CN216162714U - 高频模块和通信装置 - Google Patents

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Abstract

提供一种高频模块和通信装置，实现安装基板的小型化。高频模块(1)具备具有彼此相向的第一主面(141)和第二主面(142)的安装基板(14)、安装于安装基板(14)的第一主面(141)的第一功率放大器(9a)、安装于安装基板(14)的第一主面(141)的第二功率放大器(9b)、安装于安装基板(14)的第二主面(142)的电路部件(IC芯片(28))、以及配置于安装基板(14)的第二主面(142)的外部连接端子(218、219)。外部连接端子(218、219)与向第一功率放大器(9a)和第二功率放大器(9b)提供电源电压的电源(第一电源(21)、第二电源(22))连接。

Description

高频模块和通信装置
技术领域
本实用新型一般地说涉及一种高频模块和通信装置，更详细地说，涉及具备2个功率放大器的高频模块以及具备高频模块的通信装置。
背景技术
专利文献1中公开了一种具备功率放大电路(功率放大器)的高频模块。
另外，专利文献1中公开了一种具备高频模块的通信装置。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2018-137522号公报
实用新型内容
实用新型要解决的问题
在高频模块中，有时要求用于安装上述功率放大电路等的安装基板的小型化。
本实用新型的目的在于提供一种能够实现安装基板的小型化的高频模块和通信装置。
用于解决问题的方案
本实用新型的一个方式所涉及的高频模块具备安装基板、第一功率放大器、第二功率放大器、电路部件以及外部连接端子。所述安装基板具有彼此相向的第一主面和第二主面。所述第一功率放大器安装于所述安装基板的所述第一主面。所述第二功率放大器安装于所述安装基板的所述第一主面。所述电路部件是与所述第一功率放大器及所述第二功率放大器不同的部件，安装于所述安装基板的所述第二主面。所述外部连接端子配置于所述安装基板的所述第二主面。所述外部连接端子与向所述第一功率放大器和所述第二功率放大器提供电源电压的电源连接。所述外部连接端子与所述第一功率放大器及所述第二功率放大器这两方连接。
优选地，所述高频模块还具备天线端子，所述电路部件是包括低噪声放大器以及与所述天线端子连接的开关的集成电路芯片，在从所述安装基板的厚度方向俯视时，与距所述集成电路芯片相比，所述外部连接端子距所述第一功率放大器和所述第二功率放大器更近。
优选地，在从与所述安装基板的厚度方向交叉且与所述第一功率放大器及所述第二功率放大器排列的方向交叉的方向俯视时，所述外部连接端子配置于所述第一功率放大器的与所述第二功率放大器侧相反的一侧的外周面同所述第二功率放大器的与所述第一功率放大器侧相反的一侧的外周面之间。
优选地，所述高频模块还具备电容元件，所述电容元件连接于将所述外部连接端子与所述第一功率放大器及所述第二功率放大器连结的路径同地之间。
优选地，在从所述安装基板的厚度方向俯视时，所述外部连接端子与所述电容元件重叠。
优选地，在从所述安装基板的厚度方向俯视时，所述外部连接端子不与所述第一功率放大器及所述第二功率放大器重叠。
优选地，所述高频模块还具备作为所述外部连接端子的不同于第一外部连接端子的第二外部连接端子，所述第一功率放大器和所述第二功率放大器中的各功率放大器具有被多级连接的第一放大部和第二放大部，所述第一外部连接端子与所述第一功率放大器的所述第一放大部及所述第二功率放大器的所述第一放大部连接，所述第二外部连接端子与所述第一功率放大器的所述第二放大部及所述第二功率放大器的所述第二放大部连接。
优选地，所述第一功率放大器和所述第二功率放大器被收纳于1个封装。
优选地，所述第一功率放大器将第一频带的发送信号放大后输出，所述第二功率放大器将比所述第一频带靠低频侧的第二频带的发送信号放大后输出。
优选地，所述第一频带包含时分双工用的通信频段的发送带，所述第二频带包含频分双工用的通信频段的发送带。
优选地，所述高频模块还具备对所述第一功率放大器和所述第二功率放大器进行控制的控制器，所述控制器使从所述第一功率放大器输出发送信号的期间与从所述第二功率放大器输出发送信号的期间不同。
本实用新型的一个方式所涉及的通信装置具备所述高频模块和信号处理电路。所述信号处理电路与所述高频模块连接。
实用新型的效果
本实用新型的一个方式所涉及的高频模块和通信装置能够实现安装基板的小型化。
附图说明
图1是具备实施方式1所涉及的高频模块的通信装置的电路结构图。
图2是同上的高频模块的主要部分的电路结构图。
图3的A涉及到同上的高频模块，是省略了屏蔽层和树脂层的俯视图。图3的B涉及到同上的高频模块，是从安装基板的第一主面侧透视安装基板的第二主面以及配置于安装基板的第二主面的电路部件及多个外部连接端子的俯视图。
图4涉及到同上的高频模块，是图3的A的A1-A1线截面图。
图5涉及到同上的高频模块，是图3的A的A2-A2线截面图。
图6是实施方式1的变形例1所涉及的高频模块的截面图。
图7是实施方式2所涉及的高频模块的主要部分的电路结构图。
图8的A涉及到同上的高频模块，是省略了屏蔽层和树脂层的俯视图。图8的B涉及到同上的高频模块，是从安装基板的第一主面侧透视安装基板的第二主面以及配置于安装基板的第二主面的电路部件及多个外部连接端子的俯视图。
附图标记说明
1、1a、1b：高频模块；2A：第一天线端子(天线端子)；2B：第二天线端子(天线端子)；3A：第一低通滤波器；3B：第二低通滤波器；4：第一开关；5：匹配电路；5a：第一匹配电路；5b：第二匹配电路；5c：第三匹配电路；6：滤波器；6a：第一滤波器；6b：第二滤波器；6c：第三滤波器；7：第二开关；8：输出匹配电路；8a：第一输出匹配电路；8b：第二输出匹配电路；9：功率放大器；9a：第一功率放大器；9b：第二功率放大器；10：第四开关；10a：高频段用第四开关；10b：中频段用第四开关；11：第三开关；12：输入匹配电路；13：低噪声放大器；14：安装基板；15：电容元件；16：封装；20：控制器；21：第一电源(电源)；22：第二电源(电源)；27：IC芯片；28：IC芯片；41A：第一公共端子；41B：第二公共端子；42：第一选择端子；43、44：第二选择端子；61：第一发送滤波器；62：第一接收滤波器；63：第二发送滤波器；64：第二接收滤波器；65：第三发送滤波器；66：第三接收滤波器；71：第一公共端子；72：第一选择端子；75：第二公共端子；76、77：第二选择端子；91a、91b：第一放大部；92a、92b：第二放大部；101：公共端子；102、103：选择端子；105：公共端子；106、107：选择端子；111：公共端子；112、113、114：选择端子；141：第一主面；142：第二主面；201：第一树脂层；202：第二树脂层；203：屏蔽层；210：外部连接端子；211：地端子；212、214：第一信号输入端子；213、215：第二信号输入端子；216：控制端子；217：信号输出端子；218：第一电源端子(第一外部连接端子)；219：第二电源端子(第二外部连接端子)；300：通信装置；301：信号处理电路；302：RF信号处理电路；303：基带信号处理电路；310：第一天线；311：第二天线；D1：厚度方向；D2：第二方向；D3：第三方向；R1：路径；R2：路径。
具体实施方式
在下面的实施方式1、2等中参照的图3的A～图6、图8的A和图8的B均是示意性的图，图中的各结构要素的大小之比、厚度之比未必反映了实际的尺寸比。
(实施方式1)
如图3的A和图3的B所示，实施方式1所涉及的高频模块1具备安装基板14、第一功率放大器9a、第二功率放大器9b、电路部件(例如，IC芯片28)、以及外部连接端子(第一电源端子218和第二电源端子219)。安装基板14具有彼此相向的第一主面141和第二主面142。第一功率放大器9a安装于安装基板14的第一主面141。第二功率放大器9b安装于安装基板14的第一主面141。电路部件安装于安装基板14的第二主面142。外部连接端子配置于安装基板14的第二主面142。外部连接端子与向第一功率放大器9a和第二功率放大器9b提供电源电压的电源(第一电源21和第二电源22)连接。外部连接端子与第一功率放大器9a及第二功率放大器9b这两方连接。由此，实施方式1所涉及的高频模块1能够实现安装基板14的小型化。
