JP7231368B2 - 弾性波デバイス - Google Patents

Description

本発明は弾性波デバイスに関する。

上面に弾性波素子が設けられた基板の上面に弾性波素子を囲むように封止部を設ける弾性波素子の封止方法が知られている（例えば特許文献１から３）。基板を貫通する貫通電極を介し弾性波素子と基板の下面とを電気的に接続することが知られている（例えば特許文献１、２）。

特開２００７－６７６１７号公報 特開２０１７－２０４８２７号公報 特開２０１３－１１５６６４号公報

しかしながら、基板を貫通する貫通孔を介し、弾性波素子と基板の下面とを電気的に接続すると、弾性波デバイスが大きくなる。

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、小型化することを目的とする。

本発明は、第１面と前記第１面の反対の第２面とを有する第１基板と、前記第１面に設けられた弾性波素子と、前記第１基板を貫通する貫通孔を介し前記弾性波素子と前記第２面に設けられた金属部とを電気的に接続する配線部と、金属封止部であり、前記弾性波素子を囲むように前記第１面上に設けられ、平面視において前記貫通孔の少なくとも一部と重なり、前記弾性波素子を空隙に封止する封止部と、前記封止部と前記配線部との間に設けられ、前記封止部と前記配線部とを絶縁する第１絶縁膜と、を備える弾性波デバイスである。

上記構成において、前記第１基板は、前記第２面を有する支持基板と前記支持基板上に接合され前記第１面を有する圧電基板とを備え、前記弾性波素子を囲み、前記支持基板上の前記圧電基板が除去された領域に設けられ、前記封止部が接合する環状金属層を備え、前記貫通孔は前記環状金属層を貫通し、前記貫通孔と前記環状金属層との間に前記圧電基板が設けられている構成とすることができる。

上記構成において、前記環状金属層は、平面視において、前記圧電基板を挟み前記貫通孔を囲むように設けられ、前記第１基板の厚さ方向において前記配線部と前記環状金属層とは重なり、前記配線部と前記環状金属層とが重なる領域における前記配線部と前記環状金属層との間に設けられ、前記配線部と前記環状金属層とを絶縁する第２絶縁膜を備える構成とすることができる。

上記構成において、前記支持基板を貫通し前記環状金属層と前記第２面とを電気的に接続する貫通電極を備え、前記封止部は、前記環状金属層と電気的に接続される構成とすることができる。

上記構成において、前記第１絶縁膜上および前記環状金属層上に設けられ、前記第１絶縁膜が設けられていない領域において前記環状金属層と電気的に接続され、前記封止部が接合する接合層を備え、前記封止部は半田封止部であり、前記封止部と前記接合層とが接合する領域は、前記第１基板の厚さ方向において前記貫通孔の少なくとも一部と重なる構成とすることができる。

上記構成において、前記第１基板上に前記空隙を介し対向する第２基板を備え、前記封止部は前記第２基板を囲むように設けられる構成とすることができる。

上記構成において、共通端子と第１端子との間に電気的に接続された第１フィルタと、前記共通端子と第２端子との間に電気的に接続された第２フィルタと、を備え、前記第１フィルタおよび前記第２フィルタの少なくとも一方は前記弾性波素子を含み、前記共通端子、前記第１端子および前記第２端子は、各々前記金属部である構成とすることができる。

上記構成において、前記第１端子および前記第２端子は前記第２面に設けられ、前記貫通孔は、前記第１端子に接続する第１貫通孔と、前記第２端子に接続する第２貫通孔を有し、前記第１貫通孔は、前記第１基板の対向する一対の側面のうち、一方の側面側に設けられ、前記第２貫通孔は前記一対の側面のうち、他方の側面側に設けられている構成とすることができる。

上記構成において、前記封止部上に設けられ、前記封止部とで前記弾性波素子を前記空隙に封止するリッドを備える構成とすることができる。

本発明によれば、小型化することができる。

図１（ａ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの断面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）の範囲Ａの拡大図である。 図２（ａ）は、弾性波共振器１２の平面図、図２（ｂ）は弾性波共振器２２の断面図である。 図３は、実施例１に係る弾性波デバイスの回路図である。 図４（ａ）および図４（ｂ）は、実施例１における基板の平面図である。 図５（ａ）から図５（ｄ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図（その１）である。 図６（ａ）から図６（ｄ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図（その２）である。 図７（ａ）から図７（ｄ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの平面図（その１）である。 図８（ａ）から図８（ｃ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの平面図（その２）である。 図９は、実施例１の変形例１に係る弾性波デバイスの貫通電極付近の平面図である。 図１０（ａ）および図１０（ｂ）は、図９のＡ－Ａ断面図およびＢ－Ｂ断面図である。 図１１は、実施例１の変形例２に係る弾性波デバイスの断面図である。 図１２は、実施例１の変形例３に係る弾性波デバイスの断面図である。 図１３（ａ）および図１３（ｂ）は、比較例１における基板の平面図である。

以下、図面を参照し本発明の実施例について説明する。

図１（ａ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの断面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）の範囲Ａの拡大図である。図１（ａ）および図１（ｂ）に示すように、基板１０は支持基板１０ａと圧電基板１１とを有する。圧電基板１１は支持基板１０ａの上面に接合されている。支持基板１０ａは例えばサファイア基板、アルミナ基板、スピネル基板、石英基板、水晶基板またはシリコン基板であり、単結晶基板、多結晶基板または焼結体基板である。圧電基板１１は、例えばタンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板であり、単結晶基板である。圧電基板１１の厚さは例えば０．５μｍから３０μｍである。

基板１０の下面に端子１４および１４ａが設けられている。端子１４および１４ａは、例えば金層または銅層等の金属層である。基板１０の上面に弾性波共振器１２および配線１３が設けられている。弾性波共振器１２と配線１３とは電気的に接続されている。ここで、「電気的に接続」とは２点間が設計された交流回路として接続されていることを指す。交流回路における意図しない電磁結合および静電結合はこれに含まれない。配線１３は、アルミニウム層または銅層等の金属層である。支持基板１０ａの上面の周縁の圧電基板１１が除去されている。圧電基板１１が除去された領域に環状金属層３７が設けられている。環状金属層３７の幅Ｄ１は例えば５０μｍから２００μｍである。

環状金属層３７には開口５４が設けられ、開口５４内に圧電基板１１ａが設けられている。開口５４の大きさは例えば直径Ｄ２が１０μｍから１００μｍである。圧電基板１１ａ内に開口５６が設けられ、開口５６内に金属層３７ａが設けられている。圧電基板１１ａの幅Ｄ３は例えば５μｍから５０μｍである。環状金属層３７と金属層３７ａとは圧電基板１１ａにより絶縁されている。圧電基板１１と１１ａは同じ材料からなる。圧電基板１１ａは圧電基板１１と異なる絶縁層でもよい。この絶縁層の厚さは例えば５μｍから５０μｍである。

環状金属層３７と金属層３７ａは例えば銅層、金層、銀層、タングステン層、ニッケル層またはモリブデン層等の金属層である。貫通電極１５および１５ａは支持基板１０ａを貫通する。貫通電極１５は、端子１４と金属層３７ａとを電気的に接続する。貫通電極１５ａは、端子１４ａと環状金属層３７とを電気的に接続する。貫通電極１５および１５ａは、例えば銅層、金層、銀層またはタングステン層等の金属層である。貫通電極１５および１５ａの大きさは例えば直径Ｄ４が１０μｍから８０μｍである。

弾性波共振器１２上に弾性波共振器１２の保護膜として絶縁膜１７が設けられている。圧電基板１１ａの周辺の環状金属層３７上に絶縁膜１７ａが設けられている。絶縁膜１７および１７ａは、例えば酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化アルミニウム膜である。絶縁膜１７および１７ａの厚さは例えば０．０２μｍから１μｍである。配線１３上に配線１６が設けられている。配線１６は、金属層３７ａと配線１３とを電気的に接続し、絶縁膜１７ａにより環状金属層３７と絶縁されている。配線１６は例えば金層、銀層、銅層またはアルミニウム層等の金属層である。金層、銀層、銅層またはアルミニウム層の下にチタン層等の密着層またはバリア層を設けてもよい。

配線１６上に絶縁膜３２が設けられている。絶縁膜３２は、例えば酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化アルミニウム膜等の無機絶縁膜、またはポリイミド樹脂膜、エポキシ樹脂膜またはノボラック樹脂膜等の樹脂絶縁膜である。絶縁膜３２の厚さは例えば０．１μｍから１０μｍである。絶縁膜３２上に接合層３４が設けられている。接合層３４は支持基板１０ａの周縁に環状金属層３７と重なるように設けられている。接合層３４と金属層３７ａとは絶縁膜３２により絶縁されている。金属層３７ａおよび圧電基板１１ａが設けられていない領域では、接合層３４は環状金属層３７に電気的に接続される。接合層３４は、例えば厚さが０．５μｍから５μｍのニッケル層、タングステン層またはモリブデン層等の金属層と、その上に設けられた例えば厚さが０．０３μｍから０．１μｍの金層と、を備える。金層は封止部３０である半田が接合する層であり、ニッケル層、タングステン層またはモリブデン層は拡散防止層である。

基板２０の下面に弾性波共振器２２および配線２６が設けられている。基板２０は、例えばシリコン基板、ガラス基板等の絶縁基板または半導体基板である。配線２６は例えば銅層、アルミニウム層または金層等の金属層である。基板２０はバンプ２８を介し基板１０にフリップチップ実装（フェースダウン実装）されている。バンプ２８は、例えば金バンプ、半田バンプまたは銅バンプ等の金属バンプである。バンプ２８は配線１６と２６とを接合する。

基板１０上に基板２０を囲むように封止部３０が設けられている。封止部３０は、半田等の金属材料である。封止部３０は、接合層３４に接合されている。基板２０の上面および封止部３０の上面に平板状のリッド３６が設けられている。リッド３６は例えば金属板または絶縁板である。リッド３６および封止部３０を覆うように保護膜３８が設けられている。保護膜３８は金属膜または絶縁膜である。

弾性波共振器１２は空隙２５を挟み基板２０に対向し、弾性波共振器２２は空隙２５を挟み基板１０に対向している。空隙２５は、封止部３０、基板１０、基板２０およびリッド３６により封止される。バンプ２８は空隙２５に囲まれている。

端子１４は、貫通電極１５、金属層３７ａ、配線１６および１３を介し弾性波共振器１２と電気的に接続される。さらに、バンプ２８および配線２６を介し弾性波共振器２２に電気的に接続される。端子１４は、絶縁膜１７ａおよび３２により環状金属層３７および接合層３４とは絶縁されている。端子１４ａは、貫通電極１５ａ、環状金属層３７および接合層３４を介し封止部３０に電気的に接続される。端子１４ａにグランド電位を供給することで、環状金属層３７、接合層３４および封止部３０はグランド電位となり、シールドとして機能する。

図２（ａ）は、弾性波共振器１２の平面図、図２（ｂ）は弾性波共振器２２の断面図である。図２（ａ）に示すように、弾性波共振器１２は弾性表面波共振器である。圧電基板１１上にＩＤＴ（Interdigital Transducer）４２と反射器４１が形成されている。ＩＤＴ４２は、互いに対向する１対の櫛型電極４２ｄを有する。櫛型電極４２ｄは、複数の電極指４２ａと複数の電極指４２ａを接続するバスバー４２ｃとを有する。反射器４１は、ＩＤＴ４２の両側に設けられている。ＩＤＴ４２が圧電基板１１に弾性表面波を励振する。ＩＤＴ４２および反射器４１上に温度補償膜として機能する酸化シリコン膜等の絶縁膜が設けられていてもよい。

図２（ｂ）に示すように、弾性波共振器２２は圧電薄膜共振器である。基板２０上に圧電膜４６が設けられている。圧電膜４６を挟むように下部電極４５および上部電極４７が設けられている。下部電極４５と基板２０との間に空隙４９が形成されている。圧電膜４６を挟み下部電極４５と上部電極４７が対向する領域は、厚み縦振動モードの弾性波を励振する共振領域４８である。下部電極４５および上部電極４７は例えばルテニウム膜等の金属膜である、圧電膜４６は例えば窒化アルミニウム膜である。弾性波共振器２２は、図２（ａ）のような弾性表面波共振器でもよい。

