KR102432608B1 - 고주파 모듈 및 통신 장치 - Google Patents

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Abstract

(과제) 송신 전력의 향상을 도모한다.
(해결수단) 고주파 모듈(100)은 제 1 파워 앰프(1)와, 제 2 파워 앰프(2)와, 스위치(3)와, 복수의 제 1 필터(4)와, 제 2 필터(5)를 구비한다. 제 1 파워 앰프(1)는 제 1 주파수 대역의 송신 신호를 증폭해서 출력한다. 제 2 파워 앰프(2)는 제 2 주파수 대역의 송신 신호를 증폭해서 출력한다. 복수의 제 1 필터(4) 각각의 통과대역은 제 1 주파수 대역에 포함된다. 제 2 필터(5)의 통과대역은 제 2 주파수 대역에 포함된다. 제 2 파워 앰프(2)의 출력 전력 레벨이 제 1 파워 앰프(1)의 출력 전력 레벨보다 크다. 제 1 파워 앰프(1)의 제 1 출력단자(12)는 스위치(3)를 통해서 복수의 제 1 필터(4)에 접속 가능하다. 제 2 파워 앰프(2)의 제 2 출력단자(22)는 스위치(3)를 개재하지 않고 제 2 필터(5)에 접속되어 있다.

Description

고주파 모듈 및 통신 장치{RADIO-FREQUENCY MODULE AND COMMUNICATION DEVICE}
본 발명은, 일반적으로 고주파 모듈 및 그것을 구비하는 통신 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 실장기판을 구비하는 고주파 모듈, 및 그것을 구비하는 통신 장치에 관한 것이다.
특허문헌 1에는, 고주파 모듈 및 해당 고주파 모듈을 프런트 엔드 회로에 사용한 통신 장치가 개시되어 있다.
특허문헌 1에 기재된 고주파 모듈은, 복수의 주파수 밴드의 고주파 신호를 처리하는 복합 부품이며, 단일의 기판에 형성된 복수의 회로 블록으로 구성된다. 복수의 회로 블록에는, 예를 들면, 전력 증폭 회로 및 스위치 회로가 포함된다.
전력 증폭 회로는 복수의 파워 앰프 및 복수의 필터를 갖는다. 복수의 파워 앰프 및 복수의 필터는, 다른 주파수 밴드에 대응하는 신호경로에 형성된다.
일본 특허공개 2018-137522호 공보
고주파 모듈 및 그것을 구비하는 통신 장치에 있어서는, 복수의 파워 앰프에 요구되는 출력 전력 레벨이 서로 다른 경우, 송신 전력의 향상이 요구될 경우가 있었다.
본 발명의 목적은, 송신 전력의 향상을 도모하는 것이 가능한 고주파 모듈 및 통신 장치를 제공하는 것에 있다.
본 발명의 일양태에 따른 고주파 모듈은, 실장기판과, 제 1 파워 앰프와, 제 2 파워 앰프와, 스위치와, 복수의 제 1 필터와, 제 2 필터를 구비한다. 상기 실장기판은 서로 대향하는 제 1 주면 및 제 2 주면을 갖는다. 상기 제 1 파워 앰프는 제 1 입력단자 및 제 1 출력단자를 갖는다. 상기 제 1 파워 앰프는 상기 실장기판에 실장되어 있다. 상기 제 1 파워 앰프는 제 1 주파수 대역의 송신 신호를 증폭해서 출력한다. 상기 제 2 파워 앰프는 제 2 입력단자 및 제 2 출력단자를 갖는다. 상기 제 2 파워 앰프는 상기 실장기판에 실장되어 있다. 상기 제 2 파워 앰프는, 상기 제 1 주파수 대역과는 다른 제 2 주파수 대역의 송신 신호를 증폭해서 출력한다. 상기 스위치는, 공통단자와 상기 공통단자에 접속 가능한 복수의 선택단자를 갖는다. 상기 스위치는 상기 실장기판에 실장되어 있다. 상기 복수의 제 1 필터는 상기 실장기판에 실장되어 있다. 상기 제 2 필터는 상기 실장기판에 실장되어 있다. 상기 복수의 제 1 필터 각각의 통과대역은 상기 제 1 주파수 대역에 포함된다. 상기 제 2 필터의 통과대역은 상기 제 2 주파수 대역에 포함된다. 상기 제 2 파워 앰프의 출력 전력 레벨이, 상기 제 1 파워 앰프의 출력 전력 레벨보다 크다. 상기 제 1 파워 앰프의 상기 제 1 출력단자는, 상기 스위치를 통해서 상기 복수의 제 1 필터에 접속 가능하다. 상기 제 2 파워 앰프의 상기 제 2 출력단자는 상기 스위치를 개재하지 않고 상기 제 2 필터에 접속되어 있다.
본 발명의 일양태에 따른 통신 장치는, 상기 고주파 모듈과, 신호 처리 회로를 구비한다. 상기 신호 처리 회로는 상기 고주파 모듈에 접속되어 있다.
본 발명의 상기 양태에 따른 고주파 모듈 및 통신 장치는, 송신 전력의 향상을 도모하는 것이 가능해진다.
도 1은 실시형태 1에 따른 고주파 모듈을 구비하는 통신 장치의 회로 구성도이다.
도 2의 A는 동상의 고주파 모듈을 나타내고, 실드층 및 수지층의 도시를 생략한 평면도이다. 도 2의 B는 동상의 고주파 모듈을 나타내고, 실장기판의 제 2 주면과, 실장기판의 제 2 주면에 배치된 회로부품 및 복수의 외부 접속단자를 실장기판의 제 1 주면측에서 투시한 평면도이다.
도 3은 동상의 고주파 모듈을 나타내고, 도 2A의 A-A선 단면도이다.
도 4의 A는, 실시형태 1의 변형예 1에 따른 고주파 모듈을 나타내고, 실드층 및 수지층의 도시를 생략한 평면도이다. 도 4의 B는, 동상의 고주파 모듈을 나타내고, 실장기판의 제 2 주면과, 실장기판의 제 2 주면에 배치된 회로부품 및 복수의 외부 접속단자를 실장기판의 제 1 주면측에서 투시한 평면도이다.
도 5는 실시형태 1의 변형예 2에 따른 고주파 모듈의 단면도이다.
도 6은 실시형태 1의 변형예 3에 따른 고주파 모듈의 단면도이다.
도 7은 실시형태 2에 따른 고주파 모듈을 구비하는 통신 장치의 회로 구성도이다.
이하의 실시형태 등에 있어서 참조하는 도 2A, 도 2B, 도 3, 도 4A, 도 4B, 도 5 및 도 6은, 모두 모식적인 도면이며, 도면 중의 각 구성요소의 크기나 두께 각각의 비가, 반드시 실제의 치수비를 반영하고 있다고는 할 수 없다.
(실시형태 1)
실시형태 1에 따른 고주파 모듈(100)은, 예를 들면 도 1에 나타내는 바와 같이, 제 1 파워 앰프(1)와, 제 2 파워 앰프(2)와, 스위치(3)와, 복수(예를 들면, 2개)의 제 1 필터(4)와, 제 2 필터(5)를 구비한다. 제 1 파워 앰프(1)는 제 1 입력단자(11) 및 제 1 출력단자(12)를 갖는다. 제 1 파워 앰프(1)는 제 1 주파수 대역(예를 들면, 1450MHz-2200MHz)의 송신 신호(이하, 제 1 송신 신호라고도 한다)를 증폭해서 출력한다. 제 2 파워 앰프(2)는 제 2 입력단자(21) 및 제 2 출력단자(22)를 갖는다. 제 2 파워 앰프(2)는 제 1 주파수 대역과는 다른 제 2 주파수 대역(예를 들면, 2300MHz-2700MHz)의 송신 신호(이하, 제 2 송신 신호라고도 한다)를 증폭해서 출력한다. 스위치(3)는 공통단자(30)와, 공통단자(30)에 접속 가능한 복수(예를 들면, 2개)의 선택단자(31)를 갖는다. 복수의 제 1 필터(4) 각각의 통과대역은 제 1 주파수 대역에 포함된다. 제 2 필터(5)의 통과대역은 제 2 주파수 대역에 포함된다.
고주파 모듈(100)에서는, 제 2 파워 앰프(2)의 출력 전력 레벨(예를 들면, 33dBm)이, 제 1 파워 앰프(1)의 출력 전력 레벨(예를 들면, 30dBm)보다 크다. 제 1 파워 앰프(1)의 제 1 출력단자(12)는 스위치(3)를 통해서 복수의 제 1 필터(4)에 접속 가능하다. 복수의 제 1 필터(4)의 통과대역은 서로 다르다.
고주파 모듈(100)은 복수의 외부 접속단자(8)를 더 구비한다. 복수의 외부 접속단자(8)는 제 1 파워 앰프(1)에 접속 가능한 제 1 안테나 단자(81)와, 제 2 파워 앰프(2)에 접속 가능한 제 2 안테나 단자(82)를 포함한다. 고주파 모듈(100)에서는, 제 2 안테나 단자(82)에서의 제 2 송신 신호의 송신 전력(예를 들면, 26dBm)이, 제 1 안테나 단자(81)에서의 제 1 송신 신호의 송신 전력(예를 들면, 23dBm)보다 크다.
또한, 고주파 모듈(100)은, 도 2A, 도 2B 및 도 3에 나타내는 바와 같이, 실장기판(10)을 구비한다. 실장기판(10)은 실장기판(10)의 두께 방향(D1)(도 3 참조)에 있어서 서로 대향하는 제 1 주면(101) 및 제 2 주면(102)을 갖는다. 제 1 파워 앰프(1), 제 2 파워 앰프(2), 스위치(3), 복수의 제 1 필터(4) 및 제 2 필터(5)는, 실장기판(10)에 실장되어 있다. 또한, 복수의 외부 접속단자(8)는 실장기판(10)의 제 2 주면(102)에 배치되어 있다.
이하, 실시형태 1에 따른 고주파 모듈(100) 및 통신 장치(300)에 대해서, 도 1을 참조하여 보다 상세하게 설명한다.
(1) 고주파 모듈 및 통신 장치
(1.1) 고주파 모듈 및 통신 장치의 회로구성
고주파 모듈(100)은, 예를 들면 통신 장치(300)에 사용된다. 통신 장치(300)는, 예를 들면, 휴대전화(예를 들면, 스마트폰)이지만, 이것에 한정하지 않고, 예를 들면 웨어러블 단말(예를 들면, 스마트 워치) 등이라도 좋다. 고주파 모듈(100)은, 예를 들면, 4G(제 4 세대 이동통신) 규격, 5G(제 5 세대 이동통신) 규격 등에 대응 가능한 모듈이다. 4G 규격은, 예를 들면, 3GPP LTE(Long Term Evolution) 규격이다. 5G 규격은, 예를 들면, 5G NR(New Radio)이다. 고주파 모듈(100)은, 예를 들면, 캐리어 애그리게이션 및 듀얼 커넥티비티에 대응 가능한 모듈이다.
고주파 모듈(100)은, 업링크에서 복수(실시형태 1에서는 2개)의 주파수 대역(제 1 주파수 대역 및 제 2 주파수 대역)을 동시에 사용하는 동시 통신에 대응 가능하다. 고주파 모듈(100)은, 신호 처리 회로(301)로부터 입력된 제 1 주파수 대역의 송신 신호(고주파 신호)를 제 1 파워 앰프(1)에 의해 증폭해서 제 1 안테나(311)에 출력할 수 있게 구성되어 있다. 또한, 고주파 모듈(100)은 신호 처리 회로(301)로부터 입력된 제 2 주파수 대역의 송신 신호(고주파 신호)를 제 2 파워 앰프(2)에 의해 증폭해서 제 2 안테나(312)에 출력할 수 있게 구성되어 있다. 또한, 고주파 모듈(100)은 저잡음 증폭기(9)를 더 구비하고 있고, 제 1 안테나(311)로부터 입력된 제 1 주파수 대역의 수신 신호를 저잡음 증폭기(9)에 의해 증폭해서 신호 처리 회로(301)에 출력할 수 있게 구성되어 있다. 신호 처리 회로(301)는 고주파 모듈(100)의 구성요소가 아니라, 고주파 모듈(100)을 구비하는 통신 장치(300)의 구성요소이다. 고주파 모듈(100)은, 예를 들면, 통신 장치(300)가 구비하는 신호 처리 회로(301)에 의해 제어된다. 통신 장치(300)는 고주파 모듈(100)과 신호 처리 회로(301)를 구비한다. 통신 장치(300)는 제 1 안테나(311)와, 제 2 안테나(312)를 더 구비한다. 통신 장치(300)는 고주파 모듈(100)이 실장된 회로기판을 더 구비한다. 회로기판은, 예를 들면 프린트 배선판이다. 회로기판은 그라운드 전위가 주어지는 그라운드 전극을 갖는다.
