JP2017220778A - 弾性波デバイス - Google Patents
弾性波デバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017220778A JP2017220778A JP2016113447A JP2016113447A JP2017220778A JP 2017220778 A JP2017220778 A JP 2017220778A JP 2016113447 A JP2016113447 A JP 2016113447A JP 2016113447 A JP2016113447 A JP 2016113447A JP 2017220778 A JP2017220778 A JP 2017220778A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- piezoelectric substrate
- acoustic wave
- filter
- piezoelectric
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 440
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 41
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 75
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 15
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 9
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 10
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 10
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 7
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- -1 thickness Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
- H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
- H03H9/725—Duplexers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
- H03H9/0547—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement
- H03H9/0552—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement the device and the other elements being mounted on opposite sides of a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
- H03H9/0566—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements for duplexers
- H03H9/0576—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements for duplexers including surface acoustic wave [SAW] devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/058—Holders; Supports for surface acoustic wave devices
- H03H9/059—Holders; Supports for surface acoustic wave devices consisting of mounting pads or bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
- H03H9/6433—Coupled resonator filters
- H03H9/6483—Ladder SAW filters
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
- H03H9/703—Networks using bulk acoustic wave devices
- H03H9/706—Duplexers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
- H10N30/853—Ceramic compositions
- H10N30/8542—Alkali metal based oxides, e.g. lithium, sodium or potassium niobates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/87—Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/88—Mounts; Supports; Enclosures; Casings
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
【課題】圧電基板の下面でのバルク波の反射を抑制し、特性の劣化を抑制する弾性波デバイスを提供する。【解決手段】支持基板１１と、支持基板１１の第１主面に接合され、単結晶基板からなる圧電基板１２と、圧電基板１２の支持基板１１が接合された面とは反対側の面に設けられ、ＩＤＴ２１を有する弾性波共振器２０と、支持基板１１の前記第１主面とは反対側の第２主面に接合され、単結晶基板からなる圧電基板１３と、圧電基板１３の支持基板１１が接合された面とは反対側の面に設けられ、ＩＤＴ２３を有する弾性波共振器２２と、を備える。【選択図】図２
Description
本発明は、弾性波デバイスに関する。
支持基板の一方の面に櫛型電極を有する第１圧電基板が接合され、他方の面に櫛型電極を有さず且つ第１圧電基板と材料及び結晶軸方向が同じである第２圧電基板が接合されることで、温度変化による基板の反りが抑制された弾性波デバイスが知られている（例えば、特許文献１）。また、圧電基板の両面に設けられた弾性波共振器の電極指方向を互いに非平行にすることで、中心周波数のずれが抑制された弾性波デバイスが知られている（例えば、特許文献２）。また、基板の両面に設けられた圧電体薄膜それぞれに弾性波共振器が形成された弾性波デバイスが知られている（例えば、特許文献３）。
圧電基板の主面上にＩＤＴ（Interdigital Transducer）を有する複数の弾性波共振器が設けられている場合、複数の弾性波共振器のうちの１つの弾性波共振器から発生したバルク波が圧電基板の下面で反射して他の弾性波共振器に入射し、特性劣化が生じる場合がある。また、圧電基板の両主面に弾性波共振器が設けられている場合、圧電基板の一方の主面に設けられた弾性波共振器から発生したバルク波が圧電基板を通過して他方の主面に設けられた弾性波共振器に入射し、特性劣化が生じる場合がある。
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、特性の劣化を抑制することを目的とする。
本発明は、支持基板と、前記支持基板の第１主面に接合され、単結晶基板からなる第１圧電基板と、前記第１圧電基板の前記支持基板が接合された面とは反対側の面に設けられ、ＩＤＴを有する第１弾性波共振器と、前記支持基板の前記第１主面とは反対側の第２主面に接合され、単結晶基板からなる第２圧電基板と、前記第２圧電基板の前記支持基板が接合された面とは反対側の面に設けられ、ＩＤＴを有する第２弾性波共振器と、を備える、弾性波デバイスである。
上記構成において、前記支持基板の音響インピーダンスは、前記第１圧電基板及び前記第２圧電基板の音響インピーダンスよりも高い構成とすることができる。
上記構成において、前記第１圧電基板は、回転ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板又は回転ＹカットＸ伝搬ニオブ酸リチウム基板からなり、前記第２圧電基板は、回転ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板又は回転ＹカットＸ伝搬ニオブ酸リチウム基板からなり、前記第１圧電基板の結晶方位のＸ軸方向と前記第２圧電基板の結晶方位のＸ軸方向とは同じ方向を向いている構成とすることができる。
