JP5137828B2 - 弾性表面波装置 - Google Patents

Description

本発明は、例えば共振子や帯域フィルタとして用いられる弾性表面波装置に関し、より詳細には、ＬｉＮｂＯ_３基板上にＩＤＴ電極及び酸化ケイ素膜が形成されている構造を有し、かつＳＨ波を利用した弾性表面波装置に関する。

携帯電話機のＲＦ段などに用いられている帯域フィルタでは、広帯域でありかつ良好な温度特性を有することが求められている。そのため、従来、回転Ｙ板Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ_３基板や回転Ｙ板Ｘ伝搬のＬｉＮｂＯ_３基板からなる圧電性基板上に、ＩＤＴ電極が形成されており、かつＩＤＴ電極を被覆するように、酸化ケイ素膜を形成した弾性表面波装置が用いられている。この種の圧電性基板は、周波数温度係数が負の値を有する。従って、温度特性を改善するために、正の周波数温度特性を有する酸化ケイ素膜がＩＤＴ電極を被覆するように形成されている。

しかしながら、ＩＤＴ電極を汎用されているＡｌまたはＡｌを主成分とする合金などにより形成した場合、ＩＤＴ電極において、十分な反射係数を得ることができなかった。そのため、共振特性にリップルが生じがちであるという問題があった。

このような問題を解決するものとして、下記の特許文献１には、以下の弾性表面波装置が開示されている。ここでは、電気機械結合係数Ｋ^２が０．０２５以上のＬｉＮｂＯ_３からなる圧電性基板上に、Ａｌよりも密度の大きい金属を主体とするＩＤＴ電極が形成されており、該ＩＤＴ電極が形成されている残りの領域に第１の酸化ケイ素膜が電極と等しい膜厚に形成されており、該電極及び第１の酸化ケイ素膜を被覆するように第２の酸化ケイ素膜が積層されている。

特許文献１に記載の弾性表面波装置では、上記ＩＤＴ電極の密度が、第１の酸化ケイ素膜の密度の１．５倍以上とされている。それによって、ＩＤＴ電極の反射係数が十分に高められ、共振特性に現れるリップルを抑圧することができるとされている。

また、特許文献1では、レイリー波が利用されており、上記電極材料として、ＡｕやＣｕなどが例示されている。Ｃｕからなる電極の場合にその膜厚は０．００５８λ〜０．１１λとした構成が開示されている。この場合、ＬｉＮｂＯ_３基板としては、オイラー角が（０°±５°，６２°〜１６７°，０°±１０°）、好ましくは（０°±５°，８８°〜１１７°，０°±１０°）のＬｉＮｂＯ_３基板が示されており、上記第２の酸化ケイ素膜の膜厚は、表面波の波長λとしたとき、０．１５λ〜０．４λの範囲とされている。
ＷＯ２００５−０３４３４７

特許文献１に記載の弾性表面波装置では、上記のように、ＬｉＮｂＯ_３基板のオイラー角のθと、Ｃｕからなる電極の厚みと、第２の酸化ケイ素膜の厚みとを上記特定の範囲とすることにより、レイリー波を利用した場合の電気機械結合係数Ｋ_Ｒ ^２を大きくすることができ、かつスプリアスとなるモードの電気機械結合係数を小さくすることができるとされている。

他方、弾性表面波装置においては、耐電力性を高めるために、ＩＤＴ電極のデューティ、すなわち電極指の幅方向の電極指幅方向寸法と電極指間スペースとの合計に対する割合を小さくすることがある。特許文献１に記載の弾性表面波装置では、このＩＤＴ電極のデューティは考慮されていない。

特許文献１に記載の弾性表面波装置において、耐電力性を高めるためにデューティを０．５より小さくした場合、耐電力性は高められるものの、大きなスプリアスが現れることがあった。すなわち、特許文献１に記載の電極膜厚及びオイラー角のθの範囲を選択したとしても、耐電力性を高めるためにデューティを小さくすると、スプリアスが大きく現れることがあった。

