CN213585766U - 高频模块和通信装置 - Google Patents

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Abstract

提供一种高频模块和通信装置。高频模块具备安装基板、低噪声放大器、接收用滤波器以及输入匹配电路。低噪声放大器安装于安装基板。接收用滤波器与低噪声放大器连接。输入匹配电路设置于接收用滤波器与低噪声放大器之间的信号路径。输入匹配电路包括至少1个电感器。接收用滤波器配置在低噪声放大器上。输入匹配电路的电感器与低噪声放大器相邻。

Description

高频模块和通信装置
技术领域
本实用新型一般地说涉及一种高频模块和通信装置，更详细地说，涉及一种具备接收用滤波器和低噪声放大器的高频模块以及具备高频模块的通信装置。
背景技术
以往，已知一种具备接收用滤波器和低噪声放大器的高频模块(例如，参照专利文献1)。
专利文献1中记载的高频模块具备SAW滤波器(接收用滤波器)、低噪声放大器、以及如电感器这样的表面安装部件。在专利文献1中记载的高频模块中，SAW滤波器配置在安装基板上，低噪声放大器配置在SAW滤波器上。表面安装部件配置在安装基板上。在专利文献1中记载的高频模块中，使用线接合，来将如电感器这样的表面安装部件与配置在SAW滤波器上的低噪声放大器电连接。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：美国专利申请公开第2019/0115309号说明书
实用新型内容
实用新型要解决的问题
在专利文献1中记载的以往的高频模块中，如上所述，配置在安装基板上的电感器与配置在接收用滤波器上的低噪声放大器电连接。
因此，电感器与低噪声放大器之间的布线长度变长，容易在电感器与低噪声放大器之间产生寄生电容。由于产生上述寄生电容，在以往的高频模块中，有时低噪声放大器的NF(Noise Figure：噪声指数)变大。
本实用新型是鉴于上述情况而完成的实用新型，本实用新型的目的在于提供一种能够使低噪声放大器的NF小的高频模块和通信装置。
用于解决问题的方案
本实用新型的一个方式所涉及的高频模块具备安装基板、低噪声放大器、接收用滤波器以及输入匹配电路。所述低噪声放大器安装于所述安装基板。所述接收用滤波器与所述低噪声放大器连接。所述输入匹配电路设置于所述接收用滤波器与所述低噪声放大器之间的信号路径，包括至少1个电感器。所述接收用滤波器配置在所述低噪声放大器上。所述输入匹配电路的所述电感器与所述低噪声放大器相邻。
优选地，所述输入匹配电路包括多个所述电感器，多个所述电感器中的最接近所述低噪声放大器的电感器与所述低噪声放大器相邻。
优选地，所述安装基板具有彼此相向的第一主面和第二主面，所述高频模块还具备设置于所述安装基板的所述第二主面的外部连接端子，所述低噪声放大器、所述接收用滤波器以及所述电感器配置于所述安装基板的所述第二主面侧。
优选地，所述电感器配置在所述安装基板上。
优选地，所述电感器配置在所述低噪声放大器上。
优选地，所述高频模块还具备用于切换与天线连接的滤波器的第一开关、用于切换与所述输入匹配电路连接的滤波器的第二开关、以及用于切换与输出端子连接的低噪声放大器的第三开关中的至少1个开关，所述低噪声放大器和所述开关由1个芯片构成。
优选地，所述接收用滤波器是SAW滤波器或BAW滤波器。
优选地，所述低噪声放大器由SOI基板或SiGe基板形成。
优选地，所述电感器是表面安装部件或集成无源器件的至少一部分。
优选地，所述高频模块还具备发送用滤波器。
本实用新型的一个方式所涉及的通信装置具备所述高频模块和信号处理电路。所述信号处理电路对来自所述高频模块的接收信号进行处理。
实用新型的效果
根据本实用新型的上述方式所涉及的高频模块和通信装置，能够使低噪声放大器的NF小。
附图说明
图1是实施方式1所涉及的高频模块的平面图。
图2是同上的高频模块中的图1的X1-X1线截面图。
图3是实施方式1所涉及的通信装置的概要图。
图4A是实施方式1所涉及的高频模块的输入匹配电路的概要图。图4B是实施方式1的变形例1所涉及的高频模块的输入匹配电路的概要图。图4C是实施方式1的变形例2所涉及的高频模块的输入匹配电路的概要图。
图5是实施方式2所涉及的高频模块的截面图。
图6是实施方式3所涉及的高频模块的截面图。
图7是实施方式4所涉及的高频模块的截面图。
图8是实施方式4所涉及的通信装置的概要图。
图9是实施方式5所涉及的通信装置的概要图。
图10是实施方式6所涉及的高频模块的截面图。
具体实施方式
下面，参照附图来说明实施方式1～6所涉及的高频模块和通信装置。在下面的实施方式等中参照的图1、图2、图5～图7以及图10是示意性的图，图中的各结构要素的大小之比、厚度之比未必反映了实际的尺寸比。
(实施方式1)
(1)高频模块
参照附图来说明实施方式1所涉及的高频模块1的结构。
如图3所示，实施方式1所涉及的高频模块1具备功率放大器21、低噪声放大器22、发送用滤波器31以及接收用滤波器32。另外，高频模块1具备输出匹配电路41和输入匹配电路42。
如图1和图2所示，高频模块1还具备安装基板5、多个外部连接端子6以及第一树脂构件71。
如图3所示，高频模块1例如使用于通信装置8。通信装置8例如是如智能电话那样的便携式电话。此外，通信装置8不限定于是便携式电话，例如也可以是如智能手表那样的穿戴式终端等。高频模块1例如是能够支持4G(第四代移动通信)标准、5G(第五代移动通信)标准等的模块。4G标准例如是3GPP LTE标准(LTE：Long Term Evolution(长期演进))。5G标准例如是5G NR(New Radio：新空口)。高频模块1是能够支持载波聚合和双连接的模块。
高频模块1进行第一通信频段的通信。更详细地说，高频模块1发送第一通信频段的发送信号且接收第一通信频段的接收信号。
发送信号和接收信号例如是FDD(Frequency Division Duplex：频分双工)的信号。FDD是对无线通信中的发送和接收分配不同的频带来进行发送和接收的无线通信技术。此外，发送信号和接收信号不限定于FDD的信号，也可以是TDD(Time Division Duplex：时分双工)的信号。TDD是对无线通信中的发送和接收分配同一频带并按时间来切换地进行发送和接收的无线通信技术。
(2)高频模块的电路结构
下面，参照附图来说明实施方式1所涉及的高频模块1的电路结构。在此，说明发送信号和接收信号是FDD的信号的情况。
(2.1)功率放大器