下面，参照图1～图6来说明实施方式1所涉及的高频模块1和通信装置300。
(1)高频模块和通信装置
(1.1)高频模块和通信装置的电路结构
首先，参照图1和图2来说明实施方式1所涉及的高频模块1和通信装置300的电路结构。
实施方式1所涉及的高频模块1例如使用于支持多模式/多频段的通信装置300。通信装置300例如是便携式电话(例如，智能电话)，但是不限于此，例如也可以是可穿戴终端(例如，智能手表)。高频模块1例如是能够支持4G(第四代移动通信)标准、5G(第五代移动通信)标准的模块。4G标准例如是3GPP LTE标准(LTE：Long Term Evolution(长期演进))。5G标准例如是5G NR(New Radio：新空口)。高频模块1例如是能够支持载波聚合和双连接的模块。在此，载波聚合和双连接是指同时使用多个频带的电波的通信。
实施方式1所涉及的高频模块1同时进行由4G规定的频带的信号的通信以及由4G规定的另一频带的信号的通信。另外，实施方式1所涉及的高频模块1同时进行由4G规定的频带的信号的通信以及由5G规定的频带的信号的通信。另外，实施方式1所涉及的高频模块1同时进行由5G规定的频带的信号的通信以及由5G规定的另一频带的信号的通信。下面，将基于载波聚合或双连接的通信也称作同时通信。
高频模块1例如构成为能够将从信号处理电路301输入的发送信号(高频信号)放大后输出到第一天线310和第二天线311。另外，高频模块1构成为能够将从第一天线310和第二天线311输入的接收信号(高频信号)放大后输出到信号处理电路301。信号处理电路301不是高频模块1的结构要素，而是具备高频模块1的通信装置300的结构要素。高频模块1例如由通信装置300所具备的信号处理电路301进行控制。通信装置300具备高频模块1和信号处理电路301。通信装置300还具备第一天线310和第二天线311。通信装置300还具备安装有高频模块1的电路基板。电路基板例如是印刷电路板。电路基板具备被提供地电位的地电极。
信号处理电路301例如包括RF信号处理电路302和基带信号处理电路303。RF信号处理电路302例如是RFIC(Radio Frequency Integrated Circuit：射频集成电路)，对高频信号进行信号处理。RF信号处理电路302例如对从基带信号处理电路303输出的高频信号(发送信号)进行上变频等信号处理，并将进行了信号处理的高频信号输出到高频模块1。另外，RF信号处理电路302例如对从高频模块1输出的高频信号(接收信号)进行下变频等信号处理，并将进行了信号处理的高频信号输出到基带信号处理电路303。
基带信号处理电路303例如是BBIC(Baseband Integrated Circuit：基带集成电路)。基带信号处理电路303基于基带信号来生成I相信号和Q相信号。基带信号例如是从外部输入的声音信号、图像信号等。基带信号处理电路303通过将I相信号与Q相信号合成来进行IQ调制处理后，输出发送信号。此时，发送信号被生成为将规定频率的载波信号以比该载波信号的周期长的周期进行振幅调制而得到的调制信号(IQ信号)。被基带信号处理电路303处理后的接收信号例如作为图像信号而使用于图像显示，或者作为声音信号而使用于通话。高频模块1在第一天线310及第二天线311与信号处理电路301的RF信号处理电路302之间传递高频信号(接收信号、发送信号)。
高频模块1具备低噪声放大器13以及多个(在图示例中为2个)功率放大器9。另外，高频模块1具备多个(在图示例中为3个)滤波器6以及多个(在图示例中为2个)低通滤波器3A、3B。另外，高频模块1具备多个(在图示例中为2个)输出匹配电路8、输入匹配电路12以及多个(在图示例中为3个)匹配电路5。另外，高频模块1具备第一开关4、第二开关7、第三开关11以及多个(在图示例中为2个)第四开关10。另外，高频模块1具备控制器20。
另外，高频模块1具备多个外部连接端子210。多个外部连接端子210包括多个(在图示例中为2个)天线端子2A、2B、多个(在图示例中为2个)第一信号输入端子212、214、多个(在图示例中为2个)第二信号输入端子213、215、控制端子216、信号输出端子217、以及多个地端子211(参照图3的B和图4)。另外，多个外部连接端子210还包括多个电源端子218、219。多个地端子211是与通信装置300所具备的上述的电路基板的地电极电连接从而被提供地电位的端子。
在以下的说明中，在需要对多个低通滤波器3A、3B进行区分的情况下，将多个低通滤波器3A、3B分别称作第一低通滤波器3A、第二低通滤波器3B。另外，在需要对多个匹配电路5进行区分的情况下，将多个匹配电路5分别称作第一匹配电路5a、第二匹配电路5b、第三匹配电路5c。另外，在需要对多个滤波器6进行区分的情况下，将多个滤波器6分别称作第一滤波器6a、第二滤波器6b、第三滤波器6c。另外，在需要对多个输出匹配电路8进行区分的情况下，将多个输出匹配电路8分别称作第一输出匹配电路8a、第二输出匹配电路8b。另外，在需要对多个功率放大器9进行区分的情况下，将多个功率放大器9分别称作第一功率放大器9a、第二功率放大器9b。另外，在需要对多个第四开关10进行区分的情况下，将多个第四开关10分别称作高频段用第四开关10a、中频段用第四开关10b。
第一功率放大器9a具有第一输入端子和第一输出端子。第一功率放大器9a将输入到第一输入端子的第一频带的发送信号放大后从第一输出端子输出。第一频带例如包含TDD(Time Division Duplex：时分双工)用的通信频段的发送带。更详细地说，第一频带包含TDD用的第一通信频段的发送带。第一通信频段与通过第一滤波器6a的第一发送滤波器61的发送信号对应，例如是3GPP LTE标准的Band40或Band41、以及5G NR的n41。
第一功率放大器9a的第一输入端子经由高频段用第四开关10a来选择性地与2个第一信号输入端子212、214连接。第一功率放大器9a的第一输入端子经由2个第一信号输入端子212、214中的某一个来与信号处理电路301连接。2个第一信号输入端子212、214是用于将来自外部电路(例如，信号处理电路301)的高频信号(发送信号)输入到高频模块1的端子。2个第一信号输入端子212、214中的一方是用于将与4G标准对应的发送信号输入到高频模块1的端子，另一方是用于将与5G标准对应的发送信号输入到高频模块1的端子。第一功率放大器9a的第一输出端子经由第一输出匹配电路8a来与第二开关7的第一公共端子71连接。因此，第一功率放大器9a的第一输出端子能够经由第二开关7来与第一滤波器6a连接。
如图2所示，第一功率放大器9a具有第一放大部91a和第二放大部92a。第一放大部91a例如是驱动级的放大部。第二放大部92a例如是功率级的放大部。第一放大部91a和第二放大部92a例如分别包括晶体管(未图示)。从第一电源21经由第一电源端子218向第一放大部91a提供电源电压。另外，从第二电源22经由第二电源端子219向第二放大部92a提供电源电压。在实施方式1所涉及的高频模块1中，第一电源21和第二电源22设置于安装有高频模块1的电路基板。在此，在实施方式1所涉及的高频模块1中，第一电源端子218和第二电源端子219分别是外部连接端子。此外，第一电源21与第二电源22既可以是一个模块，也可以是不同的模块。
第二功率放大器9b具有第二输入端子和第二输出端子。第二功率放大器9b将输入到第二输入端子的第二频带的发送信号放大后从第二输出端子输出。第二频带是比第一频带靠低频侧的频带。在实施方式1所涉及的高频模块1中，第一频带是高频段的频带，第二频带是中频段的频带。第二频带例如包含FDD(Frequency Division Duplex：频分双工)用的通信频段的发送带。更详细地说，第二频带包含FDD用的第二通信频段的发送带和FDD用的第三通信频段的发送带。第二通信频段与通过第二滤波器6b的第二发送滤波器63的发送信号对应，例如是3GPP LTE标准的Band1、Band3、Band2、Band25、Band4、Band66、Band39、Band34或5G NR的n1。第三通信频段与通过第三滤波器6c的第三发送滤波器65的发送信号对应，例如是3GPP LTE标准的Band3和5G NR的n3。