上記構成において、前記第１圧電基板は、回転ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板又は回転ＹカットＸ伝搬ニオブ酸リチウム基板からなり、前記第２圧電基板は、回転ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板又は回転ＹカットＸ伝搬ニオブ酸リチウム基板からなり、前記第１圧電基板の結晶方位のＸ軸方向と前記第２圧電基板の結晶方位のＸ軸方向とは異なる方向を向いている構成とすることができる。
上記構成において、前記第１圧電基板の前記反対側の面に設けられ、前記第１弾性波共振器からなり、ラダー型フィルタを構成する直列共振器と、前記第２圧電基板の前記反対側の面に設けられ、前記第２弾性波共振器からなり、前記ラダー型フィルタを構成する並列共振器と、を備える構成とすることができる。
上記構成において、前記第１圧電基板の前記反対側の面に設けられ、前記第１弾性波共振器からなり、第１ラダー型フィルタを構成する直列共振器及び第２ラダー型フィルタを構成する並列共振器と、前記第２圧電基板の前記反対側の面に設けられ、前記第２弾性波共振器からなり、前記第１ラダー型フィルタを構成する並列共振器及び前記第２ラダー型フィルタを構成する直列共振器と、を備える構成とすることができる。
上記構成において、前記第１ラダー型フィルタは、アンテナ端子と受信端子との間に接続され、デュプレクサを構成する受信フィルタであり、前記第２ラダー型フィルタは、前記アンテナ端子と送信端子との間に接続され、前記デュプレクサを構成する送信フィルタである構成とすることができる。
上記構成において、前記第１圧電基板の前記反対側の面に設けられ、前記第１弾性波共振器で構成された第１フィルタと、前記第２圧電基板の前記反対側の面に設けられ、前記第２弾性波共振器で構成された第２フィルタと、を備える構成とすることができる。
上記構成において、前記第１フィルタは、アンテナ端子と受信端子との間に接続され、デュプレクサを構成する受信フィルタであり、前記第１圧電基板と前記支持基板と前記第２圧電基板とが接合された接合基板の対向する端面の一方寄りに設けられ、前記第２フィルタは、前記アンテナ端子と送信端子との間に接続され、前記デュプレクサを構成する送信フィルタであり、前記接合基板の前記対向する端面の他方寄りに設けられている構成とすることができる。
上記構成において、前記第１圧電基板と前記第２圧電基板とは、同じ材料からなり且つカット角が異なる構成とすることができる。
上記構成において、前記第１圧電基板と前記第２圧電基板とは、異なる材料からなる構成とすることができる。
本発明は、第１圧電基板と、前記第１圧電基板の第１主面に設けられ、ＩＤＴを有する第１弾性波共振器と、前記第１圧電基板の前記第１主面とは反対側の第２主面に第１主面が接合された第２圧電基板と、前記第２圧電基板の前記第１主面とは反対側の第２主面に設けられ、ＩＤＴを有する第２弾性波共振器と、前記第１圧電基板の前記第２主面と前記第２圧電基板の前記第１主面とを接合するアモルファス層又は接着剤層からなる層と、を備える弾性波デバイスである。
本発明によれば、特性の劣化を抑制することができる。
以下、図面を参照して、本発明の実施例について説明する。
まず、比較例に係る弾性波デバイスについて説明する。図１（ａ）は、比較例１に係る弾性波デバイスの断面図、図１（ｂ）は、比較例２に係る弾性波デバイスの断面図である。図１（ａ）のように、比較例１の弾性波デバイス１０００は、圧電基板１００２の主面上にＩＤＴ（Interdigital Transducer）１００４を有する２つの弾性波共振器１００６、１００８が設けられている。比較例１では、圧電基板１００２の厚さによっては、一方の弾性波共振器１００６から発生したバルク波１０１０が圧電基板１００２の下面で反射して他方の弾性波共振器１００８に入射する場合がある。この場合、弾性波共振器１００８のＩＤＴ１００４で励振される弾性表面波と弾性波共振器１００６から発生したバルク波１０１０とが干渉することで、弾性波共振器１００８の特性が劣化してしまう。
図１（ｂ）のように、比較例２の弾性波デバイス１１００は、圧電基板１００２の両主面にＩＤＴ１００４を有する弾性波共振器１００６、１００８が設けられている。比較例２では、圧電基板１００２の一方の主面に設けられた弾性波共振器１００６から発生したバルク波１０１０が圧電基板１００２の他方の主面に設けられた弾性波共振器１００８に入射する場合がある。この場合、弾性波共振器１００８の特性が劣化してしまう。
そこで、特性の劣化を抑制することが可能な実施例について以下に説明する。
図２は、実施例１に係る弾性波デバイスの断面図である。図２のように、実施例１の弾性波デバイス１００は、支持基板１１と、支持基板１１の第１主面に接合された単結晶基板からなる圧電基板１２と、支持基板１１の第１主面とは反対側の第２主面に接合された単結晶基板からなる圧電基板１３と、を含む接合基板１０を備える。支持基板１１の厚さは、例えば１８０μｍ程度である。圧電基板１２、１３の厚さは、例えば４０μｍ程度で同程度の厚さとなっている。支持基板１１は、例えばサファイア基板である。圧電基板１２、１３は、例えば回転ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム（ＬＴ）基板である。
圧電基板１２の支持基板１１に接合されている面とは反対側の面に、ＩＤＴ２１を有する弾性波共振器２０が設けられている。圧電基板１３の支持基板１１に接合されている面とは反対側の面に、ＩＤＴ２３を有する弾性波共振器２２が設けられている。ＩＤＴ２１、２３は、例えば圧電基板側からチタン（Ｔｉ）とアルミニウム（Ａｌ）合金とが積層された金属膜からなる。
図３は、弾性波共振器の平面図である。図３のように、弾性波共振器２０、２２は、１対の櫛型電極２４からなるＩＤＴ２１、２３と、ＩＤＴ２１、２３の両側に設けられた反射器２７と、を含む。櫛型電極２４は、複数の電極指２５と、複数の電極指２５が接続されるバスバー２６と、を備える。１対の櫛型電極２４は、電極指２５がほぼ互い違いとなるように、対向して設けられている。
電極指２５が励振する弾性波は、主に電極指２５の配列方向に伝搬する。電極指２５の周期がほぼ弾性波の波長となる。圧電基板１２、１３として回転ＹカットＸ伝搬ＬＴ基板を用いた場合、圧電基板１２、１３の結晶方位のＸ軸方向に弾性波は伝搬する。
図４（ａ）から図４（ｆ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。図４（ａ）のように、支持基板１１の第１主面に圧電基板１２を接合させる。圧電基板１２の接合は、直接接合で行ってもよいし、接着剤などを用いて行ってもよい。直接接合で行う場合、例えば常温での表面活性化接合によって行ってもよい。直接接合で行う場合、支持基板１１と圧電基板１２とは、支持基板１１と圧電基板１２との境界において、支持基板１１を構成する原子と圧電基板１２を構成する原子とがアモルファス層（不図示）を形成することにより強固に接合される。
図４（ｂ）のように、支持基板１１の第２主面に圧電基板１３を接合させる。圧電基板１３の接合は、圧電基板１２の場合と同様、直接接合で行ってもよいし、接着剤などを用いて行ってもよく、直接接合で行う場合、例えば常温での表面活性化接合によって行ってもよい。直接接合で行う場合、支持基板１１と圧電基板１３とは、支持基板１１と圧電基板１３との境界において、支持基板１１を構成する原子と圧電基板１３を構成する原子とがアモルファス層（不図示）を形成することにより強固に接合される。
図４（ｃ）のように、支持基板１１に圧電基板１２、１３を接合した後、圧電基板１２、１３に対して研磨（例えばＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）研磨）を行って、圧電基板１２、１３を薄くする。支持基板１１と圧電基板１２、１３とからなる接合基板１０が形成される。その後、圧電基板１２の支持基板１１に接合された面とは反対側の面にＩＤＴ２１を有する弾性波共振器２０を形成する。ＩＤＴ２１の形成は、一般的な方法を用いることができる。
図４（ｄ）のように、圧電基板１２に形成した弾性波共振器２０を覆う保護膜２８を形成する。保護膜２８は、例えばレジスト膜を用いることができる。
図４（ｅ）のように、保護膜２８を形成した後、圧電基板１３の支持基板１１に接合された面とは反対側の面にＩＤＴ２３を有する弾性波共振器２２を形成する。ＩＤＴ２３の形成は、一般的な方法を用いることができる。
図４（ｆ）のように、保護膜２８を除去する。これにより、実施例１の弾性波デバイス１００が形成される。
