KR101913933B1 - 탄성파 디바이스 - Google Patents

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다이요 유덴 가부시키가이샤
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Abstract

[과제] 손실을 억제하는 것.
[해결 수단] 본 발명은 단결정 압전 재료를 포함하고, 상면을 포함하는 제1 영역(10a)과 상기 제1 영역(10a) 아래에 형성되고 상기 제1 영역(10a)보다 밀도가 낮은 제2 영역(10b)을 구비하는 압전 기판(10)과, 상기 압전 기판(10)의 상기 상면 위에 형성된 IDT(12)를 구비하는 탄성파 디바이스이다.

Description

탄성파 디바이스{ACOUSTIC WAVE DEVICE}
본 발명은 탄성파 디바이스에 관한 것이며, 예를 들어 압전 기판의 상면에 형성된 IDT를 갖는 탄성파 디바이스에 관한 것이다.
탄성파 디바이스에 있어서는, 압전 기판 위에 탄성파를 여진하는 IDT(Interdigital Transducer)가 형성되어 있다. 압전 기판으로서, 예를 들어 탄탈산리튬(LiTaO3) 기판 또는 니오븀산리튬(LiNbO3) 기판이 사용되고 있다. 탄탈산리튬 및 니오븀산리튬에 있어서의 Li의 조성이 화학양론적인 조성일 때, 스토이키오메트리 조성이라고 한다. Li의 조성이 화학양론적인 조성보다 약간 작을 때, 캉그루언트 조성이라고 한다. 탄탈산리튬 기판 및 니오븀산리튬 기판은 대부분이 캉그루언트 조성이다.
특허문헌 1에는 캉그루언트 조성의 기판의 표면에 리튬을 확산시켜, 기판 표면에 스토이키오메트리 조성의 영역을 형성하는 것이 기재되어 있다. 특허문헌 2, 3에는 탄성파 디바이스에 스토이키오메트리 조성의 압전체를 사용하는 것이 기재되어 있다. 특허문헌 4에는 압전막 아래에 유전체막을 형성하는 것이 기재되어 있다.
일본 특허 공개 제2013-66032호 공보 일본 특허 공개 제2011-135245호 공보 일본 특허 공개 제2002-305426호 공보 국제 공개 제2013/031651호
탄성파 디바이스의 손실을 억제하기 위해서는, IDT에 의해 여진된 탄성파의 누설을 억제하는 것이 요구된다. 그러나, 탄성파 디바이스의 손실을 억제하기 위한 압전 기판 내의 바람직한 구성에 대해서는 알려져 있지 않다.
본 발명은 상기 과제를 감안하여 이루어진 것이며, 손실을 억제하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 단결정 압전 재료를 포함하고, 상면을 포함하는 제1 영역과 상기 제1 영역 아래에 형성되고 상기 제1 영역보다 밀도가 낮은 제2 영역을 구비하는 압전 기판과, 상기 압전 기판의 상기 상면 위에 형성된 IDT를 구비하는 탄성파 디바이스이다.
상기 구성에 있어서, 상기 제2 영역에서의 음속은 상기 제1 영역에서의 음속보다 빠른 구성으로 할 수 있다.
상기 구성에 있어서, 상기 압전 기판은 탄탈산리튬 기판 또는 니오븀산리튬 기판이며, 상기 제1 영역은 캉그루언트 조성이며, 상기 제2 영역은 스토이키오메트리 조성인 구성으로 할 수 있다.
상기 구성에 있어서, 상기 압전 기판은, 상기 제1 영역과 상기 제2 영역 사이에 형성되고, 상기 제1 영역으로부터 상기 제2 영역에 걸쳐 밀도가 변화하는 제3 영역을 구비하는 구성으로 할 수 있다.
상기 구성에 있어서, 상기 제2 영역 아래에 접합되고, 상기 제2 영역보다 음속이 빠른 지지 기판을 구비하는 구성으로 할 수 있다.
상기 구성에 있어서, 상기 제1 영역의 두께는 상기 IDT에 있어서의 전극 핑거의 피치 이상인 구성으로 할 수 있다.
상기 구성에 있어서, 상기 IDT를 갖는 필터를 포함하는 구성으로 할 수 있다.
상기 구성에 있어서, 상기 필터를 포함하는 멀티플렉서를 포함하는 구성으로 할 수 있다.
