WO2021002296A1 - 高周波モジュール及び通信装置 - Google Patents

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宏通 北嶋
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株式会社村田製作所
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    • H01Q1/12—Supports; Mounting means
    • H01Q1/22—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles
    • H01Q1/2283—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles mounted in or on the surface of a semiconductor substrate as a chip-type antenna or integrated with other components into an IC package

Definitions

  • the present invention generally relates to a high-frequency module and a communication device, and more particularly to a high-frequency module including a mounting board and a plurality of chip components, and a communication device including the mounting board.
  • a front-end module including a substrate (mounting substrate), a filter unit provided on the substrate, a switch IC provided on the substrate, and an amplification unit is known (for example, a patent document). 1).
  • the filter unit is provided on one main surface of the substrate, and the switch IC is provided on the other main surface of the substrate.
  • the front-end module is provided with a plurality of electrodes (external connection terminals) provided on the other main surface of the substrate.
  • Patent Document 1 discloses a communication device including an RF signal processing circuit for processing high-frequency signals transmitted and received by an antenna element, and a front-end module.
  • a high-frequency module when mounting components on one main surface and the other main surface of the mounting board to reduce the size of the mounting board, it may be required to reduce the height of the high-frequency module in the thickness direction of the mounting board. is there.
  • An object of the present invention is to provide a high-frequency module and a communication device capable of reducing the height of a mounting substrate in the thickness direction.
  • the high-frequency module includes a mounting board, electronic components, a first chip component, and a second chip component.
  • the mounting board has a first main surface and a second main surface facing each other.
  • the electronic component is mounted on the first main surface of the mounting board.
  • the first chip component and the second chip component are mounted on the second main surface of the mounting board.
  • the first chip component and the second chip component include a substrate and a circuit unit.
  • the substrate has a first main surface and a second main surface facing each other.
  • the circuit portion is formed on the first main surface side of the substrate.
  • at least a part of the second main surface of the substrate in each of the first chip component and the second chip component is exposed.
  • the material of the substrate in the first chip component and the material of the substrate in the second chip component are the same.
  • the high-frequency module includes a mounting board, electronic components, a first chip component, and a second chip component.
  • the mounting board has a first main surface and a second main surface facing each other.
  • the electronic component is mounted on the first main surface of the mounting board.
  • the first chip component and the second chip component are mounted on the second main surface of the mounting board.
  • the first chip component and the second chip component include a substrate and a circuit unit.
  • the substrate has a first main surface and a second main surface facing each other.
  • the circuit portion is formed on the first main surface side of the substrate.
  • the material of the substrate in the first chip component and the material of the substrate in the second chip component are the same.
  • the first chip component and the second chip component are mounted.
  • the distance between the reference surface and the second main surface of the substrate is the same in the thickness direction of the substrate.
  • the communication device includes a signal processing circuit and a high frequency module according to the above aspect.
  • the signal processing circuit processes a signal received from the antenna and a signal transmitted to the antenna.
  • the high frequency module transmits the received signal and the transmitted signal between the antenna and the signal processing circuit.
  • the high-frequency module and communication device can reduce the height of the mounting substrate in the thickness direction.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of the high frequency module according to the embodiment.
  • FIG. 2 is a circuit configuration diagram of a communication device including the same high frequency module.
  • FIG. 3 is an explanatory diagram of a main part of the high frequency module according to the embodiment.
  • FIG. 4 is a circuit configuration diagram of a communication device including a high frequency module according to the first modification of the embodiment.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view of the same high frequency module.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of the high frequency module according to the second modification of the embodiment.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view of the high frequency module according to the third modification of the embodiment.
  • FIG. 8 is a circuit configuration diagram of a communication device including a high frequency module according to the fourth modification of the embodiment.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view of the same high frequency module.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view of the high frequency module according to the fifth modification of the embodiment.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view of the high frequency module according to the sixth modification of the embodiment.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view of the high frequency module according to the modified example 7 of the embodiment.
  • FIGS. 1, 3, 5 to 7, and 9 to 12 referred to in the following embodiments and the like are schematic views, and the ratios of the sizes and thicknesses of the respective components in the drawings are not necessarily actual. It does not always reflect the dimensional ratio of.
  • the high frequency module 1 is used, for example, in the communication device 300.
  • the communication device 300 is, for example, a mobile phone (for example, a smartphone), but is not limited to this, and may be, for example, a wearable terminal (for example, a smart watch) or the like.
  • the high frequency module 1 is a module capable of supporting, for example, a 4G (4th generation mobile communication) standard, a 5G (5th generation mobile communication) standard, and the like.
  • the 4G standard is, for example, a 3GPP LTE (Long Term Evolution) standard.
  • the 5G standard is, for example, 5G NR (New Radio).
  • the high frequency module 1 is a module capable of supporting carrier aggregation and dual connectivity.
  • the high frequency module 1 is configured so that, for example, the transmission signal input from the signal processing circuit 301 can be amplified and output to the antenna 310. Further, the high frequency module 1 is configured so that the received signal input from the antenna 310 can be amplified and output to the signal processing circuit 301.
  • the signal processing circuit 301 is not a component of the high frequency module 1, but a component of the communication device 300 including the high frequency module 1.
  • the high frequency module 1 according to the embodiment is controlled by, for example, the signal processing circuit 301 included in the communication device 300.
  • the communication device 300 includes a high frequency module 1 and a signal processing circuit 301.
  • the communication device 300 further includes an antenna 310.
  • the communication device 300 further includes a circuit board on which the high frequency module 1 is mounted.
  • the circuit board is, for example, a printed wiring board.
  • the circuit board has a ground electrode to which a ground potential is applied.
  • the signal processing circuit 301 includes, for example, an RF signal processing circuit 302 and a baseband signal processing circuit 303.
  • the RF signal processing circuit 302 is, for example, an RFIC (Radio Frequency Integrated Circuit), and performs signal processing on a high frequency signal.
  • the RF signal processing circuit 302 performs signal processing such as up-conversion on the high frequency signal (transmission signal) output from the baseband signal processing circuit 303, and outputs the high frequency signal after the signal processing. Further, the RF signal processing circuit 302 performs signal processing such as down-conversion on the high frequency signal (received signal) output from the high frequency module 1, and uses the processed high frequency signal as the base band signal processing circuit. Output to 303.
  • the baseband signal processing circuit 303 is, for example, a BBIC (Baseband Integrated Circuit), and performs predetermined signal processing on a transmission signal from the outside of the signal processing circuit 301.
  • the received signal processed by the baseband signal processing circuit 303 is used, for example, for image display as an image signal or for a telephone call as an audio signal.
  • the high frequency module 1 transmits a high frequency signal (received signal, transmitted signal) between the antenna 310 and the RF signal processing circuit 302 of the signal processing circuit 301.
  • the baseband signal processing circuit 303 is not an essential component.
  • the high frequency module 1 includes a power amplifier 11 and a low noise amplifier 21. Further, the high frequency module 1 includes two transmission filters 12A and 12B, two reception filters 22A and 22B, and a transmission / reception filter 24. Further, the high frequency module 1 includes an output matching circuit 13 and an input matching circuit 23. Further, the high frequency module 1 includes a first switch 4, a second switch 5, a third switch 6, and a fourth switch 7.
  • the high frequency module 1 is provided with a plurality of external connection terminals 80.
  • the plurality of external connection terminals 80 include an antenna terminal 81, a signal input terminal 82, a signal output terminal 83, and a plurality of ground terminals 85.
  • FIG. 1 only two external connection terminals 80 out of a plurality of external connection terminals 80 are shown.
  • the plurality of ground terminals 85 are terminals that are electrically connected to the ground electrodes of the above-mentioned circuit board included in the communication device 300 to give a ground potential.
  • the power amplifier 11 has an input terminal 111 and an output terminal 112.
  • the power amplifier 11 amplifies the transmission signal of the first frequency band input to the input terminal 111 and outputs it from the output terminal 112.
  • the first frequency band includes, for example, a first communication band, a second communication band, and a third communication band.
  • the first communication band corresponds to the transmission signal passing through the transmission filter 12A, and is, for example, Band 11 of the 3GPP LTE standard.
  • the second communication band corresponds to the transmission signal passing through the transmission filter 12B, and is, for example, Band 22 of the 3GPP LTE standard.
  • the third communication band corresponds to the transmission signal passing through the transmission / reception filter 24, and is, for example, 3GPP LTE standard Band 42, Band 48 or 5G NR standard n77.
  • the input terminal 111 of the power amplifier 11 is connected to the signal input terminal 82.
  • the input terminal 111 of the power amplifier 11 is connected to the signal processing circuit 301 via the signal input terminal 82.
  • the signal input terminal 82 is a terminal for inputting a high frequency signal (transmission signal) from an external circuit (for example, a signal processing circuit 301) to the high frequency module 1.
  • the output terminal 112 of the power amplifier 11 is connected to the common terminal 50 of the second switch 5 via the output matching circuit 13.
  • the low noise amplifier 21 has an input terminal 211 and an output terminal 212.
  • the low noise amplifier 21 amplifies the reception signal of the second frequency band input to the input terminal 211 and outputs it from the output terminal 212.
  • the second frequency band is, for example, the same as the first frequency band, and includes a first communication band, a second communication band, and a third communication band.
  • the input terminal 211 of the low noise amplifier 21 is connected to the common terminal 60 of the third switch 6 via the input matching circuit 23.
  • the output terminal 212 of the low noise amplifier 21 is connected to the signal output terminal 83.
  • the output terminal 212 of the low noise amplifier 21 is connected to the signal processing circuit 301 via, for example, the signal output terminal 83.
  • the signal output terminal 83 is a terminal for outputting a high frequency signal (received signal) from the low noise amplifier 21 to an external circuit (for example, a signal processing circuit 301).
  • the transmission filter 12A is, for example, a filter whose pass band is the transmission band of the first communication band.
  • the transmission filter 12B is, for example, a filter whose pass band is the transmission band of the second communication band.
  • the reception filter 22A is, for example, a filter having a reception band of the first communication band as a pass band.
  • the reception filter 22B is, for example, a filter having a reception band of the second communication band as a pass band.
  • the transmission / reception filter 24 is, for example, a filter whose pass band is the transmission / reception band of the third communication band.
  • the first switch 4 has a common terminal 40 and three selection terminals 41 to 43.
  • the common terminal 40 is connected to the antenna terminal 81.
  • An antenna 310 is connected to the antenna terminal 81.
  • the selection terminal 41 is connected to a connection point between the output terminal of the transmission filter 12A and the input terminal of the reception filter 22A.
  • the selection terminal 42 is connected to a connection point between the output terminal of the transmission filter 12B and the input terminal of the reception filter 22B.
  • the selection terminal 43 is connected to the transmission / reception filter 24.
  • the first switch 4 is, for example, a switch capable of connecting at least one or more of the three selection terminals 41 to 43 to the common terminal 40.
  • the first switch 4 is, for example, a switch capable of one-to-one and one-to-many connections.
  • the first switch 4 is controlled by, for example, the signal processing circuit 301.
  • the first switch 4 switches the connection state between the common terminal 40 and the four selection terminals 41 to 43 according to the control signal from the RF signal processing circuit 302 of the signal processing circuit 301.
  • the first switch 4 is, for example, a switch IC (Integrated Circuit).
  • the second switch 5 has a common terminal 50 and three selection terminals 51 to 53.
  • the common terminal 50 is connected to the output terminal 112 of the power amplifier 11 via the output matching circuit 13.
  • the selection terminal 51 is connected to the input terminal of the transmission filter 12A.
  • the selection terminal 52 is connected to the input terminal of the transmission filter 12B.
  • the selection terminal 53 is connected to the selection terminal 71 of the fourth switch 7.
  • the second switch 5 is, for example, a switch capable of connecting at least one or more of the three selection terminals 51 to 53 to the common terminal 50.
  • the second switch 5 is, for example, a switch capable of one-to-one and one-to-many connections.
  • the second switch 5 is controlled by, for example, the signal processing circuit 301.
  • the second switch 5 switches the connection state between the common terminal 50 and the three selection terminals 51 to 53 according to the control signal from the RF signal processing circuit 302 of the signal processing circuit 301.
  • the second switch 5 is, for example, a switch IC.
  • the third switch 6 has a common terminal 60 and three selection terminals 61 to 63.
  • the common terminal 60 is connected to the input terminal 211 of the low noise amplifier 21 via the input matching circuit 23.
  • the selection terminal 61 is connected to the output terminal of the reception filter 22A.
  • the selection terminal 62 is connected to the output terminal of the reception filter 22B.
  • the selection terminal 63 is connected to the selection terminal 72 of the fourth switch 7.
  • the third switch 6 is, for example, a switch capable of connecting at least one or more of the three selection terminals 61 to 63 to the common terminal 60.
  • the third switch 6 is, for example, a switch capable of one-to-one and one-to-many connections.
  • the third switch 6 is controlled by, for example, the signal processing circuit 301.
  • the third switch 6 switches the connection state between the common terminal 60 and the three selection terminals 61 to 63 according to the control signal from the RF signal processing circuit 302 of the signal processing circuit 301.
  • the third switch 6 is, for example, a switch IC.
  • the fourth switch 7 has a common terminal 70 and the above-mentioned two selection terminals 71 and 72.
  • the common terminal 70 is connected to one of the two input / output terminals of the transmission / reception filter 24.
  • the selection terminal 71 is connected to the selection terminal 53 of the second switch 5.
  • the selection terminal 72 is connected to the selection terminal 63 of the third switch 6.
  • the four switch 7 can be configured by, for example, a SPDT (Single Pole Double Throw) type switch.
  • the fourth switch is, for example, a switch IC.
  • the output matching circuit 13 is provided in the signal path between the output terminal 112 of the power amplifier 11 and the common terminal 50 of the second switch 5.
  • the output matching circuit 13 is a circuit for impedance matching between the power amplifier 11, the transmission filters 12A and 12B, and the transmission / reception filter 24.
  • the output matching circuit 13 is composed of, for example, one inductor L1 (see FIG. 1), but is not limited to this, and may include, for example, a plurality of inductors and a plurality of capacitors.
  • the input matching circuit 23 is provided in the signal path between the input terminal 211 of the low noise amplifier 21 and the common terminal 60 of the third switch 6.
  • the input matching circuit 23 is a circuit for impedance matching between the low noise amplifier 21, the receiving filters 22A and 22B, and the transmitting / receiving filter 24.
  • the input matching circuit 23 is composed of, for example, one inductor L2 (see FIG. 1), but is not limited to this, and may include, for example, a plurality of inductors and a plurality of capacitors.
  • the high frequency module 1 includes the fourth switch 7, for example, a transmission signal in a predetermined frequency band (high frequency signal for transmission) and a reception signal in a predetermined frequency band (reception) are used by TDD (Time Division Duplex). Simultaneous transmission / reception with (high frequency signal) can be realized in a pseudo manner.
  • "pseudo-realization" means that the transmission of the transmission signal and the reception of the reception signal are not simultaneous, but are performed in a short period of time that can be regarded as simultaneous.
  • the high frequency module 1 includes a mounting board 9, a plurality of circuit elements, and a plurality of external connection terminals 80.
  • the mounting board 9 has a first main surface 91 and a second main surface 92 facing each other.
  • the mounting board 9 is, for example, a printed wiring board, an LTCC (Low Temperature Co-fired Ceramics) board, or the like.
  • the mounting substrate 9 is, for example, a multilayer substrate including a plurality of dielectric layers and a plurality of conductor pattern layers.
  • the plurality of dielectric layers and the plurality of conductor pattern layers are laminated in the thickness direction D1 of the mounting substrate 9.
  • Each of the plurality of conductor pattern layers is formed in a predetermined pattern.
  • Each of the plurality of conductor pattern layers includes one or a plurality of conductor portions in one plane orthogonal to the thickness direction D1 of the mounting substrate 9.
  • each conductor pattern layer is, for example, copper.
  • the plurality of conductor pattern layers include a ground layer.
  • a plurality of ground terminals 85 and a ground layer are electrically connected via a via conductor or the like included in the mounting substrate 9.
  • the first main surface 91 and the second main surface 92 of the mounting board 9 are separated in the thickness direction D1 of the mounting board 9 and intersect with the thickness direction D1 of the mounting board 9.
  • the first main surface 91 of the mounting board 9 is, for example, orthogonal to the thickness direction D1 of the mounting board 9, but may include, for example, the side surface of the conductor portion as a surface not orthogonal to the thickness direction D1.
  • the second main surface 92 of the mounting board 9 is orthogonal to, for example, the thickness direction D1 of the mounting board 9, but includes, for example, the side surface of the conductor portion as a surface not orthogonal to the thickness direction D1. You may. Further, the first main surface 91 and the second main surface 92 of the mounting substrate 9 may be formed with fine irregularities, concave portions or convex portions.
  • the high-frequency module 1 includes the above-mentioned power amplifier 11, low noise amplifier 21, two transmission filters 12A and 12B, two reception filters 22A and 22B, transmission / reception filters 24, output matching circuit 13 and input as a plurality of circuit elements.
  • a matching circuit 23 is provided.
  • the plurality of circuit elements of the high frequency module 1 are mounted on the mounting board 9.
  • the plurality of circuit elements are not limited to the electronic components mounted on the mounting board 9, and may include circuit elements provided in the mounting board 9.
  • circuit elements other than the first switch 4, the second switch 5 two transmission filters 12A and 12B, two reception filters 22A and 22B, and two inductors L1 and L2. The illustration is omitted.
  • each of the transmission filter 12A, the reception filter 22A, and the two inductors L1 and L2 is mounted on the first main surface 91 of the mounting board 9.
  • the transmission filter 12B is arranged on the transmission filter 12A on the first main surface 91 side of the mounting substrate 9.
  • the receiving filter 22B is arranged on the receiving filter 22A on the first main surface 91 side of the mounting board 9.
  • each of the first switch 4 and the second switch 5 is mounted on the second main surface 92 of the mounting board 9.
  • the first switch 4 is provided in both the signal path for the transmission signal and the signal path for the reception signal.
  • the first switch 4 is provided in the signal path for the transmission signal provided by the power amplifier 11, the output matching circuit 13, the second switch 5, and the transmission filter 12A. Further, the first switch 4 is provided in the signal path for the transmission signal provided by the power amplifier 11, the output matching circuit 13, the third switch 6, and the transmission filter 12B. Further, the first switch 4 is provided in the signal path for the transmission signal provided by the power amplifier 11, the output matching circuit 13, the fourth switch 7, and the transmission / reception filter 24. Further, the first switch 4 is provided in the signal path for the received signal provided by the receiving filter 22A, the third switch 6, the input matching circuit 23, and the low noise amplifier 21.
  • the first switch 4 is provided in the signal path for the received signal provided by the receiving filter 22B, the third switch 6, the input matching circuit 23, and the low noise amplifier 21. Further, the first switch 4 is provided in the signal path for the received signal provided by the transmission / reception filter 24, the fourth switch 7, the input matching circuit 23, and the low noise amplifier 21. Further, in the high frequency module 1 according to the embodiment, the third switch 6, the fourth switch 7, and the low noise amplifier 21 are mounted on the second main surface 92 of the mounting board 9.
  • the power amplifier 11 is a circuit unit (IC unit) including a substrate having a first main surface and a second main surface facing each other and at least one transistor formed on the first main surface side of the substrate. ), And a chip component (IC chip).
  • the substrate is, for example, a gallium arsenide substrate.
  • the circuit unit has a function of amplifying a transmission signal input to the input terminal 111 of the power amplifier 11.
  • the transistor is, for example, an HBT (Heterojunction Bipolar Transistor).
  • the power amplifier 11 may include, for example, a capacitor for cutting DC.
  • the chip components constituting the power amplifier 11 are the first of the mounting boards 9 so that the first main surface of the first main surface and the second main surface of the board is on the first main surface 91 side of the mounting board 9.
  • a flip chip is mounted on the main surface 91.
  • the outer peripheral shape of the power amplifier 11 is a quadrangular shape in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting board 9.
  • the low noise amplifier 21 is a chip component (IC) including, for example, a substrate having a first main surface and a second main surface facing each other, and a circuit unit (IC unit) formed on the first main surface side of the substrate. Chip).
  • the substrate is, for example, a silicon substrate.
  • the circuit unit has a function of amplifying a received signal input to the input terminal 211 of the low noise amplifier 21.
  • the circuit unit includes a transistor.
  • the low noise amplifier 21 is flip-chip mounted on the second main surface 92 of the mounting board 9 so that the first main surface of the first main surface and the second main surface of the board is on the second main surface 92 side of the mounting board 9. Has been done.
  • the outer peripheral shape of the low noise amplifier 21 is a quadrangular shape in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting board 9.
  • Each of the two transmission filters 12A and 12B, the two reception filters 22A and 22B and the transmission / reception filter 24 is, for example, a chip component.
  • the outer peripheral shapes of the transmission filters 12A and 12B, the two reception filters 22A and 22B, and the transmission / reception filter 24 are quadrangular.
  • Each of the two transmission filters 12A and 12B, the two reception filters 22A and 22B and the transmission / reception filter 24 is, for example, a ladder type filter, and has a plurality of (for example, four) series arm resonators and a plurality of (for example, four) series arm resonators. For example, it has three) parallel arm resonators.
  • Each of the two transmitting filters 12A and 12B, the two receiving filters 22A and 22B and the transmitting and receiving filter 24 is, for example, an elastic wave filter, and each of the plurality of series arm resonators and the plurality of parallel arm resonators It is composed of elastic wave resonators.
  • the surface acoustic wave filter is, for example, a surface acoustic wave filter that utilizes a surface acoustic wave.
  • each of the plurality of series arm resonators and the plurality of parallel arm resonators is, for example, a SAW (Surface Acoustic Wave) resonator.
  • the surface acoustic wave filter is a chip component including, for example, a substrate having a first main surface and a second main surface, and a circuit portion formed on the first main surface side of the substrate.
  • the substrate is a piezoelectric substrate.
  • the piezoelectric substrate is, for example, a lithium tantalate substrate, a lithium niobate substrate, or the like.
  • the circuit unit has a plurality of IDT (Interdigital Transducer) electrodes having a one-to-one correspondence with a plurality of series arm resonators, and a plurality of IDT electrodes having a one-to-one correspondence with a plurality of parallel arm resonators.
  • IDT Interdigital Transducer
  • the transmission filter 12A and the reception filter 22A are mounted on the first main surface 91 of the mounting board 9.
  • the transmission filter 12A and the reception filter 22A are arranged so that the first main surface of the first main surface and the second main surface of the substrate is on the mounting substrate 9 side.
  • Each of the first switch 4, the second switch 5, the third switch 6 and the fourth switch 7 is a switch IC. More specifically, each of the first switch 4, the second switch 5, the third switch 6 and the fourth switch 7 has, for example, a substrate having a first main surface and a second main surface facing each other, and a substrate of the substrate. It is a chip component (IC chip) including a circuit unit (IC unit) including an FET (Field Effect Transistor) formed on the first main surface side.
  • the substrate is, for example, a silicon substrate.
  • the circuit unit is a functional unit having a function of switching the connection state.
  • the first main surface of the first main surface and the second main surface of the board is the second main surface 92 of the mounting board 9.
  • a flip chip is mounted on the second main surface 92 of the mounting board 9 so as to be on the side.
  • the outer peripheral shape of the chip components constituting each of the first switch 4, the second switch 5, the third switch 6 and the fourth switch 7 is quadrangular.
  • the inductor L1 in the output matching circuit 13 is, for example, a chip inductor.
  • the inductor L1 in the output matching circuit 13 is mounted on, for example, the first main surface 91 of the mounting board 9, but is not limited to this.
  • the outer peripheral shape of the inductor L1 is a quadrangular shape in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting substrate 9.
  • the inductor L2 in the input matching circuit 23 is, for example, a chip inductor.
  • the inductor L2 in the input matching circuit 23 is mounted on, for example, the first main surface 91 of the mounting board 9, but is not limited to this.
  • the outer peripheral shape of the inductor L2 is a quadrangular shape in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting substrate 9.
  • the plurality of external connection terminals 80 are arranged on the second main surface 92 of the mounting board 9.
  • the material of the plurality of external connection terminals 80 is, for example, a metal (for example, copper, copper alloy, etc.).
  • Each of the plurality of external connection terminals 80 is a columnar electrode.
  • the columnar electrode is, for example, a columnar electrode.
  • the plurality of external connection terminals 80 include a plurality of ground terminals 85 in addition to the above-mentioned antenna terminal 81, signal input terminal 82, and signal output terminal 83.
  • FIG. 1 only two ground terminals 85 out of a plurality of ground terminals 85 in the plurality of external connection terminals 80 are shown.
  • the plurality of ground terminals 85 are electrically connected to the ground layer of the mounting board 9 as described above.
  • the ground layer is the circuit ground of the high frequency module 1, and the plurality of circuit elements of the high frequency module 1 include circuit elements that are electrically connected to the ground layer.
  • the high-frequency module 1 further includes a first resin layer 101 that covers a plurality of electronic components 2 and the like mounted on the first main surface 91 of the mounting board 9 on the first main surface 91 side of the mounting board 9.
  • the plurality of electronic components 2 include a transmission filter 12A, a reception filter 22A, an inductor L1 and an inductor L2.
  • the plurality of electronic components 2 include, for example, a power amplifier 11 in addition to the transmission filter 12A, the reception filter 22A, the inductor L1 and the inductor L2.
  • Each of the plurality of electronic components 2 is mounted on the first main surface 91 of the mounting board 9 by, for example, a plurality of bumps 26.
  • the two electronic components 20 are arranged so as to overlap the two electronic components 2 of the plurality of electronic components 2 mounted on the first main surface 91 of the mounting board 9 on a one-to-one basis. have.
  • the two electronic components 20 are joined to the corresponding electronic component 2 of the two electronic components 2 by a plurality of bumps 27.
  • the two electronic components 20 are a transmission filter 12B and a reception filter 22B.
  • the first resin layer 101 covers two electronic components 20 in addition to the plurality of electronic components 2.
  • the electronic component 20 that overlaps the electronic component 2 in the thickness direction D1 of the mounting substrate 9 is electrically connected to the mounting substrate 9 via, for example, a bump 27 and a through electrode included in the electronic component 2.
  • the electronic component 20 is mounted on the mounting board 9 via the electronic component 2.
  • the electronic component 20 and the electronic component 2 that overlap in the thickness direction D1 of the mounting substrate 9 have the same size as seen from the thickness direction D1, but the size is not limited to this, and they may be different sizes from each other.
  • the electronic components 2 located between the mounting board 9 and the electronic components 20 in the thickness direction D1 of the mounting board 9 are , May be larger than the electronic component 20.
  • the electronic component 20 is not limited to the example of being electrically connected to the mounting substrate 9 via the bump 27 and the through electrode of the electronic component 2, and is electrically connected to the mounting substrate 9 via the bump 27 and the bonding wire, for example. May be connected.
  • the first resin layer 101 may contain a filler in addition to the resin.
  • the high frequency module 1 is a second resin layer 102 that covers a part of a plurality of chip components 3 and the like mounted on the second main surface 92 of the mounting board 9 on the second main surface 92 side of the mounting board 9. Further prepare. Each of the plurality of chip components 3 is mounted on the second main surface 92 of the mounting board 9 by, for example, a plurality of bumps 36.
  • the plurality of chip components 3 include a first chip component 3A (first switch 4) and a second chip component 3B (second switch 5).
  • first chip component 3A first switch 4
  • second chip component 3B second switch 5
  • each of the plurality of chip components 3 includes a substrate (hereinafter, also referred to as a substrate 31) and a circuit unit (hereinafter, also referred to as a circuit unit 32) as described above.
  • the substrate 31 has a first main surface 311 and a second main surface 312 facing each other.
  • the substrate 31 is, for example, a silicon substrate.
  • the circuit unit 32 is formed on the first main surface 311 side of the substrate 31.
  • the plurality of chip components 3 include, for example, the third switch 6, the fourth switch 7, and The low noise amplifier 21 is included.
  • the second resin layer 102 is formed so as to expose the second main surface 312 of the substrate 31 in each of the plurality of chip components 3. Therefore, the second resin layer 102 is formed so as to expose the second main surface 312 of the substrate 31 in each of the first chip component 3A and the second chip component 3B.
  • the second resin layer 102 may contain a filler in addition to the resin.
  • the material of the second resin layer 102 may be the same material as the material of the first resin layer 101, or may be a different material.
  • the high frequency module 1 further includes a shield layer 103.
  • the material of the shield layer 103 is, for example, metal.
  • the shield layer 103 covers the main surface 1011 and the outer peripheral surface 1013 of the first resin layer 101, the outer peripheral surface 93 of the mounting substrate 9, and the outer peripheral surface 1023 of the second resin layer 102.
  • the shield layer 103 is in contact with the ground layer included in the mounting substrate 9. As a result, the potential of the shield layer 103 can be made the same as the potential of the ground layer.
  • a first step of mounting a plurality of circuit elements on a mounting substrate 9 is performed.
  • a step of mounting a plurality of electronic components 2 on the first main surface 91 of the mounting board 9 is performed, and then a step of arranging the two electronic components 20 on the two electronic components 2 is performed.
  • a step of mounting a plurality of chip components 3 on the second main surface 92 of the mounting board 9 is performed.
  • either the step of mounting the plurality of electronic components 2 on the first main surface 91 of the mounting board 9 or the step of mounting the plurality of chip components 3 on the second main surface 92 of the mounting board 9 comes first. Good.
  • a step of arranging a plurality of conductor pillars which are the sources of the plurality of external connection terminals 80 is performed on the second main surface 92 of the mounting board 9.
  • the second step is performed.
  • a step of forming the first resin layer 101 covering the plurality of electronic components 2 and the plurality of electronic components 20 on the first main surface 91 side of the mounting board 9, and the second main surface 92 side of the mounting board 9 A step of covering the plurality of chip components 3 and the plurality of conductor pillars to form a resin layer to be a source of the second resin layer 102 is performed.
  • the third step is performed.
  • the resin layer or the like formed in the second step is ground from the surface opposite to the mounting substrate 9 side.
  • the second resin layer 102 is formed by grinding the resin layer.
  • the plurality of chips are further ground by further grinding.
  • the substrate 31 is thinned by grinding the substrate 31 of at least two chip components 3 among the components 3.
  • a plurality of external connection terminals 80 are formed by grinding a plurality of conductor pillars.
  • the second main surface 312 of each substrate 31 of the plurality of chip components 3 and the tip surface 801 of each of the plurality of external connection terminals 80 are exposed.
  • the fourth step is performed.
  • the shield layer 103 is formed.
  • the first step, the second step, and the third step may be performed on a large number of mounting boards 9 having a plurality of mounting boards 9 and capable of taking a large number of mounting boards 9.
  • a large number of boards may be separated into individual mounting boards 9, and then the fourth step may be performed.
  • the high frequency module 1 includes a mounting board 9, an electronic component 2, and a first chip component 3A and a second chip component 3B.
  • the mounting board 9 has a first main surface 91 and a second main surface 92 facing each other.
  • the electronic component 2 is mounted on the first main surface 91 of the mounting board 9.
  • the first chip component 3A and the second chip component 3B are mounted on the second main surface 92 of the mounting board 9.
  • Each of the first chip component 3A and the second chip component 3B includes a substrate 31 and a circuit unit 32.
  • the substrate 31 has a first main surface 311 and a second main surface 312 facing each other.
  • the circuit unit 32 is formed on the first main surface 311 side of the substrate 31.
  • the second main surface 312 of the substrate 31 in each of the first chip component 3A and the second chip component 3B is exposed.
  • the material of the substrate 31 in the first chip component 3A and the material of the substrate 31 in the second chip component 3B are the same.
  • the material of the substrate 31 in the first chip component 3A and the material of the substrate 31 in the second chip component 3B are the same means that the main components of the substrate 31 are the same.
  • the main component does not contain impurities.
  • the substrate 31 is a silicon substrate
  • the main component of the substrate 31 is silicon, and impurities (for example, boron, phosphorus, etc.) added to the silicon substrate are not included.
  • the high-frequency module 1 according to the embodiment can reduce the height of the high-frequency module 1 in the thickness direction D1 of the mounting substrate 9.
  • the substrate 31 is a silicon substrate
  • a natural oxide film (silicon oxide film) having a thickness of about 20 nm to 100 nm may be contained on the second main surface 312 side.
  • the second main surface of the substrate 31. "312 is exposed” includes that the silicon oxide film is exposed.
  • the first chip component 3A is formed on the second main surface 92 of the mounting board 9, regardless of the shape of the second main surface 92 of the mounting board 9.
  • the plane including the joint region 923 of the bump 36 connected to the reference surface 920 is set as the reference surface 920, the reference surface 920 and the substrate in the thickness direction D1 of the mounting substrate 9 in the first chip component 3A and the second chip component 3B.
  • the distance H1 from the second main surface 312 of 31 is the same as each other.
  • the high-frequency module 1 according to the embodiment can reduce the height of the high-frequency module 1 in the thickness direction D1 of the mounting substrate 9.
  • Each tip surface 801 is substantially flush with each other.
  • the distance H1 between the reference surface 920 and the second main surface 312 of the substrate 31 is the same for the first chip component 3A and the second chip component 3B in the thickness direction D1 of the mounting substrate 9. If this is the case, a conductor layer or an insulating layer may be laminated on the second main surface 312 of at least one of the first chip component 3A and the second chip component 3B.
  • the distance H1 between the reference surface 920 and the second main surface 312 of the substrate 31 is the same in the thickness direction D1 of the mounting substrate 9.
  • the reference surface 920 and the second main surface 312 of the substrate 31 of the second chip component 3B are set with reference to the distance H1 with respect to the first chip component 3A mounted on the joint region 923 by the bump 26.
  • the distance may be within the range of the distance H1 ⁇ 15%, more preferably within the range of the distance H1 ⁇ 10%, and further preferably within the range of the distance H1 ⁇ 5%.
  • the first chip component 3A is the first switch 4 for signal path switching
  • the second chip component 3B is the second switch 5 for signal path switching.
  • the thickness of the mounting board 9 The distance between the reference surface 920 and the second main surface 312 of the substrate 31 in the direction D1 is not limited to the same as the distance H1, and may be shorter than the distance H1.
  • the chip components 3 for example, the third switch 6, the fourth switch 7, and the low noise amplifier 21
  • the chip components 3 for example, the third switch 6, the fourth switch 7, and the low noise amplifier 21
  • the second main surface 312 of the substrate 31 is exposed. It is not essential to be there.
  • the communication device 300 includes a signal processing circuit 301 and a high frequency module 1.
  • the signal processing circuit 301 processes the signal received from the antenna 310 and the signal transmitted to the antenna 310.
  • the high frequency module 1 transmits a received signal and a transmitted signal between the antenna 310 and the signal processing circuit 301.
  • the communication device 300 according to the embodiment includes the high frequency module 1, it is possible to reduce the height of the high frequency module 1 in the thickness direction D1 of the mounting substrate 9. Further, the communication device 300 according to the embodiment can be made low in height by including the high frequency module 1 and the circuit board described above.
  • the plurality of electronic components constituting the signal processing circuit 301 may be mounted on, for example, the above-mentioned circuit board, or are different from the circuit board (first circuit board) on which the high-frequency module 1 is mounted. It may be mounted on a circuit board (second circuit board).
