JP4774791B2 - 高周波モジュール - Google Patents
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Description
本発明の第1の実施形態を図1から図7Bを用いて説明する。図1は、2.4GHz帯の周波数帯を用いた送信多重度2のMIMOに用いる高周波回路装置の構成を示すブロック図である。本実施形態の高周波回路装置は、第一のPA1、第二のPA2、送信信号用の2個のバンドパスフィルタ3a,3b、送信信号用の2個のローパスフィルタ4a,4b、2個のスイッチ5a,5b、受信信号用の2個のバンドパスフィルタ16a,16bを含んで構成される。図では、18a,18bは送信信号の入力端子、19a,19bは受信信号の出力端子、及び6a,6bはアンテナ端子を示す。
本発明の第2の実施形態を図8を用いて説明する。図8は、第1の実施形態と同様に2.4GHz帯で動作する送信多重度2のMIMO用の高周波モジュール8の回路構成を示すブロック図である。本発明の第2の実施形態は、送信信号を増幅する電力増幅器に入力される信号の大きさが、SISO通信の場合も、MIMO通信の場合も同じである場合に特に適している。本実施形態において、第一のPA1は主としてGaAs(ガリウム砒素)を用いたトランジスタを3段にカスケード接続した3段アンプであり、第二のPA2は主としてGaAsを用いたトランジスタを2段にカスケード接続した2段アンプである。第二のPA2は、トランジスタの段数を第一のPA1に比べて少なくして、全体として利得が3dB小さく、線形領域における最大出力電力が約3dB小さくなるように設計されている。
本発明の第3の実施形態を図9を用いて説明する。図9は、2.4GHz帯で動作する送信多重度2のMIMO用の高周波モジュール9の回路構成を示すブロック図である。本実施形態の第2の実施形態との違いは、第一のPA1は第2の実施形態と同様に主としてGaAsを用いて作製されるが、第二のPA2は主としてSi(シリコン)を用いて作製されている。第一のPA1に比べて第二のPA2は、利得を3dB小さくし、更に線形領域で最大出力電力が約3dB小さくなるように設計されている。第一のPA1と第二のPA2の使用方法と得られる効果は、これまでに述べた実施形態と同様である。本実施形態の更なる効果として、主としてSiを用いた安価なPAも用いて高周波モジュールを構成することにより第一のPA1ならびに第二のPA2の双方をGaAsを用いて高周波モジュールを構成する場合よりも高周波モジュールを低コスト化することができる。
本発明の第4の実施形態を図10を用いて説明する。図10は、第2の実施形態と同様に2.4GHz帯で動作する送信多重度2のMIMO用の高周波モジュール10の回路構成を示すブロック図である。第一のPA1と第二のPA2は同一設計のPAであり、駆動条件が等しければ、出力電力、利得などはほぼ同一の特性を示す。本実施形態では、第一のPA1のバイアス用端子11aからバイアス電圧が供給される。また、第二のPA2のバイアス回路に、バイアス用端子11bを有するDC−DCコンバータ15が設けられ、第二のPA2にDC−DCコンバータ15から第一のPA1よりも低いバイアス電圧が供給される。本実施例では第一のPA1には約3.3V、第二のPA2には約2.3Vの電圧が供給される。このように、第二のPA2のバイアス電圧を下げると、利得はほとんど変化しないが飽和出力が低下し線形領域における最大出力電力は小さくなる。バイアス電圧をさげることで高周波モジュール10の消費電力を減らすことができる。高周波モジュール10を本実施形態に示すような構成とすることにより、モジュール全体で低消費電力化をはかることが可能となる。本実施形態に特有の効果として、第2及び第3の実施形態では種類の異なるPAが用いられたが、本実施形態では同じPAが用いられるため、MIMO用の高周波モジュール10の作製に要するPAの種類を減らすことができ、部品の調達、管理などを簡便化することができる。また、本発明の第4の実施形態は、SISO通信の場合に比べて、MIMO通信の場合はその多重度に応じて、入力電力があらかじめ小さくなっている信号の増幅に適している。