본 발명에 따르면, 손실을 억제할 수 있다.
도 1의 (a)는 실시예 1에 관한 탄성파 공진기의 평면도, 도 1의 (b)는 도 1의 (a)의 A-A 단면도.
도 2는 압전 기판 내의 누설파와 벌크파의 이미지를 도시하는 압전 기판의 단면도.
도 3은 실시예 1에 있어서의 압전 기판의 깊이에 대한 음속을 도시하는 도면.
도 4의 (a) 내지 도 4의 (d)는 실시예 1에 관한 탄성파 공진기의 제조 방법을 도시하는 단면도.
도 5는 실시예 2에 관한 탄성파 공진기의 단면도.
도 6은 실시예 2에 있어서의 압전 기판 및 지지 기판의 깊이에 대한 음속을 도시하는 도면.
도 7의 (a) 내지 도 7의 (c)는 실시예 2에 관한 탄성파 공진기의 제조 방법을 도시하는 단면도.
도 8의 (a)는 실시예 3에 관한 래더형 필터의 회로도이며, 도 8의 (b)는 실시예 3의 변형예에 관한 멀티플렉서의 블록도.
도면을 참조하여, 본 발명의 실시예에 대하여 설명한다.
[실시예 1]
탄성파 디바이스로서 탄성파 공진기를 설명한다. 도 1의 (a)는 실시예 1에 관한 탄성파 공진기의 평면도, 도 1의 (b)는 도 1의 (a)의 A-A 단면도이다. 도 1의 (a) 및 도 1의 (b)에 도시한 바와 같이, 압전 기판(10) 위에 IDT(21) 및 반사기(22)가 형성되어 있다. IDT(21) 및 반사기(22)는 압전 기판(10) 위에 형성된 금속막(12)에 의해 형성된다. IDT(21)는 대향하는 1쌍의 빗살형 전극(20)을 구비한다. 빗살형 전극(20)은, 복수의 전극 핑거(14)와, 복수의 전극 핑거(14)가 접속된 버스 바(18)를 구비한다. 1쌍의 빗살형 전극(20)은, 전극 핑거(14)가 거의 엇갈리게 되도록 대향하여 설치되어 있다. IDT(21)가 여진하는 탄성파는, 주로 전극 핑거(14)의 배열 방향으로 전반한다. 전극 핑거(14)의 피치가 거의 탄성파의 파장 λ가 된다. 압전 기판(10)은 탄탈산리튬 기판 또는 니오븀산리튬 기판이다. 금속막(12)은, 예를 들어 알루미늄막, 구리막, 티타늄막 혹은 크롬막 또는 이들의 복합막이다. 금속막(12)의 막 두께는, 예를 들어 100㎚ 내지 400㎚이다.
도 1의 (b)에 도시한 바와 같이, 압전 기판(10)은 제1 영역(10a), 제2 영역(10b) 및 제3 영역(10c)을 포함한다. 제1 영역(10a)은 압전 기판(10)의 상면을 포함한다. IDT(21) 및 반사기(22)는 압전 기판(10)의 상면에 형성되어 있다. 제2 영역(10b)은 제1 영역(10a) 아래에 형성되어 있다. 제1 영역(10a)과 제2 영역(10b) 사이에 제3 영역(10c)이 형성되어 있다. 제1 영역(10a)은 캉그루언트 조성의 영역이다. 제2 영역(10b)은 스토이키오메트리 조성이다. 제3 영역(10c)은 캉그루언트 조성으로부터 스토이키오메트리 조성으로의 변이 영역이다. 스토이키오메트리 조성에서는, 리튬과 탄탈룸(또는 니오븀)에 대한 리튬의 조성비(이하 리튬 조성비라고 함)가 49.5％ 이상 50.5％ 이하이다. 캉그루언트 조성에서는 리튬 조성비가 49.5％ 이하이다. 리튬 조성비는, 예를 들어 48％ 이상이다. 제1 영역(10a) 및 제2 영역(10b) 내에서는 각각 리튬 조성비가 거의 일정하다. 제3 영역(10c)에서는 리튬 조성비가 서서히 변화한다. 제3 영역(10c)은 형성하지 않아도 된다.