また、弾性表面波装置を製造した際の条件によっては、加工時の電極指の幅方向寸法のばらつき等により、スプリアスが生じることもあった。

本発明の目的は、上述した従来記述の欠点を解消し、ＬｉＮｂＯ_３基板上にＣｕを主体とするＩＤＴ電極が形成されている弾性表面波装置であって、耐電力性を高めるためにデューティが小さくされているにも関わらず、利用するモードの電気機械結合係数が大きく、スプリアスとなるモードの電気機械結合係数が十分に小さくされている弾性表面波装置を提供することにある。

本発明に係る弾性表面波装置は、オイラー角（０°±５°，θ±５°，０°±１０°）のＬｉＮｂＯ_３基板と、前記ＬｉＮｂＯ_３基板上に形成されており、Ｃｕを主体とするＩＤＴ電極を含む電極と、前記電極が形成されている領域を除いた残りの領域において、前記電極と等しい厚みとなるように形成されている第１の酸化ケイ素膜と、前記電極及び第１の酸化ケイ素膜を被覆するように形成された第２の酸化ケイ素膜とを備え、ＳＨ波を利用した弾性表面波装置であって、前記ＩＤＴ電極のデューティＤが０．４９以下であり、かつ前記オイラー角（０°±５°，θ±５°，０°±１０°）のθが、ＩＤＴ電極のデューティＤ及びＩＤＴ電極膜厚を波長で規格化した値であるＣとの間に、下記の式（１）を満たす範囲とされていることを特徴とする。

本発明に係る弾性表面波装置では、より好ましくは、前記第２の酸化ケイ素膜の膜厚Ｈが、０．１６λ〜０．３０λの範囲とされている。それによって、スプリアスとなるＳＨ波の高次モードの応答をより一層小さくすることが可能となる。
（発明の効果）

本発明に係る弾性表面波装置では、ＬｉＮｂＯ_３基板上に、Ｃｕを主体とするＩＤＴ電極が形成されており、上記第１，第２の酸化ケイ素膜が形成されているので、ＳＨ波を利用した弾性表面波装置において、周波数温度係数の絶対値を小さくして温度特性を改善することができる。しかも、ＩＤＴ電極のデューティＤが０．４９以下とされているため、耐電力性が効果的に高められている。

加えて、ＬｉＮｂＯ_３基板のオイラー角のθが、デューティＤを考慮して上記式（１）の範囲内とされているので、スプリアスとなるレイリー波の電気機械結合係数Ｋ_Ｒ ^２を小さくでき、かつＳＨ波の高次モードの電気機械結合係数も小さくすることができる。従って、ＳＨ波を利用しており、スプリアスが抑圧された良好な共振特性またはフィルタ特性を得ることができる。

