JP3368885B2 - 弾性表面波装置の製造方法 - Google Patents
弾性表面波装置の製造方法Info
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- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、同一圧電基板上に
電極膜厚が異なる複数の弾性表面波素子を形成してなる
弾性表面波装置の製造方法に関し、例えば、圧電基板上
に帯域の異なる複数の弾性表面波フィルタ素子が構成さ
れている弾性表面波装置の製造方法に関する。
電極膜厚が異なる複数の弾性表面波素子を形成してなる
弾性表面波装置の製造方法に関し、例えば、圧電基板上
に帯域の異なる複数の弾性表面波フィルタ素子が構成さ
れている弾性表面波装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、携帯電話などの移動体通信機器で
は、高機能化を図るために、マルチバンド対応の機器が
検討されている。また、携帯電話においては、伝送周波
数の高周波化が進んでいる。
は、高機能化を図るために、マルチバンド対応の機器が
検討されている。また、携帯電話においては、伝送周波
数の高周波化が進んでいる。
【０００３】そのため、例えば、８００ＭＨｚ帯の携帯
電話と、１．５ＧＨｚ以上の周波数域を用いた携帯電話
を共用し得る携帯電話装置においては、２つの異なる周
波数のそれぞれに対応したＲＦ用バンドパスフィルタが
必要である。
電話と、１．５ＧＨｚ以上の周波数域を用いた携帯電話
を共用し得る携帯電話装置においては、２つの異なる周
波数のそれぞれに対応したＲＦ用バンドパスフィルタが
必要である。
【０００４】この種の携帯電話機などの端末装置の小型
化及び軽量化を図るには、搭載される部品の小型化を図
る必要がある。しかしながら、部品の小型化に限界があ
るため、１つの部品に、２つのＲＦ用バンドパスフィル
タの機能を持たせることが強く望まれている。
化及び軽量化を図るには、搭載される部品の小型化を図
る必要がある。しかしながら、部品の小型化に限界があ
るため、１つの部品に、２つのＲＦ用バンドパスフィル
タの機能を持たせることが強く望まれている。
【０００５】特開平１０−１９０３９０号公報には、同
一圧電基板上に複数の弾性表面波フィルタ素子を構成し
てなる弾性表面波装置の製造方法が開示されている。図
１０（ａ）〜（ｅ）は、上記先行技術に記載の弾性表面
波装置の製造方法を示す断面図である。この先行技術に
記載の方法では、圧電基板１０３上に導電膜１０４を形
成し、導電膜１０４上に全面にレジストを形成する。次
に、このレジストをパターニングすることにより、レジ
スト層１０５を形成する（図１０（ａ））。そして、ド
ライエッチングにより、第１の弾性表面波素子の電極１
０１ａを形成する（図１０（ｂ））。しかる後、全面に
レジストを付与し、さらにレジストをパターニングする
ことにより、第２の弾性表面波素子が設けられている部
分においてレジスト層１０６′を形成する。この場合、
第１の弾性表面波素子が設けられる部分はレジスト層１
０６により被覆されている（図１０（ｃ））。さらに、
図１０（ｄ）及び（ｅ）に示すように、全面に導電膜１
０７を形成し、レジスト層１０６，１０６′とその上に
積層されている導電膜１０７をリフトオフすることによ
り第２の弾性表面波素子の電極１０２ａが形成される。
一圧電基板上に複数の弾性表面波フィルタ素子を構成し
てなる弾性表面波装置の製造方法が開示されている。図
１０（ａ）〜（ｅ）は、上記先行技術に記載の弾性表面
波装置の製造方法を示す断面図である。この先行技術に
記載の方法では、圧電基板１０３上に導電膜１０４を形
成し、導電膜１０４上に全面にレジストを形成する。次
に、このレジストをパターニングすることにより、レジ
スト層１０５を形成する（図１０（ａ））。そして、ド
ライエッチングにより、第１の弾性表面波素子の電極１
０１ａを形成する（図１０（ｂ））。しかる後、全面に
レジストを付与し、さらにレジストをパターニングする
ことにより、第２の弾性表面波素子が設けられている部
分においてレジスト層１０６′を形成する。この場合、
第１の弾性表面波素子が設けられる部分はレジスト層１
０６により被覆されている（図１０（ｃ））。さらに、
図１０（ｄ）及び（ｅ）に示すように、全面に導電膜１
０７を形成し、レジスト層１０６，１０６′とその上に
積層されている導電膜１０７をリフトオフすることによ
り第２の弾性表面波素子の電極１０２ａが形成される。
【０００６】この先行技術によれば、第１の電子部品素
子の電極をレジストで保護した状態で、第２の電子部品
素子の電極をフォトリソグラフィ及びエッチングにより
形成するため、第１，第２の電子部品素子の電極の形成
に際し、高い精度が要求されない。従って、弾性表面波
装置の製造に適用した場合、電極指の幅が１μｍ程度と
非常に細い場合であっても、製造に際しての良品率を高
め得ることができるとされている。
子の電極をレジストで保護した状態で、第２の電子部品
素子の電極をフォトリソグラフィ及びエッチングにより
形成するため、第１，第２の電子部品素子の電極の形成
に際し、高い精度が要求されない。従って、弾性表面波
装置の製造に適用した場合、電極指の幅が１μｍ程度と
非常に細い場合であっても、製造に際しての良品率を高
め得ることができるとされている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記先
行技術に記載の方法では、最初に第１の弾性表面波素子
の電極１０１ａを形成する際のドライエッチングによ
り、圧電基板１０３上の第２の弾性表面波素子が構成さ
れる領域もエッチングされる。すなわち、図１０（ｂ）
に矢印Ａで示す領域もドライエッチングにさらされる。
行技術に記載の方法では、最初に第１の弾性表面波素子
の電極１０１ａを形成する際のドライエッチングによ
り、圧電基板１０３上の第２の弾性表面波素子が構成さ
れる領域もエッチングされる。すなわち、図１０（ｂ）
に矢印Ａで示す領域もドライエッチングにさらされる。
【０００８】一般に、ＩＤＴ電極の電極指ピッチが１μ
ｍ程度以下である場合、ドライエッチングに際しては、
マイクロローディング現象により、微小ギャップ部が最
後にエッチングされる。また、ドライエッチングでは、
電極のエッチングが終了した後に、オーバーエッチング
するのが一般的である。
ｍ程度以下である場合、ドライエッチングに際しては、
マイクロローディング現象により、微小ギャップ部が最
後にエッチングされる。また、ドライエッチングでは、
電極のエッチングが終了した後に、オーバーエッチング
するのが一般的である。
【０００９】従って、第１の弾性表面波素子の電極１０
１ａを形成するに際し、矢印Ａで示した領域におけるエ
ッチングが先に終了するため、オーバーエッチングをも
含めて、矢印Ａで示す領域の圧電基板表面がドライエッ
チングに際して用いられるＦなどのプラズマにさらされ
る時間が長くなる。そのため、矢印Ａで示す基板表面が
比較的長時間プラズマにさらされるため、第２の弾性表
面波素子の挿入損失が劣化し、ＶＳＷＲが大きくなると
いう問題があった。
１ａを形成するに際し、矢印Ａで示した領域におけるエ
ッチングが先に終了するため、オーバーエッチングをも
含めて、矢印Ａで示す領域の圧電基板表面がドライエッ
チングに際して用いられるＦなどのプラズマにさらされ
る時間が長くなる。そのため、矢印Ａで示す基板表面が
比較的長時間プラズマにさらされるため、第２の弾性表
面波素子の挿入損失が劣化し、ＶＳＷＲが大きくなると
いう問題があった。
【００１０】また、矢印Ａで示す領域もエッチングされ
るので、被エッチング面積が大きくなり、マザーの圧電
基板から複数の弾性表面波装置を構成する場合、マザー
の圧電基板内における弾性表面波装置の特性ばらつきも
大きくなるという問題があった。また、上記先行技術に
記載の製造方法を、焦電性を有する圧電基板を用いた弾
性表面波装置の製造に適用した場合、以下のような問題
があった。
るので、被エッチング面積が大きくなり、マザーの圧電
基板から複数の弾性表面波装置を構成する場合、マザー
の圧電基板内における弾性表面波装置の特性ばらつきも
大きくなるという問題があった。また、上記先行技術に
記載の製造方法を、焦電性を有する圧電基板を用いた弾
性表面波装置の製造に適用した場合、以下のような問題
があった。
【００１１】すなわち、一般に、レジストを付与する場
合、レジストパターンの密着性及び耐プラズマ性の向上
を目的として、レジストを加熱することが多い。ところ
が、焦電性を有する圧電基板を用いた場合、上記レジス
トの加熱時の温度変化により、第１の弾性表面波素子の
ＩＤＴ電極を構成している一対のくし歯電極間に電位差
が発生し、放電が生じる。この放電により、電極の焦電
破壊が生じることがあった。また、焦電破壊が起こらな
い微小な放電であっても、レジストが破れ、弾性表面波
素子の電極を構成するためのリフトオフ工程後に第１の
弾性表面波素子のＩＤＴ電極が短絡することがあった。
合、レジストパターンの密着性及び耐プラズマ性の向上
を目的として、レジストを加熱することが多い。ところ
が、焦電性を有する圧電基板を用いた場合、上記レジス
トの加熱時の温度変化により、第１の弾性表面波素子の
ＩＤＴ電極を構成している一対のくし歯電極間に電位差
が発生し、放電が生じる。この放電により、電極の焦電
破壊が生じることがあった。また、焦電破壊が起こらな
い微小な放電であっても、レジストが破れ、弾性表面波
素子の電極を構成するためのリフトオフ工程後に第１の
弾性表面波素子のＩＤＴ電極が短絡することがあった。
【００１２】本発明の目的は、上述した従来技術の欠点
を解消し、同一圧電基板上に厚みが異なる電極を用いて
構成された複数の弾性表面波素子を構成するにあたり、
焦電性を有する圧電基板を用いた場合であっても短絡等
が発生し難く、かつ後に形成される弾性表面波素子の電
極形成領域における圧電基板の劣化が生じ難く、挿入損
失やＶＳＷＲ特性の劣化が生じ難い、弾性表面波装置の
製造方法を提供することにある。
を解消し、同一圧電基板上に厚みが異なる電極を用いて
構成された複数の弾性表面波素子を構成するにあたり、
焦電性を有する圧電基板を用いた場合であっても短絡等
が発生し難く、かつ後に形成される弾性表面波素子の電
極形成領域における圧電基板の劣化が生じ難く、挿入損
失やＶＳＷＲ特性の劣化が生じ難い、弾性表面波装置の
製造方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本願の第１の発明は、圧
電基板上に電極膜厚の異なる第１，第２の弾性表面波素
子を構成してなり、各弾性表面波素子が少なくとも一対
のくし歯電極からなるＩＤＴ電極を有する弾性表面波装
置の製造方法であって、前記圧電基板上の全面に第１の
導電膜を形成する工程と、前記第１の導電膜上の全面に
第１のレジストを付与する工程と、前記第１のレジスト
をパターニングしてドライエッチングにより、前記圧電
基板上に、第１の弾性表面波素子のＩＤＴ電極と、ＩＤ
Ｔ電極のくし歯電極間を電気的に接続する短絡用配線電
極と、第２の弾性表面波素子の構成される部分全体を含
む領域に配置された導電膜とを形成する工程と、湿式エ
ッチングにより前記第２の弾性表面波素子が構成される
部分全体を含む領域に配置された導電膜を除去する工程
と、次に、圧電基板上の全面に第２のレジストを付与
し、加熱する工程と、第２の弾性表面波素子の電極が形
成される部分において第２のレジストを除去する工程
と、前記第２の弾性表面波素子の電極膜厚と等しい膜厚
の第２の導電膜を全面に形成する工程と、前記第２のレ
ジスト及び第２のレジスト上に付与されている第２の導
電膜をリフトオフし、第２の弾性表面波素子の電極を形
成すると共に第１の弾性表面波素子の電極を露出させる
工程と、前記第１の弾性表面波素子における前記短絡用
配線電極を切断する工程とを備えることを特徴とする。
電基板上に電極膜厚の異なる第１，第２の弾性表面波素
子を構成してなり、各弾性表面波素子が少なくとも一対
のくし歯電極からなるＩＤＴ電極を有する弾性表面波装
置の製造方法であって、前記圧電基板上の全面に第１の
導電膜を形成する工程と、前記第１の導電膜上の全面に
第１のレジストを付与する工程と、前記第１のレジスト
をパターニングしてドライエッチングにより、前記圧電
基板上に、第１の弾性表面波素子のＩＤＴ電極と、ＩＤ
Ｔ電極のくし歯電極間を電気的に接続する短絡用配線電
極と、第２の弾性表面波素子の構成される部分全体を含
む領域に配置された導電膜とを形成する工程と、湿式エ
ッチングにより前記第２の弾性表面波素子が構成される
部分全体を含む領域に配置された導電膜を除去する工程
と、次に、圧電基板上の全面に第２のレジストを付与
し、加熱する工程と、第２の弾性表面波素子の電極が形
成される部分において第２のレジストを除去する工程
と、前記第２の弾性表面波素子の電極膜厚と等しい膜厚
の第２の導電膜を全面に形成する工程と、前記第２のレ
ジスト及び第２のレジスト上に付与されている第２の導
電膜をリフトオフし、第２の弾性表面波素子の電極を形
成すると共に第１の弾性表面波素子の電極を露出させる
工程と、前記第１の弾性表面波素子における前記短絡用
配線電極を切断する工程とを備えることを特徴とする。
【００１４】第１の発明では、第１の弾性表面波素子の
電極がドライエッチングにより形成されるが、この工程
の間、第２の弾性表面波素子が構成される領域が、上記
のように第１のレジスト及び上記電極膜で保護され、ド
ライエッチング後に湿式エッチングにより上記電極膜が
除去される。従って、第２の弾性表面波素子が構成され
る圧電基板部分の劣化を抑制することができる。
電極がドライエッチングにより形成されるが、この工程
の間、第２の弾性表面波素子が構成される領域が、上記
のように第１のレジスト及び上記電極膜で保護され、ド
ライエッチング後に湿式エッチングにより上記電極膜が
除去される。従って、第２の弾性表面波素子が構成され
る圧電基板部分の劣化を抑制することができる。
【００１５】本願の第２の発明は、圧電基板上に電極膜
厚の異なる第１，第２の弾性表面波素子を構成してな
り、各弾性表面波素子が少なくとも一対のくし歯電極か
らなるＩＤＴ電極を有する弾性表面波装置の製造方法で
あって、圧電基板上の全面に第１のレジストを付与する
工程と、第１の弾性表面波素子の電極が形成されるべき
部分上、及び該第１の弾性表面波素子のＩＤＴ電極のく
し歯電極間を短絡させるための配線電極が形成されるべ
き部分上の第１のレジストを除去する工程と、第１の弾
性表面波素子の電極膜厚と等しい膜厚の第１の導電膜を
全面に形成する工程と、前記第１のレジスト及び第１の
レジスト上に付与されている第１の導電膜をリフトオフ
し、第１の弾性表面波素子の電極及び前記配線電極を形
成する工程と、次に、前記圧電基板上の全面に第２のレ
ジストを付与し、加熱する工程と、前記第２の弾性表面
波素子の電極が形成される部分上の第２のレジストを除
去する工程と、第２の弾性表面波素子の電極膜厚と等し
い膜厚の第２の導電膜を全面に付与する工程と、第２の
レジスト及び第２のレジスト上に付与されている第２の
導電膜をリフトオフし、第２の弾性表面波素子の電極を
形成する工程と、第１の弾性表面波素子における前記短
絡用配線電極を切断する工程とを備えることを特徴とす
る。
厚の異なる第１，第２の弾性表面波素子を構成してな
り、各弾性表面波素子が少なくとも一対のくし歯電極か
らなるＩＤＴ電極を有する弾性表面波装置の製造方法で
あって、圧電基板上の全面に第１のレジストを付与する
工程と、第１の弾性表面波素子の電極が形成されるべき
部分上、及び該第１の弾性表面波素子のＩＤＴ電極のく
し歯電極間を短絡させるための配線電極が形成されるべ
き部分上の第１のレジストを除去する工程と、第１の弾
性表面波素子の電極膜厚と等しい膜厚の第１の導電膜を
全面に形成する工程と、前記第１のレジスト及び第１の
レジスト上に付与されている第１の導電膜をリフトオフ
し、第１の弾性表面波素子の電極及び前記配線電極を形
成する工程と、次に、前記圧電基板上の全面に第２のレ
ジストを付与し、加熱する工程と、前記第２の弾性表面
波素子の電極が形成される部分上の第２のレジストを除
去する工程と、第２の弾性表面波素子の電極膜厚と等し
い膜厚の第２の導電膜を全面に付与する工程と、第２の
レジスト及び第２のレジスト上に付与されている第２の
導電膜をリフトオフし、第２の弾性表面波素子の電極を
形成する工程と、第１の弾性表面波素子における前記短
絡用配線電極を切断する工程とを備えることを特徴とす
る。
【００１６】第２の発明においては、第１の弾性表面波
素子の電極がまずリフトオフ法を用いて形成され、その
間第２の弾性表面波素子が構成される領域がレジストで
飽和されているため、第２の弾性表面波素子が構成され
る領域の圧電基板の劣化が抑制される。
素子の電極がまずリフトオフ法を用いて形成され、その
間第２の弾性表面波素子が構成される領域がレジストで
飽和されているため、第２の弾性表面波素子が構成され
る領域の圧電基板の劣化が抑制される。
【００１７】また、第１，第２の発明に係る製造方法で
は、第１の弾性表面波素子の電極だけでなく、第１の弾
性表面波素子のＩＤＴ電極の入出力端子とアース端子と
が短絡用配線電極により接続された状態で以後の工程が
行われ、最終的に短絡用配線が切断される。従って、途
中でレジストが加熱されても、焦電効果による第１の弾
性表面波素子のＩＤＴ電極の短絡等が生じ難い。
は、第１の弾性表面波素子の電極だけでなく、第１の弾
性表面波素子のＩＤＴ電極の入出力端子とアース端子と
が短絡用配線電極により接続された状態で以後の工程が
行われ、最終的に短絡用配線が切断される。従って、途
中でレジストが加熱されても、焦電効果による第１の弾
性表面波素子のＩＤＴ電極の短絡等が生じ難い。
【００１８】本願の第３の発明は、圧電基板上に電極膜
厚が異なる第１，第２の弾性表面波素子を構成してな
り、各弾性表面波素子が少なくとも一対のくし歯電極か
らなるＩＤＴ電極を有する弾性表面波装置の製造方法で
あって、圧電基板上の全面に第１のレジストを付与する
工程と、第１，第２の弾性表面波素子の電極が形成され
るべき部分上において第１のレジストを除去する工程
と、第２の弾性表面波素子の電極膜厚と等しい膜厚の第
１の導電膜を全面に形成する工程と、次に、全面に第２
のレジストを付与する工程と、第２の弾性表面波素子が
構成される領域以外において、少なくとも第１の弾性表
面波素子の電極が形成される部分上の第２のレジストを
除去する工程と、第１の弾性表面波素子の電極膜厚と等
しい膜厚の第２の導電膜を全面に付与する工程と、第
１，第２のレジスト及び第１，第２のレジスト上に積層
されている導電膜を同時にリフトオフする工程とを備え
ることを特徴とする。
厚が異なる第１，第２の弾性表面波素子を構成してな
り、各弾性表面波素子が少なくとも一対のくし歯電極か
らなるＩＤＴ電極を有する弾性表面波装置の製造方法で
あって、圧電基板上の全面に第１のレジストを付与する
工程と、第１，第２の弾性表面波素子の電極が形成され
るべき部分上において第１のレジストを除去する工程
と、第２の弾性表面波素子の電極膜厚と等しい膜厚の第
１の導電膜を全面に形成する工程と、次に、全面に第２
のレジストを付与する工程と、第２の弾性表面波素子が
構成される領域以外において、少なくとも第１の弾性表
面波素子の電極が形成される部分上の第２のレジストを
除去する工程と、第１の弾性表面波素子の電極膜厚と等
しい膜厚の第２の導電膜を全面に付与する工程と、第
１，第２のレジスト及び第１，第２のレジスト上に積層
されている導電膜を同時にリフトオフする工程とを備え
ることを特徴とする。
【００１９】第３の発明の特定の局面では、上記第１の
レジストとしてネガ型レジストが用いられる。また、第
３の発明のさらに別の特定の局面では、第１のレジスト
としてポジ型レジストが、第２のレジストとしてネガ型
レジストが用いられ、さらに、リフトオフ工程におい
て、第１，第２のレジストを剥離するための剥離液が共
用されている。
レジストとしてネガ型レジストが用いられる。また、第
３の発明のさらに別の特定の局面では、第１のレジスト
としてポジ型レジストが、第２のレジストとしてネガ型
レジストが用いられ、さらに、リフトオフ工程におい
て、第１，第２のレジストを剥離するための剥離液が共
用されている。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ、本発明
の具体的な実施例を説明することにより、本発明を明ら
かにする。
の具体的な実施例を説明することにより、本発明を明ら
かにする。
【００２１】図１（ａ）〜（ｆ）は、本発明の一実施例
に係る弾性表面波装置の製造方法を説明するための各断
面図である。本実施例では、図１（ｆ）に断面図で略図
的に示す弾性表面波装置が製造される。図１（ｆ）に示
すように、この弾性表面波装置では、圧電基板３上に、
電極１ａが形成された弾性表面波フィルタ素子１と、電
極２ａを形成することにより構成された第２の弾性表面
波フィルタ素子２とが形成されている。
に係る弾性表面波装置の製造方法を説明するための各断
面図である。本実施例では、図１（ｆ）に断面図で略図
的に示す弾性表面波装置が製造される。図１（ｆ）に示
すように、この弾性表面波装置では、圧電基板３上に、
電極１ａが形成された弾性表面波フィルタ素子１と、電
極２ａを形成することにより構成された第２の弾性表面
波フィルタ素子２とが形成されている。
【００２２】上記弾性表面波フィルタ素子１，２は、図
１では略図的に示したが、図２（ｄ）に示す平面形状を
有する。すなわち、圧電基板３上において、ＩＤＴ電極
１ａと、ＩＤＴ電極１ａの表面波伝搬方向両側に形成さ
れた反射器１ｃ，１ｄとを形成することにより第１の弾
性表面波フィルタ素子１が構成されている。また、同じ
く圧電基板３上に、ＩＤＴ電極２ａと、ＩＤＴ電極２ａ
の表面波伝搬方向両側に配置された反射器２ｃ，２ｄと
を形成することにより、第２の弾性表面波フィルタ素子
が構成されている。
１では略図的に示したが、図２（ｄ）に示す平面形状を
有する。すなわち、圧電基板３上において、ＩＤＴ電極
１ａと、ＩＤＴ電極１ａの表面波伝搬方向両側に形成さ
れた反射器１ｃ，１ｄとを形成することにより第１の弾
性表面波フィルタ素子１が構成されている。また、同じ
く圧電基板３上に、ＩＤＴ電極２ａと、ＩＤＴ電極２ａ
の表面波伝搬方向両側に配置された反射器２ｃ，２ｄと
を形成することにより、第２の弾性表面波フィルタ素子
が構成されている。
【００２３】なお、ＩＤＴ電極１ａの厚みは、ＩＤＴ電
極２ａの厚みよりも厚くされている。ＩＤＴ電極１ａ，
２ａは、それぞれ、互いに間挿し合う電極指を有する一
対のくし型電極からなる。また、弾性表面波フィルタ素
子１においては、配線電極１ｂが形成されている。配線
電極１ｂは、図２（ｄ）では、分断されているが、図２
（ｃ）に示す状態では、後述のように、ＩＤＴ電極１ａ
の双方のくし歯電極と反射器とに電気的に接続されてい
る。
極２ａの厚みよりも厚くされている。ＩＤＴ電極１ａ，
２ａは、それぞれ、互いに間挿し合う電極指を有する一
対のくし型電極からなる。また、弾性表面波フィルタ素
子１においては、配線電極１ｂが形成されている。配線
電極１ｂは、図２（ｄ）では、分断されているが、図２
（ｃ）に示す状態では、後述のように、ＩＤＴ電極１ａ
の双方のくし歯電極と反射器とに電気的に接続されてい
る。
【００２４】まず、図１（ａ）に示すように、圧電基板
３上に、第１の弾性表面波フィルタ素子１のＩＤＴ電極
１ａと等しい膜厚の導電膜４を全面に形成する。圧電基
板３としては、ＬｉＴａＯ3 、ＬｉＮｂＯ3 、水晶、四
硼酸リチウム、ランガサイトなどの圧電単結晶、あるい
はチタン酸ジルコン酸鉛系セラミックスのような圧電セ
ラミックスを用いて構成することができる。
３上に、第１の弾性表面波フィルタ素子１のＩＤＴ電極
１ａと等しい膜厚の導電膜４を全面に形成する。圧電基
板３としては、ＬｉＴａＯ3 、ＬｉＮｂＯ3 、水晶、四
硼酸リチウム、ランガサイトなどの圧電単結晶、あるい
はチタン酸ジルコン酸鉛系セラミックスのような圧電セ
ラミックスを用いて構成することができる。
【００２５】また、圧電基板３として、アルミナなどの
絶縁性材料からなる絶縁基板上に、ＺｎＯなどの圧電薄
膜を形成したものを用いてもよい。導電膜４は、Ａｌな
どの導電性材料により構成することができ、導電膜４の
形成方法については、蒸着、スパッタリングあるいはメ
ッキ等の適宜の方法を用いることができる。
絶縁性材料からなる絶縁基板上に、ＺｎＯなどの圧電薄
膜を形成したものを用いてもよい。導電膜４は、Ａｌな
どの導電性材料により構成することができ、導電膜４の
形成方法については、蒸着、スパッタリングあるいはメ
ッキ等の適宜の方法を用いることができる。
【００２６】次に、導電膜４の上面の全面にポジ型の第
１のフォトレジスト層を形成する。このフォトレジスト
層に、第１の弾性表面波フィルタ素子のＩＤＴ電極１ａ
の形状に応じた部分と、並びに第２の弾性表面波フィル
タ素子２の反射器をも含む全ての電極が形成される部分
を含む全領域とが遮蔽部とされているマスクを用いて第
１のフォトレジスト層を露光する。しかる後、露光され
たレジスト部分を除去する。
１のフォトレジスト層を形成する。このフォトレジスト
層に、第１の弾性表面波フィルタ素子のＩＤＴ電極１ａ
の形状に応じた部分と、並びに第２の弾性表面波フィル
タ素子２の反射器をも含む全ての電極が形成される部分
を含む全領域とが遮蔽部とされているマスクを用いて第
１のフォトレジスト層を露光する。しかる後、露光され
たレジスト部分を除去する。
【００２７】その結果、図１（ａ）に示すように、パタ
ーニングされたレジスト５が得られる。図１（ａ）から
明らかなように、弾性表面波フィルタ素子１のＩＤＴ電
極１ａ（図１（ｆ）参照）及び配線電極１ｂが形成され
る部分に応じた形状となるように、並びに図１（ａ）の
右側に示されているように、弾性表面波フィルタ素子２
の電極が形成されている全領域を含む領域にレジスト５
が残存するようにパターニングが行われている。
ーニングされたレジスト５が得られる。図１（ａ）から
明らかなように、弾性表面波フィルタ素子１のＩＤＴ電
極１ａ（図１（ｆ）参照）及び配線電極１ｂが形成され
る部分に応じた形状となるように、並びに図１（ａ）の
右側に示されているように、弾性表面波フィルタ素子２
の電極が形成されている全領域を含む領域にレジスト５
が残存するようにパターニングが行われている。
【００２８】次に、上記レジスト５を侵さないが、導電
膜４を除去し得るエッチャントを用いてエッチングを行
い、しかる後レジスト５を除去することにより、図１
（ｂ）に示すように、ＩＤＴ電極１ａ、配線電極１ｂ及
び導電膜２ｂが形成される。この状態の平面図を図２
（ａ）に示す。
膜４を除去し得るエッチャントを用いてエッチングを行
い、しかる後レジスト５を除去することにより、図１
（ｂ）に示すように、ＩＤＴ電極１ａ、配線電極１ｂ及
び導電膜２ｂが形成される。この状態の平面図を図２
（ａ）に示す。
【００２９】図１（ｂ）及び図２（ａ）から明らかなよ
うに、上記工程を経て、第１の弾性表面波フィルタ素子
１のＩＤＴ電極１ａ、反射器１ｃ，１ｄ、配線電極１ｂ
が形成される。また、弾性表面波フィルタ素子２側にお
いては、弾性表面波フィルタ素子２の電極が形成される
領域を含む全領域に導電膜２ｂが形成されている。な
お、上記エッチングは、Ｆ、Ｃｌなどのプラズマを用い
たドライエッチングにより行うことができる。
うに、上記工程を経て、第１の弾性表面波フィルタ素子
１のＩＤＴ電極１ａ、反射器１ｃ，１ｄ、配線電極１ｂ
が形成される。また、弾性表面波フィルタ素子２側にお
いては、弾性表面波フィルタ素子２の電極が形成される
領域を含む全領域に導電膜２ｂが形成されている。な
お、上記エッチングは、Ｆ、Ｃｌなどのプラズマを用い
たドライエッチングにより行うことができる。
【００３０】上記エッチングに際し、圧電基板３の第２
の弾性表面波フィルタ素子の電極が形成される領域は導
電膜２ｂで被覆されている。従って、導電膜２ｂで被覆
されている圧電基板３の上面部分が、上記ドライエッチ
ングに際して損傷を受け難い。
の弾性表面波フィルタ素子の電極が形成される領域は導
電膜２ｂで被覆されている。従って、導電膜２ｂで被覆
されている圧電基板３の上面部分が、上記ドライエッチ
ングに際して損傷を受け難い。
【００３１】次に、圧電基板３上に、ポジ型のフォトレ
ジストを全面に付与する。次に、第２の弾性表面波フィ
ルタ素子２が構成される側において、導電膜２ｂに相当
する領域が開口部とされているマスクをレジスト上に積
層し、露光する。露光されたレジスト部分を除去し、さ
らに導電膜２ｂを湿式エッチングにより除去する。さら
に、残存しているレジストを除去することにより、図１
（ｃ）に示すように、導電膜２ｂを除去することができ
る。導電膜２ｂの除去は、上記のように湿式エッチング
により行われるので、導電膜２ｂが形成されている領域
において圧電基板３の上面が損傷を受けることはほとん
どない。なお、この状態の平面図を、図２（ｂ）に示
す。
ジストを全面に付与する。次に、第２の弾性表面波フィ
ルタ素子２が構成される側において、導電膜２ｂに相当
する領域が開口部とされているマスクをレジスト上に積
層し、露光する。露光されたレジスト部分を除去し、さ
らに導電膜２ｂを湿式エッチングにより除去する。さら
に、残存しているレジストを除去することにより、図１
（ｃ）に示すように、導電膜２ｂを除去することができ
る。導電膜２ｂの除去は、上記のように湿式エッチング
により行われるので、導電膜２ｂが形成されている領域
において圧電基板３の上面が損傷を受けることはほとん
どない。なお、この状態の平面図を、図２（ｂ）に示
す。
【００３２】次に、圧電基板３上の全面にポジ型の第２
のフォトレジストを付与し、第２の弾性表面波フィルタ
素子２が構成される側において、ＩＤＴ電極や反射器等
の電極形成部分が開口部とされているマスクを該フォト
レジスト上に積層し、露光する。この段階で、フォトレ
ジストを加熱することにより、フォトレジストの密着性
及び耐熱性を高めることができる。
のフォトレジストを付与し、第２の弾性表面波フィルタ
素子２が構成される側において、ＩＤＴ電極や反射器等
の電極形成部分が開口部とされているマスクを該フォト
レジスト上に積層し、露光する。この段階で、フォトレ
ジストを加熱することにより、フォトレジストの密着性
及び耐熱性を高めることができる。
【００３３】また、上記配線電極１ｂにより、ＩＤＴ電
極１ａの一対のくし歯電極が短絡されているので、ＩＤ
Ｔ電極のくし歯電極間には放電が生じない。従って、Ｉ
ＤＴ電極１ａやレジストの破損のおそれが少ない。
極１ａの一対のくし歯電極が短絡されているので、ＩＤ
Ｔ電極のくし歯電極間には放電が生じない。従って、Ｉ
ＤＴ電極１ａやレジストの破損のおそれが少ない。
【００３４】より具体的には、上記配線電極１ｂは、入
出力パッド１３，１４及び反射器１ｄに接続されてい
る。なお、入出力パッド１３，１４はＩＤＴ電極１ａの
一方のくし歯電極にそれぞれ電気的に接続されている。
出力パッド１３，１４及び反射器１ｄに接続されてい
る。なお、入出力パッド１３，１４はＩＤＴ電極１ａの
一方のくし歯電極にそれぞれ電気的に接続されている。
【００３５】しかる後、露光されたレジスト部分を除去
することにより、図１（ｄ）に示すように、パターニン
グされた第２のフォトレジスト６が得られる。なお、図
１（ｄ）から明らかなように、第１の弾性表面波フィル
タ素子１側においては、ＩＤＴ電極１ａ及び配線電極１
ｂなどがパターニングされたフォトレジスト６により被
覆され、保護されている。また、第２の弾性表面波フィ
ルタ素子側においては、パターニングされたフォトレジ
スト６は、第２の弾性表面波フィルタ素子のＩＤＴ電極
２ａが形成される部分を除いて形成されている。しかる
後、図１（ｅ）に示すように、第２の弾性表面波フィル
タ素子２のＩＤＴ電極２ａに等しい膜厚の導電膜７を全
面に積層する。
することにより、図１（ｄ）に示すように、パターニン
グされた第２のフォトレジスト６が得られる。なお、図
１（ｄ）から明らかなように、第１の弾性表面波フィル
タ素子１側においては、ＩＤＴ電極１ａ及び配線電極１
ｂなどがパターニングされたフォトレジスト６により被
覆され、保護されている。また、第２の弾性表面波フィ
ルタ素子側においては、パターニングされたフォトレジ
スト６は、第２の弾性表面波フィルタ素子のＩＤＴ電極
２ａが形成される部分を除いて形成されている。しかる
後、図１（ｅ）に示すように、第２の弾性表面波フィル
タ素子２のＩＤＴ電極２ａに等しい膜厚の導電膜７を全
面に積層する。
【００３６】次に、フォトレジスト６上に付与されてい
る導電膜７をフォトレジスト６と共にリフトオフする。
この状態を図２（ｃ）に平面図で示す。上記のようにし
て、第２の弾性表面波フィルタ素子２側のＩＤＴ電極２
ａ、反射器２ｃ，２ｄ及び入出力パッド２３，２４が形
成される。
る導電膜７をフォトレジスト６と共にリフトオフする。
この状態を図２（ｃ）に平面図で示す。上記のようにし
て、第２の弾性表面波フィルタ素子２側のＩＤＴ電極２
ａ、反射器２ｃ，２ｄ及び入出力パッド２３，２４が形
成される。
【００３７】次に、図２（ｄ）に示すように、矢印Ｂで
示す部分において、配線電極１ｂを切断する。このよう
にして、図１（ｆ）に略図的に断面図で示し、図２
（ｄ）に平面図で示されている本実施例の弾性表面波フ
ィルタ装置を得ることができる。
示す部分において、配線電極１ｂを切断する。このよう
にして、図１（ｆ）に略図的に断面図で示し、図２
（ｄ）に平面図で示されている本実施例の弾性表面波フ
ィルタ装置を得ることができる。
【００３８】なお、上記配線電極１ｂは、フォトレジス
トを利用し、フォトリソグラフィ−エッチング法により
切断することができ、あるいはレーザー等を用いて切断
してもよい。
トを利用し、フォトリソグラフィ−エッチング法により
切断することができ、あるいはレーザー等を用いて切断
してもよい。
【００３９】上記のようにして、ＩＤＴ電極の膜厚が異
なる第１，第２の弾性表面波フィルタ素子１，２を同じ
圧電基板３上に構成することができる。しかも、本実施
例の製造方法では、第１の弾性表面波フィルタ素子１の
電極１ａを形成する際に、プラズマを用いたドライエッ
チングが行われるが、該工程の間、第２の弾性表面波フ
ィルタ素子が形成される領域が導電膜２ｂで被覆されて
保護されている。従って、圧電基板の劣化が生じ難い。
なる第１，第２の弾性表面波フィルタ素子１，２を同じ
圧電基板３上に構成することができる。しかも、本実施
例の製造方法では、第１の弾性表面波フィルタ素子１の
電極１ａを形成する際に、プラズマを用いたドライエッ
チングが行われるが、該工程の間、第２の弾性表面波フ
ィルタ素子が形成される領域が導電膜２ｂで被覆されて
保護されている。従って、圧電基板の劣化が生じ難い。
【００４０】さらに、第１，第２の弾性表面波フィルタ
素子１，２の形成にあたり、まず第１の弾性表面波フィ
ルタ素子のＩＤＴ電極１ａなどが形成されるが、配線電
極１ｂにより、ＩＤＴ電極１ａの一対のくし歯電極及び
反射器が相互に電気的に接続されて短絡されている。従
って、加熱等によりレジストの密着性や耐熱性を高めた
としても、放電が生じ難いため、ＩＤＴ電極１ａの断線
や短絡を確実に抑制することができる。
素子１，２の形成にあたり、まず第１の弾性表面波フィ
ルタ素子のＩＤＴ電極１ａなどが形成されるが、配線電
極１ｂにより、ＩＤＴ電極１ａの一対のくし歯電極及び
反射器が相互に電気的に接続されて短絡されている。従
って、加熱等によりレジストの密着性や耐熱性を高めた
としても、放電が生じ難いため、ＩＤＴ電極１ａの断線
や短絡を確実に抑制することができる。
【００４１】上記のようにして、１．５×２．１×０．
３５ｍｍ１．１０ｍｍ3 からなる圧電基板３上に、下記
の仕様の弾性表面波フィルタ素子１，２が形成された弾
性表面波装置を得、第２の弾性表面波フィルタ素子の振
幅特性及び反射特性を測定した。また、比較のために、
前述した従来法により得られた弾性表面波装置における
第２の弾性表面波フィルタ素子の振幅特性及び反射特性
を測定した。結果を図３〜図６に示す。なお、図３及び
図５の破線は、縦軸の右側のスケールで拡大した特性を
示し、図４及び図６の実線が入力ポート、破線が出力ポ
ートの特性を示す。
３５ｍｍ１．１０ｍｍ3 からなる圧電基板３上に、下記
の仕様の弾性表面波フィルタ素子１，２が形成された弾
性表面波装置を得、第２の弾性表面波フィルタ素子の振
幅特性及び反射特性を測定した。また、比較のために、
前述した従来法により得られた弾性表面波装置における
第２の弾性表面波フィルタ素子の振幅特性及び反射特性
を測定した。結果を図３〜図６に示す。なお、図３及び
図５の破線は、縦軸の右側のスケールで拡大した特性を
示し、図４及び図６の実線が入力ポート、破線が出力ポ
ートの特性を示す。
【００４２】図３及び図４は、比較のために用意した従
来法により得られた弾性表面波装置の第２の弾性表面波
フィルタ素子の振幅特性及び反射特性を示し、図５及び
図６は、上記実施例で得られた弾性表面波装置における
第２の弾性表面波フィルタ素子の振幅特性及び反射特性
を示す。
来法により得られた弾性表面波装置の第２の弾性表面波
フィルタ素子の振幅特性及び反射特性を示し、図５及び
図６は、上記実施例で得られた弾性表面波装置における
第２の弾性表面波フィルタ素子の振幅特性及び反射特性
を示す。
【００４３】図３，図４及び図５，図６の結果を比較す
れば明らかなように、本実施例の製造方法によれば、挿
入損失及びＶＳＷＲを改善し得ることがわかる。なお、
下記の表１に、図３〜図６の結果を表す。
れば明らかなように、本実施例の製造方法によれば、挿
入損失及びＶＳＷＲを改善し得ることがわかる。なお、
下記の表１に、図３〜図６の結果を表す。
【００４４】
【表１】
【００４５】図７（ａ）〜（ｆ）は、本発明の第２の実
施例に係る弾性表面波装置の製造方法を説明するための
各断面図である。なお、第１の実施例と同一部分につい
ては、同一の参照番号を付することにより、その詳細な
説明は省略する。
施例に係る弾性表面波装置の製造方法を説明するための
各断面図である。なお、第１の実施例と同一部分につい
ては、同一の参照番号を付することにより、その詳細な
説明は省略する。
【００４６】第２の実施例においても、第１の実施例と
同様の電極構造を有する弾性表面波装置が製造される。
まず、圧電基板の上面の全面に、ネガ型の第１のフォト
レジストを付与する。このレジスト層に、第１の弾性表
面波フィルタ素子１の電極１ａが形成される部分が遮蔽
部とされたマスクを積層し、露光する。次に、露光され
たレジスト部分を除去することにより、図７（ａ）に示
すように、パターニングされたレジスト５が得られる。
このレジスト５は、なお、短絡用配線電極１ｂが設けら
れる部分にも存在しないようにパターニングされてい
る。また、第２の弾性表面波フィルタ素子の電極が形成
される領域の全領域を含む部分には、レジスト５が残存
している。
同様の電極構造を有する弾性表面波装置が製造される。
まず、圧電基板の上面の全面に、ネガ型の第１のフォト
レジストを付与する。このレジスト層に、第１の弾性表
面波フィルタ素子１の電極１ａが形成される部分が遮蔽
部とされたマスクを積層し、露光する。次に、露光され
たレジスト部分を除去することにより、図７（ａ）に示
すように、パターニングされたレジスト５が得られる。
このレジスト５は、なお、短絡用配線電極１ｂが設けら
れる部分にも存在しないようにパターニングされてい
る。また、第２の弾性表面波フィルタ素子の電極が形成
される領域の全領域を含む部分には、レジスト５が残存
している。
【００４７】次に、圧電基板３上の全面に、第１の弾性
表面波フィルタ素子のＩＤＴ電１ａと等しい膜厚の導電
膜を形成する（図７（ｂ））。しかる後、レジスト５上
に積層されている導電膜４を、レジスト５と共にリフト
オフし、ＩＤＴ電１ａ及び配線電極１ｂを形成する（図
７（ｃ））。この場合、図７では図示されていないが、
図２（ｄ）に示した反射器１ｃ，１ｄも同様にして形成
される。また、第２の弾性表面波フィルタ素子２が構成
される領域では、電極膜は形成されない。
表面波フィルタ素子のＩＤＴ電１ａと等しい膜厚の導電
膜を形成する（図７（ｂ））。しかる後、レジスト５上
に積層されている導電膜４を、レジスト５と共にリフト
オフし、ＩＤＴ電１ａ及び配線電極１ｂを形成する（図
７（ｃ））。この場合、図７では図示されていないが、
図２（ｄ）に示した反射器１ｃ，１ｄも同様にして形成
される。また、第２の弾性表面波フィルタ素子２が構成
される領域では、電極膜は形成されない。
【００４８】もっとも、上記のように、第１の弾性表面
波フィルタ素子１のＩＤＴ電極１ａや配線電極１ｂがリ
フトオフ法により形成されるので、圧電基板３の第２の
弾性表面波フィルタ素子の電極が形成される領域はドラ
イエッチングにはさらされず、圧電基板３は損傷をほと
んど受けない。
波フィルタ素子１のＩＤＴ電極１ａや配線電極１ｂがリ
フトオフ法により形成されるので、圧電基板３の第２の
弾性表面波フィルタ素子の電極が形成される領域はドラ
イエッチングにはさらされず、圧電基板３は損傷をほと
んど受けない。
【００４９】しかる後、圧電基板３上面の全面にポジ型
の第２のフォトレジストを付与する。次に、第２の弾性
表面波フィルタ素子２が形成される側において、ＩＤＴ
電極２ａや反射器２ｃ，２ｄ等のパターン部分が開口部
とされているマスクをレジスト上に積層し、露光する。
この段階で、レジスト６を加熱処理することにより、レ
ジスト６の密着性及び耐熱性を高めることができる。
の第２のフォトレジストを付与する。次に、第２の弾性
表面波フィルタ素子２が形成される側において、ＩＤＴ
電極２ａや反射器２ｃ，２ｄ等のパターン部分が開口部
とされているマスクをレジスト上に積層し、露光する。
この段階で、レジスト６を加熱処理することにより、レ
ジスト６の密着性及び耐熱性を高めることができる。
【００５０】このレジスト６の加熱工程の間、ＩＤＴ電
極１ａ及び配線電極１ｂなどの第１の弾性表面波フィル
タ素子１側の電極はレジスト６で被覆されているので、
第１の弾性表面波フィルタ素子１側において、圧電基板
３の上面が損傷を受け難い。
極１ａ及び配線電極１ｂなどの第１の弾性表面波フィル
タ素子１側の電極はレジスト６で被覆されているので、
第１の弾性表面波フィルタ素子１側において、圧電基板
３の上面が損傷を受け難い。
【００５１】また、第１の実施例の場合と同様に、配線
電極１ｂにより、入出力パッド１３，１４と反射器１
ｃ，１ｄとが短絡されているので、上記加熱に際し、放
電が生じ難い。従って、ＩＤＴ電極１ａにおける破損や
レジスト６の破損も生じ難い。しかる後、露光されたレ
ジストを除去することにより、図７（ｄ）に示すよう
に、パターニングされたレジスト６を得ることができ
る。
電極１ｂにより、入出力パッド１３，１４と反射器１
ｃ，１ｄとが短絡されているので、上記加熱に際し、放
電が生じ難い。従って、ＩＤＴ電極１ａにおける破損や
レジスト６の破損も生じ難い。しかる後、露光されたレ
ジストを除去することにより、図７（ｄ）に示すよう
に、パターニングされたレジスト６を得ることができ
る。
【００５２】次に、第２の弾性表面波フィルタ素子のＩ
ＤＴ電極２ａの厚みに等しい膜厚の導電膜７を全面に付
与する。この場合、レジスト６が存在していない領域で
は、導電膜７の付与により、導電膜７からなるＩＤＴ電
極２ａ、並びに図７では図示していないが反射器２ｃ，
２ｄ及び電極パッド２３，２４が形成される。このよう
にして、第２の弾性表面波フィルタ素子２側の電極構造
が形成される。しかる後、レジスト６と、レジスト６上
の導電膜７をリフトオフし、第１の実施例と同様に配線
電極１ｂを切断することにより、弾性表面波装置が得ら
れる。
ＤＴ電極２ａの厚みに等しい膜厚の導電膜７を全面に付
与する。この場合、レジスト６が存在していない領域で
は、導電膜７の付与により、導電膜７からなるＩＤＴ電
極２ａ、並びに図７では図示していないが反射器２ｃ，
２ｄ及び電極パッド２３，２４が形成される。このよう
にして、第２の弾性表面波フィルタ素子２側の電極構造
が形成される。しかる後、レジスト６と、レジスト６上
の導電膜７をリフトオフし、第１の実施例と同様に配線
電極１ｂを切断することにより、弾性表面波装置が得ら
れる。
【００５３】第２の実施例では、第１の弾性表面波フィ
ルタ素子の電極の形成も、リフトオフを用いて行われ
る。従って、第１の弾性表面波フィルタ素子側の電極を
形成する工程の間、第２の弾性表面波フィルタ素子が構
成される側の圧電基板部分がドライエッチング等により
劣化するおそれがない。よって、従来法に比べて、第２
の弾性表面波フィルタ素子側における挿入損失やＶＳＷ
Ｒの劣化を抑制することができる。
ルタ素子の電極の形成も、リフトオフを用いて行われ
る。従って、第１の弾性表面波フィルタ素子側の電極を
形成する工程の間、第２の弾性表面波フィルタ素子が構
成される側の圧電基板部分がドライエッチング等により
劣化するおそれがない。よって、従来法に比べて、第２
の弾性表面波フィルタ素子側における挿入損失やＶＳＷ
Ｒの劣化を抑制することができる。
【００５４】また、第２の実施例の製造方法では、好ま
しくは、ＩＤＴ電極のエッジ部分におけるバリをなく
し、リフトオフ性を高めるために、図８（ａ）に示すよ
うに、レジスト５を逆テーパ状の断面を有するように形
成することが望ましい。すなわち、レジスト５が、圧電
基板３側に近づくにつれて、言い換えれば電極１ａの下
方程、電極指幅が広がるようにレジスト５を形成するこ
とが望ましい。
しくは、ＩＤＴ電極のエッジ部分におけるバリをなく
し、リフトオフ性を高めるために、図８（ａ）に示すよ
うに、レジスト５を逆テーパ状の断面を有するように形
成することが望ましい。すなわち、レジスト５が、圧電
基板３側に近づくにつれて、言い換えれば電極１ａの下
方程、電極指幅が広がるようにレジスト５を形成するこ
とが望ましい。
【００５５】なお、第２の実施例の製造方法では、ドラ
イエッチングを必要とせず、リフトオフ法を２段階にわ
たり実施する必要がよいだけであるため、第１の実施例
に比べて工程の簡略化を果たすことができる。
イエッチングを必要とせず、リフトオフ法を２段階にわ
たり実施する必要がよいだけであるため、第１の実施例
に比べて工程の簡略化を果たすことができる。
【００５６】図９（ａ）〜（ｅ）は、第３の実施例に係
る弾性表面波装置の製造方法を説明するための各断面図
である。なお、第１の実施例と同一部分については、同
一の参照番号を付することにより、詳細な説明は省略す
る。
る弾性表面波装置の製造方法を説明するための各断面図
である。なお、第１の実施例と同一部分については、同
一の参照番号を付することにより、詳細な説明は省略す
る。
【００５７】本実施例においても、図９（ｅ）に略図的
断面図で示すように、圧電基板３上に、第１，第２の弾
性表面波フィルタ素子１，２が構成される。もっとも、
第１の弾性表面波フィルタ素子１のＩＤＴ電極１ａは、
複数の電極膜を積層した構造を有し、それによって第２
の弾性表面波フィルタ素子２のＩＤＴ電極２ａの電極膜
よりも厚くされている。
断面図で示すように、圧電基板３上に、第１，第２の弾
性表面波フィルタ素子１，２が構成される。もっとも、
第１の弾性表面波フィルタ素子１のＩＤＴ電極１ａは、
複数の電極膜を積層した構造を有し、それによって第２
の弾性表面波フィルタ素子２のＩＤＴ電極２ａの電極膜
よりも厚くされている。
【００５８】まず、圧電基板３の上面の全面にネガ型の
第１のレジストを付与する。この第１のレジスト上に、
第１の弾性表面波フィルタ素子１のＩＤＴ電極１ａと、
第２の弾性表面波フィルタ素子のＩＤＴ電極２ａ、並び
にこれらの弾性表面波フィルタ素子の反射器が形成され
る部分が遮蔽部とされたマスクを積層し、露光する。し
かる後、露光された第１のレジスト部分を除去すること
により、図９（ａ）に示すパターニングされた第１のレ
ジスト層５が得られる。
第１のレジストを付与する。この第１のレジスト上に、
第１の弾性表面波フィルタ素子１のＩＤＴ電極１ａと、
第２の弾性表面波フィルタ素子のＩＤＴ電極２ａ、並び
にこれらの弾性表面波フィルタ素子の反射器が形成され
る部分が遮蔽部とされたマスクを積層し、露光する。し
かる後、露光された第１のレジスト部分を除去すること
により、図９（ａ）に示すパターニングされた第１のレ
ジスト層５が得られる。
【００５９】次に、圧電基板３上の全面に第２の弾性表
面波フィルタ素子２のＩＤＴ電極２ａと等しい膜厚の導
電膜４を形成する（図９（ｂ））。しかる後、圧電基板
３上の全面にポジ型の第２のレジストを付与し、しかる
後、第２の弾性表面波フィルタ素子の電極が設けられる
領域以外で、少なくとも第１の弾性表面波フィルタ素子
が形成される領域を含む領域が開口部とされたマスクを
積層し、露光する。露光されたレジスト部分を除去する
ことにより、パターニングされた第２のレジスト層６が
得られる（図９（ｃ））。
面波フィルタ素子２のＩＤＴ電極２ａと等しい膜厚の導
電膜４を形成する（図９（ｂ））。しかる後、圧電基板
３上の全面にポジ型の第２のレジストを付与し、しかる
後、第２の弾性表面波フィルタ素子の電極が設けられる
領域以外で、少なくとも第１の弾性表面波フィルタ素子
が形成される領域を含む領域が開口部とされたマスクを
積層し、露光する。露光されたレジスト部分を除去する
ことにより、パターニングされた第２のレジスト層６が
得られる（図９（ｃ））。
【００６０】なお、この第２のレジスト層６のパターニ
ングは、ＩＤＴ電極部分を形成するためのパターニング
ではないため、高精度は高くなくともよい。また、図９
（ｃ）に示されているように、第２の弾性表面波フィル
タ素子２側においては、ＩＤＴ電極２ａが第２のレジス
ト６により保護されている。
ングは、ＩＤＴ電極部分を形成するためのパターニング
ではないため、高精度は高くなくともよい。また、図９
（ｃ）に示されているように、第２の弾性表面波フィル
タ素子２側においては、ＩＤＴ電極２ａが第２のレジス
ト６により保護されている。
【００６１】次に、導電膜４上に、第１の弾性表面波フ
ィルタ素子のＩＤＴ電極１ａや反射器１ｃ，１ｄと等し
い膜厚となるように、第２の導電膜７を全面に積層する
（図９（ｄ））。
ィルタ素子のＩＤＴ電極１ａや反射器１ｃ，１ｄと等し
い膜厚となるように、第２の導電膜７を全面に積層する
（図９（ｄ））。
【００６２】なお、導電膜の積層数は特に限定されず、
導電膜７上に、さらに他の導電膜を形成してもよい。ま
た、導電膜４と導電膜７との間に、両者の密着性を高め
るために、ＴｉやＮｉＣｒなどからなる中間層を介在さ
せてもよい。
導電膜７上に、さらに他の導電膜を形成してもよい。ま
た、導電膜４と導電膜７との間に、両者の密着性を高め
るために、ＴｉやＮｉＣｒなどからなる中間層を介在さ
せてもよい。
【００６３】しかる後、第１，第２のレジスト５，６上
に付与されている導電膜４，７を、第１，第２のレジス
ト５，６と共にリフトオフする。このようにして、図９
（ｅ）に示すように、第１の弾性表面波フィルタ素子１
のＩＤＴ電極１ａが形成される。この場合、リフトオフ
に際しては、ポジ型レジスト及びネジ型レジスト共用の
剥離液を用いることが、工程を簡略化するため望まし
い。
に付与されている導電膜４，７を、第１，第２のレジス
ト５，６と共にリフトオフする。このようにして、図９
（ｅ）に示すように、第１の弾性表面波フィルタ素子１
のＩＤＴ電極１ａが形成される。この場合、リフトオフ
に際しては、ポジ型レジスト及びネジ型レジスト共用の
剥離液を用いることが、工程を簡略化するため望まし
い。
【００６４】また、第１のレジストをネガ型とし、第２
のレジストをポジ型としたが、第１のレジストをポジ型
レジストとし、第２のレジストをネガ型レジストとして
もよい。その場合には、第２のレジストのパターニング
に際し、第１の弾性表面波フィルタ素子１の電極が形成
される領域がマスクにより遮光されるので、第１のレジ
ストの感光が防止され、第１のレジスト５の変形を防止
することができる。
のレジストをポジ型としたが、第１のレジストをポジ型
レジストとし、第２のレジストをネガ型レジストとして
もよい。その場合には、第２のレジストのパターニング
に際し、第１の弾性表面波フィルタ素子１の電極が形成
される領域がマスクにより遮光されるので、第１のレジ
ストの感光が防止され、第１のレジスト５の変形を防止
することができる。
【００６５】本実施例の製造方法では、第１の弾性表面
波フィルタ素子の電極形成が上記リフトオフ法により行
われるので、第１の弾性表面波フィルタ素子の電極形成
に際し、圧電基板の第２の弾性表面波フィルタ素子が形
成される領域がレジストで保護されている。従って、第
１の弾性表面波フィルタ素子の形成がドライエッチング
法により行われる従来法に比べて、第２の弾性表面波フ
ィルタ素子２の挿入損失及びＶＳＷＲの劣化を抑制する
ことができる。
波フィルタ素子の電極形成が上記リフトオフ法により行
われるので、第１の弾性表面波フィルタ素子の電極形成
に際し、圧電基板の第２の弾性表面波フィルタ素子が形
成される領域がレジストで保護されている。従って、第
１の弾性表面波フィルタ素子の形成がドライエッチング
法により行われる従来法に比べて、第２の弾性表面波フ
ィルタ素子２の挿入損失及びＶＳＷＲの劣化を抑制する
ことができる。
【００６６】加えて、２回目のフォトリソグラフ工程で
は、第２の弾性表面波フィルタ素子側を保護するために
のみパターニングが行われるので、第２のフォトリソグ
ラフ工程において、精度を高める必要はない。従って、
レジスト６の加熱温度を比較的低く設定することがで
き、それによってＩＤＴ電極の焦電破壊を抑制すること
ができる。従って、第１，第２の実施例では、配線電極
を形成し、切断していたが、このような短絡用配線電極
を形成したり、切断工程を実施したりする必要がない。
は、第２の弾性表面波フィルタ素子側を保護するために
のみパターニングが行われるので、第２のフォトリソグ
ラフ工程において、精度を高める必要はない。従って、
レジスト６の加熱温度を比較的低く設定することがで
き、それによってＩＤＴ電極の焦電破壊を抑制すること
ができる。従って、第１，第２の実施例では、配線電極
を形成し、切断していたが、このような短絡用配線電極
を形成したり、切断工程を実施したりする必要がない。
【００６７】もっとも、第３の実施例においても、第
１，第２の実施例と同様に、短絡用配線電極を形成し、
最後に短絡用配線電極を切断する工程を実施してもよ
い。さらに、第３の実施例の製造方法では、最後に第
１，第２の弾性表面波フィルタ素子の電極構造上のレジ
スト及びレジスト上の導電膜がまとめてリフトオフされ
るので、工程を簡略化することができる。
１，第２の実施例と同様に、短絡用配線電極を形成し、
最後に短絡用配線電極を切断する工程を実施してもよ
い。さらに、第３の実施例の製造方法では、最後に第
１，第２の弾性表面波フィルタ素子の電極構造上のレジ
スト及びレジスト上の導電膜がまとめてリフトオフされ
るので、工程を簡略化することができる。
【００６８】また、第１のレジスト５をポジ型レジスト
とした場合には、第２のレジストをネガ型とすることに
より、第２のレジストのパターニングに際し、第１のレ
ジストの変形を防止することができる。
とした場合には、第２のレジストをネガ型とすることに
より、第２のレジストのパターニングに際し、第１のレ
ジストの変形を防止することができる。
【００６９】
【発明の効果】第１，第２の発明に係る弾性表面波装置
の製造方法では、圧電基板上に電極膜厚の異なる第１，
第２の弾性表面波素子を形成するにあたり、第１の弾性
表面波素子のＩＤＴ電極の形成と同時に、ＩＤＴ電極の
入出力端子とアース端子とを電気的に接続する短絡用配
線電極が形成される。そして、第２の弾性表面波フィル
タ素子のＩＤＴ電極を形成した後に、上記短絡用配線電
極が切断されるので、第２のレジストを付与し、加熱す
ることにより第２のレジストの密着性及び耐熱性を高め
たとしても、第１の弾性表面波フィルタ素子のＩＤＴ電
極の短絡が確実に防止される。従って、第１の弾性表面
波フィルタ素子のＩＤＴ電極の不良を抑制しつつ、高精
度に第２の弾性表面波フィルタ素子の電極を形成するこ
とができる。
の製造方法では、圧電基板上に電極膜厚の異なる第１，
第２の弾性表面波素子を形成するにあたり、第１の弾性
表面波素子のＩＤＴ電極の形成と同時に、ＩＤＴ電極の
入出力端子とアース端子とを電気的に接続する短絡用配
線電極が形成される。そして、第２の弾性表面波フィル
タ素子のＩＤＴ電極を形成した後に、上記短絡用配線電
極が切断されるので、第２のレジストを付与し、加熱す
ることにより第２のレジストの密着性及び耐熱性を高め
たとしても、第１の弾性表面波フィルタ素子のＩＤＴ電
極の短絡が確実に防止される。従って、第１の弾性表面
波フィルタ素子のＩＤＴ電極の不良を抑制しつつ、高精
度に第２の弾性表面波フィルタ素子の電極を形成するこ
とができる。
【００７０】また、第１の発明では、第１の弾性表面波
フィルタ素子のＩＤＴ電極の形成に際してのドライエッ
チングに際しては、第２の弾性表面波フィルタ素子が形
成される圧電基板部分が第１のレジストで保護されてい
る。また、ドライエッチング後に、湿式法により第２の
弾性表面波素子が形成される部分を含む領域に配置され
た導電膜が除去される。従って、圧電基板の第２の弾性
表面波フィルタ素子の形成される領域が、ドライエッチ
ングのＦ等のプラズマにさらされるのを防止することが
でき、第２の弾性表面波フィルタ素子の挿入損失やＶＳ
ＷＲの劣化を確実に抑制することができる。
フィルタ素子のＩＤＴ電極の形成に際してのドライエッ
チングに際しては、第２の弾性表面波フィルタ素子が形
成される圧電基板部分が第１のレジストで保護されてい
る。また、ドライエッチング後に、湿式法により第２の
弾性表面波素子が形成される部分を含む領域に配置され
た導電膜が除去される。従って、圧電基板の第２の弾性
表面波フィルタ素子の形成される領域が、ドライエッチ
ングのＦ等のプラズマにさらされるのを防止することが
でき、第２の弾性表面波フィルタ素子の挿入損失やＶＳ
ＷＲの劣化を確実に抑制することができる。
【００７１】第２，第３の発明に係る製造方法では、圧
電基板上に電極膜厚が異なる第１，第２の弾性表面波素
子を形成するにあたり、第１の弾性表面波フィルタ素子
の電極形成がリフトオフ法により行われ、第２の弾性表
面波フィルタ素子が形成される領域がレジストで保護さ
れているので、第１の弾性表面波フィルタ素子の形成が
ドライエッチング法で行われる従来法に比べて、第２の
弾性表面波フィルタ素子の挿入損失及びＶＳＷＲの劣化
を抑制することができる。
電基板上に電極膜厚が異なる第１，第２の弾性表面波素
子を形成するにあたり、第１の弾性表面波フィルタ素子
の電極形成がリフトオフ法により行われ、第２の弾性表
面波フィルタ素子が形成される領域がレジストで保護さ
れているので、第１の弾性表面波フィルタ素子の形成が
ドライエッチング法で行われる従来法に比べて、第２の
弾性表面波フィルタ素子の挿入損失及びＶＳＷＲの劣化
を抑制することができる。
【００７２】また、第３の発明によれば、２回目のフォ
トリソグラフ工程では、精度を高める必要がないため、
レジストの加熱温度を低く設定することができ、それに
よって焦電破壊の発生を抑制することができる。従っ
て、短絡用配線電極の形成や配線電極の切断工程を必要
としないので、製造工程の簡略化を果たし得る。
トリソグラフ工程では、精度を高める必要がないため、
レジストの加熱温度を低く設定することができ、それに
よって焦電破壊の発生を抑制することができる。従っ
て、短絡用配線電極の形成や配線電極の切断工程を必要
としないので、製造工程の簡略化を果たし得る。
【００７３】加えて、第１，第２の弾性表面波フィルタ
素子の電極を形成する最後の工程において、リフトオフ
がまとめて行われ得るので、工程の簡略化を果たすこと
ができる。
素子の電極を形成する最後の工程において、リフトオフ
がまとめて行われ得るので、工程の簡略化を果たすこと
ができる。
【００７４】また、第１のレジストと第２のレジストの
極性を異ならせることにより、第２のレジストのパター
ニングに際しての第１のレジストの変形を抑制すること
ができ、それによって第１の弾性表面波フィルタ素子の
電極精度を高めることができる。
極性を異ならせることにより、第２のレジストのパター
ニングに際しての第１のレジストの変形を抑制すること
ができ、それによって第１の弾性表面波フィルタ素子の
電極精度を高めることができる。
【図１】（ａ）〜（ｆ）は、本発明の第１の実施例に係
る製造方法を説明するための各断面図。
る製造方法を説明するための各断面図。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第１の実施例に係
る製造方法の各工程を説明するための平面図。
る製造方法の各工程を説明するための平面図。
【図３】従来法に従って得られた弾性表面波装置の第２
の弾性表面波フィルタ素子の振幅特性を示す図。
の弾性表面波フィルタ素子の振幅特性を示す図。
【図４】従来法に従って得られた弾性表面波装置の第２
の弾性表面波フィルタ素子のＶＳＷＲ特性を示す図。
の弾性表面波フィルタ素子のＶＳＷＲ特性を示す図。
【図５】本発明の第１の実施例で得られた弾性表面波装
置の第２の弾性表面波フィルタ素子の挿入損失−周波数
特性を示す図。
置の第２の弾性表面波フィルタ素子の挿入損失−周波数
特性を示す図。
【図６】本発明の第１の実施例で得られた弾性表面波装
置の第２の弾性表面波フィルタ素子のＶＳＷＲ特性を示
す図。
置の第２の弾性表面波フィルタ素子のＶＳＷＲ特性を示
す図。
【図７】（ａ）〜（ｆ）は、それぞれ、本発明の第２の
実施例に係る製造方法を説明するための略図的断面図。
実施例に係る製造方法を説明するための略図的断面図。
【図８】第２の実施例において、レジストを形成する場
合の好ましいレジストの形状を説明するための略図的側
面図。
合の好ましいレジストの形状を説明するための略図的側
面図。
【図９】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の第３の実施例に係
る製造方法を説明するための各略図的断面図。
る製造方法を説明するための各略図的断面図。
【図１０】（ａ）〜（ｅ）は、従来の弾性表面波装置の
製造方法を説明するための各断面図。
製造方法を説明するための各断面図。
１…第１の弾性表面波フィルタ素子
２…第２の弾性表面波フィルタ素子
３…圧電基板
４…導電膜
５…第１のレジスト
６…第２のレジスト
１ａ…ＩＤＴ電極
２ａ…ＩＤＴ電極
７…導電膜
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 昭61−20409（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−252677（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−272731（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−190390（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−32389（ＪＰ，Ａ)
国際公開99／5788（ＷＯ，Ａ１)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H03H 3/08
H03H 9/145
Claims (5)
- 【請求項１】 圧電基板上に電極膜厚の異なる第１，第
２の弾性表面波素子を構成してなり、各弾性表面波素子
が少なくとも一対のくし歯電極からなるＩＤＴ電極を有
する弾性表面波装置の製造方法であって、 前記圧電基板上の全面に第１の導電膜を形成する工程
と、 前記第１の導電膜上の全面に第１のレジストを付与する
工程と、 前記第１のレジストをパターニングしてドライエッチン
グにより、前記圧電基板上に、第１の弾性表面波素子の
ＩＤＴ電極と、ＩＤＴ電極のくし歯電極間を電気的に接
続する短絡用配線電極と、第２の弾性表面波素子の構成
される部分全体を含む領域に配置された導電膜とを形成
する工程と、 湿式エッチングにより前記第２の弾性表面波素子が構成
される部分全体を含む領域に配置された導電膜を除去す
る工程と、 次に、圧電基板上の全面に第２のレジストを付与し、加
熱する工程と、 第２の弾性表面波素子の電極が形成される部分において
第２のレジストを除去する工程と、 前記第２の弾性表面波素子の電極膜厚と等しい膜厚の第
２の導電膜を全面に形成する工程と、 前記第２のレジスト及び第２のレジスト上に付与されて
いる第２の導電膜をリフトオフし、第２の弾性表面波素
子の電極を形成すると共に第１の弾性表面波素子の電極
を露出させる工程と、 前記第１の弾性表面波素子における前記短絡用配線電極
を切断する工程とを備えることを特徴とする、弾性表面
波装置の製造方法。 - 【請求項２】 圧電基板上に電極膜厚の異なる第１，第
２の弾性表面波素子を構成してなり、各弾性表面波素子
が少なくとも一対のくし歯電極からなるＩＤＴ電極を有
する弾性表面波装置の製造方法であって、 圧電基板上の全面に第１のレジストを付与する工程と、 第１の弾性表面波素子の電極が形成されるべき部分上、
及び該第１の弾性表面波素子のＩＤＴ電極のくし歯電極
間を短絡させるための配線電極が形成されるべき部分上
の第１のレジストを除去する工程と、 第１の弾性表面波素子の電極膜厚と等しい膜厚の第１の
導電膜を全面に形成する工程と、 前記第１のレジスト及び第１のレジスト上に付与されて
いる第１の導電膜をリフトオフし、第１の弾性表面波素
子の電極及び前記配線電極を形成する工程と、 次に、前記圧電基板上の全面に第２のレジストを付与
し、加熱する工程と、 前記第２の弾性表面波素子の電極が形成される部分上の
第２のレジストを除去する工程と、 第２の弾性表面波素子の電極膜厚と等しい膜厚の第２の
導電膜を全面に付与する工程と、 第２のレジスト及び第２のレジスト上に付与されている
第２の導電膜をリフトオフし、第２の弾性表面波素子の
電極を形成する工程と、 第１の弾性表面波素子における前記短絡用配線電極を切
断する工程とを備えることを特徴とする、弾性表面波装
置の製造方法。 - 【請求項３】 圧電基板上に電極膜厚が異なる第１，第
２の弾性表面波素子を構成してなり、各弾性表面波素子
が少なくとも一対のくし歯電極からなるＩＤＴ電極を有
する弾性表面波装置の製造方法であって、 圧電基板上の全面に第１のレジストを付与する工程と、 第１，第２の弾性表面波素子の電極が形成されるべき部
分上において第１のレジストを除去する工程と、 第２の弾性表面波素子の電極膜厚と等しい膜厚の第１の
導電膜を全面に形成する工程と、 次に、全面に第２のレジストを付与する工程と、 第２の弾性表面波素子が構成される領域以外において、
少なくとも第１の弾性表面波素子の電極が形成される部
分上の第２のレジストを除去する工程と、 第１の弾性表面波素子の電極膜厚と等しい膜厚の第２の
導電膜を全面に付与する工程と、 第１，第２のレジスト及び第１，第２のレジスト上に積
層されている導電膜を同時にリフトオフする工程とを備
えることを特徴とする、弾性表面波装置の製造方法。 - 【請求項４】 第１のレジストがネガ型レジストであ
る、請求項３に記載の弾性表面波装置の製造方法。 - 【請求項５】 第１のレジストがポジ型レジストであ
り、第２のレジストがネガ型レジストであり、かつ第
１，第２のレジストをリフトオフするための剥離液が共
用される、請求項３に記載の弾性表面波装置の製造方
法。
Priority Applications (6)
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|---|---|---|---|
| JP2000072300A JP3368885B2 (ja) | 2000-03-15 | 2000-03-15 | 弾性表面波装置の製造方法 |
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| CNB011116633A CN1162961C (zh) | 2000-03-15 | 2001-03-15 | 声表面波设备的制造方法 |
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|---|---|---|---|
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| DE (1) | DE10112596C2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| US9054094B2 (en) | 1997-04-08 | 2015-06-09 | X2Y Attenuators, Llc | Energy conditioning circuit arrangement for integrated circuit |
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