図３は、実施例１に係る弾性波デバイスの回路図である。弾性波デバイスはデュプレクサであり、共通端子Ａｎｔと送信端子Ｔｘとの間に送信フィルタ６０が接続されている。共通端子Ａｎｔと受信端子Ｒｘとの間に受信フィルタ６２が接続されている。共通端子Ａｎｔ、送信端子Ｔｘ、受信端子Ｒｘおよびグランド端子は、図１（ａ）の端子１４により、それぞれ個別に形成される。送信フィルタ６０の通過帯域と受信フィルタ６２の通過帯域は重なっていない。送信フィルタ６０は、送信端子Ｔｘに入力した高周波信号のうち送信帯域の信号を共通端子Ａｎｔに通過させ、他の帯域の信号を抑圧する。受信フィルタ６２は、共通端子Ａｎｔに入力した高周波信号のうち受信帯域の信号を受信端子Ｒｘに通過させ、他の帯域の信号を抑圧する。

図４（ａ）および図４（ｂ）は、実施例１における基板の平面図である。図４（ａ）は、基板１０の平面図であり、基板１０の下面に設けられた共通端子Ａｎｔ、送信端子Ｔｘ、受信端子Ｒｘおよびグランド端子Ｇを破線で示している。図４（ｂ）は、基板２０の平面図（上から透視した図）である。図４（ａ）に示すように、基板１０上に複数の弾性波共振器１２、配線１６および環状金属層３７が設けられている。弾性波共振器１２は、直列共振器Ｓ１１およびＳ１２と並列共振器Ｐ１１を有する。配線１６上にバンプ２８が設けられている。環状金属層３７は基板１０の周縁に弾性波共振器１２を囲むように設けられている。

環状金属層３７内に圧電基板１１ａが設けられ、圧電基板１１ａ内に金属層３７ａが設けられている。配線１６は、弾性波共振器１２間を接続し、弾性波共振器１２とバンプ２８および金属層３７ａとを接続する。複数の金属層３７ａは、基板１０の下面に設けられた共通端子Ａｎｔ、送信端子Ｔｘ、受信端子Ｒｘおよびグランド端子Ｇと貫通電極１５を介し接続されている。共通端子Ａｎｔと送信端子Ｔｘとの間に直列共振器Ｓ１１およびＳ１２が直列に接続されている。共通端子Ａｎｔと送信端子Ｔｘとの間に並列共振器Ｐ１１が並列に接続されている。並列共振器Ｐ１１はグランド端子Ｇに接続されている。直列共振器Ｓ１１、Ｓ１２および並列共振器Ｐ１１は送信フィルタ６０を形成する。

図４（ｂ）に示すように、基板２０上（図１（ａ）では下面）に複数の弾性波共振器２２および配線２６が設けられている。弾性波共振器２２は、直列共振器Ｓ２１およびＳ２２と並列共振器Ｐ２１を有する。配線２６は、弾性波共振器２２間を接続し、弾性波共振器２２とバンプ２８とを接続する。配線２６にバンプ２８が接合する。複数のバンプ２８は、共通端子Ａｎｔ、受信端子Ｒｘおよびグランド端子Ｇと接続されている。共通端子Ａｎｔと受信端子Ｒｘとの間に直列共振器Ｓ２１およびＳ２２が直列に接続されている。共通端子Ａｎｔと受信端子Ｒｘとの間に並列共振器Ｐ２１が並列に接続されている。並列共振器Ｐ２１はグランド端子Ｇに接続されている。直列共振器Ｓ２１、Ｓ２２および並列共振器Ｐ２１は受信フィルタ６２を形成する。

送信フィルタ６０および受信フィルタ６２の直列共振器および並列共振器の個数は任意に選択できる。

図５（ａ）から図６（ｄ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。図７（ａ）から図８（ｃ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの平面図である。

図５（ａ）および図７（ａ）に示すように、支持基板１０ａの上面に圧電基板１１を接合する。圧電基板１１の接合には、例えば表面活性化法を用いる。表面活性化法では、支持基板１０ａの上面および圧電基板１１の下面をイオンビーム、中性化したビームまたはプラズマを用い活性化する。その後、支持基板１０ａの上面と圧電基板１１の下面とを接合する。これにより、支持基板１０ａと圧電基板１１とが直接接合する。なお、支持基板１０ａと圧電基板１１との間には１０ｎｍ以下のアモルファス層が形成される。アモルファス層は圧電基板１１に比べ非常に薄いため、支持基板１０ａと圧電基板１１とは実質的に直接接合されている。

領域５０ａおよび５０ｂの圧電基板１１を除去する。領域５０ｂは支持基板１０ａの周縁領域である。領域５０ｂ内に圧電基板１１ａを環状に残存させる。圧電基板１１ａ内に領域５０ａが設けられる。圧電基板１１の除去には、例えばパターニングされたフォトレジストをマスク層としたサンドブラスト法、ウェットエッチング法またはドライエッチング法を用いる。または、マスク層を用いずレーザアブレーション法を用いてもよい。

図５（ｂ）および図７（ｂ）に示すように、領域５０ａ内の支持基板１０ａに穴５２を形成する。領域５０ｂ内の支持基板１０ａに穴５２ａを形成する。穴５２および５２ａの形成には、例えばレーザアブレーション法またはドライエッチング法を用いる。

図５（ｃ）および図７（ｃ）に示すように、領域５０ａ、５０ｂ、穴５２および５２ａに導電体を充填する。これにより、穴５２内に貫通電極１５、穴５２ａ内に貫通電極１５ａ、領域５０ａおよび５０ｂ内にそれぞれ金属層３７ａおよび環状金属層３７が形成される。導電体の充填には、例えば電解めっき法、無電解めっき法、真空印刷法、スパッタリング法、真空蒸着法またはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用いる。

図５（ｄ）および図７（ｄ）に示すように、圧電基板１１上にＩＤＴおよび反射器を有する弾性波共振器１２および配線１３を形成する。弾性波共振器１２上に絶縁膜１７を形成し、圧電基板１１ａの周りの環状金属層３７上に絶縁膜１７ａを形成する。絶縁膜１７および１７ａは、例えばスパッタリング法、真空蒸着法またはＣＶＤ法を用い形成しその後エッチング法を用いパターニングする。絶縁膜１７と１７ａの厚さを異ならせる場合は、絶縁膜１７と１７ａを別々に形成してもよい。絶縁膜１７ａには金属層３７ａの上面を露出させる開口５３が設けられている。

図６（ａ）および図８（ａ）に示すように、絶縁膜１７ａ上に配線１６を形成する。配線１６は、開口５３を介し金属層３７ａと電気的に接続され、環状金属層３７とは絶縁する。配線１６は、例えば真空蒸着法またはスパッタリング法を用い形成し、エッチング法またはリフトオフ法を用いパターニングする。

図６（ｂ）および図８（ｂ）に示すように、配線１６上に絶縁膜３２を形成する。絶縁膜３２は、例えばスパッタリング法、真空蒸着法またはＣＶＤ法を用い形成しその後エッチング法を用いパターニングする。絶縁膜３２が樹脂の場合、感光性樹脂を塗布後、露光現像法を用いパターニングしてもよい。

図６（ｃ）および図８（ｃ）に示すように、絶縁膜３２および環状金属層３７上に接合層３４を形成する。接合層３４は環状金属層３７と電気的に接続され、配線１６とは絶縁膜３２を介し絶縁する。接合層３４は、例えば真空蒸着法またはスパッタリング法を用い形成し、エッチング法またはリフトオフ法を用いパターニングする。接合層３４は、電解めっき法または無電解めっき法を用い形成してもよい。

図６（ｄ）に示すように、支持基板１０ａの下面を研磨または研削する。これにより、貫通電極１５および１５ａが露出する。支持基板１０ａの下面に貫通電極１５および１５ａと電気的に接続された端子１４および１４ａを形成する。その後、基板２０をバンプ２８を用いフリップチップ実装する。封止部３０およびリッド３６を形成する。個片化後、めっき法を用い保護膜３８を形成する。

