WO2005036743A1 - 弾性境界波装置 - Google Patents

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WO2005036743A1
WO2005036743A1 PCT/JP2004/012814 JP2004012814W WO2005036743A1 WO 2005036743 A1 WO2005036743 A1 WO 2005036743A1 JP 2004012814 W JP2004012814 W JP 2004012814W WO 2005036743 A1 WO2005036743 A1 WO 2005036743A1
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wave device
boundary acoustic
boundary
electrode
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Inventor
Hajime Kando
Original Assignee
Murata Manufacturing Co., Ltd.
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/0222—Details of interface-acoustic, boundary, pseudo-acoustic or Stonely wave devices

Definitions

  • the present invention relates to a boundary acoustic wave device using a boundary acoustic wave propagating along a boundary between first and second medium layers having different sound speeds, and more particularly, to a boundary acoustic wave device having an improved electrode structure.
  • a boundary acoustic wave device using a boundary acoustic wave propagating along a boundary between first and second medium layers having different sound speeds, and more particularly, to a boundary acoustic wave device having an improved electrode structure.
  • a surface acoustic wave device using a surface acoustic wave such as a Rayleigh wave or a first leaky wave can be reduced in size and weight and does not require adjustment.
  • surface acoustic wave devices are widely used for RF filters or IF filters for mobile phones, resonators for VCOs, VIF filters for televisions, and the like.
  • a boundary acoustic wave device has been proposed as a device that does not require a package having a cavity as described above.
  • FIG. 6 is a schematic partial cutaway front sectional view showing an example of a conventional boundary acoustic wave device.
  • first and second medium layers 102 and 103 having different sound velocities are stacked.
  • An IDT 104 as an electroacoustic transducer is arranged at a boundary A between the first and second medium layers 102 and 103. Further, reflectors (not shown) are arranged on both sides of the IDT 104 in the direction of propagation of the boundary acoustic wave.
  • boundary acoustic wave device 101 a boundary acoustic wave is excited by applying an input signal to the IDT 104.
  • the boundary acoustic wave is represented by a boundary acoustic wave device as schematically shown by arrow B in Fig. 6. Energy is concentrated and propagates near the boundary A of the location 101.
  • Non-Patent Document 1 shows an example of such a boundary acoustic wave device.
  • the IDT is formed on a 126 ° rotating Y-plate X-propagating LiTaO substrate,
  • a Si ⁇ film is formed to a predetermined thickness on a LiTaO substrate so as to cover the substrate.
  • Non-Patent Document 1 when the thickness of the SiO film is 1. 1. ⁇ (where ⁇ is the wavelength of the boundary acoustic wave),
  • Patent Document 1 listed below discloses that A1 is formed on a 126 ° rotation plate X-propagation LiTaO substrate.
  • a boundary acoustic wave device having a structure comprising an IDT is disclosed.
  • the thickness of the electrode finger of the interdigital electrode is H
  • the width of the electrode finger is L
  • the interval between the electrode fingers is S
  • the duty ratio L / (L + S) of the interdigital electrode is set to 0.5.
  • Patent document 1 W098-52279
  • Non-Noon Document 1 “Piezoelectric Acoustic Boundary Waves Propagating Long the Interface Between Si ⁇ 2 and LiTaO 3 J IEEE Trans. Sonics and ultrason., VOL. SU—25, No. 6, 1978 IEEE
  • boundary acoustic wave device is strongly required to have low loss.
  • conventional boundary acoustic wave devices have not been able to adequately satisfy this requirement.
  • An object of the present invention is to provide good resonance characteristics and filter characteristics in view of the state of the art.
  • Another object of the present invention is to provide a boundary acoustic wave device having low loss.
  • the present invention provides an elastic boundary including a first medium layer, a second medium layer, and an interdigital electrode and / or a reflector disposed at a boundary between the first and second medium layers.
  • a boundary acoustic wave device characterized in that when the duty ratio of the interdigital electrode and / or the reflector is d, 0.54 ⁇ d ⁇ 0.89.
  • the first medium layer is formed of LiNb. It is configured using a substrate mainly composed of o.
  • the second medium layer is formed of SiO 2
  • the duty ratio d of the interdigital electrode and Z or the reflector is set to be larger than 0.54 and smaller than 0.89. Therefore, as will be clear from a specific experimental example described later, the insertion loss can be reduced.
