WO2022014337A1 - 高周波モジュール及び通信装置 - Google Patents

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WO2022014337A1
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high frequency
frequency module
main surface
elastic wave
metal block
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PCT/JP2021/024809
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直也 松本
孝紀 上嶋
佑二 竹松
大 中川
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株式会社村田製作所
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    • H03H9/0552—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement the device and the other elements being mounted on opposite sides of a common substrate

Definitions

  • the present invention generally relates to a high frequency module and a communication device, and more particularly to a high frequency module including a mounting board and a communication device including the high frequency module.
  • Patent Document 1 describes a mounting board having a first main surface and a second main surface facing each other, a transmission filter mounted on the first main surface of the mounting board, a resin member covering the transmission filter, and a shield.
  • a high frequency module comprising an electrode layer is disclosed.
  • the shield electrode layer is formed so as to cover the top surface and the side surface of the resin member.
  • An object of the present invention is to provide a high frequency module and a communication device capable of improving the shielding property.
  • the high frequency module includes a mounting substrate, an elastic wave filter, a metal block, a resin layer, and a shield layer.
  • the mounting board has a first main surface and a second main surface facing each other, and has a ground layer.
  • the elastic wave filter is mounted on the first main surface of the mounting substrate.
  • the metal block is arranged on the first main surface of the mounting substrate and is connected to the ground layer.
  • the resin layer is arranged on the first main surface of the mounting substrate and covers the outer peripheral surface of the elastic wave filter and the outer peripheral surface of the metal block.
  • the shield layer covers the main surface of the elastic wave filter on the side opposite to the mounting substrate side, the resin layer, and the metal block. The metal block is in contact with the shield layer.
  • the high frequency module includes a mounting substrate, an elastic wave filter, a metal member, a metal block, a resin layer, and a shield layer.
  • the mounting board has a first main surface and a second main surface facing each other, and has a ground layer.
  • the elastic wave filter is mounted on the first main surface of the mounting substrate.
  • the metal member is arranged on the main surface of the elastic wave filter on the side opposite to the mounting substrate side.
  • the metal block is arranged on the first main surface of the mounting substrate and is connected to the ground layer.
  • the resin layer is arranged on the first main surface of the mounting substrate, and covers the outer peripheral surface of the elastic wave filter, the outer peripheral surface of the metal member, and the outer peripheral surface of the metal block.
  • the shield layer covers the resin layer, the metal member, and the metal block. The metal block is in contact with the shield layer.
  • the communication device includes the high frequency module and a signal processing circuit.
  • the signal processing circuit is connected to the high frequency module.
  • the high frequency module and communication device can improve the shielding property.
  • FIG. 1 shows a high-frequency module according to the first embodiment, and is a plan view in which the shield layer and the resin layer are not shown.
  • FIG. 2 shows the high frequency module of the same as above, and is a sectional view taken along line AA of FIG.
  • FIG. 3 is a circuit configuration diagram of a communication device including the same high frequency module.
  • FIG. 4 shows a high-frequency module according to the second embodiment, and is a plan view omitting the illustration of the shield layer and the resin layer.
  • FIG. 5 shows the high frequency module of the same as above, and is a sectional view taken along line AA of FIG.
  • FIG. 6 shows a high-frequency module according to the third embodiment, and is a plan view omitting the illustration of the shield layer and the resin layer.
  • FIG. 1 shows a high-frequency module according to the first embodiment, and is a plan view in which the shield layer and the resin layer are not shown.
  • FIG. 2 shows the high frequency module of the same as above, and is
  • FIG. 7 shows the same high-frequency module as having a second main surface of the mounting board, circuit components arranged on the second main surface of the mounting board, and a plurality of external connection terminals from the first main surface side of the mounting board. It is a perspective plan view.
  • FIG. 8 shows the high frequency module of the same as above, and is a sectional view taken along line AA of FIG.
  • FIG. 9 shows the high frequency module according to the fourth embodiment, and is a plan view omitting the illustration of the shield layer and the resin layer.
  • FIG. 10 shows the high-frequency module of the same as above, with the second main surface of the mounting board, the circuit components arranged on the second main surface of the mounting board, and a plurality of external connection terminals from the first main surface side of the mounting board.
  • FIG. 11 shows the high frequency module of the same as above, and is a sectional view taken along line AA of FIG.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view of the high frequency module according to the fifth embodiment.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view of the high frequency module according to the sixth embodiment.
  • FIGS. 1, 2, 4 to 13 referred to in the following embodiments and the like are schematic views, and the ratio of the size and the thickness of each component in the figure does not necessarily reflect the actual dimensional ratio. Not always.
  • the high frequency module 100 includes a mounting substrate 9, an elastic wave filter 1, a metal block 3, a resin layer 5, and a shield layer 6. And prepare.
  • the mounting board 9 has a first main surface 91 and a second main surface 92 facing each other, and has a ground layer 94.
  • the elastic wave filter 1 is mounted on the first main surface 91 of the mounting substrate 9.
  • the metal block 3 is arranged on the first main surface 91 of the mounting substrate 9 and is connected to the ground layer 94.
  • the resin layer 5 is arranged on the first main surface 91 of the mounting substrate 9 and covers the outer peripheral surface 13 of the elastic wave filter 1 and the outer peripheral surface 33 of the metal block 3.
  • the shield layer 6 covers the main surface 12 of the elastic wave filter 1 opposite to the mounting substrate 9, the resin layer 5, and the metal block 3.
  • the high frequency module 100 is used in, for example, the communication device 300.
  • the communication device 300 is, for example, a mobile phone (for example, a smartphone), but is not limited to this, and may be, for example, a wearable terminal (for example, a smart watch) or the like.
  • the high frequency module 100 is a module capable of supporting, for example, a 4G (4th generation mobile communication) standard, a 5G (5th generation mobile communication) standard, and the like.
  • the 4G standard is, for example, a 3GPP (Third Generation Partnership Project) LTE (Long Term Evolution) standard.
  • the 5G standard is, for example, 5G NR (New Radio).
  • the high frequency module 100 is a module capable of supporting carrier aggregation and dual connectivity, for example.
  • the high frequency module 100 is configured so that, for example, a transmission signal (high frequency signal) input from the signal processing circuit 301 can be amplified and output to the antenna 310. Further, the high frequency module 100 is configured to amplify the received signal (high frequency signal) input from the antenna 310 and output it to the signal processing circuit 301.
  • the signal processing circuit 301 is not a component of the high frequency module 100, but a component of the communication device 300 including the high frequency module 100.
  • the high frequency module 100 is controlled by, for example, the signal processing circuit 301 included in the communication device 300.
  • the communication device 300 includes a high frequency module 100 and a signal processing circuit 301.
  • the communication device 300 further includes an antenna 310.
  • the communication device 300 further includes a circuit board on which the high frequency module 100 is mounted.
  • the circuit board is, for example, a printed wiring board.
  • the circuit board has a ground electrode to which a ground potential is applied.
  • the signal processing circuit 301 includes, for example, an RF signal processing circuit 302 and a baseband signal processing circuit 303.
  • the RF signal processing circuit 302 is, for example, an RFIC (Radio Frequency Integrated Circuit), and performs signal processing on a high frequency signal.
  • the RF signal processing circuit 302 performs signal processing such as up-conversion on the high frequency signal (transmission signal) output from the baseband signal processing circuit 303, and outputs the signal processed high frequency signal. Further, the RF signal processing circuit 302 performs signal processing such as down-conversion on the high frequency signal (received signal) output from the high frequency module 100, and uses the processed high frequency signal as a baseband signal processing circuit. Output to 303.
  • the baseband signal processing circuit 303 is, for example, a BBIC (Baseband Integrated Circuit).
  • the baseband signal processing circuit 303 generates an I-phase signal and a Q-phase signal from the baseband signal.
  • the baseband signal is, for example, an audio signal, an image signal, or the like input from the outside.
  • the baseband signal processing circuit 303 performs IQ modulation processing by synthesizing an I-phase signal and a Q-phase signal, and outputs a transmission signal.
  • the transmission signal is generated as a modulation signal (IQ signal) in which a carrier signal having a predetermined frequency is amplitude-modulated with a period longer than the period of the carrier signal.
  • IQ signal modulation signal
  • the received signal processed by the baseband signal processing circuit 303 is used, for example, for displaying an image as an image signal or for a call of a user of the communication device 300 as an audio signal.
  • the high frequency module 100 transmits a high frequency signal (received signal, transmitted signal) between the antenna 310 and the RF signal processing circuit 302 of the signal processing circuit 301.
  • the high frequency module 100 includes a power amplifier 111 and a low noise amplifier 121. Further, the high frequency module 100 includes a plurality of (for example, two) transmission filters 112A and 112B, and a plurality of (for example, two) reception filters 122A and 122B. Further, the high frequency module 100 includes an output matching circuit 113 and an input matching circuit 123. Further, the high frequency module 100 includes a first switch 104, a second switch 105, and a third switch 106. Further, the high frequency module 100 further includes a controller 115.
  • the plurality of transmission filters 112A and 112B and the plurality of reception filters 122A and 122B have a one-to-one correspondence, and the pass band of the plurality of transmission filters 112A and 112B with the corresponding reception filters 122A and 122B.
  • the transmission filter 112A having a small frequency difference between them constitutes the above-mentioned elastic wave filter 1 (see FIGS. 1 and 2).
  • the high frequency module 100 is provided with a plurality of external connection terminals 80.
  • the plurality of external connection terminals 80 include an antenna terminal 81, a signal input terminal 82, a signal output terminal 83, a control terminal 84, and a plurality of ground terminals 85 (see FIG. 2).
  • the plurality of ground terminals 85 are terminals that are electrically connected to the ground electrode of the above-mentioned circuit board included in the communication device 300 and are given a ground potential.
  • the power amplifier 111 has an input terminal and an output terminal.
  • the power amplifier 111 amplifies the transmission signal of the first frequency band input to the input terminal and outputs it from the output terminal.
  • the first frequency band includes, for example, a first communication band and a second communication band.
  • the first communication band corresponds to the transmission signal passing through the transmission filter 112A, and is, for example, Band 22 of the 3GPP LTE standard.
  • the second communication band corresponds to the transmission signal passing through the transmission filter 112B, and is, for example, Band 11 of the 3GPP LTE standard.
  • the input terminal of the power amplifier 111 is connected to the signal input terminal 82.
  • the input terminal of the power amplifier 111 is connected to the signal processing circuit 301 via the signal input terminal 82.
  • the signal input terminal 82 is a terminal for inputting a high frequency signal (transmission signal) from an external circuit (for example, a signal processing circuit 301) to the high frequency module 100.
  • the output terminal of the power amplifier 111 is connected to the common terminal 150 of the second switch 105 via the output matching circuit 113.
  • the low noise amplifier 121 has an input terminal and an output terminal.
  • the low noise amplifier 121 amplifies the received signal in the second frequency band input to the input terminal and outputs it from the output terminal.
  • the second frequency band is, for example, the same as the first frequency band, and includes a first communication band and a second communication band.
  • the input terminal of the low noise amplifier 121 is connected to the common terminal 160 of the third switch 106 via the input matching circuit 123.
  • the output terminal of the low noise amplifier 121 is connected to the signal output terminal 83.
  • the output terminal of the low noise amplifier 121 is connected to the signal processing circuit 301 via, for example, the signal output terminal 83.
  • the signal output terminal 83 is a terminal for outputting a high frequency signal (received signal) from the low noise amplifier 121 to an external circuit (for example, a signal processing circuit 301).
  • the transmission filter 112A is, for example, a filter whose pass band is the transmission band of the first communication band.
  • the transmission filter 112B is, for example, a filter whose pass band is the transmission band of the second communication band.
  • the reception filter 122A is, for example, a filter having a reception band of the first communication band as a pass band.
  • the reception filter 122B is, for example, a filter having a reception band of the second communication band as a pass band.
  • the first switch 104 has a common terminal 140 and a plurality of (for example, two) selection terminals 141 and 142.
  • the common terminal 140 is connected to the antenna terminal 81.
  • An antenna 310 is connected to the antenna terminal 81.
  • the selection terminal 141 is connected to a connection point between the output terminal of the transmission filter 112A and the input terminal of the reception filter 122A.
  • the selection terminal 142 is connected to a connection point between the output terminal of the transmission filter 112B and the input terminal of the reception filter 122B.
  • the first switch 104 is, for example, a switch capable of connecting at least one or more of a plurality of selection terminals 141 and 142 to the common terminal 140.
  • the first switch 104 is, for example, a switch capable of one-to-one and one-to-many connections.
  • the first switch 104 is controlled by, for example, the signal processing circuit 301.
  • the first switch 104 switches the connection state between the common terminal 140 and the plurality of selection terminals 141 and 142 according to the control signal from the RF signal processing circuit 302 of the signal processing circuit 301.
  • the first switch 104 is, for example, a switch IC (Integrated Circuit).
  • the second switch 105 has a common terminal 150 and a plurality of (for example, two) selection terminals 151 and 152.
  • the common terminal 150 is connected to the output terminal of the power amplifier 111 via the output matching circuit 113.
  • the selection terminal 151 is connected to the input terminal of the transmission filter 112A.
  • the selection terminal 152 is connected to the input terminal of the transmission filter 112B.
  • the second switch 105 is, for example, a switch capable of connecting at least one or more of a plurality of selection terminals 151 and 152 to the common terminal 150.
  • the second switch 105 is, for example, a switch capable of one-to-one and one-to-many connections.
  • the second switch 105 is controlled by, for example, the signal processing circuit 301.
  • the second switch 105 switches the connection state between the common terminal 150 and the plurality of selection terminals 151 and 152 according to the control signal from the RF signal processing circuit 302 of the signal processing circuit 301.
  • the second switch 105 is, for example, a switch IC.
  • the third switch 106 has a common terminal 160 and a plurality of (for example, two) selection terminals 161, 162.
  • the common terminal 160 is connected to the input terminal of the low noise amplifier 121 via the input matching circuit 123.
  • the selection terminal 161 is connected to the output terminal of the reception filter 122A.
  • the selection terminal 162 is connected to the output terminal of the reception filter 122B.
  • the third switch 106 is, for example, a switch capable of connecting at least one or more of a plurality of selection terminals 161, 162 to the common terminal 160.
  • the third switch 106 is, for example, a switch capable of one-to-one and one-to-many connections.
  • the third switch 106 is controlled by, for example, the signal processing circuit 301.
  • the third switch 106 switches the connection state between the common terminal 160 and the plurality of selection terminals 161, 162 according to the control signal from the RF signal processing circuit 302 of the signal processing circuit 301.
  • the third switch 106 is, for example, a switch IC.
  • the output matching circuit 113 is provided in the signal path between the output terminal of the power amplifier 111 and the common terminal 150 of the second switch 105.
  • the output matching circuit 113 is a circuit for impedance matching between the power amplifier 111 and the transmission filters 112A and 112B.
  • the output matching circuit 113 includes, for example, two inductors L1 and L2 (see FIG. 1), but is not limited to this.
  • the output matching circuit 113 when composed of one inductor, includes a plurality of inductors and a plurality of capacitors. In some cases.
  • the input matching circuit 123 is provided in the signal path between the input terminal of the low noise amplifier 121 and the common terminal 160 of the third switch 106.
  • the input matching circuit 123 is a circuit for impedance matching between the low noise amplifier 121 and the receiving filters 122A and 122B.
  • the input matching circuit 123 is composed of, for example, one inductor L3 (see FIG. 1), but is not limited to this, and may include, for example, a plurality of inductors and a plurality of capacitors.
  • the controller 115 is connected to the control terminal 84.
  • the controller 115 is connected to the signal processing circuit 301 via the control terminal 84.
  • the control terminal 84 is a terminal for inputting a control signal from an external circuit (for example, a signal processing circuit 301) to the high frequency module 100.
  • the controller 115 controls the power amplifier 111 based on the control signal from the signal processing circuit 301.
  • the high frequency module 100 includes a mounting board 9 and a plurality of circuit components.
