝搬ニオブ酸リチウム単結晶、45°±３°X カットZ
伝搬四ホウ酸リチウム単結晶等が好適に使用でき、これ
らの圧電基板は電気機械結合係数が大きく且つ周波数温
度係数が小さいため好ましい。この圧電基板１の厚みは
０．１〜０．５ｍｍ程度が良く、０．１ｍｍ未満では圧
電基板が脆くなり、０．５ｍｍ超では材料コストと部品
寸法が大きくなり使用できない。
【００１９】また、IDT 電極２及び反射器１３は、Al若
しくはAl合金（Al-Cu 系、Al-Ti 系等）から成り、蒸着
法、スパッタリング法、またはCVD 法等の薄膜形成法に
より形成する。そして、IDT 電極２は、対数３０〜２０
０対程度、IDT 電極ピッチは０．４μｍ〜２０μｍ程
度、交差幅（開口幅）は１０μｍ〜５００μｍ程度、ID
T 電極厚みは０．１μｍ〜０．５μｍ程度とすることが
SAW フィルタとしての特性を得る上で好適である。
しくはAl合金（Al-Cu 系、Al-Ti 系等）から成り、蒸着
法、スパッタリング法、またはCVD 法等の薄膜形成法に
より形成する。そして、IDT 電極２は、対数３０〜２０
０対程度、IDT 電極ピッチは０．４μｍ〜２０μｍ程
度、交差幅（開口幅）は１０μｍ〜５００μｍ程度、ID
T 電極厚みは０．１μｍ〜０．５μｍ程度とすることが
SAW フィルタとしての特性を得る上で好適である。
【００２０】４は入力電極用配線パターン、５は接地電
極用配線パターン、６は入力側立体接続配線部、７は接
地側立体接続配線部である。このような構成により、入
力電極用配線パターン４及び接地電極用配線パターン５
にRF電気信号を加え、立体配線された構造を持つIIDT電
極２に電気信号が加えられる。
極用配線パターン、６は入力側立体接続配線部、７は接
地側立体接続配線部である。このような構成により、入
力電極用配線パターン４及び接地電極用配線パターン５
にRF電気信号を加え、立体配線された構造を持つIIDT電
極２に電気信号が加えられる。
【００２１】また、絶縁層８はSiO 2 ，SiN ，又はAl2
O 3 等の１種以上から成る絶縁薄膜とする。
O 3 等の１種以上から成る絶縁薄膜とする。
【００２２】また、本特許に係るSAW フィルタ素子の電
極及び圧電基板上のＳＡＷ伝搬部にSi、SiO 2 、SiN 、
Al2 O 3 を保護層１５として形成し、導電性異物による
通電防止や耐電力向上を行うとよい。ここで、保護層１
５の膜厚は１５ｎｍ〜７５ｎｍが好ましい。１５ｎｍよ
り薄いと保護層としての機能をはたさなく、７５ｎｍよ
り厚いとフィルターの挿入損失が大きくなるという問題
が生じる。
極及び圧電基板上のＳＡＷ伝搬部にSi、SiO 2 、SiN 、
Al2 O 3 を保護層１５として形成し、導電性異物による
通電防止や耐電力向上を行うとよい。ここで、保護層１
５の膜厚は１５ｎｍ〜７５ｎｍが好ましい。１５ｎｍよ
り薄いと保護層としての機能をはたさなく、７５ｎｍよ
り厚いとフィルターの挿入損失が大きくなるという問題
が生じる。
【００２３】また、この時の保護層の比抵抗値をρ、膜
厚をｈとしたときρ／ｈが１×１０9 〜１×１０13Ωで
あると、焦電性による電極間の放電を防止することがで
きる。
厚をｈとしたときρ／ｈが１×１０9 〜１×１０13Ωで
あると、焦電性による電極間の放電を防止することがで
きる。
【００２４】また、上記弾性表面波フィルタＳ１は、少
なくとも以下の工程により製造される。まず、図２に示
すように、ＩＩＤＴ電極２とラティス型回路Ｌ又はラダ
ー型回路とを接続する配線パターン４，５，９，１０，
１１，１２を形成する工程を行う。次に、少なくともＩ
ＩＤＴ電極２とラティス型回路Ｌ又はラダー型回路との
接続部を除く領域に絶縁層８を図３に示すようなパター
ンに形成する工程を行う。そして、図４に示すように、
ＩＩＤＴ電極２とラティス型回路Ｌ又はラダー型回路と
を形成する工程を行うようにしている。
なくとも以下の工程により製造される。まず、図２に示
すように、ＩＩＤＴ電極２とラティス型回路Ｌ又はラダ
ー型回路とを接続する配線パターン４，５，９，１０，
１１，１２を形成する工程を行う。次に、少なくともＩ
ＩＤＴ電極２とラティス型回路Ｌ又はラダー型回路との
接続部を除く領域に絶縁層８を図３に示すようなパター
ンに形成する工程を行う。そして、図４に示すように、
ＩＩＤＴ電極２とラティス型回路Ｌ又はラダー型回路と
を形成する工程を行うようにしている。
【００２５】かくして得られた弾性表面波フィルタＳ１
によれば、図１０に示すように、少なくとも中心周波数
８００ＭＨｚ〜２．５ＧＨｚの範囲における規格化周波
数（周波数を中心周波数で割った値）での減衰量から、
帯域内偏差の小さな非常に良好な特性が得られた。
によれば、図１０に示すように、少なくとも中心周波数
８００ＭＨｚ〜２．５ＧＨｚの範囲における規格化周波
数（周波数を中心周波数で割った値）での減衰量から、
帯域内偏差の小さな非常に良好な特性が得られた。
【００２６】
【実施例】図１に示したように、入力側にIIDT電極型を
出力側に格子接続の共振子を配置させ、これらの配線は
図１の６、７の構造によりワイヤによる配線を簡便化し
た設計を行った。IIDT電極の電極線幅は１．１μｍであ
り、格子型に構成された直列腕共振子のＩＤＴ電極の線
幅は１．０５μｍであり、また格子腕共振子のＩＤＴ電
極の線幅は１．１μｍとした。また、電極膜厚は３２０
０Åであり、全櫛歯状電極ピッチの平均値λと櫛歯状電
極の電極膜厚ｈとの比は７．４％とした。
出力側に格子接続の共振子を配置させ、これらの配線は
図１の６、７の構造によりワイヤによる配線を簡便化し
