JP2022171054A - 弾性波共振器、フィルタ、およびマルチプレクサ - Google Patents

Abstract

【課題】ピストンモードの励振を容易に実現すること。【解決手段】弾性波共振器１００は、圧電基板１０と、圧電基板１０上に設けられ、複数の電極指２３と複数の電極指２３が接続するバスバー２４とを各々含み、互いの複数の電極指２３の先端とバスバー２４とが向かい合い、複数の電極指２３の先端とバスバー２４の間に位置する領域であるギャップ領域３３を伝搬する弾性波の音速が互いの複数の電極指２３が交差する領域である交差領域３０のうち複数の電極指２３の延伸方向におけるエッジに位置する領域であるエッジ領域３２を伝搬する弾性波の音速の０．９８倍以上１．０２倍以下である一対の櫛型電極２２と、エッジ領域３２からギャップ領域３３にかけて圧電基板１０上に設けられ、交差領域３０のうちエッジ領域３２より内側に位置する領域である中央領域３１には設けられていない付加膜４２とを備える。【選択図】図２

Description

本発明は、弾性波共振器、フィルタ、およびマルチプレクサに関する。

携帯電話を代表とする高周波通信用システムにおいて、通信に使用する周波数帯以外の不要な信号を除去するために、高周波フィルタが用いられる。高周波フィルタには、弾性表面波共振器等の弾性波共振器が用いられる。Ｑ値を損なうことなくスプリアスを減少させる方法として、ピストンモードを利用した弾性波共振器が知られている（例えば、特許文献１、２）。

特開２０２０－８０５１９号公報 特開２０２０－８８４５９号公報

ピストンモードでは、複数の電極指が交差する交差領域のうちエッジ領域における弾性波の音速をエッジ領域より内側に位置する中央領域より遅い低音速領域とし、エッジ領域より外側のギャップ領域を中央領域より弾性波の音速が速い高音速領域とする場合がある。この場合、ピストンモードの励振を成立させるための調整が複雑になる。

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、ピストンモードの励振を容易に実現することを目的とする。

本発明は、圧電基板と、前記圧電基板上に設けられ、複数の電極指と前記複数の電極指が接続するバスバーとを各々含み、互いの前記複数の電極指の先端と前記バスバーとが向かい合い、前記複数の電極指の先端と前記バスバーの間に位置する領域であるギャップ領域を伝搬する弾性波の音速が互いの前記複数の電極指が交差する領域である交差領域のうち前記複数の電極指の延伸方向におけるエッジに位置する領域であるエッジ領域を伝搬する弾性波の音速の０．９８倍以上１．０２倍以下である一対の櫛型電極と、前記エッジ領域から前記ギャップ領域にかけて前記圧電基板上に設けられ、前記交差領域のうち前記エッジ領域より内側に位置する領域である中央領域には設けられていない付加膜と、を備える弾性波共振器である。

上記構成において、前記複数の電極指の先端と前記バスバーとの間で前記圧電基板上に設けられる別の付加膜を備える構成とすることができる。

本発明は、圧電基板と、前記圧電基板上に設けられ、複数の電極指と複数のダミー電極指と前記複数の電極指および前記複数のダミー電極指が接続するバスバーとを各々含み、互いの前記複数の電極指の先端と前記複数のダミー電極指の先端とが向かい合い、前記複数の電極指の先端と前記複数のダミー電極指の先端との間に位置する領域であるギャップ領域を伝搬する弾性波の音速が互いの前記複数の電極指が交差する領域である交差領域のうち前記複数の電極指の延伸方向におけるエッジに位置する領域であるエッジ領域を伝搬する弾性波の音速の０．９８倍以上１．０２倍以下である一対の櫛型電極と、前記エッジ領域から前記ギャップ領域にかけて前記圧電基板上に設けられ、前記交差領域のうち前記エッジ領域より内側に位置する領域である中央領域には設けられていない付加膜と、を備える弾性波共振器である。

上記構成において、前記複数の電極指の先端と前記複数のダミー電極指の先端との間で前記圧電基板上に設けられる別の付加膜を備える構成とすることができる。

上記構成において、前記複数の電極指は、前記ギャップ領域における幅が前記交差領域における幅よりも広い構成とすることができる。

上記構成において、前記一対の櫛型電極は、前記エッジ領域および前記ギャップ領域を伝搬する弾性波の音速が前記中央領域を伝搬する弾性波の音速より遅く、前記バスバーが位置する領域であるバスバー領域を伝搬する弾性波の音速が前記中央領域を伝搬する弾性波の音速より速い構成とすることができる。

上記構成において、前記ギャップ領域を伝搬する弾性波の音速は、前記エッジ領域を伝搬する弾性波の音速の０．９８倍以上１．００倍以下である構成とすることができる。

本発明は、圧電基板と、前記圧電基板上に設けられ、複数の電極指と前記複数の電極指が接続するバスバーとを各々含み、互いの前記複数の電極指の先端と前記バスバーとが向かい合う一対の櫛型電極と、前記複数の電極指の先端と前記バスバーとの間で前記圧電基板上に設けられ、酸化シリコン、酸化タンタル、酸化ニオブ、アルミニウム、またはチタンを主成分とする第１付加膜と、前記一対の櫛型電極それぞれの前記複数の電極指が交差する領域である交差領域のうち前記複数の電極指の延伸方向におけるエッジに位置する領域であるエッジ領域から前記複数の電極指の先端と前記バスバーとの間に位置する領域であるギャップ領域にかけて前記圧電基板上に設けられ、前記交差領域のうち前記エッジ領域より内側に位置する領域である中央領域には設けられていない第２付加膜と、を備える弾性波共振器である。

本発明は、圧電基板と、前記圧電基板上に設けられ、複数の電極指と複数のダミー電極指と前記複数の電極指および前記複数のダミー電極指が接続するバスバーとを各々含み、互いの前記複数の電極指の先端と前記複数のダミー電極指の先端とが向かい合う一対の櫛型電極と、前記複数の電極指の先端と前記ダミー電極指の先端との間で前記圧電基板上に設けられ、酸化シリコン、酸化タンタル、酸化ニオブ、アルミニウム、またはチタンを主成分とする第１付加膜と、前記一対の櫛型電極それぞれの前記複数の電極指が交差する領域である交差領域のうち前記複数の電極指の延伸方向におけるエッジに位置する領域であるエッジ領域から前記複数の電極指の先端と前記複数のダミー電極指の先端との間に位置する領域であるギャップ領域にかけて前記圧電基板上に設けられ、前記交差領域のうち前記エッジ領域より内側に位置する領域である中央領域には設けられていない第２付加膜と、を備える弾性波共振器である。

