CN213990660U - 高频模块和通信装置 - Google Patents

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Abstract

提供一种高频模块和通信装置。在高频模块(1)中，第一电感器(45A)配置于安装基板(5)的第一主面(51)，设置于第一频率的第一接收信号所通过的第一接收路径上的、第一低噪声放大器(2A)的输入侧。第二电感器(45B)配置于第一主面(51)，设置于比第一频率低的第二频率的第二接收信号所通过的第二接收路径上的、第二低噪声放大器(2B)的输入侧。高频部件配置于第一电感器(45A)与第二电感器(45B)之间。第一电感器(45A)与屏蔽层(83)之间的距离(L1)比第二电感器(45B)与屏蔽层(83)之间的距离(L2)长。在安装基板(5)的厚度方向上，第一电感器(45A)与第一低噪声放大器(2A)重叠。

Description

高频模块和通信装置
技术领域
本实用新型一般地说涉及一种高频模块和通信装置，更详细地说，涉及一种具备多个低噪声放大器的高频模块以及具备高频模块的通信装置。
背景技术
专利文献1公开了具备多个放大电路(低噪声放大器)的前端模块(高频模块)(例如，参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2018/110393号
实用新型内容
实用新型要解决的问题
另外，在以往的高频模块中，在以覆盖配置于安装基板的多个部件的方式设置了屏蔽层的情况下，在频率高的频段，电感器接近屏蔽层，由此电感器的Q值劣化。另外，在频率高的频段，电感器与低噪声放大器的布线长度变长。因此，存在噪声指数(Noise Figure：NF)变大的问题。
本实用新型是鉴于上述情况而完成的实用新型，本实用新型的目的在于提供一种能够使噪声指数(Noise Figure：NF)得以改善的高频模块和通信装置。
用于解决问题的方案
本实用新型的一个方式所涉及的高频模块具备安装基板、外部连接端子、第一低噪声放大器、第二低噪声放大器、第一电感器、第二电感器、至少1个高频部件、开关以及屏蔽层。所述安装基板具有彼此相向的第一主面和第二主面。所述外部连接端子配置于所述安装基板的所述第二主面。所述第一低噪声放大器配置于所述安装基板的所述第二主面，设置于第一频率的第一接收信号所通过的第一接收路径。所述第二低噪声放大器配置于所述安装基板的所述第二主面，设置于比所述第一频率低的第二频率的第二接收信号所通过的第二接收路径。所述第一电感器配置于所述安装基板的所述第一主面，设置于所述第一接收路径上的、所述第一低噪声放大器的输入侧。所述第二电感器配置于所述安装基板的所述第一主面，设置于所述第二接收路径上的、所述第二低噪声放大器的输入侧。所述高频部件配置于所述安装基板的所述第一主面上的、所述第一电感器与所述第二电感器之间。所述开关能够将所述第一接收路径和所述第二接收路径同时连接到天线端子。所述屏蔽层覆盖所述第一低噪声放大器、所述第二低噪声放大器、所述第一电感器、所述第二电感器以及所述高频部件。在所述第一电感器、所述高频部件及所述第二电感器排列的方向上，所述第一电感器与所述屏蔽层之间的距离比所述第二电感器与所述屏蔽层之间的距离长。在所述安装基板的厚度方向上，所述第一电感器与所述第一低噪声放大器重叠。
本实用新型的一个方式所涉及的高频模块具备安装基板、外部连接端子、第一低噪声放大器、第二低噪声放大器、第一电感器、第二电感器、至少1个高频部件以及屏蔽层。所述安装基板具有彼此相向的第一主面和第二主面。所述外部连接端子配置于所述安装基板的所述第二主面。所述第一低噪声放大器配置于所述安装基板的所述第二主面，设置于第一频率的第一接收信号所通过的第一接收路径。所述第二低噪声放大器配置于所述安装基板的所述第二主面，设置于比所述第一频率低的第二频率的第二接收信号所通过的、与所述第一接收路径同时使用的第二接收路径。所述第一电感器配置于所述安装基板的所述第一主面，设置于所述第一接收路径上的、所述第一低噪声放大器的输入侧。所述第二电感器配置于所述安装基板的所述第一主面，设置于所述第二接收路径上的、所述第二低噪声放大器的输入侧。所述高频部件配置于所述安装基板的所述第一主面上的、所述第一电感器与所述第二电感器之间。所述屏蔽层覆盖所述第一低噪声放大器、所述第二低噪声放大器、所述第一电感器、所述第二电感器以及所述高频部件。在所述第一电感器、所述高频部件及所述第二电感器排列的方向上，所述第一电感器与所述屏蔽层之间的距离比所述第二电感器与所述屏蔽层之间的距离长。在所述安装基板的厚度方向上，所述第一电感器与所述第一低噪声放大器重叠。
优选地，在从所述安装基板的所述厚度方向俯视时，所述第一电感器和所述第二电感器配置于比所述高频部件靠所述安装基板的端侧的位置。
优选地，作为所述高频部件，具备：第一接收滤波器，其使所述第一接收信号通过；以及第二接收滤波器，其使所述第二接收信号通过。
优选地，作为所述高频部件，具备：多个接收滤波器；以及电感器，其在所述第一接收路径和所述第二接收路径上设置于能够将所述第一接收路径及所述第二接收路径同时连接到天线端子的开关与所述多个接收滤波器之间，所述电感器配置于所述多个接收滤波器之间。
优选地，所述高频模块还具备与所述第一低噪声放大器及所述第二低噪声放大器不同的其它元件，所述其它元件、所述第一低噪声放大器以及所述第二低噪声放大器由1个芯片构成，所述其它元件配置于所述芯片内的、所述第一低噪声放大器与所述第二低噪声放大器之间。
本实用新型的一个方式所涉及的通信装置具备所述高频模块和信号处理电路。所述信号处理电路对来自所述高频模块的信号进行处理。
实用新型的效果
根据本实用新型的上述方式所涉及的高频模块和通信装置，能够使噪声指数(NF)得以改善。
附图说明
图1是实施方式1所涉及的高频模块的俯视图。
图2是同上的高频模块中的图1的X1-X1截面图。
图3是实施方式1所涉及的通信装置的概要图。
图4是实施方式2所涉及的高频模块的俯视图。
图5是实施方式3所涉及的高频模块的主要部分的俯视图。
图6是实施方式4所涉及的高频模块的主要部分的俯视图。
图7是实施方式4的变形例所涉及的高频模块的主要部分的俯视图。
具体实施方式
下面，参照附图来说明实施方式1～4所涉及的高频模块和通信装置。在下面的实施方式等中参照的图1、图2及图4～图7是示意性的图，图中的各结构要素的大小之比、厚度之比未必反映了实际的尺寸比。
(实施方式1)
(1)高频模块
参照附图来说明实施方式1所涉及的高频模块1的结构。
如图3所示，实施方式1所涉及的高频模块1具备多个(在图示例中为2个)低噪声放大器2和多个(在图示例中为2个)接收滤波器3。并且，高频模块1具备多个(在图示例中为2个)匹配电路42、多个(在图示例中为2个)匹配电路43、匹配电路44、多个外部连接端子6、以及开关7。另外，如图1和图2所示，高频模块1具备安装基板5、第一树脂构件81、第二树脂构件82以及屏蔽层83。