  • the high frequency module 1a according to the first modification is provided with a transmission filter 12C and a reception filter 22C instead of the transmission / reception filter 24 and the fourth switch 7 in the high frequency module 1 according to the embodiment.
  • the transmission filter 12C is, for example, a filter whose pass band is the transmission band of the third communication band.
  • the reception filter 22C is, for example, a filter whose pass band is the reception band of the third communication band.
  • Each of the transmission filter 12C and the reception filter 22C is, for example, a chip component.
  • the outer peripheral shapes of the transmission filter 12C and the reception filter 22C are quadrangular.
  • Each of the transmission filter 12C and the reception filter 22C is, for example, a ladder type filter, and has a plurality of (for example, four) series arm resonators and a plurality of (for example, three) parallel arm resonators.
  • Each of the transmission filter 12C and the reception filter 22C is an elastic wave filter similar to, for example, the transmission filters 12A and 12B and the reception filters 22A and 22B, and is a plurality of series arm resonators and a plurality of parallel arm resonators. Each of these is composed of an elastic wave resonator.
  • the surface acoustic wave filter is, for example, a surface acoustic wave filter that utilizes a surface acoustic wave.
  • each of the plurality of series arm resonators and the plurality of parallel arm resonators is, for example, a SAW resonator.
  • the surface acoustic wave filter is a chip component including, for example, a substrate having a first main surface and a second main surface, and a circuit portion formed on the first main surface side of the substrate.
  • the substrate is a piezoelectric substrate.
  • the piezoelectric substrate is, for example, a lithium tantalate substrate, a lithium niobate substrate, or the like.
  • the circuit unit has a plurality of IDT electrodes having a one-to-one correspondence with a plurality of series arm resonators, and a plurality of IDT electrodes having a one-to-one correspondence with a plurality of parallel arm resonators.
  • the transmission filter 12C and the reception filter 22C are mounted on the second main surface 92 of the mounting board 9.
  • the transmission filter 12C and the reception filter 22C are arranged so that the first main surface of the first main surface and the second main surface of the substrate is on the mounting substrate 9 side.
  • each of the first chip component 3A and the second chip component 3B mounted on the second main surface 92 of the mounting board 9 is a substrate. 31 and a circuit unit 32 are included.
  • the substrate 31 has a first main surface 311 and a second main surface 312 facing each other.
  • the circuit unit 32 is formed on the first main surface 311 side of the substrate 31.
  • the second main surface 312 of the substrate 31 in each of the first chip component 3A and the second chip component 3B is exposed.
  • the transmission filter 12C constitutes the first filter included in the first chip component 3A
  • the reception filter 22C constitutes the second filter included in the second chip component 3B.
  • the first filter passes the first high frequency signal (here, the high frequency signal in the transmission band of the third band).
  • the second filter passes a second high frequency signal (here, a high frequency signal in the reception band of the third band).
  • the material of the substrate 31 in the first chip component 3A and the material of the substrate 31 in the second chip component 3B are the same.
  • the main components of the substrate 31 are lithium, tantalate, and oxygen, and even when impurities are added to the lithium tantalate, the main components do not contain impurities.
  • the substrate 31 is a lithium niobate substrate
  • the main components of the substrate 31 are lithium, niobate, and oxygen, and even when impurities are added to the lithium niobate, the main components do not contain impurities.
  • the second main surface 312 of the substrate 31 in each of the first chip component 3A and the second chip component 3B is exposed, so that the high-frequency module 1a is the same as the high-frequency module 1 according to the first embodiment. It is possible to reduce the height.
  • the communication device 300a according to the modification 1 of the embodiment includes the high frequency module 1a, it is possible to reduce the height of the high frequency module 1 in the thickness direction D1 of the mounting substrate 9.
  • the first switch 4 constitutes the first chip component 3A
  • the low noise amplifier 21 constitutes the second chip component 3B.
  • the first switch 4 constitutes a switch for switching the signal path.
  • the low noise amplifier 21 is provided in the signal path of the received signal.
  • the second main surface 312 of the substrate 31 in each of the first chip component 3A and the second chip component 3B is exposed. It is possible to reduce the height.
  • the first switch 4 constitutes the first chip component 3A
  • the transmission / reception filter 24 constitutes the second chip component 3B.
  • the first switch 4 constitutes a switch for switching the signal path.
  • the transmission / reception filter 24 constitutes a surface acoustic wave filter provided in the signal path.
  • the chip component 3 constituting the surface acoustic wave filter includes a substrate 31 and a circuit unit 32.
  • the substrate 31 has a first main surface 311 and a second main surface 312.
  • the circuit unit 32 includes a plurality of first IDT electrodes having a one-to-one correspondence with the series arm resonators and a plurality of second IDT electrodes having a one-to-one correspondence with the plurality of parallel arm resonators.
  • the substrate 31 is, for example, a silicon substrate.
  • the transmission / reception filter 24 includes a low sound velocity film 33 provided on the first main surface 311 of the substrate 31 and a piezoelectric layer 34 provided on the low sound velocity film 33.
  • the plurality of first IDT electrodes and the plurality of second IDT electrodes are provided on the piezoelectric layer 34.
  • the bass velocity film 33 is provided directly or indirectly on the substrate 31. Further, the piezoelectric layer 34 is directly or indirectly provided on the bass velocity film 33. In the bass velocity film 33, the sound velocity of the bulk wave propagating in the bass velocity film is lower than the sound velocity of the bulk wave propagating in the piezoelectric layer 34. On the substrate 31, the speed of sound of the bulk wave propagating on the substrate 31 is higher than the speed of sound of the elastic wave propagating on the piezoelectric layer 34.
  • the material of the piezoelectric layer 34 is, for example, lithium tantalate.
  • the material of the bass velocity film 33 is, for example, silicon oxide.
  • the thickness of the piezoelectric layer 34 is, for example, 3.5 ⁇ or less, where ⁇ is the wavelength of the elastic wave determined by the electrode finger period of the IDT electrode.
  • the thickness of the bass velocity film 33 is, for example, 2.0 ⁇ or
  • the piezoelectric layer 34 may be formed of, for example, lithium tantalate, lithium niobate, zinc oxide, aluminum nitride, or lead zirconate titanate.
  • the bass velocity film 33 may contain at least one material selected from the group consisting of silicon oxide, glass, silicon nitride, tantalum oxide, and a compound obtained by adding fluorine, carbon or boron to silicon oxide. ..
  • Substrates are made from silicon, aluminum nitride, aluminum oxide, silicon carbide, silicon nitride, sapphire, lithium tantalate, lithium niobate, crystal, alumina, zirconia, cozilite, mulite, steatite, forsterite, magnesia and diamond. It suffices to contain at least one material selected from the group.
  • the surface acoustic wave filter may include, for example, an adhesion layer interposed between the bass sound film 33 and the piezoelectric layer 34.
  • the adhesion layer is made of, for example, a resin (epoxy resin, polyimide resin).
  • the surface acoustic wave filter may include a dielectric film between the bass sound film 33 and the piezoelectric layer 34, on the piezoelectric layer 34, or below the bass velocity film 33.
  • the surface acoustic wave filter may include, for example, a hypersonic film interposed between the substrate 31 and the hypersonic film 33.
  • the hypersonic film is provided directly or indirectly on the substrate 31.
  • the low sound velocity film 33 is directly or indirectly provided on the high sound velocity film.
  • the piezoelectric layer 34 is directly or indirectly provided on the bass velocity film 33.
  • the sound velocity of the bulk wave propagating in the hypersonic film is faster than the sound velocity of the elastic wave propagating in the piezoelectric layer 34.
  • the bass velocity film 33 the sound velocity of the bulk wave propagating in the bass velocity film 33 is lower than the sound velocity of the bulk wave propagating in the piezoelectric layer 34.
  • the treble speed film is made of diamond-like carbon, aluminum nitride, aluminum oxide, silicon carbide, silicon nitride, silicon, sapphire, lithium tantalate, lithium niobate, piezoelectric materials such as crystal, alumina, zirconia, cordierite, mulite, and steatite. , Various ceramics such as forsterite, magnesia, diamond, or a material containing each of the above materials as a main component, and a material containing a mixture of the above materials as a main component.
  • the surface acoustic wave filter may further include, for example, a spacer layer and a cover member.
  • the spacer layer and the cover member are provided on the first main surface 311 side of the substrate 31.
  • the spacer layer surrounds a plurality of IDT electrodes in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting substrate 9.
  • the spacer layer has a frame shape (rectangular frame shape) in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting substrate 9.
  • the spacer layer has electrical insulation.
  • the material of the spacer layer is, for example, a synthetic resin such as an epoxy resin or a polyimide.
  • the cover member has a flat plate shape.
  • the cover member has a rectangular shape in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting substrate 9, but is not limited to this, and may be, for example, a square shape.
  • the outer size of the cover member, the outer size of the spacer layer, and the outer size of the cover member are substantially the same in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting substrate 9.
  • the cover member is arranged in the spacer layer so as to face the substrate 31 in the thickness direction D1 of the mounting substrate 9.
  • the cover member overlaps with the plurality of IDT electrodes in the thickness direction D1 of the mounting substrate 9, and is separated from the plurality of IDT electrodes in the thickness direction D1 of the mounting substrate 9.
  • the cover member has electrical insulation.
  • the material of the cover member is, for example, a synthetic resin such as epoxy resin or polyimide.
  • the surface acoustic wave filter has a space surrounded by the substrate 31, the spacer layer, and the cover member. In the surface acoustic wave filter, the space contains gas.
  • the gas is, for example, air, an inert gas (for example, nitrogen gas) or the like.
  • a plurality of terminals in the surface acoustic wave filter are exposed from the cover member.
  • Each of the plurality of terminals is, for example, a bump.
  • Each bump is, for example, a solder bump.
  • Each bump is not limited to a solder bump, and may be, for example, a gold bump.
  • the second main surface 312 of the substrate 31 in each of the first chip component 3A and the second chip component 3B is exposed. It is possible to reduce the height.
  • the high frequency module 1d according to the fourth modification has one transmission filter 12 and one reception filter instead of the two transmission filters 12A and 12B and the two reception filters 22A and 22B of the high frequency module 1 according to the embodiment.
  • the filter 22 is provided.
  • the high frequency module 1d according to the modified example 4 does not include the transmission / reception filter 24 of the high frequency module 1 according to the embodiment.
  • the output terminal 112 of the power amplifier 11 is connected to the selection terminal 41 of the first switch 4 via the transmission filter 12. Further, in the high frequency module 1d according to the modification 4, the input terminal 211 of the low noise amplifier 21 is connected to the selection terminal 42 of the first switch 4 via the reception filter 22.
  • the low noise amplifier 21 is provided in the signal path for the received signal.
  • the reception filter 22 is provided in the signal path for the reception signal.
  • the plurality of electronic components 2 include a power amplifier 11 and a transmission filter 12.
  • the power amplifier 11 is provided in the signal path for the transmission signal.
  • the transmission filter 12 is provided in the signal path for the transmission signal.
  • the low noise amplifier 21 constitutes the first chip component 3A
  • the receiving filter 22 constitutes the second chip component 3B.
  • the receiving filter 22 is a surface elastic wave filter similar to the modified example 3, includes a substrate 31 and a circuit unit 32, and includes a bass velocity film 33 and a piezoelectric layer 34. And further prepare.
  • the second main surface 312 of the substrate 31 in each of the first chip component 3A and the second chip component 3B is exposed. It is possible to reduce the height.
  • the power amplifier 11 and the transmission filter 12 are mounted on the first main surface 91 of the mounting board 9, and the low noise amplifier 21 and the receiving filter 12 are mounted on the second main surface 92 of the mounting board 9.
  • the filter 22 is implemented.
  • the high-frequency module 1d according to the modified example 4 is provided with a ground layer in which the mounting substrate 9 is located between the transmission path and the reception path, thereby improving the isolation between the transmission path and the reception path. Is possible.
  • the power amplifier 11 and the low noise amplifier 21 do not overlap in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting substrate 9. As a result, the isolation between the power amplifier 11 and the low noise amplifier 21 can be improved.
  • the communication device 300d according to the modified example 4 includes the high frequency module 1d, it is possible to reduce the height of the high frequency module 1d in the thickness direction D1 of the mounting substrate 9.
  • the plurality of electronic components 2 include a power amplifier 11 and a receiving filter 22. Further, in the high frequency module 1e according to the modification 5, the low noise amplifier 21 constitutes the first chip component 3A, and the transmission filter 12 constitutes the second chip component 3B.
  • the transmission filter 12 is a surface elastic wave filter similar to the modified example 3, includes a substrate 31 and a circuit unit 32, and includes a bass velocity film 33 and a piezoelectric layer 34. And further prepare.
  • the second main surface 312 of the substrate 31 in each of the first chip component 3A and the second chip component 3B is exposed. It is possible to reduce the height.
  • the mounting board 9 includes a wiring portion 95 that electrically connects the receiving filter 22 and the low noise amplifier 21.
  • the wiring portion 95 penetrates the mounting board 9 in the thickness direction D1.
  • the reception filter 22 and the low noise amplifier 21 are mounted on the second main surface 92 of the mounting board 9 and arranged along the second main surface 92 of the mounting board 9. It is possible to reduce the parasitic capacitance between the wiring portion 95 and the ground layer of the mounting board 9 as compared with the case where the wiring portion is connected.
  • the high frequency module 1e according to the modified example 5 can reduce the NF (Noise Figure) of the low noise amplifier 21 as compared with the high frequency module 1d according to the modified example 4.
  • the second chip component 3B (transmission filter 12) provided in the signal path for the transmission signal and the first chip component 3A (here, the first chip component 3A) provided in the signal path for the reception signal.
  • the ground terminal 85 is located between the low noise amplifier 21).
  • the high-frequency module 1e according to the modified example 5 is provided with the second chip component 3B (transmission filter 12) provided in the signal path for the transmission signal and the first chip provided in the signal path for the reception signal. It is possible to improve the isolation with the component 3A (low noise amplifier 21).
  • a switch (third switch 6) provided in the signal path for the received signal constitutes the first chip component 3A, and the reception is provided in the signal path for the received signal.
  • the filter 22A constitutes the second chip component 3B.
  • the receiving filter 22A is a surface elastic wave filter similar to the modified example 3, includes a substrate 31 and a circuit unit 32, and includes a bass velocity film 33 and a piezoelectric layer 34. And further prepare.
  • the plurality of electronic components 2 include a power amplifier 11 provided in the signal path for the transmission signal and a filter (transmission filter 12A) provided in the signal path for the transmission signal.
  • the second main surface 312 of the substrate 31 in each of the first chip component 3A and the second chip component 3B is exposed. It is possible to reduce the height.
  • a switch (third switch 6) provided in the signal path for the received signal constitutes the first chip component 3A, and the transmission provided in the signal path for the transmission signal.
  • the credit filter 12A constitutes the second chip component 3B.
  • the plurality of electronic components 2 include a power amplifier 11 provided in the signal path for the transmission signal and a reception filter 22A provided in the signal path for the reception signal.
  • the second main surface 312 of the substrate 31 in each of the first chip component 3A and the second chip component 3B is exposed. It is possible to reduce the height.
  • the number of electronic components 2 mounted on the first main surface 91 of the mounting board 9 is not limited to a plurality, and may be one.
  • the mounting board 9 is not limited to a printed wiring board or an LTCC board, and may be, for example, an HTCC (High Temperature Co-fired Ceramics) board, a component-embedded board, or the like.
  • an HTCC High Temperature Co-fired Ceramics
  • the first switch 4, the second switch 5, the third switch 6, the fourth switch 7, and the low noise amplifier 21 are each composed of different chip components (IC chips), for example, like the high frequency module 1 of the embodiment. It may be made into one chip by any combination.
  • the high frequency modules 1 to 1 g may include a controller (power amplifier controller) that controls the power amplifier 11 based on the control signal from the signal processing circuit 301.
  • the controller is, for example, a chip component (IC chip) including a substrate having a first main surface and a second main surface facing each other, and a control function unit formed on the first main surface side of the substrate.
  • the substrate is, for example, a silicon substrate.
  • the substrate of the power amplifier 11 is not limited to the gallium arsenide substrate, and may be, for example, a silicon substrate.
  • the transistor included in the power amplifier 11 is not an HBT but a bipolar transistor.
  • the number of selection terminals in each of the first switch 4, the second switch 5, the third switch 6, and the fourth switch 7 may be a plurality, and is not limited to the number illustrated.
  • the filters such as the transmission filters 12, 12A, 12B, and 12C are not limited to the ladder type filters, and may be, for example, a vertically coupled resonator type surface acoustic wave filter.
  • the above-mentioned filter is an elastic wave filter that utilizes an elastic surface wave, but is not limited to this, and may be, for example, an elastic wave filter that utilizes an elastic boundary wave, a plate wave, or the like.
  • each of the plurality of series arm resonators and the plurality of parallel arm resonators is not limited to the SAW resonator, and may be, for example, a BAW (Bulk Acoustic Wave) resonator.
  • BAW Bulk Acoustic Wave
  • the filter may be an LC filter.
  • the filter is composed of an elastic wave filter, the attenuation characteristics near the pass band can be improved as compared with the case where the filter is composed of an LC filter.
  • the ⁇ (reflection coefficient) in the midband can be made larger than that when the filter is composed of an LC filter.
  • the output matching circuit 13 includes, for example, a substrate having a first main surface and a second main surface facing each other, a circuit unit including a plurality of inductors and a plurality of capacitors formed on the first main surface side of the substrate, and the like. It may be a chip component (IC chip) including. In this case, the IC chip may be an IPD (Integrated Passive Device).
  • the substrate is, for example, a silicon substrate.
  • the output matching circuit 13 is the first of the mounting boards 9 so that, for example, the first main surface of the first and second main surfaces of the board is on the first main surface 91 side of the mounting board 9. The flip chip is mounted on the main surface 91.