图3所示的功率放大器21是对发送信号的振幅进行放大的放大器。功率放大器21设置于将天线端子61与输入端子62连结的发送路径T1中的输入端子62与输出匹配电路41之间。功率放大器21具有输入端子211和输出端子212。功率放大器21的输入端子211经由输入端子62来与外部电路(例如信号处理电路82)连接。输入端子62是将来自外部电路的高频信号(发送信号)输入到高频模块1的端子。功率放大器21的输出端子212与输出匹配电路41连接。
(2.2)低噪声放大器
图3所示的低噪声放大器22是使接收信号的振幅以低噪声放大的放大器。低噪声放大器22设置于接收路径T2中的输入匹配电路42与输出端子63之间。低噪声放大器22具有输入端子221和输出端子222。低噪声放大器22的输入端子221与输入匹配电路42连接，低噪声放大器22的输出端子222经由输出端子63来与外部电路(例如信号处理电路82)连接。输出端子63是将来自低噪声放大器22的高频信号(接收信号)向外部电路输出的端子。
(2.3)发送用滤波器
图3所示的发送用滤波器31是使发送信号通过的通信频段的发送用滤波器。更详细地说，发送用滤波器31设置于发送路径T1中的输出匹配电路41与天线端子61之间。发送用滤波器31使被功率放大器21放大后的高频信号中的上述通信频段的发送带的发送信号通过。
(2.4)接收用滤波器
图3所示的接收用滤波器32是使接收信号通过的通信频段的接收用滤波器。更详细地说，接收用滤波器32设置于将天线端子61与输出端子63连结的接收路径T2中的天线端子61与输入匹配电路42之间。通过接收路径T2将接收用滤波器32与低噪声放大器22连接。接收用滤波器32使从天线端子61输入的高频信号中的上述通信频段的接收带的接收信号通过。
(2.5)输出匹配电路
如图3所示，输出匹配电路41设置于功率放大器21与发送用滤波器31之间的信号路径。输出匹配电路41设置于发送路径T1中的功率放大器21的输出端子212与发送用滤波器31之间。输出匹配电路41是用于取得功率放大器21与发送用滤波器31之间的阻抗匹配的电路。
输出匹配电路41由多个电感器(未图示)和多个电容器(未图示)构成。此外，输出匹配电路41不限定于由多个电感器和多个电容器构成，例如，也可以仅由多个电感器构成，还可以仅由多个电容器构成。或者，输出匹配电路41也可以仅由1个电感器构成，还可以仅由1个电容器构成。
(2.6)输入匹配电路
如图3所示，输入匹配电路42设置于接收用滤波器32与低噪声放大器22之间的信号路径。输入匹配电路42设置于接收路径T2中的接收用滤波器32与低噪声放大器22的输入端子221之间。输入匹配电路42是用于取得接收用滤波器32与低噪声放大器22的阻抗匹配的电路。
如图4A所示，输入匹配电路42由1个电感器L1构成。此外，输入匹配电路42不限定于由1个电感器L1构成，例如也可以如图4B和图4C所示那样由多个电感器L1、L2构成，还可以由多个电感器和多个电容器构成。总之，输入匹配电路42包括至少1个电感器L1。
(3)高频模块的构造
下面，参照附图来说明实施方式1所涉及的高频模块1的构造。
如图1和图2所示，高频模块1具备安装基板5、多个电路元件、多个(在图示例中为6个)外部连接端子6、第一树脂构件71以及屏蔽层73。高频模块1具备功率放大器21、低噪声放大器22、发送用滤波器31、接收用滤波器32、输出匹配电路41以及输入匹配电路42作为多个电路元件。在图1和图2中，省略了多个电路元件中的除低噪声放大器22、接收用滤波器32以及输入匹配电路42的电感器L1以外的电路元件的图示。
高频模块1能够与外部基板(未图示)电连接。外部基板例如相当于便携式电话和通信设备等的主板。此外，高频模块1能够与外部基板电连接不仅包括高频模块1直接安装在外部基板上的情况，还包括高频模块1间接安装在外部基板上的情况。此外，高频模块1间接安装在外部基板上的情况是高频模块1被安装于在外部基板上安装的其它高频模块上的情况等。
(3.1)安装基板
如图1和图2所示，安装基板5具有第一主面51和第二主面52。第一主面51和第二主面52在安装基板5的厚度方向D1上彼此相向。在高频模块1设置于外部基板(未图示)时，第二主面52与外部基板相向。
安装基板5是多个电介质层层叠而成的多层基板。安装基板5具有多个导体图案部53和多个柱状电极54。多个导体图案部53包括被设定为地电位的导体图案部。多个柱状电极54使用于安装于第一主面51的电路元件与安装基板5的导体图案部53的电连接。另外，多个柱状电极54使用于安装于第一主面51的电路元件及安装基板5的导体图案部53与外部连接端子6的电连接。
(3.2)功率放大器
虽未在图1和图2中示出，但是功率放大器21配置于安装基板5的第一主面51。更详细地说，功率放大器21安装于安装基板5的第一主面51。此外，也可以是，功率放大器21的一部分安装于安装基板5的第一主面51，功率放大器21的剩余部分安装于安装基板5内。总之，功率放大器21配置于安装基板5的比第二主面52靠第一主面51侧的位置。
(3.3)输出匹配电路
虽未在图1和图2中示出，但是输出匹配电路41配置于安装基板5。如上所述，输出匹配电路41包括电感器(未图示)。输出匹配电路41的电感器例如是安装于安装基板5的第一主面51的芯片状的元件(芯片电感器)或者设置于安装基板5的导体图案部(布线电感器)。在输出匹配电路41中的电感器是芯片电感器的情况下，在从安装基板5的厚度方向D1俯视时，电感器的外周形状是四边形形状。
(3.4)发送用滤波器
虽未在图1和图2中示出，但是发送用滤波器31配置于安装基板5的第一主面51。更详细地说，发送用滤波器31安装于安装基板5的第一主面51。此外，也可以是，发送用滤波器31的一部分安装于安装基板5的第一主面51，发送用滤波器31的剩余部分安装于安装基板5内。总之，发送用滤波器31配置于安装基板5的比第二主面52靠第一主面51侧的位置。
发送用滤波器31例如是包括多个串联臂谐振器和多个并联臂谐振器的弹性波滤波器。弹性波滤波器例如是利用声表面波的SAW(Surface Acoustic Wave：声表面波)滤波器。并且，发送用滤波器31也可以包括与多个串联臂谐振器中的任一个串联臂谐振器串联或并联连接的电感器和电容器中的至少一方，还可以包括与多个并联臂谐振器中的任一个并联臂谐振器串联或并联连接的电感器或电容器。
(3.5)接收用滤波器