図１（ａ），（ｂ）は本発明の一実施形態に係る弾性表面波装置の模式的平面図及びその要部を拡大して示す部分切欠拡大正面断面図である。 図２はＩＤＴ電極のデューティと、破壊電力との関係を示す図である。 図３は（０°，θ，０°）のオイラー角のＬｉＮｂＯ_３基板上に、膜厚０．０６λのＣｕからなるＩＤＴ電極を形成し、第１，第２の酸化ケイ素膜を形成し、第２の酸化ケイ素膜の膜厚を０．２５λとした場合のオイラー角のθとＩＤＴ電極のデューティと、スプリアスとなるレイリー波の電気機械結合係数Ｋ_Ｒ ^２との関係を示す図である。 図４（ａ）は、オイラー角（０°，θ，０°）のＬｉＮｂＯ_３基板上に、膜厚０．０６λのＣｕからなるＩＤＴ電極が形成されており、第１，第２の酸化ケイ素膜が形成されており、第２の酸化ケイ素膜の膜厚が０．２５λである弾性表面波装置において、スプリアスとなるレイリー波の電気機械結合係数Ｋ_Ｒ ^２が０．０４％以下となるオイラー角のθ及びデューティの関係を示す図であり、（ｂ）は、オイラー角（０°，θ，０°）のＬｉＮｂＯ_３基板上に、ＣｕからなるＩＤＴ電極が形成されており、第１，第２の酸化ケイ素膜が形成されており、第２の酸化ケイ素膜が０．２５λ、ＩＤＴ電極のデューティが０．４０である弾性表面波装置において、スプリアスとなるレイリー波の電気機械結合係数Ｋ_Ｒ ^２が０．０４％以下となるオイラー角のθ及びＩＤＴ電極であるＣｕ電極の膜厚の関係を示す図である。 図５はオイラー角（０°，θ，０°）のＬｉＮｂＯ_３基板上に、厚み０．０６λかつデューティ＝０．５０のＣｕからなるＩＤＴ電極を形成した構造における第２の酸化ケイ素膜の膜厚と、オイラー角のθと、レイリー波の電気機械結合係数Ｋ_Ｒ ^２との関係を示す図である。 図６は図３〜図５に示した結果を得るために想定した弾性表面波装置の計算モデルを模式的に示す模式図である。 図７はオイラー角のθ＝８２°のＬｉＮｂＯ_３基板上に、デューティ＝０．３、０．４または０．５のＩＤＴ電極を形成してなる複数種の弾性表面波装置のインピーダンス−周波数特性及び位相−周波数特性を示す図である。 図８はオイラー角のθ＝８６°のＬｉＮｂＯ_３基板上に、デューティ＝０．３、０．４または０．５のＩＤＴ電極を形成してなる複数種の弾性表面波装置のインピーダンス−周波数特性及び位相−周波数特性を示す図である。 図９はオイラー角（０°，８４°，０°）の本発明の実施例としての弾性表面波フィルタのフィルタ特性と、比較例としてのオイラー角（０°，８２°，０°）のＬｉＮｂＯ_３基板を用いた弾性表面波フィルタのフィルタ特性を示す図である。 図１０は図９に示した第２の実施例の弾性表面波フィルタの通過帯域及び通過帯域より高域側の周波数特性を示す図である。 図１１は第２の酸化ケイ素膜としてのＳｉＯ_２膜の膜厚が０．３５λと異ならされていることを除いては、第２の実施例と同様して構成された比較例の弾性表面波フィルタ装置の通過帯域及び通過帯域よりも高域側の周波数特性を示す図である。

符号の説明

１…弾性表面波装置
２…ＬｉＮｂＯ_３基板
３…ＩＤＴ電極
４，５…反射器
６…第１の酸化ケイ素膜
７…第２の酸化ケイ素膜

以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。

図１（ａ）は、本発明の一実施形態に係る弾性表面波装置の模式的平面図であり、（ｂ）はその要部を示す部分切欠拡大正面断面図である。

弾性表面波装置１は、回転Ｙ板Ｘ伝搬のＬｉＮｂＯ_３基板２を用いて構成されている。ＬｉＮｂＯ_３基板２の結晶方位は、オイラー角で（０°±５°，θ，０°±１０°）とされている。

また、ＬｉＮｂＯ_３基板２上には、図１（ｂ）に示すように、ＩＤＴ電極３が形成されている。図１（ａ）に示すように、ＩＤＴ電極３の表面波伝搬方向両側には、反射器４，５が形成されている。

これらの電極が形成されている領域の残りの領域には、第１の酸化ケイ素膜６が形成されている。第１の酸化ケイ素膜６の膜厚は、ＩＤＴ電極３及び反射器４，５の膜厚と等しくされている。そして、これらの電極３，４及び第１の酸化ケイ素膜６を覆うように第２の酸化ケイ素膜７が形成されている。

弾性表面波装置１では、ＬｉＮｂＯ_３基板は、負の周波数温度係数を有する。これに対して、酸化ケイ素膜６，７は、正の周波数温度係数を有する。従って、周波数特性を改善することができる。

