CN117642981A - 高频电路和通信装置 - Google Patents

Abstract

抑制因在第一发送信号与第二发送信号之间发生的互调失真引起的接收灵敏度的下降。第一滤波器具有包含第一通信频段的发送频带的通带。第二滤波器具有包含第二通信频段的发送频带的通带。第三滤波器具有包含第一通信频段的接收频带的通带。第一通信频段和第二通信频段是能够在同时发送中利用的通信频段。在第一通信频段的第一发送信号(S1)与第二通信频段的第二发送信号(S2)之间发生的互调失真的频率范围的至少一部分与第一通信频段的接收频带的至少一部分重叠。第一功率放大器(111)与开关中的第一端子连接，第二功率放大器(112)与开关中的第二端子连接，电路与开关中的第三端子连接。电路包括电感器(251)和电容器中的至少一方。

Description

高频电路和通信装置

技术领域

本发明一般地说涉及一种高频电路和通信装置，更详细地说，涉及具备多个滤波器的高频电路以及具备高频电路的通信装置。

背景技术

在便携式电话等移动通信设备中，随着多频段化的进展，寻求一种能够同时发送频率不同的多个高频信号的高频电路。例如，专利文献1中公开了一种具备2个发送电路和2个接收电路的电子系统。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2017-17691号公报

发明内容

发明要解决的问题

在专利文献1所记载的电子系统(高频电路)中，在同时发送频率不同的多个高频信号时，有时多个高频信号之间的互调失真(Inter-modulation distortion：IMD)的频率与接收电路的接收频带重叠从而接收灵敏度下降。

本发明的目的在于提供一种能够抑制因在第一发送信号与第二发送信号之间发生的互调失真引起的接收灵敏度的下降的高频电路和通信装置。

用于解决问题的方案

本发明的一个方式所涉及的高频电路具备第一滤波器、第二滤波器、第三滤波器、第一功率放大器、第二功率放大器以及开关。所述第一滤波器具有包含第一通信频段的发送频带的通带。所述第二滤波器具有包含第二通信频段的发送频带的通带，所述第二通信频段不同于所述第一通信频段。所述第三滤波器具有包含所述第一通信频段的接收频带的通带。所述第一功率放大器与所述第一滤波器连接。所述第二功率放大器与所述第二滤波器连接。所述开关具有第一端子、第二端子、第三端子、第四端子以及第五端子。所述第一通信频段和所述第二通信频段是能够在同时发送中利用的通信频段。在所述第一通信频段的第一发送信号与所述第二通信频段的第二发送信号之间发生的互调失真的频率范围的至少一部分与所述第一通信频段的所述接收频带的至少一部分重叠。在所述高频电路中，在所述第一端子连接有所述第一功率放大器，在所述第二端子连接有所述第二功率放大器，在所述第四端子连接有所述第一滤波器，在所述第五端子连接有所述第二滤波器。所述高频电路还具备与所述第三端子连接的电路。所述电路包括电感器和电容器中的至少一方。

本发明的一个方式所涉及的高频电路具备第一滤波器、第二滤波器、第三滤波器、低噪声放大器以及开关。所述第一滤波器具有包含第一通信频段的发送频带的通带。所述第二滤波器具有包含第二通信频段的发送频带的通带，所述第二通信频段不同于所述第一通信频段。所述第三滤波器具有包含所述第一通信频段的接收频带的通带。所述低噪声放大器与所述第三滤波器连接。所述开关具有第一端子、第二端子以及第三端子。所述第一通信频段和所述第二通信频段是能够在同时发送中利用的通信频段。在所述第一通信频段的第一发送信号与所述第二通信频段的第二发送信号之间发生的互调失真的频率范围的至少一部分与所述第一通信频段的所述接收频带的至少一部分重叠。在所述高频电路中，在所述第一端子连接有所述低噪声放大器，在所述第三端子连接有所述第三滤波器。所述高频电路还具备与所述第二端子连接的电路。所述电路包括电感器和电容器中的至少一方。

本发明的一个方式所涉及的通信装置具备所述高频电路和信号处理电路。所述信号处理电路与所述高频电路连接。

发明的效果

根据本发明的一个方式所涉及的高频电路和通信装置，能够抑制因在第一发送信号与第二发送信号之间发生的互调失真引起的接收灵敏度的下降。

附图说明

图1是具备实施方式1所涉及的高频电路的通信装置的电路结构图。

图2是同上的高频电路的俯视图。

图3是关于同上的高频电路的、从安装基板的第一主面侧透视安装基板的第二主面以及配置于安装基板的第二主面的多个电子部件和多个外部连接端子而得到的俯视图。

图4是关于同上的高频电路的图2的X-X线截面图。

图5是同上的高频电路的主要部分的电路结构图。

图6是同上的高频电路的主要部分的俯视图。

图7是实施方式1的变形例1所涉及的高频电路的主要部分的俯视图。

图8是实施方式2所涉及的高频电路的主要部分的电路结构图。

图9是实施方式3所涉及的高频电路的主要部分的电路结构图。

图10是实施方式4所涉及的高频电路的主要部分的电路结构图。

图11是实施方式5所涉及的高频电路的主要部分的电路结构图。

具体实施方式

下面，参照附图来说明实施方式1～5所涉及的高频电路和通信装置。在下述的实施方式等中参照的图2～图4、图6和图7均是示意性的图，图中的各结构要素的大小之比、厚度之比未必反映了实际的尺寸比。

(实施方式1)

(1)高频电路

首先，参照附图来说明实施方式1所涉及的高频电路1的结构。

如图1所示，高频电路1例如使用于通信装置9。通信装置9例如是如智能电话那样的便携式电话。此外，通信装置9不限定于是便携式电话，例如也可以是如智能手表那样的穿戴式终端等。高频电路1例如是能够支持4G(第四代移动通信)标准、5G(第五代移动通信)标准等的电路。4G标准例如是3GPP(注册商标，Third Generation Partnership Project：第三代合作伙伴计划)LTE(注册商标，Long Term Evolution：长期演进)标准。5G标准例如是5GNR(New Radio：新空口)。

高频电路1例如是能够支持载波聚合(Carrier Aggregation)和双连接(DualConnectivity)的电路。另外，高频电路1是还能够支持在上行链路中同时使用2个频带的双上行链路载波聚合的电路。在此，载波聚合和双连接是指同时使用多个频带的电波的通信所用的技术。下面，将基于载波聚合或双连接的信号的发送也称作同时发送。能够同时发送是指能够进行基于载波聚合或双连接的信号的发送。

实施方式1所涉及的高频电路1能够将后述的第一通信频段的第一发送信号S1(参照图5)和后述的第二通信频段的第二发送信号S2(参照图5)同时发送。在此，能够用于同时发送的第一通信频段与第二通信频段的组合是根据3GPP LTE标准决定的通信频段的频带以及根据5G NR标准决定的通信频段的频带中的、有一部分相互重叠或者全部都不重叠的多个频带的组合。上述频带是上行链路的频带。

通信装置9进行多个通信频段的通信。更详细地说，通信装置9发送多个通信频段中的各通信频段的发送信号，且接收多个通信频段中的各通信频段的接收信号。具体地说，高频电路1发送第一通信频段的发送信号，且接收第一通信频段的接收信号。另外，高频电路1发送第二通信频段的发送信号，且接收第二通信频段的接收信号。另外，高频电路1发送第三通信频段的发送信号，且接收第三通信频段的接收信号。另外，高频电路1发送第四通信频段的发送信号，且接收第四通信频段的接收信号。另外，高频电路1发送第五通信频段的发送信号，且接收第五通信频段的接收信号。另外，高频电路1发送第六通信频段的发送信号，且接收第六通信频段的接收信号。另外，高频电路1发送第七通信频段的发送信号，且接收第七通信频段的接收信号。另外，高频电路1发送第八通信频段的发送信号，且接收第八通信频段的接收信号。另外，高频电路1发送第九通信频段的发送信号，且接收第九通信频段的接收信号。

多个通信频段的发送信号和接收信号的一部分是FDD(Frequency DivisionDuplex：频分双工)的信号。此外，多个通信频段的发送信号和接收信号不限定于FDD的信号，也可以是TDD(Time Division Duplex：时分双工)的信号。FDD是对无线通信中的发送和接收分配不同的频带来进行发送和接收的无线通信技术。TDD是对无线通信中的发送和接收分配同一频带并按时间切换地进行发送和接收的无线通信技术。

(2)高频电路的电路结构

接着，参照图1来说明实施方式1所涉及的高频电路1的电路结构。

如图1所示，实施方式1所涉及的高频电路1具备多个(在图示例中为2个)功率放大器(第一功率放大器111和第二功率放大器112)、多个(在图示例中为9个)发送滤波器121～129、多个(在图示例中为9个)接收滤波器131～139、以及多个(在图示例中为2个)低噪声放大器(第一低噪声放大器141和第二低噪声放大器142)。另外，实施方式1所涉及的高频电路1还具备多个(在图示例中为2个)输出匹配电路(第一输出匹配电路151和第二输出匹配电路152)、多个(在图示例中为4个)输入匹配电路161、162、241、242、以及多个(在图示例中为9个)匹配电路231～239。另外，实施方式1所涉及的高频电路1还具备第一开关17、第二开关18、第三开关19、第四开关20、控制器23以及相位电路25。另外，高频电路1还具备多个(在图示例中为7个)外部连接端子10。

(2.1)功率放大器

图1所示的第一功率放大器111和第二功率放大器112分别是放大发送信号的放大器。第一功率放大器111设置于后述的信号输入端子103与多个发送滤波器121～129之间。第二功率放大器112设置于后述的信号输入端子104与多个发送滤波器121～129之间。第一功率放大器111和第二功率放大器112分别具有输入端子(未图示)和输出端子(未图示)。第一功率放大器111的输入端子经由信号输入端子103来与外部电路(例如，信号处理电路92)连接。第一功率放大器111的输出端子与第二开关18的公共端子18A连接，且能够经由第二开关18来与多个发送滤波器121～129连接。即，第一功率放大器111能够与发送滤波器122(第一滤波器)连接。第二功率放大器112的输入端子经由信号输入端子104来与外部电路(例如，信号处理电路92)连接。第二功率放大器112的输出端子与第二开关18的公共端子18B连接，且能够经由第二开关18来与多个发送滤波器121～129连接。即，第二功率放大器112能够与发送滤波器125(第二滤波器)连接。第一功率放大器111和第二功率放大器112例如由控制器23控制。