実施例１によれば、図２のように、支持基板１１の第１主面に単結晶基板からなる圧電基板１２が接合され、支持基板１１の第２主面に単結晶基板からなる圧電基板１３が接合されている。圧電基板１２の支持基板１１が接合された面とは反対側の面にＩＤＴ２１を有する弾性波共振器２０が設けられ、圧電基板１３の支持基板１１が接合された面とは反対側の面にＩＤＴ２３を有する弾性波共振器２２が設けられている。これにより、ＩＤＴ２１から発生したバルク波２９は、支持基板１１で反射して、ＩＤＴ２３に入射することが抑制される。ＩＤＴ２３から発生したバルク波２９についても同様に、ＩＤＴ２１に入射することが抑制される。したがって、ＩＤＴ２１、２３で励振される弾性表面波とバルク波２９とが干渉することを抑制できる。よって、弾性波共振器２０、２２の特性にスプリアスが発生することを抑制でき、弾性波共振器２０、２２の特性の劣化を抑制することができる。
また、実施例１によれば、支持基板１１はサファイア基板からなり、圧電基板１２、１３はＬＴ基板からなる。このように、ＩＤＴ２１、２３から発生したバルク波２９が支持基板１１で反射され易くなるよう、支持基板１１の音響インピーダンスは、圧電基板１２、１３の音響インピーダンスよりも高い場合が好ましい。
また、実施例１によれば、圧電基板１２、１３は回転ＹカットＸ伝搬ＬＴ基板からなり、図２のように、圧電基板１２の結晶方位のＸ軸方向（実線矢印）と圧電基板１３の結晶方位のＸ軸方向（破線矢印）とは同じ方向を向いている。ＬＴ基板は結晶軸方向によって熱膨張係数が異なり、Ｘ軸方向及びＹ軸方向は１６．１ｐｐｍ／℃であり、Ｚ軸方向は４．１ｐｐｍ／℃である。したがって、圧電基板１２と圧電基板１３とは熱膨張係数の大きい方向が同じ方向を向いている。圧電基板１２と圧電基板１３の熱膨張係数は等しいことから、圧電基板１２と支持基板１１との熱膨張係数の差によって生じる応力が、圧電基板１３と支持基板１１との熱膨張係数の差によって生じる応力によって打ち消される。したがって、接合基板１０の温度変化による反りを抑制することができる。なお、ニオブ酸リチウム（ＬＮ）基板も結晶軸方向によって熱膨張係数が異なり、Ｘ軸方向及びＹ軸方向は１５．４ｐｐｍ／℃であり、Ｚ軸方向は７．５ｐｐｍ／℃であることから、圧電基板１２、１３が回転ＹカットＸ伝搬ＬＮ基板である場合でも、結晶方位のＸ軸方向を同じ方向にすることで、反り抑制の効果が得られる。また、圧電基板１２、１３の一方が回転ＹカットＸ伝搬ＬＴ基板で、他方が回転ＹカットＸ伝搬ＬＮ基板の場合でも、結晶方位のＸ軸方向を同じ方向にすることで、反り抑制の効果が得られる。
なお、実施例１において、圧電基板１２、１３として、３４°〜４８°回転ＹカットＸ伝搬ＬＴ基板や、１２０°〜１３０°回転ＹカットＸ伝搬ＬＮ基板などを用いてもよい。また、圧電基板１２と圧電基板１３とは、同じ材料からなる場合に限られず、異なる材料からなる場合でもよい。圧電基板１２と圧電基板１３とが同じ材料からなる場合、カット角は同じでもよいし、異なっていてもよい。支持基板１１として、サファイア基板の他に、シリコン基板、スピネル基板、酸化アルミニウム基板、又はガラス基板などを用いてもよい。ＩＤＴ２１、２３としては、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、アルミニウム（Ａｌ）、及びこれらの合金の単層膜や積層膜を用いてもよい。
図５は、実施例２に係る弾性波デバイスの斜視図である。なお、実施例２においても、実施例１と同じく、弾性波共振器２０、２２が設けられているが、図５では図示を省略している。図５のように、実施例２の弾性波デバイス２００では、回転ＹカットＸ伝搬ＬＴ基板からなる圧電基板１２の結晶方位のＸ軸方向（実線矢印）と、回転ＹカットＸ伝搬ＬＴ基板からなる圧電基板１３の結晶方位のＸ軸方向（破線矢印）とが、ほぼ直交している。
実施例２によれば、圧電基板１２、１３は、回転ＹカットＸ伝搬ＬＴ基板からなり、圧電基板１２の結晶方位のＸ軸方向と圧電基板１３の結晶方位のＸ軸方向とが異なる方向を向いている。上述したように、圧電基板１２、１３として回転ＹカットＸ伝搬ＬＴ基板を用いた場合、弾性波は結晶方位のＸ軸方向に伝搬する。したがって、実施例２では、圧電基板１２に設けられた弾性波共振器２０の弾性波伝搬方向と圧電基板１３に設けられた弾性波共振器２２の弾性波伝搬方向とは、ほぼ直交する。このため、例えば弾性波共振器２０、２２の一方から発生したバルク波の一部が、接合基板１０を介して、他方の弾性波共振器に入射した場合でも、他方の弾性波共振器で励振される弾性表面波と接合基板１０を介して入射されたバルク波とはほぼ直交する方向であるため、波の干渉が抑制される。よって、弾性波共振器の特性の劣化を抑制することができる。
なお、実施例２では、圧電基板１２、１３が回転ＹカットＸ伝搬ＬＴ基板からなる場合を例に示したが、圧電基板１２、１３が回転ＹカットＸ伝搬ＬＮ基板からなる場合や、圧電基板１２、１３の一方が回転ＹカットＸ伝搬ＬＴ基板で他方が回転ＹカットＸ伝搬ＬＮ基板からなる場合でも、同様の効果が得られる。
図６（ａ）及び図６（ｂ）は、実施例３に係る弾性波デバイスの平面図である。図７は、実施例３に係る弾性波デバイスの断面図である。図６（ａ）は、圧電基板１２の支持基板１１に接合する面とは反対側の面の平面図、図６（ｂ）は圧電基板１３の支持基板１１に接合する面とは反対側の面の平面図である。なお、図６（ａ）及び図６（ｂ）では、共振器を簡略化して図示している。
実施例３の弾性波デバイス３００では、図６（ａ）のように、圧電基板１２に、弾性波共振器２０からなる１又は複数の直列共振器Ｓ１からＳ５が設けられている。直列共振器Ｓ１からＳ５は、パッド３１とパッド３２との間に配線３８を介して直列に接続されている。直列共振器Ｓ１からＳ５の間の配線３８にはパッド３３が接続されている。
図６（ｂ）のように、圧電基板１３に、弾性波共振器２２からなる１又は複数の並列共振器Ｐ１からＰ４が設けられている。並列共振器Ｐ１からＰ４それぞれの一方の櫛型電極２４は配線３９を介してパッド３７に接続され、他方の櫛型電極２４は配線３９を介してパッド３６に接続されている。また、圧電基板１３にパッド３４、３５が設けられている。
図６（ａ）から図７のように、接合基板１０を貫通するビア配線３０が設けられている。圧電基板１２に設けられたパッド３１は、ビア配線３０を介して、圧電基板１３に設けられたパッド３４に電気的に接続されている。圧電基板１２に設けられたパッド３２は、ビア配線３０を介して、圧電基板１３に設けられたパッド３５に電気的に接続されている。圧電基板１２に設けられたパッド３３は、ビア配線３０を介して、圧電基板１３に設けられたパッド３７に電気的に接続されている。
圧電基板１３の並列共振器Ｐ１からＰ４が設けられた面が平坦形状のパッケージ基板４０に対向するように、接合基板１０がバンプ４１によってパッケージ基板４０にフリップチップ実装されている。すなわち、パッド３４はパッケージ基板４０上面の入力パッドＩＮに接続され、パッド３５はパッケージ基板４０上面の出力パッドＯＵＴ（不図示）に接続され、パッド３６はパッケージ基板４０上面のグランドパッドＧＮＤに接続されている。したがって、実施例３の弾性波デバイス３００は、入力パッドＩＮと出力パッドＯＵＴ（不図示）との間に直列に接続された直列共振器Ｓ１からＳ５と、並列に接続された並列共振器Ｐ１からＰ４と、を備えるラダー型フィルタである。並列共振器Ｐ１からＰ４は、圧電基板１３とパッケージ基板４０との間の空隙４２に露出している。
パッケージ基板４０上に、接合基板１０を覆って封止する凹型形状のリッド４４が設けられている。直列共振器Ｓ１からＳ５は、圧電基板１２とリッド４４との間の空隙４３に露出している。リッド４４は、気密性の点から金属で形成されている場合が好ましいが、樹脂などのその他の部材で形成されていてもよい。
パッケージ基板４０の下面に、外部機器との電気的な接続に用いられるフットパッド４６が設けられている。パッケージ基板４０上面の入力パッドＩＮ、出力パッドＯＵＴ（不図示）、及びグランドパッドＧＮＤは、パッケージ基板４０を貫通するビア配線４５によって、パッケージ基板４０下面のフットパッド４６に電気的に接続されている。
実施例３によれば、圧電基板１２にラダー型フィルタを構成する１又は複数の直列共振器Ｓ１からＳ５が設けられ、圧電基板１３に当該ラダー型フィルタを構成する１又は複数の並列共振器Ｐ１からＰ４が設けられている。例えば、圧電基板１２に直列共振器と並列共振器との両方が設けられている場合、直列共振器の弾性波が伝搬する方向に並列共振器が配置され、並列共振器の弾性波が伝搬する方向に直列共振器が配置されるようになる。このため、直列共振器から発生したバルク波が支持基板１１で反射して並列共振器に入射し、並列共振器から発生したバルク波が支持基板１１で反射して直列共振器に入射し易くなる。一方、実施例３では、圧電基板１２に直列共振器Ｓ１からＳ５が設けられ、圧電基板１３に並列共振器Ｐ１からＰ４が設けられているため、直列共振器から発生したバルク波が並列共振器に入射すること、及び、並列共振器から発生したバルク波が直列共振器に入射することが抑制される。したがって、特性の劣化が抑制されたラダー型フィルタを得ることができる。