  • the present invention is characterized in that the loss in the boundary acoustic wave device is reduced by setting the duty ratio in the above specific range in the boundary acoustic wave device.
  • FIG. 1 is a schematic plan view showing an electrode structure of a boundary acoustic wave device according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a surface cross-sectional view showing a main part of the boundary acoustic wave device shown in FIG. 1.
  • FIG. 3 is a diagram showing a change in impedance when the duty ratio of an interdigital electrode and a reflector of a boundary acoustic wave device is changed.
  • FIG. 4 is a diagram showing a circuit configuration of a four-stage ⁇ -type ladder type filter configured using a plurality of boundary acoustic wave devices shown in FIG. 1.
  • FIG. 4 is a diagram showing a circuit configuration of a four-stage ⁇ -type ladder type filter configured using a plurality of boundary acoustic wave devices shown in FIG. 1.
  • FIG. 5 is a diagram showing a relationship between a duty ratio of an electrode finger of a boundary acoustic wave device and a minimum insertion loss in a four-stage ⁇ -type ladder filter.
  • FIG. 6 is a schematic partially cutaway front sectional view for explaining a conventional boundary acoustic wave device.
  • FIG. 1 is a schematic sectional view showing an electrode structure of a boundary acoustic wave device according to one embodiment of the present invention.
  • a rectangular plate-shaped LiNbO substrate 2 is used as the first medium layer.
  • the LiNbO substrate 2 uses a 15 ° rotating Y-plate X-propagation LiNbO substrate.
  • a rotating Y-plate X-propagating LiNbO substrate having another rotation angle may be used.
  • O film 3 is laminated.
  • the illustration of the Si ⁇ film is omitted, and the SiO 3 film 3 is omitted.
  • the electrode structure arranged at the boundary with the LiNbO substrate 2 is shown. That is, LiNbO
  • an interdigital electrode 4 and reflectors 5 and 6 are formed on the substrate 2.
  • the digital electrode 4 has a plurality of mutually interleaved electrode fingers 4a and 4b.
  • the interdigital electrode 4 is weighted so that the crossing width changes in the surface acoustic wave propagation direction as shown in the figure.
  • interdigital electrode 4 is weighted by the cross width as described above is to suppress the transverse mode spurious.
  • grating reflectors 5 and 5 are provided on both sides of the interdigital electrode 4 in the surface wave propagation direction.
  • the reflectors 5, 6 have a structure in which a plurality of electrode fingers 5a, 6a are short-circuited at both ends.
  • the duty ratio of the interdigital electrode 4 and the reflectors 5 and 6 is set to be larger than 0.54 and smaller than 0.89, the input loss can be reduced and the frequency at the time of manufacturing can be reduced. Wave number variation can be reduced. This will be described based on specific experimental examples.
  • the duty ratio in the present invention refers to a distance between electrode finger centers in a space between left and right adjacent electrode fingers.
  • the duty ratio is a value determined by L / P.
  • the interdigital electrode 4 and the reflectors 5 and 6 were formed by the following thin film forming method. You In other words, a NiCr film having a thickness of 0.001 ⁇ is deposited on the LiNbO substrate 2 as
  • An Au film having a thickness of 0.4 ⁇ was formed on the NiCr film by the same vapor deposition method. Thereafter, patterning was performed by a lift-off method, and interdigital electrodes 4 and reflectors 5 and 6 were formed.
  • the wavelength ⁇ of the interdigital electrode 4 was 3 ⁇ m.
  • the number of electrode fingers in the interdigital electrode 4 was 50 pairs, the number of electrode fingers in the reflector was 50, and the aperture length A in the reflector was 30 ⁇ .
  • the SiO film 3 is
  • a film was formed by the Ron sputtering method.
  • the temperature for film formation should be in the range of 200 ⁇ 50 ° C.
  • the thickness of the film was 1.5 ⁇ .
  • the SH type boundary acoustic wave is excited and confined between the reflectors 5 and 6, and the resonance characteristics of the SH type boundary acoustic wave are obtained. Can be.
  • the impedance ratio is the ratio of the impedance Za at the anti-resonance frequency to the impedance Zr at the resonance frequency in the resonance characteristics, and is 20 -1 og I Za / Zr I [dB]. The higher the impedance ratio, the better the characteristics.