上記構成において、前記一対の櫛型電極はアルミニウムを主成分とし、前記第１付加膜は酸化シリコンを主成分とし、前記複数の電極指の厚さをＨ、前記複数の電極指の幅をＷ、前記第１付加膜の前記複数の電極指の配列方向に平行な断面における断面積をＳとした場合に、１．１４×Ｈ×Ｗ≦Ｓ≦１．３１×Ｈ×Ｗを満たす構成とすることができる。

上記構成において、前記複数の電極指の延伸方向における前記ギャップ領域の長さは、前記一対の櫛型電極の前記複数の電極指の平均ピッチの２倍以下である構成とすることができる。

上記構成において、前記圧電基板は、タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板である構成とすることができる。

本発明は、上記に記載の弾性波共振器を含むフィルタである。

本発明は、上記に記載のフィルタを含むマルチプレクサである。

本発明によれば、ピストンモードの励振を容易に実現することができる。

図１（ａ）は、実施例１に係る弾性波共振器の平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ－Ａ断面図である。 図２（ａ）および図２（ｂ）は、実施例１におけるＩＤＴ（Interdigital Transducer）内の弾性表面波の音速を示す図である。 図３（ａ）から図３（ｃ）は、実施例１に係る弾性波共振器の製造方法を示す断面図である。 図４は、比較例１におけるＩＤＴ内の弾性波の音速を示す図である。 図５は、比較例２におけるＩＤＴ内の弾性波の音速を示す図である。 図６は、比較例３におけるＩＤＴ内の弾性波の音速を示す図である。 図７は、図１（ａ）のＢ－Ｂ断面図である。 図８（ａ）は、実施例１の変形例１に係る弾性波共振器の平面図、図８（ｂ）は、図８（ａ）のＡ－Ａ断面図である。 図９（ａ）および図９（ｂ）は、実施例１の変形例１におけるＩＤＴ内の弾性波の音速を示す図である。 図１０（ａ）は、実施例１の変形例２に係る弾性波共振器の平面図、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）のＡ－Ａ断面図である。 図１１（ａ）は、図１０（ａ）のＢ－Ｂ断面図、図１１（ｂ）は、図１０（ａ）のＣ－Ｃ断面図である。 図１２（ａ）は、実施例２に係る弾性波共振器の平面図、図１２（ｂ）は、図１２（ａ）のＡ－Ａ断面図である。 図１３（ａ）および図１３（ｂ）は、実施例２におけるＩＤＴ内の弾性波の音速を示す図である。 図１４は、実施例２に係る弾性波共振器の周波数に対するアドミッタンス｜Ｙ｜のシミュレーション結果である。 図１５は、実施例３に係るフィルタの回路図である。 図１６は、実施例４に係るデュプレクサのブロック図である。

以下、図面を参照し、本発明の実施例について説明する。

図１（ａ）は、実施例１に係る弾性波共振器１００の平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ－Ａ断面図である。電極指の配列方向をＸ方向、電極指の延伸方向をＹ方向、圧電基板の厚さ方向をＺ方向とする。Ｘ方向、Ｙ方向、およびＺ方向は、圧電基板の結晶方位のＸ軸方向およびＹ軸方向とは必ずしも対応しない。圧電基板が回転ＹカットＸ伝搬の圧電基板の場合、Ｘ方向は結晶方位のＸ軸方向となる。

図１（ａ）および図１（ｂ）に示すように、弾性波共振器１００は、圧電基板１０上にＩＤＴ（Interdigital Transducer）２０および反射器２１が設けられている。反射器２１は、Ｘ方向においてＩＤＴ２０を挟むように設けられている。ＩＤＴ２０および反射器２１は、圧電基板１０上の金属膜２６により形成される。

ＩＤＴ２０は、一対の櫛型電極２２を備える。櫛型電極２２は、複数の電極指２３と、複数の電極指２３が接続されたバスバー２４と、を備える。一方の櫛型電極２２の電極指２３の先端と他方の櫛型電極２２のバスバー２４とは対向している。一対の櫛型電極２２の電極指２３が交差する領域が交差領域３０である。交差領域３０のＹ方向の長さが開口長である。一対の櫛型電極２２は、交差領域３０の少なくとも一部において電極指２３がほぼ互い違いとなるように、対向している。交差領域３０において電極指２３が励振する主モードの弾性波（弾性表面波）は、主にＸ方向に伝搬する。一方の櫛型電極２２の電極指２３のピッチがほぼ弾性波の波長λとなる。複数の電極指２３のピッチＤは、一方の櫛型電極２２の電極指２３のピッチの倍となる。反射器２１は、ＩＤＴ２０の電極指２３が励振した弾性波（弾性表面波）を反射する。これにより、弾性波はＩＤＴ２０の交差領域３０内に閉じ込められる。

交差領域３０は、Ｙ方向においてエッジに位置する領域（電極指２３の先端部が位置する領域）であるエッジ領域３２と、Ｙ方向においてエッジ領域３２より内側に位置する領域である中央領域３１と、を有する。一方の櫛型電極２２の電極指２３の先端と他方の櫛型電極２２のバスバー２４との間に位置する領域がギャップ領域３３である。バスバー２４が位置する領域がバスバー領域３４である。

一方の櫛型電極２２の電極指２３の先端と他方の櫛型電極２２のバスバー２４との間で圧電基板１０上に付加膜４０が設けられている。付加膜４０は、Ｘ方向で隣接する電極指２３上および電極指２３下には設けられていない。付加膜４０の上面は電極指２３の上面と同一面であってもよいし、段差を有していてもよい。付加膜４０は、電極指２３より厚くてもよいし、薄くてもよい。Ｘ方向における付加膜４０の幅は、電極指２３と同じであってもよいし、大きくてもよいし、小さくてもよい。詳しくは後述するが、付加膜４０は、ギャップ領域３３における弾性表面波の音速を調整するために設けられている。

エッジ領域３２からギャップ領域３３にかけて電極指２３および付加膜４０を覆うように圧電基板１０上に付加膜４２が設けられている。付加膜４２は、中央領域３１には設けられていない。付加膜４２は、電極指２３上および付加膜４０上に設けられていれば、電極指２３の間には設けられていない場合でもよい。電極指２３上における付加膜４２の厚さと付加膜４０上における付加膜４２の厚さとは略同じである。ここで言う略同じとは、製造誤差程度の差を許容するものである。詳しくは後述するが、付加膜４２はエッジ領域３２およびギャップ領域３３における弾性表面波の音速を調整するために設けられている。

