JPWO2005036743A1 - 弾性境界波装置 - Google Patents
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Abstract
良好な共振特性やフィルタ特性を得ることができ、かつ挿入損失を低減することができる弾性境界波装置を提供する。 第1の媒質層としてのLiNbO3基板2と、第2の媒質層としてのSiO2膜3との境界に、インターデジタル電極4及び/または反射器5,6が配置されている弾性境界波装置において、インターデジタル電極4及び/または反射器5,6のデューティ比をdとしたときに、0.54<d<0.89とされている、弾性境界波装置。
Description
本発明は、音速の異なる第1,第2の媒質層間の境界を伝搬する弾性境界波を利用した弾性境界波装置に関し、より詳細には、電極構造が改良された弾性境界波装置に関する。
レーリー波や第1漏洩波などの弾性表面波を利用した弾性表面波装置では、小型化及び軽量化を進めることができ、かつ調整が不要である。
従って、弾性表面波装置は、携帯電話用RFフィルタもしくはIFフィルタ、VCO用共振子またはテレビ用VIFフィルタなどに広く用いられている。
もっとも、弾性表面波は、媒質表面を伝搬する性質を有するため、媒質の表面状態の変化に敏感である。従って、弾性表面波が伝搬するチップでは、弾性表面波が伝搬するチップ表面を保護しなければならない。そのため、弾性表面波チップのチップ表面が空洞に臨むように、空洞が設けられたパッケージを用いて、弾性表面波装置を気密封止する必要があった。このようなパッケージは一般にコストが高くつき、かつパッケージの寸法が弾性表面波チップの寸法よりも大幅に大きくならざるを得なかった。
上記のような空洞を有するパッケージを不要とするデバイスとして、弾性境界波装置が提案されている。
図6は、従来の弾性境界波装置の一例を示す模式的部分切欠正面断面図である。弾性境界波装置101では、音速が異なる第1,第2の媒質層102,103が積層されている。第1,第2の媒質層102,103の境界Aに、電気音響変換器としてのIDT104が配置されている。またIDT104の弾性境界波伝搬方向両側には、反射器(図示せず)が配置されている。
弾性境界波装置101では、IDT104に入力信号を印加することにより、弾性境界波が励振される。弾性境界波は、図6の矢印Bで模式的に示すように、弾性境界波装置101の境界A付近にエネルギーを集中させて伝搬する。
下記の非特許文献1には、このような弾性境界波装置の一例が示されている。ここでは、126°回転Y板X伝搬のLiTaO3基板上にIDTが形成されており、さらにIDTを覆うようにLiTaO3基板上にSiO2膜が所定の厚みに形成されている。この構造では、ストンリー波と称されているSV+P型の弾性境界波が伝搬することが示されている。非特許文献1では、SiO2膜の厚みを1.0λ(但し、λは弾性境界波の波長)とした場合に、2%の電気機械結合係数が得られるとされている。
他方、下記の特許文献1には、126°回転Y板X伝搬のLiTaO3基板上にAlからなるIDTを構成してなる構造を有する弾性境界波装置が開示されている。ここでは、インターデジタル電極の電極指の膜厚をH、電極指の幅をし、電極指間の間隔をSとした場合、L=S=1μmとされている。そして、上記IDT上に、第2の媒質を構成する多結晶酸化珪素膜が形成されている。ここでは、インターデジタル電極のデューティ比L/(L+S)は0.5とされている。
WO98−52279号公報 「Piezoelectric Acoustic Boundary Waves Propagating Along the Interface Between SiO2 and LiTaO3」IEEE Trans.Sonics and ultrason.,VOL.SU−25,No.6,1978IEEE
弾性境界波装置においても、弾性表面波装置と同様に、低損失であることが強く求められている。しかしながら、従来の弾性境界波装置では、この要求を十分に満たすことはできなかった。
本発明の目的は、従来技術の現状に鑑み、良好な共振特性やフィルタ特性を有し、かつ低損失である弾性境界波装置を提供することにある。
本発明は、第1の媒質層と、第2の媒質層と、第1,第2の媒質層間の境界に配置されたインターデジタル電極及び/または反射器とを備えた弾性境界波装置において、前記インターデジタル電極及び/または反射器のデューティ比をdとしたときに、0.54<d<0.89とされていることを特徴とする、弾性境界波装置である。
本発明に係る弾性境界波装置のある特定の局面では、上記第1の媒質層がLiNbO3を主成分とする基板を用いて構成されている。
本発明に係る弾性境界波装置の他の特定の局面では、上記第2の媒質層が、SiO2を主成分とする誘電体を用いて構成されている。
本発明に係る弾性境界波装置では、インターデジタル電極及び/または反射器のデューティ比dが、0.54より大きく0.89未満とされている。そのため、後述の具体的な実験例から明らかなように、挿入損失の低減を図ることができる。
すなわち、本発明は、弾性境界波装置において、デューティ比を上記特定の範囲としたことにより、弾性境界波装置における損失の低減を果たしたことに特徴を有する。
1…弾性境界波装置
2…LiNbO3基板(第1の媒質層)
3…SiO2膜(第2の媒質層)
4…インターデジタル電極
5,6…反射器
11…入力ポート
12…出力ポート
2…LiNbO3基板(第1の媒質層)
3…SiO2膜(第2の媒質層)
4…インターデジタル電極
5,6…反射器
11…入力ポート
12…出力ポート
以下、本発明の具体的な実施形態につき図面を参照しつつ説明することにより、本発明を明らかにする。
図1は、本発明の一実施形態に係る弾性境界波装置の電極構造を示す模式的断面図である。
弾性境界波装置1では、第1の媒質層として、矩形板状のLiNbO3基板2が用いられている。ここでは、LiNbO3基板2は、15°回転Y板X伝搬のLiNbO3基板を用いて構成されている。もっとも、本発明においては、他の回転角の回転Y板X伝搬LiNbO3基板を用いてもよい。
LiNbO3基板2上には、図2に模式的断面図で示すように、第2の媒質層として、SiO2膜3が積層されている。なお、図1では、SiO2膜の図示は省略されて、SiO2膜3とLiNbO3基板2との境界に配置された電極構造が示されている。すなわち、、LiNbO3基板2上には、インターデジタル電極4と、反射器5,6とが形成されている。インターデジタル電極4は、複数本の互いに間挿し合う電極指4a,4bを有する。ここでは、インターデジタル電極4は、交差幅が図示のように表面波伝搬方向において変化するように、交差幅重み付けされている。
なお、インターデジタル電極4が上記のように交差幅重み付けされているのは、横モードスプリアスを抑圧するためである。
また、インターデジタル電極4の表面波伝搬方向両側に、グレーティング反射器5,6が配置されている。反射器5,6は、複数本の電極指5a,6aを両端で短絡した構造を有する。
本実施形態では、インターデジタル電極4及び反射器5,6のデューティ比が、0.54より大きく、0.89より小さくされているため、挿入損失の低減及び製造に際しての周波数ばらつきの低減が図られる。これを具体的な実験例に基づき説明する。本発明でのデューティ比とは、左右に隣接した電極指間のスペースの電極指中心間距離をP、電極指の幅をLとしたときに、デューティ比=L/Pで決定される値である。
インターデジタル電極4及び反射器5,6を、以下の薄膜形成法により形成した。すなわち、LiNbO3基板2上に、下地層として、蒸着法により厚さ0.001λのNiCr膜を形成した。なお、λは、上記インターデジタル電極4の電極指周期で規定される表面波の配置を示す。
上記NiCr膜上に、同じく蒸着法により厚さ0.4λのAu膜を形成した。しかる後、リフトオフ法によりパターニングを行いインターデジタル電極4及び反射器5,6を形成した。
インターデジタル電極4における波長λは、3μmとした。また、インターデジタル電極4における電極指の対数は50対、反射器の電極指の本数は50本、反射器における開口長Aは30λとした。
上記インターデジタル電極4及び反射器5,6を形成した後、SiO2膜3をRFマグネトロンスパッタ法により成膜した。成膜に際しての温度は200±50℃の範囲とし、SiO2膜の厚みは1.5λとした。
このようにして構成された弾性境界波装置1では、SH型の弾性境界波が励振され、かつ反射器5,6間で閉じ込められ、SH型の弾性境界波による共振特性を得ることができる。
上記弾性境界波装置1において、インターデジタル電極4におけるデューティ比を種々異ならせ、複数種の弾性境界波装置を作製した。このようにして得られ複数種の弾性境界波装置における上記デューティ比と、インピーダンス比との関係を求めた。結果を図3に示す。なお、インピーダンス比とは、共振特性における、反共振周波数におけるインピーダンスZaと共振周波数におけるインピーダンスZrの比であり、20・log10|Za/Zr|[dB]である。インピーダンス比が大きい程特性は良好となる。
図3から明らかなように、デューティ比が0.5では、インピーダンス比は57.7dBであった。これに対して、デューティ比が0.53〜0.89の範囲では、インピーダンス比は57.7dBより大きくなることがわかる。すなわち、デューティ比を0.53〜0.89の範囲とすることにより、従来の弾性境界波装置よりも優れた共振特性の得られることがわかる。また、デューティ比が0.69において、インピーダンス比は62dBと最良となることがわかる。