また、ラダー型フィルタの通過特性の低周波側のスカート特性は主に並列共振器により形成され、高周波側のスカート特性は主に直列共振器により形成される。例えば、低周波側のスカート特性は急峻性が求められ、高周波側のスカート特性はそれほど急峻性が求められず、その代わりに、フィルタの通過帯域が広くなるように設定されることが求められる場合がある。スカート特性の急峻化は電気機械結合係数を小さくすることにより実現でき、帯域幅の拡大は電気機械結合係数を大きくすることにより実現できる。実施例３では、圧電基板１２には直列共振器Ｓ１からＳ５のみが設けられ、並列共振器Ｐ１からＰ４は設けられていないため、例えば直列共振器Ｓ１からＳ５の電気機械結合係数を大きくすることが可能な材料やカット角の圧電基板を圧電基板１２に用いることができる。また、圧電基板１３には並列共振器Ｐ１からＰ４のみが設けられ、直列共振器Ｓ１からＳ５は設けられていないため、例えば並列共振器Ｐ１からＰ４の電気機械結合係数を小さくすることが可能な材料やカット角の圧電基板を圧電基板１３に用いることができる。したがって、実施例３によれば、低周波側又は高周波側のスカート特性を急峻にさせつつ、通過帯域の広帯域化を実現することができる。
スカート特性の急峻化と通過帯域幅の拡大とはトレードオフの関係にあることを踏まえると、圧電基板１２と圧電基板１３とは、カット角が異なり且つ同じ材料からなる場合や、異なる材料からなる場合が好ましい。例えば、圧電基板１２、１３にカット角の異なる回転ＹカットＸ伝搬ＬＴ基板又は回転ＹカットＸ伝搬ＬＮ基板を用いる場合や、圧電基板１２、１３の一方に回転ＹカットＸ伝搬ＬＴ基板を用い、他方に回転ＹカットＸ伝搬ＬＮ基板を用いる場合などが好ましい。
また、実施例３によれば、直列共振器Ｓ１からＳ５と並列共振器Ｐ１からＰ４との間の距離は、概ね接合基板１０の厚さ程度となる。よって、共振子間距離が長くなることが抑制され、通過特性を改善することができる。
図８は、実施例４に係る弾性波デバイスを示す図である。図８のように、実施例４の弾性波デバイス４００は、アンテナ端子Ａｎｔと受信端子Ｒｘとの間に接続された受信フィルタ５０と、アンテナ端子Ａｎｔと送信端子Ｔｘとの間に接続された送信フィルタ５１と、を備えるデュプレクサである。受信フィルタ５０と送信フィルタ５１とは、通過帯域が異なっている。受信フィルタ５０は、アンテナ端子Ａｎｔから入力された信号のうち受信帯域の信号を受信信号として受信端子Ｒｘに通過させ、他の帯域の信号を抑圧する。送信フィルタ５１は、送信端子Ｔｘから入力された信号のうち送信帯域の信号を送信信号としてアンテナ端子Ａｎｔに通過させ、他の帯域の信号を抑圧する。
実施例４に係る弾性波デバイスの断面図は、実施例３の図７と同様であるため説明を省略する。図９（ａ）から図９（ｃ）は、実施例４に係る弾性波デバイスの平面図である。図９（ａ）は、圧電基板１２の支持基板１１に接合する面とは反対側の面の平面図、図９（ｂ）は、圧電基板１３の支持基板１１に接合する面とは反対側の面の平面図、図９（ｃ）は、パッケージ基板４０の接合基板１０に対向する面の平面図である。なお、図９（ａ）及び図９（ｂ）では、共振器を簡略化して図示している。
図９（ａ）のように、圧電基板１２に、弾性波共振器２０からなる１又は複数の直列共振器Ｓ１１からＳ１２ｂと、弾性波共振器２０からなる１又は複数の並列共振器Ｐ１１からＰ１３と、を備える受信フィルタ５０が設けられている。受信フィルタ５０は、ラダー型フィルタである。直列共振器Ｓ１１からＳ１２ｂは、パッド５２とパッド５３との間に配線５９を介して直列に接続されている。並列共振器Ｐ１１からＰ１３の一方の櫛型電極２４は配線５９を介してパッド５４に接続され、他方の櫛型電極２４は配線５９を介して直列共振器に接続されている。なお、直列共振器Ｓ１２ａ、Ｓ１２ｂは、１つの直列共振器が分割された分割共振器であり、ほぼ同じ共振周波数及びほぼ同じ容量を有する。直列共振器Ｓ１２ａ、Ｓ１２ｂの容量は、分割前の直列共振器の容量のほぼ２倍である。
図９（ｂ）のように、圧電基板１３に、弾性波共振器２２からなる１又は複数の直列共振器Ｓ２１からＳ２３と、弾性波共振器２２からなる１又は複数の並列共振器Ｐ２１、Ｐ２２と、を備える送信フィルタ５１が設けられている。送信フィルタ５１は、ラダー型フィルタである。直列共振器Ｓ２１からＳ２３は、パッド５５とパッド５６との間に配線６０を介して直列に接続されている。並列共振器Ｐ２１、Ｐ２２の一方の櫛型電極２４は配線６０を介してパッド５７に接続され、他方の櫛型電極２４は配線６０を介して直列共振器に接続されている。また、圧電基板１３には、その他のパッド５８も設けられている。
図９（ｃ）のように、パッケージ基板４０に、アンテナパッドＡｎｔ、送信パッドＴｘ、受信パッドＲｘ、及びグランドパッドＧＮＤが設けられている。アンテナパッドＡｎｔには、バンプ４１及びビア配線３０を介して、圧電基板１２に設けられたパッド５２と圧電基板１３に設けられたパッド５５とが接続されている。送信パッドＴｘには、バンプ４１を介して、圧電基板１３に設けられたパッド５６が接続されている。受信パッドＲｘには、バンプ４１及びビア配線３０を介して、圧電基板１２に設けられたパッド５３が接続されている。グランドパッドＧＮＤには、バンプ４１及びビア配線３０を介して、圧電基板１２に設けられたパッド５４と圧電基板１３に設けられたパッド５７が接続されている。
実施例４によれば、アンテナ端子Ａｎｔと受信端子Ｒｘとの間に接続された受信フィルタ５０が圧電基板１２に設けられ、アンテナ端子Ａｎｔと送信端子Ｔｘとの間に接続された送信フィルタ５１が圧電基板１３に設けられている。このため、圧電基板１２に受信フィルタ５０に適した材料やカット角の圧電基板を用いることができ、圧電基板１３に送信フィルタ５１に適した材料やカット角の圧電基板を用いることができる。例えば、圧電基板１２に４２°ＹカットＸ伝搬ＬＴ基板を用い、圧電基板１３に４６°ＹカットＸ伝搬ＬＴ基板を用いるなど、圧電基板１２と圧電基板１３とをカット角が異なり且つ同じ材料からなる圧電基板とすることができる。また、圧電基板１２及び圧電基板１３の一方に回転ＹカットＸ伝搬ＬＴ基板を用い、他方に回転ＹカットＸ伝搬ＬＮ基板を用いるなど、圧電基板１２と圧電基板１３とを異なる材料からなる圧電基板とすることができる。このため、実施例４によれば、受信フィルタ５０及び送信フィルタ５１の特性を向上させることができる。
また、実施例４によれば、接合基板１０の両主面に受信フィルタ５０と送信フィルタ５１とが設けられているため、受信フィルタ５０と送信フィルタ５１とが別々のチップに設けられている場合に比べて、デバイスの小型化ができる。
実施例４では、圧電基板１２の結晶方位のＸ軸方向と圧電基板１３の結晶方位のＸ軸方向とが同じ方向を向いている場合を例に示したが、異なる方向を向いている場合でもよい。図１０（ａ）及び図１０（ｂ）は、実施例４の変形例１に係る弾性波デバイスの平面図である。図１０（ａ）は、圧電基板１２の支持基板１１に接合する面とは反対側の面の平面図、図１０（ｂ）は、圧電基板１３の支持基板１１に接合する面とは反対側の面の平面図である。なお、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）では、共振器を簡略化して図示している。
図１０（ａ）のように、圧電基板１２は、結晶方位のＸ軸方向が長手方向となる長方形形状をしている。圧電基板１２に、受信フィルタ５０を構成する直列共振器Ｓ１１からＳ１５と、並列共振器Ｐ１１からＰ１３と、が設けられている。
図１０（ｂ）のように、圧電基板１３は、結晶方位のＸ軸方向が短手方向となる長方形形状をしている。圧電基板１３に、送信フィルタ５１を構成する直列共振器Ｓ２１からＳ２５と、並列共振器Ｐ２１からＰ２３と、が設けられている。
図１１（ａ）及び図１１（ｂ）は、受信フィルタを構成する共振器と送信フィルタを構成する共振器とを重ねた平面図である。図１１（ａ）は、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）のように、圧電基板１２、１３の結晶方位のＸ軸方向がほぼ直交する場合の平面図である。図１１（ｂ）は、圧電基板１２、１３の結晶方位のＸ軸方向がほぼ同じ方向である場合の平面図である。図１１（ａ）及び図１１（ｂ）において、圧電基板１２に設けられた受信フィルタ５０を構成する共振器を実線で示し、圧電基板１３に設けられた送信フィルタ５１を構成する共振器を破線で示している。受信フィルタ５０の共振器と送信フィルタ５１の共振器とが重なる領域６１をクロスハッチで示している。圧電基板１２の結晶方位のＸ軸方向を実線矢印で示し、圧電基板１３の結晶方位のＸ軸方向を破線矢印で示している。