［実施例１の変形例１］
図９は、実施例１の変形例１に係る弾性波デバイスの貫通電極付近の平面図、図１０（ａ）および図１０（ｂ）は、図９のＡ－Ａ断面図およびＢ－Ｂ断面図である。図９から図１０（ｂ）に示すように、金属層３７ａは実施例１より内側に設けられている。圧電基板１１ａは圧電基板１１に接続されている。金属層３７ａと圧電基板１１との間に環状金属層３７および圧電基板１１ａが設けられていない。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。実施例１の変形例１のように、金属層３７ａおよび貫通電極１５は、封止部３０が接合層３４に接合する領域に少なくとも一部が重なっていればよい。

［実施例１の変形例２］
図１１は、実施例１の変形例２に係る弾性波デバイスの断面図である。図１１に示すように、基板２０が設けられていない。リッド３６は平板でなく、周縁部が中央部より下方に位置している。保護膜３８が設けられていない。リッド３６は、金属板３６ｃと金属板３６ｃの下面に設けられた絶縁膜３６ｄとを有する。金属板３６ｃは、例えばコバール板または鉄ニッケル合金板である。絶縁膜３６ｄは、例えば酸化シリコン膜である。

金属板３６ｃの下面に絶縁膜３６ｄを形成する。金属板３６ｃの周縁の絶縁膜３６ｄを除去する。その他の構成および製造方法は実施例１と同じであり説明を省略する。実施例１の変形例２のように、基板２０は設けなくてもよい。

［実施例１の変形例３］
図１２は、実施例１の変形例３に係る弾性波デバイスの断面図である。図１２に示すように、基板２０が設けられていない。封止部３０ａは樹脂である。配線１６の絶縁膜３２および接合層３４は設けられていない。リッド３６は、絶縁板３６ａと絶縁板３６ａの下面に設けられた導電膜３６ｂとを有する。絶縁板３６ａは、例えばサファイア基板、アルミナ基板、タンタル酸リチウム基板、ニオブ酸リチウム基板またはシリコン基板である。導電膜３６ｂは、例えばチタン膜等の密着膜である。

絶縁板３６ａの下面に例えばスパッタリング法を用い導電膜３６ｂを形成する。リッド３６の下面に封止部３０ａとなる樹脂を形成する。樹脂は例えば感光性樹脂を塗布し露光現像法により形成する。仮ベーク後、封止部３０ａを基板１０上に貼り合わせベークする。その後、保護膜３８としてニッケル膜をスパッタリング法を用い形成する。その他の構成および製造方法は実施例１と同じであり説明を省略する。

実施例１の変形例３のように、封止部３０ａは樹脂でもよい。封止部３０ａが樹脂のため接合層３４はなくてもよい。また、封止部３０ａが絶縁体のため絶縁膜３２はなくてもよい。実施例１のように基板２０を設けた場合に、封止部を樹脂としてもよい。

［比較例１］
図１３（ａ）および図１３（ｂ）は、比較例１における基板の平面図である。図１３（ａ）は基板１０の平面図であり、図１３（ｂ）は、基板２０の平面図（上から透視した図）である。図１３（ａ）および図１３（ｂ）のように、比較例１では、貫通電極１５は基板１０の周縁の封止部とは重なっていない。このため、貫通電極１５およびパッドが基板１０の面積により、基板１０および２０の面積が大きくなってしまう。また、送信端子Ｔｘおよび受信端子Ｒｘ用の貫通電極１５間の距離Ｌ１が短くなる。これにより、送信端子Ｔｘと受信端子Ｒｘとの間のアイソレーション特性が劣化する。例えば、送信端子Ｔｘに入力した受信帯域の信号が受信端子Ｒｘに漏れてしまう。

実施例１およびその変形例によれば、図１（ａ）および図１（ｂ）のように、弾性波共振器１２（弾性波素子）は、基板１０（第１基板）の上面（第１面）に設けられている。配線１６、金属層３７ａおよび貫通電極１５は配線部を形成し、配線部は、基板１０を貫通する貫通孔（貫通電極１５および金属層３７ａが形成された貫通孔）を介し、弾性波共振器１２と基板１０の下面（第１面の反対の第２面）に設けられた端子１４ａ（金属部）とを電気的に接続する。封止部３０は、弾性波共振器１２を囲むように基板１０の上面に設けられ、平面視において貫通孔（すなわち貫通電極１５および金属層３７ａ）の少なくとも一部と重なり、弾性波共振器１２を空隙２５に封止する。このように、封止部３０と貫通孔とが重なることで、基板１０の面積を小さくできる。よって、弾性波デバイスを小型化できる。