次に、図1に示した弾性境界波装置1を用い、4段π型ラダー型フィルタを構成した。すなわち、図4に回路図で示すように、入力ポート11と出力ポート12との間において、直列腕に直列腕共振子S1、S2、S3、S4を接続した。そして、直列腕共振子S1の直列腕共振子S2と接続されていない側の接続点とアース電位との間に、並列腕共振子P1を接続した。また、直列腕共振子S2と直列腕共振子S3との間の2つの接続点とアース電位との間に、それぞれ、並列腕共振子P2,P3を接続した。また、直列腕共振子S4の直列腕共振子S3と接続されていない側の接続点とアース電位との間に、それぞれ、並列腕共振子P4を接続した。
このようにして、4段π型のラダー型フィルタを構成したが、この直列腕共振子S1〜S4及び並列腕共振子P1〜P4を、弾性境界波装置1を用いて構成した。もっとも、直列腕共振子S1〜S4の共振周波数が、並列腕共振子P1〜P4の反共振周波数とほぼ一致するように、直列腕共振子S1〜S4を構成する弾性境界波装置1における電極指の周期λは、並列腕共振子P1〜P4を構成する弾性境界波装置の電極指の周期λと若干異ならせた。
上記のようにして、4段π型ラダー型フィルタを構成したが、使用する弾性境界波装置のデューティ比を種々異ならせ、該ラダー型フィルタの最小挿入損失を測定した。結果を図5に示す。
図5から明らかなように、デューティ比が0.5の場合には、最小挿入損失は1.22dBであったのに対し、デューティ比が0.53〜0.89の範囲では、最小挿入損失は1.08dB以下と小さくなることがわかる。すなわち、デューティ比を0.53より大きく、0.89未満とすることにより、挿入損失を効果的に低減し、上述したように良好な共振特性及びフィルタ特性の得られることがわかる。
携帯電話機の受信ブロックは、例えば、アンテナ側から、アンテナ、RFトップフィルタ、ノイズアンプ、RF段間フィルタ、ミキサー、IFフィルタ及びIF−ICの順でこれらの部品が設けられている。一般に、アンテナ側に近い部品の挿入損失ほど全体の特性への影響が大きい。例えば、設計条件にもよるが、RFトップフィルタにおける0.1dBの最小挿入損失の劣化と、IFフィルタにおける5dBにおける最小挿入損失の劣化は同程度の影響を、C/N比(キャリア ノイズ レシオ)に与える。従って、RFトップフィルタやRF段間フィルタにおいて、最小挿入損失を1.22dBから1.08dBへ、すなわち、0.14dB改善した場合、受信ブロックの性能を著しく改善することができる。よって、上記ラダー型フィルタを、RFトップフィルタやRF段間フィルタとして用い、デューティ比を0.53より大きく、0.89未満とすることにより、該ラダー型フィルタを用いた携帯電話機の受信特性を飛躍的に改善し得ることがわかる。
なお、上記実施形態では、インターデジタル電極及び反射器5,6を構成する電極材料は、NiCrからなる下地層上に、Au膜を積層することにより構成されていた。しかしながら、電極材料は、Auを主体とするものに限定されず、Ag、Cu、Al、Fe、Ni、W、Ta、Pt、Mo、Cr、Ti、ZnO及びITOなどの金属や合金、酸化物導体を用いてもよい。また、上記NiCrなどの密着層を下地層として形成する必要も必ずしもない。すなわち、電極は単一の金属材料によってのみ構成されていてもよい。
また、第1の媒質層を構成する材料としても、LiNbO3基板2に限定されず、LiTaO3基板、水晶基板、ランガサイト系基板などの他の圧電基板により構成されてもよい。さらに、第1の媒質層は、硝子などにより構成されてもよい。
また、第2の媒質層についても、SiO2膜に限定されず、Al膜、SiN膜、多結晶Si膜などの他の材料であってもよく、さらに第2の媒質層は必ずしも薄膜状とされる必要もない。
また、第1,第2の媒質層で構成される境界部分は、インターデジタル電極4や反射器5,6の電極指間の間隔に媒質が充填される構造である限り、特に限定されるものではない。
さらに、上記実施形態では、弾性境界波装置1において、インターデジタル電極4と反射器5,6とが設けられていたが、インターデジタル電極数や反射器の数は特に限定されない。すなわち、複数のインターデジタル電極を、一対の反射器の間に配置した縦結合型の弾性境界波フィルタが構成されていてもよく、また、複数の弾性境界波装置や弾性境界波フィルタが直列、並列あるいは縦続にされていてもよい。
Claims (3)
- 第1の媒質層と、第2の媒質層と、第1,第2の媒質層間の境界に配置されたインターデジタル電極及び/または反射器とを備えた弾性境界波装置において、
前記インターデジタル電極及び/または反射器のデューティ比をdとしたときに、0.54<d<0.89とされていることを特徴とする、弾性境界波装置。 - 前記第1の媒質層がLiNbO3を主成分とする基板からなる、請求項1に記載の弾性境界波装置。
- 前記第2の媒質層が、SiO2を主成分とする誘電体からなる、請求項1または2に記載の弾性境界波装置。
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A02 | Decision of refusal |
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