예를 들어, 누설파를 사용하는 탄성파 디바이스에 있어서는, IDT(21)가 여진하는 탄성파는 주로 누설파이다. IDT(21)는 탄성 표면파 이외에 벌크파를 방사한다. 벌크파는 공진에 기여하지 않기 때문에, 벌크파의 에너지가 크면 공진기의 손실이 커진다.
도 2는 압전 기판 내의 누설파와 벌크파의 이미지를 도시하는 압전 기판의 단면도이다. 도 2에 있어서, x1 방향은 압전 기판(10)의 표면에 있어서 누설파의 전반 방향, x2 방향은 압전 기판(10)의 표면에 있어서 x1 방향에 직교하는 방향, x3은 압전 기판(10)의 깊이 방향이다. 누설파의 주된 파의 변위 성분은 SH파이다. 이로 인해, 누설파의 변위는 주로 x2 방향이다. 한편 누설파는 벌크파를 압전 기판(10)의 내부로 방출하면서 전반하고 있다. 벌크파가 방출되면, 탄성파 디바이스의 손실이 된다.
도 3은 실시예 1에 있어서의 압전 기판의 깊이에 대한 음속을 도시하는 도면이다. 이하의 설명에서는 벌크파의 음속이 촛점이 되지만, 벌크파의 음속과 리튬 조성비의 관계는, 탄성 표면파의 음속과 리튬 조성비의 관계와 거의 동일하기 때문에, 간단히 음속으로서 설명한다. 스토이키오메트리 조성 내의 음속은 캉그루언트 조성 내의 음속보다 크다. 이로 인해, 도 3에 도시한 바와 같이 제1 영역(10a)에 있어서의 음속은 제2 영역(10b)에 있어서의 음속보다 작다. 제3 영역(10c)에 있어서는, 음속은 서서히 변화한다. 탄성파의 에너지는, 음속이 작은 영역에 집중된다. 예를 들어, 누설파를 사용하는 경우, 도 2의 누설파와 벌크파의 사이 근처에 제1 영역(10a)과 제2 영역(10b)의 경계를 설정한다. 이에 의해, 깊은 영역에서 벌크파의 속도가 빠르기 때문에, 벌크파의 방출이 억제된다. 이에 의해, 에너지가 제1 영역(10a)에 집중된다. 이로 인해, 탄성파 공진기의 삽입 손실을 개선할 수 있다.
42° 회전 Y 커트 X 전반 탄탈산리튬 기판에 대하여, 직선 집속 빔 초음파 현미경을 사용하여 레일리파의 음속을 측정하면, 캉그루언트 조성에서는 약 3125m/초이며, 스토이키오메트리 조성에서 약 3170m/초이다. 탄성 표면파의 음속은 √(탄성률/밀도)에 비례한다. 탄성률은 영률과 포와송비에 관계한다. 스토이키오메트리 조성과 캉그루언트 조성에서는, 영률 및 포와송비는 거의 변함없다. 이에 반하여, 캉그루언트 조성의 밀도는 스토이키오메트리 조성의 밀도보다 높다. 예를 들어 탄탈산리튬 기판에서는, 캉그루언트 조성의 밀도는 7454㎏/㎥이며, 스토이키오메트리 조성의 밀도는 7420㎏/㎥ 내지 7440㎏/㎥이다. 이로 인해, 스토이키오메트리 조성에 있어서의 음속은 캉그루언트 조성의 음속보다 커진다.
특허문헌 4에서는, 니오븀산리튬 기판 아래에 산화실리콘막 또는 질화실리콘막 등의 유전체막이 형성되어 있다. 산화실리콘막 또는 질화실리콘막은 니오븀산리튬보다 음속이 크다. 그러나, 이 구조에서는 니오븀산리튬 기판과 유전체막의 계면에서 벌크파가 반사된다. 이에 의해, 벌크파에 기인한 스퓨리어스가 발생한다. 한편, 실시예 1에서는 단결정 압전 재료 내에서 밀도를 상이하게 함으로써 음속이 큰 제1 영역(10a) 및 음속이 작은 제2 영역(10b)을 형성한다. 이에 의해, 벌크파를 반사시키지 않고, 탄성파를 제2 영역(10b)에 가둘 수 있다.
실시예 1에 의하면, 압전 기판(10)은 단결정 압전 재료를 포함하고, 상면을 포함하는 제1 영역(10a)과 제1 영역(10a) 아래에 형성되고 제1 영역(10a)보다 밀도가 낮은 제2 영역(10b)을 구비한다. IDT(21)는 압전 기판(10)의 상면 위에 형성되어 있다. 이에 의해, 벌크파의 에너지가 제1 영역(10a)에 집중되어, 탄성파 디바이스의 삽입 손실을 개선할 수 있다. 제1 영역(10a) 및 제2 영역(10b)의 밀도는, 예를 들어 X선 회절법을 사용한 리튬 조성비로부터 추정할 수 있다.
또한, 제2 영역(10b)에 있어서의 탄성파의 속도는 제1 영역(10a)에 있어서의 탄성파의 속도보다 크다. 이에 의해, 벌크파의 에너지를 제1 영역(10a)에 집중시킬 수 있다.
또한, 압전 기판(10)이 탄탈산리튬 기판 또는 니오븀산리튬 기판일 때, 제1 영역(10a)은 캉그루언트 조성이며, 제2 영역(10b)은 스토이키오메트리 조성이다. 이에 의해, 제2 영역(10b)의 탄성파의 속도를 제1 영역(10a)보다 크게 할 수 있다.
제1 영역(10a)과 제2 영역(10b) 사이에, 제1 영역(10a)으로부터 제2 영역(10b)에 걸쳐 밀도가 변화하는 제3 영역(10c)을 구비한다. 이에 의해, 밀도의 급격한 변화에 의한 벌크파의 반사를 억제할 수 있다.
제1 영역(10a)의 두께는 IDT(21)에 있어서의 전극 핑거(14)의 피치 λ 이상인 것이 바람직하다. 탄성 표면파 에너지는, 압전 기판(10)의 상면으로부터 λ 정도로 집중되어 있다. 이로 인해, 제1 영역(10a)의 두께가 λ보다 작으면, 탄성 표면파가 감쇠되어 버린다. 따라서, 제1 영역(10a)의 두께는 IDT(21)에 있어서의 전극 핑거(14)의 피치 λ 이상인 것이 바람직하다. 제1 영역(10a)의 두께는 2λ 이상이 바람직하고, 5λ 이상이 보다 바람직하다. 벌크파의 에너지를 제1 영역(10a)에 집중시키기 위하여, 제1 영역(10a)의 두께는 20λ 이하가 바람직하고, 10λ 이하가 보다 바람직하다.
벌크파의 에너지를 제1 영역(10a)에 집중시키기 위하여, 제2 영역(10b)의 두께는 10λ 이상이 바람직하고, 20λ 이상이 보다 바람직하다. 벌크파의 반사를 억제하기 위하여, 제3 영역(10c)의 두께는 1λ 이상이 바람직하고 2λ 이상이 보다 바람직하다. 벌크파의 에너지를 제1 영역(10a)에 집중시키기 위하여, 제3 영역(10c)의 두께는 5λ 이하가 바람직하고, 10λ 이하가 보다 바람직하다.
제1 영역(10a) 및 제2 영역(10b) 내에서 리튬 조성(즉 밀도)이 거의 일정한 경우를 예로 들어 설명했지만, 제1 영역(10a) 및 제2 영역(10b) 내에서 리튬 조성(밀도)은 두께 방향으로 경사져 있어도 된다. 예를 들어, 제1 영역(10a)의 평균 밀도가 제2 영역(10b)의 평균 밀도보다 높으면 된다.
다음에 실시예 1의 제조 방법을 설명한다. 도 4의 (a) 내지 도 4의 (d)는 실시예 1에 관한 탄성파 공진기의 제조 방법을 도시하는 단면도이다. 도 4의 (a)에 도시한 바와 같이, 캉그루언트 조성의 압전 기판(10d)을 준비한다. 압전 기판(10d)은 탄탈산리튬 기판 또는 니오븀산리튬 기판을 준비한다.
도 4의 (b)에 도시한 바와 같이, 압전 기판(10d)의 상면 및 하면에 리튬을 확산시킴으로써 스토이키오메트리 조성의 제2 영역(10b)을 형성한다. 리튬을 확산시키는 방법은 예를 들어 특허문헌 1의 방법을 사용한다. 제2 영역(10b) 사이의 영역이 캉그루언트 조성의 제1 영역(10a)이 된다. 제1 영역(10a)과 제2 영역(10b) 사이에는 리튬 조성이 서서히 변화하는 제3 영역(10c)이 형성된다. 이에 의해, 압전 기판(10e)이 형성된다. 또한, 압전 기판(10d)의 상면 및 하면 중 하면에만 리튬을 확산시키고, 제1 영역(10a)을 상면 및 하면 중 하면에만 형성해도 된다.
도 4의 (c)에 도시한 바와 같이, 압전 기판(10)의 상면을 연마하여, 제1 영역(10a)을 노출시킨다. 이에 의해, 제1 영역(10a), 제2 영역(10b) 및 제3 영역(10c)을 구비하는 압전 기판(10)이 형성된다. 도 4의 (d)에 도시한 바와 같이 압전 기판(10)의 상면에 금속막(12)을 형성한다. IDT(21) 및 반사기(22)는 금속막 (12)으로 형성된다. 금속막(12)은, 예를 들어 증착법 및 리프트 오프법을 사용하여 형성한다. 금속층(12)은 스퍼터링법 및 에칭법을 사용하여 형성해도 된다. 그 후, 다이싱법 등을 사용하여 개편화한다.
[실시예 2]
도 5는 실시예 2에 관한 탄성파 공진기의 단면도이다. 도 5에 도시한 바와 같이, 지지 기판(11)의 상면과 압전 기판(10)의 하면이 접합되어 있다. 압전 기판(10)과 지지 기판(11)의 접합면은 평면이며 평탄하다. 지지 기판(11)은, 예를 들어 사파이어 기판, 알루미나 기판 또는 스피넬 기판 등의 절연 기판 또는 실리콘 기판 등의 반도체 기판이다.
도 6은 실시예 2에 있어서의 압전 기판 및 지지 기판의 깊이에 대한 음속을 도시하는 도면이다. 도 6에 도시한 바와 같이, 지지 기판(11)의 음속은 제2 영역(10b)보다 크다. 이에 의해, 벌크파의 에너지는 실시예 1보다 더욱 제1 영역(10a)에 집중된다. 따라서, 탄성파 디바이스의 삽입 손실을 보다 개선할 수 있다.
이와 같이, 실시예 2에 의하면, 지지 기판(11)은 제2 영역(10b) 아래에 접합되고, 제2 영역(10b)보다 음속이 크다. 이에 의해, 탄성파 디바이스의 삽입 손실을 보다 개선할 수 있다. 또한, 지지 기판(11)의 선 열 팽창 계수를 압전 기판(10)보다 작게 함으로써, 탄성파 디바이스의 주파수 온도 의존성을 억제할 수 있다.
도 7의 (a) 내지 도 7의 (c)는 실시예 2에 관한 탄성파 공진기의 제조 방법을 도시하는 단면도이다. 도 7의 (a)에 도시한 바와 같이 실시예 1의 도 4의 (b)의 압전 기판(10e)을 지지 기판(11)에 접합한다.
압전 기판(10e)과 지지 기판(11)의 접합의 예를 설명한다. 지지 기판(11)의 상면 및 압전 기판(10e)의 하면에, 불활성 가스의 이온 빔, 중성 빔 또는 플라즈마를 조사한다. 이에 의해, 지지 기판(11)의 상면 및 압전 기판(10e)의 하면에 수 ㎚ 이하의 아몰퍼스층이 형성된다. 아몰퍼스층의 표면에는 미결합의 결합손이 생성된다. 미결합의 결합손 존재에 의해, 지지 기판(11)의 상면 및 압전 기판(10e)의 하면은 활성화된 상태로 된다. 지지 기판(11)의 상면과 압전 기판(10e)의 하면의 미결합의 결합손끼리 결합된다. 이에 의해, 지지 기판(11)과 압전 기판(10e)은 상온에서 접합된다. 접합된 지지 기판(11)과 압전 기판(10e) 사이에는 아몰퍼스층이 일체화되어 배치된다. 아몰퍼스층은, 예를 들어 1㎚ 내지 8㎚의 두께를 갖는다.
도 7의 (b)에 도시한 바와 같이, 제1 영역(10a)이 노출되도록 압전 기판(10e)의 상면을 연마한다. 도 7의 (c)에 도시한 바와 같이, 도 4의 (d)와 마찬가지로, 금속막(12)으로 형성되는 IDT(21) 및 반사기(22)를 형성한다. 그 후, 지지 기판(11)의 하면을 연마해도 된다. 그 후, 다이싱법 등을 사용하여 개편화한다.
[실시예 3]
실시예 3은 실시예 1 및 2의 탄성파 공진기를 필터 또는 듀플렉서에 사용하는 예이다. 도 8의 (a)는 실시예 3에 관한 래더형 필터의 회로도이다. 도 8의 (a)에 도시한 바와 같이, 직렬 공진기 S1 내지 S4는 입력 단자 In과 출력 단자 Out 사이에 직렬로 접속되어 있다. 병렬 공진기 P1 내지 P3은 입력 단자 In과 출력 단자 Out 사이에 병렬로 접속되어 있다. 직렬 공진기 S1 내지 S4 및 병렬 공진기 P1 내지 P3 중 적어도 하나를 실시예 1 또는 2의 탄성파 공진기로 할 수 있다. 직렬공진기 및 병렬 공진기의 개수 및 접속은 적절히 설정할 수 있다. 다중 모드 필터에 실시예 1 또는 2의 탄성파 공진기를 사용해도 된다.
도 8의 (b)는 실시예 3의 변형예에 관한 멀티플렉서의 블록도이다. 도 8의 (b)에 도시한 바와 같이, 송신 필터(80)는 공통 단자 Ant와 송신 단자 Tx 사이에 접속되어 있다. 수신 필터(82)는 공통 단자 Ant와 수신 단자 Rx 사이에 접속되어 있다. 송신 필터(80)는, 송신 단자 Tx로부터 입력된 신호 중 송신 대역의 신호를 공통 단자 Ant에 통과시키고, 다른 대역의 신호를 억압한다. 수신 필터(82)는 공통 단자 Ant로부터 입력된 신호 중 수신 대역의 신호를 통과시키고, 다른 대역의 신호를 억압한다. 송신 필터(80) 및 수신 필터(82) 중 적어도 한쪽을 실시예 3의 필터로 할 수 있다. 멀티플렉서로서 듀플렉서를 예로 들어 설명했지만, 트리플렉서 또한 쿼드플렉서 등의 멀티플렉서 중 적어도 하나의 필터를 실시예 3의 필터로 할 수 있다.
이상, 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명했지만, 본 발명은 이러한 특정한 실시예에 한정되는 것은 아니며, 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 요지의 범위 내에 있어서, 다양한 변형·변경이 가능하다.
10: 압전 기판
10a: 제1 영역
10b: 제2 영역
10c: 제3 영역
11: 지지 기판
21: IDT

Claims (8)

  1. 단결정 압전 재료를 포함하고, 상면을 포함하는 제1 영역과 상기 제1 영역 아래에 형성되고 상기 제1 영역보다 밀도가 낮은 제2 영역을 구비하는 압전 기판과,
    상기 압전 기판의 상기 상면 위에 형성된 IDT를 구비하고,
    상기 압전 기판은, 탄탈산리튬 기판 또는 니오븀산리튬 기판이며,
    상기 제1 영역은 캉그루언트(congruent) 조성이며, 상기 제2 영역은 스토이키오메트리(stoichiometry) 조성인, 탄성파 디바이스.
  2. 단결정 압전 재료를 포함하고, 상면을 포함하는 제1 영역과 상기 제1 영역 아래에 형성되고 상기 제1 영역보다 밀도가 낮은 제2 영역을 구비하는 압전 기판과,
    상기 압전 기판의 상기 상면 위에 형성된 IDT를 구비하고,
    상기 압전 기판은, 상기 제1 영역과 상기 제2 영역 사이에 형성되고, 상기 제1 영역으로부터 상기 제2 영역에 걸쳐 밀도가 변화하는 제3 영역을 구비하는, 탄성파 디바이스.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제2 영역에서의 음속은 상기 제1 영역에서의 음속보다 빠른, 탄성파 디바이스.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제2 영역 아래에 접합되고, 상기 제2 영역보다 음속이 빠른 지지 기판을 구비하는, 탄성파 디바이스.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 영역의 두께는 상기 IDT에 있어서의 전극 핑거의 피치 이상인, 탄성파 디바이스.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 IDT를 갖는 필터를 포함하는, 탄성파 디바이스.
  7. 제6항에 기재된 상기 필터를 포함하는 멀티플렉서를 포함하는, 탄성파 디바이스.
  8. 삭제
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