如图3所示，高频模块1例如使用于通信装置9。通信装置9例如是如智能电话那样的便携式电话。此外，通信装置9不限定于是便携式电话，例如也可以是如智能手表那样的穿戴式终端等。
高频模块1例如是能够支持4G(第四代移动通信)标准、5G(第五代移动通信)标准等的模块。4G标准例如是3GPP LTE标准(LTE：Long Term Evolution(长期演进))。5G标准例如是5G NR(New Radio：新空口)。高频模块1是能够支持载波聚合和双连接的模块。
高频模块1进行多个通信频段的通信。更详细地说，高频模块1接收多个通信频段各自的接收信号。具体地说，高频模块1进行第一通信频段的通信和第二通信频段的通信。更详细地说，高频模块1接收第一通信频段的接收信号和第二通信频段的接收信号。
高频模块1具有多个(在图示例中为2个)接收路径T2以接收多个通信频段的接收信号。多个接收路径T2包括第一接收路径T21和第二接收路径T22。第一通信频段(第一频率)的第一接收信号通过第一接收路径T21，第二通信频段(第二频率)的第二接收信号通过第二接收路径T22。在此，第二通信频段(第二频率)比第一通信频段(第一频率)低。
在高频模块1中，第一接收路径T21与第二接收路径T22是同时使用的路径。也就是说，在高频模块1中，第一接收路径T21和第二接收路径T22是能够支持载波聚合和双连接的模块。
接收信号例如是FDD(Frequency Division Duplex：频分双工)的信号。FDD是对无线通信中的发送和接收分配不同的频带来进行发送和接收的无线通信技术。此外，接收信号不限定于FDD的信号，也可以是TDD(Time Division Duplex：时分双工)的信号。TDD是对无线通信中的发送和接收分配同一频带并按时间切换地进行发送和接收的无线通信技术。
(2)高频模块的电路结构
下面，参照附图来说明实施方式1所涉及的高频模块1的电路结构。在此，说明接收信号是FDD的信号的情况。
(2.1)低噪声放大器
图3所示的多个低噪声放大器2中的各低噪声放大器是使接收信号的振幅以低噪声放大的放大器。各低噪声放大器2设置于将后述的天线端子61与后述的输出端子62连结的接收路径T2中的匹配电路42与输出端子62之间。各低噪声放大器2经由输出端子62来与外部电路(例如信号处理电路92)连接。
多个低噪声放大器2包括第一低噪声放大器2A和第二低噪声放大器2B。第一低噪声放大器2A设置于第一接收路径T21，第二低噪声放大器2B设置于第二接收路径T22。
(2.2)接收滤波器
图3所示的多个接收滤波器3中的各接收滤波器是使接收信号通过的通信频段的接收滤波器。各接收滤波器3设置于将天线端子61与输出端子62连结的接收路径T2中的天线端子61与匹配电路42之间。各接收滤波器3通过接收路径T2来与低噪声放大器2连接。各接收滤波器3使从天线端子61输入的高频信号中的上述通信频段的接收带的接收信号通过。
多个接收滤波器3包括第一接收滤波器3A、第一接收滤波器3C(参照图1)、第二接收滤波器3B以及第二接收滤波器3D(参照图1)。第一接收滤波器3A设置于第一接收路径T21，第二接收滤波器3B设置于第二接收路径T22。
(2.3)匹配电路
如图3所示，多个匹配电路42中的各匹配电路设置于接收路径T2中的接收滤波器3与低噪声放大器2之间。各匹配电路42是用于取得接收滤波器3与低噪声放大器2的阻抗匹配的电路。
多个匹配电路42包括第一匹配电路42A、第二匹配电路42B、第三匹配电路(未图示)以及第四匹配电路(未图示)。第一匹配电路42A设置于第一接收路径T21，第二匹配电路42B设置于第二接收路径T22。
多个匹配电路42分别是包括电感器45的结构。第一匹配电路42A包括第一电感器45A。第一电感器45A设置于第一接收路径T21上的、第一低噪声放大器2A的输入侧。第二匹配电路42B包括第二电感器45B。第二电感器45B设置于第二接收路径T22上的、第二低噪声放大器2B的输入侧。第三匹配电路包括第一电感器45C(参照图1)。第一电感器45C设置于第一低噪声放大器的输入侧。第四匹配电路包括第二电感器45D(参照图1)。第二电感器45D设置于第二低噪声放大器的输入侧。此外，各匹配电路42不限定于是包括1个电感器45的结构，例如，也可以是包括多个电感器的结构，该多个电感器包括电感器45，还可以是包括多个电感器和多个电容器的结构，该多个电感器包括电感器45。总之，各匹配电路42至少包括1个电感器45。
如图3所示，多个匹配电路43中的各匹配电路设置于接收路径T2中的开关7与接收滤波器3之间。
多个匹配电路43包括第一匹配电路43A、第二匹配电路43B、第三匹配电路(未图示)以及第四匹配电路(未图示)。第一匹配电路43A设置于第一接收路径T21，第二匹配电路43B设置于第二接收路径T22。
多个匹配电路43分别是包括电感器46的结构。第一匹配电路43A包括电感器46A。电感器46A设置于第一接收路径T21上的、开关7与第一接收滤波器3A之间。第二匹配电路43B包括电感器46B。电感器46B设置于第二接收路径T22上的、开关7与第二接收滤波器3B之间。第三匹配电路包括电感器46C(参照图1)。电感器46C设置于开关7与第一接收滤波器3C(参照图1)之间。第四匹配电路包括电感器46D。电感器46D设置于开关7与第二接收滤波器3D(参照图1)之间。各匹配电路43的电感器46例如设置于接收路径T2上的节点与地之间。此外，各匹配电路43不限定于是包括1个电感器46的结构，例如，也可以是包括多个电感器的结构，该多个电感器包括电感器46，还可以是包括多个电感器和多个电容器的结构，该多个电感器包括电感器46。总之，各匹配电路43至少包括1个电感器46。
如图3所示，匹配电路44设置于天线端子61与开关7之间。匹配电路44是例如包括1个电感器47的结构。
电感器47例如设置于天线端子61与开关7之间的路径上的节点同地之间。此外，匹配电路44不限定于是包括1个电感器47的结构，例如也可以是包括多个电感器的结构，还可以是包括多个电感器和多个电容器的结构。
(2.4)开关
如图3所示，开关7是对与后述的天线91连接的路径(接收路径T2)进行切换的开关。开关7具有公共端子71和2个选择端子72、73。公共端子71与后述的天线端子61连接。选择端子72与第一匹配电路43A连接。选择端子73与第二匹配电路43B连接。
开关7是能够将2个选择端子72、73连接到公共端子71的开关。开关7是能够进行一对多的连接的直接映射开关(direct mapping switch)。开关7是能够将第一接收路径T21和第二接收路径T22同时连接到天线端子61的开关。开关7例如由信号处理电路92进行控制。更详细地说，开关7按照来自信号处理电路92的RF信号处理电路93的控制信号来切换公共端子71与2个选择端子72、73的连接状态。
(2.5)外部连接端子