接收用滤波器32与发送用滤波器31同样地，例如是包括多个串联臂谐振器和多个并联臂谐振器的弹性波滤波器。弹性波滤波器例如是利用声表面波的SAW滤波器。并且，接收用滤波器32也可以包括与多个串联臂谐振器中的任一个串联臂谐振器串联或并联连接的电感器和电容器中的至少一方，还可以包括与多个并联臂谐振器中的任一个并联臂谐振器串联或并联连接的电感器或电容器。
(3.6)输入匹配电路
如图1和图2所示，输入匹配电路42配置于安装基板5的第一主面51。如上所述，输入匹配电路42包括电感器L1。输入匹配电路42的电感器L1是表面安装部件或集成无源器件的至少一部分。电感器L1例如是安装于安装基板5的第一主面51的芯片状的元件(芯片电感器)或者设置于安装基板5的导体图案部(布线电感器)。在图1和图2的例子中，输入匹配电路42的电感器L1安装于安装基板5的第一主面51。总之，输入匹配电路42配置于安装基板5的比第二主面52靠第一主面51侧的位置。在输入匹配电路42中的电感器L1是芯片电感器的情况下，在从安装基板5的厚度方向D1俯视时，电感器L1的外周形状是四边形形状。
(3.7)低噪声放大器
如图1和图2所示，低噪声放大器22配置于安装基板5的第一主面51。此外，也可以是，低噪声放大器22的一部分安装于安装基板5的第一主面51，低噪声放大器22的剩余部分安装于安装基板5内。总之，低噪声放大器22配置于安装基板5的第一主面51侧，并且至少具有安装于第一主面51的部分。
(3.8)外部连接端子
图1和图2所示的多个外部连接端子6是用于使安装基板5与外部基板(未图示)电连接的端子。多个外部连接端子6包括图3所示的天线端子61、输入端子62、输出端子63以及多个地电极64。多个地电极64是与通信装置8的电路基板的地电极电连接从而被提供地电位的端子。
多个外部连接端子6配置于安装基板5的第二主面52。多个外部连接端子6分别是焊盘电极。焊盘电极例如是四边形形状的电极。多个外部连接端子6的材料例如是金属(例如，铜、铜合金等)。
在高频模块1中，从增加向主板(外部基板)安装高频模块1的安装性、增加高频模块1的地电极的数量的观点等出发，设置有多个外部连接端子6。
(3.9)第一树脂构件
如图2所示，第一树脂构件71设置于安装基板5的第一主面51，覆盖配置于第一主面51的多个电路元件和第一主面51。第一树脂构件71具有确保配置于第一主面51的电路元件的机械强度(耐撞击性)和耐湿性等的可靠性的功能。也就是说，第一树脂构件71具有保护配置于第一主面51的电路元件的功能。第一树脂构件71也可以除了包含树脂以外还包含填料。
(3.10)屏蔽层
屏蔽层73覆盖了第一树脂构件71的主面711及外周面712以及安装基板5的外周面55。屏蔽层73的材料例如是金属。屏蔽层73与安装基板5的地层接触。由此，能够使屏蔽层73的电位与地层的电位相同。
(3.11)电路元件的配置关系
在安装基板5的第一主面51安装有功率放大器21、低噪声放大器22、发送用滤波器31、输出匹配电路41以及输入匹配电路42。
在实施方式1所涉及的高频模块1中，接收用滤波器32配置在低噪声放大器22上。更详细地说，接收用滤波器32在安装基板5的第一主面51侧配置于低噪声放大器22上。
接收用滤波器32通过多个凸块75来与低噪声放大器22接合。接收用滤波器32隔着低噪声放大器22安装于安装基板5。关于安装基板5的厚度方向D1上重叠的接收用滤波器32和低噪声放大器22，在从厚度方向D1俯视时，低噪声放大器22更大。此外，接收用滤波器32与低噪声放大器22的大小也可以是相同的大小。
输入匹配电路42中的电感器L1与低噪声放大器22相邻。电感器L1配置在安装基板5上。更详细地说，电感器L1安装于安装基板5的第一主面51。总之，电感器L1在安装基板5的第一主面51上与低噪声放大器22相邻。在此，“电感器L1与低噪声放大器22相邻”是指：电感器L1与低噪声放大器22以在电感器L1与低噪声放大器22之间不存在其它电路元件的状态彼此相邻。“电路元件”是指电路中具有任意的功能的元件，不仅包括配置在安装基板上的芯片部件，还包括由配置在安装基板上的导体图案部构成的元件。
在实施方式1所涉及的高频模块1中，接收用滤波器32与输入匹配电路42的电感器L1被布线部76等电连接。布线部76沿着低噪声放大器22的侧面设置。
另外，输入匹配电路42的电感器L1与低噪声放大器22被导体图案部53和柱状电极54电连接。通过导体图案部53和柱状电极54，能够使电感器L1与低噪声放大器22之间的寄生电容小。由此，根据实施方式1所涉及的高频模块1，能够使低噪声放大器22的NF(NoiseFigure：噪声指数)小。
另外，低噪声放大器22由SOI(Silicon On Insulator：绝缘体上的硅)基板或SiGe基板形成。根据上述，能够使噪声减少。
(4)高频模块的各结构要素的详细构造
(4.1)安装基板
图1和图2所示的安装基板5例如是印刷电路板、LTCC(Low Temperature Co-firedCeramics：低温共烧陶瓷)基板等。在此，安装基板5例如是包括多个电介质层和多个导体图案部53的多层基板。多个电介质层和多个导体图案部53在安装基板5的厚度方向D1上层叠。多个导体图案部53分别形成为规定图案。多个导体图案部53中的各导体图案部在与安装基板5的厚度方向D1正交的一个平面内包括1个或多个导体部。各导体图案部53的材料例如是铜。
安装基板5的第一主面51和第二主面52在安装基板5的厚度方向D1上相离，与安装基板5的厚度方向D1交叉。安装基板5的第一主面51例如与安装基板5的厚度方向D1正交，但是例如也可以包括导体部的侧面等来作为不与厚度方向D1正交的面。另外，安装基板5的第二主面52例如与安装基板5的厚度方向D1正交，但是例如也可以包括导体部的侧面等来作为不与厚度方向D1正交的面。另外，安装基板5的第一主面51和第二主面52也可以形成有细微的凹凸或凹部或凸部。
(4.2)滤波器
说明发送用滤波器31和接收用滤波器32的详细构造。在下面的说明中，将发送用滤波器31和接收用滤波器32不进行区分地设为滤波器。
滤波器是1个芯片的滤波器。在此，在滤波器中，例如，多个串联臂谐振器和多个并联臂谐振器分别由弹性波谐振器构成。在该情况下，滤波器例如具备基板、压电体层以及多个IDT电极(Interdigital Transducer：叉指换能器)。基板具有第一面和第二面。压电体层设置于基板的第一面。压电体层设置在低声速膜上。多个IDT电极设置在压电体层上。在此，低声速膜直接或间接地设置在基板上。另外，压电体层直接或间接地设置在低声速膜上。在低声速膜中传播的体波的声速比在压电体层中传播的体波的声速低。在基板中传播的体波的声速比在压电体层中传播的弹性波的声速高。压电体层的材料例如是钽酸锂。低声速膜的材料例如是氧化硅。基板例如是硅基板。例如，在将由IDT电极的电极指周期决定的弹性波的波长设为λ时，压电体层的厚度为3.5λ以下。低声速膜的厚度例如为2.0λ以下。
压电体层例如只要由钽酸锂、铌酸锂、氧化锌、氮化铝以及锆钛酸铅中的任一个形成即可。另外，低声速膜只要包含从由氧化硅、玻璃、氮氧化硅、氧化钽、在氧化硅中添加氟或碳或硼而得到的化合物构成的组中选择的至少1种材料即可。另外，基板只要包含从由硅、氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮化硅、蓝宝石、钽酸锂、铌酸锂、石英、矾土、氧化锆、堇青石、莫来石、滑石、镁橄榄石、氧化镁以及金刚石构成的组中选择的至少1种材料即可。
滤波器例如还具备间隔层和罩构件。间隔层和罩构件设置于基板的第一面。在从基板的厚度方向俯视时，间隔层包围多个IDT电极。在从基板的厚度方向俯视时，间隔层呈框状(矩形框状)。间隔层具有电绝缘性。间隔层的材料例如是环氧树脂、聚酰亚胺等合成树脂。罩构件呈平板状。在从基板的厚度方向俯视时，罩构件呈长方形状，但是不限于此，例如也可以呈正方形状。在滤波器中，在从基板的厚度方向俯视时，罩构件的外形尺寸与间隔层的外形尺寸大致相同。罩构件以在基板的厚度方向上与基板相向的方式配置于间隔层。罩构件在基板的厚度方向上与多个IDT电极重叠、并且在基板的厚度方向上与多个IDT电极相离。罩构件具有电绝缘性。罩构件的材料例如是环氧树脂、聚酰亚胺等合成树脂。滤波器具有由基板、间隔层以及罩构件包围出的空间。在滤波器中，气体进入空间。气体例如是空气、非活性气体(例如，氮气)等。多个端子从罩构件暴露出来。多个端子中的各端子例如是凸块。各凸块例如是焊锡凸块。各凸块不限于焊锡凸块，例如也可以是金凸块。
滤波器例如也可以包括插入安装在低声速膜与压电体层之间的贴合层。贴合层例如由树脂(环氧树脂、聚酰亚胺树脂)形成。另外，滤波器也可以在低声速膜与压电体层之间、压电体层上、以及低声速膜下中的任一处具备电介质膜。
另外，滤波器例如也可以具备插入安装在基板与低声速膜之间的高声速膜。在此，高声速膜直接或间接地设置在基板上。低声速膜直接或间接地设置在高声速膜上。压电体层直接或间接地设置在低声速膜上。在高声速膜中传播的体波的声速比在压电体层中传播的弹性波的声速高。在低声速膜中传播的体波的声速比在压电体层中传播的体波的声速低。
高声速膜由类金刚石、氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮化硅、硅、蓝宝石、钽酸锂、铌酸锂、石英等压电体、矾土、氧化锆、堇青石、莫来石、滑石、镁橄榄石等各种陶瓷、镁、金刚石、或者以上述各材料为主成分的材料、以上述各材料的混合物为主成分的材料形成。
关于高声速膜的厚度，由于高声速膜具有将弹性波限制在压电体层和低声速膜中的功能，因此期望的是高声速膜的厚度较厚。压电体基板也可以具有贴合层、电介质膜等来作为除高声速膜、低声速膜以及压电体层以外的其它膜。
多个串联臂谐振器和多个并联臂谐振器中的各谐振器不限于上述的弹性波谐振器，例如也可以是SAW谐振器或BAW(Bulk Acoustic Wave：体声波)谐振器。在此，SAW谐振器例如包括压电体基板以及设置在压电体基板上的IDT电极。关于滤波器，在利用SAW谐振器构成多个串联臂谐振器和多个并联臂谐振器中的各谐振器的情况下，在1个压电体基板上具有与多个串联臂谐振器一一对应的多个IDT电极以及与多个并联臂谐振器一一对应的多个IDT电极。压电体基板例如是钽酸锂基板、铌酸锂基板等。
(4.3)功率放大器
图3所示的功率放大器21例如是具备基板和放大功能部的1个芯片的IC。基板具有彼此相向的第一面和第二面。基板例如是砷化镓基板。放大功能部包括形成于基板的第一面的至少1个晶体管。放大功能部是具有对规定的频带的发送信号进行放大的功能的功能部。晶体管例如是HBT(Heterojunction Bipolar Transistor：异质结双极晶体管)。在功率放大器21中，来自控制器(未图示)的电源电压被施加于HBT的集电极-发射极之间。功率放大器21也可以除了包括放大功能部以外还包括例如直流截止用的电容器。功率放大器21例如以基板的第一面为安装基板5的第一主面51侧的方式以倒装芯片形式安装于安装基板5的第一主面51。在从安装基板5的厚度方向D1俯视时，功率放大器21的外周形状呈四边形形状。
(4.4)低噪声放大器
图1和图2所示的低噪声放大器22例如是具备基板和放大功能部的1个IC芯片。基板具有彼此相向的第一面和第二面。基板例如是硅基板。放大功能部形成于基板的第一面。放大功能部是具有对规定频带的接收信号进行放大的功能的功能部。低噪声放大器22例如以基板的第一面为安装基板5侧的方式以倒装芯片形式安装于安装基板5的第一主面51。在从安装基板5的厚度方向D1俯视时，低噪声放大器22的外周形状呈四边形形状。
(5)高频模块的制造方法
在高频模块1的制造方法中，例如，进行在安装基板5安装多个电路元件的第一工序。在第一工序中，进行在安装基板5的第一主面51安装多个电路元件的步骤，之后，进行在低噪声放大器22上配置接收用滤波器32的步骤。另外，在第一工序中，进行在安装基板5的第二主面52配置多个外部连接端子6的步骤。在第一工序中，安装基板5的第一主面51安装多个电路元件的步骤与在安装基板5的第二主面52配置多个外部连接端子6的步骤哪个先进行都可以。
在上述的第一工序之后进行第二工序。在第二工序中，进行以下步骤：形成覆盖安装基板5的第一主面51侧的多个电路元件的第一树脂构件71。
在上述的第二工序之后进行第三工序。在第三工序中，形成屏蔽层73。此外，也可以对具备多个安装基板5从而能够进行安装基板5的多连片处理(日语：多数個取り)的多连片基板进行第一工序和第二工序。在该情况下，例如只要在第二工序之后将多连片基板分离为各个安装基板5后进行第三工序即可。
此外，上述制造方法是高频模块1的制造方法的一例，也可以使用其它制造方法来制造高频模块1。
(6)通信装置
如图3所示，实施方式1所涉及的通信装置8具备高频模块1、天线81以及信号处理电路82。
(6.1)天线
天线81与高频模块1的天线端子61连接。天线81具有将从高频模块1输出的第一发送信号和第二发送信号以电波的形式进行辐射的发送功能以及将第一接收信号和第二接收信号以电波的形式从外部接收后输出到高频模块1的接收功能。
(6.2)信号处理电路