  • the plurality of circuit components include a power amplifier 111, an IC chip 120 including a low noise amplifier 121, two transmission filters 112A and 112B, two reception filters 122A and 122B, and circuit components (two inductors) of the output matching circuit 113. L1, L2) and circuit components (inductor L3) of the input matching circuit 123 are included.
  • the plurality of circuit components further include a first switch 104, a second switch 105, a third switch 106, and a controller 115.
  • the high frequency module 100 further includes a plurality of external connection terminals 80.
  • the plurality of external connection terminals 80 include an antenna terminal 81, a signal input terminal 82, a signal output terminal 83, a control terminal 84, and a plurality of ground terminals 85.
  • the mounting board 9 has a first main surface 91 and a second main surface 92 facing each other in the thickness direction D1 of the mounting board 9.
  • the mounting substrate 9 is, for example, a multilayer substrate including a plurality of dielectric layers and a plurality of conductive layers.
  • the plurality of dielectric layers and the plurality of conductive layers are laminated in the thickness direction D1 of the mounting substrate 9.
  • the plurality of conductive layers are formed in a predetermined pattern defined for each layer.
  • Each of the plurality of conductive layers includes one or a plurality of conductor portions in one plane orthogonal to the thickness direction D1 of the mounting substrate 9.
  • the material of each conductive layer is, for example, copper.
  • the plurality of conductive layers include a ground layer 94 (see FIG. 2).
  • the mounting substrate 9 is, for example, an LTCC (Low Temperature Co-fired Ceramics) substrate.
  • the mounting substrate 9 is not limited to the LTCC substrate, and may be, for example, a printed wiring board, an HTCC (High Temperature Co-fired Ceramics) substrate, or a resin multilayer substrate.
  • the mounting board 9 is not limited to the LTCC board, and may be, for example, a wiring structure.
  • the wiring structure is, for example, a multi-layer structure.
  • the multilayer structure includes at least one insulating layer and at least one conductive layer.
  • the insulating layer is formed in a predetermined pattern. When there are a plurality of insulating layers, the plurality of insulating layers are formed in a predetermined pattern determined for each layer.
  • the conductive layer is formed in a predetermined pattern different from the predetermined pattern of the insulating layer. When there are a plurality of conductive layers, the plurality of conductive layers are formed in a predetermined pattern determined for each layer.
  • the conductive layer may include one or more rewiring portions.
  • the first surface is the first main surface 91 of the mounting board 9, and the second surface is the second main surface 92 of the mounting board 9.
  • the wiring structure may be, for example, an interposer.
  • the interposer may be an interposer using a silicon substrate or a substrate composed of multiple layers.
  • the first main surface 91 and the second main surface 92 of the mounting board 9 are separated in the thickness direction D1 of the mounting board 9 and intersect with the thickness direction D1 of the mounting board 9.
  • the first main surface 91 of the mounting board 9 is, for example, orthogonal to the thickness direction D1 of the mounting board 9, but may include, for example, the side surface of the conductor portion as a surface not orthogonal to the thickness direction D1.
  • the second main surface 92 of the mounting board 9 is, for example, orthogonal to the thickness direction D1 of the mounting board 9, but includes, for example, the side surface of the conductor portion as a surface not orthogonal to the thickness direction D1. You may.
  • first main surface 91 and the second main surface 92 of the mounting substrate 9 may be formed with fine irregularities, concave portions or convex portions.
  • the inner surface of the recess is included in the first main surface 91.
  • a plurality of circuit components are mounted on the first main surface 91 of the mounting board 9.
  • the circuit component is mounted on the first main surface 91 of the mounting board 9 means that the circuit component is arranged on the first main surface 91 of the mounting board 9 (mechanically connected). And that the circuit component is electrically connected to (the appropriate conductor portion) of the mounting board 9. Therefore, in the high frequency module 100, a plurality of circuit components are arranged on the first main surface 91 of the mounting board 9.
  • the high frequency module 100 is not limited to a plurality of circuit components mounted on the mounting board 9, and may include circuit elements provided in the mounting board 9.
  • the power amplifier 111 is an IC chip including a circuit unit having a transistor for amplifying a high frequency signal (transmission signal).
  • the power amplifier 111 is flip-chip mounted on the first main surface 91 of the mounting board 9.
  • the outer peripheral shape of the power amplifier 111 is a quadrangular shape in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting board 9.
  • the transistor for amplification is, for example, an HBT (Heterojunction Bipolar Transistor).
  • the IC chip constituting the power amplifier 111 is, for example, a GaAs-based IC chip.
  • the transistor for amplification is not limited to a bipolar transistor such as an HBT, and may be, for example, a FET (Field Effect Transistor).
  • the FET is, for example, a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor).
  • the IC chip constituting the power amplifier 111 is not limited to the GaAs-based IC chip, and may be, for example, a Si-based IC chip, a SiGe-based IC chip, or a GaN-based IC chip.
  • the IC chip 120 including the low noise amplifier 121 is an IC chip including a circuit unit having a transistor for amplifying a high frequency signal (received signal).
  • the IC chip 120 is flip-chip mounted on the first main surface 91 of the mounting board 9.
  • the outer peripheral shape of the IC chip 120 is a quadrangular shape in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting substrate 9.
  • the transistor for amplification is a field effect transistor, but is not limited to this, and may be, for example, a bipolar transistor.
  • the IC chip 120 is a Si-based IC chip, but is not limited to this.
  • Each of the two transmit filters 112A, 112B and the two receive filters 122A, 122B is, for example, a ladder type filter, with a plurality of (eg, 4) series arm resonators and a plurality (eg, 3) in parallel. It has an arm resonator.
  • Each of the two transmit filters 112A, 112B and the two receive filters 122A, 122B is, for example, an elastic wave filter.
  • each of the plurality of series arm resonators and the plurality of parallel arm resonators is composed of elastic wave resonators.
  • the surface acoustic wave filter is, for example, a surface acoustic wave filter that utilizes a surface acoustic wave.
  • each of the plurality of series arm resonators and the plurality of parallel arm resonators is, for example, a SAW (Surface Acoustic Wave) resonator.
  • the surface elastic wave filter is, for example, formed on a piezoelectric substrate and a piezoelectric substrate, and has a plurality of IDT (Interdigital Transducer) electrodes having a one-to-one correspondence with a plurality of series arm resonators and a piezoelectric substrate. It is formed and has a plurality of IDT electrodes having a one-to-one correspondence with the plurality of parallel arm resonators.
  • the piezoelectric substrate is, for example, a piezoelectric substrate.
  • the piezoelectric substrate is, for example, a lithium niobate substrate, a lithium tantalate substrate, or a quartz substrate.
  • the piezoelectric substrate is not limited to the piezoelectric substrate, and is a laminated type including, for example, a silicon substrate, a high sound velocity film on the silicon substrate, a low sound velocity film on the high sound velocity film, and a piezoelectric layer on the low sound velocity film. It may be a substrate.
  • the material of the piezoelectric layer is, for example, lithium niobate or lithium tantalate.
  • the bass sound film is a film in which the sound velocity of the bulk wave propagating in the bass velocity film is lower than the sound velocity of the bulk wave propagating in the piezoelectric layer.
  • the material of the low sound velocity film is, for example, silicon oxide.
  • the high sound velocity film is a film in which the sound velocity of the bulk wave propagating in the high sound velocity film is higher than the sound velocity of the elastic wave propagating in the piezoelectric layer.
  • the material of the hypersonic film is, for example, silicon nitride.
  • Each of the two transmission filters 112A and 112B is, for example, a bare chip (also called a bare die) elastic wave filter.
  • the outer peripheral shapes of the two transmission filters 112A and 112B are quadrangular.
  • Each of the two transmission filters 112A and 112B is flip-chip mounted on the first main surface 91 of the mounting board 9.
  • Each of the two receiving filters 122A and 122B is, for example, a bare chip (also called a bare die) elastic wave filter.
  • the outer peripheral shapes of the two receiving filters 122A and 122B are quadrangular.
  • Each of the two reception filters 122A and 122B is flip-chip mounted on the first main surface 91 of the mounting board 9.
  • Each of the first switch 104, the second switch 105, and the third switch 106 is an IC chip including a circuit unit having a plurality of FETs (Field Effect Transistors).
  • the circuit unit is a functional unit having a function of switching a connection state between a common terminal and a plurality of selection terminals.
  • Each of the first switch 104, the second switch 105, and the third switch 106 is flip-chip mounted on the first main surface 91 of the mounting board 9.
  • the outer peripheral shape of each of the first switch 104, the second switch 105, and the third switch 106 is a quadrangular shape in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting board 9.
  • Each of the two inductors L1 and L2 in the output matching circuit 113 is, for example, a chip inductor.
  • the two inductors L1 and L2 in the output matching circuit 113 are mounted on, for example, the first main surface 91 of the mounting board 9.
  • the outer peripheral shape of each of the two inductors L1 and L2 is a quadrangular shape in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting substrate 9.
  • the output matching circuit 113 may include an inner layer inductor provided in the mounting board 9. Further, the output matching circuit 113 is not limited to the configuration including the two inductors L1 and L2, and may be a transformer.
  • the inductor L3 constituting the input matching circuit 123 is, for example, a chip inductor.
  • the outer peripheral shape of the inductor L3 is a quadrangular shape in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting board 9.
  • the input matching circuit 123 may include an inner layer inductor provided in the mounting board 9.
  • the plurality of external connection terminals 80 are arranged on the second main surface 92 of the mounting board 9.
  • the external connection terminal 80 is arranged on the second main surface 92 of the mounting board 9" means that the external connection terminal 80 is mechanically connected to the second main surface 92 of the mounting board 9, and that the external connection terminal 80 is mechanically connected to the second main surface 92 of the mounting board 9. Includes that the connection terminal 80 is electrically connected to (an appropriate conductor portion) of the mounting board 9.
  • the material of the plurality of external connection terminals 80 is, for example, a metal (for example, copper, a copper alloy, etc.).
  • the plurality of external connection terminals 80 include a plurality of ground terminals 85 in addition to the above-mentioned antenna terminal 81, signal input terminal 82, signal output terminal 83, and control terminal 84.
  • the plurality of ground terminals 85 are electrically connected to the ground layer 94 of the mounting board 9 as described above.
  • the ground layer 94 is a circuit ground of the high frequency module 100, and a plurality of circuit components of the high frequency module 100 include circuit components electrically connected to the ground layer 94.
  • the metal block 3 is arranged on the first main surface 91 of the mounting board 9.
  • the metal block 3 is arranged on the first main surface 91 of the mounting board 9" means that the metal block 3 is mechanically connected to the first main surface 91 of the mounting board 9, and that the metal block 3 is connected to the first main surface 91 of the mounting board 9. Is electrically connected to (the appropriate conductor portion of) the mounting board 9.
  • the conductor portion to which the metal block 3 is electrically connected is a conductor portion connected to the ground layer 94.
  • the material of the metal block 3 is, for example, copper or a copper alloy.
  • the metal block 3 is bonded to the conductor portion of the mounting substrate 9 by, for example, solder, but is not limited to this, and is bonded, for example, by using a conductive adhesive (for example, a conductive paste). It may be directly bonded or it may be directly bonded.
  • the metal block 3 is separated from any of the plurality of circuit components in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting board 9. Further, the metal block 3 is separated from the outer edge of the mounting board 9 in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting board 9. The metal block 3 is linear in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting substrate 9. The thickness of the metal block 3 in the thickness direction D1 of the mounting substrate 9 is larger than the thickness of the elastic wave filter 1. The thickness of the metal block 3 is substantially the same as the distance between the mounting board 9 and the shield layer 6 in the thickness direction D1 of the mounting board 9.
  • the length of the metal block 3 in the longitudinal direction is longer than the length of each of the four sides of the elastic wave filter 1. Further, in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting substrate 9, the length of the metal block 3 in the lateral direction is shorter than the length of each of the four sides of the elastic wave filter 1.
  • the metal block 3 is arranged so that the two long sides are substantially parallel to two of the four sides of the mounting board 9 in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting board 9.
  • the shape of the metal block 3 in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting substrate 9 is not limited to a straight line, but may be a curved line, a polygonal line, a combination of a straight line and a curved line, a comb shape, a frame shape, or the like. It may be in the shape of.
  • the resin layer 5 covers at least a part of each of a plurality of circuit components mounted on the first main surface 91 of the mounting board 9 on the first main surface 91 side of the mounting board 9.
  • the resin layer 5 contains a resin (for example, an epoxy resin).
  • the resin layer 5 may contain a filler in addition to the resin.
  • the resin layer 5 covers the outer peripheral surface of each of the plurality of circuit components, and also covers the main surface of some of the circuit components on the side opposite to the mounting board 9 side.
  • the elastic wave filter 1 the outer peripheral surface 13 of the elastic wave filter 1 is covered with the resin layer 5. Further, the main surface 12 of the elastic wave filter 1 on the side opposite to the mounting substrate 9 side is not covered with the resin layer 5.
  • the shield layer 6 has conductivity.
  • the shield layer 6 has a multi-layer structure in which a plurality of metal layers are laminated, but the shield layer 6 is not limited to this and may be one metal layer.
  • the metal layer contains one or more metals.
  • the shield layer 6 covers the main surface 51 of the resin layer 5 opposite to the mounting substrate 9 side, the outer peripheral surface 53 of the resin layer 5, and the outer peripheral surface 93 of the mounting substrate 9.
  • the shield layer 6 is in contact with at least a part of the outer peripheral surface of the ground layer 94 included in the mounting substrate 9. Further, the shield layer 6 covers the metal block 3. As a result, the shield layer 6 is in contact with the metal block 3. More specifically, the shield layer 6 is in contact with the surface 31 of the metal block 3 opposite to the mounting substrate 9 side.
  • the shield layer 6 is in direct contact with substantially the entire area of the surface 31 of the metal block 3 opposite to the mounting substrate 9 side. Further, the shield layer 6 covers the main surface 12 of the elastic wave filter 1 on the side opposite to the mounting substrate 9 side. As a result, the shield layer 6 is in contact with the main surface 12 of the elastic wave filter 1 on the side opposite to the mounting substrate 9 side. Here, the shield layer 6 is in direct contact with substantially the entire area of the main surface 12 of the elastic wave filter 1 on the side opposite to the mounting substrate 9 side.
  • the lowest metal layer among the plurality of metal layers is a close contact layer for the metal block 3, the elastic wave filter 1, and the resin layer 5, and the other metal layers are more than the close contact layer. It can be composed of a metal layer having high conductivity.
  • the main surface 12 on the side opposite to the mounting substrate 9 side in the elastic wave filter 1, the main surface 51 of the resin layer 5, and the surface 31 of the metal block 3 are substantially flush with each other.
  • the elastic wave filter 1 is a transmission filter 112A.
  • the elastic wave filter 1 and the metal block 3 are adjacent to each other in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting substrate 9. "The elastic wave filter 1 and the metal block 3 are adjacent to each other" means that there are no other circuit components between the elastic wave filter 1 and the metal block 3 in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting substrate 9. It means that the elastic wave filter 1 and the metal block 3 are adjacent to each other.
  • the reception filter 122A, the IC chip 120 including the low noise amplifier 121, the inductor L3 of the input matching circuit 123, and the third switch 106 are each a metal block. It constitutes an electronic component 2 located on the opposite side of the elastic wave filter 1 when viewed from 3.
  • the power amplifier 111 is arranged near one of the four corners of the first main surface 91 of the rectangular mounting board 9 in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting board 9. ..
  • the power amplifier 111 is located on the side opposite to the electronic component 2 when viewed from the metal block 3.
  • the power amplifier 111 is located on the side opposite to the metal block 3 when viewed from the elastic wave filter 1.
  • the high frequency module 100 in the direction in which the power amplifier 111 and the elastic wave filter 1 are arranged side by side, there are no other circuit components on the side opposite to the elastic wave filter 1 when viewed from the power amplifier 111, and the power amplifier 111 and the shield are shielded. It is adjacent to the layer 6.
  • the first step is a step of mounting a plurality of circuit components on the first main surface 91 of the mounting board 9 and arranging the metal block 3.