第二功率放大器9b的第二输入端子经由中频段用第四开关10b来选择性地与2个第二信号输入端子213、215连接。第二功率放大器9b的第二输入端子经由2个第二信号输入端子213、215中的某一个来与信号处理电路301连接。2个第二信号输入端子213、215是用于将来自外部电路(例如，信号处理电路301)的高频信号(发送信号)输入到高频模块1的端子。2个第二信号输入端子213、215中的一方是用于将与4G标准对应的发送信号输入到高频模块1的端子，另一方是用于将与5G标准对应的发送信号输入到高频模块1的端子。第二功率放大器9b的第二输出端子经由第二输出匹配电路8b来与第二开关7的第二公共端子75连接。因此，第二功率放大器9b的第二输出端子能够经由第二开关7来与第二滤波器6b及第三滤波器6c连接。
如图2所示，第二功率放大器9b具有第一放大部91b和第二放大部92b。第一放大部91b例如是驱动级的放大部。第二放大部92b例如是功率级的放大部。第一放大部91b和第二放大部92b例如分别包括晶体管(未图示)。从第一电源21经由第一电源端子218向第一放大部91b提供电源电压。另外，从第二电源22经由第二电源端子219向第二放大部92b提供电源电压。即，在实施方式1所涉及的高频模块1中，作为外部连接端子的第一电源端子218与第一电源21连接，且与第一功率放大器9a及第二功率放大器9b这两方连接。另外，在实施方式1所涉及的高频模块1中，作为外部连接端子的第二电源端子219与第二电源22连接，且与第一功率放大器9a及第二功率放大器9b这两方连接。在实施方式1所涉及的高频模块1中，第一电源端子218是第一外部连接端子，第二电源端子219是第二外部连接端子。
第一低通滤波器3A连接于第一天线端子2A与第一开关4的第一公共端子41A之间的信号路径。第一低通滤波器3A例如包括多个电感器和电容器。第一低通滤波器3A也可以是包括多个电感器和电容器的IPD(Integrated Passive Device：集成型无源元件)。
第二低通滤波器3B连接于第二天线端子2B与第一开关4的第二公共端子41B之间的信号路径。第二低通滤波器3B例如包括多个电感器和电容器。第二低通滤波器3B也可以是包括多个电感器和电容器的IPD。
低噪声放大器13具有输入端子和输出端子。低噪声放大器13将输入到输入端子的第一频带的接收信号放大后从输出端子输出。低噪声放大器13的输入端子经由输入匹配电路12来与第三开关11的公共端子111连接。低噪声放大器13的输出端子与信号输出端子217连接。低噪声放大器13的输出端子例如经由信号输出端子217来与信号处理电路301连接。信号输出端子217是用于将来自低噪声放大器13的高频信号(接收信号)输出到外部电路(例如，信号处理电路301)的端子。
多个滤波器6(第一滤波器6a、第二滤波器6b、第三滤波器6c)例如分别是双工器。第一滤波器6a包括第一发送滤波器61和第一接收滤波器62。第二滤波器6b包括第二发送滤波器63和第二接收滤波器64。第三滤波器6c包括第三发送滤波器65和第三接收滤波器66。
第一发送滤波器61例如是以第一通信频段的发送带为通带的带通滤波器。第二发送滤波器63例如是以第二通信频段的发送带为通带的带通滤波器。第三发送滤波器65例如是以第三通信频段的发送带为通带的带通滤波器。
第一接收滤波器62例如是以第一通信频段的接收带为通带的带通滤波器。第二接收滤波器64例如是以第二通信频段的接收带为通带的带通滤波器。第三接收滤波器66例如是以第三通信频段的接收带为通带的带通滤波器。
第一发送滤波器61的输入端子与第二开关7的第一选择端子72连接。第一发送滤波器61的输出端子经由第一匹配电路5a来与第一开关4的第一选择端子42连接。第二发送滤波器63的输入端子与第二开关7的第二选择端子76连接。第二发送滤波器63的输出端子经由第二匹配电路5b来与第一开关4的第二选择端子43连接。第三发送滤波器65的输入端子与第二开关7的第二选择端子77连接。第三发送滤波器65的输出端子经由第三匹配电路5c来与第一开关4的第二选择端子44连接。
第一接收滤波器62的输入端子经由第一匹配电路5a来与第一开关4的第一选择端子42连接。第一接收滤波器62的输出端子与第三开关11的选择端子112连接。第二接收滤波器64的输入端子经由第二匹配电路5b来与第一开关4的第二选择端子43连接。第二接收滤波器64的输出端子与第三开关11的选择端子113连接。第三接收滤波器66的输入端子经由第三匹配电路5c来与第一开关4的第二选择端子44连接。第三接收滤波器66的输出端子与第三开关11的选择端子114连接。
第一开关4具有第一公共端子41A、第二公共端子41B、能够与第一公共端子41A连接的第一选择端子42、以及能够与第二公共端子41B连接的多个(在图示例中为2个)第二选择端子43、44。第一公共端子41A经由第一低通滤波器3A来与第一天线端子2A连接。在第一天线端子2A连接第一天线310。第一选择端子42与第一匹配电路5a连接。第二公共端子41B经由第二低通滤波器3B来与第二天线端子2B连接。在第二天线端子2B连接第二天线311。多个第二选择端子43、44中的第二选择端子43与第二匹配电路5b连接。多个第二选择端子43、44中的第二选择端子44与第三匹配电路5c连接。第一开关4例如是能够将多个第二选择端子43、44中的至少1个连接到第二公共端子41B的开关。在此，第一开关4例如是能够进行一对一的连接和一对多的连接的开关。
第一开关4例如是开关IC(Integrated Circuit：集成电路)。第一开关4例如由信号处理电路301进行控制。在该情况下，第一开关4按照来自信号处理电路301的RF信号处理电路302的控制信号，对第一公共端子41A与第一选择端子42的连接状态以及第二公共端子41B与多个第二选择端子43、44的连接状态进行切换。第一开关4也可以由控制器20进行控制，而不是由信号处理电路301进行控制。
第二开关7具有第一公共端子71、第二公共端子75、能够与第一公共端子71连接的第一选择端子72、以及能够与第二公共端子75连接的多个(在图示例中为2个)第二选择端子76、77。第一公共端子71经由第一输出匹配电路8a来与第一功率放大器9a的输出端子连接。第一选择端子72与第一发送滤波器61的输入端子连接。第二公共端子75经由第二输出匹配电路8b来与第二功率放大器9b的输出端子连接。多个第二选择端子76、77中的第二选择端子76与第二发送滤波器63的输入端子连接。多个第二选择端子76、77中的第二选择端子77与第三发送滤波器65的输入端子连接。第二开关7例如是能够将多个第二选择端子76、77中的至少1个连接到第二公共端子75的开关。在此，第二开关7例如是能够进行一对一的连接和一对多的连接的开关。
第二开关7例如是开关IC。第二开关7例如由信号处理电路301进行控制。在该情况下，第二开关7按照来自信号处理电路301的RF信号处理电路302的控制信号，对第一公共端子71与第一选择端子72的连接状态以及第二公共端子75与多个第二选择端子76、77的连接状态进行切换。第二开关7也可以由控制器20进行控制，而不是由信号处理电路301进行控制。
第三开关11具有公共端子111和多个(在图示例中为3个)选择端子112、113、114。公共端子111经由输入匹配电路12来与低噪声放大器13的输入端子连接。多个选择端子112、113、114中的选择端子112与第一接收滤波器62的输出端子连接。多个选择端子112、113、114中的选择端子113与第二接收滤波器64的输出端子连接。多个选择端子112、113、114中的选择端子114与第三接收滤波器66的输出端子连接。第三开关11例如是能够将多个选择端子112、113、114中的至少1个连接到公共端子111的开关。在此，第三开关11例如是能够进行一对一的连接和一对多的连接的开关。
第三开关11例如是开关IC。第三开关11例如由信号处理电路301进行控制。在该情况下，第三开关11按照来自信号处理电路301的RF信号处理电路302的控制信号，对公共端子111与多个选择端子112、113、114的连接状态进行切换。第三开关11也可以由控制器20进行控制，而不是由信号处理电路301进行控制。
