CN215818129U - 高频模块和通信装置 - Google Patents

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Abstract

提供一种高频模块和通信装置，实现发送功率的提高。高频模块具备第一功率放大器、第二功率放大器、开关、多个第一滤波器以及第二滤波器。第一功率放大器将第一频带的发送信号放大后输出。第二功率放大器将第二频带的发送信号放大后输出。多个第一滤波器各自的通带包含于第一频带。第二滤波器的通带包含于第二频带。第二功率放大器的输出功率水平大于第一功率放大器的输出功率水平。第一功率放大器的第一输出端子能够经由开关来与多个第一滤波器连接。第二功率放大器的第二输出端子不经由开关地与第二滤波器连接。

Description

高频模块和通信装置
技术领域
本实用新型一般来说涉及一种高频模块以及具备该高频模块的通信装置，更详细地说，涉及一种具备安装基板的高频模块以及具备该高频模块的通信装置。
背景技术
专利文献1中公开了一种高频模块以及在前端电路中使用了该高频模块的通信装置。
专利文献1所记载的高频模块是对多个频段的高频信号进行处理的复合部件，由形成于单个基板的多个电路模块构成。多个电路模块例如包括功率放大电路和开关电路。
功率放大电路具有多个功率放大器和多个滤波器。多个功率放大器和多个滤波器设置于与不同的频段对应的信号路径。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2018-137522号公报
实用新型内容
实用新型要解决的问题
在高频模块以及具备该高频模块的通信装置中，存在以下情况：在多个功率放大器所要求的输出功率水平互不相同的情况下，要求发送功率的提高。
本实用新型的目的在于提供一种能够实现发送功率的提高的高频模块和通信装置。
用于解决问题的方案
本实用新型的一个方式所涉及的高频模块具备安装基板、第一功率放大器、第二功率放大器、开关、多个第一滤波器以及第二滤波器。所述安装基板具有彼此相向的第一主面和第二主面。所述第一功率放大器具有第一输入端子和第一输出端子。所述第一功率放大器安装于所述安装基板。所述第一功率放大器将第一频带的发送信号放大后输出。所述第二功率放大器具有第二输入端子和第二输出端子。所述第二功率放大器安装于所述安装基板。所述第二功率放大器将不同于所述第一频带的第二频带的发送信号放大后输出。所述开关具有公共端子以及能够与所述公共端子连接的多个选择端子。所述开关安装于所述安装基板。所述多个第一滤波器安装于所述安装基板。所述第二滤波器安装于所述安装基板。所述多个第一滤波器各自的通带包含于所述第一频带。所述第二滤波器的通带包含于所述第二频带。所述第二功率放大器的输出功率水平大于所述第一功率放大器的输出功率水平。所述第一功率放大器的所述第一输出端子能够经由所述开关来与所述多个第一滤波器连接。所述第二功率放大器的所述第二输出端子不经由所述开关地与所述第二滤波器连接。
优选地，所述第二功率放大器安装于所述安装基板的所述第一主面，所述开关安装于所述安装基板的所述第二主面，在从所述安装基板的厚度方向俯视时，所述开关与所述第二功率放大器重叠。
优选地，在从所述安装基板的厚度方向俯视时，所述第二功率放大器与所述第二滤波器之间的距离比所述第一功率放大器与所述多个第一滤波器中的各第一滤波器之间的距离短。
优选地，所述高频模块还具备：第一陷波滤波器，其设置于所述第一功率放大器与所述开关之间；以及第二陷波滤波器，其设置于所述第二功率放大器与所述第二滤波器之间。
优选地，所述高频模块还具备对所述第一功率放大器和所述第二功率放大器进行控制的控制器，包括所述开关和所述控制器的IC芯片安装于所述安装基板的所述第二主面。
优选地，所述控制器具有使所述第一功率放大器与所述第二功率放大器同时动作的模式以及使所述第一功率放大器与所述第二功率放大器中的一方动作的模式。
优选地，所述第二频带是比所述第一频带靠高频侧的频带。
优选地，所述第一频带包含频分双工用的通信频段的发送带，所述第二频带包含时分双工用的通信频段的发送带。
优选地，所述多个第一滤波器和所述第二滤波器中的各滤波器是包括发送滤波器和接收滤波器的双工器。
优选地，所述高频模块还具备：与作为所述开关的第一开关不同的第二开关；以及低噪声放大器，其具有输入端子和输出端子，该低噪声放大器将接收信号放大后输出，其中，所述第二开关具有公共端子以及用于连接多个所述双工器的所述接收滤波器的多个选择端子，所述低噪声放大器的所述输入端子与所述第二开关的所述公共端子连接。
优选地，包括所述低噪声放大器和所述第二开关的集成电路芯片安装于所述安装基板的所述第二主面，在从所述安装基板的厚度方向俯视时，所述第一功率放大器及所述第二功率放大器不与所述低噪声放大器重叠。
优选地，所述高频模块还具备配置于所述安装基板的所述第二主面的多个外部连接端子。
本实用新型的一个方式所涉及的通信装置具备上述高频模块和信号处理电路。所述信号处理电路与所述高频模块连接。
实用新型的效果
本实用新型的上述方式所涉及的高频模块和通信装置能够实现发送功率的提高。
附图说明
图1是具备实施方式1所涉及的高频模块的通信装置的电路结构图。
图2A表示同上的高频模块，是省略了屏蔽层和树脂层的图示的俯视图。图2B表示同上的高频模块，是从安装基板的第一主面侧透视安装基板的第二主面以及配置于安装基板的第二主面的电路部件和多个外部连接端子的俯视图。
图3表示同上的高频模块，是图2A的A-A线截面图。
图4A表示实施方式1的变形例1所涉及的高频模块，是省略了屏蔽层和树脂层的图示的俯视图。图4B表示同上的高频模块，是从安装基板的第一主面侧透视安装基板的第二主面以及配置于安装基板的第二主面的电路部件和多个外部连接端子的俯视图。
图5是实施方式1的变形例2所涉及的高频模块的截面图。
图6是实施方式1的变形例3所涉及的高频模块的截面图。
图7是具备实施方式2所涉及的高频模块的通信装置的电路结构图。
附图标记说明
1：第一功率放大器；11：第一输入端子；12：第一输出端子；2：第二功率放大器；21：第二输入端子；22：第二输出端子；3：开关(第一开关)；30：公共端子；31：选择端子；4、4A、4B：第一滤波器(双工器)；41：发送滤波器；42：接收滤波器；5：第二滤波器(双工器)；51：发送滤波器；52：接收滤波器；6：第二开关；60：公共端子；61：选择端子；7：第三开关；70A：第一公共端子；70B：第二公共端子；71：第一选择端子；72：第二选择端子；8：外部连接端子；81：第一天线端子；82：第二天线端子；83：第一信号输入端子；84：第二信号输入端子；85：控制端子；86：信号输出端子；9：低噪声放大器；91：输入端子；92：输出端子；10：安装基板；101：第一主面；102：第二主面；103：外周面；13：第一输出匹配电路；14：第二输出匹配电路；15、15A、15B：第一匹配电路；16：第二匹配电路；17：第一低通滤波器；18：第二低通滤波器；19：输入匹配电路；20：控制器；23：第四开关；230：公共端子；231：选择端子；24：第五开关；240：公共端子；241：选择端子；25：第一陷波滤波器；26：第二陷波滤波器；27：IC芯片；28：IC芯片；105：树脂层(第一树脂层)；151：主面；153：外周面；106：屏蔽层；107：树脂层(第二树脂层)；171：主面；173：外周面；100、100a、100b、100c、100d：高频模块；300、300d：通信装置；301：信号处理电路；302：RF信号处理电路；303：基带信号处理电路；311：第一天线；312：第二天线；D1：厚度方向；W1、W2、W13、W14：布线。
具体实施方式
在下面的实施方式等中参照的图2A、2B、3、4A、4B、5及6均是示意性的图，图中的各结构要素的大小之比、厚度之比未必反映了实际的尺寸比。
(实施方式1)