  • a four-stage ⁇ -type ladder-type filter was configured. . That is, as shown in the circuit diagram of FIG. 4, the series arm resonators Sl, S2, S3, and S4 were connected to the series arm between the input port 11 and the output port 12. Then, the parallel arm resonator P1 was connected between the connection point of the series arm resonator S1 not connected to the series arm resonator S2 and the ground potential. Parallel arm resonators P2 and P3 were connected between the two connection points between series arm resonators S2 and S3 and the ground potential, respectively. Further, a parallel arm resonator P4 was connected between the connection point on the side of the series arm resonator S4 not connected to the series arm resonator S3 and the ground potential.
  • the force S constituting the four-stage ⁇ -type ladder filter, the series arm resonators SI-S4 and the parallel arm resonators P1 and P4 were configured using the boundary acoustic wave device 1.
  • the electrode fingers in the boundary acoustic wave device 1 constituting the series arm resonators S1 and S4 are so set that the resonance frequency of the series arm resonators S1 and S4 is approximately equal to the antiresonance frequency of the parallel arm resonators P1 and P4. Is slightly different from the period of the electrode fingers of the boundary acoustic wave device that constitutes the parallel arm resonators P1 to P4.
  • the four-stage ⁇ -type ladder-type filter was configured.
  • the duty ratio of the boundary acoustic wave device used was varied, and the minimum insertion loss of the ladder-type filter was measured.
  • Fig. 5 shows the results.
  • the minimum insertion loss is 1.22dB, but when the duty ratio is in the range of 0.53-0.89, It can be seen that the minimum insertion loss is as low as 1.08 dB or less. In other words, by setting the duty ratio to be larger than 0.53 and smaller than 0.89, it is possible to effectively reduce the insertion loss and obtain good resonance characteristics and filter characteristics as described above.
  • the receiving block of the mobile phone is provided with these components in the order of, for example, an antenna, an RF top fin- olator, a noise amplifier, an RF interstage filter, a mixer, an IF filter and an IF-IC from the antenna side.
  • I have.
  • the insertion loss of components closer to the antenna has a greater effect on the overall characteristics.
  • the force due to the design conditions S, the degradation of 0.1 dB minimum insertion loss in the RF top filter and the degradation of the minimum insertion loss at 5 dB in the IF filter have the same effect, CZN ratio (carrier noise ratio) Give to.
  • the minimum input loss is reduced from 1.22 dB to 1.08 dB.
  • the performance of the reception block can be significantly improved. Therefore, by using the ladder-type filter as an RF top filter or an RF interstage filter, and by setting the duty ratio to a value greater than 0.53 and less than 0.89, the portability of the ladder-type filter is reduced. It can be seen that the reception characteristics of the mobile phone can be improved dramatically.
  • the electrode material forming the interdigital electrodes and the reflectors 5 and 6 is configured by laminating an Au film on a base layer made of NiCr.
  • the electrode material is not limited to those mainly composed of Au, and metals and alloys such as Ag, Cu, Al, Fe, Ni, W, Ta, Pt, Mo, Cr, Ti, Zn ⁇ and ITO.
  • an oxide conductor may be used.
  • the material constituting the first medium layer is not limited to the LiNbO substrate 2 but may be LiTaO
  • the first medium layer may be made of glass or the like.
  • the second medium layer is not limited to the Si film, but may be an A1 film, a SiN film, or a polycrystalline Si film.
  • the second medium layer may be made of another material, such as a thin film.
  • boundary portion composed of the first and second medium layers is not particularly limited as long as the medium is filled in the space between the interdigital electrodes 4 and the electrode fingers of the reflectors 5 and 6. It is not done.
  • the interdigital electrode 4 and the reflectors 5 and 6 are provided in the boundary acoustic wave device 1, but the number of the interdigital electrodes and the number of the reflectors are particularly large. Not limited. That is, a longitudinally-coupled boundary acoustic wave filter in which a plurality of interdigital electrodes are arranged between a pair of reflectors may be configured. , May be arranged in parallel or in cascade.