신호 처리 회로(301)는, 예를 들면, RF신호 처리 회로(302)와, 베이스밴드 신호 처리 회로(303)를 포함한다. RF신호 처리 회로(302)는, 예를 들면, RFIC(Radio Frequency Integrated Circuit)이며, 고주파 신호에 대한 신호처리를 행한다. RF신호 처리 회로(302)는, 예를 들면, 베이스밴드 신호 처리 회로(303)로부터 출력된 고주파 신호(송신 신호)에 대하여 업 컨버트 등의 신호처리를 행하고, 신호처리가 행하여진 고주파 신호를 출력한다. 또한, RF신호 처리 회로(302)는, 예를 들면, 고주파 모듈(100)로부터 출력된 고주파 신호(수신 신호)에 대하여 다운 컨버트 등의 신호처리를 행하고, 신호처리가 행하여진 고주파 신호를 베이스밴드 신호 처리 회로(303)에 출력한다. 베이스밴드 신호 처리 회로(303)는, 예를 들면, BBIC(Baseband Integrated Circuit)이다. 베이스밴드 신호 처리 회로(303)는 베이스밴드 신호로부터 I상 신호 및 Q상 신호를 생성한다. 베이스밴드 신호는, 예를 들면, 외부로부터 입력되는 음성신호, 화상신호 등이다. 베이스밴드 신호 처리 회로(303)는, I상 신호와 Q상 신호를 합성함으로써 IQ 변조처리를 행하여 송신 신호를 출력한다. 이 때, 송신 신호는 소정 주파수의 반송파 신호를, 그 반송파 신호의 주기보다 긴 주기로 진폭 변조한 변조 신호(IQ 신호)로서 생성된다. 베이스밴드 신호 처리 회로(303)에서 처리된 수신 신호는, 예를 들면, 화상 신호로서 화상 표시를 위해서, 또는 음성 신호로서 통화를 위해서 사용된다. 고주파 모듈(100)은 제 1 안테나(311) 및 제 2 안테나(312)와 신호 처리 회로(301)의 RF신호 처리 회로(302) 사이에서 고주파 신호(수신 신호, 송신 신호)를 전달한다.
고주파 모듈(100)은, 제 1 파워 앰프(1)와, 제 2 파워 앰프(2)와, 스위치(3)(이하, 제 1 스위치(3)라고도 한다)와, 복수(예를 들면, 2개)의 제 1 필터(4)와, 제 2 필터(5)를 구비한다. 또한, 고주파 모듈(100)은 컨트롤러(20)를 더 구비한다. 또한, 고주파 모듈(100)은, 제 1 출력 정합회로(13)와, 제 2 출력 정합회로(14)와, 복수(예를 들면, 2개)의 제 1 정합회로(15)와, 제 2 정합회로(16)를 더 구비한다. 또한, 고주파 모듈(100)은 저잡음 증폭기(9)와, 입력 정합회로(19)를 더 구비한다. 또한, 고주파 모듈(100)은 제 1 스위치(3) 이외의 스위치로서, 제 2 스위치(6)를 더 구비한다. 또한, 고주파 모듈(100)은 제 1 로우패스 필터(17)와, 제 2 로우패스 필터(18)를 더 구비한다. 또한, 고주파 모듈(100)은 제 1 스위치(3) 이외의 스위치로서, 제 3 스위치(7)와, 제 4 스위치(23)와, 제 5 스위치(24)를 더 구비한다. 복수의 제 1 필터(4)의 각각은 송신 필터(41)와 수신 필터(42)를 갖는 듀플렉서이다. 이하에서는, 설명의 편의상, 2개의 제 1 필터(4)를 구별해서 설명할 경우, 2개의 제 1 필터(4) 중 한쪽을 제 1 필터(4A)라고 칭하고, 다른쪽을 제 1 필터(4B)라고 칭할 경우도 있다. 또한, 제 2 필터(5)는 송신 필터(51)와 수신 필터(52)를 갖는 듀플렉서이다.
또한, 고주파 모듈(100)은 복수의 외부 접속단자(8)를 구비하고 있다. 복수의 외부 접속단자(8)는, 제 1 안테나 단자(81)와, 제 2 안테나 단자(82)와, 2개의 제 1 신호 입력단자(83)와, 2개의 제 2 신호 입력단자(84)와, 복수(4개)의 제어단자(85)와, 신호 출력단자(86)와, 복수의 그라운드 단자를 포함한다. 도 1에서는, 4개의 제어단자(85)에 관하여, 1개의 제어단자(85)만을 도시하고 있다. 복수의 그라운드 단자는, 통신 장치(300)가 구비하는 상술의 회로기판의 그라운드 전극과 전기적으로 접속되어서 그라운드 전위가 주어지는 단자이다.
제 1 파워 앰프(1)는 제 1 입력단자(11) 및 제 1 출력단자(12)를 갖는다. 제 1 파워 앰프(1)는 제 1 입력단자(11)에 입력된 제 1 주파수 대역의 송신 신호를 증폭해서 제 1 출력단자(12)로부터 출력한다. 제 1 주파수 대역은, 예를 들면, FDD(Frequency Division Duplex)용의 통신밴드의 송신 대역을 포함한다. 보다 상세하게는, 제 1 주파수 대역은 FDD용의 제 1 통신밴드의 송신 대역과 FDD용의 제 2 통신밴드의 송신 대역을 포함한다. 제 1 통신밴드는 제 1 필터(4A)의 송신 필터(41)를 지나는 송신 신호에 대응하고, 예를 들면 3GPP LTE 규격의 Band 1, Band 3, Band 2, Band 25, Band 4, Band 66, Band 39, Band 34 또는 5G NR의 n1, n3, n2, n25, n4, n66, n39, n34이다. 제 2 통신밴드는 제 1 필터(4B)의 송신 필터(41)를 지나는 송신 신호에 대응하고, 예를 들면 5G NR의 n50, n51이다.
제 1 파워 앰프(1)의 제 1 입력단자(11)는 제 4 스위치(23)를 통해서 2개의 제 1 신호 입력단자(83)에 선택적으로 접속된다. 제 1 파워 앰프(1)의 제 1 입력단자(11)는 2개의 제 1 신호 입력단자(83) 중 어느 하나를 통해서 신호 처리 회로(301)에 접속된다. 2개의 제 1 신호 입력단자(83)는, 외부회로(예를 들면, 신호 처리 회로(301))부터의 고주파 신호(송신 신호)를 고주파 모듈(100)에 입력하기 위한 단자이다. 2개의 제 1 신호 입력단자(83) 중 한쪽은, 4G 규격에 대응한 송신 신호를 고주파 모듈(100)에 입력하기 위한 단자이며, 다른쪽은 5G 규격에 대응한 송신 신호를 고주파 모듈(100)에 입력하기 위한 단자이다. 제 1 파워 앰프(1)의 제 1 출력단자(12)는, 제 1 출력 정합회로(13)를 통해서 제 1 스위치(3)의 공통단자(30)에 접속되어 있다. 따라서, 제 1 파워 앰프(1)의 제 1 출력단자(12)는 제 1 스위치(3)를 통해서 복수의 제 1 필터(4)에 접속 가능하다.
제 2 파워 앰프(2)는 제 2 입력단자(21) 및 제 2 출력단자(22)를 갖는다. 제 2 파워 앰프(2)는 제 2 입력단자(21)에 입력된 제 2 주파수 대역의 송신 신호를 증폭해서 제 2 출력단자(22)로부터 출력한다. 제 2 주파수 대역은 제 1 주파수 대역보다 고주파측의 주파수 대역이다. 실시형태 1에 따른 고주파 모듈(100)에서는, 제 1 주파수 대역이 미드밴드의 주파수 대역이며, 제 2 주파수 대역이 하이밴드의 주파수 대역이다. 미드밴드의 주파수 대역은, 예를 들면 1450MHz-2200MHz이다. 하이밴드의 주파수 대역은, 예를 들면 2300MHz-2700MHz이다. 또한, 제 2 주파수 대역은, 예를 들면, TDD(Time Division Duplex)용의 통신밴드의 송신 대역을 포함한다. 보다 상세하게는, 제 2 주파수 대역은 TDD용의 제 3 통신밴드의 송신 대역을 포함한다. 제 3 통신밴드는 제 2 필터(5)의 송신 필터(51)를 지나는 송신 신호에 대응하고, 예를 들면, 3GPP LTE 규격의 Band 40 또는 Band 41 및 5G NR의 n40, n41이다.
제 2 파워 앰프(2)의 제 2 입력단자(21)는 제 5 스위치(24)를 통해서 2개의 제 2 신호 입력단자(84)에 선택적으로 접속된다. 제 2 파워 앰프(2)의 제 2 입력단자(21)는 2개의 제 2 신호 입력단자(84) 중 어느 하나를 통해서 신호 처리 회로(301)에 접속된다. 2개의 제 2 신호 입력단자(84)는 외부회로(예를 들면, 신호 처리 회로(301))로부터의 고주파 신호(송신 신호)를 고주파 모듈(100)에 입력하기 위한 단자이다. 2개의 제 2 신호 입력단자(84) 중 한쪽은, 4G 규격에 대응한 송신 신호를 고주파 모듈(100)에 입력하기 위한 단자이며, 다른쪽은 5G 규격에 대응한 송신 신호를 고주파 모듈(100)에 입력하기 위한 단자이다. 제 2 파워 앰프(2)의 제 2 출력단자(22)는, 제 2 출력 정합회로(14)를 통해서 제 2 필터(5)에 접속되어 있다. 제 2 파워 앰프(2)의 제 2 출력단자(22)는 제 1 스위치(3)를 개재하지 않고 제 2 필터(5)에 접속되어 있다. 보다 상세하게는, 제 2 파워 앰프(2)의 제 2 출력단자(22)는, 제 1 스위치(3) 이외의 제 2 스위치(6)와 제 3 스위치(7)와 제 4 스위치(23)와 제 5 스위치(24)의 어느 것이나 개재하지 않고 제 2 필터(5)에 접속되어 있다. 제 2 파워 앰프(2)의 제 2 출력단자(22)는, 제 2 출력 정합회로(14)를 통해서 제 2 필터(5)에 접속되어 있다.
제 1 스위치(3)는 공통단자(30)와, 복수(예를 들면, 2개)의 선택단자(31)를 갖는다. 공통단자(30)는 제 1 출력 정합회로(13)를 통해서 제 1 파워 앰프(1)의 제 1 출력단자(12)에 접속되어 있다. 이하에서는, 설명의 편의상, 2개의 선택단자(31)의 한쪽을 선택단자(31A)라고 칭하고, 다른쪽을 선택단자(31B)라고 칭할 경우도 있다. 제 1 스위치(3)에서는, 선택단자(31A)가 제 1 필터(4A)의 송신 필터(41)의 입력단자에 접속되어 있다. 선택단자(31B)는 제 1 필터(4B)의 송신 필터(41)의 입력단자에 접속되어 있다. 제 1 스위치(3)는, 예를 들면, 공통단자(30)에 복수의 선택단자(31) 중 적어도 1개 이상을 접속 가능한 스위치이다. 여기에서, 제 1 스위치(3)는, 예를 들면, 일대일 및 일대다의 접속이 가능한 스위치이다.
제 1 스위치(3)는, 예를 들면, 스위치 IC(Integrated Circuit)이다. 제 1 스위치(3)는, 예를 들면, 컨트롤러(20)에 의해 제어된다. 이 경우, 제 1 스위치(3)는 컨트롤러(20)에 의해 제어되어서, 공통단자(30)와 복수의 선택단자(31)의 접속 상태를 스위칭한다. 제 1 스위치(3)는 신호 처리 회로(301)에 의해 제어되어도 좋다. 이 경우, 제 1 스위치(3)는 신호 처리 회로(301)의 RF신호 처리 회로(302)로부터의 제어신호에 따라서, 공통단자(30)와 복수의 선택단자(31)의 접속 상태를 스위칭한다.