圧電基板１０は、例えば単結晶タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ_３）基板または単結晶ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ_３）基板であり、例えば回転ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板または回転ＹカットＸ伝搬ニオブ酸リチウム基板である。圧電基板１０は、例えば３６°～４８°ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板である。

金属膜２６は、例えばアルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、またはモリブデン（Ｍｏ）を主成分とする膜である。電極指２３およびバスバー２４と圧電基板１０との間にチタン（Ｔｉ）膜またはクロム（Ｃｒ）膜等の密着膜が設けられていてもよい。密着膜は電極指２３およびバスバー２４よりも薄い。電極指２３を覆うように絶縁膜が設けられていてもよい。この場合、付加膜４０および付加膜４２は絶縁膜上に設けられていてもよい。絶縁膜は保護膜として機能してもよい。

付加膜４０は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ_２）、酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）、酸化ニオブ（Ｎｂ_２Ｏ_５）、アルミニウム（Ａｌ）、またはチタン（Ｔｉ）を主成分とする膜であるが、ギャップ領域３３を伝搬する弾性波の音速の調整が可能であれば、その他の材料を主成分とする膜でもよい。なお、付加膜４０がアルミニウムまたはチタン等の金属膜である場合は、付加膜４０と電極指２３およびバスバー２４との間に絶縁膜が設けられるが、この点については後述する。

付加膜４２は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ_２）、酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）、酸化ニオブ（Ｎｂ_２Ｏ_５）、アルミニウム（Ａｌ）、またはチタン（Ｔｉ）を主成分とする膜であるが、エッジ領域３２およびギャップ領域３３を伝搬する弾性波の音速の調整が可能であれば、その他の材料を主成分とする膜でもよい。付加膜４２は、付加膜４０と同じ材料を主成分とする膜でもよいし、異なる材料を主成分とする膜でもよい。なお、付加膜４２がアルミニウムまたはチタン等の金属膜である場合は、付加膜４２と電極指２３およびバスバー２４との間に絶縁膜が設けられるが、この点については後述する。

図２（ａ）および図２（ｂ）は、実施例１におけるＩＤＴ２０内の弾性波の音速を示す図である。図２（ａ）は、付加膜４２を設ける前の状態を示し、図２（ｂ）は、付加膜４２を設けた後の状態を示している。図２（ａ）に示すように、電極指２３の先端とバスバー２４との間で圧電基板１０上に付加膜４０が設けられることで、中央領域３１、エッジ領域３２、およびギャップ領域３３を伝搬する弾性表面波の音速が略同じになっている。言い換えると、ギャップ領域３３を伝搬する弾性表面波の音速が、中央領域３１およびエッジ領域３２を伝搬する弾性表面波の音速と略同じになるように、材料、厚さ、および／または幅が調整された付加膜４０が設けられている。

図２（ｂ）に示すように、エッジ領域３２からギャップ領域３３にかけて付加膜４２が設けられることで、エッジ領域３２およびギャップ領域３３を伝搬する弾性表面波の音速が中央領域３１を伝搬する弾性表面波の音速より遅くなっている。すなわち、エッジ領域３２およびギャップ領域３３を伝搬する弾性表面波の音速が中央領域３１を伝搬する弾性表面波の音速に対して適切に遅くなるように、材料、厚さ、および／または幅が調整された付加膜４２が設けられている。中央領域３１を伝搬する弾性表面波の音速は、例えばエッジ領域３２を伝搬する弾性表面波の音速の１．０２倍より大きく１．０３５倍より小さい。

付加膜４０によってギャップ領域３３を伝搬する弾性表面波の音速とエッジ領域３２を伝搬する弾性表面波の音速とが略同じになっているため、付加膜４２が設けられた後においても、ギャップ領域３３を伝搬する弾性表面波の音速とエッジ領域３２を伝搬する弾性表面波の音速とは略同じになっている。略同じとは、例えばギャップ領域３３を伝搬する弾性表面波の音速がエッジ領域３２を伝搬する弾性表面波の音速の０．９８倍以上１．０２倍以下の場合である。

［製造方法］
図３（ａ）から図３（ｃ）は、実施例１に係る弾性波共振器１００の製造方法を示す断面図である。図３（ａ）に示すように、圧電基板１０上に金属膜２６を成膜した後、金属膜２６を所望の形状にパターニングする。これにより、圧電基板１０上に、複数の電極指２３とバスバー２４を含む一対の櫛型電極２２を備えたＩＤＴ２０および反射器２１が形成される。電極指２３の先端とバスバー２４との間には空隙４４が形成される。金属膜２６の成膜は、例えばスパッタリング法、真空蒸着法、またはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等を用いる。金属膜２６のパターニングは、例えばフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いる。

図３（ｂ）に示すように、電極指２３の先端とバスバー２４との間の空隙４４に付加膜４０を形成する。付加膜４０は、例えば圧電基板１０上に空隙４４に対応した開口を有するマスク層を形成した後、マスク層をマスクに付加膜４０を成膜し、その後、マスク層を除去することにより形成される。マスク層は、例えばフォトレジストを用いる。付加膜４０の成膜は、例えばスパッタリング法、真空蒸着法、またはＣＶＤ法を用いる。

図３（ｃ）に示すように、エッジ領域３２からギャップ領域３３にかけて電極指２３および付加膜４０を覆うように付加膜４２を形成する。付加膜４２は、例えば圧電基板１０上にエッジ領域３２およびギャップ領域３３に対応した開口を有するマスク層を形成した後、マスク層をマスクに付加膜４２を成膜し、その後、マスク層を除去することにより形成される。マスク層は、例えばフォトレジストを用いる。付加膜４２の成膜は、例えばスパッタリング法、真空蒸着法、またはＣＶＤ法を用いる。これにより、実施例１に係る弾性波共振器１００が形成される。

［比較例］
図４は、比較例１におけるＩＤＴ２０内の弾性波の音速を示す図である。図４の上図に示すように、比較例１では、電極指２３の先端とバスバー２４との間に付加膜が設けられてなく、空隙４４が形成されている。付加膜４２は、エッジ領域３２のみに設けられ、ギャップ領域３３には設けられていない。

電極指２３の先端とバスバー２４との間に付加膜が設けられてなく、付加膜４２がエッジ領域３２にのみ設けられているため、図４の下図に示すように、エッジ領域３２を伝搬する弾性表面波の音速は中央領域３１を伝搬する弾性表面波の音速より遅く、ギャップ領域３３を伝搬する弾性表面波の音速は中央領域３１を伝搬する弾性表面波の音速より速くなっている。

図５は、比較例２におけるＩＤＴ２０内の弾性波の音速を示す図である。図５の上図および下図に示すように、比較例２では、電極指２３の先端とバスバー２４との間隔が狭くなっている。つまり、ギャップ領域３３のＹ方向の長さが短くなっている。ギャップ領域３３のＹ方向の長さは例えば１λ以下である。その他の構成は比較例１と同じである。

比較例１では、ギャップ領域３３のＹ方向の長さが長い。この場合、ピストンモードとしては、エッジ領域３２が低音速領域として機能し、ギャップ領域３３が高音速領域として機能する。比較例２では、弾性波共振器の小型化および／または回折損の抑制のために、ギャップ領域３３のＹ方向の長さが小さい。この場合、ピストンモードとしては、エッジ領域３２が低音速領域として機能し、バスバー領域３４が高音速領域として機能する場合がある。

このように、ギャップ領域３３のＹ方向の長さによっては、ギャップ領域３３が高音速領域として機能したり、バスバー領域３４が高音速領域として機能したりすることがある。したがって、ピストンモードの励振を成立させるために、ギャップ領域３３のＹ方向の長さに応じて、ギャップ領域３３を伝搬する弾性表面波の音速および／またはバスバー領域３４を伝搬する弾性表面波の音速を調整することになる。よって、ピストンモードの励振を成立させるための調整が複雑になってしまう。

図６は、比較例３におけるＩＤＴ２０内の弾性波の音速を示す図である。図６の上図に示すように、比較例３では、付加膜４２がエッジ領域３２からギャップ領域３３にかけて設けられている。その他の構成は比較例１と同じである。図６の下図に示すように、付加膜４２がエッジ領域３２からギャップ領域３３にかけて設けられているため、ギャップ領域３３を伝搬する弾性表面波の音速は、比較例１に比べて遅くなる。

図６の下図では、ギャップ領域３３を伝搬する弾性表面波の音速が中央領域３１を伝搬する弾性表面波の音速よりも遅い場合を例に示しているが、付加膜４２による質量負荷効果（圧電基板１０への質量負荷による音速低下効果）の程度によっては、ギャップ領域３３を伝搬する弾性表面波の音速が中央領域３１を伝搬する弾性表面波の音速よりも速くなる場合がある。ギャップ領域３３を伝搬する弾性表面波の音速が中央領域３１を伝搬する弾性表面波の音速よりも遅い場合、バスバー領域３４が高音速領域として機能する。ギャップ領域３３を伝搬する弾性表面波の音速が中央領域３１を伝搬する弾性表面波の音速よりも速い場合、ギャップ領域３３が高音速領域として機能する。このように、ピストンモードの励振を成立させるためには、付加膜４２の質量負荷効果に応じて、ギャップ領域３３を伝搬する弾性表面波の音速および／またはバスバー領域３４を伝搬する弾性表面波の音速を調整することになることから、ピストンモードの励振を成立させるための調整が複雑になってしまう。

一方、実施例１によれば、図２（ｂ）に示したように、ギャップ領域３３を伝搬する弾性波の音速がエッジ領域３２を伝搬する弾性波の音速の０．９８倍以上１．０２倍以下となっている。そして、付加膜４２はエッジ領域３２からギャップ領域３３にかけて設けられ、中央領域３１には設けられていない。これにより、ギャップ領域３３のＹ方向の長さおよび付加膜４２による質量負荷効果の程度によらず、エッジ領域３２およびギャップ領域３３が低音速領域として機能し、バスバー領域３４が高音速領域として機能する。よって、ピストンモードの励振を成立させるための調整の複雑化が抑えられ、ピストンモードの励振を容易に実現することができる。例えば、ピストンモードの励振を成立させるための要件として、低音速領域のＹ方向の長さと低音速領域を伝搬する弾性波の音速があるが、これらは付加膜４２のＹ方向の長さと付加膜４２の厚さで調整することができる。ギャップ領域３３を伝搬する弾性波の音速は、エッジ領域３２を伝搬する弾性波の音速の０．９８５倍以上１．０１５倍以下が好ましく、０．９９倍以上１．０１倍以下がより好ましく、０．９９５倍以上１．００５倍以下が更に好ましい。

ピストンモードを実現するために、中央領域３１のＹ方向の長さとエッジ領域３２のＹ方向の長さとは、ある一定の関係を満たすことが好ましい。例えば、中央領域３１のＹ方向の長さは、エッジ領域３２のＹ方向の合計の長さより長い場合が好ましい。エッジ領域３２のＹ方向の長さの合計は、５λ以下（例えば開口長の１／４以下）が好ましく、２λ以下（例えば開口長の１／１０以下）がより好ましい。エッジ領域３２の各々のＹ方向の長さは、０．１λ以上（例えば開口長の１／２００以上）が好ましく、０．５λ以上（例えば開口長の１／４０以上）がより好ましい。エッジ領域３２は中央領域３１の片側にのみ設けられていてもよい。ギャップ領域３３のＹ方向の長さの合計は、５λ以下（例えば開口長の１／４以下）が好ましく、２λ以下（例えば開口長の１／１０以下）が好ましい。ギャップ領域３３の各々のＹ方向の長さは０．１λ以上（例えば開口長の１／２００以上）が好ましく、０．５λ以上（例えば開口長の１／４０以上）が好ましい。

また、実施例１では、図１（ａ）および図１（ｂ）に示したように、電極指２３の先端とバスバー２４との間で圧電基板１０上に付加膜４０が設けられている。これにより、ギャップ領域３３を伝搬する弾性波の音速を遅くして、ギャップ領域３３を伝搬する弾性波の音速がエッジ領域３２を伝搬する弾性波の音速と略同じになるようにすることができる。

