KR102490285B1 - 고주파 모듈 및 통신 장치 - Google Patents

고주파 모듈 및 통신 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102490285B1
KR102490285B1 KR1020210020899A KR20210020899A KR102490285B1 KR 102490285 B1 KR102490285 B1 KR 102490285B1 KR 1020210020899 A KR1020210020899 A KR 1020210020899A KR 20210020899 A KR20210020899 A KR 20210020899A KR 102490285 B1 KR102490285 B1 KR 102490285B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
switch
terminal
filter
frequency module
high frequency
Prior art date
Application number
KR1020210020899A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20210116228A (ko
Inventor
타카히로 야마시타
Original Assignee
가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 filed Critical 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
Publication of KR20210116228A publication Critical patent/KR20210116228A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102490285B1 publication Critical patent/KR102490285B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/005—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges
    • H04B1/0067—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with one or more circuit blocks in common for different bands
    • H04B1/0075—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with one or more circuit blocks in common for different bands using different intermediate frequencied for the different bands
    • H04B1/0078—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with one or more circuit blocks in common for different bands using different intermediate frequencied for the different bands with a common intermediate frequency amplifier for the different intermediate frequencies, e.g. when using switched intermediate frequency filters
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40—Circuits
    • H04B1/50—Circuits using different frequencies for the two directions of communication
    • H04B1/52—Hybrid arrangements, i.e. arrangements for transition from single-path two-direction transmission to single-direction transmission on each of two paths or vice versa
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/005—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges
    • H04B1/0053—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band
    • H04B1/0057—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band using diplexing or multiplexing filters for selecting the desired band
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/005—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges
    • H04B1/0053—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band
    • H04B1/006—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band using switches for selecting the desired band

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Transceivers (AREA)

Abstract

고주파 모듈(1)은 서로 대향하는 주면(91a 및 91b)을 갖고, 회로 부품을 양면 실장하는 것이 가능한 모듈 기판(91)과, 복수의 외부 접속 단자(150)와, 복수의 외부 접속 단자(150) 중 하나인 안테나 접속 단자(100)에 접속된 스위치(11)와, 안테나 접속 단자(100)에 접속되고, 스위치(11)와 다른 스위치(12)를 구비하고, 복수의 외부 접속 단자(150)는 주면(91b)에 배치되고, 스위치(11 및 12) 중 적어도 일방은 주면(91b)에 배치되어 있다.