た設計を行った。IIDT電極の電極線幅は１．１μｍであ
り、格子型に構成された直列腕共振子のＩＤＴ電極の線
幅は１．０５μｍであり、また格子腕共振子のＩＤＴ電
極の線幅は１．１μｍとした。また、電極膜厚は３２０
０Åであり、全櫛歯状電極ピッチの平均値λと櫛歯状電
極の電極膜厚ｈとの比は７．４％とした。
【００２７】具体的な作製方法を、以下に説明する。
【００２８】42°Y カットX 伝搬タンタル酸リチウム単
結晶から成る圧電基板上に、前記構造、前記共振子電極
詳細を網羅する回路パターンを形成することにより作製
した。まず洗浄した基板にレジストを約１μｍの膜厚で
塗布し、 N2 雰囲気中でベークを行った。
結晶から成る圧電基板上に、前記構造、前記共振子電極
詳細を網羅する回路パターンを形成することにより作製
した。まず洗浄した基板にレジストを約１μｍの膜厚で
塗布し、 N2 雰囲気中でベークを行った。
【００２９】次に、紫外線(Deep-UV) を用いた密着露光
機によるフォトリソグラフィー法により基板上に多数の
SAW フィルタのレジストのネガパターンを形成した。こ
の時、フォトマスクは厚み0.25インチのものを使用し
た。
機によるフォトリソグラフィー法により基板上に多数の
SAW フィルタのレジストのネガパターンを形成した。こ
の時、フォトマスクは厚み0.25インチのものを使用し
た。
【００３０】次に、ネガパターン上に電子ビーム蒸着機
でAlを成膜した。その後、レジスト剥離液中で不要なAl
をリフトオフし、図２に示す概略形状のAl電極パターン
を作製した。次に、スパッタリング法 SiO2 を成膜し
た。
でAlを成膜した。その後、レジスト剥離液中で不要なAl
をリフトオフし、図２に示す概略形状のAl電極パターン
を作製した。次に、スパッタリング法 SiO2 を成膜し
た。
【００３１】その後、レジストを約１μｍの膜厚で塗布
し、 N2 雰囲気中でベークを行った。次に、紫外線(Dee
p-UV) を用いた密着露光機によるフォトリソグラフィー
法により基板上に図３のパターンにレジストを形成し
た。CF4 と O2 を主成分とするガスでＲＩＥをおこな
い、 SiO2 をパターニングした。
し、 N2 雰囲気中でベークを行った。次に、紫外線(Dee
p-UV) を用いた密着露光機によるフォトリソグラフィー
法により基板上に図３のパターンにレジストを形成し
た。CF4 と O2 を主成分とするガスでＲＩＥをおこな
い、 SiO2 をパターニングした。
【００３２】次に、電子ビーム蒸着機でAlを成膜した。
再度上記と同様のフォトリソグラフィー技術を用い、多
数のSAW フィルタのレジストのパターンを形成した。Al
のエッチングは BCl3 とCl2 と N2 ガスを用いてRIE 法
により行った。その後、レジスト剥離液中で不要なAlを
リフトオフし、IDT 電極等の微細な回路パターンを作製
した。その後、IDT 電極をネットワークアナライザに接
続し、挿入損失の周波数特性を測定した。
再度上記と同様のフォトリソグラフィー技術を用い、多
数のSAW フィルタのレジストのパターンを形成した。Al
のエッチングは BCl3 とCl2 と N2 ガスを用いてRIE 法
により行った。その後、レジスト剥離液中で不要なAlを
リフトオフし、IDT 電極等の微細な回路パターンを作製
した。その後、IDT 電極をネットワークアナライザに接
続し、挿入損失の周波数特性を測定した。
【００３３】その結果、中心周波数８００ＭＨｚ〜２．
５ＧＨｚの範囲において帯域内偏差は１．２ｄB であ
り、良好な特性を得られた。
５ＧＨｚの範囲において帯域内偏差は１．２ｄB であ
り、良好な特性を得られた。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の弾性表面
波フィルタ及びその製造方法によれば、配線パターンの
形成後に絶縁層と電極層にて立体配線されるようにした
ので、絶縁層を十分に厚くすることができ、電極間容量
を小さくできる。また層間絶縁層として十分な機能を持
たせることができ、優れた弾性表面波フィルタを提供す
ることができる。
波フィルタ及びその製造方法によれば、配線パターンの
形成後に絶縁層と電極層にて立体配線されるようにした
ので、絶縁層を十分に厚くすることができ、電極間容量
を小さくできる。また層間絶縁層として十分な機能を持
たせることができ、優れた弾性表面波フィルタを提供す
ることができる。
【００３５】また、絶縁層が微細なＩＤＴ電極のエッチ
ング工程にさらされることがなく、周波数変化などの特
性変化のない信頼性の優れた弾性表面波フィルタを提供
することができる。
ング工程にさらされることがなく、周波数変化などの特
性変化のない信頼性の優れた弾性表面波フィルタを提供
することができる。
【００３６】さらに、弾性表面波共振子上に厚い絶縁層
を設ける必要がなく、これによる特性の劣化の心配がな
い上、弾性表面波共振子上に最適な保護層を形成するこ
とにより、信頼性や特性の優れた弾性表面波フィルタを
提供することができる。
を設ける必要がなく、これによる特性の劣化の心配がな
い上、弾性表面波共振子上に最適な保護層を形成するこ
とにより、信頼性や特性の優れた弾性表面波フィルタを
提供することができる。
【図１】本発明に係る弾性表面波フィルタを模式的に示
す概略平面図である。
す概略平面図である。
【図２】本発明に係る弾性表面波フィルタの圧電基板上
第１層めの平面図である。
第１層めの平面図である。
【図３】本発明に係る弾性表面波フィルタの圧電基板上
第２層めの平面図である。
第２層めの平面図である。
【図４】本発明に係る弾性表面波フィルタの圧電基板上