また、実施例１では、付加膜４０は、酸化シリコン、酸化タンタル、酸化ニオブ、アルミニウム、またはチタンを主成分とする膜である。このような付加膜４０を電極指２３の先端とバスバー２４との間で圧電基板１０上に設けることで、ギャップ領域３３を伝搬する弾性波の音速がエッジ領域３２を伝搬する弾性波の音速と略同じになるようにすることができる。主成分とするとは、付加膜４０が酸化シリコン、酸化タンタル、または酸化ニオブのような化合物である場合は、付加膜４０に含まれる元素の合計に対する当該化合物を構成する元素の割合の合計が５０ａｔ％（原子％）以上であり、８０ａｔ％以上でもよい。当該化合物を構成する元素それぞれの割合は１０ａｔ％以上であり、２０ａｔ％以上でもよい。付加膜４０がアルミニウムまたはチタンのような単体である場合は、付加膜４０に含まれる元素の合計に対する当該単体の元素の割合が５０ａｔ％以上であり、８０ａｔ％以上でもよい。

実施例１において、ギャップ領域３３を伝搬する弾性波の音速は、エッジ領域３２を伝搬する弾性波の音速の０．９８倍以上１．００倍以下の場合が好ましい。これにより、ギャップ領域３３およびエッジ領域３２をより確実に低音速領域として機能させることができる。ギャップ領域３３を伝搬する弾性波の音速は、エッジ領域３２を伝搬する弾性波の音速の０．９８５倍以上１．００倍以下の場合が好ましく、０．９９倍以上１．００倍以下の場合がより好ましく、０．９９５倍以上１．００倍以下の場合が更に好ましい。

図７は、図１（ａ）のＢ－Ｂ断面図である。なお、図７では、図の明瞭化のために、付加膜４２の図示を省略している。図７に示すように、電極指２３のＸ方向の幅をＷとし、電極指２３の厚さをＨとする。付加膜４０のＸ方向に平行な断面の断面積をＳとする。櫛型電極２２がアルミニウムを主成分として形成され、付加膜４０が酸化シリコンを主成分として形成される場合、断面積Ｓは、１．１４×Ｈ×Ｗ≦Ｓ≦１．３１×Ｈ×Ｗを満たす場合が好ましい。この理由を以下に説明する。

圧電体への質量負荷によって弾性波の音速を低下させる質量負荷効果は、酸化シリコン膜はアルミニウム膜に対して８７．５％程度である。したがって、酸化シリコン膜とアルミニウム膜の幅が同じである場合、質量負荷効果が同じになるために必要な膜厚は、酸化シリコン膜はアルミニウム膜に対して１．１４倍程度となる。例えば、酸化シリコン膜とアルミニウム膜の幅が同じである場合、膜厚０．１λのアルミニウム膜と同じ質量負荷効果を得るには、酸化シリコン膜の膜厚は０．１λ×１．１４＝０．１１４λとなる。よって、アルミニウムを主成分とする電極指２３の幅がＷ、厚さがＨ、酸化シリコンを主成分とする付加膜４０の断面積がＳである場合、Ｓ＝１．１４×Ｈ×Ｗを満たすことで、電極指２３と付加膜４０の質量負荷効果が同じになる。よって、ギャップ領域３３を伝搬する弾性波の音速を、エッジ領域３２を伝搬する弾性波の音速と同じ大きさにすることができる。

また、質量負荷効果によって弾性波の音速を２％低下させるには、元の膜厚に対して１．１５倍程度厚くする必要がある。例えば、酸化シリコン膜とアルミニウム膜の幅が同じで、膜厚０．１λのアルミニウム膜と同じ質量負荷効果を得るために酸化シリコン膜の膜厚を０．１１４λとしている場合を想定する。この場合、酸化シリコン膜の質量負荷膜を増大させて弾性波の音速を２％下げるためには、酸化シリコンの膜厚は０．１１４λ×１．１５＝０．１３１λとする必要がある。このことから、アルミニウムを主成分とする電極指２３の幅がＷ、厚さがＨ、酸化シリコンを主成分とする付加膜４０の断面積がＳである場合、Ｓ＝１．３１×Ｈ×Ｗを満たすことで、付加膜４０が設けられたギャップ領域３３を伝搬する弾性波の音速は電極指２３が交差する交差領域３０を伝搬する弾性波の音速よりも２％遅くなる。

このようなことから、１．１４×Ｈ×Ｗ≦Ｓ≦１．３１×Ｈ×Ｗを満たすことで、ギャップ領域３３を伝搬する弾性波の音速を、エッジ領域３２を伝搬する弾性波の音速の０．９８倍以上１．００倍以下にすることができる。

実施例１において、Ｙ方向におけるギャップ領域３３の長さは、複数の電極指２３の平均ピッチＤの２倍（１λ）以下であってもよい。この場合、比較例２と同様に、弾性波共振器の小型化および／または回折損の抑制ができる。比較例２では、Ｙ方向におけるギャップ領域３３の長さが１λ以下になると、高音速領域がギャップ領域３３になったり、バスバー領域３４になったりすることがあるが、実施例１では、低音速領域はエッジ領域３２とギャップ領域３３となり、高音速領域はバスバー領域３４となる。弾性波共振器の小型化および／または回折損の抑制の点から、Ｙ方向におけるギャップ領域３３の長さは、複数の電極指２３の平均ピッチＤの１．５倍（０．７５λ）以下であってもよいし、１倍（０．５λ）以下であってもよい。複数の電極指２３の平均ピッチＤは、ＩＤＴ２０のＸ方向の幅を電極指２３の本数で除することで算出できる。

［変形例］
図８（ａ）は、実施例１の変形例１に係る弾性波共振器１１０の平面図、図８（ｂ）は、図８（ａ）のＡ－Ａ断面図である。図８（ａ）および図８（ｂ）に示すように、弾性波共振器１１０では、電極指２３の先端とバスバー２４との間に付加膜４０は設けられてなく、エッジ領域３２からギャップ領域３３にかけて設けられた付加膜４２が電極指２３の先端とバスバー２４との間に設けられている。電極指２３の先端とバスバー２４との間における付加膜４２の厚さと電極指２３上の付加膜４２の厚さとは略同じである。ここで言う略同じとは、製造誤差程度の差を許容するものである。電極指２３は、ギャップ領域３３における幅（Ｘ方向の長さ）が交差領域３０における幅（Ｘ方向の長さ）より大きくなっている。すなわち、電極指２３は、交差領域３０における幅よりも広い幅広部２７をギャップ領域３３に有する。例えば、ギャップ領域３３における電極指２３の幅（幅広部２７の幅）は、交差領域３０における電極指２３の幅の１．２倍以上２．０倍以下でもよいし、１．３倍以上１．８倍以下でもよいし、１．４倍以上１．６倍以下でもよい。その他の構成は実施例１と同じであるため説明を省略する。