  • Each tip of the plurality of external connection terminals 80 may include, for example, a gold plating layer.
  • Each of the plurality of external connection terminals 80 is not limited to the columnar electrode, and may be, for example, a bump.
  • the bumps are, for example, spherical.
  • each of the plurality of external connection terminals 80 is a ball bump.
  • the material of the ball bump is, for example, gold, copper, solder or the like.
  • the circuit configuration of the high frequency modules 1 to 1e is not limited to the above example. Further, the high frequency modules 1 to 1e may have, for example, a high frequency front end circuit corresponding to MIMO (Multi Input Multi Output) as a circuit configuration.
  • MIMO Multi Input Multi Output
  • the communication device 300 may include any of the high frequency modules 1a, 1b, 1c, 1d, and 1e instead of the high frequency module 1.
  • the high-frequency module (1; 1a; 1b; 1c; 1d; 1e; 1f; 1g) includes a mounting substrate (9), an electronic component (2), a first chip component (3A), and a first. It includes a 2-chip component (3B).
  • the mounting board (9) has a first main surface (91) and a second main surface (92) facing each other.
  • the electronic component (2) is mounted on the first main surface (91) of the mounting board (9).
  • the first chip component (3A) and the second chip component (3B) are mounted on the second main surface (92) of the mounting board (9).
  • Each of the first chip component (3A) and the second chip component (3B) includes a substrate (31) and a circuit unit (32).
  • the substrate (31) has a first main surface (311) and a second main surface (312) facing each other.
  • the circuit unit (32) is formed on the first main surface (311) side of the substrate (31).
  • the second main surface (312) of the substrate (31) in each of the first chip component (3A) and the second chip component (3B). Is exposed at least in part.
  • the material of the substrate (31) in the first chip component (3A) and the material of the substrate (31) in the second chip component (3B) are the same.
  • the high frequency module (1; 1a; 1b; 1c; 1d; 1e; 1f; 1g) according to the first aspect can reduce the height of the mounting substrate (9) in the thickness direction (D1). ..
  • the high-frequency module (1; 1a; 1b; 1c; 1d; 1e; 1f; 1g) includes a mounting substrate (9), an electronic component (2), a first chip component (3A), and a first chip component (3A). It includes a 2-chip component (3B).
  • the mounting board (9) has a first main surface (91) and a second main surface (92) facing each other.
  • the electronic component (2) is mounted on the first main surface (91) of the mounting board (9).
  • the first chip component (3A) and the second chip component (3B) are mounted on the second main surface (92) of the mounting board (9).
  • Each of the first chip component (3A) and the second chip component (3B) includes a substrate (31) and a circuit unit (32).
  • the substrate (31) has a first main surface (311) and a second main surface (312) facing each other.
  • the circuit unit (32) is formed on the first main surface (311) side of the substrate (31).
  • the material of the substrate (31) in the first chip component (3A) and the material of the substrate (31) in the second chip component (3B) are the same.
  • the reference surface (920) is set as the reference surface (920).
  • the reference plane (920) and the second main plane (312) of the substrate (31) are aligned with each other in the thickness direction (D1) of the mounting substrate (9).
  • the distances (H1) are the same as each other.
  • the high frequency module (1; 1a; 1b; 1c; 1d; 1e; 1f; 1g) according to the second aspect can reduce the height of the mounting substrate (9) in the thickness direction (D1). ..
  • the first chip component (3A) is the first switch (4) for switching the signal path, and the second chip component (3B). ) Is the second switch (5) for switching the signal path.
  • the first chip component (3A) is the first filter (transmission filter 12C), and the second chip component (3B) is. , The second filter (reception filter 22C).
  • the first filter passes the first high frequency signal.
  • the second filter passes the second high frequency signal.
  • the first chip component (3A) is a signal path switching switch (first switch 4), and the second chip component (1b).
  • 3B) is a low noise amplifier (21).
  • the low noise amplifier (21) is provided in the signal path of the received signal.
  • the first chip component (3A) is a signal path switching switch (first switch 4), and the second chip component (1c).
  • 3B) is a surface acoustic wave filter (transmission / reception filter 24). A surface acoustic wave filter is provided in the signal path.
  • the first chip component (3A) is a low noise amplifier (21), and the second chip component (3B) is a surface acoustic wave. It is a filter (reception filter 22).
  • the low noise amplifier (21) is provided in the signal path for the received signal.
  • the surface acoustic wave filter (reception filter 22) is provided in the signal path for the received signal.
  • the high frequency module (1d) includes a plurality of electronic components (2) in the seventh aspect.
  • the plurality of electronic components (2) include a power amplifier (11) and a filter (transmission filter 12).
  • the power amplifier (11) is provided in the signal path for the transmission signal.
  • the filter (transmission filter 12) is provided in the signal path for the transmission signal.
  • the first chip component (3A) is a switch (third switch 6), and the second chip component (3B) is a surface. It is a surface acoustic wave filter (reception filter 22A).
  • the switch (third switch 6) is provided in the signal path for the received signal.
  • the surface acoustic wave filter (reception filter 22A) is provided in the signal path for the received signal.
  • the high frequency module (1f) includes a plurality of electronic components (2) in the ninth aspect.
  • the plurality of electronic components (2) include a power amplifier (11) and a filter (transmission filter 12A).
  • the power amplifier (11) is provided in the signal path for the transmission signal.
  • the filter (transmission filter 12A) is provided in the signal path for the transmission signal.
  • the first chip component (3A) is a low noise amplifier (21), and the second chip component (3B) is a transmission filter. (12).
  • the low noise amplifier (21) is provided in the signal path for the received signal.
  • the transmission filter (12) is provided in the signal path for the transmission signal.
  • the high frequency module (1e) includes a plurality of electronic components (2) in the eleventh aspect.
  • the plurality of electronic components (2) include a power amplifier (11) and a receiving filter (22).
  • the power amplifier (11) is provided in the signal path for the transmission signal.
  • the reception filter (22) is provided in the signal path for the reception signal.
  • the mounting board (9) further includes a wiring portion (95).
  • the wiring unit (95) electrically connects the receiving filter (22) and the low noise amplifier (21).
  • the high frequency module (1e) further includes a ground terminal (85).
  • the ground terminal (85) is arranged on the second main surface (92) of the mounting board (9).
  • the ground terminal (85) is located between the low noise amplifier (21) and the transmission filter (12) in a plan view from the thickness direction (D1) of the mounting substrate (9).
  • the mounting board (9) includes a wiring unit (95) for electrically connecting the receiving filter (22) and the low noise amplifier (21).
  • the receiving filter (22) and the low noise amplifier (21) are mounted on the second main surface (92) of the mounting board (9) and arranged along the second main surface (92) of the mounting board (9). It is possible to reduce the parasitic capacitance between the wiring portion (95) and the ground layer of the mounting board (9) as compared with the case where they are connected by the wiring portion.
  • the low noise amplifier (21) is provided with a ground terminal (85) located between the low noise amplifier (21) and the transmission filter (12). It is possible to improve the isolation between the and the transmission filter (12).
  • the ground terminal (85) is a columnar electrode.
  • the first chip component (3A) is a switch (third switch 6), and the second chip component (3B) is fed. It is a credit filter (12A).
  • the switch (third switch 6) is provided in the signal path for the received signal.
  • the transmission filter (12A) is provided in the signal path for the transmission signal.
  • the high frequency module (1 g) includes a plurality of electronic components (2) in the fifteenth aspect.
  • the plurality of electronic components (2) include a power amplifier (11) and a receiving filter (22A).
  • the power amplifier (11) is provided in the signal path for the transmission signal.
  • the reception filter (22A) is provided in the signal path for the reception signal.
  • Each substrate (31) is a silicon substrate.
  • each substrate (31) of the first chip component (3A) and the second chip component (3B) is a lithium tantalate substrate or lithium nio. It is a bait board.
  • the communication device (300; 300a; 300d) includes the signal processing circuit (301) and the high frequency module (1; 1a; 1b; 1c; 1d; 1e) according to any one of the first to eighteenth aspects. ) And.
  • the signal processing circuit (301) signals the received signal from the antenna (310) and the transmitted signal to the antenna (310).
  • the high frequency module (1; 1a; 1b; 1c; 1d; 1e) transmits a received signal and a transmitted signal between the antenna (310) and the signal processing circuit (301).

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Abstract

実装基板の厚さ方向における低背化を図る。高周波モジュール（１）は、実装基板（９）、電子部品（２）、第１チップ部品（３Ａ）及び第２チップ部品（３Ｂ）を備える。電子部品（２）は実装基板（９）の第１主面（９１）に実装されている。第１チップ部品（３Ａ）及び第２チップ部品（３Ｂ）は実装基板（９）の第２主面（９２）に実装されている。第１チップ部品（３Ａ）及び第２チップ部品（３Ｂ）の各々は、基板（３１）と、回路部（３２）と、を含む。基板（３１）は、互いに対向する第１主面（３１１）及び第２主面（３１２）を有する。回路部（３２）は基板（３１）の第１主面（３１１）側に形成されている。第１チップ部品（３Ａ）及び第２チップ部品（３Ｂ）の各々における基板（３１）の第２主面（３１２）が露出している。第１チップ部品（３Ａ）における基板（３１）の材料と、第２チップ部品（３Ｂ）における基板（３１）の材料とが、同じである。

Description

高周波モジュール及び通信装置
　本発明は、一般に高周波モジュール及び通信装置に関し、より詳細には、実装基板と複数のチップ部品とを備える高周波モジュール、及びそれを備える通信装置に関する。
　従来、高周波モジュールとして、基板（実装基板）と、基板に設けられたフィルタ部と、基板に設けられたスイッチＩＣと、増幅部と、を備えるフロントエンドモジュールが知られている（例えば、特許文献１参照）。
　特許文献１に開示されたフロントエンドモジュールの一例では、フィルタ部は、基板の一方主面に設けられ、スイッチＩＣは、基板の他方主面に設けられている。
　また、フロントエンドモジュールは、基板の他方主面に設けられた複数の電極（外部接続端子）を備える。
　また、特許文献１には、アンテナ素子で送受信される高周波信号を処理するＲＦ信号処理回路と、フロントエンドモジュールと、を備える通信装置が開示されている。
国際公開第２０１８／１１０３９３号
　高周波モジュールにおいては、実装基板の一方主面及び他方主面それぞれに部品を実装して実装基板の小型化を図る場合に、実装基板の厚さ方向における高周波モジュールの低背化が求められる場合がある。
　本発明の目的は、実装基板の厚さ方向における低背化を図ることが可能な高周波モジュール及び通信装置を提供することにある。
　本発明の一態様に係る高周波モジュールは、実装基板と、電子部品と、第１チップ部品及び第２チップ部品と、を備える。前記実装基板は、互いに対向する第１主面及び第２主面を有する。前記電子部品は、前記実装基板の前記第１主面に実装されている。前記第１チップ部品及び前記第２チップ部品は、前記実装基板の前記第２主面に実装されている。前記第１チップ部品及び前記第２チップ部品は、基板と、回路部と、を含む。前記基板は、互いに対向する第１主面及び第２主面を有する。前記回路部は、前記基板の前記第１主面側に形成されている。前記高周波モジュールでは、前記第１チップ部品及び前記第２チップ部品の各々における前記基板の前記第２主面の少なくとも一部が露出している。前記第１チップ部品における前記基板の材料と、前記第２チップ部品における前記基板の材料とが、同じである。
　本発明の一態様に係る高周波モジュールは、実装基板と、電子部品と、第１チップ部品及び第２チップ部品と、を備える。前記実装基板は、互いに対向する第１主面及び第２主面を有する。前記電子部品は、前記実装基板の前記第１主面に実装されている。前記第１チップ部品及び前記第２チップ部品は、前記実装基板の前記第２主面に実装されている。前記第１チップ部品及び前記第２チップ部品は、基板と、回路部と、を含む。前記基板は、互いに対向する第１主面及び第２主面を有する。前記回路部は、前記基板の前記第１主面側に形成されている。前記第１チップ部品における前記基板の材料と、前記第２チップ部品における前記基板の材料とが、同じである。前記実装基板の前記第２主面において前記第１チップ部品に接続されたバンプとの接合領域を含む平面を基準面としたときに、前記第１チップ部品及び前記第２チップ部品では、前記実装基板の厚さ方向において前記基準面と前記基板の前記第２主面との距離が互いに同じである。
　本発明の一態様に係る通信装置は、信号処理回路と、上記態様の高周波モジュールと、を備える。前記信号処理回路は、アンテナからの受信信号と前記アンテナへの送信信号とを信号処理する。前記高周波モジュールは、前記アンテナと前記信号処理回路との間で前記受信信号及び前記送信信号を伝達する。
　本発明の上記態様に係る高周波モジュール及び通信装置は、実装基板の厚さ方向における低背化を図ることが可能となる。
図１は、実施形態に係る高周波モジュールの断面図である。 図２は、同上の高周波モジュールを備える通信装置の回路構成図である。 図３は、実施形態に係る高周波モジュールの要部説明図である。 図４は、実施形態の変形例１に係る高周波モジュールを備える通信装置の回路構成図である。 図５は、同上の高周波モジュールの断面図である。 図６は、実施形態の変形例２に係る高周波モジュールの断面図である。 図７は、実施形態の変形例３に係る高周波モジュールの断面図である。 図８は、実施形態の変形例４に係る高周波モジュールを備える通信装置の回路構成図である。 図９は、同上の高周波モジュールの断面図である。 図１０は、実施形態の変形例５に係る高周波モジュールの断面図である。 図１１は、実施形態の変形例６に係る高周波モジュールの断面図である。 図１２は、実施形態の変形例７に係る高周波モジュールの断面図である。
　以下の実施形態等において参照する図１、３、５～７、及び９～１２は、いずれも模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。
　（実施形態）
　以下、実施形態に係る高周波モジュール１及び通信装置３００について、図１及び２を参照して説明する。
　（１）高周波モジュール及び通信装置
　（１．１）高周波モジュール及び通信装置の回路構成
　実施形態に係る高周波モジュール１及び通信装置３００の回路構成について、図２を参照して説明する。
　実施形態に係る高周波モジュール１は、例えば、通信装置３００に用いられる。通信装置３００は、例えば、携帯電話（例えば、スマートフォン）であるが、これに限らず、例えば、ウェアラブル端末（例えば、スマートウォッチ）等であってもよい。高周波モジュール１は、例えば、４Ｇ（第４世代移動通信）規格、５Ｇ（第５世代移動通信）規格等に対応可能なモジュールである。４Ｇ規格は、例えば、３ＧＰＰ　ＬＴＥ（Long Term Evolution）規格である。５Ｇ規格は、例えば、５Ｇ　ＮＲ（New Radio）である。高周波モジュール１は、キャリアアグリゲーション及びデュアルコネクティビティに対応可能なモジュールである。
　高周波モジュール１は、例えば、信号処理回路３０１から入力された送信信号を増幅してアンテナ３１０に出力できるように構成されている。また、高周波モジュール１は、アンテナ３１０から入力された受信信号を増幅して信号処理回路３０１に出力できるように構成されている。信号処理回路３０１は、高周波モジュール１の構成要素ではなく、高周波モジュール１を備える通信装置３００の構成要素である。実施形態に係る高周波モジュール１は、例えば、通信装置３００の備える信号処理回路３０１によって制御される。通信装置３００は、高周波モジュール１と、信号処理回路３０１と、を備える。通信装置３００は、アンテナ３１０を更に備える。通信装置３００は、高周波モジュール１が実装された回路基板を更に備える。回路基板は、例えば、プリント配線板である。回路基板は、グランド電位が与えられるグランド電極を有する。
　信号処理回路３０１は、例えば、ＲＦ信号処理回路３０２と、ベースバンド信号処理回路３０３と、を含む。ＲＦ信号処理回路３０２は、例えばＲＦＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）であり、高周波信号に対する信号処理を行う。ＲＦ信号処理回路３０２は、例えば、ベースバンド信号処理回路３０３から出力された高周波信号（送信信号）に対してアップコンバート等の信号処理を行い、信号処理が行われた高周波信号を出力する。また、ＲＦ信号処理回路３０２は、例えば、高周波モジュール１から出力された高周波信号（受信信号）に対してダウンコンバート等の信号処理を行い、信号処理が行われた高周波信号をベースバンド信号処理回路３０３へ出力する。ベースバンド信号処理回路３０３は、例えばＢＢＩＣ（Baseband Integrated Circuit）であり、信号処理回路３０１の外部からの送信信号に対する所定の信号処理を行う。ベースバンド信号処理回路３０３で処理された受信信号は、例えば、画像信号として画像表示のために、又は、音声信号として通話のために使用される。高周波モジュール１は、アンテナ３１０と信号処理回路３０１のＲＦ信号処理回路３０２との間で高周波信号（受信信号、送信信号）を伝達する。通信装置３００では、ベースバンド信号処理回路３０３は必須の構成要素ではない。
　実施形態に係る高周波モジュール１は、パワーアンプ１１と、ローノイズアンプ２１と、と、を備える。また、高周波モジュール１は、２つの送信用フィルタ１２Ａ，１２Ｂと、２つの受信用フィルタ２２Ａ，２２Ｂと、送受信用フィルタ２４と、を備える。また、高周波モジュール１は、出力整合回路１３と、入力整合回路２３と、を備える。また、高周波モジュール１は、第１スイッチ４と、第２スイッチ５と、第３スイッチ６と、第４スイッチ７と、を備える。
　また、高周波モジュール１は、複数の外部接続端子８０を備えている。複数の外部接続端子８０は、アンテナ端子８１と、信号入力端子８２と、信号出力端子８３と、複数のグランド端子８５と、を含む。図１では、複数の外部接続端子８０のうち２つの外部接続端子８０のみ図示されている。複数のグランド端子８５は、通信装置３００の備える上述の回路基板のグランド電極と電気的に接続されてグランド電位が与えられる端子である。
　パワーアンプ１１は、入力端子１１１及び出力端子１１２を有する。パワーアンプ１１は、入力端子１１１に入力された第１周波数帯域の送信信号を増幅して出力端子１１２から出力する。ここにおいて、第１周波数帯域は、例えば、第１通信バンドと第２通信バンドと第３通信バンドとを含む。第１通信バンドは、送信用フィルタ１２Ａを通る送信信号に対応し、例えば、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ１１である。第２通信バンドは、送信用フィルタ１２Ｂを通る送信信号に対応し、例えば、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ２２である。第３通信バンドは、送受信用フィルタ２４を通る送信信号に対応し、例えば、３ＧＰＰ　ＬＴＥ規格のＢａｎｄ４２、Ｂａｎｄ４８又は５Ｇ　ＮＲ規格のｎ７７である。パワーアンプ１１の入力端子１１１は、信号入力端子８２に接続されている。パワーアンプ１１の入力端子１１１は、信号入力端子８２を介して信号処理回路３０１に接続される。信号入力端子８２は、外部回路（例えば、信号処理回路３０１）からの高周波信号（送信信号）を高周波モジュール１に入力するための端子である。パワーアンプ１１の出力端子１１２は、出力整合回路１３を介して第２スイッチ５の共通端子５０に接続されている。
　ローノイズアンプ２１は、入力端子２１１及び出力端子２１２を有する。ローノイズアンプ２１は、入力端子２１１に入力された第２周波数帯域の受信信号を増幅して出力端子２１２から出力する。第２周波数帯域は、例えば、第１周波数帯域と同じであり、第１通信バンドと第２通信バンドと第３通信バンドとを含む。ローノイズアンプ２１の入力端子２１１は、入力整合回路２３を介して第３スイッチ６の共通端子６０に接続されている。ローノイズアンプ２１の出力端子２１２は、信号出力端子８３に接続されている。ローノイズアンプ２１の出力端子２１２は、例えば、信号出力端子８３を介して信号処理回路３０１に接続される。信号出力端子８３は、ローノイズアンプ２１からの高周波信号（受信信号）を外部回路（例えば、信号処理回路３０１）へ出力するための端子である。
　送信用フィルタ１２Ａは、例えば、第１通信バンドの送信帯域を通過帯域とするフィルタである。送信用フィルタ１２Ｂは、例えば、第２通信バンドの送信帯域を通過帯域とするフィルタである。受信用フィルタ２２Ａは、例えば、第１通信バンドの受信帯域を通過帯域とするフィルタである。受信用フィルタ２２Ｂは、例えば、第２通信バンドの受信帯域を通過帯域とするフィルタである。送受信用フィルタ２４は、例えば、第３通信バンドの送受信帯域を通過帯域とするフィルタである。
　第１スイッチ４は、共通端子４０と、３つの選択端子４１～４３と、を有する。共通端子４０は、アンテナ端子８１に接続されている。アンテナ端子８１には、アンテナ３１０が接続される。選択端子４１は、送信用フィルタ１２Ａの出力端子と受信用フィルタ２２Ａの入力端子との接続点に接続されている。選択端子４２は、送信用フィルタ１２Ｂの出力端子と受信用フィルタ２２Ｂの入力端子との接続点に接続されている。選択端子４３は、送受信用フィルタ２４に接続されている。第１スイッチ４は、例えば、共通端子４０に３つの選択端子４１～４３のうち少なくとも１つ以上を接続可能なスイッチである。ここで、第１スイッチ４は、例えば、一対一及び一対多の接続が可能なスイッチである。
　第１スイッチ４は、例えば、信号処理回路３０１によって制御される。第１スイッチ４は、信号処理回路３０１のＲＦ信号処理回路３０２からの制御信号にしたがって、共通端子４０と４つ選択端子４１～４３との接続状態を切り替える。第１スイッチ４は、例えば、スイッチＩＣ（Integrated Circuit）である。
　第２スイッチ５は、共通端子５０と、３つの選択端子５１～５３と、を有する。共通端子５０は、出力整合回路１３を介してパワーアンプ１１の出力端子１１２に接続されている。選択端子５１は、送信用フィルタ１２Ａの入力端子に接続されている。選択端子５２は、送信用フィルタ１２Ｂの入力端子に接続されている。選択端子５３は、第４スイッチ７の選択端子７１に接続されている。第２スイッチ５は、例えば、共通端子５０に３つの選択端子５１～５３のうち少なくとも１つ以上を接続可能なスイッチである。ここで、第２スイッチ５は、例えば、一対一及び一対多の接続が可能なスイッチである。
　第２スイッチ５は、例えば、信号処理回路３０１によって制御される。第２スイッチ５は、信号処理回路３０１のＲＦ信号処理回路３０２からの制御信号にしたがって、共通端子５０と３つ選択端子５１～５３との接続状態を切り替える。第２スイッチ５は、例えば、スイッチＩＣである。
　第３スイッチ６は、共通端子６０と、３つの選択端子６１～６３と、を有する。共通端子６０は、入力整合回路２３を介してローノイズアンプ２１の入力端子２１１に接続されている。選択端子６１は、受信用フィルタ２２Ａの出力端子に接続されている。選択端子６２は、受信用フィルタ２２Ｂの出力端子に接続されている。選択端子６３は、第４スイッチ７の選択端子７２に接続されている。第３スイッチ６は、例えば、共通端子６０に３つの選択端子６１～６３のうち少なくとも１つ以上を接続可能なスイッチである。ここで、第３スイッチ６は、例えば、一対一及び一対多の接続が可能なスイッチである。
　第３スイッチ６は、例えば、信号処理回路３０１によって制御される。第３スイッチ６は、信号処理回路３０１のＲＦ信号処理回路３０２からの制御信号にしたがって、共通端子６０と３つ選択端子６１～６３との接続状態を切り替える。第３スイッチ６は、例えば、スイッチＩＣである。
　第４スイッチ７は、共通端子７０と、上述の２つの選択端子７１，７２と、を有する。共通端子７０は、送受信用フィルタ２４の２つの入出力端子のうち一方の入出力端子に接続されている。選択端子７１は、第２スイッチ５の選択端子５３に接続されている。選択端子７２は、第３スイッチ６の選択端子６３に接続されている。第４スイッチ７は、第４スイッチ７では、２つの選択端子７１，７２が、共通端子７０に排他的に接続される。第４スイッチ７は、例えば、ＳＰＤＴ（Single Pole Double Throw）型のスイッチにより構成できる。第４スイッチは、例えば、スイッチＩＣである。
　出力整合回路１３は、パワーアンプ１１の出力端子１１２と第２スイッチ５の共通端子５０との間の信号経路に設けられている。出力整合回路１３は、パワーアンプ１１と送信用フィルタ１２Ａ，１２Ｂ及び送受信用フィルタ２４とのインピーダンス整合をとるための回路である。出力整合回路１３は、例えば、１つのインダクタＬ１（図１参照）で構成されるが、これに限らず、例えば、複数のインダクタ及び複数のキャパシタを含む場合もある。
　入力整合回路２３は、ローノイズアンプ２１の入力端子２１１と第３スイッチ６の共通端子６０との間の信号経路に設けられている。入力整合回路２３は、ローノイズアンプ２１と受信用フィルタ２２Ａ、２２Ｂ及び送受信用フィルタ２４とのインピーダンス整合をとるための回路である。入力整合回路２３は、例えば、１つのインダクタＬ２（図１参照）で構成されているが、これに限らず、例えば、複数のインダクタ及び複数のキャパシタを含む場合もある。
　高周波モジュール１は、第４スイッチ７を備えているので、例えば、ＴＤＤ（Time Division Duplex）により、所定の周波数帯域の送信信号（送信用の高周波信号）と所定の周波数帯域の受信信号（受信用の高周波信号）との同時送受信を擬似的に実現することができる。ここにおいて、疑似的に実現するとは、送信信号の送信と受信信号の受信とが同時ではないが、同時と見なせる程度の短期間で行われることを意味する。
　（１．２）高周波モジュールの構造
　以下、高周波モジュール１の構造について図１を参照して説明する。
　高周波モジュール１は、実装基板９と、複数の回路素子と、複数の外部接続端子８０と、を備える。
　実装基板９は、互いに対向する第１主面９１及び第２主面９２を有する。実装基板９は、例えば、プリント配線板、ＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics）基板等である。ここにおいて、実装基板９は、例えば、複数の誘電体層及び複数の導体パターン層を含む多層基板である。複数の誘電体層及び複数の導体パターン層は、実装基板９の厚さ方向Ｄ１において積層されている。複数の導体パターン層は、それぞれ所定パターンに形成されている。複数の導体パターン層の各々は、実装基板９の厚さ方向Ｄ１に直交する一平面内において１つ又は複数の導体部を含む。各導体パターン層の材料は、例えば、銅である。複数の導体パターン層は、グランド層を含む。高周波モジュール１では、複数のグランド端子８５とグランド層とが、実装基板９の有するビア導体等を介して電気的に接続されている。
　実装基板９の第１主面９１及び第２主面９２は、実装基板９の厚さ方向Ｄ１において離れており、実装基板９の厚さ方向Ｄ１に交差する。実装基板９における第１主面９１は、例えば、実装基板９の厚さ方向Ｄ１に直交しているが、例えば、厚さ方向Ｄ１に直交しない面として導体部の側面等を含んでいてもよい。また、実装基板９における第２主面９２は、例えば、実装基板９の厚さ方向Ｄ１に直交しているが、例えば、厚さ方向Ｄ１に直交しない面として、導体部の側面等を含んでいてもよい。また、実装基板９の第１主面９１及び第２主面９２は、微細な凹凸又は凹部又は凸部が形成されていてもよい。
　高周波モジュール１は、複数の回路素子として、上述のパワーアンプ１１、ローノイズアンプ２１、２つの送信用フィルタ１２Ａ，１２Ｂ、２つの受信用フィルタ２２Ａ，２２Ｂ、送受信用フィルタ２４、出力整合回路１３及び入力整合回路２３を備える。高周波モジュール１の複数の回路素子は、実装基板９に実装されている。複数の回路素子は、実装基板９に実装される電子部品だけに限らず、実装基板９内に設けられる回路素子を含んでもよい。図１では、複数の回路素子のうち、第１スイッチ４、第２スイッチ５、２つの送信用フィルタ１２Ａ，１２Ｂ、２つの受信用フィルタ２２Ａ，２２Ｂ、２つのインダクタＬ１，Ｌ２以外の回路素子の図示を省略してある。ここにおいて、実施形態に係る高周波モジュール１では、送信用フィルタ１２Ａ、受信用フィルタ２２Ａ及び２つのインダクタＬ１，Ｌ２の各々が、実装基板９の第１主面９１に実装されている。また、高周波モジュール１では、送信用フィルタ１２Ｂは、実装基板９の第１主面９１側において送信用フィルタ１２Ａ上に配置されている。また、受信用フィルタ２２Ｂは、実装基板９の第１主面９１側において受信用フィルタ２２Ａ上に配置されている。また、高周波モジュール１では、第１スイッチ４及び第２スイッチ５の各々が、実装基板９の第２主面９２に実装されている。第１スイッチ４は、送信信号用の信号経路と受信信号用の信号経路との両方に設けられている。高周波モジュール１では、第１スイッチ４は、パワーアンプ１１と出力整合回路１３と第２スイッチ５と送信用フィルタ１２Ａとの設けられている送信信号用の信号経路に設けられている。また、第１スイッチ４は、パワーアンプ１１と出力整合回路１３と第３スイッチ６と送信用フィルタ１２Ｂとの設けられている送信信号用の信号経路に設けられている。また、第１スイッチ４は、パワーアンプ１１と出力整合回路１３と第４スイッチ７と送受信用フィルタ２４との設けられている送信信号用の信号経路に設けられている。また、第１スイッチ４は、受信用フィルタ２２Ａと第３スイッチ６と入力整合回路２３とローノイズアンプ２１との設けられている受信信号用の信号経路に設けられている。また、第１スイッチ４は、受信用フィルタ２２Ｂと第３スイッチ６と入力整合回路２３とローノイズアンプ２１との設けられている受信信号用の信号経路に設けられている。また、第１スイッチ４は、送受信用フィルタ２４と第４スイッチ７と入力整合回路２３とローノイズアンプ２１との設けられている受信信号用の信号経路に設けられている。また、実施形態に係る高周波モジュール１では、第３スイッチ６、第４スイッチ７及びローノイズアンプ２１が、実装基板９の第２主面９２に実装されている。
　高周波モジュール１では、パワーアンプ１１は、互いに対向する第１主面及び第２主面を有する基板と、この基板の第１主面側に形成された少なくとも１つのトランジスタを含む回路部（ＩＣ部）と、を備えるチップ部品（ＩＣチップ）である。基板は、例えば、ガリウム砒素基板である。回路部は、パワーアンプ１１の入力端子１１１に入力した送信信号を増幅する機能を有する。トランジスタは、例えば、ＨＢＴ（Heterojunction Bipolar Transistor）である。パワーアンプ１１は、例えば、直流カット用のキャパシタを含んでいてもよい。パワーアンプ１１を構成しているチップ部品は、基板の第１主面及び第２主面のうち第１主面が実装基板９の第１主面９１側となるように実装基板９の第１主面９１にフリップチップ実装されている。実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、パワーアンプ１１の外周形状は、四角形状である。
　ローノイズアンプ２１は、例えば、互いに対向する第１主面及び第２主面を有する基板と、この基板の第１主面側に形成された回路部（ＩＣ部）と、を備えるチップ部品（ＩＣチップ）である。基板は、例えば、シリコン基板である。回路部は、ローノイズアンプ２１の入力端子２１１に入力された受信信号を増幅する機能を有する。回路部は、トランジスタを含む。ローノイズアンプ２１は、基板の第１主面及び第２主面のうち第１主面が実装基板９の第２主面９２側となるように実装基板９の第２主面９２にフリップチップ実装されている。実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、ローノイズアンプ２１の外周形状は、四角形状である。
　２つの送信用フィルタ１２Ａ，１２Ｂ、２つの受信用フィルタ２２Ａ，２２Ｂ及び送受信用フィルタ２４の各々は、例えば、チップ部品である。要するに、実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、送信用フィルタ１２Ａ，１２Ｂ、２つの受信用フィルタ２２Ａ，２２Ｂ及び送受信用フィルタ２４の各々の外周形状は、四角形状である。
　２つの送信用フィルタ１２Ａ，１２Ｂ、２つの受信用フィルタ２２Ａ，２２Ｂ及び送受信用フィルタ２４の各々は、例えば、ラダー型フィルタであり、複数（例えば、４つ）の直列腕共振子と、複数（例えば、３つ）の並列腕共振子と、を有する。２つの送信用フィルタ１２Ａ，１２Ｂ、２つの受信用フィルタ２２Ａ，２２Ｂ及び送受信用フィルタ２４の各々は、例えば、弾性波フィルタであり、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子の各々が弾性波共振子により構成されている。弾性波フィルタは、例えば、弾性表面波を利用する表面弾性波フィルタである。
　表面弾性波フィルタでは、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子の各々は、例えば、ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）共振子である。
　ここにおいて、表面弾性波フィルタは、例えば、第１主面及び第２主面を有する基板と、この基板の第１主面側に形成されている回路部と、を備えるチップ部品である。基板は、圧電体基板である。圧電体基板は、例えば、リチウムタンタレート基板、リチウムニオベイト基板等である。回路部は、複数の直列腕共振子に一対一に対応する複数のＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極と、複数の並列腕共振子に一対一に対応する複数のＩＤＴ電極と、を有している。
　送信用フィルタ１２Ａ及び受信用フィルタ２２Ａは、実装基板９の第１主面９１に実装されている。送信用フィルタ１２Ａ及び受信用フィルタ２２Ａは、基板の第１主面と第２主面とのうち第１主面が実装基板９側となるように配置されている。
　第１スイッチ４、第２スイッチ５、第３スイッチ６及び第４スイッチ７の各々は、スイッチＩＣである。より詳細には、第１スイッチ４、第２スイッチ５、第３スイッチ６及び第４スイッチ７の各々は、例えば、互いに対向する第１主面及び第２主面を有する基板と、この基板の第１主面側に形成されたＦＥＴ（Field Effect Transistor）を含む回路部（ＩＣ部）と、を備えるチップ部品（ＩＣチップ）である。基板は、例えば、シリコン基板である。回路部は、接続状態を切り替える機能を有する機能部である。第１スイッチ４、第２スイッチ５、第３スイッチ６及び第４スイッチ７の各々は、基板の第１主面及び第２主面のうち第１主面が実装基板９の第２主面９２側となるように実装基板９の第２主面９２にフリップチップ実装されている。実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、第１スイッチ４、第２スイッチ５、第３スイッチ６及び第４スイッチ７の各々を構成するチップ部品の外周形状は、四角形状である。
　出力整合回路１３におけるインダクタＬ１は、例えば、チップインダクタである。出力整合回路１３におけるインダクタＬ１は、例えば、実装基板９の第１主面９１に実装されているが、これに限らない。実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、インダクタＬ１の外周形状は、四角形状である。
　入力整合回路２３におけるインダクタＬ２は、例えば、チップインダクタである。入力整合回路２３におけるインダクタＬ２は、例えば、実装基板９の第１主面９１に実装されているが、これに限らない。実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、インダクタＬ２の外周形状は、四角形状である。
　複数の外部接続端子８０は、実装基板９の第２主面９２に配置されている。複数の外部接続端子８０の材料は、例えば、金属（例えば、銅、銅合金等）である。複数の外部接続端子８０の各々は、柱状電極である。ここにおいて、柱状電極は、例えば、円柱状の電極である。
　複数の外部接続端子８０は、上述のアンテナ端子８１、信号入力端子８２及び信号出力端子８３以外に複数のグランド端子８５を含んでいる。図１では、複数の外部接続端子８０における複数のグランド端子８５のうち２つのグランド端子８５のみ図示してある。複数のグランド端子８５は、上述のように実装基板９のグランド層と電気的に接続されている。グランド層は高周波モジュール１の回路グランドであり、高周波モジュール１の複数の回路素子は、グランド層と電気的に接続さている回路素子を含む。
　高周波モジュール１は、実装基板９の第１主面９１側において実装基板９の第１主面９１に実装されている複数の電子部品２等を覆っている第１樹脂層１０１を更に備える。高周波モジュール１では、複数の電子部品２は、送信用フィルタ１２Ａ、受信用フィルタ２２Ａ、インダクタＬ１及びインダクタＬ２を含む。複数の電子部品２は、送信用フィルタ１２Ａ、受信用フィルタ２２Ａ、インダクタＬ１及びインダクタＬ２の他に、例えば、パワーアンプ１１を含む。複数の電子部品２の各々は、例えば、複数のバンプ２６により実装基板９の第１主面９１に実装されている。ここにおいて、高周波モジュール１では、実装基板９の第１主面９１に実装されている複数の電子部品２のうち２つの電子部品２に一対一で重なるように配置されている２つの電子部品２０を有している。２つの電子部品２０は、２つの電子部品２のうち対応する電子部品２に対して複数のバンプ２７により接合されている。２つの電子部品２０は、送信用フィルタ１２Ｂ及び受信用フィルタ２２Ｂである。第１樹脂層１０１は、複数の電子部品２の他に２つの電子部品２０も覆っている。実装基板９の厚さ方向Ｄ１において電子部品２に重なる電子部品２０は、例えば、バンプ２７及び電子部品２の有する貫通電極を介して実装基板９と電気的に接続されている。電子部品２０は、電子部品２を介して実装基板９に実装されている。実装基板９の厚さ方向Ｄ１において重なる電子部品２０と電子部品２とは厚さ方向Ｄ１から見て同じ大きさであるが、これに限らず、互いに異なる大きさであってもよい。例えば、実装基板９の厚さ方向Ｄ１において重なる電子部品２０と電子部品２とのセットでは、実装基板９の厚さ方向Ｄ１において実装基板９と電子部品２０との間に位置する電子部品２が、電子部品２０よりも大きくてもよい。この場合、電子部品２０は、バンプ２７及び電子部品２の貫通電極を介して実装基板９と電気的に接続される例に限らず、例えば、バンプ２７及びボンディングワイヤを介して実装基板９と電気的に接続されていてもよい。第１樹脂層１０１は、樹脂の他にフィラーを含んでいてもよい。
　また、高周波モジュール１は、実装基板９の第２主面９２側において実装基板９の第２主面９２に実装されている複数のチップ部品３等の一部を覆っている第２樹脂層１０２を更に備える。複数のチップ部品３の各々は、例えば、複数のバンプ３６により実装基板９の第２主面９２に実装されている。高周波モジュール１では、複数のチップ部品３は、第１チップ部品３Ａ（第１スイッチ４）及び第２チップ部品３Ｂ（第２スイッチ５）を含む。図１では、複数のチップ部品３の各々は、上述のように基板（以下、基板３１ともいう）と、回路部（以下、回路部３２ともいう）と、を備える。基板３１は、互いに対向する第１主面３１１及び第２主面３１２を有する。基板３１は、例えば、シリコン基板である。回路部３２は、基板３１の第１主面３１１側に形成されている。また、複数のチップ部品３は、例えば、第１チップ部品３Ａ（第１スイッチ４）及び第２チップ部品３Ｂ（第２スイッチ５）の他に、例えば、第３スイッチ６、第４スイッチ７及びローノイズアンプ２１を含む。第２樹脂層１０２は、複数のチップ部品３の各々における基板３１の第２主面３１２を露出させるように形成されている。したがって、第２樹脂層１０２は、第１チップ部品３Ａ及び第２チップ部品３Ｂの各々における基板３１の第２主面３１２を露出させるように形成されている。第２樹脂層１０２は、樹脂の他にフィラーを含んでいてもよい。第２樹脂層１０２の材料は、第１樹脂層１０１の材料と同じ材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。
　また、高周波モジュール１は、シールド層１０３を更に備える。シールド層１０３の材料は、例えば、金属である。シールド層１０３は、第１樹脂層１０１の主面１０１１及び外周面１０１３と、実装基板９の外周面９３と、第２樹脂層１０２の外周面１０２３と、を覆っている。シールド層１０３は、実装基板９の有するグランド層と接触している。これにより、シールド層１０３の電位をグランド層の電位と同じにすることができる。
　（２）高周波モジュールの製造方法
　高周波モジュールの製造方法では、例えば、実装基板９に複数の回路素子を実装する第１工程を行う。第１工程では、実装基板９の第１主面９１に複数の電子部品２を実装するステップを行い、その後、２つの電子部品２上に２つの電子部品２０を配置するステップを行う。また、第１工程では、実装基板９の第２主面９２に複数のチップ部品３を実装するステップを行う。第１工程において実装基板９の第１主面９１に複数の電子部品２を実装するステップと、実装基板９の第２主面９２に複数のチップ部品３を実装するステップと、はどちらが先でもよい。また、第１工程では、実装基板９の第２主面９２に複数の外部接続端子８０の元になる複数の導体ピラーを配置するステップを行う。
　上述の第１工程の後、第２工程を行う。第２工程では、実装基板９の第１主面９１側の複数の電子部品２及び複数の電子部品２０を覆う第１樹脂層１０１を形成するステップと、実装基板９の第２主面９２側の複数のチップ部品３及び複数の導体ピラーを覆い第２樹脂層１０２の元になる樹脂層を形成するステップと、を行う。
　上述の第２工程の後、第３工程を行う。第３工程では、第２工程において形成した樹脂層等を実装基板９側とは反対側の面から研削する。ここにおいて、第３工程では、樹脂層を研削することにより、第２樹脂層１０２を形成する。また、第３工程では、樹脂層の研削により複数のチップ部品３のうち少なくとも１つのチップ部品３における基板３１の第２主面３１２を露出させた後もさらに研削を行うことにより、複数のチップ部品３のうち少なくとも２つのチップ部品３の基板３１を研削することで基板３１を薄くする。第３工程では、複数の導体ピラーを研削することで複数の外部接続端子８０を形成する。高周波モジュールの製造方法では、第３工程において、複数のチップ部品３の各々の基板３１の第２主面３１２と、複数の外部接続端子８０の各々の先端面８０１を露出させる。
　上述の第３工程の後、第４工程を行う。第４工程では、シールド層１０３を形成する。なお、第１工程、第２工程及び第３工程は、複数の実装基板９を備えて実装基板９の多数個取りが可能な多数個取り基板に対して行ってもよい。この場合には、例えば、第３工程の後に多数個取り基板を個々の実装基板９に分離した後、第４工程を行えばよい。
　（３）まとめ
　（３．１）高周波モジュール
　実施形態に係る高周波モジュール１は、実装基板９と、電子部品２と、第１チップ部品３Ａ及び第２チップ部品３Ｂと、を備える。実装基板９は、互いに対向する第１主面９１及び第２主面９２を有する。電子部品２は、実装基板９の第１主面９１に実装されている。第１チップ部品３Ａ及び第２チップ部品３Ｂは、実装基板９の第２主面９２に実装されている。第１チップ部品３Ａ及び第２チップ部品３Ｂの各々は、基板３１と、回路部３２と、を含む。基板３１は、互いに対向する第１主面３１１及び第２主面３１２を有する。回路部３２は、基板３１の第１主面３１１側に形成されている。高周波モジュール１では、第１チップ部品３Ａ及び第２チップ部品３Ｂの各々における基板３１の第２主面３１２が露出している。第１チップ部品３Ａにおける基板３１の材料と、第２チップ部品３Ｂにおける基板３１の材料とが、同じである。「第１チップ部品３Ａにおける基板３１の材料と、第２チップ部品３Ｂにおける基板３１の材料とが、同じである」とは、基板３１の主成分が同じであることを意味する。主成分は、不純物を含まない。例えば、基板３１がシリコン基板の場合、基板３１の主成分はシリコンであり、シリコン基板に添加されている不純物（例えば、ボロン、リン等）は含まない。
　実施形態に係る高周波モジュール１は、実装基板９の厚さ方向Ｄ１における高周波モジュール１の低背化を図ることが可能となる。
　基板３１は、シリコン基板であるが、第２主面３１２側において、厚さ２０ｎｍ～１００ｎｍ程度の自然酸化膜（シリコン酸化膜）を含んでもよく、この場合は、「基板３１の第２主面３１２が露出している」とは、シリコン酸化膜が露出していることを含む。
　また、実施形態に係る高周波モジュール１では、図１及び３に示すように、実装基板９の第２主面９２の形状によらず、実装基板９の第２主面９２において第１チップ部品３Ａに接続されているバンプ３６の接合領域９２３を含む平面を基準面９２０としたときに、第１チップ部品３Ａ及び第２チップ部品３Ｂでは、実装基板９の厚さ方向Ｄ１において基準面９２０と基板３１の第２主面３１２との距離Ｈ１が互いに同じである。これにより、実施形態に係る高周波モジュール１は、実装基板９の厚さ方向Ｄ１における高周波モジュール１の低背化を図ることが可能となる。実施形態に係る高周波モジュールでは、第１チップ部品３Ａ及び第２チップ部品３Ｂの各々の基板３１の第２主面３１２と、第２樹脂層１０２の主面１０２１と、複数の外部接続端子８０の各々の先端面８０１と、が略面一である。実施形態に係る高周波モジュール１では、第１チップ部品３Ａ及び第２チップ部品３Ｂに関して、実装基板９の厚さ方向Ｄ１において基準面９２０と基板３１の第２主面３１２との距離Ｈ１が互いに同じであれば、第１チップ部品３Ａ及び第２チップ部品３Ｂのうち少なくとも一方の基板３１の第２主面３１２に導体層又は絶縁層が積層されていてもよい。第１チップ部品３Ａ及び第２チップ部品３Ｂに関して、実装基板９の厚さ方向Ｄ１において基準面９２０と基板３１の第２主面３１２との距離Ｈ１が互いに同じであるとは、厳密に同じである場合だけに限らず、接合領域９２３にバンプ２６により実装されている第１チップ部品３Ａに関する距離Ｈ１を基準として、基準面９２０と第２チップ部品３Ｂの基板３１の第２主面３１２との距離が、距離Ｈ１±１５％の範囲内であればよく、距離Ｈ１±１０％の範囲内であるのがより好ましく、距離Ｈ１±５％の範囲内であるのが更に好ましい。
　実施形態に係る高周波モジュール１では、第１チップ部品３Ａは、信号経路切り替え用の第１スイッチ４であり、第２チップ部品３Ｂは、信号経路切り替え用の第２スイッチ５である。これら２つのチップ部品３（第１チップ部品３Ａ及び第２チップ部品３Ｂ）以外のチップ部品３（例えば、第３スイッチ６、第４スイッチ７及びローノイズアンプ２１）に関しては、実装基板９の厚さ方向Ｄ１において基準面９２０と基板３１の第２主面３１２との距離が、距離Ｈ１と同じである場合に限らず、距離Ｈ１よりも短くてもよい。つまり、第１チップ部品３Ａ及び第２チップ部品３Ｂ以外のチップ部品３（例えば、第３スイッチ６、第４スイッチ７及びローノイズアンプ２１）に関しては、基板３１の第２主面３１２が露出していることは必須ではない。
　（３．２）通信装置
　実施形態に係る通信装置３００は、信号処理回路３０１と、高周波モジュール１と、を備える。信号処理回路３０１は、アンテナ３１０からの受信信号とアンテナ３１０への送信信号とを信号処理する。高周波モジュール１は、アンテナ３１０と信号処理回路３０１との間で受信信号及び送信信号を伝達する。
　実施形態に係る通信装置３００は、高周波モジュール１を備えるので、実装基板９の厚さ方向Ｄ１における高周波モジュール１の低背化を図ることが可能となる。また、実施形態に係る通信装置３００は、高周波モジュール１と上述の回路基板とを含めて低背化を図ることが可能となる。この場合、信号処理回路３０１を構成する複数の電子部品は、例えば、上述の回路基板に実装されていてもよいし、高周波モジュール１が実装された回路基板（第１回路基板）とは別の回路基板（第２回路基板）に実装されていてもよい。
　（４）高周波モジュールの変形例
　（４．１）変形例１
　実施形態の変形例１に係る高周波モジュール１ａ及び通信装置３００ａについて、図４及び５を参照して説明する。変形例１に係る高周波モジュール１ａ及び通信装置３００ａに関し、実施形態に係る高周波モジュール１及び通信装置３００それぞれと同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
　変形例１に係る高周波モジュール１ａは、実施形態に係る高周波モジュール１における送受信用フィルタ２４及び第４スイッチ７の代わりに、送信用フィルタ１２Ｃ及び受信用フィルタ２２Ｃを備える点で、実施形態に係る高周波モジュール１と相違する。送信用フィルタ１２Ｃは、例えば、第３通信バンドの送信帯域を通過帯域とするフィルタである。受信用フィルタ２２Ｃは、例えば、第３通信バンドの受信帯域を通過帯域とするフィルタである。
　送信用フィルタ１２Ｃ及び受信用フィルタ２２Ｃの各々は、例えば、チップ部品である。実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、送信用フィルタ１２Ｃ及び受信用フィルタ２２Ｃの各々の外周形状は、四角形状である。
　送信用フィルタ１２Ｃ及び受信用フィルタ２２Ｃの各々は、例えば、ラダー型フィルタであり、複数（例えば、４つ）の直列腕共振子と、複数（例えば、３つ）の並列腕共振子と、を有する。送信用フィルタ１２Ｃ及び受信用フィルタ２２Ｃの各々は、例えば、送信用フィルタ１２Ａ，１２Ｂ及び受信用フィルタ２２Ａ，２２Ｂと同様、弾性波フィルタであり、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子の各々が弾性波共振子により構成されている。弾性波フィルタは、例えば、弾性表面波を利用する表面弾性波フィルタである。表面弾性波フィルタでは、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子の各々は、例えば、ＳＡＷ共振子である。ここにおいて、表面弾性波フィルタは、例えば、第１主面及び第２主面を有する基板と、この基板の第１主面側に形成されている回路部と、を備えるチップ部品である。基板は、圧電体基板である。圧電体基板は、例えば、リチウムタンタレート基板、リチウムニオベイト基板等である。回路部は、複数の直列腕共振子に一対一に対応する複数のＩＤＴ電極と、複数の並列腕共振子に一対一に対応する複数のＩＤＴ電極と、を有している。
　送信用フィルタ１２Ｃ及び受信用フィルタ２２Ｃは、実装基板９の第２主面９２に実装されている。送信用フィルタ１２Ｃ及び受信用フィルタ２２Ｃは、基板の第１主面と第２主面とのうち第１主面が実装基板９側となるように配置されている。
　変形例１に係る高周波モジュール１ａでは、実施形態に係る高周波モジュール１と同様、実装基板９の第２主面９２に実装されている第１チップ部品３Ａ及び第２チップ部品３Ｂの各々は、基板３１と、回路部３２と、を含んでいる。基板３１は、互いに対向する第１主面３１１及び第２主面３１２を有する。回路部３２は、基板３１の第１主面３１１側に形成されている。高周波モジュール１では、第１チップ部品３Ａ及び第２チップ部品３Ｂの各々における基板３１の第２主面３１２が露出している。変形例１に係る高周波モジュール１ａでは、送信用フィルタ１２Ｃが第１チップ部品３Ａに含まれる第１フィルタを構成し、受信用フィルタ２２Ｃが第２チップ部品３Ｂに含まれる第２フィルタを構成している。第１フィルタは、第１高周波信号（ここでは、第３バンドの送信帯域の高周波信号）を通過させる。第２フィルタは、第２高周波信号（ここでは、第３バンドの受信帯域の高周波信号）を通過させる。また、変形例１に係る高周波モジュール１ａにおいて、第１チップ部品３Ａにおける基板３１の材料と、第２チップ部品３Ｂにおける基板３１の材料とが、同じである。例えば、基板３１がリチウムタンタレート基板の場合、基板３１の主成分はリチウム、タンタル及び酸素であり、リチウムタンタレートに不純物が添加されている場合でも主成分は不純物を含まない。同様に、基板３１がリチウムニオベイト基板の場合、基板３１の主成分はリチウム、ニオブ及び酸素であり、リチウムニオベイトに不純物が添加されている場合でも主成分は不純物を含まない。
　変形例１に係る高周波モジュール１ａは、第１チップ部品３Ａ及び第２チップ部品３Ｂの各々における基板３１の第２主面３１２が露出しているので、実施形態１に係る高周波モジュール１と同様、低背化を図ることが可能となる。
　また、実施形態の変形例１に係る通信装置３００ａは、高周波モジュール１ａを備えるので、実装基板９の厚さ方向Ｄ１における高周波モジュール１の低背化を図ることが可能となる。
　（４．２）変形例２
　実施形態の変形例２に係る高周波モジュール１ｂについて、図６を参照して説明する。変形例２に係る高周波モジュール１ｂに関し、実施形態に係る高周波モジュール１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
　変形例２に係る高周波モジュール１ｂでは、第１スイッチ４が第１チップ部品３Ａを構成し、ローノイズアンプ２１が第２チップ部品３Ｂを構成している。変形例２に係る高周波モジュール１ｂでは、第１スイッチ４が、信号経路切り替え用のスイッチを構成している。ローノイズアンプ２１は、受信信号の信号経路に設けられている。
　変形例２に係る高周波モジュール１ｂは、実施形態１に係る高周波モジュール１と同様、第１チップ部品３Ａ及び第２チップ部品３Ｂの各々における基板３１の第２主面３１２が露出しているので、低背化を図ることが可能となる。
　（４．３）変形例３
　実施形態の変形例３に係る高周波モジュール１ｃについて、図７を参照して説明する。変形例３に係る高周波モジュール１ｃに関し、実施形態に係る高周波モジュール１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
　変形例３に係る高周波モジュール１ｃでは、第１スイッチ４が第１チップ部品３Ａを構成し、送受信用フィルタ２４が第２チップ部品３Ｂを構成している。変形例３に係る高周波モジュール１ｃでは、第１スイッチ４が、信号経路切り替え用のスイッチを構成している。変形例３に係る高周波モジュール１ｃでは、送受信用フィルタ２４が、信号経路に設けられている表面弾性波フィルタを構成している。
　表面弾性波フィルタを構成するチップ部品３は、基板３１と、回路部３２と、を備える。基板３１は、第１主面３１１及び第２主面３１２を有する。回路部３２は、直列腕共振子に一対一に対応する複数の第１のＩＤＴ電極及び複数の並列腕共振子に一対一に対応する複数の第２のＩＤＴ電極と、を備える。送受信用フィルタ２４では、基板３１は、例えば、シリコン基板である。また、送受信用フィルタ２４は、この基板３１の第１主面３１１上に設けられた低音速膜３３と、低音速膜３３上に設けられた圧電体層３４と、を備える。複数の第１のＩＤＴ電極及び複数の第２のＩＤＴ電極は、圧電体層３４上に設けられている。低音速膜３３は、基板３１上に直接的又は間接的に設けられている。また、圧電体層３４は、低音速膜３３上に直接的又は間接的に設けられている。低音速膜３３では、圧電体層３４を伝搬するバルク波の音速よりも、低音速膜を伝搬するバルク波の音速が低速である。基板３１では、圧電体層３４を伝搬する弾性波の音速よりも、基板３１を伝搬するバルク波の音速が高速である。圧電体層３４の材料は、例えば、リチウムタンタレートである。低音速膜３３の材料は、例えば、酸化ケイ素である。圧電体層３４の厚さは、例えば、ＩＤＴ電極の電極指周期で定まる弾性波の波長をλとしたときに、３．５λ以下である。低音速膜３３の厚さは、例えば、２．０λ以下である。
　圧電体層３４は、例えば、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、又は、チタン酸ジルコン酸鉛のいずれかにより形成されていればよい。また、低音速膜３３は、酸化ケイ素、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタル、酸化ケイ素にフッ素又は炭素又はホウ素を加えた化合物からなる群から選択される少なくとも１種の材料を含んでいればよい。また、基板は、シリコン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、マグネシア及びダイヤモンドからなる群から選択される少なくとも１種の材料を含んでいればよい。
　表面弾性波フィルタは、例えば低音速膜３３と圧電体層３４との間に介在する密着層を含んでいてもよい。密着層は、例えば、樹脂（エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂）からなる。また、表面弾性波フィルタは、低音速膜３３と圧電体層３４との間、圧電体層３４上、又は低音速膜３３下のいずれかに誘電体膜を備えていてもよい。
　また、表面弾性波フィルタは、例えば、基板３１と低音速膜３３との間に介在する高音速膜を備えていてもよい。ここにおいて、高音速膜は、基板３１上に直接的又は間接的に設けられている。低音速膜３３は、高音速膜上に直接的又は間接的に設けられている。圧電体層３４は、低音速膜３３上に直接的又は間接的に設けられている。高音速膜では、圧電体層３４を伝搬する弾性波の音速よりも、高音速膜を伝搬するバルク波の音速が高速である。低音速膜３３では、圧電体層３４を伝搬するバルク波の音速よりも、低音速膜３３を伝搬するバルク波の音速が低速である。
　高音速膜は、ダイヤモンドライクカーボン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、シリコン、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶等の圧電体、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト等の各種セラミック、マグネシア、ダイヤモンド、又は、上記各材料を主成分とする材料、上記各材料の混合物を主成分とする材料からなる。
　高音速膜の厚さに関しては、弾性波を圧電体層３４及び低音速膜３３に閉じ込める機能を高音速膜が有するため、高音速膜の厚さは厚いほど望ましい。
　表面弾性波フィルタは、例えば、スペーサ層と、カバー部材と、を更に備えてもよい。スペーサ層及びカバー部材は、基板３１の第１主面３１１側に設けられる。スペーサ層は、実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、複数のＩＤＴ電極を囲んでいる。実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、スペーサ層は枠状（矩形枠状）である。スペーサ層は、電気絶縁性を有する。スペーサ層の材料は、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド等の合成樹脂である。カバー部材は、平板状である。実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、カバー部材は、長方形状であるが、これに限らず、例えば、正方形状であってもよい。表面弾性波フィルタでは、実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、カバー部材の外形サイズと、スペーサ層の外形サイズと、カバー部材の外形サイズと、が略同じである。カバー部材は、実装基板９の厚さ方向Ｄ１において基板３１に対向するようにスペーサ層に配置されている。カバー部材は、実装基板９の厚さ方向Ｄ１において複数のＩＤＴ電極と重複し、かつ、実装基板９の厚さ方向Ｄ１において複数のＩＤＴ電極から離れている。カバー部材は、電気絶縁性を有する。カバー部材の材料は、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド等の合成樹脂である。表面弾性波フィルタは、基板３１とスペーサ層とカバー部材とで囲まれた空間を有する。表面弾性波フィルタでは、空間には、気体が入っている。気体は、例えば、空気、不活性ガス（例えば、窒素ガス）等である。表面弾性波フィルタにおける複数の端子は、カバー部材から露出している。複数の端子の各々は、例えば、バンプである。各バンプは、例えば、はんだバンプである。各バンプは、はんだバンプに限らず、例えば金バンプであってもよい。
　変形例３に係る高周波モジュール１ｃは、実施形態１に係る高周波モジュール１と同様、第１チップ部品３Ａ及び第２チップ部品３Ｂの各々における基板３１の第２主面３１２が露出しているので、低背化を図ることが可能となる。
　（４．４）変形例４
　実施形態の変形例４に係る高周波モジュール１ｄ及び通信装置３００ｄについて、図８及び９を参照して説明する。変形例４に係る高周波モジュール１ｄ及び通信装置３００ｄに関し、実施形態に係る高周波モジュール１及び通信装置３００それぞれと同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
　変形例４に係る高周波モジュール１ｄは、実施形態に係る高周波モジュール１の２つの送信用フィルタ１２Ａ，１２Ｂ及び２つの受信用フィルタ２２Ａ，２２Ｂの代わりに、１つの送信用フィルタ１２及び１つの受信用フィルタ２２を備える。また、変形例４に係る高周波モジュール１ｄは、実施形態に係る高周波モジュール１の送受信用フィルタ２４を備えていない。
　変形例４に係る高周波モジュール１ｄでは、図８に示すように、パワーアンプ１１の出力端子１１２が送信用フィルタ１２を介して第１スイッチ４の選択端子４１と接続されている。また、変形例４に係る高周波モジュール１ｄでは、ローノイズアンプ２１の入力端子２１１が受信用フィルタ２２を介して第１スイッチ４の選択端子４２と接続されている。ローノイズアンプ２１は、受信信号用の信号経路に設けられている。受信用フィルタ２２は、受信信号用の信号経路に設けられている。
　変形例４に係る高周波モジュール１ｄでは、複数の電子部品２は、パワーアンプ１１と、送信用フィルタ１２と、を含む。パワーアンプ１１は、送信信号用の信号経路に設けられている。送信用フィルタ１２は、送信信号用の信号経路に設けられている。
　また、変形例４に係る高周波モジュール１ｄでは、ローノイズアンプ２１が第１チップ部品３Ａを構成し、受信用フィルタ２２が第２チップ部品３Ｂを構成している。変形例４に係る高周波モジュール１ｄでは、受信用フィルタ２２は、変形例３と同様の表面弾性波フィルタであり、基板３１と、回路部３２と、を備え、低音速膜３３と圧電体層３４と、を更に備える。
　変形例４に係る高周波モジュール１ｄは、実施形態１に係る高周波モジュール１と同様、第１チップ部品３Ａ及び第２チップ部品３Ｂの各々における基板３１の第２主面３１２が露出しているので、低背化を図ることが可能となる。
　また、変形例４に係る高周波モジュール１ｄは、実装基板９の第１主面９１にパワーアンプ１１及び送信用フィルタ１２が実装され、実装基板９の第２主面９２にローノイズアンプ２１及び受信用フィルタ２２が実装されている。これにより、変形例４に係る高周波モジュール１ｄは、実装基板９が送信経路と受信経路との間に位置するグランド層を備えることにより、送信経路と受信経路との間のアイソレーションを向上させることが可能となる。また、変形例４に係る高周波モジュール１ｄでは、実装基板９の厚さ方向Ｄ１からの平面視で、パワーアンプ１１とローノイズアンプ２１とは重複していない。これにより、パワーアンプ１１とローノイズアンプ２１とのアイソレーションを向上させることができる。
　また、変形例４に係る通信装置３００ｄは、高周波モジュール１ｄを備えるので、実装基板９の厚さ方向Ｄ１における高周波モジュール１ｄの低背化を図ることが可能となる。
　（４．５）変形例５
　実施形態の変形例５に係る高周波モジュール１ｅについて、図１０を参照して説明する。変形例５に係る高周波モジュール１ｅに関し、実施形態の変形例４に係る高周波モジュール１ｄと同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
　変形例５に係る高周波モジュール１ｅでは、複数の電子部品２は、パワーアンプ１１と、受信用フィルタ２２と、を含む。また、変形例５に係る高周波モジュール１ｅでは、ローノイズアンプ２１が第１チップ部品３Ａを構成し、送信用フィルタ１２が第２チップ部品３Ｂを構成している。変形例５に係る高周波モジュール１ｅでは、送信用フィルタ１２は、変形例３と同様の表面弾性波フィルタであり、基板３１と、回路部３２と、を備え、低音速膜３３と圧電体層３４と、を更に備える。
　変形例５に係る高周波モジュール１ｅは、変形例４に係る高周波モジュール１ｄと同様、第１チップ部品３Ａ及び第２チップ部品３Ｂの各々における基板３１の第２主面３１２が露出しているので、低背化を図ることが可能となる。
　また、変形例５に係る高周波モジュール１ｅでは、実装基板９が、受信用フィルタ２２とローノイズアンプ２１とを電気的に接続している配線部９５を備える。配線部９５は、実装基板９の厚さ方向Ｄ１に貫通している。これにより、変形例５に係る高周波モジュール１ｅは、受信用フィルタ２２とローノイズアンプ２１とが実装基板９の第２主面９２に実装されて実装基板９の第２主面９２に沿って配置された配線部で接続されている場合と比べて、配線部９５と実装基板９の有するグランド層との間の寄生容量を小さくすることが可能となる。これにより、変形例５に係る高周波モジュール１ｅは、変形例４に係る高周波モジュール１ｄと比べて、ローノイズアンプ２１のＮＦ（Noise Figure）を小さくすることが可能となる。
　また、変形例５に係る高周波モジュール１ｅでは、送信信号用の信号経路に設けられる第２チップ部品３Ｂ（送信用フィルタ１２）と受信信号用の信号経路に設けられる第１チップ部品３Ａ（ここでは、ローノイズアンプ２１）との間にグランド端子８５が位置している。これにより、変形例５に係る高周波モジュール１ｅは、送信信号用の信号経路に設けられている第２チップ部品３Ｂ（送信用フィルタ１２）と受信信号用の信号経路に設けられている第１チップ部品３Ａ（ローノイズアンプ２１）とのアイソレーションを向上させることが可能となる。
　（４．６）変形例６
　実施形態の変形例６に係る高周波モジュール１ｆについて、図１１を参照して説明する。変形例６に係る高周波モジュール１ｆに関し、実施形態の変形例１に係る高周波モジュール１ａと同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
　変形例６に係る高周波モジュール１ｆでは、受信信号用の信号経路に設けられているスイッチ（第３スイッチ６）が第１チップ部品３Ａを構成し、受信信号用の信号経路に設けられている受信用フィルタ２２Ａが第２チップ部品３Ｂを構成している。変形例６に係る高周波モジュール１ｇでは、受信用フィルタ２２Ａは、変形例３と同様の表面弾性波フィルタであり、基板３１と、回路部３２と、を備え、低音速膜３３と圧電体層３４と、を更に備える。
　また、複数の電子部品２は、送信信号用の信号経路に設けられているパワーアンプ１１と、送信信号用の信号経路に設けられているフィルタ（送信用フィルタ１２Ａ）と、を含む。
　変形例６に係る高周波モジュール１ｆは、実施形態１に係る高周波モジュール１と同様、第１チップ部品３Ａ及び第２チップ部品３Ｂの各々における基板３１の第２主面３１２が露出しているので、低背化を図ることが可能となる。
　（４．７）変形例７
　実施形態の変形例７に係る高周波モジュール１ｇについて、図１２を参照して説明する。変形例７に係る高周波モジュール１ｇに関し、実施形態の変形例１に係る高周波モジュール１ａと同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
　変形例７に係る高周波モジュール１ｇでは、受信信号用の信号経路に設けられているスイッチ（第３スイッチ６）が第１チップ部品３Ａを構成し、送信信号用の信号経路に設けられている送信用フィルタ１２Ａが第２チップ部品３Ｂを構成している。
　また、複数の電子部品２は、送信信号用の信号経路に設けられているパワーアンプ１１と、受信信号用の信号経路に設けられている受信用フィルタ２２Ａと、を含む。
　変形例７に係る高周波モジュール１ｇは、実施形態１に係る高周波モジュール１と同様、第１チップ部品３Ａ及び第２チップ部品３Ｂの各々における基板３１の第２主面３１２が露出しているので、低背化を図ることが可能となる。
　上記の実施形態は、本発明の様々な実施形態の一つに過ぎない。上記の実施形態は、本発明の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。
　例えば、第１チップ部品３Ａ及び第２チップ部品３Ｂの各々における基板３１の第２主面３１２の全域が露出している場合に限らず、第２主面３１２の一部のみが露出していてもよい。
　また、実装基板９の第１主面９１に実装される電子部品２の数は、複数に限らず、１つでもよい。
　また、実装基板９は、プリント配線板又はＬＴＣＣ基板である場合に限らず、例えば、ＨＴＣＣ（High Temperature Co-fired Ceramics）基板、部品内蔵基板等であってもよい。
　第１スイッチ４、第２スイッチ５、第３スイッチ６、第４スイッチ７及びローノイズアンプ２１は、例えば、実施形態の高周波モジュール１のように、それぞれ別のチップ部品（ＩＣチップ）により構成されていてもよいし、任意の組み合わせで１チップ化されていてもよい。
　高周波モジュール１～１ｇは、信号処理回路３０１からの制御信号に基づいてパワーアンプ１１を制御するコントローラ（パワーアンプコントローラ）を備えていてもよい。コントローラは、例えば、互いに対向する第１主面及び第２主面を有する基板と、この基板の第１主面側に形成された制御機能部と、を備えるチップ部品（ＩＣチップ）である。ここにおいて、基板は、例えば、シリコン基板である。
　また、パワーアンプ１１の基板は、ガリウム砒素基板に限らず、例えば、シリコン基板であってもよい。この場合、パワーアンプ１１の含むトランジスタは、ＨＢＴではなく、バイポーラトランジスタである。
　第１スイッチ４、第２スイッチ５、第３スイッチ６及び第４スイッチ７の各々における選択端子の数は、複数であればよく、例示した数に限らない。
　また、送信用フィルタ１２，１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ等のフィルタは、ラダー型フィルタに限らず、例えば、縦結合共振子型弾性表面波フィルタでもよい。
　また、上述のフィルタは、弾性表面波を利用する弾性波フィルタであるが、これに限らず、例えば、弾性境界波、板波等を利用する弾性波フィルタであってもよい。
　弾性波フィルタでは、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子の各々は、ＳＡＷ共振子に限らず、例えば、ＢＡＷ（Bulk Acoustic Wave）共振子であってもよい。
　また、フィルタは、ＬＣフィルタであってもよい。フィルタは、弾性波フィルタにより構成されている場合、ＬＣフィルタにより構成されている場合よりも、通過帯域付近の減衰特性を向上させることができる。また、フィルタは、弾性波フィルタにより構成されている場合、ＬＣフィルタにより構成されている場合よりも、ミッドバンドでのΓ（反射係数）を大きくすることができる。
　出力整合回路１３は、例えば、互いに対向する第１主面及び第２主面を有する基板と、この基板の第１主面側に形成された複数のインダクタ及び複数のキャパシタを含む回路部と、を備えるチップ部品（ＩＣチップ）であってもよい。この場合、ＩＣチップは、ＩＰＤ（Integrated Passive Device）であってもよい。基板は、例えば、シリコン基板である。出力整合回路１３は、ＩＰＤの場合、例えば、基板の第１主面及び第２主面のうち第１主面が実装基板９の第１主面９１側となるように実装基板９の第１主面９１にフリップチップ実装される。
　複数の外部接続端子８０の各々の先端部は、例えば、金めっき層を含んでいてもよい。
　複数の外部接続端子８０の各々は、柱状電極に限らず、例えば、バンプであってもよい。ここにおいて、バンプは、例えば、球状である。この場合、複数の外部接続端子８０の各々は、ボールバンプである。ボールバンプの材料は、例えば、金、銅、はんだ等である。
　高周波モジュール１～１ｅの回路構成は、上述の例に限らない。また、高周波モジュール１～１ｅは、回路構成として、例えば、ＭＩＭＯ（Multi Input Multi Output）対応の高周波フロントエンド回路を有していてもよい。
　また、実施形態に係る通信装置３００は、高周波モジュール１の代わりに、高周波モジュール１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅのいずれかを備えてもよい。
　（態様）
　本明細書には、以下の態様が開示されている。
　第１の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ；１ｆ；１ｇ）は、実装基板（９）と、電子部品（２）と、第１チップ部品（３Ａ）及び第２チップ部品（３Ｂ）と、を備える。実装基板（９）は、互いに対向する第１主面（９１）及び第２主面（９２）を有する。電子部品（２）は、実装基板（９）の第１主面（９１）に実装されている。第１チップ部品（３Ａ）及び第２チップ部品（３Ｂ）は、実装基板（９）の第２主面（９２）に実装されている。第１チップ部品（３Ａ）及び第２チップ部品（３Ｂ）の各々は、基板（３１）と、回路部（３２）と、を含む。基板（３１）は、互いに対向する第１主面（３１１）及び第２主面（３１２）を有する。回路部（３２）は、基板（３１）の第１主面（３１１）側に形成されている。高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ；１ｆ；１ｇ）では、第１チップ部品（３Ａ）及び第２チップ部品（３Ｂ）の各々における基板（３１）の第２主面（３１２）の少なくとも一部が露出している。第１チップ部品（３Ａ）における基板（３１）の材料と、第２チップ部品（３Ｂ）における基板（３１）の材料とが、同じである。
　第１の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ；１ｆ；１ｇ）は、実装基板（９）の厚さ方向（Ｄ１）における低背化を図ることが可能となる。
　第２の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ；１ｆ；１ｇ）は、実装基板（９）と、電子部品（２）と、第１チップ部品（３Ａ）及び第２チップ部品（３Ｂ）と、を備える。実装基板（９）は、互いに対向する第１主面（９１）及び第２主面（９２）を有する。電子部品（２）は、実装基板（９）の第１主面（９１）に実装されている。第１チップ部品（３Ａ）及び第２チップ部品（３Ｂ）は、実装基板（９）の第２主面（９２）に実装されている。第１チップ部品（３Ａ）及び第２チップ部品（３Ｂ）の各々は、基板（３１）と、回路部（３２）と、を含む。基板（３１）は、互いに対向する第１主面（３１１）及び第２主面（３１２）を有する。回路部（３２）は、基板（３１）の第１主面（３１１）側に形成されている。第１チップ部品（３Ａ）における基板（３１）の材料と、第２チップ部品（３Ｂ）における基板（３１）の材料とが、同じである。実装基板（９）の第２主面（９２）において第１チップ部品（３Ａ）に接続されたバンプ（３６）との接合領域（９２３）を含む平面を基準面（９２０）としたときに、第１チップ部品（３Ａ）及び第２チップ部品（３Ｂ）では、実装基板（９）の厚さ方向（Ｄ１）において基準面（９２０）と基板（３１）の第２主面（３１２）との距離（Ｈ１）が互いに同じである。
　第２の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ；１ｆ；１ｇ）は、実装基板（９）の厚さ方向（Ｄ１）における低背化を図ることが可能となる。
　第３の態様に係る高周波モジュール（１）では、第１又は２の態様において、第１チップ部品（３Ａ）は、信号経路切り替え用の第１スイッチ（４）であり、第２チップ部品（３Ｂ）は、信号経路切り替え用の第２スイッチ（５）である。
　第４の態様に係る高周波モジュール（１ａ）では、第１又は２の態様において、第１チップ部品（３Ａ）は、第１フィルタ（送信用フィルタ１２Ｃ）であり、第２チップ部品（３Ｂ）は、第２フィルタ（受信用フィルタ２２Ｃ）である。第１フィルタは、第１高周波信号を通過させる。第２フィルタは、第２高周波信号を通過させる。
　第５の態様に係る高周波モジュール（１ｂ）では、第１又は２の態様において、第１チップ部品（３Ａ）は、信号経路切り替え用のスイッチ（第１スイッチ４）であり、第２チップ部品（３Ｂ）は、ローノイズアンプ（２１）である。ローノイズアンプ（２１）は、受信信号の信号経路に設けられている。
　第６の態様に係る高周波モジュール（１ｃ）では、第１又は２の態様において、第１チップ部品（３Ａ）は、信号経路切り替え用のスイッチ（第１スイッチ４）であり、第２チップ部品（３Ｂ）は、表面弾性波フィルタ（送受信用フィルタ２４）である。表面弾性波フィルタは、信号経路に設けられている。
　第７の態様に係る高周波モジュール（１ｄ）は、第１又は２の態様において、第１チップ部品（３Ａ）は、ローノイズアンプ（２１）であり、第２チップ部品（３Ｂ）は、表面弾性波フィルタ（受信用フィルタ２２）である。ローノイズアンプ（２１）は、受信信号用の信号経路に設けられている。表面弾性波フィルタ（受信用フィルタ２２）は、受信信号用の信号経路に設けられている。
　第８の態様に係る高周波モジュール（１ｄ）は、第７の態様において、電子部品（２）を複数備える。複数の電子部品（２）は、パワーアンプ（１１）と、フィルタ（送信用フィルタ１２）と、を含む。パワーアンプ（１１）は、送信信号用の信号経路に設けられている。フィルタ（送信用フィルタ１２）は、送信信号用の信号経路に設けられている。
　第９の態様に係る高周波モジュール（１ｆ）は、第１又は２の態様において、第１チップ部品（３Ａ）は、スイッチ（第３スイッチ６）であり、第２チップ部品（３Ｂ）は、表面弾性波フィルタ（受信用フィルタ２２Ａ）である。スイッチ（第３スイッチ６）は、受信信号用の信号経路に設けられている。表面弾性波フィルタ（受信用フィルタ２２Ａ）は、受信信号用の信号経路に設けられている。
　第１０の態様に係る高周波モジュール（１ｆ）は、第９の態様において、電子部品（２）を複数備える。複数の電子部品（２）は、パワーアンプ（１１）と、フィルタ（送信用フィルタ１２Ａ）と、を含む。パワーアンプ（１１）は、送信信号用の信号経路に設けられている。フィルタ（送信用フィルタ１２Ａ）は、送信信号用の信号経路に設けられている。
　第１１の態様に係る高周波モジュール（１ｅ）は、第１又は２の態様において、第１チップ部品（３Ａ）は、ローノイズアンプ（２１）であり、第２チップ部品（３Ｂ）は、送信用フィルタ（１２）である。ローノイズアンプ（２１）は、受信信号用の信号経路に設けられている。送信用フィルタ（１２）は、送信信号用の信号経路に設けられている。
　第１２の態様に係る高周波モジュール（１ｅ）は、第１１の態様において、電子部品（２）を複数備える。複数の電子部品（２）は、パワーアンプ（１１）と、受信用フィルタ（２２）と、を含む。パワーアンプ（１１）は、送信信号用の信号経路に設けられている。受信用フィルタ（２２）は、受信信号用の信号経路に設けられている。
　第１３の態様に係る高周波モジュール（１ｅ）では、第１２の態様において、実装基板（９）は、配線部（９５）を更に備える。配線部（９５）は、受信用フィルタ（２２）とローノイズアンプ（２１）とを電気的に接続している。高周波モジュール（１ｅ）は、グランド端子（８５）を更に備える。グランド端子（８５）は、実装基板（９）の第２主面（９２）に配置されている。グランド端子（８５）は、実装基板（９）の厚さ方向（Ｄ１）からの平面視でローノイズアンプ（２１）と送信用フィルタ（１２）との間に位置している。
　第１３の態様に係る高周波モジュール（１ｅ）では、実装基板（９）が受信用フィルタ（２２）とローノイズアンプ（２１）とを電気的に接続している配線部（９５）を備えることにより、受信用フィルタ（２２）とローノイズアンプ（２１）とが実装基板（９）の第２主面（９２）に実装されて実装基板（９）の第２主面（９２）に沿って配置された配線部で接続されている場合と比べて、配線部（９５）と実装基板（９）の有するグランド層との間の寄生容量を小さくすることが可能となる。また、第９の態様に係る高周波モジュール（１ｅ）では、ローノイズアンプ（２１）と送信用フィルタ（１２）との間に位置しているグランド端子（８５）を備えることにより、ローノイズアンプ（２１）と送信用フィルタ（１２）とのアイソレーションを向上させることが可能となる。
　第１４の態様に係る高周波モジュール（１ｅ）では、第１３の態様において、グランド端子（８５）は、柱状電極である。
　第１５の態様に係る高周波モジュール（１ｇ）では、第１又は２の態様において、第１チップ部品（３Ａ）は、スイッチ（第３スイッチ６）であり、第２チップ部品（３Ｂ）は、送信用フィルタ（１２Ａ）である。スイッチ（第３スイッチ６）は、受信信号用の信号経路に設けられている。送信用フィルタ（１２Ａ）は、送信信号用の信号経路に設けられている。
　第１６の態様に係る高周波モジュール（１ｇ）は、第１５の態様において、電子部品（２）を複数備える。複数の電子部品（２）は、パワーアンプ（１１）と、受信用フィルタ（２２Ａ）と、を含む。パワーアンプ（１１）は、送信信号用の信号経路に設けられている。受信用フィルタ（２２Ａ）は、受信信号用の信号経路に設けられている。
　第１７の態様に係る高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ）では、第１～１６の態様のいずれか一つにおいて、第１チップ部品（３Ａ）及び第２チップ部品（３Ｂ）の各々の基板（３１）は、シリコン基板である。
　第１８の態様に係る高周波モジュール（１ａ）では、第４の態様において、第１チップ部品（３Ａ）及び第２チップ部品（３Ｂ）の各々の基板（３１）は、リチウムタンタレート基板又はリチウムニオベイト基板である。
　第１９の態様に係る通信装置（３００；３００ａ；３００ｄ）は、信号処理回路（３０１）と、第１～１８の態様のいずれか一つの高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ）と、を備える。信号処理回路（３０１）は、アンテナ（３１０）からの受信信号とアンテナ（３１０）への送信信号とを信号処理する。高周波モジュール（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ；１ｅ）は、アンテナ（３１０）と信号処理回路（３０１）との間で受信信号及び送信信号を伝達する。
　第１９の態様に係る通信装置（３００；３００ａ；３００ｄ）では、実装基板（９）の厚さ方向（Ｄ１）における低背化を図ることが可能となる。
　１、１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ、１ｆ、１ｇ　高周波モジュール
　２　電子部品
　２０　電子部品
　２６　バンプ
　２７　バンプ
　３　チップ部品
　３Ａ　第１チップ部品
　３Ｂ　第２チップ部品
　３１　基板
　３１１　第１主面
　３１２　第２主面
　３２　回路部
　３３　低音速膜
　３４　圧電体層
　３６　バンプ
　４　第１スイッチ（アンテナスイッチ）
　４０　共通端子
　４１～４３　選択端子
　５　第２スイッチ
　５０　共通端子
　５１～５３　選択端子
　６　第３スイッチ
　６０　共通端子
　６１～６３　選択端子
　７　第４スイッチ
　７０　共通端子
　７１、７２　選択端子
　１１　パワーアンプ
　１１１　入力端子
　１１２　出力端子
　１２、１２Ａ、１２Ｂ　送信用フィルタ
　１２Ｃ　送信用フィルタ（第１フィルタ）
　１３　出力整合回路
　２１　ローノイズアンプ
　２１１　入力端子
　２１２　出力端子
　２３　入力整合回路
　２２、２２Ａ、２２Ｂ　受信用フィルタ
　２２Ｃ　受信用フィルタ（第２フィルタ）
　２４　送受信用フィルタ
　８０　外部接続端子
　８１　アンテナ端子
　８２　信号入力端子
　８３　信号出力端子
　８５　グランド端子
　９　実装基板
　９１　第１主面
　９２　第２主面
　９２０　基準面
　９２３　接合領域
　９３　外周面
　９５　配線部
　１０１　第１樹脂層
　１０１１　主面
　１０１３　外周面
　１０２　第２樹脂層
　１０２１　主面
　１０２３　外周面
　１０３　シールド層
　３００、３００ａ、３００ｄ　通信装置
　３０１　信号処理回路
　３０２　ＲＦ信号処理回路
　３０３　ベースバンド信号処理回路
　３１０　アンテナ
　Ｈ１　距離
　Ｌ１　インダクタ
　Ｌ２　インダクタ

Claims (19)

  1. 　互いに対向する第１主面及び第２主面を有する実装基板と、
    　前記実装基板の前記第１主面に実装されている電子部品と、
    　前記実装基板の前記第２主面に実装されている第１チップ部品及び第２チップ部品と、を備え、
    　前記第１チップ部品及び前記第２チップ部品は、
    　　互いに対向する第１主面及び第２主面を有する基板と、
    　　前記基板の前記第１主面側に形成された回路部と、を含み、
    　前記第１チップ部品及び前記第２チップ部品の各々における前記基板の前記第２主面の少なくとも一部が露出しており、
    　前記第１チップ部品における前記基板の材料と、前記第２チップ部品における前記基板の材料とが、同じである、
    　高周波モジュール。
  2. 　互いに対向する第１主面及び第２主面を有する実装基板と、
    　前記実装基板の前記第１主面に実装されている電子部品と、
    　前記実装基板の前記第２主面に実装されている第１チップ部品及び第２チップ部品と、を備え、
    　前記第１チップ部品及び前記第２チップ部品は、
    　　互いに対向する第１主面及び第２主面を有する基板と、
    　　前記基板の前記第１主面側に形成された回路部と、を含み、
    　前記第１チップ部品における前記基板の材料と、前記第２チップ部品における前記基板の材料とが、同じであり、
    　前記実装基板の前記第２主面において前記第１チップ部品に接続されたバンプとの接合領域を含む平面を基準面としたときに、
    　　前記第１チップ部品及び前記第２チップ部品では、前記実装基板の厚さ方向において前記基準面と前記基板の前記第２主面との距離が互いに同じである、
    　高周波モジュール。
  3. 　前記第１チップ部品は、信号経路切り替え用の第１スイッチであり、
    　前記第２チップ部品は、信号経路切り替え用の第２スイッチである、
    　請求項１又は２に記載の高周波モジュール。
  4. 　前記第１チップ部品は、第１高周波信号を通過させる第１フィルタであり、
    　前記第２チップ部品は、第２高周波信号を通過させる第２フィルタである、
    　請求項１又は２に記載の高周波モジュール。
  5. 　前記第１チップ部品は、信号経路切り替え用のスイッチであり、
    　前記第２チップ部品は、受信信号の信号経路に設けられているローノイズアンプである、
    　請求項１又は２に記載の高周波モジュール。
  6. 　前記第１チップ部品は、信号経路切り替え用のスイッチであり、
    　前記第２チップ部品は、信号経路に設けられている表面弾性波フィルタである、
    　請求項１又は２に記載の高周波モジュール。
  7. 　前記第１チップ部品は、受信信号用の信号経路に設けられているローノイズアンプであり、
    　前記第２チップ部品は、前記受信信号用の信号経路に設けられている表面弾性波フィルタである、
    　請求項１又は２に記載の高周波モジュール。
  8. 　前記電子部品を複数備え、
    　前記複数の電子部品は、
    　　送信信号用の信号経路に設けられているパワーアンプと、
    　　前記送信信号用の信号経路に設けられているフィルタと、を含む、
    　請求項７に記載の高周波モジュール。
  9. 　前記第１チップ部品は、受信信号用の信号経路に設けられているスイッチであり、
    　前記第２チップ部品は、前記受信信号用の信号経路に設けられている表面弾性波フィルタである、
    　請求項１又は２に記載の高周波モジュール。
  10. 　前記電子部品を複数備え、
    　前記複数の電子部品は、
    　　送信信号用の信号経路に設けられているパワーアンプと、
    　　前記送信信号用の信号経路に設けられているフィルタと、を含む、
    　請求項９に記載の高周波モジュール。
  11. 　前記第１チップ部品は、受信信号用の信号経路に設けられているローノイズアンプであり、
    　前記第２チップ部品は、送信信号用の信号経路に設けられている送信用フィルタである、
    　請求項１又は２に記載の高周波モジュール。
  12. 　前記電子部品を複数備え、
    　前記複数の電子部品は、
    　　送信信号用の信号経路に設けられているパワーアンプと、
    　　前記受信信号用の信号経路に設けられている受信用フィルタと、を含む、
    　請求項１１に記載の高周波モジュール。
  13. 　前記実装基板は、前記受信用フィルタと前記ローノイズアンプとを電気的に接続している配線部を更に備え、
    　前記高周波モジュールは、
    　　前記実装基板の前記第２主面に配置されており、前記実装基板の厚さ方向からの平面視で前記ローノイズアンプと前記送信用フィルタとの間に位置しているグランド端子を更に備える、
    　請求項１２に記載の高周波モジュール。
  14. 　前記グランド端子は、柱状電極である、
    　請求項１３に記載の高周波モジュール。
  15. 　前記第１チップ部品は、受信信号用の信号経路に設けられているスイッチであり、
    　前記第２チップ部品は、送信信号用の信号経路に設けられている送信用フィルタである、
    　請求項１又は２に記載の高周波モジュール。
  16. 　前記電子部品を複数備え、
    　前記複数の電子部品は、
    　　送信信号用の信号経路に設けられているパワーアンプと、
    　　前記受信信号用の信号経路に設けられている受信用フィルタと、を含む、
    　請求項１５に記載の高周波モジュール。
  17. 　前記第１チップ部品及び前記第２チップ部品の各々の前記基板は、シリコン基板である、
    　請求項１～１６のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
  18. 　前記第１チップ部品及び前記第２チップ部品の各々の前記基板は、リチウムタンタレート基板又はリチウムニオベイト基板である、
    　請求項４に記載の高周波モジュール。
  19. 　アンテナからの受信信号と前記アンテナへの送信信号とを信号処理する信号処理回路と、
    　前記アンテナと前記信号処理回路との間で前記受信信号及び前記送信信号を伝達する請求項１～１８のいずれか一項に記載の高周波モジュールと、を備える、
    　通信装置。
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