如图3所示，多个外部连接端子6包括天线端子61和多个(在图示例中为2个)输出端子62。天线端子61是用于连接后述的天线91的端子。多个输出端子62与后述的信号处理电路92连接。多个输出端子62中的各输出端子是将来自低噪声放大器2的高频信号(接收信号)输出到外部电路(例如信号处理电路92)的端子。多个输出端子62包括第一输出端子621和第二输出端子622。第一输出端子621与第一低噪声放大器2A的输出侧连接，第二输出端子622与第二低噪声放大器2B的输出侧连接。
(3)高频模块的构造
下面，参照附图来说明实施方式1所涉及的高频模块1的构造。
如图1和图2所示，高频模块1具备安装基板5和多个电路元件。作为多个电路元件，高频模块1具备多个(在图示例中为2个)低噪声放大器2、多个(在图示例中为4个)接收滤波器3、多个(在图示例中为4个)电感器45(多个匹配电路42)、多个(在图示例中为4个)电感器46(多个匹配电路43)、以及开关7。在图2中，多个电路元件中的第一低噪声放大器2A、第二低噪声放大器2B以及开关7由1个芯片构成。
高频模块1能够与外部基板(未图示)电连接。外部基板例如相当于便携式电话和通信设备等的主板。此外，关于高频模块1能够与外部基板电连接，不仅包括高频模块1直接安装在外部基板上的情况，也包括高频模块1间接安装在外部基板上的情况。此外，高频模块1间接安装在外部基板上的情况是高频模块1被安装于在外部基板上安装的其它高频模块上的情况等。
(3.1)安装基板
如图1和图2所示，安装基板5具有第一主面51和第二主面52。第一主面51与第二主面52在安装基板5的厚度方向上彼此相向。在高频模块1设置于外部基板(未图示)时，第二主面52与外部基板相向。
安装基板5是多个电介质层层叠而成的多层基板。安装基板5具有多个导体图案部和多个柱状电极。多个导体图案部包括被设定为地电位的导体图案部。在图2的例子中，地层54相当于被设定为地电位的导体图案部。多个柱状电极使用于安装于第一主面51的电路元件与安装基板5的导体图案部的电连接。另外，多个柱状电极使用于安装于第一主面51的电路元件及安装基板5的导体图案部与外部连接端子6的电连接。
(3.2)接收滤波器
多个接收滤波器3例如是包括多个串联臂谐振器和多个并联臂谐振器的弹性波滤波器。弹性波滤波器例如是利用声表面波的SAW(Surface Acoustic Wave：声表面波)滤波器。并且，各接收滤波器3也可以包括与多个串联臂谐振器中的任一个串联臂谐振器串联或并联连接的电感器和电容器中的至少一方，还可以包括与多个并联臂谐振器中的任一个并联臂谐振器串联或并联连接的电感器或电容器。
(3.3)匹配电路
如图1和图2所示，多个电感器45(多个匹配电路42)配置于安装基板5的第一主面51。如上所述，第一匹配电路42A包括第一电感器45A，第二匹配电路42B包括第二电感器45B。电感器45例如是安装于安装基板5的第一主面51的芯片状的元件(芯片电感器)或者设置于安装基板5的导体图案部(布线电感器)。在图1的例子中，电感器45安装于安装基板5的第一主面51。总之，电感器45配置于安装基板5的比第二主面52靠第一主面51侧的位置。在电感器45是芯片电感器的情况下，在从安装基板5的厚度方向俯视时，电感器45的外周形状例如是四边形形状。
(3.4)低噪声放大器
如图2所示，多个低噪声放大器2中的各低噪声放大器配置于安装基板5的第二主面52。更详细地说，与第一低噪声放大器2A及第二低噪声放大器2B不同的开关7(其它元件)、第一低噪声放大器2A以及第二低噪声放大器2B由1个芯片构成。第一低噪声放大器2A和第二低噪声放大器2B配置于安装基板5的第二主面52。此外，也可以是，低噪声放大器2的一部分安装于安装基板5的第二主面52，低噪声放大器2的剩余部分安装于安装基板5内。总之，低噪声放大器2配置于安装基板5的第二主面52侧，且至少具有安装于第二主面52的部分。
(3.5)外部连接端子
图1和图2所示的多个外部连接端子6是用于使安装基板5与外部基板(未图示)电连接的端子。多个外部连接端子6包括图3所示的天线端子61和多个(在图示例中为2个)输出端子62。
多个外部连接端子6配置于安装基板5的第二主面52。多个外部连接端子6中的各外部连接端子是柱状的贯通电极。多个外部连接端子6的材料例如是金属(例如，铜、铜合金等)。
在高频模块1中，从增加向主板(外部基板)安装高频模块1的安装性、增加高频模块1的地电极的数量的观点等出发，设置有多个外部连接端子6。
(3.6)第一树脂构件
如图2所示，第一树脂构件81设置于安装基板5的第一主面51，覆盖配置于第一主面51的多个电路元件和第一主面51。第一树脂构件81具有确保配置于第一主面51的电路元件的机械强度(耐撞击性)和耐湿性等的可靠性的功能。也就是说，第一树脂构件81具有保护配置于第一主面51的电路元件的功能。第一树脂构件81也可以除了包含树脂以外还包含填料。
(3.7)第二树脂构件
如图2所示，第二树脂构件82设置于安装基板5的第二主面52，覆盖配置于第二主面52的多个电路元件和第二主面52。第二树脂构件82具有确保配置于第二主面52的电路元件的机械强度(耐撞击性)和耐湿性等的可靠性的功能。也就是说，第二树脂构件82具有保护配置于第二主面52的电路元件的功能。第二树脂构件82也可以除了包含树脂以外还包含填料。
(3.8)屏蔽层
如图2所示，屏蔽层83覆盖着第一树脂构件81和安装基板5。另外，屏蔽层83覆盖第一低噪声放大器2A、第二低噪声放大器2B、第一电感器45A、第二电感器45B、电感器46A、46B、第一接收滤波器3A以及第二接收滤波器3B。并且，屏蔽层83覆盖第一电感器45C(参照图1)、第二电感器45D(参照图1)、电感器46C、46D、第一接收滤波器3C(参照图1)和第二接收滤波器3D(参照图1)、开关7。
屏蔽层83的材料例如是金属。屏蔽层83与安装基板5的地层54接触。由此，能够使屏蔽层83的电位与地层54的电位相同。
(4)配置关系
接着，参照图1和图2来说明实施方式1所涉及的高频模块1中的多个部件的配置关系。
如上所述，多个接收滤波器3、多个电感器45以及多个电感器46配置于安装基板5的第一主面51。由多个低噪声放大器2和开关7构成的芯片配置于安装基板5的第二主面52。
如图1和图2所示，第一接收滤波器3A和第二接收滤波器3B配置于安装基板5的第一主面51上的、第一电感器45A与第二电感器45B之间。“第一接收滤波器3A和第二接收滤波器3B配置于第一电感器45A与第二电感器45B之间”是指：在将第一电感器45A的任意的点与第二电感器45B的任意的点连结的直线所包围的区域，配置有第一接收滤波器3A和第二接收滤波器3B。此时，只要第一接收滤波器3A的至少一部分、第二接收滤波器3B的至少一部分包含于上述区域即可。
在上述的配置状态下，在第一电感器45A、多个高频部件及第二电感器45B排列的方向上，第一电感器45A与屏蔽层83之间的距离L1比第二电感器45B与屏蔽层83之间的距离L2长。在此，多个高频部件是指第一接收滤波器3A、第二接收滤波器3B、多个(在图示例中为2个)电感器46。
另外，在第一电感器45C、多个高频部件及第二电感器45D排列的方向上，第一电感器45C与屏蔽层83之间的距离L3比第二电感器45D与屏蔽层83之间的距离L4长。在此，多个高频部件是指第一接收滤波器3C、第二接收滤波器3D、多个(在图示例中为2个)电感器46。