  • the second step is a step of covering a plurality of circuit parts and the metal block 3 and forming a resin material layer which is a source of the resin layer 5 on the first main surface 91 side of the mounting substrate 9.
  • the resin material layer is ground from the main surface of the resin material layer opposite to the mounting substrate 9, and the elastic wave filter 1 and the metal block 3 are exposed, and then the resin material layer and the elastic wave filter 1 are formed.
  • This is a step of forming the resin layer 5 and thinning the piezoelectric substrate and the metal block 3 of the elastic wave filter 1 by grinding the piezoelectric substrate and the metal block 3.
  • the fourth step is a step of forming the shield layer 6 covering the main surface 51 of the resin layer 5, the main surface 12 of the elastic wave filter 1, and the metal block 3 by, for example, a thin-film deposition method, a sputtering method, or a printing method.
  • the high frequency module 100 includes a mounting substrate 9, an elastic wave filter 1, a metal block 3, a resin layer 5, and a shield layer 6.
  • the mounting board 9 has a first main surface 91 and a second main surface 92 facing each other, and has a ground layer 94.
  • the elastic wave filter 1 is mounted on the first main surface 91 of the mounting substrate 9.
  • the metal block 3 is arranged on the first main surface 91 of the mounting substrate 9 and is connected to the ground layer 94.
  • the resin layer 5 is arranged on the first main surface 91 of the mounting substrate 9 and covers the outer peripheral surface 13 of the elastic wave filter 1 and the outer peripheral surface 33 of the metal block 3.
  • the shield layer 6 covers the main surface 12 of the elastic wave filter 1 opposite to the mounting substrate 9, the resin layer 5, and the metal block 3.
  • the metal block 3 is in contact with the shield layer 6.
  • the metal block 3 connected to the ground layer 94 of the mounting substrate 9 is in contact with the shield layer 6, it is possible to improve the shielding property.
  • the shielding property of the shield layer 6 can be improved.
  • the elastic wave filter 1 since the elastic wave filter 1 is in contact with the shield layer 6, it is possible to improve the heat dissipation. Further, in the high frequency module 100 according to the first embodiment, the heat generated by the elastic wave filter 1 and transferred to the shield layer 6 is easily transferred to the metal block 3, and it is possible to further improve the heat dissipation. Become. In the high frequency module 100 according to the first embodiment, it is preferable that the shield layer 6 is in contact with the entire area of the main surface 12 on the side opposite to the mounting substrate 9 side in the elastic wave filter 1 from the viewpoint of improving heat dissipation. However, it is not essential that the shield layer 6 is in contact with the entire surface of the main surface 12 of the elastic wave filter 1.
  • the high frequency module 100 according to the first embodiment can dissipate heat generated by the elastic wave filter 1 through the shield layer 6. As a result, the high frequency module 100 according to the first embodiment can suppress the temperature rise of the piezoelectric substrate included in the elastic wave filter 1. Therefore, the high frequency module 100 according to the first embodiment can stabilize the temperature characteristics of the elastic wave filter 1, and can stabilize the characteristics of the high frequency module 100.
  • the elastic wave filter 1 is the transmission filter 112A, but the heat of the transmission filter 112A is less likely to be transferred to the reception filter 122A connected to the transmission filter 112A, and the reception filter It is possible to suppress the deterioration of the characteristics of 122A. Further, in the high frequency module 100 according to the first embodiment, it is possible to suppress deterioration of the isolation characteristics between the transmission filter 112A and the reception filter 122A.
  • a plurality of electronic components 2 located on the opposite side of the elastic wave filter 1 from the metal block 3 include an IC chip including a receiving filter 122A and a low noise amplifier 121. It includes 120, an inductor L3 of an input matching circuit 123, and a third switch 106.
  • the high frequency module 100 according to the first embodiment can improve the isolation between the elastic wave filter 1 and the plurality of electronic components 2. More specifically, it is possible to suppress that the transmission signal passing through the elastic wave filter 1 affects the electronic component 2 (jumps to the electronic component 2).
  • each of the main surface 12 of the elastic wave filter 1 and the surface 31 of the metal block 3 is opposite to the mounting substrate 9 side of the electronic component 2 covered with the resin layer 5. It is a rougher surface than the main surface on the side.
  • an unnecessary wave propagating in a direction along the thickness direction of the lithium niobate substrate or the lithium tantalate substrate constituting the piezoelectric substrate in the elastic wave filter 1 (for example, unnecessary wave).
  • Bulk waves) can be scattered at the interface between the piezoelectric substrate and the shield layer 6, and the filter characteristics of the elastic wave filter 1 can be improved. Examples of the improvement of the filter characteristics include suppression of harmonic distortion.
  • the communication device 300 includes a signal processing circuit 301 and a high frequency module 100.
  • the signal processing circuit 301 is connected to the high frequency module 100.
  • the communication device 300 according to the first embodiment includes the high frequency module 100, it is possible to improve the shielding property.
  • the plurality of circuit boards constituting the signal processing circuit 301 may be mounted on the above-mentioned circuit board, for example, or a circuit board (first circuit board) different from the circuit board (first circuit board) on which the high frequency module 100 is mounted. It may be mounted on the second circuit board).
  • the high frequency module 100a according to the second embodiment will be described with reference to FIGS. 4 and 5.
  • the same components as the high frequency module 100 according to the first embodiment are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.
  • the circuit configuration of the high frequency module 100a is the same as the circuit configuration of the high frequency module 100 according to the first embodiment described with reference to FIG.
  • the high frequency module 100a according to the second embodiment is different from the high frequency module 100 according to the first embodiment in that it includes a plurality of metal blocks 3 (two in the illustrated example).
  • the metal block 3 arranged between the elastic wave filter 1, the receiving filter 122A, the inductor L3, the IC chip 120, and the third switch 106 will be referred to as a first metal block 3A.
  • the metal block 3 arranged between the elastic wave filter 1 and the power amplifier 111 may be referred to as a second metal block 3B.
  • the reception filter 122A, the IC chip 120 including the low noise amplifier 121, the inductor L3 of the input matching circuit 123, and the third switch 106 are each from the first metal block 3A. As seen, it constitutes an electronic component 2 located on the opposite side of the elastic wave filter 1.
  • the power amplifier 111 constitutes an electronic component 2 located on the opposite side of the elastic wave filter 1 when viewed from the second metal block 3B.
  • the power amplifier 111 and the second metal block 3B are adjacent to each other. "The power amplifier 111 and the second metal block 3B are adjacent to each other" means that another circuit component is provided between the power amplifier 111 and the second metal block 3B in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting board 9. It means that the power amplifier 111 and the second metal block 3B are adjacent to each other.
  • the 1 metal block 3A and the reception filter 122A are arranged in this order of the power amplifier 111, the second metal block 3B, the elastic wave filter 1 (transmission filter 112A), the first metal block 3A, and the reception filter 122A.
  • the elastic wave filter 1 (transmission filter 112A) and the transmission filter 112B are located on the opposite side of the power amplifier 111 when viewed from the second metal block 3B.
  • the second metal block 3B is located between the transmission filter 112B and the power amplifier 111 in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting substrate 9. Further, in the high frequency module 100a according to the second embodiment, the power is obtained in a direction orthogonal to the direction in which the second metal block 3B and the first metal block 3A are arranged in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting substrate 9.
  • the amplifier 111 and the output matching circuit 113 (inductor L1) are adjacent to each other.
  • the power amplifier 111, the output matching circuit 113, and the controller 115 are arranged in the order of the power amplifier 111, the output matching circuit 113, and the controller 115.
  • the shielding property is higher than that of the high frequency module 100 according to the first embodiment. It becomes possible to improve. Further, in the high frequency module 100a according to the second embodiment, the length of the first metal block 3A is longer than the length of the metal block 3 in the high frequency module 100 according to the first embodiment, and is the length in the lateral direction of the mounting substrate 9. It is almost the same. In the high frequency module 100a, the first end face and the second end face in the longitudinal direction of the first metal block 3A are not covered with the first resin layer 5 but are in contact with the shield layer 6. As a result, the high frequency module 100a according to the second embodiment can further improve the shielding property.
  • the main surface 12 of the elastic wave filter 1 is in contact with the shield layer 6, so that the temperature rise of the elastic wave filter 1 is suppressed. It becomes possible to do.
  • the high frequency module 100a is generated by the power amplifier 111 because the electronic component 2 located on the side opposite to the elastic wave filter 1 when viewed from the second metal block 3B includes the power amplifier 111.
  • the heat is less likely to be transmitted to the elastic wave filter 1, and the temperature rise of the piezoelectric substrate of the elastic wave filter 1 can be suppressed.
  • the signal from the power amplifier 111 affects the other electronic components 2 (other electronic components). It is possible to suppress (jumping to 2).
  • the high frequency module 100b according to the third embodiment will be described with reference to FIGS. 6 to 8.
  • the same components as the high frequency module 100 according to the first embodiment are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.
  • the circuit configuration of the high frequency module 100b is the same as the circuit configuration of the high frequency module 100 according to the first embodiment described with reference to FIG.
  • the high frequency module 100b according to the third embodiment is different from the high frequency module 100 according to the first embodiment in that the IC chip 120 including the low noise amplifier 121 is mounted on the second main surface 92 of the mounting board 9. Further, in the high frequency module 100b according to the third embodiment, the high frequency module 100 according to the first embodiment also has the first switch 104, the third switch 106, and the controller 115 mounted on the second main surface 92 of the mounting board 9. Is different from.
  • the high frequency module 100b according to the third embodiment is different from the high frequency module 100 according to the first embodiment in that each of the plurality of external connection terminals 80 is a columnar electrode.
  • the columnar electrode is, for example, a columnar electrode.
  • the plurality of external connection terminals 80 are bonded to the conductor portion of the mounting substrate 9, for example, by soldering, but the present invention is not limited to this, and the plurality of external connection terminals 80 are bonded to the conductor portion of the mounting substrate 9, for example, by using a conductive adhesive (for example, a conductive paste). It may be bonded or it may be directly bonded.
  • the high frequency module 100b according to the third embodiment is separated from the resin layer 5 (hereinafter, also referred to as the first resin layer 5) arranged on the first main surface 91 of the mounting substrate 9 and the resin layer 7 (hereinafter, also referred to as the first resin layer 5).
  • a second resin layer 7) is further provided.
  • the second resin layer 7 includes an outer peripheral surface of each of a plurality of circuit components (IC chip 120, first switch 104, third switch 106, and controller 115) mounted on the second main surface 92 of the mounting board 9, and a plurality of them. It covers the outer peripheral surface of each of the external connection terminals 80 of the above.
  • the second resin layer 7 is formed so as to expose the main surface of each of the plurality of circuit components mounted on the second main surface 92 of the mounting board 9 opposite to the mounting board 9 side.
  • the second resin layer 7 contains a resin (for example, an epoxy resin).
  • the second resin layer 7 may contain a filler in addition to the resin.
  • the material of the second resin layer 7 may be the same material as the material of the first resin layer 5, or may be a different material.
  • the shield layer 6 also covers the outer peripheral surface 73 of the second resin layer 7.
  • the main surface of the plurality of circuit components mounted on the second main surface 92 of the mounting board 9 opposite to the mounting board 9 side and the main surface opposite to the mounting board 9 side of the resin layer 7 are opposite to each other.
  • the main surface 71 on the side is substantially flush with each other.
  • the high frequency module 100b according to the third embodiment has an improved shielding property because the metal block 3 connected to the ground layer 94 of the mounting substrate 9 is in contact with the shield layer 6. It becomes possible to plan.
  • the main surface 12 of the elastic wave filter 1 is in contact with the shield layer 6, so that the temperature rise of the elastic wave filter 1 is suppressed. It becomes possible to do.
  • the IC chip 120 including the low noise amplifier 121 is mounted on the second main surface 92 of the mounting board 9.
  • the elastic wave filter 1 transmission filter 112A
  • the high frequency module 100b according to the third embodiment can improve the isolation between the elastic wave filter 1 and the low noise amplifier 121.
  • the IC chip 120 is located on the side opposite to the elastic wave filter 1 when viewed from the metal block 3 in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting substrate 9. Therefore, it is possible to further improve the isolation between the elastic wave filter 1 and the low noise amplifier 121.
  • the power amplifier 111 and the IC chip 120 do not overlap in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting substrate 9. Therefore, the high frequency module 100b according to the third embodiment can improve the isolation between the power amplifier 111 and the low noise amplifier 121.
  • each of the plurality of circuit components (IC chip 120, first switch 104, third switch 106, and controller 115) mounted on the second main surface 92 of the mounting board 9.
  • the second resin layer 7 is formed so as to expose the main surface on the side opposite to the mounting substrate 9.
  • the high frequency module 100c according to the fourth embodiment will be described with reference to FIGS. 9 to 11.
  • the same components as the high frequency module 100b according to the third embodiment are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.
  • the circuit configuration of the high frequency module 100c is the same as the circuit configuration of the high frequency module 100 according to the first embodiment described with reference to FIG.
  • the high frequency module 100c according to the fourth embodiment is different from the high frequency module 100b according to the third embodiment in that it includes a plurality of metal blocks 3 (two in the illustrated example).
  • the metal block 3 arranged between the elastic wave filter 1 and the receiving filter 122A and the inductor L3 will be referred to as a first metal block 3A
  • the elastic wave filter 1 and the power amplifier 111 will be referred to.
  • the metal block 3 arranged between the two metal blocks 3 may be referred to as a second metal block 3B.
  • the receiving filter 122A and the inductor L3 of the input matching circuit 123 are each located on the opposite side of the elastic wave filter 1 from the first metal block 3A. It constitutes a component 2.
  • the power amplifier 111 constitutes an electronic component 2 located on the opposite side of the elastic wave filter 1 when viewed from the second metal block 3B.
  • the power amplifier 111 and the second metal block 3B are adjacent to each other. "The power amplifier 111 and the second metal block 3B are adjacent to each other" means that another circuit component is provided between the power amplifier 111 and the second metal block 3B in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting board 9. It means that the power amplifier 111 and the second metal block 3B are adjacent to each other.
  • the 1 metal block 3A and the reception filter 122A are arranged in this order of the power amplifier 111, the second metal block 3B, the elastic wave filter 1 (transmission filter 112A), the first metal block 3A, and the reception filter 122A.
  • the elastic wave filter 1 (transmission filter 112A) and the transmission filter 112B are located on the opposite side of the power amplifier 111 when viewed from the second metal block 3B.
  • the second metal block 3B is located between the transmission filter 112B and the power amplifier 111 in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting substrate 9. Further, in the high frequency module 100c according to the fourth embodiment, the power is obtained in a direction orthogonal to the direction in which the second metal block 3B and the first metal block 3A are arranged in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting substrate 9.
  • the amplifier 111 and the output matching circuit 113 (inductor L1) are adjacent to each other.
  • the shielding property is higher than that of the high frequency module 100b according to the third embodiment. It becomes possible to improve.
  • the main surface 12 of the elastic wave filter 1 is in contact with the shield layer 6, so that the temperature rise of the elastic wave filter 1 is suppressed. It becomes possible to do.
  • the high frequency module 100c since the high frequency module 100c according to the fourth embodiment includes the power amplifier 111 as the electronic component 2 located on the side opposite to the elastic wave filter 1 when viewed from the second metal block 3B, it is generated by the power amplifier 111. The heat is less likely to be transmitted to the elastic wave filter 1, and the temperature rise of the piezoelectric substrate of the elastic wave filter 1 can be suppressed.
  • the signal from the power amplifier 111 affects the other electronic components 2 (other electronic components). It is possible to suppress (jumping to 2).
  • the high frequency module 100d according to the fifth embodiment will be described with reference to FIG. Regarding the high frequency module 100d according to the fifth embodiment, the same components as the high frequency module 100c according to the fourth embodiment are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.
  • the circuit configuration of the high frequency module 100d is the same as the circuit configuration of the high frequency module 100 according to the first embodiment described with reference to FIG.
  • the high frequency module 100d according to the fifth embodiment is different from the high frequency module 100c according to the fifth embodiment in that the metal member 4 is further provided.
