JP7340344B2 - 弾性波デバイス、フィルタおよびマルチプレクサ - Google Patents

Description

本発明は、弾性波デバイス、フィルタおよびマルチプレクサに関し、例えば弾性波素子を有する弾性波デバイス、フィルタおよびマルチプレクサに関する。

スマートフォン等の通信機器に用いられる弾性波素子が知られている。弾性波素子は圧電基板を含む基板の上面に形成される。基板を貫通するビア配線を用い基板の下面に設けられた端子と弾性波素子とを電気的に接続することが知られている（例えば特許文献１）。

特開２０１７－１６９１３９号公報

しかしながら、基板にビア配線を形成する平面位置は弾性波素子の配置により制限される。これにより、設計自由度が低下する。

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、設計の自由度を向上させることを目的とする。

本発明は、圧電基板を含む基板と、前記圧電基板の表面に設けられた弾性波素子と、前記圧電基板の表面に設けられ前記弾性波素子と接続された配線と、前記基板の前記弾性波素子が設けられた表面と反対の表面に設けられた端子と、前記基板を貫通し前記配線と前記端子とを接続する第１ビア配線と、を備え、前記第１ビア配線は、前記基板を貫通する第１ビアホールに充填されており、前記第１ビアホールの少なくとも一部の中心線は、前記基板の厚さ方向に対し傾斜した方向に延伸し、前記配線が設けられた前記基板の表面において前記第１ビアホールが前記配線と接する箇所の少なくとも一部は平面視において前記端子と重ならない弾性波デバイスである。

本発明は、圧電基板を含む基板と、前記圧電基板の表面に設けられた弾性波素子と、前記圧電基板の表面に設けられ前記弾性波素子と接続された配線と、前記基板の前記弾性波素子が設けられた表面と反対の表面に設けられた端子と、前記基板を貫通し前記配線と前記端子とを接続する第１ビア配線と、を備え、前記第１ビア配線は、前記基板を貫通する第１ビアホールに充填されており、前記第１ビアホールの少なくとも一部の中心線は、前記基板の厚さ方向に対し傾斜した方向に延伸し、前記端子が設けられた前記基板の表面において前記第１ビアホールが前記端子と接する箇所の少なくとも一部は平面視において前記弾性波素子と重なる弾性波デバイスである。

上記構成において、前記端子が設けられた前記基板の表面において前記第１ビアホールが前記配線と接する箇所の少なくとも一部は平面視において前記端子と重ならない構成とすることができる。

上記構成において、前記基板を貫通する第２ビアホールに充填されており、前記第２ビアホールの中心線は前記基板の厚さ方向に延伸する第２ビア配線を備える構成とすることができる。

上記構成において、前記基板は、前記圧電基板の前記弾性波素子が設けられた表面の反対の面に直接的または間接的に接合する支持基板を含み、前記端子は前記支持基板の前記圧電基板と反対の表面に設けられる構成とすることができる。

上記構成において、前記端子は前記圧電基板の前記弾性波素子が設けられた表面と反対の表面に設けられる構成とすることができる。

上記構成において、前記第１ビアホールの前記少なくとも一部分の前記中心線の延伸方向と前記基板の厚さ方向のなす角度は１０°以上である構成とすることができる。

本発明は、上記弾性波デバイスを含むフィルタである。

本発明は、上記フィルタを含むマルチプレクサである。

本発明によれば、設計の自由度を向上させることができる。

図１は、実施例１に係る弾性波デバイスの断面図である。 図２（ａ）は、実施例１における弾性波素子１２の平面図、図２（ｂ）は弾性波素子２２の断面図である。 図３（ａ）から図３（ｃ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図（その１）である。 図４（ａ）から図４（ｃ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図（その２）である。 図５（ａ）は、実施例１を用いたフィルタの平面図、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＡ－Ａ断面図である。 図６（ａ）は、比較例１を用いたフィルタの平面図、図６（ｂ）は、図６（ａ）のＡ－Ａ断面図である。 図７（ａ）から（ｃ）は、それぞれ実施例１の変形例１から３に係る弾性波デバイスの断面図である。 図８（ａ）および図８（ｂ）は、実施例１におけるビア配線の例を示す断面図である。 図９（ａ）は、実施例２に係るフィルタの回路図、図９（ｂ）は、実施例２の変形例１に係るデュプレクサの回路図である。