복수의 제 1 필터(4)의 각각은, 송신 필터(41)와 수신 필터(42)를 갖는 듀플렉서이다. 제 1 필터(4A)의 송신 필터(41)는, 예를 들면, 제 1 통신밴드의 송신 대역을 통과대역으로 하는 밴드패스 필터이다. 제 1 필터(4B)의 송신 필터(41)는, 예를 들면, 제 2 통신밴드의 송신 대역을 통과대역으로 하는 밴드패스 필터이다. 제 1 필터(4A)의 수신 필터(42)는, 예를 들면, 제 1 통신밴드의 수신 대역을 통과대역으로 하는 밴드패스 필터이다. 제 1 필터(4B)의 수신 필터(42)는, 예를 들면, 제 2 통신밴드의 수신 대역을 통과대역으로 하는 밴드패스 필터이다.
제 2 필터(5)는 송신 필터(51)와 수신 필터(52)를 갖는 듀플렉서이다. 제 2 필터(5)의 송신 필터(51)는, 예를 들면, 제 3 통신밴드의 송신 대역을 통과대역으로 하는 밴드패스 필터이다. 제 2 필터(5)의 수신 필터(52)는, 예를 들면, 제 3 통신밴드의 수신 대역을 통과대역으로 하는 밴드패스 필터이다.
컨트롤러(20)는 제 1 파워 앰프(1) 및 제 2 파워 앰프(2)와 접속되어 있다. 또한, 컨트롤러(20)는 복수(예를 들면, 4개)의 제어단자(85)를 통해서 신호 처리 회로(301)에 접속된다. 도 1에서는, 4개의 제어단자(85) 중 1개만 도시되어 있다. 복수의 제어단자(85)는, 외부회로(예를 들면, 신호 처리 회로(301))부터의 제어신호를 컨트롤러(20)에 입력하기 위한 단자이다. 컨트롤러(20)는, 복수의 제어단자(85)로부터 취득한 제어신호에 의거하여 제 1 파워 앰프(1) 및 제 2 파워 앰프(2)를 제어한다. 복수의 제어단자(85)는, 예를 들면, MIPI(Mobile Industry Processor Interface) 규격에 대응하고 있다. 컨트롤러(20)는 제어신호가 입력되는 입력부로서, 복수의 제어단자(85)에 접속되어 있는 복수의 단자를 갖는다. 복수의 단자는, 예를 들면, MIPI 규격에 대응하고 있다. 컨트롤러(20)는 RF신호 처리 회로(302)로부터의 제어신호에 따라서 제 1 파워 앰프(1) 및 제 2 파워 앰프(2)를 제어한다.
컨트롤러(20)는 RF신호 처리 회로(302)로부터의 제어신호를 복수의 단자에서 받고, 이 제어신호에 따라, 예를 들면, 제 1 파워 앰프(1)가 갖는 제 1 증폭용 트랜지스터에 제 1 바이어스(제 1 바이어스 전류 또는 제 1 바이어스 전압)를 공급하고, 제 2 파워 앰프(2)가 갖는 제 2 증폭용 트랜지스터에 제 2 바이어스(제 2 바이어스 전류 또는 제 2 바이어스 전압)를 공급한다. 컨트롤러(20)는 제 1 파워 앰프(1)와 제 2 파워 앰프(2)를 동시에 동작시키는 모드(이하, 제 1 모드라고도 한다)와, 제 1 파워 앰프(1)와 제 2 파워 앰프(2) 중 한쪽을 동작시키는 모드(이하, 제 2 모드라고도 한다)를 갖는다. 컨트롤러(20)는 제 1 모드의 경우, 제 1 파워 앰프(1)에 제 1 바이어스를 공급하고, 또한, 제 2 파워 앰프(2)에 제 2 바이어스를 공급한다. 또한 컨트롤러(20)는, 제 2 모드의 경우, 예를 들면, 제 1 파워 앰프(1)와 제 2 파워 앰프(2) 중 제 1 파워 앰프(1)만을 동작시킬 때에는, 제 1 파워 앰프(1)에 제 1 바이어스를 공급하고, 또한, 제 2 파워 앰프(2)에는 제 2 바이어스를 공급하지 않는다. 또한, 컨트롤러(20)는 제 2 모드의 경우, 예를 들면 제 1 파워 앰프(1)와 제 2 파워 앰프(2) 중 제 2 파워 앰프(2)만을 동작시킬 때에는, 제 2 파워 앰프(2)에 제 2 바이어스를 공급하고, 또한, 제 1 파워 앰프(1)에는 제 1 바이어스를 공급하지 않는다. 제어신호는 MIPI 규격에 대응한 제어신호에 한하지 않고, GPIO(General Purpose Input/Output)에 대응한 제어신호라도 좋다. 또한, 컨트롤러(20)는 제 1 스위치(3)와, 제 2 스위치(6), 제 3 스위치(7), 제 4 스위치(23) 및 제 5 스위치(24)에도 접속되어 있고, 상술의 제어신호에 의거하여 제 1 스위치(3)와, 제 2 스위치(6), 제 3 스위치(7), 제 4 스위치(23) 및 제 5 스위치(24)도 제어한다.
제 1 출력 정합회로(13)는 제 1 파워 앰프(1)의 제 1 출력단자(12)와 제 1 스위치(3)의 공통단자(30) 사이의 신호경로에 설치되어 있다. 제 1 출력 정합회로(13)는 제 1 파워 앰프(1)와 2개의 제 1 필터(4)의 송신 필터(41)의 임피던스 정합을 취하기 위한 회로이다. 제 1 출력 정합회로(13)는, 예를 들면, 1개의 인덕터로 구성되어 있지만, 이것에 한정하지 않고, 예를 들면 복수의 인덕터 및 복수의 커패시터를 포함해서 구성되거나, 또는 트랜스를 포함해서 구성되어도 좋다.
제 2 출력 정합회로(14)는 제 2 파워 앰프(2)의 제 2 출력단자(22)와 제 2 필터(5)의 송신 필터(51) 사이의 신호경로에 설치되어 있다. 제 2 출력 정합회로(14)는 제 2 파워 앰프(2)와 제 2 필터(5)의 송신 필터(51)의 임피던스 정합을 취하기 위한 회로이다. 제 2 출력 정합회로(14)는, 예를 들면, 1개의 인덕터로 구성되어 있지만, 이것에 한정하지 않고, 예를 들면, 복수의 인덕터 및 복수의 커패시터를 포함해서 구성되거나, 또는 트랜스를 포함해서 구성되어도 좋다.
복수(예를 들면, 2개)의 제 1 정합회로(15)는 복수의 제 1 필터(4)에 일대일로 대응하고 있다. 이하에서는, 설명의 편의상, 복수의 제 1 정합회로(15) 중 제 1 필터(4A)에 대응하는 제 1 정합회로(15)를 제 1 정합회로(15A)라고 칭하고, 제 1 필터(4B)에 대응하는 제 1 정합회로(15)를 제 1 정합회로(15B)라고 칭할 경우도 있다. 제 1 정합회로(15A)는 제 1 필터(4A)와 제 3 스위치(7) 사이의 신호경로에 설치되어 있다. 제 1 정합회로(15A)는 제 1 필터(4A)와 제 3 스위치(7)의 임피던스 정합을 취하기 위한 회로이다. 제 1 정합회로(15B)는 제 1 필터(4B)와 제 3 스위치(7)의 임피던스 정합을 취하기 위한 회로이다.
제 2 정합회로(16)는 제 2 필터(5)와 제 3 스위치(7) 사이의 신호경로에 설치되어 있다. 제 2 정합회로(16)는 제 2 필터(5)와 제 3 스위치(7)의 임피던스 정합을 취하기 위한 회로이다. 제 2 정합회로(16)는, 예를 들면, 1개의 인덕터로 구성되어 있지만, 이에 한정하지 않고, 예를 들면, 복수의 인덕터 및 복수의 커패시터를 포함해서 구성되어도 좋다.
저잡음 증폭기(9)는 입력단자(91) 및 출력단자(92)를 갖는다. 저잡음 증폭기(9)는 입력단자(91)에 입력된 제 1 주파수 대역의 수신 신호를 증폭해서 출력단자(92)로부터 출력한다. 저잡음 증폭기(9)의 입력단자(91)는, 입력 정합회로(19)를 통해서 제 2 스위치(6)의 공통단자(60)에 접속되어 있다. 저잡음 증폭기(9)의 출력단자(92)는 신호 출력단자(86)에 접속되어 있다. 저잡음 증폭기(9)의 출력단자(92)는, 예를 들면, 신호 출력단자(86)를 통해서 신호 처리 회로(301)에 접속된다. 신호 출력단자(86)는 저잡음 증폭기(9)로부터의 고주파 신호(수신 신호)를 외부회로(예를 들면, 신호 처리 회로(301))에 출력하기 위한 단자이다.
입력 정합회로(19)는 저잡음 증폭기(9)의 입력단자(91)와 제 2 스위치(6)의 공통단자(60) 사이의 신호경로에 설치되어 있다. 입력 정합회로(19)는 저잡음 증폭기(9)와 각 제 1 필터(4)의 수신 필터(42)의 임피던스 정합을 취하기 위한 회로이다. 입력 정합회로(19)는, 예를 들면, 1개의 인덕터로 구성되어 있지만, 이에 한정하지 않고, 예를 들면, 복수의 인덕터 및 복수의 커패시터를 포함해서 구성되어도 좋다.
제 2 스위치(6)는 공통단자(60)와 복수(예를 들면, 3개)의 선택단자(61)를 갖는다. 공통단자(60)는 입력 정합회로(19)를 통해서 저잡음 증폭기(9)의 입력단자(91)에 접속되어 있다. 제 2 스위치(6)에서는, 3개의 선택단자(61) 중 1개의 선택단자(61)가, 제 1 필터(4A)의 수신 필터(42)의 출력단자에 접속되고, 다른 1개의 선택단자(61)가 제 1 필터(4B)의 수신 필터(42)의 출력단자에 접속되고, 나머지 1개의 선택단자(61)가 제 2 필터(5)의 수신 필터(52)의 출력단자에 접속되어 있다. 제 2 스위치(6)는, 예를 들면, 공통단자(60)에 복수의 선택단자(61) 중 적어도 1개 이상을 접속 가능한 스위치이다. 여기에서, 제 2 스위치(6)는, 예를 들면, 일대일 및 일대다의 접속이 가능한 스위치이다.
제 2 스위치(6)는, 예를 들면, 스위치 IC이다. 제 2 스위치(6)는, 예를 들면 신호 처리 회로(301)에 의해 제어된다. 이 경우, 제 2 스위치(6)는 신호 처리 회로(301)의 RF신호 처리 회로(302)로부터의 제어신호에 따라서, 공통단자(60)와 복수의 선택단자(61)의 접속 상태를 스위칭한다. 제 2 스위치(6)는 신호 처리 회로(301)에 의해 제어되는 대신에, 컨트롤러(20)에 의해 제어되어도 좋다.
제 3 스위치(7)는 제 1 공통단자(70A)와, 제 2 공통단자(70B)와, 제 1 공통단자(70A)에 접속 가능한 복수(예를 들면, 2개)의 제 1 선택단자(71)와, 제 2 공통단자(70B)에 접속 가능한 제 2 선택단자(72)를 갖는다. 제 1 공통단자(70A)는 제 1 로우패스 필터(17)를 통해서 제 1 안테나 단자(81)에 접속되어 있다. 제 1 안테나 단자(81)에는 제 1 안테나(311)가 접속된다. 복수의 제 1 선택단자(71)는 복수의 제 1 정합회로(15)에 일대일로 접속되어 있다. 복수의 제 1 선택단자(71)는, 복수의 제 1 필터(4) 중 대응하는 제 1 필터(4)에 있어서의 송신 필터(41)의 출력단자와 수신 필터(42)의 입력단자의 접속점에 접속되어 있다. 제 3 스위치(7)는, 예를 들면, 제 1 공통단자(70A)에 복수의 제 1 선택단자(71) 중 적어도 1개 이상을 접속 가능한 스위치이다. 여기에서, 제 3 스위치(7)는, 예를 들면, 일대일 및 일대다의 접속이 가능한 스위치이다.
제 3 스위치(7)는, 예를 들면, 스위치 IC이다. 제 3 스위치(7)는, 예를 들면, 신호 처리 회로(301)에 의해 제어된다. 이 경우, 제 3 스위치(7)는 신호 처리 회로(301)의 RF신호 처리 회로(302)로부터의 제어신호에 따라서, 제 1 공통단자(70A)와 복수의 제 1 선택단자(71)의 접속 상태, 제 2 공통단자(70B)와 제 2 선택단자(72)의 접속 상태를 스위칭한다. 제 3 스위치(7)는 신호 처리 회로(301)에 의해 제어되는 대신에, 컨트롤러(20)에 의해 제어되어도 좋다.
