KR20210155347A

KR20210155347A - 고주파 모듈 및 통신 장치

Info

Publication number: KR20210155347A
Application number: KR1020210045687A
Authority: KR
Inventors: 슈이치 오노데라
Original assignee: 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
Priority date: 2020-06-15
Filing date: 2021-04-08
Publication date: 2021-12-22
Also published as: JP2021197642A; CN215682277U; US11496172B2; KR20230070428A; US20210391883A1

Abstract

[과제] 복수의 통신 밴드의 고주파 신호를 저손실로 동시 전송하는 것이 가능한 소형의 고주파 모듈을 제공한다.
[해결 수단] 고주파 모듈(1)은, 주면(91a 및 91b)을 갖는 모듈 기판(91)과, 제 1 통신 밴드를 통과 대역으로 하는 제 1 수신 필터와, 제 2 통신 밴드를 통과 대역으로 하는 제 2 수신 필터와, 제 1 수신 필터와 안테나 접속 단자(100)의 접속을 스위칭하고, 또한, 제 2 수신 필터와 안테나 접속 단자(100)의 접속을 스위칭하는 안테나 스위치(20)와, 안테나 접속 단자(100)와 제 1 수신 필터 사이에 접속된 정합 회로(80)를 구비하고, 정합 회로(80)는 인덕터 및 커패시터 중 적어도 한쪽과, 정합 스위치(81 및 82)를 갖고, 제 1 수신 필터 및 제 2 수신 필터는 주면(91a)에 배치되어 있고, 안테나 스위치(20), 정합 스위치(81 및 82)는 주면(91b)에 배치된 1개의 반도체 IC(75)에 포함되어 있다.

Description

고주파 모듈 및 통신 장치{RADIO-FREQUENCY MODULE AND COMMUNICATION DEVICE}

본 발명은 고주파 모듈 및 통신 장치에 관한 것이다.

휴대전화 등의 이동 통신 기기에서는, 특히, 멀티 밴드화의 진전에 따라, 고주파 프론트 엔드 회로를 구성하는 회로 소자의 배치 구성이 복잡화되고 있다.

특허문헌 1에는, 소정의 통신 밴드(주파수 대역)의 고주파 신호를 통과시키는 복수의 필터와, 복수의 필터가 접속된 안테나 (입력)스위치와, 안테나 스위치와 필터 사이에 접속된 정합 회로를 구비한 고주파(프론트 엔드) 모듈이 개시되어 있다. 상기 정합 회로는 인덕터 및 커패시터 중 적어도 한쪽으로 구성된다. 상기 구성에 의해, 고주파 모듈은 복수의 통신 밴드의 고주파 신호를 동시 전송하는 것이 가능하다.

일본 특허공개 2017-98630호 공보

특허문헌 1에 개시된 고주파 모듈에 있어서, 동시 전송하는 통신 밴드의 조합에 대응해서 안테나와 복수의 필터의 정합 상태를 최적화함으로써, 고주파 신호의 전송 손실을 저감하는 것이 가능해진다. 이것을 실현하기 위해서, 동시 전송하는 통신 밴드의 조합에 대응하여 상기 정합 회로를 가변시키는 것이 바람직하다.

그러나, 상기 정합 회로를 가변하면, 상기 정합 회로의 회로 구성이 복잡해지고, 정합 회로 및 고주파 모듈을 대형화시켜 버린다.

본 발명은 상기 과제를 해결하기 위해 이루어진 것으로서, 복수의 통신 밴드의 고주파 신호를 저손실로 동시 전송하는 것이 가능한 소형의 고주파 모듈 및 통신 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일형태에 따른 고주파 모듈은, 서로 대향하는 제 1 주면 및 제 2 주면을 갖는 모듈 기판과, 안테나 접속 단자와, 제 1 통신 밴드를 포함하는 주파수 대역을 통과 대역으로 하는 제 1 수신 필터와, 상기 제 1 통신 밴드와 다른 제 2 통신 밴드를 포함하는 주파수 대역을 통과 대역으로 하는 제 2 수신 필터와, 상기 제 1 수신 필터와 상기 안테나 접속 단자의 접속 및 비접속을 스위칭하고, 또한, 상기 제 2 수신 필터와 상기 안테나 접속 단자의 접속 및 비접속을 스위칭하는 안테나 스위치와, 상기 안테나 접속 단자와 상기 제 1 수신 필터 사이에 접속된 정합 회로를 구비하고, 상기 정합 회로는, 인덕터 및 커패시터 중 적어도 한쪽과, 상기 인덕터 및 커패시터 중 적어도 한쪽과 상기 제 1 수신 필터의 접속 및 비접속을 스위칭하는 정합 스위치를 갖고, 상기 제 1 수신 필터 및 상기 제 2 수신 필터는 상기 제 1 주면에 배치되어 있고, 상기 안테나 스위치 및 상기 정합 스위치는 상기 제 2 주면에 배치된 1개의 반도체 IC에 포함되어 있다.

본 발명에 의하면, 복수의 통신 밴드의 고주파 신호를 저손실로 동시 전송하는 것이 가능한 소형의 고주파 모듈 및 통신 장치를 제공하는 것이 가능해진다.

도 1은 실시형태에 따른 고주파 모듈 및 통신 장치의 회로 구성도이다.
도 2a는 실시예에 따른 고주파 모듈의 평면 구성 개략도이다.
도 2b는 실시예에 따른 고주파 모듈의 단면 구성 개략도이다.

이하, 본 발명의 실시형태에 대해서 상세히 설명한다. 또한, 이하에서 설명하는 실시형태는 모두 포괄적 또는 구체적인 예를 나타내는 것이다. 이하의 실시형태로 나타내어지는 수치, 형상, 재료, 구성 요소, 구성 요소의 배치 및 접속 형태 등은 일례이며, 본 발명을 한정하는 주지는 아니다. 이하의 실시예 및 변형예에 있어서의 구성 요소 중, 독립 청구항에 기재되어 있지 않은 구성 요소에 대해서는 임의의 구성 요소로서 설명된다. 또한, 도면에 나타내어지는 구성 요소의 크기 또는 크기의 비는 반드시 엄밀하지는 않다. 각 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 구성에 대해서는 동일한 부호를 붙이고, 중복되는 설명은 생략 또는 간략화할 경우가 있다.

또한, 이하에 있어서, 평행 및 수직 등의 요소간의 관계성을 나타내는 용어, 및, 직사각형상 등의 요소의 형상을 나타내는 용어, 및, 수치 범위는 엄격한 의미만을 나타내는 것은 아니고, 실질적으로 동등한 범위, 예를 들면 수% 정도의 차이도 포함하는 것을 의미한다.

또한, 이하에 있어서, 「기판(또는 기판의 주면)을 평면으로 볼 때에 있어서, A와 B 사이에 C가 배치되어 있다」란, 기판을 평면으로 볼 때에 있어서 A 내의 임의의 점과 B 내의 임의의 점을 연결하는 복수의 선분 중 적어도 1개가 C의 영역을 통과하는 것을 의미한다. 또한, 기판을 평면으로 보다란, 기판 및 기판에 실장된 회로 소자를 기판의 주면에 평행한 평면에 정투영해 보는 것을 의미한다.

또한, 이하에 있어서, 「송신 경로」란, 고주파 송신 신호가 전파되는 배선, 상기 배선에 직접 접속된 전극, 및 상기 배선 또는 상기 전극에 직접 접속된 단자 등으로 구성된 전송 선로인 것을 의미한다. 또한, 「수신 경로」란, 고주파 수신 신호가 전파되는 배선, 상기 배선에 직접 접속된 전극, 및 상기 배선 또는 상기 전극에 직접 접속된 단자 등으로 구성된 전송 선로인 것을 의미한다. 또한, 「송수신경로」란, 고주파 송신 신호 및 고주파 수신 신호가 전파되는 배선, 상기 배선에 직접 접속된 전극, 및 상기 배선 또는 상기 전극에 직접 접속된 단자 등으로 구성된 전송 선로인 것을 의미한다.

(실시형태)

[1. 고주파 모듈(1) 및 통신 장치(5)의 회로 구성]

도 1은 실시형태에 따른 고주파 모듈(1) 및 통신 장치(5)의 회로 구성도이다. 동 도면에 나타내는 바와 같이, 통신 장치(5)는 고주파 모듈(1)과, 안테나(2)와, RF 신호 처리 회로(RFIC)(3)를 구비한다.

RFIC(3)는 안테나(2)에서 송수신되는 고주파 신호를 처리하는 RF 신호 처리 회로이다. 구체적으로는, RFIC(3)는 고주파 모듈(1)의 수신 경로를 통해서 입력된 수신 신호를 다운 컨버트 등에 의해 신호 처리하고, 상기 신호 처리해서 생성된 수신 신호를 베이스 밴드 신호 처리 회로(도시하지 않음)에 출력한다.

또한, RFIC(3)는, 사용되는 통신 밴드(주파수 대역) 등의 정보에 의거하여, 고주파 모듈(1)이 갖는 안테나 스위치(20), 정합 스위치(81 및 82)의 접속을 제어하는 제어부로서의 기능도 갖는다. 구체적으로는, RFIC(3)는 제어 신호에 의해 고주파 모듈(1)이 갖는 안테나 스위치(20), 정합 스위치(81 및 82)의 접속을 스위칭한다. 구체적으로는, RFIC(3)는, 예를 들면, 안테나 스위치(20), 정합 스위치(81 및 82)를 제어하기 위한 MIPI 및 GPIO 등의 디지털 제어 신호를 제어 회로(70)에 출력한다. 제어 회로(70)는, 예를 들면 RFIC(3)로부터 입력된 디지털 제어 신호에 의해, 안테나 스위치(20), 정합 스위치(81 및 82)에 디지털 제어 신호를 출력함으로써 안테나 스위치(20), 정합 스위치(81 및 82)의 접속 및 비접속을 제어한다. 또한, RFIC(3)가 출력하는 제어 신호는 아날로그 신호여도 좋다.

또한, RFIC(3)는, 고주파 모듈(1)이 갖는 저잡음 증폭기(61, 62, 63, 65 및 67)(이후, 저잡음 증폭기(61~67)라고 기록할 경우가 있다)의 이득, 저잡음 증폭기(61~67)에 공급되는 전원 전압(Vcc) 및 바이어스 전압(Vbias)을 제어하는 제어부 로서의 기능도 갖는다. 구체적으로는, RFIC(3)는 MIPI 및 GPIO 등의 디지털 제어 신호를 제어 회로(70)에 출력한다. 제어 회로(70)는, RFIC(3)로부터 입력된 디지털 제어 신호에 의해, 저잡음 증폭기(61~67)에 제어 신호, 전원 전압(Vcc) 또는 바이어스 전압(Vbias)을 출력함으로써 저잡음 증폭기(61~67)의 이득을 조정한다. 또한, 제어부로서 기능하는 구성 요소는 RFIC(3)의 외부에 설치되어 있어도 좋다.

안테나(2)는 고주파 모듈(1)의 안테나 접속 단자(100)에 접속되고, 외부로부터의 고주파 신호를 수신해서 고주파 모듈(1)에 출력한다.

또한, 본 실시형태에 따른 통신 장치(5)에 있어서, 안테나(2)는 필수의 구성 요소는 아니다.

이어서, 고주파 모듈(1)의 상세한 구성에 대하여 설명한다.

도 1에 나타내는 바와 같이, 고주파 모듈(1)은 안테나 접속 단자(100)와, 수신 필터(41, 42, 43, 45 및 47)(이후, 수신 필터(41~47)라고 기록할 경우가 있다)와, 저잡음 증폭기(61~67)와, 안테나 스위치(20)와, 정합 회로(10, 31, 33, 35, 37, 51, 52, 53, 55, 57 및 80)와, 제어 회로(70)를 구비한다.

안테나 접속 단자(100)는 안테나(2)에 접속된다.

수신 필터(41)는 제 1 수신 필터의 일례이며, 안테나 접속 단자(100)와 수신 출력 단자(101)를 연결하는 수신 경로에 배치되고, 안테나 접속 단자(100)로부터 입력된 수신 신호 중, 제 1 통신 밴드의 수신 대역(Downlink operating band)을 포함하는 주파수 대역을 통과 대역으로 한다. 제 1 통신 밴드는, 예를 들면, LTE(Long Terｍ Evolution)의 Band 1(수신 대역: 2110-2170㎒)이다. 수신 필터(41)의 입력 단자는 스위치(21)의 한쪽의 단자에 접속되어 있고, 수신 필터(41)의 출력 단자는 정합 회로(51)를 통해 저잡음 증폭기(61)의 입력 단자에 접속되어 있다. 또한, 제 1 통신 밴드는, 예를 들면 LTE의 Band 3(수신 대역: 1805-1880㎒), Band 40(수신 대역: 2300-2400㎒), Band 7(수신 대역: 2620-2690㎒), 및 Band 41(수신 대역: 2496-2690㎒) 중 어느 것이라도 좋다.

수신 필터(42)는 안테나 접속 단자(100)와 수신 출력 단자(102)를 연결하는 수신 경로에 배치되고, 안테나 접속 단자(100)로부터 입력된 수신 신호 중, 제 1 통신 밴드와 다른 제 3 통신 밴드의 수신 대역을 포함하는 주파수 대역을 통과 대역으로 한다. 제 3 통신 밴드는, 예를 들면, LTE의 Band 3이다. 수신 필터(42)의 입력 단자는 스위치(21)의 한쪽의 단자에 접속되어 있고, 수신 필터(42)의 출력 단자는 정합 회로(52)를 통해서 저잡음 증폭기(62)의 입력 단자에 접속되어 있다. 상기 접속 구성에 의해 수신 필터(41 및 42)는 제 1 멀티플렉서를 구성하고 있다.

수신 필터(43)는 제 2 수신 필터의 일례이며, 안테나 접속 단자(100)와 수신 출력 단자(103)를 연결하는 수신 경로에 배치되고, 안테나 접속 단자(100)로부터 입력된 수신 신호 중, 제 1 통신 밴드와 다른 제 2 통신 밴드를 포함하는 주파수 대역을 통과 대역으로 한다. 제 2 통신 밴드는, 예를 들면 LTE의 Band 40이다. 수신 필터(43)의 입력 단자는 스위치(23)의 한쪽의 단자에 접속되어 있고, 수신 필터(43)의 출력 단자는 정합 회로(53)를 통해 저잡음 증폭기(63)의 입력 단자에 접속되어 있다. 또한, 제 2 통신 밴드는, 예를 들면, LTE의 Band 1, Band 3, Band 7, 및 Band 41 중 어느 것이라도 좋다.

수신 필터(45)는 안테나 접속 단자(100)와 수신 출력 단자(105)를 연결하는 수신 경로에 배치되고, 안테나 접속 단자(100)로부터 입력된 수신 신호 중, 제 4 통신 밴드의 수신 대역을 포함하는 주파수 대역을 통과 대역으로 한다. 제 4 통신 밴드는, 예를 들면, LTE의 Band 7이다. 수신 필터(45)의 입력 단자는 스위치(25)의 한쪽의 단자에 접속되어 있고, 수신 필터(45)의 출력 단자는 정합 회로(55)를 통해서 저잡음 증폭기(65)의 입력 단자에 접속되어 있다.

수신 필터(47)는 안테나 접속 단자(100)와 수신 출력 단자(107)를 연결하는 수신 경로에 배치되고, 안테나 접속 단자(100)로부터 입력된 수신 신호 중, 제 5 통신 밴드의 수신 대역을 포함하는 주파수 대역을 통과 대역으로 한다. 제 5 통신 밴드는, 예를 들면 LTE의 Band 41이다. 수신 필터(47)의 입력 단자는 스위치(27)의 한쪽의 단자에 접속되어 있고, 수신 필터(47)의 출력 단자는 정합 회로(57)를 통해 저잡음 증폭기(67)의 입력 단자에 접속되어 있다.

수신 필터(41~47)의 각각은, 송신 신호를 통과시키는 송신 필터와 함께, 송신 신호와 수신 신호를 주파수 분할 복신(FDD: Frequency Division Duplex) 방식으로 전송하는 듀플렉서를 구성하고 있어도 좋다. 또한, 수신 필터(41~47)의 각각은, 송신 신호와 수신 신호를 시분할 복신(TDD: Tiｍe Division Duplex) 방식으로 전송할 경우의 수신 필터라도 좋다.

또한, 수신 필터(41~47)의 각각은, 예를 들면 SAW(Surface Acoustic Wave)를 사용한 탄성파 필터, BAW(Bulk Acoustic Wave)를 사용한 탄성파 필터, LC 공진 필터, 및 유전체 필터 중 있어 어느 것이라도 좋고, 또한, 이것들에는 한정되지 않는다.

저잡음 증폭기(61)는 제 1 통신 밴드의 수신 신호를 저잡음으로 증폭 가능하고, 수신 출력 단자(101)에 출력하는 수신 증폭기이다. 저잡음 증폭기(62)는 제 3 통신 밴드의 수신 신호를 저잡음으로 증폭 가능하고, 수신 출력 단자(102)에 출력하는 수신 증폭기이다. 저잡음 증폭기(63)는 제 2 통신 밴드의 수신 신호를 저잡음으로 증폭 가능하고, 수신 출력 단자(103)에 출력하는 수신 증폭기이다. 저잡음 증폭기(65)는 제 4 통신 밴드의 수신 신호를 저잡음으로 증폭 가능하고, 수신 출력 단자(105)에 출력하는 수신 증폭기이다. 저잡음 증폭기(67)는 제 5 통신 밴드의 수신 신호를 저잡음으로 증폭 가능하고, 수신 출력 단자(107)에 출력하는 수신 증폭기이다. 이후에서는, 수신 출력 단자(101, 102, 103, 105 및 107)를 수신 출력 단자(101~107)라고 기록할 경우가 있다.

저잡음 증폭기(61~67)는, 예를 들면, Si계의 CMOS(Coｍpleｍentary Metal Oxide Seｍiconductor) 또는 GaAs를 재료로 한, 전계 효과형 트랜지스터(FET) 또는 헤테로 바이폴라 트랜지스터(HBT) 등으로 구성되어 있다.

안테나 스위치(20)는 SPST(Single Pole Single Throw)형의 스위치(21, 23, 25 및 27)를 갖는다. 스위치(21)의 다른쪽의 단자, 스위치(23)의 다른쪽의 단자, 스위치(25)의 다른쪽의 단자, 및 스위치(27)의 다른쪽의 단자는, 정합 회로(10)를 통해 안테나 접속 단자(100)에 접속되어 있다. 스위치(21)는 안테나 접속 단자(100)와 제 1 멀티플렉서의 접속 및 비접속을 스위칭한다. 스위치(23)는 안테나 접속 단자(100)와 수신 필터(43)의 접속 및 비접속을 스위칭한다. 스위치(25)는 안테나 접속 단자(100)와 수신 필터(45)의 접속 및 비접속을 스위칭한다. 스위치(27)는 안테나 접속 단자(100)와 수신 필터(47)의 접속 및 비접속을 스위칭한다. 상기 구성에 의하면, 안테나 스위치(20)는 (1) 제 1 멀티플렉서와 안테나 접속 단자(100)의 접속 및 비접속을 스위칭하고, (2) 수신 필터(43)와 안테나 접속 단자(100)의 접속 및 비접속을 스위칭하고, (3) 수신 필터(45)와 안테나 접속 단자(100)의 접속 및 비접속을 스위칭하고, (4) 수신 필터(47)와 안테나 접속 단자(100)의 접속 및 비접속을 스위칭한다. 또한, 안테나 스위치(20)가 갖는 스위치의 수는 고주파 모듈(1)이 갖는 신호 경로의 수에 따라 적당히 설정된다.

정합 회로(10)는 임피던스 정합 회로의 일례이며, 안테나 접속 단자(100)와 안테나 스위치(20)를 연결하는 수신 경로에 배치되고, 안테나(2)와 안테나 스위치(20)의 임피던스 정합을 취한다.

정합 회로(31)는 안테나 스위치(20)와 제 1 멀티플렉서의 입력 단자 사이에 접속되고, 안테나 스위치(20)와 제 1 멀티플렉서의 임피던스 정합을 취한다. 정합 회로(33)는 안테나 스위치(20)와 수신 필터(43)의 입력 단자 사이에 접속되고, 안테나 스위치(20)와 수신 필터(43)의 임피던스 정합을 취한다. 정합 회로(35)는 안테나 스위치(20)와 수신 필터(45)의 입력 단자 사이에 접속되고, 안테나 스위치(20)와 수신 필터(45)의 임피던스 정합을 취한다. 정합 회로(37)는 안테나 스위치(20)와 수신 필터(47)의 입력 단자 사이에 접속되고, 안테나 스위치(20)와 수신 필터(47)의 임피던스 정합을 취한다. 이후에서는, 정합 회로(31, 33, 35 및 37)를 정합 회로(31~37)라고 기록할 경우가 있다.

정합 회로(51)는 저잡음 증폭기(61)의 입력 단자와 수신 필터(41)의 출력 단자 사이에 접속되고, 저잡음 증폭기(61)와 수신 필터(41)의 임피던스 정합을 취한다. 정합 회로(52)는 저잡음 증폭기(62)의 입력 단자와 수신 필터(42)의 출력 단자 사이에 접속되고, 저잡음 증폭기(62)와 수신 필터(42)의 임피던스 정합을 취한다. 정합 회로(53)는 저잡음 증폭기(63)의 입력 단자와 수신 필터(43)의 출력 단자 사이에 접속되고, 저잡음 증폭기(63)와 수신 필터(43)의 임피던스 정합을 취한다. 정합 회로(55)는 저잡음 증폭기(65)의 입력 단자와 수신 필터(45)의 출력 단자 사이에 접속되고, 저잡음 증폭기(65)와 수신 필터(45)의 임피던스 정합을 취한다. 정합 회로(57)는 저잡음 증폭기(67)의 입력 단자와 수신 필터(47)의 출력 단자 사이에 접속되고, 저잡음 증폭기(67)와 수신 필터(47)의 임피던스 정합을 취한다. 이후에서는, 정합 회로(51, 52, 53, 55 및 57)를 정합 회로(51~57)라고 기록할 경우가 있다.

또한, 정합 회로(10, 31~37, 및 51~57)의 각각은 인덕터 및 커패시터 중 적어도 한쪽으로 구성되어 있다.

또한, 정합 회로(10, 31~37, 및 51~57)의 각각은 수신 경로와 그라운드 사이에 접속되어 있어도 좋고, 또한, 수신 경로 상에 직렬 배치되어 있어도 좋고, 또한, 수신 경로와 그라운드 사이 및 수신 경로 상의 쌍방에 배치되어 있어도 좋다.

정합 회로(80)는 안테나 접속 단자(100)와 수신 필터(41) 사이에 접속되어 있고, 인덕터(83 및 84)와, 커패시터(85)와, 정합 스위치(81 및 82)를 구비한다.

인덕터(83)의 한쪽 끝 및 인덕터(84)의 한쪽 끝에, 커패시터(85)의 양 끝이 접속되고, 인덕터(83)의 다른쪽 끝 및 인덕터(84)의 다른쪽 끝은 그라운드에 접속되어 있다. 또한, 정합 스위치(81)의 한쪽의 단자는, 스위치(21)의 한쪽의 단자와 제 1 멀티 플렉서를 연결하는 수신 경로에 접속되어 있고, 정합 스위치(81)의 다른쪽의 단자는 인덕터(83)의 한쪽 끝에 접속되어 있다. 또한, 정합 스위치(82)의 한쪽의 단자는, 스위치(21)의 다른쪽의 단자와 안테나 접속 단자(100)를 연결하는 수신 경로에 접속되어 있고, 정합 스위치(82)의 다른쪽의 단자는 인덕터(84)의 한쪽 끝에 접속되어 있다.

상기 접속 구성에 의해, 정합 회로(80)는, 션트 L-시리즈 C-션트 L로 이루어지는 하이패스형의 위상 회로를, 정합 스위치(81 및 82)의 도통에 의해, 안테나 접속 단자(100)와 제 1 멀티플렉서를 연결하는 수신 경로에 접속한다. 또한, 정합 회로(80)는 상기 위상 회로를 정합 스위치(81 및 82)의 비도통에 의해 상기 수신 경로와 비접속으로 한다.

또한, 정합 스위치(81 및 82)는 스위치(21)를 걸쳐 접속되어 있지 않아도 좋고, 스위치(21)의 한쪽의 단자측, 또는, 스위치(21)의 다른쪽의 단자측에 통합하여 접속되어 있어도 좋다. 또한, 상기 위상 회로는 션트 L-시리즈 C-션트 L로 이루어지는 하이패스형이 아니어도 좋고, 인덕터 및 커패시터 중 적어도 한쪽을 갖고 있으면 좋다.

또한, 정합 회로(80)는 수신 필터(43)의 입력 단자에 더 접속되어 있어도 좋다. 이 경우, 예를 들면, 정합 스위치(81) 및 인덕터(83)의 접속 노드와 수신 필터(43)의 입력 단자 사이에 스위치가 접속된다. 이것에 의해, 정합 회로(80)는 상기 스위치를 도통 상태로 함으로써, 상기 위상 회로와 안테나 접속 단자(100) 및 수신 필터(43)를 연결하는 수신 경로를 접속한다.

제어 회로(70)는, RFIC(3)로부터 입력된 디지털 제어 신호 MIPI 및 GPIO 등에 의해, 안테나 스위치(20), 정합 스위치(81 및 82)의 접속 및 비접속을 제어하고, 또한, 저잡음 증폭기(61~67)의 이득을 조정한다.

안테나 스위치(20), 정합 스위치(81 및 82)는 1칩화된 반도체 IC(Integrated Circuit)에 포함되어 있다. 반도체 IC는, 예를 들면, CMOS(Coｍpleｍentary Metal Oxide Seｍiconductor)로 구성되어 있다. 구체적으로는, SOI(Silicon On Insulator) 프로세스에 의해 형성되어 있다. 이것에 의해, 반도체 IC를 저렴하게 제조하는 것이 가능해진다. 또한, 반도체 IC는 GaAs, SiGe 및 GaN 중 적어도 어느 하나로 구성되어 있어도 좋다. 이것에 의해, 반도체 IC가 증폭기를 포함할 경우에는 고품질의 증폭 성능 및 잡음 성능을 갖는 고주파 신호를 출력하는 것이 가능해진다.

또한, 반도체 IC는 제어 회로(70), 저잡음 증폭기(61~67) 중 적어도 1개를 포함하고 있어도 좋다.

고주파 모듈(1)의 구성에 있어서, 스위치(21), 정합 회로(80), 정합 회로(31), 수신 필터(41), 정합 회로(51), 및 저잡음 증폭기(61)는, 안테나(2)로부터 안테나 접속 단자(100)를 통해 제 1 통신 밴드의 수신 신호를 전송하는 제 1 수신 회로를 구성한다. 또한, 스위치(21), 정합 회로(80), 정합 회로(31), 수신 필터(42), 정합 회로(52), 및 저잡음 증폭기(62)는, 안테나(2)로부터 안테나 접속 단자(100)를 통해서 제 3 통신 밴드의 수신 신호를 전송하는 제 3 수신 회로를 구성한다. 또한, 스위치(23), 정합 회로(33), 수신 필터(43), 정합 회로(53), 및 저잡음 증폭기(63)는, 안테나(2)로부터 안테나 접속 단자(100)를 통해 제 2 통신 밴드의 수신 신호를 전송하는 제 2 수신 회로를 구성한다. 또한, 스위치(25), 정합 회로(35), 수신 필터(45), 정합 회로(55), 및 저잡음 증폭기(65)는, 안테나(2)로부터 안테나 접속 단자(100)를 통해 제 4 통신 밴드의 수신 신호를 전송하는 제 4 수신 회로를 구성한다. 또한, 스위치(27), 정합 회로(37), 수신 필터(47), 정합 회로(57), 및 저잡음 증폭기(67)는, 안테나(2)로부터 안테나 접속 단자(100)를 통해 제 5 통신 밴드의 수신 신호를 전송하는 제 5 수신 회로를 구성한다.

상기 회로 구성에 의하면, 고주파 모듈(1)은, 제 1 통신 밴드~제 5 통신 밴드 중 어느 하나의 고주파 신호를 수신하는 것이 가능하다. 또한, 고주파 모듈(1)은 제 1 통신 밴드~제 5 통신 밴드 중 2 이상의 고주파 신호를 동시 수신하는 것이 가능하다.

고주파 모듈(1)에 있어서, 예를 들면, (1) 제 1 통신 밴드의 수신 신호를 단독으로 수신할 경우, (2) 제 3 통신 밴드의 수신 신호를 단독으로 수신할 경우, (3) 제 1 통신 밴드의 수신 신호와 제 3 통신 밴드의 수신 신호를 동시 수신할 경우에는 정합 스위치(81 및 82)는 비도통 상태로 된다. 한편, (4) 제 1 통신 밴드의 수신 신호, 제 3 통신 밴드의 수신 신호, 및 제 4 통신 밴드의 수신 신호를 동시 수신할 경우, (5) 제 1 통신 밴드의 수신 신호, 제 2 통신 밴드의 수신 신호, 제 3 통신 밴드의 수신 신호, 및 제 4 통신 밴드의 수신 신호를 동시 수신할 경우, (6) 제 1 통신 밴드의 수신 신호, 제 3 통신 밴드의 수신 신호, 및 제 5 통신 밴드의 수신 신호를 동시 수신할 경우에는, 정합 스위치(81 및 82)는 도통 상태로 된다.

이것에 의하면, 정합 회로(80)는 상기 (1)-(6)의 수신 상태에 따라 정합 회로(80)의 위상을 가변시키는 위상 회로로서 기능하고, 고주파 모듈(1)은 상기 (1)-(6)의 각각에 있어서, 저손실로 수신 신호를 전송하는 것이 가능해진다.

또한, 본 발명에 따른 고주파 모듈은, 제 1 수신 회로 및 제 2 수신 회로와, 안테나 스위치(20)를 구비하고 있으면 좋다.

또한, 본 발명에 따른 고주파 모듈은, 제 1 수신 회로~제 5 수신 회로의 각각에 대응한 송신 회로를 구비하고 있어도 좋다. 상기 송신 회로는, 예를 들면, 송신 신호를 증폭 가능한 전력 증폭기, 상기 송신 신호를 통과시키는 송신 필터, 및 정합 회로 등으로 구성된다.

여기에서, 고주파 모듈(1)을 소형의 프론트 엔드 회로로 할 경우, 동시 전송하는 통신 밴드의 조합에 대응하여 정합 회로(80)를 가변시킴으로써, 안테나(2)와 수신 필터(41~47)의 정합 상태를 최적화함으로써 고주파 신호의 전송 손실을 저감하는 것이 가능해진다. 그러나, 가변형의 정합 회로(80)는, 인덕터, 커패시터, 및 정합 스위치 등을 포함해 회로 구성이 복잡해지고, 정합 회로(80) 및 고주파 모듈(1)을 소형화하는 것이 곤란해진다. 이것에 대하여, 이하에서는, 복수의 통신 밴드의 고주파 신호를 저손실로 동시 전송하는 것이 가능한 소형의 고주파 모듈(1)의 구성에 대해서 설명한다.

[2. 실시예에 따른 고주파 모듈(1A)의 회로 소자 배치 구성]

도 2a는 실시예에 따른 고주파 모듈(1A)의 평면 구성 개략도이다. 또한, 도 2b는 실시예에 따른 고주파 모듈(1A)의 단면 구성 개략도이며, 구체적으로는, 도 2a의 IIB-IIB선에 있어서의 단면도이다. 또한, 도 2a의 (a)에는, 모듈 기판(91)의 서로 대향하는 주면(91a 및 91b) 중, 주면(91a)을 z축 정방향측으로부터 보았을 경우의 회로 소자의 배치도가 나타내어져 있다. 한편, 도 2a의 (b)에는 주면(91b)을 z축 정방향측으로부터 보았을 경우의 회로 소자의 배치를 투시한 도면이 나타내어져 있다.

실시예에 따른 고주파 모듈(1A)은, 실시형태에 따른 고주파 모듈(1)을 구성하는 각 회로 부품의 배치 구성을 구체적으로 나타낸 것이다.

도 2a 및 도 2b에 나타내는 바와 같이, 본 실시예에 따른 고주파 모듈(1A)은 도 1에 나타내어진 회로 구성에 추가해서, 모듈 기판(91)과, 수지 부재(92)와, 외부 접속 단자(150)를 더 갖고 있다.

모듈 기판(91)은 서로 대향하는 주면(91a)(제 1 주면) 및 주면(91b)(제 2 주면)을 갖고, 상기 수신 회로를 실장하는 기판이다. 모듈 기판(91)으로서는, 예를 들면, 복수의 유전체층의 적층 구조를 갖는 저온 동시 소성 세라믹스(Low Teｍperature Co-fired Ceraｍics: LTCC) 기판, 고온 동시 소성 세라믹스(High Teｍperature Co-fired Ceraｍics: HTCC) 기판, 부품 내장 기판, 재배선층 (Redistribution Layer: RDL)을 갖는 기판, 또는, 프린트 기판 등이 사용된다.

수지 부재(92)는 모듈 기판(91)의 주면(91a)에 배치되고, 상기 수신 회로의 일부 및 모듈 기판(91)의 주면(91a)을 덮고 있고, 상기 수신 회로를 구성하는 회로 소자의 기계 강도 및 내습성 등의 신뢰성을 확보하는 기능을 갖고 있다. 또한, 수지 부재(92)는 본 발명에 따른 고주파 모듈에 필수의 구성 요소는 아니다.

도 2a 및 도 2b에 나타내는 바와 같이, 본 실시예에 따른 고주파 모듈(1A) 에서는 수신 필터(41~47), 정합 회로(10), 정합 회로(31~37), 및 정합 회로(51~57)는, 주면(91a)(제 1 주면)에 배치되어 있다. 한편, 안테나 스위치(20), 정합 스위치(81 및 82), 제어 회로(70), 및 저잡음 증폭기(61~67)는 주면(91b)(제 2 주면)에 배치되어 있다.

또한, 안테나 스위치(20), 정합 스위치(81 및 82), 제어 회로(70), 및 저잡음 증폭기(61~67)는 주면(91b)에 배치된 반도체 IC(75)에 포함되어 있다.

또한, 도 2a에는 도시되어 있지 않지만, 도 1에 나타내어진 회로 부품간을 연결하는 수신 경로를 구성하는 배선은, 모듈 기판(91)의 내부, 주면(91a 및 91b)에 형성되어 있다. 또한, 상기 배선은, 양 끝이 주면(91a, 91b) 및 고주파 모듈(1A)을 구성하는 회로 소자 중 어느 하나에 접합된 본딩 와이어라도 좋고, 또한, 고주파 모듈(1A)을 구성하는 회로 소자의 표면에 형성된 단자, 전극 또는 배선이라도 좋다.또한, 복수의 회로 소자가 반도체 IC에 포함되어 있다란, 상기 복수의 회로 소자가 1매의 반도체 기판 표면 또는 내부에 형성되어 있는 상태, 또는, 1개의 패키지 내에 집적 배치되어 있는 상태로 정의된다. 또한, 상기 1매의 반도체 기판 및 상기 1개의 패키지는 모듈 기판(91)과는 다른 것이며, 또한, 고주파 모듈(1A)이 실장되는 외부 기판과는 다른 것이다.

상기 구성에 의하면, 고주파 모듈(1A)을 구성하는 복수의 회로 부품이, 모듈 기판(91)의 주면(91a 및 91b)에 나뉘어져 배치되어 있으므로, 고주파 모듈(1A)을 소형화할 수 있다. 또한, 주면(91b)에 있어서, 안테나 스위치(20)와, 정합 회로(80)의 구성 요소인 정합 스위치(81 및 82)가 반도체 IC(75)에 의해 일체화되어 있다. 따라서, 복수의 통신 밴드의 고주파 신호를 저손실로 동시 전송하는 것이 가능한 소형의 고주파 모듈(1A)을 제공할 수 있다. 또한, 제어 회로(70) 및 저잡음 증폭기(61~67)가, 안테나 스위치(20), 정합 스위치(81 및 82)와 함께 반도체 IC(75)에 의해 일체화되어 있으므로, 주면(91b)을 면적 절약화할 수 있고, 또한, 저배화할 수 있다.

또한, 주면(91a)에는 적어도 수신 필터(41 및 43)가 배치되어 있으면 좋고, 그 밖의 수신 필터, 정합 회로(10), 정합 회로(31~37), 및 정합 회로(51~57)는 주면(91b)에 배치되어 있어도 좋다. 또한, 반도체 IC(75)에는 제어 회로(70) 및 저잡음 증폭기(61~67)가 포함되어 있지 않아도 좋다.

또한, 본 실시예에 따른 고주파 모듈(1A)에서는, 정합 회로(80)를 구성하는 인덕터(83, 84), 및 커패시터(85)는 주면(91a)에 배치되어 있다.

이것에 의해, 정합 회로(80)의 구성 요소인 정합 스위치(81 및 82)와, 인덕터(83, 84), 및 커패시터(85)가, 모듈 기판(91)의 양면에 나뉘어져 배치되어 있으므로, 고주파 모듈(1A)을 더욱 소형화할 수 있다.

또한, 본 실시예에 따른 고주파 모듈(1A)에서는, 모듈 기판(91)을 평면으로 보았을 경우, 수신 필터(41~43, 45) 및 수신 필터(47)의 적어도 일부는, 정합 회로(10) 및 정합 회로(31~37)가 배치된 영역(X)과, 정합 회로(51~57)가 배치된 영역(Z) 사이에 끼워진 영역(Y)에 배치되어 있다. 또한, 제어 회로(70)는 안테나 스위치(20)와 저잡음 증폭기(61~67) 사이에 배치되어 있다. 또한, 영역(X)과 안테나 스위치(20)는 적어도 일부 겹쳐 있고, 영역(Z)과 저잡음 증폭기(61~67)는 적어도 일부 겹쳐 있다. 또한, 인덕터(83, 84) 및 커패시터(85) 중 적어도 1개와, 정합 스위치(81 및 82)는 적어도 일부 겹쳐 있다.

이것에 의하면, 정합 회로(80)를 구성하는 인덕터(83, 84) 및 커패시터(85)와 정합 스위치(81 및 82)가, 모듈 기판(91)을 사이에 두고 대향하고 있으므로, 정합 회로(80) 내에서의 배선을 보다 짧게 할 수 있다. 따라서, 정합 스위치(81 및 82)를 도통 상태로 했을 경우의 수신 신호의 전송 손실을 저감할 수 있다.

또한, 고주파 모듈(1A)은, 고주파 모듈(1A)의 z축 부방향측에 배치되는 외부 기판과, 외부 접속 단자(150)를 경유해서, 전기 신호의 수수를 행한다. 도 2a의 (b)에 나타내는 바와 같이, 외부 접속 단자(150)에는, 안테나 접속 단자(100), 수신 출력 단자(101~107)(도 2a의 (b)에는 도시하지 않음)가 포함된다. 또한, 외부 접속 단자(150) 중 몇 개는 외부 기판의 그라운드 전위로 설정되어 있다.

주면(91a 및 91b) 중, 외부 기판과 대향하는 주면(91b)에는 저배화가 곤란한 인덕터(83, 84), 커패시터(85), 정합 회로(31~37), 정합 회로(51~57), 및 수신 필터(41~47)가 배치되지 않고, 저배화가 용이한 정합 스위치(81, 82), 안테나 스위치(20), 제어 회로(70), 및 저잡음 증폭기(61~67)가 배치되어 있으므로, 고주파 모듈(1A) 전체를 저배화하는 것이 가능해진다. 또한, 제 1~제 5 수신 회로의 수신 감도에 크게 영향을 주는 저잡음 증폭기(61~67)의 주위에, 그라운드 전극으로서 적용되는 외부 접속 단자(150)가 복수 배치되므로, 제 1~제 5 수신 회로의 수신 감도의 열화를 억제할 수 있다.

또한, 모듈 기판(91)은 복수의 유전체층이 적층된 다층 구조를 갖고, 상기 복수의 유전체층 중 적어도 1개에는 그라운드 전극 패턴이 형성되어 있는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 모듈 기판(91)의 전자계 차폐 기능이 향상된다.

또한, 고주파 모듈(1A)에 있어서, 도 2b에 나타내는 바와 같이, 외부 접속 단자(150)는 범프 전극이라도 좋고, 또한, 주면(91b)으로부터 z축 부방향으로 연장 설치된 기둥 형상 전극이어도 좋다. 외부 접속 단자(150)가 기둥 형상 전극 및 범프 전극 중 어느 하나일 경우에도, 주면(91b)을 덮는 수지 부재가 배치되어도 좋다.

[3. 효과 등]

이상, 본 실시형태에 따른 고주파 모듈(1)은, 서로 대향하는 주면(91a 및 91b)을 갖는 모듈 기판(91)과, 안테나 접속 단자(100)와, 제 1 통신 밴드를 포함하는 주파수 대역을 통과 대역으로 하는 수신 필터(41)와, 제 1 통신 밴드와 다른 제 2 통신 밴드를 포함하는 주파수 대역을 통과 대역으로 하는 수신 필터(43)와, 수신 필터(41)와 안테나 접속 단자(100)의 접속 및 비접속을 스위칭하고, 또한, 수신 필터(43)와 안테나 접속 단자(100)의 접속 및 비접속을 스위칭하는 안테나 스위치(20)와, 안테나 접속 단자(100)와 수신 필터(41) 사이에 접속된 정합 회로(80)를 구비하고, 정합 회로(80)는, 인덕터 및 커패시터 중 적어도 한쪽과, 상기 인덕터 및 커패시터 중 적어도 한쪽과 수신 필터(41)의 접속 및 비접속을 스위칭하는 정합 스위치(81 및 82)를 갖고, 수신 필터(41 및 43)는 주면(91a)에 배치되어 있고, 안테나 스위치(20), 정합 스위치(81 및 82)는 주면(91b)에 배치된 1개의 반도체 IC(75)에 포함되어 있다.

상기 구성에 의하면, 고주파 모듈(1)을 구성하는 복수의 회로 부품이 모듈 기판(91)의 주면(91a 및 91b)에 나뉘어져 배치되어 있으므로, 고주파 모듈(1)을 소형화할 수 있다. 또한, 주면(91b)에 있어서, 안테나 스위치(20)와, 정합 회로(80) 의 구성 요소인 정합 스위치(81 및 82)가, 반도체 IC(75)에 의해 일체화되어 있다. 따라서, 복수의 통신 밴드의 고주파 신호를 저손실로 동시 전송하는 것이 가능한 소형의 고주파 모듈(1)을 제공할 수 있다.

또한, 고주파 모듈(1)에 있어서, 정합 회로(80)를 구성하는 상기 인덕터 및 커패시터 중 적어도 한쪽은 주면(91a)에 배치되어 있어도 좋다.

이것에 의해, 정합 회로(80)의 구성 요소인 정합 스위치(81 및 82)와, 상기 인덕터 및 커패시터 중 적어도 한쪽이, 모듈 기판(91)의 양면에 나뉘어져 배치되어 있으므로, 고주파 모듈(1)을 더욱 소형화할 수 있다.

또한, 고주파 모듈(1)에 있어서, 모듈 기판(91)을 평면으로 보았을 경우, 상기 인덕터 및 커패시터 중 적어도 한쪽과 정합 스위치(81 및 82)는 적어도 일부 겹쳐 있어도 좋다.

이것에 의하면, 상기 인덕터 및 커패시터 중 적어도 한쪽과 정합 스위치(81 및 82)가, 모듈 기판(91)을 사이에 두고 대향하고 있으므로, 정합 회로(80) 내에서의 배선을 보다 짧게 할 수 있다. 따라서, 정합 스위치(81 및 82)를 도통 상태로 했을 경우의 수신 신호의 전송 손실을 저감할 수 있다.

또한, 고주파 모듈(1)은 주면(91b)에 배치된 외부 접속 단자(150)를 더 구비해도 좋다.

주면(91a 및 91b) 중, 외부 기판과 대향하는 주면(91b)에는 저배화가 곤란한 정합 회로(31~37), 정합 회로(51~57), 및 수신 필터(41~47)가 배치되지 않고, 저배화가 용이한 안테나 스위치(20), 정합 스위치(81 및 82)가 배치되어 있으므로, 고주파 모듈(1) 전체를 저배화하는 것이 가능해진다.

또한, 고주파 모듈(1)에 있어서, 제 1 통신 밴드의 수신 신호를 단독으로 수신할 경우에는, 정합 스위치(81 및 82)는 비도통 상태로 되고, 제 1 통신 밴드의 수신 신호와 제 2 통신 밴드의 수신 신호를 동시에 수신할 경우에는, 정합 스위치(81 및 82)는 도통 상태로 되어도 좋다.

이것에 의하면, 정합 회로(80)는 수신 신호의 수신 상태에 따라 정합 회로(80)의 위상을 가변시키는 위상 회로로서 기능하므로, 상기 수신 상태의 각각에 있어서, 저손실로 수신 신호를 전송하는 것이 가능해진다.

또한, 고주파 모듈(1)에 있어서, 수신 필터(41 및 43)는, 각각, LTE의 Band 1, Band 3, Band 7, Band 40, 및 Band 41 중 어느 하나의 수신 대역을 통과 대역 으로 해도 좋다.

또한, 통신 장치(5)는, 안테나(2)와, 안테나(2)에서 수신되는 고주파 신호를 처리하는 RFIC(3)와, 안테나(2)와 RFIC(3) 사이에서 고주파 신호를 전송하는 고주파 모듈(1)을 구비한다.

이것에 의해, 복수의 통신 밴드의 고주파 신호를 저손실로 동시 전송하는 것이 가능한 소형의 통신 장치(5)를 제공하는 것이 가능해진다.

(그 밖의 실시형태 등)

이상, 본 발명의 실시형태에 따른 고주파 모듈 및 통신 장치에 대해서, 실시형태 및 실시예를 들어 설명했지만, 본 발명에 따른 고주파 모듈 및 통신 장치는, 상기 실시형태 및 실시예에 한정되는 것은 아니다. 상기 실시형태 및 실시예에 있어서의 임의의 구성 요소를 조합시켜서 실현되는 별도의 실시형태나, 상기 실시형태 및 실시예에 대하여 본 발명의 주지를 일탈하지 않는 범위에서 당업자가 생각해낸 각종 변형을 실시해서 얻어지는 변형예나, 상기 고주파 모듈 및 통신 장치를 내장한 각종 기기도 본 발명에 포함된다.

예를 들면, 상기 실시형태 및 실시예에 따른 고주파 모듈 및 통신 장치에 있어서, 도면에 개시된 각 회로 부품 및 신호 경로를 접속하는 경로의 사이에, 별도의 회로 소자 및 배선 등이 삽입되어 있어도 좋다.

본 발명은 멀티 밴드 대응의 프론트 엔드부에 배치되는 고주파 모듈로서, 휴대전화 등의 통신 기기에 널리 이용할 수 있다.

1, 1A : 고주파 모듈
2 : 안테나
3 : RF 신호 처리 회로(RFIC)
5 : 통신 장치
10, 31, 33, 35, 37, 51, 52, 53, 55, 57, 80 : 정합 회로
20 : 안테나 스위치
21, 23, 25, 27 : 스위치
41, 42, 43, 45, 47 : 수신 필터
61, 62, 63, 65, 67 : 저잡음 증폭기
70 : 제어 회로
75 : 반도체 IC
81, 82 : 정합 스위치
83, 84 : 인덕터
85 : 커패시터
91 : 모듈 기판
91a, 91b : 주면
92 : 수지 부재
100 : 안테나 접속 단자
101, 102, 103, 105, 107 : 수신 출력 단자
150 : 외부 접속 단자

Claims

서로 대향하는 제 1 주면 및 제 2 주면을 갖는 모듈 기판과,
안테나 접속 단자와,
제 1 통신 밴드를 포함하는 주파수 대역을 통과 대역으로 하는 제 1 수신 필터와,
상기 제 1 통신 밴드와 다른 제 2 통신 밴드를 포함하는 주파수 대역을 통과 대역으로 하는 제 2 수신 필터와,
상기 제 1 수신 필터와 상기 안테나 접속 단자의 접속 및 비접속을 스위칭하고, 또한, 상기 제 2 수신 필터와 상기 안테나 접속 단자의 접속 및 비접속을 스위칭하는 안테나 스위치와,
상기 안테나 접속 단자와 상기 제 1 수신 필터 사이에 접속된 정합 회로를 구비하고,
상기 정합 회로는,
인덕터 및 커패시터 중 적어도 한쪽과,
상기 인덕터 및 커패시터 중 적어도 한쪽과 상기 제 1 수신 필터의 접속 및 비접속을 스위칭하는 정합 스위치를 갖고,
상기 제 1 수신 필터 및 상기 제 2 수신 필터는 상기 제 1 주면에 배치되어 있고,
상기 안테나 스위치 및 상기 정합 스위치는 상기 제 2 주면에 배치된 1개의 반도체 IC에 포함되어 있는 고주파 모듈.
제 1 항에 있어서,
상기 인덕터 및 커패시터 중 적어도 한쪽은 상기 제 1 주면에 배치되어 있는 고주파 모듈.
제 2 항에 있어서,
상기 모듈 기판을 평면으로 보았을 경우, 상기 인덕터 및 커패시터 중 적어도 한쪽과 상기 정합 스위치는 적어도 일부 겹쳐 있는 고주파 모듈.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 2 주면에 배치된 외부 접속 단자를 더 구비하는 고주파 모듈.
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 통신 밴드의 수신 신호를 증폭하는 저잡음 증폭기를 더 구비하고,
상기 저잡음 증폭기는 상기 반도체 IC에 포함되어 있는 고주파 모듈.
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 통신 밴드의 수신 신호를 단독으로 수신할 경우에는, 상기 정합 스위치는 비도통 상태로 되고,
상기 제 1 통신 밴드의 수신 신호와 상기 제 2 통신 밴드의 수신 신호를 동시에 수신할 경우에는, 상기 정합 스위치는 도통 상태로 되는 고주파 모듈.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 수신 필터 및 상기 제 2 수신 필터는, 각각, LTE의 Band 1, Band 3, Band 7, Band 40, 및 Band 41 중 어느 하나의 수신 대역을 통과 대역으로 하는 고주파 모듈.
안테나와,
상기 안테나에서 송수신되는 고주파 신호를 처리하는 RF 신호 처리 회로와,
상기 안테나와 상기 RF 신호 처리 회로 사이에서 상기 고주파 신호를 전송하는 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 기재된 고주파 모듈을 구비하는 통신 장치.