Description

고주파 모듈 및 통신 장치{RADIO FREQUENCY MODULE AND COMMUNICATION DEVICE}
본 발명은 고주파 모듈 및 통신 장치에 관한 것이다.
특허문헌 1에는 Hi 밴드측의 송수신 회로와 Low 밴드측의 송수신 회로가 안테나에 접속된 고주파 모듈의 회로 구성이 개시되어 있다. Hi 밴드측의 송수신 회로는 상이한 통신 밴드를 통과 대역으로 하는 복수의 듀플렉서와, 상기 복수의 듀플렉서가 접속된 제 1 스위치 회로를 갖고 있다. Low 밴드측의 송수신 회로는 상이한 통신 밴드를 통과 대역으로 하는 복수의 듀플렉서와, 상기 복수의 듀플렉서가 접속된 제 2 스위치 회로를 갖고 있다. 이것에 의해, Hi 밴드측의 송수신 회로와 Low 밴드측의 송수신 회로의 아이솔레이션을 확보할 수 있다.
일본 특허공개 2016-96486호 공보
그러나, 특허문헌 1에 있어서, 개별적으로 형성된 Hi 밴드측의 송수신 회로와 Low 밴드측의 송수신 회로를 1개의 고주파 모듈 내에 배치하면, 상기 고주파 모듈이 대형화되어 버린다. 특히, 멀티 밴드화에 따라, 취급하는 통신 밴드수가 늘어날수록 회로 규모가 커져 대형화가 가속됨과 아울러, 안테나와 상기 2개의 송수신 회로의 접속 배선이 길어져 전송 손실이 커진다.
본 발명은 상기 과제를 해결하기 위해 이루어진 것으로서, 전송 손실을 저감하면서 소형화된 고주파 모듈 및 통신 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일양태에 따른 고주파 모듈은 서로 대향하는 제 1 주면 및 제 2 주면을 갖고, 회로 부품을 양면 실장하는 것이 가능한 모듈 기판과, 복수의 외부 접속 단자와, 상기 복수의 외부 접속 단자 중 하나인 안테나 접속 단자에 접속된 제 1 스위치 IC와, 상기 안테나 접속 단자에 접속되고, 상기 제 1 스위치 IC와 다른 제 2 스위치 IC를 구비하고, 상기 복수의 외부 접속 단자는 상기 제 2 주면에 배치되고, 상기 제 1 스위치 및 상기 제 2 스위치 중 적어도 일방은 상기 제 2 주면에 배치되어 있다.
본 발명에 의하면, 전송 손실을 저감하면서 소형화된 고주파 모듈 및 통신 장치를 제공하는 것이 가능해진다.
도 1은 실시형태에 따른 고주파 모듈 및 통신 장치의 회로 구성도이다.
도 2a는 실시형태에 따른 스위치의 회로 구성도이다.
도 2b는 비교예에 따른 스위치의 회로 구성도이다.
도 2c는 각 스위치 및 각 듀플렉서가 대응하는 주파수 대역의 관계를 나타내는 도면이다.
도 3은 실시형태 및 비교예에 따른 스위치의 주파수 특성을 비교한 그래프이다.
도 4a는 실시예에 따른 고주파 모듈의 평면 구성 개략도이다.
도 4b는 실시예에 따른 고주파 모듈의 단면 구성 개략도이다.
도 4c는 변형예 1에 따른 고주파 모듈의 단면 구성 개략도이다.
도 5a는 변형예 2에 따른 고주파 모듈의 평면 구성 개략도이다.
도 5b는 변형예 2에 따른 고주파 모듈의 단면 구성 개략도이다.
도 6은 변형예 3에 따른 고주파 모듈의 단면 구성 개략도이다.
이하, 본 발명의 실시형태에 대해서 상세히 설명한다. 또한, 이하에서 설명하는 실시형태는 포괄적 또는 구체적인 예를 나타내는 것이다. 또한, 이하의 실시형태, 실시예 및 변형예로 나타내어지는 수치, 형상, 재료, 구성 요소, 구성 요소의 배치 및 접속 형태 등은 일례이며, 본 발명을 한정하는 주지는 아니다. 또한, 이하의 실시예 및 변형예에 있어서의 구성 요소 중, 독립 청구항에 기재되어 있지 않은 구성 요소에 대해서는 임의의 구성 요소로 해서 설명된다. 또한, 도면에 나타내어지는 구성 요소의 크기, 또는, 크기의 비는 반드시 엄밀하지는 않다. 각 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 구성에 대해서는 동일한 부호를 붙이고, 중복되는 설명은 생략 또는 간략화할 경우가 있다.
또한, 이하에 있어서, 평행 및 수직 등의 요소간의 관계성을 나타내는 용어, 및, 직사각형상 등의 요소의 형상을 나타내는 용어, 및, 수치 범위는 엄격한 의미만을 나타내는 것은 아니며, 실질적으로 동등한 범위, 예를 들면 수% 정도의 차이도 포함하는 것을 의미한다.
또한, 이하에 있어서, 기판에 실장된 A, B 및 C에 있어서, 「기판(또는 기판의 주면)을 평면으로 볼 때에 있어서, A와 B 사이에 C가 배치되어 있다」란, 기판을 평면으로 볼 때에 있어서 A 내의 임의의 점과 B 내의 임의의 점을 연결하는 복수의 선분 중 적어도 1개가 C의 영역을 통과하는 것을 의미한다. 또한, 기판을 평면으로 보다란, 기판 및 기판에 실장된 회로 소자를 기판의 주면에 평행한 평면에 정투영해 보는 것을 의미한다.
또한, 이하에 있어서 「송신 경로」란, 고주파 송신 신호가 전파하는 배선, 상기 배선에 직접 접속된 전극, 및 상기 배선 또는 상기 전극에 직접 접속된 단자 등으로 구성된 전송 선로인 것을 의미한다. 또한 「수신 경로」란, 고주파 수신 신호가 전파하는 배선, 상기 배선에 직접 접속된 전극, 및 상기 배선 또는 상기 전극에 직접 접속된 단자 등으로 구성된 전송 선로인 것을 의미한다.
또한, 이하에 있어서, 「A와 B가 접속되어 있다」란 A와 B가 물리적으로 접속되어 있을 경우에 적용될 뿐만 아니라, A와 B가 전기적으로 접속되어 있을 경우에도 적용된다.
(실시형태)
[1. 고주파 모듈(1) 및 통신 장치(5)의 회로 구성]
도 1은 실시형태에 따른 고주파 모듈(1) 및 통신 장치(5)의 회로 구성도이다. 동 도면에 나타내는 바와 같이, 통신 장치(5)는 고주파 모듈(1)과, 안테나(2)와, RF 신호 처리 회로(RFIC)(3)와, 베이스 밴드 신호 처리 회로(BBIC)(4)와, 스위치(13, 14, 15 및 16)와, 전력 증폭기(41 및 42)와, 저잡음 증폭기(51 및 52)를 구비한다.
RFIC(3)는 안테나(2)에서 송수신되는 고주파 신호를 처리하는 RF 신호 처리 회로이다. 구체적으로는, RFIC(3)는 고주파 모듈(1)의 수신 경로를 통해서 입력된 수신 신호를 다운 컨버트 등에 의해 신호 처리하고, 상기 신호 처리해서 생성된 수신 신호를 BBIC(4)에 출력한다. 또한, RFIC(3)는 BBIC(4)로부터 입력된 송신 신호를 업 컨버트 등에 의해 신호 처리하고, 상기 신호 처리해서 생성된 송신 신호를 고주파 모듈(1)의 송신 경로에 출력한다.
BBIC(4)는 고주파 모듈(1)을 전파하는 고주파 신호보다 저주파의 중간 주파수 대역을 사용하여 신호 처리하는 회로이다. BBIC(4)에서 처리된 신호는, 예를 들면 화상 표시를 위한 화상 신호로서 사용되며, 또는, 스피커를 통한 통화를 위해 음성 신호로서 사용된다.
또한, RFIC(3)는 사용되는 통신 밴드(주파수 대역)에 의거하여, 스위치(13∼16), 고주파 모듈(1)이 갖는 스위치(11 및 12)의 접속을 제어하는 제어부로서의 기능도 갖는다. 구체적으로는, RFIC(3)는 제어 신호(도시하지 않음)에 의해 스위치(11∼16)의 접속을 스위칭한다. 또한, 제어부는 RFIC(3)의 외부에 설치되어 있어도 좋고, 예를 들면, 고주파 모듈(1) 또는 BBIC(4)에 설치되어 있어도 좋다.
안테나(2)는 고주파 모듈(1)의 안테나 접속 단자(100)에 접속되고, 고주파 모듈(1)로부터 출력된 고주파 신호를 방사하고, 또한 외부로부터의 고주파 신호를 수신해서 고주파 모듈(1)에 출력한다.
또한, 본 실시형태에 따른 통신 장치(5)에 있어서, 안테나(2) 및 BBIC(4)는 필수의 구성 요소는 아니다.
이어서, 고주파 모듈(1)의 상세한 구성에 대해서 설명한다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 고주파 모듈(1)은 스위치(11 및 12)와, 듀플렉서(21, 22, 23, 24, 25 및 26)와, 정합 회로(31 및 32)를 구비한다.
안테나 접속 단자(100)는 복수의 외부 접속 단자 중 하나이며, 안테나(2)에 접속된다.
스위치(11)는 제 1 스위치 IC의 일례이며, 공통 단자(11a)(제 1 공통 단자), 선택 단자(11b)(제 1 선택 단자), 선택 단자(11c)(제 2 선택 단자), 및 선택 단자(11d)를 갖는 SP3T(Single Pole 3 Throw)형의 안테나 스위치이다. 스위치(11)는 1개의 반도체 IC(Integrated Circuit)로 형성되어 있다. 스위치(11)는 공통 단자(11a)와 선택 단자(11b)의 접속 및 비접속, 공통 단자(11a)와 선택 단자(11c)의 접속 및 비접속, 및 공통 단자(11a)와 선택 단자(11d)의 접속 및 비접속을 스위칭한다. 공통 단자(11a)는 정합 회로(31)를 통해서 안테나 접속 단자(100)에 접속되고, 선택 단자(11b)는 듀플렉서(21)에 접속되고, 선택 단자(11c)는 듀플렉서(22)에 접속되고, 선택 단자(11d)는 듀플렉서(23)에 접속되어 있다.