第３層めの平面図である。
第３層めの平面図である。
【図５】図１におけるＡ−Ａ’線断面図である。
【図６】弾性表面波フィルタを模式的に示す概略平面図
である。
である。
【図７】図５に示す弾性表面波フィルタの圧電基板上第
１層めの平面図である。
１層めの平面図である。
【図８】図５に示す弾性表面波フィルタの圧電基板上第
２層めの平面図である。
２層めの平面図である。
【図９】図５に示す弾性表面波フィルタの圧電基板上第
３層めの平面図である。
３層めの平面図である。
【図１０】本発明の弾性表面波フィルタの特性図であ
る。
る。
【図１１】従来の共振器型フィルタの構造を示す平面図
である。
である。
１：圧電基板 ２：ＩＩＤＴ電極 ３：格子型電極 ４：入力電極 ５：接地電極 ６：入力側立体配線部 ７：接地側立体配線部 ８：絶縁層 ９，１０：ラティス型回路の入力電極 １１：平衡出力対の一方の電極 １２：平衡出力対の他方の電極 １５：保護層 Ｓ１：弾性表面波フィルタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０３Ｈ 9/64 Ｈ０３Ｈ 9/64 Ｚ
Claims (3)
- 【請求項１】 複数の入力用ＩＤＴ電極と複数の出力用
ＩＤＴ電極とを交互に並設したＩＩＤＴ電極の入力又は
出力側に、複数のＩＤＴ電極から成る弾性表面波共振子
どうしを対称格子状に接続したラティス型回路、又は複
数のＩＤＴ電極から成る弾性表面波共振子を梯子状に接
続したラダー型回路を配線パターンを介して接続して成
り、前記ＩＩＤＴ電極と前記ラティス型回路又はラダー
型回路の電極延在部が、前記配線パターン上、及び該配
線パターン上に設けた絶縁層上に配設されていることを
特徴とする弾性表面波フィルタ。 - 【請求項２】 前記ＩＩＤＴ電極と前記ラティス型回路
又はラダー型回路上に下記式を満足する保護層が積層さ
れてなることを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波
フィルタ。 １×１０9 Ω≦ρ／ｈ≦１×１０13Ω （ただし、ρ：保護層の比抵抗値、ｈ：膜厚） - 【請求項３】 複数の入力用ＩＤＴ電極と複数の出力用
ＩＤＴ電極とを交互に並設したＩＩＤＴ電極の入力又は
出力側に、複数のＩＤＴ電極から成る弾性表面波共振子
どうしを対称格子状に接続したラティス型回路、又は複
数のＩＤＴ電極から成る弾性表面波共振子を梯子状に接
続したラダー型回路を接続して成る弾性表面波フィルタ
の製造方法であって、前記ＩＩＤＴ電極と前記ラティス
型回路又はラダー型回路とを接続する配線パターンを形
成する工程、少なくとも前記ＩＩＤＴ電極と前記ラティ
ス型回路又はラダー型回路との接続部を除く領域に絶縁
層を形成する工程、及び前記ＩＩＤＴ電極と前記ラティ
ス型回路又はラダー型回路とを形成する工程を順次行う
ようにしたことを特徴とする弾性表面波フィルタの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10310240A JP2000138553A (ja) | 1998-10-30 | 1998-10-30 | 弾性表面波フィルタ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10310240A JP2000138553A (ja) | 1998-10-30 | 1998-10-30 | 弾性表面波フィルタ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000138553A true JP2000138553A (ja) | 2000-05-16 |
Family
ID=18002874
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10310240A Pending JP2000138553A (ja) | 1998-10-30 | 1998-10-30 | 弾性表面波フィルタ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000138553A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003204243A (ja) * | 2001-10-29 | 2003-07-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波フィルタ素子、弾性表面波フィルタ、及びそれを用いた通信機器 |
| WO2006003787A1 (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | バランス型弾性波フィルタ及び弾性波フィルタ装置 |
| JP2007174307A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-07-05 | Kyocera Corp | 弾性表面波装置及び通信装置 |
| US7295089B2 (en) | 2003-02-24 | 2007-11-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave filter and communication apparatus |
| JP2008047955A (ja) * | 2006-08-10 | 2008-02-28 | Hitachi Media Electoronics Co Ltd | 立体配線を有する実装構造体 |
| JPWO2006009021A1 (ja) * | 2004-07-23 | 2008-05-01 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
| US7479852B2 (en) | 2005-11-14 | 2009-01-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for manufacturing surface acoustic wave device and surface acoustic wave device |
| JP2009182407A (ja) * | 2008-01-29 | 2009-08-13 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性波デバイス及びその製造方法 |
| JP2011130513A (ja) * | 2001-10-29 | 2011-06-30 | Panasonic Corp | 弾性表面波フィルタ素子、モジュール、及び通信機器 |
| JP2011172190A (ja) * | 2010-02-22 | 2011-09-01 | Kyocera Corp | 弾性波装置及びその製造方法 |
| US10505515B2 (en) | 2014-07-28 | 2019-12-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Ladder filter |
-
1998
- 1998-10-30 JP JP10310240A patent/JP2000138553A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003204243A (ja) * | 2001-10-29 | 2003-07-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波フィルタ素子、弾性表面波フィルタ、及びそれを用いた通信機器 |
| JP2011130513A (ja) * | 2001-10-29 | 2011-06-30 | Panasonic Corp | 弾性表面波フィルタ素子、モジュール、及び通信機器 |
| US7295089B2 (en) | 2003-02-24 | 2007-11-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave filter and communication apparatus |
| WO2006003787A1 (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | バランス型弾性波フィルタ及び弾性波フィルタ装置 |
| US7283016B2 (en) | 2004-06-30 | 2007-10-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Balanced acoustic wave filter and acoustic wave filter |
| KR100859097B1 (ko) * | 2004-06-30 | 2008-09-17 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 밸런스형 탄성파 필터 및 탄성파 필터 장치 |
| JPWO2006009021A1 (ja) * | 2004-07-23 | 2008-05-01 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
| US7486159B2 (en) | 2004-07-23 | 2009-02-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
| US7479852B2 (en) | 2005-11-14 | 2009-01-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for manufacturing surface acoustic wave device and surface acoustic wave device |
| JP2007174307A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-07-05 | Kyocera Corp | 弾性表面波装置及び通信装置 |
| JP2008047955A (ja) * | 2006-08-10 | 2008-02-28 | Hitachi Media Electoronics Co Ltd | 立体配線を有する実装構造体 |
| JP2009182407A (ja) * | 2008-01-29 | 2009-08-13 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性波デバイス及びその製造方法 |
| JP2011172190A (ja) * | 2010-02-22 | 2011-09-01 | Kyocera Corp | 弾性波装置及びその製造方法 |
| US10505515B2 (en) | 2014-07-28 | 2019-12-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Ladder filter |
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