第一功率放大器111和第二功率放大器112支持互不相同的功率等级。“功率等级”是由最大输出功率等定义的终端(通信装置9)的输出功率的分类(User Equipment PowerClass)，“功率等级”的后面所记载的数字越小，则表示支持越高的输出功率。例如，功率等级1的最大输出功率(29dBm)大于功率等级2的最大输出功率(26dBm)，功率等级2的最大输出功率(26dBm)大于功率等级3的最大输出功率(23dBm)。例如通过由3GPP等规定的方法来进行最大输出功率的测定。第一功率放大器111支持第一功率等级(例如，功率等级2)，第二功率放大器112支持最大输出功率比第一功率等级的最大输出功率小的第二功率等级(例如，功率等级3)。即，在实施方式1所涉及的高频电路1中，第一功率等级的最大输出功率大于第二功率等级的最大输出功率。

(2.2)发送滤波器

图1所示的多个发送滤波器121～129是使互不相同的通信频段的发送信号通过的滤波器。更详细地说，发送滤波器121是使第三通信频段的发送信号通过的滤波器。发送滤波器122是使第一通信频段的发送信号通过的滤波器。发送滤波器123是使第五通信频段的发送信号通过的滤波器。发送滤波器124是使第四通信频段的发送信号通过的滤波器。发送滤波器125是使第二通信频段的发送信号通过的滤波器。发送滤波器126是使第六通信频段的发送信号通过的滤波器。发送滤波器127是使第七通信频段的发送信号通过的滤波器。发送滤波器128是使第八通信频段的发送信号通过的滤波器。发送滤波器129是使第九通信频段的发送信号通过的滤波器。在本实施方式中，发送滤波器122是第一滤波器，发送滤波器125是第二滤波器。

第一通信频段例如是3GPP LTE标准的Band8，第一通信频段的发送频带是880MHz-915MHz。第二通信频段例如是3GPP LTE标准的Band20，第二通信频段的发送频带是832MHz-862MHz。第三通信频段例如是3GPP LTE标准的Band5，第三通信频段的发送频带是824MHz-849MHz。第四通信频段例如是3GPP LTE标准的Band13，第四通信频段的发送频带是777MHz-787MHz。第五通信频段例如是3GPP LTE标准的Band12，第五通信频段的发送频带是699MHz-716MHz。第六通信频段例如是3GPP LTE标准的Band28B，第六通信频段的发送频带是718MHz-748MHz。第七通信频段例如是3GPP LTE标准的Band28A，第七通信频段的发送频带是703MHz-733MHz。第八通信频段例如是3GPP LTE标准的Band14，第八通信频段的发送频带是788MHz-798MHz。第九通信频段例如是3GPP LTE标准的Band71，第九通信频段的发送频带是663MHz-698MHz。

多个发送滤波器121～129设置于第一功率放大器111与第一开关17之间。另外，多个发送滤波器121～129设置于第二功率放大器112与第一开关17之间。多个发送滤波器121～129分别使被第一功率放大器111或第二功率放大器112放大后的高频信号中的所支持的通信频段的发送频带的发送信号通过。即，多个发送滤波器121～129分别是具有包含所支持的通信频段的发送频带的通带的滤波器。

(2.3)接收滤波器

图1所示的多个接收滤波器131～139是使互不相同的通信频段的接收信号通过的滤波器。更详细地说，接收滤波器131是使第三通信频段的接收信号通过的滤波器。接收滤波器132是使第一通信频段的接收信号通过的滤波器。接收滤波器133是使第五通信频段的接收信号通过的滤波器。接收滤波器134是使第四通信频段的接收信号通过的滤波器。接收滤波器135是使第二通信频段的接收信号通过的滤波器。接收滤波器136是使第六通信频段的接收信号通过的滤波器。接收滤波器137是使第七通信频段的接收信号通过的滤波器。接收滤波器138是使第八通信频段的接收信号通过的滤波器。接收滤波器139是使第九通信频段的接收信号通过的滤波器。在本实施方式中，接收滤波器132是第三滤波器。

第一通信频段的接收频带是925MHz-960MHz。第二通信频段的接收频带是791MHz-821MHz。第三通信频段的接收频带是869MHz-894MHz。第四通信频段的接收频带是746MHz-756MHz。第五通信频段的接收频带是729MHz-746MHz。第六通信频段的接收频带是773MHz-803MHz。第七通信频段的接收频带是758MHz-788MHz。第八通信频段的接收频带是758MHz-768MHz。第九通信频段的接收频带是617MHz-652MHz。

多个接收滤波器131～139设置于第一低噪声放大器141与第一开关17之间。另外，多个接收滤波器131～139设置于第二低噪声放大器142与第一开关17之间。多个接收滤波器131～139分别使从后述的天线端子101、102输入的高频信号中的所支持的通信频段的接收频带的接收信号通过。即，多个接收滤波器131～139分别是具有包含所支持的通信频段的接收频带的通带的滤波器。

在本实施方式中，由发送滤波器121和接收滤波器131构成双工器31，由发送滤波器122和接收滤波器132构成双工器32，由发送滤波器123和接收滤波器133构成双工器33。另外，在本实施方式中，由发送滤波器124和接收滤波器134构成双工器34，由发送滤波器125和接收滤波器135构成双工器35，由发送滤波器126和接收滤波器136构成双工器36。另外，在本实施方式中，由发送滤波器127和接收滤波器137构成双工器37，由发送滤波器128和接收滤波器138构成双工器38，由发送滤波器129和接收滤波器139构成双工器39。

(2.4)低噪声放大器

图1所示的第一低噪声放大器141和第二低噪声放大器142分别是以低噪声放大接收信号的放大器。第一低噪声放大器141设置于后述的信号输出端子105与多个接收滤波器131～139之间。第二低噪声放大器142设置于后述的信号输出端子106与多个接收滤波器131～139之间。第一低噪声放大器141和第二低噪声放大器142分别具有输入端子(未图示)和输出端子(未图示)。第一低噪声放大器141的输入端子与输入匹配电路161连接。第一低噪声放大器141的输出端子经由信号输出端子105来与外部电路(例如，信号处理电路92)连接。第二低噪声放大器142的输入端子与输入匹配电路162连接。第二低噪声放大器142的输出端子经由信号输出端子106来与外部电路(例如，信号处理电路92)连接。

(2.5)输出匹配电路

如图1所示，第一输出匹配电路151设置于第一功率放大器111与多个发送滤波器121～129之间。更详细地说，第一输出匹配电路151连接于第一功率放大器111与第二开关18的公共端子18A(第一端子)之间。第一输出匹配电路151是用于取得第一功率放大器111与多个发送滤波器121～129的阻抗匹配的电路。

第一输出匹配电路151例如是包括1个电感器150(参照图6)的结构。第一输出匹配电路151的电感器150设置于第一功率放大器111的输出侧。此外，第一输出匹配电路151不限定于是包括1个电感器150的结构，例如也可以是包括多个电感器的结构，还可以是包括多个电感器和多个电容器的结构。

如图1所示，第二输出匹配电路152设置于第二功率放大器112与多个发送滤波器121～129之间。更详细地说，第二输出匹配电路152连接于第二功率放大器112与第二开关18的公共端子18B(第二端子)之间。第二输出匹配电路152是用于取得第二功率放大器112与多个发送滤波器121～129的阻抗匹配的电路。

第二输出匹配电路152是与第一输出匹配电路151同样地包括1个电感器150(参照图6)的结构。第二输出匹配电路152的电感器150设置于第二功率放大器112的输出侧。此外，第二输出匹配电路152不限定于是包括1个电感器150的结构，例如也可以是包括多个电感器的结构，还可以是包括多个电感器和多个电容器的结构。

(2.6)输入匹配电路

如图1所示，输入匹配电路161设置于多个接收滤波器131、132与第一低噪声放大器141之间。输入匹配电路161是用于取得多个接收滤波器131、132与第一低噪声放大器141的阻抗匹配的电路。

输入匹配电路161是包括电感器的结构。输入匹配电路161的电感器设置于第一低噪声放大器141的输入侧。此外，输入匹配电路161不限定于是包括1个电感器的结构，例如也可以是包括多个电感器的结构，还可以是包括多个电感器和多个电容器的结构。

如图1所示，输入匹配电路162设置于多个接收滤波器133～139与第二低噪声放大器142之间。输入匹配电路162是用于取得多个接收滤波器133～139与第二低噪声放大器142的阻抗匹配的电路。

输入匹配电路162是包括电感器的结构。输入匹配电路162的电感器设置于第二低噪声放大器142的输入侧。此外，输入匹配电路162不限定于是包括1个电感器的结构，例如也可以是包括多个电感器的结构，还可以是包括多个电感器和多个电容器的结构。

如图1所示，输入匹配电路241设置于信号输入端子103与第一功率放大器111之间。输入匹配电路241是用于取得信号处理电路92与第一功率放大器111的阻抗匹配的电路。

输入匹配电路241是包括电感器的结构。输入匹配电路241的电感器设置于第一功率放大器111的输入侧。此外，输入匹配电路241不限定于是包括1个电感器的结构，例如也可以是包括多个电感器的结构，还可以是包括多个电感器和多个电容器的结构。

如图1所示，输入匹配电路242设置于信号输入端子104与第二功率放大器112之间。输入匹配电路242是用于取得信号处理电路92与第二功率放大器112的阻抗匹配的电路。

输入匹配电路242是包括电感器的结构。输入匹配电路242的电感器设置于第二功率放大器112的输入侧。此外，输入匹配电路242不限定于是包括1个电感器的结构，例如也可以是包括多个电感器的结构，还可以是包括多个电感器和多个电容器的结构。

(2.7)匹配电路

如图1所示，多个匹配电路231～239与多个双工器31～39对应。多个匹配电路231～239分别设置于对应的双工器与第一开关17之间。多个匹配电路231～239分别是用于取得对应的双工器与第一开关17的阻抗匹配的电路。多个匹配电路231～239例如分别是电感器。更详细地说，多个匹配电路231～239分别是片式电感器。

(2.8)第一开关

图1所示的第一开关17从多个发送滤波器121～129之中切换要与多个天线端子101、102连接的发送滤波器。另外，第一开关17从多个接收滤波器131～139之中切换要与多个天线端子101、102连接的接收滤波器。也就是说，第一开关17是用于切换要与多个天线911、912连接的路径的开关。第一开关17具有多个(在图示例中为2个)公共端子17A、17B和多个(在图示例中为9个)选择端子171～179。公共端子17A与天线端子101连接。公共端子17B与天线端子102连接。

选择端子171与双工器31(发送滤波器121和接收滤波器131)连接。选择端子172与双工器32(发送滤波器122和接收滤波器132)连接。选择端子173与双工器33(发送滤波器123和接收滤波器133)连接。选择端子174与双工器34(发送滤波器124和接收滤波器134)连接。选择端子175与双工器35(发送滤波器125和接收滤波器135)连接。选择端子176与双工器36(发送滤波器126和接收滤波器136)连接。选择端子177与双工器37(发送滤波器127和接收滤波器137)连接。选择端子178与双工器38(发送滤波器128和接收滤波器138)连接。选择端子179与双工器39(发送滤波器129和接收滤波器139)连接。

第一开关17对多个公共端子17A、17B与多个选择端子171～179的连接状态进行切换。第一开关17例如由信号处理电路92控制。第一开关17按照来自信号处理电路92的RF信号处理电路93的控制信号，来使公共端子17A与多个选择端子171～179中的至少1个选择端子电连接。另外，第一开关17按照来自信号处理电路92的RF信号处理电路93的控制信号，来使公共端子17B与多个选择端子171～179中的至少1个选择端子电连接。

(2.9)第二开关

图1所示的第二开关(开关)18从多个发送滤波器121～129之中切换要与第一功率放大器111及第二功率放大器112连接的发送滤波器。也就是说，第二开关18是用于切换要与第一功率放大器111及第二功率放大器112连接的路径的开关。第二开关18具有多个(在图示例中为2个)公共端子18A、18B和多个(在图示例中为10个)选择端子180～189。公共端子18A与第一功率放大器111连接。公共端子18B与第二功率放大器112连接。在本实施方式中，公共端子18A是第一端子，公共端子18B是第二端子。

选择端子180与相位电路25连接。选择端子181与发送滤波器121连接。选择端子182与发送滤波器122连接。选择端子183与发送滤波器123连接。选择端子184与发送滤波器124连接。选择端子185与发送滤波器125连接。选择端子186与发送滤波器126连接。选择端子187与发送滤波器127连接。选择端子188与发送滤波器128连接。另外，选择端子189与发送滤波器129连接。在本实施方式中，选择端子180是第三端子，选择端子182是第四端子，选择端子185是第五端子。即，第二开关18具有第一端子(公共端子18A)、第二端子(公共端子18B)、第三端子(选择端子180)、第四端子(选择端子182)以及第五端子(选择端子185)。

第二开关18对多个公共端子18A、18B与多个选择端子180～189的连接状态进行切换。第二开关18例如由信号处理电路92控制。第二开关18按照来自信号处理电路92的RF信号处理电路93的控制信号，来使公共端子18A与多个选择端子180～189中的至少1个选择端子电连接。另外，第二开关18按照来自信号处理电路92的RF信号处理电路93的控制信号，来使公共端子18B与多个选择端子180～189中的至少1个选择端子电连接。

(2.10)第三开关

图1所示的第三开关19从多个接收滤波器131、132之中切换要与第一低噪声放大器141连接的接收滤波器。也就是说，第三开关19是用于切换要与第一低噪声放大器141连接的路径的开关。第三开关19具有公共端子190和多个(在图示例中为3个)选择端子191～193。公共端子190与第一低噪声放大器141连接。选择端子191与接收滤波器131连接。选择端子192与接收滤波器132连接。

第三开关19对公共端子190与多个选择端子191～193的连接状态进行切换。第三开关19例如由信号处理电路92控制。第三开关19按照来自信号处理电路92的RF信号处理电路93的控制信号来使公共端子190与多个选择端子191～193中的至少1个选择端子电连接。

(2.11)第四开关

图1所示的第四开关20从多个接收滤波器133～139之中切换要与第二低噪声放大器142连接的接收滤波器。也就是说，第四开关20是用于切换要与第二低噪声放大器142连接的路径的开关。第四开关20具有公共端子200和多个(在图示例中为7个)选择端子201～207。公共端子200与第二低噪声放大器142连接。

选择端子201与接收滤波器133连接。选择端子202与接收滤波器134连接。选择端子203与接收滤波器135连接。选择端子204与接收滤波器136连接。选择端子205与接收滤波器137连接。选择端子206与接收滤波器138连接。选择端子207与接收滤波器139连接。

第四开关20对公共端子200与多个选择端子201～207的连接状态进行切换。第四开关20例如由信号处理电路92控制。第四开关20按照来自信号处理电路92的RF信号处理电路93的控制信号来使公共端子200与多个选择端子201～207中的至少1个选择端子电连接。

(2.12)控制器

控制器23例如按照来自信号处理电路92的控制信号来控制第一功率放大器111和第二功率放大器112。控制器23与第一功率放大器111及第二功率放大器112连接。另外，控制器23经由多个(例如，4个)控制端子107来与信号处理电路92连接。多个控制端子107是用于将来自外部电路(例如，信号处理电路92)的控制信号输入到控制器23的端子。控制器23基于从多个控制端子107获取到的控制信号来控制第一功率放大器111和第二功率放大器112。控制器23从多个控制端子107获取的控制信号是数字信号。控制端子107的数量例如是4个，但是在图1中仅图示了1个。

(2.13)相位电路

相位电路(电路)25是用于改变通过第一功率放大器111的第一发送信号S1(参照图5)和通过第二功率放大器112的第二发送信号S2(参照图5)中的一方的发送信号的相位的电路。在实施方式1所涉及的高频电路1中，相位电路25与第二开关18的选择端子180连接。因而，在实施方式1所涉及的高频电路1中，通过在第二开关18中将公共端子18B与选择端子180连接，相位电路25改变通过第二功率放大器112的第二发送信号S2的相位。相位电路25改变通过第二功率放大器112的第二发送信号S2的相位，使得向供第一发送信号S1流动的信号路径泄漏的第二发送信号S2的泄漏信号小。更详细地说，相位电路25改变第二发送信号S2的相位，使得向供第一发送信号S1流动的信号路径泄漏第二发送信号S2的输入侧泄漏信号与输出侧泄漏信号的相位差的绝对值为90°以上且180°以下。更优选的是，相位电路25可以改变第二发送信号S2的相位，使得施加于第一功率放大器111的第二发送信号S2的输入侧泄漏信号与输出侧泄漏信号的相位差的绝对值为135°以上且180°以下。第二发送信号S2的输入侧泄漏信号是流向供第一发送信号S1流动的信号路径中的第一功率放大器111的输入侧的泄漏信号。第二发送信号S2的输出侧泄漏信号是流向供第一发送信号S1流动的信号路径中的第一功率放大器111的输出侧的泄漏信号。

如图5所示，相位电路25是包括电感器251的结构。相位电路25的电感器251连接于第二开关18的选择端子180与地之间。例如，在利用发送滤波器122和发送滤波器125进行双上行链路载波聚合的情况下，在第二开关18中，公共端子18B与选择端子180及选择端子185连接。在该情况下，相位电路25的电感器251连接(并联连接)于第二功率放大器112与发送滤波器125(参照图1)之间的信号路径同地之间。

在此，在实施方式1所涉及的高频电路1中，在仅发送第二发送信号S2的情况下，第二开关18的公共端子18B不与选择端子180连接。即，在该情况下，相位电路25处于与包括第二功率放大器112的信号路径分离的状态。由此，能够抑制第二发送信号S2的信号损耗(loss)。

(2.14)外部连接端子

如图1所示，多个外部连接端子10是用于将高频电路1与外部电路(例如，信号处理电路92)电连接的端子。多个外部连接端子10包括多个(在图示例中为2个)天线端子101、102、多个(在图示例中为2个)信号输入端子103、104、多个(在图示例中为2个)信号输出端子105、106、多个(在图1中仅图示1个)控制端子107、以及多个地端子108(参照图3)。

天线端子101与天线911连接。天线端子102与天线912连接。在高频电路1内，多个天线端子101、102与第一开关17连接。另外，多个天线端子101、102经由第一开关17来与多个发送滤波器121～129及多个接收滤波器131～139连接。

多个信号输入端子103、104分别是用于将来自外部电路(例如，信号处理电路92)的发送信号(例如，第一发送信号S1和第二发送信号S2)输入到高频电路1的端子。在高频电路1内，信号输入端子103经由输入匹配电路241来与第一功率放大器111连接。另外，在高频电路1内，信号输入端子104经由输入匹配电路242来与第二功率放大器112连接。

信号输出端子105是用于将来自第一低噪声放大器141的接收信号向外部电路(例如，信号处理电路92)输出的端子。信号输出端子106是用于将来自第二低噪声放大器142的接收信号向外部电路(例如，信号处理电路92)输出的端子。在高频电路1内，信号输出端子105与第一低噪声放大器141连接。另外，在高频电路1内，信号输出端子106与第二低噪声放大器142连接。

多个控制端子107是用于将来自外部电路(例如，信号处理电路92)的控制信号输入到高频电路1的端子。在高频电路1内，多个控制端子107与控制器23连接。

多个地端子108(参照图3)是与通信装置9所具备的外部基板(未图示)的地电极电连接从而被提供地电位的端子。在高频电路1内，多个地端子108与后述的安装基板2的地层(未图示)连接。

(3)高频电路(高频模块)的构造

如图2～图4所示，实施方式1所涉及的高频电路1具备安装基板2。下面，也有时将具备安装基板2的高频电路1称为“高频模块1”。下面，参照图2～图4来说明实施方式1所涉及的高频模块1的构造。

如图2～图4所示，高频模块1具备安装基板2、多个(在图示例中为25个)第一电子部件3、多个(在图示例中为4个)第二电子部件4、以及多个外部连接端子10。另外，高频模块1还具备第一树脂层5、第二树脂层6以及金属层7。

高频模块1能够与外部基板(未图示)电连接。外部基板例如相当于便携式电话和通信设备等通信装置9(参照图1)的主板。此外，高频模块1能够与外部基板电连接不仅包括高频模块1直接安装在外部基板上的情况，也包括高频模块1间接安装在外部基板上的情况。另外，高频模块1间接安装在外部基板上的情况是高频模块1安装在被安装于外部基板上的其它高频模块上的情况等。

(3.1)安装基板

如图2～图4所示，安装基板2具有第一主面21和第二主面22。第一主面21和第二主面22在安装基板2的厚度方向D1上彼此相向。在高频模块1设置于外部基板时，第二主面22与外部基板的位于安装基板2侧的主面相向。安装基板2是在第一主面21安装有多个第一电子部件3、在第二主面22安装有多个第二电子部件4的两面安装基板。在本实施方式中，安装基板2的厚度方向D1是第一方向(下面，也称为“第一方向D1”)。

安装基板2是多个电介质层层叠而成的多层基板。安装基板2具有多个导电层和多个通路导体(包括贯通电极)。多个导电层包括地电位的地层。多个通路导体被使用于安装于第一主面21和第二主面22中的各主面的元件(包括上述的第一电子部件3和第二电子部件4)与安装基板2的导电层的电连接。另外，多个通路导体被使用于安装于第一主面21的元件与安装于第二主面22的元件的电连接、以及安装基板2的导电层与外部连接端子10的电连接。

在安装基板2的第一主面21配置有多个第一电子部件3。在安装基板2的第二主面22配置有多个第二电子部件4和多个外部连接端子10。

(3.2)第一电子部件

如图2所示，多个第一电子部件3配置于安装基板2的第一主面21。在图2的例子中，多个第一电子部件3安装于安装基板2的第一主面21。此外，也可以是，关于多个第一电子部件3中的各第一电子部件3，第一电子部件3的一部分安装于安装基板2的第一主面21，第一电子部件3的其余部分安装于安装基板2的内部。总之，多个第一电子部件3中的各第一电子部件3位于安装基板2的比第二主面22更靠第一主面21侧的位置，且至少具有安装于第一主面21的部分。如图2所示，多个第一电子部件3中的各第一电子部件3是以下部件中的任意部件：多个双工器31～39、多个匹配电路231～239、多个功率放大器(第一功率放大器111和第二功率放大器112)、多个输出匹配电路(第一输出匹配电路151和第二输出匹配电路152)、多个输入匹配电路241、242、以及相位电路25。

多个发送滤波器121～129和多个接收滤波器131～139中的各滤波器例如是包括多个串联臂谐振子和多个并联臂谐振子的弹性波滤波器。弹性波滤波器例如是利用声表面波的SAW(Surface Acoustic Wave：声表面波)滤波器。并且，多个发送滤波器121～129和多个接收滤波器131～139中的各滤波器也可以包括与多个串联臂谐振子中的任意串联臂谐振子串联连接的电感器和电容器中的至少一方，也可以包括与多个并联臂谐振子中的任意并联臂谐振子串联连接的电感器或电容器。

(3.3)第二电子部件

如图3所示，多个第二电子部件4配置于安装基板2的第二主面22。在图3的例子中，多个第二电子部件4安装于安装基板2的第二主面22。此外，也可以是，关于多个第二电子部件4中的各第二电子部件4，第二电子部件4的一部分安装于安装基板2的第二主面22，第二电子部件4的其余部分安装于安装基板2的内部。总之，多个第二电子部件4中的各第二电子部件4位于安装基板2的比第一主面21更靠第二主面22侧的位置，且至少具有安装于第二主面22的部分。多个第二电子部件4中的各第二电子部件4是以下部件中的任意部件：第一开关17、控制器23、第一IC芯片26、以及第二IC芯片27。

(3.4)外部连接端子

多个外部连接端子10是用于将安装基板2与外部基板(未图示)电连接的端子。

如图3和图4所示，多个外部连接端子10配置于安装基板2的第二主面22。多个外部连接端子10是设置在安装基板2的第二主面22上的柱状(例如，圆柱状)电极。多个外部连接端子10的材料例如是金属(例如，铜、铜合金等)。

(3.5)第一树脂层

如图4所示，第一树脂层5配置于安装基板2的第一主面21。第一树脂层5覆盖多个第一电子部件3。更详细地说，第一树脂层5覆盖多个第一电子部件3中的各第一电子部件3的外周面。另外，第一树脂层5覆盖多个第一电子部件3中的各第一电子部件3的与安装基板2侧相反的一侧的主面。在本实施方式中，多个第一电子部件3中的各第一电子部件3的外周面包括将第一电子部件3中的与安装基板2侧相反的一侧的主面以及安装基板2侧的主面连起来的4个侧面。第一树脂层5包含树脂(例如，环氧树脂)。第一树脂层5也可以除了包含树脂以外还包含填料。

(3.6)第二树脂层

如图4所示，第二树脂层6配置于安装基板2的第二主面22。第二树脂层6覆盖多个第二电子部件4和多个外部连接端子10。更详细地说，第二树脂层6覆盖多个第二电子部件4中的各第二电子部件4的外周面和多个外部连接端子10的外周面。另外，第二树脂层6覆盖多个第二电子部件4中的各第二电子部件4的与安装基板2侧相反的一侧的主面。在本实施方式中，多个第二电子部件4中的各第二电子部件4的外周面包括将第二电子部件4中的与安装基板2侧相反的一侧的主面以及安装基板2侧的主面连起来的4个侧面。第二树脂层6包含树脂(例如，环氧树脂)。第二树脂层6也可以除了包含树脂以外还包含填料。第二树脂层6的材料既可以是与第一树脂层5的材料相同的材料，也可以是不同的材料。

(3.7)金属层

如图4所示，金属层7覆盖第一树脂层5。金属层7具有导电性。在高频模块1中，金属层7是以高频模块1的内外的电磁屏蔽为目的而设置的屏蔽层。金属层7具有层叠多个金属层而成的多层构造，但是不限于多层构造，也可以是1个金属层。1个金属层包含一种或多种金属。金属层7覆盖第一树脂层5的与安装基板2侧相反的一侧的主面、第一树脂层5的外周面、安装基板2的外周面以及第二树脂层6的外周面。金属层7与安装基板2的地层的外周面的至少一部分接触。由此，能够使金属层7的电位与地层的电位相同。

(4)高频电路(高频模块)的各结构要素的详细构造

(4.1)安装基板

图2～图4所示的安装基板2例如是包括多个电介质层和多个导电层的多层基板。多个电介质层和多个导电层在安装基板2的厚度方向D1上进行层叠。多个导电层形成为按每层而决定的规定图案。多个导电层中的各导电层在与安装基板2的厚度方向D1正交的一个平面内包括1个或多个导体部。各导电层的材料例如是铜。多个导电层包括地层。在高频模块1中，多个地端子与地层经由安装基板2的通路导体等进行电连接。安装基板2例如是LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramics：低温共烧陶瓷)基板。安装基板2不限于LTCC基板，例如也可以是印刷电路板、HTCC(High Temperature Co-fired Ceramics：高温共烧陶瓷)基板、树脂多层基板。

另外，安装基板2不限于LTCC基板，例如也可以是布线构造体。布线构造体例如是多层构造体。多层构造体包括至少1个绝缘层和至少1个导电层。绝缘层形成为规定图案。在绝缘层有多个的情况下，多个绝缘层形成为按每层而决定的规定图案。导电层形成为与绝缘层的规定图案不同的规定图案。在导电层有多个的情况下，多个导电层形成为按每层而决定的规定图案。导电层也可以包括1个或多个重新布线部。在布线构造体中，在多层构造体的厚度方向上彼此相向的2个面中的第一面是安装基板2的第一主面21，第二面是安装基板2的第二主面22。布线构造体例如也可以是中介层(interposer)。中介层既可以是使用硅基板的中介层，也可以是由多层构成的基板。

安装基板2的第一主面21和第二主面22在安装基板2的厚度方向D1上相离，与安装基板2的厚度方向D1交叉。安装基板2的第一主面21例如与安装基板2的厚度方向D1正交，但是例如也可以包括导体部的侧面等来作为不与安装基板2的厚度方向D1正交的面。另外，安装基板2的第二主面22例如与安装基板2的厚度方向D1正交，但是例如也可以包括导体部的侧面等来作为不与安装基板2的厚度方向D1正交的面。另外，安装基板2的第一主面21和第二主面22也可以形成有细微的凹凸或凹部或凸部。

(4.2)滤波器

说明图2所示的双工器31～39的详细的构造。下面，将双工器31～39不做区分地设为双工器。

构成双工器的第一电子部件3例如包括基板和形成于基板上的电路部。基板具有在基板的厚度方向上彼此相向的第一面和第二面。基板例如是压电基板。压电基板例如是铌酸锂基板、钽酸锂基板或水晶基板。电路部具有与多个串联臂谐振子一一对应的多个IDT(Interdigital Transducer：叉指换能器)电极以及与多个并联臂谐振子一一对应的多个IDT电极。构成双工器的第一电子部件3例如以倒装芯片安装的方式安装于安装基板2的第一主面21，以使得基板的第一面成为安装基板2的第一主面21侧。在从安装基板2的厚度方向D1俯视时，构成双工器的第一电子部件3的外缘呈四边形形状。

(4.3)功率放大器

构成第一功率放大器111和第二功率放大器112中的各功率放大器的第一电子部件3例如是具备基板和电路部的单芯片的IC。基板具有在基板的厚度方向上彼此相向的第一面和第二面。基板例如是砷化镓基板。电路部包括形成于基板的第一面的至少1个晶体管。电路部具有对输入到第一功率放大器111或第二功率放大器112的发送信号进行放大的功能。晶体管例如是HBT(Heterojunction Bipolar Transistor：异质结双极晶体管)。第一功率放大器111和第二功率放大器112中的各功率放大器例如也可以包括直流隔断用的电容器。构成第一功率放大器111和第二功率放大器112中的各功率放大器的IC芯片例如以倒装芯片安装的方式安装于安装基板2的第一主面21，以使得基板的第一面成为安装基板2的第一主面21侧。在从安装基板2的厚度方向D1俯视时，构成第一功率放大器111和第二功率放大器112中的各功率放大器的IC芯片的外缘呈四边形形状。

(4.4)输出匹配电路

构成第一输出匹配电路151和第二输出匹配电路152中的各输出匹配电路的第一电子部件3例如是片式电感器。构成第一输出匹配电路151和第二输出匹配电路152中的各输出匹配电路的第一电子部件3例如安装于安装基板2的第一主面21。在从安装基板2的厚度方向D1俯视时，构成第一输出匹配电路151和第二输出匹配电路152中的各输出匹配电路的第一电子部件3的外缘呈四边形形状。

(4.5)输入匹配电路

构成多个输入匹配电路241、242中的各输入匹配电路的第一电子部件3例如是片式电感器。构成多个输入匹配电路241、242中的各输入匹配电路的第一电子部件3例如安装于安装基板2的第一主面21。在从安装基板2的厚度方向D1俯视时，构成多个输入匹配电路241、242中的各输入匹配电路的第一电子部件3的外缘呈四边形形状。

(4.6)匹配电路

构成多个匹配电路231～239中的各匹配电路的第一电子部件3例如是片式电感器。构成多个匹配电路231～239中的各匹配电路的第一电子部件3例如安装于安装基板2的第一主面21。在从安装基板2的厚度方向D1俯视时，构成多个匹配电路231～239中的各匹配电路的第一电子部件3的外缘呈四边形形状。

(4.7)相位电路

构成相位电路25的第一电子部件3例如是片式电感器。构成相位电路25的第一电子部件3例如安装于安装基板2的第一主面21。在从安装基板2的厚度方向D1俯视时，构成相位电路25的第一电子部件3的外缘呈四边形形状。

(4.8)第一开关

构成第一开关17的第一电子部件3例如是具备基板和电路部的单芯片的IC。基板具有在基板的厚度方向上彼此相向的第一面和第二面。基板例如是硅基板。电路部包括多个FET作为多个开关元件。多个开关元件的各开关元件不限于FET，例如也可以是双极晶体管。构成第一开关17的第一电子部件3以倒装芯片安装的方式安装于安装基板2的第二主面22，以使得基板的第一面成为安装基板2的第二主面22侧。在从安装基板2的厚度方向D1俯视时，构成第一开关17的第一电子部件3的外缘呈四边形形状。

(4.9)第一IC芯片

第一IC芯片26包括第三开关19、第四开关20、第一低噪声放大器141以及第二低噪声放大器142。第一IC芯片26以倒装芯片安装的方式安装于安装基板2的第二主面22。在从安装基板2的厚度方向D1俯视时，第一IC芯片26的外缘呈四边形形状。

(4.10)第二IC芯片

第二IC芯片27包括第二开关18。第二IC芯片27以倒装芯片安装的方式安装于安装基板2的第二主面22。在从安装基板2的厚度方向D1俯视时，第二IC芯片27的外缘呈四边形形状。

(4.11)控制器

构成控制器23的第二电子部件4例如是具备基板和电路部的单芯片的IC。基板具有彼此相向的第一面和第二面。基板例如是硅基板。电路部包括控制电路，该控制电路根据来自信号处理电路92的控制信号来控制第一功率放大器111和第二功率放大器112。控制器23例如以倒装芯片安装的方式安装于安装基板2的第二主面22，以使得基板的第一面成为安装基板2的第二主面22侧。在从安装基板2的厚度方向D1俯视时，构成控制器23的第二电子部件4的外缘呈四边形形状。

(5)通信装置

如图1所示，通信装置9具备高频电路1、多个天线911、912、以及信号处理电路92。

(5.1)天线

天线911与高频电路1的天线端子101连接。天线912与高频电路1的天线端子102连接。多个天线911、912中的各天线具有将从高频电路1输出的发送信号通过电波进行辐射的发送功能以及将接收信号作为电波从外部接收后向高频电路1输出的接收功能。

(5.2)信号处理电路

信号处理电路92包括RF信号处理电路93和基带信号处理电路94。信号处理电路92对通过高频电路1的信号进行处理。更详细地说，信号处理电路92对发送信号和接收信号进行处理。

RF信号处理电路93例如是RFIC(Radio Frequency Integrated Circuit：射频集成电路)。RF信号处理电路93对高频信号进行信号处理。

RF信号处理电路93对从基带信号处理电路94输出的发送信号进行上变频等信号处理，并将进行了信号处理后的发送信号输出到高频电路1。另外，RF信号处理电路93对从高频电路1输出的接收信号进行下变频等信号处理，并将进行了信号处理后的接收信号输出到基带信号处理电路94。

基带信号处理电路94例如是BBIC(Baseband Integrated Circuit：基带集成电路)。基带信号处理电路94对来自信号处理电路92的外部的发送信号进行规定的信号处理。由基带信号处理电路94处理后的接收信号例如作为图像信号来被用作用于图像显示的图像信号、或者被用作用于通话的声音信号。

另外，RF信号处理电路93还具有基于高频信号(发送信号、接收信号)的发送接收来对高频电路1所具有的第一开关17、第二开关18、第三开关19以及第四开关20各自的连接进行控制的作为控制部的功能。具体地说，RF信号处理电路93通过控制信号(未图示)来切换高频电路1的第一开关17、第二开关18、第三开关19以及第四开关20各自的连接。此外，控制部也可以设置于RF信号处理电路93的外部，例如也可以设置于高频电路1或基带信号处理电路94。

(6)相位电路的动作

接着，参照图5来说明相位电路25的动作。

在第一通信频段的第一发送信号S1和第二通信频段的第二发送信号S2被同时发送的情况下，如图5所示，第二开关18的公共端子18A(第一端子)与选择端子182连接，第二开关18的公共端子18B(第二端子)与选择端子180(第三端子)及选择端子185(第五端子)连接。即，在第一发送信号S1和第二发送信号S2被同时发送的情况下，选择端子180与公共端子18B连接。此时，第一功率放大器111与发送滤波器122(参照图1)连接，第二功率放大器112与发送滤波器125(参照图1)连接。另外，相位电路25的电感器251并联连接于第二功率放大器112与发送滤波器125之间的信号路径。

如上所述，发送滤波器122具有包含3GPP LTE标准的Band8(第一通信频段)的发送频带的通带，Band8的发送频带是880MHz-915MHz。另外，如上所述，发送滤波器125具有包含3GPP LTE标准的Band20(第二通信频段)的发送频带的通带，Band20的发送频带是832MHz-862MHz。这样，Band8的发送频带与Band20的发送频带完全不重叠，因此在实施方式1所涉及的高频电路1中，能够进行使用Band8和Band20的双上行链路载波聚合。即，第一通信频段和第二通信频段是能够在同时发送中利用的通信频段。

在利用发送滤波器122和发送滤波器125进行双上行链路载波聚合的情况，第一功率放大器111被输入第一发送信号S1，第二功率放大器112被输入第二发送信号S2(参照图5)。在该情况下，在第一发送信号S1与第二发送信号S2之间发生互调失真(Inter-modulation distortion：IMD)。特别是，在一方的发送信号的基波与另一方的发送信号的2次谐波之间发生的3阶互调失真(下面，也称为“IMD3”)有时对接收灵敏度造成影响。

例如，在第一发送信号S1的频率是897.5MHz、第二发送信号S2的频率是847MHz的情况下，在第一功率放大器111侧发生的IMD3的频率为948MHz(＝2×897.5MHz-847MHz)。如上所述，接收滤波器132具有包含3GPP LTE标准的Band8(第一通信频段)的接收频带的通带，Band8的接收频带是925MHz-960MHz。在该情况下，在第一功率放大器111侧发生的IMD3的频率(948MHz)包含于Band8的接收频带。即，在第一通信频段的第一发送信号S1与第二通信频段的第二发送信号S2之间发生的互调失真的频率范围的至少一部分与第一通信频段的接收频带的至少一部分重叠。因此，由于在第一功率放大器111侧发生的IMD3，接收灵敏度可能下降。

另外同样地，在第一发送信号S1的频率是897.5MHz、第二发送信号S2的频率是847MHz的情况下，在第二功率放大器112侧发生的IMD3的频率为796.5MHz(＝2×847MHz-897.5MHz)。如上所述，接收滤波器135具有包含3GPP LTE标准的Band20(第二通信频段)的接收频带的通带，Band20的接收频带是791MHz-821MHz。在该情况下，在第二功率放大器112侧发生的IMD3的频率(796.5MHz)包含于Band20的接收频带。因此，由于在第二功率放大器112侧发生的IMD3，接收灵敏度可能下降。

在实施方式1所涉及的高频电路1中，如上所述，对第二功率放大器112与发送滤波器125之间的信号路径并联连接有相位电路25的电感器251。因此，能够改变从第二功率放大器112输出的第二发送信号S2的相位。由此，能够将第二发送信号S2的输入侧泄漏信号与第二发送信号S2的输出侧泄漏信号相互抵消，从而能够使第二发送信号S2的泄漏信号小，因此能够使在第一发送信号S1与第二发送信号S2之间发生的IMD3的振幅小，其结果，能够减少IMD3对接收滤波器132的影响。总之，根据实施方式1所涉及的高频电路1，能够抑制因IMD3引起的接收灵敏度的下降。

在此，如上所述，第一功率放大器111支持第一功率等级，第二功率放大器112支持第二功率等级。另外，第一功率等级的最大输出功率大于第二功率等级的最大输出功率。也就是说，第一功率放大器111所需的最大输出功率大于第二功率放大器112所需的最大输出功率。因而，在实施方式1所涉及的高频电路1中，在将第一发送信号S1和第二发送信号S2同时发送的情况下，在最大输出功率小的第二功率放大器112侧的信号路径上连接有相位电路25。由此，能够在最大输出功率大的第一功率放大器111侧的信号路径中抑制因相位电路25引起的信号损耗(loss)。

(7)高频电路的布局

(7.1)输出匹配电路和相位电路的布局

首先，参照图6来说明输出匹配电路(第一输出匹配电路151、第二输出匹配电路152)和相位电路25的布局。

在实施方式1所涉及的高频电路1中，如上所述，第一输出匹配电路151和第二输出匹配电路152中的各输出匹配电路是包括电感器(第二电感器)150的结构。另外，在高频电路1中，如上所述，相位电路25是包括电感器(第一电感器)251的结构。如图6所示，电感器150具有卷绕部(第二卷绕部)1501。另外，如图6所示，电感器251具有卷绕部(第一卷绕部)2511。

相位电路25中的卷绕部2511的卷绕轴(第一卷绕轴)Ax1与安装基板2的第一主面21平行，且沿着与作为安装基板2的厚度方向的第一方向D1(参照图4)正交的第二方向D2。在此，“卷绕轴Ax1”是卷绕部2511的虚拟的中心轴。

在第一输出匹配电路151和第二输出匹配电路152的各输出匹配电路中，卷绕部1501的卷绕轴(第二卷绕轴)Ax2与安装基板2的第一主面21平行，且沿着与第二方向D2及作为安装基板2的厚度方向的第一方向D1这两方正交的第三方向D3。另外，第一输出匹配电路151中的卷绕部1501的卷绕轴Ax2与第二输出匹配电路152中的卷绕部1501的卷绕轴Ax2相互平行。在此，“卷绕轴Ax2”是卷绕部1501的虚拟的中心轴。

即，如图6所示，相位电路25中的卷绕部2511的卷绕轴Ax1与第一输出匹配电路151及第二输出匹配电路152的各输出匹配电路中的卷绕部1501的卷绕轴Ax2相互正交。由此，能够抑制各输出匹配电路151、152的磁通对相位电路25的影响以及相位电路25的磁通对各输出匹配电路151、152的影响。

(7.2)相位电路和第二开关的布局

接着，参照图2～4来说明相位电路25和第二开关18的布局。

如图2所示，相位电路25配置于安装基板2的第一主面21。如图3所示，第二开关18配置于安装基板2的第二主面22。而且，如图4所示，在从安装基板2的厚度方向D1俯视时，相位电路25与第二开关18重叠。更详细地说，在从安装基板2的厚度方向D1俯视时，相位电路25的电感器251与第二开关18重叠。在本实施方式所涉及的高频电路1中，在从安装基板2的厚度方向D1俯视时，电感器251的全部与第二开关18的一部分重叠。与此相对，例如在从安装基板2的厚度方向D1俯视时，也可以是，电感器251的一部分与第二开关18的全部重叠，也可以是，电感器251的一部分与第二开关18的一部分重叠，也可以是，电感器251的全部与第二开关18的全部重叠。总之，“在从安装基板2的厚度方向D1俯视时，电感器251与第二开关18重叠”是指，在从安装基板2的厚度方向D1俯视时，电感器251的至少一部分与第二开关18的至少一部分重叠。

在实施方式1所涉及的高频电路1中，如上所述，在从安装基板2的厚度方向D1俯视时，电感器251与第二开关18重叠。由此，能够使电感器251与第二开关18之间的布线长度短。

(8)效果

在实施方式1所涉及的高频电路1中，关于第二开关18，在公共端子18A连接有第一功率放大器111，在公共端子18B连接有第二功率放大器112，在选择端子182连接有发送滤波器122，在选择端子185连接有发送滤波器125，在选择端子180连接有相位电路25。因此，例如，在将公共端子18B连接到选择端子180的情况下，能够改变从第二功率放大器112输出的第二发送信号S2的相位。由此，能够使在第一发送信号S1与第二发送信号S2之间发生的互调失真的振幅小，其结果，能够抑制因互调失真引起的接收灵敏度的下降。

另外，在实施方式1所涉及的高频电路1中，如上所述，相位电路25中的卷绕部(第一卷绕部)2511的卷绕轴(第一卷绕轴)Ax1与第一输出匹配电路151及第二输出匹配电路152的各输出匹配电路中的卷绕部(第二卷绕部)1501的卷绕轴(第二卷绕轴)Ax2正交。由此，能够抑制各输出匹配电路151、152的磁通对相位电路25的影响以及相位电路25的磁通对各输出匹配电路151、152的影响。

另外，在实施方式1所涉及的高频电路1中，在从安装基板2的厚度方向D1俯视时，相位电路25的电感器251与第二开关18重叠。由此，能够使电感器251与第二开关18之间的布线长度短。

(9)变形例

接着，参照图7来说明实施方式1的变形例1所涉及的高频电路1。关于变形例1所涉及的高频电路1，对与实施方式1所涉及的高频电路1同样的结构标注同一附图标记并省略说明。

在变形例1所涉及的高频电路1中，在以下方面与实施方式1所涉及的高频电路1(参照图6)不同：第一输出匹配电路151和第二输出匹配电路152的各输出匹配电路中的卷绕部1501的卷绕轴Ax2沿着安装基板2的厚度方向D1(参照图4)。

在变形例1所涉及的高频电路1中，如图7所示，构成相位电路25的第一电子部件3以及构成第一输出匹配电路151和第二输出匹配电路152中的各输出匹配电路的第一电子部件3配置于安装基板2的第一主面21。

在变形例1所涉及的高频电路1中，与实施方式1所涉及的高频电路1同样地，第一输出匹配电路151和第二输出匹配电路152中的各输出匹配电路是包括电感器(第二电感器)150的结构，相位电路25是包括电感器(第一电感器)251的结构。如图7所示，电感器150具有卷绕部(第二卷绕部)1501。另外，如图7所示，电感器251具有卷绕部(第一卷绕部)2511。

相位电路25中的卷绕部2511的卷绕轴(第一卷绕轴)Ax1与安装基板2的第一主面21平行，且沿着与作为安装基板2的厚度方向的第一方向D1正交的第二方向D2。

在第一输出匹配电路151和第二输出匹配电路152的各输出匹配电路中，卷绕部1501的卷绕轴(第二卷绕轴)Ax2与安装基板2的第一主面21正交。即，卷绕部1501的卷绕轴Ax2沿着安装基板2的厚度方向D1。另外，第一输出匹配电路151中的卷绕部1501的卷绕轴Ax2与第二输出匹配电路152中的卷绕部1501的卷绕轴Ax2相互平行。

即，如图7所示，相位电路25中的卷绕部2511的卷绕轴Ax1与第一输出匹配电路151及第二输出匹配电路152的各输出匹配电路中的卷绕部1501的卷绕轴Ax2相互正交。由此，与实施方式1所涉及的高频电路1同样地，能够抑制各输出匹配电路151、152的磁通对相位电路25的影响以及相位电路25的磁通对各输出匹配电路151、152的影响。

(实施方式2)

参照图8来说明实施方式2所涉及的高频电路1。关于实施方式2所涉及的高频电路1，对与实施方式1所涉及的高频电路1同样的结构标注同一附图标记并省略说明。

在实施方式2所涉及的高频电路1中，如图8所示，在以下方面与实施方式1所涉及的高频电路1(参照图5)不同：相位电路25A包括电感器252和电容器253。

在实施方式2所涉及的高频电路1中，如图8所示，相位电路(电路)25A包括电感器252和电容器253。电容器253的第一端与第二开关18的选择端子180连接，电容器253的第二端与电感器252的第一端连接。另外，电感器252的第二端与地连接。即，在实施方式2所涉及的高频电路1中，电感器252和电容器253在选择端子180(第三端子)与地之间彼此串联连接。而且，在实施方式2所涉及的高频电路1中，在第一发送信号S1和第二发送信号S2被同时发送的情况下，如图8所示，选择端子180与公共端子(第二端子)18B连接。

在实施方式2所涉及的高频电路1中，也与实施方式1所涉及的高频电路1同样地，关于第二开关18，在公共端子18A连接有第一功率放大器111，在公共端子18B连接有第二功率放大器112，在选择端子180连接有相位电路25A。因此，例如，在将公共端子18B连接到选择端子180的情况下，能够改变从第二功率放大器112输出的第二发送信号S2的相位。由此，能够使在第一发送信号S1与第二发送信号S2之间发生的互调失真的振幅小，其结果，能够抑制因互调失真引起的接收灵敏度的下降。

另外，在实施方式2所涉及的高频电路1中，选择端子(第三端子)180与公共端子(第二端子)18B连接，从而通过相位电路25A来改变第二发送信号S2的相位。与此相对，选择端子180例如也可以与公共端子(第一端子)18A连接，从而通过相位电路25A来改变第一发送信号S1的相位。在该情况下，也能够抑制因互调失真引起的接收灵敏度的下降。

另外，相位电路25A中包括的电容器253也可以与上述的第二开关18一起包括在第二IC芯片27(参照图3)中。即，也可以是，第二开关18和作为相位电路25A的至少一部分的电容器253成为单芯片。由此，与将第二开关18和相位电路25A的电容器253分开设置的情况相比，能够使安装基板2的安装面积小。

(实施方式3)

参照图9来说明实施方式3所涉及的高频电路1。关于实施方式3所涉及的高频电路1，对与实施方式1所涉及的高频电路1同样的结构标注同一附图标记并省略说明。

在实施方式3所涉及的高频电路1中，如图9所示，在以下方面与实施方式1所涉及的高频电路1(参照图5)不同：相位电路25B包括2个电感器254、255。另外，在实施方式3所涉及的高频电路1中，如图9所示，在以下方面与实施方式1所涉及的高频电路1不同：第二开关18除了具有公共端子(第一端子)18A、公共端子(第二端子)18B、选择端子(第三端子)180A、选择端子182(第四端子)以及选择端子185(第五端子)以外，还具有选择端子(第六端子)180B。

在实施方式3所涉及的高频电路1中，如图9所示，相位电路(电路)25B包括2个电感器254、255。电感器254连接于第二开关18的选择端子180A与地之间。电感器255连接于第二开关18的选择端子180B与地之间。即，在实施方式3所涉及的高频电路1中，第二开关18除了具有公共端子(第一端子)18A、公共端子(第二端子)18B、选择端子(第三端子)180A、选择端子182(第四端子)以及选择端子185(第五端子)以外，还具有选择端子(第六端子)180B。在实施方式3所涉及的高频电路1中，电感器254是第一电感器，电感器255是第二电感器。

在实施方式3所涉及的高频电路1中，例如，在利用发送滤波器122(参照图1)和发送滤波器125(参照图1)进行双上行链路载波聚合的情况下，公共端子18A与选择端子182连接，公共端子18B与选择端子180A及选择端子185连接。在该情况下，能够通过相位电路25B的电感器254来改变从第二功率放大器112输出的第二发送信号S2的相位。在该情况下，3GPP LTE标准的Band8是第一通信频段，3GPP LTE标准的Band20是第二通信频段。即，在第一通信频段与第二通信频段的组合是第一组合的情况下，公共端子18B与选择端子180A连接。

另外，在实施方式3所涉及的高频电路1中，例如，在利用发送滤波器121(参照图1)和发送滤波器124(参照图1)进行双上行链路载波聚合的情况下，公共端子18A与选择端子181连接，公共端子18B与选择端子180B及选择端子184连接。在该情况下，能够通过相位电路25B的电感器255来改变从第二功率放大器112输出的第二发送信号S2的相位。在该情况下，3GPP LTE标准的Band5是第一通信频段，3GPP LTE标准的Band13是第二通信频段。即，在第一通信频段与第二通信频段的组合是第二组合的情况下，公共端子18B与选择端子180B连接。

在实施方式3所涉及的高频电路1中，也与实施方式1所涉及的高频电路1同样地，关于第二开关18，在公共端子18A连接有第一功率放大器111，在公共端子18B连接有第二功率放大器112，在选择端子180A、180B连接有相位电路25B。因此，例如，在将公共端子18B连接到选择端子180A或选择端子180B的情况下，能够改变从第二功率放大器112输出的第二发送信号S2的相位。由此，能够使在第一发送信号S1与第二发送信号S2之间发生的互调失真的振幅小，其结果，能够抑制因互调失真引起的接收灵敏度的下降。

另外，在实施方式3所涉及的高频电路1中，选择端子(第三端子)180A或选择端子(第四端子)180B与公共端子(第二端子)18B连接，从而通过相位电路25B来改变第二发送信号S2的相位。与此相对，选择端子180A或选择端子180B例如也可以与公共端子(第一端子)18A连接，从而通过相位电路25B来改变第一发送信号S1的相位。在该情况下，也能够抑制因互调失真引起的接收灵敏度的下降。

另外，在实施方式3所涉及的高频电路1中，例如也可以是，3GPP LTE标准的Band1是第一通信频段，3GPP LTE标准的Band3是第二通信频段。

(实施方式4)

参照图10来说明实施方式4所涉及的高频电路1。关于实施方式4所涉及的高频电路1，对与实施方式1所涉及的高频电路1同样的结构标注同一附图标记并省略说明。

在实施方式4所涉及的高频电路1中，在以下方面与实施方式1所涉及的高频电路1(参照图5)不同：作为相位电路25C的一部分的电容器257串联连接于第二功率放大器112与多个发送滤波器121～129(参照图1)之间。

在实施方式4所涉及的高频电路1中，如图10所示，相位电路(电路)25C包括电感器256和电容器257。电感器256连接于第二开关18的选择端子(第三端子)180与地之间。电容器257连接于第二开关18的公共端子(第二端子)18B与第二输出匹配电路(输出匹配电路)152之间。

在实施方式4所涉及的高频电路1中，例如，在利用发送滤波器122(参照图1)和发送滤波器125(参照图1)进行双上行链路载波聚合的情况下，公共端子18A与选择端子182连接，公共端子18B与选择端子180及选择端子185连接。即，在第一发送信号S1和第二发送信号S2被同时发送的情况下，公共端子18B与选择端子180连接。在该情况下，电容器257串联连接于第二输出匹配电路152与发送滤波器125之间。另外，电感器256并联连接于将第二输出匹配电路152与发送滤波器125连结的信号路径。在实施方式4所涉及的高频电路1中，3GPP LTE标准的Band8是第一通信频段，3GPP LTE标准的Band20是第二通信频段。

在实施方式4所涉及的高频电路1中，也与实施方式1所涉及的高频电路1同样地，关于第二开关18，在公共端子18A连接有第一功率放大器111，在公共端子18B连接有第二功率放大器112，在选择端子180连接有相位电路25C。因此，例如，在将公共端子18B连接到选择端子180的情况下，能够改变从第二功率放大器112输出的第二发送信号S2的相位。由此，能够使在第一发送信号S1与第二发送信号S2之间发生的互调失真的振幅小，其结果，能够抑制因互调失真引起的接收灵敏度的下降。

另外，在实施方式4所涉及的高频电路1中，选择端子(第三端子)180与公共端子(第二端子)18B连接，从而通过相位电路25C来改变第二发送信号S2的相位。与此相对，选择端子180例如也可以与公共端子(第一端子)18A连接，从而通过相位电路25C来改变第一发送信号S1的相位。在该情况下，也能够抑制因互调失真引起的接收灵敏度的下降。

(实施方式5)

参照图11来说明实施方式5所涉及的高频电路1。关于实施方式5所涉及的高频电路1，对与实施方式1所涉及的高频电路1同样的结构标注同一附图标记并省略说明。

在实施方式5所涉及的高频电路1中，在以下方面与实施方式1所涉及的高频电路1(参照图5)不同：在连接有第一低噪声放大器141的第三开关19的选择端子194(第二端子)，连接有相位电路25D。

在实施方式5所涉及的高频电路1中，如图11所示，相位电路(电路)25D与第三开关19的选择端子194(第二端子)连接。相位电路25D包括电感器258。在实施方式5所涉及的高频电路1中，例如，在利用发送滤波器122(参照图1)和发送滤波器125(参照图1)进行双上行链路载波聚合的情况下，在第三开关19中，公共端子190(第一端子)与选择端子192(第三端子)及选择端子194连接。由此，对第一低噪声放大器141与接收滤波器132之间的信号路径并联连接相位电路25D的电感器258。

在实施方式5所涉及的高频电路1中，能够通过相位电路25D来改变向第一低噪声放大器141输入的接收信号S3的相位。其结果，接收滤波器(例如，接收滤波器132)不容易受到IMD3的影响，因此能够抑制接收灵敏度的下降。

另外，在实施方式5所涉及的高频电路1中，与上述的实施方式1～4不同，相位电路25D被设置在接收路径侧，因此能够抑制第一发送信号S1和第二发送信号S2的信号损耗(loss)。

在实施方式5所涉及的高频电路1中，相位电路22D包括电感器258，但是，相位电路22D也可以包括电容器，也可以包括电感器和电容器。

(变形例)

下面，说明实施方式1～5的变形例。

实施方式1～5所涉及的多个发送滤波器121～129和多个接收滤波器131～139中的各滤波器不限于声表面波滤波器，例如也可以是BAW(Bulk Acoustic Wave：体声波)滤波器。BAW滤波器中的谐振子例如是FBAR(Film Bulk Acoustic Resonator：薄膜体声波谐振器)或SMR(Solidly Mounted Resonator：固态装配谐振器)。BAW滤波器具有基板。基板例如是硅基板。

另外，实施方式1～5所涉及的多个发送滤波器121～129和多个接收滤波器131～139中的各滤波器不限于梯型滤波器，例如也可以是纵向耦合谐振型声表面波滤波器。

另外，上述的弹性波滤波器是利用表面弹性波或体声波的弹性波滤波器，但是不限于此，例如也可以是利用弹性界面波、板波等的弹性波滤波器。

第一通信频段与第二通信频段的组合不限于上述的组合，例如也可以是，第一通信频段是3GPP LTE标准的Band25，第二通信频段是3GPP LTE标准的Band66。另外，也可以是，第一通信频段是3GPP LTE标准的Band1，第二通信频段是3GPP LTE标准的Band3。

与第二开关18的选择端子180、180A、180B连接的电路不限定于相位电路25、25A～25C，也可以是相位电路以外的电路。另外，与第三开关19的选择端子194连接的电路不限定于相位电路25D，也可以是相位电路以外的电路。

在本说明书中，“要素配置于基板的第一主面”不仅包括要素直接安装在基板的第一主面上的情况，还包括要素配置于被基板隔开的第一主面侧的空间和第二主面侧的空间中的第一主面侧的空间的情况。也就是说，“要素配置于基板的第一主面”包括以下情况：要素隔着其它电路元件或电极等安装在基板的第一主面上。要素例如是第一电子部件3，但是不限定于第一电子部件3。基板例如是安装基板2。在基板是安装基板2的情况下，第一主面是第一主面21，第二主面是第二主面22。

在本说明书中，“要素配置于基板的第二主面”不仅包括要素直接安装在基板的第二主面上的情况，还包括要素配置于被基板隔开的第一主面侧的空间和第二主面侧的空间中的第二主面侧的空间的情况。也就是说，“要素配置于基板的第二主面”包括以下情况：要素隔着其它电路元件或电极等安装在基板的第二主面上。要素例如是第二电子部件4，但是不限定于第二电子部件4。基板例如是安装基板2。在基板是安装基板2的情况下，第一主面是第一主面21，第二主面是第二主面22。

在本说明书中，“A与B正交”不仅包括A与B之间的角度严格地为90度的状态，还包括A与B之间的角度处于包含实质上能够得到效果的交叉(例如，±5度)的范围内的状态。另外，在本说明书中，“A与B平行”不仅包括A与B之间的角度严格地为0度的状态，还包括A与B之间的角度处于包含实质上能够得到效果的交叉(例如，±5度)的范围内的状态。

在本说明书中，“A和B成为单芯片”是指，构成A的电路和构成B的电路形成在共同的(1个)基板上。A例如是电容器253，但是不限定于电容器253。B例如是第二开关18，但是不限定于第二开关18。

在本说明书中，“A及B能够同时与C连接”是指，存在A及B同时连接到C的情况。A例如是第二开关18的选择端子184，但是不限定于选择端子184。B例如是第二开关18的选择端子180，但是不限定于选择端子180。C例如是公共端子18B，但是不限定于公共端子18B。

(方式)

本说明书公开了以下的方式。

第1方式所涉及的高频电路(1)具备第一滤波器(122)、第二滤波器(125)、第三滤波器(132)、第一功率放大器(111)、第二功率放大器(112)以及开关(18)。第一滤波器(122)具有包含第一通信频段的发送频带的通带。第二滤波器(125)具有包含第二通信频段的发送频带的通带，该第二通信频段不同于第一通信频段。第三滤波器(132)具有包含第一通信频段的接收频带的通带。第一功率放大器(111)与第一滤波器(122)连接。第二功率放大器(112)与第二滤波器(125)连接。开关(18)具有第一端子(18A)、第二端子(18B)、第三端子(180；180A)、第四端子(182)以及第五端子(185)。第一通信频段和第二通信频段是能够在同时发送中利用的通信频段。在第一通信频段的第一发送信号(S1)与第二通信频段的第二发送信号(S2)之间发生的互调失真的频率范围的至少一部分与第一通信频段的接收频带的至少一部分重叠。在高频电路(1)中，在第一端子(18A)连接有第一功率放大器(111)，在第二端子(18B)连接有第二功率放大器(112)，在第四端子(182)连接有第一滤波器(122)，在第五端子(185)连接有第二滤波器(125)。高频电路(1)还具备电路(25；25A；25B；25C)。电路(25；25A；25B；25C)与第三端子(180；180A)连接。电路(25；25A；25B；25C)包括电感器(251；252；254、255；256)和电容器(253；257)中的至少一方。

根据该方式，能够抑制因在第一发送信号与第二发送信号之间发生的互调失真引起的接收灵敏度的下降。

在基于第1方式的第2方式所涉及的高频电路(1)中，在第一发送信号(S1)和第二发送信号(S2)被同时发送的情况下，第三端子(180；180A)与第一端子(18A)或第二端子(18B)连接。

根据该方式，能够抑制因互调失真引起的接收灵敏度的下降。

在基于第1方式的第3方式所涉及的高频电路(1)中，第一功率放大器(111)支持第一功率等级，第二功率放大器(112)支持第二功率等级。第一功率等级的最大输出功率大于第二功率等级的最大输出功率。在第一发送信号(S1)和第二发送信号(S2)被同时发送的情况下，第三端子(180；180A)与第二端子(18B)连接。

根据该方式，能够抑制通过支持第一功率等级的第一功率放大器(111)的第一发送信号(S1)的信号损耗。

在基于第1方式～第3方式中的任一个方式的第4方式所涉及的高频电路(1)中，电路(25A；25C)的至少一部分(例如，电容器253、257)和开关(18)成为单芯片。

根据该方式，与将电路(25A；25C)的至少一部分和开关(18)分开设置的情况相比，能够使安装基板(2)的安装面积小。

在基于第4方式的第5方式所涉及的高频电路(1)中，电路(25A；25C)的至少一部分包括电容器(253；257)。

根据该方式，与将电容器(253；257)和开关(18)分开设置的情况相比，能够使安装基板(2)的安装面积小。

基于第1方式～第5方式中的任一个方式的第6方式所涉及的高频电路(1)还具备第一输出匹配电路(151)和第二输出匹配电路(152)。第一输出匹配电路(151)连接于第一功率放大器(111)与第一端子(18A)之间。第二输出匹配电路(152)连接于第二功率放大器(112)与第二端子(18B)之间。电路(25)包括具有第一卷绕部(2511)的第一电感器(251)作为电感器(251)。第一输出匹配电路(151)和第二输出匹配电路(152)中的各输出匹配电路包括具有第二卷绕部(1501)的第二电感器(150)。第一卷绕部(2511)的卷绕轴(Ax1)与第二卷绕部(1501)的卷绕轴(Ax2)正交。

根据该方式，能够抑制第一输出匹配电路(151)和第二输出匹配电路(152)的磁通对电路(25)的影响以及电路(25)的磁通对第一输出匹配电路(151)和第二输出匹配电路(152)的影响。

基于第1方式～第6方式中的任一个方式的第7方式所涉及的高频电路(1)还具备安装基板(2)。安装基板(2)具有彼此相向的第一主面(21)和第二主面(22)。电路(25)包括电感器(251)。电感器(251)配置于安装基板(2)的第一主面(21)。开关(18)配置于安装基板(2)的第二主面(22)。在从安装基板(2)的厚度方向(D1)俯视时，电感器(251)与开关(18)重叠。

根据该方式，能够使电感器(251)与开关(18)之间的布线长度短。

在基于第1方式～第7方式中的任一个方式的第8方式所涉及的高频电路(1)中，电路(25A)包括电感器(252)和电容器(253)。电感器(252)和电容器(253)在第三端子(180)与地之间彼此串联连接。在第一发送信号(S1)和第二发送信号(S2)被同时发送的情况下，第三端子(180)与第一端子(18A)或第二端子(18B)连接。

根据该方式，能够抑制因互调失真引起的接收灵敏度的下降。

在基于第1方式～第7方式中的任一个方式的第9方式所涉及的高频电路(1)中，开关(18)还具有第六端子(180B)。电路(25B)包括第一电感器(254)和第二电感器(255)作为电感器。第一电感器(254)连接于第三端子(180A)与地之间。第二电感器(255)连接于第六端子(180B)与地之间。在第一通信频段与第二通信频段的组合是第一组合的情况下，第一端子(18A)或第二端子(18B)与第三端子(180A)连接。在第一通信频段与第二通信频段的组合是第二组合的情况下，第一端子(18A)或第二端子(18B)与第四端子(180B)连接。

根据该方式，能够根据第一通信频段与第二通信频段的组合来抑制因互调失真引起的接收灵敏度的下降。

基于第1方式～第7方式中的任一个方式的第10方式所涉及的高频电路(1)还具备输出匹配电路(152)。输出匹配电路(152)连接于第二功率放大器(112)与开关(18)之间。电路(25C)包括电感器(256)和电容器(257)。电感器(256)连接于第三端子(180)与地之间。电容器(257)连接于第一端子(18A)或第二端子(18B)与输出匹配电路(152)之间。在第一发送信号(S1)和第二发送信号(S2)被同时发送的情况下，第一端子(18A)或第二端子(18B)与第三端子(180)连接。

根据该方式，能够抑制因互调失真引起的接收灵敏度的下降。

第11方式所涉及的高频电路(1)具备第一滤波器(122)、第二滤波器(125)、第三滤波器(132)、低噪声放大器(141)以及开关(19)。第一滤波器(122)具有包含第一通信频段的发送频带的通带。第二滤波器(125)具有包含第二通信频段的发送频带的通带，该第二通信频段不同于第一通信频段。第三滤波器(132)具有包含第一通信频段的接收频带的通带。低噪声放大器(141)与第三滤波器(132)连接。开关(19)具有第一端子(190)、第二端子(194)以及第三端子(192)。第一通信频段和第二通信频段是能够在同时发送中利用的通信频段。在第一通信频段的第一发送信号(S1)与第二通信频段的第二发送信号(S2)之间发生的互调失真的频率范围的至少一部分与第一通信频段的接收频带的至少一部分重叠。在高频电路(1)中，在第一端子(190)连接有低噪声放大器(141)，在第三端子(192)连接有第三滤波器(132)。高频电路(1)还具备电路(25D)。电路(25D)与第二端子(194)连接。电路(25D)包括电感器(258)和电容器中的至少一方。

根据该方式，能够抑制因在第一发送信号与第二发送信号之间发生的互调失真引起的接收灵敏度的下降。

第12方式所涉及的通信装置(9)具备：第1方式～第11方式中的任一个方式的高频电路(1)；以及信号处理电路(92)。信号处理电路(92)与高频电路(1)连接。

根据该方式，能够抑制因互调失真引起的接收灵敏度的下降。

附图标记说明

1：高频电路；17：第一开关；17A、17B：公共端子；171～179：选择端子；18：第二开关(开关)；18A：公共端子(第一端子)；18B：公共端子(第二端子)；180、180A：选择端子(第三端子)；180B：选择端子(第四端子)；181～189：选择端子；19：第三开关(开关)；190：公共端子(第一端子)；191～193：选择端子；194：选择端子(第二端子)；20：第四开关；200：公共端子；201～207：选择端子；23：控制器；25、25A、25B、25C、25D：相位电路(电路)；251、252、254、255、256、258：电感器；253、257：电容器；2511：卷绕部(第一卷绕部)；26：第一IC芯片；27：第二IC芯片；31～39：双工器；111：第一功率放大器；112：第二功率放大器；121～129：发送滤波器；131～139：接收滤波器；141：第一低噪声放大器(低噪声放大器)；142：第二低噪声放大器；151：第一输出匹配电路；152：第二输出匹配电路(输出匹配电路)；1501：卷绕部(第二卷绕部)；161、162：输入匹配电路；231～239：匹配电路；241、242：输入匹配电路；2：安装基板；21：第一主面；22：第二主面；3：第一电子部件；4：第二电子部件；5：第一树脂层；6：第二树脂层；7：金属层；9：通信装置；92：信号处理电路；93：RF信号处理电路；94：基带信号处理电路；911、912：天线；10：外部连接端子；101、102：天线端子；103、104：信号输入端子；105、106：信号输出端子；107：控制端子；Ax1：卷绕轴(第一卷绕轴)；Ax2：卷绕轴(第二卷绕轴)；D1：第一方向(厚度方向)；D2：第二方向；D3：第三方向；S1：第一发送信号；S2：第二发送信号；S3：接收信号。

Claims (12)

1.一种高频电路，具备：

第一滤波器，其具有包含第一通信频段的发送频带的通带；

第二滤波器，其具有包含第二通信频段的发送频带的通带，所述第二通信频段不同于所述第一通信频段；

第三滤波器，其具有包含所述第一通信频段的接收频带的通带；

第一功率放大器，其与所述第一滤波器连接；

第二功率放大器，其与所述第二滤波器连接；以及

开关，其具有第一端子、第二端子、第三端子、第四端子以及第五端子，

其中，所述第一通信频段和所述第二通信频段是能够在同时发送中利用的通信频段，

在所述第一通信频段的第一发送信号与所述第二通信频段的第二发送信号之间发生的互调失真的频率范围的至少一部分与所述第一通信频段的所述接收频带的至少一部分重叠，

在所述第一端子连接有所述第一功率放大器，在所述第二端子连接有所述第二功率放大器，在所述第四端子连接有所述第一滤波器，在所述第五端子连接有所述第二滤波器，

所述高频电路还具备与所述第三端子连接的电路，

所述电路包括电感器和电容器中的至少一方。

2.根据权利要求1所述的高频电路，其中，

在所述第一发送信号和所述第二发送信号被同时发送的情况下，所述第三端子与所述第一端子或所述第二端子连接。

3.根据权利要求1所述的高频电路，其中，

所述第一功率放大器支持第一功率等级，

所述第二功率放大器支持第二功率等级，

所述第一功率等级的最大输出功率大于所述第二功率等级的最大输出功率，

在所述第一发送信号与所述第二发送信号被同时发送的情况下，所述第三端子与所述第二端子连接。

4.根据权利要求1～3中的任一项所述的高频电路，其中，

所述电路的至少一部分和所述开关成为单芯片。

5.根据权利要求4所述的高频电路，其中，

所述电路的所述至少一部分包括所述电容器。

6.根据权利要求1～5中的任一项所述的高频电路，其中，还具备：

第一输出匹配电路，其连接于所述第一功率放大器与所述第一端子之间；以及

第二输出匹配电路，其连接于所述第二功率放大器与所述第二端子之间，

所述电路包括具有第一卷绕部的第一电感器作为所述电感器，

所述第一输出匹配电路和所述第二输出匹配电路分别包括具有第二卷绕部的第二电感器，

所述第一卷绕部的卷绕轴与所述第二卷绕部的卷绕轴正交。

7.根据权利要求1～6中的任一项所述的高频电路，其中，

还具备安装基板，所述安装基板具有彼此相向的第一主面和第二主面，

所述电路包括所述电感器，

所述电感器配置于所述安装基板的所述第一主面，

所述开关配置于所述安装基板的所述第二主面，

在从所述安装基板的厚度方向俯视时，所述电感器与所述开关重叠。

8.根据权利要求1～7中的任一项所述的高频电路，其中，

所述电路包括所述电感器和所述电容器，

所述电感器和所述电容器在所述第三端子与地之间彼此串联连接，

在所述第一发送信号和所述第二发送信号被同时发送的情况下，所述第三端子与所述第一端子或所述第二端子连接。

9.根据权利要求1～7中的任一项所述的高频电路，其中，

所述开关还具有第六端子，

所述电路包括第一电感器和第二电感器作为所述电感器，

所述第一电感器连接于所述第三端子与地之间，

所述第二电感器连接于所述第六端子与地之间，

在所述第一通信频段与所述第二通信频段的组合是第一组合的情况下，所述第一端子或所述第二端子与所述第三端子连接，

在所述第一通信频段与所述第二通信频段的组合是第二组合的情况下，所述第一端子或所述第二端子与所述第四端子连接。

10.根据权利要求1～7中的任一项所述的高频电路，其中，

还具备连接于所述第二功率放大器与所述开关之间的输出匹配电路，

所述电路包括所述电感器和所述电容器，

所述电感器连接于所述第三端子与地之间，

所述电容器连接于所述第一端子或所述第二端子与所述输出匹配电路之间，

在所述第一发送信号和所述第二发送信号被同时发送的情况下，所述第一端子或所述第二端子与所述第三端子连接。

11.一种高频电路，具备：

第一滤波器，其具有包含第一通信频段的发送频带的通带；

第二滤波器，其具有包含第二通信频段的发送频带的通带，所述第二通信频段不同于所述第一通信频段；

第三滤波器，其具有包含所述第一通信频段的接收频带的通带；

低噪声放大器，其与所述第三滤波器连接；以及

开关，其具有第一端子、第二端子以及第三端子，

其中，所述第一通信频段和所述第二通信频段是能够在同时发送中利用的通信频段，

在所述第一通信频段的第一发送信号与所述第二通信频段的第二发送信号之间发生的互调失真的频率范围的至少一部分与所述第一通信频段的所述接收频带的至少一部分重叠，

在所述第一端子连接有所述低噪声放大器，在所述第三端子连接有所述第三滤波器，

所述高频电路还具备与所述第二端子连接的电路，

所述电路包括电感器和电容器中的至少一方。

12.一种通信装置，具备：

根据权利要求1～11中的任一项所述的高频电路；以及

信号处理电路，其与所述高频电路连接。