스위치(12)는 제 2 스위치 IC의 일례이며, 공통 단자(12a)(제 2 공통 단자), 선택 단자(12b)(제 3 선택 단자), 선택 단자(12c)(제 4 선택 단자), 및 선택 단자(12d)를 갖는 SP3T형의 안테나 스위치이다. 스위치(12)는 1개의 반도체 IC로 형성되어 있다. 스위치(12)는 공통 단자(12a)와 선택 단자(12b)의 접속 및 비접속, 공통 단자(12a)와 선택 단자(12c)의 접속 및 비접속, 및 공통 단자(12a)와 선택 단자(12d)의 접속 및 비접속을 스위칭한다. 공통 단자(12a)는 정합 회로(32)를 통해서 안테나 접속 단자(100)에 접속되고, 선택 단자(12b)는 듀플렉서(24)에 접속되고, 선택 단자(12c)는 듀플렉서(25)에 접속되고, 선택 단자(12d)는 듀플렉서(26)에 접속되어 있다.
스위치(11)를 형성하는 반도체 IC, 및, 스위치(12)를 형성하는 반도체 IC의 각각은, 예를 들면 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)로 구성되어 있다. 구체적으로는, SOI(Silicon On Insulator) 프로세스에 의해 구성되어 있다. 이것에 의해, 반도체 IC를 저렴하게 제조하는 것이 가능해진다. 또한, 반도체 IC는 GaAs, SiGe 및 GaN 중 적어도 어느 하나로 구성되어 있어도 좋다. 이것에 의해, 고품질인 증폭 성능 및 잡음 성능을 갖는 고주파 신호를 출력하는 것이 가능해진다.
듀플렉서(21)는 송신 필터(21T) 및 수신 필터(21R)로 구성되어 있다. 송신 필터(21T)는 제 1 필터의 일례이며, 통신 밴드 A의 송신 대역(제 1 통과 대역)을 통과 대역으로 한다. 또한, 수신 필터(21R)는 제 1 필터의 일례이며, 통신 밴드 A의 수신 대역(제 1 통과 대역)을 통과 대역으로 한다. 송신 필터(21T)의 출력 단자 및 수신 필터(21R)의 입력 단자는 선택 단자(11b)에 접속되어 있다. 송신 필터(21T)의 입력 단자는 스위치(13)의 제 1 선택 단자에 접속되어 있다. 수신 필터(21R)의 출력 단자는 스위치(14)의 제 1 선택 단자에 접속되어 있다.
듀플렉서(22)는 송신 필터(22T) 및 수신 필터(22R)로 구성되어 있다. 송신 필터(22T)는 제 2 필터의 일례이며, 통신 밴드 B의 송신 대역(제 2 통과 대역)을 통과 대역으로 한다. 또한, 수신 필터(22R)는 제 2 필터의 일례이며, 통신 밴드 B의 수신 대역(제 2 통과 대역)을 통과 대역으로 한다. 송신 필터(22T)의 출력 단자 및 수신 필터(22R)의 입력 단자는 선택 단자(11c)에 접속되어 있다. 송신 필터(22T)의 입력 단자는 스위치(13)의 제 2 선택 단자에 접속되어 있다. 수신 필터(22R)의 출력 단자는 스위치(14)의 제 2 선택 단자에 접속되어 있다.
듀플렉서(23)는 송신 필터(23T) 및 수신 필터(23R)로 구성되어 있다. 송신 필터(23T)는 통신 밴드 C의 송신 대역을 통과 대역으로 한다. 또한, 수신 필터(23R)는 통신 밴드 C의 수신 대역을 통과 대역으로 한다. 송신 필터(23T)의 출력 단자 및 수신 필터(23R)의 입력 단자는 선택 단자(11d)에 접속되어 있다. 송신 필터(23T)의 입력 단자는 스위치(13)의 제 3 선택 단자에 접속되어 있다. 수신 필터(23R)의 출력 단자는 스위치(14)의 제 3 선택 단자에 접속되어 있다.
듀플렉서(24)는 송신 필터(24T) 및 수신 필터(24R)로 구성되어 있다. 송신 필터(24T)는 제 3 필터의 일례이며, 통신 밴드 D의 송신 대역(제 3 통과 대역)을 통과 대역으로 한다. 또한, 수신 필터(24R)는 제 3 필터의 일례이며, 통신 밴드 D의 수신 대역(제 3 통과 대역)을 통과 대역으로 한다. 송신 필터(24T)의 출력 단자 및 수신 필터(24R)의 입력 단자는 선택 단자(12b)에 접속되어 있다. 송신 필터(24T)의 입력 단자는 스위치(15)의 제 1 선택 단자에 접속되어 있다. 수신 필터(24R)의 출력 단자는 스위치(16)의 제 1 선택 단자에 접속되어 있다.
듀플렉서(25)는 송신 필터(25T) 및 수신 필터(25R)로 구성되어 있다. 송신 필터(25T)는 제 4 필터의 일례이며, 통신 밴드 E의 송신 대역(제 4 통과 대역)을 통과 대역으로 한다. 또한, 수신 필터(25R)는 제 4 필터의 일례이며, 통신 밴드 E의 수신 대역(제 4 통과 대역)을 통과 대역으로 한다. 송신 필터(25T)의 출력 단자 및 수신 필터(25R)의 입력 단자는 선택 단자(12c)에 접속되어 있다. 송신 필터(25T)의 입력 단자는 스위치(15)의 제 2 선택 단자에 접속되어 있다. 수신 필터(25R)의 출력 단자는 스위치(16)의 제 2 선택 단자에 접속되어 있다.
듀플렉서(26)는 송신 필터(26T) 및 수신 필터(26R)로 구성되어 있다. 송신 필터(26T)는 통신 밴드 F의 송신 대역을 통과 대역으로 한다. 또한, 수신 필터(26R)는 통신 밴드 F의 수신 대역을 통과 대역으로 한다. 송신 필터(26T)의 출력 단자 및 수신 필터(26R)의 입력 단자는 선택 단자(12d)에 접속되어 있다. 송신 필터(26T)의 입력 단자는 스위치(15)의 제 3 선택 단자에 접속되어 있다. 수신 필터(26R)의 출력 단자는 스위치(16)의 제 3 선택 단자에 접속되어 있다.
또한, 통신 밴드 A, B, C는, 예를 들면, 미들 밴드군(1.45-2.2㎓)에 속하는 통신 밴드이며, 통신 밴드 D, E, F는, 예를 들면, 하이 밴드군(2.3-2.7㎓)에 속하는 통신 밴드이다.
또한, 스위치(11 및 12)의 각각에 접속되는 듀플렉서의 수는 2 이상이면 좋다. 단, 스위치(11)에 접속되는 2 이상의 듀플렉서의 통과 대역과, 스위치(12)에 접속되는 2 이상의 듀플렉서의 통과 대역은, 소정의 경계 주파수에서 분리되어 주파수가 겹쳐 있지 않다.
또한, 본 실시형태에 따른 고주파 모듈(1)에 있어서, 각 통신 밴드의 송신 필터 및 수신 필터는, 송신 신호와 수신 신호를 주파수 분할 복신(FDD: Frequency Division Duplex) 방식으로 전송하는 듀플렉서를 구성하고 있지만, 송신 신호와 수신 신호를 시분할 복신(TDD: Time Division Duplex) 방식으로 전송해도 좋다. 이 경우에는, 송신 필터 및 수신 필터의 전단 및 후단 중 적어도 일방에 송신 및 수신을 스위칭하는 스위치가 배치된다.
또한, 상기 송신 필터(21T∼26T) 및 수신 필터(21R∼26R)는, 예를 들면, 탄성 표면파 필터, BAW(Bulk Acoustic Wave)를 사용한 탄성파 필터, LC 공진 필터, 및 유전체 필터 중 어느 하나여도 좋고, 또한, 이것들에는 한정되지 않는다.
정합 회로(31)는 안테나 접속 단자(100)와 스위치(11) 사이에 접속되고, 안테나(2)와 스위치(11)의 임피던스 정합을 취한다. 정합 회로(32)는 안테나 접속 단자(100)와 스위치(12) 사이에 접속되고, 안테나(2)와 스위치(12)의 임피던스 정합을 취한다. 정합 회로(31 및 32)의 각각은 인덕터 및 커패시터 중 적어도 일방을 포함한다.
안테나 접속 단자(100)로부터 정합 회로(31)를 본 임피던스는, 예를 들면, 통신 밴드 D, E, F의 주파수 대역에 대하여 대략 개방 상태로 되고, 안테나 접속 단자(100)로부터 정합 회로(32)를 본 임피던스는, 예를 들면, 통신 밴드 A, B, C의 주파수 대역에 대하여 대략 개방 상태로 되어 있다. 이것에 의해, 통신 밴드 A, B, C의 고주파 신호와 통신 밴드 D, E, F의 고주파 신호의 아이솔레이션을 향상시키는 것이 가능해진다.
또한, 스위치(11 및 12)의 접속 및 비접속의 스위칭에 의해, 통신 밴드 A, B, C의 고주파 신호와 통신 밴드 D, E, F의 고주파 신호의 아이솔레이션이 충분히 확보될 경우에는, 정합 회로(31 및 32)는 없어도 좋다. 이 경우에는, 스위치(11)의 제 1 공통 단자는 안테나 접속 단자(100)에 직접 접속되고, 스위치(12)의 제 2 공통 단자는 안테나 접속 단자(100)에 직접 접속된다. 또한, 스위치(11)와 듀플렉서(21∼23) 중 적어도 1개의 사이에 정합 회로가 접속되어 있어도 좋다. 또한, 스위치(12)와 듀플렉서(24∼26) 중 적어도 1개의 사이에 정합 회로가 접속되어 있어도 좋다.
스위치(13)는 공통 단자, 제 1 선택 단자, 제 2 선택 단자, 및 제 3 선택 단자를 갖는 SP3T형의 스위치 회로로 구성되어 있다. 스위치(13)의 공통 단자는 전력 증폭기(41)에 접속되어 있다. 스위치(14)는 공통 단자, 제 1 선택 단자, 제 2 선택 단자, 및 제 3 선택 단자를 갖는 SP3T형의 스위치 회로로 구성되어 있다. 스위치(14)의 공통 단자는 저잡음 증폭기(51)에 접속되어 있다.
스위치(15)는 공통 단자, 제 1 선택 단자, 제 2 선택 단자, 및 제 3 선택 단자를 갖는 SP3T형의 스위치 회로로 구성되어 있다. 스위치(15)의 공통 단자는 전력 증폭기(42)에 접속되어 있다. 스위치(16)는 공통 단자, 제 1 선택 단자, 제 2 선택 단자, 및 제 3 선택 단자를 갖는 SP3T형의 스위치 회로로 구성되어 있다. 스위치(16)의 공통 단자는 저잡음 증폭기(52)에 접속되어 있다.