제 4 스위치(23)는 공통단자(230)와, 복수(예를 들면, 2개)의 선택단자(231)를 갖는다. 공통단자(230)는 제 1 파워 앰프(1)의 제 1 입력단자(11)에 접속되어 있다. 2개의 선택단자(231)는 2개의 제 1 신호 입력단자(83)에 일대일로 접속되어 있다.
제 4 스위치(23)는, 예를 들면, 스위치 IC이다. 제 4 스위치(23)는, 예를 들면, 컨트롤러(20)에 의해 제어된다. 이 경우, 제 4 스위치(23)는 컨트롤러(20)에 의해 제어되어서, 공통단자(230)와 복수의 선택단자(231)의 접속 상태를 스위칭한다. 제 4 스위치(23)는 신호 처리 회로(301)에 의해 제어되어도 좋다. 이 경우, 제 4 스위치(23)는 신호 처리 회로(301)의 RF신호 처리 회로(302)로부터의 제어신호에 따라서, 공통단자(230)와 복수의 선택단자(231)의 접속 상태를 스위칭한다.
제 5 스위치(24)는 공통단자(240)와, 복수(예를 들면, 2개)의 선택단자(241)를 갖는다. 공통단자(240)는 제 2 파워 앰프(2)의 제 2 입력단자(21)에 접속되어 있다. 2개의 선택단자(241)는 2개의 제 2 신호 입력단자(84)에 일대일로 접속되어 있다.
제 5 스위치(24)는, 예를 들면, 스위치 IC이다. 제 5 스위치(24)는, 예를 들면, 컨트롤러(20)에 의해 제어된다. 이 경우, 제 5 스위치(24)는 컨트롤러(20)에 의해 제어되어서, 공통단자(240)와 복수의 선택단자(241)의 접속 상태를 스위칭한다. 제 5 스위치(24)는 신호 처리 회로(301)에 의해 제어되어도 좋다. 이 경우, 제 5 스위치(24)는 신호 처리 회로(301)의 RF신호 처리 회로(302)로부터의 제어신호에 따라서, 공통단자(240)와 복수의 선택단자(241)의 접속 상태를 스위칭한다.
제 1 로우패스 필터(17)는 제 1 안테나 단자(81)와 제 3 스위치(7)의 제 1 공통단자(70A) 사이에 접속되어 있다. 제 1 로우패스 필터(17)는, 예를 들면, 복수의 인덕터 및 커패시터를 포함한다. 제 1 로우패스 필터(17)는 복수의 인덕터 및 커패시터를 포함하는 IPD(Integrated Passive Device)여도 좋다.
제 2 로우패스 필터(18)는 제 2 안테나 단자(82)와 제 3 스위치(7)의 제 2 공통단자(70B) 사이에 접속되어 있다. 제 2 로우패스 필터(18)는, 예를 들면, 복수의 인덕터 및 커패시터를 포함한다. 제 2 로우패스 필터(18)는 복수의 인덕터 및 커패시터를 포함하는 IPD여도 좋다.
(1.2) 고주파 모듈의 구조
고주파 모듈(100)은, 도 2A, 도 2B 및 도 3에 나타내는 바와 같이, 실장기판(10)과, 제 1 파워 앰프(1)와, 제 2 파워 앰프(2)와, 제 1 스위치(3)와, 복수(예를 들면, 2개)의 제 1 필터(4)와, 제 2 필터(5)를 구비한다. 또한, 고주파 모듈(100)은 컨트롤러(20)를 더 구비한다. 또한, 고주파 모듈(100)은 제 1 출력 정합회로(13)와, 제 2 출력 정합회로(14)와, 복수(예를 들면, 2개)의 제 1 정합회로(15)와, 제 2 정합회로(16)를 더 구비한다. 또한, 고주파 모듈(100)은 저잡음 증폭기(9)와, 입력 정합회로(19)를 더 구비한다. 또한, 고주파 모듈(100)은 제 1 스위치(3) 이외의 스위치로서, 제 2 스위치(6)를 더 구비한다. 또한, 고주파 모듈(100)은 제 1 로우패스 필터(17)와, 제 2 로우패스 필터(18)를 더 구비한다. 또한, 고주파 모듈(100)은 제 1 스위치(3) 이외의 스위치로서, 제 3 스위치(7)와, 제 4 스위치(23)와, 제 5 스위치(24)를 더 구비한다. 또한, 고주파 모듈(100)은 복수의 외부 접속단자(8)를 더 구비한다.
실장기판(10)은 실장기판(10)의 두께 방향(D1)에 있어서 서로 대향하는 제 1 주면(101) 및 제 2 주면(102)을 갖는다. 실장기판(10)은, 예를 들면, 복수의 유전체층 및 복수의 도전층을 포함하는 다층 기판이다. 복수의 유전체층 및 복수의 도전층은 실장기판(10)의 두께 방향(D1)에 있어서 적층되어 있다. 복수의 도전층은 층마다 정해진 소정 패턴으로 형성되어 있다. 복수의 도전층의 각각은 실장기판(10)의 두께 방향(D1)에 직교하는 일평면 내에 있어서 1개 또는 복수의 도체부를 포함한다. 각 도전층의 재료는, 예를 들면 구리이다. 복수의 도체 패턴층은 그라운드층을 포함한다. 고주파 모듈(100)에서는 복수의 그라운드 단자와 그라운드층이, 실장기판(10)이 갖는 비아 도체 등을 통해서 전기적으로 접속되어 있다. 실장기판(10)은, 예를 들면, LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramics) 기판이다. 실장기판(10)은 LTCC 기판에 한하지 않고, 예를 들면, 프린트 배선판, HTCC(High Temperature Co-fired Ceramics) 기판, 수지 다층 기판이여도 좋다.
또한, 실장기판(10)은 LTCC 기판에 한하지 않고, 예를 들면 배선 구조체라도 좋다. 배선 구조체는, 예를 들면, 다층 구조체이다. 다층 구조체는 적어도 1개의 절연층과, 적어도 1개의 도전층을 포함한다. 절연층은 소정 패턴으로 형성되어 있다. 절연층이 복수일 경우는, 복수의 절연층은 층마다 정해진 소정 패턴으로 형성되어 있다. 도전층은 절연층의 소정 패턴과는 다른 소정 패턴으로 형성되어 있다. 도전층이 복수일 경우는, 복수의 도전층은 층마다 정해진 소정 패턴으로 형성되어 있다. 도전층은 1개 또는 복수의 재배선부를 포함해도 좋다. 배선 구조체에서는, 다층 구조체의 두께 방향에 있어서 서로 대향하는 2개의 면 중 제 1 면이 실장기판(10)의 제 1 주면(101)이며, 제 2 면이 실장기판(10)의 제 2 주면(102)이다. 배선 구조체는, 예를 들면, 인터포저여도 좋다. 인터포저는 규소 기판을 사용한 인터포저여도 좋고, 다층으로 구성된 기판이여도 좋다.
실장기판(10)의 제 1 주면(101) 및 제 2 주면(102)은, 실장기판(10)의 두께 방향(D1)에 있어서 떨어져 있고, 실장기판(10)의 두께 방향(D1)에 교차한다. 실장기판(10)에 있어서의 제 1 주면(101)은, 예를 들면, 실장기판(10)의 두께 방향(D1)에 직교하고 있지만, 예를 들면, 두께 방향(D1)에 직교하지 않는 면으로서 도체부의 측면 등을 포함하고 있어도 좋다. 또한, 실장기판(10)에 있어서의 제 2 주면(102)은, 예를 들면, 실장기판(10)의 두께 방향(D1)에 직교하고 있지만, 예를 들면, 두께 방향(D1)에 직교하지 않는 면으로서 도체부의 측면 등을 포함하고 있어도 좋다. 또한, 실장기판(10)의 제 1 주면(101) 및 제 2 주면(102)은, 미세한 요철 또는 오목부 또는 볼록부가 형성되어 있어도 좋다. 예를 들면, 실장기판(10)의 제 1 주면(101)에 오목부가 형성되어 있을 경우, 오목부의 내면은 제 1 주면(101)에 포함된다.
실시형태 1에 따른 고주파 모듈(100)에서는, 복수의 회로부품 중 제 1 군의 회로부품이 실장기판(10)의 제 1 주면(101)에 실장되어 있다. 제 1 군의 회로부품은 제 1 파워 앰프(1), 제 2 파워 앰프(2), 2개의 제 1 필터(4), 제 2 필터(5), 제 1 출력 정합회로(13), 제 2 출력 정합회로(14), 2개의 제 1 정합회로(15), 제 2 정합회로(16), 입력 정합회로(19), 제 1 로우패스 필터(17) 및 제 2 로우패스 필터(18)를 포함한다. 「회로부품이 실장기판(10)의 제 1 주면(101)에 실장되어 있다」란, 회로부품이 실장기판(10)의 제 1 주면(101)에 배치되어 있는 것(기계적으로 접속되어 있는 것)과, 회로부품이 실장기판(10)(의 적당한 도체부)과 전기적으로 접속되어 있는 것을 포함한다. 고주파 모듈(100)에서는, 복수의 회로부품 중 제 2 군의 회로부품이 실장기판(10)의 제 2 주면(102)에 실장되어 있다. 제 2 군의 회로부품은 제 1 스위치(3), 컨트롤러(20), 제 4 스위치(23), 제 5 스위치(24), 저잡음 증폭기(9), 제 2 스위치(6) 및 제 3 스위치(7)를 포함한다. 「회로부품이 실장기판(10)의 제 2 주면(102)에 실장되어 있다」란, 회로부품이 실장기판(10)의 제 2 주면(102)에 배치되어 있는 것(기계적으로 접속되어 있는 것)과, 회로부품이 실장기판(10)(의 적당한 도체부)과 전기적으로 접속되어 있는 것을 포함한다. 따라서, 고주파 모듈(100)에서는, 고주파 모듈(100)은 실장기판(10)에 실장되는 복수의 회로부품에만 한정하지 않고, 실장기판(10) 내에 설치되는 회로소자를 포함해도 좋다.
제 1 파워 앰프(1)는 제 1 증폭용 트랜지스터를 갖는 회로부를 포함하는 IC칩이다. 제 1 파워 앰프(1)는 실장기판(10)의 제 1 주면(101)에 플립 칩 실장되어 있다. 실장기판(10)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 볼 때에, 제 1 파워 앰프(1)의 외주 형상은 사각형상이다. 제 1 증폭용 트랜지스터는, 예를 들면, HBT(Heterojunction Bipolar Transistor)이다. 이 경우, 제 1 파워 앰프(1)를 구성하는 IC칩은, 예를 들면, GaAs계 IC칩이다. 제 1 증폭용 트랜지스터는 HBT 등의 바이폴러 트랜지스터에 한정하지 않고, 예를 들면, FET(Field Effect Transistor)라도 좋다. FET는, 예를 들면, MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)이다. 제 1 파워 앰프(1)를 구성하는 IC칩은, GaAs계 IC칩에 한정하지 않고, 예를 들면, Si계 IC칩, SiGe계 IC칩 또는 GaN계 IC칩이라도 좋다.
제 2 파워 앰프(2)는 제 2 증폭용 트랜지스터를 갖는 회로부를 포함하는 IC칩이다. 제 2 파워 앰프(2)는 실장기판(10)의 제 1 주면(101)에 플립 칩 실장되어 있다. 실장기판(10)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 볼 때에, 제 2 파워 앰프(2)의 외주 형상은 사각형상이다. 제 2 증폭용 트랜지스터는, 예를 들면, HBT이다. 이 경우, 제 2 파워 앰프(2)를 구성하는 IC칩은, 예를 들면, GaAs계 IC칩이다. 제 2 증폭용 트랜지스터는 HBT 등의 바이폴러 트랜지스터에 한정하지 않고, 예를 들면, FET라도 좋다. 제 2 파워 앰프(2)를 구성하는 IC칩은, GaAs계 IC칩에 한정하지 않고, 예를 들면, Si계 IC칩, SiGe계 IC칩 또는 GaN계 IC칩이라도 좋다.
2개의 제 1 필터(4)의 송신 필터(41) 및 수신 필터(42)의 각각은, 예를 들면, 사다리형 필터이며, 복수(예를 들면, 4개)의 직렬 암 공진자와, 복수(예를 들면, 3개)의 병렬 암 공진자를 갖는다. 2개의 송신 필터(41) 및 2개의 수신 필터(42)의 각각은, 예를 들면, 탄성파 필터이다. 탄성파 필터는 복수의 직렬 암 공진자 및 복수의 병렬 암 공진자의 각각이 탄성파 공진자에 의해 구성되어 있다. 탄성파 필터는, 예를 들면, 탄성 표면파를 이용하는 표면 탄성파 필터이다.