如图1所示，实施方式1所涉及的高频模块100例如具备第一功率放大器1、第二功率放大器2、开关3、多个(例如，2个)第一滤波器4、以及第二滤波器5。第一功率放大器1具有第一输入端子11和第一输出端子12。第一功率放大器1将第一频带(例如，1450MHz-2200MHz)的发送信号(以下也称为第一发送信号)放大后输出。第二功率放大器2具有第二输入端子21和第二输出端子22。第二功率放大器2将不同于第一频带的第二频带(例如，2300MHz-2700MHz)的发送信号(以下也称为第二发送信号)放大后输出。开关3具有公共端子30以及能够与公共端子30连接的多个(例如，2个)选择端子31。多个第一滤波器4各自的通带包含于第一频带。第二滤波器5的通带包含于第二频带。
在高频模块100中，第二功率放大器2的输出功率水平(例如，33dBm)大于第一功率放大器1的输出功率水平(例如，30dBm)。第一功率放大器1的第一输出端子12能够经由开关3来与多个第一滤波器4连接。多个第一滤波器4的通带互不相同。
高频模块100还具备多个外部连接端子8。多个外部连接端子8包括能够与第一功率放大器1连接的第一天线端子81以及能够与第二功率放大器2连接的第二天线端子82。在高频模块100中，第二天线端子82处的第二发送信号的发送功率(例如，26dBm)大于第一天线端子81处的第一发送信号的发送功率(例如，23dBm)。
另外，如图2A、2B及3所示，高频模块100具备安装基板10。安装基板10具有在安装基板10的厚度方向D1(参照图3)上彼此相向的第一主面101和第二主面102。第一功率放大器1、第二功率放大器2、开关3、多个第一滤波器4以及第二滤波器5安装于安装基板10。另外，多个外部连接端子8配置于安装基板10的第二主面102。
下面，参照图1来更详细地说明实施方式1所涉及的高频模块100和通信装置300。
(1)高频模块和通信装置
(1.1)高频模块和通信装置的电路结构
高频模块100例如使用于通信装置300。通信装置300例如是便携式电话(例如，智能电话)，但是不限于此，例如也可以是可穿戴终端(例如，智能手表)等。高频模块100例如是能够支持4G(第四代移动通信)标准、5G(第五代移动通信)标准等的模块。4G标准例如是3GPP LTE(Long Term Evolution：长期演进)标准。5G标准例如是5G NR(New Radio：新空口)。高频模块100例如是能够支持载波聚合和双连接的模块。
高频模块100能够支持在上行链路中同时使用多个(在实施方式1中为2个)频带(第一频带和第二频带)的同时通信。高频模块100构成为能够将从信号处理电路301输入的第一频带的发送信号(高频信号)通过第一功率放大器1放大后输出到第一天线311。另外，高频模块100构成为能够将从信号处理电路301输入的第二频带的发送信号(高频信号)通过第二功率放大器2放大后输出到第二天线312。另外，高频模块100还具备低噪声放大器9，构成为能够将从第一天线311输入的第一频带的接收信号通过低噪声放大器9放大后输出到信号处理电路301。信号处理电路301不是高频模块100的结构要素，而是具备高频模块100的通信装置300的结构要素。高频模块100例如由通信装置300所具备的信号处理电路301进行控制。通信装置300具备高频模块100和信号处理电路301。通信装置300还具备第一天线311和第二天线312。通信装置300还具备安装有高频模块100的电路基板。电路基板例如是印刷电路板。电路基板具备被提供地电位的地电极。
信号处理电路301例如包括RF信号处理电路302和基带信号处理电路303。RF信号处理电路302例如是RFIC(Radio Frequency Integrated Circuit，射频集成电路)，对高频信号进行信号处理。RF信号处理电路302例如对从基带信号处理电路303输出的高频信号(发送信号)进行上变频等信号处理，并输出进行了信号处理的高频信号。另外，RF信号处理电路302例如对从高频模块100输出的高频信号(接收信号)进行下变频等信号处理，并将进行了信号处理的高频信号输出到基带信号处理电路303。基带信号处理电路303例如是BBIC(Baseband Integrated Circuit：基带集成电路)。基带信号处理电路303基于基带信号来生成I相信号和Q相信号。基带信号例如是从外部输入的声音信号、图像信号等。基带信号处理电路303通过将I相信号与Q相信号合成来进行IQ调制处理后，输出发送信号。此时，发送信号被生成为将规定频率的载波信号以比该载波信号的周期长的周期进行振幅调制而得到的调制信号(IQ信号)。被基带信号处理电路303处理后的接收信号例如作为图像信号而使用于图像显示，或者作为声音信号而使用于通话。高频模块100在第一天线311及第二天线312与信号处理电路301的RF信号处理电路302之间传递高频信号(接收信号、发送信号)。
高频模块100具备第一功率放大器1、第二功率放大器2、开关3(以下也称为第一开关3)、多个(例如，2个)第一滤波器4、以及第二滤波器5。另外，高频模块100还具备控制器20。另外，高频模块100还具备第一输出匹配电路13、第二输出匹配电路14、多个(例如，2个)第一匹配电路15、以及第二匹配电路16。另外，高频模块100还具备低噪声放大器9和输入匹配电路19。另外，高频模块100还具备第二开关6来作为除第一开关3以外的开关。另外，高频模块100还具备第一低通滤波器17和第二低通滤波器18。另外，高频模块100还具备第三开关7、第四开关23以及第五开关24来作为除第一开关3以外的开关。多个第一滤波器4中的各滤波器是具有发送滤波器41和接收滤波器42的双工器。下面，在为了便于说明而对2个第一滤波器4进行区分地说明的情况下，也有时将2个第一滤波器4中的一方称为第一滤波器4A，将另一方称为第一滤波器4B。另外，第二滤波器5是具有发送滤波器51和接收滤波器52的双工器。
另外，高频模块100具备多个外部连接端子8。多个外部连接端子8包括第一天线端子81、第二天线端子82、2个第一信号输入端子83、2个第二信号输入端子84、多个(4个)控制端子85、信号输出端子86以及多个地端子。在图1中，关于4个控制端子85，仅图示了1个控制端子85。多个地端子是与通信装置300所具备的上述的电路基板的地电极电连接从而被提供地电位的端子。
第一功率放大器1具有第一输入端子11和第一输出端子12。第一功率放大器1将输入到第一输入端子11的第一频带的发送信号放大后从第一输出端子12输出。第一频带例如包含FDD(Frequency Division Duplex：频分双工)用的通信频段的发送带。更详细地说，第一频带包含FDD用的第一通信频段的发送带和FDD用的第二通信频段的发送带。第一通信频段与通过第一滤波器4A的发送滤波器41的发送信号对应，例如是3GPP LTE标准的Band1、Band3、Band2、Band25、Band4、Band66、Band39、Band34或5GNR的n1、n3、n2、n25、n4、n66、n39、n34。第二通信频段与通过第一滤波器4B的发送滤波器41的发送信号对应，例如是5G NR的n50、n51。
第一功率放大器1的第一输入端子11经由第四开关23来选择性地与2个第一信号输入端子83连接。第一功率放大器1的第一输入端子11经由2个第一信号输入端子83中的某一个来与信号处理电路301连接。2个第一信号输入端子83是用于将来自外部电路(例如，信号处理电路301)的高频信号(发送信号)输入到高频模块100的端子。2个第一信号输入端子83中的一方是用于将与4G标准对应的发送信号输入到高频模块100的端子，另一方是用于将与5G标准对应的发送信号输入到高频模块100的端子。第一功率放大器1的第一输出端子12经由第一输出匹配电路13来与第一开关3的公共端子30连接。因此，第一功率放大器1的第一输出端子12能够经由第一开关3来与多个第一滤波器4连接。
第二功率放大器2具有第二输入端子21和第二输出端子22。第二功率放大器2将输入到第二输入端子21的第二频带的发送信号放大后从第二输出端子22输出。第二频带是比第一频带靠高频侧的频带。在实施方式1所涉及的高频模块100中，第一频带是中频段的频带，第二频带是高频段的频带。中频段的频带例如是1450MHz-2200MHz。高频段的频带例如是2300MHz-2700MHz。另外，第二频带例如包含TDD(Time Division Duplex：时分双工)用的通信频段的发送带。更详细地说，第二频带包含TDD用的第三通信频段的发送带。第三通信频段与通过第二滤波器5的发送滤波器51的发送信号对应，例如是3GPP LTE标准的Band40或Band41及5GNR的n40、n41。
第二功率放大器2的第二输入端子21经由第五开关24来选择性地与2个第二信号输入端子84连接。第二功率放大器2的第二输入端子21经由2个第二信号输入端子84中的某一个来与信号处理电路301连接。2个第二信号输入端子84是用于将来自外部电路(例如，信号处理电路301)的高频信号(发送信号)输入到高频模块100的端子。2个第二信号输入端子84中的一方是用于将与4G标准对应的发送信号输入到高频模块100的端子，另一方是用于将与5G标准对应的发送信号输入到高频模块100的端子。第二功率放大器2的第二输出端子22经由第二输出匹配电路14来与第二滤波器5连接。第二功率放大器2的第二输出端子22不经由第一开关3地与第二滤波器5连接。更详细地说，第二功率放大器2的第二输出端子22也不经由除第一开关3以外的第二开关6、第三开关7、第四开关23以及第五开关24中的任一个地与第二滤波器5连接。第二功率放大器2的第二输出端子22经由第二输出匹配电路14来与第二滤波器5连接。
第一开关3具有公共端子30和多个(例如，2个)选择端子31。公共端子30经由第一输出匹配电路13来与第一功率放大器1的第一输出端子12连接。下面，为了便于说明，也有时将2个选择端子31中的一方称为选择端子31A，将另一方称为选择端子31B。在第一开关3中，选择端子31A与第一滤波器4A的发送滤波器41的输入端子连接。选择端子31B与第一滤波器4B的发送滤波器41的输入端子连接。第一开关3例如是能够将多个选择端子31中的至少1个连接到公共端子30的开关。在此，第一开关3例如是能够进行一对一的连接和一对多的连接的开关。
第一开关3例如是开关IC(Integrated Circuit：集成电路)。第一开关3例如由控制器20进行控制。在该情况下，第一开关3由控制器20进行控制，对公共端子30与多个选择端子31的连接状态进行切换。第一开关3也可以由信号处理电路301进行控制。在该情况下，第一开关3按照来自信号处理电路301的RF信号处理电路302的控制信号，对公共端子30与多个选择端子31的连接状态进行切换。
多个第一滤波器4中的各滤波器是具有发送滤波器41和接收滤波器42的双工器。第一滤波器4A的发送滤波器41例如是以第一通信频段的发送带为通带的带通滤波器。第一滤波器4B的发送滤波器41例如是以第二通信频段的发送带为通带的带通滤波器。第一滤波器4A的接收滤波器42例如是以第一通信频段的接收带为通带的带通滤波器。第一滤波器4B的接收滤波器42例如是以第二通信频段的接收带为通带的带通滤波器。
第二滤波器5是具有发送滤波器51和接收滤波器52的双工器。第二滤波器5的发送滤波器51例如是以第三通信频段的发送带为通带的带通滤波器。第二滤波器5的接收滤波器52例如是以第三通信频段的接收带为通带的带通滤波器。
控制器20与第一功率放大器1及第二功率放大器2连接。另外，控制器20经由多个(例如，4个)控制端子85来与信号处理电路301连接。在图1中，仅图示了4个控制端子85中的1个。多个控制端子85是用于将来自外部电路(例如，信号处理电路301)的控制信号输入到控制器20的端子。控制器20基于从多个控制端子85获取到的控制信号来控制第一功率放大器1和第二功率放大器2。多个控制端子85例如支持MIPI(Mobile Industry ProcessorInterface：移动产业处理器接口)标准。控制器20具有与多个控制端子85连接的多个端子，来作为供控制信号输入的输入部。多个端子例如支持MIPI标准。控制器20按照来自RF信号处理电路302的控制信号来控制第一功率放大器1和第二功率放大器2。
控制器20利用多个端子来接收来自RF信号处理电路302的控制信号，伴随该控制信号，例如向第一功率放大器1所具有的第一放大用晶体管提供第一偏置(第一偏置电流或第一偏置电压)，向第二功率放大器2所具有的第二放大用晶体管提供第二偏置(第二偏置电流或第二偏置电压)。控制器20具有使第一功率放大器1和第二功率放大器2同时动作的模式(以下也称为第一模式)以及使第一功率放大器1和第二功率放大器2中的一方动作的模式(以下也称为第二模式)。在第一模式的情况下，控制器20向第一功率放大器1提供第一偏置，且向第二功率放大器2提供第二偏置。另外，在第二模式的情况下，例如在仅使第一功率放大器1和第二功率放大器2中的第一功率放大器1动作时，控制器20向第一功率放大器1提供第一偏置，且不向第二功率放大器2提供第二偏置。另外，在第二模式的情况下，例如在仅使第一功率放大器1和第二功率放大器2中的第二功率放大器2动作时，控制器20向第二功率放大器2提供第二偏置，且不向第一功率放大器1提供第一偏置。控制信号不限于与MIPI标准对应的控制信号，也可以是与GPIO(General Purpose Input/Output：通用型输入输出)对应的控制信号。另外，控制器20还与第一开关3以及第二开关6、第三开关7、第四开关23及第五开关24连接，还基于上述的控制信号来控制第一开关3以及第二开关6、第三开关7、第四开关23及第五开关24。
第一输出匹配电路13设置于第一功率放大器1的第一输出端子12与第一开关3的公共端子30之间的信号路径。第一输出匹配电路13是用于取得第一功率放大器1与2个第一滤波器4的发送滤波器41的阻抗匹配的电路。第一输出匹配电路13例如由1个电感器构成，但是不限于此，例如也可以构成为包括多个电感器和多个电容器，或者构成为包括变压器。
第二输出匹配电路14设置于第二功率放大器2的第二输出端子22与第二滤波器5的发送滤波器51之间的信号路径。第二输出匹配电路14是用于取得第二功率放大器2与第二滤波器5的发送滤波器51的阻抗匹配的电路。第二输出匹配电路14例如由1个电感器构成，但是不限于此，例如也可以构成为包括多个电感器和多个电容器，或者构成为包括变压器。
多个(例如，2个)第一匹配电路15与多个第一滤波器4一一对应。下面，为了便于说明，也有时将多个第一匹配电路15中的与第一滤波器4A对应的第一匹配电路15称为第一匹配电路15A，将与第一滤波器4B对应的第一匹配电路15称为第一匹配电路15B。第一匹配电路15A设置于第一滤波器4A与第三开关7之间的信号路径。第一匹配电路15A是用于取得第一滤波器4A与第三开关7的阻抗匹配的电路。第一匹配电路15B是用于取得第一滤波器4B与第三开关7的阻抗匹配的电路。
第二匹配电路16设置于第二滤波器5与第三开关7之间的信号路径。第二匹配电路16是用于取得第二滤波器5与第三开关7的阻抗匹配的电路。第二匹配电路16例如由1个电感器构成，但是不限于此，例如也可以构成为包括多个电感器和多个电容器。
低噪声放大器9具有输入端子91和输出端子92。低噪声放大器9将输入到输入端子91的第一频带的接收信号放大后从输出端子92输出。低噪声放大器9的输入端子91经由输入匹配电路19来与第二开关6的公共端子60连接。低噪声放大器9的输出端子92与信号输出端子86连接。低噪声放大器9的输出端子92例如经由信号输出端子86来与信号处理电路301连接。信号输出端子86是用于将来自低噪声放大器9的高频信号(接收信号)输出到外部电路(例如，信号处理电路301)的端子。
输入匹配电路19设置于低噪声放大器9的输入端子91与第二开关6的公共端子60之间的信号路径。输入匹配电路19是用于取得低噪声放大器9与各第一滤波器4的接收滤波器42的阻抗匹配的电路。输入匹配电路19例如由1个电感器构成，但是不限于此，例如也可以构成为包括多个电感器和多个电容器。
第二开关6具有公共端子60和多个(例如，3个)选择端子61。公共端子60经由输入匹配电路19来与低噪声放大器9的输入端子91连接。在第二开关6中，3个选择端子61中的1个选择端子61与第一滤波器4A的接收滤波器42的输出端子连接，另1个选择端子61与第一滤波器4B的接收滤波器42的输出端子连接，剩余的1个选择端子61与第二滤波器5的接收滤波器52的输出端子连接。第二开关6例如是能够将多个选择端子61中的至少一个连接到公共端子60的开关。在此，第二开关6例如是能够进行一对一的连接和一对多的连接的开关。
第二开关6例如是开关IC。第二开关6例如由信号处理电路301进行控制。在该情况下，第二开关6按照来自信号处理电路301的RF信号处理电路302的控制信号，对公共端子60与多个选择端子61的连接状态进行切换。第二开关6也可以由控制器20进行控制，而不是由信号处理电路301进行控制。
第三开关7具有第一公共端子70A、第二公共端子70B、能够与第一公共端子70A连接的多个(例如，2个)第一选择端子71、以及能够与第二公共端子70B连接的第二选择端子72。第一公共端子70A经由第一低通滤波器17来与第一天线端子81连接。在第一天线端子81连接第一天线311。多个第一选择端子71与多个第一匹配电路15一对一地连接。多个第一选择端子71连接于多个第一滤波器4中的对应的第一滤波器4的发送滤波器41的输出端子与接收滤波器42的输入端子的连接点。第三开关7例如是能够将多个第一选择端子71中的至少1个连接到第一公共端子70A的开关。在此，第三开关7例如是能够进行一对一的连接和一对多的连接的开关。
第三开关7例如是开关IC。第三开关7例如由信号处理电路301进行控制。在该情况下，第三开关7按照来自信号处理电路301的RF信号处理电路302的控制信号，对第一公共端子70A与多个第一选择端子71的连接状态、第二公共端子70B与第二选择端子72的连接状态进行切换。第三开关7也可以由控制器20进行控制，而不是由信号处理电路301进行控制。
第四开关23具有公共端子230和多个(例如，2个)选择端子231。公共端子230与第一功率放大器1的第一输入端子11连接。2个选择端子231与2个第一信号输入端子83一对一地连接。
第四开关23例如是开关IC。第四开关23例如由控制器20进行控制。在该情况下，第四开关23由控制器20进行控制，对公共端子230与多个选择端子231的连接状态进行切换。第四开关23也可以由信号处理电路301进行控制。在该情况下，第四开关23按照来自信号处理电路301的RF信号处理电路302的控制信号，对公共端子230与多个选择端子231的连接状态进行切换。
第五开关24具有公共端子240和多个(例如，2个)选择端子241。公共端子240与第二功率放大器2的第二输入端子21连接。2个选择端子241与2个第二信号输入端子84一对一地连接。
第五开关24例如是开关IC。第五开关24例如由控制器20进行控制。在该情况下，第五开关24由控制器20进行控制，对公共端子240与多个选择端子241的连接状态进行切换。第五开关24也可以由信号处理电路301进行控制。在该情况下，第五开关24按照来自信号处理电路301的RF信号处理电路302的控制信号，对公共端子240与多个选择端子241的连接状态进行切换。
第一低通滤波器17连接于第一天线端子81与第三开关7的第一公共端子70A之间。第一低通滤波器17例如包括多个电感器和电容器。第一低通滤波器17也可以是包括多个电感器和电容器的IPD(Integrated Passive Device：集成型无源元件)。
第二低通滤波器18连接于第二天线端子82与第三开关7的第二公共端子70B之间。第二低通滤波器18例如包括多个电感器和电容器。第二低通滤波器18也可以是包括多个电感器和电容器的IPD。
(1.2)高频模块的构造
如图2A、2B及3所示，高频模块100具备安装基板10、第一功率放大器1、第二功率放大器2、第一开关3、多个(例如，2个)第一滤波器4、以及第二滤波器5。另外，高频模块100还具备控制器20。另外，高频模块100还具备第一输出匹配电路13、第二输出匹配电路14、多个(例如，2个)第一匹配电路15、以及第二匹配电路16。另外，高频模块100还具备低噪声放大器9和输入匹配电路19。另外，高频模块100还具备第二开关6来作为除第一开关3以外的开关。另外，高频模块100还具备第一低通滤波器17和第二低通滤波器18。另外，高频模块100还具备第三开关7、第四开关23以及第五开关24来作为除第一开关3以外的开关。另外，高频模块100还具备多个外部连接端子8。
安装基板10具有在安装基板10的厚度方向D1上彼此相向的第一主面101和第二主面102。安装基板10例如是包括多个电介质层和多个导电层的多层基板。多个电介质层和多个导电层在安装基板10的厚度方向D1上进行层叠。多个导电层形成为按每层而决定的规定图案。多个导电层中的各导电层在与安装基板10的厚度方向D1正交的一个平面内包括1个或多个导体部。各导电层的材料例如是铜。多个导体图案层包括地层。在高频模块100中，多个地端子与地层经由安装基板10所具有的通路导体等进行电连接。安装基板10例如是LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramics：低温共烧陶瓷)基板。安装基板10不限于LTCC基板，例如也可以是印刷电路板、HTCC(High Temperature Co-fired Ceramics，高温共烧陶瓷)基板、树脂多层基板。
另外，安装基板10不限于LTCC基板，例如也可以是布线构造体。布线构造体例如是多层构造体。多层构造体包括至少1个绝缘层和至少1个导电层。绝缘层形成为规定图案。在绝缘层有多个的情况下，多个绝缘层形成为按每层而决定的规定图案。导电层形成为与绝缘层的规定图案不同的规定图案。在导电层有多个的情况下，多个导电层形成为按每层而决定的规定图案。导电层也可以包括1个或多个重新布线部。在布线构造体中，在多层构造体的厚度方向上彼此相向的2个面中的第一面是安装基板10的第一主面101，第二面是安装基板10的第二主面102。布线构造体例如也可以是插入物。插入物既可以是使用硅基板的插入物，也可以是由多层构成的基板。
安装基板10的第一主面101和第二主面102在安装基板10的厚度方向D1上相离，与安装基板10的厚度方向D1交叉。安装基板10的第一主面101例如与安装基板10的厚度方向D1正交，但是例如也可以包括导体部的侧面等来作为不与厚度方向D1正交的面。另外，安装基板10的第二主面102例如与安装基板10的厚度方向D1正交，但是例如也可以包括导体部的侧面等来作为不与厚度方向D1正交的面。另外，安装基板10的第一主面101和第二主面102也可以形成有细微的凹凸或凹部或凸部。例如，在安装基板10的第一主面101形成有凹部的情况下，凹部的内面包含于第一主面101。
在实施方式1所涉及的高频模块100中，多个电路部件中的第一组的电路部件安装于安装基板10的第一主面101。第一组的电路部件包括第一功率放大器1、第二功率放大器2、2个第一滤波器4、第二滤波器5、第一输出匹配电路13、第二输出匹配电路14、2个第一匹配电路15、第二匹配电路16、输入匹配电路19、第一低通滤波器17以及第二低通滤波器18。“电路部件安装于安装基板10的第一主面101”包括：电路部件配置于安装基板10的第一主面101(与第一主面101机械连接)；以及电路部件与安装基板10(的适当的导体部)电连接。在高频模块100中，多个电路部件中的第二组的电路部件安装于安装基板10的第二主面102。第二组的电路部件包括第一开关3、控制器20、第四开关23、第五开关24、低噪声放大器9、第二开关6以及第三开关7。“电路部件安装于安装基板10的第二主面102”包括：电路部件配置于安装基板10的第二主面102(与第二主面102机械连接)；以及电路部件与安装基板10(的适当的导体部)电连接。因而，在高频模块100中，高频模块100不限于仅包括安装于安装基板10的多个电路部件，也可以包括设置于安装基板10内的电路元件。
第一功率放大器1是包括具有第一放大用晶体管的电路部的IC芯片。第一功率放大器1以倒装芯片安装的方式安装于安装基板10的第一主面101。在从安装基板10的厚度方向D1俯视时，第一功率放大器1的外周形状为四边形形状。第一放大用晶体管例如是HBT(Heterojunction Bipolar Transistor：异质结双极晶体管)。在该情况下，构成第一功率放大器1的IC芯片例如是GaAs系IC芯片。第一放大用晶体管不限于HBT等双极晶体管，例如也可以是FET(Field Effect Transistor：场效应晶体管)。FET例如是MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)。构成第一功率放大器1的IC芯片不限于GaAs系IC芯片，例如也可以是Si系IC芯片、SiGe系IC芯片或GaN系IC芯片。
第二功率放大器2是包括具有第二放大用晶体管的电路部的IC芯片。第二功率放大器2以倒装芯片安装的方式安装于安装基板10的第一主面101。在从安装基板10的厚度方向D1俯视时，第二功率放大器2的外周形状为四边形形状。第二放大用晶体管例如是HBT。在该情况下，构成第二功率放大器2的IC芯片例如是GaAs系IC芯片。第二放大用晶体管不限于HBT等双极晶体管，例如也可以是FET。构成第二功率放大器2的IC芯片不限于GaAs系IC芯片，例如也可以是Si系IC芯片、SiGe系IC芯片或GaN系IC芯片。
2个第一滤波器4的发送滤波器41和接收滤波器42中的各滤波器例如是梯型滤波器，具有多个(例如，4个)串联臂谐振器和多个(例如，3个)并联臂谐振器。2个发送滤波器41和2个接收滤波器42例如分别是弹性波滤波器。弹性波滤波器的多个串联臂谐振器和多个并联臂谐振器中的各谐振器由弹性波谐振器构成。弹性波滤波器例如是利用声表面波的声表面波滤波器。
在声表面波滤波器中，多个串联臂谐振器和多个并联臂谐振器中的各谐振器例如是SAW(Surface Acoustic Wave：声表面波)谐振器。
声表面波滤波器例如具有压电性基板、形成在压电性基板上的与多个串联臂谐振器一一对应的多个IDT(Interdigital Transducer：叉指换能器)电极、以及形成在压电性基板上的与多个并联臂谐振器一一对应的多个IDT电极。压电性基板例如是压电基板。压电基板例如是铌酸锂基板、钽酸锂基板或水晶基板。压电性基板不限于压电基板，例如也可以是包括硅基板、硅基板上的高声速膜、高声速膜上的低声速膜以及低声速膜上的压电体层的层叠型基板。在层叠型基板中，压电体层的材料例如是铌酸锂或钽酸锂。低声速膜是在低声速膜中传播的体波的声速比在压电体层中传播的体波的声速低的膜。低声速膜的材料例如是氧化硅。高声速膜是在高声速膜中传播的体波的声速比在压电体层中传播的弹性波的声速高的膜。高声速膜的材料例如是氮化硅。
在从安装基板10的厚度方向D1俯视时，2个第一滤波器4各自的外周形状为四边形形状。2个第一滤波器4安装于安装基板10的第一主面101。
第二滤波器5的发送滤波器51和接收滤波器52中的各滤波器例如是梯型滤波器，具有多个(例如，4个)串联臂谐振器和多个(例如，3个)并联臂谐振器。发送滤波器51和接收滤波器52例如分别是弹性波滤波器。弹性波滤波器的多个串联臂谐振器和多个并联臂谐振器中的各谐振器由弹性波谐振器构成。弹性波滤波器例如是利用声表面波的声表面波滤波器。
在从安装基板10的厚度方向D1俯视时，第二滤波器5的外周形状为四边形形状。第二滤波器5安装于安装基板10的第一主面101。
第一输出匹配电路13的电路部件(电感器)例如是芯片电感器。第一输出匹配电路13的电路部件例如安装于安装基板10的第一主面101。在从安装基板10的厚度方向D1俯视时，第一输出匹配电路13的电路部件的外周形状为四边形形状。第一输出匹配电路13也可以包括设置于安装基板10内的内层电感器。
第二输出匹配电路14的电路部件(电感器)例如是芯片电感器。第二输出匹配电路14的电路部件例如安装于安装基板10的第一主面101。在从安装基板10的厚度方向D1俯视时，第二输出匹配电路14的电路部件的外周形状为四边形形状。第二输出匹配电路14也可以包括设置于安装基板10内的内层电感器。
2个第一匹配电路15和第二匹配电路16各自的电路部件(电感器)例如是芯片电感器。2个第一匹配电路15和第二匹配电路16各自的电路部件例如安装于安装基板10的第一主面101。在从安装基板10的厚度方向D1俯视时，2个第一匹配电路15和第二匹配电路16各自的电路部件的外周形状为四边形形状。2个第一匹配电路15和第二匹配电路16中的各匹配电路也可以包括设置于安装基板10内的内层电感器。
第一低通滤波器17的截止频率是比第一频带的上限高的高频。第二低通滤波器18的截止频率是比第二频带的上限高的高频。第一低通滤波器17和第二低通滤波器18安装于安装基板10的第一主面101。
在实施方式1所涉及的高频模块100中，包括第一开关3、控制器20、第四开关23以及第五开关24的IC芯片27安装于安装基板10的第二主面102。在从安装基板10的厚度方向D1俯视时，IC芯片27的外周形状为四边形形状。IC芯片27是Si系IC芯片，但是不限于此。
另外，在实施方式1所涉及的高频模块100中，包括低噪声放大器9、第二开关6以及第三开关7的IC芯片28安装于安装基板10的第二主面102。在从安装基板10的厚度方向D1俯视时，IC芯片28的外周形状为四边形形状。低噪声放大器9所具有的放大用的晶体管是场效应晶体管，但是不限于此，例如也可以是双极晶体管。IC芯片28是Si系IC芯片，但是不限于此。
多个外部连接端子8配置于安装基板10的第二主面102。“外部连接端子8配置于安装基板10的第二主面102”包括：外部连接端子8与安装基板10的第二主面102机械连接；以及外部连接端子8与安装基板10(的适当的导体部)电连接。多个外部连接端子8的材料例如是金属(例如，铜、铜合金等)。多个外部连接端子8分别是柱状电极。柱状电极例如是圆柱状的电极。多个外部连接端子8例如通过焊接来与安装基板10的导体部接合，但是不限于此，例如也可以使用导电性粘接剂(例如，导电性膏)来接合，还可以直接接合。
多个外部连接端子8除了包括上述的第一天线端子81、第二天线端子82、2个第一信号输入端子83、2个第二信号输入端子84、4个控制端子85以及信号输出端子86以外，还包括多个地端子。多个地端子与安装基板10的地层电连接。地层是高频模块100的电路地，高频模块100的多个电路部件包括与地层电连接的电路部件。
高频模块100还具备树脂层105。树脂层105将多个电路部件中的安装于安装基板10的第一主面101的第一组的电路部件分别覆盖。树脂层105包含树脂(例如，环氧树脂)。树脂层105也可以除了包含树脂以外还包含填料。
另外，高频模块100也可以还具备与配置于安装基板10的第一主面101的树脂层105(以下也称为第一树脂层105)独立的树脂层107(以下也称为第二树脂层107)。第二树脂层107覆盖安装于安装基板10的第二主面102的第二组的电路部件以及多个外部连接端子8各自的外周面。第二树脂层107包含树脂(例如，环氧树脂)。第二树脂层107也可以除了包含树脂以外还包含填料。第二树脂层107的材料既可以是与第一树脂层105的材料相同的材料，也可以是与第一树脂层105的材料不同的材料。
第二树脂层107也可以形成为使安装于安装基板10的第二主面102的多个电路部件各自的与安装基板10侧相反的一侧的主面暴露出来。
另外，高频模块100还具备屏蔽层106。屏蔽层106具有导电性。屏蔽层106具有层叠多个金属层而成的多层构造，但是不限于此，也可以是1个金属层。金属层包含一种或多种金属。屏蔽层106覆盖第一树脂层105的与安装基板10侧相反的一侧的主面151、第一树脂层105的外周面153以及安装基板10的外周面103。另外，屏蔽层106还覆盖第二树脂层107的外周面173。屏蔽层106与安装基板10所具有的地层的外周面的至少一部分接触。
(1.3)高频模块中的电路部件的布局
在高频模块100中，在从安装基板10的厚度方向D1俯视时，第一功率放大器1与第二功率放大器2相邻。“第一功率放大器1与第二功率放大器2相邻”表示：在从安装基板10的厚度方向D1俯视时，在第一功率放大器1与第二功率放大器2之间不存在其它电路部件，第一功率放大器1与第二功率放大器2彼此相邻。
另外，在高频模块100中，从第一功率放大器1来看，第一输出匹配电路13位于与第二功率放大器2相反的一侧。另外，在高频模块100中，从第二功率放大器2来看，第二输出匹配电路14位于与第一功率放大器1相反的一侧。在高频模块100中，在第一功率放大器1与第二功率放大器2排列的方向上，第一输出匹配电路13、第一功率放大器1、第二功率放大器2以及第二输出匹配电路14按第一输出匹配电路13、第一功率放大器1、第二功率放大器2以及第二输出匹配电路14的顺序排列。
在高频模块100中，在从安装基板10的厚度方向D1俯视时，第一开关3与第一功率放大器1重叠。在从安装基板10的厚度方向D1俯视时，第一开关3的一部分与第一功率放大器1的一部分重叠，但是不限于此，也可以是，第一开关3的全部与第一功率放大器1的一部分重叠。另外，也可以是，第一开关3的全部与第一功率放大器1的全部重叠。
在图3中，图示了由上述的安装基板10的导体部、通路导体等构成的多个布线中的3个布线W1、W2及W13。关于布线W1、W2及W13，在图1中也标注了标记。另外，在图1中，还标注了布线W14的标记。布线W1是将第一功率放大器1的第一输出端子12与第一输出匹配电路13连接的布线。布线W2是将第二功率放大器2的第二输出端子22与第二输出匹配电路14连接的布线。布线W13是将第一输出匹配电路13与第一开关3的公共端子30连接的布线。布线W14是将第二输出匹配电路14与第二滤波器5连接的布线。
在高频模块100中，在从安装基板10的厚度方向D1俯视时，第一功率放大器1及第二功率放大器2不与低噪声放大器9重叠。
高频模块100的电路结构具有进行发送信号的发送的发送电路以及进行接收信号的接收的接收电路。在高频模块100中，多个电路部件中的仅包含于发送电路的电路部件与除此以外的电路部件(仅包含于接收电路的电路部件、由发送电路和接收电路共用的电路部件)在安装基板10的厚度方向D1上不重叠。多个电路部件中的仅包含于发送电路的电路部件的组包括第一功率放大器1、第二功率放大器2、第一输出匹配电路13、第二输出匹配电路14、第一开关3、第四开关23、第五开关24以及控制器20。多个电路部件中的仅包含于接收电路的电路部件的组包括第二开关6、输入匹配电路19以及低噪声放大器9。由发送电路和接收电路共用的电路部件的组包括2个第一滤波器4、第二滤波器5、2个第一匹配电路15、第二匹配电路16、第三开关7、第一低通滤波器17以及第二低通滤波器18。
在从安装基板10的厚度方向D1俯视时，高频模块100被分为第一区域和第二区域，在该第一区域配置有多个电路部件中的仅包含于发送电路的电路部件的组，在第二区域配置有仅包含于接收电路的电路部件的组以及由发送电路和接收电路共用的电路部件的组。在从安装基板10的厚度方向D1俯视时，多个外部连接端子8中的在同IC芯片27与IC芯片28排列的方向交叉的方向上排列的6个外部连接端子8分别为地端子。
(2)效果
(2.1)高频模块
实施方式1所涉及的高频模块100具备安装基板10、第一功率放大器1、第二功率放大器2、开关3、多个第一滤波器4以及第二滤波器5。安装基板10具有彼此相向的第一主面101和第二主面102。第一功率放大器1具有第一输入端子11和第一输出端子12。第一功率放大器1安装于安装基板10。第一功率放大器1将第一频带的发送信号放大后输出。第二功率放大器2具有第二输入端子21和第二输出端子22。第二功率放大器2安装于安装基板10。第二功率放大器2将不同于第一频带的第二频带的发送信号放大后输出。开关3具有公共端子30以及能够与公共端子30连接的多个选择端子31。开关3安装于安装基板10。多个第一滤波器4安装于安装基板10。第二滤波器5安装于安装基板10。多个第一滤波器4各自的通带包含于第一频带。第二滤波器5的通带包含于第二频带。第二功率放大器2的输出功率水平大于第一功率放大器1的输出功率水平。第一功率放大器1的第一输出端子12能够经由开关3来与多个第一滤波器4连接。第二功率放大器2的第二输出端子22不经由开关3地与第二滤波器5连接。
实施方式1所涉及的高频模块100能够实现发送功率的提高。在实施方式1所涉及的高频模块100中，第一功率放大器1和第二功率放大器2中的输出功率水平大的第二功率放大器2的第二输出端子22不经由开关3地与第二滤波器5连接，因此能够减少第二功率放大器2与第二滤波器5之间的功率损耗，能够实现由第二功率放大器2放大后的发送信号的发送功率的提高。由此，实施方式1所涉及的高频模块100还具有以下优点：相比于第二功率放大器2的第二输出端子22经由开关来与第二滤波器5连接的情况，能够使第二功率放大器2的输出功率水平小，第二功率放大器2的设计变得容易。
另外，在实施方式1所涉及的高频模块100中，第一功率放大器1安装于安装基板10的第一主面101，开关3安装于安装基板10的第二主面102。在从安装基板10的厚度方向D1俯视时，开关3与第一功率放大器1重叠。由此，实施方式1所涉及的高频模块100能够使第一功率放大器1与开关3之间的布线短，能够抑制功率损耗。
另外，在实施方式1所涉及的高频模块100中，包括低噪声放大器9和第二开关6的IC芯片28安装于安装基板10的第二主面102。在从安装基板10的厚度方向D1俯视时，第一功率放大器1及第二功率放大器2不与低噪声放大器9重叠。由此，在实施方式1所涉及的高频模块100中，能够提高第一功率放大器1及第二功率放大器2与低噪声放大器9的隔离度。
(2.2)通信装置
实施方式1所涉及的通信装置300具备信号处理电路301和高频模块100。信号处理电路301与高频模块100连接。
实施方式1所涉及的通信装置300具备高频模块100，因此能够实现发送功率的提高。
构成信号处理电路301的多个电路部件例如既可以安装于上述的电路基板，也可以安装于与安装有高频模块100的电路基板(第一电路基板)不同的电路基板(第二电路基板)。
(3)变形例
(3.1)变形例1
参照图4A及4B来说明实施方式1的变形例1所涉及的高频模块100a。关于变形例1所涉及的高频模块100a，对与实施方式1所涉及的高频模块100同样的结构要素，标注同一标记并省略说明。此外，高频模块100a的电路结构与参照图1来说明的实施方式1所涉及的高频模块100的电路结构相同。
变形例1所涉及的高频模块100a在以下方面与实施方式1所涉及的高频模块100不同：在从安装基板10的厚度方向D1(参照图3)俯视时，在同第二功率放大器2与第二输出匹配电路14排列的方向交叉(例如正交)的方向上，第二输出匹配电路14与第二滤波器5相邻。“第二输出匹配电路14与第二滤波器5相邻”表示：在从安装基板10的厚度方向D1俯视时，在第二输出匹配电路14与第二滤波器5之间不存在其它电路部件，第二输出匹配电路14与第二滤波器5彼此相邻。在第二输出匹配电路14包括多个电路部件的情况下，优选的是，在电路上最靠近布线W14的电路部件与第二滤波器5相邻。
变形例1所涉及的高频模块100a能够使第二输出匹配电路14与第二滤波器5之间的布线W14短，因此能够抑制布线W14处的功率损耗。
另外，在变形例1所涉及的高频模块100a中，在从安装基板10的厚度方向D1俯视时，第二功率放大器2与第二滤波器5之间的距离比第一功率放大器1与多个第一滤波器4中的各第一滤波器之间的距离短。由此，变形例1所涉及的高频模块100a能够实现发送功率的提高。
(3.2)变形例2
参照图5来说明实施方式1的变形例2所涉及的高频模块100b。关于变形例2所涉及的高频模块100b，对与实施方式1所涉及的高频模块100同样的结构要素，标注同一标记并省略说明。此外，高频模块100b的电路结构与参照图1来说明的实施方式1所涉及的高频模块100的电路结构相同。
变形例2所涉及的高频模块100b在以下方面与实施方式1所涉及的高频模块100不同：在从安装基板10的厚度方向D1俯视时，第一功率放大器1、第一输出匹配电路13、第二功率放大器2以及第二输出匹配电路14按第一功率放大器1、第一输出匹配电路13、第二功率放大器2以及第二输出匹配电路14的顺序排列。
另外，变形例2所涉及的高频模块100b在以下方面与实施方式1所涉及的高频模块100不同：在从安装基板10的厚度方向D1俯视时，在第二功率放大器2与第二输出匹配电路14排列的方向上，第二输出匹配电路14与第二滤波器5相邻。“第二输出匹配电路14与第二滤波器5相邻”表示：在从安装基板10的厚度方向D1俯视时，在第二输出匹配电路14与第二滤波器5之间不存在其它电路部件，第二输出匹配电路14与第二滤波器5彼此相邻。在第二输出匹配电路14包括多个电路部件的情况下，优选的是，在电路上最靠近布线W14的电路部件与第二滤波器5相邻。
变形例2所涉及的高频模块100b能够使第二输出匹配电路14与第二滤波器5之间的布线W14短，因此能够抑制布线W14处的功率损耗。
(3.3)变形例3
参照图6来说明实施方式1的变形例3所涉及的高频模块100c。关于变形例3所涉及的高频模块100c，对与实施方式1所涉及的高频模块100同样的结构要素，标注同一标记并省略说明。此外，高频模块100c的电路结构与参照图1来说明的实施方式1所涉及的高频模块100的电路结构相同。
变形例3所涉及的高频模块100c在以下方面与实施方式1所涉及的高频模块100不同：多个外部连接端子8是球凸块。另外，变形例3所涉及的高频模块100c在以下方面与实施方式1所涉及的高频模块100不同：不具备实施方式1所涉及的高频模块100的树脂层107。变形例3所涉及的高频模块100c也可以具备底部填充部，该底部填充部设置于安装于安装基板10的第二主面102的电路部件(IC芯片27、IC芯片28)与安装基板10的第二主面102之间的间隙。
构成多个外部连接端子8中的各外部连接端子的球凸块的材料例如是金、铜、焊料等。
多个外部连接端子8也可以是由球凸块构成的外部连接端子8与由柱状电极构成的外部连接端子8混合存在。
(实施方式2)
参照图7来说明实施方式2所涉及的高频模块100d和通信装置300d。关于实施方式2所涉及的高频模块100d和通信装置300d，对与实施方式1所涉及的高频模块100以及通信装置300分别相同的结构要素，标注同一标记并省略说明。
实施方式2所涉及的高频模块100d在以下方面与实施方式1所涉及的高频模块100不同：还具备第一陷波滤波器25和第二陷波滤波器26。第一陷波滤波器25设置于第一功率放大器1与第一开关3之间。更详细地说，第一陷波滤波器25连接于第一输出匹配电路13与第一开关3的公共端子30之间。第二陷波滤波器26设置于第二功率放大器2与第二滤波器5之间。更详细地说，第二陷波滤波器26连接于第二输出匹配电路14与第二滤波器5之间。第一陷波滤波器25和第二陷波滤波器26例如分别是LC滤波器。
实施方式2所涉及的高频模块100d能够通过第一陷波滤波器25来减少由第一功率放大器1放大后的发送信号的谐波成分，能够通过第二陷波滤波器26来减少由第二功率放大器2放大后的发送信号的谐波成分。
(其它变形例)
上述的实施方式1、2等不过是本实用新型的各种实施方式之一。关于上述的实施方式1、2等，只要能够达到本实用新型的目的即可，能够根据设计等来进行各种变更。
多个第一滤波器4中的各第一滤波器也可以具有发送滤波器41和接收滤波器42来作为个别的电路部件。另外，第二滤波器5也可以具有发送滤波器51和接收滤波器52来作为个别的电路部件。
另外，发送滤波器41、接收滤波器42、发送滤波器51以及接收滤波器52中的各滤波器不限于声表面波滤波器，例如也可以是BAW(Bulk Acoustic Wave：体声波)滤波器。BAW滤波器中的谐振器例如是FBAR(Film Bulk Acoustic Resonator：薄膜体声波谐振器)或SMR(Solidly Mounted Resonator：固态装配谐振器)。
另外，发送滤波器41、接收滤波器42、发送滤波器51以及接收滤波器52中的各滤波器不限于梯型滤波器，例如也可以是纵向耦合谐振器型声表面波滤波器。
另外，上述的弹性波滤波器是利用声表面波或体声波的弹性波滤波器，但是不限于此，例如也可以是利用弹性界面波、板波等的弹性波滤波器。
另外，多个电路部件经由凸块来与安装基板10电连接，但是安装于安装基板10的多个电路部件不限于经由凸块来与安装基板10电连接的情况，例如也可以经由接合线来与安装基板10电连接。
也可以还具备配置于安装基板10的第二主面102的、在安装基板10的厚度方向D1上与第一功率放大器1重叠的第一散热用导体部以及与第二功率放大器2重叠的第二散热用导体部。此外，也可以是，多个外部连接端子8中的一部分外部连接端子构成第一散热用导体部和第二散热用导体部。
另外，实施方式1所涉及的通信装置300也可以具备高频模块100a、100b、100c中的任一个来代替高频模块100。
另外，包括低噪声放大器9的IC芯片28只要至少包括低噪声放大器9即可，例如也可以除了包括低噪声放大器9以外还包括第二开关6和第三开关7中的至少1个。
另外，高频模块100、100a、100b、100c、100d具备第一天线端子81和第二天线端子82，构成为使用2个天线(第一天线311和第二天线312)来进行发送功率不同的第一发送信号与第二发送信号的同时通信，但是不限定于该结构。高频模块100、100a、100b、100c、100d也可以构成为使用1个天线来进行发送功率不同的第一发送信号与第二发送信号的同时通信。
(方式)
本说明书公开了以下的方式。
第一方式所涉及的高频模块(100；100a；100b；100c；100d)具备安装基板(10)、第一功率放大器(1)、第二功率放大器(2)、开关(3)、多个第一滤波器(4)、以及第二滤波器(5)。安装基板(10)具有彼此相向的第一主面(101)和第二主面(102)。第一功率放大器(1)具有第一输入端子(11)和第一输出端子(12)。第一功率放大器(1)安装于安装基板(10)。第一功率放大器(1)将第一频带的发送信号放大后输出。第二功率放大器(2)具有第二输入端子(21)和第二输出端子(22)。第二功率放大器(2)安装于安装基板(10)。第二功率放大器(2)将不同于第一频带的第二频带的发送信号放大后输出。开关(3)具有公共端子(30)以及能够与公共端子(30)连接的多个选择端子(31)。开关(3)安装于安装基板(10)。多个第一滤波器(4)安装于安装基板(10)。第二滤波器(5)安装于安装基板(10)。多个第一滤波器(4)各自的通带包含于第一频带。第二滤波器(5)的通带包含于第二频带。第二功率放大器(2)的输出功率水平大于第一功率放大器(1)的输出功率水平。第一功率放大器(1)的第一输出端子(12)能够经由开关(3)来与多个第一滤波器(4)连接。第二功率放大器(2)的第二输出端子(22)不经由开关(3)地与第二滤波器(5)连接。
第一方式所涉及的高频模块(100；100a；100b；100c；100d)能够实现发送功率的提高。
在第二方式所涉及的高频模块(100；100a；100b；100c；100d)中，在第一方式中，第一功率放大器(1)安装于安装基板(10)的第一主面(101)。开关(3)安装于安装基板(10)的第二主面(102)。在从安装基板(10)的厚度方向(D1)俯视时，开关(3)与第一功率放大器(1)重叠。
第二方式所涉及的高频模块(100；100a；100b；100c；100d)能够使第一功率放大器(1)与开关(3)之间的布线短，能够抑制功率损耗。
第三方式所涉及的高频模块(100；100a；100b；100c；100d)如下：在第一方式或第二方式中，在从安装基板(10)的厚度方向(D1)俯视时，第二功率放大器(2)与第二滤波器(5)之间的距离比第一功率放大器(1)与多个第一滤波器(4)中的各第一滤波器之间的距离短。
第三方式所涉及的高频模块(100)能够抑制第二功率放大器(2)与第二滤波器(5)之间的功率损耗。
第四方式所涉及的高频模块(100d)如下：在第一方式～第三方式中的任一个方式中，还具备第一陷波滤波器(25)和第二陷波滤波器(26)。第一陷波滤波器(25)设置于第一功率放大器(1)与开关(3)之间。第二陷波滤波器(26)设置于第二功率放大器(2)与第二滤波器(5)之间。
第四方式所涉及的高频模块(100d)能够通过第一陷波滤波器(25)来减少由第一功率放大器(1)放大后的发送信号的谐波成分，能够通过第二陷波滤波器(26)来减少由第二功率放大器(2)放大后的发送信号的谐波成分。
第五方式所涉及的高频模块(100；100a；100b；100c；100d)如下：在第一方式～第四方式中的任一个方式中，还具备控制器(20)。控制器(20)控制第一功率放大器(1)和第二功率放大器(2)。在高频模块(100)中，包括开关(3)和控制器(20)的IC芯片(27)安装于安装基板(10)的第二主面(102)。
在第六方式所涉及的高频模块(100；100a；100b；100c；100d)中，在第五方式中，控制器(20)具有使第一功率放大器(1)与第二功率放大器(2)同时动作的模式以及使第一功率放大器(1)与第二功率放大器(2)中的一方动作的模式。
第六方式所涉及的高频模块(100；100a；100b；100c；100d)通过使第一功率放大器(1)与第二功率放大器(2)同时动作，能够同时发送第一频带的发送信号和第二频带的发送信号。
在第七方式所涉及的高频模块(100；100a；100b；100c；100d)中，在第一方式～第六方式中的任一个方式中，第二频带是比第一频带靠高频侧的频带。
第七方式所涉及的高频模块(100；100a；100b；100c；100d)能够使第一频带和第二频带中的作为相对高的频带的第二频带的发送信号的发送功率大于第一频带的发送信号的发送功率。
在第八方式所涉及的高频模块(100；100a；100b；100c；100d)中，在第一方式～第七方式中的任一个方式中，第一频带包含FDD用的通信频段的发送带。第二频带包含TDD用的通信频段的发送带。
第八方式所涉及的高频模块(100；100a；100b；100c；100d)能够使TDD用的发送信号的发送功率比FDD用的发送信号的发送功率大。
在第九方式所涉及的高频模块(100；100a；100b；100c；100d)中，在第一方式～第八方式中的任一个方式中，多个第一滤波器(4)和第二滤波器(5)中的各滤波器是包括发送滤波器(41、51)和接收滤波器(42、52)的双工器。
第九方式所涉及的高频模块(100；100a；100b；100c；100d)能够实现小型化。
第十方式所涉及的高频模块(100；100a；100b；100c；100d)如下：在第九方式中，还具备第二开关(6)和低噪声放大器(9)。第二开关(6)是与作为开关(3)的第一开关不同的开关。低噪声放大器(9)具有输入端子(91)和输出端子(92)。低噪声放大器(9)将接收信号放大后输出。第二开关(6)具有公共端子(60)以及用于连接多个双工器的接收滤波器(42、52)的多个选择端子(61)。低噪声放大器(9)的输入端子(91)与第二开关(6)的公共端子(60)连接。
第十方式所涉及的高频模块(100；100a；100b；100c；100d)能够进行通信频段不同的两种接收信号的同时接收。
在第十一方式所涉及的高频模块(100；100a；100b；100c；100d)中，在第十方式中，包括低噪声放大器(9)和第二开关(6)的IC芯片(28)安装于安装基板(10)的第二主面(102)。在从安装基板(10)的厚度方向(D1)俯视时，第一功率放大器(1)及第二功率放大器(2)不与低噪声放大器(9)重叠。
在第十一方式所涉及的高频模块(100；100a；100b；100c；100d)中，能够提高第一功率放大器(1)及第二功率放大器(2)与低噪声放大器(9)的隔离度。
第十二方式所涉及的高频模块(100；100a；100b；100c；100d)如下：在第一方式～第十一方式中的任一个方式中，还具备多个外部连接端子(8)。多个外部连接端子(8)配置于安装基板(10)的第二主面(102)。
第十三方式所涉及的通信装置(300)具备：第一方式～第十二方式中的任一个方式的高频模块(100；100a；100b；100c；100d)；以及信号处理电路(301)。信号处理电路(301)与高频模块(100；100a；100b；100c；100d)连接。
在第十三方式所涉及的通信装置(300)中，能够实现发送功率的提高。

Claims (20)

1.一种高频模块，其特征在于，具备：
安装基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；
第一功率放大器，其具有第一输入端子和第一输出端子，该第一功率放大器安装于所述安装基板，将第一频带的发送信号放大后输出；
第二功率放大器，其具有第二输入端子和第二输出端子，该第二功率放大器安装于所述安装基板，将不同于所述第一频带的第二频带的发送信号放大后输出；
开关，其安装于所述安装基板，具有公共端子以及能够与所述公共端子连接的多个选择端子；
多个第一滤波器，所述多个第一滤波器安装于所述安装基板；以及
第二滤波器，其安装于所述安装基板，
其中，所述多个第一滤波器各自的通带包含于所述第一频带，
所述第二滤波器的通带包含于所述第二频带，
所述第二功率放大器的输出功率水平大于所述第一功率放大器的输出功率水平，
所述第一功率放大器的所述第一输出端子能够经由所述开关来与所述多个第一滤波器连接，
所述第二功率放大器的所述第二输出端子不经由所述开关地与所述第二滤波器连接。
2.根据权利要求1所述的高频模块，其特征在于，
所述第二功率放大器安装于所述安装基板的所述第一主面，
所述开关安装于所述安装基板的所述第二主面，
在从所述安装基板的厚度方向俯视时，所述开关与所述第二功率放大器重叠。
3.根据权利要求1或2所述的高频模块，其特征在于，
在从所述安装基板的厚度方向俯视时，所述第二功率放大器与所述第二滤波器之间的距离比所述第一功率放大器与所述多个第一滤波器中的各第一滤波器之间的距离短。
4.根据权利要求1或2所述的高频模块，其特征在于，还具备：
第一陷波滤波器，其设置于所述第一功率放大器与所述开关之间；以及
第二陷波滤波器，其设置于所述第二功率放大器与所述第二滤波器之间。
5.根据权利要求3所述的高频模块，其特征在于，还具备：
第一陷波滤波器，其设置于所述第一功率放大器与所述开关之间；以及
第二陷波滤波器，其设置于所述第二功率放大器与所述第二滤波器之间。
6.根据权利要求1或2所述的高频模块，其特征在于，
还具备对所述第一功率放大器和所述第二功率放大器进行控制的控制器，
包括所述开关和所述控制器的集成电路芯片安装于所述安装基板的所述第二主面。
7.根据权利要求3所述的高频模块，其特征在于，
还具备对所述第一功率放大器和所述第二功率放大器进行控制的控制器，
包括所述开关和所述控制器的集成电路芯片安装于所述安装基板的所述第二主面。
8.根据权利要求5所述的高频模块，其特征在于，
还具备对所述第一功率放大器和所述第二功率放大器进行控制的控制器，
包括所述开关和所述控制器的集成电路芯片安装于所述安装基板的所述第二主面。
9.根据权利要求6所述的高频模块，其特征在于，
所述控制器具有使所述第一功率放大器与所述第二功率放大器同时动作的模式以及使所述第一功率放大器与所述第二功率放大器中的一方动作的模式。
10.根据权利要求1或2所述的高频模块，其特征在于，
所述第二频带是比所述第一频带靠高频侧的频带。
11.根据权利要求1或2所述的高频模块，其特征在于，
所述第一频带包含频分双工用的通信频段的发送带，
所述第二频带包含时分双工用的通信频段的发送带。
12.根据权利要求1或2所述的高频模块，其特征在于，
所述多个第一滤波器和所述第二滤波器中的各滤波器是包括发送滤波器和接收滤波器的双工器。
13.根据权利要求12所述的高频模块，其特征在于，还具备：
与作为所述开关的第一开关不同的第二开关；以及
低噪声放大器，其具有输入端子和输出端子，该低噪声放大器将接收信号放大后输出，
其中，所述第二开关具有公共端子以及用于连接多个所述双工器的所述接收滤波器的多个选择端子，
所述低噪声放大器的所述输入端子与所述第二开关的所述公共端子连接。
14.根据权利要求13所述的高频模块，其特征在于，
包括所述低噪声放大器和所述第二开关的集成电路芯片安装于所述安装基板的所述第二主面，
在从所述安装基板的厚度方向俯视时，所述第一功率放大器及所述第二功率放大器不与所述低噪声放大器重叠。
15.根据权利要求1或2所述的高频模块，其特征在于，
还具备配置于所述安装基板的所述第二主面的多个外部连接端子。
16.根据权利要求3所述的高频模块，其特征在于，
还具备配置于所述安装基板的所述第二主面的多个外部连接端子。
17.根据权利要求4所述的高频模块，其特征在于，
还具备配置于所述安装基板的所述第二主面的多个外部连接端子。
18.根据权利要求6所述的高频模块，其特征在于，
还具备配置于所述安装基板的所述第二主面的多个外部连接端子。
19.根据权利要求9所述的高频模块，其特征在于，
还具备配置于所述安装基板的所述第二主面的多个外部连接端子。
20.一种通信装置，其特征在于，具备：
根据权利要求1～19中的任一项所述的高频模块；以及
信号处理电路，其与所述高频模块连接。
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