전력 증폭기(41)는 통신 밴드 A, B, C의 송신 신호를 증폭하는 송신 증폭기이다. 전력 증폭기(41)의 입력 단자는 RFIC(3)에 접속되고, 전력 증폭기(41)의 출력 단자는 스위치(13)에 접속되어 있다. 또한, 전력 증폭기(42)는 통신 밴드 D, E, F의 송신 신호를 증폭하는 송신 증폭기이다. 전력 증폭기(42)의 입력 단자는 RFIC(3)에 접속되고, 전력 증폭기(42)의 출력 단자는 스위치(15)에 접속되어 있다.
저잡음 증폭기(51)는 통신 밴드 A, B, C의 수신 신호를 증폭하는 수신 증폭기이다. 저잡음 증폭기(51)의 입력 단자는 스위치(14)에 접속되고, 저잡음 증폭기(51)의 출력 단자는 RFIC(3)에 접속되어 있다. 또한, 저잡음 증폭기(52)는 통신 밴드 D, E, F의 수신 신호를 증폭하는 수신 증폭기이다. 저잡음 증폭기(52)의 입력 단자는 스위치(16)에 접속되고, 저잡음 증폭기(52)의 출력 단자는 RFIC(3)에 접속되어 있다.
전력 증폭기(41 및 42), 및, 저잡음 증폭기(51 및 52)는, 예를 들면, Si계의 CMOS 또는 GaAs를 재료로 한 전계 효과형 트랜지스터(FET) 또는 헤테로 바이폴라 트랜지스터(HBT) 등으로 구성되어 있다.
또한, 스위치(13∼16)는 고주파 모듈(1)에 포함되어 있어도 좋다. 또한, 전력 증폭기(41 및 42), 및, 저잡음 증폭기(51 및 52)는 고주파 모듈(1)에 포함되어 있어도 좋다.
상기 회로 구성에 의하면, 본 실시형태에 따른 고주파 모듈(1)은, 통신 밴드 A, B, C 중 적어도 1개의 고주파 신호 및 통신 밴드 D, E, F 중 적어도 1개의 고주파 신호를, 동시 송신, 동시 수신, 및 동시 송수신 중 적어도 어느 하나를 실행하는 것이 가능하다.
또한, 본 발명에 따른 고주파 모듈은 스위치(11 및 12)와, 듀플렉서(21, 22, 24 및 25)를 구비하고 있으면 좋고, 이 경우에는, 정합 회로(31 및 32), 듀플렉서(23 및 26)는 없어도 좋다. 또한, 듀플렉서(21∼26) 각각 대신에, 송신 필터 및 수신 필터 중 일방만이 배치되어 있어도 좋다.
도 2a는 실시형태에 따른 고주파 모듈(1)이 구비하는 스위치(11 및 12)의 회로 구성도이다. 또한, 도 2b는 비교예에 따른 스위치(200)의 회로 구성도이다. 또한, 도 2c는 각 스위치 및 각 듀플렉서가 대응하는 주파수 대역의 관계를 나타내는 도면이다.
실시형태에 따른 고주파 모듈(1)에서는, 도 2a에 나타내는 바와 같이, 통신 밴드 A, B, C의 고주파 신호를 전송시키는 스위치(11)와, 통신 밴드 D, E, F의 고주파 신호를 전송시키는 스위치(12)는 상이한 반도체 IC로 형성되어 있다. 이것에 대하여, 비교예에 따른 스위치(200)는 1개의 공통 단자(200a)와, 6개의 선택 단자(200b, 200c, 200d, 200e, 200f, 및 200g)를 갖는다. 선택 단자(200b)에는 듀플렉서(21)가 접속되고, 선택 단자(200c)에는 듀플렉서(22)가 접속되고, 선택 단자(200d)에는 듀플렉서(23)가 접속되고, 선택 단자(200e)에는 듀플렉서(24)가 접속되고, 선택 단자(200f)에는 듀플렉서(25)가 접속되고, 선택 단자(200g)에는 듀플렉서(26)가 접속된다. 즉, 비교예에서는 통신 밴드 A, B, C, D, E, F의 고주파 신호를 1개의 스위치(200)로 전송시킨다.
도 2c에는 듀플렉서(21∼26)의 통과 대역과, 스위치(11, 12, 및 200)가 대응하는 주파수 대역의 관계가 나타내어져 있다.
본 실시형태에 따른 고주파 모듈(1)에서는, 저주파수측으로부터 듀플렉서(21)의 통과 대역, 듀플렉서(22)의 통과 대역, 듀플렉서(23)의 통과 대역, 듀플렉서(24)의 통과 대역, 듀플렉서(25)의 통과 대역, 및 듀플렉서(26)의 통과 대역의 순서로 배열되어 있다. 또한, 듀플렉서(21∼23)의 통과 대역과, 듀플렉서(24∼26)의 통과 대역은 주파수가 겹쳐 있지 않다. 또한, 듀플렉서(21)의 통과 대역, 듀플렉서(22)의 통과 대역, 듀플렉서(23)의 통과 대역, 듀플렉서(24)의 통과 대역, 듀플렉서(25)의 통과 대역, 및 듀플렉서(26)의 통과 대역은 고주파수측으로부터 이 순서로 배열되어 있어도 좋다.
도 2c에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 따른 스위치(11)가 대응해야 하는 주파수 범위는 듀플렉서(21∼23)의 통과 대역이며, 스위치(12)가 대응해야 하는 주파수 범위는 듀플렉서(24∼26)의 통과 대역이다. 한편, 비교예에 따른 스위치(200)가 대응해야 하는 주파수 범위는 듀플렉서(21∼26)의 통과 대역이다. 즉, 스위치(11 및 12)의 각각이 대응해야 하는 주파수 범위는, 스위치(200)가 대응해야 하는 주파수 범위보다 좁다.
도 3은 실시형태에 따른 스위치(11) 및 비교예에 따른 스위치(200)의 주파수 특성을 비교한 그래프이다. 동 도면에는, 스위치(11)에 있어서 공통 단자(11a)와 선택 단자(11b)를 접속하고, 공통 단자(11a)와 그 밖의 선택 단자를 비접속으로 했을 경우의 스위치(11)의 통과 특성이 나타내어져 있다. 또한, 동 도면에는, 스위치(200)에 있어서, 공통 단자(200a)와 선택 단자(200b)를 접속하고, 공통 단자( 200a)와 그 밖의 선택 단자를 비접속으로 했을 경우의 스위치(200)의 통과 특성이 나타내어져 있다.
도 3에 나타내는 바와 같이, 통신 밴드 A∼F를 포함하는 주파수 대역(3㎓ 이하의 주파수 범위)에 있어서, 스위치(11)의 쪽이 스위치(200)보다 삽입 손실이 작다. 즉, 스위치(11)의 쪽이 스위치(200)보다 3㎓까지의 고주파 신호를 저손실로 전송하고 있다. 이것은 (1) 스위치(11)의 쪽이 공통 단자와 각 선택 단자 사이의 접속 배선 길이를 짧게 할 수 있는 것, (2) 스위치(11)의 쪽이 선택 단자수가 적으므로, 비접속인 공통 단자와 선택 단자 사이의 오프 용량의 영향을 저감할 수 있는 것, 및 (3) 스위치(11)의 쪽이 입출력 임피던스를 협대역의 범위로 조정할 수 있으므로, 고정밀도인 임피던스의 최적화를 할 수 있는 것, 등에 기인하는 것이다. 즉, 스위치(11 및 12)를 1개의 스위치(200)로 해서, 예를 들면 1개의 반도체 IC로 구성했을 경우에는 고주파 모듈의 통과 특성이 열화한다.
또한, 상기 회로 구성을 소형의 프론트 엔드 회로로 해서 1개의 모듈로 구성할 경우, 멀티 밴드화에 따라 통신 밴드의 수가 늘어날수록 회로 규모가 커져 대형화가 가속된다. 또한, 스위치(11 및 12)와 안테나의 접속 배선이 길어져 전송 손실이 커진다.
이것에 대하여, 본 실시형태에 따른 고주파 모듈(1)에서는 전송 손실을 저감하면서 소형화된 구성을 갖는다. 이하에서는, 본 실시형태에 따른 고주파 모듈(1)을 구성하는 회로 부품의 배치 구성에 대해서 설명한다.
[2. 실시예에 따른 고주파 모듈(1A)의 회로 소자 배치 구성]
도 4a는 실시예에 따른 고주파 모듈(1A)의 평면 구성 개략도이다. 또한, 도 4b는 실시예에 따른 고주파 모듈(1A)의 단면 구성 개략도이며, 구체적으로는, 도 4a의 IVB-IVB선에 있어서의 단면도이다. 또한, 도 4a의 (a)에는, 모듈 기판(91)의 서로 대향하는 주면(91a 및 91b) 중, 주면(91a)을 z축 정방향측으로부터 보았을 경우의 회로 소자의 배치도가 나타내어져 있다. 한편, 도 4a의 (b)에는, 주면(91b)을 z축 정방향측으로부터 보았을 경우의 회로 소자의 배치를 투시한 도면이 나타내어져 있다.
실시예에 따른 고주파 모듈(1A)은, 실시형태에 따른 고주파 모듈(1)을 구성하는 각 회로 소자의 배치 구성을 구체적으로 나타낸 것이다.
도 4a 및 도 4b에 나타내는 바와 같이, 본 실시예에 따른 고주파 모듈(1A)은, 도 1에 나타내어진 회로 구성에 추가해서, 모듈 기판(91)과, 외부 접속 단자(150)와, 수지 부재(92 및 93)와, 실드층(95G)을 더 갖고 있다.
모듈 기판(91)은 서로 대향하는 주면(91a)(제 1 주면) 및 주면(91b)(제 2 주면)을 갖고, 고주파 모듈(1)이 구비하는 각 회로 부품을 양면 실장하는 것이 가능한 기판이다. 모듈 기판(91)으로서는, 예를 들면, 복수의 유전체층의 적층 구조를 갖는 저온 동시 소성 세라믹스(Low Temperature Co-fired Ceramics: LTCC) 기판, 고온 동시 소성 세라믹스(High Temperature Co-fired Ceramics: HTCC) 기판, 부품 내장 기판, 재배선층(Redistribution Layer: RDL)을 갖는 기판, 또는, 프린트 기판 등이 사용된다.