在安装基板5的厚度方向上，第一电感器45A与第一低噪声放大器2A重叠。在此，“在安装基板5的厚度方向上，第一电感器45A与第一低噪声放大器2A重叠”是指：在安装基板5的厚度方向上，第一电感器45A的至少一部分与第一低噪声放大器2A的至少一部分重叠。“在安装基板5的厚度方向上，第一电感器45A与第一低噪声放大器2A重叠”例如包括以下情况：第一电感器45A的一部分或全部与第一低噪声放大器2A的一部分重叠；以及第一电感器45A的一部分或全部与第一低噪声放大器2A的全部重叠。
另外，如图1所示，在从安装基板5的厚度方向俯视时，第一电感器45A和第二电感器45B配置于比高频部件靠安装基板5的端侧的位置。在此的高频部件是指第一接收滤波器3A、第二接收滤波器3B、电感器46A、46B。根据上述，能够使第一电感器45A与第二电感器45B之间的距离长，因此能够减弱第一电感器45A与第二电感器45B之间的耦合。
另外，如上所述，在第一电感器45A与第二电感器45B之间配置有第一接收滤波器3A和第二接收滤波器3B。由此，能够使第一电感器45A与第一接收滤波器3A之间的布线长度短，且能够使第二电感器45B与第二接收滤波器3B之间的布线长度短。其结果，能够在第一接收路径T21(参照图3)与第二接收路径T22(参照图3)被同时使用的情况下使相互的通信的隔离度易于得到确保。
另外，如图1所示，多个电感器46配置于多个接收滤波器3之间。更详细地说，电感器46A和电感器46B配置于第一接收滤波器3A与第二接收滤波器3B之间。根据上述，能够使多个电感器46与多个接收滤波器3之间的布线长度短。其结果，能够在第一接收路径T21(参照图3)与第二接收路径T22(参照图3)被同时使用的情况下使相互的通信的隔离度易于得到确保。
另外，如图2所示，与第一低噪声放大器2A及第二低噪声放大器2B不同的其它元件、第一低噪声放大器2A以及第二低噪声放大器2B由1个芯片构成。在此，其它元件是指开关7。而且，作为其它元件的开关7配置于芯片内的、第一低噪声放大器2A与第二低噪声放大器2B之间。其结果，能够在第一接收路径T21(参照图3)与第二接收路径T22(参照图3)被同时使用的情况下使相互的通信的隔离度易于得到确保。
(5)高频模块的各结构要素的详细构造
(5.1)安装基板
图1和图2所示的安装基板5例如是印刷电路板、LTCC(Low Temperature Co-firedCeramics：低温共烧陶瓷)基板等。在此，安装基板5例如是包括多个电介质层(未图示)和多个导体图案部(包括地层54)的多层基板。多个电介质层和多个导体图案部在安装基板5的厚度方向上层叠。多个导体图案部分别形成为规定图案。多个导体图案部中的各导体图案部在与安装基板5的厚度方向正交的一个平面内包括一个或多个导体部。各导体图案部的材料例如是铜。
安装基板5的第一主面51和第二主面52在安装基板5的厚度方向上相离，且与安装基板5的厚度方向交叉。安装基板5的第一主面51例如与安装基板5的厚度方向正交，但是例如也可以包括导体部的侧面等来作为不与厚度方向正交的面。另外，安装基板5的第二主面52例如与安装基板5的厚度方向正交，但是例如也可以包括导体部的侧面等来作为不与厚度方向正交的面。另外，安装基板5的第一主面51和第二主面52也可以形成有细微的凹凸或凹部或凸部。
(5.2)接收滤波器
接收滤波器3是1个芯片的滤波器。在此，在接收滤波器3中，例如，多个串联臂谐振器和多个并联臂谐振器中的各谐振器由弹性波谐振器构成。在该情况下，接收滤波器3例如具备基板、压电体层以及多个IDT电极(Interdigital Transducer：叉指换能器)。基板具有第一面和第二面。压电体层设置于基板的第一面。压电体层设置在低声速膜上。多个IDT电极设置在压电体层上。在此，低声速膜直接或间接地设置在基板上。另外，压电体层直接或间接地设置在低声速膜上。在低声速膜中传播的体波的声速比在压电体层中传播的体波的声速低。在基板中传播的体波的声速比在压电体层中传播的弹性波的声速高。压电体层的材料例如是钽酸锂。低声速膜的材料例如是氧化硅。基板例如是硅基板。例如，在将由IDT电极的电极指周期决定的弹性波的波长设为λ时，压电体层的厚度为3.5λ以下。低声速膜的厚度例如为2.0λ以下。
压电体层例如只要由钽酸锂、铌酸锂、氧化锌、氮化铝以及锆钛酸铅中的任一个形成即可。另外，低声速膜只要包含从由氧化硅、玻璃、氮氧化硅、氧化钽、在氧化硅中添加氟或碳或硼而得到的化合物构成的组中选择的至少1种材料即可。另外，基板只要包含从由硅、氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮化硅、蓝宝石、钽酸锂、铌酸锂、石英、矾土、氧化锆、堇青石、莫来石、滑石、镁橄榄石、氧化镁以及金刚石构成的组中选择的至少1种材料即可。
接收滤波器3例如还具备间隔层和罩构件。间隔层和罩构件设置于基板的第一面。在从基板的厚度方向俯视时，间隔层包围多个IDT电极。在从基板的厚度方向俯视时，间隔层呈框状(矩形框状)。间隔层具有电绝缘性。间隔层的材料例如是环氧树脂、聚酰亚胺等合成树脂。罩构件呈平板状。在从基板的厚度方向俯视时，罩构件呈长方形状，但是不限于此，例如也可以呈正方形状。在接收滤波器3中，在从基板的厚度方向俯视时，罩构件的外形尺寸与间隔层的外形尺寸大致相同。罩构件以在基板的厚度方向上与基板相向的方式配置于间隔层。罩构件在基板的厚度方向上与多个IDT电极重叠、并且在基板的厚度方向上与多个IDT电极分开。罩构件具有电绝缘性。罩构件的材料例如是环氧树脂、聚酰亚胺等合成树脂。接收滤波器3具有由基板、间隔层以及罩构件包围出的空间。在接收滤波器3中，气体进入空间。气体例如是空气、非活性气体(例如，氮气)等。多个端子从罩构件暴露出来。多个端子中的各端子例如是凸块。各凸块例如是焊锡凸块。各凸块不限于焊锡凸块，例如也可以是金凸块。
接收滤波器3例如也可以包括插入安装在低声速膜与压电体层之间的贴合层。贴合层例如由树脂(环氧树脂、聚酰亚胺树脂)形成。另外，接收滤波器3也可以在以下位置中的任一处具备电介质膜：低声速膜与压电体层之间；压电体层上；以及低声速膜下。
另外，接收滤波器3例如也可以具备插入安装在基板与低声速膜之间的高声速膜。在此，高声速膜直接或间接地设置在基板上。低声速膜直接或间接地设置在高声速膜上。压电体层直接或间接地设置在低声速膜上。在高声速膜中传播的体波的声速比在压电体层中传播的弹性波的声速高。在低声速膜中传播的体波的声速比在压电体层中传播的体波的声速低。
高声速膜由类金刚石、氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮化硅、硅、蓝宝石、钽酸锂、铌酸锂、石英等压电体、矾土、氧化锆、堇青石、莫来石、滑石、镁橄榄石等各种陶瓷、镁、金刚石、或者以上述各材料为主成分的材料、以上述各材料的混合物为主成分的材料形成。
关于高声速膜的厚度，由于高声速膜具有将弹性波限制在压电体层和低声速膜中的功能，因此高声速膜的厚度越厚则越理想。接收滤波器3也可以具有贴合层、电介质膜等来作为除高声速膜、低声速膜以及压电体层以外的其它膜。
多个串联臂谐振器和多个并联臂谐振器中的各谐振器不限于上述的弹性波谐振器，例如也可以是SAW谐振器或BAW(Bulk Acoustic Wave：体声波)谐振器。在此，SAW谐振器例如包括压电体基板以及设置在压电体基板上的IDT电极。关于接收滤波器3，在利用SAW谐振器构成多个串联臂谐振器和多个并联臂谐振器中的各谐振器的情况下，在1个压电体基板上具有与多个串联臂谐振器一一对应的多个IDT电极以及与多个并联臂谐振器一一对应的多个IDT电极。压电体基板例如是钽酸锂基板、铌酸锂基板等。
(5.3)低噪声放大器和开关
图2所示的多个低噪声放大器2和开关例如是具备基板和放大功能部的1个IC芯片。基板具有彼此相向的第一面和第二面。基板例如是硅基板。放大功能部形成于基板的第一面。放大功能部是具有对规定的频带的接收信号进行放大的功能的功能部。多个低噪声放大器2和开关7例如以基板的第一面为安装基板5侧的方式倒装芯片安装于安装基板5的第二主面52。在从安装基板5的厚度方向俯视时，低噪声放大器2和开关7的1个IC芯片的外周形状例如是四边形形状。
(6)通信装置
如图3所示，实施方式1所涉及的通信装置9具备高频模块1、天线91以及信号处理电路92。
(6.1)天线
如图3所示，天线91与高频模块1的天线端子61连接。天线91具有利用电波来辐射发送信号的发送功能以及将接收信号以电波的形式从外部接收并输出到高频模块1的接收功能。作为接收信号的例子，可以列举出第一接收信号和第二接收信号。
(6.2)信号处理电路
图3所示的信号处理电路92对向高频模块1发送的发送信号和从高频模块1接收的接收信号进行处理。信号处理电路92包括RF信号处理电路93和基带信号处理电路94。信号处理电路92对第一通信信号(第一发送信号、第一接收信号)和第二通信信号(第二发送信号、第二接收信号)进行处理。
(6.2.1)RF信号处理电路
图3所示的RF信号处理电路93例如是RFIC(Radio Frequency IntegratedCircuit，射频集成电路)，对高频信号进行信号处理。RF信号处理电路93对从基带信号处理电路94输出的高频信号(发送信号)进行上变频等信号处理，并将进行了信号处理的高频信号输出到高频模块1。RF信号处理电路93对从高频模块1输出的高频信号(接收信号)进行下变频等信号处理，并将进行了信号处理的高频信号输出到基带信号处理电路94。
(6.2.2)基带信号处理电路
图3所示的基带信号处理电路94例如是BBIC(Baseband Integrated Circuit：基带集成电路)，对来自信号处理电路92的外部的发送信号进行规定的信号处理。由基带信号处理电路94处理后的接收信号例如被用作图像信号以显示图像，或者被用作声音信号以进行通话。
(7)效果
在实施方式1所涉及的高频模块1中，在第一电感器45A、高频部件(多个接收滤波器3、多个电感器46)、以及第二电感器45B排列的方向上，第一电感器45A与屏蔽层83之间的距离L1比第二电感器45B与屏蔽层83之间的距离L2长。使设置在比第二频率高的第一频率的第一接收信号所通过的第一接收路径T21上的第一电感器45A比设置在第二频率的第二接收信号所通过的第二接收路径T22上的第二电感器45B更远离屏蔽层83。由此，能够使第一电感器45A的Q值的劣化减少。
另外，在实施方式1所涉及的高频模块1中，第一电感器45A与第一低噪声放大器2A重叠。由此，能够使第一电感器45A与第一低噪声放大器2A之间的布线长度短，因此能够使布线531所具有的寄生电容减少。
根据上述，根据实施方式1所涉及的高频模块1，能够使噪声指数(NF)的劣化减少。
在实施方式1所涉及的高频模块1中，第一电感器45A和第二电感器45B配置于比高频部件(多个接收滤波器3、多个电感器46)靠安装基板5的端侧的位置。由此，能够使第一电感器45A与第二电感器45B之间的距离长，因此能够减弱第一电感器45A与第二电感器45B之间的耦合。
在实施方式1所涉及的高频模块1中，在第一电感器45A与第二电感器45B之间配置有第一接收滤波器3A和第二接收滤波器3B。由此，能够使第一电感器45A与第一接收滤波器3A之间的布线长度短，且能够使第二电感器45B与第二接收滤波器3B之间的布线长度短。其结果，能够在第一接收路径T21与第二接收路径T22被同时使用的情况下使相互的通信的隔离度易于得到确保。
在实施方式1所涉及的高频模块1中，设置于多个接收路径T2上的多个接收滤波器3与开关7之间的多个电感器46配置于多个接收滤波器3之间。由此，能够使多个电感器46与多个接收滤波器3之间的布线长度短。其结果，能够在第一接收路径T21与第二接收路径T22被同时使用的情况下使相互的通信的隔离度易于得到确保。
在实施方式1所涉及的高频模块1中，在芯片内的第一低噪声放大器2A与第二低噪声放大器2B之间，配置有开关7(其它元件)。由此，能够在第一接收路径T21与第二接收路径T22被同时使用的情况下使相互的通信的隔离度易于得到确保。
(实施方式2)
如图4所示，实施方式2所涉及的高频模块1a处于与实施方式1所涉及的高频模块1(参照图1)不同的配置状态。此外，关于实施方式2所涉及的高频模块1a，对其与实施方式1所涉及的高频模块1相同的结构要素，标注同一标记并省略说明。
(1)结构
如图4所示，实施方式2所涉及的高频模块1a具备多个(在图示例中为5个)接收滤波器3、多个电感器45、48、以及多个电感器46、49。另外，高频模块1a具备安装基板5a。
多个电感器45、48中的各电感器设置于接收信号所通过的接收路径T2(参照图3)上的、低噪声放大器2(参照图3)的输入侧。多个电感器46、49中的各电感器设置于接收路径T2上的、开关7(参照图3)与接收滤波器3之间。在安装基板5a的第一主面51a配置有多个接收滤波器3、多个电感器45、48、以及多个电感器46、49。
实施方式2所涉及的高频模块1a例如能够进行与10个通信频段对应的接收。多个接收滤波器3包括接收滤波器31A、接收滤波器31B、接收滤波器31C、接收滤波器31D、以及接收滤波器31E。接收滤波器31A使第一通信频段的接收信号和第二通信频段的接收信号通过。接收滤波器31B使第三通信频段的接收信号和第四通信频段的接收信号通过。接收滤波器31C使第五通信频段的接收信号和第六通信频段的接收信号通过。接收滤波器31D使第七通信频段的接收信号和第八通信频段的接收信号通过。接收滤波器31E使第九通信频段的接收信号和第十通信频段的接收信号通过。
多个电感器45包括第一通信频段用的电感器451、第二通信频段用的电感器452、第三通信频段用的电感器453、以及第四通信频段用的电感器454、455。
多个电感器48包括第五通信频段用的电感器481、第六通信频段用的电感器482、第七通信频段用的电感器483、第八通信频段用的电感器484、第九通信频段用的电感器485、以及第十通信频段用的电感器486。