  • the metal member 4 is arranged on the main surface 12 of the elastic wave filter 1 on the side opposite to the mounting substrate 9 side.
  • the resin layer 5 is arranged on the first main surface 91 of the mounting substrate 9, and has an outer peripheral surface 13 of the elastic wave filter 1, an outer peripheral surface 43 of the metal member 4, and an outer peripheral surface 33 of each of the plurality of metal blocks 3. Covering.
  • the shield layer 6 covers the resin layer 5, the metal member 4, and the plurality of metal blocks 3. The plurality of metal blocks 3 are in contact with the shield layer 6. Further, the metal member 4 is in contact with the shield layer 6.
  • the metal member 4 has a rectangular shape in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting substrate 9, but is not limited to this. Further, the metal member 4 has the same size as the elastic wave filter 1 in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting substrate 9, but is not limited to this, and may be larger than the elastic wave filter 1. It may be small.
  • the material of the metal member 4 is, for example, copper or a copper alloy. The metal member 4 may be joined to or simply in contact with the main surface 12 of the elastic wave filter 1.
  • the metal block 3 connected to the ground layer 94 of the mounting substrate 9 is in contact with the shield layer 6, it is possible to improve the shielding property. Further, since the high frequency module 100d according to the fifth embodiment includes a plurality of metal blocks 3, it is possible to further improve the shielding property.
  • the high frequency module 100e according to the sixth embodiment is different from the high frequency module 100d according to the fifth embodiment in that a plurality of external connection terminals 80 are ball bumps. Further, the high frequency module 100e according to the sixth embodiment is different from the high frequency module 100d according to the fifth embodiment in that the resin layer 7 of the high frequency module 100d according to the fifth embodiment is not provided.
  • the high frequency module 100e according to the sixth embodiment includes an underfill portion provided in a gap between a circuit component mounted on the second main surface 92 of the mounting board 9 and the second main surface 92 of the mounting board 9. May be.
  • the material of the ball bumps constituting each of the plurality of external connection terminals 80 is, for example, gold, copper, solder, or the like.
  • the plurality of external connection terminals 80 may be a mixture of an external connection terminal 80 composed of ball bumps and an external connection terminal 80 composed of columnar electrodes.
  • the high frequency module 100e according to the sixth embodiment has an improved shielding property because the metal block 3 connected to the ground layer 94 of the mounting substrate 9 is in contact with the shield layer 6. It becomes possible to plan.
  • Each of the transmission filter 112A (elastic wave filter 1), transmission filter 112B, reception filter 122A, and reception filter 122B is not limited to the bare chip elastic wave filter, and may have a package structure.
  • each of the transmission filter 112A (elastic wave filter 1), the transmission filter 112B, the reception filter 122A, and the reception filter 122B is not limited to the surface acoustic wave filter, and may be, for example, a BAW (Bulk Acoustic Wave) filter.
  • the resonator in the BAW filter is, for example, FBAR (Film Bulk Acoustic Resonator) or SMR (Solidly Mounted Resonator).
  • the filters such as the transmission filters 112A and 112B and the reception filters 122A and 122B are not limited to the ladder type filters, respectively, of the transmission filter 112A (elastic wave filter 1), the transmission filter 112B, the reception filter 122A and the reception filter 122B.
  • a longitudinally coupled resonator type elastic surface wave filter may be used.
  • the above-mentioned elastic wave filter is an elastic wave filter that utilizes a surface acoustic wave or a bulk elastic wave, but is not limited to this, and may be, for example, an elastic wave filter that utilizes an elastic boundary wave, a plate wave, or the like. good.
  • the elastic wave filter 1 is electrically connected to the mounting board 9 via a conductive bump
  • the circuit parts other than the elastic wave filter 1 among the plurality of circuit parts mounted on the mounting board 9 are It is not limited to the case where it is electrically connected to the mounting board 9 via the conductive bump, and may be electrically connected to the mounting board 9 via, for example, a bonding wire.
  • the circuit configuration of the high frequency modules 100 to 100e is not limited to the above example. Further, the high frequency modules 100 to 100e may have, for example, a high frequency front end circuit corresponding to MIMO (Multi Input Multi Output) as a circuit configuration.
  • MIMO Multi Input Multi Output
  • the communication device 300 may include any one of the high frequency modules 100a, 100b, 100c, 100d, and 100e instead of the high frequency module 100.
  • the IC chip 120 including the low noise amplifier 121 may include, for example, at least one of the first switch 104, the second switch 105, the third switch 106, and the controller 115 in addition to the low noise amplifier 121. ..
  • the high frequency module (100; 100a; 100b; 100c; 100e) includes a mounting substrate (9), an elastic wave filter (1), a metal block (3), a resin layer (5), and the like.
  • a shield layer (6) is provided.
  • the mounting substrate (9) has a first main surface (91) and a second main surface (92) facing each other, and has a ground layer (94).
  • the elastic wave filter (1) is mounted on the first main surface (91) of the mounting substrate (9).
  • the metal block (3) is arranged on the first main surface (91) of the mounting substrate (9) and is connected to the ground layer (94).
  • the resin layer (5) is arranged on the first main surface (91) of the mounting substrate (9), and is an outer peripheral surface (13) of the elastic wave filter (1) and an outer peripheral surface (33) of the metal block (3). It covers and.
  • the shield layer (6) covers the main surface (12), the resin layer (5), and the metal block (3) on the side opposite to the mounting substrate (9) side in the elastic wave filter (1).
  • the metal block (3) is in contact with the shield layer (6).
  • the high frequency module (100; 100a; 100b; 100c; 100e) according to the first aspect can improve the shielding property.
  • the high frequency module (100d) includes a mounting substrate (9), an elastic wave filter (1), a metal member (4), a metal block (3), a resin layer (5), and a shield.
  • a layer (6) is provided.
  • the mounting substrate (9) has a first main surface (91) and a second main surface (92) facing each other, and has a ground layer (94).
  • the elastic wave filter (1) is mounted on the first main surface (91) of the mounting substrate (9).
  • the metal member (4) is arranged on the main surface (12) of the elastic wave filter (1) on the side opposite to the mounting substrate (9) side.
  • the metal block (3) is arranged on the first main surface (91) of the mounting substrate (9) and is connected to the ground layer (94).
  • the resin layer (5) is arranged on the first main surface (91) of the mounting substrate (9), and is an outer peripheral surface (13) of the elastic wave filter (1) and an outer peripheral surface (43) of the metal member (4). And the outer peripheral surface (33) of the metal block (3) are covered.
  • the shield layer (6) covers the resin layer (5), the metal member (4), and the metal block (3). The metal block (3) is in contact with the shield layer (6).
  • the high frequency module (100d) according to the second aspect can improve the shielding property.
  • the high frequency module (100; 100a; 100b; 100c; 100d; 100e) according to the third aspect further includes a plurality of external connection terminals (80) in the first or second aspect.
  • the plurality of external connection terminals (80) are arranged on the second main surface (92) of the mounting board (9).
  • the plurality of external connection terminals (80) include a ground terminal (85) connected to the ground layer (94).
  • the high frequency module (100; 100a; 100b; 100c; 100d; 100e) according to the third aspect can improve the shielding property.
  • the elastic wave filter (1) is the transmission filter (112A). be.
  • the high frequency module (100; 100a; 100b; 100c; 100d; 100e) according to the fourth aspect, it is possible to suppress leakage of the high frequency signal (transmission signal) passing through the transmission filter (112A).
  • the high frequency module (100; 100a; 100b; 100c; 100d; 100e) according to the fifth aspect further includes the electronic component (2) in the fourth aspect.
  • the electronic component (2) is mounted on the first main surface (91) of the mounting board (9).
  • the electronic component (2) is located on the opposite side of the elastic wave filter (1) when viewed from the metal block (3).
  • the high frequency module (100; 100a; 100b; 100c; 100d; 100e) according to the fifth aspect, it is possible to suppress the influence of the high frequency signal (transmission signal) passing through the transmission filter (112A) on the electronic component (2). It becomes possible to do.
  • the electronic component (2) is the reception filter (122A).
  • the high frequency module (100; 100a; 100b; 100c; 100d; 100e) it is possible to improve the isolation between the reception filter (122A) and the transmission filter (112A).
  • the electronic component (2) is a power amplifier (111).
  • the heat generated by the power amplifier (111) is less likely to be transferred to the transmission filter (112A), and the temperature rise of the transmission filter (112A) is suppressed. Is possible.
  • the electronic component (2) is an IC chip (120) including a low noise amplifier (121).
  • the high frequency module (100; 100a) it is possible to improve the isolation between the low noise amplifier (121) and the transmission filter (112A).
  • the high frequency module (100b; 100c; 100d; 100e) according to the ninth aspect further includes an IC chip (120) including a low noise amplifier (121) in the fourth aspect.
  • the IC chip (120) is mounted on the second main surface (92) of the mounting board (9).
  • the elastic wave filter (1) does not overlap with the IC chip (120) in a plan view from the thickness direction (D1) of the mounting substrate (9).
  • the high frequency module (100b; 100c; 100d; 100e) it is possible to improve the isolation between the low noise amplifier (121) and the transmission filter (112A).
  • the communication device (300) according to the tenth aspect comprises a high frequency module (100; 100a; 100b; 100c; 100d; 100e) according to any one of the first to ninth aspects and a signal processing circuit (301). Be prepared.
  • the signal processing circuit (301) is connected to a high frequency module (100; 100a; 100b; 100c; 100d; 100e).
  • the communication device (300) according to the tenth aspect, it is possible to improve the shielding property.

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Abstract

シールド性の向上を図る。高周波モジュール（１００）は、実装基板（９）と、弾性波フィルタ（１）と、金属ブロック（３）と、樹脂層（５）と、シールド層（６）と、を備える。実装基板（９）は、互いに対向する第１主面（９１）及び第２主面（９２）を有し、グランド層（９４）を有する。弾性波フィルタ（１）は、実装基板（９）の第１主面（９１）に実装されている。金属ブロック（３）は、実装基板（９）の第１主面（９１）に配置されており、グランド層（９４）に接続されている。樹脂層（５）は、実装基板（９）の第１主面（９１）に配置されており、弾性波フィルタ（１）の外周面（１３）と金属ブロック（３）の外周面（３３）とを覆っている。シールド層（６）は、弾性波フィルタ（１）における実装基板（９）側とは反対側の主面（１２）と樹脂層（５）と金属ブロック（３）とを覆っている。金属ブロック（３）は、シールド層（６）に接している。

Description

高周波モジュール及び通信装置
　本発明は、一般に高周波モジュール及び通信装置に関し、より詳細には、実装基板を備える高周波モジュール、及び、それを備える通信装置に関する。
　特許文献１には、互いに対向する第１主面及び第２主面を有する実装基板と、実装基板の第１主面に実装された送信フィルタと、送信フィルタを覆っている樹脂部材と、シールド電極層と、を備える高周波モジュールが開示されている。
　特許文献１に開示された高周波モジュールでは、シールド電極層は、樹脂部材の天面及び側面を覆うように形成されている。
国際公開第２０１９／１８１５９０号
　高周波モジュール及びそれを備える通信装置においては、シールド性の向上が求められる場合がある。
　本発明の目的は、シールド性の向上を図ることが可能な高周波モジュール及び通信装置を提供することにある。
　本発明の一態様に係る高周波モジュールは、実装基板と、弾性波フィルタと、金属ブロックと、樹脂層と、シールド層と、を備える。前記実装基板は、互いに対向する第１主面及び第２主面を有し、グランド層を有する。前記弾性波フィルタは、前記実装基板の前記第１主面に実装されている。前記金属ブロックは、前記実装基板の前記第１主面に配置されており、前記グランド層に接続されている。前記樹脂層は、前記実装基板の前記第１主面に配置されており、前記弾性波フィルタの外周面と前記金属ブロックの外周面とを覆っている。前記シールド層は、前記弾性波フィルタにおける前記実装基板側とは反対側の主面と前記樹脂層と前記金属ブロックとを覆っている。前記金属ブロックは、前記シールド層に接している。
　本発明の一態様に係る高周波モジュールは、実装基板と、弾性波フィルタと、金属部材と、金属ブロックと、樹脂層と、シールド層と、を備える。前記実装基板は、互いに対向する第１主面及び第２主面を有し、グランド層を有する。前記弾性波フィルタは、前記実装基板の前記第１主面に実装されている。前記金属部材は、前記弾性波フィルタにおける前記実装基板側とは反対側の主面に配置されている。前記金属ブロックは、前記実装基板の前記第１主面に配置されており、前記グランド層に接続されている。前記樹脂層は、前記実装基板の前記第１主面に配置されており、前記弾性波フィルタの外周面と前記金属部材の外周面と前記金属ブロックの外周面とを覆っている。前記シールド層は、前記樹脂層と前記金属部材と前記金属ブロックとを覆っている。前記金属ブロックは、前記シールド層に接している。
　本発明の一態様に係る通信装置は、上記高周波モジュールと、信号処理回路と、を備える。前記信号処理回路は、前記高周波モジュールに接続されている。
　本発明の上記態様に係る高周波モジュール及び通信装置は、シールド性の向上を図ることが可能となる。
図１は、実施形態１に係る高周波モジュールを示し、シールド層及び樹脂層の図示を省略した平面図である。 図２は、同上の高周波モジュールを示し、図１のＡ－Ａ線断面図である。 図３は、同上の高周波モジュールを備える通信装置の回路構成図である。 図４は、実施形態２に係る高周波モジュールを示し、シールド層及び樹脂層の図示を省略した平面図である。 図５は、同上の高周波モジュールを示し、図４のＡ－Ａ線断面図である。 図６は、実施形態３に係る高周波モジュールを示し、シールド層及び樹脂層の図示を省略した平面図である。 図７は、同上の高周波モジュールに関し、実装基板の第２主面と、実装基板の第２主面に配置された回路部品及び複数の外部接続端子と、を実装基板の第１主面側から透視した平面図である。 図８は、同上の高周波モジュールを示し、図６のＡ－Ａ線断面図である。 図９は、実施形態４に係る高周波モジュールを示し、シールド層及び樹脂層の図示を省略した平面図である。 図１０は、同上の高周波モジュールに関し、実装基板の第２主面と、実装基板の第２主面に配置された回路部品及び複数の外部接続端子と、を実装基板の第１主面側から透視した平面図である。 図１１は、同上の高周波モジュールを示し、図９のＡ－Ａ線断面図である。 図１２は、実施形態５に係る高周波モジュールの断面図である。 図１３は、実施形態６に係る高周波モジュールの断面図である。
　以下の実施形態等において参照する図１、２、４～１３は、いずれも模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。
　（実施形態１）
　実施形態１に係る高周波モジュール１００は、例えば、図１及び２に示すように、高周波モジュール１００は、実装基板９と、弾性波フィルタ１と、金属ブロック３と、樹脂層５と、シールド層６と、を備える。実装基板９は、互いに対向する第１主面９１及び第２主面９２を有し、グランド層９４を有する。弾性波フィルタ１は、実装基板９の第１主面９１に実装されている。金属ブロック３は、実装基板９の第１主面９１に配置されており、グランド層９４に接続されている。樹脂層５は、実装基板９の第１主面９１に配置されており、弾性波フィルタ１の外周面１３と金属ブロック３の外周面３３とを覆っている。シールド層６は、弾性波フィルタ１における実装基板９側とは反対側の主面１２と樹脂層５と金属ブロック３とを覆っている。
　以下、実施形態１に係る高周波モジュール１００及び通信装置３００について、図１～３を参照して、より詳細に説明する。
　（１）高周波モジュール及び通信装置
　（１．１）高周波モジュール及び通信装置の回路構成
　図３に示すように、高周波モジュール１００は、例えば、通信装置３００に用いられる。通信装置３００は、例えば、携帯電話（例えば、スマートフォン）であるが、これに限らず、例えば、ウェアラブル端末（例えば、スマートウォッチ）等であってもよい。高周波モジュール１００は、例えば、４Ｇ（第４世代移動通信）規格、５Ｇ（第５世代移動通信）規格等に対応可能なモジュールである。４Ｇ規格は、例えば、３ＧＰＰ（Third Generation Partnership Project）　ＬＴＥ（Long Term Evolution）規格である。５Ｇ規格は、例えば、５Ｇ　ＮＲ（New Radio）である。高周波モジュール１００は、例えば、キャリアアグリゲーション及びデュアルコネクティビティに対応可能なモジュールである。
　高周波モジュール１００は、例えば、信号処理回路３０１から入力された送信信号（高周波信号）を増幅してアンテナ３１０に出力できるように構成されている。また、高周波モジュール１００は、アンテナ３１０から入力された受信信号（高周波信号）を増幅して信号処理回路３０１に出力できるように構成されている。信号処理回路３０１は、高周波モジュール１００の構成要素ではなく、高周波モジュール１００を備える通信装置３００の構成要素である。高周波モジュール１００は、例えば、通信装置３００の備える信号処理回路３０１によって制御される。通信装置３００は、高周波モジュール１００と、信号処理回路３０１と、を備える。通信装置３００は、アンテナ３１０を更に備える。通信装置３００は、高周波モジュール１００が実装された回路基板を更に備える。回路基板は、例えば、プリント配線板である。回路基板は、グランド電位が与えられるグランド電極を有する。
　信号処理回路３０１は、例えば、ＲＦ信号処理回路３０２と、ベースバンド信号処理回路３０３と、を含む。ＲＦ信号処理回路３０２は、例えばＲＦＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）であり、高周波信号に対する信号処理を行う。ＲＦ信号処理回路３０２は、例えば、ベースバンド信号処理回路３０３から出力された高周波信号（送信信号）に対してアップコンバート等の信号処理を行い、信号処理が行われた高周波信号を出力する。また、ＲＦ信号処理回路３０２は、例えば、高周波モジュール１００から出力された高周波信号（受信信号）に対してダウンコンバート等の信号処理を行い、信号処理が行われた高周波信号をベースバンド信号処理回路３０３へ出力する。ベースバンド信号処理回路３０３は、例えばＢＢＩＣ（Baseband Integrated Circuit）である。ベースバンド信号処理回路３０３は、ベースバンド信号からＩ相信号及びＱ相信号を生成する。ベースバンド信号は、例えば、外部から入力される音声信号、画像信号等である。ベースバンド信号処理回路３０３は、Ｉ相信号とＱ相信号とを合成することでＩＱ変調処理を行って、送信信号を出力する。この際、送信信号は、所定周波数の搬送波信号を、当該搬送波信号の周期よりも長い周期で振幅変調した変調信号（ＩＱ信号）として生成される。ベースバンド信号処理回路３０３で処理された受信信号は、例えば、画像信号として画像表示のために、又は、音声信号として通信装置３００のユーザの通話のために使用される。高周波モジュール１００は、アンテナ３１０と信号処理回路３０１のＲＦ信号処理回路３０２との間で高周波信号（受信信号、送信信号）を伝達する。
　高周波モジュール１００は、パワーアンプ１１１と、ローノイズアンプ１２１と、を備える。また、高周波モジュール１００は、複数（例えば、２つ）の送信フィルタ１１２Ａ，１１２Ｂと、複数（例えば、２つ）の受信フィルタ１２２Ａ，１２２Ｂと、を備える。また、高周波モジュール１００は、出力整合回路１１３と、入力整合回路１２３と、を備える。また、高周波モジュール１００は、第１スイッチ１０４と、第２スイッチ１０５と、第３スイッチ１０６と、を備える。また、高周波モジュール１００は、コントローラ１１５を更に備える。高周波モジュール１００では、複数の送信フィルタ１１２Ａ，１１２Ｂと複数の受信フィルタ１２２Ａ，１２２Ｂとが一対一に対応しており、複数の送信フィルタ１１２Ａ，１１２Ｂのうち対応する受信フィルタ１２２Ａ，１２２Ｂとの通過帯域どうしの周波数差の小さな送信フィルタ１１２Ａが、上述の弾性波フィルタ１（図１及び２参照）を構成している。
　また、高周波モジュール１００は、複数の外部接続端子８０を備えている。複数の外部接続端子８０は、アンテナ端子８１と、信号入力端子８２と、信号出力端子８３と、制御端子８４と、複数のグランド端子８５（図２参照）と、を含む。複数のグランド端子８５は、通信装置３００の備える上述の回路基板のグランド電極と電気的に接続されてグランド電位が与えられる端子である。
　パワーアンプ１１１は、入力端子及び出力端子を有する。パワーアンプ１１１は、入力端子に入力された第１周波数帯域の送信信号を増幅して出力端子から出力する。第１周波数帯域は、例えば、第１通信バンドと第２通信バンドとを含む。第１通信バンドは、送信フィルタ１１２Ａを通る送信信号に対応し、例えば、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ２２である。第２通信バンドは、送信フィルタ１１２Ｂを通る送信信号に対応し、例えば、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ１１である。パワーアンプ１１１の入力端子は、信号入力端子８２に接続されている。パワーアンプ１１１の入力端子は、信号入力端子８２を介して信号処理回路３０１に接続される。信号入力端子８２は、外部回路（例えば、信号処理回路３０１）からの高周波信号（送信信号）を高周波モジュール１００に入力するための端子である。パワーアンプ１１１の出力端子は、出力整合回路１１３を介して第２スイッチ１０５の共通端子１５０に接続されている。
　ローノイズアンプ１２１は、入力端子及び出力端子を有する。ローノイズアンプ１２１は、入力端子に入力された第２周波数帯域の受信信号を増幅して出力端子から出力する。第２周波数帯域は、例えば、第１周波数帯域と同じであり、第１通信バンドと第２通信バンドとを含む。ローノイズアンプ１２１の入力端子は、入力整合回路１２３を介して第３スイッチ１０６の共通端子１６０に接続されている。ローノイズアンプ１２１の出力端子は、信号出力端子８３に接続されている。ローノイズアンプ１２１の出力端子は、例えば、信号出力端子８３を介して信号処理回路３０１に接続される。信号出力端子８３は、ローノイズアンプ１２１からの高周波信号（受信信号）を外部回路（例えば、信号処理回路３０１）へ出力するための端子である。
　送信フィルタ１１２Ａは、例えば、第１通信バンドの送信帯域を通過帯域とするフィルタである。送信フィルタ１１２Ｂは、例えば、第２通信バンドの送信帯域を通過帯域とするフィルタである。受信フィルタ１２２Ａは、例えば、第１通信バンドの受信帯域を通過帯域とするフィルタである。受信フィルタ１２２Ｂは、例えば、第２通信バンドの受信帯域を通過帯域とするフィルタである。
　第１スイッチ１０４は、共通端子１４０と、複数（例えば、２つ）の選択端子１４１，１４２と、を有する。共通端子１４０は、アンテナ端子８１に接続されている。アンテナ端子８１には、アンテナ３１０が接続される。選択端子１４１は、送信フィルタ１１２Ａの出力端子と受信フィルタ１２２Ａの入力端子との接続点に接続されている。選択端子１４２は、送信フィルタ１１２Ｂの出力端子と受信フィルタ１２２Ｂの入力端子との接続点に接続されている。第１スイッチ１０４は、例えば、共通端子１４０に複数の選択端子１４１，１４２のうち少なくとも１つ以上を接続可能なスイッチである。ここで、第１スイッチ１０４は、例えば、一対一及び一対多の接続が可能なスイッチである。
　第１スイッチ１０４は、例えば、信号処理回路３０１によって制御される。第１スイッチ１０４は、信号処理回路３０１のＲＦ信号処理回路３０２からの制御信号に従って、共通端子１４０と複数の選択端子１４１，１４２との接続状態を切り替える。第１スイッチ１０４は、例えば、スイッチＩＣ（Integrated Circuit）である。
　第２スイッチ１０５は、共通端子１５０と、複数（例えば、２つ）の選択端子１５１，１５２と、を有する。共通端子１５０は、出力整合回路１１３を介してパワーアンプ１１１の出力端子に接続されている。選択端子１５１は、送信フィルタ１１２Ａの入力端子に接続されている。選択端子１５２は、送信フィルタ１１２Ｂの入力端子に接続されている。第２スイッチ１０５は、例えば、共通端子１５０に複数の選択端子１５１，１５２のうち少なくとも１つ以上を接続可能なスイッチである。ここで、第２スイッチ１０５は、例えば、一対一及び一対多の接続が可能なスイッチである。
　第２スイッチ１０５は、例えば、信号処理回路３０１によって制御される。第２スイッチ１０５は、信号処理回路３０１のＲＦ信号処理回路３０２からの制御信号に従って、共通端子１５０と複数の選択端子１５１，１５２との接続状態を切り替える。第２スイッチ１０５は、例えば、スイッチＩＣである。
　第３スイッチ１０６は、共通端子１６０と、複数（例えば、２つ）の選択端子１６１，１６２と、を有する。共通端子１６０は、入力整合回路１２３を介してローノイズアンプ１２１の入力端子に接続されている。選択端子１６１は、受信フィルタ１２２Ａの出力端子に接続されている。選択端子１６２は、受信フィルタ１２２Ｂの出力端子に接続されている。第３スイッチ１０６は、例えば、共通端子１６０に複数の選択端子１６１，１６２のうち少なくとも１つ以上を接続可能なスイッチである。ここで、第３スイッチ１０６は、例えば、一対一及び一対多の接続が可能なスイッチである。
　第３スイッチ１０６は、例えば、信号処理回路３０１によって制御される。第３スイッチ１０６は、信号処理回路３０１のＲＦ信号処理回路３０２からの制御信号に従って、共通端子１６０と複数の選択端子１６１，１６２との接続状態を切り替える。第３スイッチ１０６は、例えば、スイッチＩＣである。
　出力整合回路１１３は、パワーアンプ１１１の出力端子と第２スイッチ１０５の共通端子１５０との間の信号経路に設けられている。出力整合回路１１３は、パワーアンプ１１１と送信フィルタ１１２Ａ，１１２Ｂとのインピーダンス整合をとるための回路である。出力整合回路１１３は、例えば、２つのインダクタＬ１，Ｌ２（図１参照）を含んでいるが、これに限らず、例えば、１つのインダクタで構成される場合、複数のインダクタ及び複数のキャパシタを含む場合もある。
　入力整合回路１２３は、ローノイズアンプ１２１の入力端子と第３スイッチ１０６の共通端子１６０との間の信号経路に設けられている。入力整合回路１２３は、ローノイズアンプ１２１と受信フィルタ１２２Ａ，１２２Ｂとのインピーダンス整合をとるための回路である。入力整合回路１２３は、例えば、１つのインダクタＬ３（図１参照）で構成されているが、これに限らず、例えば、複数のインダクタ及び複数のキャパシタを含む場合もある。
　コントローラ１１５は、制御端子８４に接続されている。コントローラ１１５は、制御端子８４を介して信号処理回路３０１に接続される。制御端子８４は、外部回路（例えば、信号処理回路３０１）からの制御信号を高周波モジュール１００に入力するための端子である。コントローラ１１５は、信号処理回路３０１からの制御信号に基づいてパワーアンプ１１１を制御する。
　（１．２）高周波モジュールの構造
　高周波モジュール１００は、図１及び２に示すように、実装基板９と、複数の回路部品と、を備える。複数の回路部品は、パワーアンプ１１１と、ローノイズアンプ１２１を含むＩＣチップ１２０と、２つの送信フィルタ１１２Ａ，１１２Ｂと、２つの受信フィルタ１２２Ａ，１２２Ｂと、出力整合回路１１３の回路部品（２つのインダクタＬ１，Ｌ２）と、入力整合回路１２３の回路部品（インダクタＬ３）と、を含む。また、複数の回路部品は、第１スイッチ１０４と、第２スイッチ１０５と、第３スイッチ１０６と、コントローラ１１５と、を更に備える。また、高周波モジュール１００は、複数の外部接続端子８０を更に備える。複数の外部接続端子８０は、アンテナ端子８１と、信号入力端子８２と、信号出力端子８３と、制御端子８４と、複数のグランド端子８５を含む。
　実装基板９は、実装基板９の厚さ方向Ｄ１において互いに対向する第１主面９１及び第２主面９２を有する。実装基板９は、例えば、複数の誘電体層及び複数の導電層を含む多層基板である。複数の誘電体層及び複数の導電層は、実装基板９の厚さ方向Ｄ１において積層されている。複数の導電層は、層ごとに定められた所定パターンに形成されている。複数の導電層の各々は、実装基板９の厚さ方向Ｄ１に直交する一平面内において１つ又は複数の導体部を含む。各導電層の材料は、例えば、銅である。複数の導電層は、グランド層９４（図２参照）を含む。高周波モジュール１００では、複数のグランド端子８５とグランド層９４とが、実装基板９の有するビア導体等を介して電気的に接続されている。実装基板９は、例えば、ＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics）基板である。実装基板９は、ＬＴＣＣ基板に限らず、例えば、プリント配線板、ＨＴＣＣ（High Temperature Co-fired Ceramics）基板、樹脂多層基板であってもよい。
　また、実装基板９は、ＬＴＣＣ基板に限らず、例えば、配線構造体であってもよい。配線構造体は、例えば、多層構造体である。多層構造体は、少なくとも１つの絶縁層と、少なくとも１つの導電層とを含む。絶縁層は、所定パターンに形成されている。絶縁層が複数の場合は、複数の絶縁層は、層ごとに定められた所定パターンに形成されている。導電層は、絶縁層の所定パターンとは異なる所定パターンに形成されている。導電層が複数の場合は、複数の導電層は、層ごとに定められた所定パターンに形成されている。導電層は、１つ又は複数の再配線部を含んでもよい。配線構造体では、多層構造体の厚さ方向において互いに対向する２つの面のうち第１面が実装基板９の第１主面９１であり、第２面が実装基板９の第２主面９２である。配線構造体は、例えば、インタポーザであってもよい。インタポーザは、シリコン基板を用いたインタポーザであってもよいし、多層で構成された基板であってもよい。
　実装基板９の第１主面９１及び第２主面９２は、実装基板９の厚さ方向Ｄ１において離れており、実装基板９の厚さ方向Ｄ１に交差する。実装基板９における第１主面９１は、例えば、実装基板９の厚さ方向Ｄ１に直交しているが、例えば、厚さ方向Ｄ１に直交しない面として導体部の側面等を含んでいてもよい。また、実装基板９における第２主面９２は、例えば、実装基板９の厚さ方向Ｄ１に直交しているが、例えば、厚さ方向Ｄ１に直交しない面として、導体部の側面等を含んでいてもよい。また、実装基板９の第１主面９１及び第２主面９２は、微細な凹凸又は凹部又は凸部が形成されていてもよい。例えば、実装基板９の第１主面９１に凹部が形成されている場合、凹部の内面は、第１主面９１に含まれる。
　実施形態１に係る高周波モジュール１００では、複数の回路部品が実装基板９の第１主面９１に実装されている。「回路部品が実装基板９の第１主面９１に実装されている」とは、回路部品が実装基板９の第１主面９１に配置されていること（機械的に接続されていること）と、回路部品が実装基板９（の適宜の導体部）と電気的に接続されていることと、を含む。したがって、高周波モジュール１００では、複数の回路部品は、実装基板９の第１主面９１に配置されている。高周波モジュール１００は、実装基板９に実装される複数の回路部品だけに限らず、実装基板９内に設けられる回路素子を含んでもよい。
　パワーアンプ１１１は、高周波信号（送信信号）の増幅用のトランジスタを有する回路部を含むＩＣチップである。パワーアンプ１１１は、実装基板９の第１主面９１にフリップチップ実装されている。実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、パワーアンプ１１１の外周形状は、四角形状である。増幅用のトランジスタは、例えば、ＨＢＴ（Heterojunction Bipolar Transistor）である。この場合、パワーアンプ１１１を構成するＩＣチップは、例えば、ＧａＡｓ系ＩＣチップである。増幅用のトランジスタは、ＨＢＴ等のバイポーラトランジスタに限らず、例えば、ＦＥＴ（Field Effect Transistor）であってもよい。ＦＥＴは、例えば、ＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）である。パワーアンプ１１１を構成するＩＣチップは、ＧａＡｓ系ＩＣチップに限らず、例えば、Ｓｉ系ＩＣチップ、ＳｉＧｅ系ＩＣチップ又はＧａＮ系ＩＣチップであってもよい。
　ローノイズアンプ１２１を含むＩＣチップ１２０は、高周波信号（受信信号）の増幅用のトランジスタを有する回路部を含むＩＣチップである。ＩＣチップ１２０は、実装基板９の第１主面９１にフリップチップ実装されている。実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、ＩＣチップ１２０の外周形状は、四角形状である。増幅用のトランジスタは、電界効果トランジスタであるが、これに限らず、例えば、バイポーラトランジスタであってもよい。ＩＣチップ１２０は、Ｓｉ系ＩＣチップであるが、これに限らない。
　２つの送信フィルタ１１２Ａ，１１２Ｂ及び２つの受信フィルタ１２２Ａ，１２２Ｂの各々は、例えば、ラダー型フィルタであり、複数（例えば、４つ）の直列腕共振子と、複数（例えば、３つ）の並列腕共振子と、を有する。２つの送信フィルタ１１２Ａ，１１２Ｂ及び２つの受信フィルタ１２２Ａ，１２２Ｂの各々は、例えば、弾性波フィルタである。弾性波フィルタは、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子の各々が弾性波共振子により構成されている。弾性波フィルタは、例えば、弾性表面波を利用する表面弾性波フィルタである。
　表面弾性波フィルタでは、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子の各々は、例えば、ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）共振子である。
　表面弾性波フィルタは、例えば、圧電性基板と、圧電性基板上に形成されており、複数の直列腕共振子に一対一に対応する複数のＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極と、圧電性基板上に形成されており、複数の並列腕共振子に一対一に対応する複数のＩＤＴ電極と、を有している。圧電性基板は、例えば、圧電基板である。圧電基板は、例えば、リチウムニオベイト基板、リチウムタンタレート基板又は水晶基板である。圧電性基板は、圧電基板に限らず、例えば、シリコン基板と、シリコン基板上の高音速膜と、高音速膜上の低音速膜と、低音速膜上の圧電体層と、を含む積層型基板であってもよい。積層型基板では、圧電体層の材料は、例えば、リチウムニオベイト又はリチウムタンタレートである。低音速膜は、圧電体層を伝搬するバルク波の音速よりも、低音速膜を伝搬するバルク波の音速が低速となる膜である。低音速膜の材料は、例えば、酸化ケイ素である。高音速膜は、圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも、高音速膜を伝搬するバルク波の音速が高速となる膜である。高音速膜の材料は、例えば、窒化ケイ素である。
　２つの送信フィルタ１１２Ａ，１１２Ｂの各々は、例えば、ベアチップ（ベアダイとも呼ばれる）の弾性波フィルタである。実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、２つ送信フィルタ１１２Ａ，１１２Ｂの各々の外周形状は、四角形状である。２つの送信フィルタ１１２Ａ，１１２Ｂの各々は、実装基板９の第１主面９１にフリップチップ実装されている。
　２つの受信フィルタ１２２Ａ，１２２Ｂの各々は、例えば、ベアチップ（ベアダイとも呼ばれる）の弾性波フィルタである。実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、２つの受信フィルタ１２２Ａ，１２２Ｂの各々の外周形状は、四角形状である。２つの受信フィルタ１２２Ａ，１２２Ｂの各々は、実装基板９の第１主面９１にフリップチップ実装されている。
　第１スイッチ１０４、第２スイッチ１０５及び第３スイッチ１０６の各々は、複数のＦＥＴ（Field Effect Transistor）を有する回路部を含むＩＣチップである。回路部は、共通端子と複数の選択端子との接続状態を切り替える機能を有する機能部である。第１スイッチ１０４、第２スイッチ１０５及び第３スイッチ１０６の各々は、実装基板９の第１主面９１にフリップチップ実装されている。実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、第１スイッチ１０４、第２スイッチ１０５及び第３スイッチ１０６の各々の外周形状は、四角形状である。
　出力整合回路１１３における２つのインダクタＬ１，Ｌ２の各々は、例えば、チップインダクタである。出力整合回路１１３における２つのインダクタＬ１，Ｌ２は、例えば、実装基板９の第１主面９１に実装されている。実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、２つのインダクタＬ１，Ｌ２の各々の外周形状は、四角形状である。出力整合回路１１３は、実装基板９内に設けられる内層インダクタを含んでいてもよい。また、出力整合回路１１３は、２つのインダクタＬ１，Ｌ２を備えた構成に限らず、トランスであってもよい。
　入力整合回路１２３を構成するけるインダクタＬ３は、例えば、チップインダクタである。実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、インダクタＬ３の外周形状は、四角形状である。入力整合回路１２３は、実装基板９内に設けられる内層インダクタを含んでいてもよい。
　複数の外部接続端子８０は、実装基板９の第２主面９２に配置されている。「外部接続端子８０が実装基板９の第２主面９２に配置されている」とは、外部接続端子８０が実装基板９の第２主面９２に機械的に接続されていることと、外部接続端子８０が実装基板９（の適宜の導体部）と電気的に接続されていることと、を含む。複数の外部接続端子８０の材料は、例えば、金属（例えば、銅、銅合金等）である。
　複数の外部接続端子８０は、上述のアンテナ端子８１、信号入力端子８２、信号出力端子８３及び制御端子８４以外に複数のグランド端子８５を含んでいる。複数のグランド端子８５は、上述のように実装基板９のグランド層９４と電気的に接続されている。グランド層９４は高周波モジュール１００の回路グランドであり、高周波モジュール１００の複数の回路部品は、グランド層９４と電気的に接続されている回路部品を含む。
　金属ブロック３は、実装基板９の第１主面９１に配置されている。「金属ブロック３が実装基板９の第１主面９１に配置されている」とは、金属ブロック３が実装基板９の第１主面９１に機械的に接続されていることと、金属ブロック３が実装基板９（の適宜の導体部）と電気的に接続されていることと、を含む。金属ブロック３が電気的に接続される導体部は、グランド層９４に接続されている導体部である。
　金属ブロック３の材料は、例えば、銅又は銅合金である。金属ブロック３は、実装基板９の導体部に対して、例えば、はんだにより接合されているが、これに限らず、例えば、導電性接着剤（例えば、導電性ペースト）を用いて接合されていてもよいし、直接接合されていてもよい。
　金属ブロック３は、実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、複数の回路部品のいずれからも離れている。また、金属ブロック３は、実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、実装基板９の外縁から離れている。金属ブロック３は、実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、直線状である。実装基板９の厚さ方向Ｄ１における金属ブロック３の厚さは、弾性波フィルタ１の厚さよりも大きい。金属ブロック３の厚さは、実装基板９の厚さ方向Ｄ１における実装基板９とシールド層６との距離と略同じである。実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、金属ブロック３の長手方向の長さは、弾性波フィルタ１の４辺それぞれの長さよりも長い。また、実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、金属ブロック３の短手方向の長さは、弾性波フィルタ１の４辺それぞれの長さよりも短い。金属ブロック３は、実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、２つの長辺が実装基板９の４辺のうちの２辺と略平行となるように配置されている。実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視での金属ブロック３の形状は、直線状に限らず、曲線状、折れ線状、直線と曲線とを組み合わせた形状、櫛状、枠状等、任意の形状であってもよい。
　樹脂層５は、実装基板９の第１主面９１側において実装基板９の第１主面９１に実装されている複数の回路部品それぞれの少なくとも一部を覆っている。樹脂層５は、樹脂（例えば、エポキシ樹脂）を含む。樹脂層５は、樹脂の他にフィラーを含んでいてもよい。樹脂層５は、複数の回路部品それぞれの外周面を覆っており、複数の回路部品のうち一部の回路部品における実装基板９側とは反対側の主面も覆っている。弾性波フィルタ１に関して、弾性波フィルタ１の外周面１３は、樹脂層５に覆われている。また、弾性波フィルタ１における実装基板９側とは反対側の主面１２は、樹脂層５に覆われていない。
　シールド層６は、導電性を有する。シールド層６は、複数の金属層を積層した多層構造を有しているが、これに限らず、１つの金属層であってもよい。金属層は、１又は複数種の金属を含む。シールド層６は、樹脂層５における実装基板９側とは反対側の主面５１と、樹脂層５の外周面５３と、実装基板９の外周面９３と、を覆っている。シールド層６は、実装基板９の有するグランド層９４の外周面の少なくとも一部と接触している。また、シールド層６は、金属ブロック３を覆っている。これにより、シールド層６は、金属ブロック３に接している。より詳細には、シールド層６は、金属ブロック３における実装基板９側とは反対側の面３１に接している。ここで、シールド層６は、金属ブロック３における実装基板９側とは反対側の面３１の略全域に直接接触している。また、シールド層６は、弾性波フィルタ１における実装基板９側とは反対側の主面１２を覆っている。これにより、シールド層６は、弾性波フィルタ１における実装基板９側とは反対側の主面１２に接している。ここで、シールド層６は、弾性波フィルタ１における実装基板９側とは反対側の主面１２の略全域に直接接触している。
　シールド層６は、多層構造を有する場合、複数の金属層のうち最下層の金属層を金属ブロック３と弾性波フィルタ１と樹脂層５とに対する密着層とし、他の金属層を密着層よりも導電率の高い金属層により構成することができる。
　実施形態１に係る高周波モジュール１００では、弾性波フィルタ１における実装基板９側とは反対側の主面１２と、樹脂層５の主面５１と、金属ブロック３の面３１と、が略面一であるが、これに限らない。
　（１．３）高周波モジュールにおける回路部品のレイアウト
　高周波モジュール１００では、弾性波フィルタ１は、送信フィルタ１１２Ａである。高周波モジュール１００では、実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で弾性波フィルタ１と金属ブロック３とが隣接している。「弾性波フィルタ１と金属ブロック３とが隣接している」とは、実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で弾性波フィルタ１と金属ブロック３との間に他の回路部品がなく、弾性波フィルタ１と金属ブロック３とが隣り合っていることを意味する。
　また、高周波モジュール１００では、複数の回路部品のうち、受信フィルタ１２２Ａと、ローノイズアンプ１２１を含むＩＣチップ１２０と、入力整合回路１２３のインダクタＬ３と、第３スイッチ１０６と、のそれぞれが、金属ブロック３から見て弾性波フィルタ１とは反対側に位置している電子部品２を構成している。
　パワーアンプ１１１は、実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、四角形状の実装基板９の第１主面９１の４つの角部のうちの１つの角部の近くに配置されている。パワーアンプ１１１は、金属ブロック３から見て電子部品２とは反対側に位置している。パワーアンプ１１１は、弾性波フィルタ１から見て金属ブロック３とは反対側に位置している。高周波モジュール１００では、パワーアンプ１１１と弾性波フィルタ１との並んでいる方向において、パワーアンプ１１１から見て弾性波フィルタ１とは反対側には、他の回路部品がなく、パワーアンプ１１１とシールド層６とが隣接している。
　（２）高周波モジュールの製造方法
　高周波モジュール１００の製造方法としては、例えば、第１工程と、第２工程と、第３工程と、第４工程と、を備える製造方法を採用することができる。第１工程は、実装基板９の第１主面９１上に複数の回路部品を実装するとともに金属ブロック３を配置する工程である。第２工程は、複数の回路部品及び金属ブロック３を覆い樹脂層５の元になる樹脂材料層を実装基板９の第１主面９１側に形成する工程である。第３工程は、樹脂材料層における実装基板９側とは反対側の主面から樹脂材料層を研削し弾性波フィルタ１及び金属ブロック３を露出させた後、樹脂材料層と弾性波フィルタ１の圧電性基板及び金属ブロック３を研削することで、樹脂層５を形成するとともに弾性波フィルタ１の圧電性基板及び金属ブロック３を薄くする工程である。第４工程は、樹脂層５の主面５１と弾性波フィルタ１の主面１２と金属ブロック３とを覆うシールド層６を例えば蒸着法、スパッタ法、又は印刷法によって形成する工程である。
　（３）効果
　（３．１）高周波モジュール
　実施形態１に係る高周波モジュール１００は、実装基板９と、弾性波フィルタ１と、金属ブロック３と、樹脂層５と、シールド層６と、を備える。実装基板９は、互いに対向する第１主面９１及び第２主面９２を有し、グランド層９４を有する。弾性波フィルタ１は、実装基板９の第１主面９１に実装されている。金属ブロック３は、実装基板９の第１主面９１に配置されており、グランド層９４に接続されている。樹脂層５は、実装基板９の第１主面９１に配置されており、弾性波フィルタ１の外周面１３と金属ブロック３の外周面３３とを覆っている。シールド層６は、弾性波フィルタ１における実装基板９側とは反対側の主面１２と樹脂層５と金属ブロック３とを覆っている。金属ブロック３は、シールド層６に接している。
　実施形態１に係る高周波モジュール１００は、実装基板９のグランド層９４に接続されている金属ブロック３がシールド層６に接しているので、シールド性の向上を図ることが可能となる。実施形態１に係る高周波モジュール１００は、金属ブロック３がシールド層６に接していることにより、シールド層６のシールド性の向上を図れる。
　また、実施形態１に係る高周波モジュール１００は、弾性波フィルタ１がシールド層６に接しているので、放熱性の向上を図ることが可能となる。また、実施形態１に係る高周波モジュール１００は、弾性波フィルタ１で発生してシールド層６に伝熱された熱が金属ブロック３に伝わりやすくなり、放熱性の更なる向上を図ることが可能となる。実施形態１に係る高周波モジュール１００では、放熱性の向上を図る観点から、シールド層６が弾性波フィルタ１における実装基板９側と反対側の主面１２の全域にわたって接しているのが好ましい。ただし、シールド層６が弾性波フィルタ１の主面１２の全面に接することは必須ではない。
　実施形態１に係る高周波モジュール１００は、弾性波フィルタ１で発生した熱を、シールド層６を通して放熱させることができる。これにより、実施形態１に係る高周波モジュール１００は、弾性波フィルタ１の有する圧電性基板の温度上昇を抑制できる。よって、実施形態１に係る高周波モジュール１００は、弾性波フィルタ１の温度特性の安定化を図ることが可能となり、高周波モジュール１００の特性の安定化を図ることが可能となる。
　また、実施形態１に係る高周波モジュール１００では、弾性波フィルタ１が送信フィルタ１１２Ａであるが、送信フィルタ１１２Ａに接続されている受信フィルタ１２２Ａへ送信フィルタ１１２Ａの熱が伝熱されにくくなり、受信フィルタ１２２Ａの特性劣化を抑制することが可能となる。また、実施形態１に係る高周波モジュール１００では、送信フィルタ１１２Ａと受信フィルタ１２２Ａとのアイソレーションの特性劣化を抑制することが可能となる。
　また、実施形態１に係る高周波モジュール１００は、金属ブロック３から見て弾性波フィルタ１とは反対側に位置している複数の電子部品２が、受信フィルタ１２２Ａと、ローノイズアンプ１２１を含むＩＣチップ１２０と、入力整合回路１２３のインダクタＬ３と、第３スイッチ１０６と、を含んでいる。これにより、実施形態１に係る高周波モジュール１００は、弾性波フィルタ１と複数の電子部品２とのアイソレーションを向上させることができる。より詳細には、弾性波フィルタ１を通過する送信信号が電子部品２に影響を与える（電子部品２へ飛び移る）ことを抑制することが可能となる。
　また、実施形態１に係る高周波モジュール１００は、弾性波フィルタ１の主面１２及び金属ブロック３の面３１の各々が、樹脂層５に覆われている電子部品２における実装基板９側とは反対側の主面よりも粗面である。これにより、実施形態１に係る高周波モジュール１００では、弾性波フィルタ１及び金属ブロック３とシールド層６との密着性を向上させることが可能となる。また、実施形態１に係る高周波モジュール１００では、弾性波フィルタ１において圧電性基板を構成するリチウムニオベイト基板又はリチウムタンタレート基板の厚さ方向に沿った方向に伝搬する不要波（例えば、不要なバルク波）を、圧電性基板とシールド層６との界面で散乱させることが可能となり、弾性波フィルタ１のフィルタ特性の向上を図れる。フィルタ特性の向上としては、例えば、高調波歪の抑制等が挙げられる。
　（３．２）通信装置
　実施形態１に係る通信装置３００は、信号処理回路３０１と、高周波モジュール１００と、を備える。信号処理回路３０１は、高周波モジュール１００に接続されている。
　実施形態１に係る通信装置３００は、高周波モジュール１００を備えるので、シールド性の向上を図ることが可能となる。
　信号処理回路３０１を構成する複数の回路部品は、例えば、上述の回路基板に実装されていてもよいし、高周波モジュール１００が実装された回路基板（第１回路基板）とは別の回路基板（第２回路基板）に実装されていてもよい。
　（実施形態２）
　実施形態２に係る高周波モジュール１００ａについて、図４及び５を参照して説明する。実施形態２に係る高周波モジュール１００ａに関し、実施形態１に係る高周波モジュール１００と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。なお、高周波モジュール１００ａの回路構成については、図３を参照して説明した実施形態１に係る高周波モジュール１００の回路構成と同様である。
　実施形態２に係る高周波モジュール１００ａは、金属ブロック３を複数（図示例では、２つ）備えている点で、実施形態１に係る高周波モジュール１００と相違する。以下では、複数の金属ブロック３のうち弾性波フィルタ１と受信フィルタ１２２Ａ、インダクタＬ３、ＩＣチップ１２０及び第３スイッチ１０６との間に配置されている金属ブロック３を第１金属ブロック３Ａと称し、弾性波フィルタ１とパワーアンプ１１１との間に配置されている金属ブロック３を第２金属ブロック３Ｂと称することもある。
　実施形態２に係る高周波モジュール１００ａでは、受信フィルタ１２２Ａと、ローノイズアンプ１２１を含むＩＣチップ１２０と、入力整合回路１２３のインダクタＬ３と、第３スイッチ１０６と、のそれぞれが、第１金属ブロック３Ａから見て弾性波フィルタ１とは反対側に位置している電子部品２を構成している。
　また実施形態２に係る高周波モジュール１００ａでは、パワーアンプ１１１が、第２金属ブロック３Ｂから見て弾性波フィルタ１とは反対側に位置している電子部品２を構成している。実施形態２に係る高周波モジュール１００ａでは、パワーアンプ１１１と第２金属ブロック３Ｂとが隣接している。「パワーアンプ１１１と第２金属ブロック３Ｂとが隣接している」とは、実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視でパワーアンプ１１１と第２金属ブロック３Ｂとの間に他の回路部品がなく、パワーアンプ１１１と第２金属ブロック３Ｂとが隣り合っていることを意味する。
　実施形態２に係る高周波モジュール１００ａでは、第２金属ブロック３Ｂと第１金属ブロック３Ａとの並んでいる方向において、パワーアンプ１１１、第２金属ブロック３Ｂ、弾性波フィルタ１（送信フィルタ１１２Ａ）、第１金属ブロック３Ａ及び受信フィルタ１２２Ａが、パワーアンプ１１１、第２金属ブロック３Ｂ、弾性波フィルタ１（送信フィルタ１１２Ａ）、第１金属ブロック３Ａ及び受信フィルタ１２２Ａの順に並んでいる。第２金属ブロック３Ｂから見てパワーアンプ１１１とは反対側には、弾性波フィルタ１（送信フィルタ１１２Ａ）及び送信フィルタ１１２Ｂが位置している。実施形態２に係る高周波モジュール１００ａでは、実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、送信フィルタ１１２Ｂとパワーアンプ１１１との間に第２金属ブロック３Ｂが位置している。また、実施形態２に係る高周波モジュール１００ａでは、実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、第２金属ブロック３Ｂと第１金属ブロック３Ａとの並んでいる方向に直交する方向において、パワーアンプ１１１と出力整合回路１１３（のインダクタＬ１）とが隣接している。ここで、実施形態２に係る高周波モジュール１００ａでは、パワーアンプ１１１、出力整合回路１１３及びコントローラ１１５が、パワーアンプ１１１、出力整合回路１１３及びコントローラ１１５の順に並んでいる。
　実施形態２に係る高周波モジュール１００ａは、実装基板９のグランド層９４に接続されている複数の金属ブロック３がシールド層６に接しているので、実施形態１に係る高周波モジュール１００よりも、シールド性の向上を図ることが可能となる。また、実施形態２に係る高周波モジュール１００ａでは、第１金属ブロック３Ａの長さが、実施形態１に係る高周波モジュール１００における金属ブロック３の長さよりも長く、実装基板９の短手方向の長さと略同じである。高周波モジュール１００ａでは、第１金属ブロック３Ａの長手方向の第１端面及び第２端面が、第１樹脂層５に覆われておらずシールド層６に接している。これにより、実施形態２に係る高周波モジュール１００ａは、シールド性の更なる向上を図ることが可能となる。
　また、実施形態２に係る高周波モジュール１００ａは、実施形態１に係る高周波モジュール１００と同様、弾性波フィルタ１の主面１２がシールド層６に接しているので、弾性波フィルタ１の温度上昇を抑制することが可能となる。
　また、実施形態２に係る高周波モジュール１００ａは、第２金属ブロック３Ｂから見て弾性波フィルタ１とは反対側に位置している電子部品２がパワーアンプ１１１を含むので、パワーアンプ１１１で発生した熱が弾性波フィルタ１に伝わりにくくなり、弾性波フィルタ１の有する圧電性基板の温度上昇を抑制できる。
　また、実施形態２に係る高周波モジュール１００ａは、パワーアンプ１１１と第２金属ブロック３Ｂとが隣接しているので、パワーアンプ１１１からの信号が他の電子部品２へ影響を与える（他の電子部品２へ飛び移る）ことを抑制することが可能となる。
　（実施形態３）
　実施形態３に係る高周波モジュール１００ｂについて、図６～８を参照して説明する。実施形態３に係る高周波モジュール１００ｂに関し、実施形態１に係る高周波モジュール１００と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。なお、高周波モジュール１００ｂの回路構成については、図３を参照して説明した実施形態１に係る高周波モジュール１００の回路構成と同様である。
　実施形態３に係る高周波モジュール１００ｂは、ローノイズアンプ１２１を含むＩＣチップ１２０が実装基板９の第２主面９２に実装されている点で、実施形態１に係る高周波モジュール１００と相違する。また、実施形態３に係る高周波モジュール１００ｂは、第１スイッチ１０４、第３スイッチ１０６及びコントローラ１１５が実装基板９の第２主面９２に実装されている点でも、実施形態１に係る高周波モジュール１００と相違する。
　また、実施形態３に係る高周波モジュール１００ｂは、複数の外部接続端子８０の各々が、柱状電極である点で、実施形態１に係る高周波モジュール１００と相違する。ここにおいて、柱状電極は、例えば、円柱状の電極である。複数の外部接続端子８０は、実装基板９の導体部に対して、例えば、はんだにより接合されているが、これに限らず、例えば、導電性接着剤（例えば、導電性ペースト）を用いて接合されていてもよいし、直接接合されていてもよい。
　また、実施形態３に係る高周波モジュール１００ｂは、実装基板９の第１主面９１に配置されている樹脂層５（以下、第１樹脂層５ともいう）とは別に、樹脂層７（以下、第２樹脂層７ともいう）を更に備える。第２樹脂層７は、実装基板９の第２主面９２に実装されている複数の回路部品（ＩＣチップ１２０、第１スイッチ１０４、第３スイッチ１０６及びコントローラ１１５）それぞれの外周面と、複数の外部接続端子８０それぞれの外周面と、を覆っている。
　第２樹脂層７は、実装基板９の第２主面９２に実装されている複数の回路部品それぞれの実装基板９側とは反対側の主面を露出させるように形成されている。第２樹脂層７は、樹脂（例えば、エポキシ樹脂）を含む。第２樹脂層７は、樹脂の他にフィラーを含んでいてもよい。第２樹脂層７の材料は、第１樹脂層５の材料と同じ材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。
　高周波モジュール１００ｂでは、シールド層６は、第２樹脂層７の外周面７３も覆っている。
　また、高周波モジュール１００ｂでは、実装基板９の第２主面９２に実装されている複数の回路部品における実装基板９側とは反対側の主面と、樹脂層７における実装基板９側とは反対側の主面７１と、が略面一である。
　実施形態３に係る高周波モジュール１００ｂは、実施形態１に係る高周波モジュール１００と同様、実装基板９のグランド層９４に接続されている金属ブロック３がシールド層６に接しているので、シールド性の向上を図ることが可能となる。
　また、実施形態３に係る高周波モジュール１００ｂは、実施形態１に係る高周波モジュール１００と同様、弾性波フィルタ１の主面１２がシールド層６に接しているので、弾性波フィルタ１の温度上昇を抑制することが可能となる。
　また、実施形態３に係る高周波モジュール１００ｂでは、ローノイズアンプ１２１を含むＩＣチップ１２０が、実装基板９の第２主面９２に実装されている。実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で弾性波フィルタ１（送信フィルタ１１２Ａ）は、ＩＣチップ１２０と重ならない。よって、実施形態３に係る高周波モジュール１００ｂは、弾性波フィルタ１とローノイズアンプ１２１とのアイソレーションを向上させることが可能となる。また、実施形態３に係る高周波モジュール１００ｂは、実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、金属ブロック３から見て、弾性波フィルタ１とは反対側にＩＣチップ１２０が位置しているので、弾性波フィルタ１とローノイズアンプ１２１とのアイソレーションを更に向上させることが可能となる。
　また、実施形態３に係る高周波モジュール１００ｂでは、実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、パワーアンプ１１１とＩＣチップ１２０とは重ならない。よって、実施形態３に係る高周波モジュール１００ｂは、パワーアンプ１１１とローノイズアンプ１２１とのアイソレーションを向上させることが可能となる。
　また、実施形態３に係る高周波モジュール１００ｂでは、実装基板９の第２主面９２に実装されている複数の回路部品（ＩＣチップ１２０、第１スイッチ１０４、第３スイッチ１０６及びコントローラ１１５）それぞれの実装基板９側とは反対側の主面を露出させるように第２樹脂層７が形成されている。これにより、実施形態３に係る高周波モジュール１００ｂは、実装基板９の第２主面９２にも回路部品を配置した構成において、低背化を図ることが可能となる。
　（実施形態４）
　実施形態４に係る高周波モジュール１００ｃについて、図９～１１を参照して説明する。実施形態４に係る高周波モジュール１００ｃに関し、実施形態３に係る高周波モジュール１００ｂと同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。なお、高周波モジュール１００ｃの回路構成については、図３を参照して説明した実施形態１に係る高周波モジュール１００の回路構成と同様である。
　実施形態４に係る高周波モジュール１００ｃは、金属ブロック３を複数（図示例では、２つ）備えている点で、実施形態３に係る高周波モジュール１００ｂと相違する。以下では、複数の金属ブロック３のうち弾性波フィルタ１と受信フィルタ１２２Ａ及びインダクタＬ３との間に配置されている金属ブロック３を第１金属ブロック３Ａと称し、弾性波フィルタ１とパワーアンプ１１１との間に配置されている金属ブロック３を第２金属ブロック３Ｂと称することもある。
　実施形態４に係る高周波モジュール１００ｃでは、受信フィルタ１２２Ａと、入力整合回路１２３のインダクタＬ３と、のそれぞれが、第１金属ブロック３Ａから見て弾性波フィルタ１とは反対側に位置している電子部品２を構成している。
　また実施形態４に係る高周波モジュール１００ｃでは、パワーアンプ１１１が、第２金属ブロック３Ｂから見て弾性波フィルタ１とは反対側に位置している電子部品２を構成している。実施形態４に係る高周波モジュール１００ｃでは、パワーアンプ１１１と第２金属ブロック３Ｂとが隣接している。「パワーアンプ１１１と第２金属ブロック３Ｂとが隣接している」とは、実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視でパワーアンプ１１１と第２金属ブロック３Ｂとの間に他の回路部品がなく、パワーアンプ１１１と第２金属ブロック３Ｂとが隣り合っていることを意味する。
　実施形態４に係る高周波モジュール１００ｃでは、第２金属ブロック３Ｂと第１金属ブロック３Ａとの並んでいる方向において、パワーアンプ１１１、第２金属ブロック３Ｂ、弾性波フィルタ１（送信フィルタ１１２Ａ）、第１金属ブロック３Ａ及び受信フィルタ１２２Ａが、パワーアンプ１１１、第２金属ブロック３Ｂ、弾性波フィルタ１（送信フィルタ１１２Ａ）、第１金属ブロック３Ａ及び受信フィルタ１２２Ａの順に並んでいる。第２金属ブロック３Ｂから見てパワーアンプ１１１とは反対側には、弾性波フィルタ１（送信フィルタ１１２Ａ）及び送信フィルタ１１２Ｂが位置している。実施形態４に係る高周波モジュール１００ｃでは、実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、送信フィルタ１１２Ｂとパワーアンプ１１１との間に第２金属ブロック３Ｂが位置している。また、実施形態４に係る高周波モジュール１００ｃでは、実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、第２金属ブロック３Ｂと第１金属ブロック３Ａとの並んでいる方向に直交する方向において、パワーアンプ１１１と出力整合回路１１３（のインダクタＬ１）とが隣接している。
　実施形態４に係る高周波モジュール１００ｃは、実装基板９のグランド層９４に接続されている複数の金属ブロック３がシールド層６に接しているので、実施形態３に係る高周波モジュール１００ｂよりも、シールド性の向上を図ることが可能となる。
　また、実施形態４に係る高周波モジュール１００ｃは、実施形態３に係る高周波モジュール１００ｂと同様、弾性波フィルタ１の主面１２がシールド層６に接しているので、弾性波フィルタ１の温度上昇を抑制することが可能となる。
　また、実施形態４に係る高周波モジュール１００ｃは、第２金属ブロック３Ｂから見て弾性波フィルタ１とは反対側に位置している電子部品２としてパワーアンプ１１１を含むので、パワーアンプ１１１で発生した熱が弾性波フィルタ１に伝わりにくくなり、弾性波フィルタ１の有する圧電性基板の温度上昇を抑制できる。
　また、実施形態４に係る高周波モジュール１００ｃは、パワーアンプ１１１と第２金属ブロック３Ｂとが隣接しているので、パワーアンプ１１１からの信号が他の電子部品２へ影響を与える（他の電子部品２へ飛び移る）ことを抑制することが可能となる。
　（実施形態５）
　実施形態５に係る高周波モジュール１００ｄについて、図１２を参照して説明する。実施形態５に係る高周波モジュール１００ｄに関し、実施形態４に係る高周波モジュール１００ｃと同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。なお、高周波モジュール１００ｄの回路構成については、図３を参照して説明した実施形態１に係る高周波モジュール１００の回路構成と同様である。
　実施形態５に係る高周波モジュール１００ｄは、金属部材４を更に備える点で、実施形態５に係る高周波モジュール１００ｃと相違する。金属部材４は、弾性波フィルタ１における実装基板９側とは反対側の主面１２に配置されている。
　樹脂層５は、実装基板９の第１主面９１に配置されており、弾性波フィルタ１の外周面１３と金属部材４の外周面４３と複数の金属ブロック３の各々の外周面３３とを覆っている。シールド層６は、樹脂層５と金属部材４と複数の金属ブロック３とを覆っている。複数の金属ブロック３は、シールド層６に接している。また、金属部材４は、シールド層６に接している。
　実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、金属部材４は、四角形状であるが、これに限らない。また、実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、金属部材４は、弾性波フィルタ１と同じ大きさであるが、これに限らず、弾性波フィルタ１よりも大きくてもよいし、小さくてもよい。金属部材４の材料は、例えば、銅又は銅合金である。金属部材４は、弾性波フィルタ１における主面１２に接合されていてもよいし、接しているだけでもよい。
　実施形態５に係る高周波モジュール１００ｄは、実装基板９のグランド層９４に接続されている金属ブロック３がシールド層６に接しているので、シールド性の向上を図ることが可能となる。また、実施形態５に係る高周波モジュール１００ｄは、金属ブロック３を複数備えているので、シールド性の更なる向上を図ることが可能となる。
　（実施形態６）
　実施形態６に係る高周波モジュール１００ｅについて、図１３を参照して説明する。実施形態６に係る高周波モジュール１００ｅに関し、実施形態５に係る高周波モジュール１００ｄと同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
　実施形態６に係る高周波モジュール１００ｅは、複数の外部接続端子８０がボールバンプである点で、実施形態５に係る高周波モジュール１００ｄと相違する。また、実施形態６に係る高周波モジュール１００ｅは、実施形態５に係る高周波モジュール１００ｄの樹脂層７を備えていない点で、実施形態５に係る高周波モジュール１００ｄと相違する。実施形態６に係る高周波モジュール１００ｅは、実装基板９の第２主面９２に実装されている回路部品と実装基板９の第２主面９２との間の隙間に設けられたアンダーフィル部を備えていてもよい。
　複数の外部接続端子８０の各々を構成するボールバンプの材料は、例えば、金、銅、はんだ等である。
　複数の外部接続端子８０は、ボールバンプにより構成された外部接続端子８０と、柱状電極により構成された外部接続端子８０と、が混在してもよい。
　実施形態６に係る高周波モジュール１００ｅは、実施形態５に係る高周波モジュール１００ｄと同様、実装基板９のグランド層９４に接続されている金属ブロック３がシールド層６に接しているので、シールド性の向上を図ることが可能となる。
　（変形例）
　上記の実施形態１～６等は、本発明の様々な実施形態の一つに過ぎない。上記の実施形態１～６等は、本発明の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。
　送信フィルタ１１２Ａ（弾性波フィルタ１）、送信フィルタ１１２Ｂ、受信フィルタ１２２Ａ及び受信フィルタ１２２Ｂの各々は、ベアチップの弾性波フィルタに限らず、パッケージ構造を有していてもよい。
　また、送信フィルタ１１２Ａ（弾性波フィルタ１）、送信フィルタ１１２Ｂ、受信フィルタ１２２Ａ及び受信フィルタ１２２Ｂの各々は、表面弾性波フィルタに限らず、例えば、ＢＡＷ（Bulk Acoustic Wave）フィルタであってもよい。ＢＡＷフィルタにおける共振子は、例えば、ＦＢＡＲ（Film Bulk Acoustic Resonator）又はＳＭＲ（Solidly Mounted Resonator）である。
　また、送信フィルタ１１２Ａ，１１２Ｂ及び受信フィルタ１２２Ａ，１２２Ｂ等のフィルタは、送信フィルタ１１２Ａ（弾性波フィルタ１）、送信フィルタ１１２Ｂ、受信フィルタ１２２Ａ及び受信フィルタ１２２Ｂの各々は、ラダー型フィルタに限らず、例えば、縦結合共振子型弾性表面波フィルタでもよい。
　また、上述の弾性波フィルタは、表面弾性波又はバルク弾性波を利用する弾性波フィルタであるが、これに限らず、例えば、弾性境界波、板波等を利用する弾性波フィルタであってもよい。
　また、弾性波フィルタ１は、導電性バンプを介して実装基板９と電気的に接続されているが、実装基板９に実装される複数の回路部品のうち弾性波フィルタ１以外の回路部品については、導電性バンプを介して実装基板９と電気的に接続される場合に限らず、例えば、ボンディングワイヤを介して実装基板９と電気的に接続されていてもよい。
　高周波モジュール１００～１００ｅの回路構成は、上述の例に限らない。また、高周波モジュール１００～１００ｅは、回路構成として、例えば、ＭＩＭＯ（Multi Input Multi Output）対応の高周波フロントエンド回路を有していてもよい。
　また、実施形態１に係る通信装置３００は、高周波モジュール１００の代わりに、高周波モジュール１００ａ、１００ｂ、１００ｃ、１００ｄ、１００ｅのいずれかを備えてもよい。
　また、ローノイズアンプ１２１を含むＩＣチップ１２０は、例えば、ローノイズアンプ１２１に加えて、第１スイッチ１０４と第２スイッチ１０５と第３スイッチ１０６とコントローラ１１５とのうち少なくとも１つを含んでいてもよい。
　（態様）
　本明細書には、以下の態様が開示されている。
　第１の態様に係る高周波モジュール（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｅ）は、実装基板（９）と、弾性波フィルタ（１）と、金属ブロック（３）と、樹脂層（５）と、シールド層（６）と、を備える。実装基板（９）は、互いに対向する第１主面（９１）及び第２主面（９２）を有し、グランド層（９４）を有する。弾性波フィルタ（１）は、実装基板（９）の第１主面（９１）に実装されている。金属ブロック（３）は、実装基板（９）の第１主面（９１）に配置されており、グランド層（９４）に接続されている。樹脂層（５）は、実装基板（９）の第１主面（９１）に配置されており、弾性波フィルタ（１）の外周面（１３）と金属ブロック（３）の外周面（３３）とを覆っている。シールド層（６）は、弾性波フィルタ（１）における実装基板（９）側とは反対側の主面（１２）と樹脂層（５）と金属ブロック（３）とを覆っている。金属ブロック（３）は、シールド層（６）に接している。
　第１の態様に係る高周波モジュール（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｅ）は、シールド性の向上を図ることが可能となる。
　第２の態様に係る高周波モジュール（１００ｄ）は、実装基板（９）と、弾性波フィルタ（１）と、金属部材（４）と、金属ブロック（３）と、樹脂層（５）と、シールド層（６）と、を備える。実装基板（９）は、互いに対向する第１主面（９１）及び第２主面（９２）を有し、グランド層（９４）を有する。弾性波フィルタ（１）は、実装基板（９）の第１主面（９１）に実装されている。金属部材（４）は、弾性波フィルタ（１）における実装基板（９）側とは反対側の主面（１２）に配置されている。金属ブロック（３）は、実装基板（９）の第１主面（９１）に配置されており、グランド層（９４）に接続されている。樹脂層（５）は、実装基板（９）の第１主面（９１）に配置されており、弾性波フィルタ（１）の外周面（１３）と金属部材（４）の外周面（４３）と金属ブロック（３）の外周面（３３）とを覆っている。シールド層（６）は、樹脂層（５）と金属部材（４）と金属ブロック（３）とを覆っている。金属ブロック（３）は、シールド層（６）に接している。
　第２の態様に係る高周波モジュール（１００ｄ）は、シールド性の向上を図ることが可能となる。
　第３の態様に係る高周波モジュール（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ；１００ｅ）は、第１又は２の態様において、複数の外部接続端子（８０）を更に備える。複数の外部接続端子（８０）は、実装基板（９）の第２主面（９２）に配置されている。複数の外部接続端子（８０）は、グランド層（９４）に接続されているグランド端子（８５）を含む。
　第３の態様に係る高周波モジュール（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ；１００ｅ）は、シールド性の向上を図ることが可能となる。
　第４の態様に係る高周波モジュール（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ；１００ｅ）では、第１～３の態様のいずれか一つにおいて、弾性波フィルタ（１）は、送信フィルタ（１１２Ａ）である。
　第４の態様に係る高周波モジュール（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ；１００ｅ）では、送信フィルタ（１１２Ａ）を通過する高周波信号（送信信号）が漏れることを抑制することが可能となる。
　第５の態様に係る高周波モジュール（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ；１００ｅ）は、第４の態様において、電子部品（２）を更に備える。電子部品（２）は、実装基板（９）の第１主面（９１）に実装されている。電子部品（２）は、金属ブロック（３）から見て弾性波フィルタ（１）とは反対側に位置している。
　第５の態様に係る高周波モジュール（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ；１００ｅ）では、送信フィルタ（１１２Ａ）を通過する高周波信号（送信信号）が電子部品（２）へ影響を与えることを抑制することが可能となる。
　第６の態様に係る高周波モジュール（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ；１００ｅ）では、第５の態様において、電子部品（２）は、受信フィルタ（１２２Ａ）である。
　第６の態様に係る高周波モジュール（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ；１００ｅ）では、受信フィルタ（１２２Ａ）と送信フィルタ（１１２Ａ）とのアイソレーションを向上させることが可能となる。
　第７の態様に係る高周波モジュール（１００ａ；１００ｃ；１００ｄ；１００ｅ）では、第５の態様において、電子部品（２）は、パワーアンプ（１１１）である。
　第７の態様に係る高周波モジュール（１００ａ；１００ｃ；１００ｄ；１００ｅ）では、パワーアンプ（１１１）で発生する熱が送信フィルタ（１１２Ａ）へ伝わりにくくなり、送信フィルタ（１１２Ａ）の温度上昇を抑制することが可能となる。
　第８の態様に係る高周波モジュール（１００；１００ａ）では、第５の態様において、電子部品（２）は、ローノイズアンプ（１２１）を含むＩＣチップ（１２０）である。
　第８の態様に係る高周波モジュール（１００；１００ａ）では、ローノイズアンプ（１２１）と送信フィルタ（１１２Ａ）とのアイソレーションを向上させることが可能となる。
　第９の態様に係る高周波モジュール（１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ；１００ｅ）は、第４の態様において、ローノイズアンプ（１２１）を含むＩＣチップ（１２０）を更に備える。ＩＣチップ（１２０）は、実装基板（９）の第２主面（９２）に実装されている。実装基板（９）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視で弾性波フィルタ（１）は、ＩＣチップ（１２０）と重ならない。
　第９の態様に係る高周波モジュール（１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ；１００ｅ）では、ローノイズアンプ（１２１）と送信フィルタ（１１２Ａ）とのアイソレーションを向上させることが可能となる。
　第１０の態様に係る通信装置（３００）は、第１～９の態様のいずれか一つの高周波モジュール（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ；１００ｅ）と、信号処理回路（３０１）と、を備える。信号処理回路（３０１）は、高周波モジュール（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ；１００ｅ）に接続されている。
　第１０の態様に係る通信装置（３００）では、シールド性の向上を図ることが可能となる。
　１　弾性波フィルタ
　１２　主面
　１３　外周面
　２　電子部品
　３　金属ブロック
　３１　面
　３３　外周面
　４　金属部材
　４３　外周面
　５　樹脂層（第１樹脂層）
　５１　主面
　５３　外周面
　６　シールド層
　７　樹脂層
　７１　主面
　７３　外周面
　９　実装基板
　９１　第１主面
　９２　第２主面
　９３　外周面
　８０　外部接続端子
　８１　アンテナ端子
　８２　信号入力端子
　８３　信号出力端子
　８４　制御端子
　８５　グランド端子
　１００、１００ａ、１００ｂ、１００ｃ、１００ｄ、１００ｅ　高周波モジュール
　１０４　第１スイッチ
　１４０　共通端子
　１４１、１４２　選択端子
　１０５　第２スイッチ
　１５０　共通端子
　１５１、１５２　選択端子
　１０６　第３スイッチ
　１６０　共通端子
　１６１、１６２　選択端子
　１１１　パワーアンプ
　１１２Ａ、１１２Ｂ　送信フィルタ
　１１３　出力整合回路
　１１５　コントローラ
　１２０　ＩＣチップ
　１２１　ローノイズアンプ
　１２２Ａ、１２２Ｂ　受信フィルタ
　１２３　入力整合回路
　３００　通信装置
　３０１　信号処理回路
　３０２　ＲＦ信号処理回路
　３０３　ベースバンド信号処理回路
　３１０　アンテナ
　Ｌ１、Ｌ２　インダクタ
　Ｌ３　インダクタ

Claims (10)

  1. 　互いに対向する第１主面及び第２主面を有し、グランド層を有する実装基板と、
    　前記実装基板の前記第１主面に実装されている弾性波フィルタと、
    　前記実装基板の前記第１主面に配置されており、前記グランド層に接続されている金属ブロックと、
    　前記実装基板の前記第１主面に配置されており、前記弾性波フィルタの外周面と前記金属ブロックの外周面とを覆っている樹脂層と、
    　前記弾性波フィルタにおける前記実装基板側とは反対側の主面と前記樹脂層と前記金属ブロックとを覆っているシールド層と、を備え、
    　前記金属ブロックは、前記シールド層に接している、
    　高周波モジュール。
  2. 　互いに対向する第１主面及び第２主面を有し、グランド層を有する実装基板と、
    　前記実装基板の前記第１主面に実装されている弾性波フィルタと、
    　前記弾性波フィルタにおける前記実装基板側とは反対側の主面に配置されている金属部材と、
    　前記実装基板の前記第１主面に配置されており、前記グランド層に接続されている金属ブロックと、
    　前記実装基板の前記第１主面に配置されており、前記弾性波フィルタの外周面と前記金属部材の外周面と前記金属ブロックの外周面とを覆っている樹脂層と、
    　前記樹脂層と前記金属部材と前記金属ブロックとを覆っているシールド層と、を備え、
    　前記金属ブロックは、前記シールド層に接している、
    　高周波モジュール。
  3. 　前記実装基板の前記第２主面に配置されている複数の外部接続端子を更に備え、
    　前記複数の外部接続端子は、前記グランド層に接続されているグランド端子を含む、
    　請求項１又は２に記載の高周波モジュール。
  4. 　前記弾性波フィルタは、送信フィルタである、
    　請求項１～３のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
  5. 　前記実装基板の前記第１主面に実装されており、前記金属ブロックから見て前記弾性波フィルタとは反対側に位置している電子部品を更に備える、
    　請求項４に記載の高周波モジュール。
  6. 　前記電子部品は、受信フィルタである、
    　請求項５に記載の高周波モジュール。
  7. 　前記電子部品は、パワーアンプである、
    　請求項５に記載の高周波モジュール。
  8. 　前記電子部品は、ローノイズアンプを含むＩＣチップである、
    　請求項５に記載の高周波モジュール。
  9. 　前記実装基板の前記第２主面に実装されているローノイズアンプを含むＩＣチップを更に備え、
    　前記実装基板の厚さ方向からの平面視で前記弾性波フィルタは、前記ＩＣチップと重ならない、
    　請求項４に記載の高周波モジュール。
  10. 　請求項１～９のいずれか一項に記載の高周波モジュールと、
    　前記高周波モジュールに接続されている信号処理回路と、を備える、
    　通信装置。
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10125830A (ja) * 1996-10-24 1998-05-15 Hitachi Ltd 高周波モジュールおよびその製造方法
JP2002064295A (ja) * 2000-08-18 2002-02-28 Mitsubishi Electric Corp シールド装置及びシールド装置の製造方法
JP2006156482A (ja) * 2004-11-25 2006-06-15 Sony Corp 回路モジュール体及びその製造方法
JP2017099089A (ja) * 2015-11-20 2017-06-01 矢崎総業株式会社 ワイヤレス伝送装置
WO2018101384A1 (ja) * 2016-12-02 2018-06-07 株式会社村田製作所 高周波モジュール
JP2019525745A (ja) * 2016-07-04 2019-09-12 ソウル バイオシス カンパニー リミテッドＳｅｏｕｌ Ｖｉｏｓｙｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 捕虫器
WO2019181590A1 (ja) * 2018-03-23 2019-09-26 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10125830A (ja) * 1996-10-24 1998-05-15 Hitachi Ltd 高周波モジュールおよびその製造方法
JP2002064295A (ja) * 2000-08-18 2002-02-28 Mitsubishi Electric Corp シールド装置及びシールド装置の製造方法
JP2006156482A (ja) * 2004-11-25 2006-06-15 Sony Corp 回路モジュール体及びその製造方法
JP2017099089A (ja) * 2015-11-20 2017-06-01 矢崎総業株式会社 ワイヤレス伝送装置
JP2019525745A (ja) * 2016-07-04 2019-09-12 ソウル バイオシス カンパニー リミテッドＳｅｏｕｌ Ｖｉｏｓｙｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 捕虫器
WO2018101384A1 (ja) * 2016-12-02 2018-06-07 株式会社村田製作所 高周波モジュール
WO2019181590A1 (ja) * 2018-03-23 2019-09-26 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置

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