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Abstract

　良好な共振特性やフィルタ特性を得ることができ、かつ挿入損失を低減することができる弾性境界波装置を提供する。 　第１の媒質層としてのＬｉＮｂＯ３基板２と、第２の媒質層としてのＳｉＯ２膜３との境界に、インターデジタル電極４及び／または反射器５，６が配置されている弾性境界波装置において、インターデジタル電極４及び／または反射器５，６のデューティ比をｄとしたときに、０．５４＜ｄ＜０．８９とされている、弾性境界波装置。

Description

明 細 書
弾性境界波装置
技術分野
[0001] 本発明は、音速の異なる第 1 ,第 2の媒質層間の境界を伝搬する弾性境界波を利 用した弾性境界波装置に関し、より詳細には、電極構造が改良された弾性境界波装 置に関する。
背景技術
[0002] レーリー波や第 1漏洩波などの弾性表面波を利用した弾性表面波装置では、小型 化及び軽量化を進めることができ、かつ調整が不要である。
[0003] 従って、弾性表面波装置は、携帯電話用 RFフィルタもしくは IFフィルタ、 VCO用共 振子またはテレビ用 VIFフィルタなどに広く用いられている。
[0004] もっとも、弾性表面波は、媒質表面を伝搬する性質を有するため、媒質の表面状態 の変化に敏感である。従って、弾性表面波が伝搬するチップでは、弾性表面波が伝 搬するチップ表面を保護しなければならない。そのため、弾性表面波チップのチップ 表面が空洞に臨むように、空洞が設けられたパッケージを用いて、弾性表面波装置 を気密封止する必要があった。このようなパッケージは一般にコストが高くつき、かつ パッケージの寸法が弾性表面波チップの寸法よりも大幅に大きくならざるを得なかつ た。
[0005] 上記のような空洞を有するパッケージを不要とするデバイスとして、弾性境界波装 置が提案されている。
[0006] 図 6は、従来の弾性境界波装置の一例を示す模式的部分切欠正面断面図である。
弾性境界波装置 101では、音速が異なる第 1 ,第 2の媒質層 102， 103が積層されて いる。第 1，第 2の媒質層 102, 103の境界 Aに、電気音響変換器としての IDT104 が配置されている。また IDT104の弾性境界波伝搬方向両側には、反射器（図示せ ず）が配置されている。
[0007] 弾性境界波装置 101では、 IDT104に入力信号を印加することにより、弾性境界波 が励振される。弾性境界波は、図 6の矢印 Bで模式的に示すように、弾性境界波装 置 101の境界 A付近にエネルギーを集中させて伝搬する。
[0008] 下記の非特許文献 1には、このような弾性境界波装置の一例が示されてレ、る。ここ では、 126° 回転 Y板 X伝搬の LiTaO基板上に IDTが形成されており、さらに IDT
3
を覆うように LiTaO基板上に Si〇膜が所定の厚みに形成されている。この構造では
3 2
、ストンリー波と称されている SV + P型の弾性境界波が伝搬することが示されている。 非特許文献 1では、 SiO膜の厚みを 1. Ο λ (但し、 λは弾性境界波の波長）とした場
2
合に、 2%の電気機械結合係数が得られるとされている。
[0009] 他方、下記の特許文献 1には、 126° 回転 Υ板 X伝搬の LiTaO基板上に A1からな
3
る IDTを構成してなる構造を有する弾性境界波装置が開示されている。ここでは、ィ ンターデジタル電極の電極指の膜厚を H、電極指の幅を L、電極指間の間隔を Sとし た場合、 L = S = l x mとされてレ、る。そして、上記 IDT上に、第 2の媒質を構成する 多結晶酸化珪素膜が形成されている。ここでは、インターデジタル電極のデューティ 比 L/ (L + S)は 0. 5とされている。
特許文献 1： W098-52279号公報
非特午文献 1：「Piezoelectric Acoustic Boundary Waves Propagating Al ong the Interface Between Si〇2 and LiTaO 3 J IEEE Trans. Sonics and ultrason. , VOL. SU—25, No. 6, 1978IEEE
発明の開示