封止部３０が設けられる基板１０の周縁に貫通電極１５および１５ａを設けることができるので、貫通電極１５および１５ａの個数を増やすことができる。

また、実施例１およびその変形例１および２のように、封止部３０が金属封止部のとき、絶縁膜３２（第１絶縁膜）は、封止部３０と配線１６との間に設けられ、封止部３０と配線１６とを絶縁する。これにより、配線部を信号配線とすることができる。

基板１０は、支持基板１０ａと支持基板１０ａ上に接合された圧電基板１１とを備えている。環状金属層３７は、弾性波共振器１２を囲み、支持基板１０ａ上の圧電基板１１が除去された領域に設けられ、封止部３０が接合する。貫通孔は環状金属層３７を貫通し、貫通孔（すなわち金属層３７ａ）と環状金属層３７との間に圧電基板１１ａが設けられている。これにより、環状金属層３７を設けても配線部と環状金属層３７とを絶縁できる。

実施例１およびその変形例２のように、環状金属層３７は、平面視において圧電基板１１ａを挟み貫通孔（すなわち金属層３７ａ）を囲むように設けられている。基板１０の厚さ方向において配線１６と環状金属層３７とは重なる。絶縁膜１７ａ（第２絶縁膜）は、配線１６と環状金属層３７とが重なる領域における配線１６と環状金属層３７との間に設けられ、配線１６と環状金属層３７とを絶縁する。これにより、配線１６と環状金属層３７とが重なっていても、配線１６と環状金属層３７とを絶縁できる。

貫通電極１５ａは支持基板１０ａを貫通し環状金属層３７と支持基板１０ａの下面とを電気的に接続する。封止部３０は、環状金属層３７と電気的に接続される。これにより、貫通電極１５ａを介し、封止部３０にグランド電位を供給できる。配線１６および金属層３７ａは封止部３０および環状金属層３７に覆われるため、他の配線とのカップリング面積を低減できる。

封止部３０は半田封止部であり、接合層３４は、絶縁膜３２上および環状金属層３７上に設けられ、絶縁膜３２が設けられていない領域において環状金属層３７と電気的に接続され、封止部３０が接合する。封止部３０と接合層３４とが接合する領域は、基板１０の厚さ方向において金属層３７ａの少なくとも一部と重なる。これにより、半田からなる封止部３０を基板１０上に接合できる。

実施例１およびその変形例１のように、基板２０（第２基板）は、基板１０上に空隙２５を介し対向する。封止部３０は、基板２０を囲むように設けられている。リッド３６は、封止部３０と基板２０上に設けられる。これにより、リッド３６と封止部とで、基板２０を封止できる。

図３から図４（ｂ）のように、送信フィルタ６０（第１フィルタ）は共通端子Ａｎｔと送信端子Ｔｘ（第１端子）との間に電気的に接続されている。受信フィルタ６２（第２フィルタ）は共通端子Ａｎｔと受信端子Ｒｘ（第２端子）との間に電気的に接続されている。送信フィルタ６０および受信フィルタ６２の少なくとも一方は弾性波共振器１２を含む。このように、弾性波デバイスをマルチプレクサとすることができる。送信フィルタ６０および受信フィルタ６２としてラダー型フィルタを例に説明したが、送信フィルタ６０および／または受信フィルタ６２は多重モード型フィルタでもよい。第１フィルタおよび第２フィルタの例として送信フィルタおよび受信フィルタを説明したが、第１フィルタおよび第２フィルタはいずれも送信フィルタでもよく、いずれも受信フィルタでもよい。マルチプレクサの例としてデュプレクサを説明したが、マルチプレクサは、トリプレクサまたはクワッドプレクサでもよい。

送信端子Ｔｘおよび受信端子Ｒｘは基板１０の下面に設けられている。図４（ａ）のように、貫通孔（金属層３７ａ）は、送信端子Ｔｘに接続する第１貫通孔と、受信端子Ｒｘに接続する貫通孔を有する。第１貫通孔は、基板１０の対向する一対の側面のうち、一方の側面側に設けられ、第２貫通孔は一対の側面のうち、他方の側面側に設けられている。これにより、送信端子Ｔｘと受信端子Ｒｘとの距離を長くできる。よって、アイソレーション特性を改善できる。