표면 탄성파 필터에서는, 복수의 직렬 암 공진자 및 복수의 병렬 암 공진자의 각각은, 예를 들면, SAW(Surface Acoustic Wave) 공진자이다.
표면 탄성파 필터는, 예를 들면, 압전성 기판과, 압전성 기판 상에 형성되어 있고, 복수의 직렬 암 공진자에 일대일로 대응하는 복수의 IDT(Interdigital Transducer) 전극과, 압전성 기판 상에 형성되어 있고, 복수의 병렬 암 공진자에 일대일로 대응하는 복수의 IDT 전극을 갖고 있다. 압전성 기판은, 예를 들면, 압전기판이다. 압전기판은, 예를 들면, 니오브산 리튬 기판, 탄탈산 리튬 기판 또는 수정 기판이다. 압전성 기판은 압전기판에 한정하지 않고, 예를 들면, 규소 기판과, 규소 기판 상의 고음속막과, 고음속막 상의 저음속막과, 저음속막 상의 압전체층을를 포함하는 적층형 기판이라도 좋다. 적층형 기판에서는, 압전체층의 재료는, 예를 들면, 니오브산 리튬 또는 탄탈산 리튬이다. 저음속막은 압전체층을 전파하는 벌크파의 음속보다 저음속막을 전파하는 벌크파의 음속이 저속으로 되는 막이다. 저음속막의 재료는, 예를 들면, 산화규소이다. 고음속막은 압전체층을 전파하는 탄성파의 음속보다 고음속막을 전파하는 벌크파의 음속이 고속으로 되는 막이다. 고음속막의 재료는, 예를 들면, 질화규소이다.
실장기판(10)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 볼 때에, 2개의 제 1 필터(4)의 각각의 외주 형상은 사각형상이다. 2개의 제 1 필터(4)는 실장기판(10)의 제 1 주면(101)에 실장되어 있다.
제 2 필터(5)의 송신 필터(51) 및 수신 필터(52)의 각각은, 예를 들면, 사다리형 필터이며, 복수(예를 들면, 4개)의 직렬 암 공진자와, 복수(예를 들면, 3개)의 병렬 암 공진자를 갖는다. 송신 필터(51) 및 수신 필터(52)의 각각은, 예를 들면, 탄성파 필터이다. 탄성파 필터는 복수의 직렬 암 공진자 및 복수의 병렬 암 공진자의 각각이 탄성파 공진자에 의해 구성되어 있다. 탄성파 필터는, 예를 들면, 탄성 표면파를 이용하는 표면 탄성파 필터이다.
실장기판(10)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 볼 때에, 제 2 필터(5)의 외주 형상은 사각형상이다. 제 2 필터(5)는 실장기판(10)의 제 1 주면(101)에 실장되어 있다.
제 1 출력 정합회로(13)의 회로부품(인덕터)은, 예를 들면, 칩 인덕터이다. 제 1 출력 정합회로(13)의 회로부품은, 예를 들면, 실장기판(10)의 제 1 주면(101)에 실장되어 있다. 실장기판(10)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 볼 때에, 제 1 출력 정합회로(13)의 회로부품의 외주 형상은 사각형상이다. 제 1 출력 정합회로(13)는 실장기판(10) 내에 설치되는 내층 인덕터를 포함하고 있어도 좋다.
제 2 출력 정합회로(14)의 회로부품(인덕터)은, 예를 들면, 칩 인덕터이다. 제 2 출력 정합회로(14)의 회로부품은, 예를 들면, 실장기판(10)의 제 1 주면(101)에 실장되어 있다. 실장기판(10)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 볼 때에, 제 2 출력 정합회로(14)의 회로부품의 외주 형상은 사각형상이다. 제 2 출력 정합회로(14)는 실장기판(10) 내에 설치되는 내층 인덕터를 포함하고 있어도 좋다.
2개의 제 1 정합회로(15) 및 제 2 정합회로(16)의 각각의 회로부품(인덕터)은, 예를 들면, 칩 인덕터이다. 2개의 제 1 정합회로(15) 및 제 2 정합회로(16)의 각각의 회로부품은, 예를 들면, 실장기판(10)의 제 1 주면(101)에 실장되어 있다. 실장기판(10)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 볼 때에, 2개의 제 1 정합회로(15) 및 제 2 정합회로(16)의 각각의 회로부품의 외주 형상은 사각형상이다. 2개의 제 1 정합회로(15) 및 제 2 정합회로(16)의 각각은, 실장기판(10) 내에 설치되는 내층 인덕터를 포함하고 있어도 좋다.
제 1 로우패스 필터(17)의 차단 주파수는 제 1 주파수 대역의 상한보다 고주파이다. 제 2 로우패스 필터(18)의 차단 주파수는 제 2 주파수 대역의 상한보다 고주파이다. 제 1 로우패스 필터(17) 및 제 2 로우패스 필터(18)는, 실장기판(10)의 제 1 주면(101)에 실장되어 있다.
실시형태 1에 따른 고주파 모듈(100)에서는, 제 1 스위치(3)와 컨트롤러(20)와 제 4 스위치(23)와 제 5 스위치(24)를 포함하는 IC칩(27)이, 실장기판(10)의 제 2 주면(102)에 실장되어 있다. 실장기판(10)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 볼 때에, IC칩(27)의 외주 형상은 사각형상이다. IC칩(27)은 Si계 IC칩이지만, 이것에 한정하지 않는다.
또한, 실시형태 1에 따른 고주파 모듈(100)에서는, 저잡음 증폭기(9)와 제 2 스위치(6)와 제 3 스위치(7)를 포함하는 IC칩(28)이, 실장기판(10)의 제 2 주면(102)에 실장되어 있다. 실장기판(10)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 볼 때에, IC칩(28)의 외주 형상은 사각형상이다. 저잡음 증폭기(9)가 갖는 증폭용의 트랜지스터는 전계효과 트랜지스터이지만, 이에 한정하지 않고, 예를 들면, 바이폴러 트랜지스터여도 좋다. IC칩(28)은 Si계 IC칩이지만, 이것에 한정하지 않는다.
복수의 외부 접속단자(8)는 실장기판(10)의 제 2 주면(102)에 배치되어 있다. 「외부 접속단자(8)가 실장기판(10)의 제 2 주면(102)에 배치되어 있다」란, 외부 접속단자(8)가 실장기판(10)의 제 2 주면(102)에 기계적으로 접속되어 있는 것과, 외부 접속단자(8)가 실장기판(10)(의 적당한 도체부)과 전기적으로 접속되어 있는 것을 포함한다. 복수의 외부 접속단자(8)의 재료는, 예를 들면, 금속(예를 들면, 구리, 구리 합금 등)이다. 복수의 외부 접속단자(8)의 각각은 주상 전극이다. 주상 전극은, 예를 들면, 원기둥 형상의 전극이다. 복수의 외부 접속단자(8)는 실장기판(10)의 도체부에 대하여, 예를 들면, 땜납에 의해 접합되어 있지만, 이에 한정하지 않고, 예를 들면, 도전성 접착제(예를 들면, 도전성 페이스트)를 이용하여 접합되어 있어도 되고, 직접 접합되어 있어도 된다.
복수의 외부 접속단자(8)는 상술의 제 1 안테나 단자(81), 제 2 안테나 단자(82), 2개의 제 1 신호 입력단자(83), 2개의 제 2 신호 입력단자(84), 4개의 제어단자(85) 및 신호 출력단자(86) 이외에 복수의 그라운드 단자를 포함하고 있다. 복수의 그라운드 단자는 실장기판(10)의 그라운드층과 전기적으로 접속되어 있다. 그라운드층은 고주파 모듈(100)의 회로 그라운드이며, 고주파 모듈(100)의 복수의 회로부품은 그라운드층과 전기적으로 접속되어 있는 회로부품을 포함한다.
고주파 모듈(100)은 수지층(105)을 더 구비한다. 수지층(105)은 복수의 회로부품 중 실장기판(10)의 제 1 주면(101)에 실장되어 있는 제 1 군의 회로부품 각각을 덮고 있다. 수지층(105)은, 수지(예를 들면, 에폭시 수지)를 포함한다. 수지층(105)은 수지 외에 필러를 포함하고 있어도 좋다.
또한, 고주파 모듈(100)은 실장기판(10)의 제 1 주면(101)에 배치되어 있는 수지층(105)(이하, 제 1 수지층(105)이라고도 한다)과는 별도로, 수지층(107)(이하, 제 2 수지층(107)이라고도 한다)을 더 구비한다. 제 2 수지층(107)은 실장기판(10)의 제 2 주면(102)에 실장되어 있는 제 2 군의 회로부품과, 복수의 외부 접속단자(8) 각각의 외주면을 덮고 있다. 제 2 수지층(107)은, 수지(예를 들면, 에폭시 수지)를 포함한다. 제 2 수지층(107)은 수지의 외에 필러를 포함하고 있어도 좋다. 제 2 수지층(107)의 재료는 제 1 수지층(105)의 재료와 같은 재료여도 좋고, 다른 재료여도 좋다.
제 2 수지층(107)은 실장기판(10)의 제 2 주면(102)에 실장되어 있는 복수의 회로부품 각각의 실장기판(10)측과는 반대측의 주면을 노출시키도록 형성되어 있어도 좋다.
또한, 고주파 모듈(100)은 실드층(106)을 더 구비한다. 실드층(106)은 도전성을 갖는다. 실드층(106)은 복수의 금속층을 적층한 다층 구조를 갖고 있지만, 이에 한정하지 않고, 1개의 금속층이라도 좋다. 금속층은 하나 또는 복수종의 금속을 포함한다. 실드층(106)은 제 1 수지층(105)에 있어서의 실장기판(10)측과는 반대측의 주면(151)과, 제 1 수지층(105)의 외주면(153)과, 실장기판(10)의 외주면(103)을 덮고 있다. 또한, 실드층(106)은 제 2 수지층(107)의 외주면(173)도 덮고 있다. 실드층(106)은 실장기판(10)이 갖는 그라운드층의 외주면의 적어도 일부와 접촉하고 있다.
(1.3) 고주파 모듈에 있어서의 회로부품의 레이아웃
고주파 모듈(100)에서는, 실장기판(10)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 볼 때에 제 1 파워 앰프(1)와 제 2 파워 앰프(2)가 인접하고 있다. 「제 1 파워 앰프(1)와 제 2 파워 앰프(2)가 인접하고 있다」란, 실장기판(10)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 볼 때에 제 1 파워 앰프(1)와 제 2 파워 앰프(2) 사이에 다른 회로부품이 없고, 제 1 파워 앰프(1)와 제 2 파워 앰프(2)가 이웃하고 있는 것을 의미한다.
또한, 고주파 모듈(100)에서는, 제 1 출력 정합회로(13)가 제 1 파워 앰프(1)로부터 보아서 제 2 파워 앰프(2)와는 반대측에 위치하고 있다. 또한, 고주파 모듈(100)에서는, 제 2 출력 정합회로(14)가 제 2 파워 앰프(2)로부터 보아서 제 1 파워 앰프(1)와는 반대측에 위치하고 있다. 고주파 모듈(100)에서는, 제 1 파워 앰프(1)와 제 2 파워 앰프(2)의 배열되어 있는 방향에 있어서, 제 1 출력 정합회로(13), 제 1 파워 앰프(1), 제 2 파워 앰프(2) 및 제 2 출력 정합회로(14)가 제 1 출력 정합회로(13), 제 1 파워 앰프(1), 제 2 파워 앰프(2) 및 제 2 출력 정합회로(14)의 순서로 배열되어 있다.
고주파 모듈(100)에서는, 실장기판(10)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 볼 때에, 제 1 스위치(3)가 제 1 파워 앰프(1)에 겹친다. 실장기판(10)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 볼 때에, 제 1 스위치(3)의 일부가 제 1 파워 앰프(1)의 일부에 겹치고 있지만, 이에 한정하지 않고, 제 1 스위치(3)의 전부가 제 1 파워 앰프(1)의 일부에 겹쳐 있어도 좋다. 또한, 제 1 스위치(3)의 전부가 제 1 파워 앰프(1)의 전부에 겹쳐 있어도 좋다.