[0010] 弾性境界波装置においても、弾性表面波装置と同様に、低損失であることが強く求 められている。し力 ながら、従来の弾性境界波装置では、この要求を十分に満たす ことはできなかった。
[0011] 本発明の目的は、従来技術の現状に鑑み、良好な共振特性やフィルタ特性を有し
、かつ低損失である弾性境界波装置を提供することにある。
[0012] 本発明は、第 1の媒質層と、第 2の媒質層と、第 1，第 2の媒質層間の境界に配置さ れたインターデジタル電極及び/または反射器とを備えた弾性境界波装置において 、前記インターデジタル電極及び/または反射器のデューティ比を dとしたときに、 0 . 54< d< 0. 89とされていることを特徴とする、弾性境界波装置である。
[0013] 本発明に係る弾性境界波装置のある特定の局面では、上記第 1の媒質層が LiNb oを主成分とする基板を用いて構成されている。
3
[0014] 本発明に係る弾性境界波装置の他の特定の局面では、上記第 2の媒質層が、 SiO
を主成分とする誘電体を用レ、て構成されてレ、る。
2
[0015] 本発明に係る弾性境界波装置では、インターデジタル電極及び Zまたは反射器の デューティ比 dが、 0. 54より大きく 0. 89未満とされている。そのため、後述の具体的 な実験例から明らかなように、揷入損失の低減を図ることができる。
[0016] すなわち、本発明は、弾性境界波装置において、デューティ比を上記特定の範囲 としたことにより、弾性境界波装置における損失の低減を果たしたことに特徴を有す る。
図面の簡単な説明
[0017] [図 1]図 1は、本発明の一実施形態に係る弾性境界波装置の電極構造を示す模式的 平面図である。
[図 2]図 2は、図 1に示した弾性境界波装置の要部を示す表面断面図である。
[図 3]図 3は、弾性境界波装置のインターデジタル電極及び反射器のデューティ比を 変化させた場合のインピーダンスの変化を示す図である。
[図 4]図 4は、図 1に示した弾性境界波装置を複数用いて構成された 4段 π型のラダ 一型フィルタの回路構成を示す図である。
[図 5]図 5は、 4段 π型のラダー型フィルタにおける弾性境界波装置の電極指のデュ 一ティ比と、最小揷入損失との関係を示す図である。
[図 6]図 6は、従来の弾性境界波装置を説明するための模式的部分切欠正面断面図 である。
符号の説明
[0018] 1…弾性境界波装置
2- - -LiNbO基板 (第 1の媒質層）
3
3〜SiO膜 (第 2の媒質層）
2
4…インターデジタル電極
5, 6…反射器
11…入力ポート 12…出力ポート
発明を実施するための最良の形態
[0019] 以下、本発明の具体的な実施形態につき図面を参照しつつ説明することにより、本 発明を明らかにする。
[0020] 図 1は、本発明の一実施形態に係る弾性境界波装置の電極構造を示す模式的断 面図である。
[0021] 弾性境界波装置 1では、第 1の媒質層として、矩形板状の LiNbO基板 2が用いら
3
れている。ここでは、 LiNbO基板 2は、 15° 回転 Y板 X伝搬の LiNbO基板を用い
3 3
て構成されている。もっとも、本発明においては、他の回転角の回転 Y板 X伝搬 LiNb O基板を用いてもよい。
3
[0022] LiNbO基板 2上には、図 2に模式的断面図で示すように、第 2の媒質層として、 Si
3
O膜 3が積層されている。なお、図 1では、 Si〇膜の図示は省略されて、 SiO膜 3と
2 2 2
LiNbO基板 2との境界に配置された電極構造が示されている。すなわち、、 LiNbO
3
基板 2上には、インターデジタル電極 4と、反射器 5, 6とが形成されている。インター
3
デジタル電極 4は、複数本の互いに間挿し合う電極指 4a, 4bを有する。ここでは、ィ ンターデジタル電極 4は、交差幅が図示のように表面波伝搬方向において変化する ように、交差幅重み付けされている。
[0023] なお、インターデジタル電極 4が上記のように交差幅重み付けされているのは、横 モードスプリアスを抑圧するためである。
[0024] また、インターデジタル電極 4の表面波伝搬方向両側に、グレーティング反射器 5,
6が配置されている。反射器 5, 6は、複数本の電極指 5a， 6aを両端で短絡した構造 を有する。
[0025] 本実施形態では、インターデジタル電極 4及び反射器 5， 6のデューティ比が、 0. 5 4より大きぐ 0. 89より小さくされているため、揷入損失の低減及び製造に際しての周 波数ばらつきの低減が図られる。これを具体的な実験例に基づき説明する。本発明 でのデューティ比とは、左右に隣接した電極指間のスペースの電極指中心間距離を
P、電極指の幅を Lとしたときに、デューティ比 = L/Pで決定される値である。
[0026] インターデジタル電極 4及び反射器 5， 6を、以下の薄膜形成法により形成した。す なわち、 LiNbO基板 2上に、下地層として、蒸着法により厚さ 0. 001 λの NiCr膜を
3
形成した。なお、 えは、上記インターデジタル電極 4の電極指周期で規定される表面 波の配置を示す。
[0027] 上記 NiCr膜上に、同じく蒸着法により厚さ 0. 4 λの Au膜を形成した。しかる後、リ フトオフ法によりパターニングを行レ、インターデジタル電極 4及び反射器 5, 6を形成 した。
[0028] インターデジタル電極 4における波長 λは、 3 μ mとした。また、インターデジタル電 極 4における電極指の対数は 50対、反射器の電極指の本数は 50本、反射器におけ る開口長 Aは 30 λとした。
[0029] 上記インターデジタル電極 4及び反射器 5， 6を形成した後、 SiO膜 3を RFマグネト
2
ロンスパッタ法により成膜した。成膜に際しての温度は 200 ± 50°Cの範囲とし、 SiO
2 膜の厚みは 1. 5 λとした。
[0030] このようにして構成された弾性境界波装置 1では、 SH型の弾性境界波が励振され 、かつ反射器 5， 6間で閉じ込められ、 SH型の弾性境界波による共振特性を得ること ができる。
[0031] 上記弾性境界波装置 1において、インターデジタル電極 4におけるデューティ比を 種々異ならせ、複数種の弾性境界波装置を作製した。このようにして得られ複数種の 弾性境界波装置における上記デューティ比と、インピーダンス比との関係を求めた。 結果を図 3に示す。なお、インピーダンス比とは、共振特性における、反共振周波数 におけるインピーダンス Zaと共振周波数におけるインピーダンス Zrの比であり、 20 -1 og I Za/Zr I [dB]である。インピーダンス比が大きい程特性は良好となる。
10
[0032] 図 3から明らかなように、デューティ比が 0. 5では、インピーダンス比は 57. 7dBで あった。これに対して、デューティ比が 0. 53-0. 89の範囲では、インピーダンス比 は 57. 7dBより大きくなることがわかる。すなわち、デューティ比を 0. 53-0. 89の範 囲とすることにより、従来の弾性境界波装置よりも優れた共振特性の得られることがわ かる。また、デューティ比が 0. 69において、インピーダンス比は 62dBと最良となるこ とがわかる。
[0033] 次に、図 1に示した弾性境界波装置 1を用レ、、 4段 π型ラダー型フィルタを構成した 。すなわち、図 4に回路図で示すように、入力ポート 11と出力ポート 12との間におい て、直列腕に直列腕共振子 Sl、 S2、 S3、 S4を接続した。そして、直列腕共振子 S1 の直列腕共振子 S2と接続されていない側の接続点とアース電位との間に、並列腕 共振子 P1を接続した。また、直列腕共振子 S2と直列腕共振子 S3との間の 2つの接 続点とアース電位との間に、それぞれ、並列腕共振子 P2， P3を接続した。また、直 列腕共振子 S4の直列腕共振子 S3と接続されていない側の接続点とアース電位との 間に、それぞれ、並列腕共振子 P4を接続した。
[0034] このようにして、 4段 π型のラダー型フィルタを構成した力 S、この直列腕共振子 SI— S4及び並列腕共振子 P1 P4を、弾性境界波装置 1を用いて構成した。もっとも、直 列腕共振子 S1 S4の共振周波数が、並列腕共振子 P1 P4の反共振周波数とほ ぼ一致するように、直列腕共振子 S1 S4を構成する弾性境界波装置 1における電 極指の周期 λは、並列腕共振子 P1— Ρ4を構成する弾性境界波装置の電極指の周 期えと若干異ならせた。
[0035] 上記のようにして、 4段 π型ラダー型フィルタを構成したが、使用する弾性境界波装 置のデューティ比を種々異ならせ、該ラダー型フィルタの最小挿入損失を測定した。 結果を図 5に示す。
[0036] 図 5から明らかなように、デューティ比が 0. 5の場合には、最小挿入損失は 1. 22d Bであったのに対し、デューティ比が 0. 53-0. 89の範囲では、最小挿入損失は 1. 08dB以下と小さくなることがわかる。すなわち、デューティ比を 0. 53より大きぐ 0. 8 9未満とすることにより、挿入損失を効果的に低減し、上述したように良好な共振特性 及びフィルタ特性の得られることがわ力る。
[0037] 携帯電話機の受信ブロックは、例えば、アンテナ側から、アンテナ、 RFトップフィノレ タ、ノイズアンプ、 RF段間フィルタ、ミキサー、 IFフィルタ及び IF— ICの順でこれらの 部品が設けられている。一般に、アンテナ側に近い部品の揷入損失ほど全体の特性 への影響が大きレ、。例えば、設計条件にもよる力 S、 RFトップフイノレタにおける 0. ldB の最小揷入損失の劣化と、 IFフィルタにおける 5dBにおける最小揷入損失の劣化は 同程度の影響を、 CZN比（キャリア ノイズ レシオ）に与える。従って、 RFトップフィ ルタゃ RF段間フィルタにおいて、最小揷入損失を 1. 22dB力ら 1. 08dBへ、すなわ ち、 0. 14dB改善した場合、受信ブロックの性能を著しく改善することができる。よつ て、上記ラダー型フィルタを、 RFトップフィルタや RF段間フィルタとして用レ、、デュー ティ比を 0· 53より大きぐ 0· 89未満とすることにより、該ラダー型フィルタを用いた携 帯電話機の受信特性を飛躍的に改善し得ることがわかる。
[0038] なお、上記実施形態では、インターデジタル電極及び反射器 5， 6を構成する電極 材料は、 NiCrからなる下地層上に、 Au膜を積層することにより構成されていた。しか しながら、電極材料は、 Auを主体とするものに限定されず、 Ag、 Cu、 Al、 Fe、 Ni、 W、 Ta、 Pt、 Mo、 Cr、 Ti、 Zn〇及び ITOなどの金属や合金、酸化物導体を用いても よレ、。また、上記 NiCrなどの密着層を下地層として形成する必要も必ずしもなレ、。す なわち、電極は単一の金属材料によってのみ構成されてレ、てもよレ、。
[0039] また、第 1の媒質層を構成する材料としても、 LiNbO基板 2に限定されず、 LiTaO
3 3 基板、水晶基板、ランガサイト系基板などの他の圧電基板により構成されてもよい。さ らに、第 1の媒質層は、硝子などにより構成されてもよい。
[0040] また、第 2の媒質層についても、 Si〇膜に限定されず、 A1膜、 SiN膜、多結晶 Si膜
2
などの他の材料であってもよぐさらに第 2の媒質層は必ずしも薄膜状とされる必要も ない。
[0041] また、第 1 ,第 2の媒質層で構成される境界部分は、インターデジタル電極 4や反射 器 5, 6の電極指間の間隔に媒質が充填される構造である限り、特に限定されるもの ではない。
[0042] さらに、上記実施形態では、弾性境界波装置 1におレ、て、インターデジタル電極 4と 反射器 5, 6とが設けられていたが、インターデジタル電極数や反射器の数は特に限 定されない。すなわち、複数のインターデジタル電極を、一対の反射器の間に配置し た縦結合型の弾性境界波フィルタが構成されていてもよぐまた、複数の弾性境界波 装置や弾性境界波フィルタが直列、並列あるいは縦続にされていてもよい。

Claims

請求の範囲
[1] 第 1の媒質層と、第 2の媒質層と、第 1 ,第 2の媒質層間の境界に配置されたインタ 一デジタル電極及び/または反射器とを備えた弾性境界波装置において、 前記インターデジタル電極及び Zまたは反射器のデューティ比を dとしたときに、 0 . 54< d< 0. 89とされていることを特徴とする、弾性境界波装置。
[2] 前記第 1の媒質層が LiNbOを主成分とする基板からなる、請求項 1に記載の弾性
3
境界波装置。
[3] 前記第 2の媒質層が、 SiOを主成分とする誘電体からなる、請求項 1または 2に記
2
載の弾性境界波装置。
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