本発明の第5の実施形態を図11を用いて説明する。図11は第2の実施形態と同様に2.4GHz帯で動作する送信多重度2のMIMO用の高周波モジュール12の回路構成を示すブロック図である。本実施形態の第一のPA1並びに第二のPA2はGaAs HBTによる電力増幅器である。本実施形態においては、第二のPA2の最終段のフィンガー数は第一のPAの最終段のフィンガー数の半分となっている。このように本実施形態ではトランジスタのサイズを小さくすることで第二のPA2の最大出力電力が小さくなっている。本実施形態による効果もこれまでに説明してきた実施形態と同様である。本実施形態に特有の効果として、第二のPA2のトランジスタサイズを小さくすることによって、1個のPAの作製に要するチップ面積を小さくすることができるため、結果として、高周波モジュール12を低コスト化することができる。また、第二のPA2のゲート幅を第一のPA1のゲート幅より狭くした電力増幅器を用いて構成した電力増幅器を具備してなる高周波モジュールにおいても、同様の効果が得られることは明白である。
本発明の第6の実施形態を図12を用いて説明する。図12は、2.4GHz帯で動作する送信多重度3のMIMO用の高周波モジュール30の回路構成を示すブロック図である。本モジュールは、第一のPA1、第二のPA2、第三のPA32、送信信号用の3個のバンドパスフィルタ3a〜3c、送信信号用の3個のローパスフィルタ4a〜4c、受信信号用の3個のバンドパスフィルタ16a〜16c、及び3個のスイッチ5a〜5cを含んで構成される。更に、送信信号の3個の入力端子18a〜18c、受信信号の3個の出力端子19a〜19c、及び3個のアンテナ端子6a〜6cが設けられる。
本発明の第7の実施形態を図15を用いて説明する。図15は、2.4GHz帯で動作する送信多重度3のMIMO用の高周波モジュール36の回路構成を示すブロック図である。本モジュールは、第一のPA1、2個の第二のPA2a,PA2b、送信信号用の3個のバンドパスフィルタ3a〜3c、送信信号用の3個のローパスフィルタ4a〜4c、受信信号用の3個のバンドパスフィルタ16a〜16c、及び3個のスイッチ5a〜5cを含んで構成される。本実施例では、第二のPA2aと第二のPA2bのトランジスタのサイズは略等しくなっている。
本発明の第8の実施形態を図18を用いて説明する。図18は、2.4GHz帯で動作する送信多重度4のMIMO用の高周波モジュール40の回路構成を示すブロック図である。本モジュールは、第一のPA1、第二のPA2、第三のPA32、第四のPA41、送信信号用の4個のバンドパスフィルタ3a〜3d、送信信号用の4個のローパスフィルタ4a〜4d、受信信号用の4個のバンドパスフィルタ16a〜16d、並びに4個のスイッチ5a〜5dを含んで構成される。更に、送信信号の4個の入力端子18a〜18d、受信信号の4個の出力端子19a〜19d、及び4個のアンテナ端子6a〜6dが設けられる。
本発明の第9の実施形態を図20を用いて説明する。図20は、2.4GHz帯で動作する送信多重度4のMIMO用の高周波モジュール42の回路構成を示すブロック図である。本モジュールは、第一のPA1、3個の第二のPA2a〜2c、送信信号用の4個のバンドパスフィルタ3a〜3d、送信信号用の4個のローパスフィルタ4a〜4d、受信信号用の4個のバンドパスフィルタ16a〜16d、及び4個のスイッチ5a〜5dを含んで構成される。更に、送信信号の4個の入力端子18a〜18d、受信信号の4個の出力端子19a〜19d、及び4個のアンテナ端子6a〜6dが設けられる。
本発明の第10の実施形態を図22から図25を用いて説明する。第1〜第9の実施形態において、MIMO用とSISO用の両方に用いられるPAのMIMO通信時の効率、及びMIMO用に用いられても、通信相手の多重度によって予め設計された最適な出力電力よりも小さい電力を出力する場合があるPAの小さい電力を出力する時の効率は、予め設計された最適な出力電力のときの効率よりも低い。本実施形態で用いられるPAは、PAの内部のトランジスタの接続を予め設計された最適な出力電力で出力する時と小さい電力を出力する時とで切り替えることにより、小さい電力を出力する時でも高い効率が得られるように構成される。本実施形態では、高周波モジュールの回路構成の説明は省略し、PAの構成についてのみ説明することとする。
本発明の第11の実施形態を図26Aを用いて説明する。図26Aは2.4GHz帯で動作する送信多重度4のMIMO用の高周波モジュール50の回路構成を示すブロック図である。本モジュールは、第一のPA1、3個の第二のPA2a〜2c、送信信号用の4個のバンドパスフィルタ3a〜3d、送信信号用の4個のローパスフィルタ4a〜4d、4個のスイッチ5a〜5d、さらに4個のスイッチ53a〜53dを含んで構成される。本実施形態のモジュールは、図20を用いて説明した第9の実施形態と同様に使用することができるが、本実施形態と第9の実施形態との差は、本実施形態の高周波モジュールには、PAが電気的に接続するアンテナを切り替える4個のスイッチ53a〜53dが備えられる点にある。
本発明の第12の実施形態を図28を用いて説明する。図28は、送信多重度2のMIMO用の高周波モジュール60の回路構成を示すブロック図である。本モジュールは、3個の第一のPA1a〜1c、3個の第二のPA2a〜2c、送信信号用の6個のバンドパスフィルタ3a〜3f、送信信号用の6個のローパスフィルタ4a〜4f、6個のスイッチ5a〜5f、更に受信信号用の6個のバンドパスフィルタ16a〜16fを含んで構成される。
本発明の第13の実施形態を図29を用いて説明する。図29は、デュアルバンド対応の送信多重度2のMIMO用の高周波モジュール107の回路構成を示すブロック図である。本実施形態では、2.4GHz帯用のMIMO用の高周波モジュール7と5GHz帯用のMIMO用の高周波モジュール108とを組み合わせて高周波モジュール107が構成される。このような構成の高周波モジュール107を用いることにより、デュアルバンドのMIMOに対応する無線LANカードを容易に実現することができる。
本発明の第14の実施形態を図33を用いて説明する。図33は、セラミックス基板83を用いて作製した高周波モジュール80を含んで構成した無線LANモジュール94である。マザーボードとなる樹脂基板92上に高周波モジュール80とセラミックで作製したアンテナ93a,93b,93cを実装している。本発明による高周波モジュール80に上記の本発明の高周波モジュール(例えば、図16に示した高周波モジュール37)を用いることにより、電力増幅器の効率の低下が低減された無線LANモジュールを実現することができる。
Claims (16)
- 送信信号を増幅する複数の電力増幅器を具備して成り、
上記複数の電力増幅器は、相互に最大出力電力が異なる少なくとも2個の電力増幅器を含む、3個以上の電力増幅器であり、
MIMO(Multiple Input Multiple Output)通信方式で用いられる電力増幅器の数がSISO(Single Input Single Output)通信方式で用いられる電力増幅器の数よりも大きく、
上記高周波モジュールは更に、複数のアンテナと上記複数の電力増幅器とを1対1に対応させて電気的に接続するための複数の端子を具備してなり、
上記複数の電力増幅器は上記複数の端子とそれぞれ電気的に接続され、
上記高周波モジュールは更に、平面図が4辺を有する矩形形状となるような基板を具備してなり、
上記複数の端子は共に上記基板の裏面の上記4辺のうちの1辺に沿って配置され、上記複数の電力増幅器は配線を交差させることなく上記複数の端子とそれぞれ電気的に接続されており、
上記高周波回路装置がMIMO通信方式で動作する場合、1つの送信信号に対して上記複数の電力増幅器のうちの少なくとも2つの電力増幅器が用いられ、該MIMO通信方式で動作する電力増幅器は、上記複数の端子のうち端子間の平均距離が最大となるように選択された少なくとも2つの端子にそれぞれ電気的に接続されている
ことを特徴とする高周波モジュール。 - 請求項1において、
上記複数の端子のうち上記基板の上記1辺の両端に最も近い2つの端子にそれぞれ電気的に接続された上記2つの電力増幅器以外の電力増幅器のうちの少なくとも1つは、上記2つの電力増幅器よりも前記最大出力電力が大きい
ことを特徴とする高周波モジュール。 - 請求項1において、
上記高周波モジュールがMIMO通信方式で動作する場合に用いられる前記電力増幅器の任意の2つの電力増幅器の前記最大出力電力が互いにほぼ等しく、
上記高周波モジュールは、周波数帯域が異なる2つのMIMO通信方式の少なくともいずれかで動作するように構成されている
ことを特徴とする高周波モジュール。 - 請求項1において、
上記高周波モジュールは、少なくとも、送受信信号に作用するフィルタ、送受切替用のスイッチ、上記複数のアンテナ、上記複数の増幅器の入出力側に接続した入力整合回路及び出力整合回路、送受信経路に挿入したバランのいずれかを含んで構成されている
ことを特徴とする高周波モジュール。 - 周波数帯域の少なくとも一部が等しい送信信号を増幅する複数の電力増幅器を具備してなり、
上記複数の電力増幅器は、相互に最大出力電力が異なる少なくとも2個の電力増幅器を含む、3個以上の電力増幅器であり、
上記高周波モジュールは更に、平面図が4辺を有する矩形形状となるような基板を具備してなり、
複数のアンテナと上記複数の電力増幅器とを1対1に対応させて電気的に接続するための複数の端子を具備してなり、
上記複数の電力増幅器は上記複数の端子とそれぞれ電気的に接続され、
上記複数の端子は共に上記基板の裏面の上記4辺のうちの1辺に沿って配置され、上記複数の電力増幅器は配線を交差させることなく上記複数の端子とそれぞれ電気的に接続されており、
上記高周波回路装置がMIMO通信方式で動作する場合、1つの送信信号に対して上記複数の電力増幅器のうちの少なくとも2つの電力増幅器が用いられ、該MIMO通信方式で動作する電力増幅器は、互いに最大出力電力がほぼ等しい
ことを特徴とする高周波モジュール。 - 請求項5において、
上記高周波モジュールは相互に最大出力電力が異なる2種類の電力増幅器を具備してなり、上記最大出力電力が他より大きい電力増幅器は、上記最大出力電力が他より小さく上記MIMO通信方式で動作する電力増幅器がそれぞれ接続される上記端子の間に配置されている端子に接続される
ことを特徴とする高周波モジュール。 - 請求項5において、
上記電力増幅器と1対1に対応させて電気的に接続するアンテナを切り替えるためのスイッチを具備してなる
ことを特徴とする高周波モジュール。 - 請求項5において、
上記高周波モジュールは、少なくとも、送受信信号に作用するフィルタ、送受切替用のスイッチ、上記複数のアンテナ、上記複数の電力増幅器の入出力側に接続した入力整合回路及び出力整合回路、送受信経路に挿入したバランのいずれかを含んで構成されている
ことを特徴とする高周波モジュール。 - 請求項6において、
上記最大出力電力が異なる2種類の電力増幅器として、第1の電力増幅器、及び、第2の電力増幅器を具備して成り、
前記第1の電力増幅器は前記SISO通信に必要な電力が出力できるように構成され、前記第2の電力増幅器第2のPA2は送信多重度2の通信に必要な電力が出力できるように構成され、
上記第1の電力増幅器は、GaAsトランジスタを3段にカスケード接続した3段増幅器であり、上記第2の電力増幅器は、上記第1の電力増幅器よりもカスケード接続段数が少ない増幅器である
ことを特徴とする高周波モジュール。 - 請求項5において、
上記基板は、多層のセラミック基板又は樹脂基板のいずれかである
ことを特徴とする高周波モジュール。 - 請求項10において、
上記基板は、多層のセラミック基板であり、上記多層のセラミック基板の中に送受信号に作用するフィルタが内蔵されており、
上記基板は、セラミックアンテナを集積している
ことを特徴とする高周波モジュール。 - 請求項6において、
上記最大出力電力が異なる2種類の電力増幅器として、第1の電力増幅器、第2の電力増幅器、及び、第3の電力増幅器を具備して成り、
前記第1の電力増幅器は前記SISO通信に必要な電力が出力できるように構成され、前記第2の電力増幅器第2のPA2は送信多重度2の通信に必要な電力が出力できるように構成され、前記第3の電力増幅器は送信多重度3の通信に必要な電力が出力できるように構成されている
ことを特徴とする高周波モジュール。 - 請求項12において、
上記複数の端子として、上記第1の電力増幅器に電気的に接続される第1の端子と上記第2の電力増幅器に電気的に接続される第2の端子と上記第3の電力増幅器に電気的に接続される第3の端子とを有し、
上記第1の端子と上記第2の端子とが、上記第1の端子と上記第2の端子と上記第3の端子の中で、互いに距離が最も遠く配置されている
ことを特徴とする高周波モジュール。 - 請求項6において、
上記最大出力電力が異なる2種類の電力増幅器として、相互に最大出力電力が異なる第1の電力増幅器と2個の第2aと第2bの電力増幅器とを有し、
上記2個の第2aと第2bの電力増幅器は、増幅器を構成するトランジスタの前記最大出力電力が略等しく、上記第1の電力増幅器の出力の最大値が上記第2aと第2bの電力増幅器のそれぞれの出力の最大値よりも大きく、
上記複数の端子として、上記第1の電力増幅器に電気的に接続される第1の端子と上記第2aの電力増幅器に電気的に接続される第2aの端子と上記第2bの電力増幅器に電気的に接続される第2bの端子とを有し、
上記第1の端子が上記第2aの端子と上記第2bの端子との間に配置されている
ことを特徴とする高周波モジュール。 - 請求項6において、
上記最大出力電力が異なる2種類の電力増幅器として、第1の電力増幅器と第2の電力増幅器と第3の電力増幅器と第4の電力増幅器とを有し、
上記第2の電力増幅器は上記第1の電力増幅器よりも同一の入力電力に対して出力電力が3dB小さく、上記第3の電力増幅器は上記第2の電力増幅器よりも同一の入力電力に対して出力電力が1.8dB小さく、上記第4の電力増幅器は上記第3の電力増幅器よりも同一の入力電力に対して出力電力が1.2dB小さい
ことを特徴とする高周波モジュール。 - 請求項6において、
上記最大出力電力が異なる2種類の電力増幅器として、第1の電力増幅器と3個の第2aと第2bと第2cの電力増幅器とを有し、
上記3個の第2aと第2bと第2cの電力増幅器は、増幅器を構成するトランジスタのサイズが略等しく、上記第1の電力増幅器の出力の最大値が上記第2aと第2bと第2cの電力増幅器のそれぞれの出力の最大値よりも大きく、
上記第2aと第2cの電力増幅器を含む送受信部が、前記高周波モジュールの両端に配置され、上記第1の電力増幅器が上記第2aと第2cの電力増幅器の中間に配置されている
ことを特徴とする高周波モジュール。
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