CN214707693U - 高频模块和通信装置 - Google Patents

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Abstract

提供一种高频模块和通信装置。实现在安装基板的厚度方向上的高度降低。高频模块具备安装基板(9)、电子部件、外部连接端子以及弹性波滤波器(2)。安装基板(9)具有彼此相向的第一主面(91)和第二主面(92)。电子部件配置于安装基板(9)的第一主面(91)。外部连接端子配置于安装基板(9)的第二主面(92)。弹性波滤波器(2)配置于安装基板(9)的第二主面(92)。弹性波滤波器(2)是裸芯片。

Description

高频模块和通信装置
技术领域
本实用新型一般涉及一种高频模块和通信装置，更详细地说，涉及一种具备安装基板和弹性波滤波器的高频模块以及具备该高频模块的通信装置。
背景技术
以往，作为高频模块，已知一种具备基板(安装基板)、设置于基板的滤波器部、设置于基板的开关IC、以及放大部的前端模块(例如，参照专利文献1)。
在专利文献1中公开的前端模块的一例中，滤波器部设置于基板的一个主面，开关IC设置于基板的另一个主面。
另外，前端模块具备设置于基板的另一个主面的多个电极(外部连接端子)。
另外，在专利文献1中公开了一种具备对利用天线元件发送接收的高频信号进行处理的RF信号处理电路以及前端模块的通信装置。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2018/110393号
实用新型内容
实用新型要解决的问题
在高频模块中，当在安装基板的一个主面和另一个主面分别安装部件来实现安装基板的小型化的情况下，有时要求高频模块的在安装基板的厚度方向上的高度降低。
本实用新型的目的在于提供一种能够实现在安装基板的厚度方向上的高度降低的高频模块和通信装置。
用于解决问题的方案
本实用新型的一个方式所涉及的高频模块具备安装基板、电子部件、外部连接端子以及弹性波滤波器。所述安装基板具有彼此相向的第一主面和第二主面。所述电子部件配置于所述安装基板的所述第一主面。所述外部连接端子配置于所述安装基板的所述第二主面。所述弹性波滤波器配置于所述安装基板的所述第二主面。所述弹性波滤波器是裸芯片。
优选地，所述裸芯片的弹性波滤波器具有：压电性基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；叉指换能器电极，其设置在所述压电性基板的所述第一主面上；以及多个焊盘电极，所述多个焊盘电极设置在所述压电性基板的所述第一主面上，所述高频模块还具备与所述多个焊盘电极及所述安装基板接合的多个凸块，所述叉指换能器电极配置于由所述多个焊盘电极、所述多个凸块、所述压电性基板以及所述安装基板在所述压电性基板与所述安装基板之间形成的空间内。
优选地，所述高频模块还具备树脂膜，该树脂膜配置于所述安装基板的所述第二主面，至少覆盖了所述压电性基板的外周面，所述空间被所述裸芯片的弹性波滤波器、所述安装基板的所述第二主面以及所述树脂膜包围。
优选地，所述树脂膜覆盖了所述压电性基板的所述第二主面。
优选地，所述高频模块还具备树脂层，该树脂层配置于所述安装基板的所述第二主面，覆盖了所述树脂膜的至少一部分。
优选地，所述高频模块还具备树脂层，该树脂层配置于所述安装基板的所述第二主面，覆盖了所述压电性基板的外周面，所述空间被所述裸芯片的弹性波滤波器、所述安装基板的所述第二主面以及所述树脂层包围。
优选地，所述裸芯片的弹性波滤波器包括接收滤波器，所述高频模块还具备集成电路芯片，该集成电路芯片配置于所述安装基板的所述第二主面，包括对通过所述接收滤波器后的高频信号进行放大的低噪声放大器。
优选地，所述安装基板的所述第二主面与所述裸芯片的弹性波滤波器的同所述安装基板侧相反的一侧的面之间的第一距离比所述安装基板的所述第二主面与所述集成电路芯片的同所述安装基板侧相反的一侧的面之间的第二距离短。
本实用新型的一个方式所涉及的通信装置具备所述高频模块和信号处理电路。所述信号处理电路对在所述高频模块的所述裸芯片的弹性波滤波器中通过的高频信号进行信号处理。
实用新型的效果
本实用新型的上述方式所涉及的高频模块和通信装置能够实现在安装基板的厚度方向上的高度降低。
附图说明
图1是实施方式1所涉及的高频模块以及具备该高频模块的通信装置的电路图。
图2是同上的高频模块的截面图。
图3是同上的高频模块的一部分的截面图。
图4是实施方式1的变形例1所涉及的高频模块的截面图。
图5是实施方式1的变形例2所涉及的高频模块的截面图。
图6是实施方式1的变形例3所涉及的高频模块的截面图。
图7是实施方式2所涉及的高频模块以及具备该高频模块的通信装置的电路图。
图8是同上的高频模块的截面图。
图9是实施方式3所涉及的高频模块以及具备该高频模块的通信装置的电路图。
图10是同上的高频模块的截面图。
图11是同上的高频模块的一部分的俯视图。
图12是实施方式4所涉及的高频模块的截面图。
图13是同上的高频模块的一部分的截面图。
附图标记说明
1、1a、1b、1c、1d、1e、1f：高频模块；2：弹性波滤波器(第一弹性波滤波器)；200：压电性基板；201：支承基板；2011：第一主面；2012：第二主面；211：第一主面；212：第二主面；213：外周面；215：IDT电极；216：焊盘电极；217：绝缘层；3：弹性波滤波器(第二弹性波滤波器)；305：压电性基板；311：第一主面；312：第二主面；313：外周面；314：间隔层；315：IDT电极；316：罩构件；318：端子；4：第二开关；40：公共端子；41～43：选择端子；5：第一开关；50：公共端子；51～53：选择端子；6：第三开关；60：公共端子；61～63：选择端子；7：第四开关；70：公共端子；71、72：选择端子；8：外部连接端子；80：地端子；81：天线端子；82：信号输入端子；83：信号输出端子；84：控制端子；9：安装基板；91：第一主面；92：第二主面；93：外周面；10：IC芯片；11：功率放大器；12A、12B、12C：发送滤波器；13：输出匹配电路；14A、14B、14C：匹配电路；15：控制器；16：低通滤波器；17：凸块；19：树脂膜；191：第一部分；192：第二部分；20：输入匹配电路；21：低噪声放大器；22A、22B、22C：接收滤波器；32A、32B、32C：滤波器(双工器)；101：第一树脂层；1011：主面；1013：外周面；102：第二树脂层；1021：主面；1023：外周面；300、300d、300e：通信装置；301：信号处理电路；302：RF信号处理电路；303：基带信号处理电路；310：天线；D1：厚度方向；S1：空间；S2：空间。
具体实施方式
在下面的实施方式等中参照的图2～6、8及10～13均是示意性的图，图中的各结构要素的大小之比、厚度之比未必反映了实际的尺寸比。
(实施方式1)
下面，参照图1～3来说明实施方式1所涉及的高频模块1和通信装置300。
(1)高频模块和通信装置
(1.1)高频模块和通信装置的概要
参照图1来说明实施方式1所涉及的高频模块1和通信装置300的电路结构。
实施方式1所涉及的高频模块1例如使用于通信装置300。通信装置300例如是便携式电话(例如，智能电话)，但是不限于此，例如也可以是可穿戴终端(例如，智能手表)。高频模块1例如是能够支持4G(第四代移动通信)标准、5G(第五代移动通信)标准的模块。4G标准例如是3GPP LTE标准(LTE：Long Term Evolution(长期演进))。5G标准例如是5G NR(NewRadio：新空口)。高频模块1是能够支持载波聚合和双连接的模块。
高频模块1例如构成为能够将从信号处理电路301输入的发送信号(高频信号)放大后输出到天线310。另外，高频模块1构成为能够将从天线310输入的接收信号(高频信号)放大后输出到信号处理电路301。信号处理电路301不是高频模块1的结构要素，而是具备高频模块1的通信装置300的结构要素。实施方式1所涉及的高频模块1例如由通信装置300所具备的信号处理电路301来控制。通信装置300具备高频模块1和信号处理电路301。通信装置300还具备天线310。通信装置300还具备安装有高频模块1的电路基板。电路基板例如是印刷电路板。电路基板具备被提供地电位的地电极。
信号处理电路301例如包括RF信号处理电路302和基带信号处理电路303。RF信号处理电路302例如是RFIC(Radio Frequency Integrated Circuit，射频集成电路)，对高频信号进行信号处理。RF信号处理电路302例如对从基带信号处理电路303输出的高频信号(发送信号)进行上变频等信号处理，并输出进行了信号处理的高频信号。另外，RF信号处理电路302例如对从高频模块1输出的高频信号(接收信号)进行下变频等信号处理，并将进行了信号处理的高频信号输出到基带信号处理电路303。基带信号处理电路303例如是BBIC(Baseband Integrated Circuit：基带集成电路)。基带信号处理电路303基于基带信号来生成I相信号和Q相信号。基带信号例如是从外部输入的声音信号、图像信号等。基带信号处理电路303通过将I相信号与Q相信号合成来进行IQ调制处理后，输出发送信号。此时，发送信号被生成为将规定频率的载波信号以比该载波信号的周期长的周期进行振幅调制而得到的调制信号(IQ信号)。被基带信号处理电路303处理后的接收信号例如作为图像信号而使用于图像显示，或者作为声音信号而使用于通话。高频模块1在天线310与信号处理电路301的RF信号处理电路302之间传递高频信号(接收信号、发送信号)。
实施方式1所涉及的高频模块1具备功率放大器11、2个以上(例如，3个)的滤波器32A～32C、第一开关5、第二开关4以及天线端子81。功率放大器11将来自信号处理电路301的高频信号放大后输出。第一开关5具有公共端子50和多个(例如，3个)选择端子51～53，在公共端子50上连接有功率放大器11。3个滤波器32A～32C与第一开关5的3个选择端子51～53连接。第二开关4具有公共端子40和多个(例如，3个)选择端子41～43，在3个选择端子41～43上连接有3个滤波器32A～32C。天线端子81与第二开关4的公共端子40连接。
另外，实施方式1所涉及的高频模块1还具备输出匹配电路13，该输出匹配电路13设置于功率放大器11与第一开关5的公共端子50之间。另外，高频模块1还具备3个匹配电路14A～14C，该3个匹配电路14A～14C在3个滤波器32A～32C各自与第二开关4之间的各信号路径上各设置有1个。另外，高频模块1还具备控制器15。控制器15对功率放大器11进行控制。高频模块1还具备连接有功率放大器11的输入端子的多个(例如，2个)信号输入端子82、以及连接有控制器15的控制端子84。
在高频模块1中，3个滤波器32A～32C分别是双工器。实施方式1所涉及的高频模块1还具备第三开关6、低噪声放大器21以及输入匹配电路20。第三开关6具有公共端子60和多个(例如，3个)选择端子61～63，在公共端子60上连接有低噪声放大器21。输入匹配电路20设置于第三开关6与低噪声放大器21之间。高频模块1还具备连接有低噪声放大器21的输出端子的信号输出端子83。
另外，实施方式1所涉及的高频模块1还具备低通滤波器16和第四开关7。低通滤波器16连接于天线端子81与第二开关4的公共端子40之间。第四开关7连接于功率放大器11与2个信号输入端子82之间。第四开关7具有公共端子70和多个(例如，2个)选择端子71～72，在公共端子70上连接有功率放大器11，在2个选择端子71～72上连接有2个信号输入端子82。
如图2及3所示，实施方式1所涉及的高频模块1具备：具有彼此相向的第一主面91和第二主面92的安装基板9；配置于安装基板9的第一主面91的电子部件(例如，功率放大器11、滤波器32A、32C、输出匹配电路13、匹配电路14A～14C、低通滤波器16)；外部连接端子8；以及弹性波滤波器2(滤波器32B)。外部连接端子8配置于安装基板9的第二主面92。弹性波滤波器2配置于安装基板9的第二主面92。弹性波滤波器2是裸芯片。由此，实施方式1所涉及的高频模块1能够实现在安装基板9的厚度方向D1上的高度降低。在实施方式1所涉及的高频模块1中，由于在安装基板9的第二主面92配置的弹性波滤波器2是裸芯片，因此能够在安装基板9的厚度方向D1上实现安装基板9的第二主面92侧的高度降低，从而能够实现高频模块1整体的高度降低。
(1.2)高频模块的电路结构中的各结构要素
(1.2.1)功率放大器
功率放大器11例如将来自信号处理电路301的发送信号(高频信号)放大后输出。功率放大器11将所输入的规定频带的发送信号放大后输出。在此，规定频带例如包括第一通信频段、第二通信频段以及第三通信频段。第一通信频段与通过滤波器32A(的发送滤波器12A)的发送信号对应。第二通信频段与通过滤波器32B(的发送滤波器12B)的发送信号对应。第三通信频段与通过滤波器32C(发送滤波器12C)的发送信号对应。第一通信频段与通过发送滤波器12A的发送信号对应，例如是3GPP LTE标准的Band1。第二通信频段与通过发送滤波器12B的发送信号对应，例如是3GPP LTE标准的Band3。第三通信频段与通过发送滤波器12C的发送信号对应，例如是3GPP LTE标准的Band41或5G NR标准的n41。
功率放大器11具有输入端子和输出端子。功率放大器11的输入端子与2个信号输入端子82连接。更详细地说，功率放大器11的输入端子经由第四开关7来与2个信号输入端子82连接。功率放大器11的输入端子能够经由2个信号输入端子82中的任一个来与信号处理电路301连接。信号输入端子82是用于将来自外部电路(例如，信号处理电路301)的高频信号(发送信号)输入到高频模块1的端子。功率放大器11的输出端子与输出匹配电路13连接。
功率放大器11的输入端子经由信号输入端子82来与信号处理电路301连接。功率放大器11的输出端子经由输出匹配电路13来与第一开关5的公共端子50连接。功率放大器11由控制器15控制。
(1.2.2)滤波器
滤波器32A是双工器，包括发送滤波器12A和接收滤波器22A。滤波器32B是双工器，包括发送滤波器12B和接收滤波器22B。滤波器32C是双工器，包括发送滤波器12C和接收滤波器22C。
发送滤波器12A例如是以第一通信频段的发送带为通带的滤波器。发送滤波器12B例如是以第二通信频段的发送带为通带的滤波器。发送滤波器12C例如是以第三通信频段的发送带为通带的滤波器。
接收滤波器22A例如是以第一通信频段的接收带为通带的滤波器。接收滤波器22B例如是以第二通信频段的接收带为通带的滤波器。接收滤波器22C例如是以第三通信频段的接收带为通带的滤波器。
(1.2.3)第一开关
第一开关5具有公共端子50和3个选择端子51～53。公共端子50经由输出匹配电路13来与功率放大器11的输出端子连接。选择端子51与滤波器32A连接。在此，选择端子51与发送滤波器12A的输入端子(构成滤波器32A的双工器的发送端子)连接。选择端子52与滤波器32B连接。在此，选择端子52与发送滤波器12B的输入端子(构成滤波器32B的双工器的发送端子)连接。选择端子53与滤波器32C连接。在此，选择端子53与发送滤波器12C的输入端子(构成滤波器32C的双工器的发送端子)连接。第一开关5例如是能够将3个选择端子51～53中的至少1个以上的选择端子连接到公共端子50的开关。在此，第一开关5例如是能够进行一对一的连接和一对多的连接的开关。第一开关5是具有对通信频段互不相同的多个发送信号用的信号路径进行切换的功能的开关，也被称作频段选择开关。
第一开关5由高频模块1的外部电路(例如，信号处理电路301)控制。第一开关5例如按照来自信号处理电路301的控制信号，来切换公共端子50与3个选择端子51～53的连接状态。第一开关5例如是开关IC(Integrated Circuit：集成电路)。
(1.2.4)第二开关
第二开关4具有公共端子40和3个选择端子41～43。第二开关4是与天线端子81连接的开关，也被称作天线开关。在第二开关4中，公共端子40与天线端子81连接。更详细地说，公共端子40经由低通滤波器16来与天线端子81连接。在天线端子81上连接天线310。选择端子41与滤波器32A连接。在此，选择端子41与滤波器32A的发送滤波器12A及接收滤波器22A连接。选择端子42与滤波器32B连接。在此，选择端子42与发送滤波器12B及接收滤波器22B连接。选择端子43与滤波器32C连接。在此，选择端子43与发送滤波器12C及接收滤波器22C连接。第二开关4例如是能够将3个选择端子41～43中的至少1个以上的选择端子连接到公共端子40的开关。在此，第二开关4例如是能够进行一对一的连接和一对多的连接的开关。
第二开关4设置于发送信号用的信号路径和接收信号用的信号路径这两方。在高频模块1中，第二开关4设置于设置有功率放大器11、输出匹配电路13、第一开关5以及发送滤波器12A的发送信号用的信号路径。另外，第二开关4设置于设置有功率放大器11、输出匹配电路13、第一开关5以及发送滤波器12B的发送信号用的信号路径。另外，第二开关4设置于设置有功率放大器11、输出匹配电路13、第一开关5以及发送滤波器12C的发送信号用的信号路径。另外，第二开关4设置于设置有接收滤波器22A、第三开关6以及低噪声放大器21的接收信号用的信号路径。另外，第二开关4设置于设置有接收滤波器22B、第三开关6以及低噪声放大器21的接收信号用的信号路径。另外，第二开关4设置于设置有接收滤波器22C、第三开关6以及低噪声放大器21的接收信号用的信号路径。
第二开关4由高频模块1的外部电路(例如，信号处理电路301)控制。第二开关4例如按照来自信号处理电路301的控制信号，来切换公共端子40与3个选择端子41～43的连接状态。第二开关4例如是开关IC。
(1.2.5)第三开关
第三开关6具有公共端子60和3个选择端子61～63。公共端子60与低噪声放大器21的输入端子连接。选择端子61与滤波器32A连接。在此，选择端子61与接收滤波器22A的输出端子(构成滤波器32A的双工器的接收端子)连接。选择端子62与滤波器32B连接。在此，选择端子62与接收滤波器22B的输出端子(构成滤波器32B的双工器的接收端子)连接。选择端子63与滤波器32C连接。在此，选择端子63与接收滤波器22C的输出端子(构成滤波器32C的双工器的接收端子)连接。第三开关6例如是能够将3个选择端子61～63中的至少1个以上的选择端子连接到公共端子60的开关。在此，第三开关6例如是能够进行一对一的连接和一对多的连接的开关。
第三开关6由高频模块1的外部电路(例如，信号处理电路301)控制。第三开关6例如按照来自信号处理电路301的控制信号，来切换公共端子60与3个选择端子61～63的连接状态。
(1.2.6)第四开关
第四开关7连接于功率放大器11与2个信号输入端子82之间，对功率放大器11与2个信号输入端子82的连接状态进行切换。第四开关7由高频模块1的外部电路(例如，信号处理电路301)控制。第四开关7例如是开关IC。
(1.2.7)输出匹配电路
输出匹配电路13设置于功率放大器11的输出端子与第一开关5的公共端子50之间的信号路径。输出匹配电路13是用于取得功率放大器11与滤波器32A～32C的阻抗匹配的电路。输出匹配电路13例如由1个电感器构成，但是不限于此，例如也有时包括多个电感器和多个电容器。
(1.2.8)匹配电路
3个匹配电路14A～14C分别是用于取得连接于天线端子81的天线310及第二开关4与多个滤波器32A～32C中的对应的滤波器的阻抗匹配的电路。匹配电路14A连接于第二开关4的选择端子41与滤波器32A之间。匹配电路14B连接于第二开关4的选择端子42与滤波器32B之间。匹配电路14C连接于第二开关4的选择端子43与滤波器32C之间。
3个匹配电路14A～14C中的各匹配电路例如由1个电感器构成，但是不限于此，例如也有时包括多个电感器和多个电容器。
(1.2.9)控制器
控制器15与功率放大器11连接。控制器15例如经由控制端子84来与信号处理电路301连接。控制端子84是用于将来自外部电路(例如，信号处理电路301)的控制信号输入到控制器15的端子。控制器15基于从控制端子84获取到的控制信号来控制功率放大器11。控制器15按照来自信号处理电路301的RF信号处理电路302的控制信号来控制功率放大器11。
(1.2.10)低噪声放大器
低噪声放大器21具有输入端子和输出端子。低噪声放大器21设置于接收信号用的信号路径。低噪声放大器21将输入到输入端子的上述规定频带的接收信号放大后从输出端子输出。低噪声放大器21的输入端子与第三开关6的公共端子60连接。低噪声放大器21的输出端子与信号输出端子83连接。低噪声放大器21的输出端子例如经由信号输出端子83来与信号处理电路301连接。信号输出端子83是用于将来自低噪声放大器21的高频信号(接收信号)输出到外部电路(例如，信号处理电路301)的端子。
(1.2.11)输入匹配电路
输入匹配电路20连接于低噪声放大器21的输入端子与第三开关6的公共端子60之间。输入匹配电路20是用于取得低噪声放大器21与接收滤波器22A～22C的阻抗匹配的电路。输入匹配电路20例如由1个电感器构成，但是不限于此，例如也有时包括多个电感器和多个电容器。
(1.2.12)低通滤波器
低通滤波器16连接于天线端子81与第二开关4的公共端子40之间。高频模块1也可以具备包括低通滤波器16的多工器(例如，同向双工器、三工器)来代替低通滤波器16。
(1.2.13)外部连接端子
高频模块1具备多个外部连接端子8。多个外部连接端子8包括多个地端子80(参照图2)、天线端子81、信号输入端子82、信号输出端子83以及控制端子84。多个地端子80是与通信装置300所具备的上述的电路基板的地电极电连接从而被提供地电位的端子。
(1.3)高频模块的构造
下面，参照图2来说明高频模块1的构造。
高频模块1具备多个电路元件以及用于安装多个电路元件的安装基板9。多个电路元件是高频模块1的电路结构要素。多个电路元件包括功率放大器11和弹性波滤波器(滤波器32A)。
安装基板9具有在安装基板9的厚度方向D1上彼此相向的第一主面91和第二主面92。安装基板9例如是印刷电路板、LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramics：低温共烧陶瓷)基板、HTCC(High Temperature Co-fired Ceramics：高温共烧陶瓷)基板、树脂多层基板。在此，安装基板9例如是包括多个电介质层和多个导电层的多层基板。多个电介质层和多个导电层在安装基板9的厚度方向D1上进行层叠。多个导电层形成为按每层决定的规定图案。多个导电层中的各导电层在与安装基板9的厚度方向D1正交的一个平面内包括1个或多个导体部。各导电层的材料例如是铜。多个导电层包括地层。在高频模块1中，多个地端子80与地层经由安装基板9所具有的通路导体等来电连接。
安装基板9不限于印刷电路板、LTCC基板，也可以是布线构造体。布线构造体例如是多层构造体。多层构造体包括至少1个绝缘层和至少1个导电层。绝缘层形成为规定图案。在绝缘层有多个的情况下，多个绝缘层形成为按每层决定的规定图案。导电层形成为与绝缘层的规定图案不同的规定图案。在导电层有多个的情况下，多个导电层形成为按每层决定的规定图案。导电层也可以包括1个或多个重新布线部。在布线构造体中，在多层构造体的厚度方向上彼此相向的2个面中的第一面是安装基板9的第一主面91，第二面是安装基板9的第二主面92。布线构造体例如也可以是插入物。插入物既可以是使用硅基板的插入物，也可以是由多层构成的基板。
安装基板9的第一主面91和第二主面92在安装基板9的厚度方向D1上相离，与安装基板9的厚度方向D1交叉。安装基板9的第一主面91例如与安装基板9的厚度方向D1正交，但是例如也可以包括导体部的侧面等来作为不与厚度方向D1正交的面。另外，安装基板9的第二主面92例如与安装基板9的厚度方向D1正交，但是例如也可以包括导体部的侧面等来作为不与厚度方向D1正交的面。另外，安装基板9的第一主面91和第二主面92也可以形成有细微的凹凸或凹部或凸部。在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，安装基板9呈长方形状，但是不限于此，例如也可以是正方形状。
高频模块1具备上述的功率放大器11、第一开关5、第二开关4、控制器15、低噪声放大器21、3个滤波器32A～32C、第三开关6、第四开关7、输出匹配电路13、输入匹配电路20、3个匹配电路14A～14C以及低通滤波器16，来作为多个电路元件。高频模块1的多个电路元件安装于安装基板9。在此，安装于安装基板9包括：电路元件配置(机械连接)于安装基板9；以及电路元件与安装基板9(的适当的导体部)电连接。多个电路元件并非仅限于安装于安装基板9的电子部件，也可以包括设置于安装基板9内的电路元件。在图2中，省略了上述的由安装基板9的导体部、通路导体等构成的多个布线的图示。
在高频模块1中，功率放大器11安装于安装基板9的第一主面91。因而，功率放大器11配置于安装基板9的第一主面91。
另外，在高频模块1中，输出匹配电路13、滤波器32A、32C、3个匹配电路14A～14C安装于安装基板9的第一主面91。因而，输出匹配电路13、滤波器32A、32C、3个匹配电路14A～14C配置于安装基板9的第一主面91。
另外，在高频模块1中，第一开关5、第二开关4、控制器15、滤波器32B安装于安装基板9的第二主面92。因而，在高频模块1中，第一开关5、第二开关4、控制器15、滤波器32B配置于安装基板9的第二主面92。另外，在高频模块1中，包括低噪声放大器21和输入匹配电路20的、单芯片的IC芯片10安装于安装基板9的第二主面92。因而，IC芯片10配置于安装基板9的第二主面92。
功率放大器11例如是具有包括HBT(Heterojunction Bipolar Transistor：异质结双极晶体管)作为双极晶体管的功率放大电路的GaAs系IC芯片。功率放大器11以倒装芯片的安装方式安装于安装基板9。在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，功率放大器11的外周形状呈四边形形状。功率放大器11不限于GaAs系IC芯片，例如也可以是具有功率放大电路的Si系IC芯片或具有功率放大电路的SiGe系IC芯片。
构成第一开关5的开关IC是单芯片的IC芯片。第一开关5包括公共端子50、3个选择端子51～53以及多个FET(Field Effect Transistor：场效应晶体管)。第一开关5以倒装芯片的安装方式安装于安装基板9的第二主面92。在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，第一开关5的外周形状呈四边形形状。
构成第二开关4的开关IC是单芯片的IC芯片。第二开关4包括公共端子40、3个选择端子41～43以及多个FET。第二开关4以倒装芯片的安装方式安装于安装基板9的第二主面92。在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，第二开关4的外周形状呈四边形形状。
第三开关6包括公共端子60、3个选择端子61～63以及多个FET。包括第三开关6和低噪声放大器21的IC芯片10以倒装芯片的安装方式安装于安装基板9的第二主面92。在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，IC芯片10的外周形状呈四边形形状。
构成第四开关7的开关IC是单芯片的IC芯片。第四开关7以倒装芯片的安装方式安装于安装基板9的第二主面92。在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，第四开关7的外周形状呈四边形形状。
控制器15是单芯片的IC芯片。控制器15配置于安装基板9的第二主面92。在此，控制器15以倒装芯片的安装方式安装于安装基板9的第二主面92。在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，控制器15的外周形状呈四边形形状。
构成输出匹配电路13的电路元件例如包括电感器。输出匹配电路13中的电路元件例如配置于安装基板9的第一主面91。输出匹配电路13中包括的电感器是安装于安装基板9的第一主面91的表面安装型电感器。在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，电路元件的外周形状呈四边形形状。
构成输入匹配电路20的电路元件例如包括电感器。输入匹配电路20中的电路元件例如配置于安装基板9的第一主面91。在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，电路元件的外周形状呈四边形形状。
3个匹配电路14A～14C中的各匹配电路中的电路元件例如包括电感器。3个匹配电路14A～14C中的各匹配电路中的电路元件例如配置于安装基板9的第一主面91。3个匹配电路14A～14C各自包括的电感器例如是安装于安装基板9的第一主面91的表面安装型电感器。在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，电路元件的外周形状呈四边形形状。
包括低噪声放大器21的IC芯片10配置于安装基板9的第二主面92。在此，IC芯片10以倒装芯片的安装方式安装于安装基板9的第二主面92。在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，IC芯片10以不与功率放大器11重叠的方式配置。在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，IC芯片10的外周形状呈四边形形状。
低通滤波器16配置于安装基板9的第一主面91。在此，低通滤波器16安装于安装基板9的第一主面91。低通滤波器16例如包括多个电感器和电容器。低通滤波器16也可以是IPD(Integrated Passive Device：集成无源设备)。
多个外部连接端子8配置于安装基板9的第二主面92。多个外部连接端子8的材料例如是金属(例如，铜、铜合金)。多个外部连接端子8分别是柱状电极。在此，柱状电极例如是圆柱状的电极。多个外部连接端子8是相同的形状，但是也可以是不同的形状。
多个外部连接端子8如上所述那样包括多个地端子80、天线端子81、信号输入端子82、信号输出端子83以及控制端子84。多个地端子80如上所述那样与安装基板9的地层电连接。地层是高频模块1的电路接地，高频模块1的多个电路元件包括与地层电连接的电路元件。
在实施方式1所涉及的高频模块1中，滤波器32B是裸芯片的弹性波滤波器2，滤波器32A及32C分别是具有封装构造的弹性波滤波器3。下面，为了便于说明，也将弹性波滤波器2称作第一弹性波滤波器2，也将弹性波滤波器3称作第二弹性波滤波器3。
如图3所示，第一弹性波滤波器2具有压电性基板200、IDT(InterdigitalTransducer：叉指换能器)电极215以及多个焊盘电极216。压电性基板200具有彼此相向的第一主面211和第二主面212。另外，压电性基板200具有将第一主面211与第二主面212连起来的外周面213。IDT电极215设置在压电性基板200的第一主面211上。多个焊盘电极216设置在压电性基板200的第一主面211上。在从第一弹性波滤波器2的厚度方向俯视时，第一弹性波滤波器2呈长方形状，但是不限于此，例如也可以是正方形状。
压电性基板200例如是具有支承基板201、设置在支承基板201上的低声速膜202以及设置在低声速膜202上的压电体层203的层叠型基板。
支承基板201具有彼此相向的第一主面2011和第二主面2012。低声速膜202设置在支承基板201的第一主面2011上。在从第一弹性波滤波器2的厚度方向俯视时，低声速膜202位于远离支承基板201的外周的位置。在第一弹性波滤波器2中，压电性基板200的第一主面211包括支承基板201的第一主面2011中的未被低声速膜202覆盖的区域以及压电体层203的与支承基板201侧相反的一侧的主面。
第一弹性波滤波器2还具备绝缘层217，该绝缘层217覆盖支承基板201的第一主面2011中的未被低声速膜202覆盖的区域。绝缘层217具有电绝缘性。绝缘层217在支承基板201的第一主面2011上沿着支承基板201的外周形成。绝缘层217包围多个IDT电极215。在从第一弹性波滤波器2的厚度方向俯视时，绝缘层217呈框形状(例如，矩形框状)。绝缘层217的一部分在第一弹性波滤波器2的厚度方向上与压电体层203的外周部重叠。压电体层203的外周面和低声速膜202的外周面被绝缘层217覆盖。绝缘层217的材料是环氧树脂、聚酰亚胺等。
多个焊盘电极216隔着绝缘层217设置在压电性基板200的第一主面211上。
压电体层203的材料例如是钽酸锂或铌酸锂。低声速膜202是如下的膜：在低声速膜202中传播的体波的声速比在压电体层203中传播的体波的声速低。低声速膜202的材料例如是氧化硅。低声速膜202的材料不限定于氧化硅。低声速膜202的材料例如也可以是氧化硅、玻璃、氮化硅、氧化钽、通过向氧化硅中添加氟、碳或硼而得到的化合物、或者以上述各材料为主成分的材料。在支承基板201中，在支承基板201中传播的体波的声速比在压电体层203中传播的弹性波的声速高。在此，在支承基板201中传播的体波是在支承基板201中传播的多个体波中的声速最低的体波。支承基板201的材料只要包含从由硅、氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮化硅、蓝宝石、钽酸锂、铌酸锂、石英、矾土、氧化锆、堇青石、莫来石、滑石、镁橄榄石、氧化镁以及金刚石构成的组中选择的至少1种材料即可。
压电性基板200也可以还具有设置于支承基板201与低声速膜202之间的高声速膜。高声速膜是如下的膜：在高声速膜中传播的体波的声速比在压电体层203中传播的弹性波的声速高。高声速膜的材料例如是从类金刚石碳、氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮化硅、硅、蓝宝石、压电体(钽酸锂、铌酸锂或石英)、矾土、氧化锆、堇青石、莫来石、滑石、镁橄榄石、氧化镁以及金刚石构成的组中选择的至少1种材料。高声速膜的材料也可以是以上述中的任一种材料为主成分的材料、或者以包含上述中的任一种材料的混合物为主成分的材料。
压电性基板200不限于层叠型基板，也可以是压电基板。压电基板的材料例如是钽酸锂或铌酸锂。在压电性基板200是压电基板的情况下，多个焊盘电极216也可以直接形成在压电性基板200的第一主面211上。
第一弹性波滤波器2具备多个IDT电极215。此外，在图3中，仅示意性地图示了多个IDT电极215中的2个IDT电极215。多个IDT电极215中的各IDT电极具有第一电极和第二电极。第一电极具有多个第一电极指以及连接着多个第一电极指的第一汇流条。第二电极具有多个第二电极指以及连接着多个第二电极指的第二汇流条。例如能够通过适当改变IDT电极215的电极指距、IDT电极215的交叉宽度、压电性基板200的材料等来改变第一弹性波滤波器2的特性。IDT电极215的电极指距被定义为多个第一电极指中的相邻的2个第一电极指的中心线之间的距离、或者多个第二电极指中的相邻的2个第二电极指的中心线之间的距离。在实施方式1所涉及的高频模块1的第一弹性波滤波器2中，例如，发送滤波器12B和接收滤波器22B分别是包括多个弹性波谐振器(多个串联臂谐振器和多个并联臂谐振器)的梯型滤波器。多个弹性波谐振器分别包括压电性基板200的一部分和IDT电极215。
在第一弹性波滤波器2中，压电性基板200例如也可以包括插入安装在低声速膜202与压电体层203之间的贴合层。贴合层例如由树脂(环氧树脂、聚酰亚胺树脂)形成。另外，在第一弹性波滤波器2中，压电性基板200也可以在低声速膜202与压电体层203之间、压电体层203上、或低声速膜202下中的任一处具备电介质膜。电介质膜的材料例如是氧化硅。另外，第一弹性波滤波器2也可以还具备设置在压电体层203上的覆盖多个IDT电极215的保护膜。保护膜的材料例如是氧化硅。
第一弹性波滤波器2配置于安装基板9的第二主面92。在第一弹性波滤波器2中，压电性基板200的第一主面211位于安装基板9侧，压电性基板200的第二主面212位于与安装基板9侧相反的一侧。高频模块1还具备多个凸块17。多个凸块17插入安装在第一弹性波滤波器2与安装基板9的第二主面92之间，将第一弹性波滤波器2与安装基板9连接。多个凸块17各自的形状是大致球状。多个凸块17中的各凸块例如是焊锡凸块。多个凸块17中的各凸块不限于焊锡凸块，例如也可以是金凸块。
多个凸块17与多个焊盘电极216及安装基板9接合。多个凸块17与多个焊盘电极216中的在安装基板9的厚度方向D1上重叠的焊盘电极216接合。在高频模块1中，在安装基板9的厚度方向D1上在第一弹性波滤波器2与安装基板9的第二主面92之间形成有空间S1。在实施方式1所涉及的高频模块1中，利用多个焊盘电极216、多个凸块17、压电性基板200以及安装基板9，在压电性基板200与安装基板9之间形成空间S1。多个IDT电极215配置于空间S1内。
第二弹性波滤波器3具有压电性基板305、IDT电极315以及多个端子318。压电性基板305具有彼此相向的第一主面311和第二主面312。另外，压电性基板305具有将第一主面311与第二主面312连起来的外周面313。IDT电极315设置在压电性基板305的第一主面311上。压电性基板305是压电基板。压电基板的材料例如是钽酸锂或铌酸锂。压电性基板305不限于压电基板，例如也可以是与压电性基板200同样的层叠型基板。第二弹性波滤波器3具备多个IDT电极315。此外，在图3中，仅示意性地图示了多个IDT电极315中的2个IDT电极315。在高频模块1中，由第二弹性波滤波器3构成的第一滤波器32A的发送滤波器12A和接收滤波器22A分别是梯型滤波器。另外，在高频模块1中，由第二弹性波滤波器3构成的第二滤波器32C的发送滤波器12C和接收滤波器22C分别是梯型滤波器。
另外，第二弹性波滤波器3具有间隔层314、罩构件316以及多个端子318来作为封装构造的结构要素。间隔层314和罩构件316设置于压电性基板305的第一主面311侧。在从第二弹性波滤波器3的厚度方向俯视时，间隔层314包围多个IDT电极315。在从第二弹性波滤波器3的厚度方向俯视时，间隔层314呈框状(矩形框状)。间隔层314具有电绝缘性。间隔层314的材料是环氧树脂、聚酰亚胺等。罩构件316呈平板状。在从第二弹性波滤波器3的厚度方向俯视时，罩构件316呈长方形状，但是不限于此，例如也可以是正方形状。在第二弹性波滤波器3中，在从第二弹性波滤波器3的厚度方向俯视时，罩构件316的外形尺寸、间隔层314的外形尺寸以及压电性基板305的外形尺寸大致相同。罩构件316以在第二弹性波滤波器3的厚度方向上与压电性基板305相向的方式配置在间隔层314上。罩构件316在第二弹性波滤波器3的厚度方向上与多个IDT电极315重叠，并且在第二弹性波滤波器3的厚度方向上与多个IDT电极315相离。罩构件316具有电绝缘性。罩构件316的材料是环氧树脂、聚酰亚胺等。第二弹性波滤波器3具有被压电性基板305、间隔层314以及罩构件316包围的空间S2。在第二弹性波滤波器3中，气体进入空间S2。气体是空气、非活性气体(例如，氮气)等。第二弹性波滤波器3中的多个端子318从罩构件316暴露出来。多个端子318中的各端子例如是凸块。各凸块例如是焊锡凸块。各凸块不限于焊锡凸块，例如也可以是金凸块。
第一弹性波滤波器2是不具有封装构造的裸芯片，与第二弹性波滤波器3相比，厚度方向上的尺寸小。
在安装基板9的厚度方向D1上，第二弹性波滤波器3的尺寸例如小于输出匹配电路13中包括的表面安装型电感器的尺寸。另外，在安装基板9的厚度方向D1上，第二弹性波滤波器3的尺寸例如小于3个匹配电路14A～14C各自包括的表面安装型电感器的尺寸。
高频模块1还具备树脂层101(下面也称为第一树脂层101)。第一树脂层101在安装基板9的第一主面91侧覆盖了配置于安装基板9的第一主面91的多个电路元件。在此，第一树脂层101密封配置于安装基板9的第一主面91的多个电路元件。配置于安装基板9的第一主面91的多个电路元件包括功率放大器11、滤波器32A、滤波器32C、输出匹配电路13、3个匹配电路14A～14C以及低通滤波器16。第一树脂层101包含树脂。第一树脂层101也可以除了包含树脂以外还包含填料。
高频模块1还具备树脂膜19。树脂膜19配置于安装基板9的第二主面92。在实施方式1所涉及的高频模块1中，树脂膜19如图3所示那样覆盖压电性基板200的第二主面212和外周面213。树脂膜19包括：覆盖压电性基板200的第二主面212的第一部分191；以及覆盖压电性基板200的外周面213且与安装基板9的第二主面92相接的第二部分192。弹性波滤波器2与安装基板9的第二主面92之间的空间S1被弹性波滤波器2、安装基板9的第二主面92以及树脂膜19包围。树脂膜19在其外周部遍及整周地与安装基板9的第二主面92相接。树脂膜19的材料例如包含环氧树脂。气体进入空间S1。气体是空气或非活性气体(例如，氮气)。
实施方式1所涉及的高频模块1还具备树脂层102(下面也称为第二树脂层102)。第二树脂层102配置于安装基板9的第二主面92。树脂层102覆盖树脂膜19。另外，在高频模块1中，第二树脂层102在安装基板9的第二主面92侧覆盖安装于安装基板9的第二主面92的多个外部连接端子8各自的一部分以及多个电路元件。在此，多个电路元件包括第一开关5、第二开关4、第四开关7、控制器15、IC芯片10以及滤波器32B。第二树脂层102形成为使多个外部连接端子8各自的前端面露出。另外，第二树脂层102隔着树脂膜19覆盖滤波器32B。第二树脂层102包含树脂。第二树脂层102也可以除了包含树脂以外还包含填料。第二树脂层102的材料既可以是与第一树脂层101的材料相同的材料，也可以是不同的材料。
另外，高频模块1还具备屏蔽层103。屏蔽层103的材料例如是金属。屏蔽层103覆盖第一树脂层101的主面1011及外周面1013、安装基板9的外周面93以及第二树脂层102的外周面1023。屏蔽层103与安装基板9所具有的地层接触。由此，在高频模块1中，能够使屏蔽层103的电位与地层的电位相同。
(3)总结
(3.1)高频模块
实施方式1所涉及的高频模块1具备：安装基板9，其具有彼此相向的第一主面91和第二主面92；电子部件(例如，功率放大器11、滤波器32A、32C、输出匹配电路13、匹配电路14A～14C、低通滤波器16)，其配置于安装基板9的第一主面91；外部连接端子8；以及弹性波滤波器2。外部连接端子8配置于安装基板9的第二主面92。弹性波滤波器2配置于安装基板9的第二主面92。弹性波滤波器2是裸芯片。此外，配置于安装基板9的第一主面91的电子部件的数量既可以是1个也可以是多个。
在实施方式1所涉及的高频模块1中，由于在安装基板9的第二主面92配置的弹性波滤波器2是裸芯片，因此能够在安装基板9的厚度方向D1上实现安装基板9的第二主面92侧的高度降低，从而能够实现高频模块1整体的高度降低。
另外，在实施方式1所涉及的高频模块1中，弹性波滤波器2具有压电性基板200、IDT电极215以及多个焊盘电极216。压电性基板200具有彼此相向的第一主面211和第二主面212。IDT电极215设置在压电性基板200的第一主面211上。多个焊盘电极216设置在压电性基板200的第一主面211上。高频模块1还具备多个凸块17。多个凸块17与多个焊盘电极216及安装基板9接合。IDT电极215配置于由多个焊盘电极216、多个凸块17、压电性基板200以及安装基板9在压电性基板200与安装基板9之间形成的空间S1内。由此，实施方式1所涉及的高频模块1能够实现在安装基板9的厚度方向D1上的高度降低。
另外，在实施方式1所涉及的高频模块1中，空间S1被弹性波滤波器2、安装基板9的第二主面92以及树脂膜19包围。由此，在实施方式1所涉及的高频模块1中，能够抑制异物进入空间S1，能够抑制特性劣化。
另外，在实施方式1所涉及的高频模块1中，配置于安装基板9的第二主面92的树脂层102覆盖树脂膜19。由此，在实施方式1所涉及的高频模块1中，能够实现可靠性的提高。
另外，在实施方式1所涉及的高频模块1中，弹性波滤波器2(滤波器32B)包括接收滤波器22B，包括低噪声放大器21的IC芯片10配置于安装基板9的第二主面92。由此，在实施方式1所涉及的高频模块1中，能够使接收滤波器22B与低噪声放大器21之间的布线长度短。
(3.2)通信装置
实施方式1所涉及的通信装置300具备高频模块1和信号处理电路301。信号处理电路301对在高频模块1的弹性波滤波器2中通过的高频信号进行信号处理。
实施方式1所涉及的通信装置300具备高频模块1，因此能够实现在安装基板9的厚度方向D1上的高度降低。构成信号处理电路301的多个电子部件例如可以安装于上述的电路基板，也可以安装于与安装了高频模块1的电路基板(第一电路基板)不同的电路基板(第二电路基板)。
(4)高频模块的变形例
(4.1)变形例1
参照图4来说明实施方式1的变形例1所涉及的高频模块1a。关于变形例1所涉及的高频模块1a，对与实施方式1所涉及的高频模块1相同的结构要素，标注同一标记并省略说明。
变形例1所涉及的高频模块1a在以下方面与实施方式1所涉及的高频模块1不同：多个外部连接端子8是球凸块。另外，变形例1所涉及的高频模块1a在以下方面与实施方式1所涉及的高频模块1不同：不具备实施方式1所涉及的高频模块1的第二树脂层102。变形例1所涉及的高频模块1a也可以具备底部填充部，该底部填充部设置于第一开关5、第二开关4、第四开关7、IC芯片10以及控制器15各自与安装基板9的第二主面92之间的间隙。
构成多个外部连接端子8中的各外部连接端子的球凸块的材料例如是金、铜、焊锡等。
关于多个外部连接端子8，也可以是，由球凸块构成的外部连接端子8与由柱状电极构成的外部连接端子8混合存在。
在变形例1所涉及的高频模块1a中，第一距离L1比第二距离L2短。第一距离L1是安装基板9的第二主面92与滤波器32B的同安装基板9侧相反的一侧的面之间的距离。第二距离L2是安装基板9的第二主面92与IC芯片10的同安装基板9侧相反的一侧的面之间的距离。
在变形例1所涉及的高频模块1a中，能够实现在安装基板9的厚度方向D1上的高度降低。
(4.2)变形例2
参照图5来说明实施方式1的变形例2所涉及的高频模块1b。关于变形例2所涉及的高频模块1b，对与实施方式1所涉及的高频模块1相同的结构要素，标注同一标记并省略说明。
变形例2所涉及的高频模块1b在以下方面与实施方式1所涉及的高频模块1不同：配置于安装基板9的第二主面92的多个电路元件中的各电路元件的与安装基板9侧相反的一侧的面露出。在此，配置于安装基板9的第二主面92的多个电路元件包括第一开关5、第二开关4、第四开关7、IC芯片10、控制器15以及滤波器32B。在此，在变形例2所涉及的高频模块1b中，多个电路元件中的各电路元件的与安装基板9侧相反的一侧的面、第二树脂层102的主面1021以及多个外部连接端子8各自的前端面为大致一个面。滤波器32B的与安装基板9侧相反的一侧的面如图3所示那样是压电性基板200的第二主面212。在变形例2所涉及的高频模块1b中，树脂膜19遍及整周地覆盖压电性基板200的外周面213。
变形例2所涉及的高频模块1b与实施方式1所涉及的高频模块1相比，能够实现进一步的高度降低。
(4.3)变形例3
参照图6来说明实施方式1的变形例3所涉及的高频模块1c。关于变形例3所涉及的高频模块1c，对与变形例2所涉及的高频模块1b相同的结构要素，标注同一标记并省略说明。
在变形例3所涉及的高频模块1c中，在以下方面与变形例2所涉及的高频模块1b不同：树脂膜19不仅覆盖压电性基板200的外周面213，还覆盖第二主面212。
变形例3所涉及的高频模块1c与实施方式1的变形例2所涉及的高频模块1b相比，树脂膜19不容易剥落。另外，变形例3所涉及的高频模块1c与变形例2所涉及的高频模块1b相比，异物不容易进入空间S1。因此，变形例3所涉及的高频模块1c与变形例2所涉及的高频模块1b相比，能够实现可靠性的提高。
(实施方式2)
参照图7及图8来说明实施方式2所涉及的高频模块1d和通信装置300d。关于实施方式2所涉及的高频模块1d及通信装置300d，对与实施方式1所涉及的高频模块1及通信装置300相同的结构要素，标注同一标记并省略说明。
实施方式2所涉及的高频模块1d在以下方面与实施方式1所涉及的高频模块1不同：取代实施方式1所涉及的高频模块1中的包括发送滤波器12B和接收滤波器22B的作为双工器的滤波器32B，具备作为互不相同的电路元件的发送滤波器12B和接收滤波器22B。另外，实施方式2所涉及的高频模块1d在以下方面与实施方式1所涉及的高频模块1不同：不具备实施方式1所涉及的高频模块1中的滤波器32C。
在实施方式2所涉及的高频模块1d中，如图8所示，发送滤波器12B配置于安装基板9的第一主面91，接收滤波器22B配置于安装基板9的第二主面92。由此，实施方式2所涉及的高频模块1d能够提高发送滤波器12B与接收滤波器22B的隔离度。
在实施方式2所涉及的高频模块1d中，发送滤波器12B与弹性波滤波器3(参照图3)同样地是具有封装构造的弹性波滤波器，接收滤波器22B与弹性波滤波器2(参照图3)同样地是裸芯片的弹性波滤波器。
实施方式2所涉及的高频模块1d与实施方式1所涉及的高频模块1同样地，配置于安装基板9的第二主面92的弹性波滤波器(接收滤波器22B)是裸芯片，因此能够在安装基板9的厚度方向D1上实现安装基板9的第二主面92侧的高度降低，从而能够实现高频模块1d整体的高度降低。
(实施方式3)
参照图9～图11来说明实施方式3所涉及的高频模块1e和通信装置300e。关于实施方式3所涉及的高频模块1e和通信装置300e，对与实施方式2所涉及的高频模块1d及通信装置300d相同的结构要素，标注同一标记并省略说明。
实施方式3所涉及的高频模块1e在以下方面与实施方式2所涉及的高频模块1d不同：取代实施方式2所涉及的高频模块1d中的包括发送滤波器12A和接收滤波器22A的作为双工器的滤波器32A，具备作为互不相同的电路元件的发送滤波器12A和接收滤波器22A。
实施方式3所涉及的高频模块1e如图10所示，2个发送滤波器12A及12B配置于安装基板9的第一主面91，2个接收滤波器22A及22B配置于安装基板9的第二主面92。由此，实施方式3所涉及的高频模块1e能够提高发送滤波器12A和发送滤波器12B中的各滤波器与2个接收滤波器22A及22B的隔离度。另外，在实施方式3所涉及的高频模块1e中，在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，发送滤波器12A与接收滤波器22B不重叠。由此，在实施方式3所涉及的高频模块1e中，能够提高发送滤波器12A与接收滤波器22B的隔离度。
在实施方式3所涉及的高频模块1e中，2个发送滤波器12A及12B中的各发送滤波器与弹性波滤波器3(参照图3)同样地是具有封装构造的弹性波滤波器，2个接收滤波器22A及22B中的各接收滤波器与弹性波滤波器2(参照图3)同样地是裸芯片的弹性波滤波器。由此，实施方式3所涉及的高频模块1e能够在安装基板9的厚度方向D1上实现安装基板9的第二主面92侧的高度降低，从而能够实现高频模块1e整体的高度降低。
(实施方式4)
参照图12及图13来说明实施方式4所涉及的高频模块1f。关于实施方式4所涉及的高频模块1f，对与实施方式1所涉及的高频模块1相同的结构要素，标注同一标记并省略说明。此外，实施方式4所涉及的高频模块1f例如被用来代替实施方式1所涉及的通信装置300的高频模块1。
实施方式4所涉及的高频模块1f在以下方面与实施方式1所涉及的高频模块1不同：不具备实施方式1所涉及的高频模块1中的树脂膜19。在实施方式4所涉及的高频模块1f中，树脂层102覆盖图3中示出的压电性基板200的外周面213。在实施方式4所涉及的高频模块1f中，空间S1被弹性波滤波器2、安装基板9的第二主面92以及树脂层102包围。
实施方式4所涉及的高频模块1f与实施方式1所涉及的高频模块1同样地，配置于安装基板9的第二主面92的弹性波滤波器2(参照图3)是裸芯片，因此能够在安装基板9的厚度方向D1上实现安装基板9的第二主面92侧的高度降低，从而能够实现高频模块1f整体的高度降低。
在实施方式4所涉及的高频模块1f中，树脂层102覆盖压电性基板200的外周面213。由此，实施方式4所涉及的高频模块1f能够抑制异物进入空间S1，能够抑制特性劣化。另外，在实施方式4所涉及的高频模块1f中，树脂层102还覆盖压电性基板200的第二主面212。由此，在实施方式4所涉及的高频模块1f中，能够实现可靠性的提高。
在实施方式4所涉及的高频模块1f中，如图13所示，凸块17的在安装基板9的厚度方向D1上的尺寸H2比弹性波滤波器3的端子318的在安装基板9的厚度方向D1上的尺寸H1小。由此，在实施方式4所涉及的高频模块1f中，在制造该高频模块时，在安装基板9的第二主面92上形成第二树脂层102时，成为第二树脂层102的原料的树脂不容易进入空间S1。
(其它变形例)
上述的实施方式1～4不过是本实用新型的各种实施方式之一。关于上述的实施方式1～4，只要能够达到本实用新型的目的，就能够根据设计等来进行各种变更。
例如，安装基板9也可以是部件内置基板。
另外，功率放大器11也可以不以倒装芯片的方式安装于安装基板9的第一主面91，而是取而代之地以利用接合线的安装方式安装于安装基板9的第一主面91。即，也可以是，功率放大器11通过利用芯片接合材料与安装基板9的第一主面91接合来配置(机械连接)于安装基板9的第一主面91，端子(焊盘电极)经由接合线来与安装基板9的第一主面91侧的导体图案层的导体部电连接。另外，弹性波滤波器2也可以不以倒装芯片的方式安装于安装基板9的第二主面92，而是取而代之地以利用接合线的安装方式安装于安装基板9的第二主面92。
另外，高频模块1也可以仅具有发送信号用的信号路径和接收信号用的信号路径中的发送信号用的信号路径。在该情况下，高频模块1例如也可以不用双工器构成多个滤波器32A～32C，而是取而代之地由多个发送滤波器12A～12C构成。
另外，多个滤波器32A～32C是利用声表面波的弹性波滤波器，但是不限于此，例如也可以是利用弹性界面波、板波等的弹性波滤波器。
在高频模块1中，配置于安装基板9的第一主面91的2个滤波器32A及32C不限于利用声表面波的弹性波滤波器，例如也可以是BAW(Bulk Acoustic Wave：体声波)滤波器。
(方式)
本说明书公开了以下的方式。
第一方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c；1d；1e；1f)具备安装基板(9)、电子部件、外部连接端子(8)以及弹性波滤波器(2)。安装基板(9)具有彼此相向的第一主面(91)和第二主面(92)。电子部件配置于安装基板(9)的第一主面(91)。外部连接端子(8)配置于安装基板(9)的第二主面(92)。弹性波滤波器(2)配置于安装基板(9)的第二主面(92)。弹性波滤波器(2)是裸芯片。
第一方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c；1d；1e；1f)能够实现在安装基板(9)的厚度方向(D1)上的高度降低。
第二方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c；1d；1e；1f)如下：在第一方式中，裸芯片的弹性波滤波器(2)具有压电性基板(200)、IDT电极(215)以及多个焊盘电极(216)。压电性基板(200)具有彼此相向的第一主面(211)和第二主面(212)。IDT电极(215)设置在压电性基板(200)的第一主面(211)上。多个焊盘电极(216)设置在压电性基板(200)的第一主面(211)上。高频模块(1；1a；1b；1c；1d；1e；1f)还具备多个凸块(17)。多个凸块(17)与多个焊盘电极(216)及安装基板(9)接合。IDT电极(215)配置于由多个焊盘电极(216)、多个凸块(17)、压电性基板(200)以及安装基板(9)在压电性基板(200)与安装基板(9)之间形成的空间(S1)内。
第二方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c；1d；1e；1f)能够实现在安装基板(9)的厚度方向(D1)上的高度降低。
第三方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c；1d；1e)如下：在第二方式中，还具备树脂膜(19)。树脂膜(19)配置于安装基板(9)的第二主面(92)。树脂膜(19)至少覆盖了压电性基板(200)的外周面(213)。空间(S1)被裸芯片的弹性波滤波器(2)、安装基板(9)的第二主面(92)以及树脂膜(19)包围。
第三方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c；1d；1e)能够抑制异物进入空间(S1)，从而能够抑制特性劣化。
在第四方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1d；1e)中，在第三方式中，树脂膜(19)覆盖了压电性基板(200)的第二主面(212)。
在第四方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1d；1e)中，能够实现可靠性的提高。
第五方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c；1d；1e)如下：在第三方式或第四方式中，还具备树脂层(102)。树脂层(102)配置于安装基板(9)的第二主面(92)。树脂层(102)覆盖了树脂膜(19)的至少一部分。
在第五方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c；1d；1e)中，能够进一步实现可靠性的提高。
第六方式所涉及的高频模块(1f)如下：在第二方式中，还具备树脂层(102)。树脂层(102)配置于安装基板(9)的第二主面(92)。树脂层(102)覆盖了压电性基板(200)的外周面(213)。空间(S1)被裸芯片的弹性波滤波器(2)、安装基板(9)的第二主面(92)以及树脂层(102)包围。
第六方式所涉及的高频模块(1f)能够抑制异物进入空间(S1)，从而能够抑制特性劣化。
在第七方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c；1d；1e；1f)中，在第一方式～第六方式中的任一个方式中，裸芯片的弹性波滤波器(2)包括接收滤波器(22B；22A、22B)。高频模块(1；1a；1b；1c；1d；1e；1f)还具备IC芯片(10)。IC芯片(10)配置于安装基板(9)的第二主面(92)。IC芯片(10)包括低噪声放大器(21)。低噪声放大器(21)对通过了接收滤波器(22B；22A、22B)的高频信号进行放大。
在第七方式所涉及的高频模块(1；1a；1b；1c；1d；1e；1f)中，能够使接收滤波器(22B；22A、22B)与低噪声放大器(21)之间的布线长度短。
在第八方式所涉及的高频模块(1；1a；1d；1e；1f)中，在第七方式中，第一距离(L1)比第二距离(L2)短。第一距离(L1)是安装基板(9)的第二主面(92)与裸芯片的弹性波滤波器(2)的同安装基板(9)侧相反的一侧的面之间的距离。第二距离(L2)是安装基板(9)的第二主面(92)与IC芯片(10)的同安装基板(9)侧相反的一侧的面之间的距离。
在第八方式所涉及的高频模块(1；1a；1d；1e；1f)中，能够实现在安装基板(9)的厚度方向(D1)上的高度降低。
第九方式所涉及的通信装置(300；300d；300e)具备：第一方式～第八方式中的任一个方式的高频模块(1；1a；1b；1c；1d；1e；1f)；以及信号处理电路(301)。信号处理电路(301)对在高频模块(1；1a；1b；1c；1d；1e；1f)的裸芯片的弹性波滤波器(2)中通过的高频信号进行信号处理。
在第九方式所涉及的通信装置(300；300d；300e)中，能够实现在安装基板(9)的厚度方向(D1)上的高度降低。

Claims (10)

1.一种高频模块，其特征在于，具备：
安装基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；
电子部件，其配置于所述安装基板的所述第一主面；
外部连接端子，其配置于所述安装基板的所述第二主面；以及
裸芯片的弹性波滤波器，其配置于所述安装基板的所述第二主面。
2.根据权利要求1所述的高频模块，其特征在于，
所述裸芯片的弹性波滤波器具有：
压电性基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；
叉指换能器电极，其设置在所述压电性基板的所述第一主面上；以及
多个焊盘电极，所述多个焊盘电极设置在所述压电性基板的所述第一主面上，
所述高频模块还具备与所述多个焊盘电极及所述安装基板接合的多个凸块，
所述叉指换能器电极配置于由所述多个焊盘电极、所述多个凸块、所述压电性基板以及所述安装基板在所述压电性基板与所述安装基板之间形成的空间内。
3.根据权利要求2所述的高频模块，其特征在于，
还具备树脂膜，该树脂膜配置于所述安装基板的所述第二主面，至少覆盖了所述压电性基板的外周面，
所述空间被所述裸芯片的弹性波滤波器、所述安装基板的所述第二主面以及所述树脂膜包围。
4.根据权利要求3所述的高频模块，其特征在于，
所述树脂膜覆盖了所述压电性基板的所述第二主面。
5.根据权利要求3所述的高频模块，其特征在于，
还具备树脂层，该树脂层配置于所述安装基板的所述第二主面，覆盖了所述树脂膜的至少一部分。
6.根据权利要求4所述的高频模块，其特征在于，
还具备树脂层，该树脂层配置于所述安装基板的所述第二主面，覆盖了所述树脂膜的至少一部分。
7.根据权利要求2所述的高频模块，其特征在于，
还具备树脂层，该树脂层配置于所述安装基板的所述第二主面，覆盖了所述压电性基板的外周面，
所述空间被所述裸芯片的弹性波滤波器、所述安装基板的所述第二主面以及所述树脂层包围。
8.根据权利要求1～7中的任一项所述的高频模块，其特征在于，
所述裸芯片的弹性波滤波器包括接收滤波器，
所述高频模块还具备集成电路芯片，该集成电路芯片配置于所述安装基板的所述第二主面，包括对通过所述接收滤波器后的高频信号进行放大的低噪声放大器。
9.根据权利要求8所述的高频模块，其特征在于，
所述安装基板的所述第二主面与所述裸芯片的弹性波滤波器的同所述安装基板侧相反的一侧的面之间的第一距离比所述安装基板的所述第二主面与所述集成电路芯片的同所述安装基板侧相反的一侧的面之间的第二距离短。
10.一种通信装置，其特征在于，具备：
根据权利要求1～9中的任一项所述的高频模块；以及
信号处理电路，其对在所述高频模块的所述裸芯片的弹性波滤波器中通过的高频信号进行信号处理。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6262513B1 (en) * 1995-06-30 2001-07-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Electronic component and method of production thereof
WO2009028683A1 (ja) * 2007-08-30 2009-03-05 Kyocera Corporation 電子部品
US9035721B2 (en) * 2008-07-30 2015-05-19 Kyocera Corporation Duplexer, communication module component, and communication device
WO2012105337A1 (ja) * 2011-01-31 2012-08-09 京セラ株式会社 分波器および通信用モジュール部品
US20180198436A1 (en) * 2016-12-07 2018-07-12 Skyworks Solutions, Inc. Radio-frequency package with overmold structure
KR102359559B1 (ko) 2016-12-14 2022-02-08 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 스위치 ic, 프론트 엔드 모듈 및 통신 장치
WO2019075450A1 (en) * 2017-10-15 2019-04-18 Skyworks Solutions, Inc. STACK ASSEMBLY WITH ELECTRO-ACOUSTIC DEVICE
US11528009B2 (en) * 2017-12-01 2022-12-13 Kyocera Corporation Acoustic wave filter, multiplexer, and communication apparatus
DE102018109540A1 (de) * 2018-04-20 2019-10-24 Otto-Von-Guericke-Universität Magdeburg Spule sowie Einrichtung zur drahtlosen Signalübertragung sowie ein Verfahren zur Herstellung einer derartigen Spule
JP6900947B2 (ja) * 2018-12-28 2021-07-14 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
WO2020179504A1 (ja) * 2019-03-07 2020-09-10 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
WO2020184613A1 (ja) * 2019-03-13 2020-09-17 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
CN114144976B (zh) * 2019-07-03 2023-08-25 株式会社村田制作所 高频模块和通信装置
WO2021039076A1 (ja) * 2019-08-29 2021-03-04 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
US10979087B1 (en) * 2019-09-20 2021-04-13 Murata Manufacturing Co., Ltd. Radio-frequency module and communication device
JP2021072570A (ja) * 2019-10-31 2021-05-06 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置

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