JPH11312942A - 弾性表面波デバイスの製造方法 - Google Patents
弾性表面波デバイスの製造方法Info
- Publication number
- JPH11312942A JPH11312942A JP11739398A JP11739398A JPH11312942A JP H11312942 A JPH11312942 A JP H11312942A JP 11739398 A JP11739398 A JP 11739398A JP 11739398 A JP11739398 A JP 11739398A JP H11312942 A JPH11312942 A JP H11312942A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal thin
- thin film
- resist
- patterning
- surface acoustic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Abandoned
Links
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 圧電性基板が焦電性を持つときでも、ＩＤＴ
を破壊せずに高歩留まりにて複数の金属薄膜をパターニ
ング可能な弾性表面波素子の製造方法を提供する。 【解決手段】 圧電性基板上に複数の金属薄膜を積層さ
せて形成する工程と、前記複数の金属薄膜のうち最初に
形成された金属薄膜以外の金属薄膜をパターニングする
工程と、前記複数の金属薄膜のうち最初に形成された金
属薄膜を櫛歯状電極にパターニングする工程とを具備す
る弾性表面波デバイスの製造方法。
を破壊せずに高歩留まりにて複数の金属薄膜をパターニ
ング可能な弾性表面波素子の製造方法を提供する。 【解決手段】 圧電性基板上に複数の金属薄膜を積層さ
せて形成する工程と、前記複数の金属薄膜のうち最初に
形成された金属薄膜以外の金属薄膜をパターニングする
工程と、前記複数の金属薄膜のうち最初に形成された金
属薄膜を櫛歯状電極にパターニングする工程とを具備す
る弾性表面波デバイスの製造方法。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は携帯電話、ＰＨＳ等
に用いられる弾性表面波デバイスの製造方法に係わり、
特に、櫛歯状電極のパターニングを製造工程の最後に行
う弾性表面波デバイスの製造方法に関する。
に用いられる弾性表面波デバイスの製造方法に係わり、
特に、櫛歯状電極のパターニングを製造工程の最後に行
う弾性表面波デバイスの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】弾性表面波デバイスは、圧電性基板上に
設けられた櫛歯状電極（ＩＤＴ：Ｉｎｔｅｒ Ｄｉｇｉ
ｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）により電気信号を弾性
表面波（ＳＡＷ：Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ
Ｗａｖｅ）に変換し、圧電性基板上を伝搬してくる弾性
表面波を同じく圧電性基板上に設けられたＩＤＴにより
弾性表面波を受信し、電気信号と弾性表面波との変換に
関わる周波数特性を利用する素子である。弾性表面波素
子は、弾性表面波フィルタ、弾性表面波共振子、遅延回
路をはじめとして幅広く用いられている。
設けられた櫛歯状電極（ＩＤＴ：Ｉｎｔｅｒ Ｄｉｇｉ
ｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）により電気信号を弾性
表面波（ＳＡＷ：Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ
Ｗａｖｅ）に変換し、圧電性基板上を伝搬してくる弾性
表面波を同じく圧電性基板上に設けられたＩＤＴにより
弾性表面波を受信し、電気信号と弾性表面波との変換に
関わる周波数特性を利用する素子である。弾性表面波素
子は、弾性表面波フィルタ、弾性表面波共振子、遅延回
路をはじめとして幅広く用いられている。
【０００３】近年、特に携帯電話などの移動体通信の分
野で、薄型化・小型化が可能であることから、弾性表面
波素子が広く用いられるようになってきている。
野で、薄型化・小型化が可能であることから、弾性表面
波素子が広く用いられるようになってきている。
【０００４】携帯電話などの移動体通信に用いられる弾
性表面波フィルタは従来のＭＨｚ帯からＧＨｚ帯へと高
周波になってきている。ＩＤＴを形成する金属薄膜の厚
さは弾性表面波素子の特性から決定されるが、高周波化
に伴いＩＤＴを形成する金属薄膜の厚さが薄くなってき
ている。このため、ＩＤＴを形成している圧電性基板か
ら外部への電気的接合部（ワイヤーボンディング、フェ
イスダウンボンディング等）の強度確保および配線抵抗
が問題となっている。
性表面波フィルタは従来のＭＨｚ帯からＧＨｚ帯へと高
周波になってきている。ＩＤＴを形成する金属薄膜の厚
さは弾性表面波素子の特性から決定されるが、高周波化
に伴いＩＤＴを形成する金属薄膜の厚さが薄くなってき
ている。このため、ＩＤＴを形成している圧電性基板か
ら外部への電気的接合部（ワイヤーボンディング、フェ
イスダウンボンディング等）の強度確保および配線抵抗
が問題となっている。
【０００５】こ問題を解決するために金属薄膜を２層に
し、ＩＤＴは薄く、配線部、接合部は厚くする構造がと
られている。この２層構造を有する弾性表面波デバイス
の製造方法として従来は次のような方法が用いられた。
し、ＩＤＴは薄く、配線部、接合部は厚くする構造がと
られている。この２層構造を有する弾性表面波デバイス
の製造方法として従来は次のような方法が用いられた。
【０００６】従来の製造プロセスを図４に示す。
【０００７】まず、図４（ａ）に示す圧電性基板（４０
１）上にスパッタ法、真空蒸着法などによりＡｌもしく
はＡｌ合金からなる第一の金属薄膜（４０２）を成膜す
る（ｂ）。
１）上にスパッタ法、真空蒸着法などによりＡｌもしく
はＡｌ合金からなる第一の金属薄膜（４０２）を成膜す
る（ｂ）。
【０００８】次に、第一の金属薄膜（４０２）をパター
ニングするためにレジスト（４０４）を形成する
（ｃ）。
ニングするためにレジスト（４０４）を形成する
（ｃ）。
【０００９】そして、このレジスト（４０４）をマスク
とし、ドライエッチング，ウェットエッチング等で第一
の金属薄膜（４０２）をパターニングする（ｄ）。
とし、ドライエッチング，ウェットエッチング等で第一
の金属薄膜（４０２）をパターニングする（ｄ）。
【００１０】次に、レジストを除去し、第一の金属薄膜
（４０２）にて所望のＩＤＴパターンを得る（ｅ）。
（４０２）にて所望のＩＤＴパターンを得る（ｅ）。
【００１１】第一の金属薄膜（４０２）にて所望のＩＤ
Ｔ形成後に、第二の金属薄膜（４０３）をパターニング
するためにレジスト（４０５）を形成する（ｆ）。
Ｔ形成後に、第二の金属薄膜（４０３）をパターニング
するためにレジスト（４０５）を形成する（ｆ）。
【００１２】この上に真空蒸着法などによりＡｌもしく
はＡｌ合金からなる第二の金属薄膜（４０３）を成膜す
る（ｇ）。
はＡｌ合金からなる第二の金属薄膜（４０３）を成膜す
る（ｇ）。
【００１３】次に、レジストパターン（４０５）とその
上に形成された不要の第二の金属薄膜（４０５）を除去
することにより図４（ｈ）に示すように配線部、接合部
が第一（４０２）、第二（４０３）の金属薄膜の２層構
造を有する弾性表面波デバイスを得ることができる。
上に形成された不要の第二の金属薄膜（４０５）を除去
することにより図４（ｈ）に示すように配線部、接合部
が第一（４０２）、第二（４０３）の金属薄膜の２層構
造を有する弾性表面波デバイスを得ることができる。
【００１４】ただし、従来の製造方法においては、特
に、圧電性基板が焦電性を持つときには、第二の金属薄
膜（４０３）をパターニングするためにレジスト（４０
５）を形成する際、プリベーク、ポストベーク等の熱処
理にて焦電気が発生し、すでに形成済みの第一の金属薄
膜（４０２）によるＩＤＴ間にスパークが生じてＩＤＴ
を破壊してしまうという問題があった。
に、圧電性基板が焦電性を持つときには、第二の金属薄
膜（４０３）をパターニングするためにレジスト（４０
５）を形成する際、プリベーク、ポストベーク等の熱処
理にて焦電気が発生し、すでに形成済みの第一の金属薄
膜（４０２）によるＩＤＴ間にスパークが生じてＩＤＴ
を破壊してしまうという問題があった。
【００１５】また、従来のようにＩＤＴ形成後にレジス
トパターニング、成膜等の工程を行うために、ＩＤＴの
細いパターンの間にレジスト、金属薄膜片等の残渣が残
りやすく歩留まりを低下させてしまうという問題もあっ
た。
トパターニング、成膜等の工程を行うために、ＩＤＴの
細いパターンの間にレジスト、金属薄膜片等の残渣が残
りやすく歩留まりを低下させてしまうという問題もあっ
た。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】すなわち、複数の金属
薄膜を有する構造の弾性表面波の従来の製造方法におい
ては、特に圧電性基板が焦電性を有しているときは、Ｉ
ＤＴを形成した後に金属薄膜を成膜してパターニングす
るため、プリベーク・ポストベーク等の熱処理によって
焦電気が発生して、ＩＤＴを破壊してしまうという問題
があった。また、ＩＤＴを形成してから残りの金属薄膜
を成膜するため、ＩＤＴの細いパターンの間にレジス
ト、金属薄膜片等の残渣が残りやすく歩留まりが低下し
ていた。
薄膜を有する構造の弾性表面波の従来の製造方法におい
ては、特に圧電性基板が焦電性を有しているときは、Ｉ
ＤＴを形成した後に金属薄膜を成膜してパターニングす
るため、プリベーク・ポストベーク等の熱処理によって
焦電気が発生して、ＩＤＴを破壊してしまうという問題
があった。また、ＩＤＴを形成してから残りの金属薄膜
を成膜するため、ＩＤＴの細いパターンの間にレジス
ト、金属薄膜片等の残渣が残りやすく歩留まりが低下し
ていた。
【００１７】本発明はこのような問題点を解決するため
になされたものであり、圧電性基板が焦電性を持つとき
でも、ＩＤＴを破壊せずに高歩留まりにて複数の金属薄
膜をパターニング可能な弾性表面波素子の製造方法を提
供することを目的とする。
になされたものであり、圧電性基板が焦電性を持つとき
でも、ＩＤＴを破壊せずに高歩留まりにて複数の金属薄
膜をパターニング可能な弾性表面波素子の製造方法を提
供することを目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明の弾性表面波デバ
イスの製造方法は、圧電性基板上に複数の金属薄膜を積
層させて形成する工程と、複数の金属薄膜のうち最初に
形成された金属薄膜以外の金属薄膜をパターニングする
工程と、複数の金属薄膜のうち最初に形成された金属薄
膜を櫛歯状電極にパターニングする工程とを具備するこ
とを特徴としている。
イスの製造方法は、圧電性基板上に複数の金属薄膜を積
層させて形成する工程と、複数の金属薄膜のうち最初に
形成された金属薄膜以外の金属薄膜をパターニングする
工程と、複数の金属薄膜のうち最初に形成された金属薄
膜を櫛歯状電極にパターニングする工程とを具備するこ
とを特徴としている。
【００１９】本発明の弾性表面波デバイスの製造方法に
おいて、複数の金属薄膜のうち最初に形成された金属薄
膜以外の金属薄膜をパターニングする工程は、リフトオ
フ法によるものであることを特徴としている。
おいて、複数の金属薄膜のうち最初に形成された金属薄
膜以外の金属薄膜をパターニングする工程は、リフトオ
フ法によるものであることを特徴としている。
【００２０】本発明の弾性表面波デバイスの製造方法に
おいて、複数の金属薄膜のうち最初に形成された金属薄
膜を櫛歯状電極にパターニングする工程は櫛歯状電極を
形成しない複数の金属薄膜上にレジストを塗布して櫛歯
状電極を形成しない複数の金属薄膜を保護しつつ、最初
に形成された金属薄膜をエッチングすることにより行わ
れることを特徴としている。
おいて、複数の金属薄膜のうち最初に形成された金属薄
膜を櫛歯状電極にパターニングする工程は櫛歯状電極を
形成しない複数の金属薄膜上にレジストを塗布して櫛歯
状電極を形成しない複数の金属薄膜を保護しつつ、最初
に形成された金属薄膜をエッチングすることにより行わ
れることを特徴としている。
【００２１】本発明に係る弾性表面波デバイスの製造方
法によれば、複数、すなわち少なくとも２層以上の金属
薄膜を形成する場合に、複数の金属薄膜のうち最初に形
成された金属薄膜以外の金属薄膜を複数の金属薄膜のう
ち最上層の金属薄膜を一部、すなわち、バス・バーとな
る部分は残すようにしてパターニングした後、最初に形
成された金属薄膜を配線部および／または接合部におい
て、櫛歯状電極（ＩＤＴ）に加工する、つまり最後にＩ
ＤＴを形成するため、ＩＤＴの細いパターンの間にパタ
ーニングに使用したレジストや金属膜片残渣が残ること
がなく、周波数特性、信頼性の優れた弾性表面波デバイ
スを高歩留まりで得ることができる。
法によれば、複数、すなわち少なくとも２層以上の金属
薄膜を形成する場合に、複数の金属薄膜のうち最初に形
成された金属薄膜以外の金属薄膜を複数の金属薄膜のう
ち最上層の金属薄膜を一部、すなわち、バス・バーとな
る部分は残すようにしてパターニングした後、最初に形
成された金属薄膜を配線部および／または接合部におい
て、櫛歯状電極（ＩＤＴ）に加工する、つまり最後にＩ
ＤＴを形成するため、ＩＤＴの細いパターンの間にパタ
ーニングに使用したレジストや金属膜片残渣が残ること
がなく、周波数特性、信頼性の優れた弾性表面波デバイ
スを高歩留まりで得ることができる。
【００２２】また、複数の金属薄膜を用いることで、各
金属薄膜の電気的および機械的特性を適正化して用いる
ことができる。
金属薄膜の電気的および機械的特性を適正化して用いる
ことができる。
【００２３】また、本発明の弾性表面波デバイスの製造
方法は、圧電性基板上に、第一の金属薄膜を形成する工
程と、第一の金属薄膜上に第二の金属薄膜を積層させて
形成する工程と、第二の金属薄膜を一部残すようにして
パターニングする工程と、第一の金属薄膜を櫛歯状電極
にパターニングする工程とを具備することを特徴として
いる。
方法は、圧電性基板上に、第一の金属薄膜を形成する工
程と、第一の金属薄膜上に第二の金属薄膜を積層させて
形成する工程と、第二の金属薄膜を一部残すようにして
パターニングする工程と、第一の金属薄膜を櫛歯状電極
にパターニングする工程とを具備することを特徴として
いる。
【００２４】本発明に係る弾性表面波デバイスの製造方
法によれば、２層の金属薄膜を形成する場合に、第二の
金属薄膜を第二の金属薄膜を一部、すなわちバス・バー
となる部分は残すようにして積層・パターニングした
後、第一の金属薄膜を櫛歯状電極（ＩＤＴ）に加工する
ため、ＩＤＴの細いパターンの間にパターニングに使用
したレジストや金属膜片残渣が残ることがなく、周波数
特性、信頼性の優れた弾性表面波デバイスを高歩留まり
で得ることができる。
法によれば、２層の金属薄膜を形成する場合に、第二の
金属薄膜を第二の金属薄膜を一部、すなわちバス・バー
となる部分は残すようにして積層・パターニングした
後、第一の金属薄膜を櫛歯状電極（ＩＤＴ）に加工する
ため、ＩＤＴの細いパターンの間にパターニングに使用
したレジストや金属膜片残渣が残ることがなく、周波数
特性、信頼性の優れた弾性表面波デバイスを高歩留まり
で得ることができる。
【００２５】さらに、本発明の弾性表面波デバイスの製
造方法は、圧電性基板上に、第一の金属薄膜を形成する
工程と、第一の金属薄膜上に第二および第三の金属薄膜