수지 부재(92)는 모듈 기판(91)의 주면(91a)을 덮도록 배치되고, 주면(91a)에 실장되는 회로 부품의 기계 강도 및 내습성 등의 신뢰성을 확보하는 기능을 갖고 있다. 수지 부재(93)는 모듈 기판(91)의 주면(91b)을 덮도록 배치되고, 주면(91b)에 실장되는 회로 부품의 기계 강도 및 내습성 등의 신뢰성을 확보하는 기능을 갖고 있다. 또한, 수지 부재(92 및 93)는 본 발명에 따른 고주파 모듈에 필수의 구성 요소는 아니다.
또한, 본 실시예에서는, 정합 회로(31)는 적어도 칩 형상의 인덕터를 포함하고, 또한, 정합 회로(32)는 적어도 칩 형상의 인덕터를 포함한다.
도 4a 및 도 4b에 나타내는 바와 같이, 본 실시예에 따른 고주파 모듈(1A) 에서는 듀플렉서(21∼26), 정합 회로(31 및 32)는 모듈 기판(91)의 주면(91a)에 배치되어 있다. 한편, 스위치(11 및 12)는 모듈 기판(91)의 주면(91b)에 배치되어 있다.
또한, 복수의 외부 접속 단자(150)는 모듈 기판(91)의 주면(91b)에 배치되어 있다. 고주파 모듈(1A)은 고주파 모듈(1A)의 z축 부방향측에 배치되는 외부 기판과, 복수의 외부 접속 단자(150)를 경유해서 전기 신호의 수수를 행한다. 복수의 외부 접속 단자(150) 중의 하나는 안테나 접속 단자(100)이다. 또한, 복수의 외부 접속 단자(150) 중 몇개는 외부 기판의 그라운드 전위로 설정된다.
주면(91a 및 91b) 중, 외부 기판과 대향하는 주면(91b)에는 저배화가 용이한 스위치(11 및 12)가 배치되어 있으므로, 고주파 모듈(1A) 전체를 저배화하는 것이 가능해진다.
상기 구성에 의하면, 모듈 기판(91)의 주면(91a) 및 주면(91b)에 고주파 모듈(1A)을 구성하는 회로 부품이 나뉘어 배치되어 있으므로, 고주파 모듈(1A)을 소형화할 수 있다. 또한, 안테나 접속 단자(100)에 접속되는 스위치 회로가, 통신 밴드 A, B, C에 대응하는 스위치(11)와, 통신 밴드 D, E, F에 대응하는 스위치(12)로 분할되어 있으므로, 안테나 접속 단자(100)에 접속되는 스위치 회로가 1개의 스위치로 구성되어 있는 고주파 모듈에 비하여, 통신 밴드 A∼F의 고주파 신호를 저손실로 전송할 수 있다. 또한, 스위치(11 및 12)가 안테나 접속 단자(100)가 배치된 주면(91b)에 배치되어 있으므로, 안테나 접속 단자(100)와 스위치(11 및 12)의 접속 배선을 짧게 할 수 있어, 고주파 신호의 전송 손실을 저감할 수 있다. 따라서, 전송 손실을 저감하면서 소형화된 고주파 모듈(1A)을 제공할 수 있다.
또한, 본 실시예에 따른 고주파 모듈(1A)에서는 스위치(11)가 주면(91b)에 배치되고, 듀플렉서(21∼23)가 주면(91a)에 배치되어 있다. 이것에 의해, 통신 밴드 A, B, C의 고주파 신호를 전송하는 스위치(11)와 듀플렉서(21∼23)가 양면에 나뉘어서 배치되어 있으므로, 고주파 모듈(1A)을 소형화할 수 있다.
또한, 도 4a에 나타내는 바와 같이, 모듈 기판(91)을 평면으로 보았을 경우에, 스위치(11)는 듀플렉서(21 및 22)의 각각과 적어도 일부 겹쳐 있는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 스위치(11)와 듀플렉서(21 및 22)의 접속 배선을 짧게 할 수 있으므로, 통신 밴드 A 및 B의 고주파 신호의 전송 손실을 저감할 수 있다.
또한, 본 실시예에 따른 고주파 모듈(1A)에서는 스위치(12)가 주면(91b)에 배치되고, 듀플렉서(24∼26)가 주면(91a)에 배치되어 있다. 이것에 의해, 통신 밴드 D, E, F의 고주파 신호를 전송하는 스위치(12)와 듀플렉서(24∼26)가 양면에 나뉘어 배치되어 있으므로, 고주파 모듈(1A)을 소형화할 수 있다.
또한, 도 4a에 나타내는 바와 같이, 모듈 기판(91)을 평면으로 보았을 경우에, 스위치(12)는 듀플렉서(24 및 25)의 각각과 적어도 일부 겹쳐 있는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 스위치(12)와 듀플렉서(24 및 25)의 접속 배선을 짧게 할 수 있으므로, 통신 밴드 D 및 E의 고주파 신호의 전송 손실을 저감할 수 있다.
또한, 도 4b에 나타내는 바와 같이, 고주파 모듈(1A)은 수지 부재(92)의 표면 및 측면 및 수지 부재(93)의 측면을 덮고, 또한, 그라운드 전위로 설정된 실드층(95G)을 더 구비해도 좋다. 이것에 의해, 고주파 모듈(1A)의 외부 회로와의 전자계 차폐 기능이 향상한다.
또한, 도 1에 나타내어진 스위치(13∼16), 전력 증폭기(41, 42), 및, 저잡음 증폭기(51, 52) 중 적어도 1개가 모듈 기판(91)에 배치되어 있어도 좋다.
[3. 변형예 1에 따른 고주파 모듈(1B)의 회로 소자 배치 구성]
또한, 외부 접속 단자(150)는 도 4b에 나타내는 바와 같이, 수지 부재(93)를 z축 방향으로 관통하는 기둥 형상 전극이어도 좋고, 또한 범프 전극이어도 좋다.
도 4c는 변형예 1에 따른 고주파 모듈(1B)의 평면 구성 개략도이다. 도 4c에 나타내어진 고주파 모듈(1B)은, 실시예에 따른 고주파 모듈(1A)과 비교하여, 외부 접속 단자(150) 대신에 범프 전극(160)이 배치되어 있는 점, 및, 주면(91b)측에 수지 부재(93)가 배치되어 있지 않은 점이 다르다.
[4. 변형예 2에 따른 고주파 모듈(1C)의 회로 소자 배치 구성]
도 5a는 변형예 2에 따른 고주파 모듈(1C)의 평면 구성 개략도이다. 또한, 도 5b는 변형예 2에 따른 고주파 모듈(1C)의 단면 구성 개략도이며, 구체적으로는, 도 5a의 VB-VB선에 있어서의 단면도이다. 또한, 도 5a의 (a)에는 모듈 기판(91)의 서로 대향하는 주면(91a 및 91b) 중, 주면(91a)을 z축 정방향측으로부터 보았을 경우의 회로 소자의 배치도가 나타내어져 있다. 한편, 도 5a의 (b)에는 주면(91b)을 z축 정방향측으로부터 보았을 경우의 회로 소자의 배치를 투시한 도면이 나타내어져 있다.
변형예 2에 다른 고주파 모듈(1C)은, 실시형태에 따른 고주파 모듈(1)을 구성하는 각 회로 소자의 배치 구성을 구체적으로 나타낸 것이다.
도 5a 및 도 5b에 나타내는 바와 같이, 본 변형예에 따른 고주파 모듈(1C)은, 도 1에 나타내어진 회로 구성에 추가해서, 모듈 기판(91)과, 외부 접속 단자(150)와, 수지 부재(92 및 93)와, 실드층(95G)을 더 갖고 있다.
본 변형예에 따른 고주파 모듈(1C)은, 실시예에 따른 고주파 모듈(1A)과 비교해서, 고주파 모듈(1C)을 구성하는 회로 소자의 배치 구성만이 다르다. 이하, 본 변형예에 따른 고주파 모듈(1C)에 대해서, 실시예에 따른 고주파 모듈(1A)과 동일한 점은 설명을 생략하고, 다른 점을 중심으로 설명한다.
도 5a 및 도 5b에 나타내는 바와 같이, 본 변형예에 따른 고주파 모듈(1C)에서는, 스위치(11), 듀플렉서(24∼26), 및 정합 회로(32)는 모듈 기판(91)의 주면(91a)에 배치되어 있다. 한편, 스위치(12), 듀플렉서(21∼23), 및 정합 회로(31)는 모듈 기판(91)의 주면(91b)에 배치되어 있다.
또한, 복수의 외부 접속 단자(150)는 모듈 기판(91)의 주면(91b)에 배치되어 있다. 복수의 외부 접속 단자(150) 중 하나는 안테나 접속 단자(100)이다.
상기 구성에 의하면, 모듈 기판(91)의 주면(91a) 및 주면(91b)에, 고주파 모듈(1C)을 구성하는 회로 부품이 나뉘어 배치되어 있으므로 고주파 모듈(1C)을 소형화할 수 있다. 또한, 안테나 접속 단자(100)에 접속되는 스위치 회로가, 통신 밴드 A, B, C에 대응하는 스위치(11)와, 통신 밴드 D, E, F에 대응하는 스위치(12)로 분할되어 있으므로, 안테나 접속 단자(100)에 접속되는 스위치 회로가 1개의 스위치로 구성되어 있는 고주파 모듈에 비하여, 통신 밴드 A∼F의 고주파 신호를 저손실로 전송할 수 있다. 또한, 스위치(12)가 안테나 접속 단자(100)가 배치된 주면(91b)에 배치되어 있으므로, 안테나 접속 단자(100)와 스위치(12)의 접속 배선을 짧게 할 수 있어, 통신 밴드 D, E, F의 고주파 신호의 전송 손실을 저감할 수 있다. 따라서, 전송 손실을 저감하면서 소형화된 고주파 모듈(1C)을 제공할 수 있다.
또한, 본 변형예에 따른 고주파 모듈(1C)에서는 스위치(11)가 주면(91a)에 배치되고, 듀플렉서(21∼23)가 주면(91b)에 배치되어 있다. 이것에 의해, 통신 밴드 A, B, C의 고주파 신호를 전송하는 스위치(11)와 듀플렉서(21∼23)가 양면에 나뉘어서 배치되어 있으므로, 고주파 모듈(1C)을 소형화할 수 있다.
또한, 도 5a에 나타내는 바와 같이, 모듈 기판(91)을 평면으로 보았을 경우에, 스위치(11)는 듀플렉서(21 및 22)의 각각과 적어도 일부 겹쳐 있는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 스위치(11)와 듀플렉서(21 및 22)의 접속 배선을 짧게 할 수 있으므로, 통신 밴드 A 및 B의 고주파 신호의 전송 손실을 저감할 수 있다.
[5. 변형예 3에 따른 고주파 모듈(1D)의 회로 소자 배치 구성]
도 6은 변형예 3에 따른 고주파 모듈(1D)의 단면 구성 개략도이다.
변형예 3에 따른 고주파 모듈(1D)은, 실시형태에 따른 고주파 모듈(1)을 구성하는 각 회로 소자의 배치 구성을 구체적으로 나타낸 것이다.
도 6에 나타내는 바와 같이, 본 변형예에 따른 고주파 모듈(1D)은, 도 1에 나타내어진 회로 구성에 추가해서, 모듈 기판(91)과, 외부 접속 단자(150)와, 수지 부재(92 및 93)와, 실드층(95G)을 더 갖고 있다.
본 변형예에 따른 고주파 모듈(1D)은, 실시예에 따른 고주파 모듈(1A)과 비교해서, 고주파 모듈(1D)을 구성하는 회로 소자의 배치 구성만이 다르다. 이하, 본 변형예에 따른 고주파 모듈(1D)에 대해서, 실시예에 따른 고주파 모듈(1A)과 동일한 점은 설명을 생략하고, 다른 점을 중심으로 설명한다.
본 변형예에 따른 고주파 모듈(1D)에서는, 스위치(11) 및 듀플렉서(21∼23)(듀플렉서(23)는 도 6에 도시하지 않음)는 모듈 기판(91)의 주면(91a)에 배치되어 있다. 한편, 스위치(12) 및 듀플렉서(24∼26)(듀플렉서(26)는 도 6에 도시하지 않음)는 모듈 기판(91)의 주면(91b)에 배치되어 있다.
또한, 복수의 외부 접속 단자(150)는 모듈 기판(91)의 주면(91b)에 배치되어 있다. 또한, 도 6에 도시되어 있지 않지만, 복수의 외부 접속 단자(150) 중 하나는 안테나 접속 단자(100)이다.
상기 구성에 의하면, 모듈 기판(91)의 주면(91a) 및 주면(91b)에, 고주파 모듈(1D)을 구성하는 회로 부품이 나뉘어 배치되어 있으므로, 고주파 모듈(1D)을 소형화할 수 있다. 또한, 안테나 접속 단자(100)에 접속되는 스위치 회로가, 통신 밴드 A, B, C에 대응하는 스위치(11)와, 통신 밴드 D, E, F에 대응하는 스위치(12)로 분할되어 있으므로, 안테나 접속 단자(100)에 접속되는 스위치 회로가 1개의 스위치로 구성되어 있는 고주파 모듈에 비하여, 통신 밴드 A∼F의 고주파 신호를 저손실로 전송할 수 있다. 또한, 스위치(12)가 안테나 접속 단자(100)가 배치된 주면(91b)에 배치되어 있으므로, 안테나 접속 단자(100)와 스위치(12)의 접속 배선을 짧게 할 수 있고, 통신 밴드 D, E, F의 고주파 신호의 전송 손실을 저감할 수 있다. 따라서, 전송 손실을 저감하면서 소형화된 고주파 모듈(1D)을 제공할 수 있다.
또한, 본 변형예에 따른 고주파 모듈(1D)에서는, 통신 밴드 A, B, C의 고주파 신호를 전송하는 스위치(11) 및 듀플렉서(21∼23)가 주면(91a)에 배치되고, 통신 밴드 D, E, F의 고주파 신호를 전송하는 스위치(12) 및 듀플렉서(24∼26)가 주면(91b)에 배치되어 있다. 이것에 의해, 통신 밴드 A, B, C의 고주파 신호의 전송 경로와, 통신 밴드 D, E, F의 고주파 신호의 전송 경로가, 모듈 기판(91)에 의해 분리되어 있으므로, 통신 밴드 A, B, C의 고주파 신호와 통신 밴드 D, E, F의 고주파 신호의 아이솔레이션이 향상한다.
[6. 효과 등]
이상, 본 실시형태에 따른 고주파 모듈(1)은 서로 대향하는 주면(91a 및 91b)을 갖고, 회로 부품을 양면 실장하는 것이 가능한 모듈 기판(91)과, 복수의 외부 접속 단자(150)와, 복수의 외부 접속 단자(150) 중 하나인 안테나 접속 단자(100)에 접속된 스위치(11)와, 안테나 접속 단자(100)에 접속되고, 스위치(11)와 상이한 스위치(12)를 구비하고, 복수의 외부 접속 단자(150)는 주면(91b)에 배치되고, 스위치(11 및 12) 중 적어도 일방은 주면(91b)에 배치되어 있다.
이것에 의하면, 주면(91a) 및 주면(91b)에 고주파 모듈(1)을 구성하는 회로 부품이 나뉘어 배치되어 있으므로, 고주파 모듈(1)을 소형화할 수 있다. 또한, 안테나 접속 단자(100)에 접속되는 스위치 회로가 스위치(11)와 스위치(12)로 분할되어 있으므로, 안테나 접속 단자(100)에 접속되는 스위치 회로가 1개의 스위치로 구성되어 있는 고주파 모듈에 비하여, 고주파 신호를 저손실로 전송할 수 있다. 또한, 스위치(11 및 12) 중 일방이 안테나 접속 단자(100)가 배치된 주면(91b)에 배치되어 있으므로, 안테나 접속 단자(100)와 상기 일방의 접속 배선을 짧게 할 수 있어, 상기 일방을 통과하는 고주파 신호의 전송 손실을 저감할 수 있다. 따라서, 전송 손실을 저감하면서 소형화된 고주파 모듈(1)을 제공할 수 있다.
또한, 스위치(11)는 공통 단자(11a), 선택 단자(11b 및 11c)를 갖고, 스위치(12)는 공통 단자(12a), 선택 단자(12b 및 12c)를 갖고, 고주파 모듈(1)은, 선택 단자(11b)에 접속되고, 통신 밴드 A를 통과 대역으로 하는 듀플렉서(21)와, 선택 단자(11c)에 접속되고, 통신 밴드 B를 통과 대역으로 하는 듀플렉서(22)와, 선택 단자(12b)에 접속되고, 통신 밴드 D를 통과 대역으로 하는 듀플렉서(24)와, 선택 단자(12c)에 접속되고, 통신 밴드 E를 통과 대역으로 하는 듀플렉서(25)를 더 구비해도 좋다.
또한, 고주파 모듈(1A, 1B, 1C)에 있어서, 스위치(12)는 주면(91b)에 배치되고, 듀플렉서(24 및 25)는 주면(91a)에 배치되어 있어도 좋다.
이것에 의해, 통신 밴드 D 및 E의 고주파 신호를 전송하는 스위치(12)와 듀플렉서(24 및 25)가 양면에 나뉘어서 배치되어 있으므로, 고주파 모듈을 소형화할 수 있다.
또한, 고주파 모듈(1A, 1B, 1C)에 있어서, 모듈 기판(91)을 평면으로 보았을 경우에, 스위치(12)는 듀플렉서(24 및 25)의 각각과 적어도 일부 겹쳐 있어도 좋다.
이것에 의해, 스위치(12)와 듀플렉서(24 및 25)의 접속 배선을 짧게 할 수 있으므로, 통신 밴드 D 및 E의 고주파 신호의 전송 손실을 저감할 수 있다.
또한, 고주파 모듈(1A, 1B)에 있어서, 스위치(11)는 주면(91b)에 배치되고, 듀플렉서(21 및 22)는 주면(91a)에 배치되어 있어도 좋다.
이것에 의해, 통신 밴드 A 및 B의 고주파 신호를 전송하는 스위치(11)와 듀플렉서(21 및 22)가 양면에 나뉘어서 배치되어 있으므로, 고주파 모듈을 소형화할 수 있다.
또한, 고주파 모듈(1C)에 있어서, 스위치(11)는 주면(91a)에 배치되고, 듀플렉서(21 및 22)는 주면(91b)에 배치되어 있어도 좋다.
이것에 의해, 통신 밴드 A 및 B의 고주파 신호를 전송하는 스위치(11)와 듀플렉서(21 및 22)가 양면에 나뉘어서 배치되어 있으므로, 고주파 모듈을 소형화할 수 있다.
또한, 고주파 모듈(1A, 1B, 1C)에 있어서, 모듈 기판(91)을 평면으로 보았을 경우에, 스위치(11)는 듀플렉서(21 및 22)의 각각과 적어도 일부 겹쳐 있어도 좋다.
이것에 의해, 스위치(11)와 듀플렉서(21 및 22)의 접속 배선을 짧게 할 수 있으므로, 통신 밴드 A 및 B의 고주파 신호의 전송 손실을 저감할 수 있다.
또한, 통신 밴드 A, 통신 밴드 B, 통신 밴드 C, 통신 밴드 D, 통신 밴드 E, 및 통신 밴드 F의 순서로, 저주파수측 또는 고주파수측으로부터 배열되어 있고, 통신 밴드 A∼C와, 통신 밴드 D∼F는 주파수가 겹치지 않는다.
이것에 의해, 스위치(11)의 입출력 임피던스를 협대역의 주파수 범위로 조정할 수 있고, 또한, 스위치(12)의 입출력 임피던스를 협대역의 주파수 범위로 조정할 수 있으므로, 스위치(11 및 12)에 대해서 고정밀도인 임피던스의 최적화를 할 수 있다. 따라서, 스위치(11 및 12)를 통과하는 통신 밴드 A∼F의 고주파 신호를 저손실로 전송하는 것이 가능해진다.
또한, 통신 장치(5)는, 안테나(2)에서 송수신되는 고주파 신호를 처리하는 RFIC(3)와, 안테나(2)와 RFIC(3) 사이에서 고주파 신호를 전송하는 고주파 모듈(1)을 구비한다.
이것에 의해, 전송 손실을 저감하면서 소형화된 통신 장치(5)를 제공하는 것이 가능해진다.
(그 밖의 실시형태 등)
이상, 본 발명의 실시형태에 따른 고주파 모듈 및 통신 장치에 대해서, 실시예 및 변형예를 들어 설명했지만, 본 발명에 따른 고주파 모듈 및 통신 장치는, 상기 실시예 및 변형예에 한정되는 것은 아니다. 상기 실시예 및 변형예에 있어서의 임의의 구성 요소를 조합시켜서 실현되는 별도의 실시형태나, 상기 실시예 및 변형예에 대하여 본 발명의 주지를 일탈하지 않는 범위에서 당업자가 생각해낸 각종 변형을 실시해서 얻어지는 변형예나, 상기 고주파 모듈 및 통신 장치를 내장한 각종 기기도 본 발명에 포함된다.
예를 들면, 상기 실시예 및 변형예에 따른 고주파 모듈 및 통신 장치에 있어서, 도면에 개시된 각 회로 소자 및 신호 경로를 접속하는 경로 사이에, 인덕터 및 커패시터 등의 수동 소자 및 배선 등이 삽입되어 있어도 좋다.
본 발명은 멀티 밴드 대응의 프론트 엔드부에 배치되는 고주파 모듈로서, 휴대전화 등의 통신 기기에 널리 이용할 수 있다.

Claims (9)

  1. 서로 대향하는 제 1 주면 및 제 2 주면을 갖고, 회로 부품을 양면 실장하는 것이 가능한 모듈 기판과,
    복수의 외부 접속 단자와,
    제 1 공통 단자, 제 1 선택 단자 및 제 2 선택 단자를 갖고, 상기 복수의 외부 접속 단자 중 하나인 안테나 접속 단자에 접속된 제 1 스위치와,
    제 2 공통 단자, 제 3 선택 단자 및 제 4 선택 단자를 갖고, 상기 안테나 접속 단자에 접속되고, 상기 제 1 스위치와 다른 제 2 스위치와,
    상기 제 1 선택 단자에 접속되고, 제 1 통과 대역을 갖는 제 1 필터와,
    상기 제 2 선택 단자에 접속되고, 제 2 통과 대역을 갖는 제 2 필터와,
    상기 제 3 선택 단자에 접속되고, 제 3 통과 대역을 갖는 제 3 필터와,
    상기 제 4 선택 단자에 접속되고, 제 4 통과 대역을 갖는 제 4 필터를 구비하고,
    상기 복수의 외부 접속 단자는 상기 제 2 주면에 배치되고,
    상기 제 1 스위치 및 상기 제 2 스위치 중 적어도 일방은 상기 제 2 주면에 배치되고,
    상기 제 1 통과 대역, 상기 제 2 통과 대역, 상기 제 3 통과 대역, 및 상기 제 4 통과 대역의 순서로, 저주파수측 또는 고주파수측으로부터 배열되어 있고,
    상기 제 1 통과 대역 및 상기 제 2 통과 대역과, 상기 제 3 통과 대역 및 상기 제 4 통과 대역은 주파수가 겹치지 않는 고주파 모듈.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 스위치는 상기 제 2 주면에 배치되고,
    상기 제 3 필터 및 상기 제 4 필터는 상기 제 1 주면에 배치되어 있는 고주파 모듈.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 모듈 기판을 평면으로 보았을 경우에,
    상기 제 2 스위치는 상기 제 3 필터 및 상기 제 4 필터의 각각과 적어도 일부 겹쳐 있는 고주파 모듈.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 스위치는 상기 제 2 주면에 배치되고,
    상기 제 1 필터 및 상기 제 2 필터는 상기 제 1 주면에 배치되어 있는 고주파 모듈.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 스위치는 상기 제 1 주면에 배치되고,
    상기 제 1 필터 및 상기 제 2 필터는 상기 제 2 주면에 배치되어 있는 고주파 모듈.
  6. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
    상기 모듈 기판을 평면으로 보았을 경우에,
    상기 제 1 스위치는 상기 제 1 필터 및 상기 제 2 필터의 각각과 적어도 일부 겹쳐 있는 고주파 모듈.
  7. 안테나에서 송수신되는 고주파 신호를 처리하는 RF 신호 처리 회로와,
    상기 안테나와 상기 RF 신호 처리 회로 사이에서 상기 고주파 신호를 전송하는 제 1 항에 기재된 고주파 모듈을 구비하는 통신 장치.
  8. 삭제
  9. 삭제
KR1020210020899A 2020-03-13 2021-02-17 고주파 모듈 및 통신 장치 KR102490285B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020043940A JP2021145282A (ja) 2020-03-13 2020-03-13 高周波モジュールおよび通信装置
JPJP-P-2020-043940 2020-03-13

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210116228A KR20210116228A (ko) 2021-09-27
KR102490285B1 true KR102490285B1 (ko) 2023-01-19

Family

ID=77665074

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210020899A KR102490285B1 (ko) 2020-03-13 2021-02-17 고주파 모듈 및 통신 장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11387851B2 (ko)
JP (1) JP2021145282A (ko)
KR (1) KR102490285B1 (ko)
CN (1) CN214675137U (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020137608A (ja) * 2019-02-27 2020-09-03 京楽産業．株式会社 遊技機
JP2021164022A (ja) * 2020-03-31 2021-10-11 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018088410A1 (ja) 2016-11-11 2018-05-17 株式会社村田製作所 スイッチｉｃ、高周波モジュールおよび通信装置
WO2018168500A1 (ja) * 2017-03-15 2018-09-20 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
JP2019176452A (ja) 2017-12-20 2019-10-10 株式会社村田製作所 高周波モジュール

Family Cites Families (74)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3484090B2 (ja) * 1998-12-22 2004-01-06 株式会社日立製作所 スイッチ型アンテナ共用器および移動無線端末
JP2002064301A (ja) * 1999-03-18 2002-02-28 Hitachi Metals Ltd トリプルバンド用高周波スイッチモジュール
DE60028937T2 (de) * 1999-12-14 2006-11-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma Hochfrequenz zusammengesetzter schaltergauelement
JP2003087149A (ja) * 2001-09-14 2003-03-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波複合スイッチモジュール
JP2003087150A (ja) * 2001-09-14 2003-03-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波複合スイッチモジュール
WO2003036806A1 (fr) * 2001-10-24 2003-05-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Module de commutation composee haute frequence, et terminal de communication equipe de ce module
US6975841B2 (en) * 2001-11-12 2005-12-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Diplexer, and high-frequency switch and antenna duplexer using the same
US20040232982A1 (en) * 2002-07-19 2004-11-25 Ikuroh Ichitsubo RF front-end module for wireless communication devices
WO2004038913A1 (ja) * 2002-10-25 2004-05-06 Hitachi Metals, Ltd. 平衡−不平衡型マルチバンドフィルタモジュール
EP1445872B1 (en) * 2003-02-05 2012-06-13 Hitachi Metals, Ltd. Antenna switch circuit and antenna switch module
US7149496B2 (en) * 2003-03-27 2006-12-12 Kyocera Corporation High-frequency module and radio communication apparatus
JP4010504B2 (ja) * 2003-06-04 2007-11-21 日立金属株式会社 マルチバンド用送受信機およびそれを用いた無線通信機
TWI220338B (en) * 2003-08-15 2004-08-11 Delta Electronics Inc Front end module for mobile telecommunication system
TW200520201A (en) * 2003-10-08 2005-06-16 Kyocera Corp High-frequency module and communication apparatus
DE102005010773A1 (de) * 2004-02-27 2005-11-03 Kyocera Corp. Hochfrequenz-Umschaltschaltung, Hochfrequenzmodul und drahtloses Kommunikationsbauteil
JP4134129B2 (ja) * 2004-10-28 2008-08-13 Ｔｄｋ株式会社 高周波モジュール
JP4134004B2 (ja) * 2004-11-15 2008-08-13 Ｔｄｋ株式会社 高周波モジュール
WO2006134959A1 (ja) * 2005-06-17 2006-12-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 多重モード薄膜弾性波共振器フィルタ
WO2007083668A1 (ja) * 2006-01-17 2007-07-26 Hitachi Metals, Ltd. 高周波回路部品及びこれを用いた通信装置
JP4637026B2 (ja) * 2006-02-08 2011-02-23 株式会社日立メディアエレクトロニクス 高周波回路装置及びこれを搭載した通信装置。
DE102006015072B4 (de) * 2006-03-31 2017-06-01 Epcos Ag Mobilfunkmodul für Multi-Band-Multi-Mode Betrieb
EP1850491A3 (en) * 2006-04-26 2012-02-22 Hitachi Metals, Ltd. High-frequency circuit, high-frequency device and communications apparatus
JP4710977B2 (ja) * 2006-12-19 2011-06-29 日立金属株式会社 高周波回路、高周波部品、及び通信装置
DE102007019082B4 (de) * 2007-04-23 2018-04-05 Snaptrack Inc. Frontendmodul
US20090128254A1 (en) * 2007-11-16 2009-05-21 Tdk Corporation High frequency electronic component
US8767859B2 (en) * 2008-06-25 2014-07-01 Hitachi Metals, Ltd. High-frequency circuit, high-frequency device, and communications apparatus
WO2010047250A1 (ja) * 2008-10-20 2010-04-29 株式会社村田製作所 高周波スイッチモジュール及び高周波スイッチ装置
WO2010053131A1 (ja) * 2008-11-05 2010-05-14 日立金属株式会社 高周波回路、高周波部品、及びマルチバンド通信装置
JP5451645B2 (ja) * 2009-01-29 2014-03-26 株式会社村田製作所 デュプレクサモジュール
DE112010001927B4 (de) * 2009-06-11 2018-02-22 Murata Manufacturing Co., Ltd. Hochfrequenzschaltermodul
SG183135A1 (en) * 2010-02-04 2012-09-27 Taiyo Yuden Kk Filter, duplexer, communication module, communication device
WO2012014643A1 (ja) * 2010-07-27 2012-02-02 株式会社村田製作所 高周波モジュール
JP5590134B2 (ja) * 2010-09-29 2014-09-17 株式会社村田製作所 高周波モジュール
CN103283152B (zh) * 2011-01-06 2015-06-24 株式会社村田制作所 高频模块
CN103430457B (zh) * 2011-03-24 2015-05-13 株式会社村田制作所 高频模块
JP5723667B2 (ja) * 2011-04-27 2015-05-27 太陽誘電株式会社 ラダーフィルタ、分波器及びモジュール
JP2012253497A (ja) * 2011-06-01 2012-12-20 Taiyo Yuden Co Ltd 電子回路及び電子モジュール
US9118302B2 (en) * 2011-08-08 2015-08-25 Skyworks Panasonic Filter Solutions Japan Co., Ltd Filter module
US9660687B2 (en) * 2011-09-22 2017-05-23 Qualcomm Incorporated Front-end circuit for band aggregation modes
JP6017868B2 (ja) * 2011-11-04 2016-11-02 太陽誘電株式会社 分波器、フィルタ及び通信モジュール
WO2013168689A1 (ja) * 2012-05-09 2013-11-14 株式会社村田製作所 スイッチモジュール
JP5859399B2 (ja) * 2012-08-10 2016-02-10 太陽誘電株式会社 高周波回路および通信装置。
KR101991489B1 (ko) * 2012-09-03 2019-09-30 삼성전자주식회사 무선 통신 회로와 장치 및 그 제어 방법
US9515615B2 (en) * 2013-02-20 2016-12-06 Micro Mobio Corporation World band radio frequency front end module, system and method thereof
US9935760B2 (en) * 2013-04-16 2018-04-03 Qorvo Us, Inc. Tunable filter for LTE bands
WO2015098793A1 (ja) * 2013-12-25 2015-07-02 株式会社村田製作所 電子部品モジュール
US9270303B2 (en) * 2013-12-30 2016-02-23 Broadcom Corporation Configurable receiver architecture for carrier aggregation with multiple-input multiple-output
US9906318B2 (en) * 2014-04-18 2018-02-27 Qualcomm Incorporated Frequency multiplexer
KR20160039437A (ko) * 2014-10-01 2016-04-11 삼성전자주식회사 트랜시버 및 그 트랜시버의 동작 방법
US9866366B2 (en) * 2014-11-06 2018-01-09 Skyworks Solutions, Inc. Mobile device front end architecture for time division duplexing
JP6428184B2 (ja) 2014-11-17 2018-11-28 株式会社村田製作所 高周波フロントエンド回路、高周波モジュール
JP6057024B2 (ja) * 2014-12-25 2017-01-11 株式会社村田製作所 高周波モジュール
US9705557B2 (en) * 2015-04-27 2017-07-11 Taiyo Yuden Co., Ltd. Front end circuit, module, and communication device
US9660614B2 (en) * 2015-07-31 2017-05-23 Nuvotronics, Inc. Stacked, switched filter banks
US20170093442A1 (en) * 2015-09-28 2017-03-30 Skyworks Solutions, Inc. Integrated front-end architecture for carrier aggregation
WO2017057568A1 (ja) * 2015-10-02 2017-04-06 株式会社村田製作所 電力増幅モジュール、フロントエンド回路および通信装置
WO2017057567A1 (ja) * 2015-10-02 2017-04-06 株式会社村田製作所 電力増幅モジュール、フロントエンド回路および通信装置
JP6358238B2 (ja) * 2015-11-18 2018-07-18 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
US10523247B2 (en) * 2016-01-28 2019-12-31 Amazon Technologies, Inc. Network hardware devices organized in a wireless mesh network for content distribution to client devices having no internet connectivity
JP6411398B2 (ja) 2016-03-14 2018-10-24 太陽誘電株式会社 フィルタ回路、フロントエンド回路およびモジュール
US9876513B2 (en) * 2016-03-31 2018-01-23 Qualcomm Incorporated LC filter layer stacking by layer transfer to make 3D multiplexer structures
US10075199B2 (en) * 2016-07-17 2018-09-11 Skyworks Solutions, Inc. Uplink carrier aggregation front-end architecture that supports simultaneous MIMO
WO2018110393A1 (ja) 2016-12-14 2018-06-21 株式会社村田製作所 スイッチｉｃ、フロントエンドモジュール及び通信装置
WO2018123698A1 (ja) * 2016-12-27 2018-07-05 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
US9929769B1 (en) * 2017-01-20 2018-03-27 Resonant Inc. Communications receiver using multi-band transmit blocking filters
CN107332573B (zh) * 2017-07-25 2021-04-13 Oppo广东移动通信有限公司 一种射频电路、天线装置及电子设备
US10778290B2 (en) * 2018-02-06 2020-09-15 Skyworks Solutions, Inc. Radio-frequency front-end systems
WO2019169025A1 (en) * 2018-03-02 2019-09-06 Skyworks Solutions, Inc. Lamb wave loop circuit for acoustic wave filter
DE102019204755A1 (de) * 2018-04-18 2019-10-24 Skyworks Solutions, Inc. Akustikwellenvorrichtung mit mehrschichtigem piezoelektrischem substrat
US11616279B2 (en) * 2018-11-26 2023-03-28 Thinkrf Corporation Stackable RF filter for a receiver or transmitter
US11522513B2 (en) * 2019-02-27 2022-12-06 Skyworks Global Pte. Ltd. Bulk acoustic wave resonator structure
US11658688B2 (en) * 2019-05-01 2023-05-23 Skyworks Solutions, Inc. Multiplexer with bulk acoustic wave filter and multilayer piezoelectric substrate filter
US20200412403A1 (en) * 2019-06-27 2020-12-31 Skyworks Solutions, Inc. Rf front-end with filter-based interface to multi-feed antenna
US11323097B2 (en) * 2019-07-24 2022-05-03 Skyworks Solutions, Inc. Bulk acoustic wave filters on shared die

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018088410A1 (ja) 2016-11-11 2018-05-17 株式会社村田製作所 スイッチｉｃ、高周波モジュールおよび通信装置
WO2018168500A1 (ja) * 2017-03-15 2018-09-20 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
JP2019176452A (ja) 2017-12-20 2019-10-10 株式会社村田製作所 高周波モジュール

Also Published As

Publication number Publication date
US20210288677A1 (en) 2021-09-16
US11387851B2 (en) 2022-07-12
CN214675137U (zh) 2021-11-09
JP2021145282A (ja) 2021-09-24
KR20210116228A (ko) 2021-09-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102395710B1 (ko) 고주파 모듈 및 통신 장치
WO2021039068A1 (ja) 高周波モジュールおよび通信装置
CN215682277U (zh) 高频模块和通信装置
US11152961B2 (en) Radio frequency module and communication device
KR102496904B1 (ko) 고주파 모듈 및 통신 장치
CN216851960U (zh) 高频模块和通信装置
US11251817B2 (en) Radio frequency module and communication device
KR102490285B1 (ko) 고주파 모듈 및 통신 장치
CN215734260U (zh) 高频模块和通信装置
CN216699996U (zh) 高频模块和通信装置
KR102471373B1 (ko) 고주파 모듈 및 통신 장치
CN216851961U (zh) 高频模块和通信装置
US20230353170A1 (en) Radio frequency circuit and communication device
KR102455844B1 (ko) 고주파 모듈 및 통신장치
CN215186738U (zh) 高频模块和通信装置
KR102442302B1 (ko) 고주파 모듈 및 통신 장치
CN117256100A (zh) 高频模块和通信装置
JP2022011971A (ja) 高周波モジュール及び通信装置
WO2023022047A1 (ja) 高周波モジュール
CN117099306A (zh) 高频模块和通信装置
CN117136497A (zh) 高频模块和通信装置
CN117099314A (zh) 高频模块和通信装置
CN117121386A (zh) 高频模块和通信装置

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
X091 Application refused [patent]
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant