JP2003204243A - 弾性表面波フィルタ素子、弾性表面波フィルタ、及びそれを用いた通信機器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 平衡型端子を有する弾性表面葉フィルタに関
して、バランス特性が劣化するという課題があった。 【解決手段】 第１のＩＤＴ電極１０２の一方の電極指
は第１の配線電極１０７を介して第１の電極パッド１０
８に接続される。第１のＩＤＴ電極１０２の他方の電極
指は第２の配線電極１０９を介して第２の電極パッド１
１０に接続される。第２、第３のＩＤＴ電極１０３、１
０４の一方の側の電極指は実質上直接に第３、第４の電
極パッド１１１、１１２に接続される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電気的特性の劣化
を抑えた平衡型端子を有する弾性表面波フィルタ素子、
弾性表面波フィルタ、モジュール、及び通信機器に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、移動体通信の発展に伴い、使用さ
れる部品の高性能化、小型化が期待されている。さら
に、対雑音特性の良好化を目的としてＩＣなどの半導体
部品の平衡化が進み、ＲＦ段に使用される弾性表面波フ
ィルタ素子においても平衡化が求められている。

【０００３】従来より、移動体通信機器などのＲＦ段の
フィルタとしては、弾性表面波フィルタが広く用いられ
ている。特に、縦モード型の弾性表面波フィルタ素子は
平衡−不平衡変換が容易に実現できる。

【０００４】さらには、小型化に関して、従来のワイヤ
ーボンディング実装技術からフリップチップやＣＳＰ
（Chip Size Package）などに代表されるフェースダウ
ン実装技術が主流となりつつある。

【０００５】以下、従来の平衡型入出力端子を有する縦
モード型の弾性表面波フィルタ素子について説明する。

【０００６】図７に従来の平衡型端子を有する縦モード
型の弾性表面波フィルタの構成を示す。

【０００７】図７において、弾性表面波フィルタ素子
は、圧電基板７０１上に、第１、第２、第３のインター
ディジタルトランスデューサ電極（以下、ＩＤＴ電極と
称する）７０２、７０３、７０４と第１、第２の反射器
電極７０５、７０６とにより構成される。第１のＩＤＴ
電極７０２の一方の電極指は平衡型端子の一方７０７に
接続され、第１のＩＤＴ電極７０２の他方の電極指は平
衡型端子の他方７０８に接続される。

【０００８】また、第２、第３のＩＤＴ電極７０３、７
０４の一方の側の電極指を不平衡型端子７０９に接続
し、他方を接地する。以上の構成とすることにより不平
衡型−平衡型端子を有する弾性表面波フィルタ素子が得
られる。

【０００９】次に、前記弾性表面波フィルタ素子を回路
基板上にフェースダウン実装する場合の構成についての
一例を述べる。図８（ａ）は、図７の弾性表面波フィル
タ素子の圧電基板上の構成を模式的に示した図である。

【００１０】第１のＩＤＴ電極７０２の一方の電極指は
第１の配線電極８０１を介して第１の電極パッド８０２
に接続される。第１のＩＤＴ電極７０２の他方の電極指
は第２の配線電極８０３を介して第２の電極パッド８０
４に接続される。

【００１１】第２のＩＤＴ電極７０３の一方の側の電極
指と、第３のＩＤＴ電極７０４の一方の側の電極指は、
それぞれ第３の配線電極８０５を介して第３の電極パッ
ド８０６に接続される。また、接地電極に関しては省略
している。

【００１２】図８（ｂ）に示すのは、前述の弾性表面波
フィルタ素子が実装される回路基板の表層図である。回
路基板８０７には第１の回路基板上配線電極８０８、第
２の回路基板上配線電極８０９、第３の回路基板上配線
電極８１０がそれぞれ設けられている。

【００１３】図８（ａ）に示す弾性表面波フィルタ素子
は、回路基板８０７に対向するように実装される。例え
ば、金バンプを用いた超音波熱圧着による実装方法を用
いることができる。この時、第１の電極パッド８０２は
第１の回路基板上配線電極８０８に接続され、第２の電
極パッド８０４は第２の回路基板上配線電極８０９に接
続され、第３の電極パッド８０６は第３の回路基板上配
線電極８１０に接続される。

【００１４】第１、第２、第３の回路基板上配線電極８
０８、８０９、８１０は、スルーホールやビアホール、
或いは回路基板の外部の電極などにより端子として引き
出される。この場合、第１、第２、第３の電極８０８、
８０９、８１０はそれぞれ、平衡型出力端子の一方ＯＵ
Ｔ１、平衡型出力端子の他方ＯＵＴ２、不平衡型入力端
子ＩＮに接続され、不平衡型−平衡型端子を有する弾性
表面波フィルタが実現される。

【００１５】又、従来の弾性表面波デバイスは、弾性表
面波素子の接地用電極パッドの少なくとも１つと、表面
実装用パッケージの接地用外部接続端子の少なくとも１
つとを接続する接地用連絡導体を、表面実装用パッケー
ジ内面に複数設けることにより、帯域外抑圧度を向上し
ている（例えば、特許文献１参照。）。

【００１６】又、従来の弾性表面波デバイスは、不平衡
型入力端子と平衡型ＩＤＴの端子間に結合があると同相
電圧が発生するので、両ＩＤＴ間の電気的結合は出来る
だけ抑圧しなければならないと示されているが、その具
体的構成に関しては開示されていない（例えば、非特許
文献１参照。）。

【００１７】

【特許文献１】特開平１１−１４５７７２号公報

【非特許文献１】「２００１年電子情報通信学会基礎・
境界ソサイエティ大会講演論文集」社団法人電子情報通
信学会、２００１年８月２９日、ｐ２８３−２８４

【００１８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
弾性表面波フィルタ素子あるいは、弾性表面波フィルタ
においては、重要な電気的特性の一つであるバランス特
性に関して、その劣化の原因に関する詳細な議論が少な
く、バランス特性を考慮した圧電基板上の配線電極構
成、そして回路基板の構造が明確化されていなかった。

【００１９】本発明では、上記従来のこの様な課題を考
慮して、平衡型端子を有する弾性表面波フィルタ素子あ
るいは、弾性表面波フィルタに関して、バランス特性の
劣化原因を明確化し、その改善を行い、良好なバランス
特性を有する弾性表面波フィルタ素子、弾性表面波フィ
ルタ、モジュール、及び通信機器を提供することを目的
とするものである。

【００２０】

【課題を解決するための手段】第１の本発明は、圧電基
板（例えば、符号１０１）と、前記圧電基板上に形成さ
れた複数のインターディジタルトランスデューサ電極
（以下、ＩＤＴ電極と称す）（例えば、符号１０２，１
０３，１０４）とを備えた弾性表面波フィルタ素子であ
って、前記複数のＩＤＴ電極（例えば、符号１０２，１
０３，１０４）の内、少なくとも一つのＩＤＴ電極（例
えば、符号１０２）は平衡型端子に接続され、他のＩＤ
Ｔ電極（例えば、符号１０３，１０４）は平衡型端子ま
たは不平衡型端子に接続され、前記少なくとも一つのＩ
ＤＴ電極（例えば、符号１０２）に接続されるべき又は
接続された第１の配線電極手段（例えば、符号１０７，
１０９）と、前記他のＩＤＴ電極に接続されるべき又は
接続された第２の配線電極手段（例えば、符号１１６）
とが、互いに異なる平面上に配置されている弾性表面波
フィルタ素子である。

【００２１】第２の本発明は、前記第１及び第２の配線
電極手段の内、一方の前記配線電極手段が前記圧電基板
の主面上に配置されており、他の前記配線電極手段は前
記圧電基板が実装されるべき回路基板（例えば、符号１
１３）上に配置されている上記第１の本発明の弾性表面
波フィルタ素子である。

【００２２】第３の本発明は、（１）前記第１及び第２
の配線電極手段の内、一方の前記配線電極手段が前記圧
電基板上に形成されており、且つ、他方の前記配線電極
手段は前記圧電基板が実装されるべき回路基板の内層電
極である、又は、（２）前記第１及び第２の配線電極手
段の内、一方の前記配線電極手段は前記圧電基板が実装
されるべき回路基板上に形成され、且つ、他方の前記配
線電極手段は前記回路基板の内層電極である上記第１の
本発明の弾性表面波フィルタ素子である。

【００２３】第４の本発明は、前記第１及び第２の配線
電極手段の内、一方の前記配線電極手段が圧電基板の主
面上に設けられており、他方の前記配線電極手段が前記
圧電基板の前記主面上に形成された保護膜（例えば、符
号１９０２）上に設けられている上記第１の本発明の弾
性表面波フィルタ素子である。

【００２４】第５の本発明は、前記保護膜が誘電体薄膜
である上記第４の本発明の弾性表面波フィルタ素子であ
る。

【００２５】第６の本発明は、前記弾性表面波フィルタ
素子が、第１、第２、第３のＩＤＴ電極（例えば、符号
１０２，１０３，１０４）と少なくとも２つの反射器電
極（例えば、符号１０５，１０６）とを弾性表面波の伝
搬方向に沿って配置した縦モード型の弾性表面波フィル
タ素子であって、前記第１のＩＤＴ電極の両側に前記第
２、第３のＩＤＴ電極が配置される構成である上記第１
の本発明の弾性表面波フィルタ素子である。

【００２６】第７の本発明は、前記圧電基板上に設けら
れた第１及び第２の電極パッド（例えば、図１（ａ）中
の符号１０８，１１０）と、前記圧電基板上に設けられ
た、前記第２のＩＤＴ電極に実質上直接に接続された第
３の電極パッド（例えば、図１（ａ）中の符号１１１）
と、前記圧電基板上に設けられた、前記第３のＩＤＴ電
極に実質上直接に接続された第４の電極パッド（例え
ば、図１（ａ）中の符号１１２）とを備え、（１）前記
第１の配線電極手段手段は、一対の配線電極（例えば、
符号１０７と１０９）として前記圧電基板上に設けられ
ており、且つ、（２）前記第１のＩＤＴ電極（例えば、
符号１０２）は、平衡型であって、しかも前記一対の配
線電極（例えば、符号１０７と１０９）の各配線電極を
介して前記第１、第２の電極パッド（例えば、符号１０
８，１１０）に接続されており、前記第２の配線電極手
段（例えば、符号１１６）は、前記回路基板（例えば、
符号１１３）に設けられており、前記弾性表面波フィル
タ素子が、前記回路基板に実装されることにより、前記
第３、第４の電極パッド（例えば、符号１１１，１１
２）が、前記第２の配線電極手段（例えば、符号１１
６）に接続される上記第６の本発明の弾性表面波フィル
タ素子である。

【００２７】第８の本発明は、前記圧電基板上に設けら
れた、前記第１のＩＤＴ電極に実質上直接に接続された
第１及び第２の電極パッド（例えば、図３（ａ）中の符
号１０８，１１０）と、前記圧電基板（例えば、符号１
０１）上に設けられた第３の電極パッド（例えば、図３
（ａ）中の符号３０２）とを備え、（１）前記第２の配
線電極手段（例えば、図３（ａ）中の符号３０１）は、
前記圧電基板上に設けられており、且つ、（２）前記第
２及び第３のＩＤＴ電極（例えば、図３（ａ）中の符号
１０３，１０４）は不平衡型であって、しかも前記第２
の配線電極手段（例えば、符号３０１）を介して前記第
３の電極パッド（例えば、符号３０２）に接続されてお
り、前記第１の配線電極手段（例えば、図３（ｂ）中の
符号３０３，３０４）は、前記回路基板（例えば、図３
（ｂ）中の符号１１３）に設けられており、前記弾性表
面波フィルタ素子が、前記回路基板に実装されることに
より、前記第１、第２の電極パッドが、前記第１の配線
電極手段に接続される上記第６の本発明の弾性表面波フ
ィルタ素子である。

【００２８】第９の本発明は、前記第３の電極パッド
（例えば、図５（ａ）中の符号５０５）が前記第２のＩ
ＤＴ電極（例えば、図５（ａ）中の４０３）の一方の電
極指（例えば、図５（ａ）中の符号４０３ａ）に接続さ
れており、且つ、前記第４の電極パッド（例えば、図５
（ａ）中の符号５０６）が前記第３のＩＤＴ電極（例え
ば、図５（ａ）中の符号４０４）の他方の電極指に接続
されており、前記他方の電極指が、前記一方の電極指か
ら見て逆側に設けられている上記第７の本発明の弾性表
面波フィルタ素子である。

【００２９】第１０の本発明は、前記第２の配線電極手
段（例えば、図１５（ａ）中の符号３０１１）が、前記
第２のＩＤＴ電極（例えば、図１５（ａ）中の符号１０
３）の一方の電極指（例えば、図１５（ａ）中の符号１
０３ａ）に接続されており、且つ、前記第３のＩＤＴ電
極（例えば、図１５（ａ）中の符号１０４）の他方の電
極指（例えば、図１５（ａ）中の符号１０４ａ）に接続
されており、前記他方の電極指（例えば、図１５（ａ）
中の符号１０４ｂ）が、前記一方の電極指（例えば、図
１５（ａ）中の符号１０３ａ）から見て逆側に設けられ
ている上記第８の本発明の弾性表面波フィルタ素子であ
る。

【００３０】第１１の本発明は、前記弾性表面波フィル
タ素子は、第１のＩＤＴ電極と、その両側に配置された
２つの反射器電極により構成される弾性表面波共振子と
を、梯子型又は、対称格子型に接続した構成である上記
第１の本発明の弾性表面波フィルタ素子である。

【００３１】第１２の本発明は、上記第１〜１１の何れ
か一つの本発明の弾性表面波フィルタ素子と、前記弾性
表面波フィルタ素子が実装された回路基板と、を備えた
弾性表面波フィルタである。

【００３２】第１３の本発明は、前記回路基板がセラミ
ックパッケージの一部を構成している上記第１２の本発
明の弾性表面波フィルタである。

【００３３】第１４の本発明は、前記回路基板は誘電体
により構成された積層体であり、前記弾性表面波フィル
タ素子は前記積層体上に実装される構成であって、前記
配線電極手段は、前記積層体最上面に、または前記積層
体内層に設けられている上記第１２の本発明の弾性表面
波フィルタである。

【００３４】第１５の本発明は、前記ＩＤＴ電極と、前
記回路基板上に形成された配線電極手段とが空間的に重
ならない様に配置されている上記第１２の本発明の弾性
表面波フィルタである。

【００３５】第１６の本発明は、前記実装がフェースダ
ウン実装である上記第１２の本発明の弾性表面波フィル
タである。

【００３６】第１７の本発明は、前記異なる平面間は自
由空間であることを特徴とする上記第１の本発明の弾性
表面波フィルタ素子である。

【００３７】第１８の本発明は、前記異なる平面間の比
誘電率をε、前記異なる平面にそれぞれ形成される前記
第１及び第２の配線電極手段間の距離をｔ、前記第１の
配線電極手段と、前記第２の配線電極手段との交差部分
の面積をＳとした時に、 ε×Ｓ／ｔ≦１．１×１０^-2 を満足する上記第１の本発明の弾性表面波フィルタ素子
である。

【００３８】第１９の本発明は、前記圧電基板は、実効
比誘電率が４０以上の基板であることを特徴とする上記
第１の本発明の弾性表面波フィルタ素子である。

【００３９】第２０の本発明は、前記圧電基板の材料
が、タンタル酸リチウム及び、ニオブ酸リチウムの中か
ら選ばれたものである上記第１９の本発明の弾性表面波
フィルタ素子である。

【００４０】第２１の本発明は、前記第１の配線電極手
段と、前記第２の配線電極手段との寄生成分としてのア
ドミッタンスの値が０．６ｍＳ以下となるように構成さ
れることを特徴とする上記第１の本発明の弾性表面波フ
ィルタ素子である。

【００４１】第２２の本発明は、上記第１〜１１、１７
〜２１の何れか一つの本発明の弾性表面波フィルタ素子
と、所定の半導体装置と、前記弾性表面波フィルタ素子
及び前記半導体装置が実装された基板と、を備えたモジ
ュールである。

【００４２】第２３の本発明は、前記基板は、誘電体層
が積層された積層体である上記第２２記載のモジュール
である。

【００４３】第２４の本発明は、前記半導体装置が、低
雑音増幅器である上記第２２の本発明のモジュールであ
る。

【００４４】第２５の本発明は、前記低雑音増幅器が平
衡型である上記第２４の本発明のモジュールである。

【００４５】第２６の本発明は、前記半導体装置が、ス
イッチ素子であるか、又はミキサーである上記第２４の
本発明のモジュールである。

【００４６】第２７の本発明は、（１）圧電基板と、
（２）前記圧電基板上に形成された複数のインターディ
ジタルトランスデューサ電極（ＩＤＴ電極）とを有する
弾性表面波フィルタ素子と、前記弾性表面波フィルタ素
子が実装された回路基板と、前記複数のＩＤＴ電極の
内、少なくとも一つのＩＤＴ電極を、前記回路基板に設
けられた平衡型端子に接続するための第１の配線電極手
段と、前記複数のＩＤＴ電極の内、他のＩＤＴ電極を、
前記回路基板に設けられた平衡型端子または不平衡型端
子に接続するための第２の配線電極手段とを備え、前記
第１の配線電極手段と、前記第２の配線電極手段とが、
互いに異なる平面上に配置されている弾性表面波フィル
タである。

【００４７】第２８の本発明は、アンテナと、前記アン
テナに接続されたスイッチ手段と、前記スイッチ手段と
送信回路の間に設けられた送信フィルタと、前記スイッ
チ手段と受信回路の間に設けられた受信フィルタとを備
えた通信機器であって、前記送信フィルタ及び／又は前
記受信フィルタが、上記第１〜１１，１７〜２１，２７
の何れか一つの本発明の弾性表面波フィルタ素子を有し
ている通信機器である。

【００４８】

【発明の実施の形態】（実施の形態１）以下、本発明の
実施の形態１の弾性表面波フィルタ素子、及び弾性表面
波フィルタについて図面を参照しながら説明する。

【００４９】まず、前述の弾性表面波フィルタ素子のバ
ランス特性の劣化原因に関しての考察を行う。図９に示
すのは、図８（ａ）の弾性表面波フィルタにおいてＡ−
Ａ’で切り出した断面図である。このような弾性表面波
は一般的にリチウム酸タンタル（ＬｉＴａＯ₃）やリチ
ウム酸ニオブ（ＬｉＮｂＯ₃）などの圧電基板が広く用
いられており、このような基板の実効比誘電率はそれぞ
れ４８、４９程度と大きい値である。ここで、実効比誘
電率とは圧電基板の比誘電率テンソルε₁₁ ^Tとε_{3 3} ^Tを用
いて、次式１の通り定義する。

【００５０】

【数１】 図９に示すように、第１の配線電極８０１と第３の配線
電極８０５の間には基板を介する寄生成分Ｃｓｕｂ、空
間的な寄生成分Ｃｐなどが生じる。

【００５１】圧電基板上で配線電極を用いて配線を行う
場合には比誘電率が大きいので、その影響も大きくな
る。また、これらの電極の距離を離せば、寄生成分によ
る結合は小さくできるが、実際には弾性表面波フィルタ
素子の小型化も同時に必要であり、これらの電極の距離
を大きくするのには限界がある。

【００５２】図１０に、これらの寄生成分を考慮した構
成を示す。図７の弾性表面波フィルタにおける寄生成分
としては、入出力ＩＤＴ電極間に容量成分１００１を仮
定した構成が考えられる。図１０に示す構成で容量成分
１００１の容量値を変化させて、９００ＭＨｚ帯のフィ
ルタに関して解析を行った結果を図１１（ａ）、図１１
（ｂ）に示す。

【００５３】図１１（ａ）、図１１（ｂ）はバランス特
性を表す指標として、振幅バランス特性、位相バランス
特性を示した図である。

【００５４】ここで、振幅バランス特性とは次の通りで
ある。即ち、図７又は図１０に示す弾性表面波フィルタ
素子の不平衡型端子７０９から入力された信号は、平衡
型端子の一方の７０７と他方の７０８にバランス信号と
して出力される。その場合の平衡型端子の一方の７０７
に出力される信号振幅と、平衡型端子の他方の７０８に
出力される信号振幅との振幅差を表したものが、振幅バ
ランス特性である。そして、この値が零となればバラン
ス特性の劣化はないといえる。

【００５５】又、位相バランス特性とは、上記平衡型端
子の一方の７０７に出力される信号の位相と、上記平衡
型端子の他方の７０８に出力される信号の位相との位相
差の１８０度からのずれを表したものである。そして、
この値が零となればバランス特性の劣化はないといえ
る。

【００５６】図１１（ａ）、図１１（ｂ）は、通過帯域
内における振幅、位相のバランス特性の最大値と最小値
を示している。図１１（ａ）が振幅バランス特性であ
り、図１１（ｂ）が位相バランス特性である。

【００５７】図１１（ａ）、図１１（ｂ）に示すよう
に、容量値が大きくなる程バランス特性が劣化してい
る。即ち、入出力間の寄生成分による結合が大きい程バ
ランス特性が劣化する。

【００５８】振幅バランス特性を±１ｄＢ以内、位相バ
ランス特性を±１０度以内のフィルタを実現するには、
入出力間の寄生成分としての容量値を０．１０ｐＦ以下
にする必要がある。即ち、アドミッタンス成分Ｙで考え
るとＹ＝２πｆＣより、Ｙが０．６［ｍＳ］以下とすれ
ばよい。ここでｆは周波数、Ｃは容量値である。

【００５９】次に、前述のバランス特性の劣化原因を克
服する弾性表面波フィルタ素子、及び弾性表面波フィル
タの構成について述べる。

【００６０】図１（ａ）は、弾性表面波フィルタ素子の
圧電基板上の構成を模式的に示した図である。第１のＩ
ＤＴ電極１０２の一方の電極指は第１の配線電極１０７
を介して第１の電極パッド１０８に接続される。

【００６１】第１のＩＤＴ電極１０２の他方の電極指は
第２の配線電極１０９を介して第２の電極パッド１１０
に接続される。

【００６２】第２、第３のＩＤＴ電極１０３、１０４の
一方の側の電極指は実質上直接に第３、第４の電極パッ
ド１１１、１１２に接続される。第２、第３のＩＤＴ電
極１０３、１０４の他方の側の電極指は接地されるが、
ここでは接地電極に関しては省略している。

【００６３】図１（ｂ）に示すのは、前述の弾性表面波
フィルタ素子が実装される回路基板の表層図である。回
路基板１１３には第１、第２、第３の回路基板上配線電
極１１４、１１５、１１６が設けられている。

【００６４】図１（ａ）に示す弾性表面波フィルタ素子
は、回路基板１１３に対向するように実装される（図１
２参照）。ここで、図１２は、弾性表面波フィルタ素子
が回路基板１１３に対向するように実装された弾性表面
波フィルタの分解斜視図である。

【００６５】例えば、金バンプを用いた超音波熱圧着に
よる実装方法を用いることができる。

【００６６】この時、第１の電極パッド１０８は第１の
回路基板上配線電極１１４に接続され、第２の電極パッ
ド１１０は第２の回路基板上配線電極１１５に接続さ
れ、第３、第４の電極パッド１１１、１１２は第３の回
路基板上配線電極１１６の２箇所に接続される。

【００６７】この時、回路基板上の配線電極１１６は、
図８（ａ）の第３の配線電極８０５と同じ役割、即ち、
第３の電極パッド１１１と第４の電極パッド１１２とを
電気的に接続するための配線電極としての役割を担う。

【００６８】第１、第２、第３の回路基板上配線電極１
１４、１１５、１１６はスルーホールやビアホール、或
いは回路基板の外部の電極などにより端子として引き出
される。

【００６９】この場合、第１、第２、第３の電極１１
４、１１５、１１６はそれぞれ、平衡型出力端子の一方
ＯＵＴ１、平衡型出力端子の他方ＯＵＴ２、不平衡型入
力端子ＩＮに接続され、不平衡型−平衡型端子を有する
弾性表面波フィルタが実現される。

【００７０】以上の構成とすることにより、第１のＩＤ
Ｔ電極における第１、第２の配線電極１０７、１０９と
第２、第３のＩＤＴ電極に接続される第３の回路基板上
の配線電極１１６は空間的に離れた配置となる。

【００７１】この様な構成によれば、図８（ａ）に示す
構成と比べて、明らかに入出力間での結合を最小限に抑
えることができ、弾性表面波フィルタ素子のバランス特
性を改善することができる。

【００７２】尚、本発明の第１の配線電極手段は、図１
（ａ）の第１、第２の配線電極１０７，１０９で表され
た一対の配線電極に対応する。又、本発明の第２の配線
電極手段は、図１（ｂ）に示す第３の回路基板上配線電
極１１６に対応する。

【００７３】また、図２において、第１の配線電極１０
７と第３の回路基板上の配線電極１１６とは交差する部
分が生じるが、この部分での寄生成分Ｃａは、交差部分
を近似的に平行平板コンデンサとして仮定すると、次式
２で表される。

【００７４】

【数２】Ｃａ＝ε₀×Ｓ／ｔとなる。

【００７５】ここで、ε₀は自由空間の誘電率であり、
Ｓは交差部分の面積、ｔは電極間の距離である。

【００７６】例えば、Ｓ＝１００μｍ×１００μｍ、ｔ
＝２０μｍとすると、式２より、Ｃａは４．４［ｆＦ］
と小さな値となる。

【００７７】なお、実際には交差部分以外の要素も考慮
して、圧電基板、回路基板の構成を最適化する必要があ
るが、空間的に離れた配置であれば、従来よりも入出力
間の結合を小さくすることができ、バランス特性が改善
するという効果は同様に得られる。

【００７８】また、弾性表面波フィルタ素子の圧電基板
上の配線電極をなくして、回路基板を多層基板とし配線
を行う場合には、基板を含めたフィルタ全体の高さは若
干高くなるので、低背化を考えた場合には欠点となる
が、バランス特性に関しては、小さい比誘電率の基板で
あれば、改善の効果がある。

【００７９】例えば、回路基板としてはアルミナやセラ
ミック誘電体からなる積層体などが挙げられ、これらの
比誘電率は１０程度のものがある。この場合、前式にお
いてはＣａは０．０４［ｐＦ］となり、図１１より、バ
ランス特性の劣化が小さいことが分かる。

【００８０】よって、これらの回路基板内での多層配線
を行って、寄生成分が０．１ｐＦ以下になるような構成
とするには、回路基板材料の比誘電率εと配線電極間の
距離ｔ、配線電極の交差部分の面積Ｓとの関係が

【００８１】

【数３】ε×Ｓ／ｔ≦１．１×１０^-2 を満たすことが好ましい。

【００８２】但し、複数の異なる比誘電率の材料が平面
間に存在する場合には、平面間全体で上記の関係を満足
すればよい。

【００８３】また、本実施の形態においては、平衡側の
配線電極１０７、１０９を圧電基板１０１の上に形成
し、不平衡側は回路基板上の回路基板上の配線電極１１
６と実質上直接に接続している。しかしこれに限らず例
えば、図３に示すように、不平衡側の第２、第３のＩＤ
Ｔ電極１０３、１０４は配線電極３０１を介して、電極
パッド３０２に接続して、第１、第２の電極パッド１０
８、１１０は第１のＩＤＴ電極１０２に実質上直接に接
続される構成としても構わない。

【００８４】この時、第１、第２の電極パッド１０８、
１１０は回路基板上の配線電極３０３、３０４に接続さ
れる。従って、回路基板上の配線電極３０３は、図８
（ａ）の第１の配線電極８０１と同様の配線電極として
の役割を担う。また、回路基板上の配線電極３０４は、
図８（ａ）の第２の配線電極８０３と同様の配線電極と
しての役割を担う。

【００８５】また、第３の電極パッド３０２は回路基板
上の配線電極３０５に接続される。この場合は、回路基
板１１３の表層の配置される回路基板上の配線電極３０
３，３０４，３０５は圧電基板１０１上の弾性表面波の
構成に応じて適宜配置されるものである。

【００８６】以上の構成においても、第１のＩＤＴ電極
における第１、第２の回路基板上の配線電極３０３，３
０４と第２、第３のＩＤＴ電極の配線電極３０１は空間
的に離れた配置となり、入出力間での結合を最小限に抑
えることができ、弾性表面波フィルタのバランス特性を
改善することができる。

【００８７】尚、本発明の第１の配線電極手段は、図３
（ｂ）の第１、第２の回路基板上配線電極３０３，３０
４に表された一対の配線電極に対応する。又、本発明の
第２の配線電極手段は、図３（ａ）に示す配線電極３０
１に対応する。

【００８８】なお、本実施形態においては、回路基板と
して説明したが、これはパッケージなどであっても構わ
ない。

【００８９】又、本実施の形態においては、第２，第３
のＩＤＴ電極１０３，１０４の一方の側の電極指は、実
質上直接に第３，第４の電極パッド１１１，１１２に接
続される構成について説明したが、これに限らず、例え
ば、バスバー電極等を介して接続されていてもよく、配
線の長さが短くなるような構成で最適化されていればよ
い。

【００９０】（実施の形態２）以下、本発明の実施の形
態２の弾性表面波フィルタ素子及び弾性表面波フィルタ
について図面を参照して説明する。

【００９１】図４において、弾性表面波フィルタ素子
は、圧電基板４０１上に、第１、第２、第３のＩＤＴ電
極４０２、４０３、４０４と第１、第２の反射器電極４
０５、４０６と、ＩＤＴ電極と反射器電極とにより構成
される弾性表面波共振子４１０とにより構成される。

【００９２】第１のＩＤＴ電極４０２の一方の電極指は
平衡型端子の一方４０７に接続され、第１のＩＤＴ電極
４０２の他方の電極指は平衡型端子の他方４０８に接続
される。

【００９３】また、不平衡型端子４０９は、弾性表面波
共振子４１０を介して第２のＩＤＴ電極４０３の一方の
側の電極指４０３ａと第３のＩＤＴ電極４０４の他方の
電極指４０４ｂとに接続される。

【００９４】ここで、第２のＩＤＴ電極４０３の一方の
側の電極指４０３ａと第３のＩＤＴ電極４０４の他方の
電極指４０４ｂとは、図４、図５に示す様に、一方から
見て他方が逆側に配置されている電極指である。

【００９５】以上の構成とすることにより不平衡型−平
衡型端子を有する弾性表面波フィルタ素子が得られる。

【００９６】次に、前記弾性表面波フィルタ素子をパッ
ケージや基板上にフェースダウン実装する場合の構成に
ついての一例を述べる。図５（ａ）は、弾性表面波フィ
ルタ素子の圧電基板上の構成を模式的に示した図であ
る。

【００９７】第１のＩＤＴ電極４０２の一方の電極指は
第１の配線電極５０１を介して第１の電極パッド５０２
に接続される。第１のＩＤＴ電極４０２の他方の電極指
は第２の配線電極５０３を介して第２の電極パッド５０
４に接続される。

【００９８】第２のＩＤＴ電極４０３の一方の側の電極
指は実質上直接に第３の電極パッド５０５に接続され
る。第３のＩＤＴ電極４０４の他方の側の電極指は実質
上直接に第４の電極パッド５０６に接続される。

【００９９】第２のＩＤＴ電極４０３の他方の側の電極
指、第３のＩＤＴ電極４０４の一方の側の電極指は接地
されるが、ここでは接地電極に関してはその記載を省略
している。

【０１００】さらに、弾性表面波共振器４１０のＩＤＴ
電極の一方と他方には第５、第６の電極パッド５０７、
５０８に実質上直接に接続される。

【０１０１】図５（ｂ）に示すのは、前述の弾性表面波
フィルタ素子が実装される回路基板の表層図である。回
路基板５０９には第１、第２、第３、第４の回路基板上
配線電極５１０、５１１、５１２、５１３が設けられて
いる。

【０１０２】図５（ａ）に示す弾性表面波フィルタ素子
は、回路基板５０９に対向するように実装される。

【０１０３】例えば、金バンプを用いた超音波熱圧着に
よる実装方法を用いることができる。この時、第１の電
極パッド５０２は第１の回路基板上配線電極５１０に接
続され、第２の電極パッド５０４は第２の回路基板上配
線電極５１１に接続され、第３、第４の電極パッド５０
５、５０６は第３の回路基板上配線電極５１２に接続さ
れる。

【０１０４】また、第５の電極パッド５０７は第４の回
路基板上配線電極５１３に接続され、第６の電極パッド
５０８は第３の回路基板上配線電極５１２に接続され
る。

【０１０５】即ち、第３の回路基板上配線電極５１２に
は３箇所の電極パッドが接続されていて、弾性波共振器
４１０と第２、第３のＩＤＴ電極４０３、４０４を接続
する配線電極の役割を担っている。

【０１０６】また、第１、第２、第４の回路基板上配線
電極５１０、５１１、５１３はスルーホールやビアホー
ル、或いは回路基板の外部の電極などにより端子として
引き出される。

【０１０７】この場合、第１、第２、第４の電極５１
０、５１１、５１３はそれぞれ、平衡型出力端子の一方
ＯＵＴ１、平衡型出力端子の他方ＯＵＴ２、不平衡型入
力端子ＩＮに接続され、不平衡型−平衡型端子を有する
弾性表面波フィルタが実現される。

【０１０８】以上の構成とすることにより、第１のＩＤ
Ｔ電極における第１、第２の配線電極５０１、５０３と
第２、第３のＩＤＴ電極に接続される第３の回路基板上
配線電極５１２は空間的に離れた配置となり、入出力間
での結合を最小限に抑えることができ、弾性表面波フィ
ルタ素子のバランス特性を改善することができる。

【０１０９】実際に、本発明のフィルタと従来の構成の
フィルタとの実測結果を比較してみたところ、１．８Ｇ
Ｈｚ帯のフィルタにてバランス特性を評価したところ、
本発明の構成とすることにより、振幅、及び位相バラン
ス特性の偏差（最大値と最小値との差）が２５％程度改
善される結果が得られた。

【０１１０】さらに、回路基板上の配線電極と圧電基板
上に形成されるＩＤＴ電極とが空間的に重ならない構成
とすることによって、さらに寄生成分を小さくすること
ができる。

【０１１１】即ち、図６中に示す矢印Ａの方向に沿って
圧電基板４０１を見た場合、図６に示すように、ＩＤＴ
電極６０１と回路基板上の配線電極６０２とが重ならな
い構成とすることが有効である。仮に図６の破線で示し
た部分６０３に回路基板上の配線電極を設けてしまうと
ＩＤＴ電極との間に寄生成分６０４が生じ、電気特性の
劣化の原因となる。

【０１１２】尚、上記実施の形態では、本発明の第１、
第２の配線電極の内、何れか一方の配線電極が圧電基板
上に設けられ、他の配線電極が回路基板上に設けられて
いる例を中心に述べた。

【０１１３】しかしこれに限らず例えば、（１）前記第
１及び第２の配線電極の内、一方の前記配線電極が前記
圧電基板上に形成されており、且つ、他方の前記配線電
極は前記圧電基板が実装されるべき回路基板の内層電極
である構成でも良いし（図１３参照）、あるいは、
（２）前記第１及び第２の配線電極の内、一方の前記配
線電極は前記圧電基板が実装されるべき回路基板上に形
成され、且つ、他方の前記配線電極は前記回路基板の内
層電極である構成（図示省略）でもかまわない。

【０１１４】ここで、図１３は、前者の構成例の分解斜
視図であり、図１２の場合と異なり、本発明の第２の配
線電極に対応する配線電極が、内層電極１３０１として
回路基板の内層面に形成されている。内層電極１３０１
は、ビア１３０２を介して第３，第４の電極パッド１１
１，１１２と接続されている。尚、端子電極１３０３
ａ、１３０３ｂは、回路基板上の表層電極１１４，１１
５と電気的に接続されている。又、後者の例としては、
例えば、図１３を代用して説明すると、図１３に示す本
発明の第１の配線電極手段に対応する第１，第２の配線
電極１０７，１０９が、圧電基板上ではなく、回路基板
上に表層電極として形成された構成でもよい。あるい
は、図１３を代用して説明した上記構成では、本発明の
第１の配線電極手段と第２の配線電極手段が、表層電極
と内層電極の関係にある場合を示しているが、これら双
方の関係が互いに逆の構成、即ち、本発明の第１の配線
電極手段が回路基板の内層電極として、且つ本発明の第
２の配線電極手段が回路基板の表層電極として構成され
ていても良い。

【０１１５】尚、図１４は、図１３の構成例を模式的に
表した図である。同図において、圧電基板１０１と回路
基板１１３は、便宜上、透明なものとして透過的に表し
ている。又、図中の斜線部は、弾性表面波フィルタ電極
部の配置位置を略示したものである。

【０１１６】又、上記実施の形態では、図５（ａ）を用
いて、第３の電極パッド５０５が、第２のＩＤＴ電極４
０３の一方の電極指４０３ａに接続されており、且つ、
第４の電極パッド５０６が、第３のＩＤＴ電極４０４の
他方の電極指４０４ｂに接続されており、しかも、その
他方の電極指４０４ｂが上記一方の電極指４０３ａから
見て逆側に設けられている場合について説明した。

【０１１７】しかしこれに限らず例えば図１５（ａ）に
示す様に、本発明の第２の配線電極手段３０１１の一端
１５０１ａが、第２のＩＤＴ電極１０３の一方の電極指
１０３ａに接続されており、且つ、前記第２の配線電極
手段３０１１の他端１５０１ｂが、第３のＩＤＴ電極１
０４の他方の電極指１０４ｂに接続されており、且つ、
その他方の電極指１０４ｂが上記一方の電極指１０３ａ
から見て逆側に設けられている弾性表面波フィルタ素子
であっても良い。

【０１１８】この場合でも上記実施の形態と同様の効果
を発揮する。図１５（ａ）は、図３（ａ）に示した本発
明の一実施の形態の弾性表面波フィルタ素子の変形例の
構成を示す模式図である。又、図１５（ｂ）は、図１５
（ａ）に示す変形例に対応する回路基板の表層図であ
る。

【０１１９】又、上記実施形態においては、圧電基板と
回路基板とを有する構成を中心に説明したが、これに限
らず、例えば、圧電基板とパッケージから弾性表面波フ
ィルタが構成されていてもよい。この場合、例えば、図
１６、図１７に示す様に、セラミックパッケージ１６０
１、１７０１の下部が回路基板１６０２、１７０２を兼
ねている構成であってもよい。図１６において、符号１
６０３，１６０４は外部端子を示す。図１７の構成で
は、内層電極１１６と外部端子（底面電極）１７０４と
をビア１７０３により電気的に接続している点が、図１
６と異なる。

【０１２０】ここで、図１６、図１７は、圧電基板とパ
ッケージから弾性表面波フィルタを構成した例を説明す
るための、図１４と同様に透過的に表した模式図であ
る。図中の斜線部は、弾性表面波フィルタ電極部の配置
位置を略示したものである。

【０１２１】又、上記実施の形態では、本発明の第１の
配線電極手段と、本発明の第２の配線電極手段とが、互
いに異なる平面上に配置されている弾性表面波フィルタ
素子、及び弾性表面波フィルタの例として、上記異なる
平面の具体例として、圧電基板と回路基板を利用する場
合（例えば、図１，図３、図５，図１５）、回路基板の
表層面と内層面を利用する場合などについて述べた。

【０１２２】しかし、これに限らず例えば図１８，図１
９に示す様に、本発明の第１及び第２の配線電極の内、
一方の配線電極（図１８（ａ）〜図１９（ｃ）の１０
７，１０９）が圧電基板（図１８（ｂ）の１１３）の主
面上に設けられており、他方の配線電極（図１９（ｃ）
の１９０１）が、圧電基板の主面上に形成された保護膜
（図１９（ｃ）の１９０２）上に設けられている弾性表
面波フィルタ素子でも上記と同様の効果を発揮する。

【０１２３】尚、図１９（ｂ）、図１９（ｃ）に示す様
に、配線電極１９０１はビア１９０５を介して、電極１
９０３，１９０４と電気的に接続されている。又、電極
パッド１０８はビア１９０６を介して、配線電極１０７
と電気的に接続されている。

【０１２４】特に、この保護膜に関しては、酸化シリコ
ンや窒化シリコン等の誘電体薄膜を用いることにより、
ＩＤＴ電極のパッシベーション効果と同時に、温度特性
を改善する効果も得られる。

【０１２５】又、電極パッドの接続はビアに限るもので
はなく、電気的接続が行えるものであればどのような構
成でもよい。

【０１２６】また、本発明の実施形態１、２においては
圧電基板の実効比誘電率が大きい程その効果は大きく、
ＬｉＴａＯ₃やＬｉＮｂＯ₃などの実効比誘電率が４０以
上の圧電基板であれば十分な効果が得られる。

【０１２７】また、本発明の実施形態１、２においては
３電極の縦モード型フィルタを用いて説明したが、これ
は２電極や４電極、５電極の縦モード型フィルタであっ
ても、本発明の実施形態のように入力側と出力側の結合
が小さくなる構成であれば、バランス特性に関して同様
の効果が得られる。また、多電極の縦モード型弾性表面
波フィルタに限らず、弾性表面波共振子を用いた梯子型
や対称格子型のフィルタ構成であっても、同様に入力側
と出力側の結合が小さくなる構成であれば、バランス特
性に関して同様の効果が得られる。

【０１２８】また、本実施形態では１段の弾性表面波フ
ィルタ素子について説明したが、これは複数の弾性表面
波フィルタ素子を多段に縦続接続した構成であっても構
わない。

【０１２９】なお、ＩＤＴ電極の個数が増える程、圧電
基板上での配線が複雑となり、配線電極間の寄生成分も
大きくなるので本発明によるバランス特性改善の効果は
大きいと期待できる。

【０１３０】また、本実施形態１、２においては平衡−
不平衡型の弾性表面波フィルタ素子、及び平衡−不平衡
型の弾性表面波フィルタについて説明したが、平衡−平
衡型の弾性表面波フィルタ素子等であっても、同様に入
力側と出力側の結合が小さくなる構成であれば、バラン
ス特性に関して同様の効果が得られる。

【０１３１】また、本実施形態１、２においては入力側
を不平衡型、出力側を平衡型としているが、これは逆で
あっても効果は同様である。

【０１３２】また、図２０（ａ）、図２０（ｂ）に示す
様に、実装基板２００１上に本発明の弾性表面波フィル
タ素子２００２と半導体ＩＣ２００３とを実装してモジ
ュール化することにより、装置全体がコンパクトに出
来、しかもバランス特性の劣化による感度劣化を抑える
ことができる。同図において、符号２００４，２００５
は外部端子を示し、符号２００６は整合回路部である。
図２０（ａ）はモジュールの平面図であり、図２０
（ｂ）は、その構成例を説明するための、図１４と同様
に透過的に表した模式図である。図中の斜線部は、弾性
表面波フィルタ電極部の配置位置を略示したものであ
る。

【０１３３】又、上記モジュールにおいて、半導体装置
が、低雑音増幅器である構成でも良い。又、上記半導体
装置が、ミキサーである構成でもよい。又、半導体を平
衡型として説明したが、これは、ＧａＡｓスイッチやＰ
ＩＮダイオードを用いたスイッチなどの様に不平衡−不
平衡型のデバイスと、不平衡−平衡型ＳＡＷフィルタを
一体化しても良い。

【０１３４】また、本発明の弾性表面波フィルタ素子、
又は弾性表面波フィルタを図２１に示す様な平衡型高周
波回路を有する通信機器等に適用することが出来る。こ
れにより、送信又は受信用フィルタのバランス特性の劣
化による感度劣化を抑えることができ、高性能な移動体
通信機器を実現することができる。

【０１３５】以下に、図２１を参照しながら、上記平衡
型高周波回路を有する通信機器の構成及び動作について
説明する。ここで、図２１は、本発明の平衡型デバイス
を用いた平衡型高周波回路２７０１のブロック図であ
る。

【０１３６】図２１において、送信回路２７１１から出
力される送信信号は、送信増幅器２７０２，送信フィル
タ２７０３、スイッチ２７０４を介してアンテナ２７０
５より送信される。

【０１３７】又、アンテナ２７０５より受信された受信
信号は、スイッチ２７０４、受信フィルタ２７０６，受
信増幅器２７０７を介して受信回路２７１２に入力され
る。

【０１３８】ここで、送信増幅器２７０２は平衡型であ
り、スイッチ２７０４は不平衡型であるので、送信フィ
ルタ２７０３は不平衡−平衡型入出力端子を有する構成
となる。又、受信増幅器２７０７は平衡型であり、スイ
ッチ２７０４は不平衡型であるので、受信フィルタ２７
０６は不平衡−平衡型入出力端子を有する構成となる。

【０１３９】本発明の弾性表面波フィルタを送信フィル
タ２７０３，及び／又は受信フィルタ２７０６に適用す
ることにより、バランス特性の劣化による送信時の変調
精度の劣化を抑えることが出来る。又、バランス特性の
劣化による受信時の感度劣化を抑えることが出来、高性
能な平衡型高周波回路を実現することが出来る。

【０１４０】又、送信フィルタ２７０３と送信増幅器２
７０２、あるいは受信フィルタ２７０６と受信増幅器２
７０７を上述したモジュール構成としてもかまわない。

【０１４１】又、スイッチ素子と受信フィルタ、あるい
は、スイッチ素子と送信フィルタを上述したモジュール
構成としてもよい。

【０１４２】

【発明の効果】以上述べたことから明らかなように、本
発明はバランス特性が良好であるという長所を有する。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）：本発明の実施の形態１における弾性表
面波フィルタ素子の構成の模式図 （ｂ）：本発明の実施の形態１における回路基板の表層
図

【図２】本発明の実施の形態１における配線電極と、回
路基板上の回路基板上配線電極の配置関係を模式的に示
す側面図

【図３】（ａ）：本発明の実施の形態１における他の弾
性表面波フィルタ素子の構成を示す模式図 （ｂ）：本発明の実施の形態１における他の回路基板の
表層図

【図４】本発明の実施の形態２における弾性表面波フィ
ルタの構成を示す模式図

【図５】（ａ）：本発明の実施の形態２における弾性表
面波フィルタ素子の構成を示す模式図 （ｂ）：本発明の実施の形態２における回路基板の表層
図

【図６】本発明の実施の形態２におけるＩＤＴ電極と、
回路基板上の回路基板上配線電極の配置関係を模式的に
示す側面図

【図７】従来の弾性表面波フィルタを模式的に示した構
成図

【図８】（ａ）：従来の弾性表面波フィルタ素子の構成
模式図 （ｂ）：従来の回路基板の表層図

【図９】図８（ａ）におけるＡ−Ａ’での断面図

【図１０】寄生成分を考慮した場合の弾性表面波フィル
タの構成の模式図

【図１１】（ａ）：弾性表面波フィルタの振幅を示す図 （ｂ）：位相バランス特性を示す図

【図１２】本発明の実施の形態１の弾性表面波フィルタ
の分解斜視図

【図１３】本発明の実施の形態の変形例としての弾性表
面波フィルタの分解斜視図

【図１４】図１３の構成例を模式的に表した図

【図１５】（ａ）：図３（ａ）に示した本発明の一実施
の形態の弾性表面波フィルタ素子の変形例の構成を示す
模式図 （ｂ）：図１５（ａ）に示す変形例に対応する回路基板
の表層図

【図１６】本発明の弾性表面波フィルタの他の例として
のパッケージタイプの構成を示す模式図

【図１７】本発明のパッケージタイプ弾性表面波フィル
タの他の構成を示す模式図

【図１８】（ａ）：本発明の弾性表面波フィルタ素子の
他の例の模式図 （ｂ）：図１８（ａ）の弾性表面波フィルタ素子に対応
する回路基板の表層図

【図１９】（ａ）：本発明の弾性表面波フィルタ素子の
他の例の模式図 （ｂ）：図１９（ａ）の弾性表面波フィルタ素子のＡ−
Ａ’断面図 （ｃ）：図１９（ａ）の弾性表面波フィルタ素子のＢ−
Ｂ’断面図

【図２０】（ａ）：本発明のモジュールの一構成例を示
す模式図 （ｂ）：図２０（ａ）を側面から見た模式図

【図２１】本発明の弾性表面波フィルタの通信機器への
適用例を説明する構成図

【符号の説明】

１０１ 圧電基板 １０２ 第１のＩＤＴ電極 １０３ 第２のＩＤＴ電極 １０４ 第３のＩＤＴ電極 １０５ 第１の反射器電極 １０６ 第２の反射器電極 １０７ 第１の配線電極 １０８ 第１の電極パッド １０９ 第２の配線電極 １１０ 第２の電極パッド １１１ 第３の電極パッド １１２ 第４の電極パッド １１３ 回路基板 １１４ 第１の回路基板上配線電極 １１５ 第２の回路基板上配線電極 １１６ 第３の回路基板上配線電極 ３０１ 配線電極 ３０２ 電極パッド ３０３ 第１の回路基板上配線電極 ３０４ 第２の回路基板上配線電極 ３０５ 第３の回路基板上配線電極 ４０１ 圧電基板 ４０２ 第１のＩＤＴ電極 ４０３ 第２のＩＤＴ電極 ４０４ 第３のＩＤＴ電極 ４０５ 第１の反射器電極 ４０６ 第２の反射器電極 ４０７ 平衡型端子の一方 ４０８ 平衡型端子の他方 ４０９ 不平衡型端子 ４１０ 弾性表面波共振子 ５０１ 第１の配線電極 ５０２ 第１の電極パッド ５０３ 第２の配線電極 ５０４ 第２の電極パッド ５０５ 第３の電極パッド ５０６ 第４の電極パッド ５０７ 第５の電極パッド ５０８ 第６の電極パッド ５０９ 回路基板 ５１０ 第１の回路基板上配線電極 ５１１ 第２の回路基板上配線電極 ５１２ 第３の回路基板上配線電極 ５１３ 第４の回路基板上配線電極 ６０１ ＩＤＴ電極 ６０２ 回路基板上の配線電極 ６０３ 回路基板上の配線電極 ６０４ 寄生成分 ７０１ 圧電基板 ７０２ 第１のＩＤＴ電極 ７０３ 第２のＩＤＴ電極 ７０４ 第３のＩＤＴ電極 ７０５ 第１の反射器電極 ７０６ 第２の反射器電極 ７０７ 平衡型端子の一方 ７０８ 平衡型端子の他方 ７０９ 不平衡型端子 ８０１ 第１の配線電極 ８０２ 第１の電極パッド ８０３ 第２の配線電極 ８０４ 第２の電極パッド ８０５ 第３の配線電極 ８０６ 第３の電極パッド ８０７ 回路基板 ８０８ 第１の回路基板上配線電極 ８０９ 第２の回路基板上配線電極 ８１０ 第３の回路基板上配線電極 １００１ 容量成分

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 常川 昭雄 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 都築 茂 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5J097 AA11 AA29 BB14 CC04 FF05 GG03 GG04 HA04 JJ01 JJ09 KK10 LL06 LL08

Claims (28)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 圧電基板と、 前記圧電基板上に形成された複数のインターディジタル
   トランスデューサ電極（ＩＤＴ電極）とを備えた弾性表
   面波フィルタ素子であって、 前記複数のＩＤＴ電極の内、少なくとも一つのＩＤＴ電
   極は平衡型端子に接続され、他のＩＤＴ電極は平衡型端
   子または不平衡型端子に接続され、 前記少なくとも一つのＩＤＴ電極に接続されるべき又は
   接続された第１の配線電極手段と、前記他のＩＤＴ電極
   に接続されるべき又は接続された第２の配線電極手段と
   が、互いに異なる平面上に配置されている弾性表面波フ
   ィルタ素子。
2. 【請求項２】 前記第１及び第２の配線電極手段の内、
   一方の前記配線電極手段が前記圧電基板の主面上に配置
   されており、他の前記配線電極手段は前記圧電基板が実
   装されるべき回路基板上に配置されている請求項１に記
   載の弾性表面波フィルタ素子。
3. 【請求項３】 （１）前記第１及び第２の配線電極手段
   の内、一方の前記配線電極手段が前記圧電基板上に形成
   されており、且つ、他方の前記配線電極手段は前記圧電
   基板が実装されるべき回路基板の内層電極である、又
   は、（２）前記第１及び第２の配線電極手段の内、一方
   の前記配線電極手段は前記圧電基板が実装されるべき回
   路基板上に形成され、且つ、他方の前記配線電極手段は
   前記回路基板の内層電極である請求項１に記載の弾性表
   面波フィルタ素子。
4. 【請求項４】 前記第１及び第２の配線電極手段の内、
   一方の前記配線電極手段が圧電基板の主面上に設けられ
   ており、他方の前記配線電極手段が前記圧電基板の前記
   主面上に形成された保護膜上に設けられている請求項１
   に記載の弾性表面波フィルタ素子。
5. 【請求項５】 前記保護膜が誘電体薄膜である請求項４
   に記載の弾性表面波フィルタ素子。
6. 【請求項６】 前記弾性表面波フィルタ素子が、第１、
   第２、第３のＩＤＴ電極と少なくとも２つの反射器電極
   とを弾性表面波の伝搬方向に沿って配置した縦モード型
   の弾性表面波フィルタ素子であって、 前記第１のＩＤＴ電極の両側に前記第２、第３のＩＤＴ
   電極が配置される構成である請求項１に記載の弾性表面
   波フィルタ素子。
7. 【請求項７】 前記圧電基板上に設けられた第１及び第
   ２の電極パッドと、 前記圧電基板上に設けられた、前記第２のＩＤＴ電極に
   実質上直接に接続された第３の電極パッドと、 前記圧電基板上に設けられた、前記第３のＩＤＴ電極に
   実質上直接に接続された第４の電極パッドとを備え、 （１）前記第１の配線電極手段手段は、一対の配線電極
   として前記圧電基板上に設けられており、且つ、（２）
   前記第１のＩＤＴ電極は、平衡型であって、しかも前記
   一対の配線電極の各配線電極を介して前記第１、第２の
   電極パッドに接続されており、 前記第２の配線電極手段は、前記回路基板に設けられて
   おり、 前記弾性表面波フィルタ素子が、前記回路基板に実装さ
   れることにより、前記第３、第４の電極パッドが、前記
   第２の配線電極手段に接続される請求項６に記載の弾性
   表面波フィルタ素子。
8. 【請求項８】 前記圧電基板上に設けられた、前記第１
   のＩＤＴ電極に実質上直接に接続された第１及び第２の
   電極パッドと、 前記圧電基板上に設けられた第３の電極パッドとを備
   え、 （１）前記第２の配線電極手段は、前記圧電基板上に設
   けられており、且つ、（２）前記第２及び第３のＩＤＴ
   電極は不平衡型であって、しかも前記第２の配線電極手
   段を介して前記第３の電極パッドに接続されており、 前記第１の配線電極手段は、前記回路基板に設けられて
   おり、 前記弾性表面波フィルタ素子が、前記回路基板に実装さ
   れることにより、前記第１、第２の電極パッドが、前記
   第１の配線電極手段に接続される請求項６に記載の弾性
   表面波フィルタ素子。
9. 【請求項９】 前記第３の電極パッドが前記第２のＩＤ
   Ｔ電極の一方の電極指に接続されており、且つ、前記第
   ４の電極パッドが前記第３のＩＤＴ電極の他方の電極指
   に接続されており、 前記他方の電極指が、前記一方の電極指から見て逆側に
   設けられている請求項７に記載の弾性表面波フィルタ素
   子。
10. 【請求項１０】 前記第２の配線電極手段が、前記第２
    のＩＤＴ電極の一方の電極指に接続されており、且つ、
    前記第３のＩＤＴ電極の他方の電極指に接続されてお
    り、 前記他方の電極指が、前記一方の電極指から見て逆側に
    設けられている請求項８に記載の弾性表面波フィルタ素
    子。
11. 【請求項１１】 前記弾性表面波フィルタ素子は、第１
    のＩＤＴ電極と、その両側に配置された２つの反射器電
    極により構成される弾性表面波共振子とを、梯子型又
    は、対称格子型に接続した構成である請求項１に記載の
    弾性表面波フィルタ素子。
12. 【請求項１２】 請求項１〜１１の何れか一つに記載の
    弾性表面波フィルタ素子と、 前記弾性表面波フィルタ素子が実装された回路基板と、
    を備えた弾性表面波フィルタ。
13. 【請求項１３】 前記回路基板がセラミックパッケージ
    の一部を構成している請求項１２に記載の弾性表面波フ
    ィルタ。
14. 【請求項１４】 前記回路基板は誘電体により構成され
    た積層体であり、 前記弾性表面波フィルタ素子は前記積層体上に実装され
    る構成であって、 前記配線電極手段は、前記積層体最上面に、または前記
    積層体内層に設けられている請求項１２に記載の弾性表
    面波フィルタ。
15. 【請求項１５】 前記ＩＤＴ電極と、前記回路基板上に
    形成された配線電極手段とが空間的に重ならない様に配
    置されている請求項１２に記載の弾性表面波フィルタ。
16. 【請求項１６】 前記実装がフェースダウン実装である
    請求項１２に記載の弾性表面波フィルタ。
17. 【請求項１７】 前記異なる平面間は自由空間であるこ
    とを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波フィルタ素
    子。
18. 【請求項１８】 前記異なる平面間の比誘電率をε、前
    記異なる平面にそれぞれ形成される前記第１及び第２の
    配線電極手段間の距離をｔ、前記第１の配線電極手段
    と、前記第２の配線電極手段との交差部分の面積をＳと
    した時に、 ε×Ｓ／ｔ≦１．１×１０^-2 を満足する請求項１に記載の弾性表面波フィルタ素子。
19. 【請求項１９】 前記圧電基板は、実効比誘電率が４０
    以上の基板であることを特徴とする請求項１に記載の弾
    性表面波フィルタ素子。
20. 【請求項２０】 前記圧電基板の材料が、タンタル酸リ
    チウム及び、ニオブ酸リチウムの中から選ばれたもので
    ある請求項１９に記載の弾性表面波フィルタ素子。
21. 【請求項２１】 前記第１の配線電極手段と、前記第２
    の配線電極手段との寄生成分としてのアドミッタンスの
    値が０．６ｍＳ以下となるように構成されることを特徴
    とする請求項１に記載の弾性表面波フィルタ素子。
22. 【請求項２２】 請求項１〜１１、１７〜２１の何れか
    一つに記載の弾性表面波フィルタ素子と、 所定の半導体装置と、 前記弾性表面波フィルタ素子及び前記半導体装置が実装
    された基板と、を備えたモジュール。
23. 【請求項２３】 前記基板は、誘電体層が積層された積
    層体である請求項２２記載のモジュール。
24. 【請求項２４】 前記半導体装置が、低雑音増幅器であ
    る請求項２２に記載のモジュール。
25. 【請求項２５】 前記低雑音増幅器が平衡型である請求
    項２４に記載のモジュール。
26. 【請求項２６】 前記半導体装置が、スイッチ素子であ
    るか、又はミキサーである請求項２４に記載のモジュー
    ル。
27. 【請求項２７】 （１）圧電基板と、（２）前記圧電基
    板上に形成された複数のインターディジタルトランスデ
    ューサ電極（ＩＤＴ電極）とを有する弾性表面波フィル
    タ素子と、 前記弾性表面波フィルタ素子が実装された回路基板と、 前記複数のＩＤＴ電極の内、少なくとも一つのＩＤＴ電
    極を、前記回路基板に設けられた平衡型端子に接続する
    ための第１の配線電極手段と、 前記複数のＩＤＴ電極の内、他のＩＤＴ電極を、前記回
    路基板に設けられた平衡型端子または不平衡型端子に接
    続するための第２の配線電極手段とを備え、 前記第１の配線電極手段と、前記第２の配線電極手段と
    が、互いに異なる平面上に配置されている弾性表面波フ
    ィルタ。
28. 【請求項２８】 アンテナと、 前記アンテナに接続されたスイッチ手段と、 前記スイッチ手段と送信回路の間に設けられた送信フィ
    ルタと、 前記スイッチ手段と受信回路の間に設けられた受信フィ
    ルタとを備えた通信機器であって、 前記送信フィルタ及び／又は前記受信フィルタが、請求
    項１〜１１，１７〜２１，２７の何れか一つに記載の弾
    性表面波フィルタ素子を有している通信機器。