図９（ａ）および図９（ｂ）は、実施例１の変形例１におけるＩＤＴ２０内の弾性波の音速を示す図である。図９（ａ）は、付加膜４２を設ける前の状態を示し、図９（ｂ）は、付加膜４２を設けた後の状態を示している。図９（ａ）に示すように、電極指２３の幅がギャップ領域３３では交差領域３０よりも広くなっていることで、中央領域３１、エッジ領域３２、およびギャップ領域３３を伝搬する弾性表面波の音速が略同じ大きさになっている。言い換えると、ギャップ領域３３を伝搬する弾性表面波の音速が、中央領域３１およびエッジ領域３２を伝搬する弾性表面波の音速と略同じ大きさになるように、ギャップ領域３３における電極指２３の幅が調整されている。

図９（ｂ）に示すように、エッジ領域３２からギャップ領域３３にかけて付加膜４２が設けられることで、エッジ領域３２およびギャップ領域３３を伝搬する弾性表面波の音速が中央領域３１を伝搬する弾性表面波の音速よりも遅くなっている。すなわち、エッジ領域３２およびギャップ領域３３を伝搬する弾性表面波の音速が中央領域３１を伝搬する弾性表面波の音速に対して適切に遅くなるように、材料、厚さ、および／または幅が調整された付加膜４２が設けられている。

ギャップ領域３３における電極指２３の幅が大きいことでギャップ領域３３を伝搬する弾性表面波の音速とエッジ領域３２を伝搬する弾性表面波の音速が略同じになっているため、付加膜４２が設けられた後においても、ギャップ領域３３を伝搬する弾性表面波の音速とエッジ領域３２を伝搬する弾性表面波の音速が略同じになっている。略同じとは、上述したように、例えばギャップ領域３３を伝搬する弾性表面波の音速がエッジ領域３２を伝搬する弾性表面波の音速の０．９８倍以上１．０２倍以下の場合である。

実施例１では、電極指２３の先端とバスバー２４との間に付加膜４０が設けられることで、ギャップ領域３３を伝搬する弾性波の音速がエッジ領域３２を伝搬する弾性波の音速と略同じになるようにしたが、この場合に限られない。実施例１の変形例１のように、ギャップ領域３３における電極指２３の幅を広げることで、ギャップ領域３３を伝搬する弾性波の音速がエッジ領域３２を伝搬する弾性波の音速と略同じになるようにしてもよい。また、これら以外の方法によって、ギャップ領域３３を伝搬する弾性波の音速がエッジ領域３２を伝搬する弾性波の音速と略同じになるようしてもよい。また、付加膜４０を設けることと、ギャップ領域３３における電極指２３の幅を広げること、との両方によって、ギャップ領域３３を伝搬する弾性波の音速がエッジ領域３２を伝搬する弾性波の音速と略同じになるようにしてもよい。

図１０（ａ）は、実施例１の変形例２に係る弾性波共振器１２０の平面図、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）のＡ－Ａ断面図である。図１１（ａ）は、図１０（ａ）のＢ－Ｂ断面図、図１１（ｂ）は、図１０（ａ）のＣ－Ｃ断面図である。図１０（ａ）では、図の明瞭化のために、絶縁膜４６の図示を一部省略している。図１０（ａ）、図１０（ｂ）、図１１（ａ）、および図１１（ｂ）に示すように、弾性波共振器１２０では、電極指２３およびバスバー２４の表面に絶縁膜４６が設けられ、付加膜４０および付加膜４２は絶縁膜４６上に設けられている。したがって、Ｙ方向において付加膜４０と電極指２３およびバスバー２４との間に絶縁膜４６が設けられ、付加膜４０と電極指２３およびバスバー２４とは直接接していない。付加膜４２と電極指２３およびバスバー２４との間に絶縁膜４６が設けられ、付加膜４２と電極指２３およびバスバー２４とは直接接していない。その他の構成は実施例１と同じであるため説明を省略する。

付加膜４０にアルミニウムまたはチタン等の金属膜を用いる場合がある。この場合、付加膜４０と電極指２３およびバスバー２４との間に絶縁膜４６が設けられることで、付加膜４０と電極指２３およびバスバー２４とを電気的に絶縁させることができる。同様に、付加膜４２にアルミニウムまたはチタン等の金属膜を用いる場合がある。この場合、付加膜４２と電極指２３およびバスバー２４との間に絶縁膜４６が設けられることで、付加膜４２と電極指２３およびバスバー２４とを電気的に絶縁させることができる。

なお、絶縁膜４６の膜厚は薄いことから（例えば０．１λ以下）、絶縁膜４６を設けたとしても、ピストンモードの励振条件に与える影響は無視できるほど小さい。

なお、実施例１の変形例１においても、実施例１の変形例２と同様に、付加膜４２と電極指２３およびバスバー２４との間に絶縁膜４６を設けてもよい。

図１２（ａ）は、実施例２に係る弾性波共振器２００の平面図、図１２（ｂ）は、図１２（ａ）のＡ－Ａ断面図である。図１２（ａ）および図１２（ｂ）のように、弾性波共振器２００では、櫛型電極２２は、複数の電極指２３と、複数のダミー電極指２５と、複数の電極指２３および複数のダミー電極指２５が接続されたバスバー２４と、を備える。一方の櫛型電極２２の電極指２３の先端と他方の櫛型電極２２のダミー電極指２５の先端とは対向している。一方の櫛型電極２２の電極指２３の先端と他方の櫛型電極２２のダミー電極指２５の先端との間で圧電基板１０上に付加膜４０が設けられている。付加膜４０は、Ｘ方向で隣接する電極指２３上および電極指２３下には設けられていない。付加膜４０の上面は電極指２３およびダミー電極指２５の上面と同一面であってもよいし、段差を有していてもよい。付加膜４０は、電極指２３およびダミー電極指２５より厚くてもよいし、薄くてもよい。Ｘ方向における付加膜４０の幅は、電極指２３およびダミー電極指２５と同じであってもよいし、大きくてもよいし、小さくてもよい。弾性波共振器２００は、中央領域３１とエッジ領域３２を有する交差領域３０と、ギャップ領域３３と、バスバー領域３４と、に加え、ギャップ領域３３とバスバー領域３４の間に、ダミー電極指２５が位置するダミー領域３５を有する。その他の構成は実施例１と同じであるため説明を省略する。