を積層させて形成する工程と、第二および第三の金属薄
膜を一部残すようにしてパターニングする工程と、第一
の金属薄膜を櫛歯状電極にパターニングする工程とを具
備することを特徴としている。
造方法は、圧電性基板上に、第一の金属薄膜を形成する
工程と、第一の金属薄膜上に第二および第三の金属薄膜
を積層させて形成する工程と、第二および第三の金属薄
膜を一部残すようにしてパターニングする工程と、第一
の金属薄膜を櫛歯状電極にパターニングする工程とを具
備することを特徴としている。
【００２６】本発明に係る弾性表面波デバイスの製造方
法によれば、３層の金属薄膜を形成する場合に、第二お
よび第三の金属薄膜を第二および第三の金属薄膜を一
部、すなわちバス・バーとなる部分は残すようにして積
層・パターニングした後、第一の金属薄膜を櫛歯状電極
（ＩＤＴ）に加工するため、ＩＤＴの細いパターンの間
にパターニングに使用したレジストや金属膜片残渣が残
ることがなく、周波数特性、信頼性の優れた弾性表面波
デバイスを高歩留まりで得ることができる。
法によれば、３層の金属薄膜を形成する場合に、第二お
よび第三の金属薄膜を第二および第三の金属薄膜を一
部、すなわちバス・バーとなる部分は残すようにして積
層・パターニングした後、第一の金属薄膜を櫛歯状電極
（ＩＤＴ）に加工するため、ＩＤＴの細いパターンの間
にパターニングに使用したレジストや金属膜片残渣が残
ることがなく、周波数特性、信頼性の優れた弾性表面波
デバイスを高歩留まりで得ることができる。
【００２７】本発明の弾性表面波デバイスの製造方法に
おいて、パターニング工程は、リフトオフ法によるもの
であることを特徴としている。
おいて、パターニング工程は、リフトオフ法によるもの
であることを特徴としている。
【００２８】本発明の弾性表面波デバイスの製造方法に
おいて、第一の金属薄膜を櫛歯状電極にパターニングす
る工程は櫛歯状電極を形成しない第一、第二および第三
の金属薄膜上にレジストを塗布して前記櫛歯状電極を形
成しない前記第一、第二および第三の金属薄膜を保護し
つつ、第一の金属薄膜をエッチングすることにより行わ
れることを特徴としている。
おいて、第一の金属薄膜を櫛歯状電極にパターニングす
る工程は櫛歯状電極を形成しない第一、第二および第三
の金属薄膜上にレジストを塗布して前記櫛歯状電極を形
成しない前記第一、第二および第三の金属薄膜を保護し
つつ、第一の金属薄膜をエッチングすることにより行わ
れることを特徴としている。
【００２９】リフトオフ法とは、配線部以外の基板上に
予めフォトレジスト膜をつけておき、その上に金属膜を
付着させた後、フォトレジストの除去とともに配線部以
外の金属膜を除去して所望のパターンを形成する方法で
ある。本発明によれば、リフトオフ法を用いて、第二、
または第二および第三の金属薄膜を配線部、接合部に形
成してなる弾性表面波デバイスを製造することができ
る。
予めフォトレジスト膜をつけておき、その上に金属膜を
付着させた後、フォトレジストの除去とともに配線部以
外の金属膜を除去して所望のパターンを形成する方法で
ある。本発明によれば、リフトオフ法を用いて、第二、
または第二および第三の金属薄膜を配線部、接合部に形
成してなる弾性表面波デバイスを製造することができ
る。
【００３０】本発明の弾性表面波デバイスの製造方法に
おいて、第一、第二および／または第三の金属薄膜は、
アルミニウムまたはアルミニウム合金であることを特徴
としている。
おいて、第一、第二および／または第三の金属薄膜は、
アルミニウムまたはアルミニウム合金であることを特徴
としている。
【００３１】アルミニウム合金としては、Ａｌ−Ｃｕ等
が挙げられる。
が挙げられる。
【００３２】本発明において、アルミニウムおよびアル
ミニウム合金は、アルミニウムの電気的、機械的および
化学的性質が保たれる範囲で、必要に応じて、例えば、
銅を０．５重量％と、少量の他の元素を添加させたもの
も含んでいてもよい。
ミニウム合金は、アルミニウムの電気的、機械的および
化学的性質が保たれる範囲で、必要に応じて、例えば、
銅を０．５重量％と、少量の他の元素を添加させたもの
も含んでいてもよい。
【００３３】本発明の弾性表面波デバイスの製造方法に
おいて、圧電性基板は、焦電特性を有していることを特
徴としている。
おいて、圧電性基板は、焦電特性を有していることを特
徴としている。
【００３４】本発明によれば、ＩＤＴのパターニング
を、リフトオフプロセスによる最後の金属薄膜のパター
ニング後に行うことにより、最初と最後の金属薄膜パタ
ーニング用のレジストベーク時にはウエハ上の金属薄膜
パターンが全てつながっており、同電位であるため、加
熱工程で焦電気が発生してもパターン間にスパークが生
じることなく、ＩＤＴの破壊を防止することができる。
を、リフトオフプロセスによる最後の金属薄膜のパター
ニング後に行うことにより、最初と最後の金属薄膜パタ
ーニング用のレジストベーク時にはウエハ上の金属薄膜
パターンが全てつながっており、同電位であるため、加
熱工程で焦電気が発生してもパターン間にスパークが生
じることなく、ＩＤＴの破壊を防止することができる。
【００３５】また、ダストを発生するリフトオフ工程時
にＩＤＴのファインパターンがないため、ＩＤＴの細い
パターンの間にレジスト、金属薄膜片等の残渣が残って