リッド３６は、封止部３０上に設けられ、封止部３０とで弾性波共振器１２を空隙２５に封止する。リッド３６が設けられず、封止部３０で弾性波共振器１２を空隙２５に封止してもよい。

以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

１０、２０ 基板
１０ａ 支持基板
１１、１１ａ 圧電基板
１２、２２ 弾性波共振器
１４ 端子
１５、１５ａ 貫通電極
１６、２６ 配線
１７、１７ａ 絶縁膜
２５ 空隙
２８ バンプ
３０、３０ａ 封止部
３２ 絶縁膜
３４ 接合層
３６ リッド

Claims (9)

1. 第１面と前記第１面の反対の第２面とを有する第１基板と、
   前記第１面に設けられた弾性波素子と、
   前記第１基板を貫通する貫通孔を介し前記弾性波素子と前記第２面に設けられた金属部とを電気的に接続する配線部と、
   金属封止部であり、前記弾性波素子を囲むように前記第１面上に設けられ、平面視において前記貫通孔の少なくとも一部と重なり、前記弾性波素子を空隙に封止する封止部と、
   前記封止部と前記配線部との間に設けられ、前記封止部と前記配線部とを絶縁する第１絶縁膜と、
   を備える弾性波デバイス。
2. 前記第１基板は、前記第２面を有する支持基板と前記支持基板上に接合され前記第１面を有する圧電基板とを備え、
   前記弾性波素子を囲み、前記支持基板上の前記圧電基板が除去された領域に設けられ、前記封止部が接合する環状金属層を備え、
   前記貫通孔は前記環状金属層を貫通し、前記貫通孔と前記環状金属層との間に前記圧電基板が設けられている請求項１に記載の弾性波デバイス。
3. 前記環状金属層は、平面視において、前記圧電基板を挟み前記貫通孔を囲むように設けられ、
   前記第１基板の厚さ方向において前記配線部と前記環状金属層とは重なり、
   前記配線部と前記環状金属層とが重なる領域における前記配線部と前記環状金属層との間に設けられ、前記配線部と前記環状金属層とを絶縁する第２絶縁膜を備える請求項２に記載の弾性波デバイス。
4. 前記支持基板を貫通し前記環状金属層と前記第２面とを電気的に接続する貫通電極を備え、
   前記封止部は、前記環状金属層と電気的に接続される請求項２または３に記載の弾性波デバイス。
5. 前記第１絶縁膜上および前記環状金属層上に設けられ、前記第１絶縁膜が設けられていない領域において前記環状金属層と電気的に接続され、前記封止部が接合する接合層を備え、
   前記封止部は半田封止部であり、
   前記封止部と前記接合層とが接合する領域は、前記第１基板の厚さ方向において前記貫通孔の少なくとも一部と重なる請求項２または３に記載の弾性波デバイス。
6. 前記第１基板上に前記空隙を介し対向する第２基板を備え、
   前記封止部は前記第２基板を囲むように設けられる請求項１から５のいずれか一項に記載の弾性波デバイス。
7. 共通端子と第１端子との間に電気的に接続された第１フィルタと、
   前記共通端子と第２端子との間に電気的に接続された第２フィルタと、
   を備え、
   前記第１フィルタおよび前記第２フィルタの少なくとも一方は前記弾性波素子を含み、
   前記共通端子、前記第１端子および前記第２端子は、各々前記金属部である請求項１から６のいずれか一項に弾性波デバイス。
8. 前記第１端子および前記第２端子は前記第２面に設けられ、
   前記貫通孔は、前記第１端子に接続する第１貫通孔と、前記第２端子に接続する第２貫通孔を有し、
   前記第１貫通孔は、前記第１基板の対向する一対の側面のうち、一方の側面側に設けられ、前記第２貫通孔は前記一対の側面のうち、他方の側面側に設けられている請求項７に記載の弾性波デバイス。
9. 前記封止部上に設けられ、前記封止部とで前記弾性波素子を前記空隙に封止するリッドを備える請求項１から８のいずれか一項に記載の弾性波デバイス。
   

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