도 3에서는, 상술의 실장기판(10)의 도체부, 비아 도체 등에 의해 구성되는 복수의 배선 중, 3개의 배선 W1, W2 및 W13을 도시하고 있다. 배선 W1, W2 및 W13에 관해서는, 도 1에도 부호를 붙이고 있다. 또한, 도 1에서는 배선 W14의 부호도 붙이고 있다. 배선 W1은 제 1 파워 앰프(1)의 제 1 출력단자(12)와 제 1 출력 정합회로(13)를 접속하고 있는 배선이다. 배선 W2는 제 2 파워 앰프(2)의 제 2 출력단자(22)와 제 2 출력 정합회로(14)를 접속하고 있는 배선이다. 배선 W13은 제 1 출력 정합회로(13)와 제 1 스위치(3)의 공통단자(30)를 접속하고 있는 배선이다. 배선 W14는 제 2 출력 정합회로(14)와 제 2 필터(5)를 접속하고 있는 배선이다.
고주파 모듈(100)에서는, 실장기판(10)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 볼 때에, 제 1 파워 앰프(1) 및 제 2 파워 앰프(2)가 저잡음 증폭기(9)에 겹치지 않는다.
고주파 모듈(100)의 회로구성은 송신 신호를 송신하는 송신회로와, 수신 신호를 수신하는 수신회로를 갖고 있다. 고주파 모듈(100)에서는, 복수의 회로부품 중 송신회로에만 포함되는 회로부품과, 그 이외의 회로부품(수신회로에만 포함되는 회로부품, 송신회로와 수신회로에서 공용되는 회로부품)이 실장기판(10)의 두께 방향(D1)에 있어서 겹치지 않는다. 복수의 회로부품 중 송신회로에만 포함되는 회로부품의 군은, 제 1 파워 앰프(1), 제 2 파워 앰프(2), 제 1 출력 정합회로(13), 제 2 출력 정합회로(14), 제 1 스위치(3), 제 4 스위치(23), 제 5 스위치(24) 및 컨트롤러(20)를 포함한다. 복수의 회로부품 중 수신회로에만 포함되는 회로부품의 군은, 제 2 스위치(6), 입력 정합회로(19) 및 저잡음 증폭기(9)를 포함한다. 송신회로와 수신회로에서 공용되는 회로부품의 군은, 2개의 제 1 필터(4), 제 2 필터(5), 2개의 제 1 정합회로(15), 제 2 정합회로(16), 제 3 스위치(7), 제 1 로우패스 필터(17) 및 제 2 로우패스 필터(18)를 포함한다.
고주파 모듈(100)은 실장기판(10)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 볼 때에, 복수의 회로부품 중 송신회로에만 포함되는 회로부품의 군이 배치되어 있는 제 1 영역과, 수신회로에만 포함되는 회로부품의 군 및 송신회로와 수신회로에서 공용되는 회로부품의 군이 배치되어 있는 제 2 영역이 나뉘어져 있다. 실장기판(10)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 볼 때에, 복수의 외부 접속단자(8) 중, IC칩(27)과 IC칩(28)의 배열되어 있는 방향에 교차하는 방향에 있어서 배열되어 있는 6개의 외부 접속단자(8)의 각각은 그라운드 단자이다.
(2) 효과
(2.1) 고주파 모듈
실시형태 1에 따른 고주파 모듈(100)은, 실장기판(10)과, 제 1 파워 앰프(1)와, 제 2 파워 앰프(2)와, 스위치(3)와, 복수의 제 1 필터(4)와, 제 2 필터(5)를 구비한다. 실장기판(10)은 서로 대향하는 제 1 주면(101) 및 제 2 주면(102)을 갖는다. 제 1 파워 앰프(1)는 제 1 입력단자(11) 및 제 1 출력단자(12)를 갖는다. 제 1 파워 앰프(1)는 실장기판(10)에 실장되어 있다. 제 1 파워 앰프(1)는 제 1 주파수 대역의 송신 신호를 증폭해서 출력한다. 제 2 파워 앰프(2)는 제 2 입력단자(21) 및 제 2 출력단자(22)를 갖는다. 제 2 파워 앰프(2)는 실장기판(10)에 실장되어 있다. 제 2 파워 앰프(2)는 제 1 주파수 대역과는 다른 제 2 주파수 대역의 송신 신호를 증폭해서 출력한다. 스위치(3)는 공통단자(30)와 공통단자(30)에 접속 가능한 복수의 선택단자(31)를 갖는다. 스위치(3)는 실장기판(10)에 실장되어 있다. 복수의 제 1 필터(4)는 실장기판(10)에 실장되어 있다. 제 2 필터(5)는 실장기판(10)에 실장되어 있다. 복수의 제 1 필터(4) 각각의 통과대역은 제 1 주파수 대역에 포함된다. 제 2 필터(5)의 통과대역은 제 2 주파수 대역에 포함된다. 제 2 파워 앰프(2)의 출력 전력 레벨이 제 1 파워 앰프(1)의 출력 전력 레벨보다 크다. 제 1 파워 앰프(1)의 제 1 출력단자(12)는 스위치(3)를 통해서 복수의 제 1 필터(4)에 접속 가능하다. 제 2 파워 앰프(2)의 제 2 출력단자(22)는 스위치(3)를 개재하지 않고 제 2 필터(5)에 접속되어 있다.
실시형태 1에 따른 고주파 모듈(100)은 송신 전력의 향상을 꾀하는 것이 가능해진다. 실시형태 1에 따른 고주파 모듈(100)은 제 1 파워 앰프(1)와 제 2 파워 앰프(2) 중 출력 전력 레벨이 큰 제 2 파워 앰프(2)의 제 2 출력단자(22)가 스위치(3)를 개재하지 않고 제 2 필터(5)에 접속되어 있으므로, 제 2 파워 앰프(2)와 제 2 필터(5) 사이에서의 전력손실을 저감할 수 있고, 제 2 파워 앰프(2)에 의해 증폭된 송신 신호의 송신 전력의 향상을 꾀하는 것이 가능해진다. 이것에 의해, 실시형태 1에 따른 고주파 모듈(100)은, 제 2 파워 앰프(2)의 제 2 출력단자(22)가 스위치를 통해서 제 2 필터(5)에 접속될 경우와 비교하여, 제 2 파워 앰프(2)의 출력 전력 레벨을 작게 하는 것이 가능해지고, 제 2 파워 앰프(2)의 설계가 용이해진다고 하는 이점도 있다.
또한, 실시형태 1에 따른 고주파 모듈(100)에서는, 제 1 파워 앰프(1)가 실장기판(10)의 제 1 주면(101)에 실장되어 있고, 스위치(3)가 실장기판(10)의 제 2 주면(102)에 실장되어 있다. 실장기판(10)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 볼 때에, 스위치(3)가 제 1 파워 앰프(1)에 겹친다. 이것에 의해, 실시형태 1에 따른 고주파 모듈(100)은 제 1 파워 앰프(1)와 스위치(3) 사이의 배선을 짧게 하는 것이 가능해지고, 전력손실을 억제하는 것이 가능해진다.
또한, 실시형태 1에 따른 고주파 모듈(100)에서는, 저잡음 증폭기(9)와 제 2 스위치(6)를 포함하는 IC칩(28)이 실장기판(10)의 제 2 주면(102)에 실장되어 있다. 실장기판(10)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 볼 때에 제 1 파워 앰프(1) 및 제 2 파워 앰프(2)가 저잡음 증폭기(9)에 겹치지 않는다. 이것에 의해, 실시형태 1에 따른 고주파 모듈(100)에서는 제 1 파워 앰프(1) 및 제 2 파워 앰프(2)와 저잡음 증폭기(9)의 아이솔레이션을 향상시키는 것이 가능해진다.
(2.2) 통신 장치
실시형태 1에 따른 통신 장치(300)는 신호 처리 회로(301)와, 고주파 모듈(100)을 구비한다. 신호 처리 회로(301)는 고주파 모듈(100)에 접속되어 있다.
실시형태 1에 따른 통신 장치(300)는 고주파 모듈(100)을 구비하므로, 송신 전력의 향상을 꾀하는 것이 가능해진다.
신호 처리 회로(301)를 구성하는 복수의 회로부품은, 예를 들면, 상술의 회로기판에 실장되어 있어도 되고, 고주파 모듈(100)이 실장된 회로기판(제 1 회로기판)과는 다른 회로기판(제 2 회로기판)에 실장되어 있어도 된다.
(3) 변형예
(3.1) 변형예 1
실시형태 1의 변형예 1에 따른 고주파 모듈(100a)에 대해서, 도 4A 및 도 4B를 참조해서 설명한다. 변형예 1에 따른 고주파 모듈(100a)에 관하여, 실시형태 1에 따른 고주파 모듈(100)과 같은 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 붙여서 설명을 생략한다. 또, 고주파 모듈(100a)의 회로구성에 대해서는, 도 1을 참조해서 설명한 실시형태 1에 따른 고주파 모듈(100)의 회로구성과 같다.
변형예 1에 따른 고주파 모듈(100a)은, 실장기판(10)의 두께 방향(D1)(도 3 참조)으로부터의 평면에서 볼 때에, 제 2 파워 앰프(2)와 제 2 출력 정합회로(14)의 배열되어 있는 방향에 교차(예를 들면, 직교)하는 방향에 있어서, 제 2 출력 정합회로(14)와 제 2 필터(5)가 인접하고 있는 점에서 실시형태 1에 따른 고주파 모듈(100)과 상위하다. 「제 2 출력 정합회로(14)와 제 2 필터(5)가 인접하고 있다」란, 실장기판(10)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 볼 때에 제 2 출력 정합회로(14)와 제 2 필터(5) 사이에 다른 회로부품이 없고, 제 2 출력 정합회로(14)와 제 2 필터(5)가 이웃하고 있는 것을 의미한다. 제 2 출력 정합회로(14)가 복수의 회로부품을 포함하고 있을 경우에는, 회로적으로 배선 W14에 가장 가까운 회로부품과 제 2 필터(5)가 인접하고 있는 것이 바람직하다.
변형예 1에 따른 고주파 모듈(100a)은, 제 2 출력 정합회로(14)와 제 2 필터(5) 사이의 배선 W14를 짧게 할 수 있으므로, 배선 W14에서의 전력손실을 억제하는 것이 가능해진다.
또한, 변형예 1에 따른 고주파 모듈(100a)에서는, 실장기판(10)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 볼 때에, 제 2 파워 앰프(2)와 제 2 필터(5) 사이의 거리가 제 1 파워 앰프(1)와 복수의 제 1 필터(4) 각각 사이의 거리보다 짧다. 이것에 의해, 변형예 2에 따른 고주파 모듈(100a)은 송신 전력의 향상을 꾀하는 것이 가능해진다.
(3.2) 변형예 2
실시형태 1의 변형예 2에 따른 고주파 모듈(100b)에 대해서 도 5를 참조해서 설명한다. 변형예 2에 따른 고주파 모듈(100b)에 관하여, 실시형태 1에 따른 고주파 모듈(100)과 같은 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 붙여서 설명을 생략한다. 또, 고주파 모듈(100b)의 회로구성에 대해서는, 도 1을 참조해서 설명한 실시형태 1에 따른 고주파 모듈(100)의 회로구성과 같다.
변형예 2에 따른 고주파 모듈(100b)은, 실장기판(10)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 볼 때에, 제 1 파워 앰프(1), 제 1 출력 정합회로(13), 제 2 파워 앰프(2) 및 제 2 출력 정합회로(14)가, 제 1 파워 앰프(1), 제 1 출력 정합회로(13), 제 2 파워 앰프(2) 및 제 2 출력 정합회로(14)의 순으로 배열되어 있는 점에서 실시형태 1에 따른 고주파 모듈(100)과 상위하다.
또한, 변형예 2에 따른 고주파 모듈(100b)은, 실장기판(10)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 볼 때에, 제 2 파워 앰프(2)와 제 2 출력 정합회로(14)의 배열되어 있는 방향에 있어서, 제 2 출력 정합회로(14)와 제 2 필터(5)가 인접하고 있는 점에서 실시형태 1에 따른 고주파 모듈(100)과 상위하다. 「제 2 출력 정합회로(14)와 제 2 필터(5)가 인접하고 있다」란, 실장기판(10)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 볼 때에 제 2 출력 정합회로(14)와 제 2 필터(5) 사이에 다른 회로부품이 없고, 제 2 출력 정합회로(14)와 제 2 필터(5)가 이웃하고 있는 것을 의미한다. 제 2 출력 정합회로(14)가 복수의 회로부품을 포함하고 있을 경우에는, 회로적으로 배선 W14에 가장 가까운 회로부품과 제 2 필터(5)가 인접하고 있는 것이 바람직하다.
변형예 2에 따른 고주파 모듈(100b)은, 제 2 출력 정합회로(14)와 제 2 필터(5) 사이의 배선 W14를 짧게 할 수 있으므로, 배선 W14에서의 전력손실을 억제하는 것이 가능해진다.