図１３（ａ）および図１３（ｂ）は、実施例２におけるＩＤＴ２０内の弾性波の音速を示す図である。図１３（ａ）は、付加膜４２を設ける前の状態を示し、図１３（ｂ）は、付加膜４２を設けた後の状態を示している。図１３（ａ）に示すように、電極指２３の先端とダミー電極指２５の先端との間に付加膜４０が設けられることで、中央領域３１、エッジ領域３２、ギャップ領域３３、およびダミー領域３５を伝搬する弾性表面波の音速が略同じ大きさになっている。言い換えると、ギャップ領域３３を伝搬する弾性表面波の音速が、中央領域３１、エッジ領域３２、およびダミー領域３５を伝搬する弾性表面波の音速と略同じになるように、材料、厚さ、および／または幅が調整された付加膜４０が設けられている。

図１３（ｂ）に示すように、エッジ領域３２からギャップ領域３３にかけて付加膜４２が設けられることで、エッジ領域３２およびギャップ領域３３を伝搬する弾性表面波の音速が中央領域３１およびダミー領域３５を伝搬する弾性表面波の音速よりも遅くなっている。すなわち、エッジ領域３２およびギャップ領域３３を伝搬する弾性表面波の音速が中央領域３１およびダミー領域３５を伝搬する弾性表面波の音速に対して適切に遅くなるように、材料、厚さ、および／または幅が調整された付加膜４２が設けられている。

付加膜４０によってギャップ領域３３を伝搬する弾性表面波の音速とエッジ領域３２を伝搬する弾性表面波の音速が略同じになっているため、付加膜４２が設けられた後においても、ギャップ領域３３を伝搬する弾性表面波の音速とエッジ領域３２を伝搬する弾性表面波の音速が略同じになっている。略同じとは、例えばギャップ領域３３を伝搬する弾性表面波の音速がエッジ領域３２を伝搬する弾性表面波の音速の０．９８倍以上１．０２倍以下の場合である。

［シミュレーション］
実施例２に係る弾性波共振器２００のスプリアスを評価するシミュレーションを行った。シミュレーション条件は以下である。
圧電基板１０：４２°ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板
ＩＤＴ２０および反射器２１：厚さが２００ｎｍのアルミニウム膜
付加膜４０：厚さが２２８ｎｍの酸化シリコン膜
付加膜４２：厚さが８０ｎｍの酸化シリコン膜
弾性波の波長λ：２μｍ
Ｙ方向のエッジ領域３２の長さ：０．７λ
Ｙ方向のギャップ領域３３の長さ：１λ
エッジ領域３２とギャップ領域３３の音速差：０％
中央領域３１とエッジ領域３２の音速差：２．５％

図１４は、実施例２に係る弾性波共振器２００の周波数に対するアドミッタンス｜Ｙ｜のシミュレーション結果である。図１４に示すように、実施例２に係る弾性波共振器２００は、破線領域６０におけるスプリアスが抑制された結果が得られた。

実施例２によれば、図１３（ｂ）に示したように、ギャップ領域３３を伝搬する弾性波の音速がエッジ領域３２を伝搬する弾性波の音速の０．９８倍以上１．０２倍以下となっている。付加膜４２はエッジ領域３２からギャップ領域３３にかけて設けられ、中央領域３１には設けられていない。これにより、実施例１と同様に、ギャップ領域３３のＹ方向の長さおよび付加膜４２による質量負荷効果の程度によらず、エッジ領域３２およびギャップ領域３３が低音速領域として機能し、バスバー領域３４が高音速領域として機能する。よって、ピストンモードの励振を成立させるための調整の複雑化が抑えられ、ピストンモードの励振を容易に実現することができる。

また、実施例２では、図１２（ａ）および図１２（ｂ）に示すように、電極指２３の先端とダミー電極指２５の先端との間で圧電基板１０上に付加膜４０が設けられている。これにより、ギャップ領域３３を伝搬する弾性波の音速を遅くして、ギャップ領域３３を伝搬する弾性波の音速がエッジ領域３２を伝搬する弾性波の音速と略同じになるようにすることができる。

また、実施例２においても、実施例１と同じく、付加膜４０は、酸化シリコン、酸化タンタル、酸化ニオブ、アルミニウム、またはチタンを主成分とする膜である。このような付加膜４０を電極指２３の先端とダミー電極指２５の先端との間に設けることで、ギャップ領域３３を伝搬する弾性波の音速がエッジ領域３２を伝搬する弾性波の音速と略同じになるようにすることができる。

実施例２において、バスバー領域３４を伝搬する弾性波の音速は中央領域３１を伝搬する弾性波の音速よりも遅い場合でもよい。この場合、ダミー領域３５を伝搬する弾性波の音速を、中央領域３１を伝搬する弾性波の音速より速くすることで、ピストンモードで励振させることができる。

実施例１および実施例２において、圧電基板１０は支持基板上に接合されている場合でもよい。この場合、圧電基板１０と支持基板の間に酸化シリコン、酸化アルミニウム、および／または窒化アルミニウム等の絶縁層が設けられていてもよい。

図１５は、実施例３に係るフィルタ３００の回路図である。図１５に示すように、フィルタ３００は、入力端子Ｔｉｎと出力端子Ｔｏｕｔとの間に、１または複数の直列共振器Ｓ１からＳ４が直列に接続され、１または複数の並列共振器Ｐ１からＰ３が並列に接続されている。１または複数の直列共振器Ｓ１からＳ４および１または複数の並列共振器Ｐ１からＰ３の少なくとも１つに実施例１または実施例２の弾性波共振器を用いることができる。ラダー型フィルタの共振器の個数等は適宜設定できる。フィルタは多重モード型フィルタでもよい。

図１６は、実施例４に係るデュプレクサ４００のブロック図である。図１６に示すように、デュプレクサ４００は、共通端子Ａｎｔと送信端子Ｔｘとの間に送信フィルタ５０が接続され、共通端子Ａｎｔと受信端子Ｒｘとの間に受信フィルタ５２が接続されている。送信フィルタ５０は、送信端子Ｔｘから入力された高周波信号のうち送信帯域の信号を送信信号として共通端子Ａｎｔに通過させ、他の周波数の信号を抑圧する。受信フィルタ５２は、共通端子Ａｎｔから入力された高周波信号のうち受信帯域の信号を受信信号として受信端子Ｒｘに通過させ、他の周波数の信号を抑圧する。送信フィルタ５０および受信フィルタ５２の少なくとも一方を実施例３に係るフィルタ３００とすることができる。

マルチプレクサとしてデュプレクサを例に示したが、トリプレクサまたはクワッドプレクサ等でもよい。

以上、本願発明の実施形態について詳述したが、本願発明はかかる特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本願発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