多个电感器46包括第一通信频段用的电感器461、第二通信频段用的电感器462、第三通信频段用的电感器463、以及第四通信频段用的电感器464、465、466。
多个电感器49包括第五通信频段及第七通信频段用的电感器491、第六通信频段及第八通信频段用的电感器492、以及第九通信频段及第十通信频段用的电感器493。
(2)配置关系
接着，参照图4来说明实施方式2所涉及的高频模块1a中的多个部件的配置关系。
如图4所示，接收滤波器31A和接收滤波器31B配置于安装基板5a的第一主面51a上的、电感器451、452与电感器453、454之间。“接收滤波器31A和接收滤波器31B配置于电感器451、452与电感器453、454之间”是指：在将电感器451、452的任意的点与电感器453、454的任意的点连结的直线所包围的区域，配置有接收滤波器31A和接收滤波器31B。此时，只要接收滤波器31A的至少一部分、接收滤波器31B的至少一部分包含于上述区域即可。
另外，电感器463、464配置于接收滤波器31A与接收滤波器31B之间。“电感器463、464配置于接收滤波器31A与接收滤波器31B之间”是指：在将接收滤波器31A的任意的点与接收滤波器31B的任意的点连结的直线所包围的区域，配置有电感器463、464。此时，只要电感器463、464的至少一部分包含于上述区域即可。
同样地，接收滤波器31C、接收滤波器31D以及接收滤波器31E配置于安装基板5a的第一主面51a上的、电感器481、482与电感器483、484之间。另外，电感器491、492、493配置于接收滤波器31C与接收滤波器31D之间。“接收滤波器31C、31D以及接收滤波器31E配置于电感器481、482与电感器483、484之间”是指：在将电感器481、482的任意的点与电感器483、484的任意的点连结的直线所包围的区域，配置有接收滤波器31C、31D以及接收滤波器31E。此时，只要接收滤波器31C、31D的至少一部分、接收滤波器31E的至少一部分包含于上述区域即可。
(3)效果
在实施方式2所涉及的高频模块1a中，在电感器451、452与电感器453、454之间配置有接收滤波器31A和接收滤波器31B。由此，能够使电感器451、452与接收滤波器31A之间的布线长度短，且能够使电感器453、454与接收滤波器31B之间的布线长度短。其结果，能够在多个接收路径T2(参照图3)被同时使用的情况下使相互的通信的隔离度易于得到确保。
同样地，在电感器481、482与电感器483、484之间配置有多个接收滤波器31C、31D、31E。由此，能够使电感器481、482与接收滤波器31C之间的布线长度短，且能够使电感器483、484与接收滤波器31D之间的布线长度短。其结果，能够在多个接收路径T2被同时使用的情况下使相互的通信的隔离度易于得到确保。
在实施方式2所涉及的高频模块1a中，电感器463、464配置于接收滤波器31A与接收滤波器31B之间。由此，能够使电感器463、464与接收滤波器31B之间的布线长度短。其结果，能够在多个接收路径T2被同时使用的情况下使相互的通信的隔离度易于得到确保。
同样地，电感器491、492、493配置于接收滤波器31C与接收滤波器31D之间。由此，能够使电感器491、492与接收滤波器31C之间的布线长度短，能够使电感器491、492与接收滤波器31D之间的布线长度短，并且能够使电感器493与接收滤波器31E之间的布线长度短。其结果，能够在多个接收路径T2被同时使用的情况下使相互的通信的隔离度易于得到确保。
(实施方式3)
如图5所示，实施方式3所涉及的高频模块1b处于与实施方式1所涉及的高频模块1(参照图1)不同的配置状态。此外，关于实施方式3所涉及的高频模块1b，对其与实施方式1所涉及的高频模块1相同的结构要素，标注同一标记并省略说明。
(1)结构
如图5所示，实施方式3所涉及的高频模块1b具备多个(在图示例中为5个)接收滤波器3、电感器47、电感器48、以及多个电感器49。另外，高频模块1b具备安装基板5b。
电感器48设置于接收信号所通过的接收路径T2(参照图3)上的、低噪声放大器2(参照图3)的输入侧。多个电感器49中的各电感器设置于接收路径T2上的、开关7(参照图3)与接收滤波器3之间。
实施方式3所涉及的高频模块1b例如能够进行与7个通信频段对应的接收。多个接收滤波器3包括接收滤波器32A、接收滤波器32B、接收滤波器32C、接收滤波器32D以及接收滤波器32E。接收滤波器32A使第一通信频段的接收信号通过。接收滤波器32B使第二通信频段的接收信号通过。接收滤波器32C使第三通信频段的接收信号和第四通信频段的接收信号通过。接收滤波器32D使第五通信频段的接收信号和第六通信频段的接收信号通过。接收滤波器32E使第七通信频段的接收信号通过。
多个电感器49包括第五通信频段用的电感器494、第六通信频段用的电感器495、第一通信频段及第三通信频段用的电感器496、以及第七通信频段用的电感器497。
(2)配置关系
接着，参照图5来说明实施方式3所涉及的高频模块1b中的多个部件的配置关系。
如图5所示，电感器494、495配置于接收滤波器32C与接收滤波器32D之间。另外，电感器496、497配置于接收滤波器32A、32B与接收滤波器32E之间。“电感器494、495配置于接收滤波器32C与接收滤波器32D之间”是指：在将接收滤波器32C的任意的点与接收滤波器32D的任意的点连结的直线所包围的区域，配置有电感器494、495。此时，只要电感器494、495的至少一部分包含于上述区域即可。
(3)效果
在实施方式3所涉及的高频模块1b中，电感器494、495配置于接收滤波器32C与接收滤波器32D之间。由此，能够使电感器494、495与接收滤波器32D之间的布线长度短。其结果，能够在多个接收路径T2被同时使用的情况下使相互的通信的隔离度易于得到确保。
同样地，电感器496、497配置于接收滤波器32A与接收滤波器32E之间。由此，能够使电感器496与接收滤波器32A之间的布线长度短，能够使电感器497与接收滤波器32E之间的布线长度短。其结果，能够在多个接收路径T2被同时使用的情况下使相互的通信的隔离度易于得到确保。
(实施方式4)
在实施方式4中，说明如图6所示那样包括多个低噪声放大器2A、2B、2C的芯片内的配置关系。此外，关于实施方式4所涉及的高频模块1，对其与实施方式1所涉及的高频模块1相同的结构要素，标注同一标记并省略说明。
(1)结构
如图6所示，实施方式4的芯片具备多个低噪声放大器2A、2B、2C、开关7、开关11、以及控制器12。开关11是设置于多个低噪声放大器2A、2B、2C中的任一个低噪声放大器的输出侧的开关。控制器12对低噪声放大器2A、2B、2C以及开关7、11进行控制。
(2)配置关系
接着，参照图6来说明实施方式4所涉及的高频模块1中的芯片内的配置关系。
如图6所示，在芯片内，在低噪声放大器2A与低噪声放大器2C之间配置有开关11(高频部件)。同样地，在低噪声放大器2B与低噪声放大器2C之间配置有开关11。“在低噪声放大器2A与低噪声放大器2C之间配置有开关11”是指：在将低噪声放大器2A的任意的点与低噪声放大器2C的任意的点连结的直线所包围的区域，配置有开关11。此时，只要开关11的至少一部分包含于上述区域即可。同样地，“在低噪声放大器2B与低噪声放大器2C之间配置有开关11”是指：在将低噪声放大器2B的任意的点与低噪声放大器2C的任意的点连结的直线所包围的区域，配置有开关11。此时，只要开关11的至少一部分包含于上述区域即可。由此，能够使低噪声放大器2A、2B与低噪声放大器2C分离。
(3)效果
在实施方式4所涉及的高频模块1中，在低噪声放大器2A、2B与低噪声放大器2C之间配置有开关11。由此，能够使低噪声放大器2A、2B与低噪声放大器2C分离，因此能够在多个接收路径T2被同时使用的情况下使相互的通信的隔离度易于得到确保。
(4)变形例
作为实施方式4的变形例，也可以使用如图7所示的芯片。
如图7所示，在芯片内，在低噪声放大器2A与低噪声放大器2B之间配置有开关11(高频部件)。由此，能够使低噪声放大器2A与低噪声放大器2B分离。同样地，在低噪声放大器2C与低噪声放大器2D之间配置有开关7。由此，能够使低噪声放大器2C与低噪声放大器2D分离。并且，在低噪声放大器2A、2B与低噪声放大器2C、2D之间配置有控制器12。由此，能够使低噪声放大器2A、2B与低噪声放大器2C、2D分离。
在上述的变形例所涉及的高频模块1中，也起到与实施方式4所涉及的高频模块1同样的效果。
以上说明的实施方式和变形例不过是本实用新型的各种实施方式和变形例的一部分。另外，实施方式和变形例只要能够实现本实用新型的目的，则能够根据设计等来进行各种变更。
(方式)
本说明书公开了以下的方式。
第一方式所涉及的高频模块(1)具备安装基板(5)、外部连接端子(6)、第一低噪声放大器(2A)、第二低噪声放大器(2B)、第一电感器(45A)、第二电感器(45B)、至少1个高频部件(接收滤波器3；电感器46)、开关(7)以及屏蔽层(83)。安装基板(5)具有彼此相向的第一主面(51)和第二主面(52)。外部连接端子(6)配置于安装基板(5)的第二主面(52)。第一低噪声放大器(2A)配置于安装基板(5)的第二主面(52)，设置于第一频率的第一接收信号所通过的第一接收路径(T21)。第二低噪声放大器(2B)配置于安装基板(5)的第二主面(52)，设置于比第一频率低的第二频率的第二接收信号所通过的第二接收路径(T22)。第一电感器(45A)配置于安装基板(5)的第一主面(51)，设置于第一接收路径(T21)上的、第一低噪声放大器(2A)的输入侧。第二电感器(45B)配置于安装基板(5)的第一主面(51)，设置于第二接收路径(T22)上的、第二低噪声放大器(2B)的输入侧。上述高频部件配置于安装基板(5)的第一主面(51)上的、第一电感器(45A)与第二电感器(45B)之间。开关(7)能够将第一接收路径(T21)和第二接收路径(T22)同时连接到天线端子(61)。屏蔽层(83)覆盖第一低噪声放大器(2A)、第二低噪声放大器(2B)、第一电感器(45A)、第二电感器(45B)以及上述高频部件。在第一电感器(45A)、上述高频部件及第二电感器(45B)排列的方向上，第一电感器(45A)与屏蔽层(83)之间的距离(L1)比第二电感器(45B)与屏蔽层(83)之间的距离(L2)长。在安装基板(5)的厚度方向上，第一电感器(45A)与第一低噪声放大器(2A)重叠。
在第一方式所涉及的高频模块(1)中，使设置在比第二频率高的第一频率的第一接收信号所通过的第一接收路径(T21)上的第一电感器(45A)比设置在第二频率的第二接收信号所通过的第二接收路径(T22)上的第二电感器(45B)更远离屏蔽层(83)。由此，能够使第一电感器(45A)的Q值的劣化减少。
另外，在第一方式所涉及的高频模块(1)中，第一电感器(45A)与第一低噪声放大器(2A)重叠。由此，能够使第一电感器(45A)与第一低噪声放大器(2A)之间的布线长度短，因此能够使布线(531)所具有的寄生电容减少。
根据上述，根据第一方式所涉及的高频模块(1)，能够使NF的劣化减少。
第二方式所涉及的高频模块(1)具备安装基板(5)、外部连接端子(6)、第一低噪声放大器(2A)、第二低噪声放大器(2B)、第一电感器(45A)、第二电感器(45B)、至少1个高频部件(接收滤波器3；电感器46)、以及屏蔽层(83)。安装基板(5)具有彼此相向的第一主面(51)和第二主面(52)。外部连接端子(6)配置于安装基板(5)的第二主面(52)。第一低噪声放大器(2A)配置于安装基板(5)的第二主面(52)，设置于第一频率的第一接收信号所通过的第一接收路径(T21)。第二低噪声放大器(2B)配置于安装基板(5)的第二主面(52)，设置于比第一频率低的第二频率的第二接收信号所通过的、与第一接收路径(T21)同时使用的第二接收路径(T22)。第一电感器(45A)配置于安装基板(5)的第一主面(51)，设置于第一接收路径(T21)上的、第一低噪声放大器(2A)的输入侧。第二电感器(45B)配置于安装基板(5)的第一主面(51)，设置于第二接收路径(T22)上的、第二低噪声放大器(2B)的输入侧。上述高频部件配置于安装基板(5)的第一主面(51)上的、第一电感器(45A)与第二电感器(45B)之间。屏蔽层(83)覆盖第一低噪声放大器(2A)、第二低噪声放大器(2B)、第一电感器(45A)、第二电感器(45B)以及上述高频部件。在第一电感器(45A)、上述高频部件及第二电感器(45B)排列的方向上，第一电感器(45A)与屏蔽层(83)之间的距离(L1)比第二电感器(45B)与屏蔽层(83)之间的距离(L2)长。在安装基板(5)的厚度方向上，第一电感器(45A)与第一低噪声放大器(2A)重叠。
在第二方式所涉及的高频模块(1)中，使设置在比第二频率高的第一频率的第一接收信号所通过的第一接收路径(T21)上的第一电感器(45A)比设置在第二频率的第二接收信号所通过的第二接收路径(T22)上的第二电感器(45B)更远离屏蔽层(83)。由此，能够使第一电感器(45A)的Q值的劣化减少。
另外，在第二方式所涉及的高频模块(1)中，第一电感器(45A)与第一低噪声放大器(2A)重叠。由此，能够使第一电感器(45A)与第一低噪声放大器(2A)之间的布线长度短，因此能够使布线(531)所具有的寄生电容减少。
根据上述，根据第二方式所涉及的高频模块(1)，能够使NF的劣化减少。
在第三方式所涉及的高频模块(1)中，在第一方式或第二方式中，在从安装基板(5)的厚度方向俯视时，第一电感器(45A)和第二电感器(45B)配置于比高频部件(接收滤波器3；电感器46)靠安装基板(5)的端侧的位置。
根据第三方式所涉及的高频模块(1)，能够使第一电感器(45A)与第二电感器(45B)之间的距离长，因此能够减弱第一电感器(45A)与第二电感器(45B)之间的耦合。
关于第四方式所涉及的高频模块(1)，在第一方式～第三方式中的任一个方式中，作为高频部件(接收滤波器3；电感器46)，具备第一接收滤波器(3A)和第二接收滤波器(3B)。第一接收滤波器(3A)使第一接收信号通过。第二接收滤波器(3B)使第二接收信号通过。
根据第四方式所涉及的高频模块(1)，能够使第一电感器(45A)与第一接收滤波器(3A)之间的布线长度短，且能够使第二电感器(45B)与第二接收滤波器(3B)之间的布线长度短。其结果，能够在第一接收路径(T21)与第二接收路径(T22)被同时使用的情况下使相互的通信的隔离度易于得到确保。
关于第五方式所涉及的高频模块(1)，在第一方式～第三方式中的任一个方式中，作为高频部件(接收滤波器3；电感器46)，具备多个接收滤波器(3)和电感器(46)。电感器(46)设置于第一接收路径(T21)和第二接收路径(T22)上的、开关(7)与多个接收滤波器(3)之间，该开关(7)能够将第一接收路径(T21)和第二接收路径(T22)同时连接到天线端子(61)。电感器(46)配置于多个接收滤波器(3)之间。
根据第五方式所涉及的高频模块(1)，能够使电感器(46)与多个接收滤波器(3)之间的布线长度短。其结果，能够在第一接收路径(T21)与第二接收路径(T22)被同时使用的情况下使相互的通信的隔离度易于得到确保。
关于第六方式所涉及的高频模块(1)，在第一方式～第五方式中的任一个方式中，还具备与第一低噪声放大器(2A)及第二低噪声放大器(2B)不同的其它元件(开关7、11；控制器12)。
上述其它元件、第一低噪声放大器(2A)以及第二低噪声放大器(2B)由1个芯片构成。上述其它元件配置于芯片内的、第一低噪声放大器(2A)与第二低噪声放大器(2B)之间。
根据第六方式所涉及的高频模块(1)，能够在第一接收路径(T21)与第二接收路径(T22)被同时使用的情况下使相互的通信的隔离度易于得到确保。
第七方式所涉及的通信装置(9)具备第一方式～第六方式中的任一个方式的高频模块(1)以及信号处理电路(92)。信号处理电路(92)对来自高频模块(1)的信号进行处理。
根据第七方式所涉及的通信装置(9)，在高频模块(1)中，使设置在比第二频率高的第一频率的第一接收信号所通过的第一接收路径(T21)上的第一电感器(45A)比设置在第二频率的第二接收信号所通过的第二接收路径(T22)上的第二电感器(45B)更远离屏蔽层(83)。由此，能够使第一电感器(45A)的Q值的劣化减少。
另外，在第七方式所涉及的通信装置(9)中，在高频模块(1)中，第一电感器(45A)与第一低噪声放大器(2A)重叠。由此，能够使第一电感器(45A)与第一低噪声放大器(2A)之间的布线长度短，因此能够使布线(531)所具有的寄生电容减少。
根据上述，根据第七方式所涉及的通信装置(9)，在高频模块(1)中，能够使NF的劣化减少。

Claims (7)

1.一种高频模块，其特征在于，具备：
安装基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；
外部连接端子，其配置于所述安装基板的所述第二主面；
第一低噪声放大器，其配置于所述安装基板的所述第二主面，设置于第一频率的第一接收信号所通过的第一接收路径；
第二低噪声放大器，其配置于所述安装基板的所述第二主面，设置于第二频率的第二接收信号所通过的第二接收路径，所述第二频率比所述第一频率低；
第一电感器，其配置于所述安装基板的所述第一主面，设置于所述第一接收路径上的、所述第一低噪声放大器的输入侧；
第二电感器，其配置于所述安装基板的所述第一主面，设置于所述第二接收路径上的、所述第二低噪声放大器的输入侧；
至少1个高频部件，所述至少1个高频部件配置于所述安装基板的所述第一主面上的、所述第一电感器与所述第二电感器之间；
开关，其能够将所述第一接收路径和所述第二接收路径同时连接到天线端子；以及
屏蔽层，其覆盖所述第一低噪声放大器、所述第二低噪声放大器、所述第一电感器、所述第二电感器以及所述高频部件，
其中，在所述第一电感器、所述高频部件及所述第二电感器排列的方向上，所述第一电感器与所述屏蔽层之间的距离比所述第二电感器与所述屏蔽层之间的距离长，
在所述安装基板的厚度方向上，所述第一电感器与所述第一低噪声放大器重叠。
2.一种高频模块，其特征在于，具备：
安装基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；
外部连接端子，其配置于所述安装基板的所述第二主面；
第一低噪声放大器，其配置于所述安装基板的所述第二主面，设置于第一频率的第一接收信号所通过的第一接收路径；
第二低噪声放大器，其配置于所述安装基板的所述第二主面，设置于第二频率的第二接收信号所通过的、与所述第一接收路径同时使用的第二接收路径，所述第二频率比所述第一频率低；
第一电感器，其配置于所述安装基板的所述第一主面，设置于所述第一接收路径上的、所述第一低噪声放大器的输入侧；
第二电感器，其配置于所述安装基板的所述第一主面，设置于所述第二接收路径上的、所述第二低噪声放大器的输入侧；
至少1个高频部件，所述至少1个高频部件配置于所述安装基板的所述第一主面上的、所述第一电感器与所述第二电感器之间；以及
屏蔽层，其覆盖所述第一低噪声放大器、所述第二低噪声放大器、所述第一电感器、所述第二电感器以及所述高频部件，
其中，在所述第一电感器、所述高频部件及所述第二电感器排列的方向上，所述第一电感器与所述屏蔽层之间的距离比所述第二电感器与所述屏蔽层之间的距离长，
在所述安装基板的厚度方向上，所述第一电感器与所述第一低噪声放大器重叠。
3.根据权利要求1或2所述的高频模块，其特征在于，
在从所述安装基板的所述厚度方向俯视时，所述第一电感器和所述第二电感器配置于比所述高频部件靠所述安装基板的端侧的位置。
4.根据权利要求1或2所述的高频模块，其特征在于，
作为所述高频部件，具备：
第一接收滤波器，其使所述第一接收信号通过；以及
第二接收滤波器，其使所述第二接收信号通过。
5.根据权利要求1或2所述的高频模块，其特征在于，
作为所述高频部件，具备：
多个接收滤波器；以及
电感器，其在所述第一接收路径和所述第二接收路径上设置于能够将所述第一接收路径及所述第二接收路径同时连接到天线端子的开关与所述多个接收滤波器之间，
所述电感器配置于所述多个接收滤波器之间。
6.根据权利要求1或2所述的高频模块，其特征在于，
还具备与所述第一低噪声放大器及所述第二低噪声放大器不同的其它元件，
所述其它元件、所述第一低噪声放大器以及所述第二低噪声放大器由1个芯片构成，
所述其它元件配置于所述芯片内的、所述第一低噪声放大器与所述第二低噪声放大器之间。
7.一种通信装置，其特征在于，具备：
根据权利要求1～6中的任一项所述的高频模块；以及
信号处理电路，其对来自所述高频模块的信号进行处理。
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