高频段用第四开关10a具有公共端子101和多个(在图示例中为2个)选择端子102、103。公共端子101与第一功率放大器9a的输入端子连接。2个选择端子102、103与2个第一信号输入端子212、214一对一地连接。
高频段用第四开关10a例如是开关IC。高频段用第四开关10a例如由控制器20进行控制。在该情况下，高频段用第四开关10a由控制器20进行控制，对公共端子101与多个选择端子102、103的连接状态进行切换。高频段用第四开关10a也可以由信号处理电路301进行控制。在该情况下，高频段用第四开关10a按照来自信号处理电路301的RF信号处理电路302的控制信号，对公共端子101与多个选择端子102、103的连接状态进行切换。
中频段用第四开关10b具有公共端子105和多个(在图示例中为2个)选择端子106、107。公共端子105与第二功率放大器9b的输入端子连接。2个选择端子106、107与2个第二信号输入端子213、215一对一地连接。
中频段用第四开关10b例如是开关IC。中频段用第四开关10b例如由控制器20进行控制。在该情况下，中频段用第四开关10b由控制器20进行控制，对公共端子105与多个选择端子106、107的连接状态进行切换。中频段用第四开关10b也可以由信号处理电路301进行控制。在该情况下，中频段用第四开关10b按照来自信号处理电路301的RF信号处理电路302的控制信号，对公共端子105与多个选择端子106、107的连接状态进行切换。
第一输出匹配电路8a设置于第一功率放大器9a的输出端子与第二开关7的第一公共端子71之间的信号路径。第一输出匹配电路8a是用于取得第一功率放大器9a与第一发送滤波器61的阻抗匹配的电路。第一输出匹配电路8a例如由1个电感器构成，但是不限于此，例如也可以构成为包括多个电感器和多个电容器，还可以构成为包括变压器。
第二输出匹配电路8b设置于第二功率放大器9b的输出端子与第二开关7的第二公共端子75之间的信号路径。第二输出匹配电路8b是用于取得第二功率放大器9b与第二发送滤波器63及第三发送滤波器65的阻抗匹配的电路。第二输出匹配电路8b例如由1个电感器构成，但是不限于此，例如也可以构成为包括多个电感器和多个电容器，还可以构成为包括变压器。
输入匹配电路12设置于低噪声放大器13的输入端子与第三开关11的公共端子111之间的信号路径。输入匹配电路12是用于取得低噪声放大器13与第一接收滤波器62、第二接收滤波器64及第三接收滤波器66的阻抗匹配的电路。输入匹配电路12例如由1个电感器构成，但是不限于此，例如也可以构成为包括多个电感器和多个电容器。
第一匹配电路5a设置于第一发送滤波器61的输出端子同第一接收滤波器62的输入端子的连接点与第一开关4的第一选择端子42之间的信号路径。第一匹配电路5a是用于取得第一滤波器6a与第一开关4的阻抗匹配的电路。第一匹配电路5a例如由1个电感器构成，但是不限于此，例如也可以构成为包括多个电感器和多个电容器。
第二匹配电路5b设置于第二发送滤波器63的输出端子同第二接收滤波器64的输入端子的连接点与第一开关4的第二选择端子43之间的信号路径。第二匹配电路5b是用于取得第二滤波器6b与第一开关4的阻抗匹配的电路。第二匹配电路5b例如由1个电感器构成，但是不限于此，例如也可以构成为包括多个电感器和多个电容器。
第三匹配电路5c设置于第三发送滤波器65的输出端子同第三接收滤波器66的输入端子的连接点与第一开关4的第二选择端子44之间的信号路径。第三匹配电路5c是用于取得第三滤波器6c与第一开关4的阻抗匹配的电路。第三匹配电路5c例如由1个电感器构成，但是不限于此，例如也可以构成为包括多个电感器和多个电容器。
控制器20与第一功率放大器9a及第二功率放大器9b连接。另外，控制器20经由多个(例如，4个)控制端子216来与信号处理电路301连接。在图1中，仅图示了4个控制端子216中的1个。多个控制端子216是用于将来自外部电路(例如，信号处理电路301)的控制信号输入到控制器20的端子。控制器20基于从多个控制端子216获取到的控制信号来控制第一功率放大器9a和第二功率放大器9b。多个控制端子216例如支持MIPI(Mobile IndustryProcessor Interface：移动产业处理器接口)标准。控制器20具有与多个控制端子216连接的多个端子，来作为供控制信号输入的输入部。多个端子例如支持MIPI标准。控制器20按照来自RF信号处理电路302的控制信号来控制第一功率放大器9a和第二功率放大器9b。
控制器20利用多个端子来接收来自RF信号处理电路302的控制信号，伴随该控制信号，例如向第一功率放大器9a所具有的第一放大部91a和第二放大部92a(参照图2)提供第一偏置(第一偏置电流或第一偏置电压)，向第二功率放大器9b所具有的第一放大部91b和第二放大部92b(参照图2)提供第二偏置(第二偏置电流或第二偏置电压)。在实施方式1所涉及的高频模块1中，控制器20使第一功率放大器9a和第二功率放大器9b中的仅一方动作。换言之，控制器20使从第一功率放大器9a输出发送信号的第一期间与从第二功率放大器9b输出发送信号的第二期间不同。控制器20在第一期间向第一功率放大器9a提供第一偏置，在第二期间向第二功率放大器9b提供第二偏置。控制信号不限于与MIPI标准对应的控制信号，也可以是与GPIO(General Purpose Input/Output：通用型输入输出)对应的控制信号。另外，控制器20还与第一开关4、第二开关7、第三开关11以及多个第四开关10连接，还基于上述的控制信号来控制第一开关4、第二开关7、第三开关11以及多个第四开关10。
(1.2)高频模块的构造
接着，参照图3的A～图5来说明实施方式1所涉及的高频模块1的构造。此外，在图5中，省略了设置于安装基板14内的布线的图示。
如图3的A～图5所示，实施方式1所涉及的高频模块1具备安装基板14、多个电路部件以及多个外部连接端子210。另外，实施方式1所涉及的高频模块1还具备第一树脂层201、第二树脂层202以及屏蔽层203。
多个电路部件包括上述的多个功率放大器9、多个低通滤波器3A、3B、低噪声放大器13、多个滤波器6、多个输出匹配电路8、输入匹配电路12以及多个匹配电路5。另外，多个电路部件还包括上述的第一开关4、第二开关7、第三开关11以及多个第四开关10。
安装基板14具有在安装基板14的厚度方向D1上彼此相向的第一主面141和第二主面142。安装基板14例如是包括多个电介质层和多个导电层的多层基板。多个电介质层和多个导电层在安装基板14的厚度方向D1上进行层叠。多个导电层形成为按每层而决定的规定图案。多个导电层中的各导电层在与安装基板14的厚度方向D1正交的一个平面内包括1个或多个导体部。各导电层的材料例如是铜。多个导电层包括地层。在高频模块1中，多个地端子211(参照图3的B和图4)与地层经由安装基板14所具有的通路导体等进行电连接。安装基板14例如是LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramics：低温共烧陶瓷)基板。安装基板14不限于LTCC基板，例如也可以是印刷电路板、HTCC(High Temperature Co-firedCeramics：高温共烧陶瓷)基板、或者树脂多层基板。
另外，安装基板14不限于LTCC基板，例如也可以是布线构造体。布线构造体例如是多层构造体。多层构造体包括至少1个绝缘层和至少1个导电层。绝缘层形成为规定图案。在绝缘层有多个的情况下，多个绝缘层形成为按每层而决定的规定图案。导电层形成为与绝缘层的规定图案不同的规定图案。在导电层有多个的情况下，多个导电层形成为按每层而决定的规定图案。导电层也可以包括1个或多个重新布线部。在布线构造体中，在多层构造体的厚度方向上彼此相向的2个面中的第一面是安装基板14的第一主面141，第二面是安装基板14的第二主面142。布线构造体例如也可以是插入物。插入物既可以是使用硅基板的插入物，也可以是由多层构成的基板。
安装基板14的第一主面141和第二主面142在安装基板14的厚度方向D1上相离，与安装基板14的厚度方向D1交叉。安装基板14的第一主面141例如与安装基板14的厚度方向D1正交，但是例如也可以包括导体部的侧面等来作为不与厚度方向D1正交的面。另外，安装基板14的第二主面142例如与安装基板14的厚度方向D1正交，但是例如也可以包括导体部的侧面等来作为不与厚度方向D1正交的面。另外，安装基板14的第一主面141和第二主面142也可以形成有细微的凹凸、凹部或凸部。例如，在安装基板14的第一主面141形成有凹部的情况下，凹部的内面包含于第一主面141。在从安装基板14的厚度方向D1俯视时，安装基板14为长方形形状，但是不限于此，例如也可以是正方形形状。
在实施方式1所涉及的高频模块1中，多个电路部件安装于安装基板14的第一主面141或第二主面142。在本公开中，“电路部件安装于安装基板14的第一主面141或第二主面142”包括：电路部件配置于安装基板14的第一主面141或第二主面142(与第一主面141或第二主面142机械连接)；以及电路部件与安装基板14(的适当的导体部)电连接。因而，在高频模块1中，多个电路部件配置于安装基板14的第一主面141或第二主面142。此外，高频模块1不限于仅包括安装于安装基板14的多个电路部件，也可以包括设置于安装基板14内的电路元件。
在实施方式1所涉及的高频模块1中，多个功率放大器9和多个输出匹配电路8安装于安装基板14的第一主面141。另外，在实施方式1所涉及的高频模块1中，多个低通滤波器3A、3B、多个匹配电路5、多个滤波器6以及输入匹配电路12安装于安装基板14的第一主面141。
另外，在实施方式1所涉及的高频模块1中，包括第二开关7、多个第四开关10以及控制器20的1个芯片的IC芯片27安装于安装基板14的第二主面142。另外，在实施方式1所涉及的高频模块1中，包括第一开关4、第三开关11以及低噪声放大器13的1个芯片的IC芯片28安装于安装基板14的第二主面142。
第一功率放大器9a是包括具有第一放大部91a和第二放大部92a的电路部的IC芯片。第一功率放大器9a以倒装芯片安装的方式安装于安装基板14的第一主面141。在从安装基板14的厚度方向D1俯视时，第一功率放大器9a的外周形状为四边形形状。构成第一放大部91a和第二放大部92a中的各放大部的晶体管例如是HBT(Heterojunction BipolarTransistor：异质结双极晶体管)。在该情况下，构成第一功率放大器9a的IC芯片例如是GaAs系IC芯片。构成第一放大部91a和第二放大部92a中的各放大部的晶体管不限于HBT等双极晶体管，例如也可以是FET(Field Effect Transistor：场效应晶体管)。FET例如是MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)。构成第一功率放大器9a的IC芯片不限于GaAs系IC芯片，例如也可以是Si系IC芯片、SiGe系IC芯片或GaN系IC芯片。
第二功率放大器9b是包括具有第一放大部91b和第二放大部92b的电路部的IC芯片。第二功率放大器9b以倒装芯片安装的方式安装于安装基板14的第一主面141。在从安装基板14的厚度方向D1俯视时，第二功率放大器9b的外周形状为四边形形状。构成第一放大部91b和第二放大部92b中的各放大部的晶体管例如是HBT。在该情况下，构成第二功率放大器9b的IC芯片例如是GaAs系IC芯片。构成第一放大部91b和第二放大部92b中的各放大部的晶体管不限于HBT等双极晶体管，例如也可以是FET。FET例如是MOSFET。构成第二功率放大器9b的IC芯片不限于GaAs系IC芯片，例如也可以是Si系IC芯片、SiGe系IC芯片或GaN系IC芯片。
在此，在实施方式1所涉及的高频模块1中，如图3的A、图4及图5所示，第一功率放大器9a和第二功率放大器9b被收纳于1个封装16。换言之，实施方式1所涉及的高频模块1还具备收纳第一功率放大器9a和第二功率放大器9b的封装16。在实施方式1所涉及的高频模块1中，封装16安装于安装基板14的第一主面141，由此第一功率放大器9a和第二功率放大器9b安装于安装基板14的第一主面141。由此，与将第一功率放大器9a和第二功率放大器9b个别地通过引线接合连接于安装基板14的情况相比，实施方式1所涉及的高频模块1能够使从安装基板14的厚度方向D1俯视时的第一主面141的面积小。在此，优选的是，考虑第一功率放大器9a和第二功率放大器9b的散热性，利用散热性高的材料来形成封装16的与安装基板14侧相反的一侧的部分。
第一滤波器6a的第一发送滤波器61和第一接收滤波器62例如分别是梯型滤波器。另外，第二滤波器6b的第二发送滤波器63和第二接收滤波器64例如分别是梯型滤波器。另外，第三滤波器6c的第三发送滤波器65和第三接收滤波器66例如分别是梯型滤波器。第一发送滤波器61和第一接收滤波器62各自具有多个(例如，4个)串联臂谐振器和多个(例如，3个)并联臂谐振器。另外，第二发送滤波器63和第二接收滤波器64各自具有多个(例如，4个)串联臂谐振器和多个(例如，3个)并联臂谐振器。另外，第三发送滤波器65和第三接收滤波器66各自具有多个(例如，4个)串联臂谐振器和多个(例如，3个)并联臂谐振器。
第一发送滤波器61和第一接收滤波器62例如分别是弹性波滤波器。另外，第二发送滤波器63和第二接收滤波器64例如分别是弹性波滤波器。另外，第三发送滤波器65和第三接收滤波器66例如分别是弹性波滤波器。弹性波滤波器的多个串联臂谐振器和多个并联臂谐振器中的各谐振器由弹性波谐振器构成。弹性波滤波器例如是利用声表面波的声表面波滤波器。
在声表面波滤波器中，多个串联臂谐振器和多个并联臂谐振器中的各谐振器例如是SAW(Surface Acoustic Wave：声表面波)谐振器。
声表面波滤波器例如具有压电性基板、形成在压电性基板上的与多个串联臂谐振器一一对应的多个IDT(Interdigital Transducer：叉指换能器)电极、以及形成在压电性基板上的与多个并联臂谐振器一一对应的多个IDT电极。压电性基板例如是压电基板。压电基板例如是铌酸锂基板、钽酸锂基板或水晶基板。压电性基板不限于压电基板，例如也可以是包括硅基板、硅基板上的高声速膜、高声速膜上的低声速膜以及低声速膜上的压电体层的层叠型基板。在层叠型基板中，压电体层的材料例如是铌酸锂或钽酸锂。低声速膜是在低声速膜中传播的体波的声速比在压电体层中传播的体波的声速低的膜。低声速膜的材料例如是氧化硅。高声速膜是在高声速膜中传播的体波的声速比在压电体层中传播的弹性波的声速高的膜。高声速膜的材料例如是氮化硅。
在从安装基板14的厚度方向D1俯视时，第一滤波器6a、第二滤波器6b以及第三滤波器6c各自的外周形状为四边形形状。第一滤波器6a、第二滤波器6b以及第三滤波器6c安装于安装基板14的第一主面141。
第一输出匹配电路8a的电路部件(电感器)例如是芯片电感器。第一输出匹配电路8a的电路部件例如安装于安装基板14的第一主面141。在从安装基板14的厚度方向D1俯视时，第一输出匹配电路8a的电路部件的外周形状为四边形形状。第一输出匹配电路8a也可以包括设置于安装基板14内的内层电感器。
第二输出匹配电路8b的电路部件(电感器)例如是芯片电感器。第二输出匹配电路8b的电路部件例如安装于安装基板14的第一主面141。在从安装基板14的厚度方向D1俯视时，第二输出匹配电路8b的电路部件的外周形状为四边形形状。第二输出匹配电路8b也可以包括设置于安装基板14内的内层电感器。
第一匹配电路5a、第二匹配电路5b以及第三匹配电路5c各自的电路部件(电感器)例如是芯片电感器。第一匹配电路5a、第二匹配电路5b以及第三匹配电路5c各自的电路部件例如安装于安装基板14的第一主面141。在从安装基板14的厚度方向D1俯视时，第一匹配电路5a、第二匹配电路5b以及第三匹配电路5c各自的电路部件的外周形状为四边形形状。第一匹配电路5a、第二匹配电路5b以及第三匹配电路5c中的各匹配电路也可以包括设置于安装基板14内的内层电感器。
第一低通滤波器3A的截止频率是比第一频带的上限高的高频。第二低通滤波器3B的截止频率是比第二频带的上限高的高频。第一低通滤波器3A和第二低通滤波器3B安装于安装基板14的第一主面141。
在实施方式1所涉及的高频模块1中，包括第二开关7、控制器20以及多个第四开关10的IC芯片27安装于安装基板14的第二主面142。在从安装基板14的厚度方向D1俯视时，IC芯片27的外周形状为四边形形状。IC芯片27是Si系IC芯片，但是不限于此。
另外，在实施方式1所涉及的高频模块1中，包括低噪声放大器13、第一开关4以及第三开关11的IC芯片28安装于安装基板14的第二主面142。在从安装基板14的厚度方向D1俯视时，IC芯片28的外周形状为四边形形状。低噪声放大器13所具有的放大用的晶体管是场效应晶体管，但是不限于此，例如也可以是双极晶体管。IC芯片28是Si系IC芯片，但是不限于此。
多个外部连接端子210配置于安装基板14的第二主面142。“外部连接端子210配置于安装基板14的第二主面142”包括：外部连接端子210与安装基板14的第二主面142机械连接；以及外部连接端子210与安装基板14(的适当的导体部)电连接。多个外部连接端子210的材料例如是金属(例如，铜、铜合金等)。多个外部连接端子210分别是柱状电极。柱状电极例如是圆柱状的电极。多个外部连接端子210例如通过焊接来与安装基板14的导体部接合，但是不限于此，例如也可以使用导电性粘接剂(例如，导电性膏)来接合，还可以直接接合。
多个外部连接端子210除了包括上述的第一天线端子2A、第二天线端子2B、2个第一信号输入端子212、214、2个第二信号输入端子213、215、4个控制端子216以及信号输出端子217以外，还包括多个地端子211。如上所述，多个地端子211与安装基板14的地层电连接。地层是高频模块1的电路地。多个电路部件包括与地层电连接的电路部件。另外，多个外部连接端子210还包括第一电源端子218和第二电源端子219。
第一树脂层201在安装基板14的第一主面141侧覆盖安装于安装基板14的第一主面141的多个电路部件中的各电路部件。第一树脂层201包含树脂(例如，环氧树脂)。第一树脂层201也可以除了包含树脂以外还包含填料。
第二树脂层202在安装基板14的第二主面142侧覆盖安装于安装基板14的第二主面142的多个电路部件中的各电路部件以及多个外部连接端子210各自的外周面。第二树脂层202包含树脂(例如，环氧树脂)。第二树脂层202也可以除了包含树脂以外还包含填料。第二树脂层202的材料既可以是与第一树脂层201的材料相同的材料，也可以是不同的材料。
第二树脂层202也可以形成为使安装于安装基板14的第二主面142的多个电路部件各自的与安装基板14侧相反的一侧的主面暴露出来。
屏蔽层203具有导电性。屏蔽层203具有层叠多个金属层而成的多层构造，但是不限于此，也可以是1个金属层。金属层包含一种或多种金属。屏蔽层203覆盖第一树脂层201的与安装基板14侧相反的一侧的主面、第一树脂层201的外周面、安装基板14的外周面以及第二树脂层202的外周面。屏蔽层203与安装基板14所具有的地层接触。由此，能够使屏蔽层203的电位与地层的电位相同。
(1.3)高频模块的布局
在高频模块1中，如图3的A所示，在从安装基板14的厚度方向D1俯视时，第一功率放大器9a与第二功率放大器9b相邻。在本公开中，“第一功率放大器9a与第二功率放大器9b相邻”表示：在从安装基板14的厚度方向D1俯视时，在第一功率放大器9a与第二功率放大器9b之间不存在其它电路部件，第一功率放大器9a与第二功率放大器9b彼此相邻。
另外，在高频模块1中，如图3的A所示，从第一功率放大器9a来看，第一输出匹配电路8a位于与第二功率放大器9b相反的一侧。另外，在高频模块1中，从第二功率放大器9b来看，第二输出匹配电路8b位于与第一功率放大器9a相反的一侧。在高频模块1中，在第一功率放大器9a与第二功率放大器9b排列的方向(以下称为第二方向D2)上，第一输出匹配电路8a、第一功率放大器9a、第二功率放大器9b和第二输出匹配电路8b按第一输出匹配电路8a、第一功率放大器9a、第二功率放大器9b、第二输出匹配电路8b的顺序排列。
在高频模块1中，如图4所示，在从安装基板14的厚度方向D1俯视时，高频段用第四开关10a与第一功率放大器9a重叠。在图4中，在从安装基板14的厚度方向D1俯视时，高频段用第四开关10a的全部与第一功率放大器9a的一部分重叠，但是不限于此，也可以是，高频段用第四开关10a的一部分与第一功率放大器9a的一部分重叠。另外，也可以是，高频段用第四开关10a的全部与第一功率放大器9a的全部重叠，还可以是，高频段用第四开关10a的一部分与第一功率放大器9a的全部重叠。
另外，在高频模块1中，如图4所示，在从安装基板14的厚度方向D1俯视时，中频段用第四开关10b与第二功率放大器9b重叠。在图4中，在从安装基板14的厚度方向D1俯视时，中频段用第四开关10b的一部分与第二功率放大器9b的一部分重叠，但是不限于此，也可以是，中频段用第四开关10b的全部与第二功率放大器9b的一部分重叠。另外，也可以是，中频段用第四开关10b的全部与第二功率放大器9b的全部重叠，还可以是，中频段用第四开关10b的一部分与第二功率放大器9b的全部重叠。
另外，在高频模块1中，如图3的A和图3的B所示，在从安装基板14的厚度方向D1俯视时，第一功率放大器9a和第二功率放大器9b不与低噪声放大器13重叠。
另外，在高频模块1中，如图3的A和图3的B所示，在从安装基板14的厚度方向D1俯视时，与向第一功率放大器9a的第一放大部91a和第二功率放大器9b的第一放大部91b提供电源电压的第一电源21连接的第一电源端子218以及与向第一功率放大器9a的第二放大部92a和第二功率放大器9b的第二放大部92b提供电源电压的第二电源22连接的第二电源端子219沿着第二方向D2排列。另外，在高频模块1中，在从与安装基板14的厚度方向D1及第二方向D2这两方交叉的第三方向D3俯视时，第一电源端子218和第二电源端子219配置于第一功率放大器9a的与第二功率放大器9b侧相反的一侧的外周面91同第二功率放大器9b的与第一功率放大器9a侧相反的一侧的外周面92之间。另外，在高频模块1中，如图3的A和图3的B所示，在从安装基板14的厚度方向D1俯视时，与距IC芯片28相比，第一电源端子218和第二电源端子219距第一功率放大器9a和第二功率放大器9b更近。换言之，在高频模块1中，从第一电源端子218和第二电源端子219到第一功率放大器9a和第二功率放大器9b的距离比从第一电源端子218和第二电源端子219到IC芯片28的距离短。另外，在高频模块1中，如图3的A所示，在从安装基板14的厚度方向D1俯视时，第一电源端子218及第二电源端子219不与第一功率放大器9a及第二功率放大器9b重叠。
在此，高频模块1的电路结构具有进行发送信号的发送的发送电路以及进行接收信号的接收的接收电路。在高频模块1中，多个电路部件中的仅包含于发送电路的电路部件与除此以外的电路部件(仅包含于接收电路的电路部件、由发送电路和接收电路共用的电路部件)在安装基板14的厚度方向D1上不重叠。多个电路部件中的仅包含于发送电路的电路部件的组包括第一功率放大器9a、第二功率放大器9b、第一输出匹配电路8a、第二输出匹配电路8b、第二开关7、多个第四开关10以及控制器20。多个电路部件中的仅包含于接收电路的电路部件的组包括第三开关11、输入匹配电路12以及低噪声放大器13。由发送电路和接收电路共用的电路部件的组包括多个滤波器6、多个匹配电路5、第一开关4、多个低通滤波器3A、3B。
在从安装基板14的厚度方向D1俯视时，高频模块1被分为第一区域和第二区域，在该第一区域配置有多个电路部件中的仅包含于发送电路的电路部件的组，在第二区域配置有仅包含于接收电路的电路部件的组以及由发送电路和接收电路共用的电路部件的组。
(2)效果
(2.1)高频模块
实施方式1所涉及的高频模块1具备安装基板14、第一功率放大器9a、第二功率放大器9b、电路部件(例如，IC芯片28)、以及外部连接端子(第一电源端子218和第二电源端子219)。安装基板14具有彼此相向的第一主面141和第二主面142。第一功率放大器9a安装于安装基板14的第一主面141。第二功率放大器9b安装于安装基板14的第一主面141。电路部件安装于安装基板14的第二主面142。外部连接端子配置于安装基板14的第二主面142。外部连接端子与向第一功率放大器9a和第二功率放大器9b提供电源电压的电源(第一电源21和第二电源22)连接。外部连接端子与第一功率放大器9a及第二功率放大器9b这两方连接。
在实施方式1所涉及的高频模块1中，如上所述，外部连接端子与第一功率放大器9a及第二功率放大器9b这两方连接。因此，与针对第一功率放大器9a和第二功率放大器9b分别设置有外部连接端子的情况相比，能够使从安装基板14的厚度方向D1俯视时的安装基板14的第一主面141的面积小。由此，实施方式1所涉及的高频模块1能够实现安装基板14的小型化，作为结果，也能够实现高频模块1的小型化。
另外，在实施方式1所涉及的高频模块1中，在从安装基板14的厚度方向D1俯视时，与距IC芯片28相比，外部连接端子距第一功率放大器9a和第二功率放大器9b更近。由此，能够使从外部连接端子到第一功率放大器9a和第二功率放大器9b的布线长度短。
另外，在实施方式1所涉及的高频模块1中，在从第三方向D3俯视时，外部连接端子配置于第一功率放大器9a的与第二功率放大器9b侧相反的一侧的外周面91同第二功率放大器9b的与第一功率放大器9a侧相反的一侧的外周面92之间。由此，实施方式1所涉及的高频模块1能够使从外部连接端子到第一功率放大器9a和第二功率放大器9b的布线长度短，其结果，能够抑制振荡，并且能够减少噪声的泄露。
另外，在实施方式1所涉及的高频模块1中，在从安装基板14的厚度方向D1俯视时，外部连接端子不与第一功率放大器9a及第二功率放大器9b重叠。由此，实施方式1所涉及的高频模块1能够在第一功率放大器9a和第二功率放大器9b的正下方配置热通孔(散热通路)，其结果，能够提高散热性。
在实施方式1所涉及的高频模块1中，第一功率放大器9a和第二功率放大器9b被收纳于封装16，但是也可以独立地设置第一功率放大器9a和第二功率放大器9b。
在实施方式1中，高频模块1构成为进行使用2个天线310、311的同时通信，但是不限定于该结构。高频模块1也可以构成为进行使用1个天线的同时通信。
(2.2)通信装置
实施方式1所涉及的通信装置300具备上述的高频模块1以及信号处理电路301。信号处理电路301与高频模块1连接。
实施方式1所涉及的通信装置300具备高频模块1，因此能够实现安装基板的小型化。
构成信号处理电路301的多个电路部件例如既可以安装于上述的电路基板，也可以安装于与安装有高频模块1的电路基板(第一电路基板)不同的电路基板(第二电路基板)。
(3)变形例
(3.1)变形例1
参照图6来说明实施方式1的变形例1所涉及的高频模块1a。关于变形例1所涉及的高频模块1a，对与实施方式1所涉及的高频模块1同样的结构要素，标注同一标记并省略说明。此外，高频模块1a的电路结构与参照图1来说明的实施方式1所涉及的高频模块1的电路结构相同。
变形例1所涉及的高频模块1a在以下方面与实施方式1所涉及的高频模块1不同：多个外部连接端子210是球凸块。另外，变形例1所涉及的高频模块1a在以下方面与实施方式1所涉及的高频模块1不同：不具备实施方式1所涉及的高频模块1的第二树脂层202。变形例1所涉及的高频模块1a也可以具备底部填充件部，该底部填充件部设置于安装于安装基板14的第二主面142的电路部件(IC芯片27和IC芯片28)与安装基板14的第二主面142之间的间隙。
构成多个外部连接端子210中的各外部连接端子的球凸块的材料例如是金、铜、焊料等。
多个外部连接端子210也可以是由球凸块构成的外部连接端子210与由柱状电极构成的外部连接端子210混合存在。
(实施方式2)
参照图7、图8的A以及图8的B来说明实施方式2所涉及的高频模块1b。关于实施方式2所涉及的高频模块1b，对与实施方式1所涉及的高频模块1相同的结构要素，标注同一标记并省略说明。
实施方式2所涉及的高频模块1b在以下方面与实施方式1所涉及的高频模块1不同：还具备多个(在图示例中为2个)电容元件15。多个电容元件15中的一方的电容元件15连接于将第一电源端子218与第一放大部91a、91b连结的路径R1同地之间。另外，多个电容元件15中的另一方的电容元件15连接于将第二电源端子219与第二放大部92a、92b连结的路径R2同地之间。换言之，实施方式2所涉及的高频模块1b还具备电容元件15，该电容元件15连接于将外部连接端子(第一电源端子218和第二电源端子219)与第一功率放大器9a及第二功率放大器9b连结的路径R1、R2同地之间。多个电容元件15例如分别是电容器。多个电容元件15分别作为使路径R1、R2中产生的高频噪声绕到地的旁路电容器来发挥功能。
在此，在实施方式2所涉及的高频模块1b中，如图8的A和图8的B所示，在从安装基板14的厚度方向D1俯视时，第一电源端子218及第二电源端子219与电容元件15重叠。由此，实施方式2所涉及的高频模块1b能够使第一电源端子218及第二电源端子219与电容元件15之间的布线长度短。在图8的A和图8的B中，第一电源端子218及第二电源端子219的全部与电容元件15的一部分重叠，但是例如也可以是，第一电源端子218及第二电源端子219的一部分与电容元件15的一部分重叠。
(方式)
本说明书公开了以下的方式。
第一方式所涉及的高频模块(1；1a；1b)具备安装基板(14)、第一功率放大器(9a)、第二功率放大器(9b)、电路部件(例如，IC芯片28)以及外部连接端子(218、219)。安装基板(14)具有彼此相向的第一主面(141)和第二主面(142)。第一功率放大器(9a)安装于安装基板(14)的第一主面(141)。第二功率放大器(9b)安装于安装基板(14)的第一主面(141)。电路部件是与第一功率放大器(9a)及第二功率放大器(9b)不同的部件，安装于安装基板(14)的第二主面(142)。外部连接端子(218、219)配置于安装基板(14)的第二主面(142)。外部连接端子(218、219)与向第一功率放大器(9a)和第二功率放大器(9b)提供电源电压的电源(21、22)连接。外部连接端子(218、219)与第一功率放大器(9a)及第二功率放大器(9b)这两方连接。
根据该方式，与针对第一功率放大器(9a)和第二功率放大器(9b)分别设置外部连接端子的情况相比，能够使从安装基板(14)的厚度方向(D1)俯视时的安装基板(14)的表面积小。即，根据该方式，能够实现安装基板(14)的小型化。
第二方式所涉及的高频模块(1；1a；1b)如下：在第一方式中，还具备天线端子(2A、2B)。电路部件是包括低噪声放大器(13)以及与天线端子(2A、2B)连接的开关(4)的IC芯片(28)。在从安装基板(14)的厚度方向(D1)俯视时，与距IC芯片(28)相比，外部连接端子(218、219)距第一功率放大器(9a)和第二功率放大器(9b)更近。
根据该方式，能够使从外部连接端子(218、219)到第一功率放大器(9a)和第二功率放大器(9b)的布线长度短。
在第三方式所涉及的高频模块(1；1a；1b)中，在第一方式或第二方式中，在从与安装基板(14)的厚度方向(D1)交叉且与第一功率放大器(9a)及第二功率放大器(9b)排列的方向(第二方向D2)交叉的方向(第三方向D3)俯视时，外部连接端子(218、219)配置于第一功率放大器(9a)的与第二功率放大器(9b)侧相反的一侧的外周面(91)同第二功率放大器(9b)的与第一功率放大器(9a)侧相反的一侧的外周面(92)之间。
根据该方式，能够使从外部连接端子(218、219)到第一功率放大器(9a)和第二功率放大器(9b)的布线长度短，其结果，能够抑制振荡，并且能够减少噪声的泄露。
第四方式所涉及的高频模块(1b)如下：在第一方式～第三方式中的任一个方式中，还具备电容元件(15)。电容元件(15)连接于将外部连接端子(218、219)与第一功率放大器(9a)及第二功率放大器(9b)连结的路径(R1、R2)同地之间。
根据该方式，能够实现电路的简化。
在第五方式所涉及的高频模块(1b)中，在第四方式中，在从安装基板(14)的厚度方向(D1)俯视时，外部连接端子(218、219)与电容元件(15)重叠。
根据该方式，能够使外部连接端子(218、219)与电容元件(15)之间的布线长度短。
在第六方式所涉及的高频模块(1；1a；1b)中，在第一方式～第五方式中的任一个方式中，在从安装基板(14)的厚度方向(D1)俯视时，外部连接端子(218、219)不与第一功率放大器(9a)及第二功率放大器(9b)重叠。
根据该方式，能够在第一功率放大器(9a)和第二功率放大器(9b)的正下方配置热通孔(散热通路)，其结果，能够提高散热性。
第七方式所涉及的高频模块(1；1a；1b)如下：在第一方式～第六方式中的任一个方式中，还具备作为外部连接端子的不同于第一外部连接端子(218)的第二外部连接端子(219)。第一功率放大器(9a)和第二功率放大器(9b)中的各功率放大器具有被多级连接的第一放大部(91a、91b)和第二放大部(92a、92b)。第一外部连接端子(218)与第一功率放大器(9a)的第一放大部(91a)及第二功率放大器(9b)的第一放大部(91b)连接。第二外部连接端子(219)与第一功率放大器(9a)的第二放大部(92a)及第二功率放大器(9b)的第二放大部(92b)连接。
根据该方式，与针对第一功率放大器(9a)和第二功率放大器(9b)分别设置外部连接端子的情况相比，能够实现在从安装基板(14)的厚度方向(D1)俯视时的安装基板(14)的小型化。
在第八方式所涉及的高频模块(1；1a；1b)中，在第一方式～第七方式中的任一个方式中，第一功率放大器(9a)和第二功率放大器(9b)被收纳于1个封装(16)。
根据该方式，与将第一功率放大器(9a)和第二功率放大器(9b)个别地通过引线接合连接于安装基板(14)的情况相比，能够使从安装基板(14)的厚度方向(D1)俯视时的安装基板(14)的表面积小。
在第九方式所涉及的高频模块(1；1a；1b)中，在第一方式～第八方式中的任一个方式中，第一功率放大器(9a)将第一频带的发送信号放大后输出。第二功率放大器(9b)将比第一频带靠低频侧的第二频带的发送信号放大后输出。
根据该方式，能够使第一频带的发送信号的发送功率比第二频带的发送信号的发送功率大。
在第十方式所涉及的高频模块(1；1a；1b)中，在第九方式中，第一频带包含TDD用的通信频段的发送带。第二频带包含FDD用的通信频段的发送带。
根据该方式，能够使TDD用的发送信号的发送功率比FDD用的发送信号的发送功率大。
第十一方式所涉及的高频模块(1；1a；1b)如下：在第一方式～第十方式中的任一个方式中，还具备控制器(20)。控制器(20)对第一功率放大器(9a)和第二功率放大器(9b)进行控制。控制器(20)使从第一功率放大器(9a)输出发送信号的期间与从第二功率放大器(9b)输出发送信号的期间不同。
根据该方式，能够通过1个电源(21、22)来控制第一功率放大器(9a)和第二功率放大器(9b)这两方。
第十二方式所涉及的通信装置(300)具备第一方式～第十一方式中的任一个方式的高频模块(1；1a；1b)以及信号处理电路(301)。信号处理电路(301)与高频模块(1；1a；1b)连接。
根据该方式，与针对第一功率放大器(9a)和第二功率放大器(9b)分别设置外部连接端子的情况相比，能够使从安装基板(14)的厚度方向(D1)俯视时的安装基板(14)的表面积小。即，根据该方式，能够实现安装基板(14)的小型化。

Claims (23)

1.一种高频模块，其特征在于，具备：
安装基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；
第一功率放大器，其安装于所述安装基板的所述第一主面；
第二功率放大器，其安装于所述安装基板的所述第一主面；
电路部件，其是与所述第一功率放大器及所述第二功率放大器不同的部件，安装于所述安装基板的所述第二主面；以及
外部连接端子，其配置于所述安装基板的所述第二主面，与向所述第一功率放大器和所述第二功率放大器提供电源电压的电源连接，且与所述第一功率放大器及所述第二功率放大器这两方连接。
2.根据权利要求1所述的高频模块，其特征在于，
还具备天线端子，
所述电路部件是包括低噪声放大器以及与所述天线端子连接的开关的集成电路芯片，
在从所述安装基板的厚度方向俯视时，与距所述集成电路芯片相比，所述外部连接端子距所述第一功率放大器和所述第二功率放大器更近。
3.根据权利要求1或2所述的高频模块，其特征在于，
在从与所述安装基板的厚度方向交叉且与所述第一功率放大器及所述第二功率放大器排列的方向交叉的方向俯视时，所述外部连接端子配置于所述第一功率放大器的与所述第二功率放大器侧相反的一侧的外周面同所述第二功率放大器的与所述第一功率放大器侧相反的一侧的外周面之间。
4.根据权利要求1或2所述的高频模块，其特征在于，
还具备电容元件，所述电容元件连接于将所述外部连接端子与所述第一功率放大器及所述第二功率放大器连结的路径同地之间。
5.根据权利要求3所述的高频模块，其特征在于，
还具备电容元件，所述电容元件连接于将所述外部连接端子与所述第一功率放大器及所述第二功率放大器连结的路径同地之间。
6.根据权利要求4所述的高频模块，其特征在于，
在从所述安装基板的厚度方向俯视时，所述外部连接端子与所述电容元件重叠。
7.根据权利要求5所述的高频模块，其特征在于，
在从所述安装基板的厚度方向俯视时，所述外部连接端子与所述电容元件重叠。
8.根据权利要求1或2所述的高频模块，其特征在于，
在从所述安装基板的厚度方向俯视时，所述外部连接端子不与所述第一功率放大器及所述第二功率放大器重叠。
9.根据权利要求3所述的高频模块，其特征在于，
在从所述安装基板的厚度方向俯视时，所述外部连接端子不与所述第一功率放大器及所述第二功率放大器重叠。
10.根据权利要求4所述的高频模块，其特征在于，
在从所述安装基板的厚度方向俯视时，所述外部连接端子不与所述第一功率放大器及所述第二功率放大器重叠。
11.根据权利要求1或2所述的高频模块，其特征在于，
还具备作为所述外部连接端子的不同于第一外部连接端子的第二外部连接端子，
所述第一功率放大器和所述第二功率放大器中的各功率放大器具有被多级连接的第一放大部和第二放大部，
所述第一外部连接端子与所述第一功率放大器的所述第一放大部及所述第二功率放大器的所述第一放大部连接，
所述第二外部连接端子与所述第一功率放大器的所述第二放大部及所述第二功率放大器的所述第二放大部连接。
12.根据权利要求1或2所述的高频模块，其特征在于，
所述第一功率放大器和所述第二功率放大器被收纳于1个封装。
13.根据权利要求3所述的高频模块，其特征在于，
所述第一功率放大器和所述第二功率放大器被收纳于1个封装。
14.根据权利要求4所述的高频模块，其特征在于，
所述第一功率放大器和所述第二功率放大器被收纳于1个封装。
15.根据权利要求1或2所述的高频模块，其特征在于，
所述第一功率放大器将第一频带的发送信号放大后输出，
所述第二功率放大器将比所述第一频带靠低频侧的第二频带的发送信号放大后输出。
16.根据权利要求3所述的高频模块，其特征在于，
所述第一功率放大器将第一频带的发送信号放大后输出，
所述第二功率放大器将比所述第一频带靠低频侧的第二频带的发送信号放大后输出。
17.根据权利要求4所述的高频模块，其特征在于，
所述第一功率放大器将第一频带的发送信号放大后输出，
所述第二功率放大器将比所述第一频带靠低频侧的第二频带的发送信号放大后输出。
18.根据权利要求15所述的高频模块，其特征在于，
所述第一频带包含时分双工用的通信频段的发送带，
所述第二频带包含频分双工用的通信频段的发送带。
19.根据权利要求16或17所述的高频模块，其特征在于，
所述第一频带包含时分双工用的通信频段的发送带，
所述第二频带包含频分双工用的通信频段的发送带。
20.根据权利要求1或2所述的高频模块，其特征在于，
还具备对所述第一功率放大器和所述第二功率放大器进行控制的控制器，
所述控制器使从所述第一功率放大器输出发送信号的期间与从所述第二功率放大器输出发送信号的期间不同。
21.根据权利要求3所述的高频模块，其特征在于，
还具备对所述第一功率放大器和所述第二功率放大器进行控制的控制器，
所述控制器使从所述第一功率放大器输出发送信号的期间与从所述第二功率放大器输出发送信号的期间不同。
22.根据权利要求4所述的高频模块，其特征在于，
还具备对所述第一功率放大器和所述第二功率放大器进行控制的控制器，
所述控制器使从所述第一功率放大器输出发送信号的期间与从所述第二功率放大器输出发送信号的期间不同。
23.一种通信装置，其特征在于，具备：
根据权利要求1～22中的任一项所述的高频模块；以及
信号处理电路，其与所述高频模块连接。
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