信号处理电路82包括RF信号处理电路83和基带信号处理电路84。信号处理电路82对发送信号和接收信号进行处理。
(6.2.1)RF信号处理电路
RF信号处理电路83例如是RFIC(Radio Frequency Integrated Circuit，射频集成电路)，对高频信号进行信号处理。RF信号处理电路83对从基带信号处理电路84输出的高频信号(发送信号)进行上变频等信号处理，并将进行了信号处理的高频信号输出到高频模块1。RF信号处理电路83对从高频模块1输出的高频信号(接收信号)进行下变频等信号处理，并将进行了信号处理的高频信号输出到基带信号处理电路84。
(6.2.2)基带信号处理电路
基带信号处理电路84例如是BBIC(Baseband Integrated Circuit：基带集成电路)，对来自信号处理电路82的外部的发送信号进行规定的信号处理。由基带信号处理电路84处理后的接收信号例如被用作用于图像显示的图像信号、或者被用作用于通话的声音信号。
(7)效果
在实施方式1所涉及的高频模块1中，低噪声放大器22安装于安装基板5，接收用滤波器32配置在低噪声放大器22上，并且输入匹配电路42的电感器L1与低噪声放大器22相邻。由此，能够使输入匹配电路42的电感器L1与低噪声放大器22之间的布线长度短，因此能够使电感器L1与低噪声放大器22之间难以产生寄生电容。其结果，能够使低噪声放大器22的NF(Noise Figure：噪声指数)小。
在实施方式1所涉及的高频模块1中，电感器L1配置在安装基板5上。由此，能够使高度比较高的电感器L1与低噪声放大器22相邻。
在实施方式1所涉及的高频模块1中，接收用滤波器32是SAW滤波器或BAW滤波器。由此，能够提高滤波器特性。
在实施方式1所涉及的高频模块1中，低噪声放大器22由SOI基板或SiGe基板形成。由此，能够使噪声减少。
实施方式1所涉及的高频模块1还具备发送用滤波器31。由此，通过形成不仅包括接收功能还包括发送功能的结构，能够实现小型化。
(8)变形例
下面，说明实施方式1的变形例。
作为实施方式1的变形例1，高频模块1也可以具备如图4B所示的输入匹配电路42A。图4B所示的输入匹配电路42A包括多个电感器L1、L2。电感器L1与电感器L2串联地设置于接收用滤波器32与低噪声放大器22之间的信号路径。
作为实施方式1的变形例2，高频模块1也可以具备如图4C所示的输入匹配电路42B。图4C所示的输入匹配电路42B包括多个电感器L1、L2。电感器L1设置于接收用滤波器32与低噪声放大器22之间的信号路径。电感器L2设置于接收用滤波器32与低噪声放大器22之间的信号路径上的节点同地之间的路径。更详细地说，电感器L2设置于在接收用滤波器32与电感器L1之间设置的节点同地之间的路径。
在变形例1、2所涉及的高频模块1中的各高频模块1中，多个电感器L1、L2中的最接近低噪声放大器22的电感器L1与低噪声放大器22相邻。由此，在输入匹配电路42A、42B具备多个电感器L1、L2的情况下，也能够使电感器L1与低噪声放大器22之间难以产生寄生电容。其结果，能够使低噪声放大器22的NF小。
输入匹配电路42也可以既包括电感器也包括电容器(未图示)。电容器例如是安装于安装基板5的第一主面51的芯片状的元件或包括安装于安装基板5内且彼此相向的2个导体图案部的结构。
高频模块1不限定于具备多个外部连接端子6，也可以仅具备1个外部连接端子6。高频模块1只要具备至少1个外部连接端子6即可。
安装基板5不限于是印刷电路板或LTCC基板的情况，例如也可以是HTCC(HighTemperature Co-fired Ceramics：高温共烧陶瓷)基板、部件内置基板等。
输出匹配电路41也可以既包括电感器也包括电容器(未图示)。电容器例如是安装于安装基板5的第一主面51的芯片状的元件或包括安装于安装基板5内且彼此相向的2个导体图案部的结构。总之，输出匹配电路41配置于安装基板5的比第二主面52靠第一主面51侧的位置，且至少具有安装于第一主面51的部分。输出匹配电路41中的电感器例如不限定于安装于安装基板5的第一主面51。
在上述的各变形例所涉及的高频模块1中，也起到与实施方式1所涉及的高频模块1同样的效果。
(实施方式2)
如图5所示，实施方式2所涉及的高频模块1a在以下方面与实施方式1所涉及的高频模块1(参照图2)不同：将贯通电极77使用于接收用滤波器32与输入匹配电路42的电感器L1之间的电连接。此外，关于实施方式2所涉及的高频模块1a，对其与实施方式1所涉及的高频模块1相同的结构要素，标注同一标记并省略说明。
(1)结构
在实施方式2所涉及的高频模块1a中，取代实施方式1的布线部76(参照图2)，使用如图5所示的贯通电极77来将接收用滤波器32与输入匹配电路42的电感器L1电连接。根据上述，能够使接收用滤波器32与电感器L1之间的信号路径短，因此能够使接收用滤波器32与电感器L1之间难以产生寄生电容。
另外，在高频模块1a中，取代实施方式1的布线部76(参照图2)，将另一贯通电极77使用于天线端子61与接收用滤波器32之间的电连接。根据上述，能够使天线端子61与接收用滤波器32之间的信号路径短，因此能够使天线端子61与接收用滤波器32之间难以产生寄生电容。
(2)效果
在实施方式2所涉及的高频模块1a中，能够使天线端子61与低噪声放大器22之间的信号路径上难以产生寄生电容。
(3)变形例
作为实施方式2的变形例1，高频模块1a也可以与实施方式1的变形例1同样地具备输入匹配电路42A(参照图4B)。
作为实施方式2的变形例2，高频模块1a也可以与实施方式1的变形例2同样地具备输入匹配电路42B(参照图4C)。
在上述的各变形例所涉及的高频模块1a中，也起到与实施方式2所涉及的高频模块1a同样的效果。
(实施方式3)
如图6所示，实施方式3所涉及的高频模块1b在以下方面与实施方式1所涉及的高频模块1(参照图2)不同：输入匹配电路42的电感器L1配置在低噪声放大器22上。此外，关于实施方式3所涉及的高频模块1b，对其与实施方式1所涉及的高频模块1相同的结构要素，标注同一标记并省略说明。
(1)结构
在实施方式3所涉及的高频模块1b中，输入匹配电路42的电感器L1配置在低噪声放大器22上。更详细地说，电感器L1在低噪声放大器22上与接收用滤波器32相邻地配置。根据上述，能够使电感器L1与低噪声放大器22之间的布线长度短，因此能够使电感器L1与低噪声放大器22之间的寄生电容小。由此，根据实施方式3所涉及的高频模块1b，能够使低噪声放大器22的NF小。此外，关于实施方式3的电感器L1，省略其与实施方式1的电感器L1(参照图2)相同的结构和功能的说明。
(2)效果
在实施方式3所涉及的高频模块1b中，输入匹配电路42的电感器L1配置在低噪声放大器22上。由此，能够使电感器L1与低噪声放大器22相邻，并且能够使安装基板5上的安装面积小。
(3)变形例
作为实施方式3的变形例1，高频模块1b也可以与实施方式1的变形例1同样地具备输入匹配电路42A(参照图4B)。
作为实施方式3的变形例2，高频模块1b也可以与实施方式1的变形例2同样地具备输入匹配电路42B(参照图4C)。
在上述的各变形例所涉及的高频模块1b中，也起到与实施方式3所涉及的高频模块1b同样的效果。
(实施方式4)
如图7所示，实施方式4所涉及的高频模块1c在以下方面与实施方式1所涉及的高频模块1(参照图2)不同：由1个芯片构成低噪声放大器22与开关。此外，关于实施方式4所涉及的高频模块1c，对其与实施方式1所涉及的高频模块1相同的结构要素，标注同一标记并省略说明。
(1)高频模块的电路结构
如图8所示，实施方式4所涉及的高频模块1c具备第一开关91、第二开关92以及开关94、95。
(1.1)第一开关
第一开关91是用于切换与天线81连接的滤波器的开关。第一开关91具有公共端子911和3个选择端子912～914。公共端子911与天线端子61连接。在天线端子61上连接天线81。选择端子912连接于发送用滤波器31A的输出端子与接收用滤波器32A的输入端子的连接点。选择端子913连接于发送用滤波器31B的输出端子与接收用滤波器32B的输入端子的连接点。选择端子914与发送接收用滤波器33连接。第一开关91例如是能够将3个选择端子912～914中的至少1个连接到公共端子911的开关。在此，第一开关91例如是能够进行一对一的连接和一对多的连接的开关。
第一开关91例如由信号处理电路82进行控制。第一开关91按照来自信号处理电路82的RF信号处理电路83的控制信号，来切换公共端子911与3个选择端子912～914的连接状态。第一开关91例如是开关IC(Integrated Circuit：集成电路)。
(1.2)第二开关
第二开关92是用于切换与输入匹配电路42连接的滤波器的开关。第二开关92具有公共端子921和3个选择端子922～924。公共端子921经由输入匹配电路42来与低噪声放大器22的输入端子221连接。选择端子922与接收用滤波器32A的输出端子连接。选择端子923与接收用滤波器32B的输出端子连接。选择端子924与开关95的选择端子953连接。第二开关92例如是能够将3个选择端子922～924中的至少1个连接到公共端子921的开关。在此，第二开关92例如是能够进行一对一的连接和一对多的连接的开关。
第二开关92例如由信号处理电路82进行控制。第二开关92按照来自信号处理电路82的RF信号处理电路83的控制信号，来切换公共端子921与3个选择端子922～924的连接状态。第二开关92例如是开关IC。
(1.3)开关
开关94是用于切换与输出匹配电路41连接的滤波器的开关。开关94具有公共端子941和3个选择端子942～944。公共端子941经由输出匹配电路41来与功率放大器21的输出端子212连接。选择端子942与发送用滤波器31A的输入端子连接。选择端子943与发送用滤波器31B的输入端子连接。选择端子944与开关95的选择端子952连接。开关94例如是能够将3个选择端子942～944中的至少1个连接到公共端子941的开关。在此，开关94例如是能够进行一对一的连接和一对多的连接的开关。
开关94例如由信号处理电路82进行控制。开关94按照来自信号处理电路82的RF信号处理电路83的控制信号，来切换公共端子941与3个选择端子942～944的连接状态。开关94例如是开关IC。
(1.4)开关
开关95具有公共端子951和2个选择端子952、953。公共端子951与发送接收用滤波器33的输入输出端子连接。选择端子952与开关94的选择端子944连接。选择端子953与第二开关92的选择端子924连接。在开关95中，2个选择端子952、953排他地与公共端子951连接。开关95例如由SPDT(Single Pole Double Throw：单刀双掷)型的开关构成。开关95例如是开关IC。
高频模块1具备开关95，因此例如能够通过TDD(Time Division Duplex)来准实现规定的频带的发送信号(发送用的高频信号)与规定的频带的接收信号(接收用的高频信号)的同时发送接收。在此，准实现是指发送信号的发送和接收信号的接收虽非同时，但是在能够视作同时的程度的短期间内进行的。
(2)高频模块的构造
在实施方式4所涉及的高频模块1c中，低噪声放大器22与第一开关91及第二开关92一起由1个芯片构成。换言之，由低噪声放大器22、第一开关91以及第二开关92构成了1个IC。
(3)效果
在实施方式4所涉及的高频模块1c中，低噪声放大器22和开关(第一开关91和第二开关92)由1个芯片构成。由此，能够实现高频模块1c的小型化。
(4)变形例
作为实施方式4的变形例1，低噪声放大器22也可以与第一开关91或第二开关92一起由1个芯片构成。总之，低噪声放大器22只要与第一开关91和第二开关92中的至少一方一起由1个芯片构成即可。
作为实施方式4的变形例2，高频模块1c也可以与实施方式1的变形例1同样地具备输入匹配电路42A(参照图4B)。
作为实施方式4的变形例3，高频模块1c也可以与实施方式1的变形例2同样地具备输入匹配电路42B(参照图4C)。
在上述的变形例所涉及的高频模块1c中，也起到与实施方式4所涉及的高频模块1c同样的效果。
(实施方式5)
如图9所示，实施方式5所涉及的高频模块1d在以下方面与实施方式4所涉及的高频模块1c(参照图8)不同：具备第三开关93。此外，关于实施方式5所涉及的高频模块1d，对其与实施方式4所涉及的高频模块1c相同的结构要素，标注同一标记并省略说明。
(1)高频模块的电路结构
如图9所示，实施方式5所涉及的高频模块1d具备第三开关93。
第三开关93是用于切换与输出端子63连接的低噪声放大器的开关。第三开关93具有公共端子931和2个选择端子932、933。公共端子931与输出端子63连接。选择端子932与低噪声放大器22的输出端子222连接。选择端子933与低噪声放大器23的输出端子232连接。第三开关93例如是能够将2个选择端子932、933中的任一个连接到公共端子931的开关。
第三开关93例如由信号处理电路82进行控制。第三开关93按照来自信号处理电路82的RF信号处理电路83的控制信号，来切换公共端子931与2个选择端子932、933的连接状态。第三开关93例如是开关IC(Integrated Circuit)。
(2)高频模块的构造
在实施方式5所涉及的高频模块1d中，低噪声放大器22与第一开关91、第二开关92d及第三开关93一起由1个芯片构成。换言之，低噪声放大器22、第一开关91、第二开关92d以及第三开关93构成了1个IC。
(3)效果
在实施方式5所涉及的高频模块1d中，低噪声放大器22、23和开关(第一开关91、第二开关92d以及第三开关93)由1个芯片构成。由此，能够实现高频模块1d的小型化。
(4)变形例
作为实施方式5的变形例1，低噪声放大器22也可以与第一开关91、第二开关92d一起由1个芯片构成。总之，低噪声放大器22只要与第一开关91和第二开关92d中的至少一方一起由1个芯片构成即可。
作为实施方式5的变形例2，高频模块1d也可以与实施方式1的变形例1同样地具备输入匹配电路42A(参照图4B)。
作为实施方式5的变形例3，高频模块1d也可以与实施方式1的变形例2同样地具备输入匹配电路42B(参照图4C)。
在上述的各变形例所涉及的高频模块1d中，也起到与实施方式5所涉及的高频模块1d同样的效果。
(实施方式6)
如图10所示，实施方式6所涉及的高频模块1e在以下方面与实施方式1所涉及的高频模块1(参照图2)不同：在安装基板5的两面配置有电路元件。此外，关于实施方式6所涉及的高频模块1e，对其与实施方式1所涉及的高频模块1相同的结构要素，标注同一标记并省略说明。
(1)高频模块的电路结构
在实施方式6所涉及的高频模块1e中，低噪声放大器22、接收用滤波器32以及电感器L1配置于安装基板5的第二主面52侧。此外，关于实施方式6的低噪声放大器22、接收用滤波器32以及电感器L1，省略它们与实施方式1的低噪声放大器22、接收用滤波器32以及电感器L1(参照图2)相同的结构和功能的说明。
(2)高频模块的构造
高频模块1e还具备第二树脂构件72。
(2.1)第二树脂构件
如图10所示，第二树脂构件72设置于安装基板5的第二主面52，覆盖配置于第二主面52的多个电路元件和第二主面52。第二树脂构件72具有确保配置于第二主面52的电路元件的机械强度(耐撞击性)和耐湿性等的可靠性的功能。也就是说，第二树脂构件72具有保护配置于第二主面52的电路元件的功能。第二树脂构件72也可以除了包含树脂以外还包含填料。第二树脂构件72的材料既可以是与第一树脂构件71的材料相同的材料，也可以是与第一树脂构件71的材料不同的材料。
(2.2)配置关系
在实施方式6所涉及的高频模块1e中，低噪声放大器22、接收用滤波器32以及电感器L1配置于安装基板5的第二主面52侧。另一方面，功率放大器21、电感器L3以及发送用滤波器31配置于安装基板5的第一主面51侧。
在实施方式6中，设置于发送信号用的信号路径的发送用滤波器31与设置于接收信号用的信号路径的低噪声放大器22相离地设置。由此，能够提高设置于发送信号用的信号路径的发送用滤波器31与设置于接收信号用的信号路径的低噪声放大器22的隔离度。
(3)效果
在实施方式6所涉及的高频模块1e中，低噪声放大器22、接收用滤波器32以及电感器L1配置于安装基板5的第二主面52侧。由此，能够将多个电路元件高效地安装到安装基板5。
(4)变形例
作为实施方式6的变形例1，多个外部连接端子6中的各外部连接端子6不限定于柱状电极，例如也可以是凸块构造的外部连接端子。在此，凸块例如呈球状。在该情况下，多个外部连接端子6分别是球形凸块。球形凸块的材料例如是金、铜、焊料等。
在变形例1中，多个外部连接端子6e与实施方式6同样地配置于安装基板5的第二主面52。其中，在变形例所涉及的高频模块1e中，能够省略第二树脂构件72(参照图10)。
作为实施方式6的变形例2，高频模块1e也可以与实施方式1的变形例1同样地具备输入匹配电路42A(参照图4B)。
作为实施方式6的变形例3，高频模块1e也可以与实施方式1的变形例2同样地具备输入匹配电路42B(参照图4C)。
在上述的各变形例所涉及的高频模块1e中，也起到与实施方式6所涉及的高频模块1e同样的效果。
(实施方式1～6的变形例)
作为实施方式1～6的变形例，在高频模块1、1a～1e中，发送用滤波器31和接收用滤波器32不限定于是SAW滤波器(声表面波滤波器)，也可以是SAW滤波器以外的滤波器。发送用滤波器31和接收用滤波器32例如也可以是使用BAW(Bulk Acoustic Wave：体声波)的弹性波滤波器(BAW滤波器)，还可以是LC谐振滤波器和电介质滤波器中的任一个。
根据变形例所涉及的高频模块1、1a～1e，即使接收用滤波器32是BAW滤波器，也能够与SAW滤波器的情况同样地提高滤波器特性。
另外，与发送用滤波器31和接收用滤波器32由LC滤波器构成的情况相比，在发送用滤波器31和接收用滤波器32由弹性波滤波器构成的情况下，能够提高通带附近的衰减特性。另外，与发送用滤波器31和接收用滤波器32由LC滤波器构成的情况相比，在发送用滤波器31和接收用滤波器32由弹性波滤波器构成的情况下，能够使中频段的Γ(反射系数)大。
高频模块1、1a～1e也可以具备基于来自信号处理电路82的控制信号来控制功率放大器21的功率放大器控制器。功率放大器控制器例如是具备具有彼此相向的第一主面和第二主面的基板以及形成于该基板的第一主面侧的控制功能部的芯片部件(IC芯片)。在此，基板例如是硅基板。
另外，功率放大器21的基板不限于镓砷基板，例如也可以是硅基板。在该情况下，功率放大器21所包括的晶体管不是HBT，而是双极晶体管。
第一开关91、第二开关92、第三开关93、开关94以及开关95各自的选择端子的数量只要是多个即可，不限于例示的数量。
以上说明的实施方式和变形例不过是本实用新型的各种实施方式和变形例的一部分。另外，实施方式和变形例只要能够实现本实用新型的目的，则能够根据设计等来进行各种变更。
(方式)
本说明书公开了以下的方式。
第一个方式所涉及的高频模块(1；1a～1e)具备安装基板(5)、低噪声放大器(22；23)、接收用滤波器(32；32A、32B)以及输入匹配电路(42；43)。低噪声放大器(22；23)安装于安装基板(5)。接收用滤波器(32；32A、32B)与低噪声放大器(22；23)连接。输入匹配电路(42；43)设置于接收用滤波器(32；32A、32B)与低噪声放大器(22；23)之间的信号路径。输入匹配电路(42；43)包括至少1个电感器(L1)。接收用滤波器(32；32A、32B)配置在低噪声放大器(22；23)上。输入匹配电路(42；43)的电感器(L1)与低噪声放大器(22；23)相邻。
根据第一方式所涉及的高频模块(1；1a～1e)，能够使输入匹配电路(42；43)的电感器(L1)与低噪声放大器(22；23)之间的布线长度短，因此能够使电感器(L1)与低噪声放大器(22；23)之间难以产生寄生电容。其结果，能够使低噪声放大器(22；23)的NF(NoiseFigure：噪声指数)小。
在第二方式所涉及的高频模块(1；1a～1e)中，在第一方式中，输入匹配电路(42；43)包括多个电感器(L1、L2)。多个电感器(L1、L2)中的最接近低噪声放大器(22；23)的电感器(L1)与低噪声放大器(22；23)相邻。
根据第二方式所涉及的高频模块(1；1a～1e)，即使在输入匹配电路(42；43)具备多个电感器(L1、L2)的情况下，也能够使电感器(L1)与低噪声放大器(22；23)之间难以产生寄生电容。其结果，能够使低噪声放大器(22；23)的NF小。
在第三方式所涉及的高频模块(1e)中，在第一方式或第二方式中，安装基板(5)具有彼此相向的第一主面(51)和第二主面(52)。高频模块(1e)还具备外部连接端子(6e)。外部连接端子(6e)设置于安装基板(5)的第二主面(52)。低噪声放大器(22；23)、接收用滤波器(32；32A、32B)以及电感器(L1)配置于安装基板(5)的第二主面(52)侧。
根据第三方式所涉及的高频模块(1e)，能够高效地将多个电路元件安装到安装基板(5)。
在第四方式所涉及的高频模块(1；1a；1c～1e)中，在第一方式～第三方式中的任一个方式中，电感器(L1)配置在安装基板(5)上。
根据第四方式所涉及的高频模块(1；1a；1c～1e)，能够使高度比较高的电感器(L1)与低噪声放大器(22；23)相邻。
在第五方式所涉及的高频模块(1b)中，在第一方式～第三方式中的任一个方式中，电感器(L1)配置在低噪声放大器(22；23)上。
根据第五方式所涉及的高频模块(1b)，能够使电感器(L1)与低噪声放大器(22；23)相邻，并且使安装基板(5)上的安装面积小。
在第六方式所涉及的高频模块(1c；1d)中，在第一方式～第五方式中的任一个方式中，还具备第一开关(91)、第二开关(92；92d)以及第三开关(93)中的至少1个开关。第一开关(91)用于切换与天线(81)连接的滤波器。第二开关(92；92d)用于切换与输入匹配电路(42；43)连接的滤波器。第三开关(93)用于切换与输出端子(63)连接的低噪声放大器。低噪声放大器(22；23)和上述开关由1个芯片构成。
根据第六方式所涉及的高频模块(1c；1d)，能够实现高频模块(1c；1d)的小型化。
在第七方式所涉及的高频模块(1；1a～1e)中，在第一方式～第六方式中的任一个方式中，接收用滤波器(32；32A、32B)是SAW滤波器或BAW滤波器。
根据第七方式所涉及的高频模块(1；1a～1e)，能够提高滤波器特性。
在第八方式所涉及的高频模块(1；1a～1e)中，在第一方式～第七方式中的任一个方式中，低噪声放大器(22；23)由SOI基板或SiGe基板形成。
根据第八方式所涉及的高频模块(1；1a～1e)，能够使噪声减少。
在第九方式所涉及的高频模块(1；1a～1e)中，在第一方式～第八方式中的任一个方式中，电感器(L1)是表面安装部件或集成无源器件的至少一部分。
第十方式所涉及的高频模块(1；1a～1e)如下：在第一方式～第九方式中的任一个方式中，还具备发送用滤波器(31；31A、31B)。
根据第十方式所涉及的高频模块(1；1a～1e)，通过形成不仅包括接收功能还包括发送功能的结构，能够实现小型化。
第十一方式所涉及的通信装置(8；8c；8d)具备第一方式～第十方式中的任一个方式的高频模块(1；1a～1e)和信号处理电路(82)。信号处理电路(82)对来自高频模块(1；1a～1e)的接收信号进行处理。
根据第十一方式所涉及的通信装置(8；8c；8d)，在高频模块中，能够使输入匹配电路(42；43)的电感器(L1)与低噪声放大器(22；23)之间的布线长度短，因此能够使电感器(L1)与低噪声放大器(22；23)之间难以产生寄生电容。其结果，能够使低噪声放大器(22；23)的NF小。

Claims (11)

1.一种高频模块，其特征在于，具备：
安装基板；
低噪声放大器，其安装于所述安装基板；
接收用滤波器，其与所述低噪声放大器连接；以及
输入匹配电路，其设置于所述接收用滤波器与所述低噪声放大器之间的信号路径，包括至少1个电感器，
其中，所述接收用滤波器配置在所述低噪声放大器上，
所述输入匹配电路的所述电感器与所述低噪声放大器相邻。
2.根据权利要求1所述的高频模块，其特征在于，
所述输入匹配电路包括多个所述电感器，
多个所述电感器中的最接近所述低噪声放大器的电感器与所述低噪声放大器相邻。
3.根据权利要求1或2所述的高频模块，其特征在于，
所述安装基板具有彼此相向的第一主面和第二主面，
所述高频模块还具备设置于所述安装基板的所述第二主面的外部连接端子，
所述低噪声放大器、所述接收用滤波器以及所述电感器配置于所述安装基板的所述第二主面侧。
4.根据权利要求1或2所述的高频模块，其特征在于，
所述电感器配置在所述安装基板上。
5.根据权利要求1或2所述的高频模块，其特征在于，
所述电感器配置在所述低噪声放大器上。
6.根据权利要求1或2所述的高频模块，其特征在于，
还具备用于切换与天线连接的滤波器的第一开关、用于切换与所述输入匹配电路连接的滤波器的第二开关、以及用于切换与输出端子连接的低噪声放大器的第三开关中的至少1个开关，
所述低噪声放大器和所述开关由1个芯片构成。
7.根据权利要求1或2所述的高频模块，其特征在于，
所述接收用滤波器是SAW滤波器或BAW滤波器。
8.根据权利要求1或2所述的高频模块，其特征在于，
所述低噪声放大器由SOI基板或SiGe基板形成。
9.根据权利要求1或2所述的高频模块，其特征在于，
所述电感器是表面安装部件或集成无源器件的至少一部分。
10.根据权利要求1或2所述的高频模块，其特征在于，
还具备发送用滤波器。
11.一种通信装置，其特征在于，具备：
根据权利要求1～10中的任一项所述的高频模块；以及
信号处理电路，其对来自所述高频模块的接收信号进行处理。
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