本実施形態では、ＩＤＴ電極３は、Ｃｕからなり、その密度は８．９３ｇ／ｃｍ^３である。他方、第１の酸化ケイ素膜の密度は２．２１ｇ／ｃｍ^３である。

従って、前述した特許文献１に開示されているように、ＩＤＴ電極３の反射係数を高めることができる。それによって、共振特性上に現れるリップルを抑圧することが可能とされている。

上記弾性表面波装置１において、ＩＤＴ電極のデューティを変化させた場合の破壊電力の変化を図２に示す。図２において、デューティが０．５よりも小さくなると、破壊電力が大きくなっていくことが分かる。これは、電極指の幅寸法に比べて電極指間のギャップの寸法が大きくなることによる。そして、ＩＤＴ電極のデューティを０．５未満、特に０．４９以下とすることにより、破壊電力が絶対値として２Ｗ以上と大きくなることがわかる。携帯電話機の帯域フィルタとして用いられるような弾性表面波装置では、破壊電力は２Ｗ以上あることが求められる。従って、本発明では、ＩＤＴ電極のデューティは、０．４９以下とされている。

もっとも、デューティを０．４９以下、すなわち０．５よりも小さくすると、所望でないスプリアスが生じることがわかった。

しかしながら、このスプリアスはＬｉＮｂＯ_３基板のオイラー角のθを下記の式（１）を満たす範囲とするように設定することにより抑圧することができる。

以下、ＬｉＮｂＯ_３基板のオイラー角のθを上記式（１）で満たす範囲内とすることにより、ＳＨ波を利用した場合のスプリアスを効果的に抑圧し得ることをより具体的に説明する。

図３は、オイラー角（０°，θ，０°）のθが、８２°、８３°、８４°または８６°のＬｉＮｂＯ_３基板上に、０．０６λの膜厚のＣｕからなるＩＤＴ電極を形成し、第１の酸化ケイ素膜として、ＣｕからなるＩＤＴ電極と同じ膜厚のＳｉＯ_２膜を形成し、ＩＤＴ電極及び第１の酸化ケイ素膜を覆うように、０．２５λの厚みのＳｉＯ_２膜を第２の酸化ケイ素膜として積層した構造におけるＩＤＴ電極のデューティとスプリアスとなるレイリー波の電気機械結合係数Ｋ_Ｒ ^２との関係を示す図である。

なお、図３及び後述の図４等における結果は、図６に示した計算モデルに基づいて有限要素法により計算した結果である。図６から明らかなように、無限の厚みのＬｉＮｂＯ_３基板２１上に、ＩＤＴ電極２２及び第１の酸化ケイ素膜２３が形成されており、その上に第２の酸化ケイ素膜２４が形成されている構造をモデルとした。

図３から明らかなように、θ＝８２°では、デューティが０．５の場合に、レイリー波の電気機械結合係数Ｋ_Ｒ ^２は０．０４％以下となっている。ところが、デューティが０．５より小さくなるに従って、レイリー波の電気機械結合係数Ｋ_Ｒ ^２が大きくなり、レイリー波によるスプリアスが無視できないことがわかる。従って、図３よりデューティが０．５より小さい場合には、オイラー角のθを調整する必要のあることがわかる。

図４（ａ）は、オイラー角（０°，θ，０°）のＬｉＮｂＯ_３基板に、上記と同様に、０．０６λのＣｕ膜からなるＩＤＴ電極を形成し、同じ膜厚のＳｉＯ_２膜を形成した後に、０．２５λの厚みのＳｉＯ_２膜を形成した構造におけるレイリー波の電気機械結合係数Ｋ_Ｒ ^２が０．０４％以下の領域を示す図である。図４（ａ）の斜線のハッチングを付している領域がレイリー波の電気機械結合係数Ｋ_Ｒ ^２が０．０４％以下の領域である。また、図４（ａ）の縦方向に延びるデューティ＝０．２５の線は、デューティがこれ以上小さくなると、弾性表面波装置のＩＤＴ電極を実質的に製造することが困難な下限を示す。

従って、図４（ａ）より、デューティが０．２５以上、０．４９以下である場合に、図４（ａ）のハッチングを付した領域にオイラー角のθを選択することにより、スプリアスとなるレイリー波の電気機械結合係数Ｋ_Ｒ ^２を０．０４％以下と小さくすることができる。この図４（ａ）の斜線のハッチングを付した領域を、数式で示すと、式（２）で示す値となる。

式（２）は、ＣｕからなるＩＤＴ電極の膜厚が０．０６λの場合に成立する関係である。そして、上記ＣｕからなるＩＤＴ電極の膜厚により、レイリー波の電気機械結合係数Ｋ_Ｒ ^２が小さくなるθ及びデューティは変化する。そこで、ＳｉＯ_２膜の膜厚を０．２５λ、デューティを０．４０とした構造において、ＣｕからなるＩＤＴ電極の膜厚を種々変化させた場合のレイリー波の電気機械結合係数Ｋ_Ｒ ^２が０．０４％以下となるθを求めた。結果を図４（ｂ）に示す。

図４（ｂ）に示すように、レイリー波の電気機械結合係数Ｋ_Ｒ ^２が０．０４％以下となる領域は、ＣｕからなるＩＤＴ電極の膜厚に依存する。従って、電極膜厚による依存性を考慮すると、式（２）は、前述した式（１）のように表すことができる。

なお、式（１）の関係は、第２の酸化ケイ素膜の膜厚が０．１５λ〜０．４λの範囲では大きくは変化しない。これを、図５を参照して説明する。

図５は、オイラー角（０°，θ，０°）のＬｉＮｂＯ_３基板上に、０．０６λの膜厚のＣｕからなるＩＤＴ電極をデューティ＝０．５０となるように形成した構造において、第２の酸化ケイ素膜の膜厚を０．２０λ、０．２５λまたは０．３０λと変化させた場合のオイラー角のθと、レイリー波の電気機械結合係数Ｋ_Ｒ ^２との関係を示す図である。図５から明らかなように、ＳｉＯ_２の膜厚を０．２０λ〜０．３０λの範囲で変化させたとしても、オイラー角のθと、レイリー波の電気機械結合係数Ｋ_Ｒ ^２との関係は余り変化していないことがわかる。本願発明者の実験によれば、ＳｉＯ_２膜の膜厚を０．１５λ〜０．４０λの範囲で変化させた場合においても、図５に示した結果と同様に、レイリー波の電気機械結合係数Ｋ_Ｒ ^２と、θとの関係はほとんど変化しないことが確かめられている。

なお、本発明においては、好ましくは、ＩＤＴ電極の膜厚は、０．０３λ〜０．０７２λの範囲とされる。すなわち、上述した式（１）によれば、Ｃｕの膜厚が０．０７２λ付近で、θの上限値及び下限値が逆転することとなる。すなわち、０．０７２λを超えると、レイリー波の電気機械結合係数Ｋ_Ｒ ^２が０．０４％以下になる範囲は存在しなくなる。従って、ＩＤＴ電極の膜厚は、０．０７２λ以下が好ましい。

また、レイリー波のスプリアスについて考慮すると、ＩＤＴ電極の膜厚が薄いほど、レイリー波の電気機械結合係数Ｋ_Ｒ ^２が小さくなる範囲は広がることになり、ＩＤＴ電極の膜厚が薄ければ薄いほど望ましい。しかしながら、ＩＤＴ電極の膜厚が薄過ぎると、弾性表面波の音速が遅い横波の音速よりも高くなり、減衰量が大きくなるおそれがある。この点を考慮すると、ＩＤＴ電極の膜厚は、０．０３λ以上であることが望ましい。従って、Ｃｕを主体とするＩＤＴ電極の膜厚は、０．０３λ〜０．０７２λの範囲が望ましい。

次に、上記実施形態に基づき、実際に弾性表面波装置を作製した実施例を説明する。

オイラー角（０°，８２°〜８６°，０°）の回転Ｙ板Ｘ伝搬のＬｉＮｂＯ_３基板を用意した。このＬｉＮｂＯ_３基板上に、第１の酸化ケイ素膜として、ＳｉＯ_２膜を１０７ｎｍ（０．０５７λ）の厚みとなるように成膜した。しかる後、このＳｉＯ_２膜上にレジストパターンを形成した後、該レジストパターンを用い反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によりＳｉＯ_２膜を選択的にエッチングし溝を形成した。この溝に、Ｃｕを充填するように、Ｃｕ膜を成膜し、ＩＤＴ電極を形成した。しかる後、ＩＤＴ電極以外のＣｕ膜を上記レジストパターンとともにリフトオフ法により除去した後、第２の酸化ケイ素膜として厚み４６０ｎｍ（０．２４λ）のＳｉＯ_２膜を成膜した。

このようにして、λ＝１．８９μｍ、すなわち１．９ＧＨｚ帯の共振周波数を有する１ポート型弾性表面波共振子を作製した。

図７及び図８に、上記のようにして得られた１ポート型弾性表面波共振子のインピーダンス−周波数特性及び位相−周波数特性を示す。図７では、オイラー角のθが８２°であり、ＩＤＴ電極のデューティが０．３、０．４または０．５の場合の結果が示されており、図８では、オイラー角のθが８６°であり、デューティが０．３、０．４または０．５の場合の特性が示されている。

図７から明らかなように、オイラー角のθ＝８２°の場合には、デューティ＝０．５で消えていたスプリアスが、デューティが０．４あるいは０．３と小さくなるに従って、矢印Ｘ１，Ｘ２で示すように、スプリアスが大きく現れていることがわかる。

これに対して、図８から明らかなように、オイラー角のθが８６°の場合には、デューティ＝０．５で現れていた矢印Ｙで示すスプリアスが、デューティが小さくなるに従って、小さくなっていることがわかる。この場合、θ＝８６°かつデューティ＝０．３の場合が、上述した式（１）を満たす範囲であり、他の場合は、上述した式（１）を満たさない範囲、すなわち本発明の範囲外の例である。

従って、図７及び図８の結果からも明らかなように、上述した式（１）を満たすようにオイラー角のθをデューティＤを考慮して設定することにより、ＳＨ波を利用した場合の所望でないスプリアスを効果的に抑圧し得ることがわかる。

なお、ＩＤＴ電極は、Ｃｕを主体とする限り、Ｃｕからなる電極層の下方に下地膜としての密着層が積層されていてもよく、あるいは主たる電極層の上面に、保護層が積層されていてよい。さらに、主たる電極層についても、Ｃｕ単体からなる必要は必ずしもなく、Ｃｕを主体とする合金から構成されていてもよい。また、ＣｕやＣｕを主体とする合金からなる電極膜に、他の金属からなる従たる金属膜が積層されていてもよい。

次に、上記実施例と同様にして、ＷＣＤＭＡ用のデュプレクサＤＰＸを作製した。ここでは、デュプレクサＤＰＸの送信側帯域フィルタを、本発明に従って構成された弾性表面波共振子を複数用いた弾性表面波フィルタにより作製した。より具体的には、オイラー角（０°，８４°０°）のＬｉＮｂＯ_３基板上に、膜厚１０８ｎｍ（０．０５７λ）及びデューティ＝０．４０となるようにＣｕからなるＩＤＴ電極を形成した。なお、ＩＤＴ電極と等しい膜厚のＳｉＯ_２膜を第１の酸化ケイ素膜として成膜し、ＩＤＴ電極及び第１の酸化ケイ素膜を覆うように、厚みを１５９ｎｍ（０．２４λ）のＳｉＯ_２膜を第２の酸化ケイ素膜として形成した。ここでは、さらに、最上部に、周波数調整するために、ＳｉＮ膜を成膜し、ＳｉＮ膜をエッチングすることにより、周波数を調整した。周波数調整後のＳｉＮ膜の膜厚は約１５ｎｍ程度である。

なお、周波数調整膜としては、ＳｉＮ膜の他、ＳｉＣ膜やＳｉ膜などを用いてもよい。

図９は、このようにして得られたＤＰＸの弾性表面波フィルタのフィルタ特性を示す図である。比較のために、図９に、破線により、オイラー角が（０°，８２°，０°）とされていることを除いては、上記と同様に構成されたデュプレクサの弾性表面波フィルタのフィルタ特性を示す。なお、実線で示す特性、すなわちオイラー角（０°，８４°，０°）と、上記膜厚及び膜厚のＣｕからなるＩＤＴ電極は、式（１）を満たしており、他方、破線で示すフィルタ特性の場合には、式（１）に示す関係は満たされていない。図９から明らかなように、破線で示す比較例では、矢印Ｚ１，Ｚ２で示す大きなスプリアスが現れている。これは、レイリー波によるスプリアスである。これに対して、第２の実施例では、このようなスプリアスが十分に抑圧されており、従って、良好なフィルタ特性の得られることがわかる。

次に、上記実施例２で作製したデュプレクサＴＰＸの弾性表面波フィルタの通過帯域及び通過帯域よりも高域側の周波数領域の特性を図１０に示す。

また、比較のために、第２の酸化ケイ素膜の膜厚を、０．３５λに変更したことを除いては、上記第２の実施例と同様にして構成された弾性表面波フィルタの周波数特性を図１１に示す。

図１１では、矢印Ｗで示すように、ＳＨ波の高次モードによるスプリアスが大きく現れている。すなわち、ＳＨ波の高次モードによるとみられるスプリアスは、第２の酸化ケイ素膜としてのＳｉＯ_２膜の膜厚に大きく依存することがわかる。そして、フィルタ特性上、第２の酸化ケイ素膜の膜厚を０．０３λ以下とした場合には、図１１に矢印Ｗで示すＳＨ波の高次モードによるスプリアスを効果的に抑圧することができ、望ましい。

ＬｉＮｂＯ_３基板のオイラー角は、上記実施形態では、（０°，θ±５°，０°）とされていたが、本願発明者の実験によれば、オイラー角（φ，θ，ψ）におけるφは０°±５°の範囲であればよく、ψは０°±１０°の範囲であればよく、いずれの場合においても、上記実施形態と同様の効果が得られることが確認されている。

さらに、前述した１ポート型弾性表面波共振子やデュプレクサの帯域フィルタ部に限らず、様々な共振子や様々な回路構成の表面波フィルタに本発明を適用することができる。

Claims (2)

1. オイラー角（０°±５°，θ±５°，０°±１０°）のＬｉＮｂＯ_３基板と、
   前記ＬｉＮｂＯ_３基板上に形成されており、Ｃｕを主体とするＩＤＴ電極を含む電極と、
   前記電極が形成されている領域を除いた残りの領域において、前記電極と等しい厚みとなるように形成されている第１の酸化ケイ素膜と、
   前記電極及び第１の酸化ケイ素膜を被覆するように形成された第２の酸化ケイ素膜とを備え、ＳＨ波を利用した弾性表面波装置であって、
   前記ＩＤＴ電極のデューティＤが０．４９以下であり、かつ前記オイラー角（０°±５°，θ±５°，０°±１０°）のθが、ＩＤＴ電極のデューティＤ及びＩＤＴ電極膜厚を波長で規格化した値であるＣとの間に、下記の式（１）を満たす範囲とされていることを特徴とする、弾性表面波装置。
   

   
2. 前記第２の酸化ケイ素膜の膜厚Ｈが、０．１６λ〜０．３０λの範囲とされている、請求項１に記載の弾性表面波装置。

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