しまうこともない。
にＩＤＴのファインパターンがないため、ＩＤＴの細い
パターンの間にレジスト、金属薄膜片等の残渣が残って
しまうこともない。
【００３６】この結果、従来の製造方法では形成困難で
あった２層以上の金属薄膜を有する弾性表面波デバイス
を焦電性基板上に高歩留まりで形成することができる。
あった２層以上の金属薄膜を有する弾性表面波デバイス
を焦電性基板上に高歩留まりで形成することができる。
【００３７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の２層の金属薄膜を
有する弾性表面波デバイスの製造方法を、図１を参照し
て説明する。
有する弾性表面波デバイスの製造方法を、図１を参照し
て説明する。
【００３８】まず図１（ａ）に示す圧電性基板（１０
１）、例えば、ＬｉＴａＯ3 、ＬｉＮｂＯ3 等の圧電性
基板上にＡｌまたはＡｌ合金薄膜からなる第一の金属薄
膜（１０２）をスパッタ法などにより成膜する（ｂ）。
１）、例えば、ＬｉＴａＯ3 、ＬｉＮｂＯ3 等の圧電性
基板上にＡｌまたはＡｌ合金薄膜からなる第一の金属薄
膜（１０２）をスパッタ法などにより成膜する（ｂ）。
【００３９】次にＡｌからなる第二の金属薄膜（１０
３）をパターニングするためにレジスト（１０５）を形
成する（ｃ）。
３）をパターニングするためにレジスト（１０５）を形
成する（ｃ）。
【００４０】そして、第二の金属薄膜（１０３）を除去
したいエリアのみ残すようにして、このレジスト（１０
５）を露光・現像によりパターニングする（ｄ）。
したいエリアのみ残すようにして、このレジスト（１０
５）を露光・現像によりパターニングする（ｄ）。
【００４１】次に第一の金属薄膜（１０２）およびレジ
スト（１０５）の上から第二の金属薄膜（１０３）を蒸
着法などにより成膜する（ｅ）。
スト（１０５）の上から第二の金属薄膜（１０３）を蒸
着法などにより成膜する（ｅ）。
【００４２】その後、第一の金属薄膜（１０２）とバス
・バーとなる部分の第二の金属薄膜（１０３）を残し
て、それ以外の第二の金属薄膜（１０３）とレジスト
（１０５）をリフトオフする（ｆ） 第二の金属薄膜（１０３）をパターニング後に、レジス
ト（１０４）を形成・パタ−ニングし（ｇ）、このレジ
スト（１０４）をマスクとしてＳｉＣｌ4 を用いたエッ
チング、ドライエッチング、リン酸をベースとした混酸
を用いたウェットエッチング等により第一の金属薄膜
（１０２）をＩＤＴおよびその他の所望の形状にパター
ニングする（ｈ）。
・バーとなる部分の第二の金属薄膜（１０３）を残し
て、それ以外の第二の金属薄膜（１０３）とレジスト
（１０５）をリフトオフする（ｆ） 第二の金属薄膜（１０３）をパターニング後に、レジス
ト（１０４）を形成・パタ−ニングし（ｇ）、このレジ
スト（１０４）をマスクとしてＳｉＣｌ4 を用いたエッ
チング、ドライエッチング、リン酸をベースとした混酸
を用いたウェットエッチング等により第一の金属薄膜
（１０２）をＩＤＴおよびその他の所望の形状にパター
ニングする（ｈ）。
【００４３】最後にレジスト（１０４）を剥離する
（ｉ）ことにより、図３に示すように配線部、接合部が
第一（１０２）、第二（１０３）の金属薄膜の２層構造
を有する弾性表面波デバイスを得ることができる。
（ｉ）ことにより、図３に示すように配線部、接合部が
第一（１０２）、第二（１０３）の金属薄膜の２層構造
を有する弾性表面波デバイスを得ることができる。
【００４４】尚、ＩＤＴの配線部、接合部における第一
の金属薄膜の形成高さは約７０〜４００ｎｍであって、
第一の金属薄膜と第二の金属薄膜を合わせた形成高さは
５００ｎｍ以上となる。
の金属薄膜の形成高さは約７０〜４００ｎｍであって、
第一の金属薄膜と第二の金属薄膜を合わせた形成高さは
５００ｎｍ以上となる。
【００４５】次に、本発明の他の実施例として、３層の
金属薄膜を有する弾性表面波デバイスの製造方法を図２
を参照して説明する。
金属薄膜を有する弾性表面波デバイスの製造方法を図２
を参照して説明する。
【００４６】まず図２（ａ）に示す圧電性基板（２０
１）、例えば、ＬｉＴａＯ3 、ＬｉＮｂＯ3 等の圧電性
基板上にＡｌまたはＡｌ合金薄膜からなる第一の金属薄
膜（２０２）をスパッタ法などにより成膜する（ｂ）。
１）、例えば、ＬｉＴａＯ3 、ＬｉＮｂＯ3 等の圧電性
基板上にＡｌまたはＡｌ合金薄膜からなる第一の金属薄
膜（２０２）をスパッタ法などにより成膜する（ｂ）。
【００４７】次にＡｌからなる第二の金属薄膜（２０
３）をパターニングするためにレジスト（２０５）を形
成する（ｃ）。
３）をパターニングするためにレジスト（２０５）を形
成する（ｃ）。
【００４８】そして、第二の金属薄膜（２０３）を除去
したいエリアのみ残すようにして、このレジスト（２０
５）を露光・現像によりパターニングする（ｄ）。
したいエリアのみ残すようにして、このレジスト（２０
５）を露光・現像によりパターニングする（ｄ）。
【００４９】次に第一の金属薄膜（２０２）およびレジ
スト（２０５）の上から第二の金属薄膜（２０３）を蒸
着法などにより成膜する（ｅ）。
スト（２０５）の上から第二の金属薄膜（２０３）を蒸
着法などにより成膜する（ｅ）。
【００５０】その後、第一の金属薄膜（２０２）とバス
・バーとなる部分の第二の金属薄膜（２０３）を残し
て、それ以外の第二の金属薄膜（２０３）とレジスト
（２０５）をリフトオフする（ｆ）。
・バーとなる部分の第二の金属薄膜（２０３）を残し
て、それ以外の第二の金属薄膜（２０３）とレジスト
（２０５）をリフトオフする（ｆ）。
【００５１】次にＡｌからなる第三の金属薄膜（２０
４）をパターニングするためのレジスト（２０６）を形
成し、第三の金属薄膜（２０３）を除去したいエリアの
み残すようにして、このレジスト（２０６）を露光・現
像によりパターニングする（ｇ）。
４）をパターニングするためのレジスト（２０６）を形
成し、第三の金属薄膜（２０３）を除去したいエリアの
み残すようにして、このレジスト（２０６）を露光・現
像によりパターニングする（ｇ）。
【００５２】次に第二の金属薄膜（２０３）およびレジ
スト（２０６）の上から第三の金属薄膜（２０４）を蒸
着法などにより成膜する（ｈ）。
スト（２０６）の上から第三の金属薄膜（２０４）を蒸
着法などにより成膜する（ｈ）。
【００５３】その後、第一の金属薄膜（２０２）、前工
程で残された第二の金属薄膜（２０３）およびバス・バ
ーとなる部分の第三の金属薄膜（２０４）を残して、そ
れ以外の第三の金属薄膜（２０４）とレジスト（２０
６）をリフトオフする（ｉ）。
程で残された第二の金属薄膜（２０３）およびバス・バ
ーとなる部分の第三の金属薄膜（２０４）を残して、そ
れ以外の第三の金属薄膜（２０４）とレジスト（２０
６）をリフトオフする（ｉ）。
【００５４】このようにして、第三の金属薄膜（２０
６）をパターニング後に、レジスト（２０７）を形成・
パタ−ニングし（ｊ）、このレジスト（２０７）をマス
クとしてドライエッチング・ウェットエッチング等によ
り第一の金属薄膜（２０２）をＩＤＴおよびその他の所
望の形状にパターニングする（ｋ）。
６）をパターニング後に、レジスト（２０７）を形成・
パタ−ニングし（ｊ）、このレジスト（２０７）をマス
クとしてドライエッチング・ウェットエッチング等によ
り第一の金属薄膜（２０２）をＩＤＴおよびその他の所
望の形状にパターニングする（ｋ）。
【００５５】最後にレジスト（２０７）を剥離する
（ｌ）ことにより、図３に示すように配線部、接合部が
第一（２０２）、第二（２０３）および第三（２０６）
の金属薄膜の３層構造を有する弾性表面波デバイスを得
ることができる。
（ｌ）ことにより、図３に示すように配線部、接合部が
第一（２０２）、第二（２０３）および第三（２０６）
の金属薄膜の３層構造を有する弾性表面波デバイスを得
ることができる。
【００５６】尚、ＩＤＴの配線部、接合部における第一
の金属薄膜の形成高さは約７０〜４００ｎｍであって、
第一の金属薄膜と第二、第三の金属薄膜を合わせた形成
高さは５００ｎｍ以上となる。
の金属薄膜の形成高さは約７０〜４００ｎｍであって、
第一の金属薄膜と第二、第三の金属薄膜を合わせた形成
高さは５００ｎｍ以上となる。
【００５７】このように、３層の金属薄膜を有する弾性
表面波デバイスについても、ＩＤＴを最後にパターニン
グすることにより、２層金属薄膜の場合と同様に配線
部、接合部が第一（２０２）、第二（２０３）および第
三（２０６）の金属薄膜の３層構造を有する弾性表面波
デバイスを得ることができる。
表面波デバイスについても、ＩＤＴを最後にパターニン
グすることにより、２層金属薄膜の場合と同様に配線
部、接合部が第一（２０２）、第二（２０３）および第
三（２０６）の金属薄膜の３層構造を有する弾性表面波
デバイスを得ることができる。
【００５８】
【発明の効果】本発明によれば、複数の金属薄膜を有す
る弾性表面波デバイスの製造方法において、圧電性基板
上に、最初の金属薄膜上にリフトオフプロセスにて最後
の金属薄膜を形成およぴパターニング後、最初の金属薄
膜をエッチングにて櫛歯状電極に加工することにより、
たとえ、焦電性の基板であっても、熱処理等にて焦電気
が発生してスパークによるＩＤＴ破壊を起こすことな
く、また、ＩＤＴの細いパターンの間にレジストや金属
薄膜片等の残渣が残ることもない。従って、周波数特
性、信頼性の優れた弾性表面波デバイスを高歩留まりで
得ることができる。
る弾性表面波デバイスの製造方法において、圧電性基板
上に、最初の金属薄膜上にリフトオフプロセスにて最後
の金属薄膜を形成およぴパターニング後、最初の金属薄
膜をエッチングにて櫛歯状電極に加工することにより、
たとえ、焦電性の基板であっても、熱処理等にて焦電気
が発生してスパークによるＩＤＴ破壊を起こすことな
く、また、ＩＤＴの細いパターンの間にレジストや金属
薄膜片等の残渣が残ることもない。従って、周波数特
性、信頼性の優れた弾性表面波デバイスを高歩留まりで
得ることができる。
【図１】本発明の弾性表面波デバイスの製造方法の一実
施例を示す断面図。
施例を示す断面図。
【図２】本発明の弾性表面波デバイスの製造方法の他の
実施例を示す断面図。
実施例を示す断面図。
【図３】本発明の弾性表面波デバイスの製造方法の一実
施例で作られたデバイスを示す概略図。
施例で作られたデバイスを示す概略図。
【図４】従来の弾性表面波デバイスの製造方法を示す断
面図。
面図。
１０１、２０１、４０１…圧電性基板 １０２、２０２、４０２…第一の金属薄膜 １０３、２０３、４０３…第二の金属薄膜 ２０４…第三の金属薄膜 １０４、１０５、２０５、２０６、２０７、４０４、４