(3.3) 변형예 3
실시형태 1의 변형예 3에 따른 고주파 모듈(100c)에 대해서, 도 6을 참조해서 설명한다. 변형예 3에 따른 고주파 모듈(100c)에 관하여, 실시형태 1에 따른 고주파 모듈(100)과 같은 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 붙여서 설명을 생략한다. 또, 고주파 모듈(100c)의 회로구성에 대해서는, 도 1을 참조해서 설명한 실시형태 1에 따른 고주파 모듈(100)의 회로구성과 같다.
변형예 3에 따른 고주파 모듈(100c)은, 복수의 외부 접속단자(8)가 볼 범프인 점에서 실시형태 1에 따른 고주파 모듈(100)과 상위하다. 또한, 변형예 3에 따른 고주파 모듈(100c)은, 실시형태 1에 따른 고주파 모듈(100)의 수지층(107)을 구비하고 있지 않은 점에서 실시형태 1에 따른 고주파 모듈(100)과 상위하다. 변형예 3에 따른 고주파 모듈(100c)은, 실장기판(10)의 제 2 주면(102)에 실장되어 있는 회로부품(IC칩(27), IC칩(28))과 실장기판(10)의 제 2 주면(102) 사이의 간극에 형성된 언더필부를 구비하고 있어도 된다.
복수의 외부 접속단자(8)의 각각을 구성하는 볼 범프의 재료는, 예를 들면, 금, 구리, 땜납 등이다.
복수의 외부 접속단자(8)는 볼 범프에 의해 구성된 외부 접속단자(8)와, 주상 전극에 의해 구성된 외부 접속단자(8)가 혼재해도 좋다.
(실시형태 2)
실시형태 2에 따른 고주파 모듈(100d) 및 통신 장치(300d)에 대해서, 도 7을 참조해서 설명한다. 실시형태 2에 따른 고주파 모듈(100d) 및 통신 장치(300d)에 관해서, 실시형태 1에 따른 고주파 모듈(100) 및 통신 장치(300) 각각과 같은 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 붙여서 설명을 생략한다.
실시형태 2에 따른 고주파 모듈(100d)은, 제 1 노치 필터(25)와 제 2 노치 필터(26)를 더 구비하는 점에서, 실시형태 1에 따른 고주파 모듈(100)과 상위하다. 제 1 노치 필터(25)는 제 1 파워 앰프(1)와 제 1 스위치(3) 사이에 설치되어 있다. 보다 상세하게는, 제 1 노치 필터(25)는 제 1 출력 정합회로(13)와 제 1 스위치(3)의 공통단자(30) 사이에 접속되어 있다. 제 2 노치 필터(26)는 제 2 파워 앰프(2)와 제 2 필터(5) 사이에 설치되어 있다. 보다 상세하게는, 제 2 노치 필터(26)는 제 2 출력 정합회로(14)와 제 2 필터(5)의 사이에 접속되어 있다. 제 1 노치 필터(25) 및 제 2 노치 필터(26)의 각각은, 예를 들면, LC 필터이다.
실시형태 2에 따른 고주파 모듈(100d)은, 제 1 파워 앰프(1)에 의해 증폭된 송신 신호의 고조파 성분을 제 1 노치 필터(25)에 의해 저감하는 것이 가능해지고, 제 2 파워 앰프(2)에 의해 증폭된 송신 신호의 고조파 성분을 제 2 노치 필터(26)에 의해 저감하는 것이 가능해진다.
(그 밖의 변형예)
상기 실시형태 1, 2 등은, 본 발명의 다양한 실시형태의 하나에 지나지 않는다. 상기 실시형태 1, 2 등은, 본 발명의 목적을 달성할 수 있으면 설계 등에 따라 여러 가지 변경이 가능하다.
복수 제 1 필터(4)의 각각은, 송신 필터(41)와 수신 필터(42)를 각각의 회로부품으로서 갖고 있어도 된다. 또한, 제 2 필터(5)는 송신 필터(51)와 수신 필터(52)를 각각의 회로부품으로서 갖고 있어도 된다.
또한, 송신 필터(41), 수신 필터(42), 송신 필터(51) 및 수신 필터(52)의 각각은, 표면 탄성파 필터에 한하지 않고, 예를 들면 BAW(Bulk Acoustic Wave) 필터 라도 된다. BAW 필터에 있어서의 공진자는, 예를 들면 FBAR(Film Bulk Acoustic Resonator) 또는 SMR(Solidly Mounted Resonator)이다.
또한, 송신 필터(41), 수신 필터(42), 송신 필터(51) 및 수신 필터(52)의 각각은, 사다리형 필터에 한하지 않고, 예를 들면 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터여도 좋다.
또한, 상술의 탄성파 필터는 표면 탄성파 또는 벌크 탄성파를 이용하는 탄성파 필터이지만, 이에 한정하지 않고, 예를 들면, 탄성경계파, 판파 등을 이용하는 탄성파 필터여도 좋다.
또한, 복수의 회로부품은 범프를 통해서 실장기판(10)과 전기적으로 접속되어 있지만, 실장기판(10)에 실장되는 복수의 회로부품은 범프를 통하여 실장기판(10)과 전기적으로 접속될 경우에 한하지 않고, 예를 들면 본딩 와이어를 통해서 실장기판(10)과 전기적으로 접속되어 있어도 된다.
실장기판(10)의 제 2 주면(102)에 배치되어서 실장기판(10)의 두께 방향(D1)에 있어서 제 1 파워 앰프(1)에 겹치는 제 1 방열용 도체부 및 제 2 파워 앰프(2)에 겹치는 제 2 방열용 도체부를 더 구비하고 있어도 된다. 또, 복수의 외부 접속단자(8)의 일부가 제 1 방열용 도체부 및 제 2 방열용 도체부를 구성하고 있어도 된다.
또한, 실시형태 1에 따른 통신 장치(300)는, 고주파 모듈(100) 대신에 고주파 모듈(100a, 100b, 100c) 중 어느 하나를 구비해도 좋다.
또한, 저잡음 증폭기(9)를 포함하는 IC칩(28)은, 적어도 저잡음 증폭기(9)를 포함하고 있으면 좋고, 예를 들면 저잡음 증폭기(9)에 추가해서, 제 2 스위치(6)와 제 3 스위치(7) 중 적어도 1개를 포함하고 있어도 된다.
또한, 고주파 모듈(100, 100a, 100b, 100c, 100d)은, 제 1 안테나 단자(81)와 제 2 안테나 단자(82)를 구비하고, 2개의 안테나(제 1 안테나(311) 및 제 2 안테나(312))를 사용해서 송신 전력이 다른 제 1 송신 신호 및 제 2 송신 신호의 동시통신을 행하도록 구성되어 있지만, 이 구성에 한정되지 않는다. 고주파 모듈(100, 100a, 100b, 100c, 100d)은 1개의 안테나를 이용하여 송신 전력이 다른 제 1 송신 신호 및 제 2 송신 신호의 동시통신을 행하도록 구성되어 있어도 된다.
(양태)
본 명세서에는 이하의 양태가 개시되어 있다.
제 1 양태에 따른 고주파 모듈(100; 100a; 100b; 100c; 100d)은, 실장기판(10)과, 제 1 파워 앰프(1)와, 제 2 파워 앰프(2)와, 스위치(3)와, 복수의 제 1 필터(4)와, 제 2 필터(5)를 구비한다. 실장기판(10)은 서로 대향하는 제 1 주면(101) 및 제 2 주면(102)을 갖는다. 제 1 파워 앰프(1)는 제 1 입력단자(11) 및 제 1 출력단자(12)를 갖는다. 제 1 파워 앰프(1)는 실장기판(10)에 실장되어 있다. 제 1 파워 앰프(1)는 제 1 주파수 대역의 송신 신호를 증폭해서 출력한다. 제 2 파워 앰프(2)는 제 2 입력단자(21) 및 제 2 출력단자(22)를 갖는다. 제 2 파워 앰프(2)는 실장기판(10)에 실장되어 있다. 제 2 파워 앰프(2)는 제 1 주파수 대역과는 다른 제 2 주파수 대역의 송신 신호를 증폭해서 출력한다. 스위치(3)는 공통단자(30)와 공통단자(30)에 접속 가능한 복수의 선택단자(31)를 갖는다. 스위치(3)는 실장기판(10)에 실장되어 있다. 복수의 제 1 필터(4)는 실장기판(10)에 실장되어 있다. 제 2 필터(5)는 실장기판(10)에 실장되어 있다. 복수의 제 1 필터(4) 각각의 통과대역은 제 1 주파수 대역에 포함된다. 제 2 필터(5)의 통과대역은 제 2 주파수 대역에 포함된다. 제 2 파워 앰프(2)의 출력 전력 레벨이 제 1 파워 앰프(1)의 출력 전력 레벨보다 크다. 제 1 파워 앰프(1)의 제 1 출력단자(12)는 스위치(3)를 통해서 복수의 제 1 필터(4)에 접속 가능하다. 제 2 파워 앰프(2)의 제 2 출력단자(22)는 스위치(3)를 개재하지 않고 제 2 필터(5)에 접속되어 있다.
제 1 양태에 따른 고주파 모듈(100; 100a; 100b; 100c; 100d)은, 송신 전력의 향상을 꾀하는 것이 가능해진다.
제 2 양태에 따른 고주파 모듈(100; 100a; 100b; 100c; 100d)에서는, 제 1 양태에 있어서, 제 1 파워 앰프(1)는 실장기판(10)의 제 1 주면(101)에 실장되어 있다. 스위치(3)는 실장기판(10)의 제 2 주면(102)에 실장되어 있다. 실장기판(10)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 볼 때에, 스위치(3)가 제 1 파워 앰프(1)에 겹친다.
제 2 양태에 따른 고주파 모듈(100; 100a; 100b; 100c; 100d)은, 제 1 파워 앰프(1)와 스위치(3) 사이의 배선을 짧게 하는 것이 가능해지고, 전력손실을 억제하는 것이 가능해진다.
제 3 양태에 따른 고주파 모듈(100; 100a; 100b; 100c; 100d)은, 제 1 또는 제 2 양태에 있어서, 실장기판(10)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 볼 때에, 제 2 파워 앰프(2)와 제 2 필터(5) 사이의 거리가 제 1 파워 앰프(1)와 복수의 제 1 필터(4) 각각 사이의 거리보다 짧다.
제 3 양태에 따른 고주파 모듈(100)은, 제 2 파워 앰프(2)와 제 2 필터(5) 사이에서의 전력손실을 억제하는 것이 가능해진다.
제 4 양태에 따른 고주파 모듈(100d)은, 제 1 내지 제 3 양태 중 어느 하나에 있어서, 제 1 노치 필터(25)와 제 2 노치 필터(26)를 더 구비한다. 제 1 노치 필터(25)는 제 1 파워 앰프(1)와 스위치(3) 사이에 설치되어 있다. 제 2 노치 필터(26)는 제 2 파워 앰프(2)와 제 2 필터(5) 사이에 설치되어 있다.
제 4 양태에 따른 고주파 모듈(100d)은, 제 1 파워 앰프(1)에 의해 증폭된 송신 신호의 고조파 성분을 제 1 노치 필터(25)에 의해 저감하는 것이 가능해지고, 제 2 파워 앰프(2)에 의해 증폭된 송신 신호의 고조파 성분을 제 2 노치 필터(26)에 의해 저감하는 것이 가능해진다.
제 5 양태에 따른 고주파 모듈(100; 100a; 100b; 100c; 100d)은, 제 1 내지 제 4 양태 중 어느 하나에 있어서, 컨트롤러(20)를 더 구비한다. 컨트롤러(20)는 제 1 파워 앰프(1)와 제 2 파워 앰프(2)를 제어한다. 고주파 모듈 (100)에서는, 스위치(3)와 컨트롤러(20)를 포함하는 IC칩(27)이 실장기판(10)의 제 2 주면(102)에 실장되어 있다.
제 6 양태에 따른 고주파 모듈(100; 100a; 100b; 100c; 100d)에서는, 제 5 양태에 있어서, 컨트롤러(20)는 제 1 파워 앰프(1)와 제 2 파워 앰프(2)를 동시에 동작시키는 모드와, 제 1 파워 앰프(1)와 제 2 파워 앰프(2) 중 한쪽을 동작시키는 모드를 갖는다.
제 6 양태에 따른 고주파 모듈(100; 100a; 100b; 100c; 100d)은, 제 1 파워 앰프(1)와 제 2 파워 앰프(2)를 동시에 동작시킴으로써, 제 1 주파수 대역의 송신 신호와 제 2 주파수 대역의 송신 신호를 동시 송신하는 것이 가능해진다.
