JP2002026686A

JP2002026686A - 弾性表面波素子及びその製造方法

Info

Publication number: JP2002026686A
Application number: JP2000212621A
Authority: JP
Inventors: Masanobu Watanabe; 雅信渡邊; Kazuhiro Inoue; 和裕井上; Toshio Hagi; 敏夫萩
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2000-07-13
Filing date: 2000-07-13
Publication date: 2002-01-25

Abstract

(57)【要約】【課題】被覆電極膜による特性の低下を回避しつつ、
耐電力性を向上させることが可能な弾性表面波素子及び
該弾性表面波素子を効率よく製造することが可能な弾性
表面波素子の製造方法を提供する。【解決手段】圧電基板２上にＩＤＴ電極３を形成した
弾性表面波素子１において、電極３を、(ａ)圧電基板２
の表面に形成された下層電極膜６と、(ｂ)下層電極膜６
上に形成された上層電極膜７と、(ｃ)下層電極膜６及び
上層電極膜７の側面を被覆するように形成された側面被
覆電極膜８とを備えた構造とする。また、圧電基板にレ
ジストパターンを形成した後、下層電極膜、上層電極
膜、被覆電極膜を順に形成し、次いで、異方性ドライエ
ッチングによって、被覆電極膜の上面のみをエッチング
し、その後、レジストを剥離して、側面部のみに被覆電
極膜が形成された電極構造を得る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本願発明は弾性表面波素子及
びその製造方法に関し、詳しくは、アンテナデュプレク
サなどに用いるのに適した、耐電力性の高い電極を有す
る弾性表面波素子及びその製造方法に関する。

【０００２】

【関連技術及び発明が解決しようとする課題】弾性表面
波素子は、通常、圧電性を有する基板の表面に、Ａｌ膜
などからなる櫛形形状のインターデジタルトランスデュ
ーサ（以下、「ＩＤＴ」という）電極を設けることによ
り形成されており、共振器、段間フィルタ、デュプレク
サなどの用途に広く用いられている。

【０００３】また、近年は、小型、軽量化された携帯電
話などの移動体通信端末装置の開発が急速に進められて
いる。そのため、これらの移動体通信端末装置に使用さ
れる部品の小型化が求められており、ＲＦ部（高周波
部）の小型化に寄与する共振器、段間フィルタ、デュプ
レクサなどの弾性表面波素子の必要性も急速に増大して
いる。その中でもアンテナデュプレクサは、ＲＦ部のフ
ロントエンド部に位置し、高い耐電力性が要求されてい
る。

【０００４】このように、移動体通信の高周波化に伴っ
て、弾性表面波素子を用いた弾性表面波装置（ＳＡＷデ
バイス）の動作周波数も数百ＭＨｚから数ＧＨｚにまで
高周波化に対応するとともに、高出力化にも対応するこ
とが必要になっている。

【０００５】そして、高周波化に対応するためには、Ｉ
ＤＴ電極のパターン幅を微細化することが必要となり、
中心周波数２ＧＨｚ帯フィルタでは電極線幅を約０．５
μmにまで微細化することが必要になる。また、このよ
うに微細な線幅を有する弾性表面波素子に高電圧レベル
の信号を印加すると、弾性表面波によってＩＤＴ電極
（例えばＡｌ膜）が強い応力を受ける。そして、この応
力がＩＤＴ電極（Ａｌ膜）の限界応力を超えると、スト
レスマイグレーションが発生して、電極材料であるＡｌ
原子が結晶粒界を移動し、その結果、ヒロックやボイド
などが発生して、ＩＤＴ電極が破壊し、電気的短絡や挿
入損失の増加、共振子のＱの低下などの特性劣化を引き
起こすに至る。

【０００６】このような問題を解決するために、本願出
願人は、先に、特願平１１−３３６０６７号の特許出願
を行っており、かかる出願において、図７に模式的に示
すように、圧電基板２２と、圧電基板２２上に形成され
た電極膜（上層電極膜）２７の間に下層電極膜２６を設
けるとともに、下層電極膜２６と上層電極膜２７の露出
面を被覆する被覆電極膜３８を設けた弾性表面波素子２
１を提案している。この弾性表面波素子２１において
は、上層電極膜２７の配向性を向上させることが可能な
下層電極膜２６を設けているの、耐電力性が向上すると
いう効果が得られる。また、下層電極膜２６と上層電極
膜２７の露出面を被覆する被覆電極膜３８を設けている
ので、ヒロックの発生を抑制することができるという効
果が得られる。

【０００７】しかしながら、この弾性表面波素子２１に
おいては、耐電力性が向上する一方において、被覆電極
膜３８のために、表面弾性波の伝搬ロスが最小となる上
層電極膜２７の厚みが小さくなり、損失が大きくなって
特性が低下する傾向があり、さらなる特性の改善を図る
ことが必要になっている。

【０００８】本願発明は、かかる実情に鑑みてなされた
ものであり、被覆電極膜による特性の低下を回避しつ
つ、耐電力性を向上させることが可能で、しかも、スト
レスマイグレーションの発生などを抑制することが可能
な、信頼性の高い弾性表面波素子及び該弾性表面波素子
を効率よく製造することが可能な弾性表面波素子の製造
方法を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本願発明（請求項１）の弾性表面波素子は、圧電基
板と、前記圧電基板上に形成された電極とを備えた弾性
表面波素子であって、前記電極が、(ａ)前記圧電基板の
表面に形成された下層電極膜と、(ｂ)前記下層電極膜上
に形成された上層電極膜と、(ｃ)前記下層電極膜及び前
記上層電極膜の側面を被覆するように形成された側面被
覆電極膜とを具備する構造を有していることを特徴とし
ている。

【００１０】本願発明の弾性表面波素子においては、圧
電基板と上層電極膜との間に下層電極膜を配設するよう
にしているので、上層電極膜の配向性が向上し、耐電力
性が向上する。

【００１１】また、側面被覆電極膜により下層電極膜及
び上層電極膜の側面が被覆された構造となっているの
で、ストレスマイグレーションによるヒロックの発生を
抑制することが可能になり、電気的特性を高く保持する
ことが可能になる一方、上層電極膜の上面には、被覆電
極膜が形成されていないので、上層電極膜の膜厚を大き
くすることができるため、被覆電極膜の配設されていな
い弾性表面波素子と同等の特性を得ることが可能にな
る。

【００１２】また、請求項２の弾性表面波素子は、前記
下層電極膜が、Ｔｉを主成分とする材料を用いて形成さ
れていることを特徴としている。

【００１３】下層電極膜を、Ｔｉを主成分とする材料を
用いて形成した場合、その上に形成される上層電極膜の
配向性を向上させることが可能になり、所望の特性を備
えた弾性表面波素子を確実に形成することが可能にな
る。

【００１４】また、請求項３の弾性表面波素子は、前記
側面被覆電極膜が、ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＷＮ、Ｔｉ、Ｃ
ｕ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、及びＮｉからなる群より
選ばれる少なくとも１種を主成分とする材料を用いて形
成されていることを特徴としている。

【００１５】側面被覆電極膜を、ＴｉＮ、ＺｒＮ、Ｗ
Ｎ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、及びＮｉか
らなる群より選ばれる少なくとも１種を主成分とする材
料を用いて形成した場合、上層電極を構成する材料のス
トレスマイグレーションを抑制して、信頼性の高い弾性
表面波素子を確実に形成することができるようになる。

【００１６】また、請求項４の弾性表面波素子は、前記
上層電極膜が、Ａｌ又はＡｌにＴｉ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｃ
ｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、及びＮｉからなる群より選ばれる
少なくとも１種を添加した材料を用いて形成されている
こと特徴としている。

【００１７】上層電極膜を、Ａｌ又はＡｌにＴｉ、Ｃ
ｕ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、及びＮｉからなる群
より選ばれる少なくとも１種を添加した材料を用いて形
成した場合、所望の特性を備えた弾性表面波素子を確実
に形成することができるようになる。

【００１８】また、本願発明（請求項５）の弾性表面波
素子の製造方法は、(ａ)圧電基板上にレジストパターン
を形成する工程と、(ｂ)前記レジストパターンを介して
圧電基板上に下層電極膜及び上層電極膜を形成する工程
と、(ｃ)前記下層電極膜と前記上層電極膜の露出面を被
覆する被覆電極膜を形成する工程と、(ｄ)異方性ドライ
エッチングによって前記被覆電極膜の上面のみをエッチ
ングする工程と、(ｅ)前記レジストパターンを除去し
て、レジスト上に堆積した金属膜をリフトオフする工程
とを具備することを特徴としている。

【００１９】本願発明の弾性表面波素子の製造方法は、
レジストパターンを形成した後、下層電極膜、上層電極
膜、被覆電極膜を順に形成し、次いで、異方性ドライエ
ッチングによって、被覆電極膜の上面のみをエッチング
し、その後、レジストを剥離して、側面部のみに被覆電
極膜が形成された電極構造を得るようにしているので、
ドライエッチングの工程では、圧電基板表面がレジスト
により覆われた状態となるため、圧電基板にダメージを
与えることなく、上面側の被覆電極膜を除去して、側面
側の被覆電極膜（側面被覆電極膜）のみを確実に残すこ
とが可能になる。したがって、請求項１〜４の弾性表面
波素子を確実に製造することが可能になる。

【００２０】また、レジスト形成工程とドライエッチン
グ工程が一回で済むため、製造工程を簡略化して、生産
コストの低減を図ることが可能になる。なお、異方性ド
ライエッチングとは、イオンの入射方向にのみエッチン
グが進行するようなエッチング方法を意味する概念であ
る。

【００２１】また、請求項６の弾性表面波素子の製造方
法は、前記下層電極膜及び前記上層電極膜を蒸着法によ
り形成し、前記被覆電極膜をスパッタリング法によって
形成することを特徴としている。

【００２２】下層電極膜及び上層電極膜を蒸着法により
形成することにより、金属粒子が垂直に入射するため、
電極断面を矩形に形成することが可能になり、また、被
覆電極膜をスパッタリング法によって形成することによ
り、金属粒子の飛来の方向性がないため、電極の上面だ
けでなく、電極の側面も確実に覆うことが可能になる。

【００２３】また、請求項７の弾性表面波素子の製造方
法は、前記下層電極膜及び前記上層電極膜を、 (ａ)成膜圧力：０．０４Ｐａ以下、 (ｂ)ターゲットと圧電基板の間の距離：２５０mm以上の成膜条件でスパッタリング法によって形成することを
特徴としている。

【００２４】スパッタリング法により、成膜圧力：０．
０４Ｐａ以下、ターゲットと圧電基板の間の距離：２５
０mm以上の条件で、下層電極膜及び上層電極膜を形成す
ることにより、金属粒子の垂直入射性を高めて、電極断
面を矩形に形成することが可能になる。

【００２５】また、請求項８の弾性表面波素子の製造方
法は、前記下層電極膜を、Ｔｉを主成分とする材料を用
いて形成することを特徴としている。

【００２６】下層電極膜を、Ｔｉを主成分とする材料を
用いて形成することにより、その上に形成される上層電
極膜の配向性を向上させることが可能になり、所望の特
性を備えた弾性表面波素子を確実に形成することが可能
になる。

【００２７】また、請求項９の弾性表面波素子の製造方
法は、前記被覆電極膜を、ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＷＮ、Ｔ
ｉ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、及びＮｉからなる
群より選ばれる少なくとも１種を成分とする材料を用い
て形成することを特徴としている。

【００２８】被覆電極膜を、ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＷＮ、Ｔ
ｉ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｎｉのいずれかを
主成分とする材料を用いて形成することにより、上層電
極膜などの構成材料が、ストレスマイグレーションを引
き起こすことを抑制して、所望の特性を備えた弾性表面
波素子を確実に形成することができるようになる。

【００２９】また、請求項１０の弾性表面波素子の製造
方法は、前記上層電極膜を、Ａｌ又はＡｌにＴｉ、Ｃ
ｕ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、及びＮｉからなる群
より選ばれる少なくとも１種を添加した材料を用いて形
成することを特徴としている。

【００３０】上層電極膜を、Ａｌ又はＡｌにＴｉ、Ｃ
ｕ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、及びＮｉからなる群
より選ばれる少なくとも１種を添加した材料を用いて形
成するようにした場合、所望の特性を備えた弾性表面波
素子を確実に形成することができるようになる。

【００３１】

【発明の実施の形態】以下、本願発明の実施の形態を示
して、その特徴とするところをさらに詳しく説明する。

【００３２】［実施形態１］図１は、本願発明の一実施
形態にかかる弾性表面波素子を模式的に示す平面図であ
り、図２は、本願発明の一実施形態にかかる弾性表面波
素子の要部を示す断面図である。この実施形態の弾性表
面波素子１は、図１に示すように、ＬｉＴａＯ_３やＬｉ
ＮｂＯ_３などからなる圧電基板２の表面に、電極（ＩＤ
Ｔ電極）３と、リフレクタ用電極４，５を配設すること
により形成されている。

【００３３】そして、ＩＤＴ電極３（及びリフレクタ用
電極４，５）は、図２に示すように、圧電基板２の表面
に形成された下層電極膜６と、下層電極膜６上に形成さ
れた上層電極膜７と、下層電極膜６及び上層電極膜７の
側面を被覆するように形成された側面被覆電極膜８とを
備えた構造を有している。なお、下層電極膜６はＴｉ膜
から形成され、上層電極膜７はＡｌ膜から形成されてい
る。また、側面被覆電極膜８はＴｉＮ膜から形成されて
いる。

【００３４】上述のような電極構造を備えたこの弾性表
面波素子１においては、圧電基板２と上層電極膜７との
間に下層電極膜６が配設されているので、上層電極膜７
の配向性が向上し、耐電力性が向上するとともに、下層
電極膜６及び上層電極膜７の側面が側面被覆電極膜８に
より被覆された構造を有しているので、ストレスマイグ
レーションによるヒロックの発生が抑制、防止され、Ｉ
ＤＴ電極３の電気的短絡や挿入損失の増加、共振子のＱ
の低下などの特性劣化を防止して、電気的特性を高く保
持することが可能になる。また、その一方で、上層電極
膜７の上面には、被覆電極膜が形成されていないので、
上層電極膜の膜厚を大きくすることができるため、被覆
電極膜の配設されていない弾性表面波素子と同等の特性
を得ることができる。

【００３５】［実施形態２（弾性表面波素子の製造方
法）］次に、上記弾性表面波素子の製造方法について説
明する。ＬｉＴａＯ_３やＬｉＮｂＯ_３などからなる圧電基板上
に、光反応性樹脂（以下、単に「レジスト」という）を
塗布し、続いて所望の電極図形を描いた光遮蔽板（マス
ク）を通して露光した後、レジストを現像液により現像
して、図３に示すように、圧電基板２上に、所定形状の
レジストパターン１１を形成する。なお、レジストパタ
ーン１１のレジスト除去部（空隙部）１１ａの断面形状
は、下広がりの台形状（テーパー形状）となっている。次に、図４に示すように、レジストパターン１１の上
から、蒸着法により、下層電極膜６であるＴｉ膜と、上
層電極膜７であるＡｌ膜を成膜する。それから、Ｎ_２ガスを導入して、成膜圧力０・０１Ｐ
ａ以上の条件でスパッタリングを行うことにより、図５
に示すように、ＴｉＮ膜（被覆電極膜）１８を、下層電
極膜６と上層電極膜７の露出面を被覆するように形成す
る。次に、上方から、ＣＦ_４＋Ｏ_２ガスを用いた異方性ド
ライエッチングを行うことにより、図６に示すように、
被覆電極膜１８の上面のみをエッチングして除去する。
これにより、被覆電極膜１８のうちの、下層電極膜６と
上層電極膜７の側面を被覆する部分（側面被覆電極膜
８）はそのまま残存することになる。なお、このドライ
エッチング工程では、上層電極膜７であるＡｌ膜はエッ
チングされない。その後、レジスト剥離液に浸漬して、レジスト（レジ
ストパターン）１１を剥離液に溶解させ、圧電基板２か
らリフトオフすることにより、図２に示すように、下層
電極膜６、下層電極膜６上に形成された上層電極膜７、
下層電極膜６及び上層電極膜７の側面を被覆する側面被
覆電極膜８を備えた構造のＩＤＴ電極３が形成される。

【００３６】上述の工程を経て弾性表面波素子１（図
１）を製造するようにした場合、圧電基板２と上層電極
膜７の間に下層電極膜６が配設されるため、上層電極膜
７の配向性を向上させて耐電力性を向上させることが可
能になるとともに、ドライエッチング工程において、圧
電基板２の表面がレジスト１１で覆われているため、圧
電基板２にダメージを与えることがなく、特性の劣化を
防止して、所望の特性を備えた弾性表面波素子１を確実
に製造することができる。

【００３７】また、レジスト形成工程とドライエッチン
グ工程が一回で済むため、製造工程を簡略化して、生産
コストの低減を図ることが可能になる。

【００３８】なお、上記実施形態の方法では、電極形状
が下広がりの台形状となり、上方からのエッチングで
は、レジストがない場合には、側面被覆電極膜８もエッ
チングされることになるが、図５に示すように、レジス
トパターン１１のレジスト除去部（空隙部）１１ａの断
面形状が、下広がりの台形状（テーパー形状）となって
おり、上面側開口部１１ｂの幅Ｗが狭く、ＩＤＴ電極３
の上面側の幅ｗとほぼ同等となっているため、側面被覆
電極膜８がレジスト（パターン）１１により保護され、
エッチングされてしまうことが防止される。

【００３９】［実施形態３（実施形態２の変形例）］上
記の実施形態２では、の工程で、蒸着法により下層電
極膜６であるＴｉ膜と上層電極膜７であるＡｌ膜を成膜
するとともに、の工程で、スパッタリング法により成
膜圧力０・０１Ｐａ以上の条件で、下層電極膜６と上層
電極膜７の露出面を被覆する被覆電極膜（ＴｉＮ膜）１
８を形成するようにしているが、この及びの工程
を、以下の’及び’の工程に置き換えても、上記の
場合と同様のＩＤＴ電極３を形成することができる。

【００４０】’図４に示すように、レジストパターン
１１の上から、スパッタリング法により、下層電極膜６
であるＴｉ膜と、上層電極膜７であるＡｌ膜を成膜す
る。なお、上層電極膜７を形成するにあたっては、Ａｌ
を成膜圧力０・０１Ｐａ、ターゲット基板間距離４００
mmの条件で成膜する。 ’それから、Ｎ_２ガスを導入して、成膜圧力０・１５
Ｐａ以上の条件でスパッタリングを行うことにより、図
５に示すように、ＴｉＮ膜（被覆電極膜）１８を、下層
電極膜６と上層電極膜７の露出面を被覆するように形成
する。

【００４１】このように、上記実施形態２の及びの
工程を、この実施形態３の’及び’の工程に置き換
えた場合にも、その後に、ドライエッチング、及びレジ
スト（レジストパターン）のリフトオフの工程を実施す
ることにより、図２に示すように、下層電極膜６、下層
電極膜６上に形成された上層電極膜７、下層電極膜６及
び上層電極膜７の側面を被覆するように形成された側面
被覆電極膜８を備えた構造のＩＤＴ電極３を確実に形成
することができる。

【００４２】なお、上記実施形態では、下層電極膜がＴ
ｉ膜、上層電極膜がＡｌ膜、側面被覆電極膜がＴｉＮ膜
である場合を例にとって説明したが、各電極膜の構成材
料はこれに限定されるものではなく、本願発明の範囲内
において、他の材料を選択して用いることも可能であ
る。

【００４３】なお、本願発明は、さらにその他の点にお
いても、上記実施形態に限定されるものではなく、下層
電極膜、上層電極膜及び側面被覆電極膜の膜厚や形状、
レジストパターンの具体的な形状、圧電基板の種類や形
状などに関し、発明の要旨の範囲内において、種々の応
用、変形を加えることが可能である。

【００４４】

【発明の効果】上述のように、本願発明（請求項１）の
弾性表面波素子は、圧電基板と上層電極膜との間に下層
電極膜を配設するようにしているので、上層電極膜の配
向性が向上し、耐電力性が向上する。また、側面被覆電
極膜により下層電極膜及び上層電極膜の側面が被覆され
た構造となっているので、ストレスマイグレーションに
よるヒロックの発生を抑制することが可能になり、電気
的特性を高く保持することが可能になる一方、上層電極
膜の上面には、被覆電極膜が形成されていないので、上
層電極膜の膜厚を大きくすることができるため、被覆電
極膜の配設されていない弾性表面波素子と同等の特性を
得ることができる。

【００４５】また、請求項２の弾性表面波素子のよう
に、下層電極膜の構成材料として、Ｔｉを主成分とする
材料を用いるようにした場合、その上に形成される上層
電極膜の配向性を向上させることが可能になり、所望の
特性を備えた弾性表面波素子を確実に形成することがで
きるようになる。

【００４６】また、請求項３の弾性表面波素子のよう
に、側面被覆電極膜の構成材料として、ＴｉＮ、Ｚｒ
Ｎ、ＷＮ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、及び
Ｎｉからなる群より選ばれる少なくとも１種を主成分と
する材料を用いるようにした場合、上層電極膜などの構
成材料のストレスマイグレーションを抑制して、所望の
特性を備えた弾性表面波素子を確実に形成することがで
きる。

【００４７】また、請求項４の弾性表面波素子のよう
に、上層電極膜の構成材料として、Ａｌ又はＡｌにＴ
ｉ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、及びＮｉから
なる群より選ばれる少なくとも１種を添加した材料を用
いるようにした場合、所望の特性を備えた弾性表面波素
子を確実に形成することができるようになる。

【００４８】また、本願発明（請求項５）の弾性表面波
素子の製造方法は、レジストパターンを形成した後、下
層電極膜、上層電極膜、被覆電極膜を順に形成し、次い
で、異方性ドライエッチングによって、被覆電極膜の上
面のみをエッチングし、その後、レジストを剥離して、
側面部のみに被覆電極膜が形成された電極構造を得るよ
うにしているので、ドライエッチングの工程では、圧電
基板表面がレジストにより覆われた状態となり、圧電基
板にダメージを与えることなく、上面側の被覆電極膜を
除去して、側面側の被覆電極膜（側面被覆電極膜）のみ
を確実に残すことが可能になる。したがって、請求項１
〜４の弾性表面波素子を確実に製造することができる。
また、レジスト形成工程とドライエッチング工程が一回
で済むため、製造工程を簡略化して、生産コストの低減
を図ることが可能になる。

【００４９】また、請求項６の弾性表面波素子の製造方
法のように、下層電極膜及び上層電極膜を蒸着法によっ
て形成することにより、金属粒子が垂直に入射するた
め、電極断面を矩形に形成することが可能になり、ま
た、被覆電極膜をスパッタリング法によって形成するこ
とにより、金属粒子の飛来の方向性がないため、電極の
上面だけでなく、電極の側面も確実に覆うことが可能に
なる。

【００５０】また、請求項７の弾性表面波素子の製造方
法のように、スパッタリング法により、成膜圧力：０．
０４Ｐａ以下、ターゲットと圧電基板の間の距離：２５
０mm以上の条件で、下層電極膜及び上層電極膜を形成す
るようにした場合、金属粒子の垂直入射性を高めて、電
極断面を矩形に形成することが可能なる。

【００５１】また、請求項８の弾性表面波素子の製造方
法のように、下層電極膜を、Ｔｉを主成分とする材料を
用いて形成するようにした場合、その上に形成される上
層電極膜の配向性を向上させることが可能になり、所望
の特性を備えた弾性表面波素子を確実に形成することが
可能になる。

【００５２】また、請求項９の弾性表面波素子の製造方
法のように、被覆電極膜を、ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＷＮ、Ｔ
ｉ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、及びＮｉの少なく
とも１種を主成分とする材料を用いて形成するようにし
た場合、上層電極膜などの構成材料のストレスマイグレ
ーションを抑制して、所望の特性を備えた弾性表面波素
子を確実に形成することができるようになる。

【００５３】また、請求項１０の弾性表面波素子の製造
方法のように、上層電極膜を、Ａｌ又はＡｌにＴｉ、Ｃ
ｕ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、及びＮｉからなる群
より選ばれる少なくとも１種を添加した材料を用いて形
成するようにした場合、所望の特性を備えた弾性表面波
素子を確実に形成することができるようになる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本願発明の一実施形態にかかる弾性表面波素子
を模式的に示す平面図である。

【図２】本願発明の一実施形態にかかる弾性表面波素子
の要部を示す断面図である。

【図３】本願発明の一実施形態にかかる弾性表面波素子
の製造方法の一工程において、圧電基板上にレジストパ
ターンを形成した状態を示す図である。

【図４】本願発明の一実施形態にかかる弾性表面波素子
の製造方法の一工程において、圧電基板上に下層電極膜
及び上層電極膜を形成した状態を示す図である。

【図５】本願発明の一実施形態にかかる弾性表面波素子
の製造方法の一工程において、下層電極膜及び上層電極
膜の露出面を被覆する被覆電極膜を形成した状態を示す
図である。

【図６】本願発明の一実施形態にかかる弾性表面波素子
の製造方法の一工程において、、上層電極膜の上面の被
覆電極膜をドライエッチングにより除去した状態を示す
図である。

【図７】本願発明が関連する弾性表面波素子の要部を示
す断面図である。

【符号の説明】

１弾性表面波素子２圧電基板３電極（ＩＤＴ電極）４，５リフレクタ用電極６下層電極膜７上層電極膜８側面被覆電極膜１１レジスト（レジストパターン）１１ａレジスト除去部（空隙部）１１ｂ空隙部の上面側開口部１８被覆電極膜Ｗ空隙部の上面側開口部の幅ｗＩＤＴ電極の上面側の幅

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者萩敏夫京都府長岡京市天神二丁目26番10号株式会社村田製作所内Ｆターム(参考） 5J097 AA26 BB01 BB11 BB15 DD29 FF03 HA02 KK09

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】圧電基板と、前記圧電基板上に形成された
電極とを備えた弾性表面波素子であって、前記電極が、(ａ)前記圧電基板の表面に形成された下層
電極膜と、(ｂ)前記下層電極膜上に形成された上層電極
膜と、(ｃ)前記下層電極膜及び前記上層電極膜の側面を
被覆するように形成された側面被覆電極膜とを具備する
構造を有していることを特徴とする弾性表面波素子。
【請求項２】前記下層電極膜が、Ｔｉを主成分とする材
料を用いて形成されていることを特徴とする請求項１記
載の弾性表面波素子。
【請求項３】前記側面被覆電極膜が、ＴｉＮ、ＺｒＮ、
ＷＮ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、及びＮｉ
からなる群より選ばれる少なくとも１種を主成分とする
材料を用いて形成されていることを特徴とする請求項１
又は２記載の弾性表面波素子。
【請求項４】前記上層電極膜が、Ａｌ又はＡｌにＴｉ、
Ｃｕ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、及びＮｉからなる
群より選ばれる少なくとも１種を添加した材料を用いて
形成されていること特徴とする請求項１〜３のいずれか
に記載の弾性表面波素子。
【請求項５】(ａ)圧電基板上にレジストパターンを形成
する工程と、 (ｂ)前記レジストパターンを介して圧電基板上に下層電
極膜及び上層電極膜を形成する工程と、 (ｃ)前記下層電極膜と前記上層電極膜の露出面を被覆す
る被覆電極膜を形成する工程と、 (ｄ)異方性ドライエッチングによって前記被覆電極膜の
上面のみをエッチングする工程と、 (ｅ)前記レジストパターンを除去して、レジスト上に堆
積した金属膜をリフトオフする工程とを具備することを
特徴とする弾性表面波素子の製造方法。
【請求項６】前記下層電極膜及び前記上層電極膜を蒸着
法により形成し、前記被覆電極膜をスパッタリング法に
よって形成することを特徴とする請求項５記載の弾性表
面波素子の製造方法。
【請求項７】前記下層電極膜及び前記上層電極膜を、 (ａ)成膜圧力：０．０４Ｐａ以下、 (ｂ)ターゲットと圧電基板の間の距離：２５０mm以上の成膜条件でスパッタリング法によって形成することを
特徴とする請求項５記載の弾性表面波素子の製造方法。
【請求項８】前記下層電極膜を、Ｔｉを主成分とする材
料を用いて形成することを特徴とする請求項５〜７のい
ずれかに記載の弾性表面波素子の製造方法。
【請求項９】前記被覆電極膜を、ＴｉＮ、ＺｒＮ、Ｗ
Ｎ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、及びＮｉか
らなる群より選ばれる少なくとも１種を成分とする材料
を用いて形成することを特徴とする請求項５〜８のいず
れかに記載の弾性表面波素子の製造方法。
【請求項１０】前記上層電極膜を、Ａｌ又はＡｌにＴ
ｉ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、及びＮｉから
なる群より選ばれる少なくとも１種を添加した材料を用
いて形成すること特徴とする請求項５〜９のいずれかに
記載の弾性表面波素子の製造方法。