０５…レジスト
０５…レジスト
Claims (9)
- 【請求項１】 圧電性基板上に複数の金属薄膜を積層さ
せて形成する工程と、前記複数の金属薄膜のうち最初に
形成された金属薄膜以外の金属薄膜を、パターニングす
る工程と、前記複数の金属薄膜のうち最初に形成された
金属薄膜を櫛歯状電極にパターニングする工程とを具備
する弾性表面波デバイスの製造方法。 - 【請求項２】 前記複数の金属薄膜のうち最初に形成さ
れた金属薄膜以外の金属薄膜をパターニングする工程
は、リフトオフ法によるものであることを特徴とする請
求項１記載の弾性表面波デバイスの製造方法。 - 【請求項３】 前記複数の金属薄膜のうち最初に形成さ
れた金属薄膜を櫛歯状電極にパターニングする工程は、
前記櫛歯状電極を形成しない前記複数の金属薄膜上にレ
ジストを塗布して前記櫛歯状電極を形成しない前記複数
の金属薄膜を保護しつつ、前記最初に形成された金属薄
膜をエッチングすることにより行われることを特徴とす
る請求項１記載の弾性表面波デバイスの製造方法。 - 【請求項４】 圧電性基板上に、第一の金属薄膜を形成
する工程と、前記第一の金属薄膜上に第二の金属薄膜を
積層させて形成する工程と、前記第二の金属薄膜を一部
残すようにしてパターニングする工程と、前記第一の金
属薄膜を櫛歯状電極にパターニングする工程とを具備す
ることを特徴とする弾性表面波デバイスの製造方法。 - 【請求項５】 圧電性基板上に、第一の金属薄膜を形成
する工程と、前記第一の金属薄膜上に第二および第三の
金属薄膜を積層させて形成する工程と、前記第二および
第三の金属薄膜を一部残すようにしてパターニングする
工程と、前記第一の金属薄膜を櫛歯状電極にパターニン
グする工程とを具備することを特徴とする弾性表面波デ
バイスの製造方法。 - 【請求項６】 前記第二の金属薄膜および／または第三
の金属薄膜の前記パターニング工程は、リフトオフ法に
よるものであることを特徴とする請求項４または５記載
の弾性表面波デバイスの製造方法。 - 【請求項７】 前記第一の金属薄膜を櫛歯状電極にパタ
ーニングする工程は前記櫛歯状電極を形成しない前記第
一、第二および第三の金属薄膜上にレジストを塗布して
前記櫛歯状電極を形成しない前記第一、第二および第三
の金属薄膜を保護しつつ、前記第一の金属薄膜をエッチ
ングすることにより行われることを特徴とする請求項４
または５記載の弾性表面波デバイスの製造方法。 - 【請求項８】 前記第一、第二および／または第三の金
属薄膜は、アルミニウムまたはアルミニウム合金である
ことを特徴とする請求項４または５記載の弾性表面波デ
バイスの製造方法。 - 【請求項９】 前記圧電性基板は、焦電特性を有してい
ることを特徴とする請求項１乃至３いずれか一項記載の
弾性表面波デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11739398A JPH11312942A (ja) | 1998-04-27 | 1998-04-27 | 弾性表面波デバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11739398A JPH11312942A (ja) | 1998-04-27 | 1998-04-27 | 弾性表面波デバイスの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11312942A true JPH11312942A (ja) | 1999-11-09 |
Family
ID=14710549
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11739398A Abandoned JPH11312942A (ja) | 1998-04-27 | 1998-04-27 | 弾性表面波デバイスの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11312942A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1097670A2 (en) | 1999-11-02 | 2001-05-09 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Method and apparatus for displaying fluorescence information |
| KR100688270B1 (ko) | 2005-01-26 | 2007-03-02 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 절연화 처리전 기판, 기판의 제조 방법, 탄성 표면파진동자의 제조 방법, 탄성 표면파 진동자, 탄성 표면파장치, 및 전자기기 |
| JP2008199635A (ja) * | 2008-03-07 | 2008-08-28 | Yamajiyu Ceramics:Kk | 圧電基板用単結晶を用いた弾性表面波フィルタおよびその製造方法 |
| JP2022028566A (ja) * | 2020-08-03 | 2022-02-16 | 三安ジャパンテクノロジー株式会社 | 弾性波デバイス |
-
1998
- 1998-04-27 JP JP11739398A patent/JPH11312942A/ja not_active Abandoned
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1097670A2 (en) | 1999-11-02 | 2001-05-09 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Method and apparatus for displaying fluorescence information |
| KR100688270B1 (ko) | 2005-01-26 | 2007-03-02 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 절연화 처리전 기판, 기판의 제조 방법, 탄성 표면파진동자의 제조 방법, 탄성 표면파 진동자, 탄성 표면파장치, 및 전자기기 |
| JP2008199635A (ja) * | 2008-03-07 | 2008-08-28 | Yamajiyu Ceramics:Kk | 圧電基板用単結晶を用いた弾性表面波フィルタおよびその製造方法 |
| JP2022028566A (ja) * | 2020-08-03 | 2022-02-16 | 三安ジャパンテクノロジー株式会社 | 弾性波デバイス |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4008264B2 (ja) | 共振器の製造方法 | |
| JP3703437B2 (ja) | 共振器の製造方法 | |
| JP4451587B2 (ja) | 共振器の製造方法 | |
| JP4008265B2 (ja) | 共振器の製造方法 | |
| JP3925133B2 (ja) | 弾性表面波装置の製造方法及び弾性表面波装置 | |
| US7479852B2 (en) | Method for manufacturing surface acoustic wave device and surface acoustic wave device | |
| JP3368885B2 (ja) | 弾性表面波装置の製造方法 | |
| JP5766457B2 (ja) | 弾性波デバイス及びその製造方法 | |
| JP2002344270A (ja) | 共振器の製造方法 | |
| JP2002359539A (ja) | 共振器の製造方法及び共振器 | |
| JP3470031B2 (ja) | 弾性表面波装置の製造方法 | |
| JP2000341068A (ja) | 弾性表面波装置及び弾性表面波装置の製造方法 | |
| JP5275153B2 (ja) | 弾性波デバイスの製造方法 | |
| US20080222864A1 (en) | Method for forming a multi-frequency surface acoustic wave device | |
| EP1521362B1 (en) | Method of producing surface acoustic wave device and the surface acoustic wave device | |
| JP2006217517A (ja) | 弾性表面波素子および通信装置 | |
| JP2007142491A (ja) | 弾性表面波装置の製造方法及び弾性表面波装置 | |
| JPH11312942A (ja) | 弾性表面波デバイスの製造方法 | |
| JP2000138553A (ja) | 弾性表面波フィルタ及びその製造方法 | |
| JP2002374137A (ja) | 弾性表面波装置の製造方法、弾性表面波装置、およびこれを搭載した通信装置 | |
| JP3172124B2 (ja) | 弾性表面波装置およびその製造方法 | |
| JP4731026B2 (ja) | 弾性表面波装置の製造方法 | |
| JP4311249B2 (ja) | 弾性波装置の製造方法 | |
| JP2005244359A (ja) | 弾性表面波装置、ラダー型フィルタ、及び共振子型フィルタ | |
| JPH0998043A (ja) | 弾性表面波デバイスおよびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20050406 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20070614 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20070703 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A762 | Written abandonment of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 Effective date: 20070829 |