제 7 양태에 따른 고주파 모듈(100; 100a; 100b; 100c; 100d)에서는, 제 1 내지 제 6 양태 중 어느 하나에 있어서, 제 2 주파수 대역은 제 1 주파수 대역보다 고주파측의 주파수 대역이다.
제 7 양태에 따른 고주파 모듈(100; 100a; 100b; 100c; 100d)은, 제 1 주파수 대역과 제 2 주파수 대역 중 상대적으로 높은 주파수 대역인 제 2 주파수 대역의 송신 신호의 송신 전력을, 제 1 주파수 대역의 송신 신호의 송신 전력보다 크게 하는 것이 가능해진다.
제 8 양태에 따른 고주파 모듈(100; 100a; 100b; 100c; 100d)에서는, 제 1 내지 제 7 양태 중 어느 하나에 있어서, 제 1 주파수 대역은 FDD용의 통신밴드의 송신 대역을 포함한다. 제 2 주파수 대역은 TDD용의 통신밴드의 송신 대역을 포함한다.
제 8 양태에 따른 고주파 모듈(100; 100a; 100b; 100c; 100d)은, TDD용의 송신 신호의 송신 전력을 FDD용의 송신 신호의 송신 전력보다 크게 하는 것이 가능해 진다.
제 9 양태에 따른 고주파 모듈(100; 100a; 100b; 100c; 100d)에서는, 제 1 내지 제 8 양태 중 어느 하나에 있어서, 복수의 제 1 필터(4) 및 제 2 필터(5)의 각각은 송신 필터(41, 51)와 수신 필터(42, 52)를 포함하는 듀플렉서이다.
제 9 양태에 따른 고주파 모듈(100; 100a; 100b; 100c; 100d)은 소형화를 꾀하는 것이 가능해진다.
제 10 양태에 따른 고주파 모듈(100; 100a; 100b; 100c; 100d)은, 제 9 양태에 있어서, 제 2 스위치(6)와 저잡음 증폭기(9)를 더 구비한다. 제 2 스위치(6)는 스위치(3)인 제 1 스위치와는 다른 스위치이다. 저잡음 증폭기(9)는 입력단자(91) 및 출력단자(92)를 갖는다. 저잡음 증폭기(9)는 수신 신호를 증폭해서 출력한다. 제 2 스위치(6)는 공통단자(60)와 복수의 듀플렉서의 수신 필터(42, 52)가 접속되는 복수의 선택단자(61)를 갖는다. 저잡음 증폭기(9)의 입력단자(91)가 제 2 스위치(6)의 공통단자(60)에 접속되어 있다.
제 10의 양태에 따른 고주파 모듈(100; 100a; 100b; 100c; 100d)은, 통신밴드가 다른 2종류의 수신 신호의 동시 수신을 행하는 것이 가능해진다.
제 11 양태에 따른 고주파 모듈(100; 100a; 100b; 100c; 100d)에서는, 제 10 양태에 있어서, 저잡음 증폭기(9)와 제 2 스위치(6)를 포함하는 IC칩(28)이 실장기판(10)의 제 2 주면(102)에 실장되어 있다. 실장기판(10)의 두께 방향(D1)으로부터의 평면에서 볼 때에 제 1 파워 앰프(1) 및 제 2 파워 앰프(2)가 저잡음 증폭기(9)에 겹치지 않는다.
제 11 양태에 따른 고주파 모듈(100; 100a; 100b; 100c; 100d)에서는, 제 1 파워 앰프(1) 및 제 2 파워 앰프(2)와 저잡음 증폭기(9)의 아이솔레이션을 향상시키는 것이 가능해진다.
제 12 양태에 따른 고주파 모듈(100; 100a; 100b; 100c; 100d)은, 제 1 내지 제 11 양태 중 어느 하나에 있어서, 복수의 외부 접속단자(8)를 더 구비한다. 복수의 외부 접속단자(8)는 실장기판(10)의 제 2 주면(102)에 배치되어 있다.
제 13 양태에 따른 통신 장치(300)는, 제 1 내지 제 12 양태 중 어느 하나의 고주파 모듈(100; 100a; 100b; 100c; 100d)과, 신호 처리 회로(301)를 구비한다. 신호 처리 회로(301)는 고주파 모듈(100; 100a; 100b; 100c; 100d)에 접속되어 있다.
제 13 양태에 따른 통신 장치 (300)에서는, 송신 전력의 향상을 꾀하는 것이 가능해진다.
1 : 제 1 파워 앰프
11 : 제 1 입력단자
12 : 제 1 출력단자
2 : 제 2 파워 앰프
21 : 제 2 입력단자
22 : 제 2 출력단자
3 : 스위치(제 1 스위치)
30 : 공통단자
31 : 선택단자
4, 4A, 4B : 제 1 필터(듀플렉서)
41 : 송신 필터
42 : 수신 필터
5 : 제 2 필터(듀플렉서)
51 : 송신 필터
52 : 수신 필터
6 : 제 2 스위치
60 : 공통단자
61 : 선택단자
7 : 제 3 스위치
70A : 제 1 공통단자
70B : 제 2 공통단자
71 : 제 1 선택단자
72 : 제 2 선택단자
8 : 외부 접속단자
81 : 제 1 안테나 단자
82 : 제 2 안테나 단자
83 : 제 1 신호입력단자
84 : 제 2 신호입력단자
85 : 제어단자
86 : 신호출력단자
9 : 저잡음 증폭기
91 : 입력단자
92 : 출력단자
10 : 실장기판
101 : 제 1 주면
102 : 제 2 주면
103 : 외주면
13 : 제 1 출력 정합회로
14 : 제 2 출력 정합회로
15, 15A, 15B : 제 1 정합회로
16 : 제 2 정합회로
17 : 제 1 로우패스 필터
18 : 제 2 로우패스 필터
19 : 입력 정합회로
20 : 컨트롤러
23 : 제 4 스위치
230 : 공통단자
231 : 선택단자
24 : 제 5 스위치
240 : 공통단자
241 : 선택단자
25 : 제 1 노치 필터
26 : 제 2 노치 필터
27 : IC칩
28 : IC칩
105 : 수지층(제 1 수지층)
151 : 주면
153 : 외주면
106 : 실드층
107 : 수지층(제 2 수지층)
171 : 주면
173 : 외주면
100, 100a, 100b, 100c, 100d : 고주파 모듈
300, 300d : 통신 장치
301 : 신호 처리 회로
302 : RF신호 처리 회로
303 : 베이스밴드 신호 처리 회로
311 : 제 1 안테나
312 : 제 2 안테나
D1 : 두께 방향
W1, W2, W13, W14 : 배선

Claims (17)

  1. 서로 대향하는 제 1 주면 및 제 2 주면을 갖는 실장기판과,
    제 1 입력단자 및 제 1 출력단자를 갖고, 상기 실장기판에 실장되어 있고, 제 1 주파수 대역의 송신 신호를 증폭해서 출력하는 제 1 파워 앰프와,
    제 2 입력단자 및 제 2 출력단자를 갖고, 상기 실장기판에 실장되어 있고, 상기 제 1 주파수 대역과는 다른 제 2 주파수 대역의 송신 신호를 증폭해서 출력하는 제 2 파워 앰프와,
    공통단자와 상기 공통단자에 접속 가능한 복수의 선택단자를 갖고, 상기 실장기판에 실장되어 있는 스위치와,
    상기 실장기판에 실장되어 있는 복수의 제 1 필터와,
    상기 실장기판에 실장되어 있는 제 2 필터를 구비하고,
    상기 복수의 제 1 필터 각각의 통과대역은 상기 제 1 주파수 대역에 포함되고,
    상기 제 2 필터의 통과대역은 상기 제 2 주파수 대역에 포함되고,
    상기 제 2 파워 앰프의 출력 전력 레벨이 상기 제 1 파워 앰프의 출력 전력 레벨보다 크고,
    상기 제 1 파워 앰프의 상기 제 1 출력단자는 상기 스위치를 통해서 상기 복수의 제 1 필터에 접속 가능하고,
    상기 제 2 파워 앰프의 상기 제 2 출력단자는 상기 스위치를 개재하지 않고 상기 제 2 필터에 접속되어 있는 고주파 모듈.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 파워 앰프는 상기 실장기판의 상기 제 1 주면에 실장되어 있고,
    상기 스위치는 상기 실장기판의 상기 제 2 주면에 실장되어 있고,
    상기 실장기판의 두께 방향으로부터의 평면에서 볼 때에, 상기 스위치가 상기 제 2 파워 앰프에 겹치는 고주파 모듈.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 실장기판의 두께 방향으로부터의 평면에서 볼 때에, 상기 제 2 파워 앰프와 상기 제 2 필터 사이의 거리가 상기 제 1 파워 앰프와 상기 복수의 제 1 필터 각각 사이의 거리보다 짧은 고주파 모듈.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 파워 앰프와 상기 스위치 사이에 설치되어 있는 제 1 노치 필터와,
    상기 제 2 파워 앰프와 상기 제 2 필터 사이에 설치되어 있는 제 2 노치 필터를 더 구비하는 고주파 모듈.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 파워 앰프와 상기 제 2 파워 앰프를 제어하는 컨트롤러를 더 구비하고,
    상기 스위치와 상기 컨트롤러를 포함하는 IC칩이 상기 실장기판의 상기 제 2 주면에 실장되어 있는 고주파 모듈.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 컨트롤러는, 상기 제 1 파워 앰프와 상기 제 2 파워 앰프를 동시에 동작시키는 모드와, 상기 제 1 파워 앰프와 상기 제 2 파워 앰프 중 한쪽을 동작시키는 모드를 갖는 고주파 모듈.
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 주파수 대역은 상기 제 1 주파수 대역보다 고주파측의 주파수 대역인 고주파 모듈.
  8. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 주파수 대역은 FDD용의 통신밴드의 송신 대역을 포함하고,
    상기 제 2 주파수 대역은 TDD용의 통신밴드의 송신 대역을 포함하는 고주파 모듈.
  9. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 복수의 제 1 필터 및 상기 제 2 필터의 각각은, 송신 필터와 수신 필터를 포함하는 듀플렉서인 고주파 모듈.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 스위치인 제 1 스위치와는 다른 제 2 스위치와,
    입력단자 및 출력단자를 갖고, 수신 신호를 증폭해서 출력하는 저잡음 증폭기를 더 구비하고,
    상기 제 2 스위치는 공통단자와 상기 복수의 듀플렉서의 상기 수신 필터가 접속되는 복수의 선택단자를 갖고,
    상기 저잡음 증폭기의 상기 입력단자가 상기 제 2 스위치의 상기 공통단자에 접속되어 있는 고주파 모듈.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 저잡음 증폭기와 상기 제 2 스위치를 포함하는 IC칩이 상기 실장기판의 상기 제 2 주면에 실장되어 있고,
    상기 실장기판의 두께 방향으로부터의 평면에서 볼 때에 상기 제 1 파워 앰프 및 상기 제 2 파워 앰프가 상기 저잡음 증폭기에 겹치지 않는 고주파 모듈.
  12. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 실장기판의 상기 제 2 주면에 배치되어 있는 복수의 외부 접속단자를 더 구비하는 고주파 모듈.
  13. 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 고주파 모듈과,
    상기 고주파 모듈에 접속되어 있는 신호 처리 회로를 구비하는 통신 장치.
  14. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 파워 앰프와 상기 스위치 사이에 설치되어 있는 제 1 노치 필터와,
    상기 제 2 파워 앰프와 상기 제 2 필터 사이에 설치되어 있는 제 2 노치 필터를 더 구비하는 고주파 모듈.
  15. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 파워 앰프와 상기 제 2 파워 앰프를 제어하는 컨트롤러를 더 구비하고,
    상기 스위치와 상기 컨트롤러를 포함하는 IC칩이 상기 실장기판의 상기 제 2 주면에 실장되어 있는 고주파 모듈.
  16. 제 14 항에 있어서,
    상기 제 1 파워 앰프와 상기 제 2 파워 앰프를 제어하는 컨트롤러를 더 구비하고,
    상기 스위치와 상기 컨트롤러를 포함하는 IC칩이 상기 실장기판의 상기 제 2 주면에 실장되어 있는 고주파 모듈.
  17. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 파워 앰프는 상기 실장기판의 상기 제 1 주면에 실장되어 있고,
    상기 스위치는 상기 실장기판의 상기 제 2 주면에 실장되어 있고,
    상기 실장기판의 두께 방향으로부터의 평면에서 볼 때에, 상기 스위치가 상기 제 1 파워 앰프에 겹치는 고주파 모듈.
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