１０ 圧電基板
２０ ＩＤＴ
２１ 反射器
２２ 櫛型電極
２３ 電極指
２４ バスバー
２５ ダミー電極指
２６ 金属膜
２７ 幅広部
３０ 交差領域
３１ 中央領域
３２ エッジ領域
３３ ギャップ領域
３４ バスバー領域
３５ ダミー領域
４０ 付加膜
４２ 付加膜
４４ 空隙
４６ 絶縁膜
５０ 送信フィルタ
５２ 受信フィルタ
１００、１１０、１２０、２００ 弾性波共振器
３００ フィルタ
４００ デュプレクサ

Claims (14)

1. 圧電基板と、
   前記圧電基板上に設けられ、複数の電極指と前記複数の電極指が接続するバスバーとを各々含み、互いの前記複数の電極指の先端と前記バスバーとが向かい合い、前記複数の電極指の先端と前記バスバーの間に位置する領域であるギャップ領域を伝搬する弾性波の音速が互いの前記複数の電極指が交差する領域である交差領域のうち前記複数の電極指の延伸方向におけるエッジに位置する領域であるエッジ領域を伝搬する弾性波の音速の０．９８倍以上１．０２倍以下である一対の櫛型電極と、
   前記エッジ領域から前記ギャップ領域にかけて前記圧電基板上に設けられ、前記交差領域のうち前記エッジ領域より内側に位置する領域である中央領域には設けられていない付加膜と、を備える弾性波共振器。
2. 前記複数の電極指の先端と前記バスバーとの間で前記圧電基板上に設けられる別の付加膜を備える、請求項１に記載の弾性波共振器。
3. 圧電基板と、
   前記圧電基板上に設けられ、複数の電極指と複数のダミー電極指と前記複数の電極指および前記複数のダミー電極指が接続するバスバーとを各々含み、互いの前記複数の電極指の先端と前記複数のダミー電極指の先端とが向かい合い、前記複数の電極指の先端と前記複数のダミー電極指の先端との間に位置する領域であるギャップ領域を伝搬する弾性波の音速が互いの前記複数の電極指が交差する領域である交差領域のうち前記複数の電極指の延伸方向におけるエッジに位置する領域であるエッジ領域を伝搬する弾性波の音速の０．９８倍以上１．０２倍以下である一対の櫛型電極と、
   前記エッジ領域から前記ギャップ領域にかけて前記圧電基板上に設けられ、前記交差領域のうち前記エッジ領域より内側に位置する領域である中央領域には設けられていない付加膜と、を備える弾性波共振器。
4. 前記複数の電極指の先端と前記複数のダミー電極指の先端との間で前記圧電基板上に設けられる別の付加膜を備える、請求項３に記載の弾性波共振器。
5. 前記複数の電極指は、前記ギャップ領域における幅が前記交差領域における幅よりも広い、請求項１から４のいずれか一項に記載の弾性波共振器。
6. 前記一対の櫛型電極は、前記エッジ領域および前記ギャップ領域を伝搬する弾性波の音速が前記中央領域を伝搬する弾性波の音速より遅く、前記バスバーが位置する領域であるバスバー領域を伝搬する弾性波の音速が前記中央領域を伝搬する弾性波の音速より速い、請求項１から５のいずれか一項に記載の弾性波共振器。
7. 前記ギャップ領域を伝搬する弾性波の音速は、前記エッジ領域を伝搬する弾性波の音速の０．９８倍以上１．００倍以下である、請求項１から６のいずれか一項に記載の弾性波共振器。
8. 圧電基板と、
   前記圧電基板上に設けられ、複数の電極指と前記複数の電極指が接続するバスバーとを各々含み、互いの前記複数の電極指の先端と前記バスバーとが向かい合う一対の櫛型電極と、
   前記複数の電極指の先端と前記バスバーとの間で前記圧電基板上に設けられ、酸化シリコン、酸化タンタル、酸化ニオブ、アルミニウム、またはチタンを主成分とする第１付加膜と、
   前記一対の櫛型電極それぞれの前記複数の電極指が交差する領域である交差領域のうち前記複数の電極指の延伸方向におけるエッジに位置する領域であるエッジ領域から前記複数の電極指の先端と前記バスバーとの間に位置する領域であるギャップ領域にかけて前記圧電基板上に設けられ、前記交差領域のうち前記エッジ領域より内側に位置する領域である中央領域には設けられていない第２付加膜と、を備える弾性波共振器。
9. 圧電基板と、
   前記圧電基板上に設けられ、複数の電極指と複数のダミー電極指と前記複数の電極指および前記複数のダミー電極指が接続するバスバーとを各々含み、互いの前記複数の電極指の先端と前記複数のダミー電極指の先端とが向かい合う一対の櫛型電極と、
   前記複数の電極指の先端と前記ダミー電極指の先端との間で前記圧電基板上に設けられ、酸化シリコン、酸化タンタル、酸化ニオブ、アルミニウム、またはチタンを主成分とする第１付加膜と、
   前記一対の櫛型電極それぞれの前記複数の電極指が交差する領域である交差領域のうち前記複数の電極指の延伸方向におけるエッジに位置する領域であるエッジ領域から前記複数の電極指の先端と前記複数のダミー電極指の先端との間に位置する領域であるギャップ領域にかけて前記圧電基板上に設けられ、前記交差領域のうち前記エッジ領域より内側に位置する領域である中央領域には設けられていない第２付加膜と、を備える弾性波共振器。
10. 前記一対の櫛型電極はアルミニウムを主成分とし、
    前記第１付加膜は酸化シリコンを主成分とし、
    前記複数の電極指の厚さをＨ、前記複数の電極指の幅をＷ、前記第１付加膜の前記複数の電極指の配列方向に平行な断面における断面積をＳとした場合に、１．１４×Ｈ×Ｗ≦Ｓ≦１．３１×Ｈ×Ｗを満たす、請求項８または９に記載の弾性波共振器。
11. 前記複数の電極指の延伸方向における前記ギャップ領域の長さは、前記一対の櫛型電極の前記複数の電極指の平均ピッチの２倍以下である、請求項１から１０のいずれか一項に記載の弾性波共振器。
12. 前記圧電基板は、タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板である、請求項１から１１のいずれか一項に記載の弾性波共振器。
13. 請求項１から１２のいずれか一項に記載の弾性波共振器を含むフィルタ。
14. 請求項１３に記載のフィルタを含むマルチプレクサ。
    

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