図１１（ａ）のように圧電基板１２、１３の結晶方位のＸ軸方向が異なる方向を向いている（例えば、ほぼ直交する）場合は、図１１（ｂ）のようにＸ軸方向がほぼ同じ方向を向いている場合に比べて、受信フィルタ５０の共振器と送信フィルタ５１の共振器とが重なる領域６１の面積を小さくすることができる。このため、受信フィルタ５０の共振器と送信フィルタ５１の共振器との間の寄生容量を低減することができ、アイソレーション特性を向上させることができる。
なお、実施例４では、圧電基板１２、１３に設けられたフィルタがラダー型フィルタの場合を例に示したが、これに限られず、例えばダブルモード型フィルタなどの場合でもよい。また、圧電基板１２、１３の一方に受信フィルタが設けられ、他方に送信フィルタが設けられたデュプレクサの場合に限られず、圧電基板１２、１３の両方に受信フィルタが設けられた場合や、両方に送信フィルタが設けられた場合などのデュアルフィルタの場合でもよい。
実施例５は、実施例４と同じくデュプレクサの例である。実施例５の弾性波デバイスの断面図は、実施例３の図７と同様であるため説明を省略する。図１２は、実施例５に係る弾性波デバイスの平面図である。図１２では、圧電基板１２の支持基板１１に接合した面とは反対側の面の平面図、及び、圧電基板１３の支持基板１１に接合した面とは反対側の面の平面図を示している。なお、図１２では、共振器を簡略化して図示している。
図１２のように、実施例５の弾性波デバイス５００は、圧電基板１２に、受信フィルタ５０を構成する直列共振器Ｓ１１からＳ１４と、送信フィルタ５１を構成する並列共振器Ｐ２１からＰ２３と、が設けられている。圧電基板１２に設けられた配線６２は、直列共振器Ｓ１１からＳ１４及び並列共振器Ｐ２１からＰ２３に接続されている。圧電基板１３に、受信フィルタ５０を構成する並列共振器Ｐ１１からＰ１３と、送信フィルタ５１を構成する直列共振器Ｓ２１からＳ２４と、が設けられている。圧電基板１３に設けられた配線６３は、並列共振器Ｐ１１からＰ１３及び直列共振器Ｓ２１からＳ２４に接続されている。
受信フィルタ５０を構成する直列共振器Ｓ１１からＳ１４と並列共振器Ｐ１１からＰ１３とは、ビア配線３０を介して電気的に接続されている。送信フィルタ５１を構成する直列共振器Ｓ２１からＳ２４と並列共振器Ｐ２１からＰ２３とは、ビア配線３０を介して電気的に接続されている。アンテナ端子Ａｎｔ、送信端子Ｔｘ、受信端子Ｒｘ、及びグランド端子ＧＮＤは、図９（ｃ）のアンテナパッドＡｎｔ、送信パッドＴｘ、受信パッドＲｘ、及びグランドパッドＧＮＤに対応する。
実施例５によれば、圧電基板１２に、受信フィルタ５０を構成する直列共振器Ｓ１１からＳ１４と、送信フィルタ５１を構成する並列共振器Ｐ２１からＰ２３と、が設けられている。圧電基板１３に、受信フィルタ５０を構成する並列共振器Ｐ１１からＰ１３と、送信フィルタ５１を構成する直列共振器Ｓ２１からＳ２４と、が設けられている。受信フィルタ５０の通過特性の低周波側のスカート特性は主に並列共振器Ｐ１１からＰ１３により形成され、高周波側のスカート特性は主に直列共振器Ｓ１１からＳ１４により形成される。送信フィルタ５１の通過特性の低周波側のスカート特性は主に並列共振器Ｐ２１からＰ２３により形成され、高周波側のスカート特性は主に直列共振器Ｓ２１からＳ２４により形成される。送信帯域と受信帯域との間のガードバンドが狭い場合、ガードバンド側のスカート特性は急峻であることが好ましい。スカート特性の急峻化は、上述したように、電気機械結合係数を小さくすることにより実現できる。例えば受信帯域が送信帯域よりも高い場合、受信フィルタ５０の並列共振器Ｐ１１からＰ１３及び送信フィルタ５１の直列共振器Ｓ２１からＳ２４は、電気機械結合係数が小さいことが好ましい。受信フィルタ５０の並列共振器Ｐ１１からＰ１３及び送信フィルタ５１の直列共振器Ｓ２１からＳ２４は圧電基板１３に設けられていることから、圧電基板１３に材料やカット角が適切な圧電基板を用いることで、受信フィルタ５０の並列共振器Ｐ１１からＰ１３及び送信フィルタ５１の直列共振器Ｓ２１からＳ２４及びの電気機械結合係数を小さくすることができる。
一方、ガードバンドと反対側のスカート特性は、ガードバンド側に比べ急峻性がそれほど要求されない。その代わりに、フィルタの通過帯域がなるべく広くなるように設定されることが好ましい。帯域幅の拡大は、上述したように、電気機械結合係数を大きくすることにより実現できる。例えば受信帯域が送信帯域よりも高い場合、受信フィルタ５０の直列共振器Ｓ１１からＳ１４及び送信フィルタ５１の並列共振器Ｐ２１からＰ２３は、電気機械結合係数が大きいことが好ましい。受信フィルタ５０の直列共振器Ｓ１１からＳ１４及び送信フィルタ５１の並列共振器Ｐ２１からＰ２３は圧電基板１２に設けられていることから、圧電基板１２に材料やカット角が適切な圧電基板を用いることで、受信フィルタ５０の直列共振器Ｓ１１からＳ１４及び送信フィルタ５１の並列共振器Ｐ２１からＰ２３の電気機械結合係数を大きくすることができる。
したがって、実施例５によれば、ガードバンド側のスカート特性の急峻化と、通過帯域の広帯域化と、の両立が可能となる。
なお、実施例５では、受信フィルタ５０と送信フィルタ５１とを備えるデュプレクサの場合を例に示したが、２つの受信フィルタを備えるデュアルフィルタや、２つの送信フィルタを備えるデュアルフィルタの場合でもよい。
実施例６は、クワッドプレクサの場合の例である。図１３は、実施例６に係る弾性波デバイスを示す図である。図１３のように、実施例６の弾性波デバイス６００は、第１デュプレクサ７０と第２デュプレクサ７３とを備える。第１デュプレクサ７０は、アンテナ端子Ａｎｔと受信端子Ｒｘ１との間に接続された第１受信フィルタ７１と、アンテナ端子Ａｎｔと送信端子Ｔｘ１との間に接続された第１送信フィルタ７２と、を備える。第２デュプレクサ７３は、アンテナ端子Ａｎｔと受信端子Ｒｘ２との間に接続された第２受信フィルタ７４と、アンテナ端子Ａｎｔと送信端子Ｔｘ２との間に接続された第２送信フィルタ７５と、を備える。第１受信フィルタ７１、第１送信フィルタ７２、第２受信フィルタ７４、及び第２送信フィルタ７５は、例えばラダー型フィルタやダブルモード型フィルタなどからなり、互いの通過帯域が異なっている。
図１４（ａ）は、実施例６に係る弾性波デバイスの平面図、図１４（ｂ）は、実施例６の変形例１に係る弾性波デバイスの平面図である。なお、図１４（ａ）及び図１４（ｂ）では、フィルタを簡略化して図示している。図１４（ａ）のように、実施例６の弾性波デバイスでは、圧電基板１２に、第１送信フィルタ７２と第２送信フィルタ７５が設けられ、圧電基板１３に、第１受信フィルタ７１と第２受信フィルタ７４とが設けられている。
実施例６のように、２つのデュプレクサの送信フィルタ及び受信フィルタのうちの一方が圧電基板１２に設けられ、他方が圧電基板１３に設けられたクワッドプレクサの場合でもよい。
図１４（ｂ）のように、実施例６の変形例１の弾性波デバイスでは、圧電基板１２に、第１送信フィルタ７２と第２受信フィルタ７４とが設けられ、圧電基板１３に、第２送信フィルタ７５と第１受信フィルタ７１とが設けられている。図２で示したように、圧電基板１２、支持基板１１、及び圧電基板１３によって接合基板１０が形成されていることから、第１受信フィルタ７１は接合基板１０の長手方向で対向する端面の一方寄りに配置され、第１送信フィルタ７２は他方寄りに配置されている。第２受信フィルタ７４は接合基板１０の長手方向で対向する端面の一方寄りに配置され、第２送信フィルタ７５は他方寄りに配置されている。
実施例６の変形例１によれば、圧電基板１３に設けられた第１受信フィルタ７１は接合基板１０の対向する端面の一方寄りに設けられ、圧電基板１２に設けられた第１送信フィルタ７２は他方寄りに設けられている。これにより、第１受信フィルタ７１と第１送信フィルタ７２とを離すことができ、第１デュプレクサ７０のアイソレーション特性を改善することができる。同様に、圧電基板１２に設けられた第２受信フィルタ７４は接合基板１０の対向する端面の一方寄りに設けられ、圧電基板１３に設けられた第２送信フィルタ７５は他方寄りに設けられている。これにより、第２受信フィルタ７４と第２送信フィルタ７５とを離すことができ、第２デュプレクサ７３のアイソレーション特性を改善することができる。
図１５は、実施例７に係る弾性波デバイスの断面図である。図１５のように、実施例７の弾性波デバイス７００では、凹型形状をしたパッケージ基板４０ａの凹部に、弾性波共振器２０、２２が設けられた接合基板１０が搭載されている。接合基板１０は、圧電基板１３の弾性波共振器２２が設けられた面がパッケージ基板４０ａに対向するように、バンプ４１によってパッケージ基板４０ａにフリップチップ実装されている。弾性波共振器２２は、圧電基板１３とパッケージ基板４０ａとの間の空隙４２に露出している。パッケージ基板４０ａの凹部を覆い、接合基板１０を封止する平坦形状のリッド４４ａが設けられている。リッド４４ａは、気密性の点から金属からなる場合が好ましいが、樹脂などの他の部材からなる場合でもよい。弾性波共振器２０は、圧電基板１２とリッド４４ａとの間の空隙４３に露出している。弾性波共振器２０と弾性波共振器２２とは、配線８３、パッド８２、ワイヤ８０、配線８１、バンプ４１、パッド８４、及び配線８５を介して電気的に接続されている。
図１６は、実施例８に係る弾性波デバイスの断面図である。図１６のように、実施例８の弾性波デバイス８００では、圧電基板１３の弾性波共振器２２が設けられた面が平坦形状のパッケージ基板４０ｂに対向するように、接合基板１０がパッケージ基板４０ｂにバンプ４１によってフリップチップ実装されている。弾性波共振器２２は、圧電基板１３とパッケージ基板４０ｂとの間の空隙４２に露出している。パッケージ基板４０ｂの下面には外部機器との接続に用いられるフットパッド９７が設けられている。バンプ４１及び弾性波共振器２２をまとめて囲む枠体９０が、圧電基板１３とパッケージ基板４０ｂとに接合して設けられている。これにより、弾性波共振器２２は、パッケージ基板４０ｂと枠体９０とによって封止されている。枠体９０は、気密性の点から金属からなる場合が好ましいが、樹脂などの他の部材からなる場合でもよい。
圧電基板１２の支持基板１１とは反対側の面上に、弾性波共振器２０を囲む枠体９１が設けられている。枠体９１上に、弾性波共振器２０が露出する空隙４３を有して平坦形状のリッド４４ｂが設けられている。これにより、弾性波共振器２０は、枠体９１とリッド４４ｂとによって封止されている。枠体９１及びリッド４４ｂは、気密性の点から金属からなる場合が好ましいが、樹脂などの他の部材からなる場合でもよい。
弾性波共振器２０は、配線９３、パッド９２、ビア配線３０、パッド９４、バンプ４１、パッド９６、ビア配線９８を介して、パッケージ基板４０ｂ裏面のフットパッド９７に電気的に接続されている。弾性波共振器２２は、配線９５、パッド９４、バンプ４１、パッド９６、ビア配線９８を介して、パッケージ基板４０ｂ裏面のフットパッド９７に電気的に接続されている。
図１７は、実施例９に係る弾性波デバイス９００の断面図である。図１７のように、実施例９の弾性波デバイス９００は、圧電基板１２の第１主面に、ＩＤＴ２１を有する弾性波共振器２０が設けられている。圧電基板１２の第１主面とは反対側の第２主面は、圧電基板１３の第１主面にアモルファス層又は接着剤層からなる層１４によって接合されている。圧電基板１２と圧電基板１３とが直接接合される場合、層１４はアモルファス層である。圧電基板１２と圧電基板１３とが接着剤で接合される場合、層１４は接着剤層である。層１４の厚さは、例えば０．５μｍ程度である。圧電基板１３の第１主面とは反対側の第２主面に、ＩＤＴ２３を有する弾性波共振器２２が設けられている。圧電基板１２、１３の厚さは同じ場合でもよいし、異なる場合でもよい。
実施例９によれば、第１主面にＩＤＴ２１を有する弾性波共振器２０が設けられた圧電基板１２の第２主面と、第２主面にＩＤＴ２３を有する弾性波共振器２２が設けられた圧電基板１３の第１主面とが、アモルファス層又は接着剤層からなる層１４によって接合されている。この場合でも、ＩＤＴ２１から発生したバルク波は層１４で反射してＩＤＴ２３に入射することが抑制され、ＩＤＴ２３から発生したバルク波は層１４で反射してＩＤＴ２１に入射することが抑制される。したがって、弾性波共振器２０、２２の特性の劣化を抑制することができる。
実施例９において、圧電基板１２、１３の材料、厚さ、及び結晶軸方向を同じにしてもよい。この場合、圧電基板１２、１３それぞれに生じた熱応力を打ち消し合うことができる。
実施例１から実施例９において、弾性波共振器２０、２２は、弾性表面波共振器の場合に限られず、ラブ波共振器や弾性境界波共振器の場合でもよい。
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
１０ 接合基板
１１ 支持基板
１２、１３ 圧電基板
１４ 層
２０、２２ 弾性波共振器
２１、２３ ＩＤＴ
２４ 櫛型電極
２５ 電極指
２６ バスバー
２７ 反射器
２８ 保護膜
２９ バルク波
３０ ビア配線
３１〜３７ パッド
３８、３９ 配線
４０〜４０ｂ パッケージ基板
４１ バンプ
４２、４３ 空隙
４４〜４４ｂ リッド
４５ ビア配線
４６ フットパッド
５０ 受信フィルタ
５１ 送信フィルタ
５２〜５８ パッド
５９、６０、６２、６３ 配線
７０ 第１デュプレクサ
７１ 第１受信フィルタ
７２ 第１送信フィルタ
７３ 第２デュプレクサ
７４ 第２受信フィルタ
７５ 第２送信フィルタ
８０ ワイヤ
８１、８３、８５ 配線
８２、８４ パッド
９０、９１ 枠体
９２、９４、９６ パッド
９３、９５ 配線
９７ フットパッド
９８ ビア配線
１１ 支持基板
１２、１３ 圧電基板
１４ 層
２０、２２ 弾性波共振器
２１、２３ ＩＤＴ
２４ 櫛型電極
２５ 電極指
２６ バスバー
２７ 反射器
２８ 保護膜
２９ バルク波
３０ ビア配線
３１〜３７ パッド
３８、３９ 配線
４０〜４０ｂ パッケージ基板
４１ バンプ
４２、４３ 空隙
４４〜４４ｂ リッド
４５ ビア配線
４６ フットパッド
５０ 受信フィルタ
５１ 送信フィルタ
５２〜５８ パッド
５９、６０、６２、６３ 配線
７０ 第１デュプレクサ
７１ 第１受信フィルタ
７２ 第１送信フィルタ
７３ 第２デュプレクサ
７４ 第２受信フィルタ
７５ 第２送信フィルタ
８０ ワイヤ
８１、８３、８５ 配線
８２、８４ パッド
９０、９１ 枠体
９２、９４、９６ パッド
９３、９５ 配線
９７ フットパッド
９８ ビア配線
Claims (12)
- 支持基板と、
前記支持基板の第１主面に接合され、単結晶基板からなる第１圧電基板と、
前記第１圧電基板の前記支持基板が接合された面とは反対側の面に設けられ、ＩＤＴを有する第１弾性波共振器と、
前記支持基板の前記第１主面とは反対側の第２主面に接合され、単結晶基板からなる第２圧電基板と、
前記第２圧電基板の前記支持基板が接合された面とは反対側の面に設けられ、ＩＤＴを有する第２弾性波共振器と、を備える、弾性波デバイス。 - 前記支持基板の音響インピーダンスは、前記第１圧電基板及び前記第２圧電基板の音響インピーダンスよりも高い、請求項１記載の弾性波デバイス。
- 前記第１圧電基板は、回転ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板又は回転ＹカットＸ伝搬ニオブ酸リチウム基板からなり、
前記第２圧電基板は、回転ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板又は回転ＹカットＸ伝搬ニオブ酸リチウム基板からなり、
前記第１圧電基板の結晶方位のＸ軸方向と前記第２圧電基板の結晶方位のＸ軸方向とは同じ方向を向いている、請求項１または２記載の弾性波デバイス。 - 前記第１圧電基板は、回転ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板又は回転ＹカットＸ伝搬ニオブ酸リチウム基板からなり、
前記第２圧電基板は、回転ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板又は回転ＹカットＸ伝搬ニオブ酸リチウム基板からなり、
前記第１圧電基板の結晶方位のＸ軸方向と前記第２圧電基板の結晶方位のＸ軸方向とは異なる方向を向いている、請求項１または２記載の弾性波デバイス。 - 前記第１圧電基板の前記反対側の面に設けられ、前記第１弾性波共振器からなり、ラダー型フィルタを構成する直列共振器と、
前記第２圧電基板の前記反対側の面に設けられ、前記第２弾性波共振器からなり、前記ラダー型フィルタを構成する並列共振器と、を備える、請求項１から４のいずれか一項記載の弾性波デバイス。 - 前記第１圧電基板の前記反対側の面に設けられ、前記第１弾性波共振器からなり、第１ラダー型フィルタを構成する直列共振器及び第２ラダー型フィルタを構成する並列共振器と、
前記第２圧電基板の前記反対側の面に設けられ、前記第２弾性波共振器からなり、前記第１ラダー型フィルタを構成する並列共振器及び前記第２ラダー型フィルタを構成する直列共振器と、を備える、請求項１から４のいずれか一項記載の弾性波デバイス。 - 前記第１ラダー型フィルタは、アンテナ端子と受信端子との間に接続され、デュプレクサを構成する受信フィルタであり、
前記第２ラダー型フィルタは、前記アンテナ端子と送信端子との間に接続され、前記デュプレクサを構成する送信フィルタである、請求項６記載の弾性波デバイス。 - 前記第１圧電基板の前記反対側の面に設けられ、前記第１弾性波共振器で構成された第１フィルタと、
前記第２圧電基板の前記反対側の面に設けられ、前記第２弾性波共振器で構成された第２フィルタと、を備える、請求項１から４のいずれか一項記載の弾性波デバイス。 - 前記第１フィルタは、アンテナ端子と受信端子との間に接続され、デュプレクサを構成する受信フィルタであり、前記第１圧電基板と前記支持基板と前記第２圧電基板とが接合された接合基板の対向する端面の一方寄りに設けられ、