以下、図面を参照し本発明の実施例について説明する。

図１は、実施例１に係る弾性波デバイスの断面図である。図１に示すように、基板１０は支持基板１０ａと圧電基板１０ｂとを有する。支持基板１０ａは例えばサファイア基板、アルミナ基板、スピネル基板、水晶基板またはシリコン基板である。圧電基板１０ｂは、例えばタンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板である。圧電基板１０ｂは支持基板１０ａの上面に接合されている。支持基板１０ａの線膨張係数は圧電基板１０ｂより小さい。圧電基板１０ｂと支持基板１０ａとの間に酸化シリコンまたは窒化アルミニウム等の絶縁体層を設けてもよい。このように、圧電基板１０ｂと支持基板１０ａとは直接的または間接的に接合されている。

基板１０の上面に弾性波素子１２および配線１４が設けられている。基板１０の下面に端子１８が設けられている。端子１８は、弾性波素子１２および２２を外部と接続するためのフットパッドである。支持基板１０ａを貫通するビア配線１６ａおよび１６ｂが設けられている。ビア配線１６ａは基板の厚さ方向に延伸し、ビア配線１６ｂは基板１０の厚さ方向に対し傾斜している。ビア配線１６ａおよび１６ｂは端子１８と配線１４とを電気的に接続する。

基板１０の外縁において圧電基板１０ｂが除去されている。弾性波素子１２を囲むように支持基板１０ａ上に環状金属層３２が設けられている。配線１４、ビア配線１６ａ、１６ｂ、端子１８および環状金属層３２は、例えば銅層、アルミニウム層または金層等の金属層である。環状金属層３２上に環状金属層３４が設けられている。環状金属層３４は例えばニッケル層である。

基板１０上に基板２０が搭載されている。基板２０の下面に弾性波素子２２および配線２４が設けられている。基板２０は、例えばシリコン基板、ガラス基板、サファイア基板、アルミナ基板、スピネル基板または水晶基板等の絶縁基板または半導体基板である。配線２４は例えば銅層、アルミニウム層または金層等の金属層である。

基板２０はバンプ２８を介し基板１０にフリップチップ実装（フェースダウン実装）されている。バンプ２８は、例えば金バンプ、半田バンプまたは銅バンプである。バンプ２８は、配線１４および２４と接合する。

基板１０上に基板２０を囲むように封止部３０が設けられている。封止部３０は、例えば半田等の金属層または樹脂等の絶縁層である。封止部３０は、環状金属層３４に接合されている。基板２０の上面および封止部３０の上面に平板状のリッド３６が設けられている。リッド３６は例えばコバール板等の金属板または絶縁板である。リッド３６および封止部３０を覆うように保護膜３８が設けられている。保護膜３８はニッケル膜等の金属膜または絶縁膜である。

弾性波素子１２は空隙２６を介し基板２０に対向している。弾性波素子２２は空隙２６を介し圧電基板１０ｂに対向している。弾性波素子１２および２２は、封止部３０、基板１０、基板２０およびリッド３６により封止される。バンプ２８は空隙２６に囲まれている。端子１８はビア配線１６ａまたは１６ｂおよび配線１４を介し弾性波素子１２と電気的に接続され、さらに、バンプ２８および配線２４を介し弾性波素子２２に電気的に接続されている。

支持基板１０ａの厚さは例えば５０μｍから２００μｍである。圧電基板１０ｂの厚さは例えば０．５μｍから２０μｍであり、例えば弾性波の波長以下である。ビア配線１６ａおよび１６ｂの幅は例えば２０μｍから５０μｍである。バンプ２８の厚さは例えば１０μｍから２０μｍである。基板２０の厚さは例えば５０μｍから２００μｍである。

図２（ａ）は、実施例１における弾性波素子１２の平面図、図２（ｂ）は弾性波素子２２の断面図である。図２（ａ）に示すように、弾性波素子１２は弾性表面波共振器である。基板１０の圧電基板１０ｂ上にＩＤＴ（Interdigital Transducer）４０と反射器４２が形成されている。ＩＤＴ４０は、互いに対向する１対の櫛型電極４０ａを有する。櫛型電極４０ａは、複数の電極指４０ｂと複数の電極指４０ｂを接続するバスバー４０ｃとを有する。反射器４２は、ＩＤＴ４０の両側に設けられている。ＩＤＴ４０が圧電基板１０ｂに弾性表面波を励振する。弾性波の波長は一対の櫛型電極４０ａの一方の櫛型電極４０ａの電極指４０ｂのピッチにほぼ等しい。すなわち、弾性波の波長は一対の櫛型電極４０ａの電極指４０ｂのピッチの２倍にほぼ等しい。ＩＤＴ４０および反射器４２は例えばアルミニウム膜または銅膜により形成される。圧電基板１０ｂ上にＩＤＴ４０および反射器４２を覆うように保護膜または温度補償膜が設けられていてもよい。

図２（ｂ）に示すように、弾性波素子２２は圧電薄膜共振器である。基板２０上に圧電膜４６が設けられている。圧電膜４６を挟むように下部電極４４および上部電極４８が設けられている。下部電極４４と基板２０との間に空隙４５が形成されている。圧電膜４６の少なくとも一部を挟み下部電極４４と上部電極４８とが対向する領域が共振領域４７である。共振領域４７において、下部電極４４および上部電極４８は圧電膜４６内に、厚み縦振動モードの弾性波を励振する。基板２０は、例えばサファイア基板、スピネル基板、アルミナ基板、ガラス基板、水晶基板またはシリコン基板である。下部電極４４および上部電極４８は例えばルテニウム膜等の金属膜である。圧電膜４６は例えば窒化アルミニウム膜である。空隙４５の代わりに弾性波を反射する音響反射膜が設けられていてもよい。

弾性波素子１２および２２は、弾性波を励振する電極を含む。このため、弾性波を制限しないように、弾性波素子１２および２２は空隙２６に覆われている。

［実施例１の製造方法］
図３（ａ）から図４（ｃ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。図３（ａ）に示すように、支持基板１０ａの上面に例えばレーザ光を照射しビア１７ａおよび１７ｂを形成する。ビア１７ａは支持基板１０ａの厚さ方向に延伸し、ビア１７ｂは支持基板１０ａの厚さ方向に対し傾斜している。ビア１７ｂは支持基板１０ａを傾けてレーザ光を照射することにより形成する。

図３（ｂ）に示すように、支持基板１０ａの上面に圧電基板１０ｂの下面を例えば表面活性化法を用い常温接合する。支持基板１０ａと圧電基板１０ｂとは数ｎｍのアモルファス層等を介し直接的に接合されていてもよいし、接着剤等により間接的に接合されていてもよい。圧電基板１０ｂを例えばＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法を用い研磨する。これにより、圧電基板１０ｂを所望の厚さとする。圧電基板１０ｂを例えばエッチングにより除去し開口１７ｃおよび１７ｄを形成する。開口１７ｃはビア１７ａおよび１７ｂに通じビア１７ａおよび１７ｂより大きく形成される。図３（ｃ）に示すように、支持基板１０ａおよび圧電基板１０ｂ上にシード層３１ａを例えばスパッタリング法を用い形成する。シード層３１ａは、例えば基板１０側からチタン層および銅層である。

図４（ａ）に示すように、シード層３１ａ上に金属層３１を例えばめっき法を用い形成する。金属層３１は例えば銅層である。図４（ａ）以降では、シード層３１ａの図示を省略する。図４（ｂ）に示すように、圧電基板１０ｂの表面が露出するように金属層３１の上面を例えばＣＭＰ法を用い平坦化する。これにより、ビア配線１６ａ、１６ｂおよび環状金属層３２が形成される。環状金属層３２の厚さは圧電基板１０ｂの厚さと略等しくなる。図３（ｃ）の後に、ビア１７ａ、１７ｂおよび開口１７ｃ内に銀ペースト等の導電性樹脂を印刷法により形成し、焼結することによりビア配線１６ａおよび１６ｂを形成してもよい。また、金属層３１をめっき法で形成する場合、めっき処理を施す前に支持基板１０ａの下面をＣＭＰ法等により研磨し、開口１７ｃが支持基板１０ａを貫通させることが望ましい。これにより、メッキ処理時にビア配線１６ａおよび１６ｂをより均一に充填させることができる。図４（ｃ）に示すように、圧電基板１０ｂ上に弾性波素子１２を形成する。圧電基板１０ｂ、ビア配線１６ａおよび１６ｂ上に配線１４を形成する。環状金属層３２上に環状金属層３４を形成する。

その後、基板２０を囲むように、封止部３０を形成する。封止部３０は環状金属層３４と接合する。封止部３０および基板２０上にリッド３６を設ける。リッド３６は設けられてなくてもよい。支持基板１０ａの下面をＣＭＰ法等を用い研磨する。これにより、ビア配線１６ａおよび１６ｂが支持基板１０ａの下面に露出する。ビア配線１６ａおよび１６ｂに接触する端子１８を形成する。基板１０を切断する。これにより、弾性波デバイスが個片化される。封止部３０およびリッド３６を囲む保護膜３８を形成する。これにより、図１の弾性波デバイスが製造される。

［実施例１を用いたフィルタ］
図５（ａ）は、実施例１を用いたフィルタの平面図、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＡ－Ａ断面図である。図５（ａ）では、基板１０の下面の端子１８も図示している。図５（ａ）および図５（ｂ）に示すように、基板１０上には、弾性波素子１２および配線１４が設けられている。弾性波素子１２は直列共振器Ｓ１からＳ６および並列共振器Ｐ１からＰ３を含む。配線１４は、パッドＰｉｎ、Ｐｏｕｔ、ＰｇおよびＰｇａを含む。直列共振器Ｓ１からＳ６は配線１４を介しパッドＰｉｎとＰｏｕｔとの間に直列に接続されている。並列共振器Ｐ１からＰ３は配線１４を介しパッドＰｉｎとＰｏｕｔとの間に並列に接続されている。

基板１０の下面に端子１８が設けられている。端子１８は、入力端子Ｔｉｎ、出力端子Ｔｏｕｔおよびグランド端子Ｔｇ、Ｔｇａを含む。入力端子Ｔｉｎ、出力端子Ｔｏｕｔおよびグランド端子Ｔｇは、ビア配線１６ａを介しそれぞれパッドＰｉｎ、ＰｏｕｔおよびＰｇに電気的に接続されている。グランド端子Ｔｇａはビア配線１６ｂを介しパッドＰｇａに電気的に接続されている。

平面視においてパッドＰｇａはグランド端子Ｔｇａに重なっていない。ビア配線１６ｂが基板１０の厚さ方向に対す傾斜しているため、ビア配線１６ｂはグランド端子ＴｇａとパッドＰｇａとを接続することができる。

［比較例１のフィルタ］
図６（ａ）は、比較例１を用いたフィルタの平面図、図６（ｂ）は、図６（ａ）のＡ－Ａ断面図である。図６（ａ）および図６（ｂ）に示すように、比較例１では、平面視においてパッドＰｇａはグランド端子Ｔｇａに重なっている。グランド端子ＴｇａとパッドＰｇａとは、基板１０の厚さ方向に延伸するビア配線１６ａにより接続されている。

実施例１では、パッドＰｇａをグランド端子Ｔｇａと重ねなくてもよいため、並列共振器Ｐ２を比較例１に比べ大きくできる。このように、実施例１では、パッドと端子１８の配置の自由度を比較例１より大きくできる。また、実施例１では、ビア配線１６ｂと支持基板１０ａとが接する面積がビア配線１６ａより大きい。支持基板１０ａは圧電基板１０ｂに比べ熱伝導率が高い。このため、図５（ｂ）の矢印５４のように、ビア配線１６ｂを介した放熱性を高めることができる。

［実施例１の変形例１］
図７（ａ）は実施例１の変形例１に係る弾性波デバイスの断面図である。図７（ａ）に示すように、複数のビア配線１６ｂの傾斜方向が互いに異なる。その他の構成は実施例１と同じである。実施例１の変形例１のように、傾斜方向が異なるビア配線が設けられていてもよい。基板１０の厚さ方向に傾斜する角度が異なるビア配線が設けられていてもよい。

［実施例１の変形例２］
図７（ｂ）は実施例１の変形例２に係る弾性波デバイスの断面図である。図７（ｂ）に示すように、ビア配線は全て傾斜するビア配線１６ｂである。その他の構成は実施例１と同じである。実施例１の変形例２のように、ビア配線は全て基板１０の厚さ方向に対し傾斜するビア配線１６ｂでもよい。複数のビア配線１６ｂのうち、傾斜方向の異なるビア配線および／または傾斜角度が異なるビア配線が含まれていてもよい。

［実施例１の変形例３］
図７（ｃ）は実施例１の変形例３に係る弾性波デバイスの断面図である。図７（ｃ）に示すように、基板１０は圧電基板であり、例えばタンタル酸リチウム基板、ニオブ酸リチウム基板または水晶基板である。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。実施例１の変形例３のように、実施例１およびその変形例１および２において、基板１０は圧電基板単体でもよい。

実施例１およびその変形例１および３では、ビア配線１６ｂの一部分（支持基板１０ａの部分）が基板１０の厚さ方向に対し傾斜していたが、実施例１の変形例２のように、ビア配線１６ｂの全てが基板１０の厚さ方向に対し傾斜していてもよい。ビア配線１６ｂの一部分が基板１０の厚さ方向に対し傾斜する場合、一部分の厚さ（例えば支持基板１０ａの厚さ）は基板１０の厚さの１／２倍以上が好ましく、４／５倍以上がより好ましく、９／１０倍以上がさらに好ましい。

実施例１およびその変形例において、弾性波デバイスはチップ状態でもよいし、図１のように基板１０と２０とが実装されていてもよい。実施例１のように、弾性波素子２２として圧電薄膜共振器の例を説明したが、弾性波素子２２は弾性表面波共振器でもよい。基板２０の下面に設けられる機能素子として弾性波素子２２の例を説明したが、機能素子は、インダクタまたはキャパシタ等の受動素子、トランジスタを含む能動素子、またはＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）素子でもよい。

図８（ａ）および図８（ｂ）は、実施例１におけるビア配線の例を示す断面図である。図８（ａ）はビア配線１６ａの断面図であり、図８（ｂ）はビア配線１６ｂの断面図である。基板１０の厚さ方向のうち上に向かう方向をＺ方向とする。

図８（ａ）および図８（ｂ）に示すように、ビア配線１６ａおよび１６ｂの幅は、－Ｚ方向に行くに従い小さくなってもよいし、Ｚ方向によらず一定もよいし、－Ｚ方向に行くに従い大きくなってもよい。ビア配線１６ａおよび１６ｂの延伸方向は、例えばビア配線１６ａおよび１６ｂの中心線５６の延伸方向に平行である。ビア配線１６ａでは、中心線５６は、基板１０のＺ方向と略平行である。ビア配線１６ｂでは、中心線５６はＺ方向５７に対し角度θ傾斜する。

実施例１によれば、基板１０は圧電基板１０ｂを含む。弾性波素子１２は、圧電基板１０ｂの表面に設けられている。配線１４は、圧電基板１０ｂの表面に設けられ弾性波素子１２と接続されている。端子１８は、基板１０の弾性波素子１２が設けられた表面と反対の表面に設けられている。ビア配線１６ｂ（第１ビア配線）は、基板１０を貫通し配線１４と端子１８とを接続し、基板１０の厚さ方向における少なくとも一部分は基板１０の厚さ方向に対し傾斜した方向に延伸する。これにより、パッドおよび端子の配置の自由度が高くなる。また、ビア配線１６ｂを介した放熱性を向上できる。

配置の自由度を向上させるため、ビア配線１６ｂの少なくとも一部分の中心線の延伸方向と基板１０の厚さ方向のなす角度θは、１０°以上であることが好ましく、２０°以上であることがより好ましい。角度θは、６０°以下が好ましく、４５度以下がより好ましい。

図５（ａ）および図５（ｂ）に示すように、ビア配線１６ｂが配線１４と接続する箇所の少なくとも一部は平面視において端子１８に重ならない。これにより、パッドと端子の配置の自由度を向上させることができる。

ビア配線１６ｂが端子１８と接続する箇所の少なくとも一部は平面視において弾性波素子１２と重なる。これにより、弾性波素子１２を大きくできる、またはチップを小型化できる。

全てのビア配線をビア配線１６ｂとすると、配置の自由度が低下する。そこで、ビア配線１６ａ（第２ビア配線）は、基板１０を貫通し、基板１０の厚さ方向に延伸する。これにより、配置の自由度をより向上させることができる。

基板１０は、圧電基板１０ｂの下面に（弾性波素子１２が設けられた表面の反対の面）に直接的または間接的に接合する支持基板１０ａを含み、端子１８は支持基板１０ａの下面に設けられてもよい。また、端子１８は圧電基板１０ｂの弾性波素子１２が設けられた面と反対の面に設けられていてもよい。

実施例２は、フィルタおよびデュプレクサの例である。図９（ａ）は、実施例２に係るフィルタの回路図である。図９（ａ）に示すように、入力端子Ｔｉｎと出力端子Ｔｏｕｔとの間に、１または複数の直列共振器Ｓ１からＳ４が直列に接続されている。入力端子Ｔｉｎと出力端子Ｔｏｕｔとの間に、１または複数の並列共振器Ｐ１からＰ３が並列に接続されている。実施例２のフィルタを弾性波素子１２および／または２２で形成してもよい。直列共振器および並列共振器の個数等は適宜設定できる。フィルタとしてラダー型フィルタを例に説明したが、フィルタは多重モード型フィルタでもよい。

図９（ｂ）は、実施例２の変形例１に係るデュプレクサの回路図である。図９（ｂ）に示すように、共通端子Ａｎｔと送信端子Ｔｘとの間に送信フィルタ５０が接続されている。共通端子Ａｎｔと受信端子Ｒｘとの間に受信フィルタ５２が接続されている。送信フィルタ５０は、送信端子Ｔｘから入力された高周波信号のうち送信帯域の信号を送信信号として共通端子Ａｎｔに通過させ、他の周波数の信号を抑圧する。受信フィルタ５２は、共通端子Ａｎｔから入力された高周波信号のうち受信帯域の信号を受信信号として受信端子Ｒｘに通過させ、他の周波数の信号を抑圧する。送信フィルタ５０および受信フィルタ５２の少なくとも一方を実施例２のフィルタとすることができる。また、送信フィルタ５０を弾性波素子１２で形成し、受信フィルタ５２を弾性波素子２２で形成してもよい。

マルチプレクサとしてデュプレクサを例に説明したがトリプレクサまたはクワッドプレクサでもよい。

以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

１０、２０ 基板
１０ａ 支持基板
１０ｂ 圧電基板
１２、２２ 弾性波素子
１４、２４ 配線
１６ａ、１６ｂ ビア配線
１８ 端子
２６ 空隙
２８ バンプ
３０ 封止部
３２、３４ 環状金属層
３６ リッド
５０ 送信フィルタ
５２ 受信フィルタ

Claims (9)

1. 圧電基板を含む基板と、
   前記圧電基板の表面に設けられた弾性波素子と、
   前記圧電基板の表面に設けられ前記弾性波素子と接続された配線と、
   前記基板の前記弾性波素子が設けられた表面と反対の表面に設けられた端子と、
   前記基板を貫通し前記配線と前記端子とを接続する第１ビア配線と、
   を備え、
   前記第１ビア配線は、前記基板を貫通する第１ビアホールに充填されており、前記第１ビアホールの少なくとも一部の中心線は、前記基板の厚さ方向に対し傾斜した方向に延伸し、
   前記配線が設けられた前記基板の表面において前記第１ビアホールが前記配線と接する箇所の少なくとも一部は平面視において前記端子と重ならない弾性波デバイス。
2. 圧電基板を含む基板と、
   前記圧電基板の表面に設けられた弾性波素子と、
   前記圧電基板の表面に設けられ前記弾性波素子と接続された配線と、
   前記基板の前記弾性波素子が設けられた表面と反対の表面に設けられた端子と、
   前記基板を貫通し前記配線と前記端子とを接続する第１ビア配線と、
   を備え、
   前記第１ビア配線は、前記基板を貫通する第１ビアホールに充填されており、前記第１ビアホールの少なくとも一部の中心線は、前記基板の厚さ方向に対し傾斜した方向に延伸し、
   前記端子が設けられた前記基板の表面において前記第１ビアホールが前記端子と接する箇所の少なくとも一部は平面視において前記弾性波素子と重なる弾性波デバイス。
3. 前記端子が設けられた前記基板の表面において前記第１ビアホールが前記配線と接する箇所の少なくとも一部は平面視において前記端子と重ならない請求項２に記載の弾性波デバイス。
4. 前記基板を貫通する第２ビアホールに充填されており、前記第２ビアホールの中心線は前記基板の厚さ方向に延伸する第２ビア配線を備える請求項１から３のいずれか一項に記載の弾性波デバイス。
5. 前記基板は、前記圧電基板の前記弾性波素子が設けられた表面の反対の面に直接的または間接的に接合する支持基板を含み、
   前記端子は前記支持基板の前記圧電基板と反対の表面に設けられる請求項１から４のいずれか一項に記載の弾性波デバイス。
6. 前記端子は前記圧電基板の前記弾性波素子が設けられた表面と反対の表面に設けられる請求項１から４のいずれか一項に記載の弾性波デバイス。
7. 前記第１ビアホールの前記少なくとも一部分の前記中心線の延伸方向と前記基板の厚さ方向のなす角度は１０°以上である請求項１から６のいずれか一項に記載の弾性波デバイス。
8. 請求項１から７のいずれか一項に記載の弾性波デバイスを含むフィルタ。
9. 請求項８に記載のフィルタを含むマルチプレクサ。

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