WO2020090230A1 - 高周波モジュールおよび通信装置 - Google Patents

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WO2020090230A1
WO2020090230A1 PCT/JP2019/035132 JP2019035132W WO2020090230A1 WO 2020090230 A1 WO2020090230 A1 WO 2020090230A1 JP 2019035132 W JP2019035132 W JP 2019035132W WO 2020090230 A1 WO2020090230 A1 WO 2020090230A1
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reception
transmission
main surface
terminal
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佑二 竹松
孝紀 上嶋
翔 松本
原田　哲郎
大 中川
直也 松本
佐々木　豊
裕基 福田
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株式会社村田製作所
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Definitions

  • the present invention relates to a high frequency module and a communication device.
  • Patent Document 1 discloses a high-frequency module in which a plurality of electronic components are mounted in an internal space sandwiched between two boards. More specifically, a configuration in which a transmission filter is mounted on one mounting board and a reception filter is mounted on the other mounting board is disclosed. The one mounting board and the other mounting board are arranged such that their main surfaces face each other. According to the above configuration, it is possible to reduce the size of the high frequency module while suppressing the interference between the transmission signal and the reception signal.
  • the transmission filter is mounted on one mounting board, and the reception filter is mounted on the other mounting board.
  • the structure is suitable for miniaturization.
  • the common terminal is arranged on one of the mounting board and the other mounting board, the transmission wiring from the output terminal of the transmission filter to the common terminal and the reception wiring from the input terminal of the reception filter to the common terminal Since each of them goes through one mounting board or the other mounting board, there is a problem that the total length of the transmission wiring and the reception wiring is not long and the transmission loss of the high frequency signal becomes large. ..
  • the present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a high frequency module and a communication device that are downsized and have a reduced transmission loss of a high frequency signal.
  • a high-frequency module includes a first mounting board having a first main surface and a second main surface facing each other, and a third main surface and a fourth main surface facing each other.
  • a second mounting board having a surface, the third main surface facing the second main surface, a first mounting surface and a first top surface facing each other, and the first mounting board and the second mounting board.
  • a transmission filter disposed in an internal space sandwiched between the mounting substrate and the first mounting surface so as to face the second main surface; and a second mounting surface and a second top surface that face each other.
  • a reception filter disposed in the internal space and mounted so that the second mounting surface faces the third main surface, and the transmission filter disposed in the first main surface or the fourth main surface. Electrically connected to the output terminal and the input terminal of the receiving filter At least a part of the transmission filter and the reception filter overlap each other when the first mounting substrate and the second mounting substrate are viewed from above, and an output terminal of the transmission filter. Is disposed on the first top surface, the input terminal of the reception filter is disposed on the second top surface, and the output terminal of the transmission filter and the input terminal of the reception filter are disposed in the internal space. They are connected by a conductive member that does not pass through the first mounting board and the second mounting board.
  • the present invention it is possible to provide a high-frequency module and a communication device that are downsized and have a reduced transmission loss of high-frequency signals.
  • FIG. 1 is a circuit configuration diagram of a high frequency module and a communication device according to an embodiment.
  • FIG. 2A is a schematic cross-sectional configuration diagram of the high-frequency module according to the first embodiment.
  • FIG. 2B is a first plane configuration schematic diagram of the high-frequency module according to the first embodiment.
  • FIG. 2C is a schematic diagram of a second plane configuration of the high-frequency module according to the first embodiment.
  • FIG. 3 is an enlarged cross-sectional schematic diagram illustrating the conductive characteristics of the anisotropic conductive film.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional configuration diagram of a high frequency module according to Modification 1 of the embodiment.
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional configuration diagram of a high frequency module according to Modification 2 of the embodiment.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional configuration diagram of a high frequency module according to Modification 1 of the embodiment.
  • FIG. 6 is a schematic cross-sectional configuration diagram of a high frequency module according to Modification 3 of the embodiment.
  • FIG. 7 is a schematic cross-sectional configuration diagram of a high frequency module according to Modification 4 of the embodiment.
  • FIG. 8 is a schematic cross-sectional configuration diagram of a high frequency module according to Modification 5 of the embodiment.
  • a and B are connected means that (1) A and B are directly or (2) via a conductive film (A and B are Are in contact with the front surface and the back surface of the conductor film, respectively). Further, “A and B are electrically connected” means that A and B do not have to be in direct contact with each other, and A and B are indirectly connected via a conductive wiring. Is defined as including.
  • FIG. 1 is a circuit configuration diagram of a high frequency module 1 and a communication device 8 according to an embodiment.
  • the communication device 8 includes a high frequency module 1, an antenna element 5, an RF signal processing circuit (RFIC) 6, and a baseband signal processing circuit (BBIC) 7.
  • RFIC RF signal processing circuit
  • BBIC baseband signal processing circuit
  • the RFIC 6 is an RF signal processing circuit that processes high frequency signals transmitted and received by the antenna element 5. Specifically, the RFIC 6 performs signal processing on the high frequency reception signal input via the reception signal path (path formed by the reception filter 22, the LNA 21 and the reception output terminal 120) of the high frequency module 1 by down conversion or the like. , And outputs the received signal generated by the signal processing to the BBIC 7. Further, the RFIC 6 performs signal processing on the transmission signal input from the BBIC 7 by up-conversion or the like, and outputs the high frequency transmission signal generated by the signal processing to the transmission signal path (transmission input terminal 110, PA 11 and transmission) of the high frequency module 1. It is output to the path constituted by the filter 12).
  • the BBIC 7 is a circuit that performs signal processing using an intermediate frequency band that is lower than the high frequency signal propagating through the high frequency module 1.
  • the signal processed by the BBIC 7 is used, for example, as an image signal for displaying an image or as a voice signal for a call through a speaker.
  • the antenna element 5 is connected to the common terminal 100 of the high frequency module 1, radiates a high frequency signal output from the high frequency module 1, and receives a high frequency signal from the outside and outputs the high frequency signal to the high frequency module 1.
  • the antenna element 5 and the BBIC 7 are not essential components.
  • the high frequency module 1 includes a common terminal 100, a transmission input terminal 110, a reception output terminal 120, a PA (Power Amplifier) 11, an LNA (Low Noise Amplifier) 21, and a transmission filter 12. , A reception filter 22, a transmission matching circuit 13, and a reception matching circuit 23.
  • the common terminal 100 is connected to the antenna element 5.
  • the transmission filter 12 is arranged in the transmission path connecting the PA 11 and the common terminal 100, and passes the high frequency transmission signal in the transmission band of the first communication band among the high frequency transmission signals amplified by the PA 11.
  • the reception filter 22 is arranged in the reception path connecting the LNA 21 and the common terminal 100, and passes the high frequency reception signal of the reception band of the first communication band among the high frequency reception signals input from the common terminal 100.
  • the transmission filter 12 and the reception filter 22 constitute a duplexer capable of simultaneously transmitting and receiving the high frequency signal of the first communication band. Therefore, the output terminal of the transmission filter 12 is connected to the common terminal 100, and the input terminal of the reception filter 22 is connected to the common terminal 100.
  • a circuit element such as a switch may be arranged between the transmission filter 12 and the reception filter 22 and the common terminal 100. In this case, the high frequency transmission signal and the high frequency reception signal are processed in a time division manner. ..
  • the transmission filter 12 and the reception filter 22 may be any one of, for example, a surface acoustic wave filter, an acoustic wave filter using BAW (Bulk Acoustic Wave), an LC resonance filter, and a dielectric filter. It is not limited to.
  • PA11 is, for example, a transmission power amplifier that preferentially amplifies a high frequency signal in the first communication band.
  • the LNA 21 is, for example, a reception low noise amplifier that preferentially amplifies a high frequency signal in the first communication band with low noise.
  • the PA 11 and the LNA 21 are composed of, for example, a CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor), a field effect transistor (FET) made of GaAs, or a heterojunction bipolar transistor (HBT).
  • CMOS Complementary Metal Oxide Semiconductor
  • FET field effect transistor
  • HBT heterojunction bipolar transistor
  • the transmission matching circuit 13 is a circuit arranged on the path connecting the output end of the PA 11 and the input terminal of the transmission filter 12 to match the output impedance of the PA 11 and the input impedance of the transmission filter 12.
  • the transmission matching circuit 13 is composed of passive elements such as an inductor and a capacitor.
  • the transmission matching circuit 13 may be arranged in series on the path, or may be arranged between the node on the path and the ground.
  • the reception matching circuit 23 is a circuit arranged on the path connecting the output terminal of the reception filter 22 and the input end of the LNA 21, and matches the output impedance of the reception filter 22 with the input impedance of the LNA 21.
  • the reception matching circuit 23 is composed of passive elements such as an inductor and a capacitor, for example.
  • the reception matching circuit 23 may be arranged in series on the path, or may be arranged between a node on the path and the ground.
  • the PA 11, the LNA 21, the transmission matching circuit 13, and the reception matching circuit 23 are not essential components for the high frequency module according to the present invention.
  • the high frequency module 1 is a module that transmits and receives high frequency signals by the duplexer.
  • the high frequency module 1 may be a circuit that transmits high frequency signals of a plurality of communication bands as well as the first communication band.
  • the high frequency module 1 includes a transmission power amplifier and a reception low noise amplifier for amplifying a high frequency signal in a communication band other than the first communication band, a transmission filter and a reception filter having a communication band other than the first communication band as a pass band. It is a circuit to which a filter, a plurality of transmission power amplifiers, a plurality of reception low noise amplifiers, a plurality of transmission filters, and a switch for switching a plurality of reception filters are added.
  • the following will describe a configuration for realizing downsizing and reduction of transmission loss of the high frequency module 1 according to the present embodiment.
  • FIG. 2A is a schematic cross-sectional configuration diagram of the high-frequency module 1A according to the first embodiment.
  • FIG. 2B is a first plane configuration schematic diagram of the high-frequency module 1A according to the first embodiment.
  • FIG. 2C is a second plane configuration schematic diagram of the high-frequency module 1A according to the first embodiment.
  • FIG. 2A is a sectional view taken along line IIA-IIA in FIGS. 2B and 2C.
  • 2B is a sectional view taken along line IIB-IIB in FIG. 2A
  • FIG. 2C is a sectional view taken along line IIC-IIC in FIG. 2A.
  • the high-frequency module 1A according to the first embodiment illustrated in FIGS. 2A to 2C is a structural example in which the circuit configuration of the high-frequency module 1 according to the first embodiment is realized as a single module.
  • the high frequency module 1A in addition to the circuit configuration of the high frequency module 1 shown in FIG. 1, the high frequency module 1A according to the present embodiment further includes module boards 70A and 70B and resin members 80A and 80B.
  • the high frequency module 1A is connected to an external board (mother board).
  • the external board is arranged on the module board 70B side (z-axis negative direction side) of the module boards 70A and 70B so as to face the module board 70B.
  • the module board 70B is a first mounting board having a main surface 701 (first main surface) and a main surface 702 (second main surface) facing each other.
  • the module board 70A is a second mounting board having a main surface 703 (third main surface) and a main surface 704 (fourth main surface) that face each other, and the main surface 703 faces the main surface 702.
  • module substrates 70A and 70B for example, a low temperature co-fired ceramics (LTCC) substrate having a laminated structure of a plurality of dielectric layers, a printed circuit board, or the like is used.
  • LTCC low temperature co-fired ceramics
  • the transmission filter 12 has a mounting surface 122 (first mounting surface) and a top surface 121 (first top surface) that face each other, is arranged in an internal space sandwiched between the module substrate 70A and the module substrate 70B, and is mounted.
  • the surface 122 is joined to the main surface 702 via the metal electrode layer.
  • the transmission filter 12 is mounted so that the mounting surface 122 faces the main surface 702.
  • the output terminal 12c of the transmission filter 12 is arranged on the top surface 121.
  • the transmission filter 12 may be connected to the main surface 702 via bump electrodes formed on the mounting surface 122.
  • the reception filter 22 has a mounting surface 222 (second mounting surface) and a top surface 221 (second top surface) that face each other, is disposed in the internal space, and the mounting surface 222 is a main surface via bump electrodes. 703. In other words, the reception filter 22 is mounted so that the mounting surface 222 faces the main surface 703. It should be noted that the connection medium between the mounting surface 222 and the main surface 703 need not be a bump electrode, but may be a metal electrode layer or the like.
  • the input terminal 22a of the reception filter 22 is arranged on the top surface 221.
  • the common terminal 100 is the external connection terminal 71b arranged on the main surface 701 of the module board 70B.
  • the transmission filter 12 and the reception filter 22 at least partially overlap each other.
  • the high frequency module 1A further includes connection electrodes 81b and 82b that connect the output terminal 12c of the transmission filter 12 and the input terminal 22a of the reception filter 22, and an anisotropic conductive film 60.
  • connection electrodes 81b and 82b and the anisotropic conductive film 60 are arranged in the internal space sandwiched between the module substrate 70A and the module substrate 70B, and neither pass through the module substrates 70A and 70B (main surfaces 702 and 703). It is a conductive member.
  • the high frequency module 1A having the above configuration is distributed and mounted so that the transmission filter 12 and the reception filter 22 face each other in the internal space of the two module substrates 70A and 70B that face each other, and partially overlap in the plan view.
  • the output terminal 12c of the transmission filter 12 and the input terminal 22a of the reception filter 22 are electrically connected to the common terminal 100. Thereby, the area of the high frequency module 1A can be reduced. Further, the output terminal 12c and the input terminal 22a are connected to each other at their top surfaces via a conductive member that does not pass through the module boards 70A and 70B. That is, the wiring connecting the output terminal 12c and the input terminal 22a can be connected in a short distance in the internal space without passing through the module boards 70A and 70B.
  • the total wiring length of the connection wiring between the common terminal 100 and the output terminal 12c of the transmission filter 12 and the connection wiring between the common terminal 100 and the input terminal 22a of the reception filter 22 can be shortened. Therefore, it is possible to reduce the transmission loss of the high frequency signal while reducing the size of the high frequency module 1A. Further, in addition to radiating the heat generated by the transmission filter 12 from the module substrate 70B on which the transmission filter 12 is mounted, it also passes through the conductive members (connection electrodes 81b and 82b and the anisotropic conductive film 60) and the reception filter 22. Since the module substrate 70A can also dissipate heat, the heat dissipation of the transmission filter 12 is improved.
  • connection electrode 81b has two connection surfaces for joining to the outside, one connection surface is connected to the input terminal 22a, and the other connection surface is connected to the anisotropic conductive film 60.
  • An imaginary line connecting the two connecting surfaces is substantially parallel to the vertical direction of the main surface 703.
  • connection electrode 82b has two connection surfaces for joining to the outside, one connection surface is connected to the output terminal 12c, and the other connection surface is connected to the anisotropic conductive film 60.
  • An imaginary line connecting the two connecting surfaces is substantially parallel to the vertical direction of the main surface 702.
  • connection electrodes 81b and 82b are preferably made of metal such as Cu and Ag in consideration of heat dissipation and conductivity.
  • the conductive member connecting the output terminal 12c of the transmission filter 12 and the input terminal 22a of the reception filter 22 includes an anisotropic conductive film 60 in addition to the connection electrodes 81b and 82b.
  • the anisotropic conductive film 60 is arranged between the top surface 121 of the transmission filter 12 and the top surface 221 of the reception filter 22, and is in a direction perpendicular to the main surfaces 702 and 703 rather than a direction parallel to the main surfaces 702 and 703. It is an anisotropic conductive member that conducts preferentially to.
  • the wiring that connects the output terminal 12c of the transmission filter 12 and the input terminal 22a of the reception filter 22 has the module substrate 70A and the wiring. Since it can be formed only by the direction component perpendicular to the main surface of 70B, the connection can be made in the internal space at the shortest distance. Thereby, the total wiring length of the connection wiring between the common terminal 100 and the output terminal 12c of the transmission filter 12 and the connection wiring between the common terminal 100 and the input terminal 22a of the reception filter 22 can be minimized.
  • FIG. 3 is an enlarged schematic cross-sectional view illustrating the conductive characteristics of the anisotropic conductive film 60.
  • the figure shows an enlarged cross-sectional view of the anisotropic conductive film 60, the connection electrodes 81b and 82b, and the resin members 80A and 80B in the region P of the internal space shown in FIG. 2A.
  • connection surface 811 of the connection electrode 81b is joined to the surface 601 of the anisotropic conductive film 60, and the other connection surface 821 of the connection electrode 82b is connected to the surface 602 of the anisotropic conductive film 60. It is joined.
  • the anisotropic conductive film 60 preferentially conducts in a direction (z-axis direction) connecting the connection electrode 81b and the connection electrode 82b in a region sandwiched by the connection electrodes 81b and 82b.
  • there is no conduction in the directions parallel to the film surface of the anisotropic conductive film 60 (x-axis direction and y-axis direction).
  • the module substrate 70B on which the transmission filter 12 is mounted and the reception filter 22 are used in the manufacturing process of the high frequency module 1A.
  • the module board 70A mounted with can be easily and highly accurately joined via the anisotropic conductive member. Therefore, the output terminal 12c of the transmission filter 12 and the input terminal 22a of the reception filter 22 can be connected with high precision by a simplified manufacturing process.
  • the input terminal 12b and the common output terminal 12a of the transmission filter 12 are arranged on the top surface 121, respectively.
  • the common output terminal 12a is a terminal electrically connected to the output terminal 12c of the transmission filter 12 in the transmission filter 12, and interposed between the output terminal 12c and the common terminal 100 (external connection terminal 71b).
  • the common output terminal 12a and the output terminal 12c are described as separate terminals, but they may be one terminal on the top surface 121.
  • the integrated common output terminal 12a and output terminal 12c have a region on the top surface 121 to which the connection electrode 82b is joined and a region to which the bonding wire 83a is joined.
  • the output terminal 22b of the reception filter 22 is arranged on the mounting surface 222.
  • the common terminal 100 (external connection terminal 71b) and the common output terminal 12a are connected by a via conductor 72b and a bonding wire 83a.
  • the via conductor 72b is a first via conductor that penetrates the module substrate 70B and has one end connected to the common terminal 100 (external connection terminal 71b) and the other end connected to the bonding wire 83a.
  • the bonding wire 83a is connected to the other end of the via conductor 72b and the common output terminal 12a.
  • the wiring connecting the output terminal 12c of the transmission filter 12 and the common terminal 100 (external connection terminal 71b) can be shortened, so that the transmission loss of the high-frequency transmission signal can be particularly reduced. Further, the heat generated by the transmission filter 12 can be dissipated preferentially from the module substrate 70B in which the wiring is formed, so that the heat dissipation of the transmission filter 12 is improved.
  • the PA 11 is mounted on the main surface 702
  • the LNA 21 is mounted on the main surface 703 and when the module boards 70A and 70B are viewed in plan, It does not overlap with LNA21.
  • the transmission filter 12 and the reception filter 12 are provided between the transmission matching circuit 13 and the reception matching circuit 23. 22, PA11, and LNA21 are arranged.
  • At least one of the transmission filter 12, the reception filter 22, the PA 11, and the LNA 21 may be arranged between the transmission matching circuit 13 and the reception matching circuit 23.
  • the magnetic flux direction of the first inductor (coil winding It is desirable that the rotation axis direction and the magnetic flux direction of the second inductor (coil winding axis direction) intersect. Thereby, the magnetic field coupling between the transmission matching circuit 13 and the reception matching circuit 23 can be further suppressed.
  • the resin member 80A is formed in the internal space and covers the reception filter 22, the LNA 21, and the reception matching circuit 23.
  • the resin member 80B is formed in the internal space and covers the transmission filter 12, PA 11, and the transmission matching circuit 13.
  • a resin material such as an epoxy resin can be used.
  • the resin members 80A and 80B can ensure reliability such as mechanical strength and moisture resistance of the reception filter 22, the LNA 21, the reception matching circuit 23, the transmission filter 12, PA 11, and the transmission matching circuit 13.
  • the resin member 80A only needs to cover at least a part of the reception filter 22, the LNA 21, and the reception matching circuit 23, and the resin member 80B covers at least a part of the transmission filter 12, PA 11, and the transmission matching circuit 13. Just do it.
  • the resin members 80A and 80B are not essential constituent elements of the high frequency module according to the present invention.
  • the high-frequency module 1A further includes external connection terminals 71a, 71b, 71c, 71d and 71e arranged on the main surface 701 of the module substrate 70B, via conductors 72a, and columnar electrodes 81a, 82a. , 81c and 82c.
  • Each of the external connection terminals 71a to 71e is connected to an external board to transmit a high frequency signal, a DC voltage, or the like, or set the ground potential of the external board.
  • the columnar electrodes 81a and 81c are connected to the electrodes formed on the module substrate 70A, and a high frequency signal, a DC voltage, etc. are transmitted or a ground potential is set.
  • the columnar electrodes 82a and 82c are connected to the electrodes formed on the module substrate 70B, and a high frequency signal, a DC voltage, etc. are transmitted, or a ground potential is set.
  • the external connection terminals 71a to 71e, the via conductor 72a, and the columnar electrodes 81a, 82a, 81c, and 82c are not essential components for the high-frequency module according to the present invention.
  • an aggregate substrate A having a plurality of module substrates 70A and an aggregate substrate B having a plurality of joule substrates 70B are prepared. Then, the plurality of reception filters 22, the plurality of LNAs 21, and the plurality of reception matching circuits 23 are mounted on the aggregate substrate A (the main surface 703 of the module substrate 70A). Further, the plurality of transmission filters 12, the plurality of PAs 11, and the plurality of transmission matching circuits 13 are mounted on the collective substrate B (main surface 702 of the module substrate 70B) (step 1).
  • the input terminal 22a and the connection electrode 81b are joined to the top surface 221 of the reception filter 22 in advance, and the output terminal 12c, the connection electrode 82b, the input terminal 12b, and the top surface 121 of the transmission filter 12 are attached in advance. And the common output terminal 12a is joined.
  • a sealing material to be the resin member 80A is applied so as to cover the collective substrate A (the main surface 703 of the module substrate 70A, the reception filter 22, the LNA 21, and the reception matching circuit 23), and the mixture is heated and cured. Further, a sealing material to be the resin member 80B is applied so as to cover the collective substrate B (the main surface 702 of the module substrate 70B, the transmission filter 12, the PA 11, and the transmission matching circuit 13), and is heated and cured (step 2).
  • Step 3 in order to flatten the surfaces of the encapsulant that becomes the resin member 80A and the encapsulant that becomes the resin member 80B, and expose the connection electrodes 81b and 82b to the surface, the surface of the encapsulant is polished (and ground). (Step 3).
  • an anisotropic conductive paste is uniformly applied to the surface of the polished sealing material.
  • a conductive adhesive is applied to the portions where the conductive connection is required between both blocks (the portions where the connection electrodes 81b and 82b are joined), and the other portions are applied.
  • a non-conductive adhesive may be applied to (step 4).
  • the block having the collective substrate A (the module substrate 70A and the resin member 80A) and the block having the collective substrate B (the module substrate 70B and the resin member 80B) are aligned and bonded to each other to form an anisotropic conductive paste.
  • Heat to cure (step 5).
  • the block of the module board 70A on which the receiving system parts are mounted and the block of the module board 70B on which the transmitting system parts are mounted can be manufactured individually until the middle of the process. Further, thereafter, by using the anisotropic conductive paste, the high-frequency module 1A can be manufactured with high accuracy in a simplified process without excessively matching the positional accuracy of the connection electrodes 81b and 82b.
  • the thickness of the resin member 80A in the direction perpendicular to the main surface 703 (z-axis direction) and the thickness of the resin member 80B in the direction perpendicular to the main surface 702 (z-axis direction) are different. May be.
  • the contracting stress generated when the sealing material is heated and cured is reduced by the block having the module substrate 70A and the resin member 80A and the block having the module substrate 70B and the resin member 80B.
  • the material of the resin member 80A and the material of the resin member 80B may be different. Thereby, for example, the resin material having the smaller shrinkage amount is applied to the block having the larger warp amount.
  • the resin material may be changed and the thickness of the sealing material may be changed as described above. By doing so, the warpage of the high frequency module 1A can be accurately suppressed.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional configuration diagram of a high frequency module 1B according to Modification 1 of the embodiment.
  • the high frequency module 1B according to the present modification differs from the high frequency module 1A according to the first embodiment only in that the configuration of the ground wiring of the transmission filter 12 is shown. Note that, in FIG. 4, only the components of the transmission filter 12 different from the high frequency module 1A according to the first embodiment are described.
  • description of the same points as those of the high-frequency module 1A according to the first embodiment will be omitted, and different points will be mainly described.
  • the transmission filter 12 has a mounting surface 122 (first mounting surface) and a top surface 121 (first top surface) that face each other, is arranged in an internal space sandwiched between the module substrate 70A and the module substrate 70B, and is mounted.
  • the surface 122 is mounted so as to face the main surface 702.
  • the output terminal 12c of the transmission filter 12 is arranged on the top surface 121.
  • the transmission filter 12 may be connected to the main surface 702 via bump electrodes formed on the mounting surface 122.
  • the high frequency module 1A further includes connection electrodes 81b and 82b that connect the output terminal 12c of the transmission filter 12 and the input terminal 22a of the reception filter 22, and the anisotropic conductive film 60. is doing.
  • the connection electrodes 81b and 82b and the anisotropic conductive film 60 are arranged in the internal space sandwiched between the module substrate 70A and the module substrate 70B, and neither pass through the module substrates 70A and 70B (main surfaces 702 and 703). It is a conductive member.
  • the wiring connecting the output terminal 12c and the input terminal 22a can be connected in a short distance in the internal space without passing through the module boards 70A and 70B. Accordingly, the total wiring length of the connection wiring between the common terminal 100 and the output terminal 12c of the transmission filter 12 and the connection wiring between the common terminal 100 and the input terminal 22a of the reception filter 22 can be shortened. Therefore, it is possible to reduce the transmission loss of the high frequency signal while reducing the size of the high frequency module 1B.
  • the transmission filter 12 in addition to radiating the heat generated by the transmission filter 12 from the module substrate 70B on which the transmission filter 12 is mounted, it can also be radiated from the module substrate 70B via the conductive member and the reception filter 22. Heat dissipation is improved.
  • the input terminal 12b and the common output terminal 12a of the transmission filter 12 are arranged on the top surface 121, respectively.
  • the ground terminal 12g of the transmission filter 12 is arranged on the mounting surface 122.
  • the common terminal 100 (external connection terminal 71b) and the common output terminal 12a are connected by a via conductor 72b and a bonding wire 83a.
  • the bonding wire 83a is connected to the other end of the via conductor 72b and the common output terminal 12a.
  • the wiring connecting the output terminal 12c of the transmission filter 12 and the common terminal 100 (external connection terminal 71b) can be shortened, so that the transmission loss of the high-frequency transmission signal can be particularly reduced. Further, the heat generated by the transmission filter 12 can be dissipated preferentially from the module substrate 70B in which the wiring is formed, so that the heat dissipation of the transmission filter 12 is improved.
  • the ground terminal 12g of the transmission filter 12 is connected to one end of the via conductor 72c.
  • the other end of the via conductor 72c is connected to the external connection terminal 71c arranged on the main surface 701 of the module board 70B.
  • the via conductor 72c is a second via conductor penetrating the module board 70B.
  • the heat generated by the transmission filter 12 can also be radiated from the module substrate 70B via the ground wiring (ground terminal 12g + via conductor 72c + external connection terminal 71c), so that the heat dissipation of the transmission filter 12 is further improved.
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional configuration diagram of a high frequency module 1C according to Modification 2 of the embodiment.
  • the high frequency module 1C according to the present modification is different from the high frequency module 1A according to the first embodiment in the configuration of the ground wiring of the transmission filter 12, the connection configuration between the common terminal 100 and the transmission filter 12, and the transmission filter 12 and the reception.
  • the connection configuration with the filter 22 is different.
  • FIG. 5 only the components of the transmission filter 12 and the reception filter 22 different from those of the high frequency module 1A according to the first embodiment are described.
  • description of the same points as those of the high-frequency module 1A according to the first embodiment will be omitted, and different points will be mainly described.
  • the transmission filter 12 has a mounting surface 122 (first mounting surface) and a top surface 121 (first top surface) that face each other, is arranged in an internal space sandwiched between the module substrate 70A and the module substrate 70B, and is mounted.
  • the surface 122 is mounted on the main surface 702 via bump electrodes. It should be noted that the connection medium between the mounting surface 122 and the main surface 702 does not have to be the bump electrode, but may be a metal electrode layer or the like.
  • the output terminal 12c of the transmission filter 12 is arranged on the top surface 121.
  • the input terminal 12b, the common output terminal 12a, and the ground terminal 12g of the transmission filter 12 are arranged on the mounting surface 122, respectively.
  • the reception filter 22 has a mounting surface 222 (second mounting surface) and a top surface 221 (second top surface) that face each other, is disposed in the internal space, and the mounting surface 222 is a main surface via bump electrodes. 703.
  • the input terminal 22a of the reception filter 22 is arranged on the top surface 221. It should be noted that the connection medium between the mounting surface 222 and the main surface 703 need not be a bump electrode, but may be a metal electrode layer or the like.
  • the common terminal 100 is the external connection terminal 71b arranged on the main surface 701 of the module board 70B.
  • the high frequency module 1C further includes an anisotropic conductive film 60 that connects the output terminal 12c of the transmission filter 12 and the input terminal 22a of the reception filter 22.
  • the anisotropic conductive film 60 is a conductive member that is disposed in the internal space sandwiched between the module substrate 70A and the module substrate 70B and does not pass through the main surfaces 702 and 703.
  • the wiring connecting the output terminal 12c of the transmission filter 12 and the input terminal 22a of the reception filter 22 is substantially the anisotropic conductive film 60, so that the output terminal 12c and the input terminal 22a are not connected to each other. Can be connected in a short distance in space.
  • the common terminal 100 (external connection terminal 71b) and the common output terminal 12a are connected by a via conductor 72b.
  • the via conductor 72b is a third via conductor that penetrates the module substrate 70B.
  • the output terminal 12c of the transmission filter 12 and the common terminal 100 are connected via the via conductor 72b, not via the bonding wire, so that the transmission loss of the high frequency transmission signal can be reduced. Further, since the heat generated by the transmission filter 12 can be preferentially radiated from the module substrate 70B in which the via conductor 72b is formed, the heat dissipation of the transmission filter 12 is improved.
  • the ground terminal 12g of the transmission filter 12 is connected to one end of the via conductor 72c.
  • the other end of the via conductor 72c is connected to the external connection terminal 71c arranged on the main surface 701 of the module board 70B.
  • the via conductor 72c is a second via conductor penetrating the module board 70B.
  • the heat generated by the transmission filter 12 can also be radiated from the module substrate 70B via the ground wiring (ground terminal 12g + via conductor 72c + external connection terminal 71c), so that the heat dissipation of the transmission filter 12 is further improved.
  • the manufacturing process of the high frequency module 1C a process different from that of the high frequency module 1A will be described.
  • the step 3 of the manufacturing process of the high-frequency module 1A described above in order to flatten the surfaces of the sealing material that becomes the resin member 80A and the sealing material that becomes the resin member 80B, the top surface 121 of the transmission filter 12 and the reception filter.
  • the surface of the sealing material is polished and ground so that the top surface 221 of 22 is exposed on the surface.
  • the transmission filter 12 and the reception filter 22 are, for example, SAW filters, the top surface of the piezoelectric substrate is exposed on the surface.
  • the heat generated by the transmission filter 12 can be directly propagated to the reception filter 22, so that the heat dissipation can be improved.
  • the contact area is increased, and the heat dissipation can be further improved.
  • FIG. 6 is a schematic cross-sectional configuration diagram of a high frequency module 1D according to Modification 3 of the embodiment.
  • the high frequency module 1D according to the present modification is different from the high frequency module 1A according to the first embodiment in that a shield electrode layer is added.
  • description of the same points as those of the high-frequency module 1A according to the first embodiment will be omitted, and different points will be mainly described.
  • the high frequency module 1D further includes a shield electrode layer 90 and a ground electrode layer in addition to the components of the high frequency module 1A.
  • the above-mentioned ground electrode layer is an electrode that is configured by the planar wiring pattern of the module boards 70A and 70B and is set to the ground potential.
  • the shield electrode layer 90 is formed so as to cover the main surface 704, and is connected to the ground electrode layer on the side surfaces of the module substrates 70A and 70B.
  • the shield electrode layer 90 is formed by, for example, a sputtering method or a vacuum deposition method after the collective substrate is singulated in step 6 in the manufacturing process of the high frequency module 1A described above. By forming the shield electrode layer 90 after the step 6, the shield electrode layer 90 can be formed also on the side surfaces of the module substrates 70A and 70B and can be electrically connected to the ground electrode layer.
  • FIG. 7 is a schematic cross-sectional configuration diagram of a high frequency module 1E according to Modification 4 of the embodiment.
  • the high frequency module 1E according to the present modification is different from the high frequency module 1A according to the first embodiment in that the anisotropic conductive film 60 is not arranged.
  • the description of the same points as those of the high-frequency module 1A according to the first embodiment will be omitted, and the different points will be mainly described.
  • the high frequency module 1E has a connection electrode 81b that connects the output terminal 12c of the transmission filter 12 and the input terminal 22a of the reception filter 22.
  • the connection electrode 81b is a conductive member that is arranged in the internal space sandwiched between the module substrate 70A and the module substrate 70B and does not pass through the module substrates 70A and 70B (main surfaces 702 and 703).
  • the high-frequency module 1E having the above configuration has a module board 70B having 701 and 702 facing each other, and a module board 70A having main surfaces 703 and 704 facing each other and the main surface 703 facing the main surface 702.
  • the transmission filter 12 having the mounting surface 122 and the top surface 121 facing each other and arranged in the internal space so that the mounting surface 122 faces the main surface 702, and the mounting surface 222 and the top surface facing each other.
  • the reception filter 22 having the surface 221 and arranged in the internal space so that the mounting surface 222 faces the main surface 703, and the output terminal 12c of the transmission filter 12 arranged on the main surface 701 or 704.
  • a common terminal 100 (external connection terminal 71b) electrically connected to the input terminal 22a of the reception filter 22, Provided.
  • the output terminal 12c is arranged on the top surface 121
  • the input terminal 22a is arranged on the top surface 221.
  • the terminal 12c and the input terminal 22a are connected by the connection electrode 81b arranged in the internal space and not passing through the module substrates 70A and 70B.
  • the output terminal 12c and the input terminal 22a are connected to each other by their respective top surfaces via a conductive member (connection electrode 81b) that does not pass through the main surfaces 702 and 703. That is, the wiring that connects the output terminal 12c of the transmission filter 12 and the input terminal 22a of the reception filter 22 can be connected in a short distance in the internal space without passing through the module substrates 70A and 70B. Accordingly, the total wiring length of the connection wiring between the common terminal 100 and the output terminal 12c of the transmission filter 12 and the connection wiring between the common terminal 100 and the input terminal 22a of the reception filter 22 can be shortened.
  • the transmission loss of the high frequency signal while reducing the size of the high frequency module 1E.
  • it in addition to radiating the heat generated by the transmission filter 12 from the module substrate 70B on which the transmission filter 12 is mounted, it can also be radiated from the module substrate 70B via the connection electrode 81b and the reception filter 22. The heat dissipation of is improved.
  • the internal space is filled with one type of resin member 80A, but like the high-frequency module 1A according to the first embodiment, the internal space is filled with two resin members 80A and 80B. May be.
  • FIG. 8 is a schematic cross-sectional configuration diagram of a high frequency module 1F according to Modification 5 of the embodiment.
  • the high-frequency module 1F according to the present modification is different from the high-frequency module 1A according to the first embodiment in that the arrangement relationship between the transmission system circuit element and the reception system circuit element is upside down.
  • description of the same points as those of the high-frequency module 1A according to the first embodiment will be omitted, and different points will be mainly described.
  • the high frequency module 1F according to this modification is connected to an external board (mother board).
  • the external board is arranged on the module board 70B side (z-axis negative direction side) of the module boards 70A and 70B so as to face the module board 70B.
  • the module board 70A is a first mounting board having a main surface 704 (first main surface) and a main surface 703 (second main surface) facing each other.
  • the module board 70B is a second mounting board that has a main surface 702 (third main surface) and a main surface 701 (fourth main surface) that face each other, and the main surface 702 faces the main surface 703.
  • the transmission filter 12 has a mounting surface 122 (first mounting surface) and a top surface 121 (first top surface) that face each other, is arranged in an internal space sandwiched between the module substrate 70A and the module substrate 70B, and is mounted.
  • the surface 122 is mounted on the main surface 703 via bump electrodes.
  • the transmission filter 12 is mounted so that the mounting surface 122 faces the main surface 703.
  • the connection medium between the mounting surface 122 and the main surface 703 does not have to be the bump electrode, but may be a metal electrode layer or the like.
  • the output terminal 12c of the transmission filter 12 is arranged on the top surface 121.
  • the reception filter 22 has a mounting surface 222 (second mounting surface) and a top surface 221 (second top surface) that face each other, and is arranged in the internal space, and the mounting surface 222 has a main surface 702 and a metal electrode layer. Are joined through. In other words, the reception filter 22 is mounted so that the mounting surface 222 faces the main surface 702. The input terminal 22a and the output terminal 22b of the reception filter 22 are arranged on the top surface 221.
  • the reception filter 22 may be connected to the main surface 702 via bump electrodes formed on the mounting surface 222.
  • the common input terminal 22c of the reception filter 22 is arranged on the top surface 221 and is electrically connected to the input terminal 22a in the reception filter 22 and between the input terminal 22a and the common terminal 100 (external connection terminal 71b). It is a terminal interposed in. Note that, in FIG. 8, the common input terminal 22c and the input terminal 22a are described as separate terminals, but they may be one terminal on the top surface 221. In that case, the integrated common input terminal 22c and input terminal 22a have a region on the top surface 221 to which the connection electrode 82b is joined and a region to which the bonding wire 83a is joined.
  • the common terminal 100 is the external connection terminal 71b arranged on the main surface 701 of the module board 70B.
  • the transmission filter 12 and the reception filter 22 at least partially overlap each other.
  • the high-frequency module 1F further includes connection electrodes 81b and 82b that connect the output terminal 12c of the transmission filter 12 and the input terminal 22a of the reception filter 22, and an anisotropic conductive film 60, have.
  • the connection electrodes 81b and 82b and the anisotropic conductive film 60 are arranged in the internal space sandwiched between the module substrate 70A and the module substrate 70B, and neither pass through the module substrates 70A and 70B (main surfaces 702 and 703). It is a conductive member.
  • the area of the high frequency module 1F can be reduced.
  • the output terminal 12c and the input terminal 22a are connected to each other at their top surfaces via a conductive member that does not pass through the main surfaces 702 and 703.
  • the total wiring length of the connection wiring between the common terminal 100 and the input terminal 22a of the reception filter 22 and the connection wiring between the common terminal 100 and the output terminal 12c of the transmission filter 12 can be shortened. Therefore, it is possible to reduce the transmission loss of the high frequency signal while reducing the size of the high frequency module 1F.
  • the transmission filter 12 in addition to radiating the heat generated by the transmission filter 12 from the module substrate 70A on which the transmission filter 12 is mounted, it can also be radiated from the module substrate 70B via the conductive member and the reception filter 22. Heat dissipation is improved.
  • the common terminal 100 (external connection terminal 71b) and the common input terminal 22c are connected by the via conductor 72b and the bonding wire 83a.
  • the via conductor 72b is a via conductor having one end connected to the common terminal 100 (external connection terminal 71b) and the other end connected to the bonding wire 83a and penetrating the module substrate 70B.
  • the bonding wire 83a is connected to the other end of the via conductor 72b and the common input terminal 22c.
  • the wiring connecting the input terminal 22a of the reception filter 22 and the common terminal 100 (external connection terminal 71b) can be shortened, so that the transmission loss of the high frequency reception signal can be reduced.
  • the high-frequency module and the communication device according to the present invention have been described above with reference to the embodiments and modifications, the high-frequency module and the communication device according to the present invention are not limited to the embodiments and the modifications.
  • Other embodiments realized by combining arbitrary constituent elements in the above-described examples and modifications, and various modifications that those skilled in the art can think of are made to the above-mentioned examples and modifications without departing from the spirit of the present invention.
  • the present invention also includes modified examples obtained by the above, and various devices including the high frequency module and the communication device.
  • another circuit element and wiring may be inserted between the paths connecting the circuit elements and the signal paths disclosed in the drawings.
  • the present invention can be widely used for communication devices such as mobile phones as a small high-frequency module arranged in the front end part.
  • RFIC radio frequency identification circuit
  • BBIC Baseband signal processing circuit

Landscapes

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Abstract

高周波モジュール（１Ａ）は、主面（７０１および７０２）を有するモジュール基板（７０Ｂ）と、主面（７０３および７０４）を有し主面（７０３）が主面（７０２）と対面するモジュール基板（７０Ａ）と、実装面（１２２）および天面（１２１）を有し実装面（１２２）が主面（７０２）と対面配置された送信フィルタ（１２）と、実装面（２２２）および天面（２２１）を有し実装面（２２２）が主面（７０３）と対面配置された受信フィルタ（２２）と、を備え、基板を平面視した場合に、送信フィルタ（１２）と受信フィルタ（２２）とは一部が重複しており、送信フィルタ（１２）の出力端子（１２ｃ）は天面（１２１）に配置され、受信フィルタ（２２）の入力端子（２２ａ）は天面（２２１）に配置され、出力端子（１２ｃ）と入力端子（２２ａ）とは、モジュール基板（７０Ａおよび７０Ｂ）を経由しない接続電極（８１ｂおよび８２ｂ）により接続されている。

Description

高周波モジュールおよび通信装置
　本発明は、高周波モジュールおよび通信装置に関する。
　携帯電話などに代表される無線通信端末のフロントエンド部には、小型化および低背化の要求が厳しくなっている。
　特許文献１には、２つの基板で挟まれた内部空間に複数の電子部品が実装された高周波モジュールが開示されている。より具体的には、送信フィルタが一方の実装基板に実装され、受信フィルタが他方の実装基板に実装された構成が開示されている。上記一方の実装基板と上記他方の実装基板とは、それぞれの主面が対面するように配置されている。上記構成によれば、送信信号と受信信号との干渉を抑制しつつ高周波モジュールを小型化することが可能である。
国際公開第２０１７／０３３５６４号
　特許文献１に記載された高周波モジュールでは、共通端子に接続される送信フィルタおよび受信フィルタのうち、送信フィルタを一方の実装基板に実装し、受信フィルタを他方の実装基板に実装しているので、小型化には適した構造となっている。しかしながら、共通端子が一方の実装基板および他方の実装基板のいずれかに配置される場合、送信フィルタの出力端子から共通端子までの送信配線、および、受信フィルタの入力端子から共通端子までの受信配線は、いずれも一方の実装基板または他方の実装基板を経由するため、上記送信配線の長さと上記受信配線の長さとの合計が長くなくなってしまい、高周波信号の伝送損失が大きくなるという問題がある。
　本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、小型化しつつ高周波信号の伝送損失が低減された高周波モジュールおよび通信装置を提供することを目的とする。
　上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る高周波モジュールは、互いに対向する第１主面および第２主面を有する第１実装基板と、互いに対向する第３主面および第４主面を有し、前記第３主面が前記第２主面と対面する第２実装基板と、互いに対向する第１実装面および第１天面を有し、前記第１実装基板と前記第２実装基板とで挟まれた内部空間に配置され、前記第１実装面が前記第２主面と対面するように実装された送信フィルタと、互いに対向する第２実装面および第２天面を有し、前記内部空間に配置され、前記第２実装面が前記第３主面と対面するように実装された受信フィルタと、前記第１主面または前記第４主面に配置され、前記送信フィルタの出力端子および前記受信フィルタの入力端子と電気的に接続された共通端子と、を備え、前記第１実装基板および前記第２実装基板を平面視した場合に、前記送信フィルタと前記受信フィルタとは、少なくとも一部が重複しており、前記送信フィルタの出力端子は、前記第１天面に配置され、前記受信フィルタの入力端子は、前記第２天面に配置され、前記送信フィルタの出力端子と前記受信フィルタの入力端子とは、前記内部空間に配置され前記第１実装基板および前記第２実装基板を経由しない導電部材により接続されている。
　本発明によれば、小型化しつつ高周波信号の伝送損失が低減された高周波モジュールおよび通信装置を提供することが可能となる。
図１は、実施の形態に係る高周波モジュールおよび通信装置の回路構成図である。 図２Ａは、実施例１に係る高周波モジュールの断面構成概略図である。 図２Ｂは、実施例１に係る高周波モジュールの第１平面構成概略図である。 図２Ｃは、実施例１に係る高周波モジュールの第２平面構成概略図である。 図３は、異方性導電膜の導電特性を説明する拡大断面概略図である。 図４は、実施の形態の変形例１に係る高周波モジュールの断面構成概略図である。 図５は、実施の形態の変形例２に係る高周波モジュールの断面構成概略図である。 図６は、実施の形態の変形例３に係る高周波モジュールの断面構成概略図である。 図７は、実施の形態の変形例４に係る高周波モジュールの断面構成概略図である。 図８は、実施の形態の変形例５に係る高周波モジュールの断面構成概略図である。
　以下、本発明の実施の形態について、実施例、変形例および図面を用いて詳細に説明する。なお、以下で説明する実施例および変形例は、いずれも包括的または具体的な例を示すものである。以下の実施例および変形例で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置および接続形態などは一例であり、本発明を限定する主旨ではない。以下の実施例および変形例における構成要素のうち、独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。また、図面に示される構成要素の大きさまたは大きさの比は、必ずしも厳密ではない。
　なお、以下の実施例および変形例において、「ＡとＢとが接続されている」とは、（１）ＡとＢとが直接、または、（２）導体膜を介して（ＡとＢとがそれぞれ導体膜の表面および裏面に）、接していることを指すものと定義される。また、「ＡとＢとが電気的に接続されている」とは、ＡとＢとが直接接していなくてもよく、導電配線を介してＡとＢとが間接的に接続されていることを含むものと定義される。
　なお、以下の実施例および変形例において、基板上に実装されたＡ、ＢおよびＣにおいて、「当該基板（または当該基板の主面）を平面視した場合に、ＡとＢとの間にＣが配置されている」とは、当該基板を平面視した場合に投影されるＡの領域内の任意の点と、当該基板を平面視した場合に投影されるＢの領域内の任意の点とを結ぶ線に、当該基板を平面視した場合に投影されるＣの領域の少なくとも一部が重複していることを指すものと定義される。
　（実施の形態）
　［１　高周波モジュール１および通信装置８の回路構成］
　図１は、実施の形態に係る高周波モジュール１および通信装置８の回路構成図である。同図に示すように、通信装置８は、高周波モジュール１と、アンテナ素子５と、ＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）６と、ベースバンド信号処理回路（ＢＢＩＣ）７と、を備える。
　ＲＦＩＣ６は、アンテナ素子５で送受信される高周波信号を処理するＲＦ信号処理回路である。具体的には、ＲＦＩＣ６は、高周波モジュール１の受信信号経路（受信フィルタ２２、ＬＮＡ２１および受信出力端子１２０で構成された経路）を介して入力された高周波受信信号を、ダウンコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された受信信号をＢＢＩＣ７へ出力する。また、ＲＦＩＣ６は、ＢＢＩＣ７から入力された送信信号をアップコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された高周波送信信号を、高周波モジュール１の送信信号経路（送信入力端子１１０、ＰＡ１１および送信フィルタ１２で構成された経路）に出力する。
　ＢＢＩＣ７は、高周波モジュール１を伝搬する高周波信号よりも低周波の中間周波数帯域を用いて信号処理する回路である。ＢＢＩＣ７で処理された信号は、例えば、画像表示のための画像信号として使用され、または、スピーカを介した通話のために音声信号として使用される。
　アンテナ素子５は、高周波モジュール１の共通端子１００に接続され高周波モジュール１から出力された高周波信号を放射し、また、外部からの高周波信号を受信して高周波モジュール１へ出力する。
　なお、本実施の形態に係る通信装置８において、アンテナ素子５およびＢＢＩＣ７は、必須の構成要素ではない。
　次に、高周波モジュール１の構成について説明する。
　図１に示すように、高周波モジュール１は、共通端子１００と、送信入力端子１１０と、受信出力端子１２０と、ＰＡ（Ｐｏｗｅｒ　Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）１１と、ＬＮＡ（Ｌｏｗ　Ｎｏｉｓｅ　Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）２１と、送信フィルタ１２と、受信フィルタ２２と、送信整合回路１３と、受信整合回路２３と、を備える。
　共通端子１００は、アンテナ素子５に接続される。
　送信フィルタ１２は、ＰＡ１１と共通端子１００とを結ぶ送信経路に配置され、ＰＡ１１で増幅された高周波送信信号のうち、第１通信バンドの送信帯域の高周波送信信号を通過させる。
　受信フィルタ２２は、ＬＮＡ２１と共通端子１００とを結ぶ受信経路に配置され、共通端子１００から入力された高周波受信信号のうち、第１通信バンドの受信帯域の高周波受信信号を通過させる。
　本実施の形態では、送信フィルタ１２と受信フィルタ２２とは、第１通信バンドの高周波信号を同時に送信および受信することが可能なデュプレクサを構成している。このため、送信フィルタ１２の出力端子と共通端子１００とが接続され、受信フィルタ２２の入力端子と共通端子１００とが接続されている。なお、送信フィルタ１２および受信フィルタ２２と共通端子１００との間にスイッチなどの回路素子が配置されていてもよく、この場合には、高周波送信信号と高周波受信信号とは時分割で処理される。
　送信フィルタ１２および受信フィルタ２２は、例えば、弾性表面波フィルタ、ＢＡＷ（Ｂｕｌｋ　Ａｃｏｕｓｔｉｃ　Ｗａｖｅ）を用いた弾性波フィルタ、ＬＣ共振フィルタ、および誘電体フィルタのいずれかであってもよく、さらには、これらには限定されない。
　ＰＡ１１は、例えば、第１通信バンドの高周波信号を優先的に増幅する送信電力増幅器である。
　ＬＮＡ２１は、例えば、第１通信バンドの高周波信号を低雑音で優先的に増幅する受信低雑音増幅器である。
　ＰＡ１１およびＬＮＡ２１は、例えば、ＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ　Ｍｅｔａｌ　Ｏｘｉｄｅ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、または、ＧａＡｓを材料とする電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）などで構成されている。
　送信整合回路１３は、ＰＡ１１の出力端と送信フィルタ１２の入力端子とを結ぶ経路上に配置され、ＰＡ１１の出力インピーダンスと送信フィルタ１２の入力インピーダンスとの整合をとる回路である。送信整合回路１３は、例えば、インダクタおよびキャパシタなどの受動素子で構成されている。なお、送信整合回路１３は、上記経路上に直列配置されていてもよいし、上記経路上のノードとグランドとの間に配置されていてもよい。
　受信整合回路２３は、受信フィルタ２２の出力端子とＬＮＡ２１の入力端とを結ぶ経路上に配置され、受信フィルタ２２の出力インピーダンスとＬＮＡ２１の入力インピーダンスとの整合をとる回路である。受信整合回路２３は、例えば、インダクタおよびキャパシタなどの受動素子で構成されている。なお、受信整合回路２３は、上記経路上に直列配置されていてもよいし、上記経路上のノードとグランドとの間に配置されていてもよい。
　なお、ＰＡ１１、ＬＮＡ２１、送信整合回路１３および受信整合回路２３は、本発明に係る高周波モジュールに必須の構成要素ではない。なおこの場合には、高周波モジュール１は、デュプレクサにより高周波信号を送受信するモジュールとなる。
　また、本実施の形態に係る高周波モジュール１は、第１通信バンドだけでなく複数の通信バンドの高周波信号を伝送する回路であってもよい。この場合には、高周波モジュール１は、第１通信バンド以外の通信バンドの高周波信号を増幅する送信電力増幅器および受信低雑音増幅器、第１通信バンド以外の通信バンドを通過帯域とする送信フィルタおよび受信フィルタ、ならびに、複数の送信電力増幅器、複数の受信低雑音増幅器、複数の送信フィルタ、および複数の受信フィルタを切り替えるスイッチが付加された回路となる。
　以下では、本実施の形態に係る高周波モジュール１の小型化および伝送損失の低減を実現するための構成について説明する。
　［２　実施例１に係る高周波モジュール１Ａの回路素子配置構成］
　図２Ａは、実施例１に係る高周波モジュール１Ａの断面構成概略図である。また、図２Ｂは、実施例１に係る高周波モジュール１Ａの第１平面構成概略図である。また、図２Ｃは、実施例１に係る高周波モジュール１Ａの第２平面構成概略図である。具体的には、図２Ａは、図２Ｂおよび図２ＣのＩＩＡ－ＩＩＡ線における断面図である。図２Ｂは、図２ＡのＩＩＢ－ＩＩＢ線における断面図であり、図２Ｃは、図２ＡのＩＩＣ－ＩＩＣ線における断面図である。
　図２Ａ～図２Ｃに示された実施例１に係る高周波モジュール１Ａは、実施の形態１に係る高周波モジュール１の回路構成を、１つのモジュールとして実現した構造例である。
　図２Ａに示すように、本実施例に係る高周波モジュール１Ａは、図１に示された高周波モジュール１の回路構成に加えて、さらに、モジュール基板７０Ａおよび７０Ｂと、樹脂部材８０Ａおよび８０Ｂと、を有している。
　本実施例に係る高周波モジュール１Ａは、外部基板（マザー基板）に接続される。上記外部基板は、モジュール基板７０Ａおよび７０Ｂのうちのモジュール基板７０Ｂ側（ｚ軸負方向側）に、モジュール基板７０Ｂと対向するように配置される。
　モジュール基板７０Ｂは、互いに対向する主面７０１（第１主面）および主面７０２（第２主面）を有する第１実装基板である。
　モジュール基板７０Ａは、互いに対向する主面７０３（第３主面）および主面７０４（第４主面）を有し、主面７０３が主面７０２と対面する第２実装基板である。
　なお、モジュール基板７０Ａおよび７０Ｂとしては、例えば、複数の誘電体層の積層構造を有する低温同時焼成セラミックス（Ｌｏｗ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｃｏ－ｆｉｒｅｄ　Ｃｅｒａｍｉｃｓ：ＬＴＣＣ）基板、または、プリント基板等が用いられる。
　送信フィルタ１２は、互いに対向する実装面１２２（第１実装面）および天面１２１（第１天面）を有し、モジュール基板７０Ａとモジュール基板７０Ｂとで挟まれた内部空間に配置され、実装面１２２が主面７０２と、金属電極層を介して接合されている。言い換えると、送信フィルタ１２は、実装面１２２が主面７０２と対面するように実装されている。送信フィルタ１２の出力端子１２ｃは、天面１２１に配置されている。なお、送信フィルタ１２は、実装面１２２に形成されたバンプ電極を介して主面７０２と接続されていてもよい。
　受信フィルタ２２は、互いに対向する実装面２２２（第２実装面）および天面２２１（第２天面）を有し、上記内部空間に配置され、実装面２２２が、バンプ電極を介して主面７０３に実装されている。言い換えると、受信フィルタ２２は、実装面２２２が主面７０３と対面するように実装されている。なお、実装面２２２と主面７０３との接続媒体は、バンプ電極でなくてもよく、金属電極層などであってもよい。受信フィルタ２２の入力端子２２ａは、天面２２１に配置されている。
　共通端子１００は、モジュール基板７０Ｂの主面７０１に配置された外部接続端子７１ｂである。
　図２Ｂおよび図２Ｃに示すように、モジュール基板７０Ａおよび７０Ｂを平面視した場合に、送信フィルタ１２と受信フィルタ２２とは、少なくとも一部が重複している。
　図２Ａに示すように、高周波モジュール１Ａは、さらに、送信フィルタ１２の出力端子１２ｃと受信フィルタ２２の入力端子２２ａとを接続する接続電極８１ｂ、８２ｂ、および異方性導電膜６０を有している。接続電極８１ｂ、８２ｂおよび異方性導電膜６０は、モジュール基板７０Ａとモジュール基板７０Ｂとで挟まれた内部空間に配置され、いずれも、モジュール基板７０Ａおよび７０Ｂ（主面７０２および７０３）を経由しない導電部材である。
　上記構成を有する高周波モジュール１Ａは、対向する２つのモジュール基板７０Ａおよび７０Ｂの内部空間に送信フィルタ１２および受信フィルタ２２が対向するよう、かつ、上記平面視において一部重複するように分配実装され、送信フィルタ１２の出力端子１２ｃと受信フィルタ２２の入力端子２２ａとが共通端子１００に電気的に接続された構成を有する。これにより、高周波モジュール１Ａを省面積化できる。また、出力端子１２ｃと入力端子２２ａとが、モジュール基板７０Ａおよび７０Ｂを経由しない導電部材を介して、それぞれの天面同士で接続される。つまり、出力端子１２ｃと入力端子２２ａとを接続する配線が、モジュール基板７０Ａおよび７０Ｂを経由せずに上記内部空間にて短距離で接続できる。これにより、共通端子１００と送信フィルタ１２の出力端子１２ｃとの接続配線、および、共通端子１００と受信フィルタ２２の入力端子２２ａとの接続配線の合計配線長を短くできる。よって、高周波モジュール１Ａを小型化しつつ、高周波信号の伝送損失を低減することが可能となる。さらに、送信フィルタ１２の発熱を、送信フィルタ１２が実装されたモジュール基板７０Ｂから放熱するのに加え、上記導電部材（接続電極８１ｂ、８２ｂおよび異方性導電膜６０）ならびに受信フィルタ２２を経由してモジュール基板７０Ａからも放熱できるので、送信フィルタ１２の放熱性が向上する。
　以下では、高周波モジュール１Ａの詳細な構成について説明する。
　接続電極８１ｂは、外部と接合するための２つの接続面を有しており、一方の接続面が入力端子２２ａに接続され、他方の接続面が異方性導電膜６０と接続されている。また、２つの接続面を結んだ仮想線は、主面７０３の垂直方向と略平行となっている。
　接続電極８２ｂは、外部と接合するための２つの接続面を有しており、一方の接続面が出力端子１２ｃに接続され、他方の接続面が異方性導電膜６０と接続されている。また、２つの接続面を結んだ仮想線は、主面７０２の垂直方向と略平行となっている。
　接続電極８１ｂおよび８２ｂは、放熱性および導電性を考慮し、ＣｕおよびＡｇなどの金属であることが望ましい。
　さらに、送信フィルタ１２の出力端子１２ｃと受信フィルタ２２の入力端子２２ａとを接続する導電部材は、接続電極８１ｂおよび８２ｂに加えて異方性導電膜６０を含む。異方性導電膜６０は、送信フィルタ１２の天面１２１と受信フィルタ２２の天面２２１との間に配置され、主面７０２および７０３に平行な方向よりも主面７０２および７０３に垂直な方向に優先的に導通する異方性導電部材である。
　上記のような構造を有する接続電極８１ｂ、８２ｂ、および異方性導電膜６０によれば、送信フィルタ１２の出力端子１２ｃと受信フィルタ２２の入力端子２２ａとを接続する配線が、モジュール基板７０Ａおよび７０Ｂの主面に垂直な方向成分のみで形成できるので、上記内部空間にて最短距離で接続できる。これにより、共通端子１００と送信フィルタ１２の出力端子１２ｃとの接続配線、および、共通端子１００と受信フィルタ２２の入力端子２２ａとの接続配線の合計配線長を最短にできる。
　図３は、異方性導電膜６０の導電特性を説明する拡大断面概略図である。同図には、図２Ａに示された内部空間の領域Ｐにおける異方性導電膜６０、接続電極８１ｂ、８２ｂ、樹脂部材８０Ａおよび８０Ｂの拡大断面図が示されている。
　図３に示すように、接続電極８１ｂの他方の接続面８１１は異方性導電膜６０の面６０１と接合され、接続電極８２ｂの他方の接続面８２１は異方性導電膜６０の面６０２と接合されている。ここで、異方性導電膜６０は、接続電極８１ｂおよび８２ｂで挟まれた領域では、接続電極８１ｂと接続電極８２ｂとを結ぶ方向（ｚ軸方向）に優先的に導通する。一方、異方性導電膜６０の膜面に平行な方向（ｘ軸方向およびｙ軸方向）には導通しない。
　送信フィルタ１２と受信フィルタ２２とを接続するための導電部材として異方性導電膜６０を用いることにより、高周波モジュール１Ａの製造工程において、送信フィルタ１２が実装されたモジュール基板７０Ｂと、受信フィルタ２２が実装されたモジュール基板７０Ａとを、異方性導電部材を介して容易かつ高精度に接合できる。よって、簡素化された製造工程で、送信フィルタ１２の出力端子１２ｃと受信フィルタ２２の入力端子２２ａとを高精度に接続できる。
　なお、異方性導電膜６０を用いた高周波モジュール１Ａの具体的な製造工程については、後述する。
　さらに、図２Ａに示すように、本実施例に係る高周波モジュール１Ａでは、送信フィルタ１２の入力端子１２ｂおよび共通出力端子１２ａは、それぞれ、天面１２１に配置されている。なお、共通出力端子１２ａは、送信フィルタ１２の出力端子１２ｃと送信フィルタ１２内で電気的に接続され、出力端子１２ｃと共通端子１００（外部接続端子７１ｂ）との間に介在する端子である。図２Ａでは、共通出力端子１２ａと出力端子１２ｃとは、別個の端子として記載されているが、天面１２１上で１つの端子となっていてもよい。その場合には、一体化された共通出力端子１２ａおよび出力端子１２ｃは、天面１２１上で、接続電極８２ｂが接合される領域と、ボンディングワイヤ８３ａが接合される領域とを有する。また、受信フィルタ２２の出力端子２２ｂは、実装面２２２に配置されている。
　共通端子１００（外部接続端子７１ｂ）と共通出力端子１２ａとは、ビア導体７２ｂおよびボンディングワイヤ８３ａにより接続されている。ビア導体７２ｂは、一端が共通端子１００（外部接続端子７１ｂ）に接続され、他端がボンディングワイヤ８３ａに接続された、モジュール基板７０Ｂを貫通する第１ビア導体である。ボンディングワイヤ８３ａは、ビア導体７２ｂの他端および共通出力端子１２ａに接続されている。
　上記構成により、送信フィルタ１２の出力端子１２ｃと共通端子１００（外部接続端子７１ｂ）とを接続する配線を短くできるので、特に、高周波送信信号の伝送損失を低減できる。また、送信フィルタ１２の発熱を、当該配線が形成されたモジュール基板７０Ｂから優先的に放熱できるので、送信フィルタ１２の放熱性が向上する。
　また、本実施例では、図２Ａに示すように、ＰＡ１１は主面７０２に実装されており、ＬＮＡ２１は主面７０３に実装されており、モジュール基板７０Ａおよび７０Ｂを平面視した場合に、ＰＡ１１とＬＮＡ２１とは重複していない。
　これにより、ＰＡ１１からの発熱がＬＮＡ２１へ伝わりにくくなり、ＬＮＡ２１の上記発熱に起因した特性変動を抑制できる。
　また、本実施例では、図２Ａ～図２Ｃに示すように、モジュール基板７０Ａおよび７０Ｂを平面視した場合に、送信整合回路１３と受信整合回路２３との間には、送信フィルタ１２、受信フィルタ２２、ＰＡ１１、およびＬＮＡ２１が配置されている。
　これにより、送信整合回路１３と受信整合回路２３との電磁界結合を抑制できる。よって、ＰＡ１１で増幅された高出力の高周波送信信号の高調波成分および相互変調歪成分の受信フィルタ２２およびＬＮＡ２１への流入量を低減できるので、高周波モジュール１Ａの受信感度の劣化を抑制できる。
　なお、送信整合回路１３と受信整合回路２３との間には、送信フィルタ１２、受信フィルタ２２、ＰＡ１１、およびＬＮＡ２１の少なくとも１つが配置されていればよい。
　また、図２Ｂおよび図２Ｃに示すように、送信整合回路１３が第１インダクタを有し、受信整合回路２３が第２インダクタを有している場合には、第１インダクタの磁束方向（コイル巻回軸方向）と第２インダクタの磁束方向（コイル巻回軸方向）とは、交差していることが望ましい。これにより、送信整合回路１３と受信整合回路２３との磁界結合をさらに抑制できる。
　樹脂部材８０Ａは、上記内部空間に形成され、受信フィルタ２２、ＬＮＡ２１、および受信整合回路２３を覆っている。樹脂部材８０Ｂは、上記内部空間に形成され、送信フィルタ１２、ＰＡ１１、および送信整合回路１３を覆っている。樹脂部材８０Ａおよび８０Ｂとしては、例えば、エポキシ樹脂などの樹脂材料を用いることができる。樹脂部材８０Ａおよび８０Ｂにより、受信フィルタ２２、ＬＮＡ２１、受信整合回路２３、送信フィルタ１２、ＰＡ１１、および送信整合回路１３の機械強度および耐湿性などの信頼性を確保できる。なお、樹脂部材８０Ａは、受信フィルタ２２、ＬＮＡ２１および受信整合回路２３の少なくとも一部を覆っていればよく、樹脂部材８０Ｂは、送信フィルタ１２、ＰＡ１１および送信整合回路１３の少なくとも一部を覆っていればよい。また、樹脂部材８０Ａおよび８０Ｂは、本発明に係る高周波モジュールに必須の構成要素ではない。
　また、本実施の形態に係る高周波モジュール１Ａは、さらに、モジュール基板７０Ｂの主面７０１に配置された外部接続端子７１ａ、７１ｂ、７１ｃ、７１ｄおよび７１ｅと、ビア導体７２ａと、柱状電極８１ａ、８２ａ、８１ｃおよび８２ｃと、を有している。外部接続端子７１ａ～７１ｅは、それぞれ、外部基板と接続され、高周波信号、直流電圧などが伝達され、または、外部基板のグランド電位が設定される。柱状電極８１ａおよび８１ｃは、モジュール基板７０Ａに形成された電極と接続され、高周波信号、直流電圧などが伝達され、または、グランド電位が設定される。柱状電極８２ａおよび８２ｃは、モジュール基板７０Ｂに形成された電極と接続され、高周波信号、直流電圧などが伝達され、または、グランド電位が設定される。なお、外部接続端子７１ａ～７１ｅ、ビア導体７２ａ、柱状電極８１ａ、８２ａ、８１ｃおよび８２ｃは、本発明に係る高周波モジュールに必須の構成要素ではない。
　［３　実施例１に係る高周波モジュール１Ａの製造方法］
　ここで、実施例１に係る高周波モジュール１Ａの製造方法について説明する。
　まず、複数のモジュール基板７０Ａを有する集合基板Ａ、および、複数のジュール基板７０Ｂを有する集合基板Ｂを用意する。そして、集合基板Ａ（モジュール基板７０Ａの主面７０３）に、複数の受信フィルタ２２、複数のＬＮＡ２１、および複数の受信整合回路２３を実装する。また、集合基板Ｂ（モジュール基板７０Ｂの主面７０２）に、複数の送信フィルタ１２、複数のＰＡ１１、および複数の送信整合回路１３を実装する（工程１）。このとき、受信フィルタ２２の天面２２１には、予め、入力端子２２ａおよび接続電極８１ｂを接合し、送信フィルタ１２の天面１２１には、予め、出力端子１２ｃ、接続電極８２ｂ、入力端子１２ｂ、および共通出力端子１２ａを接合しておく。
　次に、集合基板Ａ（モジュール基板７０Ａの主面７０３、受信フィルタ２２、ＬＮＡ２１、および受信整合回路２３）を被覆するように、樹脂部材８０Ａとなる封止材を塗布し、加熱および硬化する。また、集合基板Ｂ（モジュール基板７０Ｂの主面７０２、送信フィルタ１２、ＰＡ１１、および送信整合回路１３）を被覆するように、樹脂部材８０Ｂとなる封止材を塗布し、加熱および硬化する（工程２）。
　次に、樹脂部材８０Ａとなる封止材および樹脂部材８０Ｂとなる封止材の表面を平坦化し、接続電極８１ｂおよび８２ｂを当該表面に露出させるために、封止材の表面を研磨（および研削）する（工程３）。
　次に、研磨した封止材の表面に、例えば、異方性導電ペーストを均一に塗布する。なお、異方性導電ペーストを使用しない場合には、双方のブロック間で導通接続が必要な箇所（接続電極８１ｂおよび８２ｂを接合する部分など）には導電性接着材を塗布し、その他の部分には非導電性接着剤を塗布してもよい（工程４）。
　次に、集合基板Ａ（モジュール基板７０Ａおよび樹脂部材８０Ａ）を有するブロックと集合基板Ｂ（モジュール基板７０Ｂおよび樹脂部材８０Ｂ）を有するブロックとの位置合わせを行って貼り合わせ、異方性導電ペーストを硬化するために加熱する（工程５）。
　最後に、集合基板Ａと集合基板Ｂとが貼り合わされたブロックを、ダイシングなどでモジュール（子基板）ごとに個片化する（工程６）。
　上記製造工程によれば、受信系部品が実装されたモジュール基板７０Ａのブロックと、送信系部品が実装されたモジュール基板７０Ｂのブロックとを、工程途中まで個別に製造できる。さらに、その後、異方性導電ペーストを用いることにより接続電極８１ｂおよび８２ｂの位置精度を過剰に合わせることなく、高周波モジュール１Ａを、簡素化された工程で高精度に製造できる。
　なお、上記製造工程の観点から、樹脂部材８０Ａの主面７０３に垂直な方向（ｚ軸方向）の厚さと、樹脂部材８０Ｂの主面７０２に垂直な方向（ｚ軸方向）の厚さとが異なっていてもよい。樹脂部材８０Ａおよび８０Ｂの厚みを変えることで、封止材を加熱および硬化させるときに生じる収縮応力を、モジュール基板７０Ａおよび樹脂部材８０Ａを有するブロックと、モジュール基板７０Ｂおよび樹脂部材８０Ｂを有するブロックとの間で変えることができる。これによれば、反り量が大きい方のブロックの封止材の量を少なくすることで収縮応力のバランスをとることができ、高周波モジュール１Ａの反りを抑制できる。
　また、樹脂部材８０Ａの材質と樹脂部材８０Ｂの材質とが、異なっていてもよい。これにより、たとえば、反り量が大きい方のブロックの方に、収縮量の小さい樹脂材料を適用する。また、樹脂材料を変更するとともに、上記のように封止材の厚みを変更しても構わない。そうすることで、高周波モジュール１Ａの反りを精度よく抑制できる。
　［４　変形例に係る高周波モジュールの構成］
　図４は、実施の形態の変形例１に係る高周波モジュール１Ｂの断面構成概略図である。本変形例に係る高周波モジュール１Ｂは、実施例１に係る高周波モジュール１Ａと比較して、送信フィルタ１２のグランド配線の構成が示されている点のみが異なる。なお、図４には、実施例１に係る高周波モジュール１Ａと異なる送信フィルタ１２の構成部分に絞って記載されている。以下、本変形例に係る高周波モジュール１Ｂについて、実施例１に係る高周波モジュール１Ａと同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。
　送信フィルタ１２は、互いに対向する実装面１２２（第１実装面）および天面１２１（第１天面）を有し、モジュール基板７０Ａとモジュール基板７０Ｂとで挟まれた内部空間に配置され、実装面１２２が主面７０２と対面するように実装されている。送信フィルタ１２の出力端子１２ｃは、天面１２１に配置されている。なお、送信フィルタ１２は、実装面１２２に形成されたバンプ電極を介して主面７０２と接続されていてもよい。
　図４に示すように、高周波モジュール１Ａは、さらに、送信フィルタ１２の出力端子１２ｃと受信フィルタ２２の入力端子２２ａとを接続する接続電極８１ｂ、８２ｂ、および異方性導電膜６０と、を有している。接続電極８１ｂ、８２ｂおよび異方性導電膜６０は、モジュール基板７０Ａとモジュール基板７０Ｂとで挟まれた内部空間に配置され、いずれも、モジュール基板７０Ａおよび７０Ｂ（主面７０２および７０３）を経由しない導電部材である。
　このため、出力端子１２ｃと入力端子２２ａとを接続する配線が、モジュール基板７０Ａおよび７０Ｂを経由せずに上記内部空間にて短距離で接続できる。これにより、共通端子１００と送信フィルタ１２の出力端子１２ｃとの接続配線、および、共通端子１００と受信フィルタ２２の入力端子２２ａとの接続配線の合計配線長を短くできる。よって、高周波モジュール１Ｂを小型化しつつ、高周波信号の伝送損失を低減することが可能となる。
　また、送信フィルタ１２の発熱を、送信フィルタ１２が実装されたモジュール基板７０Ｂから放熱するのに加え、上記導電部材および受信フィルタ２２を経由してモジュール基板７０Ｂからも放熱できるので、送信フィルタ１２の放熱性が向上する。
　さらに、図４に示すように、本変形例に係る高周波モジュール１Ｂでは、送信フィルタ１２の入力端子１２ｂおよび共通出力端子１２ａは、それぞれ、天面１２１に配置されている。一方、送信フィルタ１２のグランド端子１２ｇは実装面１２２に配置されている。
　共通端子１００（外部接続端子７１ｂ）と共通出力端子１２ａとは、ビア導体７２ｂおよびボンディングワイヤ８３ａにより接続されている。ボンディングワイヤ８３ａは、ビア導体７２ｂの他端および共通出力端子１２ａに接続されている。
　上記構成により、送信フィルタ１２の出力端子１２ｃと共通端子１００（外部接続端子７１ｂ）とを接続する配線を短くできるので、特に、高周波送信信号の伝送損失を低減できる。また、送信フィルタ１２の発熱を、当該配線が形成されたモジュール基板７０Ｂから優先的に放熱できるので、送信フィルタ１２の放熱性が向上する。
　また、送信フィルタ１２のグランド端子１２ｇは、ビア導体７２ｃの一端に接続されている。ビア導体７２ｃの他端は、モジュール基板７０Ｂの主面７０１に配置された外部接続端子７１ｃに接続されている。ビア導体７２ｃは、モジュール基板７０Ｂを貫通する第２ビア導体である。
　これにより、送信フィルタ１２の発熱をグランド配線（グランド端子１２ｇ＋ビア導体７２ｃ＋外部接続端子７１ｃ）を経由して、モジュール基板７０Ｂからも放熱できるので、送信フィルタ１２の放熱性がさらに向上する。
　図５は、実施の形態の変形例２に係る高周波モジュール１Ｃの断面構成概略図である。本変形例に係る高周波モジュール１Ｃは、実施例１に係る高周波モジュール１Ａと比較して、送信フィルタ１２のグランド配線の構成、共通端子１００と送信フィルタ１２との接続構成、および送信フィルタ１２と受信フィルタ２２との接続構成が異なる。なお、図５には、実施例１に係る高周波モジュール１Ａと異なる送信フィルタ１２および受信フィルタ２２の構成部分に絞って記載されている。以下、本変形例に係る高周波モジュール１Ｃについて、実施例１に係る高周波モジュール１Ａと同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。
　送信フィルタ１２は、互いに対向する実装面１２２（第１実装面）および天面１２１（第１天面）を有し、モジュール基板７０Ａとモジュール基板７０Ｂとで挟まれた内部空間に配置され、実装面１２２がバンプ電極を介して主面７０２に実装されている。なお、実装面１２２と主面７０２との接続媒体は、バンプ電極でなくてもよく、金属電極層などであってもよい。送信フィルタ１２の出力端子１２ｃは、天面１２１に配置されている。また、送信フィルタ１２の入力端子１２ｂ、共通出力端子１２ａおよびグランド端子１２ｇは、それぞれ、実装面１２２に配置されている。
　受信フィルタ２２は、互いに対向する実装面２２２（第２実装面）および天面２２１（第２天面）を有し、上記内部空間に配置され、実装面２２２が、バンプ電極を介して主面７０３に実装されている。また、受信フィルタ２２の入力端子２２ａは、天面２２１に配置されている。なお、実装面２２２と主面７０３との接続媒体は、バンプ電極でなくてもよく、金属電極層などであってもよい。
　共通端子１００は、モジュール基板７０Ｂの主面７０１に配置された外部接続端子７１ｂである。
　図５に示すように、高周波モジュール１Ｃは、さらに、送信フィルタ１２の出力端子１２ｃと受信フィルタ２２の入力端子２２ａとを接続する異方性導電膜６０を有している。異方性導電膜６０は、モジュール基板７０Ａとモジュール基板７０Ｂとで挟まれた内部空間に配置され、主面７０２および７０３を経由しない導電部材である。
　これにより、送信フィルタ１２の出力端子１２ｃと受信フィルタ２２の入力端子２２ａとを接続する配線が実質的には異方性導電膜６０のみとなるので、出力端子１２ｃと入力端子２２ａとを上記内部空間にて短距離で接続できる。
　また、共通端子１００（外部接続端子７１ｂ）と共通出力端子１２ａとは、ビア導体７２ｂにより接続されている。ビア導体７２ｂは、モジュール基板７０Ｂを貫通する第３ビア導体である。
　これにより、送信フィルタ１２の出力端子１２ｃと共通端子１００とは、ボンディングワイヤを介さず、ビア導体７２ｂを介して接続されるので高周波送信信号の伝送損失を低減できる。また、送信フィルタ１２の発熱を、ビア導体７２ｂが形成されたモジュール基板７０Ｂから優先的に放熱できるので、送信フィルタ１２の放熱性が向上する。
　また、送信フィルタ１２のグランド端子１２ｇは、ビア導体７２ｃの一端に接続されている。ビア導体７２ｃの他端は、モジュール基板７０Ｂの主面７０１に配置された外部接続端子７１ｃに接続されている。ビア導体７２ｃは、モジュール基板７０Ｂを貫通する第２ビア導体である。
　これにより、送信フィルタ１２の発熱をグランド配線（グランド端子１２ｇ＋ビア導体７２ｃ＋外部接続端子７１ｃ）を経由して、モジュール基板７０Ｂからも放熱できるので、送信フィルタ１２の放熱性がさらに向上する。
　なお、本変形例に係る高周波モジュール１Ｃの製造工程について、高周波モジュール１Ａと異なる工程を説明する。前述した高周波モジュール１Ａの製造工程のうち、工程３において、樹脂部材８０Ａとなる封止材および樹脂部材８０Ｂとなる封止材の表面を平坦化するにあたり、送信フィルタ１２の天面１２１および受信フィルタ２２の天面２２１が当該表面に露出するように、封止材の表面を研磨および研削する。送信フィルタ１２および受信フィルタ２２が、例えば、ＳＡＷフィルタである場合、圧電基板の天面を上記表面に露出させる。
　これにより、送信フィルタ１２の発熱を、直接受信フィルタ２２に伝搬させることができるため放熱性を向上できる。また、圧電基板の天面どうしを貼り合わせるため、その接触面積が大きくなり放熱性をさらに向上できる。なお、工程４のように、送信フィルタ１２および受信フィルタ２２の天面どうしを貼り合わせる部分に異方性導電膜を使用することで、接合部での熱伝導効率が向上し、放熱性をさらに向上できる。
　図６は、実施の形態の変形例３に係る高周波モジュール１Ｄの断面構成概略図である。本変形例に係る高周波モジュール１Ｄは、実施例１に係る高周波モジュール１Ａと比較して、シールド電極層が付加されている点が異なる。以下、本変形例に係る高周波モジュール１Ｄについて、実施例１に係る高周波モジュール１Ａと同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。
　高周波モジュール１Ｄは、高周波モジュール１Ａの構成要素に加えて、さらに、シールド電極層９０と、グランド電極層とを備える。
　上記グランド電極層は、モジュール基板７０Ａおよび７０Ｂの平面配線パターンで構成され、グランド電位に設定された電極である。
　シールド電極層９０は、主面７０４を覆うように形成され、モジュール基板７０Ａおよび７０Ｂの側面において上記グランド電極層と接続されている。
　これにより、ＰＡ１１および送信フィルタ１２から出力された送信信号が、高周波モジュール１Ｄから直接外部に放射されることを抑制でき、また、外来ノイズが受信フィルタ２２およびＬＮＡ２１に侵入することを抑制できる。さらに、シールド電極層９０を介して、送信フィルタ１２の発熱を放熱できるので、放熱性が向上する。
　なお、シールド電極層９０は、前述した高周波モジュール１Ａの製造工程において、例えば、工程６において集合基板が個片化された後、スパッタ法や真空蒸着法などにより形成される。工程６の後でシールド電極層９０が形成されることにより、モジュール基板７０Ａおよび７０Ｂの側面にもシールド電極層９０を形成でき、上記グランド電極層と導通接続させることが可能となる。
　図７は、実施の形態の変形例４に係る高周波モジュール１Ｅの断面構成概略図である。本変形例に係る高周波モジュール１Ｅは、実施例１に係る高周波モジュール１Ａと比較して、異方性導電膜６０が配置されていない点が異なる。以下、本変形例に係る高周波モジュール１Ｅについて、実施例１に係る高周波モジュール１Ａと同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。
　図７に示すように、高周波モジュール１Ｅは、送信フィルタ１２の出力端子１２ｃと受信フィルタ２２の入力端子２２ａとを接続する接続電極８１ｂを有している。接続電極８１ｂは、モジュール基板７０Ａとモジュール基板７０Ｂとで挟まれた内部空間に配置され、モジュール基板７０Ａおよび７０Ｂ（主面７０２および７０３）を経由しない導電部材である。
　つまり、上記構成を有する高周波モジュール１Ｅは、互いに対向する７０１および７０２を有するモジュール基板７０Ｂと、互いに対向する主面７０３および７０４を有し、主面７０３が主面７０２と対面するモジュール基板７０Ａと、互いに対向する実装面１２２および天面１２１を有し、上記内部空間に配置され、実装面１２２が主面７０２と対面するように実装された送信フィルタ１２と、互いに対向する実装面２２２および天面２２１を有し、上記内部空間に配置され、実装面２２２が主面７０３と対面するように実装された受信フィルタ２２と、主面７０１または７０４に配置され、送信フィルタ１２の出力端子１２ｃおよび受信フィルタ２２の入力端子２２ａと電気的に接続された共通端子１００（外部接続端子７１ｂ）と、を備える。ここで、上記平面視において、送信フィルタ１２と受信フィルタ２２とは、少なくとも一部が重複しており、出力端子１２ｃは天面１２１に配置され、入力端子２２ａは天面２２１に配置され、出力端子１２ｃと入力端子２２ａとは、上記内部空間に配置されモジュール基板７０Ａおよび７０Ｂを経由しない接続電極８１ｂにより接続されている。
　これにより、高周波モジュール１Ｅを省面積化できる。また、出力端子１２ｃと入力端子２２ａとが、主面７０２および７０３を経由しない導電部材（接続電極８１ｂ）を介して、それぞれの天面同士で接続される。つまり、送信フィルタ１２の出力端子１２ｃと受信フィルタ２２の入力端子２２ａとを接続する配線が、モジュール基板７０Ａおよび７０Ｂを経由せずに上記内部空間にて短距離で接続できる。これにより、共通端子１００と送信フィルタ１２の出力端子１２ｃとの接続配線、および、共通端子１００と受信フィルタ２２の入力端子２２ａとの接続配線の合計配線長を短くできる。よって、高周波モジュール１Ｅを小型化しつつ、高周波信号の伝送損失を低減することが可能となる。さらに、送信フィルタ１２の発熱を、送信フィルタ１２が実装されたモジュール基板７０Ｂから放熱するのに加え、上記接続電極８１ｂおよび受信フィルタ２２を経由してモジュール基板７０Ｂからも放熱できるので、送信フィルタ１２の放熱性が向上する。
　なお、本変形例において、上記内部空間は１種類の樹脂部材８０Ａで充填されているが、実施例１に係る高周波モジュール１Ａと同様に、２つの樹脂部材８０Ａおよび８０Ｂで充填された構成となっていてもよい。
　図８は、実施の形態の変形例５に係る高周波モジュール１Ｆの断面構成概略図である。本変形例に係る高周波モジュール１Ｆは、実施例１に係る高周波モジュール１Ａと比較して、送信系回路素子と受信系回路素子との配置関係が上下逆となっている点が異なる。以下、本変形例に係る高周波モジュール１Ｆについて、実施例１に係る高周波モジュール１Ａと同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。
　本変形例に係る高周波モジュール１Ｆは、外部基板（マザー基板）に接続される。上記外部基板は、モジュール基板７０Ａおよび７０Ｂのうちのモジュール基板７０Ｂ側（ｚ軸負方向側）に、モジュール基板７０Ｂと対向するように配置される。
　モジュール基板７０Ａは、互いに対向する主面７０４（第１主面）および主面７０３（第２主面）を有する第１実装基板である。
　モジュール基板７０Ｂは、互いに対向する主面７０２（第３主面）および主面７０１（第４主面）を有し、主面７０２が主面７０３と対面する第２実装基板である。
　送信フィルタ１２は、互いに対向する実装面１２２（第１実装面）および天面１２１（第１天面）を有し、モジュール基板７０Ａとモジュール基板７０Ｂとで挟まれた内部空間に配置され、実装面１２２がバンプ電極を介して主面７０３に実装されている。言い換えると、送信フィルタ１２は、実装面１２２が主面７０３と対面するように実装されている。なお、実装面１２２と主面７０３との接続媒体は、バンプ電極でなくてもよく、金属電極層などであってもよい。送信フィルタ１２の出力端子１２ｃは、天面１２１に配置されている。
　受信フィルタ２２は、互いに対向する実装面２２２（第２実装面）および天面２２１（第２天面）を有し、上記内部空間に配置され、実装面２２２が主面７０２と、金属電極層を介して接合されている。言い換えると、受信フィルタ２２は、実装面２２２が主面７０２と対面するように実装されている。受信フィルタ２２の入力端子２２ａおよび出力端子２２ｂは、天面２２１に配置されている。なお、受信フィルタ２２は、実装面２２２に形成されたバンプ電極を介して主面７０２と接続されていてもよい。
　また、受信フィルタ２２の共通入力端子２２ｃは、天面２２１に配置され、入力端子２２ａと受信フィルタ２２内で電気的に接続され、入力端子２２ａと共通端子１００（外部接続端子７１ｂ）との間に介在する端子である。なお、図８では、共通入力端子２２ｃと入力端子２２ａとは、別個の端子として記載されているが、天面２２１上で１つの端子となっていてもよい。その場合には、一体化された共通入力端子２２ｃおよび入力端子２２ａは、天面２２１上で、接続電極８２ｂが接合される領域と、ボンディングワイヤ８３ａが接合される領域とを有している。
　共通端子１００は、モジュール基板７０Ｂの主面７０１に配置された外部接続端子７１ｂである。
　図８に示すように、モジュール基板７０Ａおよび７０Ｂを平面視した場合に、送信フィルタ１２と受信フィルタ２２とは、少なくとも一部が重複している。
　また、図８に示すように、高周波モジュール１Ｆは、さらに、送信フィルタ１２の出力端子１２ｃと受信フィルタ２２の入力端子２２ａとを接続する接続電極８１ｂ、８２ｂ、および異方性導電膜６０と、を有している。接続電極８１ｂ、８２ｂおよび異方性導電膜６０は、モジュール基板７０Ａとモジュール基板７０Ｂとで挟まれた内部空間に配置され、いずれも、モジュール基板７０Ａおよび７０Ｂ（主面７０２および７０３）を経由しない導電部材である。
　上記構成により、高周波モジュール１Ｆを省面積化できる。また、出力端子１２ｃと入力端子２２ａとが、主面７０２および７０３を経由しない導電部材を介して、それぞれの天面同士で接続される。これにより、共通端子１００と受信フィルタ２２の入力端子２２ａとの接続配線、および、共通端子１００と送信フィルタ１２の出力端子１２ｃとの接続配線の合計配線長を短くできる。よって、高周波モジュール１Ｆを小型化しつつ、高周波信号の伝送損失を低減することが可能となる。
　さらに、送信フィルタ１２の発熱を、送信フィルタ１２が実装されたモジュール基板７０Ａから放熱するのに加え、上記導電部材および受信フィルタ２２を経由してモジュール基板７０Ｂからも放熱できるので、送信フィルタ１２の放熱性が向上する。
　また、本変形例に係る高周波モジュール１Ｆでは、共通端子１００（外部接続端子７１ｂ）と共通入力端子２２ｃとは、ビア導体７２ｂおよびボンディングワイヤ８３ａにより接続されている。ビア導体７２ｂは、一端が共通端子１００（外部接続端子７１ｂ）に接続され、他端がボンディングワイヤ８３ａに接続された、モジュール基板７０Ｂを貫通するビア導体である。ボンディングワイヤ８３ａは、ビア導体７２ｂの他端および共通入力端子２２ｃに接続されている。
　上記構成により、受信フィルタ２２の入力端子２２ａと共通端子１００（外部接続端子７１ｂ）とを接続する配線を短くできるので、特に、高周波受信信号の伝送損失を低減できる。
　（その他の実施の形態など）
　以上、本発明に係る高周波モジュールおよび通信装置について、実施例および変形例を挙げて説明したが、本発明に係る高周波モジュールおよび通信装置は、上記実施例および変形例に限定されるものではない。上記実施例および変形例における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、上記実施例および変形例に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、上記高周波モジュールおよび通信装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。
　例えば、上記実施の形態に係る高周波モジュールおよび通信装置において、図面に開示された各回路素子および信号経路を接続する経路の間に、別の回路素子および配線などが挿入されていてもよい。
　本発明は、フロントエンド部に配置される小型の高周波モジュールとして、携帯電話などの通信機器に広く利用できる。
　１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ、１Ｅ、１Ｆ　　高周波モジュール
　５　　アンテナ素子
　６　　ＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）
　７　　ベースバンド信号処理回路（ＢＢＩＣ）
　８　　通信装置
　１１　　ＰＡ
　１２　　送信フィルタ
　１２ａ　　共通出力端子
　１２ｂ、２２ａ　　入力端子
　１２ｃ、２２ｂ　　出力端子
　１２ｇ　　グランド端子
　１３　　送信整合回路
　２１　　ＬＮＡ
　２２　　受信フィルタ
　２２ｃ　　共通入力端子
　２３　　受信整合回路
　６０　　異方性導電膜
　７０Ａ、７０Ｂ　　モジュール基板
　７１ａ、７１ｂ、７１ｃ、７１ｄ、７１ｅ　　外部接続端子
　７２ａ、７２ｂ、７２ｃ　　ビア導体
　８０Ａ、８０Ｂ　　樹脂部材
　８１ａ、８１ｃ、８２ａ、８２ｃ　　柱状電極
　８１ｂ、８２ｂ　　接続電極
　８３ａ　　ボンディングワイヤ
　９０　　シールド電極層
　１００　　共通端子
　１１０　　送信入力端子
　１２０　　受信出力端子
　１２１、２２１　　天面
　１２２、２２２　　実装面
　６０１、６０２　　面
　７０１、７０２、７０３、７０４　　主面
　８１１、８２１　　接続面

Claims (11)

  1. 　互いに対向する第１主面および第２主面を有する第１実装基板と、
    　互いに対向する第３主面および第４主面を有し、前記第３主面が前記第２主面と対面する第２実装基板と、
    　互いに対向する第１実装面および第１天面を有し、前記第１実装基板と前記第２実装基板とで挟まれた内部空間に配置され、前記第１実装面が前記第２主面と対面するように実装された送信フィルタと、
    　互いに対向する第２実装面および第２天面を有し、前記内部空間に配置され、前記第２実装面が前記第３主面と対面するように実装された受信フィルタと、
    　前記第１主面または前記第４主面に配置され、前記送信フィルタの出力端子および前記受信フィルタの入力端子と電気的に接続された共通端子と、を備え、
    　前記第１実装基板および前記第２実装基板を平面視した場合に、前記送信フィルタと前記受信フィルタとは、少なくとも一部が重複しており、
    　前記送信フィルタの出力端子は、前記第１天面に配置され、
    　前記受信フィルタの入力端子は、前記第２天面に配置され、
    　前記送信フィルタの出力端子と前記受信フィルタの入力端子とは、前記内部空間に配置され前記第１実装基板および前記第２実装基板を経由しない導電部材により接続されている、
    　高周波モジュール。
  2. 　前記共通端子は、前記第１主面に配置され、
    　前記送信フィルタの入力端子、および、前記送信フィルタの出力端子と当該送信フィルタ内で電気的に接続された前記送信フィルタの共通出力端子は、それぞれ、前記第１天面に配置され、
    　前記共通端子と前記送信フィルタの共通出力端子とは、前記共通端子に接続された前記第１実装基板を貫通する第１ビア導体、および、前記第１ビア導体と前記送信フィルタの共通出力端子とを接続するボンディングワイヤにより接続されている、
    　請求項１に記載の高周波モジュール。
  3. 　前記共通端子は、前記第１主面に配置され、
    　前記送信フィルタのグランド端子は、前記第１実装面に配置され、前記第１実装基板を貫通する第２ビア導体に接続されている、
    　請求項１または２に記載の高周波モジュール。
  4. 　前記共通端子は、前記第１主面に配置され、
    　前記送信フィルタの入力端子、前記送信フィルタの出力端子と当該送信フィルタ内で電気的に接続された前記送信フィルタの共通出力端子、および、前記送信フィルタのグランド端子は、それぞれ、前記第１実装面に配置され、
    　前記共通端子と前記送信フィルタの共通出力端子とは、前記共通端子に接続された前記第１実装基板を貫通する第３ビア導体により接続され、
    　前記送信フィルタのグランド端子は、前記第１実装基板を貫通する第２ビア導体に接続されている、
    　請求項１に記載の高周波モジュール。
  5. 　前記共通端子は、前記第４主面に配置され、
    　前記受信フィルタの出力端子、および、前記受信フィルタの入力端子と当該受信フィルタ内で電気的に接続された前記受信フィルタの共通入力端子は、それぞれ、前記第２天面に配置され、
    　前記共通端子と前記受信フィルタの共通入力端子とは、前記共通端子に接続された前記第２実装基板を貫通するビア導体、および、前記ビア導体と前記受信フィルタの共通入力端子とを接続するボンディングワイヤにより接続されている、
    　請求項１に記載の高周波モジュール。
  6. 　前記導電部材は、前記第１天面と前記第２天面との間に配置され、前記第２主面および前記第３主面に平行な方向よりも前記第２主面および前記第３主面に垂直な方向に優先的に導通する異方性導電部材を含む、
    　請求項１～５のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  7. 　さらに、
    　前記第２主面に実装され、前記送信フィルタへ高周波送信信号を出力する送信電力増幅器と、
    　前記第３主面に実装され、前記受信フィルタから出力された高周波受信信号を増幅する受信低雑音増幅器と、を備え、
    　前記第１実装基板および前記第２実装基板を平面視した場合に、前記送信電力増幅器と前記受信低雑音増幅器とは、重複しない、
    　請求項１～６のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  8. 　さらに、
    　前記送信フィルタの入力端子と前記送信電力増幅器の出力端とを結ぶ経路に配置され、前記送信フィルタと前記送信電力増幅器とのインピーダンス整合をとるための送信整合回路と、
    　前記受信フィルタの出力端子と前記受信低雑音増幅器の入力端とを結ぶ経路に配置され、前記受信フィルタと前記受信低雑音増幅器とのインピーダンス整合をとるための受信整合回路と、を備え、
    　前記第１実装基板および前記第２実装基板を平面視した場合に、前記送信整合回路と前記受信整合回路との間には、前記送信フィルタ、前記受信フィルタ、前記送信電力増幅器、および前記受信低雑音増幅器の少なくとも１つが配置されている、
    　請求項７に記載の高周波モジュール。
  9. 　前記送信整合回路は、第１インダクタを有し、
    　前記受信整合回路は、第２インダクタを有し、
    　前記第１インダクタの磁束方向と前記第２インダクタの磁束方向とは、交差している、
    　請求項８に記載の高周波モジュール。
  10. 　さらに、
    　前記内部空間に形成され、前記送信フィルタおよび前記受信フィルタの少なくとも一部を覆う樹脂部材と、
    　前記第１実装基板および前記第２実装基板の平面配線パターンにより形成されたグランド電極層と、
    　前記第１主面または前記第４主面を覆うように形成され、前記第１実装基板および前記第２実装基板の側面において前記グランド電極層と接続されたシールド電極層と、を備える、
    　請求項１に記載の高周波モジュール。
  11. 　アンテナ素子で送受信される高周波信号を処理するＲＦ信号処理回路と、
    　前記アンテナ素子と前記ＲＦ信号処理回路との間で前記高周波信号を伝達する請求項１～１０のいずれか１項に記載の高周波モジュールと、を備える、
    　通信装置。
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