前記第２フィルタは、前記アンテナ端子と送信端子との間に接続され、前記デュプレクサを構成する送信フィルタであり、前記接合基板の前記対向する端面の他方寄りに設けられている、請求項８記載の弾性波デバイス。 - 前記第１圧電基板と前記第２圧電基板とは、同じ材料からなり且つカット角が異なる、請求項５から９のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
- 前記第１圧電基板と前記第２圧電基板とは、異なる材料からなる、請求項５から９のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
- 第１圧電基板と、
前記第１圧電基板の第１主面に設けられ、ＩＤＴを有する第１弾性波共振器と、
前記第１圧電基板の前記第１主面とは反対側の第２主面に第１主面が接合された第２圧電基板と、
前記第２圧電基板の前記第１主面とは反対側の第２主面に設けられ、ＩＤＴを有する第２弾性波共振器と、
前記第１圧電基板の前記第２主面と前記第２圧電基板の前記第１主面とを接合するアモルファス層又は接着剤層からなる層と、を備える弾性波デバイス。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016113447A JP6534366B2 (ja) | 2016-06-07 | 2016-06-07 | 弾性波デバイス |
| US15/603,774 US10250231B2 (en) | 2016-06-07 | 2017-05-24 | Acoustic wave device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016113447A JP6534366B2 (ja) | 2016-06-07 | 2016-06-07 | 弾性波デバイス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2017220778A true JP2017220778A (ja) | 2017-12-14 |
| JP6534366B2 JP6534366B2 (ja) | 2019-06-26 |
Family
ID=60483936
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016113447A Active JP6534366B2 (ja) | 2016-06-07 | 2016-06-07 | 弾性波デバイス |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10250231B2 (ja) |
| JP (1) | JP6534366B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019098043A1 (ja) | 2017-11-16 | 2019-05-23 | 三菱瓦斯化学株式会社 | パターニングされた金属箔付き積層体の製造方法及びパターニングされた金属箔付き積層体 |
| JP2020043442A (ja) * | 2018-09-10 | 2020-03-19 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス |
| JP2020053812A (ja) * | 2018-09-26 | 2020-04-02 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス |
| JP2021013133A (ja) * | 2019-07-09 | 2021-02-04 | 国立大学法人東北大学 | 振動子およびセンサ素子 |
| WO2022075415A1 (ja) * | 2020-10-08 | 2022-04-14 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
| WO2022131076A1 (ja) * | 2020-12-18 | 2022-06-23 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG10201905013VA (en) | 2018-06-11 | 2020-01-30 | Skyworks Solutions Inc | Acoustic wave device with spinel layer |
| WO2020090230A1 (ja) * | 2018-11-01 | 2020-05-07 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュールおよび通信装置 |
| US12063027B2 (en) | 2018-11-21 | 2024-08-13 | Skyworks Solutions, Inc. | Acoustic wave device with ceramic substrate |
| US11621690B2 (en) * | 2019-02-26 | 2023-04-04 | Skyworks Solutions, Inc. | Method of manufacturing acoustic wave device with multi-layer substrate including ceramic |
| CN113574658A (zh) * | 2019-03-13 | 2021-10-29 | 株式会社村田制作所 | 高频模块和通信装置 |
| CN111030626A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-04-17 | 武汉衍熙微器件有限公司 | 声波器件的制作方法及声波器件 |
| CN112187212B (zh) * | 2020-09-18 | 2021-12-07 | 杭州星阖科技有限公司 | 一种声学谐振器组件及滤波器 |
| US20240213958A1 (en) * | 2022-12-21 | 2024-06-27 | RF360 Europe GmbH | Vertically coupled saw resonators |
Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002009584A (ja) * | 2000-06-23 | 2002-01-11 | Hitachi Ltd | 弾性表面波素子 |
| JP2006186747A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-13 | Nec Corp | 弾性波デバイスおよび携帯電話 |
| JP2007060465A (ja) * | 2005-08-26 | 2007-03-08 | Seiko Epson Corp | 薄膜弾性表面波デバイス |
| JP2007228011A (ja) * | 2006-02-21 | 2007-09-06 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波素子、弾性表面波装置および電子機器 |
| JP2010098551A (ja) * | 2008-10-17 | 2010-04-30 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | デュプレクサ |
| JP2010200197A (ja) * | 2009-02-27 | 2010-09-09 | Panasonic Corp | 弾性表面波デバイス |
| WO2010103713A1 (ja) * | 2009-03-10 | 2010-09-16 | 株式会社 村田製作所 | 弾性表面波素子 |
| JP2012105191A (ja) * | 2010-11-12 | 2012-05-31 | Taiyo Yuden Co Ltd | 弾性波デバイス |
| JP2013110655A (ja) * | 2011-11-22 | 2013-06-06 | Taiyo Yuden Co Ltd | デュプレクサ |
| JP2013118611A (ja) * | 2011-11-04 | 2013-06-13 | Taiyo Yuden Co Ltd | 分波器、フィルタ及び通信モジュール |
| WO2013118532A1 (ja) * | 2012-02-06 | 2013-08-15 | 株式会社村田製作所 | フィルタ装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11136081A (ja) | 1997-10-27 | 1999-05-21 | Kyocera Corp | 弾性表面波装置 |
| US8304078B2 (en) * | 2005-09-12 | 2012-11-06 | Saxon Glass Technologies, Inc. | Chemically strengthened lithium aluminosilicate glass having high strength effective to resist fracture upon flexing |
-
2016
- 2016-06-07 JP JP2016113447A patent/JP6534366B2/ja active Active
-
2017
- 2017-05-24 US US15/603,774 patent/US10250231B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002009584A (ja) * | 2000-06-23 | 2002-01-11 | Hitachi Ltd | 弾性表面波素子 |
| JP2006186747A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-13 | Nec Corp | 弾性波デバイスおよび携帯電話 |
| JP2007060465A (ja) * | 2005-08-26 | 2007-03-08 | Seiko Epson Corp | 薄膜弾性表面波デバイス |
| JP2007228011A (ja) * | 2006-02-21 | 2007-09-06 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波素子、弾性表面波装置および電子機器 |
| JP2010098551A (ja) * | 2008-10-17 | 2010-04-30 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | デュプレクサ |
| JP2010200197A (ja) * | 2009-02-27 | 2010-09-09 | Panasonic Corp | 弾性表面波デバイス |
| WO2010103713A1 (ja) * | 2009-03-10 | 2010-09-16 | 株式会社 村田製作所 | 弾性表面波素子 |
| JP2012105191A (ja) * | 2010-11-12 | 2012-05-31 | Taiyo Yuden Co Ltd | 弾性波デバイス |
| JP2013118611A (ja) * | 2011-11-04 | 2013-06-13 | Taiyo Yuden Co Ltd | 分波器、フィルタ及び通信モジュール |
| JP2013110655A (ja) * | 2011-11-22 | 2013-06-06 | Taiyo Yuden Co Ltd | デュプレクサ |
| WO2013118532A1 (ja) * | 2012-02-06 | 2013-08-15 | 株式会社村田製作所 | フィルタ装置 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019098043A1 (ja) | 2017-11-16 | 2019-05-23 | 三菱瓦斯化学株式会社 | パターニングされた金属箔付き積層体の製造方法及びパターニングされた金属箔付き積層体 |
| JP2020043442A (ja) * | 2018-09-10 | 2020-03-19 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス |
| JP7231360B2 (ja) | 2018-09-10 | 2023-03-01 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス |
| JP2020053812A (ja) * | 2018-09-26 | 2020-04-02 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス |
| JP7231368B2 (ja) | 2018-09-26 | 2023-03-01 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス |
| JP2021013133A (ja) * | 2019-07-09 | 2021-02-04 | 国立大学法人東北大学 | 振動子およびセンサ素子 |
| WO2022075415A1 (ja) * | 2020-10-08 | 2022-04-14 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
| WO2022131076A1 (ja) * | 2020-12-18 | 2022-06-23 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20170353173A1 (en) | 2017-12-07 |
| US10250231B2 (en) | 2019-04-02 |
| JP6534366B2 (ja) | 2019-06-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6534366B2 (ja) | 弾性波デバイス | |
| JP7169083B2 (ja) | 弾性波デバイスおよびマルチプレクサ | |
| JP6566033B2 (ja) | マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置 | |
| JP6556663B2 (ja) | 弾性波デバイス | |
| JP6934324B2 (ja) | 弾性波デバイス | |
| JP6454299B2 (ja) | 弾性波デバイス | |
| US9484883B2 (en) | Acoustic wave device and fabrication method of the same | |
| JP6461036B2 (ja) | 弾性波デバイス | |
| JP6427075B2 (ja) | 弾性波デバイス、分波器、及びモジュール | |
| JP7084744B2 (ja) | 弾性波デバイス、モジュールおよびマルチプレクサ | |
| JP5991785B2 (ja) | 弾性波デバイス | |
| JP6534406B2 (ja) | マルチプレクサ | |
| JP7370146B2 (ja) | 弾性波デバイス、フィルタおよびマルチプレクサ | |
| US20220385270A1 (en) | Surface acoustic wave device | |
| JP7231360B2 (ja) | 弾性波デバイス | |
| JP2023004705A (ja) | 弾性波デバイス、フィルタおよびマルチプレクサ | |
| WO2020009121A1 (ja) | 弾性波装置 | |
| JP6949607B2 (ja) | 弾性波デバイス | |
| JP7347989B2 (ja) | マルチプレクサ | |
| JP6886264B2 (ja) | 弾性波デバイス並びに複合基板およびその製造方法 | |
| JP6368332B2 (ja) | フィルタおよびデュプレクサ | |
| JP2020191535A (ja) | 弾性波デバイス、フィルタおよびマルチプレクサ | |
| JP4947156B2 (ja) | 弾性波デュプレクサ | |
| JP2018101955A (ja) | 弾性波デバイス |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180207 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20181114 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20181204 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190204 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190507 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190528 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6534366 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |