JP5859399B2

JP5859399B2 - 高周波回路および通信装置。

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Publication number: JP5859399B2
Application number: JP2012178182A
Authority: JP
Inventors: 松尾　信昭; 信昭松尾; 龍司村田; 佑喜松林
Original assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Current assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Priority date: 2012-08-10
Filing date: 2012-08-10
Publication date: 2016-02-10
Anticipated expiration: 2032-08-10
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Description

本発明は、高周波回路および通信装置に関し、例えば複数のデュプレクサとスイッチとを備える高周波回路および通信装置に関する。

近年、複数の異なる周波数帯域を用い同時に送受信を行なうキャリアアグリゲーション技術を用いる移動体通信が検討されている（例えば特許文献１）。

特開２０１１−１１９９８１号公報

しかしながら、複数の周波数帯のうち、低周波数側の送信信号の歪み信号が高周波数側の受信信号よりも優勢になることがある。本発明は、低周波数側の送信信号の歪み信号が高周波数側の受信信号より優勢となることを抑制することを目的とする。

本発明は、第１送信帯域を有する第１送信フィルタと、第１受信帯域を有する第１受信フィルタと、前記第１送信フィルタの一端と前記第１受信フィルタの一端とが共通に接続された第１共通端子をそれぞれ備える複数の第１デュプレクサと、前記第１共通端子のいずれかを選択し、第１アンテナに接続する第１スイッチと、前記第１アンテナと前記第１スイッチとの間に接続され、前記第１送信帯域および前記第１受信帯域の信号を通過させるＬＰＦまたはＢＰＦと、前記第１送信帯域より高い周波数の第２送信帯域を有する第２送信フィルタと、前記第１受信帯域より高い周波数の第２受信帯域を有する第２受信フィルタと、前記第２送信フィルタの一端と前記第２受信フィルタの一端とが共通に接続され第２アンテナと接続される第２共通端子を備える第２デュプレクサと、を具備し、前記第１アンテナと前記第２アンテナは異なるアンテナであり、前記第１共通端子は前記第２アンテナと接続されず、前記第２共通端子は前記第１アンテナと接続されないことを特徴とする高周波回路である。本発明によれば、低周波数側の送信信号の歪み信号が高周波数側の受信信号より優勢となることを抑制することができる。

上記構成において、前記第１送信帯域の送信信号の送信と、前記第２受信帯域の受信信号の受信が同時に行なわれる構成とすることができる。

上記構成において、前記ＬＰＦまたはＢＰＦは、前記第１送信帯域の高調波を通過させない構成とすることができる。

上記構成において、複数の前記第２デュプレクサと、前記複数の第２デュプレクサの前記第２共通端子のいずれかを選択し前記第２アンテナに接続する第２スイッチと、を具備する構成とすることができる。

上記構成において、前記第２デュプレクサと前記第２アンテナとの間に接続され、前記第２送信帯域および前記第２受信帯域の信号を通過させるＨＰＦまたはＢＰＦを具備する構成とすることができる。

上記構成において、前記第１デュプレクサ、前記第１スイッチおよび前記第２デュプレクサを搭載する基板を具備し、前記ＬＰＦまたはＢＰＦは、ディスクート部品と前記基板に形成された配線との少なくとも一方により形成されている構成とすることができる。

本発明は、上記高周波回路を含むことを特徴とする通信装置である。

本発明によれば、低周波数側の送信信号の歪み信号が高周波数側の受信信号より優勢となることを抑制することができる。

図１は、比較例に係る高周波回路のブロック図である。図２（ａ）および図２（ｂ）は、周波数に対する減衰量を示す図である。図３は、実施例１に係る高周波回路のブロック図である。図４は、実施例２に係る高周波回路のブロック図である。図５は、実施例３に係る高周波回路のブロック図である。図６は、実施例４に係る高周波回路のブロック図である。図７（ａ）は、ＬＰＦの例を示す回路図、図７（ｂ）は、ＬＰＦの通過特性の例を示す図、図７（ｃ）は、ダイプレクサの通過特性の例を示す図である。図８は、実施例５に係る高周波回路の平面図である。図９（ａ）および図９（ｂ）は、図８のＡ−Ａ断面の例を示す図である。図１０は、実施例６に係る通信装置のブロック図である。

キャリアアグリゲーション技術に用いる高周波回路について説明する。図１は、比較例に係る高周波回路のブロック図である。比較例に係る高周波回路１１０は、低周波数側の複数のバンドと高周波数側の複数のバンドとにおける送受信が可能である。高周波回路１１０は、デュプレクサ１０Ｌ１、１０Ｌ２、１０Ｈ１、１０Ｈ２、スイッチ２０Ｌおよび２０Ｈを備えている。デュプレクサ１０Ｌ１〜１０Ｈ２は、それぞれ送信フィルタ１２Ｌ１、１２Ｌ２、１２Ｈ１および１２Ｈ２、受信フィルタ１４Ｌ１、１４Ｌ２、１４Ｈ１および１４Ｈ２、並びに整合回路１６Ｌ１、１６Ｌ２、１６Ｈ１および１６Ｈ２を備えている。

送信フィルタ１２Ｌ１〜１２Ｈ２は、それぞれ送信端子ＴｘＬ１、ＴｘＬ２、ＴｘＨ１およびＴｘＨ２と、共通端子１８Ｌ１、１８Ｌ２、１８Ｈ１および１８Ｈ２と、の間に接続されている。受信フィルタ１４Ｌ１〜１４Ｈ２は、それぞれ受信端子ＲｘＬ１、ＲｘＬ２、ＲｘＨ１およびＲｘＨ２と、共通端子１８Ｌ１〜１８Ｈ２と、の間に接続されている。整合回路１６Ｌ１〜１６Ｈ２は、送信フィルタ１２Ｌ１〜１２Ｈ２と、受信フィルタ１４Ｌ１〜１４Ｈ２と、の少なくとも一方と、共通端子１８Ｌ１〜１８Ｈ２と、の間に接続されている。

送信フィルタ１２Ｌ１〜１２Ｈ２は、それぞれ送信端子ＴｘＬ１〜ＴｘＨ２から入力した信号のうち送信帯域の信号を通過させ、他の信号を抑圧する。すなわち、送信フィルタ１２Ｌ１〜１２Ｈ２は、送信帯域においては、損失が０に近くなり、他の帯域においては、インピーダンスが非常に大きくなる。受信フィルタ１４Ｌ１〜１４Ｈ２は、それぞれ共通端子１８Ｌ１〜１８Ｈ２から入力した信号のうち受信帯域の信号を通過させ、他の信号を抑圧する。すなわち、受信フィルタ１４Ｌ１〜１４Ｈ２は、受信帯域においては、損失が０に近くなり、他の帯域においては、インピーダンスが非常に大きくなる。

送信フィルタ１２Ｌ１〜１２Ｈ２および受信フィルタ１４Ｌ１〜１４Ｈ２としては、例えば弾性表面波フィルタまたは圧電薄膜共振器フィルタを用いることができる。

整合回路１６Ｌ１〜１６Ｈ２は、それぞれ送信信号が受信フィルタ１４Ｌ１〜１４Ｈ２に入力することを抑制し、受信信号が送信フィルタ１２Ｌ１〜１２Ｈ２に入力することを抑制するように、インピーダンスを整合させる。

このように、デュプレクサ１０Ｌ１〜１０Ｈ２は、周波数の異なる送信信号と受信信号とを同時に送受信することができる。このように、デュプレクサ１０Ｌ１〜１０Ｈ２を用いることにより、ＦＤＤ（Frequency Divisional Duplex）方式を用いた通信を行なうことができる。

スイッチ２０Ｌは、ＳＰｎＴ（Single Pole n Throw）スイッチであり、複数の共通端子１８Ｌ１および１８Ｌ２のいずれかを選択し、アンテナ端子ＡｎｔＬと接続する。スイッチ２０Ｈは、ＳＰｎＴ（Single Pole n Throw）スイッチであり、複数の共通端子１８Ｈ１および１８Ｈ２のいずれかを選択し、アンテナ端子ＡｎｔＨと接続する。

スイッチ２０Ｌおよび２０Ｈとしては、例えばＦＥＴ（Field Effect Transistor）を用いたスイッチを用いることができる。ＦＥＴとしては、例えばＣＭＯＳ（Complimentary Metal Oxide Semiconductor）ＦＥＴまたはＧａＡｓＦＥＴを用いることができる。

高周波回路１１０においては、スイッチ２０Ｌが選択したデュプレクサ１０Ｌ１または１０Ｌ２と、スイッチ２０Ｈが選択したデュプレクサ１０Ｈ１または１０Ｈ２と、の対応するバンドで同時に送受信することができる。例えば、スイッチ２０Ｌがデュプレクサ１０Ｌ１、スイッチ２０Ｈがデュプレクサ１０Ｈ１をそれぞれ選択した場合、デュプレクサ１０Ｌ１に対応するバンドとデュプレクサ１０Ｈ１に対応するバンドの送受信を同時に行なうことができる。このように、ＦＤＤ方式を用いることにより、異なるバンドの送信を同時に行なうことができる。また、異なるバンドの受信を同時に行なうことができる。これにより、例えば音声とデータを同時に送受信する。または、データを２つのバンドを用い送受信することが可能となる。なお、低周波数側および高周波数側のデュプレクサは、それぞれ３以上でもよい。スイッチ２０Ｌに接続するデュプレクサに対応するバンドの最も高い周波数は、スイッチ２０Ｈに接続するデュプレクサに対応するバンドの最も低い周波数より低い。

表１は、高周波回路に用いられるバンドの例を示す表である。

表１に示すように、ＬＴＥ（Long Term Evolution）またはＷ−ＣＤＭＡ（Wide-Band Code Divisional Multiple Access）におけるバンド４、バンド１７、バンド３およびバンド８を例に説明する。まず、バンド４とバンド１７について説明する。バンド４の送信帯域は１７１０ＭＨｚ〜１７５５ＭＨｚであり、受信帯域は２１１０ＭＨｚ〜２１５５ＭＨｚである。一方、バンド１７の送信帯域は７０４ＭＨｚ〜７１６ＭＨｚであり、受信帯域は７３４ＭＨｚ〜７４６ＭＨｚである。バンド１７の送信帯域の３倍波（表１中の３ｘ送信帯域）は２１１２ＭＨｚ〜２１４８ＭＨｚである。このため、バンド１７の送信信号の３倍波とバンド４の受信帯域とが重なる。

図２（ａ）および図２（ｂ）は、周波数に対する減衰量を示す図である。図２（ａ）に示すように、バンド１７の送信信号ＴｘＬの３倍波である３ＴｘＬとバンド４の受信帯域ＲｘＨが重なってしまう。図１において、デュプレクサ１０Ｌ１がバンド１７用、デュプレクサ１０Ｈ１がバンド４用とする。デュプレクサ１０Ｌ２は、バンド１７と同程度の低周波数バンド用であり、デュプレクサ１０Ｈ２は、バンド４と同程度の高周波バンド用である。

例えば、アンテナ端子ＡｎｔＬから出力される矢印４０で示すバンド１７の送信信号の電力は２３ｄＢｍであり、バンド１７の送信信号の３倍波の電力は−６０ｄＢｍ〜−８０ｄＢｍである。アンテナ端子ＡｎｔＨに入力する矢印４２で示すバンド４の受信信号の電力は−１００ｄＢｍ以下である。アンテナ端子ＡｎｔＬとＡｎｔＨとの間の矢印４４で示すアイソレーションが−１０ｄＢｍ程度の場合、アンテナ端子ＡｎｔＨには、矢印４６で示すバンド１７の送信信号の３倍波が−７０ｄＢｍ〜−９０ｄＢｍの電力で入力する。この場合、バンド４の受信信号よりバンド１７の送信信号の３倍波の方が大きくなってしまう。これにより、バンド１７の送信信号の送信とバンド４の受信信号の受信を同時に行なった場合、バンド４の受信信号がバンド１７の送信信号の３倍波に埋もれてしまう。なお、上記各信号の電力等は、一例である。

表１を参照し、バンド３とバンド８について説明する。バンド３の送信帯域は１７１０ＭＨｚ〜１７８５ＭＨｚであり、受信帯域は１８０５ＭＨｚ〜１８８０ＭＨｚである。一方、バンド８の送信帯域は８８０ＭＨｚ〜９１５ＭＨｚであり、受信帯域は９２５ＭＨｚ〜９６０ＭＨｚである。バンド８の送信帯域の２倍波（表１中の２ｘ送信帯域）は１７６０ＭＨｚ〜１８３０ＭＨｚである。このため、バンド８の送信信号の２倍波とバンド３の受信帯域とが重なる。

図２（ｂ）に示すように、バンド８の送信信号ＴｘＬの２倍波である２ＴｘＬとバンド３の受信帯域ＲｘＨが重なってしまう。図１において、デュプレクサ１０Ｌ１がバンド８用、デュプレクサ１０Ｈ１がバンド３用とする。この場合、前述のバンド１７と４の場合と同様に、バンド８の送信信号の送信とバンド３の受信信号の受信を同時に行なった場合、バンド３の受信信号がバンド８の送信信号の２倍波に埋もれてしまう。

以上のように、送信信号の高調波が大きくなるのは、スイッチ２０Ｌを用いているためである。スイッチ２０Ｌおよび２０Ｈにおいては、信号の電力が大きくなると高調波が大きくなるという性質がある。以下に、スイッチ２０Ｌにより生じた送信信号の高調波が受信信号に干渉することを抑制する実施例について説明する。

図３は、実施例１に係る高周波回路のブロック図である。図３に示すように、高周波回路１００は、スイッチ２０Ｌとアンテナ端子ＡｎｔＬとの間にＬＰＦ（ローパスフィルタ）またはＢＰＦ（バンドパスフィルタ）３２が接続されている。ＬＰＦまたはＢＰＦ３２は、デュプレクサ１０Ｌ１および１０Ｌ２の送受信帯域の信号を通過させ、送信帯域の高調波を通過させない。その他の構成は図１の比較例と同じであり、説明を省略する。

比較例と同様に、バンド１７の送信とバンド４の受信を同時に行なう場合について説明する。実施例１においては、ＬＰＦ／ＢＰＦ３２が設けられているため、アンテナ端子ＡｎｔＬに出力されるバンド１７の送信信号の３倍波の電力を−１００ｄＢｍ〜−１１０ｄＢｍにできる。よって、アンテナ端子ＡｎｔＨに入力するバンド１７の送信信号の３倍波（矢印４６）の電力を例えば−１１０ｄＢｍ〜−１２０ｄＢｍにできる。よって、バンド４の受信信号の電力よりバンド１７の送信信号の３倍波の電力を小さくできる。

実施例１によれば、複数のデュプレクサ１０Ｌ１および１０Ｌ２（第１デュプレクサ）は、送信フィルタ１２Ｌ１および１２Ｌ２（第１送信フィルタ）と、受信フィルタ１４Ｌ１および１４Ｌ２（第１受信フィルタ）と、共通端子１８Ｌ１および１８Ｌ２（第１共通端子）と、をそれぞれ備える。送信フィルタ１２Ｌ１および１２Ｌ２は、それぞれ第１送信帯域を有する。受信フィルタ１４Ｌ１および１４Ｌ２は、それぞれ第１受信帯域を有する。共通端子１８Ｌ１および１８Ｌ２には、送信フィルタ１２Ｌ１および１２Ｌ２の一端と受信フィルタ１４Ｌ１および１４Ｌ２の一端とが共通に接続されている。スイッチ２０Ｌ（第１スイッチ）は、共通端子１８Ｌ１および１８Ｌ２のいずれかを選択し、アンテナ端子ＡｎｔＬ（第１アンテナ）に接続する。

デュプレクサ１０Ｈ１および１０Ｈ２（第２デュプレクサ）は、送信フィルタ１２Ｈ１および１２Ｈ２（第２送信フィルタ）と、受信フィルタ１４Ｈ１および１４Ｈ２（第２受信フィルタ）と、共通端子1８Ｈ１および１８Ｈ２（第２共通端子）と、をそれぞれ備える。送信フィルタ１２Ｈ１および１２Ｈ２は、それぞれ第１送信帯域より高い周波数の第２送信帯域を有する。受信フィルタ１４Ｈ１および１４Ｈ２は、それぞれ第１受信帯域より高い周波数の第２受信帯域を有する。共通端子１８Ｈ１および１８Ｈ２は、それぞれ送信フィルタ１２Ｈ１および１２Ｈ２の一端と受信フィルタ１４Ｈ１および１４Ｈ２の一端とが共通に接続され、アンテナ端子ＡｎｔＨ（第２アンテナ）と接続される。

このような構成において、ＬＰＦまたはＢＰＦ３２は、アンテナ端子ＡｎｔＬとスイッチ２０Ｌとの間に接続されており、第１送信帯域および第１受信帯域の信号を通過させ、第２送信帯域および第２受信帯域の信号を遮断する。ＬＰＦまたはＢＰＦ３２は、主にスイッチ２０Ｌにおいて生成される第１送信帯域の信号の高調波を遮断する。よって、デュプレクサ１０Ｈ１および１０Ｈ２に相当するバンドの受信信号より上記高調波が大きくなることを抑制できる。このように、低周波数側の送信信号の歪み信号が高周波数側の受信信号より優勢となることを抑制することができる。

また、高周波回路１００において、第１送信帯域の送信信号の送信と、第２受信帯域の受信信号の受信と、が同時に行なわれる場合、低周波数側の送信信号の歪み信号が高周波数側の受信信号に干渉し易くなる。よって、このような場合に、ＬＰＦまたはＢＰＦ３２をアンテナ端子ＡｎｔＬとスイッチ２０Ｌとの間に接続することが好ましい。

さらに、ＬＰＦまたはＢＰＦ３２は、第１送信帯域の高調波を第２受信帯域の信号に影響しない程度に通過させないことが好ましい。これにより、低周波数側の送信信号の歪み信号が高周波数側の受信信号より優勢となることを抑制することができる。

スイッチ２０Ｈ（第２スイッチ）が複数のデュプレクサ１０Ｈ１および１０Ｈ２の共通端子１８Ｈ１および１８Ｈ２のいずれかを選択しアンテナ端子ＡｎｔＨに接続してもよい。

実施例１では、アンテナ端子ＡｎｔＬとアンテナ端子ＡｎｔＨとが接続されるアンテナは異なるアンテナである。共通端子１８Ｌ１および１８Ｌ２はアンテナ端子ＡｎｔＨと接続されず、共通端子１８Ｈ１および１８Ｈ２はアンテナ端子ＡｎｔＬと接続されない。これにより、後述する実施例２のようにアンテナ端子ＡｎｔＬとアンテナ端子ＡｎｔＨとを共通とする場合に比べ、アンテナ端子ＡｎｔＬとアンテナ端子ＡｎｔＨとのアイソレーションを大きくできる。

図４は、実施例２に係る高周波回路のブロック図である。高周波回路１０２において、アンテナ端子Ａｎｔは、低周波数側と高周波数側とで共通に１つ用いられる。アンテナ端子Ａｎｔとスイッチ２０Ｌおよび２０Ｈとの間にダイプレクサ３６が接続されている。ダイプレクサ３６は、ＬＰＦまたはＢＰＦ３２とＨＰＦ（ハイパスフィルタ）またはＢＰＦ３４とを備えている。ＬＰＦまたはＢＰＦ３２は、アンテナ端子Ａｎｔとスイッチ２０Ｌとの間に接続されている。ＨＰＦまたはＢＰＦ３４は、アンテナ端子Ａｎｔとスイッチ２０Ｈとの間に接続されており、デュプレクサ１０Ｈ１および１０Ｈ２の送信帯域および受信帯域の信号を通過させ、デュプレクサ１０Ｌ１および１０Ｌ２の送信帯域および受信帯域の信号を遮断する。その他の構成は、実施例１と同じであり、説明を省略する。

実施例２のように、実施例１のアンテナ端子ＡｎｔＬとＡｎｔＨとを共通のアンテナ端子Ａｎｔとすることもできる。これにより、アンテナの個数を削減できる。この場合、ＨＰＦまたはＢＰＦ３４をデュプレクサ１０Ｈ１および１０Ｈ２とアンテナ端子Ａｎｔとの間に設けることが好ましい。これにより、デュプレクサ１０Ｌ１および１０Ｌ２の送信信号がスイッチ２０Ｈに入力することを抑制できる。よって、例えばスイッチ２０Ｈ内において、デュプレクサ１０Ｌ１および１０Ｌ２の送信信号の高調波が生成されることを抑制できる。

図５は、実施例３に係る高周波回路のブロック図である。図５に示すように、高周波回路１０４において、高周波数側のデュプレクサ１０Ｈは１つでもよい。この場合、高周波数側のスイッチはなくてもよく。アンテナ端子ＡｎｔＨと共通端子１８Ｈとがスイッチを介さず接続される。その他の構成は、実施例１と同じであり、説明を省略する。

図６は、実施例４に係る高周波回路のブロック図である。図６に示すように、高周波回路１０６において、高周波数側のデュプレクサ１０Ｈは１つであり、アンテナ端子ＡｎｔＨと共通端子１８Ｈとの間にダイプレクサ３６のＨＰＦまたはＢＰＦ３４が接続されていてもよい。その他の構成は、実施例２と同じであり、説明を省略する。

実施例５は、実施例２に係る高周波回路を配線基板に搭載する例である。図７（ａ）は、ＬＰＦの例を示す回路図、図７（ｂ）は、ＬＰＦの通過特性の例を示す図、図７（ｃ）は、ダイプレクサの通過特性の例を示す図である。図７（ａ）に示すように、ＬＰＦは、インダクタＬ１およびキャパシタＣ１からＣ３を備えている。入力端子Ｔｉｎと出力端子Ｔｏｕｔとの間にインダクタＬ１が直列に電気的に接続されている。入力端子Ｔｉｎと出力端子Ｔｏｕｔとの間にキャパシタＣ３が直列に電気的に接続されている。インダクタＬ１の両端とグランドとの間にそれぞれキャパシタＣ１およびＣ２が電気的に接続されている。図７（ｂ）に示すように、図７（ａ）のようなＬＰＦを用いることにより、例えば１．５ＧＨｚ以下の周波数においてＳ２１を０ｄＢに近くできる。一方、２ＧＨｚ以上の周波数においては、Ｓ２１を−１５ｄＢ以下にすることができる。

図７（ｃ）に示すように、ＬＰＦは、１５００ＭＨｚ以下の周波数の信号を通過させ、２０００ＭＨｚ以上の信号を遮断する。ＨＰＦは、２０００ＭＨｚ以上の周波数の信号を通過させ、１５００ＭＨｚ以下の信号を遮断する。実施例２には、このようなダイプレクサを用いることができる。

図８は、実施例５に係る高周波回路の平面図である。図８に示すように、高周波回路１０２において、配線基板６０上にデュプレクサ１０Ｌ１から１０Ｌ３、１０Ｈ１から１０Ｈ３、スイッチ２０、ダイプレクサの一部５２およびチップ部品５０が搭載されている。スイッチ２０には、スイッチ２０Ｌおよび２０Ｈが実装されている。

図９（ａ）および図９（ｂ）は、図８のＡ−Ａ断面の例を示す図である。図９（ａ）および図９（ｂ）に示すように、配線基板６０は、複数の絶縁層６２を備えている。絶縁層６２は、例えばエポキシ樹脂等の樹脂またはセラミックである。複数の絶縁層６２上には、それぞれ配線６４が形成されている。配線基板６０の下面にはパッド６６が形成されている。配線６４間および配線６４とパッド６６との間は、ビア配線６８により電気的に接続されている。配線６４、パッド６６およびビア配線６８は、例えば銅等の金属により形成される。配線基板６０の上面には、チップ部品５０およびダイプレクサの一部５２が搭載されている。図９（ａ）においては、チップ部品５０およびダイプレクサの一部５２が配線６４およびビア配線６８により電気的に接続されている。図９（ｂ）においては、インダクタ７６が配線６４により形成され、キャパシタ７４が電極７０および７２と、電極７０および７２間に設けられた絶縁層６２と、により形成される。電極７２および７４は配線６４により形成される。

図９（ａ）のように、ダイプレクサ３６の少なくとも一部（すなわちＬＰＦまたはＢＰＦ３２およびＨＰＦまたはＢＰＦ３４の少なくとも一部）は、配線基板６０上に搭載されたチップ部品５０により形成されていてもよい。図９（ｂ）のように、ダイプレクサ３６の一部（すなわちＬＰＦまたはＢＰＦ３２およびＨＰＦまたはＢＰＦ３４の少なくとも一部）は、配線基板６０内に形成されていてもよい。

実施例５によれば、高周波回路１０２は、デュプレクサの少なくとも１つ、スイッチの少なくとも１つを搭載する配線基板６０を備えている。ＬＰＦまたはＢＰＦ３２およびＨＰＦまたはＢＰＦ３４の少なくとも１つの要素は、チップ部品５０のようなディスクリート部品と配線基板６０に形成された配線６４との少なくとも一方により形成することができる。実施例５として、実施例２に係る高周波回路１０２を配線基板６０に搭載する場合を説明したが、他の実施例に係る高周波回路を配線基板６０等の基板に搭載してもよい。

実施例６は、実施例２を用いた通信装置の例である。図１０は、実施例６に係る通信装置のブロック図である。図１０に示すように、通信装置１０８は、実施例２の高周波回路１０２に加え、パワーアンプ（ＰＡ）８０、ＲＦＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）８２、発振器８４およびＢＢＩＣ（Base Band IC）８６を備えている。ＢＢＩＣ８６は、ベースバンドにおいて送信信号を生成し、受信信号を受信する。発振器８４は、局部発振信号を生成する。ＲＦＩＣ８２は、ベースバンドの送信信号を局部発振信号を用いアップコンバートし、パワーアンプ８０に出力する。また、ＲＦＩＣ８２は、高周波回路１０２の受信端子ＲｘＬ１、ＲｘＬ２、ＲｘＨ１およびＲｘＨ３から出力される受信信号をＬＮＡ（Low Noise Amplifier）で増幅する。ＲＦＩＣ８２は、増幅された受信信号を局部発振信号を用いダウンコンバートし、ＢＢＩＣ８６に出力する。パワーアンプ８０は、ＲＦ周波数の送信信号を増幅し、送信端子ＴｘＬ１、ＴｘＬ２、ＴｘＨ１およびＴｘＨ２に出力する。高周波回路１０２の構成は、実施例２と同じであり説明を省略する。実施例６のように、実施例１から５の高周波回路を通信装置に用いることができる。

本発明について実施例をもって詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

１０Ｌ１、１０Ｌ２、１０Ｈ１、１０Ｈ２デュプレクサ
１２Ｌ１、１２Ｌ２、１２Ｈ１、１２Ｈ２送信フィルタ
１４Ｌ１、１４Ｌ２、１４Ｈ１、１４Ｈ２受信フィルタ
１８Ｌ１、１８Ｌ２、１８Ｈ１、１８Ｈ２共通端子
２０Ｌ、２０Ｈスイッチ
３２ＬＰＦ／ＢＰＦ
３４ＨＰＦ／ＢＰＦ

Claims

第１送信帯域を有する第１送信フィルタと、第１受信帯域を有する第１受信フィルタと、前記第１送信フィルタの一端と前記第１受信フィルタの一端とが共通に接続された第１共通端子をそれぞれ備える複数の第１デュプレクサと、
前記第１共通端子のいずれかを選択し、第１アンテナに接続する第１スイッチと、
前記第１アンテナと前記第１スイッチとの間に接続され、前記第１送信帯域および前記第１受信帯域の信号を通過させるＬＰＦまたはＢＰＦと、
前記第１送信帯域より高い周波数の第２送信帯域を有する第２送信フィルタと、前記第１受信帯域より高い周波数の第２受信帯域を有する第２受信フィルタと、前記第２送信フィルタの一端と前記第２受信フィルタの一端とが共通に接続され第２アンテナと接続される第２共通端子を備える第２デュプレクサと、
を具備し、
前記第１アンテナと前記第２アンテナは異なるアンテナであり、
前記第１共通端子は前記第２アンテナと接続されず、
前記第２共通端子は前記第１アンテナと接続されないことを特徴とする高周波回路。
前記第１送信帯域の送信信号の送信と、前記第２受信帯域の受信信号の受信が同時に行なわれることを特徴とする請求項１記載の高周波回路。
前記ＬＰＦまたはＢＰＦは、前記第１送信帯域の高調波を通過させないことを特徴とする請求項１または２記載の高周波回路。
複数の前記第２デュプレクサと、
前記複数の第２デュプレクサの前記第２共通端子のいずれかを選択し前記第２アンテナに接続する第２スイッチと、
を具備することを特徴とする請求項１から３のいずれか一項記載の高周波回路。
前記第２デュプレクサと前記第２アンテナとの間に接続され、前記第２送信帯域および前記第２受信帯域の信号を通過させるＨＰＦまたはＢＰＦを具備することを特徴とする請求項１から３のいずれか一項記載の高周波回路。
第１送信帯域を有する第１送信フィルタと、第１受信帯域を有する第１受信フィルタと、前記第１送信フィルタの一端と前記第１受信フィルタの一端とが共通に接続された第１共通端子をそれぞれ備える複数の第１デュプレクサと、
前記第１共通端子のいずれかを選択し、アンテナに接続する第１スイッチと、
前記アンテナと前記第１スイッチとの間に接続され、前記第１送信帯域および前記第１受信帯域の信号を通過させるＬＰＦまたはＢＰＦと、
前記第１送信帯域より高い周波数の第２送信帯域を有する第２送信フィルタと、前記第１受信帯域より高い周波数の第２受信帯域を有する第２受信フィルタと、前記第２送信フィルタの一端と前記第２受信フィルタの一端とが共通に接続され前記アンテナと接続される第２共通端子を備える第２デュプレクサと、
を具備し、
前記第２デュプレクサは１つのみ設けられ、
前記第２デュプレクサの前記第２共通端子のいずれかを選択し前記アンテナに接続する第２スイッチを具備しないことを特徴とする高周波回路。
前記第１デュプレクサ、前記第１スイッチおよび前記第２デュプレクサを搭載する基板を具備し、
前記ＬＰＦまたはＢＰＦは、ディスクート部品と前記基板に形成された配線との少なくとも一方により形成されていることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項記載の高周波回路。
請求項１から７のいずれか一項記載の高周波回路を含むことを特徴とする通信装置。