JP2002152003A - 弾性表面波フィルタ - Google Patents
弾性表面波フィルタInfo
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- JP2002152003A JP2002152003A JP2000347114A JP2000347114A JP2002152003A JP 2002152003 A JP2002152003 A JP 2002152003A JP 2000347114 A JP2000347114 A JP 2000347114A JP 2000347114 A JP2000347114 A JP 2000347114A JP 2002152003 A JP2002152003 A JP 2002152003A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 反射器の小型化を図ることができ、ひいては
全体の小型化を図ることができ、かつ群遅延時間特性の
ばらつきの少ない、ラブ波を利用した弾性表面波フィル
タを提供する。 【解決手段】 圧電性基板１以上に少なくとも１つのＩ
ＤＴ３，４と反射器５，６とが形成されており、ＩＤＴ
３，４及び反射器５，６がＡｌよりも密度の大きな金属
材料を用いて構成されている、ラブ波を利用した弾性表
面波フィルタ１。
全体の小型化を図ることができ、かつ群遅延時間特性の
ばらつきの少ない、ラブ波を利用した弾性表面波フィル
タを提供する。 【解決手段】 圧電性基板１以上に少なくとも１つのＩ
ＤＴ３，４と反射器５，６とが形成されており、ＩＤＴ
３，４及び反射器５，６がＡｌよりも密度の大きな金属
材料を用いて構成されている、ラブ波を利用した弾性表
面波フィルタ１。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばバンドパス
フィルタとして用いられる弾性表面波フィルタに関し、
より詳細には、ラブ波等のＳＨ波を利用した反射器付の
弾性表面波フィルタに関する。
フィルタとして用いられる弾性表面波フィルタに関し、
より詳細には、ラブ波等のＳＨ波を利用した反射器付の
弾性表面波フィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ラブ波等のＳＨ波を利用した弾性
表面波装置が種々提案されている。例えば、特開昭６３
−２６０２１３号公報には、回転ＹカットＸ伝搬のＬｉ
ＮｂＯ 3 基板上に、金、銀、白金等の重金属からなるＩ
ＤＴ電極を形成することにより、ラブ波を利用した弾性
表面波装置を構成し得る旨が示されている。
表面波装置が種々提案されている。例えば、特開昭６３
−２６０２１３号公報には、回転ＹカットＸ伝搬のＬｉ
ＮｂＯ 3 基板上に、金、銀、白金等の重金属からなるＩ
ＤＴ電極を形成することにより、ラブ波を利用した弾性
表面波装置を構成し得る旨が示されている。
【０００３】上記特開昭６３−２６０２１３号公報と同
様に質量の大きな金属からなるＩＤＴ電極を形成するこ
とによりラブ波を利用することを可能とした弾性表面波
装置は、特開平８−１２５４８５号公報、特開平８−２
５０９６６号公報等に開示されている。
様に質量の大きな金属からなるＩＤＴ電極を形成するこ
とによりラブ波を利用することを可能とした弾性表面波
装置は、特開平８−１２５４８５号公報、特開平８−２
５０９６６号公報等に開示されている。
【０００４】しかしながら、これらの先行技術では、Ｉ
ＤＴ電極の電極材料として質量の大きな金属を用いるこ
とが示されているものの、反射器付の弾性表面波フィル
タにおける反射器の構成材料については特に言及されて
いない。
ＤＴ電極の電極材料として質量の大きな金属を用いるこ
とが示されているものの、反射器付の弾性表面波フィル
タにおける反射器の構成材料については特に言及されて
いない。
【０００５】他方、特開平１１−７４７５１号公報に
は、圧電性基板上に、ＩＤＴと、反射器とを形成してな
る弾性表面波フィルタであって、タングステン層とアル
ミニウム層とを積層してなる積層金属膜によりＩＤＴ及
び反射器が構成されている、ラブ波を利用した弾性表面
波フィルタが開示されている。
は、圧電性基板上に、ＩＤＴと、反射器とを形成してな
る弾性表面波フィルタであって、タングステン層とアル
ミニウム層とを積層してなる積層金属膜によりＩＤＴ及
び反射器が構成されている、ラブ波を利用した弾性表面
波フィルタが開示されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】特開平１１−７４７５
１号公報に記載の先行技術では、上記のようにＩＤＴ電
極及び反射器が、タングステン層とアルミニウム層とか
らなる積層金属膜により構成されている。すなわち、単
一の金属材料により構成されていないので、電極形成工
程が煩雑であった。
１号公報に記載の先行技術では、上記のようにＩＤＴ電
極及び反射器が、タングステン層とアルミニウム層とか
らなる積層金属膜により構成されている。すなわち、単
一の金属材料により構成されていないので、電極形成工
程が煩雑であった。
【０００７】また、アルミニウムを利用しているので、
反射器における反射係数が十分でなく、反射器の小型化
を図ることが困難であった。本発明の目的は、上述した
従来技術の欠点を解消し、反射器付のラブ波を利用した
弾性表面波フィルタであって、電極形成工程の簡略化及
び反射器の小型化を図ることができ、ひいては全体のサ
イズを小さくし得る、弾性表面波フィルタを提供するこ
とにある。
反射器における反射係数が十分でなく、反射器の小型化
を図ることが困難であった。本発明の目的は、上述した
従来技術の欠点を解消し、反射器付のラブ波を利用した
弾性表面波フィルタであって、電極形成工程の簡略化及
び反射器の小型化を図ることができ、ひいては全体のサ
イズを小さくし得る、弾性表面波フィルタを提供するこ
とにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本願の第１の発明に係る
弾性表面波フィルタは、圧電性基板と、圧電性基板に形
成された少なくとも１つのＩＤＴと、圧電性基板に形成
されており、ＩＤＴで励振された表面波を反射させる少
なくとも１つの反射器とを備え、前記反射器がＡｌより
も密度の大きな金属材料を用いて構成されており、かつ
前記表面波としてＳＨ波を利用していることを特徴とす
る。
弾性表面波フィルタは、圧電性基板と、圧電性基板に形
成された少なくとも１つのＩＤＴと、圧電性基板に形成
されており、ＩＤＴで励振された表面波を反射させる少
なくとも１つの反射器とを備え、前記反射器がＡｌより
も密度の大きな金属材料を用いて構成されており、かつ
前記表面波としてＳＨ波を利用していることを特徴とす
る。
【０００９】本願の第２の発明に係る弾性表面波フィル
タは、圧電性基板と、前記圧電性基板に形成された少な
くとも１つのＩＤＴと、前記圧電性基板に形成されてお
り、前記ＩＤＴで励振された表面波を反射させる少なく
とも１つの反射器とを備え、前記ＩＤＴ及び反射器がＡ
ｌよりも密度の大きな金属材料を用いて構成されてお
り、かつ前記表面波としてラブ波等のＳＨ波を利用する
ことを特徴とする。
タは、圧電性基板と、前記圧電性基板に形成された少な
くとも１つのＩＤＴと、前記圧電性基板に形成されてお
り、前記ＩＤＴで励振された表面波を反射させる少なく
とも１つの反射器とを備え、前記ＩＤＴ及び反射器がＡ
ｌよりも密度の大きな金属材料を用いて構成されてお
り、かつ前記表面波としてラブ波等のＳＨ波を利用する
ことを特徴とする。
【００１０】本発明（第１，第２の発明）の特定の局面
では、上記ＩＤＴとして、入力側ＩＤＴと出力側ＩＤＴ
とが備えられ、上記反射器として入力側ＩＤＴ及び出力
側ＩＤＴに対して表面波伝搬方向において所定距離を隔
ててそれぞれ配置された第１，第２の反射器が備えら
れ、入力側ＩＤＴ及び出力側ＩＤＴと前記第１、第２の
反射器との間の表面波伝搬路上に設けられたマルチスト
リップカプラー（以下、ＭＳＣ）をさらに備え、該ＭＳ
ＣがＡｌよりも密度の大きな金属材料により構成されて
いる。
では、上記ＩＤＴとして、入力側ＩＤＴと出力側ＩＤＴ
とが備えられ、上記反射器として入力側ＩＤＴ及び出力
側ＩＤＴに対して表面波伝搬方向において所定距離を隔
ててそれぞれ配置された第１，第２の反射器が備えら
れ、入力側ＩＤＴ及び出力側ＩＤＴと前記第１、第２の
反射器との間の表面波伝搬路上に設けられたマルチスト
リップカプラー（以下、ＭＳＣ）をさらに備え、該ＭＳ
ＣがＡｌよりも密度の大きな金属材料により構成されて
いる。
【００１１】本発明の別の特定の局面では、上記ＩＤＴ
として入力側ＩＤＴと、出力側ＩＤＴとが備えられ、上
記反射器として、入力側ＩＤＴより出力側ＩＤＴに対し
て表面波伝搬方向において所定距離を隔てて、それぞ
れ、配置された第１，第２の反射器が備えられ、入力側
ＩＤＴで励振されたＳＨ波が、第１，第２の反射器でそ
れぞれ反射され、出力側ＩＤＴにＺ字型の伝搬路を通っ
て伝搬するように、入力側ＩＤＴ、第１，第２の反射器
及び出力側ＩＤＴが構成されている。この場合、第１，
第２の反射器は、表面波伝搬方向に対して斜め方向に交
差する方向に延びる複数本の電極指を有するように構成
されることが好ましい。
として入力側ＩＤＴと、出力側ＩＤＴとが備えられ、上
記反射器として、入力側ＩＤＴより出力側ＩＤＴに対し
て表面波伝搬方向において所定距離を隔てて、それぞ
れ、配置された第１，第２の反射器が備えられ、入力側
ＩＤＴで励振されたＳＨ波が、第１，第２の反射器でそ
れぞれ反射され、出力側ＩＤＴにＺ字型の伝搬路を通っ
て伝搬するように、入力側ＩＤＴ、第１，第２の反射器
及び出力側ＩＤＴが構成されている。この場合、第１，
第２の反射器は、表面波伝搬方向に対して斜め方向に交
差する方向に延びる複数本の電極指を有するように構成
されることが好ましい。
【００１２】本発明のさらに他の特定の局面では、上記
ＩＤＴとして、入力側ＩＤＴ及び出力側ＩＤＴが備えら
れ、上記反射器として、入力側ＩＤＴの表面波伝搬方向
の一方側に配置されており、入力側ＩＤＴで励振された
表面波を入力側ＩＤＴに向かって反射する第１の反射器
と、前記入力側ＩＤＴの第１の反射器が形成されている
側とは反対側に配置されており、到達した表面波の方向
を変えて反射する第２の反射器と、出力側ＩＤＴの表面
波伝搬方向の一方側に配置されており、到達した表面波
を出力側ＩＤＴ側に反射する第３の反射器と、前記出力
側ＩＤＴの第３の反射器が配置されている側とは表面波
伝搬方向において反対側に配置されており、かつ第２の
反射器で反射されてきた表面波を出力側ＩＤＴに向かっ
て反射する第４の反射器とが備えられる。好ましくは、
前記第２，第４の反射器が、入力側及び出力側ＩＤＴで
励受振される表面波の伝搬方向に対して斜め方向に交差
する方向に延びる複数本の電極指を有する。
ＩＤＴとして、入力側ＩＤＴ及び出力側ＩＤＴが備えら
れ、上記反射器として、入力側ＩＤＴの表面波伝搬方向
の一方側に配置されており、入力側ＩＤＴで励振された
表面波を入力側ＩＤＴに向かって反射する第１の反射器
と、前記入力側ＩＤＴの第１の反射器が形成されている
側とは反対側に配置されており、到達した表面波の方向
を変えて反射する第２の反射器と、出力側ＩＤＴの表面
波伝搬方向の一方側に配置されており、到達した表面波
を出力側ＩＤＴ側に反射する第３の反射器と、前記出力
側ＩＤＴの第３の反射器が配置されている側とは表面波
伝搬方向において反対側に配置されており、かつ第２の
反射器で反射されてきた表面波を出力側ＩＤＴに向かっ
て反射する第４の反射器とが備えられる。好ましくは、
前記第２，第４の反射器が、入力側及び出力側ＩＤＴで
励受振される表面波の伝搬方向に対して斜め方向に交差
する方向に延びる複数本の電極指を有する。
【００１３】本発明のさらに他の特定の局面では、ＩＤ
Ｔと、ＩＤＴの表面波伝搬方向両側に配置された一対の
反射器とを備える複数の弾性表面波フィルタ素子を有
し、各弾性表面波フィルタ素子が、本発明に従って構成
されており、複数個の弾性表面波フィルタ素子が梯子型
回路構成を実現するように電気的に接続されている、弾
性表面波フィルタが提供される。
Ｔと、ＩＤＴの表面波伝搬方向両側に配置された一対の
反射器とを備える複数の弾性表面波フィルタ素子を有
し、各弾性表面波フィルタ素子が、本発明に従って構成
されており、複数個の弾性表面波フィルタ素子が梯子型
回路構成を実現するように電気的に接続されている、弾
性表面波フィルタが提供される。
【００１４】第１の発明の特定の局面では、前記圧電性
基板がＳＴカット９０°Ｘ方向伝搬水晶基板であり、前
記反射器がＡｕ，Ｔａ、Ｗ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｍｏ、
ＮｉまたはＺｎからなり、表面波の波長をλと、反射器
の膜厚をＨとしたときに、反射器の規格化膜厚Ｈ／λ
が、Ａｕの場合に０．００７〜０．０７、Ｔａの場合に
０．００８〜０．０７、Ｗの場合に０．００８〜０．０
７、Ａｇの場合に０．０１３〜０．０７、Ｃｒの場合に
０．０１６〜０．０７、ＣｕもしくはＭｏの場合に０．
０１７〜０．０７、並びにＮｉもしくはＺｎの場合に
０．０２〜０．０７の範囲とされている。
基板がＳＴカット９０°Ｘ方向伝搬水晶基板であり、前
記反射器がＡｕ，Ｔａ、Ｗ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｍｏ、
ＮｉまたはＺｎからなり、表面波の波長をλと、反射器
の膜厚をＨとしたときに、反射器の規格化膜厚Ｈ／λ
が、Ａｕの場合に０．００７〜０．０７、Ｔａの場合に
０．００８〜０．０７、Ｗの場合に０．００８〜０．０
７、Ａｇの場合に０．０１３〜０．０７、Ｃｒの場合に
０．０１６〜０．０７、ＣｕもしくはＭｏの場合に０．
０１７〜０．０７、並びにＮｉもしくはＺｎの場合に
０．０２〜０．０７の範囲とされている。
【００１５】第１の発明の別の特定の局面では、前記圧
電性基板が３６°Ｙ回転Ｘ方向伝搬ＬｉＴａＯ3基板か
らなり、前記反射器がＡｕ、Ｔａ、Ｗ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｃ
ｕ、Ｍｏ、ＮｉまたはＺｎからなり、表面波の波長をλ
と、反射器の膜厚をＨとしたときに、反射器の規格化膜
厚Ｈ／λが、Ａｕの場合に０．００６〜０．０７、Ｔａ
の場合に０．００８５〜０．０７、Ｗの場合に０．００
８〜０．０７、Ａｇの場合に０．０１４〜０．０７、Ｃ
ｕもしくはＭｏの場合に０．０１７〜０．００７、Ｎｉ
もしくはＣｒの場合に０．０２〜０．０７、並びにＺｎ
の場合に０．０２３〜０．０７の範囲とされている。
電性基板が３６°Ｙ回転Ｘ方向伝搬ＬｉＴａＯ3基板か
らなり、前記反射器がＡｕ、Ｔａ、Ｗ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｃ
ｕ、Ｍｏ、ＮｉまたはＺｎからなり、表面波の波長をλ
と、反射器の膜厚をＨとしたときに、反射器の規格化膜
厚Ｈ／λが、Ａｕの場合に０．００６〜０．０７、Ｔａ
の場合に０．００８５〜０．０７、Ｗの場合に０．００
８〜０．０７、Ａｇの場合に０．０１４〜０．０７、Ｃ
ｕもしくはＭｏの場合に０．０１７〜０．００７、Ｎｉ
もしくはＣｒの場合に０．０２〜０．０７、並びにＺｎ
の場合に０．０２３〜０．０７の範囲とされている。
【００１６】第１の発明のさらに別の特定の局面では、
前記圧電性基板がＹカットＸ方向伝搬ＬｉＮｂＯ3基板
であり、前記反射器がＡｕ、Ｔａ、ＷまたはＡｇからな
り、表面波の波長をλと、反射器の膜厚をＨとしたとき
に、反射器の規格化膜厚Ｈ／λが、Ａｕの場合に０．０
０９〜０．０７、Ｔａの場合に０．０１２〜０．０７、
Ｗの場合に０．００９〜０．０７、並びにＡｇの場合に
０．０１７〜０．０７の範囲とされている。
前記圧電性基板がＹカットＸ方向伝搬ＬｉＮｂＯ3基板
であり、前記反射器がＡｕ、Ｔａ、ＷまたはＡｇからな
り、表面波の波長をλと、反射器の膜厚をＨとしたとき
に、反射器の規格化膜厚Ｈ／λが、Ａｕの場合に０．０
０９〜０．０７、Ｔａの場合に０．０１２〜０．０７、
Ｗの場合に０．００９〜０．０７、並びにＡｇの場合に
０．０１７〜０．０７の範囲とされている。
【００１７】第２の発明の特定の局面では、前記圧電性
基板がＳＴカット９０°Ｘ方向伝搬水晶基板からなり、
前記ＩＤＴ及び反射器がＡｕ、Ｔａ、Ｗ、Ａｇ、Ｃｕ、
Ｃｒ、Ｍｏ、ＮｉまたはＺｎからなり、表面波の波長を
λと、ＩＤＴ及び反射器の膜厚をＨとしたときに、規格
化膜厚Ｈ／λが、Ａｕの場合に０．００７〜０．０７、
Ｔａの場合に０．００８〜０．０７、Ｗの場合に０．０
０８〜０．０７、Ａｇの場合に０．０１３〜０．０７、
Ｃｒの場合に０．０１６〜０．０７、ＣｕもしくはＭｏ
の場合に０．０１７〜０．０７、並びにＮｉもしくはＺ
ｎの場合に０．０２〜０．０７の範囲とされている。
基板がＳＴカット９０°Ｘ方向伝搬水晶基板からなり、
前記ＩＤＴ及び反射器がＡｕ、Ｔａ、Ｗ、Ａｇ、Ｃｕ、
Ｃｒ、Ｍｏ、ＮｉまたはＺｎからなり、表面波の波長を
λと、ＩＤＴ及び反射器の膜厚をＨとしたときに、規格
化膜厚Ｈ／λが、Ａｕの場合に０．００７〜０．０７、
Ｔａの場合に０．００８〜０．０７、Ｗの場合に０．０
０８〜０．０７、Ａｇの場合に０．０１３〜０．０７、
Ｃｒの場合に０．０１６〜０．０７、ＣｕもしくはＭｏ
の場合に０．０１７〜０．０７、並びにＮｉもしくはＺ
ｎの場合に０．０２〜０．０７の範囲とされている。
【００１８】第２の発明の別の特定の局面では、前記圧
電性基板が３６°回転Ｙ板Ｘ伝搬ＬｉＴａＯ3基板から
なり、前記ＩＤＴ及び反射器がＡｕ、Ｔａ、Ｗ、Ａｇ、
Ｃｒ、Ｃｕ、Ｍｏ、ＮｉまたはＺｎからなり、表面波の
波長をλと、ＩＤＴ及び反射器の膜厚をＨとしたとき
に、規格化膜厚Ｈ／λが、Ａｕの場合に０．００６〜
０．０７、Ｔａの場合に０．００８５〜０．０７、Ｗの
場合に０．００８〜０．０７、Ａｇの場合に０．０１４
〜０．０７、ＣｕもしくはＭｏの場合に０．０１７〜
０．０７、並びにＮｉもしくはＣｒの場合に０．０２〜
０．０７並びにＺｎの場合に０．０２３〜０．０７の範
囲とされている。
電性基板が３６°回転Ｙ板Ｘ伝搬ＬｉＴａＯ3基板から
なり、前記ＩＤＴ及び反射器がＡｕ、Ｔａ、Ｗ、Ａｇ、
Ｃｒ、Ｃｕ、Ｍｏ、ＮｉまたはＺｎからなり、表面波の
波長をλと、ＩＤＴ及び反射器の膜厚をＨとしたとき
に、規格化膜厚Ｈ／λが、Ａｕの場合に０．００６〜
０．０７、Ｔａの場合に０．００８５〜０．０７、Ｗの
場合に０．００８〜０．０７、Ａｇの場合に０．０１４
〜０．０７、ＣｕもしくはＭｏの場合に０．０１７〜
０．０７、並びにＮｉもしくはＣｒの場合に０．０２〜
０．０７並びにＺｎの場合に０．０２３〜０．０７の範
囲とされている。
【００１９】第２の発明のさらに別の特定の局面では、
前記圧電性基板がＹカットＸ伝搬方向ＬｉＮｂＯ3基板
からなり、前記ＩＤＴ及び反射器がＡｕ、Ｔａ、Ｗまた
はＡｇからなり、表面波の波長をλと、ＩＤＴ及び反射
器の膜厚をＨとしたときに、規格化膜厚Ｈ／λが、Ａｕ
の場合に０．００９〜０．０７、Ｔａの場合に０．００
１２〜０．０７、Ｗの場合に０．００９〜０．０７、Ａ
ｇの場合に０．０１７〜０．０７の範囲とされている。
前記圧電性基板がＹカットＸ伝搬方向ＬｉＮｂＯ3基板
からなり、前記ＩＤＴ及び反射器がＡｕ、Ｔａ、Ｗまた
はＡｇからなり、表面波の波長をλと、ＩＤＴ及び反射
器の膜厚をＨとしたときに、規格化膜厚Ｈ／λが、Ａｕ
の場合に０．００９〜０．０７、Ｔａの場合に０．００
１２〜０．０７、Ｗの場合に０．００９〜０．０７、Ａ
ｇの場合に０．０１７〜０．０７の範囲とされている。
【００２０】本発明に係る通信機は、本発明に係る弾性
表面波フィルタをバンドパスフィルタとして有し、従っ
て、バンドパスフィルタの小型化を図ることができるの
で、通信機の小型化を進めることができる。
表面波フィルタをバンドパスフィルタとして有し、従っ
て、バンドパスフィルタの小型化を図ることができるの
で、通信機の小型化を進めることができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ、本発明
の具体的な実施例を説明することにより、本発明を明ら
かにする。
の具体的な実施例を説明することにより、本発明を明ら
かにする。
【００２２】図１は、本発明の第１の実施例に係る弾性
表面波フィルタを示す平面図である。第１の実施例の弾
性表面波フィルタは、ＭＳＣを用いたＭＳＣ型の弾性表
面波フィルタである。
表面波フィルタを示す平面図である。第１の実施例の弾
性表面波フィルタは、ＭＳＣを用いたＭＳＣ型の弾性表
面波フィルタである。
【００２３】図１に示すように、弾性表面波フィルタ１
は、矩形板状の圧電基板２を有する。圧電基板２は、Ｌ
ｉＮｂＯ3 基板、ＬｉＴａＯ3 等の圧電単結晶基板によ
り構成され得る。もっとも、圧電基板２は、圧電セラミ
ックスにより構成されていてもよい。また、本発明にお
ける圧電性基板は、上記圧電基板だけでなく、絶縁性基
板や圧電基板上にＺｎＯ膜等の圧電膜を積層した構造で
あってもよい。
は、矩形板状の圧電基板２を有する。圧電基板２は、Ｌ
ｉＮｂＯ3 基板、ＬｉＴａＯ3 等の圧電単結晶基板によ
り構成され得る。もっとも、圧電基板２は、圧電セラミ
ックスにより構成されていてもよい。また、本発明にお
ける圧電性基板は、上記圧電基板だけでなく、絶縁性基
板や圧電基板上にＺｎＯ膜等の圧電膜を積層した構造で
あってもよい。
【００２４】圧電基板２の上面２ａ上には、入力側ＩＤ
Ｔ及び出力側ＩＤＴ３，４が形成されている。入力側Ｉ
ＤＴ３及び出力側ＩＤＴ４は、それぞれ、互いに間挿し
合う電極指を有するくし歯電極３ａ，３ｂ，４ａ，４ｂ
を有する。入力側ＩＤＴ３及び出力側ＩＤＴ４における
表面波伝搬方向は、それぞれの電極指と直交する方向で
ある。また、入力側ＩＤＴ及び出力側ＩＤＴ４は、互い
の表面波伝搬方向が平行となるように並設されている。
Ｔ及び出力側ＩＤＴ３，４が形成されている。入力側Ｉ
ＤＴ３及び出力側ＩＤＴ４は、それぞれ、互いに間挿し
合う電極指を有するくし歯電極３ａ，３ｂ，４ａ，４ｂ
を有する。入力側ＩＤＴ３及び出力側ＩＤＴ４における
表面波伝搬方向は、それぞれの電極指と直交する方向で
ある。また、入力側ＩＤＴ及び出力側ＩＤＴ４は、互い
の表面波伝搬方向が平行となるように並設されている。
【００２５】入力側ＩＤＴ３に対して、表面波伝搬方向
において所定距離を隔てて第１の反射器５が配置されて
いる。同様に、出力側ＩＤＴに対して表面波伝搬方向に
おいて所定距離を隔てて第２の反射器６が配置されてい
る。各反射器５，６は、平行に延びる複数本の電極指を
有し、複数本の電極指の両端が短絡されている。なお、
電極指の両端はオープンとなっていてもよい。
において所定距離を隔てて第１の反射器５が配置されて
いる。同様に、出力側ＩＤＴに対して表面波伝搬方向に
おいて所定距離を隔てて第２の反射器６が配置されてい
る。各反射器５，６は、平行に延びる複数本の電極指を
有し、複数本の電極指の両端が短絡されている。なお、
電極指の両端はオープンとなっていてもよい。
【００２６】入力側ＩＤＴ３と、第１の反射器５との間
の表面波伝搬路上及び出力側ＩＤＴ４と第２の反射器６
との間の表面波伝搬路上に、ＭＳＣ７が形成されてい
る。ＭＳＣ７は、入力側ＩＤＴ３及び出力側ＩＤＴ４か
ら第１，第２の反射器５，６に向かう表面波伝搬方向に
直交する方向に延びる複数本のストリップ状電極７ａを
有する。
の表面波伝搬路上及び出力側ＩＤＴ４と第２の反射器６
との間の表面波伝搬路上に、ＭＳＣ７が形成されてい
る。ＭＳＣ７は、入力側ＩＤＴ３及び出力側ＩＤＴ４か
ら第１，第２の反射器５，６に向かう表面波伝搬方向に
直交する方向に延びる複数本のストリップ状電極７ａを
有する。
【００２７】本実施例の弾性表面波フィルタ１では、反
射器５，６並びにＭＳＣ７が、Ａｌよりも密度の大きな
金属材料を用いて構成されている。このようなＡｌより
も密度の大きな金属材料としては、例えば、Ｗ、Ｔａ、
Ａｕ、Ａｇ等が挙げられる。
射器５，６並びにＭＳＣ７が、Ａｌよりも密度の大きな
金属材料を用いて構成されている。このようなＡｌより
も密度の大きな金属材料としては、例えば、Ｗ、Ｔａ、
Ａｕ、Ａｇ等が挙げられる。
【００２８】また、上記各電極は、単一の金属材料によ
り構成してもよいが、ＩＤＴ部のみをＡｌからなる電極
で形成してもよい。特に水晶基板のように電機機械結合
係数の小さい基板上に密度の大きい電極からなるＩＤＴ
を形成し、その電極の反射係数が大きい場合には、ＩＤ
Ｔの電極間での反射が大きく、ＳＡＷのエネルギーがＩ
ＤＴ間で閉じ込められるため、ＳＡＷがＩＤＴから伝搬
しにくい。そのためこのような場合には、反射係数の小
さいＡｌ電極等で形成することが望ましい。
り構成してもよいが、ＩＤＴ部のみをＡｌからなる電極
で形成してもよい。特に水晶基板のように電機機械結合
係数の小さい基板上に密度の大きい電極からなるＩＤＴ
を形成し、その電極の反射係数が大きい場合には、ＩＤ
Ｔの電極間での反射が大きく、ＳＡＷのエネルギーがＩ
ＤＴ間で閉じ込められるため、ＳＡＷがＩＤＴから伝搬
しにくい。そのためこのような場合には、反射係数の小
さいＡｌ電極等で形成することが望ましい。
【００２９】さらに、本実施例では、反射器５，６及び
ＭＳＣ７がいずれも、Ａｌよりも密度の大きな金属によ
り構成されているので、反射係数が高く、従って、電極
指の数を低減することができる。
ＭＳＣ７がいずれも、Ａｌよりも密度の大きな金属によ
り構成されているので、反射係数が高く、従って、電極
指の数を低減することができる。
【００３０】本実施例の弾性表面波フィルタ１では、入
力信号がＩＤＴ３に入力されるとラブ波が励振され、ラ
ブ波は図１の矢印Ａ方向、すなわち入力側ＩＤＴ３から
第１の反射器５に向かって伝搬する。また、ＭＳＣ７内
において、ラブ波の一部が方向を変えられ、矢印Ｂで示
すように第２の反射器６に向かって伝搬する。
力信号がＩＤＴ３に入力されるとラブ波が励振され、ラ
ブ波は図１の矢印Ａ方向、すなわち入力側ＩＤＴ３から
第１の反射器５に向かって伝搬する。また、ＭＳＣ７内
において、ラブ波の一部が方向を変えられ、矢印Ｂで示
すように第２の反射器６に向かって伝搬する。
【００３１】他方、第１の反射器５で反射されたラブ波
は、矢印Ｃで示すように、ＭＳＣ７内において方向を変
え、出力側ＩＤＴ４に伝搬する。同様に、第２の反射器
６で反射されたラブ波もまた、矢印Ｄで示すように出力
側ＩＤＴ４に向かって伝搬する。従って、出力側ＩＤＴ
４において出力が取り出される。
は、矢印Ｃで示すように、ＭＳＣ７内において方向を変
え、出力側ＩＤＴ４に伝搬する。同様に、第２の反射器
６で反射されたラブ波もまた、矢印Ｄで示すように出力
側ＩＤＴ４に向かって伝搬する。従って、出力側ＩＤＴ
４において出力が取り出される。
【００３２】本実施例では、上記のように反射器５，６
の電極指の本数を低減することができ、それによって小
型化を図ることができる。しかも、反射器５，６の電極
指の本数が少ないため、矢印Ａ，Ｃの経路で伝搬するラ
ブ波と、矢印Ｂ，Ｄの経路で伝搬するラブ波との遅延時
間の差が少なくなる。よって、群遅延時間特性（ＧＤ
Ｔ）のばらつきを小さくすることができる。これを、具
体的な実験例に基づき説明する。図１に示した実施例の
弾性表面波フィルタ１と、比較のために用意した従来例
の弾性表面波フィルタ１０１（図２参照）とを、下記の
仕様で設計した。
の電極指の本数を低減することができ、それによって小
型化を図ることができる。しかも、反射器５，６の電極
指の本数が少ないため、矢印Ａ，Ｃの経路で伝搬するラ
ブ波と、矢印Ｂ，Ｄの経路で伝搬するラブ波との遅延時
間の差が少なくなる。よって、群遅延時間特性（ＧＤ
Ｔ）のばらつきを小さくすることができる。これを、具
体的な実験例に基づき説明する。図１に示した実施例の
弾性表面波フィルタ１と、比較のために用意した従来例
の弾性表面波フィルタ１０１（図２参照）とを、下記の
仕様で設計した。
【００３３】（実施例の弾性表面波フィルタ１）圧電基
板２の寸法は２×１．８×厚み０．４ｍｍ。入力側ＩＤ
Ｔ３及び出力側ＩＤＴ４の交差幅＝２５λ、電極指の対
数＝２０対、電極指ピッチ＝１９μｍ。反射器５，６に
おける電極指の本数＝１５本、電極指ピッチ＝１９．８
μｍ。ＭＳＣ７におけるストリップ状電極７ａの本数＝
２５、ストリップ状電極７ａの幅＝３．２μｍ、ギャッ
プ＝３．１μｍ。
板２の寸法は２×１．８×厚み０．４ｍｍ。入力側ＩＤ
Ｔ３及び出力側ＩＤＴ４の交差幅＝２５λ、電極指の対
数＝２０対、電極指ピッチ＝１９μｍ。反射器５，６に
おける電極指の本数＝１５本、電極指ピッチ＝１９．８
μｍ。ＭＳＣ７におけるストリップ状電極７ａの本数＝
２５、ストリップ状電極７ａの幅＝３．２μｍ、ギャッ
プ＝３．１μｍ。
【００３４】（図２に示した従来例の仕様）図２に示し
た弾性表面波フィルタ１０１は、反射器１０５，１０６
の電極材料がＡｌであり、反射器１０５，１０６の電極
指の本数が３００本とされていることを除いては、実施
例の弾性表面波フィルタ１と同様とした。
た弾性表面波フィルタ１０１は、反射器１０５，１０６
の電極材料がＡｌであり、反射器１０５，１０６の電極
指の本数が３００本とされていることを除いては、実施
例の弾性表面波フィルタ１と同様とした。
【００３５】上記のように反射器１０５，１０６の電極
指の本数が３００本と多いため、圧電基板１０２の寸法
は２×４．５×厚み０．４ｍｍと大型にならざるを得な
かった。
指の本数が３００本と多いため、圧電基板１０２の寸法
は２×４．５×厚み０．４ｍｍと大型にならざるを得な
かった。
【００３６】図３は、実施例の弾性表面波フィルタ１の
減衰量周波数特性及び群遅延時間特性を示す図であり、
図４は、図２に示した従来の弾性表面波フィルタの減衰
量周波数特性及び群遅延時間特性を示す図である。
減衰量周波数特性及び群遅延時間特性を示す図であり、
図４は、図２に示した従来の弾性表面波フィルタの減衰
量周波数特性及び群遅延時間特性を示す図である。
【００３７】図３及び図４の比較から明らかなように、
従来例の弾性表面波フィルタ１０１に比べ、実施例の弾
性表面波フィルタ１を用いることにより通過帯域内にお
ける群遅延時間のばらつきを低減し得ることがわかる。
従来例の弾性表面波フィルタ１０１に比べ、実施例の弾
性表面波フィルタ１を用いることにより通過帯域内にお
ける群遅延時間のばらつきを低減し得ることがわかる。
【００３８】図５は、本発明の第２の実施例に係る弾性
表面波フィルタの平面図であり、第２の実施例では、い
わゆるＺパス型の弾性表面波フィルタが構成されてい
る。第２の実施例の弾性表面波フィルタ１１では、圧電
基板１２上に、一方のコーナー部分によせて入力側ＩＤ
Ｔ１３が形成されており、該コーナー部分と対向し合う
コーナー部分近傍に出力側ＩＤＴ１４が形成されてい
る。
表面波フィルタの平面図であり、第２の実施例では、い
わゆるＺパス型の弾性表面波フィルタが構成されてい
る。第２の実施例の弾性表面波フィルタ１１では、圧電
基板１２上に、一方のコーナー部分によせて入力側ＩＤ
Ｔ１３が形成されており、該コーナー部分と対向し合う
コーナー部分近傍に出力側ＩＤＴ１４が形成されてい
る。
【００３９】また、ＩＤＴ１３で励振される表面波の伝
搬方向においてＩＤＴ１３に対して所定距離を隔てて第
１の反射器１５が形成されている。同様に、出力側ＩＤ
Ｔ１４で受信される表面波の伝搬方向において、ＩＤＴ
１４に対して所定距離を隔てて第２の反射器１６が配置
されている。すなわち、反射器１５，１６は、ＩＤＴ１
３，１４が配置されているコーナーとは別の対向し合う
コーナー部近傍に配置されている。
搬方向においてＩＤＴ１３に対して所定距離を隔てて第
１の反射器１５が形成されている。同様に、出力側ＩＤ
Ｔ１４で受信される表面波の伝搬方向において、ＩＤＴ
１４に対して所定距離を隔てて第２の反射器１６が配置
されている。すなわち、反射器１５，１６は、ＩＤＴ１
３，１４が配置されているコーナーとは別の対向し合う
コーナー部近傍に配置されている。
【００４０】第１、第２の反射器１５，１６は、それぞ
れ、複数本の電極指を有し、複数本の電極指は、ＩＤＴ
１３，１４で励受信される表面波の伝搬方向に対して斜
め方向に交差する方向に延ばされている。これは、図示
の矢印Ｅで示すように、入力側ＩＤＴ１３で励振された
表面波を、反射器１５，１６で反射させ、出力側ＩＤＴ
１４に導くためである。すなわち、図５から明らかなよ
うに、Ｚ字状の経路に沿って表面波が伝搬されるよう
に、ＩＤＴ１３，１４及び反射器１５，１６が配置され
ている。
れ、複数本の電極指を有し、複数本の電極指は、ＩＤＴ
１３，１４で励受信される表面波の伝搬方向に対して斜
め方向に交差する方向に延ばされている。これは、図示
の矢印Ｅで示すように、入力側ＩＤＴ１３で励振された
表面波を、反射器１５，１６で反射させ、出力側ＩＤＴ
１４に導くためである。すなわち、図５から明らかなよ
うに、Ｚ字状の経路に沿って表面波が伝搬されるよう
に、ＩＤＴ１３，１４及び反射器１５，１６が配置され
ている。
【００４１】本実施例においても、上記圧電基板１２
は、第１の実施例における圧電基板２と同様の材料から
なるものを用いることができる。また、反射器１５，１
６を構成する金属材料については、Ａｌよりも密度の大
きな金属材料、すなわち第１の実施例で述べた金属材料
を用いることができる。従って、本実施例においても、
反射器１５，１６における反射係数が高められるので、
反射器１５，１６における電極指の本数を低減すること
ができる。なお、ＩＤＴについては基板の電気機械結合
係数で使い分け、結合係数０．０４以上の場合Ａｌを、
０．０４未満の場合には、反射器と同じ電極を用いれば
よい。
は、第１の実施例における圧電基板２と同様の材料から
なるものを用いることができる。また、反射器１５，１
６を構成する金属材料については、Ａｌよりも密度の大
きな金属材料、すなわち第１の実施例で述べた金属材料
を用いることができる。従って、本実施例においても、
反射器１５，１６における反射係数が高められるので、
反射器１５，１６における電極指の本数を低減すること
ができる。なお、ＩＤＴについては基板の電気機械結合
係数で使い分け、結合係数０．０４以上の場合Ａｌを、
０．０４未満の場合には、反射器と同じ電極を用いれば
よい。
【００４２】図６は、第２の実施例の弾性表面波フィル
タ１１に相当する従来のＺパス型の表面波フィルタを示
す平面図である。この従来の弾性表面波フィルタ１１１
においても、実施例の弾性表面波フィルタ１１と同様
に、圧電基板２０２上に、入力側ＩＤＴ１１３及び出力
側ＩＤＴ１１４並びに反射器１１５，１１６が、Ｚ字型
の伝搬路を形成するように構成されている。しかしなが
ら、弾性表面波フィルタ１１１では、各電極がＡｌによ
り構成されているので、反射器１１５，１１６の反射係
数が低い。従って、図６に示すように、多数の電極指を
有する反射器１１５，１１６を用いなければならない。
タ１１に相当する従来のＺパス型の表面波フィルタを示
す平面図である。この従来の弾性表面波フィルタ１１１
においても、実施例の弾性表面波フィルタ１１と同様
に、圧電基板２０２上に、入力側ＩＤＴ１１３及び出力
側ＩＤＴ１１４並びに反射器１１５，１１６が、Ｚ字型
の伝搬路を形成するように構成されている。しかしなが
ら、弾性表面波フィルタ１１１では、各電極がＡｌによ
り構成されているので、反射器１１５，１１６の反射係
数が低い。従って、図６に示すように、多数の電極指を
有する反射器１１５，１１６を用いなければならない。
【００４３】よって、図５及び図６の比較からも明らか
なように、第２の実施例においても、反射器１５，１６
の小型化を図り得るので、ひいてはＺパス型の弾性表面
波フィルタ１１の全体の寸法を効果的に小さくすること
ができる。
なように、第２の実施例においても、反射器１５，１６
の小型化を図り得るので、ひいてはＺパス型の弾性表面
波フィルタ１１の全体の寸法を効果的に小さくすること
ができる。
【００４４】図７は、本発明の第３の実施例に係る弾性
表面波フィルタを示す平面図である。弾性表面波フィル
タ２１では、圧電基板２２上において、入力側ＩＤＴ２
３，２４が並設されている。すなわち、ＩＤＴ２３，２
４は、表面波伝搬方向と直交する方向において並べられ
ていてる。
表面波フィルタを示す平面図である。弾性表面波フィル
タ２１では、圧電基板２２上において、入力側ＩＤＴ２
３，２４が並設されている。すなわち、ＩＤＴ２３，２
４は、表面波伝搬方向と直交する方向において並べられ
ていてる。
【００４５】ＩＤＴ２３の表面波伝搬方向一方側には、
第１の反射器２５が、表面波をＩＤＴ２３側に反射する
ように配置されている。ＩＤＴ２３の第１の反射器２５
が設けられている側とは表面波伝搬方向において反対側
に、第２の反射器２６が配置されている。第２の反射器
２６は、伝搬してきた表面波を、後述の第４の反射器に
向かって反射するように構成されている。本実施例で
は、第２の反射器２６は、ＩＤＴ２３より励振される表
面波の伝搬方向に対して斜め方向に交差する方向に延び
る複数本の電極指を有する。
第１の反射器２５が、表面波をＩＤＴ２３側に反射する
ように配置されている。ＩＤＴ２３の第１の反射器２５
が設けられている側とは表面波伝搬方向において反対側
に、第２の反射器２６が配置されている。第２の反射器
２６は、伝搬してきた表面波を、後述の第４の反射器に
向かって反射するように構成されている。本実施例で
は、第２の反射器２６は、ＩＤＴ２３より励振される表
面波の伝搬方向に対して斜め方向に交差する方向に延び
る複数本の電極指を有する。
【００４６】ＩＤＴ２４の表面波伝搬方向一方側には、
第３の反射器と２７が配置されている。第３の反射器２
７は、伝搬してきた表面波をＩＤＴ２４側に反射するよ
うに構成されている。
第３の反射器と２７が配置されている。第３の反射器２
７は、伝搬してきた表面波をＩＤＴ２４側に反射するよ
うに構成されている。
【００４７】また、ＩＤＴ２４の第３の反射器２７が設
けられいてる側とは反対側には、所定距離を隔てて第４
の反射器２８が配置されている。第４の反射器２８は、
第２の反射器２６から伝搬してきた表面波をＩＤＴ２４
に向かって反射するように構成されている。従って、第
４の反射器２８は、ＩＤＴ２４における表面波伝搬方向
に対して斜め方向に延びる複数本の電極指を有する。
けられいてる側とは反対側には、所定距離を隔てて第４
の反射器２８が配置されている。第４の反射器２８は、
第２の反射器２６から伝搬してきた表面波をＩＤＴ２４
に向かって反射するように構成されている。従って、第
４の反射器２８は、ＩＤＴ２４における表面波伝搬方向
に対して斜め方向に延びる複数本の電極指を有する。
【００４８】本実施例においても、第１〜第４の反射器
２５〜２８がＡｌよりも密度の大きな金属により構成さ
れている。従って、反射器２５〜２８を小型化すること
ができる。ＩＤＴを構成する電極は反射係数や基板の結
合係数により使い分ける。
２５〜２８がＡｌよりも密度の大きな金属により構成さ
れている。従って、反射器２５〜２８を小型化すること
ができる。ＩＤＴを構成する電極は反射係数や基板の結
合係数により使い分ける。
【００４９】本実施例では、入力側ＩＤＴ２３で励振さ
れた表面波のうち反射器２５側に伝搬した表面波は、反
射器２５で反射され、ＩＤＴ２４の右側に向かってさら
に伝搬していく。そして、ＩＤＴ２４の右側では、第２
の反射器２６により表面波が第４の反射器２８側に反射
される。また、第４の反射器２８においては、伝搬して
きた表面波がＩＤＴ２４側に向かって反射される。従っ
て、表面波がＩＤＴ２４より受信される。また、ＩＤＴ
２４から左側に放射された表面波は、第３の反射器２７
で反射され、ＩＤＴ２４側に伝搬する。
れた表面波のうち反射器２５側に伝搬した表面波は、反
射器２５で反射され、ＩＤＴ２４の右側に向かってさら
に伝搬していく。そして、ＩＤＴ２４の右側では、第２
の反射器２６により表面波が第４の反射器２８側に反射
される。また、第４の反射器２８においては、伝搬して
きた表面波がＩＤＴ２４側に向かって反射される。従っ
て、表面波がＩＤＴ２４より受信される。また、ＩＤＴ
２４から左側に放射された表面波は、第３の反射器２７
で反射され、ＩＤＴ２４側に伝搬する。
【００５０】図８は、第４の実施例に係る弾性表面波フ
ィルタの平面図である。弾性表面波フィルタ３１では、
圧電基板３２上に、入力側ＩＤＴ３３，３４と、反射器
３５〜３８とが配置されている。ここでは、ＩＤＴ３３
の表面波伝搬方向両側に、第１，第２の反射器３５，３
６が配置されている。反射器３５，３６は、圧電基板３
２の一方の長辺の両端近傍のコーナー部分に配置されて
いる。そして、ＩＤＴ３３から伝搬してきた表面波を反
射する。反射された表面波は、ＩＤＴ２４の表面波伝搬
方向と直交する方向、すなわち図８の下方に反射され
る。このようにして反射された表面波が、出力側ＩＤＴ
３４の表面波伝搬方向両側に配置された第３，第４の反
射器３７，３８により反射され、ＩＤＴ３４側に伝搬す
る。
ィルタの平面図である。弾性表面波フィルタ３１では、
圧電基板３２上に、入力側ＩＤＴ３３，３４と、反射器
３５〜３８とが配置されている。ここでは、ＩＤＴ３３
の表面波伝搬方向両側に、第１，第２の反射器３５，３
６が配置されている。反射器３５，３６は、圧電基板３
２の一方の長辺の両端近傍のコーナー部分に配置されて
いる。そして、ＩＤＴ３３から伝搬してきた表面波を反
射する。反射された表面波は、ＩＤＴ２４の表面波伝搬
方向と直交する方向、すなわち図８の下方に反射され
る。このようにして反射された表面波が、出力側ＩＤＴ
３４の表面波伝搬方向両側に配置された第３，第４の反
射器３７，３８により反射され、ＩＤＴ３４側に伝搬す
る。
【００５１】本実施例においても、反射器３５〜３８が
Ａｌよりも密度の高い材料で構成されているので、第１
〜第３の実施例と同様に、弾性表面波フィルタの小型化
を図ることができるとともに、反射器の本数が少ないた
め群遅延時間特性のばらつきを低減することができる。
Ａｌよりも密度の高い材料で構成されているので、第１
〜第３の実施例と同様に、弾性表面波フィルタの小型化
を図ることができるとともに、反射器の本数が少ないた
め群遅延時間特性のばらつきを低減することができる。
【００５２】第１〜第４の実施例では、入力側ＩＤＴと
出力側ＩＤＴと反射器とを有する弾性表面波フィルタに
つき説明したが、本発明では、３以上のＩＤＴを有する
弾性表面波フィルタにも適用することができる。図９
は、本発明が適用されるこの種の弾性表面波フィルタの
一例としてのラダー型フィルタを説明するための平面図
である。
出力側ＩＤＴと反射器とを有する弾性表面波フィルタに
つき説明したが、本発明では、３以上のＩＤＴを有する
弾性表面波フィルタにも適用することができる。図９
は、本発明が適用されるこの種の弾性表面波フィルタの
一例としてのラダー型フィルタを説明するための平面図
である。
【００５３】ラダー型フィルタ４１では、圧電基板４２
上に、第１〜第５のＩＤＴ４３〜４７が並設されてい
る。また、各ＩＤＴ４３〜４７の表面波伝搬方向両側
に、それぞれ、反射器４３ａ，４３ｂ〜４７ａ，４７ｂ
が配置されている。そして、ＩＤＴ４３〜４７は、３個
の直列腕共振子と２個の並列腕共振子とを有する梯子型
回路を実現し得るように電気的に接続されている。な
お、図９においてＩＤＴ４３，４５，４７は、それぞ
れ、直列腕共振子を構成するためのＩＤＴであり、ＩＤ
Ｔ４４，４６が並列腕共振子を構成するＩＤＴである。
ＩＤＴ４３に入力端子４９が、ＩＤＴ４７に出力端子５
０が、ＩＤＴ４４，４６にアース端子５１，５２が接続
されている。
上に、第１〜第５のＩＤＴ４３〜４７が並設されてい
る。また、各ＩＤＴ４３〜４７の表面波伝搬方向両側
に、それぞれ、反射器４３ａ，４３ｂ〜４７ａ，４７ｂ
が配置されている。そして、ＩＤＴ４３〜４７は、３個
の直列腕共振子と２個の並列腕共振子とを有する梯子型
回路を実現し得るように電気的に接続されている。な
お、図９においてＩＤＴ４３，４５，４７は、それぞ
れ、直列腕共振子を構成するためのＩＤＴであり、ＩＤ
Ｔ４４，４６が並列腕共振子を構成するＩＤＴである。
ＩＤＴ４３に入力端子４９が、ＩＤＴ４７に出力端子５
０が、ＩＤＴ４４，４６にアース端子５１，５２が接続
されている。
【００５４】本実施例においても、各反射器４３ａ〜４
７ｂがＡｌよりも密度の大きな金属により構成されてい
る。従って、反射器４３ａ〜４７ｂの小型化を図ること
ができ、ひいてはラダー型フィルタ４１全体の小型化を
図ることができる。
７ｂがＡｌよりも密度の大きな金属により構成されてい
る。従って、反射器４３ａ〜４７ｂの小型化を図ること
ができ、ひいてはラダー型フィルタ４１全体の小型化を
図ることができる。
【００５５】図１０は、本発明に係る弾性表面波フィル
タを用いて構成される通信機を示す概略ブロック図であ
る。図１０において、アンテナ１６１に、ディプレクサ
１６２が接続されている。ディプレクサ１６２と受信側
ミキサ１６３との間に、ＲＦ段を構成する弾性表面波フ
ィルタ１６４及び増幅器１６５が接続されている。さら
にミキサ１６３にＩＦ段の表面波フィルタ１６９が接続
されている。また、ディプレクサ１６２と送信側のミキ
サ１６６との間には、ＲＦ段を構成する増幅器１６７及
び弾性表面波フィルタ１６８が接続されている。
タを用いて構成される通信機を示す概略ブロック図であ
る。図１０において、アンテナ１６１に、ディプレクサ
１６２が接続されている。ディプレクサ１６２と受信側
ミキサ１６３との間に、ＲＦ段を構成する弾性表面波フ
ィルタ１６４及び増幅器１６５が接続されている。さら
にミキサ１６３にＩＦ段の表面波フィルタ１６９が接続
されている。また、ディプレクサ１６２と送信側のミキ
サ１６６との間には、ＲＦ段を構成する増幅器１６７及
び弾性表面波フィルタ１６８が接続されている。
【００５６】上記通信機１６０におけるＩＦ段の表面波
フィルタ１６９として本発明に従って構成された弾性表
面波装置を好適に用いることができる。本願発明者は、
上述したように、Ａｌよりも質量の大きな金属により反
射器あるいは反射器及びＩＤＴを構成した場合の反射係
数を電極材料毎にさらに詳しく検討した。
フィルタ１６９として本発明に従って構成された弾性表
面波装置を好適に用いることができる。本願発明者は、
上述したように、Ａｌよりも質量の大きな金属により反
射器あるいは反射器及びＩＤＴを構成した場合の反射係
数を電極材料毎にさらに詳しく検討した。
【００５７】反射係数は電極材料を含めた基板の電気機
械結合係数が大きい程大きく、同じ電極材料を用いた場
合電極の厚みが大きい程大きいことが知られている。ま
た、電極の反射係数は、電極が存在する場合と存在しな
い場合の音速差から求められており、電極の厚みが厚い
程、並びに電極の密度が高いほど反射係数が大きくな
る。
械結合係数が大きい程大きく、同じ電極材料を用いた場
合電極の厚みが大きい程大きいことが知られている。ま
た、電極の反射係数は、電極が存在する場合と存在しな
い場合の音速差から求められており、電極の厚みが厚い
程、並びに電極の密度が高いほど反射係数が大きくな
る。
【００５８】本願発明者は、ＳＴカット９０°伝搬水晶
基板上に、Ｔａ、Ｗ及びＡｌからなる各電極を形成し、
その反射係数を有限要素法（ＦＥＭ）で計算した。その
結果、Ｔａからなる電極及びＷからなる電極の反射係数
は、Ａｌからなる電極の２０倍程度であった。そして、
電極の反射係数は、電極を含めた基板の電気機械電解結
合係数ｋ及び電極の密度ρの積ｋ2ρに依存しているこ
とが確かめられた。
基板上に、Ｔａ、Ｗ及びＡｌからなる各電極を形成し、
その反射係数を有限要素法（ＦＥＭ）で計算した。その
結果、Ｔａからなる電極及びＷからなる電極の反射係数
は、Ａｌからなる電極の２０倍程度であった。そして、
電極の反射係数は、電極を含めた基板の電気機械電解結
合係数ｋ及び電極の密度ρの積ｋ2ρに依存しているこ
とが確かめられた。
【００５９】そこで、ＳＴカット９０°伝搬水晶基板
（オイラー角［０°，１２０〜１４５°，９０°］）、
３６°回転Ｙ板Ｘ伝搬ＬｉＴａＯ3基板（オイラー角
［０°，１２６°，０°］）及びＹカットＸ伝搬ＬｉＮ
ｂＯ3基板（オイラー角［０°，９０°，０°］）をそ
れぞれ用い、電極を様々な金属で構成した場合、電極の
規格化膜厚とｋ2ρ・（Ｈ／λ）との関係を求めた。な
お、Ｈは電極の膜厚を、λは表面波の波長を示す。結果
を図１１〜図１３に示す。
（オイラー角［０°，１２０〜１４５°，９０°］）、
３６°回転Ｙ板Ｘ伝搬ＬｉＴａＯ3基板（オイラー角
［０°，１２６°，０°］）及びＹカットＸ伝搬ＬｉＮ
ｂＯ3基板（オイラー角［０°，９０°，０°］）をそ
れぞれ用い、電極を様々な金属で構成した場合、電極の
規格化膜厚とｋ2ρ・（Ｈ／λ）との関係を求めた。な
お、Ｈは電極の膜厚を、λは表面波の波長を示す。結果
を図１１〜図１３に示す。
【００６０】図１１はＳＴカット９０°伝搬水晶基板を
用いた場合を、図１２は３６°回転Ｙ板Ｘ伝搬ＬｉＴａ
Ｏ3基板を用いた場合の結果を、図１３はＹカットＸ方
向伝搬ＬｉＮｂＯ3 基板を用いた場合の結果である。
用いた場合を、図１２は３６°回転Ｙ板Ｘ伝搬ＬｉＴａ
Ｏ3基板を用いた場合の結果を、図１３はＹカットＸ方
向伝搬ＬｉＮｂＯ3 基板を用いた場合の結果である。
【００６１】図１１〜図１３において、製造プロセス上
の制限等により、実際に形成可能な規格化膜厚Ｈ／λは
電極のメタライゼーション比等も関連して０．０７程度
である。他方、図１１〜図１３から明らかなように、Ａ
ｌからなる電極を形成した場合のｋ2ρ（Ｈ／λ）より
も大きなｋ2ρ（Ｈ／λ）を示す範囲は、反射係数がＡ
ｌからなる電極膜より大きいことを示す。従って、図１
１よりＳＴカット９０°Ｘ伝搬水晶基板を用いた場合、
電極がＡｕからなる場合、Ｈ／λを０．００７〜０．０
７の範囲、好ましくは０．０１４〜０．０７の範囲とす
ればよいことがわかる。同様に、電極がＴａ、Ｗ、Ａ
ｇ、Ｃｕ、Ｍｏ、ＮｉまたはＺｎからなる場合、それぞ
れ、規格化膜厚Ｈ／λをＴａの場合、０．００８〜０．
０７の範囲、好ましくは０．０１６〜０．０７の範囲、
Ｃｒからなる場合、０．０１６〜０．０７の範囲、好ま
しくは、０．０３２〜０．０７の範囲、Ｗからなる場
合、０．００８〜０．０７、好ましくは０．０１６〜
０．０７、Ａｇからなる場合、０．０１３〜０．０７好
ましくは０．０２６〜０．０７、ＣｕもしくはＭｏから
なる場合、０．０１７〜０．０７、好ましくは０．０３
４〜０．０７、ＮｉもしくはＺｎからなる場合、０．０
２２〜０．０７、好ましくは０．０４４〜０．０７の範
囲とすればよいことがわかる。
の制限等により、実際に形成可能な規格化膜厚Ｈ／λは
電極のメタライゼーション比等も関連して０．０７程度
である。他方、図１１〜図１３から明らかなように、Ａ
ｌからなる電極を形成した場合のｋ2ρ（Ｈ／λ）より
も大きなｋ2ρ（Ｈ／λ）を示す範囲は、反射係数がＡ
ｌからなる電極膜より大きいことを示す。従って、図１
１よりＳＴカット９０°Ｘ伝搬水晶基板を用いた場合、
電極がＡｕからなる場合、Ｈ／λを０．００７〜０．０
７の範囲、好ましくは０．０１４〜０．０７の範囲とす
ればよいことがわかる。同様に、電極がＴａ、Ｗ、Ａ
ｇ、Ｃｕ、Ｍｏ、ＮｉまたはＺｎからなる場合、それぞ
れ、規格化膜厚Ｈ／λをＴａの場合、０．００８〜０．
０７の範囲、好ましくは０．０１６〜０．０７の範囲、
Ｃｒからなる場合、０．０１６〜０．０７の範囲、好ま
しくは、０．０３２〜０．０７の範囲、Ｗからなる場
合、０．００８〜０．０７、好ましくは０．０１６〜
０．０７、Ａｇからなる場合、０．０１３〜０．０７好
ましくは０．０２６〜０．０７、ＣｕもしくはＭｏから
なる場合、０．０１７〜０．０７、好ましくは０．０３
４〜０．０７、ＮｉもしくはＺｎからなる場合、０．０
２２〜０．０７、好ましくは０．０４４〜０．０７の範
囲とすればよいことがわかる。
【００６２】また、図１２から３６°回転Ｙ板Ｘ伝搬Ｌ
ｉＴａＯ3 基板を用いた場合には電極がＡｕからなる場
合、Ｈ／λは、０．００６〜０．０７、好ましくは０．
０２５〜０．０７、Ｔａの場合、０．００８５〜０．０
７、好ましくは０．０２７〜０．０７、Ｗの場合、０．
００８〜０．０７、好ましくは０．０３０〜０．０７、
Ａｇの場合、０．０１４〜０．０７、好ましくは０．０
４９〜０．０７、ＣｕもしくはＭｏからなる場合、０．
０１７〜０．０７、好ましくは０．６０〜０．０７、Ｎ
ｉもしくはＣｒからなる場合、０．０２〜０．０７の範
囲、Ｚｎからなる場合、０．０２３〜０．０７の範囲と
すればよいことがわかる。
ｉＴａＯ3 基板を用いた場合には電極がＡｕからなる場
合、Ｈ／λは、０．００６〜０．０７、好ましくは０．
０２５〜０．０７、Ｔａの場合、０．００８５〜０．０
７、好ましくは０．０２７〜０．０７、Ｗの場合、０．
００８〜０．０７、好ましくは０．０３０〜０．０７、
Ａｇの場合、０．０１４〜０．０７、好ましくは０．０
４９〜０．０７、ＣｕもしくはＭｏからなる場合、０．
０１７〜０．０７、好ましくは０．６０〜０．０７、Ｎ
ｉもしくはＣｒからなる場合、０．０２〜０．０７の範
囲、Ｚｎからなる場合、０．０２３〜０．０７の範囲と
すればよいことがわかる。
【００６３】さらに、図１３から明らかなように、Ｙカ
ットＸ方向伝搬ＬｉＮｂＯ3 基板を用いた場合には、Ａ
ｕから電極が構成されている場合、Ｈ／λは０．００９
〜０．０７、好ましくは０．０２〜０．０７の範囲、Ｗ
の場合には０．００９〜０．０７、好ましくは０．０２
／０．０７、Ｔａからなる場合、０．０１２〜０．０
７、好ましくは０．０２３〜０．０７、Ａｇからなる場
合、０．０１７〜０．０７、好ましくは０．０３〜０．
０７とすればよいことがわかる。
ットＸ方向伝搬ＬｉＮｂＯ3 基板を用いた場合には、Ａ
ｕから電極が構成されている場合、Ｈ／λは０．００９
〜０．０７、好ましくは０．０２〜０．０７の範囲、Ｗ
の場合には０．００９〜０．０７、好ましくは０．０２
／０．０７、Ｔａからなる場合、０．０１２〜０．０
７、好ましくは０．０２３〜０．０７、Ａｇからなる場
合、０．０１７〜０．０７、好ましくは０．０３〜０．
０７とすればよいことがわかる。
【００６４】
【発明の効果】第１の発明に係る弾性表面波フィルタで
は、少なくとも反射器がＡｌよりも密度の大きな金属材
料を用いて構成されているので、また、第２の発明では
反射器及びＩＤＴがＡｌよりも密度の大きな金属材料を
用いて構成されているので、表面波としてのＳＨ波を利
用した弾性表面波フィルタにおいて、反射器または反射
器及びＩＤＴの反射効率が高められる。従って、反射
器、または反射器及びＩＤＴの小型化、ひいては弾性表
面波フィルタの小型化を図ることができる。
は、少なくとも反射器がＡｌよりも密度の大きな金属材
料を用いて構成されているので、また、第２の発明では
反射器及びＩＤＴがＡｌよりも密度の大きな金属材料を
用いて構成されているので、表面波としてのＳＨ波を利
用した弾性表面波フィルタにおいて、反射器または反射
器及びＩＤＴの反射効率が高められる。従って、反射
器、または反射器及びＩＤＴの小型化、ひいては弾性表
面波フィルタの小型化を図ることができる。
【００６５】また、反射器の電極指の本数を低減するこ
とができるため、群遅延時間特性のばらつきも低減する
ことができる。本発明に係る弾性表面波フィルタは、反
射器とＩＤＴとを有する、ＳＨ波を利用した様々な弾性
表面波フィルタにおいて利用することができ、マルチス
トリップカプラーを用いたＭＳＣフィルタ、Ｚパス型弾
性表面波フィルタ、リックファイル型弾性表面波フィル
タ及びリング型弾性表面波フィルタ等の各種弾性表面波
フィルタにおいて、本発明を適用することができ、反射
器の小型化、ひいては弾性表面波フィルタの小型化を図
ることができ、かつ群遅延時間特性のばらつきの低減を
図ることができる。
とができるため、群遅延時間特性のばらつきも低減する
ことができる。本発明に係る弾性表面波フィルタは、反
射器とＩＤＴとを有する、ＳＨ波を利用した様々な弾性
表面波フィルタにおいて利用することができ、マルチス
トリップカプラーを用いたＭＳＣフィルタ、Ｚパス型弾
性表面波フィルタ、リックファイル型弾性表面波フィル
タ及びリング型弾性表面波フィルタ等の各種弾性表面波
フィルタにおいて、本発明を適用することができ、反射
器の小型化、ひいては弾性表面波フィルタの小型化を図
ることができ、かつ群遅延時間特性のばらつきの低減を
図ることができる。
【００６６】また、複数の弾性表面波フィルタ素子が梯
子型回路構成を有するように電気的に接続されているラ
ダー型フィルタにおいて、各弾性表面波フィルタ素子を
本発明に従って構成することにより、ラダー型フィルタ
の小型化を図ることもできる。
子型回路構成を有するように電気的に接続されているラ
ダー型フィルタにおいて、各弾性表面波フィルタ素子を
本発明に従って構成することにより、ラダー型フィルタ
の小型化を図ることもできる。
【図１】本発明の第１の実施例に係る弾性表面波フィル
タの平面図。
タの平面図。
【図２】比較のために用意した従来の弾性表面波フィル
タの平面図。
タの平面図。
【図３】第１の実施例の弾性表面波フィルタの減衰量周
波数特性及び群遅延時間特性を示す図。
波数特性及び群遅延時間特性を示す図。
【図４】従来の弾性表面波フィルタの減衰量周波数特性
及び群遅延時間特性を示す図。
及び群遅延時間特性を示す図。
【図５】第２の実施例に係る弾性表面波フィルタの平面
図。
図。
【図６】第２の実施例の比較のために示した従来の弾性
表面波フィルタの平面図。
表面波フィルタの平面図。
【図７】第３の実施例の弾性表面波フィルタの平面図。
【図８】第４の実施例の弾性表面波フィルタの平面図。
【図９】第５の実施例としてのラダー型フィルタを示す
平面図。
平面図。
【図１０】本発明に係る弾性表面波フィルタを用いた通
信機の概略ブロック図。
信機の概略ブロック図。
【図１１】ＳＴカット９０°伝搬水晶基板を用いて各種
金属材料により電極を構成した場合の電極の規格化膜厚
Ｈ／λと、反射係数に対応するｋ2 ×ρ×（Ｈ／λ）と
の関係を示す図。
金属材料により電極を構成した場合の電極の規格化膜厚
Ｈ／λと、反射係数に対応するｋ2 ×ρ×（Ｈ／λ）と
の関係を示す図。
【図１２】ＳＴカット３６°回転Ｙ板Ｘ伝搬ＬｉＴａＯ
3 基板を用いて各種金属材料により電極を構成した場合
の電極の規格化膜厚Ｈ／λと、反射係数に対応するｋ2
×ρ×（Ｈ／λ）との関係を示す図。
3 基板を用いて各種金属材料により電極を構成した場合
の電極の規格化膜厚Ｈ／λと、反射係数に対応するｋ2
×ρ×（Ｈ／λ）との関係を示す図。
【図１３】ＳＴカットＹ−ＸＬｉＮｂＯ3 基板を用いて
各種金属材料により電極を構成した場合の電極の規格化
膜厚Ｈ／λと、反射係数に対応するｋ2 ×ρ×（Ｈ／
λ）との関係を示す図。
各種金属材料により電極を構成した場合の電極の規格化
膜厚Ｈ／λと、反射係数に対応するｋ2 ×ρ×（Ｈ／
λ）との関係を示す図。
１…弾性表面波フィルタ ２…圧電基板 ３，４…ＩＤＴ ５，６…反射器 ７…ＭＳＣ １１…弾性表面波フィルタ １２…圧電基板 １３，１４…ＩＤＴ １５，１６…第１，第２の反射器 ２１…弾性表面波フィルタ ２２…圧電基板 ２３，２４…ＩＤＴ ２５，２６，２７，２８…第１〜第４の反射器 ３１…圧電基板 ３２…圧電基板 ３３，３４…ＩＤＴ ３５〜３８…第１〜第４の反射器 ４１…ラダー型フィルタ ４２…圧電基板 ４３〜４７…ＩＤＴ ４３ａ，４３ｂ〜４７ａ，４７ｂ…反射器
Claims (15)
- 【請求項１】 圧電性基板と、 前記圧電性基板に形成された少なくとも１つのＩＤＴ
と、 前記圧電性基板に形成されており、前記ＩＤＴで励振さ
れた表面波を反射させる少なくとも１つの反射器とを備
え、 前記反射器がＡｌよりも密度の大きな金属材料を用いて
構成されており、かつ前記表面波としてＳＨ波を利用す
る、弾性表面波フィルタ。 - 【請求項２】 圧電性基板と、 前記圧電性基板に形成された少なくとも１つのＩＤＴ
と、 前記圧電性基板に形成されており、前記ＩＤＴで励振さ
れた表面波を反射させる少なくとも１つの反射器とを備
え、 前記ＩＤＴ及び反射器がＡｌよりも密度の大きな金属材
料を用いて構成されており、かつ前記表面波としてラブ
波等のＳＨ波を利用する、弾性表面波フィルタ。 - 【請求項３】 前記ＩＤＴとして、入力側ＩＤＴと出力
側ＩＤＴとを備え、前記反射器として、入力側ＩＤＴ及
び出力側ＩＤＴに対して表面波伝搬方向において所定距
離を隔ててそれぞれ配置された第１，第２の反射器を備
え、 前記入力側ＩＤＴ及び出力側ＩＤＴと前記第１、第２の
反射器との間の表面波伝搬路上に設けられたマルチスト
リップカプラーをさらに備え、該マルチストリップカプ
ラーがＡｌよりも密度の大きな金属材料により構成され
ている、請求項１または２に記載の弾性表面波フィル
タ。 - 【請求項４】 前記ＩＤＴとして、入力側ＩＤＴと出力
側ＩＤＴとを備え、前記反射器として、入力側ＩＤＴ及
び出力側ＩＤＴに対して表面波伝搬方向において所定距
離を隔てて、それぞれ、配置された第１，第２の反射器
とを備え、 入力側ＩＤＴで励振されたＳＨ波が、第１，第２の反射
器でそれぞれ反射されて、Ｚ字型の伝搬路を通って、出
力側ＩＤＴに伝搬するように、入力側ＩＤＴ、第１，第
２の反射器及び出力側ＩＤＴが構成されている、請求項
１または２に記載の弾性表面波フィルタ。 - 【請求項５】 前記第１，第２の反射器が、表面波伝搬
方向に対して斜め方向に交差する方向に延びる複数本の
電極指をそれぞれ有する、請求項４に記載の弾性表面波
フィルタ。 - 【請求項６】 前記ＩＤＴとして、入力側ＩＤＴ及び出
力側ＩＤＴを備え、 前記反射器として、入力側ＩＤＴの表面波伝搬方向の一
方側に配置されており、入力側ＩＤＴで励振された表面
波を入力側ＩＤＴ側に向かって反射する第１の反射器
と、前記入力側ＩＤＴの第１の反射器が形成されている
側とは反対側に配置されており、到達した表面波の方向
を変えて反射する第２の反射器と、 出力側ＩＤＴの表面波伝搬方向の一方側に配置されてお
り、到達した表面波を出力側ＩＤＴ側に向かって反射す
る第３の反射器と、前記出力側ＩＤＴの第３の反射器が
配置されている側とは表面波伝搬方向において反対側に
配置されており、かつ第２の反射器で反射されてきた表
面波を出力側ＩＤＴに向かって反射する第４の反射器と
を有する、請求項１または２に記載の弾性表面波フィル
タ。 - 【請求項７】 前記第２，第４の反射器が、入力側及び
出力側ＩＤＴで励受振される表面波の伝搬方向に対して
斜め方向に交差する方向に延びる複数本の電極指を有す
る、請求項６に記載の弾性表面波フィルタ。 - 【請求項８】 ＩＤＴと、ＩＤＴの表面波伝搬方向両側
に配置された一対の反射器とを備える複数の弾性表面波
フィルタ素子を有し、各弾性表面波フィルタ素子が請求
項１または２に記載の弾性表面波フィルタにより構成さ
れており、複数個の前記弾性表面波フィルタ素子が梯子
型回路構成を実現するように電気的に接続されている、
弾性表面波フィルタ。 - 【請求項９】 前記圧電性基板がＳＴカット９０°Ｘ方
向伝搬水晶基板であり、前記反射器がＡｕ，Ｔａ、Ｗ、
Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｍｏ、ＮｉまたはＺｎからなり、表
面波の波長をλと、反射器の膜厚をＨとしたときに、反
射器の規格化膜厚Ｈ／λが、Ａｕの場合に０．００７〜
０．０７、Ｔａの場合に０．００８〜０．０７、Ｗの場
合に０．００８〜０．０７、Ａｇの場合に０．０１３〜
０．０７、Ｃｒの場合に０．０１６〜０．０７、Ｃｕも
しくはＭｏの場合に０．０１７〜０．０７、並びにＮｉ
もしくはＺｎの場合に０．０２〜０．０７の範囲とされ
ている、請求項１に記載の弾性表面波フィルタ。 - 【請求項１０】 前記圧電性基板が３６°回転Ｙ板Ｘ方
向伝搬ＬｉＴａＯ3基板からなり、前記反射器がＡｕ，
Ｔａ、Ｗ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｍｏ、ＮｉまたはＺｎか
らなり、表面波の波長をλと、反射器の膜厚をＨとした
ときに、反射器の規格化膜厚Ｈ／λが、Ａｕの場合に
０．００６〜０．０７、Ｔａの場合に０．００８５〜
０．０７、Ｗの場合に０．００８〜０．０７、Ａｇの場
合に０．０１４〜０．０７、ＣｕもしくはＭｏの場合に
０．０１７〜０．００７、ＮｉもしくはＣｒの場合に
０．０２〜０．０７、並びにＺｎの場合に０．０２３〜
０．０７の範囲とされている、請求項１に記載の弾性表
面波フィルタ。 - 【請求項１１】 前記圧電性基板がＹカットＸ方向伝搬
ＬｉＮｂＯ3基板であり、前記反射器がＡｕ，Ｔａまた
はＷまたはＡｇからなり、表面波の波長をλと、反射器
の膜厚をＨとしたときに、反射器の規格化膜厚Ｈ／λ
が、Ａｕの場合に０．００９〜０．０７、Ｔａの場合に
０．０１２〜０．０７、Ｗの場合に０．００９〜０．０
７、並びにＡｇの場合に０．０１７〜０．０７の範囲と
されている、請求項１に記載の弾性表面波フィルタ。 - 【請求項１２】 前記圧電性基板がＳＴカット９０°Ｘ
方向伝搬水晶基板からなり、前記ＩＤＴ及び反射器がＡ
ｕ、Ｔａ、Ｗ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｍｏ、ＮｉまたはＺ
ｎからなり、表面波の波長をλと、ＩＤＴ及び反射器の
膜厚をＨとしたときに、規格化膜厚Ｈ／λが、Ａｕの場
合に０．００７〜０．０７、Ｔａの場合に０．００８〜
０．０７、Ｗの場合に０．００８〜０．０７、Ａｇの場
合に０．０１３〜０．０７、Ｃｒの場合に０．０１６〜
０．０７、ＣｕもしくはＭｏの場合に０．０１７〜０．
０７、並びにＮｉもしくはＺｎの場合に０．０２〜０．
０７の範囲とされている、請求項２に記載の弾性表面波
フィルタ。 - 【請求項１３】 前記圧電性基板が３６°回転Ｙ板Ｘ伝
搬ＬｉＴａＯ3基板からなり、前記ＩＤＴ及び反射器が
Ａｕ、Ｔａ、Ｗ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｎｉまたは
Ｚｎからなり、表面波の波長をλと、ＩＤＴ及び反射器
の膜厚をＨとしたときに、規格化膜厚Ｈ／λが、Ａｕの
場合に０．００６〜０．０７、Ｔａの場合に０．００８
５〜０．０７、Ｗの場合に０．００８〜０．０７、Ａｇ
の場合に０．０１４〜０．０７、ＣｕもしくはＭｏの場
合に０．０１７〜０．０７、並びにＮｉもしくはＣｒの
場合に０．０２〜０．０７並びにＺｎの場合に０．０２
３〜０．０７の範囲とされている、請求項２に記載の弾
性表面波フィルタ。 - 【請求項１４】 前記圧電性基板がＹカットＸ伝搬方向
ＬｉＮｂＯ3基板からなり、前記ＩＤＴ及び反射器がＡ
ｕ、Ｔａ、ＷまたはＡｇからなり、表面波の波長をλ
と、ＩＤＴ及び反射器の膜厚をＨとしたときに、規格化
膜厚Ｈ／λが、Ａｕの場合に０．００９〜０．０７、Ｔ
ａの場合に０．００１２〜０．０７、Ｗの場合に０．０
０９〜０．０７、Ａｇの場合に０．０１７〜０．０７の
範囲とされている、請求項２に記載の弾性表面波フィル
タ。 - 【請求項１５】 請求項１〜１４のいずれかに記載の弾
性表面波フィルタからなるバンドパスフィルタを有する
ことを特徴とする通信機。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000347114A JP2002152003A (ja) | 2000-11-14 | 2000-11-14 | 弾性表面波フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000347114A JP2002152003A (ja) | 2000-11-14 | 2000-11-14 | 弾性表面波フィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002152003A true JP2002152003A (ja) | 2002-05-24 |
Family
ID=18820896
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000347114A Pending JP2002152003A (ja) | 2000-11-14 | 2000-11-14 | 弾性表面波フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002152003A (ja) |
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-
2000
- 2000-11-14 JP JP2000347114A patent/JP2002152003A/ja active Pending
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